WO2006112468A1

WO2006112468A1 - 電磁波対策部品とそれを用いた電子機器

Info

Publication number: WO2006112468A1
Application number: PCT/JP2006/308183
Authority: WO
Inventors: Tetsuo Inoue
Original assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba; Toshiba Materials Co., Ltd.
Priority date: 2005-04-20
Filing date: 2006-04-19
Publication date: 2006-10-26
Also published as: CN100594766C; CN101164395A; JP4691103B2; US20090040126A1; US7667655B2; KR100955992B1; JPWO2006112468A1; KR20080004610A

Abstract

　電磁波対策部品１８は、それが付設される電子機器１０の送信帯周波数における透磁率の実数成分μ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下で、かつ強磁性共鳴周波数ｆｒが送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備する。このような高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品１８は、電磁波送信機能を有する電子機器１０において、アンテナ１６等の電磁波送信部から放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置される。

Description

電磁波対策部品とそれを用レ、た電子機器

技術分野

[0001] 本発明は電磁波対策部品とそれを用いた携帯型通信機器等の電子機器に関する背景技術

[0002] 近年、携帯型通信機器の発展には目覚ましいものがあり、とりわけ携帯電話機の小型軽量化や薄型化が急速に進められている。これらに伴って、携帯電話機等におけるアンテナの設置位置は、人体頭部や他のノイズに弱、電子機器により接近するようになってきている。このため、アンテナと人体頭部や他の電子機器との相互作用が問題視されている。

[0003] 携帯電話機において、アンテナカゝら放射された電波はその一部が最も近接する人体頭部に吸収され、残りが空間に放射される。人体頭部による電磁エネルギーの吸収に基づいて、アンテナの放射効率や通信特性が低下するという問題が生じるおそれがある。携帯電話機の使用時にはアンテナが頭部に近接するため、頭部が局所的に強い電磁界に曝されることになり、電力局所吸収量の増加による人体への影響が懸念されている。そのため、携帯電話機を対象とした電波の局所吸収指針 (単位体重当りの電力局所吸収量： SAR (Specific Absorption Rate) )が米国、欧州、日本で相次いで設定されている。

[0004] こうした背景から、携帯電話機に代表される携帯型通信機器においては、人体による電磁エネルギーの吸収量 (例えば人体頭部の電磁エネルギーの被爆量)を低減することが望まれている。アンテナと人体との距離を十分に離すことによって、電磁エネルギ一の被爆量を低減することができるものの、携帯電話機を耳力十分に遠ざけて使用することはできないことから、現実的な解決策とはならない。

[0005] アンテナ近傍で生じる電磁界レベルを低減する技術としては、携帯電話機のアンテナ基部等に軟磁性体粉末と有機結合剤や無機結合剤とを含む複合磁性体を電磁波吸収体として配置することが知られている（例えば特許文献 1〜2参照)。ここでは、複合磁性体の複素透磁率の虚数成分 " がアンテナの送信周波数近傍で急瞬に立上ることを利用して、電磁波を熱ロスとして消費している。

[0006] 特許文献 3には GHz域での複素透磁率； zの虚数成分； z "を高めた電磁波吸収膜として、強磁性微粒子とその周囲に配置された金属酸ィ匕物や金属窒化物等カゝらなる粒界物質とを有するダラ-ユラ一磁性膜が記載されている。特許文献 4には 1〜3GH Zの高周波数領域における複素透磁率 μの実数成分 μ ' と虚数成分 μ " とが μ ' > μ "の関係を満たす電磁波吸収体が記載されている。

[0007] これら電磁界レベルの低減技術のうち、磁性体の複素透磁率 μの虚数成分 μ " に基づヽて電磁波を熱ロスとして消費する技術は、アンテナ近傍の電磁界レベルまで低減されてしまうため、発信信号自体の強度が低下してしまうという欠点を有する。特許文献 1には SAR抑制体の適用条件として、電磁波吸収体の複素透磁率の虚数成分〃の値を高くすると共に、 tan δ { = μ " / μ ' )の値を大きくすることが記載されている。

[0008] 複素透磁率 μの虚数成分 μ " が実数成分 μ ' より大きヽ従来の電磁波吸収体の場合、エネルギー吸収によるロスが無視できない。このため、エネルギーロスが最小になるように、つまりアンテナ力放射される電磁波の出力低下が最小になるように、電磁波吸収体の貼付位置や面積等の最適値を実験的に見つけ出さなければならない。従って、 SAR抑制効果を向上させるための方針を述べているにすぎず、実用的な SAR対策を提供するまでには至ってヽな、。

[0009] 特許文献 4記載の電磁波吸収体は、電磁波を吸収、減衰する機能を有する μ "を、損失には寄与しな、ものの複素透磁率 μの大きさに関わる μ ' より小さくすることによって、電磁波の損失を抑えている。しかし、通常ノイズ周波数は信号周波数より高周波側にあるため、共鳴周波数を十分に大きくする必要がある。また、微粒子の場合には形状異方性は分散し、その集合体である電磁波吸収体の垂直方向にも磁束を通しやすくなる。このため、人体とアンテナの間に挿入した部品を通して、アンテナ（対策部品）一人体と磁束が直接的に漏れてしまうおそれがある。

特許文献 1 :特開 2002— 158484公報

特許文献 2 :特開 2002— 158488公報特許文献 3 :特開 2002— 158486公報

特許文献 4 :特開 2004— 128001公報

発明の開示

[0010] 本発明の目的は、携帯型通信機器等の電子機器から送信される信号強度の低下を抑制しつつ、放射される電磁波の不要方向に対する強度 (電磁界強度)を効果的に低減することを可能にした電磁波対策部品とそれを用いた電子機器を提供することにある。

[0011] 本発明の一態様に係る電磁波対策部品は、電磁波送信機能を有する電子機器に付設される電磁波対策部品であって、前記電子機器の送信帯周波数における複素透磁率の実数成分を、虚数成分をとしたとき、が 10以上、 tan S ( = μ " / μ ' )が 0. 1以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の 1. 5倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備することを特徴としている。

[0012] 本発明の他の態様に係る電子機器は、電磁波送信部を有する電子機器本体と、前記電磁波送信部から放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置された電磁波対策部品であって、前記電子機器本体の送信帯周波数における複素透磁率の実数成分を、虚数成分をとしたとき、力 S 10以上、 tan S { = μ " / μ ' )が 0. 1以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の 1. 5倍以上の高周波高透磁率磁性膜を備える電磁波対策部品とを具備することを特徴としている。

図面の簡単な説明

[0013] [図 1]図 1は本発明の実施形態による携帯電話機の構成を示す正面図である。

[図 2]図 2は図 1に示す携帯電話機の裏面図である。

[図 3]図 3は本発明の一実施形態による高周波高透磁率磁性膜の構造を示す断面図である。

[図 4]図 4は本発明の他の実施形態による高周波高透磁率磁性膜の構造を示す斜視図である。

[図 5]図 5は本発明の実施例 1による高周波高透磁率磁性膜の； ζ ' μ "の周波数依存性を示す図である。 [図 6]図 6は本発明の実施例 2による高周波高透磁率磁性膜の； z' 'の周波数依存性を示す図である。

[図 7]図 7は本発明の実施例 3による高周波高透磁率磁性膜の； ζ' μ "の周波数依存性を示す図である。

[図 8]図 8は本発明の実施例 6による高周波高透磁率磁性膜の； ζ' μ "の周波数依存性を示す図である。

[図 9]図 9は本発明の実施例 7による高周波高透磁率磁性膜の； ζ' μ "の周波数依存性を示す図である。

[図 10]図 10は本発明の実施例 8による高周波高透磁率磁性膜の、 μ "の周波数依存性を示す図である。

[図 11]図 11は本発明の実施例 10による高周波高透磁率磁性膜の ' の周波数依存性を示す図である。

[図 12]図 12は本発明の実施例 11による高周波高透磁率磁性膜の ' の周波数依存性を示す図である。

[図 13]図 13は本発明の実施例 12による高周波高透磁率磁性膜の、の周波数依存性を示す図である。

[図 14]図 14は比較例 1による磁性膜の； ζ' μ "の周波数依存性を示す図である。

[図 15]図 15は比較例 2による磁率膜の、 μ "の周波数依存性を示す図である。符号の説明

[0014] 10…携帯電話機、 11…下筐体、 12···上筐体、 13…ヒンジ、 14…回路基板、 15 …キーパッド、 16…アンテナ、 17···表示部、 18…高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品、 20, 30···高周波高透磁率磁性膜、 21, 31···非磁性絶縁基体 22···非磁性絶縁層、 23···磁性層、 24…積層膜、 32···ストライプ状の磁性膜。発明を実施するための形態

[0015] 以下、本発明を実施するための形態について説明する。まず、本発明の電子機器を携帯電話機に適用した実施形態について、図 1および図 2を参照して説明する。図 1は本発明の実施形態による携帯電話機の概略構成を示す正面図、図 2はその裏面図である。これらの図に示す折り畳みタイプの携帯電話機 10は、下筐体 11と上筐体 12とがヒンジ部 13を介して回転自在に連結された構造を有している。

[0016] 下筐体 11は送信回路、受信回路、切替回路、制御回路等が搭載された回路基板 14を収納しており、その表面には入力用のキーパッド 15が配置されている。さらに、下筐体 11は電磁波送信部としてアンテナ 16を備えており、このアンテナ 16から音声データ、文字データ、画像データ等の各種データを含む無線信号 (電磁波）が送受信される。アンテナ 16は回路基板 14に設けられたアンテナ配線を介して送信回路と受信回路に接続されている。上筐体 12は液晶表示装置等による表示部 17を有している。

[0017] 電磁波送信部としてのアンテナ 16の近傍には、高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品 18が配置されて、る。電磁波対策部品 18はアンテナ 16や回路基板 14によるアンテナ配線力も放射される電磁波の不要方向に対する強度、すなわち人体頭部方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置されてヽる。具体的には、アンテナ 16や回路基板 14によるアンテナ配線と下筐体 11の人体側に向けられる表面 (キーパッド 15や図示を省略したマイク、スピーカ等を有する表面）との間に、高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品 18が配置されている。

[0018] 人体頭部とアンテナ 16およびその近傍のアンテナ配線との間には、例えば下筐体 11に配置された電磁波対策部品 18が介在されている。この実施形態における電磁波対策部品 18は、携帯電話機 10の送信帯周波数における複素透磁率; zの実数成分 ' 力 S 10以上、 tan S ( = Ζ / ' )が 0. 1以下で、かつ強磁性共鳴周波数 fr が送信帯周波数の 1. 5倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備する。 μ " は携帯電話機 10の送信帯周波数における複素透磁率; zの虚数成分である。また、本発明で規定する複素透磁率とは複素比透磁率）のことである。

[0019] 携帯型通信機器の送信周波数帯域は、表 1に示すように多岐にわたっているが、人体に吸収される電磁波強度（SAR)で特に問題となる送信周波数帯域は 824MH z 1980MHzの範囲である。このような高周波数領域（例えば 2GHzまでの領域）において、従来の電磁波対策部品は十分な ' を有しておらず、送信周波数近傍で急瞬に立上るを利用して電磁波を熱ロスとして消費している。従来の電磁波対策部品は磁性体の ' ではなぐ GHz域における大きなを利用している。すなわち、従来の電磁波対策部品は磁性体を電磁波吸収体として使用したものである

[表 1]

[0021] この実施形態の電磁波対策部品 18は、磁性膜の異方性磁界を大きくして強磁性共鳴周波数 frを高め、これによつて低周波数領域における大きな μ ' を高周波数領域にぉ、ても実現して、る。高周波数領域で大きな μ ' を示す磁性膜を電磁波対策部品 18として使用することによって、アンテナ 16やアンテナ配線から人体頭部側に向けて放射される電磁波を、高周波高透磁率磁性膜による磁気回路を介して上方もしくは下方に導くことができる。すなわち、人体頭部が配置される空間の電磁界強度を低減することが可能となる。

[0022] 人体頭部側に向けて放射される電磁波の強度を高周波高透磁率磁性膜による磁気回路で選択的に低減する上で、高周波高透磁率磁性膜は送信帯周波数における複素透磁率の実数成分 ' が 10以上とされている。高周波高透磁率磁性膜の ' が 10未満であると、電磁波を上方や下方に導く磁気回路としての機能を十分に得ることができない。ここで規定する高周波高透磁率磁性膜の μ ¹ は、携帯電話機 10 の送信帯周波数を基準とするものである力実用的には 2GHzにおける複素透磁率 βの実数成分u ' が 10以上であることが好ましい。高周波高透磁率磁性膜の〃 ' は 15以上であることがより好ましく、さらに好ましくは 30以上である。

[0023] 上述したように、携帯電話機 10の送信帯周波数 (例えば 2GHzまでの領域)で大きな μ ' を示す高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品 18を使用することによって、人体頭部側に向けて放射される不要な電磁波の強度を低減することができる。さら〖こ、高周波高透磁率磁性膜の強磁性共鳴周波数 frを高めることで； ζ " 力 S 小さくなるため、電磁波の熱ロスによる損失を低減することができる。このような電磁波の損失低減効果を得る上で、高周波高透磁率磁性膜は送信帯周波数における複素透磁率の実数成分 ' に対する虚数成分グの比（グ / ' = 11 3 )を0. 1以下としている。

[0024] tan S { = μ " / μ ' )が 0. 1を超えるということは、それだけ高周波高透磁率磁性膜の送信帯周波数における複素透磁率の虚数成分 " が大きいことを意味する。このような高周波高透磁率磁性膜では、従来の電磁波対策部品と同様に、電磁波の熱ロスによる消費量が増大するため、携帯電話機 10から送信される信号強度自体が低下してしまう。ここで規定する高周波高透磁率磁性膜の〃は、携帯電話機 10 の送信帯周波数を基準とするものであるが、実用的には 2GHzにおける複素透磁率 μの虚数成分 " が上記した条件を満足することが好ましい。

[0025] さらに、電磁波対策部品 18を構成する高周波高透磁率磁性膜は、送信帯周波数における複素透磁率の虚数成分 "を小さくするために、強磁性共鳴周波数 frを送信帯周波数の 1. 5倍以上としている。強磁性共鳴周波数 frが送信帯周波数の 1. 5倍未満であると比較的低い周波数力〃が立ち上るため、 'のに対する比（=tan δ )を十分に小さくすることができない。高周波高透磁率磁性膜の強磁性共鳴周波数 frは実用的には 2GHzを基準とし、その 1. 5倍以上であることが好ましい

[0026] 高周波高透磁率磁性膜に起因する損失をさらに抑制するためには、 ' が実質的に立ち上がらない周波数領域で使用することが好ましい。これによつて、携帯電話機 10の送信帯周波数における〃がほとんど無視できるほど小さく抑えられるため、高周波高透磁率磁性膜で熱ロスとして消費される電磁波をより一層低減することが可能となる。このような点から、高周波高透磁率磁性膜の強磁性共鳴周波数 frは送信帯周波数の 2倍以上とすることがより好ましい。これによつて、アンテナ効率はさらに向上し、かつ人体頭部等に向けて放射される電磁波の強度をより一層低減することが可能となる。

[0027] 上述したように、携帯電話機 10の送信帯周波数における複素透磁率; zの実数成分 ' が 10以上、 tan S ( = グ Z ' )が 0. 1以下、強磁性共鳴周波数 frが送信帯周波数の 1. 5倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品 18を用いることによって、携帯電話機 10から送信される信号強度の低下を抑制しつつ、不要な方向に放射される電磁波の強度を効果的に低減することが可能となる。具体的には、人体頭部等が配置される空間の電磁界強度を効果的に低減することができる。そして、このような電磁波対策部品 18を用いることによって、信号特性の向上と S AR対策とを両立させた携帯電話機 10等の携帯型通信機器を提供することが可能となる。

[0028] 電磁波対策部品 18を構成する高周波高透磁率磁性膜は、上述した特性を満足するものであれば組成や膜構造に限定されるものではない。 ' 、 μ " / μ ' 比、 fr 以外の磁気特性、例えば直流磁界測定で得られる保磁力等の特性には余り影響されな!ヽため、上述した特性を満足する各種組成や各種磁気構造を有する磁性膜を適用することができる。磁性膜の膜構造に関しては、アモルファス膜、ヘテロァモルファス膜、結晶膜、ダラ-ユラ一膜、ナノクリスタル膜等、特に限定されるものではない。高周波高透磁率磁性膜には、このような磁気構造並びに特性を有する各種の磁性膜を適用することができる。高周波高透磁率磁性膜の、 μ " / μ ' 比、 fr等は、磁性膜の膜組成、膜構造、膜厚、膜形状 (スライプ状等)、成膜条件、成膜後の熱処理条件等により調整することができる。

[0029] 高周波高透磁率磁性膜としては、例えば

一般式：（T A ) D …ひ）

100 100

(式中、 Tは Fe、 Coおよび Niから選ばれる少なくとも 1種、 Aは B、 C、 Si、 P、 Geおよび Zrから選ばれる少なくとも 1種、 Dは Si、 Al、 Zrおよび Hfから選ばれる少なくとも 1 種の元素 Mlの酸化物、ないしは Siおよび A1から選ばれる少なくとも 1種の元素 M2 の窒化物力もなる粒界物質を示し、 Xおよび yは 50≤x≤100 (原子％)、 0≤y< 50 ( 原子％)を満足する数である）

で表される組成を有する磁性膜が用いられる。 [0030] 上記した（1)式において、元素 Tは磁性を担う元素であり、要求される磁気特性に応じて組成比率を調整するものとする。元素 Aは磁気異方性、熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御等のために添加される元素である。元素 Aの含有量は元素 Tと元素 Aの合計量に対して 50原子％以下の範囲内で適宜に調整される。元素 Aの含有量が 50原子％を超えると相対的に元素 Tの含有量が減少することで、十分な磁気特性が得られないおそれがある。磁性膜は元素 Tと元素 Aのみで構成してもよいが、磁気異方性等を制御する上でィ匕合物 D力なる粒界物質を含んで、てもよ、。

[0031] 粒界物質を構成する化合物 Dは、 Si、 Al、 Zrおよび Hfから選ばれる少なくとも 1種の元素 Mlの酸化物、ないしは Siおよび A1から選ばれる少なくとも 1種の元素 M2の窒化物からなる絶縁物である。このような粒界物質を磁性膜中に存在させることによつて、磁性膜の異方性磁界を高めることができる。粒界物質の含有量は化合物 Dの原子比 yが 50%以下となるように調整することが好ま、。化合物 Dの原子比 yが 50 %を超えると、磁性膜としての特性を十分に得ることができな、おそれがある。

[0032] 高周波高透磁率磁性膜は、例えばスパッタ法ゃ蒸着法等を適用して成膜される。

化合物 D力もなる粒界物質を有する磁性膜は、例えば T A 組成の合金ターゲット

100

と化合物 D力もなるターゲットとを用いた 2元スパッタにより得ることができる。具体的なターゲット組成は要求特性に応じて適宜に調整され、例えば Fe— Co— B系ターゲット、 Fe— Co— Zr系ターゲット、 Fe— Co系ターゲット、 Fe系ターゲット等、 T A 組

100 成を満足する各種のターゲットを使用することができる。

[0033] このような 2元スパッタにおいて、例えば各ターゲットへの投入パワーを変えることで組成や組織を調整し、これらにより各種磁気特性を制御することができる。また、化合物 Dの力もなるターゲットに代えて Mlまたは M2からなるターゲットを使用し、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と Arのような不活性ガスとの混合雰囲気、または窒素と Ar のような不活性ガスとの混合雰囲気中で反応性スパッタして成膜してもよい。

[0034] 高周波高透磁率磁性膜には、例えば（1)式の組成を満足する磁性層の単層膜および積層膜のいずれも適用可能である。特に、図 3に示すような積層構造を有する磁性膜 20を適用することが好ましい。図 3に示す高周波高透磁率磁性膜 20は、非磁性絶縁基体 21上に非磁性絶縁層 22を介して複数の磁性層 23を積層した積層膜 24を有して、る。図 3は非磁性絶縁基体 21の両主面に積層膜 24を形成した高周波高透磁率磁性膜 20を示している。積層膜 24は非磁性絶縁基体 21の一方の主面上のみに形成してもよい。

[0035] 磁性膜の高周波磁気特性は膜厚に影響され、膜厚が厚すぎると渦電流による表皮効果で磁気特性が低下する。特に、高周波数域における複素透磁率の虚数成分 μ " は磁性膜の膜厚の増加に伴って増大する。このため、非磁性絶縁層 22を介して磁性層 23を積層することによって、各磁性層 23の膜厚を小さく保つことが好ましい。各磁性層 23の単層としての膜厚は: m以下とすることが好ましぐさらに好ましくは 0. 5 m以下である。なお、非磁性絶縁層 22の厚さは高周波高透磁率磁性膜 20 の磁気特性を損なわない範囲内で適宜に調整可能である。

[0036] 磁性層 23の積層数は高周波高透磁率磁性膜 20を電磁波対策部品 18として用いた場合の効果を考慮して設定することが好ましい。すなわち、電磁波対策部品 18による不要方向への電磁界強度の低減効果は、磁性膜全体としての総膜厚に影響される。高周波高透磁率磁性膜 20の磁性膜厚が薄すぎると、電磁波を所望の方向に導く磁気回路としての機能が低下する。各磁性層 23の単層膜厚の総和に相当する高周波高透磁率磁性膜 20の磁性膜厚（=各磁性層 23の単層膜厚 X積層数)は 1 μ mより大きく設定することが好ましぐさらに好ましくは 2 m以上である。

[0037] 高周波高透磁率磁性膜には、例えば誘導磁気異方性や形状磁気異方性に基づいて異方性磁界を高め、これによつて一軸磁気異方性を付与した磁性膜が用いられる。高周波高透磁率磁性膜に主として誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を付与する場合、上述した（1)式の yの値が 10〜50原子％の範囲の組成を有するダラ-ュラー磁性膜を適用することが好ましい。このような磁性膜を磁場中で成膜したり、また成膜後に磁場中熱処理を施すことによって、誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を再現性よく高めることができる。ただし、磁性膜の組成は磁場中成膜や磁場中熱処理で誘導磁気異方性を付与することが可能であればよぐ上記した組成に限定されるものではない。

[0038] 高周波高透磁率磁性膜に主として形状磁気異方性に基づく異方性磁界を付与する場合には、図 4に示すように磁性膜をストライプ状にパターユングすることが好ましい。図 4に示す高周波高透磁率磁性膜 30は、非磁性絶縁基体 (支持基体) 31上に形成された磁性膜 32を備え、この磁性膜 32はストライプ形状を有して、る。

[0039] 磁性膜 32に形状磁気異方性を誘起する上で、ストライプ幅 Wは 10〜500 μ mの範囲、ストライプ間隔 Sは 5〜： LOO μ mの範囲、長さ Lは 10mm以上とすることが好ましい。ストライプ形状の磁性膜 32の長さ Lは、実用的には 10〜70mmの範囲とすることが好まし!/、。長さ Lが 10mm未満であるとストライプ形状とした効果を十分に得ることができないおそれがある。一方、長さ Lが 70mmを超えると高周波高透磁率磁性膜の大型化を招き、携帯電話 10等への実装が困難となる。

[0040] 高周波高透磁率磁性膜の異方性磁界は、誘導磁気異方性または形状磁気異方性の!ヽずれか一方のみに限らず、誘導磁気異方性および形状磁気異方性の両方を利用してもよいことは言うまでもない。例えば、誘導磁気異方性が誘起しやすい組成を有する磁性膜をストライプ状にパターユングすることによって、異方性磁界をより一層高めることができる。また、誘導磁気異方性または形状磁気異方性のいずれを適用する場合においても、高周波高透磁率磁性膜は図 3に示したような積層構造の磁性膜 20を有することが好まヽ。各磁性層の単層膜厚や積層膜の総膜厚は上述した通りである。

[0041] 上述した実施形態においては、人体頭部が配置される空間の電磁界強度を低減するように電磁波対策部品 18を配置した例について説明したが、電磁界強度を低減する空間はこれに限られるものではない。電磁波対策部品 18はノイズに弱い他の電子部品や電子機器 (例えば携帯電話機であればカメラ部品等)が配置される空間の電磁界強度の低減に対しても有効に機能する。また、ここでは本発明の電子機器を携帯電話機に適用した例について説明したが、本発明の電子機器はこれに限られるものではない。本発明は携帯型通信機器に代表される電磁波送信機能を有する各種の電子機器に適用可能である。

[0042] 次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。

[0043] 実施例 1

Fe Co B 組成を有する直径 125mmX厚さ 3mmの円板状合金ターゲットのェ

50 35 15

ロージヨンパターン上に、 20個の SiOチップ（10mm X 10mm X 2. 3mm)を均等に置いたターゲットを用いて、 RFマグネトロンスパッタ装置により磁性膜を成膜した。この磁性膜の成膜時において、投入電力は 3. 3WZcm²、ターゲット—基板間距離は 75mm,アルゴン圧は 3. 2Pa (500SCCM)とした。成膜時に基板法線と垂直方向に 1. 6 X 10⁴AZmの磁界を印加した。得られた磁性膜 (FeCoBSiO膜)の組成は（ Fe Co B ) (SiO ) (原子％)であり、直径 200nm程度の Fe Co B 組成の

50 35 15 70 2 30 50 35 15 アモルファス磁性粒子が SiOの母相中に分散した構造を有して、た。

2

[0044] 高周波高透磁率磁性膜は、厚さ 100 μ mのポリイミド基体の両面に、上記した複合ターゲットを用いて成膜した厚さ 0. 5 mの FeCoBSiO膜と、 SiOターゲットを用い

2

て成膜した厚さ 0. 05 mの SiO膜とを交互に積層することにより形成した。繰り返し

2

積層数は両面とも 2回とした。この高周波高透磁率磁性膜は誘導磁気異方性に基づいて一軸磁気異方性を付与したものである。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、 [ ( FeCoBSiO膜（0. 5 ^ πι) /8ίΟ

2膜（0. 05 m) ) 2 ZZポリイミド基体（100 m) Z

Z (FeCoBSiO膜 (0. 5 ^ πι) /8ίΟ膜 (0. 05 m) ) ]である。膜組成および膜構

2 2

造を表 2に示す。

[0045] 上述した高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界 Msは 1.

4T、異方性磁界 Hkは 3. 0 X 10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 3500MHzであつた。高周波高透磁率磁性膜の ' およびの周波数依存性を測定した。その結果を図 5に示す。図 5から明らかなように、この高周波高透磁率磁性膜はが低周波領域のみならず高周波領域まで大きな値を示し、かつ高周波領域においても〃の値が小さいことが分かる。高周波高透磁率磁性膜の 2GHzにおける / μ ' 比は 0. 08である。膜特性を表 3に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0046] 実施例 2

実施例 1の磁性膜 (FeCoBSiO膜）に対して、成膜後に 400kAZmの直流磁界中にて窒素雰囲気中で 270°Cに加熱して磁場中熱処理を施した。それ以外は実施例 1と同一構造の高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造を表 2に示す。この高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界 Msは 1. 4T 、異方性磁界 Hkは 4. 0 X 10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 3700MHzであった。高周波高透磁率磁性膜の ' およびの周波数依存性を測定した。その結果を図 6に示す。図 6から明らかなように、高周波高透磁率は 2GHzにおけるの値がさらに小さい。 2GHzにおける / μ' 比は 0. 04である。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0047] 実施例 3

実施例 1の磁性膜 (FeCoBSiO膜)の単層膜厚を 0. 3 mとする以外は、実施例 1 と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、 [(FeCoBSiO膜（0.3^πι)/8ίΟ膜（0. 05 m)) ZZポリイミド基体（100

2 2

m) ZZ (FeCoBSiO膜（0. 3 m) /SiO膜（0. 05 m) ) ]である。膜組成および

2 2

膜構造は表 2に示す通りである。さら〖こ、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜の μ ' および μ "の周波数依存性を図 7に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0048] 実施例 4

実施例 1の磁性膜 (FeCoBSiO膜)の片側当たりの積層数を 3回とする以外は、実施例 1と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、 [(FeCoBSiO膜 (0. 5^πι)/8ίΟ膜 (0. 05 m))

2 3 ZZポリイミド基体

(100 ;zm)ZZ (FeCoBSiO膜（0. 5^πι)/8ίΟ膜（0. Οδμτη)) ]である。膜組

2 3

成および膜構造は表 2に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0049] 実施例 5

実施例 1の磁性膜 (FeCoBSiO膜)を単層膜とする以外は、実施例 1と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、 [FeCoB SiO膜（0.5^πι)/8ίΟ膜（0.05 111)77ポリィミド基体（100 111)77310膜

2 2

(0. 05 μ m) ZFeCoBSiO膜 (0. 5 μ m) ]である。膜組成および膜構造は表 2に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0050] 実施例 6

実施例 1と同様にして形成した積層膜にイオンミリングを施して、図 4に示したようにストライプ状にパターユングした。ノターユング形状はストライプ幅 WXストライプ間隔 S X長さ L= 75 m X 25 m X 40mmとした。このようにして、磁性膜の組成や構造等に基づく誘導磁気異方性に加えて、ストライプ形状へのパターユングに基づく形状磁気異方性を誘起した高周波高透磁率磁性膜を作製した。

[0051] 上述した誘導磁気異方性および形状磁気異方性を有する高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を、磁性膜の短軸方向 (ストライプ幅方向）に磁場を印力 tlした状態で測定した。その結果、飽和磁界 Msは 1. 1T、異方性磁界 Hkは 4. 8 X 10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 4000MHzであった。また、 μ ' およびグの周波数依存性を測定した。その結果を図 8に示す。図 8から明らかなように、この高周波高透磁磁性率は 2 GHzにおける μ " の値がより小さいことが分かる。 2GHzにおける μ " / μ ' 比は 0 . 02である。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0052] 実施例 7

Fe Co Zr 組成を有する直径 125mm X厚さ 3mmの円板状合金ターゲットのェ

68 17 15

ロージヨンパターン上に、 20個の SiOチップ（10mm X 10mm X 2. 3mm)を均等に

2

置いたターゲットを用いて、 RFマグネトロンスパッタ装置により磁性膜を成膜した。この磁性膜の成膜時において、投入電力は 3. 3WZcm²、ターゲット—基板間距離は 75mm,アルゴン圧は 3. 2Pa (500SCCM)とした。成膜時に基板法線と垂直方向に 1. 6 X 10⁴AZmの磁界を印加した。得られた磁性膜 (FeCoZrSiO膜)の組成は（ Fe Co Zr ) (SiO ) (原子⁰ /。）であり、直径 200nm程度の Fe Co Zr 組成

68 17 15 69 2 31 68 17 15 のアモルファス磁性粒子が SiOの母相中に分散した構造を有して！/、た。

2

[0053] 成膜は厚さ 100 μ mのポリイミド基体の両面に実施し、上記した複合ターゲットを用いて成膜した厚さ 0. 5 mの FeCoZrSiO膜と、 SiOターゲットを用いて成膜した厚

2

さ 0. 05 /z mの SiO膜とを交互に成膜した。繰り返し積層数は両面とも 4回とした。積

2

層膜 (スパッタ膜)の構成は、 [ (FeCoZrSiO膜 (0. 5 ^ πι) /8ίΟ膜 (0. 05 m) )

2 4

ZZポリイミド基体（100 /ζ πι)ΖΖ (FeCoZrSiO膜（0. 5 ^ πι) /8ίΟ膜（0. 05 m) ) ]である。

4

[0054] このような積層膜にイオンミリングを施して、図 4に示したようにストライプ状にパターユングした。パターユング形状はストライプ幅 W Xストライプ間隔 S X長さ L = 15 m X 5 m X 40mmとした。このようにして、ストライプ形状へのパターユングに基づいて形状磁気異方性を誘起した高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造は表 2に示す通りである。さら〖こ、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜の μ ' および μ "の周波数依存性を図 9に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0055] 実施例 8

実施例 7の磁性膜 (FeCoZrSiO膜）に対して、成膜後に 400kAZmの直流磁界中にて窒素雰囲気中で 250°Cに加熱して磁場中熱処理を施した。それ以外は実施例 7と同一構造の高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造を表 2に示す。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜の/ z ' およびグの周波数依存性を図 10に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0056] 実施例 9

実施例 7の磁性膜 (FeCoZrSiO膜)の片側当たりの積層数を 2回とする以外は、実施例 7と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、 [ (FeCoZrSiO膜 (0. 5 ^ πι) /8ίΟ膜 (0. 05 m) )

2 2 ZZポリイミド基体

( 100 ;z m) ZZ (FeCoZrSiO膜（0. 5 m) ZSiO膜（0. Οδ μ τη) ) ]である。膜組

2 2

[0057] 実施例 10

Fe Co 組成を有する直径 125mm X厚さ 3mmの円板状合金ターゲットと SiOタ

80 20 2 一ゲットを用いて、 RFマグネトロンスパッタ装置により成膜を行った。成膜は厚さ 100 /z mのポリイミド基体の両面に実施し、厚さ 0. の Fe Co 膜と厚さ 0. 05 m の SiO膜とを交互に成膜した。磁性膜の成膜時における投入電力は 3.3W/cm²,

2

ターゲット—基板間距離は 75mm、アルゴン圧は 1.6Pa(500SCCM)とした。なお、磁性膜の成膜時に磁界は印カロしていない。

[0058] 上記した積層膜 (スパッタ膜)の構造は、 [(Fe Co 膜 (0.5 m) ZSiO膜 (0.0

80 20 2

5;zm)) ZZポリイミド基体（lOO/zn ZZ Fe Co 膜（0.5 m)ZSiO膜（0.

4 80 20 2

05 m)) ]である。この積層膜にイオンミリングを施して、図 4に示したようにストライ

4

プ状にパターユングした。パターユング形状はストライプ幅 WXストライプ間隔 S X長さ L = 75 m X 25 m X 40mmとした。このようにして、ストライプ形状へのパター- ングに基づいて形状磁気異方性を誘起した高周波高透磁率磁性膜を作製した。

[0059] この高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を、磁性膜の短軸方向に磁場を印力!]した状態で測定したところ、飽和磁界 Msは 1.7T、異方性磁界 Hkは 2.8X10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 3500MHzであった。さらに、 μ' およびグの周波数依存性を測定した。その結果を図 11に示す。図 11から明らかなように、高周波高透磁率磁性膜の ' は低周波領域のみならず高周波領域まで大きぐかつ高周波領域においても μ "の値が小さいことが分かる。 2GHzにおける μ " / μ' 比は 0.09である。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0060] 実施例 11

実施例 10の磁性膜 (Fe Co 膜)の単層膜厚を 1 mとする以外は、実施例 10と

80 20

同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は , [(Fe Co

80 20膜（： m)ZSiO

2膜 (0.05 /zm)) ZZ

4 ポリイミド基体（100 /ζπι)Ζ

/(Fe Co 膜（l/zn^ZSiO膜 (0.05/zm)) ]である。膜組成および膜構造は

80 20 2 4

表 2に示す通りである。さら〖こ、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜の/ z ' および "の周波数依存性を図 12に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0061] 実施例 12

実施例 10の積層膜のパターユング形状をストライプ幅 W Xストライプ間隔 S X長さ L =25 mX 10 mX 40mmとする以外は、実施例 10と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造は表 2に示す通りである。さら〖こ、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表 3に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜の ' およびの周波数依存性を図 13に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。

[0062] 比較例 1

Co Fe B 組成を有する直径 125mmX厚さ 3mmの円板状合金ターゲットのェ

55 30 15

ロージヨンパターン上に、 15個の SiOチップ（10mm X 10mm X 2. 3mm)を均等に

2

置いたターゲットを用いて、 RFマグネトロンスパッタ装置により成膜を行った。磁性膜の成膜時において、投入電力は 3. 3WZcm²、ターゲット—基板間距離は 75mm アルゴン圧は 3. 2Pa(500SCCM)とした。成膜時に基板法線と垂直方向に 1. 6X1 0⁴AZmの磁界を印加した。得られた磁性膜 (CoFeBSiO膜)の組成は（Co Fe B

55 30

) (SiO ) (原子％)であった。

15 79 2 21

[0063] 成膜は厚さ 100 μ mのポリイミド基体の両面に実施し、上記した複合ターゲットを用いて成膜した厚さ 0. 5 mの CoFeBSiO膜と、 SiOターゲットを用いて成膜した厚さ

2

0. 05 mの SiO膜とを交互に成膜した。繰り返し積層数は両面とも 4回とした。積層

2

膜 (スパッタ膜)の構成は、 [(CoFeBSiO膜 (0. 5^πι)/8ίΟ膜 (0. 05/zm))

2 4 Ζ

Zポリイミド基体（100/ζπι)ΖΖ (CoFeBSiO膜（0. 5^πι)/8ίΟ膜（0. Οδμτη))

2

4 ]である。

[0064] 上述した積層磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界 Msは 1. 5T、異方性磁界 Hkは 2. 0X10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 2200MHzであった。さらに、磁性膜の ' およびの周波数依存性を測定した。その結果を図 14に示す。図 14から明らかなように、磁性膜の； z は比較的低い周波数領域から立ち上がり、 2G Hzにおける ' 比は 0. 17であった。

[0065] 比較例 2

実施例 10の磁性膜 (Fe Co 膜)の単層膜厚を 1. 5 mとする以外は、実施例 10

80 20

と同様にして積層磁性膜を作製した。積層磁性膜の膜構成は、 [(F_e Co 膜 (1. 5 （1.

5 m) /SiO膜 (0. 05 m) ) ]である。膜組成および膜構造は表 2に示す通りである。

[0066] 上述した磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界 Msは 1. 7T、異方性磁界 Hkは 6. 9 X 10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 5400MHzであった。さらに、磁性膜のおよびの周波数依存性を測定した。その結果を図 15に示す。図 15から明らかなように、磁性膜のは比較的低い周波数領域力立ち上がり、 2GHzにおける I n ' itは 0. 22であった。

[0067] 比較例 3

実施例 10の積層膜のパターユング形状をストライプ幅 W Xストライプ間隔 S X長さ L = 25 mX 25 m X 40mmとする以外は、実施例 10と同様にして積層磁性膜を作製した。膜組成および膜構造は表 2に示す通りである。この磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界 Msは 1. 1T、異方性磁界 Hkは 10. O X 10⁴AZm、強磁性共鳴周波数 frは 6600MHzであった。さらに、磁性膜の ' およびの周波数依存性を測定したところ、磁性膜の 2GHzにおけるは 9. 2と低いものであった。

[0068] [表 2]

膜組成膜構造磁場中ターゲット組成 Si0₂ 膜形状膜厚積層数熱処理チップ W S L ( m) (片側）の有無の個数 (um) (μνα) (jmnv

実施例 1 Fe50C°35^B15 20 (ベタ膜） 0.5 2 無し難例 2 ^Fe50^Co35^B15 20 (ベタ膜） 0.5 2 有り難例 3 ^Fe50^Co35^B15 20 (ベタ膜） 0.3 2 無し難例 4 4£

Fe5oCo35^B15 20 (ぺタ膜） 0.5 3 し実施例 5 ^Fe50^Co35^B15 20 (ベタ膜） 0.5 1 無し魏例 6 ^Fe50^Co35^B15 20 75 25 40 0.5 2 無し魏例 7 Fe₆₈Co₁₇Zr₁₅ 20 15 5 40 0.5 4 無し実施例 8 Fe₆₈Co ₁₇Zr₁₅ 20 15 5 40 0.5 4 有り実施例 9 Fe₆₈Co₁₇Zr ₁₅ 20 15 5 40 0.5 2 無し

^Fe80^Co20 ― 75 25 40 0.5 4 無し '] a ^Fe80^Co20 一 75 25 40 1.0 4 無し

Fe₈₀Co₂o ― 25 10 40 0.5 4 無し比較例 1 ^Co55^Fe30^B15 15 (ベタ膜） 0.5 4 比棚 2 Fe₈₀Co20 ― 75 25 40 1.5 4 比糊 3 Fe₈₀Co₂o ― 25 25 40 0.5 4 無し

[0069] 上述した実施例 1〜： 15による各高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品 18を、 20mm X 5mmの形状と 40mm X 5mmの形状に切断した。これらを図 1および図 2に示したように携帯電話機 10のアンテナ 16近傍のアンテナ配線上に、高周波高透磁率磁性膜の磁ィ匕容易軸方向が基板配線パターンと平行となるように貼り付けた。このような携帯電話機を用いて、 SAR強度の低減効果とアンテナ効率の向上効果を測定した。比較例 1 3による各積層磁性膜についても同様な測定を行った。

[0070] SAR強度の低減効果については、 SAMファントムを用いた均一模擬組織モデルの内部に励起される電界強度分布を、電界プローブを用いて測定した。アンテナ効率の向上効果 (電磁強度の向上効果）については、同様に電界プローブを用いて S AMファントム以外の空間の電界強度を測定した。送信周波数は! _/、ずれも 2GHzとした。これらの測定結果を表 3に示す。

[0071] [表 3] JP2006/308183

[0072] 表 3から明らかなように、各実施例による高周波高透磁率磁性膜を用いた場合には、いずれも SAMファントム内部の電界強度が低減されていると共に、 SAMファントム以外の空間のアンテナ効率が向上していることが分かる。 SAR強度の低減効果ゃァンテナ効率の向上効果は誘導磁気異方性および形状磁気異方性の、ずれを用いた場合においても得られている。さら〖こ、高周波高透磁率磁性膜の送信帯周波数における μ ' は 15以上、さらには 30以上とすることがより好ましく、強磁性共鳴周波数 f rは送信帯周波数の 2倍以上とすることがより好ましいことが分かる。

[0073] 例えば、実施例 1では SAMファントム内部の電界強度が 3. 2dB低減されており、 S AMファントム以外の空間のアンテナ効率が 2. 2dB向上している。実施例 1に比べて磁性膜の総膜厚を薄くした実施例 5は、実施例 1に比べて SAR強度の低減効果ゃァンテナ効率の向上効果が多少劣っている。従って、磁性層の積層数等に基づいて磁性膜の総膜厚を厚くすることが好ましい。ただし、実施例 10と実施例 11と比較例 2 との比較力も明らかなように、磁性層の単層膜厚を厚くしすぎると〃が大きくなるため、磁性層の単層膜厚は 1 μ m以下とすることが好ましい。また、実施例 10と実施例 12と比較例 3との比較から、ストライプ形状はストライプ幅 Wやストライプ間隔 Sを適切に調整することが好まし、ことが分かる。

[0074] 一方、比較例 1の積層磁性膜を用いた場合には、 SAMファントム内部の電界強度は 2. 8dB低減されていたものの、アンテナ効率はほとんど向上が見られなかった。これは、比較例 1の積層磁性膜は 2GHzにおけるグ I IX ' 比が 0. 17と大きいため、積層磁性膜による電磁波の熱ロスが大きくなるためである。比較例 2の積層磁性膜も同様である。比較例 3の積層磁性膜については、 ' / IX ' 比は小さいものの、 2G Hzにおける/ z ' が 9. 2と小さいため、 SAMファントム内部の電界強度は 0. 7dBしか低減されて、な力つた。これでは実用的な SAR対策を実現することができな、。

[0075] なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。上述した実施形態においては、本発明の電子機器を携帯電話機に適用した例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなぐ各種の携帯型通信機器に適用可能である。本発明は電磁波送信機能を有する各種の電子機器に適用可能である。さらに、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。

産業上の利用可能性

[0076] 本発明の態様に係る電磁波対策部品は、電磁波送信機能を有する各種電子機器の電磁波対策に有効に利用されるものである。本発明の態様に係る電磁波対策部品によれば、発信信号強度の低下を抑制しつつ、放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を低減することができる。従って、そのような電磁波対策部品を用いた電子機器によれば、電磁波による通信特性等を良好に保った上で、例えば人体や他の電子部品や電子機器に対する電磁波の影響を低減することが可能となる。

Claims

請求の範囲

[1] 電磁波送信機能を有する電子機器に付設される電磁波対策部品であって、

前記電子機器の送信帯周波数における複素透磁率 μの実数成分を μ ' 、虚数成分をグとしたとき、 μ ' が 10以上、 tan δ { = μ " / μ ' )が 0. 1以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の 1. 5倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備することを特徴とする電磁波対策部品。

[2] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は前記送信帯周波数における μ ' が 15以上であることを特徴とする電磁波対策部品。

[3] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は前記送信帯周波数における μ ' が 30以上であることを特徴とする電磁波対策部品。

[4] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の 2倍以上であることを特徴とする電磁波対策部品。

[5] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は

一般式：（Τ Α ) D

100 100

で表される組成を有することを特徴とする電磁波対策部品。

[6] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は、非磁性絶縁層を介して複数の磁性層を積層した積層膜を有することを特徴とする電磁波対策部品。

[7] 請求項 6記載の電磁波対策部品において、前記複数の磁性層の単層としての膜厚はそれぞれ 1 μ m以下であることを特徴とする電磁波対策部品。

[8] 請求項 6記載の電磁波対策部品において、

前記複数の磁性層の単層膜厚の総和に相当する前記積層膜の磁性膜厚は 1 μ m より大きいことを特徴とする電磁波対策部品。

[9] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は主として誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電磁波対策部品。

[10] 請求項 9記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は

一般式：（T A ) D

100 100

[11] 請求項 1記載の電磁波対策部品において、

前記高周波高透磁率磁性膜は主として形状磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電磁波対策部品。

[12] 請求項 11記載の電磁波対策部品にお、て、

前記高周波高透磁率磁性膜は、ストライプ幅が 10〜500 mの範囲で、ストライプ間隔が 5〜： L00 μ mの範囲のストライプ形状を有する磁性膜を備えることを特徴とする電磁波対策部品。

[13] 電磁波送信部を有する電子機器本体と、

前記電磁波送信部から放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置された電磁波対策部品であって、前記電子機器本体の送信帯周波数における透磁率の実数成分を ' 、虚数成分をグとしたとき、 ' が 10 以上、 tan S { = μ " / μ ' )が 0. 1以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の 1. 5倍以上の高周波高透磁率磁性膜を備える電磁波対策部品と

を具備することを特徴とする電子機器。

[14] 請求項 13記載の電子機器において、

携帯型通信機器であることを特徴とする電子機器。

[15] 請求項 13記載の電子機器において、

前記高周波高透磁率磁性膜は

一般式：（(Τ Α ) D

100 100

で表される組成を有することを特徴とする電子機器。

[16] 請求項 13記載の電子機器において、

前記高周波高透磁率磁性膜は、非磁性絶縁層を介して複数の磁性層を積層した積層膜を有することを特徴とする電子機器。

[17] 請求項 16記載の電子機器において、

前記複数の磁性層の単層としての膜厚はそれぞれ 1 μ m以下であることを特徴とする電子機器。

[18] 請求項 16記載の電子機器において、

前記複数の磁性層の単層膜厚の総和に相当する前記積層膜の磁性膜厚は 1 μ m より大きいことを特徴とする電子機器。

[19] 請求項 13記載の電子機器において、

前記高周波高透磁率磁性膜は主として誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電子機器。

[20] 請求項 13記載の電子機器において、

前記高周波高透磁率磁性膜は主として形状磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電子機器。