WO2008023756A1 - Method for producing silicon carbide substrate and silicon carbide substrate - Google Patents

Method for producing silicon carbide substrate and silicon carbide substrate Download PDF

Info

Publication number
WO2008023756A1
WO2008023756A1 PCT/JP2007/066343 JP2007066343W WO2008023756A1 WO 2008023756 A1 WO2008023756 A1 WO 2008023756A1 JP 2007066343 W JP2007066343 W JP 2007066343W WO 2008023756 A1 WO2008023756 A1 WO 2008023756A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carbide substrate
hydrogen gas
main surface
carbide
gas etching
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/066343
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Kinoshita
Jun Suda
Tsunenobu Kimoto
Original Assignee
Simitomo Electric Industries, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Simitomo Electric Industries, Ltd. filed Critical Simitomo Electric Industries, Ltd.
Priority to CN2007800316445A priority Critical patent/CN101536157B/zh
Priority to EP07792921A priority patent/EP2056340A4/en
Publication of WO2008023756A1 publication Critical patent/WO2008023756A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/12—Etching in gas atmosphere or plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/0475—Changing the shape of the semiconductor body, e.g. forming recesses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide

Definitions

  • the present invention relates to a silicon carbide (SiC) substrate used for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
  • Nitride semiconductors applied to light-emitting devices and transistors are mainly manufactured by heteroepitaxial growth on a sapphire substrate or SiC substrate.
  • the SiC substrate is mainly manufactured by heteroepitaxial growth on a sapphire substrate or SiC substrate.
  • the SiC substrate is mainly manufactured by heteroepitaxial growth on a sapphire substrate or SiC substrate.
  • the SiC substrate Because of its good lattice matching with nitride semiconductors, it is possible to easily stack high-quality nitride semiconductor crystals. In addition, the SiC substrate has excellent advantages such as high-power devices because it has good thermal conductivity. There are several types of SiC crystals depending on the crystal structure. For nitride semiconductors, there are mainly two types: 4H—SiC in which silicon and carbon pairs are stacked in four cycles in the (000 1) direction, and 6H—SiC in which six cycles are stacked.
  • the quality of the crystal and the flatness of the surface greatly influence the performance of the device, and the quality of the nitride crystal on the SiC substrate and the flatness of the surface are particularly S It depends on the state of the iC substrate surface. Therefore, in order to grow a high-quality, flat nitride semiconductor crystal on a SiC substrate, it is necessary to apply a mirror finish to the SiC substrate to prevent scratches and roughening. However, there is a problem that the efficiency of the polishing process is low and the productivity is low and the cost is high.
  • the staircase landing is the terrace 21, which is the crystal plane in the plane of the substrate. For example, if the (0001) plane is etched, the terrace becomes the (0001) plane.
  • the width w of the terrace depends on the tilt angle ⁇ of the substrate. As the tilt angle ⁇ increases, the terrace width w decreases and the number of steps increases.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001_77030
  • An object of the present invention is to provide a SiC substrate with few spiral pits and excellent surface flatness and a method for manufacturing the same. Means for solving the problem
  • the present invention is a method for manufacturing a silicon carbide substrate for forming a semiconductor layer, in which a surface orientation of a main surface of a raw material substrate is inclined from 0.03 ° to 1 ° from a (0001) plane, and 1250 ° C ⁇ : Hydrogen gas etching is performed at 1700 ° C.
  • the hydrogen gas etching preferably includes a step A in which hydrogen gas etching is performed at 1450 ° C to 1700 ° C and a step B in which hydrogen gas etching is performed at 1250 ° C to 1500 ° C.
  • a semiconductor layer can be formed on the main surface, and the semiconductor layer formed on the main surface contains a layer made of silicon carbide or oxygen atoms. It can be a II-VI semiconductor layer or a III-V semiconductor layer containing nitrogen atoms.
  • the semiconductor layer formed on the main surface is desirably formed under conditions lower than the etching temperature in the hydrogen gas etching process performed immediately before forming the semiconductor layer.
  • the carbide constituting the carbide substrate one having a 6H crystal structure is suitable. Further, it is preferable that the plane orientation of the main surface is inclined from 0.03 ° to 0.4 ° from the (0001) plane.
  • Hydrogen gas etching is preferably performed in an atmosphere with a hydrogen gas partial pressure of 267 Pa to 100 kPa.
  • the temperature is 900 ° C. to 1200 ° C., and the hydrogen gas partial pressure is 13 kPa or more. It is more preferable to hold the substrate in the atmosphere.
  • An embodiment having a length that is an integral multiple of the c-axis unit cell is preferred.
  • a carbide substrate with a diameter of 1.5 inches or more and a surface curvature of 5 m or less can be produced.
  • Raw material substrate is irradiated with proton, ion, electron beam or gamma ray
  • a material substrate subjected to hydrogen gas etching can be suitably used, and proton irradiation, ion irradiation, electron beam irradiation, gamma ray irradiation, or carbon carbide homoepitaxial growth is also applied to the raw material substrate subjected to hydrogen gas etching. I like it!
  • the main surface on which the semiconductor layer is formed has a step terrace structure including a flat terrace and a step, and the surface orientation of the main surface is 0.03 from the (0001) plane. ° ⁇ 1.
  • the number of mortar-shaped concave defects with a depth of 10 nm or more within the range of 50 ⁇ 50 ⁇ m square on the main surface is 1 or less.
  • the main surface is preferably a substrate in which the number of spiral turns until the step ends at the screw dislocation and the step ends is 5 or less.
  • the carbide constituting the carbide substrate one having a 6H type crystal structure can be preferably used.
  • the main surface step terrace structure in which the plane orientation is preferred to be inclined from 0.03 ° to 0.4 ° from the (0001) plane has a step difference between adjacent terraces.
  • An embodiment having a length that is an integral multiple of the c-axis unit cell is preferred.
  • the terrace width has a distribution, and 90% or more of the terrace width distribution in the 50 m x 50 m square range is ⁇ 10% of the arithmetic average value of the terrace width in the same range. It is possible to provide a SiC substrate that is within.
  • a silicon carbide substrate having a diameter of 1.5 inches or more and a surface curvature of 5 m or less can be provided.
  • a high-cost finish polishing can be omitted, and a SiC substrate that does not lose its shape due to the finish polishing can be provided.
  • a SiC substrate with few spiral pits it is possible to improve the flatness of the substrate surface on which the nitride semiconductor layer is formed.
  • FIG. 1 is a view showing a plane orientation of a main surface of a raw material substrate.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing a cross-section of a step terrace structure on the surface of a SiC single crystal substrate.
  • FIG. 3 is an enlarged view of one unit of the step terrace structure shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing a state when the spiral pit is viewed from directly above.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the minimum radius of curvature (critical radius) and the tilt angle of the substrate.
  • FIG. 6 is a diagram showing the structure of a hydrogen etching furnace used in an example of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state of main faces of 50 111 50 111 when a substrate having an inclination angle of 0 ⁇ 14 ° is used.
  • the main surface on which the semiconductor layer is formed preferably has a step terrace structure.
  • the main surface has a plane orientation of 0.03 ° to 1 ° from the (0001) plane.
  • the number of spiral pits, which are mortar-like concave defects having a depth of 10 nm or more, is 1 or less, preferably 0.5 or less, within a range of 50 ⁇ ⁇ ⁇ m square on the main surface. Therefore, the flatness of the substrate surface on which the nitride semiconductor layer or the like is laminated can be improved, and the device performance in the electronic device or optical device can be improved.
  • the shape of the substrate surface, such as a concave defect can be measured with an atomic force microscope (AFM).
  • the main surface For the number of defects (number of defects), select 5 points in a 50 m x 50 m square range from the main surface, measure the number of each defect, and use the average value as the number of defects. Spiral pits grow from the screw dislocation of the SiC substrate toward the substrate surface while the steps rotate in a spiral, and as the number of spiral turns increases, the spiral pits become deeper and larger, and the flatness of the substrate becomes smaller. Damaged. For this reason, it is more preferable that the main surface has a spiral dislocation portion where the step ends and the number of spiral turns until the step ends is 5 or less.
  • the main surface on which the semiconductor layer is formed preferably has a step terrace structure as shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a portion 23 in FIG. The relationship between the inclination angle ⁇ , step height h and terrace length w is
  • the inclination angle ⁇ force is 0 ⁇ 1 °, 0.3 °, 0.5 ° and the terrace length w is read by AFM and the step difference h is calculated, it is almost 1.5 nm It is. Since this corresponds to the c-axis unit lattice length of 6H—SiC, it corresponds to 6 layers in terms of the number of silicon-carbon pairs.
  • the stacking period of the nitride semiconductor is two layers of group III and nitrogen, so the above six layers correspond to three periods of two layers. For this reason, the SiC substrate in the present invention has good consistency with the heteroepitaxial growth of the nitride semiconductor in the 6H type.
  • the step terrace structure on the main surface has a step force between adjacent terraces that is an integral multiple of the c-axis unit cell (6 layers) of carbide carbide, stacking mismatch defects will not occur. Therefore, it is advantageous.
  • the present invention is a method for manufacturing a silicon carbide substrate having a step terrace structure in which a main surface on which a semiconductor layer is formed is composed of a flat terrace and a step (step). It is characterized in that hydrogen gas etching is performed at an angle of 0.03 ° to 1 ° from the (0001) plane and 1250 ° C to 1700 ° C. By performing hydrogen etching under such conditions, it is possible to improve the flatness of the substrate surface while suppressing the growth of spiral pits, and to provide a SiC substrate suitable for stacking nitride semiconductors.
  • the etching temperature is 1250 ° C or higher, preferably 1400 ° C or higher, in order to increase the etching rate.
  • the etching temperature is 1700 ° C. or lower, preferably 1500 ° C. or lower, in order to suppress the generation of spiral pits, suppress the growth even if it occurs, and obtain a flat main surface. Therefore, when etching is performed at a constant temperature, the generation of spiral pits can be effectively suppressed even by long-time etching, which is preferably performed at 1400 ° C to 1500 ° C. .
  • the etching temperature be adjusted according to the state of scratches and roughness on the substrate surface before etching. For example, process A for performing hydrogen gas etching at 1450 ° C to 1700 ° C A After that, when performing step B of performing hydrogen gas etching at 1250 ° C to 1500 ° C, deep scratches are removed by etching at high temperature, efficient etching is performed, and then the substrate surface is etched by low temperature etching. It is possible to improve the flatness of the steel, increase the efficiency of the entire finishing process, and reduce costs.
  • the relationship between the processing temperatures in step A and step B is that the processing temperature in step A should be higher than the processing temperature in step B.
  • Step B for performing hydrogen gas etching at 1250 ° C to 1500 ° C and Step for performing hydrogen gas etching at 1450 ° C to 1700 ° C
  • you implement A and hydrogen gas etching at 1250 ° C ⁇ 1500 ° C in this order you can make the polishing scratches shallow by etching at low temperature and then increase the etching efficiency at high temperature.
  • low-temperature etching can improve the flatness of the substrate surface, while keeping the tilt angle of the main surface small, preventing the occurrence of accidental spiral pits due to deep polishing scratches or roughening. be able to.
  • Such an embodiment is also advantageous for shortening the finishing time.
  • the relationship between the treatment temperatures in step A and step B is that the treatment temperature in step A should be higher than the treatment temperature in step B, as described above.
  • the process temperatures in process B before and after process A may be the same or different! /.
  • FIG. 1 shows the plane orientation of the main surface of the raw material substrate.
  • the inclination angle of main surface 1 is the angle (inclination angle) ⁇ between the normal line of the substrate and the crystal 0001> axis, and the main surface 1 and (0 001) ) The angle that the surface makes.
  • the surface orientation of the main surface of the raw material substrate is preferably tilted from the (0001) plane by 0.03 ° or more, and the tilt angle is preferably 0.05 ° or more in order to suppress the generation and growth of spiral pits. 1 ° or more is more preferable.
  • a larger tilt angle is preferable in terms of preventing the occurrence of spiral pits due to accidental factors, while in the growth of nitride semiconductors on a SiC substrate, a larger tilt angle is a step in the SiC substrate.
  • the plane orientation of the main surface of the substrate is inclined by 1 ° or less from the (0 001) plane, and the inclination angle is preferably 0.5 ° or less, more preferably 0.4 ° or less.
  • the inclination direction of the surface orientation of the main surface is such that the straight line 2 projected from the ⁇ 0001> axis of the crystal onto the main surface 1 of the substrate is shifted from the 1-100> axis of the substrate.
  • the angle is expressed by ⁇ .
  • the crystal tilt direction deviates from the ⁇ 1-100> axis, that is, when the value of ⁇ increases, the step difference increases from 6 layers to 3 layers, and the 3 layers do not match well with the nitride semiconductor. Therefore, a smaller ⁇ value is better.
  • the ⁇ value cannot be completely eliminated due to technical problems in the production of the substrate, but the ⁇ value is preferably ⁇ 10 ° or less, more preferably ⁇ 5 ° or less, and ⁇ 2 ° or less. Particularly preferred.
  • the hydrogen gas etching can be performed in an atmosphere of pure hydrogen gas or a mixed gas of hydrogen gas and any gas.
  • a hydrogen gas partial pressure of 267 Pa or more is preferred, and 500 Pa or more is more preferred.
  • excessive hydrogen partial pressure removes C excessively, preventing the formation of Si particles on the SiC substrate surface, and also reducing the hydrogen partial pressure moderately to suppress the rate of gas etching, thereby achieving stable step formation.
  • the hydrogen gas etching preferably has a hydrogen gas partial pressure of 10 kPa or less, more preferably 13 kPa or less.
  • Si can be etched in the initial high-temperature and low-pressure atmosphere, and both Si and C can be held in the substrate in the subsequent low-temperature and high-pressure atmosphere.
  • the surface of the SiC substrate is flattened to an arithmetic average roughness (Ra) of about 0.1 nm.
  • Ra arithmetic average roughness
  • the processing time is Long cost is high.
  • the outer peripheral edge of the substrate is excessively polished from the center due to long polishing, resulting in deterioration of the substrate shape.
  • the surface curvature of a 1.5 inch diameter substrate was 3 m before chemical polishing.
  • the force is S, and 8 m after polishing.
  • the diameter is 1.5 inches or more.
  • a SiC substrate having a surface curvature of preferably 5 m or less, more preferably 2 m or less can be produced.
  • Surface curvature is measured using a flat surface measuring instrument that optically observes the shape of the surface using laser light interference.
  • the SiC substrate can be ion-implanted during the manufacturing process to control the impurity concentration.
  • the impurity concentration can be controlled by using a raw material substrate on which ion implantation has been performed. 1450 ° C to; after step A for performing hydrogen gas etching at 1700 ° C and step B for performing hydrogen gas etching at 1250 ° C to 1500 ° C, after the first hydrogen gas etching step A,
  • the dopant easily diffuses due to the high temperature during the first hydrogen etching, but the dopant diffuses due to the low temperature during the second hydrogen etching.
  • ion implantation is performed, and then a semiconductor layer is formed on the main surface at a temperature equal to or lower than the second hydrogen gas etching temperature, thereby expanding the dopant by heating during the hydrogen gas etching. It is preferable at the point which can prevent scattering. Furthermore, it is also preferable in that point defects formed by ion implantation can be prevented from diffusing, recombining, or forming complex defects.
  • a semiconductor layer is formed on the main surface, and the semiconductor layer formed on the main surface is formed in the hydrogen gas etching step performed immediately before forming the semiconductor layer.
  • the film is formed at a temperature lower than the etching temperature is preferable. Further, after the second hydrogen gas etching step B, ion implantation is performed, and then a semiconductor layer can be formed on the main surface at a temperature equal to or higher than the second hydrogen gas etching temperature.
  • the mode in which the ion implantation is performed after the first hydrogen gas etching step A and before the second hydrogen gas etching step B is based on the high temperature during the first hydrogen etching step. This is useful for dopants that diffuse easily but are difficult to diffuse at low temperatures during the second hydrogen etch. In this case, it is preferable that even if impurities or slight scratches are made on the substrate surface during the ion implantation process, they can be removed by the second hydrogen gas etching.
  • the same mode can be applied when various properties of SiC are controlled by proton irradiation, electron beam irradiation, or gamma ray irradiation.
  • the heat treatment temperature required after the treatment to control various characteristics of SiC, or the desired characteristics can be selected according to the temperature at which the property control is adversely affected and the gas etching temperature.
  • a layer made of carbon carbide, a group II VI semiconductor layer containing oxygen atoms, or a group III V semiconductor layer containing nitrogen atoms is formed on the main surface. You can do it.
  • any formation process such as vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy, pulse laser ablation, or sputtering can be used.
  • the third step B in which hydrogen gas etching is performed at 1250 ° C to 1500 ° C after the second hydrogen gas etching step A and before the third hydrogen gas etching step B, The ion implantation is performed in such a way that the dopant is likely to diffuse due to the high temperature during the second hydrogen etching. 1S The dopant is difficult to diffuse when the dopant is difficult to diffuse due to the low temperature during the third hydrogen etching. Useful.
  • ion implantation, proton irradiation, electron beam irradiation, gamma ray irradiation, or silicon carbide homoepitaxial growth is performed on a substrate that has been subjected to hydrogen gas etching, various properties such as conductivity of the entire SiC substrate or the vicinity of the SiC substrate surface can be obtained. It is preferable in that it can be arbitrarily controlled. Furthermore, homoepitaxial growth is preferable in that the crystallinity of SiC near the surface can be dramatically increased.
  • the plane orientation of the main surface where the crystals are homogeneous is largely shifted within one substrate. Therefore, the step direction and shape must be uniform unless a tilt angle of about 0.5 ° is provided. I could't make it better.
  • the tilt angle and tilt direction of the substrate surface can be controlled within a small range of 0.2 ° or less, and even with a small tilt angle, The direction and shape of the steps can be made uniform within a single substrate.
  • the step terrace structure of the main surface has a terrace width in the range of 50 ⁇ m x 50 m square, for example, 90% or more of the terrace width distribution in the range of 50 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ m square. Adjust with S to adjust within ⁇ 10% of the arithmetic average value.
  • a 2 inch substrate 51 made of 6H—SiC having a (0001) surface polished to a mirror surface was set on a susceptor 52 of a hydrogen etching furnace.
  • the surface direction of the main surface of the SiC substrate was set to an inclination angle of 0.03 ° to 0.5 ° from (0001) plane to (1-100) plane.
  • the susceptor 52 in the furnace is made of high purity graphite coated with SiC, and the heat insulating material 53 is made of fibrous black lead.
  • a coil 54 was placed with a quartz chamber 55 sandwiched between them. A high-frequency current was passed through the coil to inductively heat the SiC substrate in the furnace.
  • the temperature under the susceptor was measured with a radiation thermometer, the induced current was adjusted, and the temperature was set to 1450 ° C.
  • Etching was performed by flowing 6N high-purity hydrogen at 0.1 cm 3 / min into the furnace, evacuating with a vacuum pump, and replacing the inside of the furnace with a 3 kPa hydrogen atmosphere. After holding at the etching temperature for 30 minutes or more, the temperature was lowered. The pressure during cooling was 900 kPa. This is because it was confirmed that Si droplets remained on the substrate surface at 3kPa.
  • FIG. 7 illustrates the state (AFM photograph) of the main surface of 50 ⁇ 111 X 50 in square when a substrate having an inclination angle of 0.14 ° is used.
  • AFM photograph the state of the main surface of 50 ⁇ 111 X 50 in square when a substrate having an inclination angle of 0.14 ° is used.
  • there was no mortar-shaped recess defect having a depth of 10 nm or more in the range of 50 ⁇ 50 ⁇ m square.
  • the average of the other 5 measurements (average of 6 places in total) was 0.17.
  • the spiral dislocation on the main surface had a step termination, and the average number of spiral turns until the step terminated was 0.8.
  • a SiC substrate was manufactured in the same manner as in Example 1 with respect to a raw material substrate whose main surface was inclined 0.02 ° from the (0001) plane toward the (1 100) plane.
  • AFM a mortar-shaped recess defect (spiral pit) as shown in Fig. 4 was observed.
  • the minimum radius of curvature (critical radius; corresponding to 1/4 of the distance between the two arrows shown in Fig. 4) of the step at the innermost periphery of the center of the recess shown in Fig. 4 was 725 nm.
  • step width force that originally exists on the substrate due to the inclination of the substrate from the (0001) plane Larger than the small radius of curvature, the step from the screw dislocation became difficult to connect with the step due to the substrate tilt, and the mortar-shaped etching progressed to form spiral pits. On the other hand, when the step width was smaller than the minimum radius of curvature, spiral pits were not formed.
  • the minimum radius of curvature depends on the specifications of the etching furnace, the etching gas atmosphere, and the hydrogen partial pressure.
  • test etching is performed at multiple temperatures using a SiC substrate with almost no inclination, and the critical radius of the intentionally generated spiral pits is measured, corresponding to each device and etching conditions. Then, create a diagram as shown in Fig. 5 and determine the tilt angle of the substrate based on that diagram! /.
  • the flatness of the substrate surface on which the nitride semiconductor layer or the like is stacked is high, the device performance in an electronic device or an optical device can be improved.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

明 細 書
炭化ケィ素基板の製造方法および炭化ケィ素基板
技術分野
[0001] 本発明は、半導体装置の製造に用いる炭化ケィ素（SiC)基板とその製造方法に関 する。
背景技術
[0002] 発光デバイスおよびトランジスタに応用される窒化物半導体は、主に、サファイア基 板または SiC基板上にヘテロェピタキシャル成長させて製造する。特に、 SiC基板は
、窒化物半導体と格子整合性が良いため、良質の窒化物半導体結晶を容易に積層 すること力 Sできる。また、 SiC基板は、熱伝導性が良いため、高出力デバイスを製造 することができるなどの優れた長所を持っている。また、 SiC結晶には、結晶構造によ つていくつかの種類がある。窒化物半導体用には、主に、シリコンと炭素の対が（000 1)方向に 4周期で積層された 4H— SiCと、 6周期で積層された 6H— SiCの 2種類が 使用される。
[0003] 一方、窒化物半導体デバイスにおいては、結晶の質の良さと表面の平坦性がデバ イスの性能を大きく左右し、 SiC基板上の窒化物結晶の質と表面の平坦性は、特に S iC基板表面の状態に依存している。したがって、良質で平坦な窒化物半導体結晶を SiC基板上に成長させるためには、傷および荒れがないように、鏡面加工を SiC基板 に施す必要がある力 SiC基板は非常に硬ぐ化学的にも安定であるため、研磨加 ェの効率が悪ぐ生産性が悪ぐ高コストになるという問題がある。
[0004] そこで、 SiC基板表面を仕上げるために、水素ガス（水素ガスとそれ以外のガスの 混合ガスも含む）を用いて表面をエッチングするという方法が提案されている（特開 2 001— 77030号公報（特許文献 1)参照）。この方法は、 目視で鏡面に加工した基板 に対して水素ガスを用いたエッチングを行なうことにより、エッチング処理面に、加工 ひずみのない良質な表面を得ることができると紹介されている。 SiC単結晶基板の表 面は、結晶の原子配列が破壊されていなければ、原子の配列状態が露出し、図 2お よび図 3に示すように、平坦なテラス 21と段差 22 (ステップ）とからなるステップテラス 構造 (階段状構造)となる。階段の踊り場の部分がテラス 21であり、テラスは基板の面 方位の結晶面となる。たとえば、（0001)面をエッチングすると、テラスは（0001)面と なる。テラスの幅 wは、基板の傾斜角 Θ依存しており、傾斜角 Θが大きくなるとテラス の幅 wは短くなり、ステップ数が増加する。
特許文献 1：特開 2001 _ 77030号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] しかし、水素ガスエッチングにより表面仕上げを行なう場合には、弊害としてスパイ ラルピットの形成という問題がある。すなわち、ガスエッチングでは、 SiCウェハー結 晶中に含まれる螺旋転位部分で、すり鉢状の凹部欠陥であるスパイラルピットが形成 されやすい。図 4は、スパイラルピットを真上から見たときの図である。図 4に示す例で は、 SiC基板の螺旋転位から、 2本のステップが螺旋状に回転しながら、基板表面に 向かって成長し、螺旋旋回数が多くなると、スパイラルピットは深ぐ大きくなる。ナイト ライドを積層する電子デバイスまたは光デバイスにおいて、デバイス動作をする部分（ 活性領域)に、スパイラルピットが含まれると、デバイス性能が大幅に劣化し、デバイス 不良が生じる。
[0006] 現在の SiCウェハー製造技術では、巨大空芯螺旋転位であるマイクロパイプにつ いては、ほぼ 0個/ cm2とすることが可能である力 螺旋転位については、 104個/ c m2程度が含まれている。これは、ほぼ 100 mの間隔で螺旋転位があることを意味 する。したがって、スパイラルピットが形成されると、たとえば、 300〃 m角のデバイス 活性領域では、ほぼ確実に螺旋転位によるスパイラルピットが含まれるため、ほとん どすベてのデバイスが不良品となり、歩留まりが大幅に低下する。これが、ガスエッチ ング処理された SiCウェハーのナイトライド積層への工業的利用を大きく妨げている 要因の一つである。
[0007] さらに、 SiC基板の研磨仕上げは、長時間の加工を要するため、基板の外縁部が 過剰に研磨され、基板の形状が悪くなるという問題があり、基板の厚さムラは、半導体 デバイスの製造に不具合を生じさせる。本発明の課題は、スパイラルピットが少なぐ 表面の平坦性に優れる SiC基板およびその製造方法を提供することにある。 課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、半導体層を形成する炭化ケィ素基板の製造方法であって、原料基板の 主面の面方位を（0001)面から 0. 03° 〜； 1° 傾斜させ、 1250°C〜； 1700°Cで水素 ガスエッチングを行なうことを特徴とする。水素ガスエッチングは、 1450°C〜； 1700°C で水素ガスエッチングを行なう工程 Aと、 1250°C〜1500°Cで水素ガスエッチングを 行なう工程 Bを備える態様が好ましい。かかる態様においては、第 1の水素ガスエツ チング工程 Aの後であって、第 2の水素ガスエッチング工程 Bの前に、プロトン照射、 イオン照射、電子線照射またはガンマ線照射を施すと好適である。また、 1250°C〜 1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Bと、 1450°C〜1700°Cで水素ガスエツ チングを行なう工程 Aと、 1250°C〜； 1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Bとを この順で備える態様も好ましい。かかる態様においては、第 2の水素ガスエッチング 工程 Aの後であって、第 3の水素ガスエッチング工程 Bの前に、プロトン照射、イオン 照射、電子線照射またはガンマ線照射を施すと好適である。
[0009] すべての水素ガスエッチング工程の終了後、主面上に半導体層を形成することが でき、主面上に形成する半導体層は、炭化ケィ素からなる層、または、酸素原子を含 む II VI族半導体層、または、窒素原子を含む III V族半導体層とすることができ る。主面上に形成する半導体層は、半導体層を形成する直前に行なった水素ガスェ ツチング工程におけるエッチング温度より低温条件において形成するのが望ましい。 炭化ケィ素基板を構成する炭化ケィ素としては、 6H型の結晶構造を有するものが好 適である。また、主面の面方位は、（0001)面から 0. 03° 〜0. 4° 傾斜する態様が 好ましい。水素ガスエッチングは、水素ガス分圧が 267Pa〜100kPaの雰囲気下で 行なう態様が望ましぐ水素ガスエッチング工程の後、温度 900°C〜； 1200°Cであつ て、水素ガス分圧が 13kPa以上の雰囲気中に基板を保持すると、より好ましい。また 、上記主面が平坦なテラスと段差 (ステップ）とからなるステップテラス構造を有するこ とが好ましぐこの主面のステップテラス構造は、隣接するテラス間の段差が、炭化ケ ィ素の c軸単位格子の整数倍の長さを有する態様が好ましい。力、かる方法により、直 径が 1. 5インチ以上で、表面湾曲が 5 m以下である炭化ケィ素基板を製造すること ができる。原料基板は、プロトン照射、イオン照射、電子線照射またはガンマ線照射 が施されているものを好適に使用することができ、水素ガスエッチングを行なった原 料基板に、プロトン照射、イオン照射、電子線照射、ガンマ線照射または炭化ケィ素 ホモェピタキシャル成長を施す態様も好まし!/、。
[0010] 本発明の炭化ケィ素基板は、半導体層を形成する主面が、平坦なテラスと段差とか らなるステップテラス構造を有し、主面の面方位が（0001 )面から 0. 03° 〜1。 傾斜 し、主面において 50 μ τη Χ 50 μ m四方の範囲内で深さ 10nm以上のすり鉢状の凹 部欠陥の数が 1個以下である。主面は、螺旋転位部分においてステップが終端し、ス テツプが終端するまでの螺旋旋回数が 5以下である基板が好ましい。炭化ケィ素基 板を構成する炭化ケィ素は、 6H型の結晶構造を有するものを好ましく使用すること 力 Sできる。また、主面は、面方位が（0001 )面から 0. 03° 〜0. 4° 傾斜する態様が 好ましぐ主面のステップテラス構造は、隣接するテラス間の段差が、炭化ケィ素の c 軸単位格子の整数倍の長さを有する態様が好ましい。上記ステップテラス構造は、そ のテラス幅が分布を有し、 50 m X 50 m四方の範囲内におけるテラス幅の分布の 90 %以上が、同範囲内におけるテラス幅の算術平均値の ± 10%以内である SiC基 板を提供すること力できる。また、直径が 1. 5インチ以上であり、表面湾曲が 5 m以 下である炭化ケィ素基板を提供することができる。
発明の効果
[0011] 高コストとなる仕上げ研磨を省略することができ、仕上げ研磨による形状崩れのな い SiC基板を提供することができる。また、スパイラルピットの少ない SiC基板を提供 すること力 Sできるため、窒化物半導体層を形成する基板表面の平坦性を向上させる こと力 Sでさる。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]原料基板の主面の面方位を示す図である。
[図 2]SiC単結晶基板の表面のステップテラス構造の断面を示す概念図である。
[図 3]図 2に示すステップテラス構造の一単位を拡大した図である。
[図 4]スパイラルピットを真上から見たときの状態を示す図である。
[図 5]最小曲率半径（臨界半径)と基板の傾斜角との関係を示す図である。
[図 6]本発明の実施例において使用した水素エッチング炉の構造を示す図である。 [図 7]0· 14° の傾斜角を有する基板を用いた場合の 50 111 50 111四方の主面 の状態を示す図である。
符号の説明
[0013] 1 主面、 21 テラス、 22 段差、 51 基板、 52 サセプタ、 53 断熱材、 54 コィ ノレ、 55 石英製チャンバ一、 Θ 傾斜角。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明で は、図面を用いて説明しているが、本願の図面において同一の参照符号を付したも のは、同一部分または相当部分を示している。
[0015] (炭化ケィ素基板）
本発明の炭化ケィ素基板は、半導体層を形成する主面が、ステップテラス構造を有 していることが好ましぐ主面の面方位が（0001 )面から 0. 03° 〜； 1° 傾斜し、主面 において 50 μ ΐη Χ δΟ μ m四方の範囲内で、深さ 10nm以上のすり鉢状の凹部欠陥 であるスパイラルピットが 1個以下であり、好ましくは 0. 5個以下である。したがって、 窒化物半導体層などを積層する基板表面の平坦性が高まり、電子デバイスまたは光 デバイスにおけるデバイス性能を向上させることができる。凹状欠陥などの基板表面 の形状は、原子間力顕微鏡（AFM : Atomic Force Microscope)により測定することが できる。また、欠陥の数（欠陥数）は、主面から、 50 m X 50 m四方の範囲を任意 に 5箇所選択し、それぞれの欠陥数を測定し、その平均値をもって、欠陥数とする。 スパイラルピットは、 SiC基板の螺旋転位から、ステップが螺旋状に回転しながら、基 板表面に向かって成長し、螺旋旋回数が多くなると、スパイラルピットは深ぐ大きくな り、基板の平坦性が損なわれる。このため、主面は螺旋転位部分において、ステップ が終端し、ステップが終端するまでの螺旋旋回数が 5以下である態様が好ましぐ 1以 下がより好ましい。螺旋旋回数は、主面から、 50 m X 50 m四方の範囲を任意に 5箇所選択し、それぞれについて、螺旋転位ごとの螺旋旋回数を測定し、その平均 値をもって、螺旋旋回数とする。なお、 SiC基板としては、シリコンと炭素の対が（000 1 )方向に 6周期で積層された 6H— SiCや、 4周期で積層された 4H— SiCなどが挙 げられる。 [0016] 半導体層を形成する主面は、図 2に示すように、ステップテラス構造を有することが 好ましい。図 3は、図 2における部分 23の拡大図である。傾斜角 Θ、ステップ段差 hと テラスの長さ wとの関係は、
h=w X tan Θ
であるから、傾斜角 Θ力 それぞれ 0· 1° 、0. 3° 、 0· 5° であるときのテラスの長さ wを、 AFMにより読み取り、ステップの段差 hを計算すると、ほぼ 1 · 5nmである。これ は、 6H— SiCの c軸単位格子長さに相当していることから、シリコンと炭素の対の層 数で言えば、 6層に相当する。一方、窒化物半導体の積層周期は、 III族と窒素の対 で 2層であるから、上記の 6層は 2層の 3周期分に相当する。このため、本発明におけ る SiC基板は、 6H型の場合に、窒化物半導体のヘテロェピタキシャル成長との整合 性が良好である。また、同様に、主面のステップテラス構造は、隣接するテラス間の段 差力 炭化ケィ素の c軸単位格子（6層）の整数倍の長さであると、積層不整合欠陥が 生じないため有利である。
[0017] (炭化ケィ素基板の製造方法）
本発明は、半導体層を形成する主面が、平坦なテラスと段差 (ステップ）とからなる ステップテラス構造を有する炭化ケィ素基板の製造方法であって、原料基板の主面 の面方位を（0001)面から 0. 03° 〜； 1° 傾斜させ、 1250°C〜； 1700°Cで水素ガス エッチングを行なうことを特徴とする。力、かる条件で水素エッチングをすることにより、 スパイラルピットの成長を抑えながら、基板表面の平坦性を高め、窒化物半導体を積 層する上で好適な SiC基板を提供することができる。
[0018] エッチング温度は、エッチング速度を高める点で、 1250°C以上とし、 1400°C以上 が好ましい。一方、スパイラルピットの発生を抑え、発生したとしても成長を抑制し、平 坦な主面を得る点で、エッチング温度は、 1700°C以下とし、 1500°C以下が好ましい 。したがって、一定温度でエッチング加工を行なう場合には、 1400°C〜； 1500°Cで行 なう態様が好ましぐ長時間のエッチングによっても、スパイラルピットの発生を効果的 に抑制することができる。
[0019] エッチング温度は、エッチング前の基板表面の傷および荒れの状態により調整する 態様が好ましい。たとえば、 1450°C〜1700°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 A の後、 1250°C〜1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Bを実施すると、高温で のエッチングにより深い傷を除去し、効率的なエッチングを行ない、その後、低温で のエッチングにより、基板表面の平坦性を高めて、仕上げ工程全体としての効率を高 め、コスト低減を図ること力 Sできる。基板の主面の傾斜角が十分に大きいときは、スパ ィラルピットが発生する傾向が小さいため、高温エッチングによっても、スパイラルピッ トの発生を抑えることができる。ここで工程 Aおよび工程 Bにおける処理温度の関係 は、工程 Aにおける処理温度が工程 Bにおける処理温度よりも高ければよいものであ
[0020] エッチング前の基板の研磨傷もしくは荒れが大きい場合には、 1250°C〜； 1500°C で水素ガスエッチングを行なう工程 Bと、 1450°C〜1700°Cで水素ガスエッチングを 行なう工程 Aと、 1250°C〜 1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Bをこの順で 備える方法を実施すると、一旦低温でエッチングすることで研磨傷を浅くした後、高 温でエッチング効率を高め、最後に、低温でのエッチングにより基板表面の平坦性を 高めることができ、主面の傾斜角を小さく抑えつつ、深い研磨傷または荒れが原因と なって偶発的にスパイラルピットが生成する現象を防ぐことができる。このような態様 は、仕上げ時間の短縮にも有利である。なお、工程 Aおよび工程 Bにおける処理温 度の関係は、上記と同様に、工程 Aにおける処理温度が工程 Bにおける処理温度よ りも高ければよいものである。また、工程 Aの前後の工程 Bにおける処理温度は、同 一でも互いに異なってもよ!/、。
[0021] 原料基板の主面の面方位を図 1に示す。図 1に示すように、主面 1の傾斜角は、基 板の法線と、結晶のく 0001〉軸との間の角度 (傾斜角） Θであり、基板の主面 1と（0 001)面が作る角度である。原料基板の主面の面方位は、スパイラルピットの発生お よび成長を抑える点で、（0001)面から 0. 03° 以上傾斜させ、傾斜角は 0. 05° 以 上が好ましぐ 0. 1° 以上がより好ましい。より大きな傾斜角を用いると、偶発的な要 因によるスパイラルピットの発生を防止する意味で好ましいが、一方、 SiC基板上へ の窒化物半導体の成長においては、大きな傾斜角は、 SiC基板のステップ端での Si Cと窒化物半導体の c軸格子定数不整合の顕在化による結晶性の悪化、または傾斜 角による窒化物半導体成長表面の表面荒れ (ステップバンチング）によりデバイスの 製造が困難になるなどの問題を生じさせる。この点から、基板の主面の面方位は、（0 001)面から 1° 以下傾斜させ、傾斜角は 0. 5° 以下が好ましぐ 0. 4° 以下がより 好ましい。
[0022] 主面の面方位の傾斜方向は、図 1に示すように、結晶の < 0001〉軸を基板の主 面 1に投影した直線 2が、基板のく 1— 100〉軸からずれている角度 γで表される。 結晶の傾斜方向が < 1— 100〉軸から外れるに従って、すなわち γの値が大きくな ると、ステップの段差が 6層から 3層になり、 3層は窒化物半導体との整合性は良くな いため、 γ値が小さい方がよい。基板の製造上の技術的な問題があるため γ値を完 全に無くすことはできないが、 γ値は ± 10° 以下が好ましぐ ± 5° 以下がより好まし く、 ± 2° 以下が特に好ましい。
[0023] 水素ガスエッチングは、純粋な水素ガス、または水素ガスと任意のガスの混合ガス 雰囲気中で行なうことができる。 Siの過剰脱離による SiC基板表面への炭化層の形 成を防止する点で、水素ガス分圧として 267Pa以上が好ましぐ 500Pa以上がより好 ましい。一方、過剰な水素分圧により Cが過剰に除去され、 SiC基板表面への Si微粒 子の形成を防ぎ、また、適度に水素分圧を下げ、ガスエッチングの速度を抑え、安定 なステップ形成を行ない、スパイラルピットの生成を抑制する点で、水素ガスエツチン グは、水素ガス分圧として lOOkPa以下が好ましぐ 13kPa以下がより好ましい。また 、 1250°C〜； 1700°Cであって、たとえば、水素ガス分圧が 13kPa以下で水素ガスェ ツチングを実施した後、 900°C〜； 1200°Cであって、水素ガス分圧が 13kPa以上の雰 囲気中に基板を保持する態様が好ましい。かかる態様により、最初の高温低圧雰囲 気において Siをエッチングし、その後の低温高圧雰囲気において Siと Cの双方を基 板中に保持することができる。
[0024] 化学研磨仕上げにより、 SiC基板の表面は、算術平均粗さ (Ra)で 0. lnm程度に 平坦化されるが、 SiCは硬度が大きぐ化学的に安定であるため、加工時間が長ぐ コストが高い。また、長時間の研磨により、基板外周縁が中央部より過剰に研磨され るため、基板形状の悪化を招き、たとえば、直径 1. 5インチ基板の表面湾曲は、化学 研磨前に 3 mであったもの力 S、研磨後には 8 mとなる。本発明の製造方法によれ ば、化学研磨を行なうことなぐ所定の水素エッチングにより、直径 1. 5インチ以上で 、表面湾曲が好ましくは 5 m以下、より好ましくは 2 m以下の SiC基板を製造する ことができる。表面湾曲は、レーザー光の干渉を用いて光学的に表面の形状を観測 する平面計測機を用いて測定する。
[0025] SiC基板には、製造工程中にイオン打ち込みを行ない、不純物濃度を制御すること ができる。たとえば、イオン打ち込みを施した原料基板を使用することにより、不純物 濃度を制御すること力できる。 1450°C〜； 1700°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Aと、 1250°C〜1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Bを備える場合、第 1の 水素ガスエッチング工程 Aの後であって、第 2の水素ガスエッチング工程 Bの前に、ィ オン打ち込みを施す態様は、第 1の水素エッチング時の高温によりドーパントが拡散 しやすいが、第 2の水素エッチング時の低温によりドーパントが拡散しにくい場合には 、ドーパントの拡散を防止する点で有用である。また、第 2の水素エッチング工程 Bの 後、イオン打ち込みを行ない、その後、第 2の水素ガスエッチング温度以下の温度で 主面上に半導体層を形成すると、水素ガスエッチング時の加熱によるドーパントの拡 散を防止できる点で好ましい。さらに、イオン注入により形成された点欠陥の拡散、再 結合もしくは複合欠陥の形成を回避できる点でも好ましい。このように、すべての水素 ガスエッチング工程の終了後、主面上に半導体層を形成し、主面上に形成する半導 体層を、半導体層を形成する直前に行なった水素ガスエッチング工程におけるエツ チング温度より低温で形成する態様が好ましい。また、第 2の水素ガスエッチングェ 程 Bの後、イオン打ち込みを行ない、その後、第 2の水素ガスエッチング温度以上の 温度で主面上に半導体層を形成することができる。
[0026] また、第 1の水素ガスエッチング工程 Aの後であって、第 2の水素ガスエッチングェ 程 Bの前に、イオン打ち込みを実施する態様は、第 1の水素エッチング時の高温によ り拡散しやすいが、第 2の水素エッチング時の低温では拡散しにくいドーパントの場 合には有用である。この場合、イオン注入工程中に基板表面に不純物またはわずか な傷が付レ、たような場合でも、第 2の水素ガスエッチングにより除去できる点でも好ま しい。イオン打ち込みのほかにも、プロトン照射、電子線照射またはガンマ線照射な どにより SiCの諸特性を制御する場合も同様の態様を適用できる。すなわち、 SiCの 諸特性を制御するための処理後に必要となる熱処理温度、若しくは目的とする諸特 性制御に悪影響が及ぶ温度と、ガスエッチング温度の大小に応じて、第 1、第 2の水 素ガスエッチングと上述の処理の順序を選択することができる。すべての水素ガスェ ツチング工程の終了後、主面上には、炭化ケィ素からなる層、または、酸素原子を含 む II VI族半導体層、または、窒素原子を含む III V族半導体層などを形成するこ とカできる。半導体層の形成には、気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、パ ルスレーザーアブレーシヨン法、スパッタ法など任意の形成プロセスを用いることがで きる。
[0027] 水素ガスエッチングを、 1250°C〜1500°Cで水素ガスエッチングを行なう第 1のェ 程 Bと、 1450°C〜； 1700°Cで水素ガスエッチングを行なう第 2の工程 Aと、 1250°C〜 1500°Cで水素ガスエッチングを行なう第 3の工程 Bとする場合には、第 2の水素ガス エッチング工程 Aの後であって、第 3の水素ガスエッチング工程 Bの前に、イオン打ち 込みを施す態様は、第 2の水素エッチング時の高温によりドーパントが拡散しやすい 1S 第 3の水素エッチング時の低温によりドーパントが拡散しにくい場合には、ドーパ ントの拡散を防止する点で有用である。また、水素ガスエッチングを行なった基板に、 イオン打ち込み、プロトン照射、電子線照射、ガンマ線照射または炭化ケィ素ホモェ ピタキシャル成長を施すと、 SiC基板全体もしくは SiC基板表面付近の導電性などの 諸特性を任意に制御できる点で好ましい。さらに、ホモェピタキシャル成長を施すと、 表面付近の SiCの結晶性を飛躍的に高めることができる点で好ましい。
[0028] 従来の SiC基板は結晶が均質でなぐ主面の面方位が 1枚の基板内で大きくずれ ていたため、 0. 5° 程度の傾斜角を付けなければ、ステップの方向および形状を均 質にすることができなかった。しかし、 SiC基板の質の向上により、基板の面方位の傾 斜角および傾斜方向を 0. 2° 以下の小さな範囲で制御することができるようになり、 また、小さな傾斜角であっても、ステップの方向および形状を 1枚の基板内で均質に することができるようになった。本発明においては、主面のステップテラス構造は、たと えば 50 β ϊη Χ δΟ β m四方の範囲内におけるテラス幅の分布の 90%以上が、 50 μ m X 50 m四方の範囲内におけるテラス幅の算術平均値の ± 10%以内に調整す ること力 Sでさる。
[0029] 以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定され るものではない。
<実施例〉
実施例 1
図 6に示すように、（0001)面を目視により鏡面に研磨した 6H— SiC製 2インチ基 板 51を、水素エッチング炉のサセプタ 52にセットした。 SiC基板における主面の面方 位は、（0001)面から（1— 100)面へ向力、つて、傾斜角 0. 03° 〜0. 5° とした。炉 内のサセプタ 52は、 SiCでコートされた高純度黒鉛製であり、断熱材 53は繊維質黒 鉛製である。炉の外周には、石英製チャンバ一 55を挟んでコイル 54を配置し、コィ ルには高周波電流を流し、炉内の SiC基板を誘導加熱した。また、サセプタ下側の 温度を放射温度計により計測し、誘導電流を調節し、温度を 1450°Cとした。炉内に は、 6Nの高純度水素を 0. 1cm3/分で流し、真空ポンプで排気し、炉内を 3kPaの 水素雰囲気に置換してエッチングを行なった。エッチング温度で 30分以上保持した 後、降温した。降温時の圧力は 900kPaとした。 3kPaのままでは Siの液滴が基板表 面に残ることが確認されたためである。
[0030] 水素エッチング後、基板の主面を AFMにより観察すると、ステップテラス構造が形 成されていた。図 7に、 0. 14° の傾斜角を有する基板を用いた場合の 50〃111 X 50 in四方の主面の状態（AFM写真）を例示する。図 7に示すように、 50 μ ΐΐΐ Χ 50 μ m四方の範囲内での深さ 10nm以上のすり鉢状の凹部欠陥は存在しなかった。また 、その他の任意の 5箇所の測定との平均（計 6箇所の平均）は 0. 17個であった。さら に、主面の螺旋転位部分は、ステップが終端し、ステップが終端するまでの螺旋旋回 数の平均は、 0. 8回であった。
[0031] 実施例 2
主面の面方位が、（0001)面から（1 100)面に向かって、 0. 02° 傾斜した原料 基板に対して、実施例 1と同様にして SiC基板を製造した。その結果、 AFMで観察 すると、図 4に示すような、すり鉢状の凹部欠陥（スパイラルピット）が観察された。図 4 に示す凹部の中心部の最も内周にあるステップの最小曲率半径（臨界半径；図 4に 示す 2つの矢印間の距離の 1/4が相当する）を測定すると、 725nmであった。基板 の（0001)面からの傾斜により、基板にもともと存在するステップ幅力 Sスパイラルの最 小曲率半径より大きレ、と、螺旋転位からのステップが基板傾斜によるステップと連結し にくくなり、すり鉢状のエッチングが進行し、スパイラルピットが形成された。一方、ステ ップ幅が最小曲率半径より小さいと、スパイラルピットは形成されな力 た。
[0032] 図 3に示すように、傾斜角 Θ、ステップ段差 hとテラスの長さ wとの関係は、
h=wX tan Θ
であり、 6H— SiCの場合、ステップ段差 hは 1 · 5nmであり、 w= 725nmを代入すると 、 Θ =0. 12° となり、 Θ≥0. 12° であれば、スパイラルピットは生じな力 た。同様 にして、 1650°Cで水素エッチングした場合、最小曲率半径は 480nmであったから、 ステップ段差 h= l . 5nm、 w=480nmを代入すると、 Θ =0. 18° となり、 Θ≥0. 1 8° であれば、スパイラルピットは生じな力 た。
[0033] これらの結果に基づき、図 5に、最小曲率半径（臨界半径)（黒丸）と基板の傾斜角（ 白丸）とをプロットした。また、スパイラルピットを抑えるために必要な傾斜角のグラフを 示した。図 5に示すように、エッチング温度が 1250°Cであるときは、
1000/T (K) = 1000/ (1250 + 273) =0. 66である力、ら、図 5より傾斜角 Θ≥0. 03° であれば、スパイラルピットの発生を抑えることができる。同様にして、エツチン グ温度が 1700°Cであるときは、
1000/T (K) = 1000/ (1700 + 273) =0. 51である力、ら、図 5より傾斜角 Θ≥0. 3° であれば、スパイラルピットの発生を抑えることができる。実際には、 SiC基板の面 内における面方位のばらつきによる変動を考慮して、傾斜角 Θを大きく設定するのが 好ましい。
[0034] また、最小曲率半径は、エッチング炉の仕様とエッチングガス雰囲気、水素分圧に 依存する。製造にあたっては、まず傾斜のほとんど無い SiC基板を用いて複数の温 度でテストエッチングを行ない、意図的に発生させたスパイラルピットの臨界半径を実 測し、それぞれの装置、エッチング条件に対応して、図 5に示すような図を作成し、そ の図に基づ!/、て、基板の傾斜角を決定すればよ!/、。
[0035] 以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なった力 上述 の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定してい [0036] 今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的な ものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求 の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が 含まれることが意図される。
産業上の利用可能性
[0037] 窒化物半導体層などを積層する基板表面の平坦性が高いため、電子デバイスまた は光デバイスにおけるデバイス性能を向上させることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 半導体層を形成する主面が、平坦なテラスと段差とからなるステップテラス構造を有 する炭化ケィ素基板の製造方法であって、原料基板の主面（1)の面方位を (0001) 面から 0. 03° 〜； 1° 傾斜させ、 1250°C 1700°Cで水素ガスエッチングを行なうこ とを特徴とする炭化ケィ素基板の製造方法。
[2] 前記水素ガスエッチングは、 1450°C 1700°Cで水素ガスエッチングを行なう工程
Aと、 1250°C〜； 1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程 Bとをこの順で備える請 求の範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[3] 前記工程 Aの後であって、前記工程 Bの前に、プロトン照射、イオン照射、電子線 照射またはガンマ線照射を施す請求の範囲 2に記載の炭化ケィ素基板の製造方法
[4] 前記水素ガスエッチングは、 1250°C 1500°Cで水素ガスエッチングを行なう工程
Bと、 1450°C〜； 1700°Cで水素ガスュツチングを fiなう工程 Aと、 1250°C〜； 1500°C で水素ガスエッチングを行なう工程 Bとをこの順で備える請求の範囲 1に記載の炭化 ケィ素基板の製造方法。
[5] 前記工程 Aの後であって、前記工程 Bの前に、プロトン照射、イオン照射、電子線 照射またはガンマ線照射を施す請求の範囲 4に記載の炭化ケィ素基板の製造方法
[6] すべての水素ガスエッチング工程の終了後、主面（1)上に半導体層を形成するェ 程を備える請求の範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[7] 主面上に形成する前記半導体層は、炭化ケィ素からなる層、または、酸素原子を 含む II VI族半導体層、または、窒素原子を含む III V族半導体層である請求の 範囲 6に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[8] 主面上に形成する前記半導体層は、半導体層を形成する直前に行なった水素ガ スエッチング工程におけるエッチング温度より低温条件で形成する請求の範囲 6に記 載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[9] 前記炭化ケィ素基板を構成する炭化ケィ素は、 6H—炭化ケィ素である請求の範 囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[10] 前記主面（1 )の面方位は、（0001 )面力、ら 0. 03° 〜0· 4° 傾斜させる請求の範 囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[11] 前記水素ガスエッチングは、水素ガス分圧が 267Pa〜100kPaの雰囲気下で行な う請求の範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[12] 前記水素ガスエッチング工程の後、温度 900°C〜； 1200°Cであって、水素ガス分圧 が 13kPa以上の雰囲気中に前記原料基板を保持する工程を備える請求の範囲 1 1 に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[13] 前記ステップテラス構造は、隣接するテラス間の段差が、炭化ケィ素の c軸単位格 子の整数倍の長さを有する請求の範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[14] 直径が 1. 5インチ以上であり、表面湾曲が 5 in以下である炭化ケィ素基板を製造 する請求の範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[15] 前記原料基板は、プロトン照射、イオン照射、電子線照射またはガンマ線照射が施 されて!/、る請求の範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[16] 前記水素ガスエッチングを行なった前記原料基板に、プロトン照射、イオン照射、 電子線照射、ガンマ線照射または炭化ケィ素ホモェピタキシャル成長を施す請求の 範囲 1に記載の炭化ケィ素基板の製造方法。
[17] 半導体層を形成する主面（1 )の面方位が（0001 )面から 0. 03° 〜； 1° 傾斜し、主 面（1 )にお!/、て 50 μ ΐη Χ δΟ μ m四方の範囲内で深さ l Onm以上のすり鉢状の凹部 欠陥の数力 個以下である炭化ケィ素基板。
[18] 前記半導体層を形成する主面（1 )が平坦なテラス（21 )と段差 (22)とからなるステ ップテラス構造を有し、前記主面（1 )は、螺旋転位部分において段差（22)が終端し
、段差（22)が終端するまでの螺旋旋回数が 5以下である請求の範囲 17に記載の炭 化ケィ素基板。
[19] 前記炭化ケィ素基板を構成する炭化ケィ素は、 6H—炭化ケィ素である請求の範 囲 17に記載の炭化ケィ素基板。
[20] 前記主面（1 )は、面方位が（0001 )面から 0. 03° 〜0. 4° 傾斜した主面である請 求の範囲 17に記載の炭化ケィ素基板。
[21] 前記半導体層を形成する主面（1 )が平坦なテラス（21 )と段差 (22)とからなるステ ップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造は、隣接するテラス（21)間の段差 (2 2)が、炭化ケィ素の c軸単位格子の整数倍の長さを有する請求の範囲 17に記載の 炭化ケィ素基板。
[22] 前記半導体層を形成する主面（1)が平坦なテラス（21)と段差 (22)とからなるステ ップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造は、テラス幅が分布を有し、 δΟ, πιΧ 50 μ m四方の範囲内におけるテラス幅の分布の 90%以上が、前記 50 μηιΧδΟμ m四方の範囲内におけるテラス幅の算術平均値の ±10%以内である請求の範囲 17 に記載の炭化ケィ素基板。
[23] 前記炭化ケィ素基板は、直径が 1. 5インチ以上であり、表面湾曲が 5 m以下であ る請求の範囲 17に記載の炭化ケィ素基板。
PCT/JP2007/066343 2006-08-25 2007-08-23 Method for producing silicon carbide substrate and silicon carbide substrate WO2008023756A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007800316445A CN101536157B (zh) 2006-08-25 2007-08-23 用于制造碳化硅衬底的方法以及碳化硅衬底
EP07792921A EP2056340A4 (en) 2006-08-25 2007-08-23 PROCESS FOR PREPARING A SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006229399A JP5131675B2 (ja) 2006-08-25 2006-08-25 炭化ケイ素基板の製造方法
JP2006-229399 2006-08-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008023756A1 true WO2008023756A1 (en) 2008-02-28

Family

ID=39106840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/066343 WO2008023756A1 (en) 2006-08-25 2007-08-23 Method for producing silicon carbide substrate and silicon carbide substrate

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2056340A4 (ja)
JP (1) JP5131675B2 (ja)
KR (1) KR20090055567A (ja)
CN (1) CN101536157B (ja)
WO (1) WO2008023756A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258720A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Hitachi Cable Ltd 炭化ケイ素単結晶基板
CN102534808A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 高质量碳化硅表面的获得方法
WO2014196394A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板の製造方法及びエピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6025306B2 (ja) * 2011-05-16 2016-11-16 株式会社豊田中央研究所 ＳｉＣ単結晶、ＳｉＣウェハ及び半導体デバイス
JP5857986B2 (ja) * 2013-02-20 2016-02-10 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶および炭化珪素単結晶の製造方法
JP2014189442A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体基板の製造方法
EP3165966A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-10 Paul Scherrer Institut Method for selective surface processing by means of directional beams
CN108018605A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 北京七星华创电子股份有限公司 籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法
JP7002932B2 (ja) 2017-12-22 2022-01-20 昭和電工株式会社 ＳｉＣインゴットの製造方法
TWI716986B (zh) * 2018-09-03 2021-01-21 國立大學法人大阪大學 氮化物半導體裝置與其基板及添加稀土類元素之氮化物層的形成方法，以及紅色發光裝置
TW202035807A (zh) * 2018-11-05 2020-10-01 學校法人關西學院 碳化矽半導體基板、碳化矽半導體基板的製造方法、碳化矽半導體基板的製造裝置以及碳化矽半導體基板的階排列方法
CN113380604B (zh) * 2021-05-31 2023-05-26 天津大学 具有原子级台阶形貌的4H-SiC材料及其刻蚀方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233391A (ja) * 1998-02-12 1999-08-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 結晶基板とそれを用いた半導体装置およびその製法
JP2001077030A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Sanyo Electric Co Ltd 炭化珪素半導体装置の製造方法
WO2005034208A2 (en) * 2003-09-22 2005-04-14 Cree, Inc. METHOD TO REDUCE STACKING FAULT NUCLEATION SITES AND REDUCE Vf DRIFT IN BIPOLAR DEVICES
WO2005093796A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 The Kansai Electric Power Co., Inc. バイポーラ型半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0952796A (ja) * 1995-08-18 1997-02-25 Fuji Electric Co Ltd ＳｉＣ結晶成長方法およびＳｉＣ半導体装置
JP3593195B2 (ja) * 1995-12-28 2004-11-24 新日本製鐵株式会社 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
US6306675B1 (en) * 1998-10-09 2001-10-23 Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of Arizona State University Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices
EP1306890A2 (en) * 2001-10-25 2003-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate and device comprising SiC and method for fabricating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233391A (ja) * 1998-02-12 1999-08-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 結晶基板とそれを用いた半導体装置およびその製法
JP2001077030A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Sanyo Electric Co Ltd 炭化珪素半導体装置の製造方法
WO2005034208A2 (en) * 2003-09-22 2005-04-14 Cree, Inc. METHOD TO REDUCE STACKING FAULT NUCLEATION SITES AND REDUCE Vf DRIFT IN BIPOLAR DEVICES
WO2005093796A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 The Kansai Electric Power Co., Inc. バイポーラ型半導体装置およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2056340A4 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258720A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Hitachi Cable Ltd 炭化ケイ素単結晶基板
CN102534808A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 高质量碳化硅表面的获得方法
CN102534808B (zh) * 2010-12-14 2014-11-05 北京天科合达蓝光半导体有限公司 高质量碳化硅表面的获得方法
WO2014196394A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板の製造方法及びエピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板
JP6048581B2 (ja) * 2013-06-04 2016-12-21 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板の製造方法
JP2017031050A (ja) * 2013-06-04 2017-02-09 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板の製造方法及びエピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板
JPWO2014196394A1 (ja) * 2013-06-04 2017-02-23 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハ用炭化珪素単結晶基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2056340A1 (en) 2009-05-06
JP2008053537A (ja) 2008-03-06
KR20090055567A (ko) 2009-06-02
CN101536157B (zh) 2012-05-30
CN101536157A (zh) 2009-09-16
JP5131675B2 (ja) 2013-01-30
EP2056340A4 (en) 2011-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5131675B2 (ja) 炭化ケイ素基板の製造方法
US7977219B2 (en) Manufacturing method for silicon wafer
US7641736B2 (en) Method of manufacturing SiC single crystal wafer
JP5304713B2 (ja) 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ
JP5940238B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
JP5693946B2 (ja) 単結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板の製造方法
JP4786223B2 (ja) エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
JP5263839B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
US20150361585A1 (en) Method for manufacturing sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer, and sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer
JP2004537161A (ja) 高抵抗率ｃｚシリコンにおけるサーマルドナー生成の制御
JP2010502023A (ja) 多層半導体ウエハ及びその製造方法
JP2005047792A (ja) 微細構造、特にヘテロエピタキシャル微細構造およびそのための方法
KR20040013106A (ko) 표면 거칠기 감소 방법
JP2007284298A (ja) エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
TW201903225A (zh) 改質碳化矽晶圓的製造方法、附磊晶層的碳化矽晶圓、其之製造方法、及表面處理方法
WO1998025299A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une tranche epitaxiee semi-conductrice de silicium et d&#39;un dispositif semi-conducteur
US20140051235A1 (en) Method for producing single crystal sic substrate and single crystal sic substrate produced by the same
JP2007001787A (ja) ＺｎＯ基板の製造方法
JP5786759B2 (ja) エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
WO2015129867A1 (ja) エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
US8216921B2 (en) Method for production of silicon wafer for epitaxial substrate and method for production of epitaxial substrate
JPH09266212A (ja) シリコンウエーハおよびその製造方法
JP3944958B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法
WO2023218800A1 (ja) エピタキシャルウェーハ
JP2004288790A (ja) Ｓｏｉ基板の製造方法及びｓｏｉ基板

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780031644.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07792921

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2007792921

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007792921

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020097004829

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU