WO2007069739A1 - 無アルカリガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

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Yoshinari Kato
Tatsuya Takaya
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Nippon Electric Glass Co., Ltd.
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    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Definitions

  • Non-alkali glass substrate and method for producing the same
  • the present invention relates to flat display substrates such as liquid crystal displays and EL displays, various image sensors such as charge coupled devices (CCD) and equal-magnification proximity solid-state imaging devices (CIS), substrates for hard disks, filters and the like. It relates to a suitable alkali-free glass substrate.
  • CCD charge coupled devices
  • CIS equal-magnification proximity solid-state imaging devices
  • glass substrates have been widely used as substrates for flat displays such as liquid crystal displays and EL displays.
  • TFT-LCDs thin-film transistor active matrix liquid crystal displays
  • LCDs thin-film transistor active matrix liquid crystal displays
  • a driving element typified by a TFT element on a glass substrate.
  • a transparent conductive film, insulating film, semiconductor film, metal film, etc. are formed on a glass substrate.
  • the glass substrate is treated with various heat treatments and chemical treatments.
  • an insulating film or a transparent conductive film is formed on a glass substrate.
  • amorphous silicon and polycrystalline silicon TFTs are formed on a glass substrate by a photolithography-etching process.
  • the glass substrate is subjected to a heat treatment at 300 to 600 ° C., and is also treated with various chemicals such as sulfuric acid, hydrochloric acid, alkaline solution, hydrofluoric acid, and buffered hydrofluoric acid. Therefore, the following characteristics are required for glass substrates for TFT liquid crystal displays.
  • alkali metal oxide is contained in the glass, alkali ions diffuse into the deposited semiconductor material during the heat treatment and cause deterioration of the film properties. Do not contain oxides.
  • the glass substrate is exposed to a high temperature in processes such as film formation and annealing. At that time, it is desired that the glass substrate has a low thermal shrinkage. That is, if the thermal contraction rate is large, the circuit pattern formed on the substrate will be shifted. From the viewpoint of reducing the heat shrinkage rate, it is advantageous that the glass has a higher strain point.
  • glass substrates for TFT liquid crystal displays are required to have the following characteristics.
  • the devitrification resistance of the glass is important.
  • the liquidus temperature is 1200 ° C or less. It is required to be.
  • the density is low in order to reduce the weight of the liquid crystal display.
  • glass substrates mounted on laptop computers are required to have a weight of 2.50 g / cm 3 or less.
  • the surface flatness is high.
  • a liquid crystal layer sandwiched between two thin glass substrates functions as an optical shutter, and this layer displays images by shielding or transmitting light.
  • This liquid crystal layer is maintained at a very thin thickness of several ⁇ to several tens ⁇ . Therefore, the flatness of the surface of the glass substrate, especially the irregularities of the ⁇ m level called waviness, affects the thickness of the liquid crystal layer (called cell gap), and if the surface waviness is large immediately, display defects such as display unevenness Cause.
  • Patent Document 1 JP-A-8-811920
  • the thermal shrinkage of the glass substrate is affected by the glass molding conditions, particularly the cooling rate. However, it is difficult to keep the cooling rate constant during the manufacturing process. Therefore, even in the case of glass substrates manufactured at the same time, the thermal shrinkage rate is not always constant.
  • An object of the present invention is to provide an alkali-free glass substrate having a small variation in thermal shrinkage rate and a method for producing the same.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention is heated from normal temperature at a rate of 10 ° C / min, held at a holding temperature of 450 ° C for 10 hours, and cooled at a rate of 10 ° C / min (Fig.
  • the absolute value of the heat shrinkage rate when heat-treated with the temperature schedule shown in Fig. 1 is 50 ppm or more.
  • alkali-free glass means an alkali metal oxide (Li 0, Na 0, K
  • O means that the total amount of glass is 0.1% or less.
  • the “absolute value of thermal shrinkage” is the value at the center of the substrate (near the center of gravity).
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has a strain point of 630 to 655 ° C, is heated from room temperature at a rate of 10 ° C / min, and is held at a holding temperature of 450 ° C for 10 hours. , Descend at a rate of 10 ° C / min
  • the absolute value of the thermal shrinkage when heated is 60 ppm or more.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention has a strain point of 655 to 680 ° C, and is heated from room temperature at a rate of 10 ° CZ, held at a holding temperature of 450 ° C for 10 hours,
  • the absolute value of the heat shrinkage rate when the temperature is lowered at a rate of 10 ° CZ (heat treatment according to the temperature schedule shown in Fig. 1) is 50 ppm or more.
  • the method for producing an alkali-free glass substrate of the present invention is a method for producing an alkali-free glass substrate by melting and molding a glass raw material, and in the cooling process at the time of molding, from a slow cooling point to 100 ° C. It is characterized by an average cooling rate of 300 ° C / min or more in the temperature range (temperature range from annealing point to (annealing point 100 ° C)) until the temperature falls.
  • the method for producing an alkali-free glass substrate of the present invention is a method for producing an alkali-free glass substrate having a strain point of 630 to 655 ° C by melting and molding a glass raw material, and a cooling process during molding
  • the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to 100 ° C temperature drop is 3 ⁇ 450 ° C / min or more.
  • the method for producing an alkali-free glass substrate of the present invention is a method for producing an alkali-free glass substrate having a strain point of 655 to 680 ° C. by melting and molding a glass raw material, and a cooling process during molding
  • the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to the temperature drop of 100 ° C is 3 ⁇ 400 ° C / min or more.
  • the alkali-free glass substrate of the present invention is manufactured by the above method.
  • the glass substrate of the present invention has a small variation in thermal shrinkage between the substrates. Therefore, if correction using a photomask is performed when forming a TFT circuit, the thermal contraction of the glass substrate is always constant, so that pattern formation can be performed stably with high yield.
  • the glass substrate described above can be easily produced.
  • the cooling force is increased by increasing the sheet drawing speed, the glass substrate production per unit time can be greatly increased.
  • the plate drawing speed is increased and at the same time the flow rate of the glass supplied to the molding apparatus is reduced, a glass substrate having a small thickness (specifically, 0.6 mm or less, 0.5 mm or less, 0.4 mm or less, especially 0.3 mm or less) can also be produced.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing a temperature schedule for obtaining an absolute value of a heat shrinkage rate.
  • FIG. 2 is a graph showing the relationship between average cooling rate and absolute value of heat shrinkage rate.
  • FIG. 3 is a graph showing the thermal history of glass in the cooling process during molding.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a method for measuring the absolute value of heat shrinkage rate.
  • the thermal shrinkage of the glass substrate depends on the cooling rate at the time of forming the glass sheet. According to the study by the present inventors, as shown in FIG. 2, a plate glass cooled at a high cooling rate has a large heat shrinkage rate, whereas a plate glass cooled at a low rate has a low heat shrinkage rate. On the other hand, the thermal shrinkage of the plate glass cooled at a high cooling rate hardly changes even if the cooling rate changes somewhat. On the other hand, it was confirmed that the thermal shrinkage of plate glass cooled at a low rate fluctuates greatly with a slight change in the cooling rate.
  • the heat shrinkage rate of the alkali-free glass substrate is 50 ppm or more, preferably 6 Oppm or more, the heat shrinkage rate hardly changes even if the cooling rate varies.
  • the temperature from the annealing point to the temperature drop of 100 ° C is required. If the amount of change in thermal shrinkage when the cooling rate is changed from the average cooling rate to 60 ° C / min in the temperature range is 3 ppm or less, the pattern can be formed stably.
  • the amount of change in the heat shrinkage rate tends to be smaller as the strain point of the glass substrate is higher. Therefore, the higher the strain point of glass, the more advantageous.
  • the absolute value of heat shrinkage should be 60ppm or more.
  • the heat shrinkage rate change 2ppm or less it should be 63ppm or more.
  • the absolute value of the thermal contraction rate of the glass substrate is preferably ⁇ ⁇ m or less.
  • Heat shrinkage rate Absolute value should be 50ppm or more.
  • the absolute value of the thermal shrinkage rate of the glass substrate is preferably lOOppm or less for the same reason as above.
  • the alkali-free glass constituting the glass substrate of the present invention various glasses such as silica glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass and the like can be used as long as they are suitable for the application.
  • glass that can be formed by the downdraw method particularly the overflow downdraw method.
  • the cooling region (slow cooling furnace) in the molding process is extremely short compared to the float method, so that it is easy to increase the average cooling rate in this temperature region. Therefore, the thermal contraction rate of the glass can be easily increased.
  • a glass substrate formed by an overflow downdraw method which is a kind of downdraw method, has excellent surface quality and has the advantage that it can be used without being polished.
  • a large glass substrate for example, a substrate having a short side of 1500 mm or more, particularly a short side of 1800 mm or more, the requirement for variation in the heat shrinkage rate becomes more severe.
  • a large glass substrate has a larger variation in dimensional change due to thermal shrinkage than a small substrate. Therefore, if the absolute value of the thermal contraction rate is increased, the variation in dimensional change can be reduced even for a large substrate. Therefore, in the case of a large glass substrate, it can be said that the merit of applying the present invention is great.
  • the glass that can be molded by the downdraw method is, for example, a glass having a liquidus viscosity of 10 4 ' 5 Pa' s or more, preferably 10 5 '° Pa' s or more in the overflow down draw method.
  • the liquid phase viscosity is a viscosity at the time when crystals are precipitated. The higher the liquid phase viscosity, the more difficult the production of devitrification occurs during glass molding.
  • An aluminosilicate-based alkali-free glass having a composition of% having a composition of%. Within this range, it is possible to obtain a glass substrate that satisfies the required characteristics (1) to (7) described above.
  • SiO is a component that becomes a glass network former.
  • the content of Si ⁇ is from 65%
  • Al 2 O is a component that increases the strain point. If the content of A10 is greater than 20%, devitrification and
  • B 2 O is a component that acts as a flux and improves the meltability of the glass.
  • B O content is 1
  • the strain point is low and the chemical properties against hydrochloric acid are deteriorated. If it is less than 5%, the meltability and devitrification properties are deteriorated, and the chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated. More preferably, it is 5% or more and 13% or less.
  • MgO is a component that lowers the high temperature viscosity and improves the meltability of the glass. MgO content is
  • the devitrification property is deteriorated and the chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated. More preferably, it is 2% or less.
  • CaO is also a component that lowers the high-temperature viscosity as MgO and improves the melting property of the glass.
  • the content of ⁇ is more than 10%, the devitrification property is deteriorated and the chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated. More preferably, it is 3% or more and 9% or less.
  • SrO is a component that improves devitrification and chemical durability. SrO content is 10
  • the density will increase, the high-temperature viscosity will increase, and the meltability will deteriorate, which is preferable. More preferably, it is 4% or more and 10% or less.
  • BaO is also a component for improving devitrification and chemical durability, similar to SrO. If the BaO content is more than 15%, the density increases, the high-temperature viscosity increases, and the meltability deteriorates. More preferably, it is 10% or less.
  • SiO is a component that becomes a network former of glass.
  • the content of Si ⁇ is from 65%
  • Al 2 O is a component that increases the strain point. If the Al O content exceeds 10%, devitrification and
  • B 2 O is a component that acts as a flux and improves the meltability of the glass.
  • B O content is 1
  • the strain point is low and the chemical properties against hydrochloric acid are deteriorated. If it is less than 5%, the meltability and devitrification properties are deteriorated, and the chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated. More preferably, it is 7% or more and 15% or less.
  • MgO is a component that lowers the viscosity at high temperature and improves the meltability of the glass. MgO content is
  • the devitrification property is deteriorated and the chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated. More preferably, it is 2% or less.
  • CaO is also a component that lowers the high-temperature viscosity and improves the meltability of the glass, similar to MgO.
  • the content of ⁇ is more than 10%, the devitrification property is deteriorated and the chemical durability against buffered hydrofluoric acid is also deteriorated. More preferably, it is 3% or more and 10% or less.
  • SrO is a component that improves devitrification and chemical durability. SrO content is 10
  • the density will increase, the high-temperature viscosity will increase, and the meltability will deteriorate, which is preferable. More preferably, it is 5% or less.
  • BaO is also a component that improves devitrification and chemical durability, similar to SrO. If the content of BaO is more than 5%, the density increases, the high-temperature viscosity increases, and the meltability deteriorates. More preferably, it is 2% or less.
  • a glass material prepared to have a desired composition is melted.
  • the glass raw material is prepared by mixing and mixing glass raw materials such as oxides, nitrates and carbonates, cullet and the like so as to obtain a glass composition having characteristics suitable for the application.
  • Silica glass, porosilicate glass, aluminosilicate glass, etc. are not particularly limited in the type of glass, but among these, it is formulated so as to be a glass that can be molded by the downdraw method, especially the overflow downdraw method. It is preferable.
  • the glass that can be formed by the downdraw method is, for example, a glass having a liquidus viscosity of 10 4 ' 5 Pa's or more, preferably 10 5 ' ° Pa's or more, in the case of overflow overflow method.
  • the glass composition suitable for the liquid crystal display substrate is 50 to 70% SiO in mass%, Al 1 to 20%, B 0 to 15%, Mg 0 to 30%, as described above. , CaO 0-3
  • BaO 0 an aluminosilicate-based alkali-free glass composition having a composition of 15%. Within this composition range, if the strain point is desired to obtain a glass of six hundred and thirty to six hundred and fifty-five ° C, for example Si_ ⁇ 50-65% by mass 0/0, A1_rei 10 ⁇ 20%, BO 5 ⁇ : 15% , MgO 0-5%, Ca
  • the raw materials may be selected so that the glass composition is in the range of 10%, BaO 0 to 10%. If you want to obtain a glass with a strain point of 655 to 680 ° C, for example, Si ⁇ 50 to 65% by mass,
  • the raw material may be selected.
  • the glass raw material thus prepared is supplied to a glass melting apparatus and melted.
  • the melting temperature may be appropriately adjusted according to the type of glass. For example, in the case of a glass having the above composition, it may be melted at a temperature of about 1500 to 1650 ° C. In the present invention, melting includes various steps such as clarification and stirring.
  • the molten glass is formed into a plate glass and cooled.
  • the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to the temperature drop of 100 ° C may be adjusted to be 300 ° CZ or more.
  • the average cooling rate is adjusted to 300 ° CZ or more, the absolute value of the thermal shrinkage of the glass substrate increases, but the fluctuation of the thermal shrinkage due to the fluctuation of manufacturing conditions becomes smaller.
  • cooling in the slow cooling temperature range Even speed is 60 ° C / min change, the change amount of the thermal shrinkage 3ppm or less, especially 2 PP m or less, it is possible to suppress the following is Raniwa LPPM. As a result, variations in the thermal shrinkage rate between the glass substrates are less likely to occur.
  • the upper limit of the average cooling rate is preferably 1000 ° C./min or less in order to prevent inappropriate distortion in the glass or excessive load force on the formed body.
  • the average cooling rate in the temperature range from the annealing point to the temperature drop of 100 ° C should be 350 ° C / min or more.
  • the absolute value of the thermal shrinkage of the glass substrate obtained under these conditions is about 60 ppm or more.
  • the average cooling rate should be 410 ° C / min or more to reduce the heat shrinkage rate change to 2ppm or less, and the average cooling rate should be 510 ° C / min or more to achieve 1ppm or less.
  • the absolute value of thermal shrinkage of the glass substrate obtained under these conditions is about 63 ppm or more and about 66 ppm or more, respectively.
  • a slow cooling point is required to obtain a glass substrate having a heat shrinkage rate variation of 3 ppm or less even when the cooling rate is changed by 60 ° C / min.
  • the average cooling rate in the temperature range from 100 to 100 ° C can be set to 300 ° C / min or more.
  • the absolute value of the thermal shrinkage of the glass substrate obtained under these conditions is about 50 ppm or more.
  • the average cooling rate should be 360 ° C / min or more.
  • the average cooling rate should be 420 ° C / min or more.
  • the absolute value of thermal shrinkage of the glass substrate obtained under these conditions is about 53 ppm or more and about 55 ppm or more, respectively.
  • the drawing speed in the temperature range from the annealing point to 100 ° C temperature drop is preferably 150 cmZ min or more, 270 cmZ min or more, further 320 cmZ min or more, especially 400 cm / min or more. It is desirable.
  • the upper limit of the sheet drawing speed is not particularly limited, but it is preferably 800 cmZ or less in consideration of the load on the molding apparatus.
  • a large glass substrate for example, a substrate having a short side of 1500 mm or more, particularly a short side of 1800 mm or more
  • the requirement for variation in the thermal shrinkage rate between the substrates becomes more severe.
  • a large glass substrate has a larger variation in dimensional change due to thermal shrinkage than a small substrate. Therefore, if the cooling rate of the glass is sufficiently increased, variation in dimensional change can be reduced even for a large substrate. Therefore, when manufacturing a large glass substrate, it can be said that the merit of applying the method of the present invention is great.
  • the glass formed into a plate shape is cut into a predetermined size, and then subjected to necessary processing such as end face processing and cleaning.
  • the main components are 60% by mass, Si 60%, ⁇ 1 ⁇ 15%, BO 10%, Ca ⁇ 5
  • the glass raw materials were prepared so as to have a composition of%, SrO 5%, BaO 2%, mixed, and then melted at a maximum temperature of 1650 ° C in a continuous melting furnace. Further, the molten glass was formed into a plate shape at various drawing speeds by the overflow down draw method. Thereafter, the glass sheet was cut to obtain an alkali-free glass substrate having a size of 1500 ⁇ 1800 ⁇ 0.65 mm. This glass substrate had characteristics of a strain point of 650 ° C, an annealing point of 705 ° C, and a liquidus viscosity of 10 Pa's.
  • the strain point and annealing point were confirmed by the fiber elongation method based on ASTM C336-7.
  • the liquid phase viscosity is obtained by grinding glass, passing through a standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m sieve opening), and putting the glass powder remaining at 50 mesh (300 / m sieve sieve) into a platinum boat, The temperature at which the crystals precipitate, that is, the liquidus temperature, was measured for 24 hours, and was determined from the high temperature viscosity corresponding to that temperature.
  • the high temperature viscosity was measured by a platinum ball pulling method.
  • FIG. 3 shows the thermal history during glass forming for the obtained glass substrate when the drawing speed was 100 cm / min, 200 cm / min, 270 cm / min, 320 cm / min, 400 cm / min, and 500 cm / min. Shown in Figure 3 shows that the average cooling rate increases as the drawing speed increases.
  • the heat history at the time of glass forming was obtained from the temperature distribution in the drawing direction indicated by the thermocouple installed in the slow cooling region and the drawing speed.
  • the drawing speed refers to the speed at which the continuously formed glass substrate passes through the slow cooling region.
  • the middle part of the slow cooling region (position corresponding to the slow cooling point _ 50 ° C) Measured by bringing a measuring roller into contact with
  • the slow cooling region means the region corresponding to the temperature range from the annealing point to the temperature drop of 100 ° C at the central portion in the plate width direction.
  • the central portion of the glass in the plate width direction is 705 ° C.
  • the absolute value of the thermal shrinkage rate was measured by the following method. First, a glass plate sample is cut out from the center portion of the obtained glass substrate, and linear markings 2 are put at predetermined locations on the glass plate 1 as shown in FIG. Fold vertically and divide into two glass plates la and lb. Then, heat treatment was performed on only one glass plate la at the temperature schedule shown in Fig. 1 (temperature was raised from room temperature at a rate of 10 ° C / min, held at 450 ° C for 10 hours, and 10 ° CZ min. (Temperature decrease). After that, as shown in FIG. 4 (b), the heat-treated glass plate piece la and the untreated glass plate piece lb are arranged side by side and fixed with adhesive tape (not shown). Is measured using a laser microscope and is calculated using Equation 1 below. In Equation 1, 1 is the distance between markings, AL and are Markin

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Abstract

 熱収縮率のばらつきの小さい無アルカリガラス基板とその製造方法を提供する。  常温から10°C/分の速度で昇温し、保持温度450°Cで10時間保持し、10°C/分の速度で降温(図1に示す温度スケジュールで熱処理)したときの熱収縮率の絶対値が50ppm以上であることを特徴とする。

Description

明 細 書
無アルカリガラス基板及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、液晶ディスプレイ、 ELディスプレイ等のフラットディスプレイ基板及び、 電荷結合素子 (CCD)、等倍近接型固体撮像素子 (CIS)等の各種イメージセンサー 、ハードディスク、フィルタ一等の基板として適した無アルカリガラス基板に関するもの である。
背景技術
[0002] 従来、液晶ディスプレイ、 ELディスプレイ等のフラットディスプレイの基板として、ガ ラス基板が広く用いられてレ、る。
[0003] 特に薄膜トランジスタ型アクティブマトリックス液晶ディスプレイ (TFT-LCD)等の電 子デバイスは、薄型で消費電力も少ないことから、カーナビゲーシヨン、デジタルカメ ラのファインダー、パソコンのモニターや TV用など、様々な用途に使用されている。
[0004] 液晶ディスプレイを駆動するためには、 TFT素子を代表とする駆動素子をガラス基 板上に形成する必要がある。 TFT素子の製造工程では、ガラス基板上に透明導電 膜や絶縁膜、半導体膜、金属膜等を成膜する。さらにフォトリソグラフィ -エッチングェ 程において、ガラス基板を種々の熱処理や薬品処理で処理する。例えば TFT型ァク ティブマトリックス液晶ディスプレイでは、ガラス基板上に絶縁膜や透明導電膜を成膜 する。さらにアモルファスシリコンや多結晶シリコンの TFT (薄膜トランジスタ)がフォト リソグラフィ -エッチング工程でガラス基板上に多数形成される。このような製造工程に おいて、ガラス基板は 300〜600°Cの熱処理を受けると共に、硫酸、塩酸、アルカリ 溶液、フッ酸、バッファードフッ酸等の種々の薬品による処理を受ける。そのため TF T液晶ディスプレイ用ガラス基板には、以下のような特性が求められる。
(1)ガラス中にアルカリ金属酸化物が含有されていると、熱処理中にアルカリイオン が成膜された半導体物質中に拡散し、膜の特性の劣化を招くため、実質的にアル力 リ金属酸化物を含有しなレ、こと。
(2)フォトリソグラフィ-エッチング工程で使用される酸、アルカリ等の溶液に対する耐 性、すなわち耐薬品性に優れていること。
(3)成膜、ァニール等の工程で、ガラス基板は高温に晒される。その際、ガラス基板 の熱収縮率が小さいことが望まれる。つまり熱収縮率が大きいと、基板上に形成され る回路のパターンずれが生じてしまうためである。熱収縮率を小さくするとレ、う観点か ら、ガラスの歪点は高い方が有利である。
また上記以外にも、 TFT液晶ディスプレイ用ガラス基板には以下の特性が要求され る。
(4)ガラスの溶融工程や成形工程でガラス中に異物が発生しないように、耐失透性 に優れていること。特にオーバーフローダウンドロー法等のダウンドロー法によってガ ラスを成形する場合には、ガラスの耐失透性が重要であり、ガラス成形温度を考慮す ると、その液相線温度が 1200°C以下であることが要求される。
(5)液晶ディスプレイを軽量化するため、密度が低いこと。特にノート型パソコンに搭 載されるガラス基板は軽量ィ匕の要求が強ぐ具体的には、 2. 50g/cm3以下であるこ とが要求されている。
(6)表面の平坦度が高いこと。例えば液晶ディスプレイは、 2枚の薄いガラス基板の 間に挟まれた液晶層が、光シャッターとして働き、この層が光を遮蔽したり、透過した りすることで表示が行われる。この液晶層は、数 μ η〜10数 μ ηと非常に薄い厚み に保持されている。そのため、ガラス基板の表面の平坦度、特にうねりと呼ばれる μ mレベルの凹凸は、液晶層の厚み(セルギャップと呼ばれる)に影響を与えやすぐ 表面のうねりが大きいと、表示ムラ等の表示不良の原因となる。
(7)ガラス基板のうねりが小さいこと。近年、液晶ディスプレイでは、高速応答化や高 精細化の目的で、セルギャップがより薄くなる傾向にあるため、これに用いられるガラ ス基板の表面のうねりを低減することがますます重要となってきている。ガラス基板の 表面のうねりを低減するために最も有効な方法は、成形後のガラス基板の表面を精 密に研磨することであるが、この方法ではガラス基板の製造コストが非常に高くなる。 そのため現在では、オーバーフローダウンドロー法やフロート法等の成形法により、 できるだけ表面のうねりの小さいガラス基板を成形し、無研磨の状態で、あるいは極く 軽レ、研磨(タツチポリツシュ)を施して出荷されてレ、る。 [0006] これらの特性を満足するために種々のガラス基板が提案されている。 (例えば特許 文献 1)
特許文献 1 :特開平 8-811920号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] ガラス基板の熱収縮率は、上記した通り、小さいほど好ましいとされている。ところが
、近年ではガラス基板の熱収縮率を考慮して、回路形成時にフォトマスクによる補正 を行う技術が採用されるようになってきている。その結果、熱収縮率が十分に小さくな いガラス基板であっても、パターンずれの問題を解決することができるようになった。 ただし、この技術を採用するに当たっては、ガラス基板間の熱収縮率に大きなばらつ きがないことが求められる。
[0008] ガラス基板の熱収縮率は、ガラスの成形条件、特に冷却速度に影響を受ける。とこ ろが製造過程における冷却速度を常に一定に保つことは困難である。それゆえ、同 時期に製造したガラス基板同士であっても、熱収縮率が必ずしも一定にならないの が現状である。
[0009] 本発明の目的は、熱収縮率のばらつきの小さい無アルカリガラス基板とその製造方 法を提供することである。
課題を解決するための手段
[0010] 本発明者等は種々の検討を行った結果、ガラス成形時の冷却速度が速いほど、熱 収縮率の変動が小さくなることを見いだし、本発明として提案するものである。
[0011] 即ち、本発明の無アルカリガラス基板は、常温から 10°C/分の速度で昇温し、保持 温度 450°Cで 10時間保持し、 10°C/分の速度で降温(図 1に示す温度スケジユー ルで熱処理)したときの熱収縮率の絶対値が 50ppm以上であることを特徴とする。な お本明細書における「無アルカリガラス」とは、アルカリ金属酸化物(Li 0、 Na〇、 K
2 2 2
〇)の総量が 0. 1 %以下であるガラスを意味する。また「熱収縮率の絶対値」は基板 中央部分 (重心付近)における値である。
[0012] また本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が 630〜655°Cであり、且つ常温から 1 0°C/分の速度で昇温し、保持温度 450°Cで 10時間保持し、 10°C/分の速度で降 温(図 1に示す温度スケジュールで熱処理)したときの熱収縮率の絶対値が 60ppm 以上であることを特徴とする。
[0013] また本発明の無アルカリガラス基板は、歪点が 655〜680°Cであり、且つ常温から 1 0°CZ分の速度で昇温し、保持温度 450°Cで 10時間保持し、 10°CZ分の速度で降 温(図 1に示す温度スケジュールで熱処理)したときの熱収縮率の絶対値が 50ppm 以上であることを特徴とする。
[0014] 本発明の無アルカリガラス基板の製造方法は、ガラス原料を溶融、成形して無アル カリガラス基板を製造する方法であって、成形時の冷却過程において、徐冷点から 1 00°C降温するまでの温度範囲(徐冷点〜(徐冷点 100°C)の温度範囲)での平均 冷却速度が 300°C/分以上であることを特徴とする。なお「平均冷却速度」とは、徐 冷点から 100°C降温するまでの温度範囲にある領域(=徐冷領域)を、ガラスの板幅 方向中央部分が通過する時間を算出し、徐冷領域内の温度差( = 100°C)を、通過 に要した時間で除することにより求めた速度を指す。
[0015] また本発明の無アルカリガラス基板の製造方法は、ガラス原料を溶融、成形して歪 点が 630〜655°Cの無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形時の冷却 過程において、徐冷点から 100°C降温するまでの温度範囲における平均冷却速度 力 ¾50°C/分以上であることを特徴とする。
[0016] また本発明の無アルカリガラス基板の製造方法は、ガラス原料を溶融、成形して歪 点が 655〜680°Cの無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形時の冷却 過程において、徐冷点から 100°C降温するまでの温度範囲における平均冷却速度 力 ¾00°C/分以上であることを特徴とする。
[0017] 本発明の無アルカリガラス基板は、上記方法によって製造されてなることを特徴とす る。
発明の効果
[0018] 本発明のガラス基板は、基板間の熱収縮率のばらつきが小さい。それゆえ TFT回 路を形成する際にフォトマスクによる補正を行うと、ガラス基板の熱収縮が常に一定し ているために、歩留まりよく安定してパターン形成を行うことができる。
[0019] また本発明の製造方法によれば、上記したガラス基板を容易に作製することができ る。し力も冷却速度の増大を、板引き速度を上げることによって行えば、単位時間当 たりのガラス基板生産量を大幅に増やすことも可能となる。また板引き速度を上げると 同時に、成形装置に供給するガラスの流量を少なくすれば、板厚の小さいガラス基 板(具体的には 0. 6mm以下、 0. 5mm以下、 0. 4mm以下、特に 0. 3mm以下)を 作製することもできる。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]熱収縮率絶対値を求めるための温度スケジュールを示す説明図である。
[図 2]平均冷却速度と熱収縮率絶対値の関係を示すグラフである。
[図 3]成形時の冷却工程におけるガラスの熱履歴を示すグラフである。
[図 4]熱収縮率絶対値を測定する方法を示す説明図である。
符号の説明
[0021] 1 熱収縮率の絶対値を求めるためのガラス板試料
la 熱収縮率の絶対値を求めるためのガラス板試料の半片(熱処理を施すガラス 板片)
lb 熱収縮率の絶対値を求めるためのガラス板試料の半片(熱処理を施さないガラ ス板片)
2 マーキング
発明を実施するための最良の形態
[0022] まず本発明のガラス基板について説明する。
[0023] ガラス基板の熱収縮率は、板ガラス成形時の冷却速度に左右される。本発明者等 の調查によれば、図 2に示すように、高い冷却速度で冷却された板ガラスは熱収縮率 が大きぐ逆に低い速度で冷却された板ガラスは熱収縮率が小さくなる。その一方で 、高い冷却速度で冷却された板ガラスは、冷却速度が多少変化しても熱収縮率は殆 ど変わらない。逆に低い速度で冷却された板ガラスは、冷却速度の僅かな変化によ つて熱収縮率が大きく変動することが確認された。
[0024] 具体的には、無アルカリガラス基板の熱収縮率絶対値が 50ppm以上、好ましくは 6 Oppm以上であれば、冷却速度が変動しても熱収縮率が変わることが殆どない。ガラ ス基板の熱収縮をフォトマスクで補正する場合、徐冷点から 100°C降温するまでの温 度範囲において、平均冷却速度から冷却速度を 60°C/分変化させたときの熱収縮 率の変化量が 3ppm以下であれば、安定してパターン形成を行うことができる。
[0025] なおガラス基板の熱収縮率絶対値が同じであれば、ガラス基板の歪点が高いほど 熱収縮率変化量が小さくなる傾向にある。それゆえガラスの歪点が高い方が有利で あると S る。
[0026] 歪点が 630〜655°Cのガラスの場合、冷却速度を 60°C/分変化させたときの熱収 縮率変化量が 3ppm以下であるガラス基板を得るには、ガラス基板の熱収縮率絶対 値を 60ppm以上とすればよレ、。熱収縮率変化量を 2ppm以下にするには 63ppm以 上に、 lppm以下にするには 66ppm以上にすればよい。このようにガラス基板の熱 収縮率を大きくするほど効果的である力 熱収縮率の絶対値が lOOppmを超えると フォトマスクでの補正が難しくなる。それゆえガラス基板の熱収縮率絶対値は ΙΟΟρρ m以下とすることが好ましい。
[0027] また歪点が 655〜680°Cのガラスの場合、冷却速度を 60°C/分変化させたときの 熱収縮率変化量が 3ppm以下であるガラス基板を得るには、ガラス基板の熱収縮率 絶対値を 50ppm以上とすればよい。熱収縮率変化量を 2ppm以下にするには 53pp m以上に、 lppm以下にするには 55ppm以上にすればよレ、。なおこの種のガラス基 板についても上記と同様の理由から、ガラス基板の熱収縮率絶対値は lOOppm以下 とすることが好ましい。
[0028] 本発明のガラス基板を構成する無アルカリガラスは、その用途に適したガラスであ ればシリカガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガラス等、種々のガラスが 使用可能である。中でもダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形 可能なガラスからなることが好ましい。つまり、ダウンドロー法の場合、成形工程にお ける冷却領域 (徐冷炉)がフロート法に比べて極めて短いために、この温度領域での 平均冷却速度を高めることが容易である。それゆえガラスの熱収縮率を容易に高くす ることができる。またダウンドロー法の一種であるオーバーフローダウンドロー法で成 形されたガラス基板は、表面品位に優れており、研磨することなく使用に供することが できるというメリットもある。
[0029] なおダウンドロー法で成形されたガラスは、垂直方向に板引きされるため対流の影 響を受ける。そのため、水平方向に板引きされるフロート法と比べて、冷却速度が安 定せず、従って熱収縮率にばらつきが生じやすレ、。そこで、ガラスの熱収縮率絶対 値が大きくなるようにすれば、従来は困難であった熱収縮率の安定化を達成すること 力 Sできる。つまりダウンドロー法により成形されるガラスの場合、本発明を適用するメリ ットが大きいと言える。
[0030] また大型のガラス基板、例えば短辺が 1500mm以上、特に短辺が 1800mm以上 の基板では、熱収縮率のばらつきに対する要求が一層厳しくなる。つまり熱収縮率 変化量が同じである場合、大型のガラス基板は小型基板に比べて、熱収縮による寸 法変化のばらつきが大きくなる。そこで熱収縮率の絶対値が大きくなるようにすれば、 大型基板であっても寸法変化のばらつきを小さくすることができる。それゆえ大型の ガラス基板の場合、本発明を適用するメリットが大きいと言える。
[0031] ダウンドロー法で成形可能なガラスとは、例えばオーバーフローダウンドロー法の場 合、液相粘度が 104'5Pa' s以上、好ましくは 105'°Pa' s以上のガラスである。なお、液 相粘度は結晶が析出する時の粘度であり、液相粘度が高いほどガラス成形時に失透 が発生しにくぐ製造がしゃすくなる。
[0032] また液晶ディスプレイ基板用途に好適なガラスとしては、質量%で SiO 50〜70%
、A1 0 :!〜 20%、 B O 0〜: 15%、 MgO 0〜30%、 CaO 0〜30%、 Sr〇 0〜
30%、 BaO 0〜30%、好ましくは質量0 /0で SiO 50〜70%、 A1〇 10〜20%、
B〇 3〜: 15%、 Mg〇 0〜: 15%、 Ca〇 0〜: 15%、 SrO 0〜: 15%、 Ba〇 0〜: 15
%の組成を有するアルミノシリケ一ト系無アルカリガラスが挙げられる。この範囲内で あれば、上記した(1)〜(7)の要求特性を満たすガラス基板を得ることが可能である
[0033] この組成範囲の中で、歪点が 630〜655°Cのガラスを得たい場合、例えば質量% で Si〇 50〜65%、A1〇 10〜20%、 B O 5〜: 15%、 MgO 0〜5%、 Ca〇 0
〜10%、 Sr〇 0〜: 10%、 Ba〇 0〜: 15%、好ましくは質量0 /0で SiO 50〜65%、
Al O 12〜: 17%、 B O 5〜: 13%、 MgO 0〜2%、 Ca〇 3〜9%、 SrO 4〜: 10
%、 BaO 0〜: 10%の範囲で適宜選択すればよい。組成範囲を上記のように限定し た理由は以下の通りである。 [0034] Si〇はガラスのネットワークフォーマーとなる成分である。 Si〇の含有量が 65%より
2 2
多いと高温粘度が高くなり溶融性が悪くなり、また失透性も悪くなるため好ましくない
。 50%より少ないと化学的耐久性が悪くなるため好ましくない。
[0035] Al Oは歪点を上げる成分である。 A1〇の含有量が 20%より多いと失透性および
2 3 2 3
ノ ッファードフッ酸に対する化学的耐久性が悪くなるため好ましくない。 10%より少な レ、と歪点が下がるため好ましくなレ、。より好ましくは 12。/0以上、 17。/0以下である。
[0036] B Oは融剤として作用しガラスの溶融性を改善する成分である。 B Oの含有量が 1
2 3 2 3
5%より多いと歪点が下力 Sり塩酸に対する薬品性が悪くなるため好ましくない。 5%より 少ないと、溶融性と失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐久性も悪く なるため好ましくない。より好ましくは 5%以上、 13%以下である。
[0037] Mg〇は高温粘性を下げガラスの溶融性を改善する成分である。 Mg〇の含有量が
5%より多いと失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐久性も悪くなる ため好ましくない。より好ましくは 2%以下である。
[0038] Ca〇も、 MgOと同じぐ高温粘性を下げガラスの溶融性を改善する成分である。 Ca
〇の含有量が 10%より多いと失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐 久性も悪くなるため好ましくない。より好ましくは 3%以上、 9%以下である。
[0039] SrOは失透性および化学的耐久性を向上させる成分である。 SrOの含有量が 10
%より多いと密度が大きくなり、高温粘度が高くなり溶融性が悪くなるため好ましくな レ、。より好ましくは 4%以上、 10%以下である。
[0040] BaOも Sr〇と同じぐ失透性および化学的耐久性を向上させるの成分である。 Ba〇 の含有量が 15%より多いと密度が大きくなり、高温粘度が高くなり溶融性が悪くなる ため好ましくない。より好ましくは 10%以下である。
[0041] また歪点が 655〜680°Cのガラスを得たい場合、例えば質量%で SiO 50〜65%
2
、A1 0 10〜20%、 B O 5〜: 15%、 MgO 0〜5%、 CaO 0〜10%、 Sr〇 0〜
2 3 2 3
10%、 BaO 0〜5%、好ましくは質量0 /0で SiO 50〜65%、 Al O 14〜: 19%、 B
2 2 3 2
〇 7〜: 15%、 MgO 0〜2%、 CaO 3〜: 10%、 Sr〇 0〜5%、 BaO 0〜2%の範
3
囲で適宜選択すればよい。組成範囲を上記のように限定した理由は以下の通りであ る。 [0042] Si〇はガラスのネットワークフォーマーとなる成分である。 Si〇の含有量が 65%より
2 2
多いと高温粘度が高くなり溶融性が悪くなり、また失透性も悪くなるため好ましくない
。 50%より少ないと化学的耐久性が悪くなるため好ましくない。
[0043] Al Oは歪点を上げる成分である。 Al Oの含有量が 10%より多いと失透性および
2 3 2 3
ノ ッファードフッ酸に対する化学的耐久性が悪くなるため好ましくない。 20%より少な レ、と歪点が下がるため好ましくなレ、。より好ましくは 14。/0以上、 19。/0以下である。
[0044] B Oは融剤として作用しガラスの溶融性を改善する成分である。 B Oの含有量が 1
2 3 2 3
5%より多いと歪点が下力 Sり塩酸に対する薬品性が悪くなるため好ましくない。 5%より 少ないと、溶融性と失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐久性も悪く なるため好ましくない。より好ましくは 7%以上、 15%以下である。
[0045] Mg〇は高温粘性を下げガラスの溶融性を改善する成分である。 Mg〇の含有量が
5%より多いと失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐久性も悪くなる ため好ましくない。より好ましくは 2%以下である。
[0046] Ca〇も、 MgOと同じぐ高温粘性を下げガラスの溶融性を改善する成分である。 Ca
〇の含有量が 10%より多いと失透性が悪くなりバッファードフッ酸に対する化学的耐 久性も悪くなるため好ましくない。より好ましくは 3%以上、 10%以下である。
[0047] SrOは失透性および化学的耐久性を向上させる成分である。 SrOの含有量が 10
%より多いと密度が大きくなり、高温粘度が高くなり溶融性が悪くなるため好ましくな レ、。より好ましくは 5%以下である。
[0048] BaOも Sr〇と同じぐ失透性および化学的耐久性を向上させる成分である。 BaOの 含有量が 5%より多いと密度が大きくなり、高温粘度が高くなり溶融性が悪くなるため 好ましくない。より好ましくは 2%以下である。
[0049] 次に本発明の製造方法について説明する。
[0050] まず所望の組成となるように調合したガラス原料を溶融する。ガラス原料の調合は、 その用途に適した特性を有するガラス組成となるように、酸化物、硝酸塩、炭酸塩等 のガラス原料、カレット等を枰量し混合すればよい。シリカガラス、ポロシリケートガラス 、アルミノシリケートガラス等、ガラスの種類は特に問わなレ、が、これらの中でもダウン ドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形可能なガラスとなるように調合す ることが好ましい。ダウンドロー法で成形可能なガラスとは、例えばオーバーフローダ ゥンドロー法の場合、液相粘度が 104'5Pa' s以上、好ましくは 105'°Pa' s以上のガラス である。
[0051] 液晶ディスプレイ基板用途に好適なガラス組成としては、上記したように質量%で S iO 50〜70%、 Al〇 1~20%, B〇 0〜: 15%、 Mg〇 0〜30%、 CaO 0〜3
0%、 Sr〇 0〜30%、 Ba〇 0〜30%、好ましくは質量0 /0で Si〇 50〜70%、 A1〇
10〜20%、B O 3〜: 15%、MgO 0〜: 15%、 CaO 0〜: 15%、 SrO 0〜: 15%
、 BaO 0〜: 15%の組成を有するアルミノシリケ一ト系無アルカリガラス組成が挙げら れる。この組成範囲の中で、歪点が 630〜655°Cのガラスを得たい場合、例えば質 量0 /0で Si〇 50〜65%、A1〇 10〜20%、B O 5〜: 15%、 MgO 0〜5%、 Ca
〇 0〜: 10%、 SrO 0〜: 10%、 BaO 0〜: 15%、好ましくは質量0 /0で Si〇 50〜65
%、A1 0 12〜: 17%、 B O 5〜: 13%、 MgO 0〜2%、 CaO 3〜9%、 SrO 4〜
10%、 BaO 0〜: 10%の範囲にあるガラス組成となるように原料を選択すればよい。 また歪点が 655〜680°Cのガラスを得たい場合、例えば質量%で Si〇 50〜65%、
Al O 10〜20%、B O 5〜: 15%、 MgO 0〜5%、 CaO 0〜: 10%、 SrO 0〜1
0%, BaO 0〜5%、好ましくは質量0 /0で SiO 50〜65%、 Al O 14〜: 19%、 B
〇 7〜: 15%、 MgO 0〜2%、CaO 3〜: 10%、 SrO 0〜5%、 BaO 0〜2%の範 囲にあるガラス組成となるように原料を選択すればよい。
[0052] このようにして調合したガラス原料を、ガラス溶融装置に供給して溶融する。溶融温 度は、ガラスの種類に応じて適宜調節すればよぐ例えば上記組成を有するガラスの 場合には、 1500〜: 1650°C程度の温度で溶融すればよい。なお本発明でいう溶融 には、清澄、攪拌等の各種工程を含む。
[0053] 次いで溶融ガラスを板ガラス状に成形し、冷却する。ガラス基板の熱収縮特性の調 整には、成形した板ガラスを室温まで冷却する徐冷領域での温度履歴の管理が重 要である。具体的には徐冷点から 100°C降温するまでの温度の範囲における平均冷 却速度を 300°CZ分以上となるように調節すればよい。平均冷却速度が 300°CZ分 以上となるように調節すると、ガラス基板の熱収縮率絶対値は大きくなるが、製造条 件の変動に起因する熱収縮率の変動は小さくなる。例えば徐冷温度領域での冷却 速度が 60°C/分変化しても、熱収縮率の変化量が 3ppm以下、特に 2PPm以下、さ らには lppm以下に抑制することが可能となる。その結果、ガラス基板間の熱収縮率 のばらつきが生じ難くなる。なおガラスに不適切な歪みが発生したり、成形体に過剰 な負荷力かかったりすることを防止するために、平均冷却速度の上限は 1000°C/分 以下であることが好ましい。
[0054] 例えば歪点が 630〜655°Cのガラスを製造する場合、平均冷却速度から冷却速度 を 60°C/分変化しても熱収縮率変化量が 3ppm以下であるガラス基板を得るには、 徐冷点から 100°C降温するまでの温度範囲における平均冷却速度を 350°C/分以 上とすればょレ、。なおこの条件で得られるガラス基板の熱収縮率絶対値は約 60ppm 以上となる。熱収縮率変化量を 2ppm以下にするには平均冷却速度を 410°C/分以 上に、 lppm以下にするには平均冷却速度を 510°C/分以上にすればよレ、。これら の条件で得られるガラス基板の熱収縮率絶対値はそれぞれ約 63ppm以上、約 66p pm以上となる。
[0055] 歪点が 655〜680°Cのガラスを製造する場合、冷却速度を 60°C/分変化しても熱 収縮率変化量が 3ppm以下であるガラス基板を得るには、徐冷点から 100°C降温す るまでの温度範囲における平均冷却速度を 300°C/分以上とすればよい。なおこの 条件で得られるガラス基板の熱収縮率絶対値は約 50ppm以上となる。熱収縮率変 化量を 2ppm以下にするには平均冷却速度を 360°C/分以上に、 lppm以下にする には平均冷却速度を 420°C/分以上にすればよい。これらの条件で得られるガラス 基板の熱収縮率絶対値はそれぞれ約 53ppm以上、約 55ppm以上となる。
[0056] 平均冷却速度を高くする最も有効な方法の一つとして、板ガラスの板引き速度を上 げる方法がある。板引き速度を上げれば上げるほど、ガラスの熱収縮率絶対値が大 きくなり、板引き速度の変動による熱収縮率のばらつきを小さくできる。なお板引き速 度を上げるには、成形されたガラスを弓 Iき延ばす引っ張りローラーの回転速度を高く すればよい。また成形工程における冷却領域 (徐冷炉)がフロート法に比べて極めて 短いダウンドロー法を採用すれば、この温度領域での平均冷却速度を容易に高める こと力 Sできる。さらにダウンドロー法の一種であるオーバーフローダウンドロー法で成 形すれば、表面品位に優れたガラス基板を得ることができ、研磨工程を省略すること ができるというメリットもある。具体的には、徐冷点から 100°C降温するまでの温度範 囲における板引き速度が 150cmZ分以上であることが好まし 270cmZ分以上、 さらには 320cmZ分以上、特に 400cm/分以上とすることが望ましい。また板引き 速度の上限は特にないが、成形装置の負荷を考慮すると 800cmZ分以下とすること が好ましい。
なお実際の製造工程においては、板引き速度を上げれば上げるほど速度を一定に 保つことが難しくなつてくる。その結果、板引き速度(=冷却速度)のばらつきが大きく なり、これに起因する熱収縮率のばらつきが生じる。この板引き速度のばらつきによる 影響が無視できない場合には、例えば板引き速度の変動を常に監視し、板引き速度 が一定に保たれるように、引っ張りローラーの回転速度やガラス流量を制御すればよ い。
[0057] なおダウンドロー法で成形する場合、垂直方向に板引きされるため対流の影響を受 ける。そのため、水平方向に板引きされるフロート法と比べて、冷却速度が変動しや すい。そこで、ガラスの冷却速度を大きくすれば、従来は困難であった熱収縮率の安 定化を達成することができる。つまりダウンドロー法を採用する場合、本発明方法を採 用するメリットが大きいと言える。
[0058] また大型のガラス基板、例えば短辺が 1500mm以上、特に短辺が 1800mm以上 の基板を製造する場合、基板間の熱収縮率のばらつきに対する要求が一層厳しくな る。つまり熱収縮率変化量が同じ場合、大型のガラス基板は小型基板に比べて、熱 収縮による寸法変化のばらつきが大きくなる。そこでガラスの冷却速度を十分に大き くすれば、大型基板であっても寸法変化のばらつきを小さくすることができる。それゆ え大型のガラス基板を製造する場合、本発明方法を適用するメリットが大きいと言え る。
[0059] その後、板状に成形されたガラスは、所定のサイズに切断された後、端面処理、洗 浄等必要な処理が施される。
[0060] このようにして熱収縮率の大きレ、ガラス基板を得ることができる。
実施例
[0061] 以下、実施例に基づいて本発明を説明する。 [0062] まず、主たる成分が、質量%で Si〇 60%、Α1 Ο 15%、 B O 10%、 Ca〇 5
2 2 3 2 3
%、 Sr〇 5%、 BaO 2%の組成となるようにガラス原料を調合し、混合した後、連続 溶融炉にて最高温度 1650°Cで溶融した。さらに溶融ガラスをオーバーフローダウン ドロー法にて種々の板引き速度で板状に成形した。その後、板状ガラスを切断するこ とにより、 1500 X 1800 X 0. 65mmの大きさの無アルカリガラス基板を得た。このガ ラス基板は、歪点が 650°C、徐冷点が 705°C、液相粘度 10 Pa' sの特性を有してい た。
[0063] なお歪点および徐冷点は、 ASTM C336-7に基づくファイバーェロンゲーシヨン 法で確認した。液相粘度は、ガラスを粉碎し、標準篩 30メッシュ (篩目開き 500 μ m) を通過し、 50メッシュ(篩目開き 300 / m)に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温 度勾配炉中に 24時間保持して、結晶の析出する温度、すなわち液相温度を測定し 、その温度に相当する高温粘度から求めた。なお高温粘度は白金球引き上げ法で 測定した。
[0064] 得られたガラス基板について、板引き速度が 100cm/分、 200cm/分、 270cm /分、 320cm/分、 400cm/分、及び 500cm/分の場合におけるガラス成形時の 熱履歴を図 3に示す。図 3より、板引き速度が速くなるほど、平均冷却速度が速くなる ことが分かる。なおガラス成形時の熱履歴は、徐冷領域内に設置した熱電対の示す 板引き方向の温度分布と板引き速度によって求めたものである。板引き速度とは、連 続的に成形されるガラス基板が徐冷領域を通過する速度を指し、本実施例において は徐冷領域の中間部分 (徐冷点 _ 50°Cに相当する位置)に測定用ローラーを当接 させて測定したものである。徐冷領域とは、板幅方向中央部分において、徐冷点から 100°C降温するまでの温度範囲に相当する領域を意味し、本実施例では、ガラスの 板幅方向中央部分が 705°Cから 605°Cの温度となる領域を指す。また平均冷却速 度とは、ガラスの板幅方向中央部分が徐冷領域を通過する時間を算出し、その時間 で徐冷領域内の温度差( = 100°C)を除することで求めた速度を指す。
[0065] 次に、種々の板引き速度で成形したガラス基板について、図 1の温度スケジュール
(常温から 10°C/分の速度で昇温、保持温度 450°Cで 10時間保持、 10°C/分の速 度で降温)で熱処理したときの、平均冷却速度及び熱収縮率絶対値を求め、表 1に 示した。またこのときの平均冷却速度と熱収縮率絶対値の関係を図 2に示す。
[0066] [表 1]
Figure imgf000016_0001
[0067] 表 1及び図 2より、平均冷却速度(=板引き速度)の増加に伴って、熱収縮率絶対 値が大きくなるが、同時に冷却速度の変化量に対する熱収縮率の変化量が小さくな ることが分かる。
[0068] なお熱収縮率絶対値は、以下の方法で測定した。まず得られたガラス基板の中央 部分からガラス板試料を切り出し、図 4 (a)に示すようにガラス板 1の所定箇所に直線 状のマーキング 2を入れた後、ガラス板 1をマーキングに対して垂直に折り、 2つのガ ラス板片 la、 lbに分割する。そして一方のガラス板片 laのみに、図 1に示す温度ス ケジュールで熱処理(常温から 10°C/分の速度で昇温し、保持温度 450°Cで 10時 間保持し、 10°CZ分の速度で降温)を施す。その後、図 4 (b)に示すように熱処理を 施したガラス板片 laと、未処理のガラス板片 lbを並べて接着テープ(図示せず)で両 者を固定してから、マーキング 2のずれを、レーザー顕微鏡にて測定し、下記の式 1 を用いて求める。なお式 1中の 1はマーキング間の距離を、 AL及び はマーキン
0 1 2 グの位置ズレ量を示してレ、る。
[0069] [数 1]
Figure imgf000017_0001
(ppm) 式 1 l0(mm

Claims

請求の範囲
[I] 常温から 10°C/分の速度で昇温し、保持温度 450°Cで 10時間保持し、 10°C/分 の速度で降温したときの熱収縮率の絶対値が 50ppm以上であることを特徴とする無 アルカリガラス基板。
[2] 歪点が 630〜655°Cであり、且つ熱収縮率の絶対値が 60ppm以上であることを特 徴とする請求項 1の無アルカリガラス基板。
[3] 歪点が 655〜680°Cであり、且つ熱収縮率の絶対値が 50ppm以上であることを特 徴とする請求項 1の無アルカリガラス基板。
[4] 液相粘度が 104'5Pa' s以上であることを特徴とする請求項 1〜3の何れかの無アル カリガラス基板。
[5] オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることを特徴とする請求項 1〜4の何 れかの無アルカリガラス基板。
[6] 質量0 /0で SiO 50〜70%、Α1 Ο :!〜 20%、 B〇 0〜: 15%、 MgO 0〜30%、
CaO 0〜30%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%含有することを特徴とする請求項
:!〜 5の何れかの無アルカリガラス基板。
[7] ガラス原料を溶融、成形して無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形 時の冷却過程において、徐冷点から 100°C降温するまでの温度範囲での平均冷却 速度が 300°C/分以上であることを特徴とする無アルカリガラス基板の製造方法。
[8] ガラス原料を溶融、成形して歪点が 630〜655°Cの無アルカリガラス基板を製造す る方法であって、平均冷却速度が 350°C/分以上であることを特徴とする請求項 7の 無アルカリガラス基板の製造方法。
[9] ガラス原料を溶融、成形して歪点が 655〜680°Cの無アルカリガラス基板を製造す る方法であって、平均冷却速度が 300°C/分以上であることを特徴とする請求項 7の 無アルカリガラス基板の製造方法。
[10] 液相粘度が 104'5Pa' s以上の無アルカリガラス基板を製造することを特徴とする請 求項 7〜9の何れかの無アルカリガラス基板の製造方法。
[I I] オーバーフローダウンドロー法で成形することを特徴とする請求項 7〜: 10の何れか の無アルカリガラス基板の製造方法。
[12] 質量0 /0で SiO 50〜70%、Α1 Ο :!〜 20%、 B〇 0〜: 15%、 MgO 0〜30%、
CaO 0〜30%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%の組成を有する無アルカリガラス 基板を製造することを特徴とする請求項 7〜: 11の何れかの無アルカリガラス基板の製 造方法。
[13] ガラス原料を溶融、成形して無アルカリガラス基板を製造する方法であって、成形 時の冷却過程において、徐冷点から 100°C降温するまでの温度範囲での平均板引 き速度が 150cm/分以上であることを特徴とする無アルカリガラス基板の製造方法。
[14] 液相粘度が 104'5Pa' s以上の無アルカリガラス基板を製造することを特徴とする請 求項 13の無アルカリガラス基板の製造方法。
[15] オーバーフローダウンドロー法で成形することを特徴とする請求項 13又は 14の無 アルカリガラス基板の製造方法。
[16] 質量0 /0で SiO 50〜70%、Α1 Ο :!〜 20%、 B〇 0〜: 15%、 MgO 0〜30%、
CaO 0〜30%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%の組成を有する無アルカリガラス 基板を製造することを特徴とする請求項 13〜: 15の何れかの無アルカリガラス基板の 製造方法。
[17] 請求項 7〜: 16の方法の何れかによつて製造されてなることを特徴とする無アルカリ ガラス基板。
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CN200680047243.4A CN101331090B (zh) 2005-12-16 2006-12-15 无碱玻璃基板及其制造方法
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009196879A (ja) * 2008-01-21 2009-09-03 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス基板の製造方法及びガラス基板
WO2017204167A1 (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9156728B2 (en) 2006-12-14 2015-10-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Low density and high strength fiber glass for ballistic applications
US9056786B2 (en) 2006-12-14 2015-06-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Low density and high strength fiber glass for ballistic applications
US7829490B2 (en) * 2006-12-14 2010-11-09 Ppg Industries Ohio, Inc. Low dielectric glass and fiber glass for electronic applications
US8697591B2 (en) 2006-12-14 2014-04-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Low dielectric glass and fiber glass
US9394196B2 (en) 2006-12-14 2016-07-19 Ppg Industries Ohio, Inc. Low density and high strength fiber glass for reinforcement applications
US8713967B2 (en) * 2008-11-21 2014-05-06 Corning Incorporated Stable glass sheet and method for making same
JP5479874B2 (ja) * 2009-12-10 2014-04-23 セイコーインスツル株式会社 パッケージの製造方法及びパッケージ
CN102822105B (zh) * 2011-03-28 2015-03-25 安瀚视特控股株式会社 玻璃板的制造方法以及玻璃板制造装置
KR101409534B1 (ko) * 2011-07-01 2014-06-19 아반스트레이트 가부시키가이샤 평판 디스플레이용 유리 기판 및 그의 제조 방법
KR101384742B1 (ko) * 2011-09-02 2014-04-14 주식회사 엘지화학 무알칼리 유리 및 그 제조 방법
CN103781735B (zh) * 2011-09-02 2016-02-10 Lg化学株式会社 无碱玻璃及其制备方法
JP2016153345A (ja) * 2013-06-27 2016-08-25 旭硝子株式会社 無アルカリガラス
JP2016155693A (ja) * 2013-06-27 2016-09-01 旭硝子株式会社 無アルカリガラス
TWI580650B (zh) * 2014-06-30 2017-05-01 Avanstrate Inc Glass substrate manufacturing method and glass substrate
TWI671273B (zh) * 2014-10-23 2019-09-11 日商Agc股份有限公司 無鹼玻璃
KR20230148860A (ko) * 2014-11-28 2023-10-25 에이지씨 가부시키가이샤 액정 디스플레이 패널
JP6742593B2 (ja) * 2015-01-05 2020-08-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法
US20200325060A1 (en) * 2017-12-20 2020-10-15 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for producing glass plate
NL2027190B1 (en) * 2020-11-13 2022-06-30 Corning Inc Apparatus for, and method of, roll forming sheets of high refractive index glass

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0881920A (ja) 1994-09-09 1996-03-26 Kajima Doro Kk 光反射型舗装方法
JPH1053425A (ja) * 1996-08-02 1998-02-24 Hoya Corp ガラス板の製造方法及び製造装置
JP2000281365A (ja) * 1999-04-01 2000-10-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd フロート式板ガラス製造方法及びその製造装置
JP2000335925A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Nippon Sheet Glass Co Ltd 表面に凹凸を有するガラス板の製造方法
JP2001151534A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Nippon Electric Glass Co Ltd 液晶ディスプレイ用ガラス基板
JP2001192217A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Asahi Glass Co Ltd 板硝子の迅速連続製法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3554723A (en) 1967-08-04 1971-01-12 Corning Glass Works Method and apparatus for air cooling glass tube
BE757057A (fr) 1969-10-06 1971-04-05 Corning Glass Works Procede et appareil de controle d'epaisseur d'une feuille de verre nouvellement etiree
JPS6374935A (ja) * 1986-09-17 1988-04-05 Nippon Electric Glass Co Ltd 耐薬品性に優れたガラス基板
US4824808A (en) * 1987-11-09 1989-04-25 Corning Glass Works Substrate glass for liquid crystal displays
US5116787A (en) * 1991-08-12 1992-05-26 Corning Incorporated High alumina, alkaline earth borosilicate glasses for flat panel displays
US5116788A (en) * 1991-08-12 1992-05-26 Corning Incorporated Alkaline earth aluminoborosilicate glasses for flat panel displays
JP3232646B2 (ja) 1992-05-07 2001-11-26 日本板硝子株式会社 液晶表示素子用透明電導ガラスの製造方法
JPH0624790A (ja) 1992-07-06 1994-02-01 Nippon Sheet Glass Co Ltd 液晶表示素子用ガラス基板
JPH06247730A (ja) 1993-02-19 1994-09-06 Asahi Glass Co Ltd 板ガラスの徐冷法
KR100333153B1 (ko) * 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
JPH07109573A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5508237A (en) * 1994-03-14 1996-04-16 Corning Incorporated Flat panel display
US5599754A (en) * 1994-10-14 1997-02-04 Asahi Glass Company Ltd. Glass composition for a substrate, and substrate for plasma display made thereof
JPH08151224A (ja) 1994-11-24 1996-06-11 Asahi Glass Co Ltd 板ガラスの処理方法
WO1997011919A1 (fr) * 1995-09-28 1997-04-03 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Substrat de verre exempt d'alcalis
US5882371A (en) * 1996-07-12 1999-03-16 Asahi Glass Company Ltd. Method for heat-treating a glass substrate
JP2001031434A (ja) 1999-07-19 2001-02-06 Nippon Electric Glass Co Ltd 板ガラスの成形方法および成形装置
JP3586142B2 (ja) 1999-07-22 2004-11-10 エヌエッチ・テクノグラス株式会社 ガラス板の製造方法、ガラス板の製造装置、及び液晶デバイス
JP2002003240A (ja) * 2000-06-19 2002-01-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 液晶ディスプレイ用ガラス基板
JP2002308643A (ja) 2001-02-01 2002-10-23 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラス及びディスプレイ用ガラス基板
DE10128636C1 (de) 2001-06-13 2002-08-01 Schott Glas Verfahren zur selektiven Beeinflussung der Glasdicke bei der Herstellung von Flachglas und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP4253254B2 (ja) 2001-12-14 2009-04-08 コーニング インコーポレイテッド オーバーフロー・ダウンドロー・フュージョン法による板ガラスの製造装置および方法
JP4218263B2 (ja) * 2002-06-24 2009-02-04 旭硝子株式会社 板硝子の製造方法
KR20050109929A (ko) * 2003-03-31 2005-11-22 아사히 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리
WO2005122116A1 (ja) 2004-06-11 2005-12-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. フラットパネルディスプレイ用板ガラスの選別方法、フラットパネルディスプレイ用板ガラス及びその製造方法
US7409839B2 (en) 2005-04-29 2008-08-12 Corning Incorporated Method and apparatus for making a glass sheet
EP1746076A1 (en) * 2005-07-21 2007-01-24 Corning Incorporated Method of making a glass sheet using rapid cooling
JP5083707B2 (ja) 2006-01-12 2012-11-28 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板の製造方法
WO2008036227A1 (en) * 2006-09-20 2008-03-27 Corning Incorporated Temperature compensation for shape-induced in-plane stresses in glass substrates
US8713967B2 (en) * 2008-11-21 2014-05-06 Corning Incorporated Stable glass sheet and method for making same
US8037716B2 (en) * 2009-02-27 2011-10-18 Corning Incorporated Thermal control of the bead portion of a glass ribbon

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0881920A (ja) 1994-09-09 1996-03-26 Kajima Doro Kk 光反射型舗装方法
JPH1053425A (ja) * 1996-08-02 1998-02-24 Hoya Corp ガラス板の製造方法及び製造装置
JP2000281365A (ja) * 1999-04-01 2000-10-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd フロート式板ガラス製造方法及びその製造装置
JP2000335925A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Nippon Sheet Glass Co Ltd 表面に凹凸を有するガラス板の製造方法
JP2001151534A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Nippon Electric Glass Co Ltd 液晶ディスプレイ用ガラス基板
JP2001192217A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Asahi Glass Co Ltd 板硝子の迅速連続製法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1970354A4 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009196879A (ja) * 2008-01-21 2009-09-03 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス基板の製造方法及びガラス基板
CN101925546A (zh) * 2008-01-21 2010-12-22 日本电气硝子株式会社 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板
JP2013173672A (ja) * 2008-01-21 2013-09-05 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス基板
WO2017204167A1 (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
JPWO2017204167A1 (ja) * 2016-05-25 2019-03-28 Agc株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
JP7047757B2 (ja) 2016-05-25 2022-04-05 Agc株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
JP2022078351A (ja) * 2016-05-25 2022-05-24 Agc株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
US11370694B2 (en) 2016-05-25 2022-06-28 AGC Inc. Alkali-free glass substrate, laminated substrate, and method for manufacturing glass substrate
JP7287524B2 (ja) 2016-05-25 2023-06-06 Agc株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法

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KR101230987B1 (ko) 2013-02-07
EP1970354B1 (en) 2015-06-17
CN101331090A (zh) 2008-12-24
JP2012193108A (ja) 2012-10-11
CN101331090B (zh) 2014-04-16
US20120178613A1 (en) 2012-07-12
CN102219355A (zh) 2011-10-19
US8281618B2 (en) 2012-10-09
EP1970354A4 (en) 2013-10-23
US20090170684A1 (en) 2009-07-02
KR20080082989A (ko) 2008-09-12

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