WO2009113544A1 - 蛍光膜、蛍光膜の成膜方法、誘電体多層膜、光学素子、光学系、撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

蛍光膜、蛍光膜の成膜方法、誘電体多層膜、光学素子、光学系、撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a fluorescent film that emits fluorescence by ultraviolet rays and a method for forming the fluorescent film.
  • the present invention also relates to a dielectric multilayer film, an optical element, an optical system, an imaging unit, an optical property measuring device, an optical property measuring method, an exposure device, an exposure method, and a device manufacturing method using the fluorescent film.
  • Exposure apparatuses such as steppers are conventionally used as manufacturing apparatuses for micro devices such as semiconductor elements and liquid crystal display elements.
  • a high resolution is required for the projection optical system.
  • the optical characteristics of the projection optical system for example, imaging characteristics such as distortion, curvature of field, wavefront aberration, etc.
  • an optical characteristic measuring apparatus has been proposed in which periodic patterns (bright and dark repeating patterns) are arranged on the object plane and the image plane of the projection optical system, and distortion is measured from moire fringes formed by the two periodic patterns.
  • phosphors are conventionally used as substances for converting ultraviolet light into visible light.
  • the development of phosphors has a long history, with fluorescent lamps as a representative, and recently, it has become indispensable in various lighting technologies using light-emitting diodes (LEDs).
  • LEDs light-emitting diodes
  • oxide phosphors based on halophosphates, phosphates, silicates and the like are used as phosphors used in fluorescent lamps (low pressure mercury lamps). These phosphors are excited by light having a wavelength of 254 nm generated from excited mercury vapor, and emit various fluorescence.
  • a plasma display panel that displays an image by applying a high voltage to a rare gas such as encapsulated xenon (Xe) -neon (Ne) and emitting fluorescence by vacuum ultraviolet rays having a wavelength of 147 nm or 173 nm generated during discharge. (PDP).
  • oxide-based phosphors such as aluminate, silicate and borate are used as aluminate, silicate and borate are used.
  • These phosphors are generally produced by using a solid phase, a liquid phase, and a gas phase reaction, and have a powdery form (particle size is several micrometers).
  • the phosphor is applied by applying a printing technique.
  • a fluorescent powder is mixed using a highly viscous solution, and a phosphor is applied by applying a printing technique such as screen printing.
  • the fluorescent powder is fixed on the substrate by volatilizing the solvent of the coating layer through the high-temperature sintering process and causing the binder to be fused, thereby forming a phosphor layer.
  • a phosphor is used for a beam profiler for confirming the beam shape, a beam checker for confirming the optical path of the laser, and the like.
  • These phosphors are generally those in which a fluorescent powder is fixed to a substrate as described above, but recently, a light-transmitting material such as fluorescent glass has been developed (for example, Patent Document 2: (Patent No. 3965585, Patent Reference 3: JP-A 2006-265012).
  • These fluorescent light-emitting glasses contain a rare earth or transition metal ion in a fluorophosphate-based / oxide-based glass and constitute a phosphor while maintaining transparency.
  • Such fluorescent glass is intended to convert ultraviolet light into visible light that can be visually observed, and is used for adjusting the optical axis of laser light such as excimer laser.
  • the phosphor layer has a porous form in which particles of several micrometers are pressed and hardened, and contains a lot of voids. Since the size of the gap is about the same as the wavelength of light, ultraviolet rays and fluorescence are scattered. Therefore, the phosphor layer is thick, and there is a problem that the visible image of the beam intensity distribution and the beam shape becomes unclear due to the diffusion of the ultraviolet rays and the scattering of the fluorescence. Therefore, it has been impossible for a conventional phosphor formed by powder sintering to be combined with the optical characteristic measuring apparatus as described above to convert ultraviolet rays into visible light and perform high-precision measurement.
  • the fluorescent light-emitting glass is formed to be much thicker. For this reason, the optical system including the fluorescent light-emitting glass is likely to be restricted in arrangement and the like. In particular, there is a problem that the optical path changes depending on whether the fluorescent light emitting glass is arranged or not, and it is difficult to observe or measure by visualizing ultraviolet rays with a desired optical system.
  • an object of the present invention is to provide means for suppressing deterioration of a light guide member due to ultraviolet rays, with respect to an optical element including a light guide member configured by bundling a plurality of optical fibers.
  • the phosphor film of the present invention that solves the above problems includes a base material made of a material that is capable of transmitting ultraviolet light, and an activator doped in the base material, wherein the activator contains the ultraviolet light in the base material. It is characterized by emitting fluorescence when irradiated.
  • the base material may be made of fluoride.
  • the fluoride may contain unavoidable impurities.
  • the activator may contain a transition element or a rare earth element.
  • the phosphor film forming method of the present invention is a method of forming the above-described phosphor film, and a target in which the activator is doped on the base material made of fluoride is prepared, and the target is resistance-heated. It is characterized by forming a film by vapor deposition.
  • the dielectric multilayer film of the present invention is characterized by including the above-described fluorescent film.
  • the optical element of the present invention is characterized in that the fluorescent film or the dielectric multilayer film is provided on the surface of an optical substrate.
  • the optical system according to the present invention is an optical system in which a plurality of optical elements are arranged, and a part or all of the plurality of optical elements is composed of the optical elements.
  • the imaging unit of the present invention may be an imaging unit including the above-described fluorescent film or dielectric multilayer film and an imaging element that images the fluorescence emitted from the fluorescent film.
  • the imaging unit of the present invention may be an imaging unit including the optical element described above and an imaging element that images the fluorescence emitted from the optical element.
  • the imaging unit may include a light guide member that guides fluorescence emitted from the fluorescent film to the imaging element.
  • An optical characteristic measuring apparatus of the present invention is an apparatus for measuring optical characteristics of a test optical system, comprising the imaging unit of the present invention, wherein the imaging unit is disposed on the image plane side of the test optical system, and It may be one that detects measurement light that has passed through the optical analysis system.
  • the activator doped in the base material emits fluorescence when irradiated with ultraviolet rays in the base material, so that the ultraviolet rays can be observed and measured using fluorescence. it can.
  • the phosphor is a film, it is easy to arrange on the surface of the member irradiated with ultraviolet rays, and the degree of freedom of arrangement is large.
  • the activator is a thin film formed by doping the base material, light scattering due to voids does not occur unlike conventional phosphors formed from sintered powder. Therefore, it is possible to prevent the ultraviolet rays and fluorescence from becoming unclear due to scattering or the like while passing through the phosphor (phosphor film). Therefore, it is easy to accurately observe and measure ultraviolet rays.
  • a target in which an activator is doped on a base material made of fluoride is prepared, and the target is formed by phosphorizing the target by resistance heating. It is possible to form a fluorescent film while maintaining the above chemical composition. Therefore, it is easy to form a fluorescent film having desired fluorescent characteristics.
  • the dielectric multilayer film of the present invention since the above-described phosphor film is included, various optical characteristics can be obtained by the configuration of the dielectric multilayer film, and at the same time, the fluorescence of the phosphor film is used to observe and measure ultraviolet rays. Can be performed with high accuracy.
  • the fluorescent film or the dielectric multilayer film as described above is provided on the surface of the optical substrate, fluorescence can be generated by ultraviolet rays on the surface of the optical substrate. It is easy to perform observation and measurement with high accuracy.
  • one or more dielectric thin films positioned between the optical base material and the fluorescent film are optical elements that constitute a wavelength selective film having the characteristics of transmitting fluorescence and reflecting ultraviolet light, it is fluorescent by ultraviolet light.
  • the fluorescence generated in the film passes through the wavelength selection film and enters the light guide member, while the ultraviolet light is reflected by the wavelength selection film. Therefore, deterioration of the light guide member due to ultraviolet rays can be suppressed.
  • an optical system in which a plurality of optical elements are arranged, and a part or all of the plurality of optical elements is composed of the above-described optical elements. Observation and measurement can be performed with high accuracy. In this case, ultraviolet rays and fluorescence are not blurred due to scattering, and the optical path is difficult to change between when the fluorescent film is placed and when it is not placed. It is easy to configure the system.
  • the above-described fluorescent film, dielectric multilayer film, or optical element and the imaging element for imaging fluorescence from these are provided, so that ultraviolet rays can be accurately measured. easy.
  • the fluorescent film of the present invention is a film that emits fluorescence when irradiated with ultraviolet rays, and is formed of a material including a base material and an activation material doped in the base material.
  • This fluorescent film is used by being provided on the surface of various members disposed at a site irradiated with ultraviolet rays or a site where ultraviolet rays may be irradiated.
  • the irradiated ultraviolet light may be light in which ultraviolet light is included in visible light or the like.
  • the light which consists only of an ultraviolet-ray may be sufficient, and the light of the wavelength of a deep ultraviolet region or a vacuum ultraviolet region may be sufficient.
  • an ultraviolet laser beam such as a KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) may be used.
  • the base material of the fluorescent film is made of a material that can transmit ultraviolet rays.
  • This material can be appropriately selected depending on the ultraviolet rays to be irradiated.
  • fluoride can be preferably used. Fluoride can transmit light in the visible region, and many fluoride materials are transparent to light in a wavelength region where the oxide material becomes opaque. Therefore, fluoride is indispensable particularly as an optical element material and an optical thin film for the vacuum ultraviolet region. Such a fluoride is transparent to the emitted fluorescence, and the fluorescence can be used effectively.
  • the phosphor absorbs ultraviolet rays by a base material or activation ions described later, and the activation ions are excited.
  • the excited activated ions transit to the emission level via a non-radiative transition (in many cases, the phonon in the base material is excited to lose energy), and then transition from this level to the ground level. Emits light.
  • This emission transition also competes with a non-radiative transition due to phonon excitation in the base material. The probability that this non-radiative transition occurs increases as the phonon energy in the base material increases.
  • Fluoride has low phonon energy and low probability of non-radiative transition. This physical property can suppress the loss of light energy absorbed by the phosphor as heat. This is an advantage that leads to improved light resistance of the fluorescent thin film.
  • fluorides examples include neodymium fluoride (NdF 3 ), lanthanum fluoride (LaF 3 ), gadolinium fluoride (GdF 3 ), dysprosium fluoride (DyF 3 ), and lead fluoride (PbF 2 ).
  • NdF 3 neodymium fluoride
  • LaF 3 lanthanum fluoride
  • GdF 3 gadolinium fluoride
  • DyF 3 dysprosium fluoride
  • PbF 2 lead fluoride
  • a solid solution mixed crystal of lanthanum fluoride and calcium fluoride (Ca x La 1-x F 3-x , where 0 ⁇ x ⁇ 1, hereinafter referred to as CLF), a fluoride.
  • CLF calcium fluoride
  • examples thereof include a solid solution mixed crystal (Ca x Y 1-x F 3-x ) of calcium fluoride and yttrium fluoride.
  • the method for producing the fluoride can be selected as appropriate.
  • it can be produced as a fluoride ceramic using a hydrothermal synthesis method.
  • fluoride fine particles are prepared by reacting a compound such as acetate as a cation component of fluoride with a fluorine compound such as hydrofluoric acid in an aqueous solution.
  • the fluoride fine particles can be made into a dry body or a press-molded body, and then sintered at 800 to 1000 ° C. to obtain fluoride ceramics.
  • fluoride fine particles are synthesized separately for each cation component as fluoride fine particles to prepare suspensions of the respective fluoride fine particles, and both are wet-mixed to obtain a fine particle mixture.
  • This fine particle mixture Can be used to form a dry body or a press-molded body, and then sintered at 800 to 1000 ° C. to obtain a fluoride ceramic.
  • Such a fluoride is particularly preferably one selected from the group consisting of lanthanum fluoride (LaF 3 ), yttrium fluoride (YF 3 ), CLF, and gadolinium fluoride (GdF 3 ). . If it is these fluorides, as will be apparent from Examples described later, it is easy to increase fluorescence when irradiated with ultraviolet rays having a short wavelength.
  • the fluorescent film activator is a material that emits fluorescence when irradiated with ultraviolet rays in a doped state in the base material.
  • this activation material can select suitably according to the ultraviolet-ray irradiated.
  • the activator include transition elements and rare earth elements. Although it is not clear, in this activator, transition elements or rare earth elements diffuse into the crystallites of the base material in the form of atoms or ions, replace the sites of the cation component of the base material, or in the gaps between the lattices. It is thought that it penetrates and acts as an activation component.
  • Transition elements or rare earth elements include europium (Eu), terbium (Tb), praseodymium (Pr), samarium (Sm), dysprosium (Dy), cerium (Ce), holmium (Ho), erbium (Er), or ytterbium. (Yb).
  • the activator is composed of one or more selected from the group consisting of europium (Eu), terbium (Tb), and praseodymium (Pr). In this case, as will be apparent from Examples described later, it is easy to increase the fluorescence when irradiated with ultraviolet rays having a short wavelength.
  • the concentration of the activation material in the base material is preferably 1% or more and 10% or less in terms of atomic% concentration with respect to the cation component of the base material.
  • the concentration of terbium (Tb) with respect to lanthanum (La) is 8% or more and 10% or less in atomic% concentration. It is particularly preferred.
  • the concentration of the activator is excessively low, it is difficult to obtain sufficient fluorescence.
  • the concentration of the activator is excessively high, a concentration quenching phenomenon may occur or the solution limit may be reached where the activator cannot be completely dissolved in the fluoride base material.
  • the material of the fluorescent film may be composed of the above-described base material and activation material. For example, you may be comprised only from said fluoride and an activation material. Furthermore, the fluoride constituting the base material may contain inevitable impurities. In addition to these base material and activator, the fluorescent film material may contain other components as long as fluorescence can be emitted by incident ultraviolet rays.
  • the phosphor film of the present invention is a film formed from these materials, and it is necessary that the phosphor film is formed with at least an activator doped in the base material.
  • it may be formed by using a material in which an activator is previously doped into a base material.
  • an activation material and a base material made of different materials may be used, and the phosphor film may be formed by forming a film while doping the activation material into the base material.
  • the following method can be used to prepare a material in which an activator is previously doped into a base material.
  • a fluoride base material by the hydrothermal synthesis method as described above, an active material acetate aqueous solution is mixed with a suspension of fluoride fine particles or a fluoride fine particle mixture to obtain a raw material powder. It may be produced.
  • a material in which the activator is doped into the base material can be produced.
  • the activator such as rare earth metal ions diffuse into the microcrystals of the base material, replace the sites of the cation component of the base material, and enter the voids between the lattices. It is thought that it is activated.
  • the activator may be added in a form other than the acetate aqueous solution.
  • Salts that can be used in addition to the above acetates include lactate, oxalate, ascorbate, alginate, benzoate, carbonate, citrate, gluconate, pantothenate, salicylate, stearic acid
  • examples thereof include organic acid salts such as salts, tartrate, glycerate, and trifluoroacetate, and inorganic salts such as chloride, hydroxide, nitrate, and sulfate.
  • a film obtained by doping an activation material into a base material various known thin film forming methods can be employed. It is preferable to form a fluorescent film by a vapor deposition method because it is easy to form a uniform thin film and the film thickness can be easily adjusted. More preferably, if it is formed by a vacuum deposition method, a film having good optical properties can be obtained. In particular, it is preferable to form a fluorescent film by preparing a target in which a base material is doped with an activator in advance, and depositing the target by resistance heating.
  • the base material made of a material that can transmit ultraviolet rays and the activation material are prepared separately, and the base material and the activation material are simultaneously vapor-phase-deposited.
  • the fluorescent film can be formed by vapor deposition by a method, preferably a vacuum vapor deposition method.
  • a base material such as lanthanum fluoride and a fluorine compound such as terbium fluoride containing terbium as an activator are simultaneously deposited while adjusting the deposition rate, so that the base material is doped with the activator. Can be formed.
  • the film thickness of the fluorescent film can be set according to the irradiated ultraviolet rays or the application. The thicker the film thickness, the more ultraviolet light can be made visible and the fluorescence becomes easier. In a precise optical system, when the film thickness is increased, the optical path is changed by the fluorescent film. Therefore, it is preferable to reduce the thickness, and the film thickness required from the optical characteristics is preferable. When it is difficult to obtain sufficient fluorescence due to being excessively thin, it is possible to increase fluorescence by selecting a material with strong fluorescence or laminating a plurality of fluorescent films. It is particularly preferable that the thickness of each layer is set to be equal to or shorter than the wavelength of ultraviolet rays to be irradiated or the design center wavelength.
  • the thickness of the fluorescent film may be 180 nm or less, or 125 nm or less.
  • the thickness of the fluorescent film may be 100 nm or less, or 80 nm or less.
  • a laser optical system using an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) may be 100 nm or less.
  • the fluorescent film having the above thickness may be used as a single layer. Or it is good also as a fluorescent film which laminates
  • the activator doped in the base material emits fluorescence when irradiated with ultraviolet light in the base material, so that observation or measurement of ultraviolet light is performed using fluorescence. Can do.
  • the film is a film, an arrangement space or the like is not required, and it is easy to arrange on the surface of a part irradiated with ultraviolet rays, such as an optical member, and the degree of freedom of arrangement is large.
  • the activator is a thin film formed by doping the base material, unlike the phosphor layer made of sintered powder, ultraviolet rays and fluorescence are blurred due to scattering while passing through the phosphor film. Can be prevented. Therefore, it is possible to accurately observe and measure ultraviolet rays.
  • this fluorescent film can be used as an optical thin film. That is, the function of fluorescence emission can be imparted to the optical system by forming the fluorescent film of the present invention on the surface of the optical element or the like included in the optical system without changing the configuration of the optical system.
  • the reflectance in the ultraviolet wavelength region or High transmittance is required.
  • the reflected light or transmitted light is scattered light that scatters in all directions in addition to the component at an angle at which the law of reflection / refraction is established with respect to incident light. Contains ingredients.
  • the reflectance and transmittance of light including these scattered lights vary depending on the aggregation density and particle size distribution of the fluorescent powder. Therefore, in the conventional powdery phosphor, the incident ultraviolet rays and emitted fluorescence are scattered, and the light passing through the optical system is disturbed, so that it cannot be used as an optical thin film provided in the optical system.
  • transmitted light other than the absorption wavelength region of the glass can be used for other purposes.
  • the transmittance of the fluorescent glass can be controlled relatively accurately by performing quality control according to the optical glass.
  • the conventional fluorescent glass is thick, and when inserted into an existing optical system, the optical path changes to a level that cannot be ignored due to the refractive power of the fluorescent glass.
  • the activator is a film made of a material doped with respect to the base material, scattering of incident ultraviolet rays and emitted fluorescence is prevented. And since it is a film
  • Another difference between this fluorescent film and conventional fluorescent powder and fluorescent glass is that ultraviolet light can be observed and measured even with light in the vacuum ultraviolet region.
  • ultraviolet light can be observed and measured even with light in the vacuum ultraviolet region.
  • This fluorescent film can also be used for observation and measurement of other short-wavelength ultraviolet rays, for example, i-line having a wavelength of 365 nm and light having a wavelength of 248 nm emitted from a KrF excimer laser.
  • the base material is made of fluoride and the activation material is a fluorescent film containing a transition element or a rare earth element, so that it is transparent from visible light to vacuum ultraviolet rays, and high transmittance is obtained. Since laser resistance is also good, it is possible to observe and measure ultraviolet rays even in the vacuum ultraviolet region such as light having a wavelength of 193 nm.
  • Such a fluorescent film of the present invention can be used as a single layer. It can also be used as a multilayer dielectric multilayer film (dielectric multilayer film) formed by laminating a plurality of films.
  • the fluorescent film of the present invention can be used as part or all of the dielectric multilayer film in which a plurality of dielectric thin films are laminated. That is, one of the plurality of dielectric layers constituting the dielectric multilayer film may be the fluorescent film of the present invention, and two or more layers may be the fluorescent film of the present invention.
  • each layer of the dielectric multilayer film may be composed of a film made of fluoride mentioned above as a base material option.
  • fluoride lanthanum fluoride (LaF 3 ), gadolinium fluoride (GdF 3 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), or the like can be used.
  • each dielectric thin film constituting the dielectric multilayer film may be the same or different. That is, a plurality of one type of dielectric thin film may be laminated to form a dielectric multilayer film, or a plurality of two or more kinds of dielectric thin films may be laminated to form a dielectric multilayer film. For example, two types of dielectric thin films having different refractive indexes may be alternately stacked to form a dielectric multilayer film.
  • Such a dielectric multilayer film is preferably configured to obtain various optical characteristics in whole or in part. For example, it is possible to configure a wavelength selection film that has a characteristic of reflecting ultraviolet light and transmitting fluorescence, or an antireflection film that prevents reflection of light having a predetermined wavelength. In that case, a laminated structure in which dielectric thin films are laminated so as to obtain desired optical characteristics (for example, wavelength selection characteristics, antireflection characteristics) is formed, and separately from this, the phosphor film of the present invention is further laminated.
  • a dielectric multilayer film may be used. That is, the dielectric multilayer film may be configured to include at least one fluorescent film and a laminated film having a wavelength selection characteristic or an antireflection characteristic composed of a plurality of dielectric layers.
  • the thickness of the fluorescent film provided separately from the laminated structure can be formed larger than the thickness of the dielectric thin film having the laminated structure, and it is easy to obtain stronger fluorescence.
  • the uppermost layer of the dielectric multilayer film may be a fluorescent film.
  • the fluorescent film of the present invention may be used as all or a part of a dielectric thin film constituting a laminated structure capable of obtaining desired optical characteristics.
  • the dielectric thin film constituting the dielectric multilayer film may have a fluorescence emission function.
  • fluorescence can be obtained simply by forming a dielectric multilayer film that provides desired optical characteristics, and a film can be formed in the same manner as a dielectric multilayer film that does not emit fluorescence. In that case, fluorescence can be strengthened by using more thin dielectric thin films constituting the dielectric multilayer film as fluorescent films.
  • a fluorescent film in which a plurality of dielectric thin films are laminated, if at least one of the dielectric thin films is a fluorescent film, it is possible to obtain a fluorescence function with various optical characteristics, When observing or measuring ultraviolet rays using fluorescence, it is possible to prevent the ultraviolet rays and fluorescence from becoming unclear due to scattering or the like, and to change the optical path, and it is possible to accurately observe and measure ultraviolet rays.
  • the fluorescent film or dielectric multilayer film of the present invention as described above can be provided on various members irradiated with ultraviolet rays as the fluorescent film as a single layer or as a dielectric multilayer film composed of a plurality of dielectric films. It is.
  • an optical element can be configured by providing a fluorescent film or a dielectric multilayer film on the incident surface and the exit surface of various optical substrates.
  • the optical substrate is, for example, a window material, a lens, a prism, an FOP, or the like, and may be one that can transmit ultraviolet light, or one that cannot transmit ultraviolet light and can transmit fluorescence.
  • a material selected from optical glass, optical ceramics, optical crystal, optical plastic, optical fiber (for example, in the case of FOP) and the like can be used.
  • Optical glass can be used as an optical base material that transmits light from visible light to near-ultraviolet light
  • glass materials such as synthetic quartz glass and calcium fluoride can be used as an optical base material that transmits light in the vacuum ultraviolet region.
  • Such an optical element can be used, for example, as a component of various optical systems, a device that visualizes ultraviolet light, a beam profiler, a beam checker, and the like.
  • a fluorescent film or a dielectric multilayer film on various base materials that cannot transmit ultraviolet rays and fluorescence.
  • a single-layer fluorescent film or a dielectric multilayer film may be provided on an opaque cover member or wall surface.
  • an imaging unit is provided by providing an optical element provided with a fluorescent film or a dielectric multilayer film, or an optical element provided with a fluorescent film or a dielectric multilayer film on a light receiving surface of an imaging element capable of imaging ultraviolet rays or an imaging element capable of imaging fluorescence.
  • an imaging element capable of imaging ultraviolet rays or an imaging element capable of imaging fluorescence.
  • a fiber optic plate (FOP) configured by bundling a plurality of optical fibers is used as an optical element, a fluorescent film or a dielectric multilayer film is formed on the FOP, and fluorescence emitted from the fluorescent film is received by the imaging element by the FOP. It is good also as a structure light-guided to a surface.
  • a wavelength selective film made of a dielectric multilayer film may be provided between the fluorescent film and the FOP to reflect ultraviolet rays.
  • the fluorescent film or the dielectric multilayer film may be provided on the light receiving surface of the image sensor.
  • the film thickness of each dielectric layer constituting the dielectric multilayer film is preferably set to be approximately 1 ⁇ 2 or less of the wavelength of irradiated light (for example, ultraviolet light) or the design center wavelength.
  • the total film thickness of the dielectric multilayer film can be selected according to the application. When the fluorescent film or the dielectric multilayer film is formed on the FOP, it is desirable that the total film thickness to be formed is equal to or smaller than the diameter of each optical fiber constituting the FOP. For example, the total film thickness may be 3 ⁇ m or less.
  • the durability can be improved by covering the fluorescent film or the dielectric multilayer film from the outside with a protective film having at least one of water resistance and water repellency.
  • said imaging unit can be used for the structure of an optical characteristic measuring device.
  • an imaging unit including the fluorescent film, a light guide member (for example, FOP), and an image sensor arranged to be able to image fluorescence from the fluorescent film is to be inspected.
  • the measurement light that is disposed on the image plane side of the optical system and passes through the test optical system can be detected by the imaging unit.
  • the imaging unit may include a fluorescent film and a wavelength selection film.
  • the dielectric multilayer film including the laminated structure having the wavelength selection function and the fluorescent film may be disposed on the incident surface side of the light guide member.
  • a fluorescent film may be disposed on the incident surface side of the light guide member via a wavelength selection film so that the wavelength selection film transmits fluorescence and reflects light of a predetermined wavelength (for example, ultraviolet light).
  • the optical property measurement apparatus may include an illumination optical system that irradiates light (measurement light) to the test optical system.
  • the optical property measuring device may be installed in an optical device including an illumination optical system, and the optical properties of the optical system at a predetermined site may be measured.
  • the optical characteristic measuring apparatus has a first periodic pattern disposed on the object plane of the optical system to be tested and a second periodic pattern disposed on the incident surface or the exit surface of the light guide member.
  • the image sensor may detect moire fringes formed by the first periodic pattern and the second periodic pattern. If such an apparatus is used, the distortion of the optical system to be detected can be measured from the detected moire fringes.
  • the optical characteristic measuring apparatus includes a pinhole disposed on the object plane of the test optical system, and a microlens array disposed between the image plane of the test optical system and the incident plane of the imaging unit. And an optical characteristic measuring device that detects a point image condensed by the microlens array in the imaging unit. By using such an optical characteristic measuring device, it is possible to measure the wavefront aberration of the test optical system.
  • the optical characteristic measurement device further includes a pinhole, a relay lens, a microlens array, and a detection device, and the pinhole is disposed on the object plane of the optical system to be tested.
  • a wavelength selection film is provided between the member and the fluorescent thin film, the incident surface of the light guide member is disposed in a state inclined by 45 degrees with respect to the optical axis of the test optical system, and the relay lens is the test optical system Is arranged between the image plane of the imaging unit and the incident plane of the imaging unit, the detection device is arranged such that the incident plane is perpendicular to the image plane of the optical system to be tested, and the microlens array is Arranged between the incident surface of the unit and the detection device,
  • the relay lens converts the measurement light diffracted by the pinhole into parallel light,
  • the wavelength selection film of the imaging unit transmits the fluorescence generated in the fluorescent film and reflects the measurement light transmitted through the fluorescent film in a direction perpendicular to the incident direction to form reflected light,
  • the point image focused by the microlens array is obtained at the same time as obtaining the numerical aperture of the optical system to be measured by measuring the light quantity distribution of the measurement light with the image pickup device of the image pickup unit.
  • the wavefront aberration of the test optical system can be measured on the basis of the amount of positional deviation.
  • the wavelength selection film has a function of transmitting light of a predetermined wavelength and reflecting and / or absorbing light of a predetermined wavelength.
  • the dielectric multilayer film of the present invention may be used as the wavelength selection film.
  • the wavelength selection film may be a film that transmits visible light having a predetermined wavelength and reflects ultraviolet light having a predetermined wavelength.
  • the optical characteristic measuring apparatus includes a pinhole arranged on the object plane in the test optical system and a diffraction grating arranged on the image plane of the test optical system, and the diffraction unit performs the diffraction. It may be an optical characteristic measuring device that detects interference fringes formed by a grating. According to such an optical characteristic measuring apparatus, it is possible to measure the wavefront aberration of the test optical system.
  • the optical characteristic measuring apparatus as described above can be used for measuring optical characteristics of various optical systems. For example, when a predetermined pattern is combined with an exposure apparatus that exposes a photosensitive substrate, an optical characteristic measurement apparatus measures the optical characteristics of the exposure system and corrects distortion, wavefront aberration, etc. Exposure is possible. By using such a precise exposure apparatus, it is possible to improve the performance of various devices (for example, semiconductor elements, imaging elements, liquid crystal display elements, thin film magnetic heads, etc.) formed through the exposure process.
  • various devices for example, semiconductor elements, imaging elements, liquid crystal display elements, thin film magnetic heads, etc.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of an imaging unit including an optical element.
  • This imaging unit can be used by being incorporated in, for example, an optical characteristic measuring apparatus that measures the optical characteristics of the projection optical system of the exposure apparatus.
  • the FOP 12 is a plate-shaped optical base material that bundles a plurality of optical fibers at regular intervals, and is made of a material that cannot transmit ultraviolet light and can transmit visible light.
  • the optical fibers of the FOP 12 are arranged in parallel so as to extend in the vertical direction of FIG. A light beam incident from the incident surface (upper side in FIG. 1) of the FOP 12 propagates through each optical fiber and is guided to the exit surface side of the FOP 12.
  • a wavelength selection film 14 On the incident surface of the FOP 12, a wavelength selection film 14, a fluorescent film 15, a periodic pattern 16, and a protective film 17 are laminated in order from the bottom.
  • an image sensor 13 is attached to the exit surface of the FOP 12. Note that, from the viewpoint of suppressing the decrease in the lateral resolution of the FOP 12, the total thickness of the wavelength selection film 14 and the fluorescent film 15 formed on the incident surface of the FOP 12 is set to be equal to or less than the diameter of each optical fiber in the FOP 12.
  • the wavelength selection film 14 is formed between the FOP 12 and the fluorescent film 15 and has a characteristic of transmitting visible light and reflecting ultraviolet rays.
  • the wavelength selection film 14 is composed of a dielectric multilayer mirror.
  • the fluorescent film 15 fluoresces by ultraviolet rays and functions to convert ultraviolet measurement light into visible measurement light.
  • the periodic pattern 16 is formed on the surface of the fluorescent film 15.
  • the periodic pattern 16 is a line-and-space pattern in which a light-shielding portion that covers a fluorescent film and a light-transmitting portion that forms an opening are regularly and repeatedly arranged.
  • the protective film 17 covers the light shielding portion of the periodic pattern 16 and the surface of the fluorescent film 15 (the light transmitting portion of the periodic pattern 16).
  • the protective film 17 has at least one of water resistance and water repellency.
  • the protective film 17 serves to protect the underlying film from air and water vapor as well as preventing liquid penetration.
  • the image pickup device 13 has a light receiving surface in which a plurality of light receiving devices (not shown) are two-dimensionally arranged.
  • the light receiving surface of the image pickup device 13 is in contact with the exit surface of the FOP 12.
  • the FOP 12 is directly fixed to the light receiving surface of the image sensor 13 by means such as adhesion without attaching a cover glass or a filter to the image sensor 13.
  • a periodic pattern may be formed on the exit surface side of the FOP (illustration is omitted in this case). Further, as a modification of the imaging unit in FIG. 1, a periodic pattern may not be formed on the optical element (see FIG. 2).
  • the imaging unit 11a in FIG. 2 can function in the same manner as the imaging unit 11 in FIG. 1 by attaching and detaching a plate on which a periodic pattern is formed to and from an optical element. In the example of FIG. 2, the same components as those in FIG.
  • the imaging unit 11 When the imaging unit 11 is irradiated with short wavelength ultraviolet light (ArF excimer laser, KrF excimer laser, etc.) from above in FIG. 1, the short wavelength ultraviolet light is incident on the fluorescent film 15 from the translucent portion of the periodic pattern 16.
  • the fluorescent film 15 emits fluorescence in the visible range according to the intensity of the incident short wavelength ultraviolet rays.
  • the above-mentioned fluorescence passes through the wavelength selection film 14 without being attenuated and enters the FOP 12. Then, the measurement light (fluorescence) emitted from the FOP 12 is measured by the image sensor 13.
  • the short wavelength ultraviolet light transmitted through the fluorescent film 15 is substantially reflected by the wavelength selection film 14.
  • the wavelength selective film 14 substantially cuts the incidence of short wavelength ultraviolet rays on the FOP 12, so that deterioration of the FOP 12 due to short wavelength ultraviolet rays can be suppressed, and the durability and reliability of the imaging unit 11 can be suppressed. Can greatly improve the performance.
  • the measurement light in the ultraviolet region is converted into the fluorescence in the visible region by the fluorescent film 15 and passes through the wavelength selection film 14, so that the measurement can be reliably performed using the fluorescence even in the configuration of this embodiment.
  • both the short-wavelength ultraviolet light incident from the light source and the short-wavelength ultraviolet light reflected by the wavelength selection film 14 contribute to the generation of fluorescence.
  • the phosphor film 15 can be easily thinned.
  • the fluorescent film 15 of the present embodiment is formed using fluoride as a base material, the fluorescent film 15 has high durability against short wavelength ultraviolet rays.
  • the fluorescent film 15 is formed by a vacuum deposition method, for example, there is less fluorescence scattering than in the case where phosphor particles are kneaded and applied to a binder, and fluorescence with good optical characteristics. A film 15 can be obtained.
  • the phosphor film 15 and the periodic pattern 16 are covered with the protective film 17, thereby suppressing the deterioration of the phosphor film 15.
  • a liquid such as water is filled between the test optical system (projection optical system of the exposure apparatus) and the FOP 12.
  • the fluorescent film 15 is protected from the liquid by the protective film 17.
  • the protective film 17 can also suppress the deterioration of the fluorescent film 15. Further, when the protective film 17 has a sufficient film strength, the surface contamination can be easily removed by wiping.
  • the FOP 12 used in this example was a product manufactured by SCHOTT with an optical fiber diameter of 6 ⁇ m.
  • the FOP 12 is cleaned in advance before film formation after optical polishing of both end faces.
  • a dielectric multilayer mirror as the wavelength selection film 14 is formed on the incident surface side of the FOP 12.
  • the dielectric multilayer mirror in the example was formed by setting the design center wavelength to 193 nm and alternately depositing lanthanum fluoride (LaF 3 ) and magnesium fluoride (MgF 2 ). At this time, each layer of lanthanum fluoride and magnesium fluoride was alternately stacked from the FOP 12 side with an optical film thickness of ⁇ / 4 of the design center wavelength (1/4 when the design center wavelength is ⁇ ). The film is formed.
  • FIGS. 3A and 3B show the reflectance of the dielectric multilayer mirror in the embodiment.
  • This dielectric multilayer mirror exhibits a high reflectivity of 98% or more in the wavelength range of 193 nm, which is the design center wavelength, and a low reflectivity of 5% or less in the wavelength range of 400 nm to 700 nm. Therefore, it can be seen that this dielectric multilayer mirror substantially reflects the ultraviolet rays of the ArF excimer laser and substantially transmits visible fluorescence emitted by a fluorescent film described later.
  • a phosphor is vacuum-deposited on the surface of the dielectric multilayer mirror to form the phosphor film 15.
  • a phosphor synthesized using lanthanum fluoride (LaF 3 ) as a base material and rare earth element europium (Eu) as an activator was used as the raw material of the fluorescent film 15.
  • lanthanum fluoride microcrystal particles and an europium acetate aqueous solution are mixed, and a raw material powder is obtained by a hydrothermal synthesis method.
  • concentration of the activator (Eu / La ratio) was about 5 mol%.
  • the hydrothermal synthesis method described in JP-A-2006-206359 can be applied as an example of the raw material powder production step.
  • the above raw material powder was pressure-formed into pellets and heated in an electric furnace at a temperature of 800 ° C. for 1 hour to obtain a phosphor sintered body.
  • europium ions are considered to be diffused in the lanthanum fluoride microcrystals and replace the lanthanum ion sites to take a trivalent state and activate.
  • the fluorescence spectrum of the fluorescent substance in an Example is shown in FIG. It can be seen that the fluorescent film 15 of this example emits orange to red fluorescence having a wavelength of about 600 nm by the incidence of ultraviolet rays.
  • the phosphor sintered body is placed on a Mo boat of a vacuum deposition apparatus, and the phosphor film 15 is vacuum deposited on the surface of the dielectric multilayer mirror by a resistance heating method.
  • the thickness of the fluorescent film 15 is 500 nm.
  • FOP12 was heated to 300 ° C. during vacuum deposition. By heating the FOP 12, the film strength of the lanthanum fluoride film can be improved. In addition, the heating of the FOP 12 improves the crystallinity of the lanthanum fluoride particles in the thin film, making it easier for fluorescent emission to occur.
  • the surface of the dielectric multilayer mirror is kept as clean as possible before the phosphor film 15 is formed.
  • the above-described dielectric multilayer film mirror and fluorescent film 15 can be continuously formed, and a clean state can be achieved.
  • a fluorescent film 15 can be formed on the mirror surface.
  • the dielectric multilayer film mirror is formed by a method other than the vacuum deposition method, or when the above deposition source cannot be prepared, the FOP 12 is put in and out in a clean environment such as a clean room, or the fluorescent film 15 The mirror surface may be washed or wiped before film formation.
  • a periodic pattern 16 of a chromium thin film is formed on the surface of the fluorescent film 15.
  • a chromium thin film is formed on the surface of the fluorescent film 15 by sputtering.
  • a photoresist is applied by spin coating, and a photomask image of the periodic pattern 16 is baked on the photoresist.
  • a line-and-space pattern 16 in which the light shielding portion and the light transmitting portion are periodically repeated is formed on the fluorescent film 15. Note that the pitch between the light shielding portion and the light transmitting portion in the pattern of the example was 0.5 ⁇ m.
  • a water-resistant film as a protective film 17 is formed on the uppermost layer of the FOP 12.
  • a tetraethoxysilane (TEOS) solution was uniformly and thinly applied to the FOP 12 by spin coating.
  • FOP12 was heated in a dryer set at 160 ° C. for 1 hour, and TEOS hydrolysis / condensation reaction was advanced to produce a silicon dioxide polymer. Silicon dioxide obtained by the above reaction formed an extremely dense amorphous film.
  • the optical element portion of the imaging unit 11 is completed through the above steps.
  • FIG. 5 shows another example of the configuration of the imaging unit including an optical element.
  • the imaging unit 11b in FIG. 5 has a configuration in which the wavelength selection film 14 on the incident surface functions as a mirror that turns the optical path of ultraviolet rays by 90 degrees.
  • the same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • the FOP 12a of the imaging unit 11b shown in FIG. 5 the one that is ground and polished into a shape in which the incident end face is inclined by 45 degrees with respect to the outgoing end face is used.
  • a wavelength selection film 14 and a fluorescent film 15 are laminated on the FOP 12a in order from the bottom of FIG.
  • An image sensor 13 is attached to the exit surface of the FOP 12a. Note that the wavelength selection film 14 in the example of FIG. 5 needs to be configured to be used at an incidence of 45 degrees in consideration of the incident angle of ultraviolet rays with respect to the film surface.
  • the wavelength selective film 14 substantially cuts the short wavelength ultraviolet light from entering the FOP 12a, so that the deterioration of the FOP 12a due to the short wavelength ultraviolet light can be suppressed.
  • the measurement light in the ultraviolet region is converted into fluorescence by the fluorescent film 15 and passes through the wavelength selection film 14, measurement can be reliably performed using fluorescence even in the configuration of the present embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical characteristic measuring apparatus according to an example of the embodiment.
  • the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. 6 is a moire fringe measuring apparatus used for measuring distortion of a projection optical system of an exposure apparatus, for example.
  • An imaging unit 11 shown in FIG. 1 is incorporated in the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG.
  • the same components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • an illumination optical system 21 including an ArF excimer laser light source or a KrF excimer laser light source, a substrate 23 provided with a first periodic pattern 22, and an imaging unit 11.
  • the periodic pattern 16 provided in the imaging unit 11 constitutes the second periodic pattern 24.
  • measurement light (short wavelength ultraviolet light) from the illumination optical system 21 passes through the first periodic pattern 22 of the substrate 23.
  • the first periodic pattern 22 is arranged on the object plane (or the vicinity thereof) of the optical system 25 to be tested (projection optical system of the exposure apparatus), and has a light and dark repeating pattern by line and space.
  • the measurement light diffracted by the first periodic pattern 22 enters the imaging unit via the test optical system 25.
  • the measurement light in the ultraviolet region incident on the imaging unit 11 enters the fluorescent film 15 from the translucent portion of the second periodic pattern 24.
  • the fluorescence generated in the fluorescent film 15 by the ultraviolet measurement light is transmitted through the wavelength selection film 14 and guided to the image sensor 13 via the FOP 12.
  • the image sensor 13 of the imaging unit 11 detects the moire fringes formed by the measurement light passing through the first periodic pattern 22 and the second periodic pattern 24. Then, based on the detected moire fringes, the distortion of the optical system 25 to be measured is measured.
  • the ultraviolet light transmitted through the fluorescent film 15 is reflected by the wavelength selection film 14, the incidence of the ultraviolet light on the FOP 12 is substantially cut off.
  • the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. 6 can measure a wide range of distortion in the image plane of the optical system 25 to be measured at a high accuracy by using the FOP 12. This eliminates the need for a huge relay lens in the optical characteristic measuring device, and the configuration of the device can be easily reduced in size. Further, since the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. 6 uses the imaging unit 11 having the same configuration as that shown in FIG. 1, the deterioration of the FOP 12 due to short wavelength ultraviolet rays is extremely small, and the durability and reliability of the entire apparatus can be ensured. In addition, since measurement using short wavelength ultraviolet rays is possible, measurement accuracy is improved. When the test optical system 25 is used for short wavelength ultraviolet rays such as excimer laser, it is possible to measure optical characteristics under actual use conditions.
  • FIG. 7 is a schematic configuration diagram of an optical characteristic measuring apparatus according to another example of the embodiment.
  • the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. 7 is used, for example, for measuring the wavefront aberration and the numerical aperture of the projection optical system of the exposure apparatus.
  • the imaging unit 11b shown in FIG. 5 is incorporated in the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. Therefore, in the description of the apparatus configuration of FIG.
  • FIG. 7 includes an illumination optical system 21, a substrate 23a provided with a pinhole, a relay lens 26, an imaging unit 11b, a microlens array 27, and a detection device 28.
  • the ultraviolet measurement light from the illumination optical system 21 passes through a pinhole provided in the substrate 23a.
  • the pinhole is disposed on the object plane (or the vicinity thereof) of the optical system 25 to be tested.
  • the ultraviolet measurement light diffracted by the pinhole is converted into parallel light by passing through the relay lens 26 through the test optical system 25. Then, the ultraviolet measurement light transmitted through the relay lens 26 enters the imaging unit 11b.
  • the imaging unit 11b is arranged in a state where the incident surface of the FOP 12a is inclined 45 degrees with respect to the optical axis of the optical system 25 to be detected.
  • the measurement light in the ultraviolet region generates fluorescence when entering the fluorescent film 15 of the imaging unit 11b.
  • the fluorescence is transmitted through the wavelength selection film 14 of the FOP 12a and guided to the image sensor 13 through the FOP 12a.
  • the image pick-up element 13 of the image pick-up unit 11b can detect the light quantity distribution of measurement light.
  • the test optical system 25 is detected from the detection result of the image sensor 13. Can be obtained.
  • the ultraviolet light that has passed through the fluorescent film 15 is reflected by the wavelength selection film 14 of the FOP 12a, and its optical path is turned 90 degrees to enter the microlens array 27.
  • the microlens array 27 is disposed at a position (or the vicinity thereof) optically conjugate with the pupil plane of the test optical system 25.
  • the ultraviolet measurement light collected by the microlens array 27 enters the detection device 28.
  • the detection device 28 detects a point image of measurement light in the ultraviolet region collected by the microlens array 27. Then, the wavefront aberration of the optical system 25 to be measured can be measured from the detected positional deviation of the point image.
  • the fluorescence of the optical system 25 to be measured is generated using the fluorescence generated by the fluorescent film 15 and transmitted through the wavelength selective film 14 and the measurement light in the ultraviolet region reflected by the wavelength selective film 14.
  • Various optical characteristics can be measured.
  • the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. 7 uses the imaging unit 11b having the configuration shown in FIG. 5, the deterioration of FOP due to short wavelength ultraviolet rays is extremely small, and the durability and reliability of the entire apparatus can be secured.
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram of an optical characteristic measurement apparatus and a shearing interferometer according to another example of the embodiment.
  • the shearing interferometer shown in FIG. 8 is an apparatus for measuring the wavefront aberration (optical characteristics) of the optical system 25 to be measured such as a projection optical system mounted on an exposure apparatus, for example.
  • the optical characteristic measuring apparatus shown in FIG. 8 incorporates an imaging unit 11a shown in FIG. Therefore, in the description of the apparatus configuration in FIG. 8, the same reference numerals are given to the same configurations as those in the above-described embodiment, and a duplicate description is omitted.
  • the measurement light in the ultraviolet region from the illumination optical system 21 passes through the pinhole pattern 10a provided on the substrate 10.
  • the ultraviolet measurement light diffracted by the pinhole pattern 10 a enters the diffraction grating 20 through the test optical system 25.
  • the diffraction grating 20 is disposed on the image plane of the optical system 25 to be tested or in the vicinity thereof.
  • the ultraviolet measurement light transmitted through the diffraction grating 20 enters the imaging unit 11a.
  • the measurement light in the ultraviolet region incident on the imaging unit 11a is converted into measurement light in the visible region by the fluorescent film 15.
  • the fluorescent film 15 is formed by vapor deposition so as to have a thickness equal to or less than the diameter of each optical fiber constituting the FOP 12. Visible range measurement light (fluorescence) converted by the fluorescent film 15 passes through the wavelength selection film 14 and is guided to the image sensor 13 via the FOP 12.
  • the image sensor 13 detects interference fringes generated by interference between diffracted lights generated by passing through the diffraction grating 20. Then, the wavefront aberration of the test optical system 25 is measured from the detected interference fringes.
  • the FOP 12 since the FOP 12 is provided, it is not necessary to provide a huge relay optical system or the like, and the apparatus itself can be miniaturized. Therefore, even a small apparatus can measure interference fringes in a wide region in the image plane of the optical system 25 to be measured at a time with high accuracy.
  • the fluorescent film 15 having a thickness equal to or smaller than the diameter of each optical fiber constituting the FOP 12 is formed on the incident surface of the FOP 12, the measurement light in the ultraviolet region can be transmitted in the visible region while suppressing the decrease in the lateral resolution of the FOP 12. The measurement light in the visible range can be reliably guided to the image sensor 13.
  • the measurement light in the ultraviolet region is converted into the measurement light in the visible region by the fluorescent film 15, the generation of coherent noise can be reduced. Therefore, there is no need to provide a rotating diffusion plate or the like for preventing the occurrence of coherent noise, and the device can be further downsized.
  • the FOP itself may have optical characteristics such as distortion. Therefore, in order to perform highly accurate measurement, it is desirable to measure the optical characteristics of the FOP in advance.
  • FIG. 9 is a flowchart for explaining an example of a method for measuring the optical characteristics of the FOP.
  • FIG. 10 is a schematic configuration diagram for explaining the apparatus configuration when measuring the optical characteristics of the FOP.
  • FIG. 9 and FIG. 10 will be described on the assumption that the imaging unit 11a shown in FIG. 2 is used.
  • the same components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • Step S101 A first substrate (23) provided with a first periodic pattern (22) is arranged on the object plane (or the vicinity thereof) of the projection optical system PL (first arrangement step).
  • Step S102 The FOP 12 is arranged so that the incident surface of the FOP 12 is positioned on the image plane (or the vicinity thereof) of the projection optical system PL (second arrangement step).
  • the second substrate 32 on which the second periodic pattern 31 is formed is detachably disposed on the incident surface of the FOP 12.
  • a third substrate 34 on which the third periodic pattern 33 is formed is detachably disposed on the emission surface of the FOP 12.
  • FIG. 10 shows a state in which the second substrate 32 is disposed on the incident surface of the FOP 12 and the third substrate 34 is disposed on the exit surface of the FOP 12.
  • the second periodic pattern 31 and the third periodic pattern 33 each have a periodic pattern, that is, a light and dark repeating pattern by line and space. Note that the pattern width and pattern interval between the first periodic pattern 22 and the second periodic pattern 31 may be the same or different from each other.
  • the pattern width and pattern interval between the first periodic pattern 22 and the third periodic pattern 33 may be equal to each other or different from each other. On the other hand, it is desirable that the pattern width and pattern interval of the second periodic pattern 31 and the third periodic pattern 33 are equal to each other.
  • Step S103 The second substrate 32 is arranged on the incident surface of the FOP 12, and the image sensor 13 as a detecting device is arranged on the exit surface side of the FOP 12 (detecting device arranging step).
  • the third substrate 34 is removed from the emission surface of the FOP 12.
  • Step S104 Next, the first periodic pattern 22 is illuminated with the measurement light emitted from the illumination optical system 21 (illumination process).
  • Step S105 The first moiré fringes formed by the first periodic pattern 22 and the second periodic pattern 31 are measured by the image sensor 13 (first measuring step).
  • Step S106 The second substrate 32 is removed from the incident surface side of the FOP 12, and the third substrate 34 is disposed on the exit surface of the FOP. And the 2nd moire fringe formed with the 1st periodic pattern 22 and the 3rd periodic pattern 33 is measured with the image sensor 13 (2nd measurement process).
  • the distortion amount of the FOP 12 is measured from the relative positional deviation amount between the first moire fringe and the second moire fringe, and the distortion of the FOP 12 is corrected based on the measurement result.
  • the measurement result may be calibrated when measuring the optical characteristics of the projection optical system PL using the measured distortion amount of the FOP 12 as an offset value. Therefore, according to the above optical characteristic measuring method, the distortion of the FOP 12 in the optical characteristic measuring apparatus can be calibrated, so that the optical characteristic of the projection optical system PL can be measured with high accuracy.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration example of an exposure apparatus.
  • FIG. 11 illustrates an example of an exposure apparatus that performs exposure on the wafer W (photosensitive substrate).
  • the XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 11 is set, and the positional relationship of each member is described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system.
  • the XYZ orthogonal coordinate system is set such that the X axis and the Y axis are parallel to the wafer W and the Z axis is orthogonal to the wafer W.
  • the X axis is a direction parallel to the paper surface of FIG. 11, and the Y axis is a direction perpendicular to the paper surface of FIG.
  • the exposure apparatus shown in FIG. 11 includes an illumination optical system 41, a mask stage 42, a projection optical system PL, and a wafer stage 43.
  • the illumination optical system 41 includes a light source for supplying exposure light, and the light emitted from the illumination optical system 41 illuminates the mask M with uniform illuminance.
  • an i-line lamp, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an F2 laser, or the like is used as the light source.
  • a light source that generates DUV (deep ultraviolet) or VUV (vacuum ultraviolet) light can be used.
  • the mask stage 42 is disposed on the object plane (or the vicinity thereof) of the projection optical system PL. On the mask stage 42, a mask M (or a substrate 44 for measuring optical characteristics on which a first periodic pattern 44a is formed) is placed.
  • Projection optical system PL projects the pattern formed on mask M onto wafer W.
  • the projection optical system PL is composed of a plurality of optical members, and projects the pattern formed on the mask M onto the wafer W at a predetermined magnification (reduction magnification, equal magnification or enlargement magnification).
  • the wafer stage 43 has an XY stage that can move in the X axis and the Y axis, and a Z stage that can move in the Z axis direction and tilt with respect to the Z axis.
  • the wafer stage 43 is provided with a wafer holder 45 that holds the wafer W by suction. Then, the wafer W is placed on the wafer stage 43 in the image plane of the projection optical system PL. Accordingly, the transfer pattern of the mask M can be sequentially exposed to each exposure region of the wafer W by driving the wafer stage 43 two-dimensionally in the XY plane.
  • the exposure apparatus shown in FIG. 11 includes an optical characteristic measuring apparatus having the same configuration as that of FIG. 6 on the wafer stage in order to measure the distortion of the projection optical system PL.
  • the substrate 44 on which the first periodic pattern 44 a is formed is placed on the mask stage 42. Further, the wafer stage 43 is moved in the X direction so that the light from the projection optical system PL can irradiate the second periodic pattern 24 formed on the incident surface of the FOP 12.
  • the light from the illumination optical system 41 passes through the first periodic pattern 44a and enters the imaging unit 11 through the test optical system (PL).
  • the ultraviolet light that has passed through the second periodic pattern 24 is converted into fluorescence by the fluorescent film 15, and the fluorescence passes through the wavelength selection film 14 and is guided to the imaging element 13 by the FOP 12.
  • the image sensor 13 detects moire fringes formed by the measurement light passing through the first periodic pattern 44 a and the second periodic pattern 24. Then, the distortion of the projection optical system PL is measured from the position of the detected moire fringes.
  • the exposure apparatus shown in FIG. 11 since the optical characteristic measuring device (moire fringe measuring device) for measuring the distortion of the projection optical system PL is provided, the distortion of the projection optical system PL can be measured with high accuracy. . Therefore, the pattern formed on the mask M can be exposed on the wafer W with high accuracy by the projection optical system PL in which the distortion is corrected based on the measurement result.
  • the exposure apparatus shown in FIG. 11 may be an immersion type exposure apparatus in which a liquid having a refractive index of 1 or more is interposed between the projection optical system PL and the wafer W.
  • a micropattern (semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element) is formed by exposing a transfer pattern formed by a mask M using a projection optical system PL onto a photosensitive substrate (wafer). , Thin film magnetic heads, etc.).
  • the photosensitive substrate may be a substrate coated with a photosensitive composition (photoresist) (for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, or a metal substrate).
  • Step S201 A metal film is deposited on one lot of wafers.
  • Step S202 Photoresist is applied on the metal film (on the metal film on the wafer) of one lot of plates.
  • Step S203 Using the exposure apparatus according to the above-described embodiment, the pattern formed on the mask is illuminated by the illumination optical system (illumination process), and an image of the illuminated pattern is formed on the wafer by the projection optical system ( Forming step), the pattern is sequentially exposed and transferred to each shot area on one lot of wafers. Note that the optical characteristics of the projection optical system are measured by the optical characteristic measuring apparatus in the above-described embodiment, and are corrected based on the measurement results.
  • Step S204 The photoresist on the wafer is developed in one lot.
  • Step S205 By performing etching using the resist pattern as a mask on the wafer of one lot, a circuit pattern corresponding to the pattern formed by the mask is formed in each shot area on each wafer.
  • the optical characteristic measurement apparatus measures the optical characteristics of the projection optical system with high accuracy, and performs high-precision exposure with correction based on the measurement results. . Therefore, a good semiconductor device can be obtained.
  • a metal is vapor-deposited on the wafer, a resist is applied on the metal film, and exposure, development, and etching processes are performed.
  • a silicon oxide film may be formed on the wafer, a resist may be applied to the silicon oxide film, and the steps of exposure, development, and etching may be performed.
  • a liquid crystal display element as a micro device can be obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate).
  • a predetermined pattern circuit pattern, electrode pattern, etc.
  • step S ⁇ b> 301 a so-called photolithography process is performed in which the mask pattern is exposed and transferred to the plate using the exposure apparatus according to the above-described embodiment.
  • the optical characteristics of the projection optical system are measured by the optical characteristic measuring apparatus in the above embodiment, and are corrected based on the measurement results.
  • the pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the plate by this photolithography process. Thereafter, the exposed plate is subjected to steps such as a developing step, an etching step, and a resist stripping step, whereby a predetermined pattern is formed on the plate, and the process proceeds to the next color filter forming step (S302).
  • a color filter in which a large number of three dot groups corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or 3 corresponding to R, G, and B is used.
  • a color filter is formed by arranging a plurality of striped filter sets in the direction of the horizontal scanning line. Then, after the color filter forming step, a cell assembly step (S303) is performed.
  • liquid crystal is injected between the plate having the pattern obtained in the pattern formation process (S301) and the color filter obtained in the color filter formation process (S302). (Liquid crystal cell) is manufactured.
  • each component such as an electronic circuit and a backlight for performing a display operation of the liquid crystal panel is attached to the liquid crystal panel (liquid crystal cell) assembled in S303. Thereby, a liquid crystal display element is completed.
  • the optical characteristic measurement apparatus measures the optical characteristics of the projection optical system with high accuracy, and performs high-precision exposure by correction based on this measurement result. Is called. Therefore, a good liquid crystal display element can be obtained.
  • a protective film is not necessarily formed on the surface of the fluorescent film.
  • another thin film for example, a protective film of a fluoride material
  • optical element formed with a fluorescent film and a wavelength selection film
  • an imaging unit having this optical element shown in the above embodiments are widely applied to, for example, an optical characteristic measuring apparatus using ultraviolet rays. Can do.
  • the above optical element may be applied to an interferometer, a transmittance measuring device, or the like.
  • FIG. 14 shows an imaging unit according to the second embodiment of the present invention.
  • the imaging unit 11a includes an FOP 12 configured by bundling a plurality of optical fibers, an imaging element 13 disposed on the emission surface of the FOP 12, a wavelength selection film 14, a fluorescent film 15 stacked on the incident surface of the FOP 12, and a protection
  • the configuration is the same as that of the imaging unit 11 according to the first embodiment of the invention except that the film 17 and the periodic pattern 16 are not provided.
  • the wavelength selection film 14 is a film that reflects ultraviolet rays and transmits fluorescence by stacking a plurality of types of dielectric thin films formed with an optical film thickness of ⁇ / 4 of the design center wavelength. It has become.
  • a dielectric multilayer film is configured by the wavelength selection film 14 and the fluorescent film 15, and the wavelength selection film 14 is disposed between the FOP 12 and the fluorescent film 15 to configure an optical element.
  • the optical element is arranged on the light receiving surface of the image pickup device 13 made of a visible light CCD, and the image pickup unit 11a is configured by bonding or contacting the emission surface of the FOP 12 to the light receiving surface.
  • the protective film 17 is transmitted and reaches the fluorescent film 15, and the fluorescent film 15 emits fluorescence by at least a part of the ultraviolet rays and is visible. Lighten.
  • the ultraviolet rays that have passed through the fluorescent film 15 without being visible light reach the wavelength selection film 14 and are reflected.
  • the fluorescence passes through the wavelength selection film 14 and reaches the incident surface of the FOP 12, is guided by the FOP 12, reaches the light receiving surface of the image sensor 13, and is used for imaging.
  • an imaging unit 11a it is possible to observe and measure ultraviolet rays with a visible light CCD.
  • a fluorescent film 15 made of a material doped with fluoride as a base material and a transition element or rare earth element as an activator or a wavelength selective film 14 made of fluoride is used, an ultraviolet image with a wavelength of 193 nm is visible for a CCD. Can be observed and measured.
  • the FOP 12 is hardly deteriorated by the ultraviolet rays.
  • the FOP 12 cannot transmit the ultraviolet rays. Therefore, the ultraviolet rays do not reach the image sensor 13, and the visible light CCD is destroyed by the ultraviolet rays. Absent.
  • the fluorescent film 15 is a thin film formed by doping the activator into the base material, an arrangement space or the like is unnecessary, and the fluorescent film 15 can be easily arranged on the incident surface of the FOP 12 and is unclear while transmitting ultraviolet rays or fluorescence. It is easy to accurately observe and measure ultraviolet rays.
  • the FOP 12 with a dielectric multilayer film composed of the fluorescent film 15 and the wavelength selection film 14, a function of reflecting ultraviolet light and a function of emitting fluorescence can be obtained, and the configuration can be easily simplified.
  • the fluorescent film 15 is provided separately from the dielectric thin film constituting the wavelength selective film 14, the fluorescent film 15 is formed thicker than the dielectric thin film constituting the wavelength selective film 14. It is possible to easily increase the fluorescence of the fluorescent film 15.
  • FIG. 15 shows an imaging unit according to the third embodiment of the present invention.
  • an optical element is configured by laminating a fluorescent dielectric multilayer film 18 on the incident surface of the FOP 12, instead of the wavelength selection film 14 and the fluorescent film 15 of the second embodiment of the invention.
  • the fluorescent dielectric multilayer film 18 is formed by laminating a plurality of dielectric thin films, and is formed of a fluorescent film in which at least one layer is formed to a predetermined thickness.
  • the dielectric thin film made of a fluorescent film may be a single layer, a plurality of layers, or all layers. The greater the number of fluorescent film layers, the stronger the fluorescence emitted from the fluorescent dielectric multilayer film 18.
  • all dielectric thin films including the fluorescent film are formed with an optical film thickness of ⁇ / 4 of the design center wavelength, for example, and stacked by 42 layers, thereby reflecting ultraviolet rays and transmitting fluorescence.
  • membrane which has the characteristic to do is comprised.
  • the ultraviolet rays reach the fluorescent dielectric multilayer film 18 through the protective film.
  • incident ultraviolet rays are reflected by the layer structure.
  • the fluorescent film constituting the fluorescent dielectric multilayer film 18 is irradiated with ultraviolet rays. Visible light is emitted by a part of the ultraviolet rays.
  • the fluorescent light then passes through the fluorescent dielectric multilayer film 18 and reaches the incident surface of the FOP 12.
  • the fluorescent light is guided by the FOP 12 and reaches the light receiving surface of the image sensor 13 for imaging.
  • the imaging unit 11c Even with such an imaging unit 11c, it is possible to obtain the same effects as those of the second embodiment of the invention, and it is possible to observe and measure ultraviolet rays with a visible light CCD. Deterioration and destruction of the image sensor 13 can be prevented. Moreover, since it is a film
  • Embodiments 2 and 3 can be modified as appropriate within the scope of the present invention.
  • the imaging device 13 is configured to observe or measure ultraviolet rays.
  • the ultraviolet rays can be observed or measured without providing the imaging device 13. Is possible.
  • the imaging unit can be configured by providing the fluorescent film 15 and the fluorescent dielectric multilayer film 18 on the light receiving surface of the imaging element 13 without using an optical base material such as FOP12.
  • a fluorescent dielectric multilayer film 18 and a protective film 17 are laminated on the light receiving surface of the image sensor 13, and the fluorescent dielectric multilayer film 18 is provided in contact with the light receiving surface of the image sensor 13. Also good. Even in such a configuration, the fluorescent dielectric multilayer film 18 can reflect ultraviolet rays, and the fluorescence emitted by the fluorescent dielectric multilayer film 18 is received by the light receiving surface of the image sensor 13. Can be used for imaging. [Embodiment 4 of the Invention]
  • FIG. 17 is a schematic diagram of an exposure apparatus including the optical element according to Embodiment 4 of the present invention.
  • This exposure apparatus is configured in the same manner as the exposure apparatus described in the first embodiment except that the configuration of the projection optical system 60 is different.
  • the projection optical system 60 is configured by arranging a large number of optical elements 61, 62,... (A plurality of optical elements including the optical elements 61, 62) such as lenses, and ultraviolet rays from the illumination optical system 41 are received. Then, the light is irradiated through the mask stage 42, is converted into a desired light beam in the projection optical system 60, and is irradiated onto the wafer W. A predetermined optical path is formed in the projection optical system 60. . In the fourth embodiment of the present invention, at least one of the entrance surface and the exit surface of at least one or a plurality of optical elements 61, 62,. An antireflection film 53 made of a body multilayer film is provided.
  • Each of the optical elements 61, 62,... Has an antireflection film 53 laminated on the surface of an optical base material that can transmit ultraviolet light that can be transmitted from the illumination optical system 41 and can transmit visible light.
  • the optical substrate is made of, for example, quartz glass, calcium fluoride crystal, or the like.
  • the antireflection film 53 is formed by laminating a plurality of dielectric thin films, and at least one dielectric thin film is made of a fluorescent film.
  • a fluorescent film may be either a high-refractive index layer or a low-refractive index layer, and may be one layer or a plurality of layers of the antireflection film 53. There may be. As the number of fluorescent film layers increases, the fluorescence of each of the optical elements 61, 62,.
  • the optical elements 61, 62,... When ultraviolet light is irradiated from the illumination optical system 41 to the projection optical system 60 via the mask stage 42, the optical elements 61, 62,.
  • the antireflection film 53 prevents reflection and allows ultraviolet light to be transmitted with a high transmittance, and the fluorescent film in the antireflection film 53 emits fluorescence for each optical element 61, 62,...
  • the ultraviolet rays can be visualized, and the optical path of the ultraviolet rays in the projection optical system 60 can be observed and measured.
  • each antireflection film 53 has high durability, it can be always arranged in an exposure apparatus to constantly observe and measure ultraviolet rays.
  • the fluorescent film of the antireflection film 53 is sufficiently thin, and by providing the fluorescent film, the optical path in the projection optical system 60 does not change, and the design of the optical path is easy.
  • the present invention is not particularly limited, and other optical systems composed of other optical elements. Even so, the present invention can be applied in exactly the same manner.
  • the optical element and the optical system are formed of an optical substrate that cannot transmit ultraviolet rays and can transmit visible light.
  • the optical system 70 is composed of the optical elements 71, 72,... (A plurality of optical elements including 71, 72), and a sufficiently thick fluorescent film 55 is provided on the incident surface of the optical element 71 irradiated with ultraviolet rays.
  • the visible light emitted from the fluorescent film 55 may pass through the optical elements 71, 72,... To form an optical path.
  • a phosphor containing an activation material in a fluoride base material was synthesized to produce a sintered body.
  • the matrix is made of lanthanum fluoride (LaF 3 ), calcium fluoride (CaF 2 ), yttrium fluoride (YF 3 ), CLF, solid solution mixed crystal of calcium fluoride and yttrium fluoride (CYF: Ca x Y 1-x F 3-x ) or gadolinium fluoride (GdF 3 ).
  • the activation material is europium (Eu), terbium (Tb), praseodymium (Pr), samarium (Sm), dysprosium (Dy), cerium (Ce), holmium (Ho), erbium (Er), or ytterbium (Yb).
  • Phosphors were synthesized at the concentration of the activator shown in Table 1, with one or two selected from Table 1 shows the fluorescence colors obtained when each sintered body is irradiated with ultraviolet rays.
  • concentration in Table 1 shows the density
  • microcrystalline particles of CLF, LaF 3 , CaF 2 , YF 3 , CYF or GdF 3 produced by the hydrothermal synthesis method described above are used.
  • a raw material powder in which an aqueous acetate solution of rare earth metal (Eu, Tb, Pr, Sm, Dy, Ce, Ho, Er, or Yb) was mixed was used.
  • This raw material powder was pressure-molded into a pellet and heated at a temperature of 800 ° C. for 1 hour using an electric furnace and sintered at a high temperature. In this sintering process, it is considered that the rare earth metal ions diffuse into the base material microcrystals and replace the cation sites or enter the voids between the lattices and activate.
  • the phosphor thus produced was irradiated with light having a wavelength of 193 nm, and a film with strong emission confirmed (the film marked with a circle in Table 1) was formed.
  • the base material is selected from the group consisting of lanthanum fluoride (LaF 3 ), yttrium fluoride (YF 3 ), gadolinium fluoride (GdF 3 ), and calcium lanthanum fluoride (CLF), and activated.
  • the material was selected from the group consisting of europium (Eu), terbium (Tb), and praseodymium (Pr)
  • Eu europium
  • Tb terbium
  • Pr praseodymium
  • the fluorescent film was formed on a substrate using a resistance heating type vacuum deposition method by placing a phosphor sintered body on a Mo boat.
  • the base material used was parallel plate-shaped quartz glass ( ⁇ 30), and the film thickness was 500 nm. Further, the substrate was heated to 300 ° C. during vapor deposition. The reason for this is to improve the film strength and film quality of the fluoride film, increase the crystallinity by growing fluoride crystal particles in the thin film, and increase the efficiency of fluorescence emission by promoting the diffusion of the activator Because.
  • Table 2 shows the fluorescence peak intensities of these fluorescent films, the intensity normalized with the fluorescence peak intensity of LaF 3 : Eu as 1, and the respective fluorescence peak wavelengths.
  • the fluorescence emitted from the LaF 3 : Tb phosphor film protrudes strongly from other activator, particularly in the visible region.
  • the intensity was 270 times higher than the peak intensity of fluorescence under the same conditions of a LaF 3 : Eu thin film with the same base material and Eu as the activator.
  • FIG. 21 shows dispersion of optical constants (refractive index n and extinction coefficient k) obtained from the spectral transmittance and reflectance of the LaF 3 : Tb (1, 3 and 5 atom% activated) phosphor film.
  • the refractive index and extinction coefficient were calculated based on the Forouhi-Bloomer model.
  • the LaF 3 : Tb film formed in this example has a lower refractive index than the generally used LaF 3 film at 1 atom% activation concentration. Also, the extinction coefficient was about 2.24 ⁇ 10 ⁇ 3 at 193 nm, which was larger than that of the LaF 3 film for vacuum ultraviolet.
  • FIG. 22 shows the relationship between the fluorescence intensity when the fluorescent film is irradiated with light having a wavelength of 193 nm and the radiant flux of ultraviolet rays. According to this, it was found that the fluorescence intensity increases in proportion to the intensity of ultraviolet rays. This fact means that the fluorescence intensity distribution reflects the ultraviolet intensity distribution and can be estimated.
  • a composition of LaF 3 : Tb is suitable as a fluorescent film for light having a wavelength of 193 nm.
  • This composition is very useful in that it can replace a LaF 3 film that is generally used as a high refractive index film in an optical system using 193 nm laser light. From the results shown in Tables 1 and 2, when LaF 3 is a base material and Pr is an activator, any of YF 3 , CLF, and GdF 3 is a base material and Tb is an activator. A relatively high fluorescence peak intensity was observed, and it was confirmed that the utility was high.
  • other combinations shown in the film formation column of Table 1 can also be used as fluorescent films against short-wavelength ultraviolet light (for example, light with a wavelength of 193 nm) by adjusting the film formation conditions or the concentration of the activator. Is considered.
  • an optical thin film using a fluorescent film will be described, and an example in which a function of fluorescent light emission is imparted to an ordinary antireflection film, a dielectric multilayer high reflection mirror, or the like will be described.
  • the thickness of the LaF 3 layer used as the optical thin film was thick, it was made extremely thin at half the design center wavelength, that is, about 100 nm. Therefore, when a fluorescent film is used as the optical thin film, the fluorescence intensity needs to be as high as possible. It was confirmed that the composition of LaF 3 : Tb found in the present invention emitted sufficiently strong fluorescence.
  • the present fluorescent film can also be used as a single film having a fluorescence emission function.
  • the original antireflection film has a design center wavelength ⁇ 0 of 193 nm, a base material of quartz glass (refractive index: 1.55), a high refractive index layer of LaF 3 layer (refractive index of 1.69), MgF 2 layers (refractive index of 1.42) are used as the low refractive index layers, respectively, and are composed of a total of 6 layers.
  • the respective optical film thicknesses are, in order from the substrate side, the first layer 0.26 ⁇ 0 , the second layer 0.08 ⁇ 0 , the third layer 0.10 ⁇ 0 , the fourth layer 0.33 ⁇ 0 , and the fifth layer 0.28 ⁇ . 0, and the sixth layer 0.27Ramuda 0.
  • the first layer, the third layer, and the fifth layer are LaF 3 layers, and the other layers are MgF 2 layers.
  • the reason for selecting this configuration is that the total thickness of the LaF 3 layer is as thick as about 100 nm, and the intensity of fluorescence emission when the fluorescent film is substituted is increased.
  • the fluorescent antireflection film was formed and formed as it was.
  • this fluorescent antireflection film was formed on both sides of a parallel plate-shaped quartz glass, and spectral reflection and transmittance were measured. This is shown in FIG.
  • the reflectance decreased to about 0.1% near the wavelength of 193 nm, and it was found that the antireflection effect was sufficiently obtained.
  • the wavelength at which the reflectivity is lowered is shifted to a shorter wavelength side than 193 nm and is 192 nm. This is because the LaF 3 : Tb phosphor film has a slightly lower refractive index than the LaF 3 thin film, and the loss. Is due to the slightly larger.
  • the transmittance was about 98% at 193 nm, which was lower than the original performance of the antireflection film.
  • the transmittance of quartz glass on which both surfaces are not formed is about 90%, it can be said that a high transmittance is maintained in consideration of a loss due to fluorescence emission.
  • quartz glass lenses on which the present fluorescent antireflection film was formed were prepared.
  • This fluorescent antireflection film was formed on both surfaces of each lens.
  • the optical system was configured by installing the concave lens on the upstream side in the optical path of laser light having a wavelength of 193 nm and installing a convex lens 150 mm away from the downstream side.
  • This optical system constitutes the simplest beam expander.
  • both the entrance surface and the exit surface of each lens showed green fluorescence.
  • the brightness and darkness reflecting the intensity distribution in the cross section of the laser beam was clearly visible. It was also confirmed that the beam cross section was enlarged from the concave lens to the convex lens, and the diameter was doubled.
  • a dielectric multilayer mirror was constructed using the composition LaF 3 : Tb, which is preferable as a fluorescent film for light having a wavelength of 193 nm.
  • the original dielectric multilayer mirror is a 193 nm light reflecting mirror formed by alternately depositing lanthanum fluoride (LaF 3 ) and magnesium fluoride (MgF 2 ) using fluorite as a base material.
  • the multilayer film has a structure in which 42 layers of lanthanum fluoride and magnesium fluoride each having an optical film thickness of 1 ⁇ 4 wavelength are alternately stacked from the substrate side when the design center wavelength is 193 nm. It was found to have a high reflectance of 99% or more in the wavelength region of 193 nm.
  • the reason why the configuration of the dielectric multilayer mirror is selected is that the total thickness of the LaF 3 layer is as thick as about 500 nm, and the intensity of the fluorescence emission when the fluorescent film is substituted is increased.
  • the fluorescent dielectric multilayer mirror can be configured as it is.
  • This fluorescent dielectric multilayer mirror is not only a highly reflective mirror for ultraviolet rays incident perpendicular to the film surface, but also a dielectric designed for 45 degree incidence for bending the optical path by 90 degrees, or for other incident angles. It can also be used for multi-layer mirrors.
  • the imaging unit 11a shown in FIG. 14 according to the second embodiment of the invention and the imaging unit 11c shown in FIG. 15 according to the third embodiment of the invention are configured.
  • the FOP 12 As the FOP 12, a product having an optical fiber diameter of 6 ⁇ m manufactured by SCHOTT was used. The FOP 12 was cleaned in advance before film formation after optical polishing of both end faces.
  • a dielectric multilayer mirror as a wavelength selection film 14 is formed on the incident surface side of the FOP 12.
  • the design center wavelength is set to 193 nm, and lanthanum fluoride (LaF 3 ) and magnesium fluoride (MgF 2 ) are alternately deposited in multiple layers.
  • each layer of lanthanum fluoride and magnesium fluoride is formed by alternately stacking 42 layers from the FOP 12 side with an optical film thickness of ⁇ / 4 of the design center wavelength.
  • This wavelength selection film 14 has a high reflectance of 99% or more in the wavelength region of 193 nm, and substantially reflects ultraviolet rays.
  • a phosphor is vacuum-deposited on the surface of the dielectric multilayer mirror to form a phosphor film 15.
  • the fluorescent film 15 is formed by vacuum deposition using a composition LaF 3 : Tb (activating material concentration 5 atom%) which is preferable as a fluorescent film for light having a wavelength of 193 nm.
  • the imaging unit 11 shown in FIG. 14 was configured by adhering or contacting the emission surface of the FOP 12 to the light receiving surface of the imaging element 13.
  • the dielectric multilayer mirror of the above application example was formed on the incident surface of the FOP 12, and the imaging unit 11 of FIG. 15 was configured in the same manner.
  • the fluorescence is generated in several films from above the dielectric multilayer mirror. Since the fluorescence emission region and the FOP 12 are closer to each other, the fluorescence image converted from the ultraviolet image is incident on the entrance surface of the FOP 12 with high resolution, and the resolution of the fluorescence image transferred to the exit surface is also increased.
  • a 193 nm ultraviolet image in the fluorescent film portion can be visualized and picked up by a visible CCD.
  • the optical durability of the FOP 12 and the image sensor is inferior to ultraviolet rays of 193 nm, and exposure to the ultraviolet rays directly impairs the reliability of the imaging unit 11.
  • the film of the present invention since the film can be formed on the optical substrate with the same thickness as a normal optical thin film, the degree of freedom in arrangement is high.
  • ultraviolet rays and visible light are not scattered by the voids, so that the ultraviolet rays incident on the fluorescent film can be measured with high accuracy by detecting fluorescence.
  • functions such as an antireflection film and a wavelength selection film can be combined with functions as a fluorescent film. If the function as an antireflection film is applied, it is possible to prevent ultraviolet damage to the optical base material while guiding visible light generated in the fluorescent film to the optical base material.
  • an optical element including a fluorescent film or a dielectric multilayer film in an optical characteristic measuring device, it is possible to measure optical characteristics of various optical systems with high accuracy using short wavelength ultraviolet rays. Thereby, the precision of an optical apparatus such as an exposure apparatus can be improved, and a precise device can be manufactured using such an apparatus.

Abstract

 紫外線を透過可能なフッ化物からなる母材と、該母材にドープされた賦活材とを含み、前記賦活材は遷移元素又は希土類元素を含み、前記母材中で前記紫外線が照射されることで蛍光を発することを特徴とする蛍光膜および、該蛍光膜を有する誘電体多層膜、および該蛍光膜を利用した光学素子、撮像装置、光学特性計測装置、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法。

Description

蛍光膜、蛍光膜の成膜方法、誘電体多層膜、光学素子、光学系、撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
 この発明は、紫外線により蛍光を発する蛍光膜と、その蛍光膜の成膜方法に関する。またこの発明は、その蛍光膜を利用した誘電体多層膜、光学素子、光学系、撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法に関する。
 本願は、2008年3月10日に、日本に出願された特願2008-59700号および2008年7月28日に、日本に出願された特願2008-193560号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
 ステッパーなどの露光装置は、従来から、半導体素子や液晶表示素子をはじめとするマイクロデバイスの製造装置として使用されている。このような露光装置では、投影光学系に高い解像度が要求される。投影光学系の高い解像度を確保するためには、投影光学系の光学特性(例えば、ディストーション、像面湾曲などの結像特性、波面収差など)を高い精度で計測して、設計上の光学特性と実際の光学特性との誤差を補償することが必要となる。そのため、投影光学系の物体面および像面に周期パターン(明暗の繰り返しパターン)を配置するとともに、2つの周期パターンによって形成されるモアレ縞からディストーションの計測を行う光学特性計測装置が提案されている(一例として特許文献1:US2005/0122506A1参照)。
 この光学特性計測装置では、像面内の広い領域のディストーションを一括して測定しようとすると、リレーレンズの大型化によって露光装置への実装が困難となることが懸念されている。そのため、光学特性計測装置のリレーレンズとして、複数の光ファイバーを束にして構成された導光部材(ファイバーオプティックプレート:以下FOPと表記する)等を備える光学素子を用いることも検討されている。
 一方、蛍光体は従来から紫外線を可視光に変換するための物質として用いられている。蛍光体の開発の歴史は古く、蛍光灯を代表として、最近では発光ダイオード(LED)を用いた各種照明技術において、不可欠のものとなっている。
 蛍光灯(低圧水銀灯)に用いられる蛍光体として、ハロリン酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩等を母材とした酸化物系の蛍光体が用いられている。これらの蛍光体は、励起された水銀蒸気から発生する波長254nmの光により励起され、種々の蛍光を発光する。近年では、封入されたキセノン(Xe)-ネオン(Ne)などの希ガスに高電圧を印加し、放電時に発生する波長147nmまたは173nmの真空紫外線により蛍光を発することで画像表示を行うプラズマディスプレイパネル(PDP)がある。PDPに用いられる蛍光体としても、例えばアルミン酸塩、ケイ酸塩およびホウ酸塩などの、酸化物系の蛍光体が用いられている。
 これらの蛍光体は、一般に固相・液相・気相反応を利用して製造され、粉末状の形態(粒径は数マイクロメートル)を有している。薄い蛍光体層を基板上に形成するには、多くの場合、印刷技術を応用して蛍光体の塗布が行われている。高粘度の溶液を使用して蛍光粉末を混合し、スクリーン印刷などの印刷技術を応用して蛍光体が塗布される。次いで、高温焼結過程を経て塗布層の溶剤を揮発させるとともに結着材の融着を起こすことによって、蛍光粉末が基板上に固着され、蛍光体層が形成される。
 紫外線レーザ光を利用したレーザ光学系では、ビーム形状を確認するためのビームプロファイラーや、レーザの光路確認のためのビームチェッカーなどに蛍光体が利用されている。これらの蛍光体は、先述のとおり蛍光粉末を基板に固着させたものが一般的であるが、最近では、蛍光を発するガラスなど透光性のある素材も開発されている(例えば特許文献2:特許第3961585号公報、特許文献3:特開2006-265012号公報)。これらの蛍光発光ガラスは、希土類または遷移金属イオンをフツ燐酸系・酸化物系ガラス中に含有させ、透明性を維持したまま蛍光体を構成したものである。このような蛍光ガラスは、紫外線を可視的に観察可能な可視光に変換することを目的としており、エキシマレーザ等のレーザ光の光軸調整等に使用される。
 高精度で光学特性の計測を行うためには、波長の短い光を用いることが好ましい。特にエキシマレーザーを光源とする露光装置の光学系など、紫外光を用いる光学系の特性を精密に測定するためには、光学系の使用波長の紫外光を用いて計測することが好ましい。しかしながら、FOP等の導光部材を用い、紫外線を測定する装置では、FOPに紫外線を吸収する性質があることが知られている。したがって、上記の光学特性計測装置にFOPを用いた場合、光源から強い短波長紫外線がFOPに照射されるため、FOPの劣化が起こり易い。そのため、紫外線によるFOP劣化の改善が要請されていた。
 一方、紫外線を可視光に変換する場合、粉末蛍光体を基板に固着したものでは、製法上、蛍光体層の薄層化に制約がある。また、蛍光体層は、数マイクロメートルの粒子が押し固まった多孔質形態を取っており、空隙が多く含まれる。この空隙の大きさは、光の波長と同程度であるので、紫外線や蛍光は散乱される。そのため、蛍光体層の厚みが厚く、散乱による紫外線の拡散と蛍光の散乱によって、ビーム強度の分布やビーム形状の可視像が不鮮明になるという問題点があった。したがって、粉末焼結によって形成された従来の蛍光体では、上記のような光学特性計測装置に組合せ、紫外線を可視光に変換して高精度の計測を行うのは不可能であった。
 また、紫外線を可視化して観察や測定等を行う場合、蛍光発光ガラスでは、厚みが格段に厚く形成される。そのため、蛍光発光ガラスを含む光学系は配置等に制約が生じ易い。特に、蛍光発光ガラスを配置する場合と配置しない場合とで光路が変化し、所望の光学系で紫外線を可視化して観察や測定等を行い難いなどの問題点があった。
 そこで、この発明では、複数の光ファイバーを束にして構成された導光部材を備える光学素子に関し、紫外線による導光部材の劣化を抑制する手段を提供することを課題とする。
 また、紫外線及び蛍光が不鮮明になり難く、蛍光を利用して紫外線の観察や測定等を精度良く行い易く、配置の自由度も大きい蛍光膜又は誘電体多層膜を提供することを他の課題とする。さらにこの発明は、そのような蛍光膜や誘電体多層膜を備えた光学素子又は光学系を提供すること、そのような蛍光膜を容易に成膜できる方法を提供すること他の課題とする。
 またこの発明は、上記の光学素子又は光学系を用いた撮像ユニット、光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供することを他の課題とする。
 上記課題を解決するこの発明の蛍光膜は、紫外線を透過可能な材料からなる母材と、該母材にドープされた賦活材とを含み、前記賦活材は、前記母材中で前記紫外線が照射されることで蛍光を発することを特徴とする。
 上記母材は、フッ化物よりなるものでもよい。なお、前記フッ化物は、不可避的不純物を含んでいてもよい。
 上記賦活材は、遷移元素又は希土類元素を含むものでもよい。
 この発明の蛍光膜の成膜方法は、上記の蛍光膜を成膜する方法であり、フッ化物からなる前記母材に前記賦活材がドープされたターゲットを作製し、前記ターゲットを抵抗加熱して蒸着することで成膜することを特徴とする。
 この発明の誘電体多層膜は、上記の蛍光膜を含むことを特徴とする。
 この発明の光学素子は、上記の蛍光膜又は上記の誘電体多層膜が光学基材の表面に設けられていることを特徴とする。
 この発明の光学系は、複数の光学素子が配列された光学系であり、前記複数の光学素子の一部又は全部が前記の光学素子からなることを特徴とする。
 この発明の撮像ユニットは、上記の蛍光膜又は誘電体多層膜と、前記蛍光膜で発した前記蛍光を撮像する撮像素子とを備える撮像ユニットであってもよい。
 または、この発明の撮像ユニットは、上記の光学素子と、前記光学素子で発した前記蛍光を撮像する撮像素子とを備える撮像ユニットであってもよい。
 上記の撮像ユニットは、蛍光膜で発した蛍光を撮像素子に導光する導光部材を備えていてもよい。
 この発明の光学特性計測装置は、被検光学系の光学特性を計測する装置であって、この発明の撮像ユニットを備え、前記撮像ユニットは被検光学系の像面側に配置され、前記被検光学系を通過した計測光を検出するものであってもよい。
 この発明の蛍光膜によれば、母材にドープされた賦活材が、母材中で紫外線が照射されることで蛍光を発するので、蛍光を利用して紫外線の観察や測定などを行うことができる。その際、蛍光体が膜であるため、紫外線が照射される部材の表面に配置し易く、配置の自由度が大きい。また、賦活材が母材にドープされて形成された薄膜であるため、焼結粉末より形成された従来の蛍光体のような、空隙による光の散乱は生じない。そのため、紫外線や蛍光が蛍光体(蛍光膜)を透過する間に散乱等で不鮮明になることを防止できる。そのため、紫外線の観察や測定を精度良く行い易い。
 この発明の蛍光膜の成膜方法によれば、フッ化物からなる母材に賦活材をドープしたターゲットを作製し、このターゲットを抵抗加熱して蒸着することで蛍光膜を成膜するので、ターゲットの化学組成を維持して蛍光膜を成膜することが可能である。そのため、所望の蛍光特性を有する蛍光膜を成膜することが容易である。
 この発明の誘電体多層膜によれば、上記の蛍光膜を含むので、誘電体多層膜の構成による各種の光学特性が得られると同時に、蛍光膜による蛍光を利用し、紫外線の観察や測定などを精度良く行うことが可能である。
 この発明の光学素子によれば、光学基材の表面に上記のような蛍光膜又は誘電体多層膜が設けられているので、光学基材の表面で紫外線により蛍光を生じさせることができ、紫外線の観察や測定などを精度良く行い易い。
 特に、光学基材と蛍光膜との間に位置する単数又は複数の誘電体薄膜が、蛍光を透過すると共に紫外線を反射する特性を有する波長選択膜を構成する光学素子であれば、紫外線により蛍光膜で発生した蛍光は波長選択膜を透過して導光部材に入射する一方、紫外線は波長選択膜で反射される。そのため、紫外線による導光部材の劣化を抑制できる。
 この発明の光学系によれば、複数の光学素子が配列された光学系であって、複数の光学素子の一部又は全部が上記の光学素子からなるので、光学系内で定常的に紫外線の観察や測定を精度良く行うことができ、その際、紫外線や蛍光が散乱等で不鮮明にならず、しかも、蛍光膜を配置する場合と配置しない場合とで光路が変化し難いため、所望の光学系を構成することが容易である。
 この発明の撮像ユニットによれば、上記のような蛍光膜、誘電体多層膜、又は、光学素子と、これらからの蛍光を撮像する撮像素子とを備えているので、紫外線の測定を精度良く行い易い。
この発明の実施の形態1における撮像ユニットの一例の概略構成を示す断面図である。 図1の変形例に係る光学素子の概略構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態1における誘電体多層膜ミラーの紫外域での反射率を示す図である。 この発明の実施の形態1における誘電体多層膜ミラーの可視域での反射率を示す図である。 この発明の実施の形態1における蛍光体の蛍光スペクトルを示す図である。 この発明の実施の形態1における撮像ユニットの別例の概略構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態1における光学特性計測装置の一例の概略構成図である。 この発明の実施の形態1における光学特性計測装置の別例の概略構成図である。 この発明の実施の形態1における光学特性計測装置のさらに別例(シアリング型干渉計)の構成を示す図である。 この発明の実施の形態1におけるFOPの光学特性を計測する方法の一例を説明する流れ図である。 この発明の実施の形態1におけるFOPの光学特性を計測するときの装置構成を説明する概略構成図である。 この発明の実施の形態1における露光装置の構成例を示す概略図である。 この発明の実施の形態1における半導体デバイスの製造方法の一例を示す流れ図である。 この発明の実施の形態1における液晶表示素子の製造方法の一例を示す流れ図である。 この発明の実施の形態2の撮像ユニットの構成を示す図である。 この発明の実施の形態3の撮像ユニットの構成を示す図である。 この発明の実施の形態3の撮像ユニットの変形例を示す図である。 この発明の実施の形態3の光学素子を備えた露光装置の概略図である。 この発明の実施の形態3の光学素子を備えた光学系の変形例の概略図である。 実施例の測定結果を示し、LaF:Tb蛍光膜に対する蛍光スペクトルの代表例を示す図である。 実施例の測定結果を示し、Tbの賦活濃度と蛍光膜の蛍光強度との関係を示す図である。 実施例の測定結果を示し、LaF:Tb蛍光膜の分光透過率と反射率から求めた屈折率nと消衰係数kとを示す図である。 実施例の測定結果を示し、波長193nmの光を照射した際の蛍光強度と、紫外線の放射束の関係を示す図である。 実施例の測定結果を示し、実施例1の反射防止膜を両面に成膜した光学素子の分光反射率及び透過率を示す図である。
 以下、この発明の実施の形態について説明する。
 本発明の蛍光膜は、紫外線が照射されることで蛍光を発する膜であり、母材と、母材にドープされた賦活材とを含む材料から形成されている。この蛍光膜は、紫外線が照射される部位、或いは、紫外線が照射される可能性がある部位に配置される各種の部材の表面等に設けられて使用される。照射される紫外線は、可視光等に紫外線が含まれた光でもよい。また紫外線のみからなる光であってもよく、深紫外域或いは真空紫外域の波長の光であってよい。例えば、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)等の紫外線レーザ光であってもよい。
 蛍光膜の母材は、紫外線を透過可能な材料からなる。この材料は、照射される紫外線に応じて適宜選択可能である。この材料としては、フッ化物を好適に使用できる。フッ化物は、可視域の光を透過可能であり、さらに酸化物材料が不透明となる波長領域の光に対しても、多くのフッ化物材料は透明である。それ故、フッ化物は特に真空紫外領域用の光学素子材料、光学薄膜として必要不可欠となっている。このようなフッ化物は、発光した蛍光に対しても透明であり、蛍光を有効に利用することが可能である。
 蛍光体の母材としてフッ化物を用いることには、他の利点もある。蛍光体は、母材あるいは後述する賦活イオンによって紫外線を吸収し、賦活イオンが励起される。励起された賦活イオンは無輻射遷移(多くは母材中のフォノンを励起してエネルギーを失う)を経由して、発光準位へと遷移し、この準位から基底準位へと遷移して発光する。この発光遷移も、母材中のフォノン励起による無輻射遷移と競合する。この無輻射遷移が発生する確率は、母材中のフォノンエネルギーが大きいものほど高くなる。フッ化物はフォノンエネルギーが小さく、無輻射遷移の確率が低い。この物性により、蛍光体が吸収した光エネルギーが熱として失われることを抑制することができる。これは、蛍光薄膜の光耐性向上に繋がる利点である。
 このようなフッ化物としては、例えば、フッ化ネオジム(NdF3)、フッ化ランタン(LaF3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、フッ化ディスプロシウム(DyF3)、フッ化鉛(PbF2)、フッ化ハフニウム(HfF2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化イットリウム(YF)、フッ化アルミニウム(AlF3)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化バリウム(BaF2)、フッ化ストロンチウム(SrF2)、クリオライト(Na3AlF)、及びチオライト(Na5Al314)からなる群から選ばれる1種、または、これらからなる群から選ばれる2種以上の混合物若しくは化合物が挙げられる。
 フッ化物の混合物若しくは化合物としては、フッ化ランタンとフッ化カルシウムの固溶体混晶(CaLa1-x3-x、但し、0<x<1である。以下CLFと称す。)、フッ化カルシウムとフッ化イットリウムの固溶体混晶(Ca1-x3-x)などが挙げられる。
 フッ化物を作製する方法は、適宜選択可能である。例えば、水熱合成法を用い、フッ化物セラミックスとして作製することができる。水熱合成法では、フッ化物のカチオン成分の酢酸塩等の化合物とフッ酸等のフッ素化合物とを水溶液中で反応させてフッ化物微粒子を作製する。この、フッ化物微粒子を乾燥体又はプレス成形体とした後、800~1000℃で焼結し、フッ化物セラミックスとすることができる。
 固溶体混晶からなるフッ化物を作製する場合も、同様に水熱合成法によりフッ化物セラミックスとして作製することができる。その場合、フッ化物微粒子として、各カチオン成分毎に別々にフッ化物微粒子を合成することにより、各フッ化物微粒子の懸濁液を作製し、両者を湿式で混合して微粒子混合物とし、この微粒子混合物を用いて、乾燥体又はプレス成形体とした後、800~1000℃で焼結してフッ化物セラミックスとすることができる。
 このようなフッ化物では、特に、フッ化ランタン(LaF3)、フッ化イットリウム(YF)、CLF、及びフッ化ガドリニウム(GdF)からなる群から選ばれる1種であることが好適である。これらのフッ化物であれば、後述する実施例から明らかなように、短波長の紫外線が照射された際の蛍光を強くし易い。
 一方、蛍光膜の賦活材は、母材中にドープされた状態で紫外線が照射されることで蛍光を発する材料である。この賦活材としては、照射される紫外線に応じて適宜選択可能である。賦活材としては、例えば遷移元素又は希土類元素などが挙げられる。明確ではないが、この賦活材では、遷移元素若しくは希土類元素が原子又はイオンの形態で母材の微結晶中に拡散し、母材のカチオン成分のサイトを置換したり、格子間の空隙部に侵入し、賦活成分として作用すると考えられる。
 遷移元素又は希土類元素としては、ユーロピウム(Eu)、テルビウム(Tb)、プラセオジム(Pr)、サマリウム(Sm)、ジスプロシウム(Dy)、セリウム(Ce)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、またはイッテルビウム(Yb)などが挙げられる。賦活材がユーロピウム(Eu)、テルビウム(Tb)、及びプラセオジム(Pr)からなる群から選ばれる1種又は2種以上からなるのが特に好適である。この場合、後述する実施例から明らかように、短波長の紫外線が照射された際の蛍光を強くし易い。
 母材中の賦活材の濃度は、母材のカチオン成分に対する原子%濃度で1%以上10%以下とするのが好ましい。母材がフッ化ランタン(LaF3)からなり、賦活材がテルビウム(Tb)からなる場合、テルビウム(Tb)のランタン(La)に対する濃度は、原子%濃度で、8%以上10%以下とすることが特に好適である。賦活材の濃度が過剰に低いと、十分な蛍光を得難い。一方、賦活材の濃度が過剰に高いと、濃度消光現象が発生したり、フッ化物母材中に賦活材が固溶しきれない固溶限界に達してしまうからである。
 蛍光膜の材料は、上記の母材及び賦活材から構成されるものであってもよい。例えば、上記のフッ化物及び賦活材のみから構成されてもよい。さらに母材を構成するフッ化物が、不可避的不純物を含んでいてもよい。また、蛍光膜の材料には、これらの母材及び賦活材の他、入射された紫外線により蛍光を発することが可能な範囲において、他の成分が含有されていてもよい。
 本発明の蛍光膜は、これらの材料から形成された膜であり、少なくとも賦活材が母材にドープされた状態で成膜されていることが必要である。このような膜を形成するには、予め賦活材を母材にドープさせた材料を用いて成膜して形成してもよい。また、別の材料からなる賦活材と母材とを用い、母材に賦活材をドープさせながら成膜し、蛍光膜を形成してもよい。
 予め賦活材を母材にドープさせた材料を作製するには、以下の方法を用いることができる。例えば、フッ化物の母材を上記のような水熱合成法により作製する場合であれば、フッ化物微粒子やフッ化物微粒子混合物の懸濁液に賦活材の酢酸塩水溶液を混合して原料粉末を作製してもよい。この原料粉末の乾燥体又はプレス成形体を焼結してフッ化物セラミックスとすることで、賦活材を母材にドープさせた材料を作製することができる。上記の製法では、焼結過程において、希土類金属イオン等の賦活材の成分が母材の微結晶中に拡散し、母材のカチオン成分のサイトを置換したり、格子間の空隙部に侵入して賦活されると考えられる。なお、上記水熱合成の過程において、賦活材は酢酸塩水溶液以外の形態で加えてもよい。上記酢酸塩以外に使用可能な塩類としては、乳酸塩、シュウ酸塩、アスコルビン酸塩、アルギン酸塩、安息香酸塩、炭酸塩、クエン酸塩、グルコン酸塩、パントテン酸塩、サリチル酸塩、ステアリン酸塩、酒石酸塩、グリセリン酸塩、トリフルオロ酢酸塩等の有機酸塩や、塩化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩を挙げることができる。
 賦活材を母材にドープさせた材料を成膜するには、公知の各種の薄膜形成法を採用できる。均一な薄膜を形成し易く、膜厚の調整が容易などの理由で気相成膜法で蛍光膜を形成することが好適である。より好ましくは真空蒸着法で形成すれば、良好な光学特性の被膜を得ることができる。特に、予め母材に賦活材をドープさせたターゲットを作製し、そのターゲットを抵抗加熱して蒸着することで蛍光膜を成膜するのが好適である。
 スパッタリング等の気相成膜法では、多元系物質のターゲットを用いた場合、ターゲットの化学組成と成膜された薄膜の化学組成との間に相違が生じ易いことが知られている。ところが、テルビウムやユーロピウム等の賦活材がドープされたフッ化ランタン等の母材を用い、抵抗加熱による真空蒸着法により成膜すると、ターゲットの化学組成を略維持して蛍光膜を成膜することが可能であることが確認された。しかも、蒸着時間や条件を調整することで膜厚を容易に調整できるので、所望の蛍光特性及び所望の膜厚を有する蛍光膜を成膜することが非常に容易である。
 賦活材と母材とをドープさせながら成膜するには、紫外線を透過可能な材料からなる母材と、賦活材とをそれぞれ別々に準備し、母材と賦活材とを同時に気相成膜法、好ましくは真空蒸着法により蒸着させることで蛍光膜を形成することができる。例えば、フッ化ランタン等の母材と、賦活材としてテルビウムを含むフッ化テルビウム等のフッ素化合物とを、蒸着割合を調整しつつ、同時に蒸着することで、母材に賦活材がドープされた薄膜の成膜を行うことができる。
 蛍光膜の膜厚は、照射される紫外線や用途などに応じて設定することが可能である。膜厚が厚い程、多くの紫外線を可視光化できて蛍光を強くし易い。精密な光学系では、膜厚を厚くすると蛍光膜により光路が変化するため、薄くすることが好まく、光学特性から要求される膜厚とするのがよい。過剰に薄くて十分な蛍光を得難い場合には、蛍光の強い材料を選択したり、複数の蛍光膜を積層することで、蛍光を強くすることができる。特に好ましくは、各層の膜厚を照射される紫外線の波長或いは設計中心波長の略半波長以下とするのが好適である。例えば、短波長紫外線を用いる光学系では、蛍光膜の膜厚は180nm以下であってもよく、125nm以下であってもよい。特に、真空紫外線を用いる光学系においては、蛍光膜の膜厚は100nm以下であってもよく、80nm以下であってもよい。例えば、ArFエキシマレーザ(波長193nm)を用いたレーザ光学系であれば100nm以下としてもよい。十分な蛍光強度が得られる場合には、上記層厚の蛍光膜を単層で用いてもよい。あるいは、上記層厚の蛍光膜を積層して、たとえば、合計膜厚3μm以下、または1μm以下の蛍光膜としてもよい。
 以上のような蛍光膜によれば、母材にドープされた賦活材が、母材中で紫外線が照射されることで蛍光を発するので、蛍光を利用して紫外線の観察や測定などを行うことができる。
 その際、膜であるため配置スペース等が不要であり、光学部材等の紫外線が照射される部位の表面に配置し易く、配置の自由度が大きい。また、賦活材が母材にドープされて形成された薄膜であるため、焼結粉末よりなる蛍光体層とは異なり、紫外線や蛍光が蛍光膜を透過する間に散乱等で不鮮明になることを防止できる。そのため、紫外線の観察や測定を精度良く行うことが可能である。
 この蛍光膜と従来の蛍光粉末や蛍光ガラスとの決定的な違いの一つとして、この蛍光膜は、光学薄膜として利用することが可能である点を挙げることができる。すなわち、光学系の構成をそのままにして、該光学系に含まれる光学素子等の表面にこの発明の蛍光膜を成膜することにより、光学系に蛍光発光という機能を付与することができる。
 複数の光学素子を配列した光学系において、蛍光発光に消費された光以外の紫外線や蛍光を反射・透過して次の光学素子へと導き利用しようとする場合、紫外線波長域での反射率または透過率が高いことが必要である。
 ところが、例えば従来の蛍光粉末を固定した蛍光体では、これら反射光または透過光は、入射光に対して反射・屈折の法則が成立する角度への成分以外にも全方位へ散乱する散乱光の成分も含んでいる。これらの散乱光をも含んだ光の反射率・透過率は、蛍光粉末の凝集密度や粒径分布により変化する。そのため、従来の粉末状の蛍光体では、入射してきた紫外線や発した蛍光が散乱してしまい、光学系を通る光線が乱れて、光学系に設ける光学薄膜としては使用することはできなかった。
 例えば従来の蛍光ガラスを利用すれば、そのガラスの吸収波長域以外の透過光を他に利用することはできる。蛍光ガラスの透過率は、光学ガラスに準ずる品質管理を行うことで、比較的精密に制御することができる。しかし、従来の蛍光ガラスでは厚肉であり、既存の光学系に挿入すると、蛍光ガラスの屈折力により光路が無視できない程度に変化する。
 一方、本発明の蛍光膜では、賦活材が母材に対してドープされた材料からなる膜であるため、入射してきた紫外線や発した蛍光の散乱が防止されている。しかも、膜であるため、光路中に配置されても、紫外線や蛍光の光路が変化し難い。その結果、光学系を同じ状態に維持したまま、本発明の蛍光膜を光学素子に成膜することで、光学系に蛍光発光という機能を付与することが可能である。
 また、この蛍光膜と従来の蛍光粉末や蛍光ガラスとの他の違いとして、真空紫外域の光などでも、紫外線の観察や測定などを行うことができるという点が挙げられる。特に、ArFエキシマレーザが発する波長193nmの光や、Fエキシマレーザが発する波長157nmの光など、波長200nm以下の光の観察や計測を効果的に行うことができる。またこの蛍光膜は、他の短波長紫外線、例えば波長365nmのi線や、KrFエキシマレーザが発する波長248nmの光の観察や計測にも用いることができる。
 真空紫外線を用いたレーザ光学系において、紫外線を可視化しようとする場合、従来の蛍光粉末を固定した蛍光体では、劣化が激しくて短時間しか使用できず、また、従来の蛍光発光ガラスでも、真空紫外線に対して吸収が大きく、経時的に紫外線の吸収により劣化が起こるため、一時的には使用できても定常的に光学系に配置して使用することができなかった。
 ところが、本発明では、母材がフッ化物からなると共に賦活材が遷移元素又は希土類元素を含む蛍光膜とすることで、可視光から真空紫外線までに対して透明で、高い透過率が得られ、レーザ耐性も良好であるため、193nmの波長の光など、真空紫外域においても、紫外線の観察や測定などを行うことが可能である。
 このような本発明の蛍光膜は、単層で用いることもできる。また複数の膜の積層により形成された、多層構造の誘電体多層膜(誘電体積層膜)として用いることも可能である。誘電体多層膜として用いる場合、複数の誘電体薄膜が積層された誘電体多層膜の一部又は全部として本発明の蛍光膜を用いることができる。すなわち、誘電体多層膜を構成する複数の誘電体層のうち、一層を本発明の蛍光膜としてもよく、二層以上を本発明の蛍光膜としてもよい。
 蛍光膜と共に蛍光膜以外の誘電体薄膜を積層する場合、蛍光膜以外の誘電体薄膜としては、各種の材料からなる膜を用いることができるが、照射される紫外線に対して十分な耐久性を有する材料からなる膜が好ましい。上記のような蛍光膜の母材として使用可能な材料からなる膜が好適である。例えば、上記に母材の選択肢としてあげたフッ化物からなる膜で、誘電体多層膜の各層を構成してもよい。例えば、フッ化ランタン(LaF)、フッ化ガドリニウム(GdF)、フッ化マグネシウム(MgF)などを用いることができる。また、シリカ(SiO)、アルミナ(Al)などを用いてもよい。誘電体多層膜を構成する、各誘電体薄膜の材料はそれぞれ同一であっても、異なっていてもよい。すなわち、一種類の誘電体薄膜を複数積層して誘電体多層膜を構成してもよく、二種以上の誘電体薄膜を複数積層して誘電体多層膜としてもよい。例えば、屈折率の異なる二種の誘電体薄膜を交互に積相して誘電体多層膜としてもよい。
 このような誘電体多層膜は、全部又は一部により各種の光学特性が得られる構成とされるのが好ましい。例えば、紫外線を反射し、蛍光を透過する特性を有する波長選択膜或いは、所定波長の光の反射を防止する反射防止膜を構成することができる。その場合、所望の光学特性(例えば、波長選択特性、反射防止特性)が得られるように誘電体薄膜が積層された積層構造を構成し、これとは別に本発明の蛍光膜をさらに積層して誘電体多層膜としてもよい。すなわち、誘電体多層膜が、少なくとも一層の蛍光膜と、複数の誘電体層から構成された波長選択特性または反射防止特性を有する積層膜とを含む構成としてもよい。このようにすれば、積層構造と別に設けた蛍光膜の膜厚を積層構造の誘電体薄膜の膜厚より厚く形成することが可能であり、より強い蛍光を得易い。この場合、誘電体多層膜の最上層を蛍光膜としてもよい。
 また、本発明の蛍光膜を、所望の光学特性が得られる積層構造を構成する誘電体薄膜の全部又は一部として用いてもよい。言い換えれば、誘電体多層膜を構成する誘電体薄膜に蛍光発光の機能を持たせてもよい。このようにすれば、所望の光学特性が得られる誘電体多層膜を構成するだけで蛍光が得られ、蛍光を発しない誘電体多層膜と同様にして膜を構成することができる。その場合、誘電体多層膜を構成する誘電体薄膜のより多くの薄膜を蛍光膜とすることで、蛍光を強くすることができる。
 このように、複数の誘電体薄膜が積層された誘電体多層膜において、誘電体薄膜の少なくとも一つを蛍光膜とすれば、各種の光学特性と共に蛍光機能を得ることが可能であり、しかも、蛍光を利用した紫外線の観察や測定等の際に、紫外線や蛍光が散乱等で不鮮明になることや光路が変化することを防止でき、紫外線の観察や測定を精度良く行うことが可能である。
 以上のような本発明の蛍光膜又は誘電体多層膜は、蛍光膜を単層として、或いは複数の誘電体膜からなる誘電体多層膜として、紫外線が照射される種々の部材に設けることが可能である。
 例えば、蛍光膜又は誘電体多層膜を各種の光学基材の入射面や射出面に設けることで光学素子を構成できる。光学基材は、例えば、窓材、レンズ、プリズム、FOP等であり、紫外線を透過可能なものであっても、紫外線を透過不能であって蛍光を透過可能なものであってもよい。光学基材としては、光学ガラス、光学セラミクス、光学結晶、光学プラスチック、光ファイバ(例えば、FOPの場合)などから選択される材料を用いることができる。可視光から近紫外光域の光を透過させる光学基材としては、光学ガラスを用いることができ、真空紫外域の光を透過させる光学基材としては、合成石英ガラスやフッ化カルシウムなどの硝材を用いることができる。このような光学素子は、例えば、各種の光学系の構成要素、紫外線を可視光化する装置、ビームプロファイラー、ビームチェッカーなどに使用できる。
 また、蛍光膜又は誘電体多層膜を紫外線及び蛍光を透過不能な各種の基材に設けることも可能である。例えば、不透明なカバー部材や壁面等に単層の蛍光膜や誘電体多層膜を設けてもよい。
 更に、蛍光膜又は誘電体多層膜や、蛍光膜又は誘電体多層膜が設けられた光学素子を、紫外線を撮像可能な撮像素子や蛍光を撮像可能な撮像素子の受光面に設けて撮像ユニットを構成することも可能である。
 たとえば、複数の光ファイバーを束ねて構成されたファイバーオプティックプレート(FOP)を光学素子として用い、FOP上に蛍光膜又は誘電体多層膜を構成し、蛍光膜で発した蛍光をFOPで撮像素子の受光面に導光する構成としてもよい。その際、蛍光膜とFOPの間に、誘電体多層膜よりなる波長選択膜を儲け、紫外線を反射する構成としてもよい。
 また、撮像素子の受光面に、上記蛍光膜または誘電体多層膜を設けてもよい。
 上記誘電体多層膜を構成する各誘電体層の膜厚は、照射される光(例えば紫外線)の波長、または設計中心波長の略1/2以下とするのが好ましい。
 誘電体多層膜の合計膜厚は、用途に応じて選択できる。FOP上に蛍光膜または誘電体多層膜を形成する場合、形成される合計の膜厚は、FOPを構成する個々の光ファイバの直径以下とすることが望ましい。たとえば、合計膜厚を3μm以下としてもよい。
 また、種々の部材に設けられた蛍光膜又は誘電体多層膜を、更に外側から他の膜で被覆することも可能である。例えば、蛍光膜又は誘電体多層膜を、耐水性及び撥水性の少なくとも一方を有する保護膜により外側から被覆して耐久性を向上させることもできる。
 また、上記の撮像ユニットは、光学特性計測装置の構成に用いることができる。
 例えば、光学系の光学特性を検査する測定装置の場合、上記蛍光膜と、導光部材(例えばFOP)と、蛍光膜からの蛍光を撮像可能に配置された撮像素子を含む撮像ユニットを検査対象となる光学系の像面側に配置し、被検光学系を通過した計測光を撮像ユニットで検出する構成とすることができる。
 上記光学特性計測装置において、撮像ユニットが蛍光膜と波長選択膜を含む構成としてもよい。例えば、上記の波長選択機能を有する積層構造と蛍光膜を含む誘電体多層膜を導光部材の入射面側に配置してもよい。例えば、導光部材の入射面側に波長選択膜を介して蛍光膜を配置し、波長選択膜が蛍光を透過するとともに、所定波長の光(例えば紫外線)を反射する構成としてもよい。
 上記光学特性計測装置は、被検光学系に光(計測光)を照射する照明光学系を備えていてもよい。あるいは、照明光学系を備える光学装置に上記光学特性計測装置を設置し、所定部位の光学系の光学特性を計測してもよい。
 上記の光学特性計測装置は、前記被検光学系の物体面に配置された第1の周期パターンと、前記導光部材の入射面又は射出面に配置された第2の周期パターンとを有し、前記撮像素子で前記第1の周期パターンと第2の周期パターンとにより形成されるモアレ縞を検出するものであってもよい。このような装置を用いれば、検出されたモアレ縞から被検光学系のディストーションを計測できる。
 あるいは、上記の光学特性計測装置は、被検光学系の物体面に配置されたピンホールと、前記被検光学系の像面と前記撮像ユニットの入射面との間に配置されたマイクロレンズアレイとを備え、前記撮像ユニットで前記マイクロレンズアレイにより集光された点像を検出する光学特性計測装置であってもよい。このような光学特性計測装置を用いれば、被検光学系の波面収差を計測することができる。
 あるいは、上記の光学特性計測装置は、ピンホールと、リレーレンズと、マイクロレンズアレイと検出装置をさらに備え、前記ピンホールは被検光学系の物体面に配置され、前期撮像ユニットは、導光部材と蛍光薄膜の間に波長選択膜を備え、前記導光部材の入射面が被検光学系の光軸に対し45度傾斜した状態で配置されており、前記リレーレンズは前記被検光学系の像面と前記撮像ユニットの入射面との間に配置され、前記検出装置は入射面が被検光学系の像面に対し、直角をなす状態で配置され、前記マイクロレンズアレイは、前記撮像ユニットの入射面と、前記検出装置の間に配置されており、
 前記リレーレンズは、ピンホールによって回折された計測光を平行光に変換し、
 前記撮像ユニットの波長選択膜は、蛍光膜で発生した蛍光を透過させるとともに、蛍光膜を透過した計測光を入射方向と直角方向に反射して反射光を形成し、
 前記撮像ユニットの撮像素子は、導光部材を介して導光された蛍光を検出し、
 前記検出装置は、前記マイクロレンズアレイで集光された前記反射光を検出する光学特性計測装置であってもよい。
 このような構成の光学特性計測装置によれば、撮像ユニットの撮像素子で計測光の光量分布を測定して被検光学系の開口数を求めると同時に、マイクロレンズアレイで集光された点像の位置のずれ量をもとに、被検光光学系の波面収差を計測することができる。
 なお、上記波長選択膜は、所定波長の光を透過するとともに、所定波長の光を反射およびまたは吸収する機能を有する。波長選択膜としては、本発明の誘電体多層膜を用いもよい。例えば、波長選択膜は、所定波長の可視光を透過し、所定波長の紫外線を反射する膜であってもよい。
あるいは、上記の光学特性計測装置は、前記被検光学系に物体面に配置されたピンホールと、前記被検光学系の像面に配置された回折格子とを備え、前記撮像ユニットで前記回折格子により形成される干渉縞を検出する光学特性計測装置であってもよい。このような光学特性計測装置によれば、被検光学系の波面収差を計測できる。
 上記のような光学特性計測装置は、各種の光学系の光学特性の計測に用いることができる。例えば、所定のパターンを感光性基材に露光する露光装置にくみあわせた場合、光学特性計測装置によって、露光系の光学特性を計測し、ディストーションや波面収差などの補正を行うことにより、精密な露光が可能となる。このような精密な露光装置を用いることにより、露光工程を経て形成される各種デバイス(例えば、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなど)の性能を向上することが可能となる。
 以下、本発明の蛍光膜又は誘電体多層膜を用いた種々の具体的形態について説明する。
 [発明の実施の形態1]
 <光学素子および撮像ユニットの構成例1>
 図1は、光学素子を備えた撮像ユニットの構成の一例を示す断面図である。この撮像ユニットは、例えば、露光装置の投影光学系の光学特性を計測する光学特性計測装置に組み込んで使用することができる。
 図1に示す撮像ユニット11は、FOP12と撮像素子13とを有している。FOP12は、複数の光ファイバーを一定の間隔で束ねるとともに、板状に成形された光学基材であり、紫外線が透過不能であると共に可視光が透過可能な材料からなる。FOP12の各々の光ファイバーは、図1の上下方向に延長するように並列して配列されている。そして、FOP12の入射面(図1の上側)から入射する光束は、各々の光ファイバーを伝搬してFOP12の射出面側に導かれる。
 また、FOP12の入射面上には、下から順に、波長選択膜14と、蛍光膜15と、周期パターン16と、保護膜17とが積層して形成されている。一方、FOP12の射出面には、撮像素子13が取り付けられている。なお、FOP12の横分解能の低下を抑制する観点から、FOP12の入射面上に形成される波長選択膜14および蛍光膜15の合計厚さは、FOP12における各々の光ファイバーの直径以下に設定される。
 波長選択膜14は、FOP12と蛍光膜15との間に形成されており、可視光を透過させるとともに紫外線を反射する特性を有している。一例として、波長選択膜14は、誘電体多層膜ミラーで構成されている。
 蛍光膜15は、紫外線により蛍光を発し、紫外域の計測光を可視域の計測光に変換する機能を果たす。
 周期パターン16は、蛍光膜15の表面上に形成されている。この周期パターン16は、蛍光膜を覆う遮光部分と、開口をなす透光部分とが規則的に繰り返して配列された、ラインアンドスペースのパターンである。
 保護膜17は、周期パターン16の遮光部分と、蛍光膜15の表面(周期パターン16の透光部分)とを被覆している。この保護膜17は、耐水性および撥水性の少なくとも一方を有している。保護膜17は、液体の浸透を抑制するとともに、空気や水蒸気から下層の膜を保護する役目を果たす。
 撮像素子13は、複数の受光素子(図示せず)が二次元的に配列された受光面を有しており、この撮像素子13の受光面はFOP12の射出面に接した状態となっている。なお、本実施形態では、撮像素子13にカバーガラスやフィルタなどを装着することなく、撮像素子13の受光面に接着などの手段でFOP12が直接固定されている。
 ここで、図1の撮像ユニットの変形例として、FOPの射出面側に周期パターンを形成するようにしてもよい(この場合の図示は省略する)。また、図1の撮像ユニットの変形例として、光学素子に周期パターンを形成しないようにしてもよい(図2参照)。この図2の撮像ユニット11aは、周期パターンを形成したプレートを光学素子に着脱することで、図1の撮像ユニット11と同様に機能させることができる。なお、図2の例に関しては、図1と同一の構成には同一符号を付して重複説明を省略する。
 以下、図1に示す実施形態の撮像ユニットの作用効果を説明する。図1の上方から撮像ユニット11に対して短波長紫外線(ArFエキシマレーザやKrFエキシマレーザなど)を照射すると、周期パターン16の透光部分から蛍光膜15に短波長紫外線が入射する。蛍光膜15は、入射した短波長紫外線の強度に応じて可視域の蛍光を発する。上記の蛍光は波長選択膜14をほとんど減衰せずに透過してFOP12に入射する。そして、FOP12から射出された計測光(蛍光)が撮像素子13によって計測される。一方、蛍光膜15を透過した短波長紫外線は波長選択膜14でほぼ反射される。
 よって、本実施形態の構成によれば、波長選択膜14によってFOP12への短波長紫外線の入射がほぼカットされるため、短波長紫外線によるFOP12の劣化を抑制でき、撮像ユニット11の耐久性、信頼性を大幅に向上させることができる。一方、紫外域の計測光は蛍光膜15で可視域の蛍光に変換されて波長選択膜14を透過するため、本実施形態の構成においても蛍光を用いて計測を確実に行うことができる。
 また、本実施形態では、光源から入射した短波長紫外線と波長選択膜14で反射された短波長紫外線とがいずれも蛍光の発生に寄与するので、蛍光膜15で強度の高い蛍光を比較的容易に得ることができ、蛍光膜15の薄膜化も容易となる。また、本実施形態の蛍光膜15はフッ化物を母材として形成されているので、短波長紫外線に対して蛍光膜15が高い耐久性を有している。また、本実施形態では蛍光膜15が真空蒸着法で成膜されているので、例えば、蛍光体粒子をバインダに混練して塗布した場合と比べて蛍光の散乱が少なく、良好な光学特性の蛍光膜15を得ることができる。
 また、本実施形態では、蛍光膜15および周期パターン16を保護膜17で被覆することで、蛍光膜15の劣化が抑制される。例えば、液浸型露光装置に搭載される光学特性計測装置に撮像ユニットを使用するケースでは、被検光学系(露光装置の投影光学系)とFOP12との間には水などの液体が充填される。しかし、本実施形態では保護膜17で蛍光膜15が液体から保護される。また、空気中にて紫外線が照射されるケースでは、フッ化物の蛍光膜15と空気との界面では酸化や水酸化が生じて光学性能が劣化する。しかし、本実施形態では保護膜17によってかかる蛍光膜15の劣化も抑制できる。さらに、保護膜17が十分な膜強度を有する場合には、拭きによって表面汚損を容易に除去することも可能となる。
 <光学素子の製造例>
 以下、実施例として、図1に示す撮像ユニット11の光学素子部分の製造例を説明する。この実施例でのFOP12にはSCHOTT社の光ファイバー直径が6μmの製品を使用した。そして、FOP12は、両端面を光学研磨した上で成膜前に予め洗浄しておく。
 次に、FOP12の入射面側に波長選択膜14としての誘電体多層膜ミラーを形成する。実施例での誘電体多層膜ミラーは、設計中心波長を193nmに設定するとともに、フッ化ランタン(LaF)およびフッ化マグネシウム(MgF)を交互に多層蒸着して形成した。このとき、フッ化ランタンおよびフッ化マグネシウムの各層は、それぞれ設計中心波長のλ/4(設計中心波長をλとするとき、その1/4)の光学膜厚でFOP12側から交互に42層積み上げて成膜されている。
 ここで、図3A及び図3Bに実施例での誘電体多層膜ミラーの反射率を示す。この誘電体多層膜ミラーは、設計中心波長である193nmの波長域で98%以上の高い反射率を示し、400nmから700nmの波長域で5%以下の低い反射率を示す。したがってこの誘電体多層膜ミラーはArFエキシマレーザの紫外線をほぼ反射し、後述する蛍光膜が発する可視域の蛍光をほぼ透過することが分かる。
 次に、誘電体多層膜ミラーの表面に蛍光体を真空蒸着して蛍光膜15を形成する。この蛍光膜15の原料としては、フッ化ランタン(LaF)を母材とし、希土類元素のユーロピウム(Eu)を賦活材として合成した蛍光体を使用した。
 上記の蛍光体については、フッ化ランタンの微結晶粒子と酢酸ユーロピウム水溶液とを混合し、水熱合成法によって原料粉末を得る。この実施例では、賦活材の濃度(Eu/La比)は約5モル%とした。なお、上記の原料粉末の生成工程の一例として、特開2006-206359号公報に記載されている上述の水熱合成法を応用することができる。
 そして、上記の原料粉末をペレット状に加圧成形するとともに、電気炉にて温度800℃で1時間加熱して蛍光体の焼結体を得た。この焼結過程において、ユーロピウムイオンはフッ化ランタンの微結晶中に拡散し、ランタンイオンのサイトを置換して3価の状態をとって賦活化されると考えられる。なお、図4に実施例での蛍光体の蛍光スペクトルを示す。この実施例の蛍光膜15は、紫外線の入射によって、波長600nm前後の橙色から赤色の蛍光を発することが分かる。
 その後、真空蒸着装置のMoボートに上記の蛍光体の焼結体を載置するとともに、抵抗加熱法によって誘電体多層膜ミラーの表面に蛍光膜15を真空蒸着する。この実施例では、蛍光膜15の膜厚を500nmとした。また、真空蒸着のときにはFOP12を300℃に加熱した。このFOP12の加熱により、フッ化ランタン膜の膜強度を向上させることができる。また、FOP12の加熱により、薄膜中でのフッ化ランタン粒子の結晶性が良好となり、蛍光発光をより起こり易くすることができる。
 ここで、蛍光膜15の成膜前には、誘電体多層膜ミラーの表面をできるだけ清浄な状態に保つことが好ましい。例えば、抵抗加熱用の真空蒸着源を3つ以上備えた真空蒸着装置を用いると、上記の誘電体多層膜ミラーおよび蛍光膜15の成膜工程を連続して行うことができ、清浄な状態のミラー表面に蛍光膜15を成膜できる。真空蒸着法以外で誘電体多層膜ミラーを成膜する場合や、上記の蒸着源を用意できない場合などにおいては、クリーンルーム等の清浄な環境下でFOP12の出し入れを行うか、あるいは、蛍光膜15の成膜前にミラー表面を洗浄または手拭きしてもよい。
 次に、蛍光膜15の表面にクロム薄膜の周期パターン16を形成する。実施例では、洗浄または手拭きで蛍光膜15の表面を清浄な状態とした後に、スパッタによって蛍光膜15の表面にクロム薄膜を形成する。その後、スピンコートでフォトレジストを塗布し、周期パターン16のフォトマスクの像をフォトレジスト上に焼き付ける。そして、エッチング工程により現像を行い、紫外線を通す透光部分のクロム薄膜を除去した。これにより、遮光部分および透光部分が周期的に繰り返されるラインアンドスペースのパターン16が蛍光膜15上に形成される。なお、実施例のパターンにおける遮光部分と透光部分とのピッチは0.5μmとした。
 最後に、FOP12の最上層に保護膜17としての耐水膜を形成する。実施例では、周期パターン16を形成した後、FOP12にテトラエトキシシラン(TEOS)溶液をスピンコートで均一に薄く塗布した。その後、FOP12を160℃に設定した乾燥機内で1時間加熱し、TEOSの加水分解・縮重合反応を進めて二酸化ケイ素の重合体を生成した。上記反応によって得られた二酸化ケイ素は極めて緻密なアモルファス状の膜を成していた。以上の工程によって、撮像ユニット11の光学素子部分が完成する。
 <光学素子および撮像ユニットの構成例2>
 図5は、光学素子を備えた撮像ユニットの構成の別例を示している。図5の撮像ユニット11bは、入射面の波長選択膜14が紫外線の光路を90度折り返すミラーとして機能する構成である。なお、図5に示す撮像ユニット11bの説明では、上述の実施形態と同一の構成には同一符号を付して重複説明を省略する。
 図5に示す撮像ユニット11bのFOP12aは、入射端面が出射端面に対して45度傾斜した形状に研削および研磨したものが用いられている。このFOP12aには、図5の下から順に波長選択膜14および蛍光膜15が積層して形成されている。また、FOP12aの射出面には、撮像素子13が取り付けられている。なお、図5の例における波長選択膜14は、膜面に対する紫外線の入射角を考慮して、45度入射で使用される構成にする必要がある。
 図5に示す撮像ユニット11bの構成によっても、波長選択膜14によってFOP12aへの短波長紫外線の入射がほぼカットされるため、短波長紫外線によるFOP12aの劣化を抑制できる。また、紫外域の計測光は蛍光膜15で蛍光に変換されて波長選択膜14を透過するため、本実施形態の構成においても蛍光を用いて計測を確実に行うことができる。
 <光学特性計測装置の構成例1>
 図6は、実施形態の一例に係る光学特性計測装置の概略構成図である。図6に示す光学特性計測装置は、例えば、露光装置の投影光学系のディストーションを計測するために用いられるモアレ縞計測装置である。図6に示す光学特性計測装置には、図1に示す撮像ユニット11が組み込まれている。なお、図6の装置構成の説明では、上述の実施形態と同一の構成には同一符号を付して重複説明を省略する。
 図6に示す光学特性計測装置は、ArFエキシマレーザ光源またはKrFエキシマレーザ光源を含む照明光学系21と、第1周期パターン22を設けた基板23と、撮像ユニット11とを備えている。なお、図6の説明では、撮像ユニット11に設けられた周期パターン16が第2周期パターン24を構成する。
 図6の光学特性計測装置において、照明光学系21からの計測光(短波長紫外線)は、基板23の第1周期パターン22を透過する。第1周期パターン22は、被検光学系25(露光装置の投影光学系)の物体面(またはその近傍)に配置されており、ラインアンドスペースによる明暗の繰り返しパターンを有している。第1周期パターン22により回折した計測光は、被検光学系25を介して撮像ユニットに入射する。
 撮像ユニット11に入射する紫外域の計測光は、第2周期パターン24の透光部分から蛍光膜15に入射する。そして、紫外域の計測光によって蛍光膜15で発生した蛍光は、波長選択膜14を透過するとともに、FOP12を介して撮像素子13に導かれる。これにより、撮像ユニット11の撮像素子13は、計測光が第1周期パターン22および第2周期パターン24を通過することで形成されるモアレ縞を検出する。そして、検出されたモアレ縞に基づいて、被検光学系25のディストーションが計測される。なお、上述のように、蛍光膜15を透過した紫外線は波長選択膜14で反射するので、FOP12への紫外線の入射はほぼカットされる。
 図6に示す光学特性計測装置はFOP12を使用することで、被検光学系25の像面内の広い範囲のディストーションを一括してかつ高精度に計測できる。そのため、光学特性計測装置に巨大なリレーレンズが不要となり、装置の構成を容易に小型化できる。また、図6に示す光学特性計測装置では、図1と同様の構成の撮像ユニット11を使用するため、短波長紫外線によるFOP12の劣化が極めて少なく、装置全体の耐久性、信頼性を確保できる。また、短波長紫外線による計測が可能となるので、計測の精度が向上する。被検光学系25がエキシマレーザー等の短波長紫外線に用いるものである場合、実際の使用条件における光学特性を計測することが可能になる。
 <光学特性計測装置の構成例2>
 また、図7は、実施形態の別例に係る光学特性計測装置の概略構成図である。図7に示す光学特性計測装置は、例えば露光装置の投影光学系の波面収差および開口数を計測するために用いられる。また、図7に示す光学特性計測装置には、図5に示す撮像ユニット11bが組み込まれている。そのため、図7の装置構成の説明では、上述の実施形態と同一の構成には同一符号を付して重複説明を省略する。
 図7に示す光学特性計測装置は、照明光学系21と、ピンホールを設けた基板23aと、リレーレンズ26と、撮像ユニット11bと、マイクロレンズアレイ27および検出装置28とを備えている。
 図7に示すように、照明光学系21からの紫外域の計測光は、基板23aに設けられたピンホールを透過する。ピンホールは、被検光学系25の物体面(またはその近傍)に配置されている。ピンホールにより回折した紫外域の計測光は、被検光学系25を介してリレーレンズ26を透過することで平行光に変換される。そして、リレーレンズ26を透過した紫外域の計測光は、撮像ユニット11bに入射する。
 ここで、撮像ユニット11bは、FOP12aの入射面が被検光学系25の光軸に対して45度傾斜した状態で配置されている。そして、紫外域の計測光は撮像ユニット11bの蛍光膜15に入射したときに蛍光を発生させる。この蛍光は、FOP12aの波長選択膜14を透過するとともに、FOP12aを介して撮像素子13に導かれる。これにより、撮像ユニット11bの撮像素子13は、計測光の光量分布を検出できる。この場合、被検光学系25を介した紫外域の計測光を平行光に変換してから撮像素子13により光量分布を検出しているため、撮像素子13での検出結果から被検光学系25の開口数を求めることができる。
 一方、蛍光膜15を透過した紫外線はFOP12aの波長選択膜14で反射し、その光路が90度折り返されてマイクロレンズアレイ27に入射する。このマイクロレンズアレイ27は、被検光学系25の瞳面と光学的に共役な位置(またはその近傍)に配置されている。マイクロレンズアレイ27によって集光された紫外域の計測光は検出装置28に入射する。検出装置28では、マイクロレンズアレイ27によって集光された紫外域の計測光の点像が検出される。そして、この検出した点像の位置ズレ量から被検光学系25の波面収差を計測することができる。
 図7に示す光学特性計測装置では、蛍光膜15で発生して波長選択膜14を透過した蛍光と、波長選択膜14で反射した紫外域の計測光とを用いて、被検光学系25の様々な光学特性を計測することができる。また、図7に示す光学特性計測装置では、図5の構成の撮像ユニット11bを使用するため、短波長紫外線によるFOPの劣化が極めて少なく、装置全体の耐久性、信頼性を確保できる。
<光学特性計測装置の構成例3>
 図8は、実施形態の別例に係る光学特性計測装置、シアリング型干渉計の概略構成図である。図8に示すシアリング型干渉計は、例えば露光装置に搭載される投影光学系等の被検光学系25の波面収差(光学特性)を計測するための装置である。なお図8に示す光学特性計測装置には、図2に示す撮像ユニット11aが組み込まれている。そのため、図8の装置構成の説明では、上述の実施形態と同一の構成には同一符号を付して重複説明を省略する。
 図8に示すように、照明光学系21からの紫外域の計測光は、基板10に設けられたピンホールパターン10aを透過する。ピンホールパターン10aにより回折した紫外域の計測光は、被検光学系25を介して、回折格子20に入射する。回折格子20は、被検光学系25の像面またはその近傍に配置されている。回折格子20を透過した紫外域の計測光は、撮像ユニット11aに入射する。
 撮像ユニット11aに入射した紫外域の計測光は、蛍光膜15で可視域の計測光に変換される。蛍光膜15は、FOP12を構成する個々の光ファイバーの直径以下の厚みを有するように蒸着により形成されている。蛍光膜15により変換された可視域の計測光(蛍光)は、波長選択膜14を通過するとともに、FOP12を介して撮像素子13に導光される。撮像素子13は、回折格子20を通過することにより発生した回折光同士による干渉により発生した干渉縞を検出する。そして、検出された干渉縞から被検光学系25の波面収差を計測する。
 この図8に示すシアリング型干渉計によれば、FOP12を備えているため、巨大なリレー光学系等を設ける必要がなく、装置自体を小型化できる。したがって、小型の装置であっても、被検光学系25の像面内の広い領域における干渉縞を一度に且つ高精度に計測することができる。また、FOP12の入射面にFOP12を構成する個々の光ファイバーの直径以下の厚みを有する蛍光膜15が形成されているため、FOP12の横分解能の低下を抑制しつつ、紫外域の計測光を可視域の計測光に変換することができ、可視域の計測光を確実に撮像素子13に導光することができる。更に、蛍光膜15によって、紫外域の計測光を可視域の計測光に変換しているため、コヒーレントノイズの発生を低減することができる。したがって、コヒーレントノイズの発生防止のための回転拡散板等を設ける必要がないため、更なる装置のコンパクト化を図ることができる。
 <光学特性計測方法の説明>
 次に、光学特性計測装置が備えるFOPの光学特性を計測する方法の一例を説明する。光学特性計測装置で計測を行うにあたり、FOP自体がディストーション等の光学特性を有する場合がある。そのため、精度の高い計測を行うためには、FOPの光学特性を予め計測しておくことが望ましい。
 図9は、FOPの光学特性を計測する方法の一例を説明する流れ図である。また、図10は、FOPの光学特性を計測するときの装置構成を説明する概略構成図である。ここで、図9および図10では、図2に示す撮像ユニット11aを用いることを前提として説明を行う。なお、図9、図10に関する説明では、上述の実施形態と同一の構成については同一符号を付して重複説明を省略する。
 ステップS101:投影光学系PLの物体面(またはその近傍)に、第1周期パターン(22)が設けられている第1基板(23)を配置する(第1配置工程)。
 ステップS102:FOP12の入射面が投影光学系PLの像面(またはその近傍)に位置するように、FOP12を配置する(第2配置工程)。
 ここで、図10の例において、FOP12の入射面には、第2周期パターン31が形成された第2基板32が着脱可能に配置される。また、FOP12の射出面には、第3周期パターン33が形成された第3基板34が挿抜可能に配置される。なお、図10は、FOP12の入射面に第2基板32を配置し、FOP12の射出面に第3基板34を配置した状態を示している。また、第2周期パターン31および第3周期パターン33は、それぞれ周期性をもつパターン、すなわちラインアンドスペースによる明暗の繰り返しパターンを有している。なお、第1周期パターン22と第2周期パターン31とのパターン幅、パターン間隔は、互いに等しくても互いに異なっていてもよい。また、第1周期パターン22と第3周期パターン33とのパターン幅、パターン間隔は、互いに等しくても互いに異なっていてもよい。一方、第2周期パターン31と第3周期パターン33とのパターン幅、パターン間隔は、互いに等しいことが望ましい。
 ステップS103:FOP12の入射面に第2基板32を配置するとともに、FOP12の射出面側に検出装置としての撮像素子13を配置する(検出装置配置工程)。なお、S103の段階では、FOP12の射出面から第3基板34を外しておく。
 ステップS104:次に、照明光学系21から射出される計測光により、第1周期パターン22を照明する(照明工程)。
 ステップS105:撮像素子13によって、第1周期パターン22および第2周期パターン31で形成された第1モアレ縞を計測する(第1計測工程)。
 ステップS106:FOP12の入射面側から第2基板32を外すとともに、FOPの射出面に第3基板34を配置する。そして、撮像素子13によって、第1周期パターン22および第3周期パターン33で形成された第2モアレ縞を計測する(第2計測工程)。
 ここで、S105で計測した第1モアレ縞と、S106で計測した第2モアレ縞との間に相対的な位置ズレが生じていない場合には、FOP12がディストーションを有していないと判断できる。一方、第1モアレ縞と第2モアレ縞との間に相対的な位置ズレが生じる場合には、FOP12がディストーションを有していると判断できる。この場合には、第1モアレ縞と第2モアレ縞との相対的な位置ズレ量からFOP12のディストーション量を計測し、この計測結果に基づいてFOP12のディストーションの補正を行う。具体的には、計測されたFOP12のディストーション量をオフセット値として、投影光学系PLの光学特性を計測するときに計測結果の校正を行えばよい。したがって、上記の光学特性計測方法によれば、光学特性計測装置におけるFOP12のディストーションを校正できるので、投影光学系PLの光学特性を高い精度で計測できる。
 <露光装置の構成の説明>
 図11は、露光装置の構成例を示す概略図である。なお、図11では、ウエハW(感光性基板)に露光を行う露光装置の例を説明する。
 また、以下の説明では、図11に示すXYZ直交座標系を設定するとともに、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。XYZ直交座標系は、X軸およびY軸がウエハWに対して平行となり、Z軸がウエハWに対して直交する方向に設定されている。また、X軸は図11の紙面に平行な方向とし、Y軸は図11の紙面に垂直な方向とする。
 図11に示す露光装置は、照明光学系41と、マスクステージ42と、投影光学系PLと、ウエハステージ43とを備えている。照明光学系41は、露光光を供給するための光源を含み、照明光学系41から射出した光はマスクMを重畳的に均一な照度で照明する。この図11の例では、i線用のランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2レーザなどが上記の光源に用いられる。なお、上記の光源としては、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)の光を発生する光源を用いることも可能である。
 マスクステージ42は、投影光学系PLの物体面(またはその近傍)に配置される。このマスクステージ42には、マスクM(または第1周期パターン44aが形成された光学特性計測用の基板44)が載置される。
 投影光学系PLは、マスクMに形成されているパターンをウエハW上に投影する。投影光学系PLは複数の光学部材により構成されており、マスクMに形成されているパターンを所定の倍率(縮小倍率、等倍率または拡大倍率)でウエハW上に投影する。
 ウエハステージ43は、X軸およびY軸に移動可能なXYステージと、Z軸方向に移動可能でかつZ軸に対して傾斜可能なZステージとを有している。また、ウエハステージ43には、ウエハWを吸引により保持するウエハホルダ45が設けられている。そして、ウエハステージ43には、投影光学系PLの像面内においてウエハWが載置される。これにより、ウエハステージ43をXY平面内で二次元的に駆動させることで、ウエハWの各露光領域にマスクMの転写パターンを逐次露光することができる。
 また、図11に示す露光装置は、投影光学系PLのディストーションを計測するために、ウエハステージ上に、図6と同一構成の光学特性計測装置を備えている。投影光学系PLのディストーションを計測するときには、まず、第1周期パターン44aが形成されている基板44をマスクステージ42に載置する。また、ウエハステージ43をX方向に移動させて、投影光学系PLを介した光がFOP12の入射面に形成されている第2周期パターン24を照射できる状態とする。
 そして、照明光学系41からの光は第1周期パターン44aを透過し、被検光学系(PL)を介して撮像ユニット11に入射する。撮像ユニット11では、第2周期パターン24を透過した紫外線が蛍光膜15で蛍光に変換されるとともに、上記の蛍光は波長選択膜14を透過してFOP12により撮像素子13に導かれる。撮像素子13は、計測光が第1周期パターン44aおよび第2周期パターン24を通過することで形成されるモアレ縞を検出する。そして、検出されたモアレ縞の位置から投影光学系PLのディストーションが計測される。
 図11に示した露光装置によれば、投影光学系PLのディストーションを計測するための光学特性計測装置(モアレ縞計測装置)を備えているので、投影光学系PLのディストーションを高精度に計測できる。したがって、計測結果に基づいてディストーションが補正された投影光学系PLによって、マスクMに形成されているパターンをウエハW上に高精度に露光できる。なお、図11に示す露光装置は、投影光学系PLとウエハWとの間に屈折率1以上の液体を介在させた液浸型の露光装置であってもよい。
 <露光方法およびデバイスの製造方法の説明>
 図11に示す露光装置では、投影光学系PLを用いてマスクMにより形成された転写用のパターンを感光性基板(ウエハ)に露光することにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなど)を製造できる。なお、感光性基板は、感光性組成物(フォトレジスト)を塗布した基板(例えば、半導体基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板)であってもよい。
 以下、上記の実施形態に係る走査型露光装置を用いて、感光性基板としてのウエハ等に回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき、図12の流れ図を参照しつつ説明する。
 ステップS201:1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。
 ステップS202:1ロットのプレートの金属膜上(ウエハ上の金属膜上)にフォトレジストが塗布される。
 ステップS203:上述の実施形態に係る露光装置を用いて、照明光学系によりマスクに形成されたパターンを照明し(照明工程)、照明されたパターンの像を投影光学系によりウエハ上に形成し(形成工程)、パターンを1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写する。なお、投影光学系の光学特性は、上記の実施形態における光学特性計測装置により計測され、その計測結果に基づいて補正されている。
 ステップS204:その1ロットでのウエハ上のフォトレジストの現像が行われる。
 ステップS205:その1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスクにより形成されたパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。
 その後、さらに上のレイヤについての回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイスの製造方法によれば、上述の実施形態に係る光学特性計測装置によって、投影光学系の光学特性が高い精度で計測され、この計測結果に基づく補正で高精度の露光が行われる。そのため、良好な半導体デバイスを得ることができる。
 なお、図12のS201からS205では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして、露光、現像、エッチングの各工程を行っている。これらの工程に先だって、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成した後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして、露光、現像、エッチングの各工程を行ってもよい。
 さらに、上述の実施形態に係る露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターンなど)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図13の流れ図を参照しつつ、このときの手法の一例につき説明する。
 図13において、ステップS301のパターン形成工程では、上述の実施形態に係る露光装置を用いてマスクのパターンをプレートに露光転写する、いわゆる光リソグラフィ工程が実行される。なお、図12の場合と同様に、投影光学系の光学特性は、上記の実施形態における光学特性計測装置により計測され、その計測結果に基づいて補正されている。
 この光リソグラフィ工程によって、プレート上には多数の電極等を含むパターンが形成される。その後、露光されたプレートは、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、プレート上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程(S302)に移行する。
 ステップS302のカラーフィルタ形成工程では、R(Red),G(Green),B(Blue)に対応する3つのドット組をマトリクス状に多数配列したカラーフィルタ、またはR,G,Bに対応する3本のストライプのフィルタ組を水平走査線の方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程の後に、セル組立工程(S303)が実行される。
 ステップS303のセル組立工程では、例えば、パターン形成工程(S301)で得られたパターンを有するプレートと、カラーフィルタ形成工程(S302)で得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して液晶パネル(液晶セル)を製造する。
 その後、ステップS304のモジュール組立工程において、S303で組み立てた液晶パネル(液晶セル)に対して、液晶パネルの表示動作を行う電子回路やバックライト等の各部品を取り付ける。これにより、液晶表示素子が完成する。
 上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施形態に係る光学特性計測装置によって、投影光学系の光学特性が高い精度で計測され、この計測結果に基づく補正で高精度の露光が行われる。そのため、良好な液晶表示素子を得ることができる。
 <発明の実施の形態1の補足事項>
 (1)図1および図2に示す撮像ユニットにおいて、蛍光膜の表面には必ずしも保護膜を形成しなくともよい。また、上記実施形態の各々の撮像ユニットにおいて、FOPと波長選択膜との層間、または波長選択膜と蛍光膜との層間に他の薄膜(例えばフッ化物材料の保護膜など)をさらに形成するようにしてもよい。
 (2)上記の各実施形態に示す光学素子(蛍光膜および波長選択膜を形成したFOP)や、この光学素子を有する撮像ユニットは、例えば、紫外線を用いた光学特性計測装置に広く適用することができる。例えば、干渉計や透過率計測装置などに上記の光学素子を適用してもよい。
[発明の実施の形態2]
 図14は、この発明の実施の形態2の撮像ユニットを示す。
 撮像ユニット11aは、複数の光ファイバーを束にして構成されたFOP12と、FOP12の射出面に配置された撮像素子13と、FOP12の入射面に積層された波長選択膜14、蛍光膜15、及び保護膜17とを備えており、周期パターン16を設けない他は発明の実施の形態1の撮像ユニット11の構成と同様である。
 この撮像ユニット11aでは、波長選択膜14は、設計中心波長のλ/4の光学膜厚で形成した複数種類の誘電体薄膜を積み上げることで、紫外線を反射すると共に蛍光を透過する特性を有する膜となっている。また、波長選択膜14と蛍光膜15とから誘電体多層膜が構成されており、波長選択膜14がFOP12と蛍光膜15との間に配置されて光学素子が構成されている。そして、この光学素子が可視光用のCCDからなる撮像素子13の受光面に配置され、この受光面にFOP12の射出面が接着又は接触されることで撮像ユニット11aが構成されている。
 このような撮像ユニット11aでは、FOP12の入射面側に紫外線が照射されると、保護膜17を透過して蛍光膜15に到達し、蛍光膜15で少なくとも一部の紫外線により蛍光を発して可視光化する。可視光化せずに蛍光膜15を透過した紫外線は、波長選択膜14に到達して反射される。一方、蛍光は波長選択膜14を透過してFOP12の入射面に達し、FOP12により導光されて撮像素子13の受光面に到達し、撮像に供される。
 このような撮像ユニット11aによれば、紫外線を可視光用CCDにより観察したり測定することが可能である。特に、フッ化物を母材とし、遷移元素又は希土類元素を賦活材としてドープした材料からなる蛍光膜15や、フッ化物からなる波長選択膜14を用いれば、波長193nmの紫外線像を可視用のCCDにより観察や測定が可能である。
 この紫外線の観察や測定では、紫外線が波長選択膜14により反射されるため、FOP12が紫外線により劣化し難い。また、仮に、紫外線の一部がFOP12に到達しても、FOP12が紫外線を透過不能であるため、撮像素子13に紫外線が到達することがなく、可視光用CCDが紫外線により破壊されることがない。
 また、蛍光膜15が賦活材が母材にドープされて形成された薄膜であるため、配置スペース等が不要でFOP12の入射面に容易に配置できる上、紫外線や蛍光が透過する間に不鮮明になることを防止して紫外線の観察や測定を精度良く行い易い。
 更に、蛍光膜15及び波長選択膜14からなる誘電体多層膜をFOP12に設けるだけで、紫外線を反射する機能と蛍光を発する機能とが得られ、構成を簡単にし易い。特に、この実施の形態では、波長選択膜14を構成する誘電体薄膜とは別に蛍光膜15が設けられているため、蛍光膜15を波長選択膜14を構成する誘電体薄膜より厚肉に形成することが可能であり、蛍光膜15の蛍光を強くし易い。
 [発明の実施の形態3]
 図15は、この発明の実施の形態3の撮像ユニットを示す。
 この撮像ユニット11cは、発明の実施の形態2の波長選択膜14及び蛍光膜15の代わりに、FOP12の入射面上に蛍光誘電体多層膜18が積層されて光学素子が構成されており、その他は、発明の実施の形態2と同様の構成である。
 蛍光誘電体多層膜18は、複数の誘電体薄膜が積層されて構成されており、そのうちの少なくとも1層が所定膜厚に形成された蛍光膜からなる。蛍光膜からなる誘電体薄膜は、1層であっても、複数層であってもよく、全ての層であってもよい。蛍光膜の層数が多い程、蛍光誘電体多層膜18で発する蛍光を強くできる。
 この蛍光誘電体多層膜18では、蛍光膜を含む全ての誘電体薄膜を、例えば設計中心波長のλ/4の光学膜厚で形成して42層積み上げることで、紫外線を反射すると共に蛍光を透過する特性を有する波長選択膜が構成されている。
 このような撮像ユニット11cでは、FOP12の入射面側に紫外線が照射されると、保護膜を透過して紫外線が蛍光誘電体多層膜18に到達する。蛍光誘電体多層膜18では、入射した紫外線が層構造により反射されるが、その際、蛍光誘電体多層膜18の層を構成する蛍光膜に紫外線が照射されるため、この蛍光膜の層で紫外線の一部により蛍光を発して可視光化する。この蛍光は、その後蛍光誘電体多層膜18を透過し、FOP12の入射面に達し、FOP12で導光されて撮像素子13の受光面に到達して撮像に供される。
 このような撮像ユニット11cであっても、発明の実施の形態2と同様の作用効果を得ることができ、紫外線を可視光用CCDにより観察したり測定することが可能であり、紫外線によるFOP12の劣化や撮像素子13の破壊を防止できる。また、膜であるため、FOP12の入射面に容易に配置できる上、紫外線や蛍光が透過する間に不鮮明になることを防止し易い。更に、蛍光誘電体多層膜18により、紫外線を反射する機能と蛍光を発する機能とが得られ、構成を簡単できる。特に、この実施の形態では、紫外線を反射する特性で蛍光誘電体多層膜18を構成するだけで、蛍光を発する機能が得られるため、容易に構成することが可能である。
 なお、上記実施の形態2及び3は、この発明の範囲内において、適宜変更することが可能である。例えば、上記では、撮像素子13により紫外線の観察又は測定するように構成したが、目視等、他の方法で行うのであれば、撮像素子13を設けることなく、紫外線の観察又は測定を行うことが可能である。
 また、上記では、光学基材としてFOP12を用いた例について説明したが、他の光学基材を用いることも可能である。
 更に、上記では、撮像素子13の受光面にFOP12が配置され、このFOP12の入射面側に蛍光膜15や蛍光誘電体多層膜18が配置されている例について説明したが、特に限定されるものではなく、撮像素子13の受光面に、FOP12等の光学基材を用いることなく、蛍光膜15や蛍光誘電体多層膜18を設けることで、撮像ユニットを構成することも可能である。
 例えば、図16に示すように、撮像素子13の受光面に蛍光誘電体多層膜18と、保護膜17とが積層され、蛍光誘電体多層膜18を撮像素子13の受光面に接して設けてもよい。このような構成であっても、蛍光誘電体多層膜18により、紫外線を反射することができ、また、蛍光誘電体多層膜18の蛍光膜により発した蛍光を撮像素子13の受光面で受光して撮像に供することが可能である。
[発明の実施の形態4]
 図17は、この発明の実施の形態4の光学素子を備えた露光装置の概略図である。この露光装置は、投影光学系60の構成が異なる他は、発明の実施の形態1で説明した露光装置と同様に構成されている。
 この投影光学系60は、レンズ等の光学素子61、62、・・・(光学素子61、62を含む複数の光学素子)が多数配列して構成されており、照明光学系41からの紫外線が、マスクステージ42を介して照射され、投影光学系60内で所望の光束にされて、ウエハW上へ照射するようになっており、投影光学系60内には所定の光路が形成されている。この発明の実施の形態4では、このような照明光学系41を構成する少なくとも一つ又は複数の光学素子61、62、・・・の入射面及び射出面の少なくとも一方、好ましくは両方に、誘電体多層膜からなる反射防止膜53が設けられている。
 各光学素子61、62、・・・は、それぞれ照明光学系41から照射される紫外線が透過可能であると共に可視光が透過可能な光学基材の表面に、反射防止膜53が積層されることで構成されている。ここでは、光学基材は、例えば、石英ガラス、フッ化カルシウム結晶等から形成されている。
 また、反射防止膜53は、複数の誘電体薄膜が積層されて形成されており、少なくとも1層の誘電体薄膜が蛍光膜からなっている。ここでは、光学基材の屈折率よりも高い高屈折率層と低い低屈折率層とが交互に積層されており、高屈折率層及び低屈折率層は何れもフッ化物から形成されている。蛍光膜は、高屈折率層と低屈折率層との何れであってもよく、また、反射防止膜53のうちの1層であっても、複数層であってもよく、全ての層であってもよい。蛍光膜の層数が多い程、各光学素子61、62、・・・の蛍光を強くできる。
 このような光学素子61、62、・・・を備えた露光装置では、照明光学系41から紫外線がマスクステージ42を介して投影光学系60へ照射されると、各光学素子61、62、・・・の反射防止膜53により反射が防止されて高い透過率で紫外線を透過させることができると共に、反射防止膜53中の蛍光膜により各光学素子61、62、・・・毎に蛍光を発して紫外線を可視化することができ、投影光学系60内の紫外線の光路を観察したり、測定することが可能である。
 そのため、ビームチェッカ等の紫外線を可視化するための手段を用いることなく、投影光学系60の紫外線の観察や測定を容易に行える。また、各反射防止膜53の耐久性が高いため、露光装置に常時配置して定常的に紫外線の観察や測定を行うことが可能である。しかも、反射防止膜53の蛍光膜が十分に薄肉であり、蛍光膜を設けることにより投影光学系60における光路が変化することがなく、光路の設計が容易である。
 なお、上記では、投影光学系60を構成する光学素子61、62、・・・に蛍光膜を有する例について説明したが、特に限定されるものではなく、他の光学素子からなる他の光学系であっても、全く同様にこの発明を適用可能である。
 更に、上記では、光学素子及び光学系として、紫外線が透過可能な例について説明したが、例えば、図18に示すように、紫外線が透過不能で可視光が透過可能な光学基材により形成された光学素子71、72、・・・(71、72を含む複数の光学素子)から光学系70を構成し、紫外線が照射される光学素子71の入射面に十分に厚肉の蛍光膜55を設け、蛍光膜55により発した可視光が各光学素子71、72、・・・を透過して光路が形成される構成であってもよい。
 なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の様々な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。
 以下、この発明の実施例について説明する。
 <蛍光体>
 蒸着原料の蛍光体として、フッ化物母材に賦活材を含む蛍光体を合成し、焼結体を作製した。表1に示すように、母材をフッ化ランタン(LaF)、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化イットリウム(YF)、CLF、フッ化カルシウムとフッ化イットリウムの固溶体混晶(CYF:Ca1-x3-x)、またはフッ化ガドリニウム(GdF)とした。また、賦活材をユーロピウム(Eu)、テルビウム(Tb)、プラセオジム(Pr)、サマリウム(Sm)、ジスプロシウム(Dy)、セリウム(Ce)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、またはイッテルビウム(Yb)から選択される1種または2種とし、表1に示す賦活材の濃度で蛍光体を合成した。各焼結体に紫外線が照射されたときに得られる蛍光の色を表1に示した。なお、表1における濃度は、母材のカチオン成分に対する賦活材の濃度を原子%で示したものである。
 本蛍光体の合成には、例えば特開2006-206359に記載されているように、上述の水熱合成法により生成したCLF、LaF、CaF、YF、CYFまたはGdFの微結晶粒子と希土類金属(Eu、Tb、Pr、Sm、Dy、Ce、Ho、Er、またはYb)の酢酸塩水溶液を混合した原料粉末を使用した。
 本原料粉末をペレット状に加圧成形し、電気炉を用いて温度800℃にて1時間加熱し高温焼結した。この焼結過程において、希土類金属イオンは母材微結晶中に拡散し、カチオンのサイトを置換したり、格子間の空隙部に侵入して賦活されていると考えられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 <蛍光膜>
 このようにして作製した蛍光体へ波長193nmの光を照射し、強い発光が確認されたもの(表1中の成膜欄に○印が記載されているもの)を成膜し、蛍光膜を作製した。表1に示すように、母材を、フッ化ランタン(LaF3)、フッ化イットリウム(YF)、フッ化ガドリニウム(GdF)及びフッ化カルシウムランタン(CLF)からなる群から選択し、賦活材が、ユーロピウム(Eu)、テルビウム(Tb)、及びプラセオジム(Pr)からなる群から選択して蛍光体を作製した場合、波長193nmの光に対し、強い発光が確認された。
 蛍光膜は、Moボート上に蛍光体の焼結体を載置し、抵抗加熱式の真空蒸着法を用いて基板上に成膜した。基材は平行平板形状の石英ガラス(φ30)を使用し、膜厚は500nmとした。また、蒸着時には、基材は300℃に加熱した。この理由は、フッ化物膜の膜強度および膜質を向上させるためと、薄膜中のフッ化物結晶粒子を成長させて結晶性を高め、また賦活材の拡散を促進することで蛍光発光の効率を高めるためである。
 <測定>
 作製した蛍光膜に波長193nmのレーザ光を照射して、ファイバー分光器で蛍光スペクトルを測定することで、蛍光膜の好ましい母材・賦活材の組み合わせを探索した。LaF:Tb蛍光膜に対する蛍光スペクトルの代表例を図19に示した。
 まず、母材がLaFであり、異なる希土類イオン(Eu,Sm,PrおよびTb)を賦活材とする蛍光膜について、その蛍光ピーク強度を比較した。表2に、これらの蛍光膜の蛍光ピーク強度とLaF:Euの蛍光ピーク強度を1として規格化した強度およびそれぞれの蛍光ピーク波長を示した。
 この結果、LaF:Tb蛍光膜が発する蛍光が、特に可視域で他の賦活材に対して突出して強いことが分かった。同じ母材で賦活材をEuとしたLaF:Eu薄膜の同条件における蛍光のピーク強度に比べて270倍もの強度を示した。
 この結果を受けて、賦活材をTbに限定し、母材が異なるフッ化物からなる蛍光膜について、蛍光強度の比較を行ったところ、表3に示す結果が得られた。
 この結果、LaF:Tbという母材と賦活材の組合せが、波長193nmの紫外線に対して、最も適していることが判明した。
 更に、図20に示す通り、蛍光膜の蛍光強度は、Tbの賦活濃度が1~8atom%の範囲でほぼ比例して増加することが分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 続いて、本蛍光膜の分光透過率を測定した。LaF:Tb(1,3および5atom%賦活)蛍光膜の分光透過率と反射率から求めた光学定数(屈折率nと消衰係数k)の分散を図21に示した。ここで屈折率と消衰係数は、Forouhi-Bloomerモデルに基づいて算出した。
 本実施例で成膜したLaF:Tb膜は1atom%賦活濃度では、一般的に用いられているLaF膜に比べて屈折率が低いことが分かった。また、消衰係数も193nmにおいて2.24×10-3程度と真空紫外用LaF膜に比べれば大きくなっていた。
 蛍光を発光するためには、真空紫外線の一部を吸収しなければならないため、ある程度の損失は避けられない。しかしながら、フッ化物蛍光体であるという特性から、吸収したエネルギーは光として散逸するため、発熱による膜損傷には繋がりにくい。また、この損失には、500nmという光学薄膜としては厚い膜厚を形成したことによって、LaFの柱状構造が著しく成長したことによる散乱の効果も含まれている。この散乱の効果は、膜厚を薄く(例えば光学膜厚がλ/4に相当する約30nm)すれば抑えられる。この場合は多層構造として蛍光膜の総膜厚を厚くすれば、十分な蛍光を得ることができる。
 また、本蛍光膜へ波長193nmの光を照射した際の蛍光強度と、紫外線の放射束の関係を図22に示した。これによると、蛍光強度は、紫外線の強度に対して比例して増加することが分かった。この事実は、蛍光強度分布が紫外線強度の分布を反映し、推定することが可能であることを意味する。
 波長193nmを持つ光に対する蛍光膜としては、LaF:Tbという組成が適していることが分かった。この組成は、193nmレーザ光を利用する光学系において、高屈折率膜として一般的に用いられているLaF膜を置き換えることが可能であるという点で、非常に有用である。
 なお、表1、表2に示す結果より、LaFを母材とし、Prを賦活材とした場合、YF、CLF、GdFのいずれかを母材とし、Tbを賦活材とした場合も、比較的高い蛍光ピーク強度が観察されており、実用性が高いことが確認された。また、表1の成膜欄に示した他の組合せについても、成膜条件や、賦活材濃度の調整などにより、短波長紫外線(たとえば、波長193nmの光)に対し、蛍光膜として用い得るものと考慮される。
 <適用例>
 以下、蛍光膜を利用した光学薄膜を挙げ、通常の反射防止膜や誘電体多層高反射ミラーなどに蛍光発光の機能を付与した例を説明する。この際、光学薄膜として用いたLaF層の厚みは、厚くても設計中心波長の半波長、つまり約100nmと極薄くした。従って、光学薄膜として蛍光膜を使用する場合、蛍光強度ができるだけ高い必要がある。本発明で見出したLaF:Tbという組成は、十分に強い蛍光を発光することが確認できた。もちろん、本蛍光膜は蛍光発光機能を有する単体の膜として利用することも可能である。
 <蛍光反射防止膜>
 波長193nmを持つ光に対する蛍光膜として好ましい組成LaF:Tbを使用し、反射防止膜を構成した。
 元となる反射防止膜は、設計中心波長λを193nmとして、基材を石英ガラス(屈折率:1.55)、高屈折率層としてLaF層(屈折率1.69)を、また、低屈折率層としてMgF層(屈折率1.42)をそれぞれ使用し、計6層で構成されるものである。それぞれの光学膜厚は基材側から順に、第1層0.26λ、第2層0.08λ、第3層0.10λ、第4層0.33λ、第5層0.28λ、第6層0.27λとした。これらの層のうち、第1層、第3層、及び第5層がLaF層であり、その他の層がMgF層である。本構成を選択した理由は、LaF層の総厚が約100nmと厚く、蛍光膜で置換した際の蛍光発光の強度を増すためである。
 このような元となる反射防止膜中のLaF層をLaF:Tb(5atom%賦活)蛍光膜層と置き換えたところ、そのまま蛍光反射防止膜を構成し成膜することができた。
 更に、本蛍光反射防止膜を平行平板形状の石英ガラスの両面に成膜し、分光反射・透過率を測定した。これを図23に示した。反射率は波長193nm付近で0.1%程度まで低下しており、反射防止効果が十分に得られていることが分かった。もっとも反射率が低下している波長は193nmよりも短波長側にシフトし192nmであるが、これは、LaF:Tb蛍光膜がLaF薄膜に比べて屈折率が若干低いこと、および、損失が若干大きいことに因っている。
 一方、透過率は、193nmにおいて約98%程度となり、本来の反射防止膜の性能に比べると、低い値となった。しかしながら、両面未成膜の石英ガラスの透過率は90%程度であるから、蛍光発光に伴う損失分を考慮すれば、高い透過率を維持したと言える。
 次に、本蛍光反射防止膜を成膜した石英ガラス製レンズを2枚用意した。1枚は、焦点距離f=-150mmの凹レンズであり、もう一枚は、焦点距離f=300mmの凸レンズであった。それぞれのレンズ両面に本蛍光反射防止膜を成膜した。
 波長193nmのレーザ光の光路中の上流側に前記凹レンズを設置し、下流側に150mm離して凸レンズを設置して光学系を構成した。本光学系は、最も単純なビームエキスパンダーを構成している。
 このとき、各レンズの入射面・射出面ともに緑色の蛍光発光を示した。この蛍光発光像には、レーザビームの断面中に持つ強度分布を反映した明暗がはっきりと視認できた。また、凹レンズから凸レンズへビーム断面が拡大され、直径が約2倍になっていることも確認できた。
 <誘電体多層膜ミラー>
 波長193nmを持つ光に対する蛍光膜として好ましい組成LaF:Tbを使用し、誘電体多層膜ミラーを構成した。
 元となる誘電体多層膜ミラーは、基材を蛍石とし、フッ化ランタン(LaF)とフッ化マグネシウム(MgF)を交互に多層蒸着して成膜した193nm光用の反射ミラーである。多層膜の構成は、設計中心波長193nmとしたとき、1/4波長の光学膜厚を持つフッ化ランタンおよびフッ化マグネシウム各層を基材側から交互に42層積み上げたものである。193nmの波長域で99%以上の高反射率を持つことが分かった。本誘電体多層膜ミラーの構成を選択した理由は、LaF層の総厚が約500nmと厚く、蛍光膜で置換した際の蛍光発光の強度を増すためである。
 本誘電体多層膜ミラー中のLaF層をLaF:Tb(5atom%賦活)蛍光膜層と置き換えることで、そのまま蛍光誘電体多層膜ミラーを構成することができる。
 なお、この蛍光誘電体多層膜ミラーは、膜面に垂直に入射する紫外線に対する高反射ミラーのみならず、光路を90度折り曲げるための45度入射、またはその他の入射角に対して設計された誘電体多層膜ミラーにも使用できる。
 <撮像ユニット>
 発明の実施の形態2の図14に示す撮像ユニット11aと、発明の実施の形態3の図15に示す撮像ユニット11cとを構成した。
 FOP12にはSCHOTT社の光ファイバー直径が6μmの製品を使用し、FOP12は、両端面を光学研磨した上で成膜前に予め洗浄した。
 次いで、FOP12の入射面側に波長選択膜14としての誘電体多層膜ミラーを形成する。設計中心波長を193nmに設定するとともに、フッ化ランタン(LaF)およびフッ化マグネシウム(MgF)を交互に多層蒸着する。このとき、フッ化ランタンおよびフッ化マグネシウムの各層は、それぞれ設計中心波長のλ/4の光学膜厚でFOP12側から交互に42層積み上げて成膜する。この波長選択膜14は、193nmの波長域で99%以上の高反射率を持ち、紫外線をほぼ反射するものとなる。
 次いで、誘電体多層膜ミラーの表面に蛍光体を真空蒸着して蛍光膜15を形成する。蛍光膜15は、波長193nmを持つ光に対する蛍光膜として好ましい組成LaF:Tb(賦活材濃度5atom%)を使用して、真空蒸着により成膜する。
 そして、FOP12の出射面を撮像素子13の受光面に接着または接触させることで図14の撮像ユニット11を構成した。
 次に、上記適用例の誘電体多層膜ミラーをFOP12の入射面に成膜し、同様にして図15の撮像ユニット11を構成した。この場合、蛍光は誘電体多層膜ミラーの上方から数膜程度で発生する。蛍光発光領域とFOP12とがより接近しているため、紫外線像が変換された蛍光像が分解能良くFOP12の入射面に入射し、射出面へ転送された蛍光像の分解能も高まる。
 これらの撮像ユニット11で、FOP12から出射した蛍光像を撮像すると、蛍光膜部における193nmの紫外線像を可視化し、可視用のCCDにより撮像することができる。FOP12や撮像素子は193nmの紫外線に対して光耐久性が劣り、直接紫外線に曝されることは、撮像ユニット11の信頼性を損なう。ところが、この蛍光膜15と波長選択膜14の組合せや、誘電体多層膜ミラーを用いることで、FOP12の紫外線劣化を抑制でき、また、撮像素子13として可視用CCDを使用することでコストを抑えられる。
 本発明の蛍光膜によれば、通常の光学薄膜と同程度の厚みで光学基材上に成膜し得るため、配置の自由度が高い。また従来の焼結粉末と異なり、空隙による紫外線や可視光の散乱を生じないので、蛍光の検出によって、蛍光膜に入射した紫外線を高精度に計測できる。本発明の誘電体多層膜によれば、反射防止膜、波長選択膜などの機能を蛍光膜としての機能に組み合わせることができる。反射防止膜としての機能を適用すれば、蛍光膜で発生した可視光を光学基材に導光しつつ、光学基材の紫外線損傷を防止できる。このような蛍光膜、または誘電体多層膜を備えた光学素子を光学特性計測装置に用いることにより、短波長の紫外線を利用して各種光学系の光学特性を高精度に計測することができる。これにより、露光装置等の光学装置の精度を向上でき、このような装置を用いて精密なデバイスを作製することが可能となる。

Claims (24)

  1.  紫外線を透過可能なフッ化物からなる母材と、該母材にドープされた賦活材とを含み、前記賦活材は遷移元素又は希土類元素を含み、前記母材中で前記紫外線が照射されることで蛍光を発することを特徴とする蛍光膜。
  2.  前記紫外線は真空紫外線を含む光であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光膜。
  3.  前記真空紫外線は、193nmの波長の光を含むことを特徴とする請求項2に記載の蛍光膜。
  4.  前記母材は、フッ化ネオジム(NdF)、フッ化ランタン(LaF)、フッ化ガドリニウム(GdF)、フッ化ディスプロシウム(DyF)、フッ化鉛(PbF2)、フッ化ハフニウム(HfF)、フッ化マグネシウム(MgF)、フッ化イットリウム(YF)、フッ化アルミニウム(AlF)、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化バリウム(BaF)、フッ化ストロンチウム(SrF)、クリオライト(NaAlF)、及びチオライト(NaAl14)からなる群から選ばれる1種、または、これらからなる群から選ばれる2種以上の混合物若しくは化合物であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光膜。
  5.  前記母材は、フッ化ランタン(LaF)、フッ化イットリウム(YF)、フッ化ガドリニウム(GdF)及びフッ化カルシウムランタン(CaLa1-x3-x、但し、0<x<1である)からなる群から選ばれる1種であることを特徴とする請求項4に記載の蛍光膜。
  6.  前記賦活材は、ユーロピウム(Eu)、テルビウム(Tb)、及びプラセオジム(Pr)からなる群から選ばれる1種又は2種以上からなることを特徴とする請求項5に記載の蛍光膜。
  7.  前記母材のカチオン成分に対する前記賦活材の濃度が、原子%濃度で1%以上10%以下であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光膜。
  8.  前記母材はフッ化ランタン(LaF)からなり、前記賦活材はテルビウム(Tb)からなり、ランタン(La)に対するテルビウム(Tb)の濃度が、原子%濃度で8%以上10%以下であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光膜。
  9.  被検光学系の光学特性を計測する光学特性計測装置であって、
     請求項1乃至8の何れか一つの蛍光膜と、複数の光ファイバーを束ねて構成された導光部材と、前記蛍光膜からの蛍光を撮像可能に配置された撮像素子とを含む撮像ユニットを備え、
     前記撮像ユニットは前記被検光学系の像面側に配置され、前記被検光学系を通過した計測光を検出することを特徴とする光学特性計測装置。
  10.  前記被検光学系の物体面に配置された第1の周期パターンと、
     前記導光部材の入射面又は射出面に配置された第2の周期パターンとを有し、
     前記撮像素子は前記第1の周期パターンと第2の周期パターンにより形成されるモアレ縞を検出することを特徴とする請求項9記載の光学特性計測装置。
  11.  ピンホールと、リレーレンズと、マイクロレンズアレイと、検出装置をさらに備え、前記ピンホールは被検光学系の物体面に配置され、前期撮像ユニットは、導光部材と蛍光薄膜の間に波長選択膜を備え、前記導光部材の入射面が被検光学系の光軸に対し45度傾斜した状態で配置されており、前記リレーレンズは前記被検光学系の像面と前記撮像ユニットの入射面との間に配置され、前記検出装置は入射面が被検光学系の像面に対し、直角をなす状態で配置され、前記マイクロレンズアレイは、前記撮像ユニットの入射面と、前記検出装置の間に配置されており、
     前記リレーレンズは、ピンホールによって回折された計測光を平行光に変換し、
     前記撮像ユニットの波長選択膜は、蛍光膜で発生した蛍光を透過させるとともに、蛍光膜を透過した計測光を入射方向と直角方向に反射して反射光を形成し、
     前記撮像ユニットの撮像素子は、導光部材を介して導光された蛍光を検出し、
    前記検出装置は、前記マイクロレンズアレイで集光された前記反射光を検出することを特徴とする請求項9記載の光学特性計測装置。
  12.  前記被検光学系の物体面に配置されたピンホールと、
     前記被検光学系の像面に配置された回折格子とを備え、
     前記撮像ユニットは前記回折格子により形成される干渉縞を検出することを特徴とする請求項9記載の光学特性計測装置。
  13.  第1面に配置されているパターンを第2面に配置される感光性基板上に形成する露光装置であって、
     請求項9乃至12の何れか一つに記載の光学特性計測装置を備えることを特徴とする露光装置。
  14.  第1面に配置されているパターンを第2面に配置される感光性基板上に形成する露光方法であって、
     前記パターンを照明する照明工程と、
     前記照明工程により照明された前記パターンの像を、請求項9乃至12の何れか一つに記載の光学特性計測装置によって計測された光学系を用いて前記感光性基板上に形成する形成工程と、
    を含むことを特徴とする露光方法。
  15.  請求項14に記載の露光方法を用いてパターンの像を感光性基板上に露光する露光工程と、
     前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
    を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
  16.  請求項1乃至8の何れか一つに記載の蛍光膜と、前記蛍光膜からの前記蛍光を受光面で撮像可能に配置された撮像素子とを備えたことを特徴とする撮像ユニット。
  17. 複数の光ファイバーを束にして構成された導光部材と、前記蛍光膜と前記導光部材との間位置する単数又は複数の誘電体薄膜とをさらに有し、前記誘電体薄膜が前記蛍光膜を透過すると共に前記紫外線を反射する特性を有する波長選択膜を構成することを特徴とする請求項16に記載の撮像ユニット。
  18.  前記蛍光膜の外側が、耐水性及び撥水性の少なくとも一方を有する保護膜により被覆されていることを特徴とする請求項16に記載の撮像ユニット。
  19.  請求項1乃至8の何れか一つに記載の蛍光膜を含むことを特徴とする誘電体多層膜。
  20.  前記誘電体多層膜が、前記蛍光を透過するとともに、前記紫外線を反射する特性を有する波長選択膜であることを特徴とする請求項19に記載の誘電体多層膜。
  21.  前記誘電体多層膜が、前記紫外線の反射防止膜であることを特徴とする請求項19に記載の誘電体多層膜。
  22.  請求項1乃至8の何れか一つに記載の蛍光膜が光学基材の表面に設けられていることを特徴とする光学素子。
  23.  請求項19乃至21の何れか一つに記載の誘電体多層膜が光学基材の表面に設けられていることを特徴とする光学素子。
  24.  複数の光学素子が配列された光学系であり、前記複数の光学素子の一部又は全部が、請求項21に記載の誘電体多層膜を表面に有する光学素子からなることを特徴とする光学系。
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