WO2008032461A1 - Procédé de fabrication d'un détecteur de lumière ou de rayonnement, et détecteur de lumière ou de rayonnement - Google Patents

Procédé de fabrication d'un détecteur de lumière ou de rayonnement, et détecteur de lumière ou de rayonnement Download PDF

Info

Publication number
WO2008032461A1
WO2008032461A1 PCT/JP2007/058064 JP2007058064W WO2008032461A1 WO 2008032461 A1 WO2008032461 A1 WO 2008032461A1 JP 2007058064 W JP2007058064 W JP 2007058064W WO 2008032461 A1 WO2008032461 A1 WO 2008032461A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor
light
radiation detector
substrate
radiation
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/058064
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Satoshi Tokuda
Tamotsu Okamoto
Original Assignee
Shimadzu Corporation
Institute Of National Colleges Of Technology, Japan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corporation, Institute Of National Colleges Of Technology, Japan filed Critical Shimadzu Corporation
Priority to CN2007800342878A priority Critical patent/CN101517751B/zh
Priority to US12/441,312 priority patent/US7736941B2/en
Publication of WO2008032461A1 publication Critical patent/WO2008032461A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a light or radiation detector and a light or radiation detector used in the medical field, industrial field, nuclear power field, and the like.
  • a light or radiation detector includes a semiconductor that generates electric charge upon incidence of light or radiation, and a support substrate that supports the semiconductor to form a stacked layer.
  • Radiation (for example, X-ray) detectors generate light once by the incidence of radiation (for example, X-rays), and generate charges from the light.
  • Indirect conversion type” detectors that detect radiation
  • directly conversion type detectors that detect radiation
  • directly conversion type detectors that detect radiation by directly converting radiation into charge by generating charge by the incidence of radiation.
  • the semiconductor that generates the charge is a radiation sensitive semiconductor.
  • CdTe, ZnTe, Hgl, Pbl, PbO, Bil, TlBr, Se, Si, GaAs, formed by physical vapor deposition (PVD) are used as this radiation-sensitive semiconductor.
  • Membranes such as InP are used or studied.
  • a sputtering “CVD” sublimation method ”chemical deposition method or the like is known as a film formation method for a high-sensitivity material such as CdTe.
  • CVD sputtering
  • CdTe high-sensitivity material
  • a polycrystalline film can be obtained.
  • the detection characteristics of a polycrystalline film for light or radiation are highly dependent on the crystalline form of the film, and therefore largely on the film formation conditions.
  • proximity sublimation in physical vapor deposition.
  • This proximity sublimation method is a method in which a source that is a deposition source and a support substrate that is an object on which a semiconductor is formed are brought close to each other, and a semiconductor by a sublimate of the source is formed on the surface of the support substrate. .
  • this proximity sublimation method since the source is in close proximity, it is possible to form a semiconductor with a large area relatively easily.
  • the film formed in the vicinity of the substrate interface in the initial stage from the source surface layer has poor crystallinity.
  • CdZnTe films formed by the contact sublimation method it has been experimentally confirmed that the film formed on the substrate from the source surface layer to the initial stage causes poor detection and deteriorates the detection characteristics.
  • Non-Patent Document 1 Yasuo Nakai “Fabrication of Thin Films” and its Applied Technology Handbook, Fuji Techno System, p. 250
  • a light or radiation detector provided with a high-quality semiconductor can be realized by such a shielding method, but light or radiation provided with a high-quality semiconductor can be used in methods other than the above-described methods. It would be desirable to implement a detector.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and a light or radiation detector manufacturing method and light or radiation detection capable of realizing a detector having a high-quality semiconductor.
  • the purpose is to provide a vessel.
  • the present invention has the following configuration.
  • the method for manufacturing a light or radiation detector according to the present invention includes a semiconductor that generates an electric charge by the incidence of light or radiation, and a support substrate that supports the semiconductor to form a stack, at least in the thickness direction.
  • the light or radiation detector of the present invention when forming a semiconductor, after forming a semiconductor with a predetermined thickness on the dummy substrate by vapor deposition, the dummy substrate is replaced with a support substrate, and the support substrate is replaced. A semiconductor is subsequently formed by vapor deposition. Since a semiconductor having a predetermined thickness is formed by vapor deposition on a dummy substrate, it is in an initial state, so that a defective film that is originally formed is formed on the dummy substrate. After that, since the semiconductor that is not in the initial state is formed on the replaced support substrate, it is possible to realize a detector having a semiconductor of higher quality than before. Further, the semiconductor manufactured in this manner is continuously formed at least in the thickness direction.
  • a proximity sublimation method in which a vapor deposition source and an object on which a semiconductor is to be formed are brought close to each other, and a semiconductor by a sublimate of the vapor deposition source is formed on the surface of the object. is there.
  • the object becomes a support substrate, and a semiconductor is formed on the support substrate that is the object.
  • a semiconductor having a large area can be formed relatively easily.
  • An example of the invention relating to the above-described method for manufacturing a light or radiation detector is to form a dummy substrate and a support substrate to be replaced with the same material. Another example is to form a dummy substrate and a support substrate to be replaced with the same size.
  • An example of the invention relating to the above-described method for manufacturing a light or radiation detector is to use a common electrode to which a noisy voltage is applied as a support substrate.
  • An example of the invention relating to the above-described method for manufacturing a light or radiation detector is that the support substrate and the dummy substrate are accommodated in one chamber in advance and a semiconductor is formed on the dummy substrate when the semiconductor is formed.
  • the support substrate is retracted to a retreat location that does not affect the formation of the semiconductor.
  • An example of the invention relating to the above-described method for manufacturing a light or radiation detector is to increase the temperature of a support substrate and continuously form a semiconductor in a lateral direction perpendicular to the thickness direction. Another example is that the temperature of the support substrate is lowered and the semiconductor is intermittently formed by grain boundaries in a lateral method orthogonal to the thickness direction.
  • a semiconductor having a predetermined thickness is formed on a dummy substrate by vapor deposition, and then the dummy substrate is replaced with a support substrate.
  • a light or radiation detector manufactured by subsequently forming a semiconductor on the substrate by vapor deposition, wherein the semiconductor generates charge by the incidence of light or radiation, and the support substrate that supports the semiconductor to form a stack. And a semiconductor is continuously formed at least in the thickness direction thereof.
  • the light or radiation detector of the present invention after a semiconductor having a predetermined thickness is formed on the dummy substrate by vapor deposition, the dummy substrate is replaced with a support substrate, and the semiconductor is continuously deposited on the support substrate by vapor deposition.
  • the detector it is possible to realize a detector having a semiconductor of higher quality than before. Further, the semiconductor manufactured in this manner is continuously formed in the thickness direction at least. The detection characteristics can be improved by providing an optical or radiation detector with such a strong semiconductor.
  • An example of the invention relating to the above-described light or radiation detector is to use a common electrode to which a bias voltage is applied as a support substrate.
  • An example of the invention relating to the light or radiation detector described above is that the semiconductor is continuously formed in the lateral direction orthogonal to the thickness direction, and another example is orthogonal to the thickness direction. In the lateral direction, the semiconductor is intermittently formed by the grain boundaries.
  • a charge storage capacitor element that accumulates charges generated by a semiconductor, a switching element that reads the accumulated charges by switching, and a switching element And an active matrix substrate having electrode wirings connected to each other, and electrode wirings, switching elements and charge storage capacitor elements are set in a two-dimensional matrix arrangement. By assigning pixels according to these two-dimensional matrix arrangements, it is possible to convert charge information detected by light or radiation as pixel values.
  • An example of the invention relating to these light or radiation detectors described above is that a semiconductor and an active matrix substrate are bonded together via bump electrodes.
  • One example of the invention relating to these light or radiation detectors described above prevents injection of electric charges into the semiconductor between at least one of the support substrate and the semiconductor and between the semiconductor and the active matrix substrate.
  • a blocking layer is formed.
  • An example of the invention related to these light or radiation detectors described above is the active mat. That is, the blocking layer, the semiconductor, the blocking layer, and the support substrate are sequentially stacked on the Rix substrate.
  • Electrode wiring, the switching element, and the charge storage capacitor element are set in a one-dimensional matrix arrangement.
  • the semiconductor includes CdTe, ZnTe, Hgl, Pbl, PbO, Bil, TlBr, Se, Si, GaAs, InP, or these
  • a detector using TlBr or GaAs can provide a highly sensitive and highly noise-resistant detector. Those using Se can easily obtain a uniform and large-area detector. A detector using Si, InP can obtain a detector with high energy resolution.
  • a semiconductor having a predetermined thickness is formed on the dummy substrate by vapor deposition, and then the dummy substrate is used.
  • the semiconductor manufactured in this manner is continuously formed at least in the thickness direction.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of a direct conversion flat panel X-ray detector (FPD) according to an embodiment.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 2 is a block diagram showing an equivalent circuit of an active matrix substrate of a flat panel X-ray detector (FPD).
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 3 (a) and (b) are diagrams schematically showing the formation of a semiconductor by proximity sublimation according to an example.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) when a semiconductor is intermittently formed by grain boundaries in a lateral direction perpendicular to the thickness direction.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 5 is a schematic sectional view of a direct conversion flat panel X-ray detector (FPD) according to a modification.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a direct conversion flat panel X-ray detector (FPD) according to a further modification.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a direct conversion flat panel X-ray detector (FPD) according to a further modification.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a direct conversion flat panel X-ray detector (hereinafter abbreviated as "FP D" where appropriate) according to the embodiment.
  • Fig. 2 shows a flat panel X-ray detector ( It is a block diagram which shows the equivalent circuit of the active matrix board
  • FPD flat panel X-ray detector
  • the FPD includes a detector substrate 10 and an active matrix substrate 20.
  • the detector substrate 10 includes a conductive graphite substrate 11, a radiation-sensitive semiconductor 13, and two carrier-selective blocking layers 12 and 14.
  • the active matrix substrate 20 is configured by patterning a glass substrate 21 with a charge storage capacitor element 22, a TFT (thin film field effect transistor) element 23, a pixel electrode 24, and the like.
  • a bump electrode 15 is interposed between the detector substrate 10 and the active matrix substrate 20, and the pixel electrode 24 is connected to the carrier-selective blocking layer 14 for each pixel electrode 24 via the bump electrode 15. Yes.
  • the conductive graphite substrate 11 corresponds to the support substrate in the present invention
  • the radiation-sensitive semiconductor 13 corresponds to the semiconductor in the present invention
  • the active matrix substrate 20 corresponds to the active matrix substrate in the present invention.
  • charge The storage capacitor element 22 corresponds to the charge storage capacitor element in the present invention
  • the TFT element 23 corresponds to the switching element in the present invention.
  • the detector substrate 10 and the active matrix substrate 20 are bonded together via the bump electrodes 15, whereby the active matrix substrate 20 forms a semiconductor 13 on the incident side.
  • the semiconductor 13 generates a charge upon incidence of radiation (X-rays in the embodiment).
  • the conductive dulphite substrate 11 supports the semiconductor 13 to form a stacked layer, and has a function as a common electrode for applying a negative voltage.
  • the charge storage capacitor element 22 stores the charge generated by the semiconductor 13.
  • the TFT element 23 reads the accumulated charge by switching.
  • a charge storage capacitor element 22, a TFT element 23, a pixel electrode 24, and the like are patterned, and an insulating layer 25 is formed between each electrode of the charge storage capacitor element 22 and the gate electrode Z source / drain electrode.
  • the layers are formed so as to intervene.
  • the electrode on the incident side of the charge storage capacitor element 22 is a pixel electrode 24, part of which forms the source electrode of the TFT element 23. That is, the pixel electrode 24 of the charge storage capacitor element 22 is connected to the source electrode of the TFT element 23.
  • the gate electrode of the TFT element 23 is connected to the gate line 26 (see FIG. 2), and the drain electrode of the TFT element 23 is connected to the data line 27 (see FIG. 2).
  • the electrode wiring such as the gate line 26 and the data line 27, the TFT element 23, and the charge storage capacitor element 22 are set in a two-dimensional matrix arrangement. That is, the gate lines 26 are arranged for each row, and the data lines 27 are arranged for each column, and each gate line 26 and each data line 27 are orthogonal to each other.
  • the charge information detected by radiation can be converted into pixel values. That is, a pixel is assigned to each pixel electrode 24 of the charge storage capacitor element 22. Therefore, the pixel region 28 is a region where all the pixel electrodes 24 can be formed.
  • the gate line 26 and the data line 27 correspond to the electrode wiring in the present invention.
  • a gate driver 29, a charge-voltage conversion amplifier 30 and a multiplexer 31 are patterned around the pixel region 28. ing. In addition, around the pixel area 28, there is an AZD converter. 32 is also arranged, and is connected by a substrate different from the active matrix substrate 20. Note that some or all of the gate driver 29, the charge-voltage conversion amplifier 30, the multiplexer 31, and the A / D converter 32 may be incorporated in the active matrix substrate 20.
  • a bias voltage is applied from a bias supply power source (not shown) to the graphite substrate 11 that is a common electrode for applying a bias voltage.
  • a bias voltage is applied from a bias supply power source (not shown) to the graphite substrate 11 that is a common electrode for applying a bias voltage.
  • the bias voltage applied charges are generated in the radiation-sensitive semiconductor 13 with the incidence of radiation (X-rays in the embodiment).
  • the generated charges are collected through the bump electrode 15 by the pixel electrode 24 which is also a collecting electrode.
  • the collected charges are taken out as a radiation detection signal (in the embodiment, an X-ray detection signal) for each pixel electrode 24.
  • the charge collected by the pixel electrode 24 is temporarily stored in the charge storage capacitor element 22. Then, a read signal is sequentially applied from the gate driver 29 to the gate electrode of each TFT element 23 through the gate line 26. By supplying a read signal, the TFT element 23 to which the read signal is applied shifts from OFF to ON. As the data line 27 connected to the drain electrode of the TFT element 23 is switched and connected in turn by the multiplexer 31, the charge accumulated in the charge storage capacitor element 22 is transferred from the TFT element 23 to the data line 27. Read through.
  • the read charge is amplified by the charge-voltage conversion amplifier 30 and sent to the A / D converter 32 as a radiation detection signal (X-ray detection signal in the embodiment) for each pixel electrode 24 by the multiplexer 31 to be an analog value. To digital value.
  • an FPD when an FPD is provided in an X-ray fluoroscopic apparatus, an X-ray detection signal is sent to an image processing circuit at a subsequent stage, image processing is performed, and a two-dimensional X-ray fluoroscopic image or the like is output.
  • Each pixel electrode 24 in the two-dimensional matrix array corresponds to each pixel of a radiation image (here, a two-dimensional fluoroscopic image).
  • a radiation image here, a two-dimensional X-ray fluoroscopic image
  • the FPD according to the present embodiment is a two-dimensional array type radiation detector capable of detecting a two-dimensional intensity distribution of radiation (X-rays in the embodiment).
  • the electric charge is composed of a pair of electrons and holes.
  • the semiconductor 13 and the charge storage capacitor 22 are Since the structure is connected in series via the bump electrode 15, for example, when a negative bias voltage (one Vh) is applied to the graphite substrate 11, the electrons generated in the semiconductor 13 are bumped. On the electrode 15 side, the holes move to the graphite substrate 11 side. As a result, charges are stored in the charge storage capacitor element 22.
  • leakage charges that do not contribute to sensitivity are more likely to be injected into the semiconductor 13, and when a negative bias voltage is applied to the graphite substrate 11, electrons are more likely to be injected into the semiconductor 13 from the graphite substrate 11.
  • holes are easily injected from the active matrix substrate 20 into the semiconductor 13 via the bump electrodes 15. As a result, the leakage current increases.
  • a carrier-selective blocking layer 12 is formed between the graphite substrate 11 and the semiconductor 13.
  • a carrier-selective blocking layer 14 is formed between the semiconductor 13 and the active matrix substrate 20.
  • the blocking layer 12 functions as an electron blocking layer that blocks injection of electrons from the graphite substrate 11
  • the blocking layer 14 is an active matrix substrate 20. It functions as a hole blocking layer that blocks hole injection from the surface.
  • the leakage current can be reduced by providing the carrier selective blocking layers 12 and 14.
  • the carrier selectivity here refers to the property that the contribution rate to the charge transfer action differs significantly between electrons and holes, which are charge transfer media (carriers) in a semiconductor.
  • the following modes may be mentioned.
  • a positive bias voltage is applied to the graphite substrate 11
  • a material having a large contribution ratio of electrons is used for the blocking layer 12.
  • the blocking layer 14 is made of a material having a large contribution ratio of holes. As a result, injection of electrons from the active matrix substrate 20 is prevented, and leakage current can be reduced.
  • the blocking layer 14 is made of a material having a large contribution ratio of electrons. As mentioned above, this allows active matrix Hole injection from the tas substrate 20 is blocked, and leakage current can be reduced.
  • the semiconductors used in the blocking layers 12 and 14 the contribution of electrons is large, such as polycrystalline semiconductors such as n-type semiconductors such as CeO, CdS, CdSe, ZnSe, ZnS, and alkali metals.
  • n-type semiconductors such as CeO, CdS, CdSe, ZnSe, ZnS, and alkali metals.
  • Amorphous bodies such as amorphous Se doped with As or Te to reduce the contribution ratio of holes can be mentioned.
  • the film can be selectively formed regardless of whether the contribution of electrons is large or the contribution of holes is large by adjusting the film formation conditions.
  • the blocking layer 12 functions as an electron blocking layer that blocks the injection of electrons from the graphite substrate 11.
  • the blocking layer 12 in order to make the blocking layer 12 function as a hole blocking layer that blocks injection of holes from the active matrix substrate 20 while forming the blocking layer 12 with ZnTe having a large contribution ratio of holes,
  • the blocking layer 14 is formed of ZnS with a large contribution.
  • the active matrix substrate 20 includes the above-described charge storage capacitor element 22, TFT element 23, pixel electrode 24, insulating layer 25, gate line 26, and data line 27 gate.
  • the driver 29, the charge-voltage conversion amplifier 30, and the multiplexer 31 are formed on the glass substrate 21 by screen printing or the like.
  • the bump electrode 15 is formed by screen printing using a stud bump process.
  • the thickness of the glass substrate 21 is, for example, about 0.5 mm to about 1.5 mm.
  • the thickness of the semiconductor 13 is normally 0.5 mm to: 1.5 mm thick film (about 0.4 mm in this embodiment), and the area is, for example, 20 cm to 50 cm long X 20 cm wide It is about 50cm.
  • Radiation-sensitive semiconductors 13 are high-purity amorphous selenium (a_Se), Al metals such as Na, halogens such as C1, or amorphous semiconductors of selenium and selenium compounds doped with As or Te, CdTe, CdZnTe, Pbl , Hgl, TlBr, etc. It is preferably one of the conductors. In particular, CdTe, ZnTe, Hgl, Pbl, PbO
  • Conductor 13 is preferably formed.
  • CdTe, ZnTe, Hgl, Pbl, PbO, Bil, TlBr, GaAs are used as the semiconductor 13.
  • CdZnTe is a mixed crystal (mixed crystal) of CdTe and ZnTe, so that a highly sensitive detector with high noise resistance can be obtained.
  • the graphite substrate 11 is carbon having conductivity.
  • the Graphite board 11 has the function of a common electrode for bias voltage application, so you can form a common electrode other than the Graphite.
  • the common electrode may be formed of a metal such as A1 or MgAg, or the common electrode may be formed of an electrode substrate such as an alumina substrate having an electrode such as ITO (transparent electrode) formed on the surface.
  • the common electrode is formed of a metal such as A1 or MgAg
  • the common electrode is a thin film with a thickness of about 0.1 ⁇ m.
  • the common electrode is about 2 mm thick.
  • the blocking layers 12 and 14 have a thickness of about 200 nm and a resistivity on the order of 10 " ⁇ 'cm.
  • the plexer 31 is patterned on the glass substrate 21 by screen printing or the like. More specifically, similarly to the active matrix substrate for liquid crystal display, the charge storage capacitor element 22 and the TFT element 23 are formed on the surface of the glass substrate 21 by using a semiconductor thin film manufacturing technique and a fine processing technique, and the pixel electrode 24 and The surface is coated with an insulating layer 25 except for the connecting portion.
  • Peripheral circuits such as the gate driver 29, charge-voltage conversion amplifier 30 and multiplexer 31 around the pixel area 28 are composed of a semiconductor integrated circuit such as silicon, and an anisotropic conductive film (ACF) is used. Are connected to the gate line 26 and the gate line 27, respectively.
  • ACF anisotropic conductive film
  • the blocking layer 12 including the blocking layer 14 is laminated.
  • PVD physical vapor deposition
  • chemical deposition, electrodeposition, or the like may be used.
  • the graphite substrate 11 on which the blocking layer 12 is formed is referred to as a graphite substrate G as shown in FIG.
  • a semiconductor 13 is formed on this graphite substrate G by proximity sublimation as shown in FIG. The proximity sublimation method shown in Fig. 3 will be described in detail later.
  • the surface is planarized by polishing such as chemical mechanical polishing (CMP). Then, the blocking layer 14 is formed.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a source S which is a CdZnTe evaporation source
  • a dummy substrate D are accommodated in a chamber CH that has been evacuated to a vacuum.
  • the proximity distance in this case is in the range of 2 mm to several mm, although it varies depending on the material to be formed and the film formation conditions.
  • the dummy substrate D is preferably formed with the same material and the same size as the common electrode to be replaced. In this embodiment, since the common electrode is a graph eye, the dummy substrate D is formed by the graph eye.
  • the solid of the source S is sublimated and vaporized.
  • the vaporized material adheres to the dummy substrate D and solidifies again to form on the surface of the dummy substrate D.
  • CdZnTe having a predetermined thickness is formed on the dummy substrate D
  • the dummy substrate D is replaced with the graphite substrate G, and CdZnTe is subsequently formed on the graphite substrate G, as shown in FIG.
  • the graphite substrate is also stored in the chamber CH together with the dummy substrate in advance, and the graphite substrate is retracted and stored in a place where there is no influence on the formation of CdZnTe, and the graphite substrate is brought close to the source at the time of replacement. It may be conveyed in the chamber CH.
  • the dummy substrate D is a support substrate after the semiconductor having a predetermined thickness is formed on the dummy substrate D by vapor deposition.
  • the graphite substrate G is replaced, and a semiconductor is subsequently formed on the graphite substrate G by vapor deposition.
  • a semiconductor with a predetermined thickness is formed on the dummy substrate D by vapor deposition, it is in an initial state. It is formed. Thereafter, a semiconductor that is not in an initial state is formed on the replaced graphite substrate D, so that a detector including the semiconductor 13 with higher quality than before can be realized. Further, the semiconductor 13 manufactured in this way is formed continuously at least in the thickness direction. Since the detector is equipped with powerful semiconductor 13, it is possible to improve the detection characteristics.
  • the semiconductor 13 is continuously formed at least in the thickness direction, for example, as shown in FIG. 1, the semiconductor 13 is continuously formed in the lateral direction perpendicular to the thickness direction.
  • the semiconductor 13 is intermittently formed by grain boundaries in the lateral direction perpendicular to the thickness direction as shown in FIG.
  • the crystal grain size in the lateral direction can be controlled by the temperature of the graphite substrate 11, and the crystal grain size increases as the temperature increases. Therefore, in order to realize the semiconductor 13 continuously formed in the lateral direction perpendicular to the thickness direction as shown in FIG. 1, the temperature is increased and the semiconductor 13 is perpendicular to the thickness direction as shown in FIG. In order to realize the semiconductor 13 formed intermittently by the grain boundaries in the lateral direction, the temperature is lowered.
  • proximity sublimation is employed as physical vapor deposition.
  • a source that is an evaporation source and a graphite substrate 11 that is an object on which the semiconductor 13 is formed are brought close to each other, and the semiconductor 13 is formed on the surface of the graphite substrate 11 by a sublimate of the source. To do.
  • the semiconductor 13 having a large area can be formed relatively easily.
  • the semiconductor is formed of a photoelectric conversion type (for example, a photodiode) that generates electric charges by the incidence of light generated by the incidence of radiation.
  • the FPD is configured by stacking scintillators on the incident surface of the photodiode. In this case, light is generated by incident radiation with a scintillator or the like, and the photodiode generates charges from the light. Therefore, FPD detects radiation by converting radiation force into charges indirectly.
  • a photoelectric conversion type for example, a photodiode
  • the present invention can also be applied to a photodetector.
  • the semiconductor is formed in a photosensitive type in which electric charges are generated by incident light.
  • the radiation detector represented by the flat panel X-ray detector is a two-dimensional array type.
  • the radiation detector of the present invention has a one-dimensional pixel electrode. It may be a one-dimensional array type formed by a matrix arrangement or a non-array type having only one electrode for extracting radiation detection signals.
  • the X-ray detector is taken as an example of the radiation detector.
  • the radiation detector for example, a gamma ray detector
  • the radiation detector that detects radiation other than X-rays (for example, gamma rays) has been described. ).
  • a negative bias voltage is applied to a common electrode typified by the graphite substrate 11 so that the blocking layer 12 functions as an electron blocking layer, and the blocking layer 14 is formed as a hole.
  • the material of the blocking layers 12 and 14 is made to function as the hole blocking layer and the blocking layer 14 as an electron blocking layer. Should be selected.
  • the carrier selective blocking layer 12 is formed between the graphite substrate 11 and the semiconductor 13, and the carrier selectivity is formed between the semiconductor 13 and the active matrix substrate 20.
  • the blocking layer 14 is formed, but the blocking layer that blocks the injection of charges into the semiconductor 13 between at least one of the graphite substrate 11 and the semiconductor 13 and between the semiconductor 13 and the active matrix substrate 20. Or a blocking layer may not be provided.
  • the form of the blocking layers 12 and 14 is not particularly limited. For example, without forming the blocking layer 12 between the graphite substrate 11 and the semiconductor 13, only the blocking layer 14 is formed between the semiconductor 13 and the active matrix substrate 20, as shown in FIG. Alternatively, the blocking layer 14 is not formed between the semiconductor 13 and the active matrix substrate 20, but the blocking layer 12 is formed between the graphite substrate 11 and the semiconductor 13 as shown in FIG. May be. Further, as shown in FIG. 7, the blocking layer may not be provided.
  • the force which is a structure in which the detector substrate 10 and the active matrix substrate 20 are bonded together via the bump electrodes 15, is formed on the active matrix substrate 20, the blocking layer 14, and the semiconductor. 13, blocking layer 12, and graphite substrate 11 may be laminated in this order.
  • the proximity sublimation method has been described as an example of physical vapor deposition. However, if a semiconductor is formed by vapor deposition, it is exemplified by sputtering 'CVD' sublimation method 'chemical deposition method, etc. As such, it is not particularly limited.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

明 細 書
光または放射線検出器の製造方法および光または放射線検出器 技術分野
[0001] この発明は、医療分野，工業分野，さらには、原子力分野などに用いられる光また は放射線検出器の製造方法および光または放射線検出器に関する。
背景技術
[0002] 光または放射線検出器は、光または放射線の入射により電荷を生成する半導体と 、その半導体を積層形成するために支持する支持基板とを備えている。放射線 (例え ば X線)検出器には、放射線 (例えば X線）の入射により光を一旦生成して、その光か ら電荷を生成することで、放射線から電荷に間接的に変換して放射線を検出する「間 接変換型」の検出器と、放射線の入射により電荷を生成することで、放射線から電荷 に直接的に変換して放射線を検出する「直接変換型」の検出器とがある。 「直接変換 型」の検出器では、電荷を生成する半導体は放射線感応型の半導体である。
[0003] この放射線感応型の半導体として、物理蒸着法 (Physical Vapor Deposition： PVD) によって形成された CdTe， ZnTe, Hgl , Pbl , PbO， Bil , TlBr, Se， Si, GaAs,
2 2 3
InP等の膜が使用もしくは検討されている。例えば、 CdTeのような高感度材料の成 膜方法としてスパッタリング ' CVD '昇華法'ィ匕学堆積法等が知られているが、これら の方法ではいずれも多結晶膜が得られる。多結晶膜の光または放射線に対する検 出特性は、膜の結晶形態に大きく依存し、したがって膜の形成条件に大きく依存する
[0004] ところで、物理蒸着法の中で「近接昇華法」と呼ばれる方法がある。この近接昇華法 は、蒸着源であるソースと半導体を表面に形成させる対象物である支持基板とを近 接させて、その支持基板の表面にソースの昇華物による半導体を形成する方法であ る。この近接昇華法ではソースが近接にあるので、比較的に容易に大面積の半導体 を形成すること力 Sできる。
[0005] しかし、これらの方法に代表される物理蒸着法によって形成される半導体膜では、 ソースの表面層から初期に基板界面近傍に形成される膜は結晶性が悪い。特に、近 接昇華法で形成された CdZnTe膜では、ソースの表面層から初期に基板に形成され る膜は結晶性が悪ぐ検出特性を劣化させる原因となることを実験的に確認している
[0006] そこで、蒸着源であるソースと基板の成膜面との間に遮蔽する手段を設けることで、 初期に蒸着形成される膜をカットした後に、基板の表面に半導体膜を形成する手法 力 Sある（例えば、非特許文献 1参照）。この手法によれば、初期状態ではソースに不 純物が混ざっているので、その初期において遮蔽することで、初期に蒸着形成される べき不良膜をカットする。したがって、それ以降に遮蔽を解除することで、解除後に形 成される半導体膜は高品質なものとなり、検出特性を向上させることができる。
非特許文献 1 :中井康雄著 「薄膜の作製'評価とその応用技術ハンドブック」， フジ テクノシステム， p. 250
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] このような遮蔽する手法によって、高品質な半導体を備えた光または放射線検出器 を実現することができるが、上述した手法以外の手法においても、高品質な半導体を 備えた光または放射線検出器を実現することが望まれる。
[0008] この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高品質な半導体を備 えた検出器を実現することができる光または放射線検出器の製造方法および光また は放射線検出器を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明の光または放射線検出器の製造方法は、光または放射線の入 射により電荷を生成する半導体と、その半導体を積層形成するために支持する支持 基板とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に形成された光または放 射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体を形成する際に、ダミー基板 に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基 板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成することを特徴と するものである。 [0010] この発明の光または放射線検出器によれば、半導体を形成する際に、ダミー基板 に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から支持基板に 交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成する。ダミー基板に 所定厚みの半導体を蒸着によって形成する際は初期状態なので、本来であれば形 成される不良膜がダミー基板に形成される。その後に、交換された支持基板には初 期状態でない半導体が形成されるので、従来よりも高品質な半導体を備えた検出器 を実現することができる。また、このようにして製造された半導体は、少なくとも厚み方 向に連続的に形成されたものとなる。
[0011] このような蒸着する手法の中でも、蒸着源と半導体を表面に形成させる対象物とを 近接させて、その対象物の表面に蒸着源の昇華物による半導体を形成する近接昇 華法がある。近接昇華法に適用した場合には、対象物が支持基板となり、この対象 物である支持基板に半導体が形成される。この近接昇華法では蒸着源が近接にある ので、比較的に容易に大面積の半導体を形成することができる。
[0012] 上述した光または放射線検出器の製造方法に係る発明の一例は、ダミー基板と交 換される支持基板とを同じ物質で形成することである。また、他の一例は、ダミー基板 と交換される支持基板とを同じサイズで形成することである。
[0013] 上述した光または放射線検出器の製造方法に係る発明の一例は、ノくィァス電圧が 印加される共通電極を支持基板として用いることである。
[0014] 上述した光または放射線検出器の製造方法に係る発明の一例は、前記支持基板 とダミー基板とを予め 1つのチャンバ内に収容するとともに、ダミー基板に半導体を形 成するときは、チャンバ内で半導体の形成に影響がない退避場所に支持基板を退避 させることである。
[0015] 上述した光または放射線検出器の製造方法に係る発明の一例は、支持基板の温 度を高くして、厚み方向に直交する横方向にも半導体を連続的に形成することである 。その他の一例は、支持基板の温度を低くして、厚み方向に直交する横方法に粒界 によって断続的に半導体を形成することである。
[0016] また、この発明の光または放射線検出器は、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸 着によって形成した後に、そのダミー基板から支持基板に交換して、その支持基板 に半導体を蒸着によって引き続き形成することで製造された光または放射線検出器 であって、光または放射線の入射により電荷を生成する前記半導体と、その半導体 を積層形成するために支持する前記支持基板とを備え、少なくともその厚み方向に 半導体が連続的に形成されていることを特徴とするものである。
[0017] この発明の光または放射線検出器によれば、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸 着によって形成した後に、そのダミー基板から支持基板に交換して、その支持基板 に半導体を蒸着によって引き続き形成することで、従来よりも高品質な半導体を備え た検出器を実現することができる。また、このようにして製造された半導体は、少なくと も厚み方向に連続的に形成されたものとなる。力、かる半導体を光または放射線検出 器が備えることで、検出特性を向上させることができる。
[0018] 上述した光または放射線検出器に係る発明の一例は、バイアス電圧が印加される 共通電極を支持基板として用いることである。
[0019] 上述した光または放射線検出器に係る発明の一例は、厚み方向に直交する横方 向にも半導体は連続的に形成されていることであり、他の一例は、厚み方向に直交 する横方向に半導体は粒界によって断続的に形成されていることである。
[0020] 上述したこれらの光または放射線検出器に係る発明において、半導体によって生 成された電荷を蓄積する電荷蓄積容量素子と、蓄積された電荷をスイッチングによつ て読み出すスイッチング素子と、スイッチング素子にそれぞれ接続された電極配線と を有したアクティブマトリックス基板とを備え、電極配線、スイッチング素子および電荷 蓄積容量素子を 2次元状マトリックス配列で設定する。これらの 2次元状マトリックス配 列に応じて画素を割り当てることで、光または放射線で検出された電荷情報を画素 値として変換すること力 Sできる。
[0021] 上述したこれらの光または放射線検出器に係る発明の一例は、半導体とアクティブ マトリックス基板とがバンプ電極を介して貼り合わされることである。
[0022] 上述したこれらの光または放射線検出器に係る発明の一例は、支持基板と半導体 との間および半導体とアクティブマトリックス基板との間のうち少なくともいずれか一方 に半導体への電荷の注入を阻止する阻止層が形成されることである。
[0023] 上述したこれらの光または放射線検出器に係る発明の一例は、前記アクティブマト リックス基板上に阻止層と半導体と阻止層と支持基板とが順に積層されることである。
[0024] 上述したこれらの光または放射線検出器に係る発明の一例は、電極配線、スィッチ ング素子および電荷蓄積容量素子は 1次元状マトリックス配列で設定されることであ る。
[0025] 上述したこれらの光または放射線検出器に係る発明において、半導体を、 CdTe, ZnTe, Hgl， Pbl， PbO, Bil， TlBr, Se, Si, GaAs, InP、もしくはこれらを含む
2 2 3
混合の結晶物で形成する。半導体として、 CdTe, ZnTe, Hgl , Pbl , PbO, Bil ,
2 2 3
TlBr, GaAsを用いたものは、高感度でノイズ耐性の大きな検出器を得ることができ る。 Seを用いたものは、均一で大面積の検出器を容易に得ることができる。 Si, InP を用いたものは、高エネルギー分解能の検出器を得ることができる。
発明の効果
[0026] この発明に係る光または放射線検出器の製造方法および光または放射線検出器 によれば、半導体を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって 形成した後に、そのダミー基板から支持基板に交換して、その支持基板に半導体を 蒸着によって引き続き形成することで、従来よりも高品質な半導体を備えた検出器を 実現すること力 Sできる。また、このようにして製造された半導体は、少なくとも厚み方向 に連続的に形成されたものとなる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]実施例に係る直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図 である。
[図 2]フラットパネル型 X線検出器 (FPD)のアクティブマトリックス基板の等価回路を 示すブロック図である。
[図 3] (a)、（b)は、実施例に係る近接昇華法での半導体の形成を模式的に表した図 である。
[図 4]厚み方向に直交する横方向に半導体が粒界によって断続的に形成されている 場合のフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図である。
[図 5]変形例に係る直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図 である。 [図 6]さらなる変形例に係る直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略 断面図である。
[図 7]さらなる変形例に係る直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略 断面図である。
符号の説明
[0028] 11 … （導電性)グラフアイト基板
13 … （放射線感応型の）半導体
20 · · · アクティブマトリックス基板
22 … 電荷蓄積容量素子
23 … TFT (薄膜電界効果トランジスタ）素子
26 … ゲート線
27 … データ線
実施例
[0029] 以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図 1は、実施例に係る直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (以下、適宜「FP D」と略記する）の概略断面図であり、図 2は、フラットパネル型 X線検出器 (FPD)の アクティブマトリックス基板の等価回路を示すブロック図である。本実施例では、放射 線検出器としてフラットパネル型 X線検出器 (FPD)を例に採って説明する。
[0030] 本実施例に係る FPDは、図 1に示すように、検出器基板 10とアクティブマトリックス 基板 20とを備えている。検出器基板 10は、導電性グラフアイト基板 11と放射線感応 型の半導体 13と 2つのキャリア選択性の阻止層 12, 14とを備えている。アクティブマ トリックス基板 20は、ガラス基板 21に電荷蓄積容量素子 22や TFT (薄膜電界効果ト ランジスタ）素子 23や画素電極 24などがパターン形成されて構成されている。検出 器基板 10とアクティブマトリックス基板 20との間にはバンプ電極 15を介在させており 、バンプ電極 15を介して各画素電極 24毎に画素電極 24がキャリア選択性の阻止層 14に接続されている。導電性グラフアイト基板 11は、この発明における支持基板に 相当し、放射線感応型の半導体 13は、この発明における半導体に相当し、ァクティ ブマトリックス基板 20は、この発明におけるアクティブマトリックス基板に相当し、電荷 蓄積容量素子 22は、この発明における電荷蓄積容量素子に相当し、 TFT素子 23は 、この発明におけるスイッチング素子に相当する。
[0031] 図 1に示すように、検出器基板 10とアクティブマトリックス基板 20とを、バンプ電極 1 5を介して貼り合わせることで、アクティブマトリックス基板 20は入射側に半導体 13を 積層形成する。
[0032] 半導体 13は、放射線 (実施例では X線）の入射により電荷を生成する。導電性ダラ ファイト基板 11は、半導体 13を積層形成するために支持し、ノ ィァス電圧印加用の 共通電極としての機能を有する。
[0033] 電荷蓄積容量素子 22は、半導体 13によって生成された電荷を蓄積する。 TFT素 子 23は、蓄積された電荷をスイッチングによって読み出す。ガラス基板 21の表面に は、電荷蓄積容量素子 22や TFT素子 23や画素電極 24などがパターン形成され、 電荷蓄積容量素子 22の各電極や、ゲート電極 Zソース ·ドレイン電極間に絶縁層 25 が介在するように積層形成されている。電荷蓄積容量素子 22の入射側の電極は、画 素電極 24であって、その一部が TFT素子 23のソース電極を形成している。すなわち 、電荷蓄積容量素子 22の画素電極 24は TFT素子 23のソース電極に接続されてい る。また、 TFT素子 23のゲート電極は、ゲート線 26 (図 2を参照）に接続され、 TFT 素子 23のドレイン電極はデータ線 27 (図 2を参照）に接続される。
[0034] 図 2に示すように、これらのゲート線 26およびデータ線 27のような電極配線、 TFT 素子 23および電荷蓄積容量素子 22を 2次元状マトリックス配列で設定する。すなわ ち、ゲート線 26は行毎に配設されているとともに、データ線 27は列毎に配設されて おり、各ゲート線 26と各データ線 27とは互いに直交する。これらの 2次元状マトリック ス配列に応じて画素を割り当てることで、放射線で検出された電荷情報を画素値とし て変換すること力 Sできる。すなわち、電荷蓄積容量素子 22の画素電極 24ごとに画素 を割り当てる。したがって、画素領域 28は全画素電極 24が形成され得る領域となる。 ゲート線 26およびデータ線 27は、この発明における電極配線に相当する。
[0035] ガラス基板 21の表面には、上述した電荷蓄積容量素子 22や TFT素子 23などの他 に、ゲートドライバ 29や電荷電圧変換型増幅器 30やマルチプレクサ 31が画素領域 28の周囲にパターン形成されている。なお、画素領域 28の周辺には、 AZD変換器 32も配設されており、アクティブマトリックス基板 20とは別基板で接続されている。な お、ゲートドライバ 29、電荷電圧変換型増幅器 30、マルチプレクサ 31、 A/D変換 器 32の一部または全部を、アクティブマトリックス基板 20に内蔵してもよい。
[0036] FPDによって X線を検出する際には、バイアス供給電源（図示省略)からバイアス電 圧をバイアス電圧印加用の共通電極であるグラフアイト基板 11に印加する。バイアス 電圧を印加した状態で、放射線 (実施例では X線）の入射に伴って放射線感応型の 半導体 13で電荷を生成する。この生成された電荷を、バンプ電極 15を介して、収集 電極でもある画素電極 24でー且収集する。収集された電荷を各画素電極 24毎の放 射線検出信号 (実施例では X線検出信号）として取り出す。
[0037] 具体的には、画素電極 24で収集された電荷が電荷蓄積容量素子 22で一旦蓄積さ れる。そして、ゲートドライバ 29からゲート線 26を介して読み出し信号を各 TFT素子 23のゲート電極に順に与える。読み出し信号を与えることで、読み出し信号が与えら れた TFT素子 23が OFFから ONに移行する。その移行した TFT素子 23のドレイン 電極に接続されたデータ線 27がマルチプレクサ 31によって順に切り換え接続される のにしたがって、電荷蓄積容量素子 22に蓄積された電荷を、 TFT素子 23からデー タ線 27を介して読み出す。読み出された電荷を電荷電圧変換型増幅器 30で増幅し て、マルチプレクサ 31によって各画素電極 24毎の放射線検出信号（実施例では X 線検出信号）として A/D変換器 32に送り出してアナログ値からディジタル値に変換 する。
[0038] 例えば、 FPDを X線透視撮影装置に備えた場合には、 X線検出信号を後段の画像 処理回路に送り込んで、画像処理を行って 2次元 X線透視画像等を出力する。 2次 元状マトリックス配列の各画素電極 24は、放射線画像 (ここでは 2次元 X線透視画像 )の各画素にそれぞれ対応している。放射線検出信号 (実施例では X線検出信号)を 取り出すことで、放射線の 2次元強度分布に応じた放射線画像（ここでは 2次元 X線 透視画像）を作成することができる。つまり、本実施例に係る FPDは、放射線 (実施例 では X線）の 2次元強度分布を検出することができる 2次元アレイタイプの放射線検出 器である。
[0039] なお、電荷は一対の電子—正孔からなる。半導体 13と電荷蓄積容量素子 22とは、 バンプ電極 15を介して直列に接続された構造になっているので、例えばグラフアイト 基板 11に負のバイアス電圧（一 Vh)を印加すると、半導体 13内で発生した電荷のう ち、電子はバンプ電極 15側に、正孔はグラフアイト基板 11側に移動する。その結果、 電荷蓄積容量素子 22に電荷が蓄積される。一方で、感度に寄与しない漏れ電荷が 半導体 13に注入され易くなつており、グラフアイト基板 11に負のバイアス電圧を印加 する場合には、グラフアイト基板 11から半導体 13へ電子が注入され易くなつて、ァク ティブマトリックス基板 20からバンプ電極 15を介して半導体 13へ正孔が注入され易 くなつている。その結果、リーク電流が増加する。
[0040] そこで、電荷の注入によるリーク電流を低減させるために、本実施例では、図 1に示 すように、グラフアイト基板 11と半導体 13との間にキャリア選択性の阻止層 12を形成 するとともに、半導体 13とアクティブマトリックス基板 20との間にキャリア選択性の阻 止層 14を形成してレ、る。グラフアイト基板 11に負のバイアス電圧を印加する場合には 、阻止層 12は、グラフアイト基板 11からの電子の注入を阻止する電子阻止層として 機能するとともに、阻止層 14は、アクティブマトリックス基板 20からの正孔の注入を阻 止する正孔阻止層として機能する。
[0041] このように、キャリア選択性の阻止層 12, 14を設けることによりリーク電流を低減さ せること力 Sできる。ここで言うキャリア選択性とは半導体中の電荷移動媒体 (キャリア） である電子と正孔とで、電荷移動作用への寄与率が著しく異なる性質を指す。
[0042] 半導体 13とキャリア選択性の阻止層 12, 14との組み合わせ方としては、次のような 態様が挙げられる。グラフアイト基板 11に正のバイアス電圧を印加する場合には、阻 止層 12に電子の寄与率が大きい材料を使用する。これによりグラフアイト基板 11から の正孔の注入が阻止され、リーク電流を低減させることができる。阻止層 14には正孔 の寄与率が大きい材料を使用する。これによりアクティブマトリックス基板 20からの電 子の注入が阻止され、リーク電流を低減させることができる。
[0043] 逆に、グラフアイト基板 11に負のバイアス電圧を印加する場合には、阻止層 12に正 孔の寄与率が大きい材料を使用する。上述したように、これによりグラフアイト基板 1 1 からの電子の注入が阻止され、リーク電流を低減させることができる。阻止層 14には 電子の寄与率が大きい材料を使用する。上述したように、これによりアクティブマトリツ タス基板 20からの正孔の注入が阻止され、リーク電流を低減させることができる。
[0044] 阻止層 12, 14に用いられる半導体のうち、電子の寄与が大きいものとして、 n型半 導体である CeO , CdS, CdSe, ZnSe, ZnSのような多結晶半導体や、アルカリ金 属ゃ Asや Teをドープして正孔の寄与率を低下させたアモルファス Se等のァモルフ ァス体が挙げられる。
[0045] また、正孔の寄与が大きいものとして、 p型半導体である ZnTeのような多結晶半導 体や、ハロゲンをドープして電子の寄与率を低下させたアモルファス Se等のァモルフ ァス体が挙げられる。
[0046] さらに、 Sb S , CdTe, CdZnTe, Pbl , Hgl， TlBrや、ノンドープのァモルファ ス Seまたは Se化合物の場合、電子の寄与が大きいものと正孔の寄与が大きいもとの 両方がある。これらの場合、成膜条件の調節で電子の寄与が大きいものでも、正孔の 寄与が大きいものでも、選択形成することができる。
[0047] 本実施例のように、グラフアイト基板 11に負のバイアス電圧を印加する場合には、グ ラフアイト基板 11からの電子の注入を阻止する電子阻止層として阻止層 12を機能さ せるために、正孔の寄与率が大きい ZnTeで阻止層 12を形成するとともに、ァクティ ブマトリックス基板 20からの正孔の注入を阻止する正孔阻止層として阻止層 14を機 能させるために、電子の寄与が大きレ、ZnSで阻止層 14を形成する。
[0048] アクティブマトリックス基板 20は、図 1、図 2に示すように、上述した電荷蓄積容量素 子 22や TFT素子 23や画素電極 24や絶縁層 25やゲート線 26やデータ線 27ゃゲー トドライバ 29や電荷電圧変換型増幅器 30やマルチプレクサ 31をガラス基板 21にス クリーン印刷等でパターン形成する。バンプ電極 15をスクリーン印刷ゃスタッドバン プ工程により形成する。ガラス基板 21の厚さは、例えば 0. 5mm〜： 1. 5mm程度であ る。
[0049] 半導体 13の厚さは、通常、 0. 5mm〜： 1. 5mm前後の厚膜 (本実施例では約 0. 4 mm)であり、面積は、例えば縦 20cm〜50cm X横 20cm〜50cm程度のものである 。放射線感応型の半導体 13は、高純度アモルファスセレン（a_ Se)， Na等のアル力 リ金属や C1等のハロゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセレン化合物のァ モルファス半導体， CdTe， CdZnTe, Pbl ， Hgl ， TlBr等の非セレン系多結晶半 導体のうちのいずれかであるのが好ましい。特に、 CdTe, ZnTe, Hgl , Pbl , PbO
2 2
， Bil， TlBr， Se， Si, GaAs， InP、もしくはこれらを含む混合の結晶物（混晶）で半
3
導体 13を形成するのが好ましい。
[0050] 半導体 13として、 CdTe, ZnTe, Hgl , Pbl , PbO, Bil , TlBr, GaAsを用いたも
2 2 3
のは、高感度でノイズ耐性の大きな検出器を得ることができる。 Seを用いたものは、 均一で大面積の検出器を容易に得ることができる。 Si, InPを用いたものは、高エネ ルギー分解能の検出器を得ることができる。なお、半導体 13として CdZnTeを用いた 場合には、 CdZnTeは、 CdTe, ZnTeの混合の結晶物（混晶）であるので、高感度で ノイズ耐性の大きな検出器を得ることができる。
[0051] グラフアイト基板 11は、導電性を有するカーボンである。グラフアイト基板 11はバイ ァス電圧印加用の共通電極の機能を有するので、グラフアイト以外で共通電極を形 成してもよレ、。 A1や MgAgなどの金属で共通電極を形成してもよいし、表面に ITO ( 透明電極）などの電極を成膜したアルミナ基板などの電極基板で共通電極を形成し てもよレ、。 A1や MgAgなどの金属で共通電極を形成する場合には、共通電極の厚さ は 0. Ι μ ΐη程度の薄膜である。グラフアイト基板 11や電極基板で共通電極を形成す る場合には、共通電極の厚さは 2mm程度の厚膜である。また、阻止層 12, 14の厚さ は、約 200nm、抵抗率は 10" Ω ' cm台である。
[0052] 次に、 FPDの製造方法について説明する。アクティブマトリックス基板 20側では、 上述したように、電荷蓄積容量素子 22や TFT素子 23や画素電極 24や絶縁層 25や ゲート線 26やデータ線 27やゲートドライバ 29や電荷電圧変換型増幅器 30やマルチ プレクサ 31をガラス基板 21にスクリーン印刷等でパターン形成する。より具体的には 、液晶表示用アクティブマトリックス基板と同様に、半導体薄膜製造技術や微細加工 技術を用いてガラス基板 21の表面に電荷蓄積容量素子 22や TFT素子 23を形成し 、画素電極 24との接続部分を除いて、その表面を絶縁層 25で被膜する。画素領域 2 8の周辺にあるゲートドライバ 29や電荷電圧変換型増幅器 30やマルチプレクサ 31 のような周辺回路を、シリコン等の半導体集積回路で構成し、異方導電性フィルム (A CF)などを介してゲート線 26やゲート線 27にそれぞれ接続する。
[0053] 一方の検出器基板 10側では、以下のように形成する。グラフアイト基板 11に阻止 層 12を積層形成する。阻止層 14も含めて阻止層 12を形成するには、物理蒸着 (PV D)や化学析出法、電析法などを用いればよい。阻止層 12が形成されたグラフアイト 基板 11を、図 3 (b)に示すようにグラフアイト基板 Gとする。このグラフアイト基板 Gに半 導体 13を、図 3 (b)に示すような近接昇華法によって形成する。図 3に示す近接昇華 法については詳しく後述する。半導体 13の形成後、表面を化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing： CMP)などの研磨等で平坦化処理する。そして、阻止層 14を 形成する。
[0054] 本実施例に係る近接昇華法について図 3を参照して説明する。図 3 (a)に示すよう に、真空に脱気したチャンバ CH内に CdZnTeの蒸着源であるソース Sとダミー基板 Dとを近接させて収容する。この場合の近接の距離は、形成される物質や成膜条件 等で異なるが、 2mm〜数 mm程度の範囲である。また、ダミー基板 Dは、交換される 共通電極と同じ物質、同じサイズで形成されるのが好ましい。本実施例では共通電 極はグラフアイトであるので、グラフアイトでダミー基板 Dを形成する。
[0055] ランプ加熱によってソース Sを加熱するとソース Sの固体が昇華して気化する。気化 物はダミー基板 Dに付着して再度固化してダミー基板 Dの表面に形成される。ダミー 基板 Dに所定厚みの CdZnTeを形成した後に、図 3 (b)に示すように、そのダミー基 板 Dからグラフアイト基板 Gに交換して、そのグラフアイト基板 Gに CdZnTeを引き続き 形成する。
[0056] ダミー基板 Dからグラフアイト基板 Gに交換する際に、チャンバ CH内の真空状態が 保てなくなる力 CdZnTeの形成には支障がない。なお、グラフアイト基板もダミー基 板とともに予めチャンバ CH内に収容するとともに、グラフアイト基板を CdZnTeの形 成に影響がない場所に退避させて収容し、交換時にグラフアイト基板をソースに近接 させるようにチャンバ CH内で搬送してもよい。
[0057] 上述した本実施例に係る FPDの製造方法によれば、半導体 13を形成する際に、 ダミー基板 Dに所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板 D 力 支持基板であるグラフアイト基板 Gに交換して、そのグラフアイト基板 Gに半導体 を蒸着によって引き続き形成する。ダミー基板 Dに所定厚みの半導体を蒸着によつ て形成する際は初期状態なので、本来であれば形成される不良膜がダミー基板 Dに 形成される。その後に、交換されたグラフアイト基板 Dには初期状態でない半導体が 形成されるので、従来よりも高品質な半導体 13を備えた検出器を実現することができ る。また、このようにして製造された半導体 13は、少なくとも厚み方向に連続的に形 成されたものとなる。力かる半導体 13を検出器が備えることで、検出特性を向上させ ること力 Sできる。
[0058] 半導体 13は、少なくとも厚み方向に連続的に形成されているケースとして、例えば 、図 1に示すように、厚み方向に直交する横方向にも半導体 13は連続的に形成され てレ、るケースと、図 4に示すように厚み方向に直交する横方向に半導体 13は粒界に よって断続的に形成されているケースとがある。これらはグラフアイト基板 11の温度に よって、横方向の結晶粒径を制御することができ、温度が高いほど結晶粒径が大きく なる。したがって、図 1に示すような厚み方向に直交する横方向にも連続的に形成さ れた半導体 13を実現するためには温度を高くして、図 4に示すような厚み方向に直 交する横方向に粒界によって断続的に形成された半導体 13を実現するためには温 度を低くする。
[0059] 本実施例では、物理蒸着として近接昇華法を採用している。近接昇華法は、蒸着 源であるソースと半導体 13を表面に形成させる対象物であるグラフアイト基板 11とを 近接させて、そのグラフアイト基板 11の表面にソースの昇華物による半導体 13を形 成する。この近接昇華法ではソースが近接にあるので、比較的に容易に大面積の半 導体 13を形成することができる。
[0060] この発明は、上記実施形態に限られることはなぐ下記のように変形実施することが できる。
[0061] (1)上述した実施例では、直接変換型であつたが、間接変換型にも適用できる。こ の場合には、半導体を、放射線の入射で生じた光の入射により電荷を生成する光電 変換型 (例えばフォトダイオード）で形成する。フォトダイオードの入射面にはシンチレ 一タを積層形成して FPDを構成する。この場合にはシンチレータなどで放射線の入 射により光をー且生成して、その光から電荷をフォトダイオードが生成するので、 FP Dは、放射線力も電荷に間接的に変換して放射線を検出する「間接変換型」となる。
[0062] (2)上述した実施例では、放射線検出器であつたが、光検出器にも適用できる。こ の場合には、半導体を、光の入射により電荷を生成する光感応型で形成する。
[0063] (3)上述した実施例では、フラットパネル型 X線検出器に代表される放射線検出器 は、 2次元アレイタイプであつたが、この発明の放射線検出器は、画素電極が 1次元 状マトリックス配列で形成されている 1次元アレイタイプでもよいし、放射線検出信号 取り出し用の電極が 1個だけの非アレイタイプでもよい。
[0064] (4)上述した実施例では、放射線検出器として X線検出器を例に採って説明したが 、 X線以外の放射線 (例えばガンマ線)を検出する放射線検出器 (例えばガンマ線検 出器）にも適用できる。
[0065] (5)上述した実施例では、負のバイアス電圧をグラフアイト基板 11に代表される共 通電極に印加して、阻止層 12を電子阻止層として機能させ、阻止層 14を正孔阻止 層として機能させた力 正のバイアス電圧を印加する場合には、阻止層 12を正孔阻 止層として機能させ、阻止層 14を電子阻止層として機能させるように阻止層 12， 14 の材料を選択すればよい。
[0066] (6)上述した実施例では、グラフアイト基板 11と半導体 13との間にキャリア選択性 の阻止層 12を形成するとともに、半導体 13とアクティブマトリックス基板 20との間にキ ャリア選択性の阻止層 14を形成したが、グラフアイト基板 11と半導体 13との間、半導 体 13とアクティブマトリックス基板 20との間の少なくともいずれか一方に半導体 13へ の電荷の注入を阻止する阻止層を備えてもよいし、阻止層を備えなくてもよい。阻止 層 12, 14の形態については特に限定されない。例えば、グラフアイト基板 11と半導 体 13との間に阻止層 12を形成せずに、図 5に示すように、半導体 13とアクティブマト リックス基板 20との間に阻止層 14のみを形成してもよいし、半導体 13とアクティブマ トリックス基板 20との間に阻止層 14を形成せずに、図 6に示すように、グラフアイト基 板 11と半導体 13との間に阻止層 12を形成してもよい。また、図 7に示すように、阻止 層を備えなくてもよい。
[0067] (7)上述した実施例では、検出器基板 10とアクティブマトリックス基板 20とをバンプ 電極 15を介して貼り合わせた構造であった力 アクティブマトリックス基板 20上に、阻 止層 14、半導体 13、阻止層 12、グラフアイト基板 11と順に積層する構造であっても よい。 (8)上述した実施例では、物理蒸着として近接昇華法を例に採って説明したが、蒸 着によって半導体を形成するのであれば、スパッタリング ' CVD '昇華法'化学堆積 法などに例示されるように、特に限定されない。

Claims

請求の範囲
[1] 光または放射線の入射により電荷を生成する半導体と、その半導体を積層形成す るために支持する支持基板とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に 形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体を形 成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミ 一基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続 き形成することを特徴とする光または放射線検出器の製造方法。
[2] 請求項 1に記載の光または放射線検出器の製造方法において、前記蒸着源と前 記半導体を表面に形成させる対象物とを近接させて、その対象物の表面に蒸着源の 昇華物による半導体を形成する近接昇華法によって、半導体を形成することを特徴 とする光または放射線検出器の製造方法。
[3] 請求項 1又は請求項 2に記載の光または放射線検出器の製造方法において、前記 ダミー基板は交換される支持基板と同じ物質で形成されることを特徴とする光または 放射線検出器の製造方法。
[4] 請求項 1又は請求項 2に記載の光または放射線検出器の製造方法において、前記 ダミー基板は交換される支持基板と同じサイズで形成されることを特徴とする光また は放射線検出器の製造方法。
[5] 請求項 1から請求項 4のいずれかに記載の光または放射線検出器の製造方法にお レ、て、前記支持基板はバイアス電圧を印加する共通電極であることを特徴とする光ま たは放射線検出器の製造方法。
[6] 請求項 1から請求項 5のいずれかに記載の光または放射線検出器の製造方法にお レ、て、前記支持基板と前記ダミー基板とを予め 1つのチャンバ内に収容するとともに、 前記ダミー基板に前記半導体を形成するときは、前記支持基板を前記チャンバ内の 退避場所に退避させることを特徴とする光または放射線検出器の製造方法。
[7] 請求項 1から請求項 6のいずれかに記載の光または放射線検出器の製造方法にお レ、て、厚み方向に直交する横方向にも前記半導体を連続的に形成することを特徴と する光または放射線検出器の製造方法。
[8] 請求項 1から請求項 6のいずれかに記載の光または放射線検出器の製造方法にお いて、厚み方向に直交する横方法に粒界によって断続的に前記半導体を形成する ことを特徴とする光または放射線検出器の製造方法。
[9] ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から 支持基板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成すること で製造された光または放射線検出器であって、光または放射線の入射により電荷を 生成する前記半導体と、その半導体を積層形成するために支持する前記支持基板 とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に形成されていることを特徴と する光または放射線検出器。
[10] 請求項 9に記載の光または放射線検出器において、前記支持基板はバイアス電圧 を印加する共通電極であることを特徴とする光または放射線検出器。
[11] 請求項 9又は請求項 10に記載の光または放射線検出器において、前記厚み方向 に直交する横方向にも前記半導体は連続的に形成されていることを特徴とする光ま たは放射線検出器。
[12] 請求項 9又は請求項 10に記載の光または放射線検出器において、前記厚み方向 に直交する横方向に前記半導体は粒界によって断続的に形成されていることを特徴 とする光または放射線検出器。
[13] 請求項 9から請求項 12のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前 記半導体によって生成された電荷を蓄積する電荷蓄積容量素子と、蓄積された電荷 をスイッチングによって読み出すスイッチング素子と、スイッチング素子にそれぞれ接 続された電極配線とを有したアクティブマトリックス基板とを備え、前記電極配線、スィ ツチング素子および電荷蓄積容量素子を 2次元状マトリックス配列で設定することを 特徴とする光または放射線検出器。
[14] 請求項 13に記載の光または放射線検出器において、前記半導体と前記アクティブ マトリックス基板とはバンプ電極を介して貼り合わされることを特徴とする光または放 射線検出器。
[15] 請求項 13又は請求項 14に記載の光または放射線検出器において、前記支持基 板と前記半導体との間および前記半導体と前記アクティブマトリックス基板との間の 少なくともいずれか一方に前記半導体層への電荷の注入を阻止する阻止層を形成 することを特徴とする光または放射線検出器。
[16] 請求項 15に記載の光または放射性検出器において、前記アクティブマトリックス基 板上に前記阻止層と前記半導体層と前記阻止層と前記基板とを順に積層する構造 であること特徴とする光又は放射線検出器。
[17] 請求項 13から請求項 16のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前 記電極配線と前記スイッチング素子と前記電荷蓄積容量素子とを 1次元状マトリック ス配列で設定することを特徴とする光または放射線検出器。
[18] 請求項 9から請求項 17のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前 記半導体を、 CdTe, ZnTe, Hgl， Pbl , PbO， Bil , TlBr, Se, Si, GaAs, InP、
2 2 3
もしくはこれらを含む混合の結晶物で形成することを特徴とする光または放射線検出
PCT/JP2007/058064 2006-09-14 2007-04-12 Procédé de fabrication d'un détecteur de lumière ou de rayonnement, et détecteur de lumière ou de rayonnement WO2008032461A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007800342878A CN101517751B (zh) 2006-09-14 2007-04-12 光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器
US12/441,312 US7736941B2 (en) 2006-09-14 2007-04-12 Light or radiation detector manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-249736 2006-09-14
JP2006249736A JP4106397B2 (ja) 2006-09-14 2006-09-14 光または放射線検出器の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008032461A1 true WO2008032461A1 (fr) 2008-03-20

Family

ID=39183530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/058064 WO2008032461A1 (fr) 2006-09-14 2007-04-12 Procédé de fabrication d'un détecteur de lumière ou de rayonnement, et détecteur de lumière ou de rayonnement

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7736941B2 (ja)
JP (1) JP4106397B2 (ja)
CN (1) CN101517751B (ja)
WO (1) WO2008032461A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010052676A2 (en) * 2008-11-10 2010-05-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Converter element for a radiation detector
JP4835710B2 (ja) * 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5610798B2 (ja) * 2010-03-12 2014-10-22 キヤノン株式会社 シンチレータの製造方法
CN102859691B (zh) * 2010-04-07 2015-06-10 株式会社岛津制作所 放射线检测器及其制造方法
CN102332479A (zh) * 2010-07-13 2012-01-25 李硕 叠层薄膜太阳能电池
GB201021112D0 (en) 2010-12-13 2011-01-26 Ntnu Technology Transfer As Nanowires
CN103443653B (zh) * 2011-04-01 2015-09-23 株式会社岛津制作所 辐射线检测器的制造方法以及辐射线检测器
JPWO2013088625A1 (ja) * 2011-12-16 2015-04-27 株式会社島津製作所 放射線検出器の製造方法
JP5664798B2 (ja) * 2011-12-16 2015-02-04 株式会社島津製作所 放射線検出器とその製造方法
JP5895650B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-30 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
GB201211038D0 (en) 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
CN104164649A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 朱兴华 大面积碘化铅厚膜的制备方法及其实施设备
GB201311101D0 (en) 2013-06-21 2013-08-07 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Semiconducting Films
JP6163936B2 (ja) * 2013-07-22 2017-07-19 株式会社島津製作所 二次元放射線検出器の製造方法
DE102014114575A1 (de) 2014-06-23 2015-12-24 Von Ardenne Gmbh Transportvorrichtung, Prozessieranordnung und Beschichtungsverfahren
ES2901111T3 (es) 2015-07-13 2022-03-21 Crayonano As Diodos emisores de luz y fotodetectores en forma de nanohilos/nanopirámides
ES2821019T3 (es) 2015-07-13 2021-04-23 Crayonano As Nanocables o nanopirámides cultivados sobre un sustrato grafítico
EP3329509A1 (en) 2015-07-31 2018-06-06 Crayonano AS Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates
US11504079B2 (en) 2016-11-30 2022-11-22 The Research Foundation For The State University Of New York Hybrid active matrix flat panel detector system and method
US10651334B2 (en) * 2017-02-14 2020-05-12 International Business Machines Corporation Semitransparent chalcogen solar cell
GB201703196D0 (en) * 2017-02-28 2017-04-12 Univ Of Sussex X-ray and gammay-ray photodiode
GB201705755D0 (en) 2017-04-10 2017-05-24 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Nanostructure
CN110230039B (zh) * 2019-07-02 2020-07-10 中南大学 一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878707A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Japan Energy Corp 太陽電池の製造方法
JPH10303441A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Matsushita Denchi Kogyo Kk 太陽電池及びその製造方法
JPH1174551A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Matsushita Denchi Kogyo Kk 硫化物半導体膜の製造方法および太陽電池
JPH11152564A (ja) * 1997-11-17 1999-06-08 Murata Mfg Co Ltd プリスパッタ方法および装置
JP2000307091A (ja) * 1999-04-19 2000-11-02 Sharp Corp 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法
JP2000357810A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Matsushita Battery Industrial Co Ltd テルル化カドミウム膜の製造方法および太陽電池
JP2001102602A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Shimadzu Corp アレイ型検出装置、およびその製造方法
JP2004138472A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 放射線検出素子、放射線検出装置、放射線ｃｔ装置及び放射線検査装置
JP2005127730A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル
JP2005298894A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fujitsu Ltd ターゲットのクリーニング方法及び物理的堆積装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997045880A1 (en) 1996-05-28 1997-12-04 Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. METHOD FOR FORMING CdTe FILM AND SOLAR BATTERY USING THE FILM
US7223989B2 (en) 2003-10-21 2007-05-29 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image conversion panel

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878707A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Japan Energy Corp 太陽電池の製造方法
JPH10303441A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Matsushita Denchi Kogyo Kk 太陽電池及びその製造方法
JPH1174551A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Matsushita Denchi Kogyo Kk 硫化物半導体膜の製造方法および太陽電池
JPH11152564A (ja) * 1997-11-17 1999-06-08 Murata Mfg Co Ltd プリスパッタ方法および装置
JP2000307091A (ja) * 1999-04-19 2000-11-02 Sharp Corp 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法
JP2000357810A (ja) * 1999-06-16 2000-12-26 Matsushita Battery Industrial Co Ltd テルル化カドミウム膜の製造方法および太陽電池
JP2001102602A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Shimadzu Corp アレイ型検出装置、およびその製造方法
JP2004138472A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 放射線検出素子、放射線検出装置、放射線ｃｔ装置及び放射線検査装置
JP2005127730A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル
JP2005298894A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fujitsu Ltd ターゲットのクリーニング方法及び物理的堆積装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008071961A (ja) 2008-03-27
US20100029037A1 (en) 2010-02-04
US7736941B2 (en) 2010-06-15
CN101517751A (zh) 2009-08-26
CN101517751B (zh) 2011-12-07
JP4106397B2 (ja) 2008-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4106397B2 (ja) 光または放射線検出器の製造方法
JP4269653B2 (ja) 放射線検出器の製造方法
JP5423880B2 (ja) 放射線検出器およびそれを製造する方法
JP4547760B2 (ja) 放射線検出器および放射線撮像装置
US9075150B2 (en) Radiographic detector formed on scintillator
US8405037B2 (en) Radiation detector manufacturing method, a radiation detector, and a radiographic apparatus
JP3792433B2 (ja) 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法
KR100598577B1 (ko) 방사선 검출기
US7420178B2 (en) Radiation detector and radiation imaging device equipped with the same
JP5567671B2 (ja) 放射線検出器の製造方法
JP4092825B2 (ja) アレイ型検出装置、およびその製造方法
JP2007093257A (ja) 放射線検出器
US20100163741A1 (en) Radiation detector
WO2012004913A1 (ja) 放射線検出器およびそれを製造する方法
JP2007235039A (ja) 放射線検出器の製造方法
JP2005019543A (ja) 二次元半導体検出器および二次元撮像装置
Izumi et al. Solid-state X-ray Imagers
JP5621919B2 (ja) 放射線検出器の製造方法および放射線検出器
JP2012194046A (ja) 放射線検出器の製造方法
JP2014211383A (ja) 放射線検出器

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780034287.8

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07741500

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12441312

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07741500

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)