JPH10303441A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10303441A JPH10303441A JP9110728A JP11072897A JPH10303441A JP H10303441 A JPH10303441 A JP H10303441A JP 9110728 A JP9110728 A JP 9110728A JP 11072897 A JP11072897 A JP 11072897A JP H10303441 A JPH10303441 A JP H10303441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor material
- cdte
- thin film
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接昇華法を用いて作製する太陽電池におい
て、ソースはＣｄＴｅ粉末を皿状の容器に敷きつめたも
のであった。このソースに太陽電池特性を向上させるた
めにドーパントを混入させる場合、均一にソース中から
形成膜に取り込まれにくく、性能向上の妨げとなってい
た。また、前記ソースを用いて連続してＣｄＴｅ製膜を
行うと、ソースの経時変化により、性能のバラツキが大
きかった。本発明は、ソースへ均一にドーパントを混入
することにより、変換効率の向上と安定を目的とする。 【解決手段】 テルル化カドミウム粉および／あるいは
カドミウム粉とテルル粉に塩化カドミウムを０．１〜
１．７５重量％混合して作製したペーストを、耐熱性の
プレート上に印刷し近接昇華法におけるソース基板９と
し、近接昇華法における製膜基板８上にＣｄＴｅ膜を形
成する。これにより、変換効率が高く、特性が安定した
太陽電池が得られる。
て、ソースはＣｄＴｅ粉末を皿状の容器に敷きつめたも
のであった。このソースに太陽電池特性を向上させるた
めにドーパントを混入させる場合、均一にソース中から
形成膜に取り込まれにくく、性能向上の妨げとなってい
た。また、前記ソースを用いて連続してＣｄＴｅ製膜を
行うと、ソースの経時変化により、性能のバラツキが大
きかった。本発明は、ソースへ均一にドーパントを混入
することにより、変換効率の向上と安定を目的とする。 【解決手段】 テルル化カドミウム粉および／あるいは
カドミウム粉とテルル粉に塩化カドミウムを０．１〜
１．７５重量％混合して作製したペーストを、耐熱性の
プレート上に印刷し近接昇華法におけるソース基板９と
し、近接昇華法における製膜基板８上にＣｄＴｅ膜を形
成する。これにより、変換効率が高く、特性が安定した
太陽電池が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池、特に硫
化カドミウム／テルル化カドミウム太陽電池とその製造
方法に関する。
化カドミウム／テルル化カドミウム太陽電池とその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近接昇華法（ＣＳＳ法）は、テルル化カ
ドミウム（以下ＣｄＴｅと記す）系太陽電池のＣｄＴｅ
製膜法としてよく用いられており、また同系の世界最高
である１５．８％の変換効率の太陽電池も前記法で得ら
れたＣｄＴｅ膜を用いている。近接昇華法は、半導体材
料（以下ソースと記す）のＣｄＴｅに対して僅かな空隙
を挟んで置いた基板上に、主に減圧の不活性ガス雰囲気
中でソース温度を基板温度より高く加熱し、基板上に昇
華したＣｄＴｅを析出させる方法である。上記近接昇華
法については、T. L. Chu らによってThe Conference R
e-cord of the 22nd IEEE Photovoltaic Specialists C
onference (1991) Vol.2, p952-956などで技術開示され
ている。この文献中には、ソース材料として市販の５Ｎ
の純度のＣｄＴｅ多結晶もしくは構成元素とドーパント
を直接合成させたＣｄＴｅ多結晶を適当なホルダーにセ
ットすることが記述されている。この製膜法の最大の特
徴は、結晶性の良好なＣｄＴｅ膜が得られることであ
る。
ドミウム（以下ＣｄＴｅと記す）系太陽電池のＣｄＴｅ
製膜法としてよく用いられており、また同系の世界最高
である１５．８％の変換効率の太陽電池も前記法で得ら
れたＣｄＴｅ膜を用いている。近接昇華法は、半導体材
料（以下ソースと記す）のＣｄＴｅに対して僅かな空隙
を挟んで置いた基板上に、主に減圧の不活性ガス雰囲気
中でソース温度を基板温度より高く加熱し、基板上に昇
華したＣｄＴｅを析出させる方法である。上記近接昇華
法については、T. L. Chu らによってThe Conference R
e-cord of the 22nd IEEE Photovoltaic Specialists C
onference (1991) Vol.2, p952-956などで技術開示され
ている。この文献中には、ソース材料として市販の５Ｎ
の純度のＣｄＴｅ多結晶もしくは構成元素とドーパント
を直接合成させたＣｄＴｅ多結晶を適当なホルダーにセ
ットすることが記述されている。この製膜法の最大の特
徴は、結晶性の良好なＣｄＴｅ膜が得られることであ
る。
【０００３】また、Ｃｄ粉末とＴｅ粉末に塩化カドミウ
ムを添加してペーストを作製し、ＣｄＳもしくはそれを
含む化合物半導体の焼結膜上にスクリーン印刷し、不活
性雰囲気中において焼成してＣｄＴｅ焼結膜を形成する
塗布・焼結法が、特開昭５８−１１８１６７号公報に示
されている。
ムを添加してペーストを作製し、ＣｄＳもしくはそれを
含む化合物半導体の焼結膜上にスクリーン印刷し、不活
性雰囲気中において焼成してＣｄＴｅ焼結膜を形成する
塗布・焼結法が、特開昭５８−１１８１６７号公報に示
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、上記のように近
接昇華法においては、ソースとしてＣｄＴｅ粉末を皿状
の容器に高密度に敷き詰めたものを用いるのが一般的で
あった。しかしながらＣｄＴｅ粉末を皿状の容器に入
れ、何度も製膜を行った場合、製膜を行うごとに材料が
変質し、作製した太陽電池の性能にバラツキが生じ、ま
たソースの管理も困難であるという問題があった。特
に、太陽電池性能の向上の為にソース中にドーパントを
混入させる場合、均一にソース中から形成膜に取り込ま
れにくく、性能のバラツキの要因であると共に性能向上
の妨げとなっていた。
接昇華法においては、ソースとしてＣｄＴｅ粉末を皿状
の容器に高密度に敷き詰めたものを用いるのが一般的で
あった。しかしながらＣｄＴｅ粉末を皿状の容器に入
れ、何度も製膜を行った場合、製膜を行うごとに材料が
変質し、作製した太陽電池の性能にバラツキが生じ、ま
たソースの管理も困難であるという問題があった。特
に、太陽電池性能の向上の為にソース中にドーパントを
混入させる場合、均一にソース中から形成膜に取り込ま
れにくく、性能のバラツキの要因であると共に性能向上
の妨げとなっていた。
【０００５】本発明は、近接昇華法のソースとして塩化
カドミウムを混合したペーストを印刷した膜を用いるこ
とにより、太陽電池の変換効率の向上と安定性を目的と
する。
カドミウムを混合したペーストを印刷した膜を用いるこ
とにより、太陽電池の変換効率の向上と安定性を目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の太陽電池は、近接昇華法の半導体材料膜と
して、半導体材料であるソースに０．１〜１．７５重量
％の塩化カドミウムを混合してペーストを作製し、耐熱
性のプレート上に印刷した膜を用いたものである。
に、本発明の太陽電池は、近接昇華法の半導体材料膜と
して、半導体材料であるソースに０．１〜１．７５重量
％の塩化カドミウムを混合してペーストを作製し、耐熱
性のプレート上に印刷した膜を用いたものである。
【０００７】これにより、近接昇華法により製膜された
ＣｄＴｅ膜の結晶性が向上し、変換効率の高い太陽電池
が得られる。また、ソースの使用回数による太陽電池性
能のバラツキも低減され、安定した性能の太陽電池を得
ることができる。さらに、ＣｄＴｅ粉より遥かに低コス
トなカドミウムとテルルを粉砕して得られた粉砕粉をソ
ースとして用いることにより、低コストな太陽電池の作
製が可能である。
ＣｄＴｅ膜の結晶性が向上し、変換効率の高い太陽電池
が得られる。また、ソースの使用回数による太陽電池性
能のバラツキも低減され、安定した性能の太陽電池を得
ることができる。さらに、ＣｄＴｅ粉より遥かに低コス
トなカドミウムとテルルを粉砕して得られた粉砕粉をソ
ースとして用いることにより、低コストな太陽電池の作
製が可能である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、半導体材料膜と薄膜形成用基板を空隙を挟んで近接
させて対向配置し、前記半導体材料を前記薄膜形成用基
板よりも高温に加熱することにより基板上へテルル化カ
ドミウム薄膜を形成する太陽電池の製造方法において、
前記半導体材料膜は半導体材料に塩化カドミウムを０．
１〜１．７５重量％混合して作製したペーストを、耐熱
性のプレート上に印刷した膜である太陽電池の製造方法
である。半導体材料に塩化カドミウムを添加することに
よりＣｄＴｅ膜の結晶性が向上し、またＣｄＴｅ粒径が
増大することにより、変換効率の高い太陽電池が製造可
能である。結晶性の向上は、テルルの欠陥に塩素が置換
し、ＣｄＴｅの結晶性を向上させているものと考えられ
る。さらに塩化カドミウムをペースト中に混合して印刷
して半導体材料膜とし、１回の製膜ごとに交換するた
め、塩化カドミウムがＣｄＴｅ中に均一に分散され、ソ
ースの使用回数や作製条件による膜質のバラツキが低減
される。塩化カドミウムの添加量は、０．１重量％以下
では太陽電池の性能に添加効果がなく、また１．７５重
量％以上では性能が低下してしまうため、０．１重量％
以上１．７５重量％以下がよい。さらに好ましくは、太
陽電池の性能が著しく向上する０．３重量％以上１．０
重量％以下である。
は、半導体材料膜と薄膜形成用基板を空隙を挟んで近接
させて対向配置し、前記半導体材料を前記薄膜形成用基
板よりも高温に加熱することにより基板上へテルル化カ
ドミウム薄膜を形成する太陽電池の製造方法において、
前記半導体材料膜は半導体材料に塩化カドミウムを０．
１〜１．７５重量％混合して作製したペーストを、耐熱
性のプレート上に印刷した膜である太陽電池の製造方法
である。半導体材料に塩化カドミウムを添加することに
よりＣｄＴｅ膜の結晶性が向上し、またＣｄＴｅ粒径が
増大することにより、変換効率の高い太陽電池が製造可
能である。結晶性の向上は、テルルの欠陥に塩素が置換
し、ＣｄＴｅの結晶性を向上させているものと考えられ
る。さらに塩化カドミウムをペースト中に混合して印刷
して半導体材料膜とし、１回の製膜ごとに交換するた
め、塩化カドミウムがＣｄＴｅ中に均一に分散され、ソ
ースの使用回数や作製条件による膜質のバラツキが低減
される。塩化カドミウムの添加量は、０．１重量％以下
では太陽電池の性能に添加効果がなく、また１．７５重
量％以上では性能が低下してしまうため、０．１重量％
以上１．７５重量％以下がよい。さらに好ましくは、太
陽電池の性能が著しく向上する０．３重量％以上１．０
重量％以下である。
【０００９】請求項２に記載の発明は、半導体材料とし
てテルルとカドミウムを粉砕して得られた粉砕粉を用い
るものである。半導体材料をテルル化カドミウムに対し
て遥かに低コストなテルルとカドミウムとすることで、
低コストな太陽電池が作製できる。
てテルルとカドミウムを粉砕して得られた粉砕粉を用い
るものである。半導体材料をテルル化カドミウムに対し
て遥かに低コストなテルルとカドミウムとすることで、
低コストな太陽電池が作製できる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、透明導電膜と硫
化カドミウムからなる半導体が予め形成された薄膜形成
用基板上に請求項１あるいは２いずれかに記載の方法に
よりテルル化カドミウムからなる半導体膜を形成し構成
した太陽電池である。塩化カドミウムの添加によりＣｄ
Ｔｅ膜の結晶性が改善され、またＣｄＴｅ粒径が増大す
ることにより、太陽電池の変換効率が向上する。さら
に、塩化カドミウムをペースト中に混合して印刷して半
導体材料膜とし、１回の製膜ごとに交換するにより、塩
化カドミウムがＣｄＴｅ中に均一に分散され、ソースの
使用回数や作製条件による太陽電池性能のバラツキが低
減される。
化カドミウムからなる半導体が予め形成された薄膜形成
用基板上に請求項１あるいは２いずれかに記載の方法に
よりテルル化カドミウムからなる半導体膜を形成し構成
した太陽電池である。塩化カドミウムの添加によりＣｄ
Ｔｅ膜の結晶性が改善され、またＣｄＴｅ粒径が増大す
ることにより、太陽電池の変換効率が向上する。さら
に、塩化カドミウムをペースト中に混合して印刷して半
導体材料膜とし、１回の製膜ごとに交換するにより、塩
化カドミウムがＣｄＴｅ中に均一に分散され、ソースの
使用回数や作製条件による太陽電池性能のバラツキが低
減される。
【００１１】以下、本発明の実施の形態について、図１
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１に本発明の近接昇華法における半
導体材料膜塗布基板と薄膜形成用基板の配置断面図を示
す。この図を用いて本発明の太陽電池の製造方法を説明
する。図において硼珪酸ガラス、低アルカリガラス、白
板ガラス又はソーダライムガラス等のガラス基板１の表
面に化学気相成長法（ＣＶＤ法）またはスパッタ法によ
り１０００〜１００００Å厚さの酸化錫膜または酸化イ
ンジウム錫膜（ＩＴＯ膜）等の透明導電膜２を形成す
る。このとき、ガラス基板１と透明導電膜２の間にガラ
スからのアルカリ分の拡散を防止するために、シリカ膜
（ＳｉＯ2膜）を形成することもある。透明導電膜２上
にｎ型半導体として有機金属錯体（ＭＯ）材料を透明導
電膜２上で熱分解する方法により５００〜２０００Åの
厚さの硫化カドミウム膜３を形成し、これを近接昇華法
における薄膜形成用基板４とする。
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１に本発明の近接昇華法における半
導体材料膜塗布基板と薄膜形成用基板の配置断面図を示
す。この図を用いて本発明の太陽電池の製造方法を説明
する。図において硼珪酸ガラス、低アルカリガラス、白
板ガラス又はソーダライムガラス等のガラス基板１の表
面に化学気相成長法（ＣＶＤ法）またはスパッタ法によ
り１０００〜１００００Å厚さの酸化錫膜または酸化イ
ンジウム錫膜（ＩＴＯ膜）等の透明導電膜２を形成す
る。このとき、ガラス基板１と透明導電膜２の間にガラ
スからのアルカリ分の拡散を防止するために、シリカ膜
（ＳｉＯ2膜）を形成することもある。透明導電膜２上
にｎ型半導体として有機金属錯体（ＭＯ）材料を透明導
電膜２上で熱分解する方法により５００〜２０００Åの
厚さの硫化カドミウム膜３を形成し、これを近接昇華法
における薄膜形成用基板４とする。
【００１２】次に、半導体材料としてＣｄＴｅ粉を用
い、これに塩化カドミウムを添加してペーストを作製す
る。このペーストを耐熱性のプレート５上に印刷、乾燥
し半導体材料膜６を形成したものを半導体材料膜塗布基
板７とし、薄膜形成用基板４との間にスペーサー８を用
いて空隙を挟んで近接して対向させる。薄膜形成用基板
４温度を４００〜６５０℃、半導体材料膜塗布基板７を
薄膜形成用基板４温度に対して５〜１００℃高い温度に
保持し、雰囲気ガスとしてアルゴンを用い圧力を１Ｔｏ
ｒｒとし、３０秒〜数分間製膜を行うことによって、薄
膜形成用基板４の表面にＣｄＴｅ膜９を形成する。
い、これに塩化カドミウムを添加してペーストを作製す
る。このペーストを耐熱性のプレート５上に印刷、乾燥
し半導体材料膜６を形成したものを半導体材料膜塗布基
板７とし、薄膜形成用基板４との間にスペーサー８を用
いて空隙を挟んで近接して対向させる。薄膜形成用基板
４温度を４００〜６５０℃、半導体材料膜塗布基板７を
薄膜形成用基板４温度に対して５〜１００℃高い温度に
保持し、雰囲気ガスとしてアルゴンを用い圧力を１Ｔｏ
ｒｒとし、３０秒〜数分間製膜を行うことによって、薄
膜形成用基板４の表面にＣｄＴｅ膜９を形成する。
【００１３】ＣｄＴｅ膜形成後、ＣｄＴｅ膜９上に塩化
カドミウムのメタノール飽和溶液あるいは水溶液をコー
トし、メタノールあるいは水を蒸発させた後、４００℃
で３０分間熱処理し、ＣｄＴｅ のグレインを成長させ
る。
カドミウムのメタノール飽和溶液あるいは水溶液をコー
トし、メタノールあるいは水を蒸発させた後、４００℃
で３０分間熱処理し、ＣｄＴｅ のグレインを成長させ
る。
【００１４】さらに、図２に示す構造の太陽電池に構成
する。図１において薄膜形成基板４の上に形成したテル
ル化カドミウム膜９上に炭素粉末と樹脂の有機溶媒溶液
からなる増粘剤とを練合して得られたカーボンペースト
をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥後焼きつけるこ
とによりカーボン電極層１０を形成する。この後、銀と
インジウムとの混合粉末と樹脂の有機溶媒溶液からなる
増粘剤を練合して得られたペーストをスクリーン印刷法
によりＣｄＳ膜３とカーボン電極層１０上に塗布し、乾
燥、焼付けを行い＋側電極１１および−側電極１２と
し、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を作製する。
する。図１において薄膜形成基板４の上に形成したテル
ル化カドミウム膜９上に炭素粉末と樹脂の有機溶媒溶液
からなる増粘剤とを練合して得られたカーボンペースト
をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥後焼きつけるこ
とによりカーボン電極層１０を形成する。この後、銀と
インジウムとの混合粉末と樹脂の有機溶媒溶液からなる
増粘剤を練合して得られたペーストをスクリーン印刷法
によりＣｄＳ膜３とカーボン電極層１０上に塗布し、乾
燥、焼付けを行い＋側電極１１および−側電極１２と
し、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を作製する。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の太陽電池の作製方法の具体例
を説明する。
を説明する。
【００１６】（実施例１）ＣｄＴｅ粉に対する塩化カド
ミウムの添加量を実施の形態１の方法により太陽電池を
構成し検討を行った。半導体材料としてはＣｄＴｅ粉を
用い、塩化カドミウムを０〜２．０重量％添加してペー
ストを作製した。
ミウムの添加量を実施の形態１の方法により太陽電池を
構成し検討を行った。半導体材料としてはＣｄＴｅ粉を
用い、塩化カドミウムを０〜２．０重量％添加してペー
ストを作製した。
【００１７】図３にＣｄＴｅ粉に対する塩化カドミウム
の添加量を重量％で表したものを横軸に、それぞれのソ
ースを用いて作製した太陽電池の真性効率を縦軸とした
グラフを示す。図３より塩化カドミウムの添加量が０．
１重量％以上になると添加しない場合と比較して変換効
率が向上する。また、１．７５重量％以上になると変換
効率が低下するので、塩化カドミウムの添加量は０．１
重量％以上１．７５重量％以下が望ましい。特に、０．
３重量％以上１．０重量％以下で変換効率の向上が著し
く、０．５重量％近傍が最も望ましい。
の添加量を重量％で表したものを横軸に、それぞれのソ
ースを用いて作製した太陽電池の真性効率を縦軸とした
グラフを示す。図３より塩化カドミウムの添加量が０．
１重量％以上になると添加しない場合と比較して変換効
率が向上する。また、１．７５重量％以上になると変換
効率が低下するので、塩化カドミウムの添加量は０．１
重量％以上１．７５重量％以下が望ましい。特に、０．
３重量％以上１．０重量％以下で変換効率の向上が著し
く、０．５重量％近傍が最も望ましい。
【００１８】（実施例２）半導体材料としてＣｄとＴｅ
の単体を出発材料とし、両粉を湿式粉砕して得られた泥
状物を乾燥した粉砕粉に、塩化カドミウムを添加してペ
ーストを作製した以外は実施例１と同様にして太陽電池
を作製した。
の単体を出発材料とし、両粉を湿式粉砕して得られた泥
状物を乾燥した粉砕粉に、塩化カドミウムを添加してペ
ーストを作製した以外は実施例１と同様にして太陽電池
を作製した。
【００１９】図４に粉砕粉に対する塩化カドミウムの添
加量を重量％で表したものを横軸に、に、それぞれのソ
ースを用いて作製した太陽電池の真性効率を縦軸とした
グラフを示す。図４より塩化カドミウムの添加量が０．
１重量％以上になると添加しない場合と比較して変換効
率が向上する。また、１．７５重量％以上になると変換
効率が低下するので、塩化カドミウムの添加量は０．１
重量％以上１．７５重量％以下が望ましい。特に、０．
３重量％以上１．０重量％以下で変換効率の向上が著し
く、０．５重量％近傍が最も望ましい。
加量を重量％で表したものを横軸に、に、それぞれのソ
ースを用いて作製した太陽電池の真性効率を縦軸とした
グラフを示す。図４より塩化カドミウムの添加量が０．
１重量％以上になると添加しない場合と比較して変換効
率が向上する。また、１．７５重量％以上になると変換
効率が低下するので、塩化カドミウムの添加量は０．１
重量％以上１．７５重量％以下が望ましい。特に、０．
３重量％以上１．０重量％以下で変換効率の向上が著し
く、０．５重量％近傍が最も望ましい。
【００２０】（実施例３）実施例１と同様の方法による
太陽電池の作製において、塩化カドミウムを０．５重量
％添加したＣｄＴｅ粉をソースとして用い、ペーストを
塗布して半導体材料膜とし、１回の製膜ごとに交換した
場合の製膜回数における変換効率を（表１）に示す。比
較として従来法のＣｄＴｅ粉末に塩化カドミウムを０．
５重量％添加したものを皿状の容器に高密度に敷き詰め
たものをソースとし、このソースを用いて連続製膜した
太陽電池の製膜回数における変換効率を示す。
太陽電池の作製において、塩化カドミウムを０．５重量
％添加したＣｄＴｅ粉をソースとして用い、ペーストを
塗布して半導体材料膜とし、１回の製膜ごとに交換した
場合の製膜回数における変換効率を（表１）に示す。比
較として従来法のＣｄＴｅ粉末に塩化カドミウムを０．
５重量％添加したものを皿状の容器に高密度に敷き詰め
たものをソースとし、このソースを用いて連続製膜した
太陽電池の製膜回数における変換効率を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】（表１）の結果より、本発明のペーストを
塗布した半導体材料膜を用いたものは、製膜回数に関係
なく安定した特性を示すが、従来法のソースでは製膜回
数が増えるごとに性能が低下していくことが分かる。従
って、本発明の太陽電池では、従来のソースと比較して
太陽電池特性の安定性が向上した。
塗布した半導体材料膜を用いたものは、製膜回数に関係
なく安定した特性を示すが、従来法のソースでは製膜回
数が増えるごとに性能が低下していくことが分かる。従
って、本発明の太陽電池では、従来のソースと比較して
太陽電池特性の安定性が向上した。
【００２３】なお、本実施例ではｎ型半導体としてＣｄ
Ｓについて説明したが、ＣｄＺｎＳを用いた場合でも同
様の効果が得られる。
Ｓについて説明したが、ＣｄＺｎＳを用いた場合でも同
様の効果が得られる。
【００２４】また、雰囲気の不活性ガスとしてアルゴン
を用いた場合について説明したが、窒素等の不活性ガス
または水素あるいはヘリウムガスについても同様の効果
が得られ、圧力についても２気圧以下での製膜において
は同様の効果が得られる。
を用いた場合について説明したが、窒素等の不活性ガス
または水素あるいはヘリウムガスについても同様の効果
が得られ、圧力についても２気圧以下での製膜において
は同様の効果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、太陽電池
の変換効率が向上し、製造コストが低減され、特性の安
定した太陽電池を作製することが可能であるという有利
な効果が得られる。
の変換効率が向上し、製造コストが低減され、特性の安
定した太陽電池を作製することが可能であるという有利
な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の近接昇華法における基板の配置図
【図２】本発明の太陽電池の構造断面図
【図３】塩化カドミウムの添加量に対する変換効率の関
係を示す図
係を示す図
【図４】塩化カドミウムの添加量に対する変換効率の関
係を示す図
係を示す図
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 硫化カドミウム膜 ４ 薄膜形成用基板 ５ プレート ６ 半導体材料膜 ７ 半導体材料膜塗布基板 ８ スペーサ ９ テルル化カドミウム膜 １０ カーボン電極 １１ ＋側電極 １２ −側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室園 幹夫 大阪府守口市松下町１番１号 松下電池工 業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体材料膜と薄膜形成用基板を空隙を
挟んで近接させて対向配置し、前記半導体材料を前記薄
膜形成用基板よりも高温に加熱することにより基板上へ
テルル化カドミウム薄膜を形成する太陽電池の製造方法
において、前記半導体材料膜は半導体材料に塩化カドミ
ウムを０．１〜１．７５重量％混合して作製したペース
トを、耐熱性のプレート上に印刷した膜である太陽電池
の製造方法。 - 【請求項２】 半導体材料はテルルとカドミウムを粉砕
して得られた粉砕粉である請求項１記載の太陽電池の製
造方法。 - 【請求項３】 透明導電膜と硫化カドミウムからなる半
導体が予め形成された薄膜形成用基板上に請求項１ある
いは２いずれかに記載の方法によりテルル化カドミウム
からなる半導体膜を形成し構成した太陽電池。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110728A JPH10303441A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 太陽電池及びその製造方法 |
| DE69727655T DE69727655T2 (de) | 1996-05-28 | 1997-05-27 | Verfahren zur herstellung einer cdte-schicht |
| PCT/JP1997/001791 WO1997045880A1 (en) | 1996-05-28 | 1997-05-27 | METHOD FOR FORMING CdTe FILM AND SOLAR BATTERY USING THE FILM |
| EP97922196A EP0853345B1 (en) | 1996-05-28 | 1997-05-27 | METHOD FOR FORMING CdTe FILM |
| US09/000,089 US5994642A (en) | 1996-05-28 | 1997-05-27 | Method for preparing CdTe film and solar cell using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110728A JPH10303441A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303441A true JPH10303441A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14543003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9110728A Pending JPH10303441A (ja) | 1996-05-28 | 1997-04-28 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303441A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032461A1 (fr) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Shimadzu Corporation | Procédé de fabrication d'un détecteur de lumière ou de rayonnement, et détecteur de lumière ou de rayonnement |
| EP2244294A1 (en) * | 2008-02-12 | 2010-10-27 | Shimadzu Corporation | Method for manufacturing radiation detector, radiation detector, and radiation image pickup device |
| KR101528382B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2015-06-12 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 단면 후면 컨택 태양 전지용 유전성 코팅물 |
| JP2021510011A (ja) * | 2018-03-13 | 2021-04-08 | ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド | アニーリング材料およびアニーリング材料を用いて光起電力素子をアニールするための方法 |
-
1997
- 1997-04-28 JP JP9110728A patent/JPH10303441A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032461A1 (fr) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Shimadzu Corporation | Procédé de fabrication d'un détecteur de lumière ou de rayonnement, et détecteur de lumière ou de rayonnement |
| US7736941B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-06-15 | Shimadzu Corporation | Light or radiation detector manufacturing method |
| KR101528382B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2015-06-12 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 단면 후면 컨택 태양 전지용 유전성 코팅물 |
| EP2244294A1 (en) * | 2008-02-12 | 2010-10-27 | Shimadzu Corporation | Method for manufacturing radiation detector, radiation detector, and radiation image pickup device |
| EP2244294A4 (en) * | 2008-02-12 | 2011-05-18 | Shimadzu Corp | METHOD FOR PRODUCING A RADIATION DETECTOR, RADIATION DETECTOR AND RADIATION IMAGE RECORDING DEVICE |
| US8405037B2 (en) | 2008-02-12 | 2013-03-26 | Shimadzu Corporation | Radiation detector manufacturing method, a radiation detector, and a radiographic apparatus |
| JP2021510011A (ja) * | 2018-03-13 | 2021-04-08 | ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド | アニーリング材料およびアニーリング材料を用いて光起電力素子をアニールするための方法 |
| US11929447B2 (en) | 2018-03-13 | 2024-03-12 | First Solar, Inc. | Annealing materials and methods for annealing photovoltaic devices with annealing materials |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lee et al. | RF sputter deposition of the high-quality intrinsic and n-type ZnO window layers for Cu (In, Ga) Se2-based solar cell applications | |
| Birkmire et al. | Polycrystalline thin film solar cells: present status and future potential | |
| CN1214445C (zh) | 制造化合物半导体膜的氧化物基方法和制造有关电子器件 | |
| Romeo et al. | Growth of polycrystalline CdS and CdTe thin layers for high efficiency thin film solar cells | |
| CN101589472A (zh) | 用于ibiiiavia族化合物层的掺杂技术 | |
| Aramoto et al. | A new technique for large-area thin film CdS/CdTe solar cells | |
| JP2007059484A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| KR102070852B1 (ko) | Czts계 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| JPH06163955A (ja) | 太陽電池用基板及び太陽電池 | |
| JP2001189114A (ja) | 透明電極の製造方法 | |
| CN111192964B (zh) | 一种钙钛矿量子点太阳能电池及其制备方法 | |
| JPH10303441A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPH0955378A (ja) | 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法 | |
| EP0195152B1 (en) | Process of forming a compound semiconductive material | |
| JP2001135149A (ja) | 酸化亜鉛系透明電極 | |
| CN115360299A (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| KR101046358B1 (ko) | 태양전지용 투명전극 제조방법 | |
| JPH1187749A (ja) | 太陽電池用半導体膜の形成方法および太陽電池 | |
| JPH10303445A (ja) | ＣｄＴｅ膜の製造方法とそれを用いた太陽電池 | |
| KR101160487B1 (ko) | 후막형 ｃｉｇｓ 태양전지 및 그 제조방법 | |
| Chu et al. | Use of a precursor solution to fill the gaps between indium tin oxide nanorods, for preparation of three-dimensional CuInGaS 2 thin-film solar cells | |
| CN114373811B (zh) | 全无机钙钛矿光伏组件及其制备方法 | |
| JP2000357810A (ja) | テルル化カドミウム膜の製造方法および太陽電池 | |
| JP3627952B2 (ja) | 太陽電池用半導体膜の製造方法およびそれを用いた太陽電池 | |
| JP2001316101A (ja) | テルル化カドミウム膜形成用テルル化カドミウム粉末、テルル化カドミウム膜の製造方法および太陽電池 |