JP2015023203A - 二次元放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、本発明に係る二次元放射線検出器の製造方法は、バイアス電圧印加用の共通電極と入射された電磁波を電荷に変換する変換層とを積層させて積層体を形成させる変換層形成工程と、前記変換層形成工程の後に、変換層の表面に形成される酸化物を除去させる酸化物除去工程と、前記酸化物除去工程の後に、変換層への正孔の注入を阻止する正孔阻止層を、酸化物が除去された変換層の表面に対して積層させて対向基板を形成させる阻止層形成工程と、前記阻止層形成工程の後に、対向基板とアクティブマトリックス基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程とを備えることを特徴とするものである。
実施例に係るFPD1は、図1に示すように、X線検出マトリクス3と、ゲートドライバ5と、増幅器7と、AD変換器9とを備えている。このFPD1の後段には、画像処理装置11と、画像表示装置13とが接続される。X線検出マトリクス3は、ゲート配線15を介してゲートドライバ5に接続されており、信号線17を介して増幅器7に接続されている。
次に、図2を参照してFPD1の動作について説明する。まず、符号xで示される方向から、被検体を透過したX線がFPD1を構成するX線検出画素19に対して放射される。そして変換層23において、電磁波情報であるX線は電気情報である電荷に変換される。共通電極層21にはバイアス電圧が印加されているので、変換層23において変換された電荷は、発生した電場に誘導されて各々の画素電極25によって収集され、各々のコンデンサ29に蓄積される。
まず、図4(a)に示すように、導電性グラファイト基板で構成される共通電極21に対して、ZnTeからなる電子阻止層35を積層形成させる。電子阻止層35の形成には、例えば近接昇華法が用いられる。そして、電子阻止層35が形成された共通電極21に対して、図4(b)に示すように、CdZnTeの多結晶膜からなる変換層23を形成させる。変換層23の形成には、例えば近接昇華法が用いられる。変換層23の形成後、図4(c)に示すように、変換層23の表面に対して平坦化処理を行う。平坦化処理には、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)などを用いる。平坦化処理を行った時点で変換層形成工程は終了する。なお、変換層形成工程によって形成された、共通電極21、電子阻止層35、および変換層23からなる構成物を積層体39とする。
そこで変換層形成工程の終了後、平坦化処理が行われた変換層23の研磨表面に対して酸化物除去工程を行う。まず図5(b)に示すように、変換層23の研磨表面を除く積層体39の表面を、反応防止膜43で被覆させる。反応防止膜43として、例えばフッ素系樹脂などが用いられる。反応防止膜で被覆させることにより、変換層23の研磨表面を覆うTe酸化物層41のみに対して酸化物除去工程に係る反応を行わせることができる。次に図5(c)に示すように、第1の処理槽45中の臭素メタノール溶液47に積層体39を浸漬させる。臭素メタノール溶液47における臭素の含有率は、重量比にして0.1%以上10%以下である。浸漬を行う規定時間は、例えば2分間である。なお、臭素メタノールの温度は15℃以上18℃以下であることが好ましい。臭素メタノール溶液47に浸漬させることで、変換層23の研磨表面に存在するTe酸化物層41は除去される。積層体39を臭素メタノール溶液47に対して規定時間浸漬させることによって、酸化物除去工程は終了する。
酸化物除去工程の終了後、臭素メタノールとの反応によって生成したTeの臭化物が残存している。CdZnTe膜と,正孔阻止層の界面にTe臭化物のような不純物が存在すると,発生するリーク電流がより増大するという問題が発生する。
阻止層形成工程は、洗浄工程の終了と同時に行われる。すなわち、Te酸化物層41が除去された変換層23の研磨表面に対して、溶液成長法を用いて正孔阻止層37を形成させる。溶液成長法では、溶液の温度が制御可能な循環槽を用いて正孔阻止層37の形成が行われる。図6(b)に示すように、循環槽53中の溶液55を循環させて溶液55の温度を規定の温度を保つように制御させる。そして、メタノールで洗浄した積層体39を循環槽53中の溶液55に浸漬させる。溶液55に積層体39を規定時間浸漬させることにより、溶液55からのZnSの結晶化が開始される。結晶化されたZnSは、変換層23の研磨表面において成長していき、正孔阻止層37として変換層23の研磨表面上に形成されていく。規定時間は例えば60分間である。積層体39を規定時間、溶液55に浸漬させることにより、正孔阻止層37は、例えば200nmの厚さに成膜される。そして、正孔阻止層37が成膜された積層体39を循環槽53から引き上げて反応防止膜43を除き、水洗、および乾燥を行う。積層体39を乾燥させることにより、阻止層形成工程は終了する。なお、阻止層形成工程によって正孔阻止層37が成膜された積層体39を、対向基板57とする。
阻止層形成工程の終了後、貼り合わせ工程が行われる。すなわち、対向基板57をアクティブマトリックス基板27と貼り合わせる。アクティブマトリックス基板27は図7に示すように、ゲート線15、データ線17、画素電極25、コンデンサ29、スイッチング素子31、および出力電極33などをガラス基板59にパターン形成させることによって構成されている。パターン形成を行う方法として、例えばスクリーン印刷などが用いられる。そして、パターン形成されたアクティブマトリックス基板27の入射側に、阻止層形成工程によって形成された対向基板57を配置し、それぞれ矢印で示す方向から加圧保持させる。加圧保持によって対向基板57とアクティブマトリックス基板27は画素電極25を介して貼り合わされ、FPD1が製造される。
21 …共通電極
23 …変換層
25 …画素電極
27 …アクティブマトリックス基板
35 …電子阻止層
37 …正孔阻止層
39 …積層体
41 …Te酸化物層
57 …対向基板
59 …ガラス基板
Claims (7)
- バイアス電圧印加用の共通電極と入射された電磁波を電荷に変換する変換層とを積層させて積層体を形成させる変換層形成工程と、
前記変換層形成工程の後に、変換層の表面に形成される酸化物を除去させる酸化物除去工程と、
前記酸化物除去工程の後に、変換層への正孔の注入を阻止する正孔阻止層を、酸化物が除去された変換層の表面に対して積層させて対向基板を形成させる阻止層形成工程と、
前記阻止層形成工程の後に、対向基板とアクティブマトリックス基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程とを備える二次元放射線検出器の製造方法。 - 請求項1に記載の二次元放射線検出器の製造方法において、
前記酸化物除去工程は積層体を臭素メタノール溶液で処理することによって行われ、前記酸化物除去工程の後に積層体をメタノールで洗浄する洗浄工程をさらに備える二次元放射線検出器の製造方法。 - 請求項2に記載の二次元放射線検出器の製造方法において、
前記酸化物除去工程に用いられる臭素メタノール溶液は、メタノールに対する臭素の含有率が、重量比で0.1%以上10%以下である二次元放射線検出器の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の二次元放射線検出器の製造方法において、
変換層を構成する材料は、CdTeまたはCdZnTeのいずれかである二次元放射線検出器の製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の二次元放射線検出器の製造方法において、
前記阻止層形成工程は、溶液成長法、蒸着法またはスパッタ法のいずれかの方法を用いて行われる二次元放射線検出器の製造方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の二次元放射線検出器の製造方法において、
前記阻止層形成工程において形成される正孔阻止層を構成する材料は、ZnSまたはCdSのいずれかである二次元放射線検出器の製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の二次元放射線検出器の製造方法において、
前記変換層形成工程は、バイアス電圧印加用の共通電極と、電子の注入を阻止する電子阻止層と、入射された電磁波を電荷に変換する変換層とを積層させて積層体を形成させる二次元放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2015023203A true JP2015023203A (ja) | 2015-02-02 |
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