JP2008071961A - 光または放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体を形成する際に、ダミー基板Dに所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板Dから支持基板であるグラファイト基板Gに交換して、そのグラファイト基板Gに半導体を蒸着によって引き続き形成する。ダミー基板Gに所定厚みの半導体を蒸着によって形成する際は初期状態なので、本来であれば形成される不良膜がダミー基板Dに形成される。その後に、交換されたグラファイト基板Gには初期状態でない半導体が形成されるので、従来よりも高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる。また、このようにして製造された半導体は、少なくとも厚み方向に連続的に形成されたものとなる。
【選択図】図3
Description
中井康雄著 「薄膜の作製・評価とその応用技術ハンドブック」, フジテクノシステム, p.250
すなわち、この発明の光または放射線検出器の製造方法は、光または放射線の入射により電荷を生成する半導体と、その半導体を積層形成するために支持する支持基板とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成することを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る直接変換型のフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」と略記する)の概略断面図であり、図2は、フラットパネル型X線検出器(FPD)のアクティブマトリックス基板の等価回路を示すブロック図である。本実施例では、放射線検出器としてフラットパネル型X線検出器(FPD)を例に採って説明する。
13 … (放射線感応型の)半導体
20 … アクティブマトリックス基板
22 … 電荷蓄積容量素子
23 … TFT(薄膜電界効果トランジスタ)素子
26 … ゲート線
27 … データ線
すなわち、この発明の光または放射線検出器の製造方法は、光または放射線の入射により電荷を生成する多結晶の半導体膜と、その半導体膜を積層形成するために支持する支持基板とを備え、少なくとも前記半導体膜の厚み方向に結晶粒が連続的に形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体膜を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体膜を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体膜を蒸着によって引き続き形成することを特徴とするものである。
すなわち、この発明の光または放射線検出器の製造方法は、光または放射線の入射により電荷を生成する多結晶の半導体膜と、その半導体膜を積層形成するために支持する支持基板とを備え、前記半導体膜の結晶粒が厚み方向に結晶粒界が存在しないように連続的に形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体膜を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体膜を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体膜を蒸着によって引き続き形成することを特徴とするものである。
すなわち、この発明の光または放射線検出器の製造方法は、光または放射線の入射により電荷を生成する多結晶の半導体膜と、その半導体膜を積層形成するために支持する支持基板とを備え、前記半導体膜の結晶粒が厚み方向に結晶粒界が存在しないように連続的に形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体膜を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体膜を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体膜を蒸着によって引き続き形成し、かつ、蒸着源と、前記支持基板またはダミー基板とを近接させて、その基板の表面に前記蒸着源の昇華物を堆積させる近接昇華法によって、前記支持基板に形成されるべき前記半導体膜または前記ダミー基板に形成されるべき前記半導体膜を形成することを特徴とするものである。
この発明では、このような蒸着する手法の中でも、蒸着源と、支持基板またはダミー基板とを近接させて、その基板の表面に蒸着源の昇華物を堆積させる近接昇華法を採用している。すなわち、近接昇華法の場合には、支持基板またはダミー基板に半導体膜が形成される。この近接昇華法では蒸着源が近接にあるので、比較的に容易に大面積の半導体膜を形成することができる。
さらに、蒸着源と、支持基板またはダミー基板とを近接させて、その基板の表面に蒸着源の昇華物を堆積させる近接昇華法を採用しており、近接昇華法の場合には、支持基板またはダミー基板に半導体膜が形成される。この近接昇華法では蒸着源が近接にあるので、比較的に容易に大面積の半導体膜を形成することができる。
Claims (7)
- 光または放射線の入射により電荷を生成する半導体と、その半導体を積層形成するために支持する支持基板とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に形成された光または放射線検出器を製造する製造方法であって、前記半導体を形成する際に、ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から前記支持基板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成することを特徴とする光または放射線検出器の製造方法。
- 請求項1に記載の光または放射線検出器の製造方法において、前記蒸着源と前記半導体を表面に形成させる対象物とを近接させて、その対象物の表面に蒸着源の昇華物による半導体を形成する近接昇華法によって、半導体を形成することを特徴とする光または放射線検出器の製造方法。
- ダミー基板に所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板から支持基板に交換して、その支持基板に半導体を蒸着によって引き続き形成することで製造された光または放射線検出器であって、光または放射線の入射により電荷を生成する前記半導体と、その半導体を積層形成するために支持する前記支持基板とを備え、少なくともその厚み方向に半導体が連続的に形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。
- 請求項3に記載の光または放射線検出器において、前記厚み方向に直交する横方向にも前記半導体は連続的に形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。
- 請求項3に記載の光または放射線検出器において、前記厚み方向に直交する横方向に前記半導体は粒界によって断続的に形成されていることを特徴とする光または放射線検出器。
- 請求項3から請求項5のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前記半導体によって生成された電荷を蓄積する電荷蓄積容量素子と、蓄積された電荷をスイッチングによって読み出すスイッチング素子と、スイッチング素子にそれぞれ接続された電極配線とを有したアクティブマトリックス基板とを備え、前記電極配線、スイッチング素子および電荷蓄積容量素子を2次元状マトリックス配列で設定することを特徴とする光または放射線検出器。
- 請求項3から請求項6のいずれかに記載の光または放射線検出器において、前記半導体を、CdTe,ZnTe,HgI2,PbI2,PbO,BiI3,TlBr,Se,Si,GaAs,InP、もしくはこれらを含む混合の結晶物で形成することを特徴とする光または放射線検出器。
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