WO2007052799A1

WO2007052799A1 - 多層プリント配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: WO2007052799A1
Application number: PCT/JP2006/322126
Authority: WO
Inventors: Tadashi Nakamura; Fumio Echigo; Shogo Hirai; Toshio Sugawa
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2005-11-07
Filing date: 2006-11-07
Publication date: 2007-05-10
Also published as: JP2007129124A; KR20080002956A; EP1811824B1; DE602006011710D1; TWI392410B; EP1811824A4; EP1811824A1; CN101069459A; KR100962837B1; CN101069459B; US20090229862A1

Description

明細書

多層プリント配線基板及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、携帯電話や超小型携帯端末等に使われる多層プリント配線基板や、半導体チップをベアチップ実装する際に用いられるインターポーザ等に用いられる多層プリント配線基板及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来、この種の多層プリント配線基板 (以下、単に多層基板と呼ぶ）としては、任意の位置に IVH (インナービアホール)を形成したもの力例えば、特許文献 1に開示されている。

そして、市場力もは多層基板の更なる薄層化が望まれていた。以下、多層基板を薄層化するための手段としてフィルムを使った多層基板について説明する。

[0003] 図 11は従来の多層プリント配線基板の一例を示す断面図であり、接着剤を用いてフィルムを積層する多層配線板の一例である。図 11に示すように、フィルム 10上には配線 12よりなる所定パターンが形成されている。そして複数のフィルム 10は、接着剤 14によって配線 12と共に接着されている。また、必要部分に IVH8を形成することで、異なる層に形成された配線 12同士を接続している。

[0004] しカゝしながら、従来の構成では、フィルム 10同士を接続するために接着剤 14を用いているため、薄層化に限度があった。

[0005] 例えば、図 11で示した構成によれば、配線 12が片面に形成されたフィルム 10を用いて積層するため、 4層の多層基板を作製する場合、接着剤 14が 3層、フィルム 10 力層の合計 7層分の厚みが必要となり、薄層化が難し力つた。

[0006] 一方、図 11で示した構成の応用として、配線 12を両面に形成したフィルム 10を 2 枚用意し、接着剤 14で貼り付けて 4層の多層基板とすることも考えられた。この場合には、両面に配線 12が形成されたフィルム 10同士を、接着剤 14によって貼り付けることになる。し力この張り合わせの際に、接着剤 14が軟化、流動化するため、向き合った配線 12同士を短絡させる可能性が生じるという課題があった。特許文献 1 :特開 2002— 353619号公報

発明の開示

[0007] 本発明の多層プリント配線基板は、表裏面に配線パターンが形成された榭脂フィルムを使った両面プリント配線基板同士を、途中にフィルムプリプレダを挟んでプレスして、一体化することにより形成する。

[0008] このような構成により、従来の織布が榭脂で含浸されたプリプレダの代わりに、フィルムの両面に仮硬化状態の榭脂層が形成されたフィルムプリプレダを用いて、配線が両面に形成されたフィルム同士を張り合わせるため、高圧でプレスした場合でもフイルムプリプレダに含まれるフィルムによって配線同士の短絡が防止できる。また、予めフィルムプリプレダに貫通孔を形成し導電性ペーストを充填しておくことで、両面プリント配線基板同士の接着と同時に IVHの形成も可能となる。

[0009] また、本発明の多層プリント配線基板の製造方法は、絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、両面基板を作製する両面基板作製ステップと、ベースト接続層の表裏面に両面基板を積層して積層体を形成する積層ステップと、積層体を熱プレスカ卩ェする熱プレスステップとを少なくとも備えたことを特徴とする。

[0010] このようなステップを備えることにより、薄層化に対応する多層プリント配線基板を製造できる。

図面の簡単な説明

[0011] [図 1]図 1は実施の形態 1における多層基板の断面図である。

[図 2A]図 2Aは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[図 2B]図 2Bは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[図 2C]図 2Cは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[図 3A]図 3Aは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。圆 3B]図 3Bは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

圆 3C]図 3Cは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[図 4]図 4は実施の形態 3における多層プリント配線基板の断面図である。

圆 5A]図 5Aは実施の形態 4における多層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

圆 5B]図 5Bは実施の形態 4における多層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[図 6]図 6は実施の形態 5の多層プリント配線基板の断面図である。

圆 7A]図 7Aは実施の形態 6における多層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

圆 7B]図 7Bは実施の形態 6における多層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[図 8]図 8は実施の形態 7における表層をファインパターンとした多層プリント配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。

[図 9A]図 9Aは実施の形態 7における表層をファインパターンとした多層プリント配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。

[図 9B]図 9Bは実施の形態 7における表層をファインパターンとした多層プリント配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。

[図 10A]図 10Aは実施の形態 7における表層をファインパターンとした多層プリント配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。

[図 10B]図 10Bは実施の形態 7における表層をファインパターンとした多層プリント配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。

[図 11]図 11は従来の多層プリント配線基板の一例を示す断面図である。

符号の説明

102, 102a, 102b, 102c 榭脂フィルム

104a, 104b 第 1の配線 106a, 106b, 106c, 106d 第 2の配線

108 絶縁榭脂

110 IVH (インナービアホール）

112 層間接続部

114a, 114b, 114c 両面基板

116 ペースト接続層

118 保持膜

120 仮硬化榭脂

122 フィルムプリプレダ

124 貫通孔

126 導電性ペースト

128 多層基板

130 層間絶縁層

132 内部電極

134a, 134b 片面基板

136 ブラインドビア

138 金属膜

発明を実施するための最良の形態

[0013] 以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。

[0014] (実施の形態 1)

以下、本発明の実施の形態 1における多層基板について、図面を参照しながら説明する。

[0015] 図 1は本発明の実施の形態 1における多層基板の断面図である。図 1に示すように、多層基板は榭脂フィルム 102a、 102b,第 1の配線 104a、 104b,第 2の配線 106a 、 106b,絶縁榭脂 108、 IVH110、層間接続部 112、両面基板 114a、 114b,ぺースト接続層 116、保護膜 118を有する。

[0016] 図 1に示すように、両面基板 114aには、フィルム 102aの片面に第 1の配線 104aが、残りの面に第 2の配線 106aが形成されている。そして、第 1の配線 104aと第 2の配線 106aは層間接続部 112によって接続されている。同様に、両面基板 114bには、フィルム 102bの片面に第 1の配線 104bが、残りの面に第 2の配線 106bが形成されている。そして、第 1の配線 104bと第 2の配線 106bは、層間接続部 112によって接続されている。

[0017] ここで、第 1の配線 104a、 104bは、実施の形態 1のプリント配線基板の表面に露出した配線に相当する。一方、第 2の配線 106a、 106bは両面基板 114a、 114bの表面に形成された状態で、絶縁榭脂 108の内部に埋設されている。そして、第 2の配線 106a, 106bの配線厚みは、絶縁榭脂 108に埋没されることによって吸収され、サンプルの表面に凹凸として表れにくくなる。また、 IVH110はインナービアホール (層間接続)である。榭脂フィルム 102aの表面に形成された第 2の配線 106aと、榭脂フィルム 102bの表面に形成された第 2の配線 106bは、 IVH110によって電気的に接続されている。図 1に示すように、 IVH110は、絶縁榭脂 108と保持膜 118を貫通することで、互いに向き合う第 2の配線 106aと、第 2の配線 106bを電気的に接続している。また、ペースト接続層 116は、保持膜 118の両面に形成された絶縁榭脂 108と、これらを貫通する IVH110から構成されて、る。

[0018] なお、図 1を用いて配線や絶縁層の数え方について説明する。図 1を上から下に数えた場合に、表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層（これは表層に相当する）がフィルム 102aに、表層から数えて 2層目の 2層目絶縁層がペースト接続層 116に、表層力も 3層目の 3層目絶縁層がフィルム 102bに、それぞれ相当する。

[0019] 同様に、表層から数えて 1層目の 1層目配線 (これは表層の配線に相当する）が第 1 の配線 104aに、表層カゝら数えて 2層目の 2層目配線が第 2の配線 106aに、表層から数えて 3層目の 3層目配線が第 2の配線 106b、表層力も数えて 4層目の 4層目配線が第 1の配線 104bに相当する。なお、図 1は、電極が 4層形成されている 4層構造であり、上下対称であるため、上から下に数えても、下から上に数えても実質的な違いは無いが、本発明の実施の形態 1においては原則的に上から下に数えるものとする

[0020] このようにして図 1に示すように、表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層がペースト接続層 116となり、このペースト接続層 116を貫通する電気的接続力 IV H110に相当する。そして、表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線である第 2の配線 106aと、表層から数えて 3層目に形成された 3層目配線である第 2の配線 1 06bとが、絶縁榭脂 108に埋設されることになる。そして、 IVH110の無い部分に形成された第 2の配線 106a、 106bは、絶縁榭脂 108や保持膜 118によって互いに短絡することが無い。

[0021] なお、実施の形態 1における IVH110は、絶縁榭脂 108に形成された貫通孔の中に導電性ペーストが充填されたものである。後述する図 2A、 2B, 2Cにおいて、貫通穴 124や導電性ペースト 126について説明する。また、この IVH110が両面基板 11 4aと 114bの間に形成され、第 2の配線 106aと 106bを接続する。そして、ペースト接続層 116の任意の位置に IVH110を形成できる。このように実施の形態 1における多層基板では、フィルム 102a、 102bを用いた複数枚の両面基板 114a、 114bの厚みが絶縁榭脂 108に吸収されると同時に、層間の接続が IVH110によって行われている。

[0022] なお、実施の形態 1にお!/、てペースト接続層 116を構成する部材として、保持膜 11 8の両面に、所定の榭脂が一定厚みで形成されたものであり、これが後述する図 2A 〜図 3Cで説明するようにして 2枚の両面基板 114a、 114bを互いに貼り付け一体ィ匕すること〖こなる。このように実施の形態 1では、絶縁榭脂 108の中に内蔵される保持膜 118【こよって、両面基板 114a、 114bの上【こ形成された第 2の酉己線 106a、 106b が互いに短絡することがなぐ多層基板自身の総厚を大幅に薄層化できる。なお、榭脂の詳細については、図 2A〜図 3Cで説明する。

[0023] 以上のように、表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層（図 1のペースト接続層 116に相当）を貫通する電気的接続が導電性ペースト (図 1の IVH 110に相当）とする。

[0024] そして、表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線（図 1において上力も数えた場合は、両面基板 114aの上に形成された第 2の配線 106aに相当する。同様に下から数えた場合は、両面基板 114bの上に形成された第 2の配線 106bに相当する）と、表層から数えて 3層目に形成された 3層目配線が、ペースト接続層 116によって埋設されると共に、電気的に接続する。なお、図 1において上力も数えた場合には、 3層目配線は両面基板 114bの上に形成された第 2の配線 106bに相当する。同様に下から数えた場合、 3層目配線は両面基板 114aの上に形成された第 2の配線 106aに相当する。

[0025] このようにして実施の形態 1では、絶縁榭脂 108を用いて 4層基板 (ここで 4層とは配線が 4層のこと）を構成する場合も、互いに向き合った電極同士の短絡を防止できるため、絶縁榭脂 108の薄層化が可能となり、 4層基板の薄層が可能となる。

[0026] (実施の形態 2)

以下、本発明の実施の形態 2における多層基板の製造方法について説明する。実施の形態 2は 4層基板の製造方法の一例であり、例えば実施の形態 1で説明した 4層基板の製造方法の一例に相当する。図 2A、 2B, 2C、及び図 3A, 3B, 3Cは実施の形態 2における 4層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。

[0027] 図 2A、 2B, 2Cに示すように、実施の形態 2における 4層プリント配線基板は、仮硬化榭脂 120、フィルムプリプレダ 122、貫通孔 124、導電性ペースト 126を有している。まず、図 2Aに示すように、保持膜 118の両面に仮硬化榭脂 120を所定膜厚で形成されてなるフィルムプリプレダ 122を用意する。そして、図 2Bに示すように、フィルムプリプレダ 122を構成する仮硬化榭脂 120及び保持膜 118に、貫通孔 124を形成する。貫通孔 124の形成には金型、ドリル、レーザー等を用いることができる。そして次に、図 2Cに示すように貫通孔 124の内部に導電性ペースト 126を充填する。例えばフィルムプリプレダ 122とその上に形成された保護フィルム（図示して!/ヽな、）をマスクとして、スキージ等で導電性ペースト 126を擦り付ける、もしくは充填することで、セルファライメント的（自己整合的）に、フィルムプリプレダ 122に形成された貫通孔 1 24だけに導電性ペースト 126を充填することができる。

[0028] なお、仮硬化榭脂 120の表面には、保護フィルム（図 2A、 2Bには図示していない）を予め貼っておくことが望ましい。保護フィルムを使うことで、例えば図 2Bに示すような貫通孔 124の形成を容易にすると共に、この保護フィルムを一種のマスクとして使うことで、貫通孔 124に導電性ペースト 126を充填しやすくなる。そして、導電性べ一スト 126を充填した後に、保護フィルム（図示していない）を剥がすことで、図 2Cの状態のようにフィルムプリプレダ 122が加工される（以下、図 2C品と呼ぶ）。 [0029] なお、保持膜 118として、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ァラミドフィルム等の耐熱性フィルムを使うことが望ましい。高耐熱性の榭脂フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の耐熱性を高められる。また、保持膜 118の厚みとしては 100 m以下、特に 5 m以上で、かつ 50 m以下、望ましくは 30 m以下、更に可能なれば 25 μ m以下を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なお、こうした耐熱性フィルムからなる保持膜 118の両面に、硬化型榭脂を塗工機で所定厚みに塗布し、仮硬化しておくことで、後述する図 3B、図 3Cに示すようにして、両面基板と共に加熱し、本硬化させることができる。なお、仮硬化とは、僅かに硬化された状態であり、柔軟性が有る状態である。また、仮硬化状態の榭脂は、再加熱すると軟化する状態であり、再加熱状態を調整することで、本硬化させることができる。

[0030] 図 3Aは、両面基板 114aの断面図である。図 3Aにおいて、フィルム 102aの片面に第 1の配線 104aが、残りの面に第 2の配線 106aが形成され、両面基板 114aを構成している。そして、榭脂フィルム 102aを貫通するように形成された層間接続部 112が、第 1の配線 104aと第 2の配線 106aを層間接続する。

[0031] ここで、榭脂フィルム 102a、 102bの材質として、保持膜 118と同様に、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ァラミドフィルム等の耐熱性フィルムを使うことが望ましい。高耐熱性の榭脂フィルムを用いることで、半田付けステップ等での熱影響を抑えられる。また、これら耐熱性フィルムの厚みは 100 μ m以下、特に 5 μ m以上で、かつ 50 μ m以下を選ぶことが望ましい。望ましくは 30 μ m以下、更に可能なれば 25 μ m以下、特に保持膜 118の場合には両面が仮硬化榭脂 120や保護フィルムで覆われて V、るため 5ミクロン程度も可能である。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なお、こうした両面基板 114aとして、極薄の耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく銅箔を形成した基板材料、例えば、後述する CCL (Copper Clad Laminate)を選ぶことができる。また、保持膜 118として極薄の耐熱性フィルムを用いる場合に、表面粗面化、プラズマ処理等を含む表面改質を行っておくことで、その上に形成した仮硬化榭脂 120との密着性を高められる。同様に、榭脂フィルム 102a、 102bも、少なくとも片面に銅箔を形成させながら、 10ミクロンや、 5ミクロンといった薄層化が可能となる。

[0032] 図 3Bは、図 2C品の両面に、両面基板 114a、 114bを位置合わせした状態を示している。図 3Bにおいて、図 2C品に面する側に両面基板 114aの第 2の配線 106aと、両面基板 114bの第 2の配線 106bとが面している。そして、第 2の配線 106a、 106b と、導電性ペースト 126を位置合わせする。そして位置合わせした状態で、真空プレスで加熱圧着させる（真空プレスは図示していない）。そして、真空プレスが終了した後、プレスしたサンプルを取り出す。図 3Cは、真空プレスが終了した後のサンプルの断面図に相当する。

[0033] なお、真空プレスによって、所定の温度プロファイルでサンプル、もしくは図 3Cに相当する所定の積層体を加熱硬化させる。そうすると、仮硬化榭脂 120が軟化、硬化し絶縁榭脂 108と変化する。そして、仮硬化榭脂 120が軟化した際に、両面基板 114a 、 114bに形成された第 2の配線 106a、 106bを埋没させ、その配線厚みを吸収する。そして、配線厚みを吸収した状態で仮硬化榭脂 120が硬化し、絶縁榭脂 108となり両面基板 114a、 114bを強固に固定する。また、このとき仮硬化榭脂 120と保持膜 1 18に埋め込まれた導電性ペースト 126も同時に硬化し、 IVH110と変化する。こうようにして、 IVH110を有する 4層基板を構成する。そして、第 2の配線 106a、 106bの厚み、もしくは厚みによる凹凸は低減、もしくは平坦ィ匕する。また、真空プレスの際、保持膜 118が有るため、第 2の配線 106a、 106b同士が強く押し付けられても、短絡することはない。

[0034] 更に、実施の形態 2における 4層基板の製造方法について詳しく説明する。まず保持膜 118として、例えば、厚み約 10ミクロンの市販のポリイミドフィルムを選び、コータ一（塗工機）を使って、この両面にエポキシ系の榭脂を薄く塗布する。そして、コータ一を使用後に、設置した乾燥機によって榭脂を仮硬化状態とする。そして、仮硬化榭脂 120の表面保護のため、その表面に保護フィルムを貼り付ける。こうして図 2Aの状態のサンプルが作製される。なお、図 2Aでは、仮硬化榭脂 120の上の保護フィルムは図示していない。

[0035] 次に、図 2Bに示すように、プリプレダ上に保護フィルム（図 2Bで、保護フィルムは図示していない）が形成された状態で所定位置に貫通孔 124を形成する。次に、保護フィルムの上に導電性ペースト 126を所定量添カ卩し、スキージ (ゴムベラ）で導電性べ一スト 126を刷り込むようにして、貫通孔 124に充填する。その後、保護フィルムを剥離することで、図 2Cの状態のようにフィルムプリプレダ 122が加工される。

[0036] 次に、図 3Aに示すように両面基板 114aを用意する。両面基板 114aには両面銅張りフィルムを用いる。具体的には、厚みが 10 mのポリイミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく銅箔を張ったものを用いる。なお、具体的には市販の CCLを使うことが望ましい。次に、両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンにカ卩ェし、図 3A の両面基板 114aを形成する。なお CCLとして、接着剤を用いないものを選ぶことが望ましい。このような接着剤を使っていない両面銅張りフィルム、例えば、下地等に薄膜法を用いたものを選ぶことで、接着剤に起因する課題発生を防止できる。

[0037] 次に図 3Bに示すように、図 2C品両面に、両面基板 114a、 114bを所定治具（図示していない）によって位置合わせをする。その後、真空プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体化する。この際、必要に応じて加熱、加圧することが望ましい。またこのプレス条件を、仮硬化榭脂 120が軟化した後、硬化する条件とする。同時に導電性ペースト 126によって、両面基板 114a、 114bのフィルムプリプレダ 122側に形成された第 2の配線 106a、 106bを電気的に接続する。

[0038] こうして図 3Cに示すような、極薄の多層基板が作製される。ここで、フィルム 102a、 102b,保持膜 118、仮硬化榭脂 120の厚みを薄ぐ例えば、 40 m、あるいは 20 m、更には 10 mとすることで、総厚が 100 m以下、あるいは 60 m以下、更には 30 μ m以下と、つた極薄の多層基板が製造できる。

[0039] 以上のようにして、 4層プリント配線基板の表層力数えて 2層目の 2層目絶縁層 (2 層目絶縁層は、図 3Cにおいて、ペースト接続層 116に相当する）を貫通する電気的接続が導電性ペースト 126であるペースト接続層 116を有し、表層から数えて 2層目に設けられた 2層目配線（図 3Cにおいて、第 2の配線 106aに相当する）と、表層から数えて 3層目に設けられた 3層目配線（図 3Cにおいて、第 2の配線 106bに相当する )とが、ペースト接続層 116に埋設されていることを特徴とする 4層プリント配線基板を作製できる。

[0040] 以上のように、実施の形態 2において、「表層力も数えて 2層目の 2層目配線（図 3C の第 2の配線 106aに相当）」と、「表層から数えて 3層目の 3層目配線（図 3Cの第 2の配線 106bに相当）」とは、両方とも同様にペースト接続層 116に埋没させることができる。このため基板厚みを薄くした場合でもその配線厚みを吸収できるため、表面平滑 ^¾が要求されるバンプ等を用いたベアチップ実装、更には CPU実装用のインターポーザにも適用できるように、チップ部品や半導体チップ等の実装性が高められる。

[0041] また、ペースト接続層 116を、仮硬化榭脂 120と仮硬化榭脂 120に形成された貫通孔 124に充填された導電性ペースト 126とすることで、 IVH110の形成位置を自由に設計できるため、回路基板の小型化、高性能化が可能となる。

[0042] (実施の形態 3)

以下、本発明の実施の形態 3における多層基板について、図面を参照しながら説明する。実施の形態 1と実施の形態 3の違いは、多層化に用いているフィルムの枚数であり、実施の形態 1では 2枚、実施の形態 3では 3枚である。

[0043] 図 4は実施の形態 3における多層プリント配線基板の断面図である。図 4ではフィルムを用いた両面基板 114a、 114b, 114cを、 2枚のペースト接続層 116a、 116bを用いて互いに貼り合わせたものである。そして、両面基板 114aの表面に形成された第 2の配線 106aと、両面基板 114bの表面に形成された第 2の配線 106bと力 IVH 110によって電気的に接続される。同様に、両面基板 114cの上に形成された第 2の配線 106dと、両面基板 114bの上に形成された第 2の配線 106cと力 IVH110によつて電気的に接続される。

[0044] このように、 3枚の両面基板 114a、 114b、 114cをペースト接続層 116a, 116bを用いて一体化する。ここで、配線の合計の層数は、配線 2層 X 3枚 =6層と計算できる。そして、配線の合計 6層のうち 4層分の配線厚みを、ペースト接続層 116a、 116b に埋め込み吸収することができ、更なる薄層化と表面が平滑化された多層基板を製造できる。ここで、図 4の場合には、多層基板は 6層基板である。

[0045] なお、ペースト接続層 116a、 116bは、絶縁榭脂 108と IVH110から構成されている。ここで、 IVH110はインナービアホールであり、本実施の形態の場合には、任意の位置に IVH110を形成することができる。また、ペースト接続層 116を構成する絶縁部材として、フィルムプリプレダ 122を使うことができる。また、 IVH110を構成する導電部材として、硬化型導電性ペースト 126を用いることが望ましい。このように実施の形態 3における多層基板において、フィルムプリプレダ 122に形成した貫通孔 124 に、硬化型導電性ペーストを充填して積層することで、多層基板の大幅な薄層化が可能となる。

[0046] 以上のように、 5層以上のプリント配線基板の、少なくとも一方の表層から 2層目の 2 層目絶縁層（図 4における絶縁榭脂 108)間の電気的接続が導電性ペースト 126の硬化物である IVH110である多層基板を作製できる。この多層基板は、ペースト接続層 116a、 116bを有し、一方の表層から 2層目に設けられた 2層目配線と、表層から 3 層目に設けられた 3層目配線がペースト接続層 116aで接続される。同様に、図 4において、ペースト接続層 116bによって、第 2の配線 106cと第 2の配線 106dが埋設、埋め込まれる。なお、 2層目配線は、図 4において上力も数えた場合は、両面基板 11 4aの上に形成された第 2の配線 106aに相当する。また、 3層目配線は、図 4において上力も数えた場合は、両面基板 114bの上に形成された第 2の配線 106bに相当する。

[0047] なお、ここで「表層から 2層目の 2層目絶縁層の電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層」とは、図 4のペースト接続層 116a、 116bのことである。また、表層力も数えて 1層目の 1層目絶縁層とは、図 4におけるフィルム 102aに相当する。「表層から数えて 2層目に設けられた 2層目配線」とは、図 4における第 2の配線 106aに相当する。また「表層から数えて 3層目に設けられた 3層目配線」とは、図 4において上から下に数えた場合 (配線の場合、配線だけを数える）、両面基板 114bの上に形成されてペースト接続層 116bに埋没された第 2の配線 106bに相当する。

[0048] (実施の形態 4)

以下、本発明の実施の形態 4における多層基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図 5A, 5Bは実施の形態 4における多層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図である。実施の形態 4は、複数枚のフィルムを用いて多層化する製造方法の一例であり、例えば実施の形態 3での多層基板の製造方法の一例を示すものである。

[0049] まず、図 5Aに示すように、フィルムプリプレダ 122の貫通孔に導電性ペースト 126 を充填したものを複数枚用意する。同様に、榭脂フィルム 102a、 102b, 102cを用いた両面基板 114a、 114b, 114cを用意する。そして、これらを図 5Aに示すように、互いに位置合わせする。

[0050] 図 5Bは、図 5Aのサンプル力互いに一体化した後の様子を示す断面図である。

具体的には、図 5Aで示した状態のサンプルを、真空熱プレス等を使って互いに密着させ、硬化、一体化したものが図 5Bに示されている。このプレス積層時に、所定の温度プロファイルで加熱することで、仮硬化榭脂 120が軟ィ匕し硬化することとなり、絶縁榭脂 108に変化する。そして、フィルムプリプレダ 122に埋め込まれた導電性ペースト 126も同時に加熱、硬化され IVH110となる。

[0051] 更に、実施の形態 4における多層基板の製造方法について、詳しく説明する。まず、仮硬化榭脂 120としてはポリイミド系のフィルムの上に、エポキシ系の榭脂を表面に塗布、仮硬化してなるフィルムプリプレダ 122を用意する。そして、図 2Bに示すように、仮硬化榭脂 120上の保護フィルム毎、所定位置に貫通孔 124を形成する。次に保護フィルムの上に導電性ペースト 126を所定量添加し、スキージ (ゴムベラ）で導電性ペースト 126を、仮硬化榭脂 120に形成された貫通孔 124に充填する。そして保護フイルムを剥離することで、図 5Aの状態のようにフィルムプリプレダ 122が加工される。

[0052] 次に、両面銅張りフィルムを用意する。具体的には、厚み 10 mのァラミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく銅箔を張ったものを用いる。こうしたものとしては、巿販の CCLを使うことができる。次に、両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図 5Aの両面基板 114a、 114b, 114cを形成する。なお、 CCLとして、接着剤を用いないものを選ぶことが望ましい。このように、両面銅張りフィルムにおける銅箔の接合に接着剤を使わないもの、例えば、下地等に薄膜法を用いたものを選ぶことで、接着剤に起因する課題発生を防止できる。

[0053] こうして、図 5Aに示すように、導電性ペースト 126の充填されたフィルムプリプレダ 1 22と、両面基板 114a、 114b, 114cを互いに交互に積み重ねて位置合わせする。その後、真空プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体ィ匕する。この際、必要に応じて真空加熱プレスとしても良い。また、このプレス条件を、仮硬化榭脂 120が軟化し、さらに硬化する条件とすることで、複数の両面基板 114a、 114b, 114cを中央にセットして仮硬化榭脂 120を用いて複数の両面基板 114a、 114b, 114cを一体ィ匕できる。また、このプレス条件において、導電性ペースト 126が、両面基板 114a、 11 4b、 114cのフィルムプリプレダ 122側に形成された第 2の配線 106a、 106bを電気的に接続する。

[0054] こうして、図 5Bに示すような、極薄の多層基板を作製できる。ここで、フィルム 102a 、 102b, 102cや仮硬ィ匕樹月旨 120の厚みを薄く、 f列えば、 40 μ m、あるいは 20 μ m、更には 10 mとすることで、総厚が 100 m以下、あるいは 60 m以下、更には 30 μ m以下といった極薄の多層基板が製造できる。

[0055] (実施の形態 5)

以下、本発明の実施の形態 5における多層基板について説明する。図 6は実施の形態 5の多層プリント配線基板の断面図である。実施の形態 3では中央部が 2層基板であったが、実施の形態 5では中央部が 3層以上の多層基板であることが、実施の形態 5と実施の形態 3の相違点である。このように、実施の形態 5を用いることで、フィルム等を用いた両面基板以外でも、更に多様で、様々な形態の多層基板を形成できる

[0056] 図 6に示すように、実施の形態 5における多層基板は、多層基板 128、層間絶縁層 130、内部電極 132を有する。ここで、多層基板 128は、層間絶縁層 130によって層間絶縁された複数層の内部電極 132や、層間接続部 112等から構成され、その表面には第 2の配線 106b、 106cが露出している。なお、図 6に示すように、多層基板 1 28の表面に形成された配線である第 2の配線 106b、 106cは、共にペースト接続層 116a, 116b【こ埋め込まれて!/、る。同様【こ、フイノレム 102a、 102bの表面【こ ίま第 1の配線 104a、 104bと第 2の配線 106a、 106dが形成され、互いが層間接続部 112で電気的に接続されることで両面基板 114a、 114bが構成されてヽる。

[0057] そして、図 6に示すように両面基板 114aのペースト接続層 116a側に形成した第 2 の配線 106aと、多層基板 130のペースト接続層 116a側に形成された第 2の配線 10 6bと力共にペースト接続層 116aに埋没されて IVH110によって電気的に接続される。同様に、両面基板 114b上の第 2の配線 106dと、多層基板 128表面の第 2の配線 106cと力ペースト接続層 116bを貫通する IVH110によって接続される。 [0058] このように、多層基板 128を中央にして、その両側、もしくは両面に両面基板 114a 、 114bを形成し、ペースト接続層 116にてその配線厚みを吸収すると共に一体ィ匕し層間接続も行うことができる。また、実施の形態 5では、フィルムプリプレダ 122の硬化物からなるペースト接続層 116a、 116bを使うため、ペースト接続層を薄層化しても、第 2の配線 106a、 106b間、あるいは第 2の配線 106c、 106d間の短絡を防止できる

[0059] (実施の形態 6)

実施の形態 6では多層基板の製造方法について、図 7A, 7Bを用いて更に詳しく説明する。図 7A, 7Bは実施の形態 6における多層プリント配線基板の製造方法を説明する断面図であり、例えば実施の形態 5で説明した図 6の多層基板の製造方法に相当する。

[0060] まず、図 7Aに示すように、多層基板 128を用意する。多層基板 128は、内部電極 1 32が層間絶縁層 130に挟まれ、互いに層間接続部 112を介して接続されている。また、多層基板 128の表面には第 2の配線 106b、 106cが露出している。こうした多層基板 128としては、市販のガラスエポキシ系の多層基板を使うことができる。

[0061] 図 7Bは、多層基板を中央にして、その両側にフィルムを用いた両面基板をセットした様子を示す断面図である。図 7Bにおいて、多層基板 128の両側に、導電性べ一スト 126を充填したフィルムプリプレダ 122を、その導電性ペースト 126が所定位置になるようにセットしている。そして、フィルムプリプレダ 122の外側に、両面基板 114a、 114bが互いに位置合わせしてセットされる。この状態で、真空プレス等を用いて、加熱圧着させることで、これら部材が一体化され、図 6に示したような多層基板が作製される。

[0062] 特に、多層基板の場合、表層にファインパターンが要求されることが多、。こうした場合には、従来の多層基板、例えば、図 7Aの多層基板 128では対応しきれない場合がある。そこで、図 7Bに示すようにして、必要面にファインパターンに対応した両面基板 114a、 114bを貼り付けることで、ファインパターンに対応できる。なお、両面基板 114a、 114b等のフィルムプリプレダ 122を用いた積層一体化は、両面にこだわるものではない。必要面だけ、例えば、片面だけに行っても良い。 [0063] なお、フィルムプリプレダ 122の硬化温度は 85°Cから 220°Cの範囲が望ましい。温度が 230°C以上の場合には、榭脂硬化にバラツキが発生し、寸法性に影響を与えることがある。また、温度が 85°Cより低い場合には、榭脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与えることがある。また、特に保持膜 118を構成するフィルムの厚みが 50 m以下と薄い場合には、 180°C以上で、かつ 220°C以下の温度範囲でフィルムプリプレダ 122の硬化を行うことが望ましい。こうすることで両面基板 114a、 114bの表面に形成された配線のうち、仮硬化榭脂 120の側に形成された第 2の配線 106a、 1 06dを仮硬化榭脂 120の中に、あるいは仮硬化榭脂 120の厚みの中に埋没できる。

[0064] また、フィルムプリプレダ 122の積層時の圧力範囲は 2MPa (MPaは、メガパスカルで圧力の単位）以上で、かつ 6MPa以下が望ましい。 2MPa未満の場合、図 7Bに示す多層基板に密着性にばらつきが発生する可能性がある。また、圧力の印加時間は 1分以上で、かつ 3時間未満が望ましい。圧力の印加時間が 1分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。また、プレス時間が 3時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力 2MP以上 6MPa以下、特には、 4MPa以上で、かつ 6Mpa以下が望ましい。一般的な多層基板の場合には、 23MPaから 3MPaで積層されることが多い。しかし、実施の形態 6における多層プリント配線基板の製造方法では、フィルム 102が薄ぐ厚みバラツキの影響を受け易い導電性ペースト 126を用いる等のために積層圧力は 5Mpa程度、例えば、 4MPa以上で、かつ 6MPa以下と高めにすることが望ましい。

[0065] 更に、具体的に説明する。まず、フィルムプリプレダ 122として、長尺の耐熱性榭脂フィルムの両面に熱硬化性榭脂を一定厚みで塗布したものを作製する。なお、塗布厚みは 5ミクロン以上で、かつ 100ミクロン以下、望ましくは 10ミクロン以上で、かつ 50 ミクロン以下、更に望ましくは 15ミクロン以上で、かつ 30ミクロン以下が望ましい。榭脂の厚みが 2ミクロン未満の場合には、埋め込まれる電極の厚みは 2ミクロン程度の薄いものしか対応できないことがある。このためフィルムプリプレダ 122を構成する仮硬化榭脂 120の厚みは、例えば、図 6に示すように第 2の配線 106a、 106b, 106c, 106d等に相当する埋め込まれる配線の厚みと同程度にする力、それより厚いことが望ましい。こうすることで、第 2の配線 106a、 106b等を埋め込むと同時にその厚みを吸収することができる。

[0066] (実施の形態 7)

実施の形態 7について、図 8、図 9A、 9B、図 10A, 10Bを用いて説明する。図 8、図 9A、 9B、図 10A, 10Bは表層をファインパターンとした多層プリント配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。実施の形態 7では、表層がフィルムである多層基板を用いて、めっき技術を用いて、層間接続及び表層の配線をより微細に形成する場合について説明する。

[0067] 図 8は実施の形態 7における多層基板の製造方法を説明する断面図である。実施の形態 7は、例えば実施の形態 6で説明した多層基板の製造方法の一例であり、実施の形態 1や実施の形態 3等にも応用可能なものである。特に実施の形態 7では、多層基板の表層の電極、すなわち表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層を形成する絶縁基材が榭脂フィルムであり、表層から数えて 1層目の配線、及びその配線に接続された層間接続部を、めっき技術を用いて一体ィ匕することに特徴があり、より高性能で微細なパターンを形成できる。

[0068] 図 8に示すように、片面基板 134aは、榭脂フィルム 102aと、その片面に形成された第 2の配線 106aから構成されている。同様に、片面基板 134bは、榭脂フィルム 102 bと、その片面に形成された第 2の配線 106dから構成されている。また、多層基板 12 8は、内部電極 132や層間絶縁層 130、層間接続部 112から構成されており、その表面には第 2の配線 106b、 106cが形成されている。

[0069] また、フィルムプリプレダ 122を貫通する孔には、導電性ペースト 126が充填されている。そして、これらの部材を、図 8に示すように、位置合わせする。その後、真空プレス等を用いて、図 9Aに示すように多層基板が加熱され一体化される。図 9Aは一体ィ匕された後の多層基板の状態を示す断面図である。

[0070] 図 9Bは表面にブラインドビアを形成した様子を示す断面図である。図 9Bに示すように、ブラインドビア 136は、表層力も数えて 1層目の榭脂フィルム 102a、 102bにレ一ザ一等で穴を形成したものである。ここで、レーザーパワーやその波長、パルス等を調整することで、図 9Bに示すようにブラインドビア 136の底部には、絶縁榭脂 108 に埋め込まれた第 2の配線 106a、 106dを露出させる。 [0071] 次に、図 10A, 10Bを用いて、実施の形態 7における多層基板の製造方法について詳しく説明する。図 10Aはブラインドビアを金属膜で埋めた様子を示す断面図である。図 10Aにおいて、金属膜 138によって、ブラインドビア 136ゃ榭脂フィルム 102a 、 102bが覆われていることが判る。次に、図 10Bに示すように、金属膜 138を所定形状にパター-ングする。図 10Bに示すように、表層力も数えて 1層目の配線である、第 1の配線 104a、 104bは、金属膜 138がパターユングされてなるものである。

[0072] なお、このような金属膜 138の形成するために、めっき法や薄膜法等を用いることができる。また、金属膜 138の形成は、図 10Aに示すように基板の両面でも良いが、必要に応じて片面だけに形成しても良い。また、図 10Aより、ブラインドビア 136を覆うように形成された金属膜 138は、フィルム 102a、 102bの絶縁榭脂 108側に形成された第 2の配線 106a、 106dにも電気的に接続される。

[0073] そして、図 10Bに示すように、金属膜 138を所定形状にパターユングする際、ブラインドビア 136を覆う部分の金属膜 138もビアフィル、もしくはビア埋め材として、そのまま残すことで、第 1の配線 104a、 104bが形成される。そして、第 1の配線 104a、 104 bは、ブラインドビア 136を介して、第 2の配線 106a、 106dとも電気的に接続される。

[0074] このように図 10A、図 10Bに示すように、ブラインドビア 136に金属膜 138を形成することで、表層力も数えて 1層目の 1層目絶縁層の電気的接続、すなわちフィルム 10 2に形成されたブラインドビア 136を介して第 1の配線 104と第 2の配線 106を電気的に接続することが可能となるため、信頼性が高ぐ配線抵抗の低い層間接続が可能となる。

[0075] (実施の形態 8)

実施の形態 8では、めっき法の代わりに薄膜法、あるいは薄膜法とめっき法の組合せを用いた場合について説明する。実施の形態 8と実施の形態 7の違いは、実施の形態 8では薄膜法を用い、実施の形態 7ではめつき法を用いることである。この違いだけであり、共通点が多いので、実施の形態 7で用いた図 9を参照して説明する。

[0076] まず、図 9Bに示すブラインドビア 136の形成するために、 YAG、 CO等のレーザ

2

一装置を使うことができる。また、ブラインドビア 136等の表面への金属膜 138の形成するために、最初に、 NiCr等の下地層（シード層と呼ばれることもある）を 10Aから 5 OA程度形成し、この上に銅を電気めつきしても良い。あるいは、シード層無しにフィルム 102上に銅を無電解めつきしても良い。あるいは、フィルム 102上に電子ビーム、スパッタ他による薄膜法を用いて、直接銅を析出（デポジション)しても良い。なお、これらの場合には、その厚みが 10A以上、望ましくは電気めつきに使える程度の導電性が得られる程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を電気めつきで配線として必要な厚みで形成できる。配線として必要な厚みは、例えば 5 mから 30 m 、薄層化が必要な場合 3 mから 15 m程度が望ましい。このようにシード層（あるいは金属下地）を使う、あるいは金属膜の形成方法を工夫することで、フィルム 102a、 1 02bに対する部材の密着力を高められる。

[0077] このように、表層から数えて 1層目の 1層目配線及び表層から数えて 2層目に設けられた 2層目配線の少なくとも一方は、スパッタ膜を介して、表層から数えて 1層目の 1 層目絶縁層に固定することで、フィルム 102表面への金属膜 138や第 1の配線 104、第 2の配線 106等の密着性を高められる。

[0078] 以上のようにして、 3層の絶縁層を有し、表層から数えて 2層目の 2層目絶縁層（図 1のペースト接続層 116に相当）には、それを貫通する電気的接続が導電性ペースト 126 (あるいはその硬化物である IVH110)であるペースト接続層 116となっており、表層から数えて 2層目に形成され、ペースト接続層に埋設された 2層目配線（図 1の第 2の配線 106aに相当）と、表層から数えて 3層目に形成され、ペースト接続層に埋設された 3層目配線（図 1の第 2の配線 106bに相当）と、を少なくとも備えることによつて、多層プリント配線基板の更なる薄層化を実現できる。

[0079] また、 4層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層力も数えて、 2層目の 2層目絶縁層（図 1のペースト接続層 116に相当）には、それを貫通する電気的接続が導電性ペースト 126、あるいはその硬化物である IVH110であるペースト接続層 116となつており、このペースト接続層 116を貫通する電気的接続が導電性ペースト、あるいはその硬化物である IVH110であるペースト接続層 116を有し、少なくとも一方の表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線（図 1の第 2の配線 106aに相当）と、表層から数えて 3層目に形成された 3層目配線（図 1の第 2の配線 106bに相当）とが、導電性ペースト接続層に埋設することによって、多層プリント配線基板の更なる薄層化を実現できる。

[0080] また、ペースト接続層 116は、保持膜 118とその両面に形成された仮硬化状態の熱硬化性榭脂である仮硬化榭脂 120よりなるフィルムプリプレダ 122と、そこに形成された貫通孔 124に充填された導電性ペースト 126とすることで、多層基板の更なる薄層化に対応できる。

[0081] また、表層が榭脂フィルム力も構成され、榭脂フィルム力もなる表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層、例えば、図 1の榭脂フィルム 102a、 102b等と、 1層目絶縁層表面に接着剤を介することなぐ例えば下地などに薄膜法を用いて形成された配線、例えば、図 1の第 1の配線 104a、 104b,あるいは第 2の配線 106a、 106b等と、を有することで榭脂フィルムと配線との接続強度を高めると共に、その接合に接着剤を使わないことにより、薄層化が可能となる。

[0082] また、表層から数えて 1層目に形成された 1層目配線、例えば図 1の第 1の配線 10 4aと、表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線、例えば図 1の第 2の配線 106a を、スパッタ膜を介して、表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層、例えば図 1の榭脂フイルム 102aに固定することで、互いに接続強度を高め、更に薄層化が可能な多層プリント配線基板を提供できる。

[0083] また、表層から数えて 1層目に形成された 1層目配線、例えば図 1の第 1の配線 10 4aと、表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線、例えば図 1の第 2の配線 106a の少なくとも一方は、めっき膜を介して、表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層、例えば図 1の榭脂フィルム 102aに固定することで、互いに接続強度を高め、更に薄層化が可能な多層プリント配線基板を提供できる。

[0084] また、表層から数えて 1層目に形成された 1層目絶縁層、例えば図 1の榭脂フィルム 102aを貫通する電気的接続である層間接続部 112が、めっきで行うことで、例えば図 8、図 9A, 9B,図 10A,図 10Bに示したように、表層をファイン化した多層基板の薄層化が可能となる。

[0085] また、絶縁基材となるフィルムプリプレダ 122に貫通孔 124を加工する孔カ卩エステツプと、貫通孔 122に導電性ペースト 126を充填してペースト接続層 116を形成するぺ一スト接続層形成ステップと、図 3Aに示すような両面基板 114aを作製する両面基板作製ステップと、フィルムプリプレダ 122の裏表面に両面基板 114a、 114bを積層し、フィルムプリプレダ 122をペースト接続層 116として積層して積層体を形成する積層ステップと、積層体を真空プレス等を用いて熱プレスし一体化カ卩ェする熱プレスステップとを備えることによって、多層プリント配線基板の薄層化を実現できる。

[0086] フィルムプリプレダ 122よりなる絶縁基材に貫通孔 124をカ卩ェする孔カ卩エステップと、貫通孔 124に導電性ペースト 126を充填してペースト接続層 116を形成するぺースト接続層形成ステップと、図 8に示すような 2層以上の層数を有する多層プリント配線基板 128を作製する多層プリント配線基板作製ステップと、フィルムプリプレダ 122 に導電性ペースト 126を加えたペースト接続層の表裏面に、図 3A等で説明した両面基板 114a等を積層して積層体を形成する積層ステップし、更に積層体を真空プレス等を用いて熱プレスし一体化カ卩ェする熱プレスステップとを少なくとも備えることで、薄層化に対応する多層プリント配線基板を製造できる。

[0087] また、両面基板 114a等の表裏面に形成された配線を、図 9A, 9Bから図 10A, 10 Bで説明した方法等で電気的に接続することで、特に半導体ベアチップ実装等に対応できる、最表層の配線をファインパターンィ匕した多層プリント配線基板を薄層に製造できる。

[0088] また、両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続が、図 9A, 9Bから図 10 A, 10Bで説明したようにめつきによって形成することで、特に半導体ベアチップ実装等に対応できる、最表層の配線をファインパターンィ匕した多層プリント配線基板を薄層に製造できる。

[0089] また必要に応じて、両面基板 114a等の表裏の電気的接続を、めっき以外に、導電性ペースト 126を用いることもできる。この場合、図 2A, 2B, 2C等で工法を用いることができることは、うまでもな!/、。

[0090] また、図 10Bに示したように、両面基板 114aの表裏面の配線、すなわち第 1の配線 104aと第 2の配線 106bを電気的に接続するための層間接続を形成する層間接続形成ステップを、図 9A, 9Bから図 10A, 10Bに説明したように、熱プレスステップ以降のプレス一体ィ匕の後、寸法が安定した後の状態で行うことで、更に寸法精度、取り扱い性等を向上できる。 [0091] また、図 10Bに示したように両面基板 114a層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビア 136を形成するビア加工ステップとを含むので、特に半導体ベアチップ実装等に対応できるとともに、最表層の配線をファインパターンィ匕した多層プリント配線基板を薄層に製造できる。

産業上の利用可能性

[0092] 以上のように、本発明の多層基板及びその製造方法は、フィルムや多層基板を組合せること〖こよって、従来に無い極薄の多層基板を作製できるため、各種電子機器、携帯機器の小型化、薄型化の用途にも適用できる。

Claims

請求の範囲

[1] 3層の絶縁層を有し、

表層から数えて 2層目の 2層目絶縁層には、前記 2層目絶縁層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層となっており、

表層から数えて 2層目に形成され、前記ペースト接続層に埋設された 2層目配線と、表層から数えて 3層目に形成され、前記ペースト接続層に埋設された 3層目配線とを、少なくとも備えていることを特徴とする多層プリント配線基板。

[2] 4層以上の絶縁層を有し、

少なくとも一方の表層から数えて、 2層目の 2層目絶縁層には、前記 2層目絶縁層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層となっており、少なくとも一方の表層から数えて 2層目に形成された 2層目絶縁層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、

少なくとも一方の表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線と、表層から数えて 3 層目に形成された 3層目配線とが、前記導電性ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。

[3] 前記ペースト接続層は、フィルムとその両面に形成された仮硬化状態の熱硬化性榭脂よりなるフィルムプリプレダと、

前記フィルムプリプレダに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとを含むことを特徴とする請求項 1または請求項 2のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板。

[4] 前記表層が榭脂フィルムから構成され、前記表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層と前記 1層目絶縁層表面に下地として薄膜法を用いて銅箔を接合して形成された配線と

を有することを特徴とする請求項 1または請求項 2のいずれ力 1項に記載の多層プリント配線基板。

[5] 前記表層から数えて 1層目に形成された 1層目配線と、

前記表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線の少なくとも一方は、スパッタ膜を介して、表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層に固定されていることを特徴とする請求項 1または請求項 2のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板。

[6] 前記表層から数えて 1層目に形成された 1層目配線と、

前記表層から数えて 2層目に形成された 2層目配線の少なくとも一方は、めっき膜を介して、前記表層から数えて 1層目の 1層目絶縁層に固定されていることを特徴とする請求項 1または請求項 2のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板。

[7] 前記表層から数えて 1層目に形成された 1層目絶縁層を貫通する電気的接続が、めつきで行われて、ることを特徴とする請求項 1または請求項 2の、ずれか 1項に記載の多層プリント配線基板。

[8] 絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、

前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、

両面基板を作製する両面基板作製ステップと、

前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層して積層体を形成する積層ステツプと、

前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップと

を少なくとも備えたことを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。

[9] 絶縁基材に貫通孔をカ卩ェする孔カ卩エステップと、

2層以上の層数を有する多層プリント配線基板を作製する多層プリント配線基板作製ステップと、

前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップと

[10] 前記両面基板の表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする請求項 8または請求項 9のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[11] 前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続力めっきによることを特徴とする請求項 8または請求項 9のいずれ力 1項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[12] 前記両面基板の表裏の電気的接続が、導電性ペーストによることを特徴とする請求項 8または請求項 9のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[13] 前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続するための層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも有することを特徴とする請求項 8または請求項 9のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。

[14] 前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続するための層間接続を形成する層間接続形成工程ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとを含むことを特徴とする請求項 8または請求項 9のいずれか 1項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。