WO2006104121A1 - 半導体製造装置 - Google Patents

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Norichika Yamagishi
Sadao Hisakado
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Hitachi Kokusai Electric Inc.
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Definitions

  • FIG. 5 is a partially omitted side sectional view showing a part of the reflective sensor.
  • Reflective sensor support pole ⁇ Light emitting part (transmission type light emitting part), 62 ⁇ Light receiving part (transmission type light receiving part), 63 ⁇ Detection light, 70 ⁇ Reflection type sensor, 71 ⁇ Light emitting part (reflection type light emitting part) ), 72 ⁇ Light receiving unit (reflection type light receiving unit), 73 ⁇ Detection light, 74 ⁇ Reflected light, 75 ⁇ Holder, 80 ⁇ Controller, 81 ⁇ Measurement of received light amount of transmission type sensor , 82 ... Reflection type sensor received light quantity measurement part, 83 ... Table registration 84 ... Wafer type discriminator, 85 ... Opaque wafer notch detector, 86 ... Transparent wafer, Translucent wafer notch detector, 87 ... Wafer alignment part, 88 ... Wafer type display command part .
  • the batch-type CVD apparatus 10 includes a casing 11 constructed in a rectangular parallelepiped box shape by using a steel plate or a steel plate.
  • the reflective light emitting unit 71 is provided above the wafer 1 supported by the turntable 49 and at an incident position within a range where light emission to the notch la cut out at the periphery of the wafer 1 is possible.
  • the launching type light receiving unit 72 is provided at a light receiving position where light emitted by the presence or absence of the notch la passes or reflects and receives the light when reflected.
  • the transmissive light emitting unit 61 and the transmissive light receiving unit 62 of the transmissive sensor 60 and the reflective light emitting unit 71 and the reflective light receiving unit 72 of the reflective sensor 70 are composed of a plurality of optical fibers. And an amplifier isometric force.
  • the controller 80 is programmed as software in a panel computer, personal computer, microcomputer, or the like, which is hardware.
  • the opaque wafer notch detection unit 85 that has received a command to detect the notch of the silicon wafer receives the electrical signal from the transmission type light receiving unit 62 of the transmission type sensor 60 and the angle from the motor 47. Based on the signal, an operation for detecting the position of the notch of the transparent wafer is executed, and the detection result is transmitted to the wafer alignment unit 87.
  • the wafer alignment unit is a five-stage turntable of the wafer alignment device. It is possible to obtain the position of the notch for all the wafers loaded into the wafer, so in the wafer alignment device, silicon wafers that are opaque wafers, quartz wafers that are transparent wafers, and silicon carbide wafers that are translucent wafers are mixed. Even in this case, all the notches of the five wafers can be aligned.

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Abstract

　半導体製造装置は、基板を搬送する基板搬送装置と、前記基板搬送装置から搬送されて来た前記基板を検出するために、前記基板へ光を発光する発光部および前記光を受光する受光部を有する基板検出部と、前記受光部からの受光量データを受け取るコントローラと、を備えており、前記コントローラは、互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録しておき、前記発光部から発光された光が前記基板を介して前記受光部に到達した場合には、その受光した受光量が予め登録された前記光量範囲のいずれであるかを判定し、判定された前記光量範囲に応じた命令を出力する。

Description

半導体製造装置
技術分野
[0001] 本発明は、半導体製造装置に関し、特に、基板の種類を判別する技術に係り、例 えば、半導体集積回路装置 (以下、 ICという。）の製造方法において、半導体素子を 含む半導体集積回路を作り込まれる半導体ウェハ (以下、ウェハという。）に絶縁膜 や金属膜等の CVD膜を形成したり不純物を拡散したりするのに利用して有効なもの に関する。
背景技術
[0002] 一般に、 ICの製造方法において使用されるウェハには、円形であるウェハ自身の 周方向の位置やウェハ内における結晶の方位等を指示するためのノッチ (基準位置 表示部）が、ウェハの周縁の一箇所に配置されている。
ノッチはウェハの周縁が狭小の V字形状に切り欠かれて構成されている。 そこで、 ICの製造方法においてウェハに CVD膜を形成したり不純物を拡散したり する半導体製造装置においては、ウェハに配置されたノッチを検出してウェハの周 方向の位置を合わせるウェハ位置合わせ装置が設置されて 、るのが、一般的である
[0003] 従来のこの種のウェハ位置合わせ装置としては、光源と反射式検知部と透過式検 知部とを有する検出センサを装備することにより、不透明であるシリコンウェハおよび 透明であるガラスウェハの両方のノッチを検出するように構成されて 、るもの、がある 例えば、特許文献 1参照。
特許文献 1：特開 2003 - 289097号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] し力しながら、前述したウェハ位置合わせ装置においては、ウェハの種類を認識す ることができないために、作業者がウェハの種類に関して誤った情報を半導体製造 装置のコントローラに入力した場合には、全てのウェハを不良品としてしまうという問 題点、がある。
[0005] 本発明の目的は、ウェハの種類を判別することができる半導体製造装置を提供す ることにめる。
課題を解決するための手段
[0006] 本願が開示する発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置から搬送されて来た前記基板を検出するために、前記基板へ 光を発光する発光部および前記光を受光する受光部を有する基板検出部と、 前記受光部力 の受光量データを受け取るコントローラと、を備えており、 前記コントローラは、互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録しておき、前記 発光部から発光された光が前記基板を介して前記受光部に到達した場合には、その 受光した受光量が予め登録された前記光量範囲の 、ずれであるかを判定し、判定さ れた前記光量範囲に応じた命令を出力するように構成されていることを特徴とする半 導体製造装置。
発明の効果
[0007] 前記（1)によれば、基板搬送装置から搬送されて来た基板が不透明な基板か、透 明な基板か、半透明な基板かを判別することができるので、各基板に対応した適切 な処理を施すことができる。
図面の簡単な説明
[0008] [図 1]本発明の一実施の形態であるバッチ式 CVD装置を示す斜視図である。
[図 2]ウェハ位置合わせ装置を示す一部省略斜視図である。
[図 3]その一部省略正面図である。
[図 4]その透過型センサの部分を示す一部省略側面断面図である。
[図 5]その反射型センサの部分を示す一部省略側面断面図である。
[図 6]コントローラを示すブロック図である。
[図 7]ウェハ判別プロセスフローを示すフローチャートである。 符号の説明
[0009] 1···ウエノ、、 1A…シリコンウエノ、（不透明ウェハ）、 1B…石英ウエノ、（透明ウェハ）、 la…ノッチ、 2…ポッド (キャリア）、 10···バッチ式 CVD装置（半導体製造装置）、 11 …筐体、 12···ポッド搬入搬出口、 13···フロントシャツタ、 14···ポッドステージ、 15··· 回転式ポッド棚、 16…ポッド搬送装置、 17…待機室、 18···待機室筐体、 21···ポッド オーブナ、 22···載置台、 23···キャップ着脱機構、 24···ヒータユニット、 25· "プロセス チューブ、 26···処理室、 27···ガス導入管、 28· "排気管、 29···シャツタ、 30· "ボート エレベータ、 31…アーム、 32···ベローズ、 33···シールキャップ、 34···ボート、 35··· ウェハ移載装置、 36···ツイ一ザ、 40···ウェハ位置合わせ装置、 41···機台、 42···筐 体、 42a-"囲!/、板、 43···ウエノヽ出し入れ口、 44···ノッチ検出器、 45···支持ポーノレ、 46···棚板、 47···モータ、 48···回転軸、 49···ターンテーブル、 50···支持ピン、 51··. テーノ 咅、 52···エアシリンダ、 53···ピストンロッド、 54···ベース、 55···すく!/ヽ上 tfポ ール、 56···揷通孔、 57···すくい上げ支持ピン、 58···透過型センサ用支持ポール、 5 9…反射型センサ支持ポール、 60…透過型センサ、 61···発光部 (透過型発光部）、 62···受光部 (透過型受光部）、 63…検出光、 70···反射型センサ、 71···発光部 (反 射型発光部）、 72···受光部 (反射型受光部）、 73…検出光、 74···反射光、 75···ホ ルダ、 80···コントローラ、 81···透過型センサ受光量測定部、 82···反射型センサ受光 量測定部、 83···テーブル登録部、 84···ウェハ種類の判別部、 85···不透明ウェハノ ツチ検出部、 86…透明ウェハ.半透明ウェハノッチ検出部、 87···ウェハ位置合わせ 部、 88···ウェハ種別表示命令部。
発明を実施するための最良の形態
[0010] 以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
[0011] 本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は、 ICの製造方法にあつ てウェハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等の CVD膜を形成したりする工程に 使用されるノ ツチ式縦形拡散 'CVD装置 (以下、ノ ツチ式 CVD装置という。）として 構成されている。
[0012] なお、本実施の形態に係るバッチ式 CVD装置においては、ウェハ搬送用のキヤリ ァとしては、 FOUP (front opening unified pod。以下、ポッドという。 )が使用されてい る。このポッドは一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成されており、開口面 にはキャップが着脱自在に装着されて!、る。
[0013] 図 1に想像線で示されているように、バッチ式 CVD装置 10は型鋼や鋼板等によつ て直方体の箱形状に構築された筐体 11を備えて 、る。
筐体 11の正面壁にはポッド搬入搬出口 12が筐体 11の内外を連通するように開設 されており、ポッド搬入搬出口 12はフロントシャツタ 13によって開閉されるようになつ ている。
図 1に示されているように筐体 11の正面壁のポッド搬入搬出口 12の手前には、ポッ ドステージ 14が設置されており、ポッドステージ 14はウェハ 1を収納するためのポッド 2を載置されて位置合わせを実行するように構成されて 、る。
ポッド 2はポッドステージ 14の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、 かつまた、ポッドステージ 14の上力も搬出されるようになって 、る。
[0014] 筐体 11内の前後方向の略中央部における上部には回転式ポッド棚 15が設置され ており、回転式ポッド棚 15は複数個のポッド 2を保管するように構成されている。 すなわち、回転式のポッド棚 15は後記する待機室筐体の上に垂直に立設されて水 平面内で間欠回転される支柱と、この支柱に上中下段の各位置において放射状に 支持された複数枚の棚板とを備えており、複数枚の棚板はそれぞれポッド 2を 1個ず つ載置した状態で保持するように構成されて ヽる。
[0015] 筐体 11内のポッドステージ 14と回転式ポッド棚 15との間にはポッド搬送装置 16が 設置されており、ポッド搬送装置 16はポッドステージ 14と回転式ポッド棚 15との間、 および回転式ポッド棚 15と後記するポッドオーブナの載置台との間で、ポッド 2を搬 送するように構成されている。
[0016] 筐体 11の内部におけるポッドステージ 14と反対側には、後記するボートを収容して 待機させる待機室 17を形成した待機室筐体 18が設置されており、待機室 17は適度 (大気圧程度に耐え得る常圧気密構造)の気密室に構成されている。
図示しないが、待機室筐体 18には給気管および排気管が待機室 17に連通するよ うにそれぞれ接続されており、給気管および排気管には窒素ガスが供給および排気 されるようになつている。 [0017] 待機室筐体 18の正面壁にはウェハを待機室 17に対して搬入搬出するためのゥェ ハ搬入搬出口が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されている。上下段 のウェハ搬入搬出口には、一対のポッドオーブナ 21、 21がそれぞれ設置されている ポッドオーブナ 21はいずれもポッド 2を載置する載置台 22と、載置台 22に載置され たポッド 2のキャップを着脱するキャップ着脱機構 23とを備えており、載置台 22に載 置されたポッド 2のキャップをキャップ着脱機構 23によって着脱することにより、ポッド 2のウェハ出し入れ口を開閉するようになって 、る。
[0018] 待機室筐体 18の上にはヒータユニット 24が垂直方向に据え付けられており、ヒータ ユニット 24の内部には上端が閉塞し下端が開口した円筒形状のプロセスチューブ 2 5が同心円に配置されて!、る。ヒータユニット 24はプロセスチューブ 25の円筒中空部 が形成した処理室 26を加熱するように構成されて!ヽる。
プロセスチューブ 25には処理室 26に原料ガスやパージガス等を導入するためのガ ス導入管 27と、処理室 26を真空排気するための排気管 28とが接続されて 、る。 プロセスチューブ 25の下端開口はシャツタ 29によって開閉されるように構成されて いる。
[0019] 待機室 17にはボートを昇降させるためのボートエレベータ 30が設置されている。
詳細な図示は省略する力 ボートエレベータ 30は垂直に立脚されて回転自在に支 承された送りねじ軸と、送りねじ軸を正逆回転させるモータと、送りねじ軸に昇降自在 に螺合されたアーム 31と、送りねじ軸を被覆したベローズ 32とを備えている。
なお、昇降時の動きやバックラッシュを良好なものとするために、送りねじ軸とアーム 31との螺合部にはボールねじ機構が使用されている。
[0020] ボートエレベータ 30のアーム 31の先端部には、シールキャップ 33が水平に据え付 けられている。シールキャップ 33はプロセスチューブ 25の下端開口をシールするよう に構成されて 、るとともに、ボート 34を垂直に支持するように構成されて 、る。
ボート 34は複数本 (本実施の形態では 3本)のウェハ (基板)保持部材を備えており 、複数枚 (例えば、 50枚程度〜 150枚程度）のウェハ 1をその中心を揃えて水平に支 持した状態で、プロセスチューブ 25の処理室 26に対してボートエレベータ 30による シールキャップ 33の昇降に伴って搬入搬出するように構成されて！、る。
[0021] 待機室 17にはボート 34に対してウェハ 1を装填 (チャージング)および脱装 (デイス チャージング)するウェハ移載装置 35が設置されて 、る。ウェハ移載装置 35はゥェ ノ、 1を下力 支持するツイ一ザ 36を複数枚 (本実施の形態においては 5枚)備えてお り、ツイ一ザ 36は等間隔に配置されて水平に取り付けられている。
ウェハ移載装置 35は 5枚のツイ一ザ 36を三次元方向に移動させることにより、 5枚 のウェハ 1を一括してポッド 2とボート 34との間で受け渡すように構成されている。
[0022] 図 1に示されているように、待機室 17のウェハ移載装置 35のボート 34と反対側の 片脇には、ウェハ位置合わせ装置 40が設置されて 、る。
[0023] 次に、本実施の形態に係るウェハ位置合わせ装置 40の構成を図 2以降に即して説 明する。
[0024] 図 2に示されているように、ウェハ位置合わせ装置 40は上面が水平面の箱形状に 構築された機台 41を備えて 、る。機台 41の上には筐体 42が囲 、板 42a (—部のみ が図示されている。）によって構築されている。筐体 42の一面は大きく開放されており 、この開放面によってウェハ出し入れ口 43が構成されて 、る。
筐体 42の内部にはウェハ 1を回転させてウェハのノッチ laを検出するノッチ検出器 44が 5台、上下方向に並べて装備されている。
すなわち、機台 41の上面における周辺部には、 4本の支持ポール 45、 45、 45、 45 が垂直に立脚されて固定されている。 4本の支持ポール 45間には 5枚の棚板 46、 46 、 46、 46、 46が、上下方向に等間隔に配されて水平に架設されている。
図 3に示されているように、各棚板 46の上にはモータ 47が 1台ずつ、回転軸 48が 垂直に配置されて上向きにそれぞれ据え付けられている。各モータ 47の回転軸 48 には水平に配置されたターンテーブル 49の中心が固定されている。
[0025] 各ターンテーブル 49の上面における周辺部には 3本の支持ピン 50、 50、 50力 互 いに周方向に 120度の位相差をもってそれぞれ固定されて 、る。各支持ピン 50のゥ ェハ 1を支持する支持面は、テーパ部 51に形成されている。このテーパ部 51により、 ウェハ 1の中心とターンテーブル 49の回転中心とが自己制御的に整合 (セルファライ メント）するようになっており、かつまた、テーパ部 51によってウェハ 1の下面における 周縁の極一部を支持することにより、ウェハ 1の裏面へのパーティクルの付着を防止 することができるようになって!/、る。
[0026] 図 3に示されているように、機台 41の内部の中心線上にはエアシリンダ 52がピスト ンロッド 53が垂直に配置されて上向きに据え付けられており、ピストンロッド 53の上端 部は機台 41の上面と最下段の棚板 46との間の空間に突き出されている。ピストン口 ッド 53の上端部には水平に配置されたベース 54が固定されており、ベース 54はエア シリンダ 52によって昇降されるように構成されて！、る。
ベース 54の上面における周辺部には、 3本のすくい上げポール 55、 55、 55力 S互い に周方向に 120度の位相差をもってそれぞれ垂直に配置されて固定されている。各 すくい上げポール 55は各棚板 46にそれぞれ開設された各揷通孔 56を挿通して最 上段の棚板 46の上方に突き出されている。
各すくい上げポール 55には各すくい上げ支持ピン 57が、上下方向に等間隔に配 されて水平に架設されており、各すくい上げ支持ピン 57はウェハ 1の回転中心に向 力つて極僅かにそれぞれ突出されている。各すくい上げ支持ピン 57の先端部は、ゥ ェハ 1の下面における周縁の極一部に下から係合することにより、ウェハ 1を水平に すくい上げるように構成されている。また、各すくい上げ支持ピン 57のウェハ支持面 は僅かにテーパ角を付けたウェハ受載縁面に形成されている。
[0027] 図 2に示されているように、機台 41の上面におけるウェハ出し入れ口 43と反対側に は、 2本の支持ポール 58と 59とが互いに隣接した位置で垂直に立脚されて固定され ている。
一方の支持ポール 58には各ターンテーブル 49に対応して 5台のノッチ検出器 44 の透過型センサ 60、 60、 60、 60、 60がそれぞれ水平に設置されている。
他方の支持ポール 59には各ターンテーブル 49に対応して 5台のノッチ検出器 44 の反射型センサ 70、 70、 70、 70、 70がそれぞれ水平に設置されている。
[0028] 図 4に示されて 、るように、各ノッチ検出器 44の透過型センサ 60は、透過型発光部 61と透過型受光部 62とを備えている。
透過型発光部 61と透過型受光部 62とはターンテーブル 49に支持されたウェハ 1 を挟んだ上下位置であって、ウェハ 1の周縁に切り欠かれたノッチ laの範囲内にお 、て互いに対向するように配置されて、支持ポール 58にそれぞれ支持されて 、る。 また、透過型発光部 61および透過型受光部 62はウェハ 1の回転中にターンテー ブル 49や 3本の支持ピン 50、 50、 50に干渉しないようにそれぞれ配置されている。 透過型発光部 61は検出光 63を透過型受光部 62に向けて照射するように構成され ており、透過型受光部 62は検出光 63を受光した時に電気信号をコントローラ 80に 送信するように構成されて 、る。
本実施の形態に使用された透過型センサ 60のセンサ幅は 5mmであるので、透過 型センサ 60のセンサ位置はウェハ 1のエッジから 2. 5 ±0. 5mmに設定されている。
[0029] 図 5に示されているように、各ノッチ検出器 44の反射型センサ 70は、反射型発光部 71と反射型受光部 72とを備えており、反射型発光部 71および反射型受光部 72は 一つのホルダ 75に納められている。反射型センサ 70のホルダ 75は、ウェハ 1の回転 中にターンテーブル 49や 3本の支持ピン 50、 50、 50に干渉しないように配置されて 、支持ポール 59に支持されている。
反射型発光部 71と反射型受光部 72とは次のように配置されて 、る。
反射型発光部 71はターンテーブル 49に支持されたウェハ 1の上方であって、ゥェ ノ、 1の周縁に切り欠かれたノッチ laへの発光が可能な範囲内となる入射位置に設け られて 、る。発射型受光部 72はノッチ laの有無で発光した光が通過または反射し、 反射した場合にその光を受光する受光位置に設けられている。
反射型発光部 71は検出光 73をウェハ 1の周縁部の表面に向けて照射するように 構成されており、反射型受光部 72は検出光 73がウェハ 1の表面で反射した反射光 7 4を受光した時に電気信号をコントローラ 80に送信するように構成されて！、る。
本実施の形態に使用された反射型センサ 70のセンサ幅は 6mmであるので、反射 型センサ 70のセンサ位置はウェハ 1のエッジから 3. 0±0. 5mmに設定されている。
[0030] 図 4および図 5に示されているように、コントローラ 80には各モータ 47の回転位置検 出用エンコーダ（図示せず)の角度信号も、入力されるように構成されて 、る。
なお、詳細な図示は省略する力 透過型センサ 60の透過型発光部 61や透過型受 光部 62および反射型センサ 70の反射型発光部 71や反射型受光部 72は、複数本 の光ファイバおよびアンプ等力 構成されて 、る。 [0031] コントローラ 80はハードウェアであるパネルコンピュータやパーソナルコンピュータ およびマイクロコンピュータ等にソフトウェアとしてプログラミングされている。
図 6に示されているように、コントローラ 80は透過型センサ 60の透過型受光部 62か らの電気信号によって透過型センサ受光量を測定する透過型センサ受光量測定部 81と、反射型センサ 70の反射型受光部 72からの電気信号によって反射型センサ受 光量を測定する反射型センサ受光量測定部 82と、ウェハの種類の判別に必要なテ 一ブルが登録されたテーブル登録部 83と、テーブル登録部 83に登録された光量範 囲と反射型センサ受光量測定部 82からの受光量との比較によってウェハの種類を 判別する判別部 84と、を備えている。
判別部 84には不透明ウェハノッチ検出部 85および透明ウェハ ·半透明ウェハノッ チ検出部 86が接続されて 、る。
不透明ウェハノッチ検出部 85は透過型センサ受光量測定部 81からの時系列デー タと、モータ 47からの角度信号（時系列データ）とに基づいて、不透明ウェハのノッチ の位置を検出するように構成されている。
透明ウェハ.半透明ウェハノッチ検出部 86は反射型センサ受光量測定部 82からの 時系列データと、モータ 47からの角度信号（時系列データ）とに基づいて、透明ゥェ ハおよび半透明ウェハのノッチの位置を検出するように構成されている。
不透明ウェハノッチ検出部 85と透明ウェハ ·半透明ウェハノッチ検出部 86とには、 ウエノ、位置合わせ部 87が接続されており、ウェハ位置合わせ部 87は不透明ウェハ ノッチ検出部 85および透明ウェハ ·半透明ウェハノッチ検出部 86によるノッチの検出 結果に基づ 、て 5枚のウェハにつ 、てノッチの位置を揃えるように構成されて 、る。 また、判別部 84にはウェハ種別表示命令部 88が接続されている。ウェハ種別表示 命令部 88は判別部 84が判別したウェハの種別をバッチ式 CVD装置の表示部（図 示せず）に表示させる命令を出力するように構成されている。
[0032] テーブル登録部 83には、不透明ウェハであるシリコンウエノ、、透明ウェハである石 英ウェハおよび半透明ウェハである炭化シリコンウェハについて反射型センサ 70の 受光量を求めた実験結果である次表 1に示されたテーブル力 予め登録されている [表 1] 表 1
Figure imgf000012_0001
[0033] ここで、ウェハの種類毎の受光量の測定値は反射型センサ 70の光ファイバやアン プのタイプ (型式)等の個体差によって変動するので、この表 1のテーブルは、実機の 反射型センサ 70を使用した実験によって求めることが望ましい。
この表 1のデータは、次のような条件の実験によって予め求めた。
発光源には赤色 LED (発光ダイオード）を使用した。
反射型センサ 70とウェハとの間隔は、 36mmに設定した。
受光量の測定値範囲は、 0 (最小）〜4000 (最大：飽和）である。
基準負荷時の受光量はシリコンウェハで 3800であり、無負荷（ウェハなし）時の受 光量は 60であった。
同種のウェハ毎に複数枚ずつ、かつ、複数箇所ずつ測定し、その測定値の平均値 の小数点第一位を切り捨てた値をテーブルとして使用した。
[0034] 次に、前記構成に係る CVD装置の運用方法を、シリコンウェハ（不透明）、石英ゥ ェハ (透明）および炭化シリコンウェハ（半透明）に成膜される場合を一例にして説明 する。
[0035] 図 1に示されているように、ポッド 2がポッドステージ 14に供給されると、ポッド搬入 搬出口 12がフロントシャツタ 13によって開放され、ポッドステージ 14の上のポッド 2は ポッド搬送装置 16によってすくい取られて、筐体 11の内部へポッド搬入搬出口 12か ら搬入される。 搬入されたポッド 2は回転式ポッド棚 15の指定された棚板へポッド搬送装置 16によ つて自動的に搬送されて受け渡され、その棚板に一時的に保管される。
[0036] その後、回転式ポッド棚 15の指定の棚板に一時的に保管されたポッド 2はポッド搬 送装置 16によってすくい取られ、一方のポッドオーブナ 21に搬送されて載置台 22に 移載される。
[0037] ポッド 2が載置台 22に載置されると、ポッドオーブナ 21はポッド 2の開口側端面を待 機室筐体 18の正面におけるウェハ搬入搬出口の開口縁辺部に押し付けるとともに、 キャップをキャップ着脱機構 23によって取り外し、ウェハ出し入れ口を開放させる。 ポッド 2のウェハ出し入れ口がポッドオーブナ 21によって開放されると、ウェハ移載 装置 35は 5枚のツイ一ザ 36をポッド 2に挿入し、 5枚のウェハ 1を一括してすくい取り 、続いて、 5枚のツイ一ザ 36を後退させることにより、 5枚のウェハ 1をウェハ搬入搬出 ロカゝら待機室 17に搬入する。
5枚のウェハ 1をツイ一ザ 36によって待機室 17に搬入したウェハ移載装置 35は、 5 枚のウェハ 1をウェハ位置合わせ装置 40のウェハ出し入れ口 43に搬送する。
[0038] 他方、ウェハ位置合わせ装置 40においては、ベース 54および 3本のすくい上げポ 一ノレ 55、 55、 55がエアシリンダ 52によるピストンロッド 53によって上限位置に上昇さ れることにより、各すくい上げポール 55における 5段の棚板 46の間にそれぞれ配置さ れた各すくい上げ支持ピン 57が、各ターンテーブル 49の上方位置であるウェハ授 受位置に上昇される。
[0039] この状態で、ウェハ移載装置 35の 5枚のツイ一ザ 36がウェハ位置合わせ装置 40 のウェハ出し入れ口 43に挿入されると、 5枚のウェハ 1は 5段の各支持ピン 57の若干 だけ上側に搬入される状態になる。
この状態で、ウェハ移載装置 35のツイ一ザ 36が若干だけ下降されると、 5枚のツイ 一ザ 36の上のウェハ 1は 5枚のツイ一ザ 36の上から 5段の各支持ピン 57の上にそれ ぞれ受け渡される。
ウェハ 1を受け渡した 5枚のツイ一ザ 36がウェハ位置合わせ装置 40のウェハ出し 入れ口 43から抜き出された後に、ベース 54および 3本のすくい上げポール 55、 55、 55がエアシリンダ 52によるピストンロッド 53によって下限位置である待機位置に下降 される。これにより、各すくい上げ支持ピン 57に下力 支持された 5枚のウェハ 1は、 5 段のターンテーブル 49の各支持ピン 50の上にそれぞれ受け渡される。
[0040] 5段のターンテーブル 49が 5枚のウェハ 1をそれぞれ受け取ると、ウェハ位置合わ せ装置 40は 5段のターンテーブル 49を 5台のモータ 47によってそれぞれ回転させる ことにより、 5枚のウェハ 1を回転させる。
この回転中に、ウェハ位置合わせ装置 40のコントローラ 80は図 4および図 5に示さ れているように、各透過型センサ 60の透過型発光部 61から検出光 63を発光し、各 反射型センサ 70の反射型発光部 71から検出光 73を発光することにより、透過型セ ンサ 60の透過型受光部 62からの受光電気信号と、反射型センサ 70の反射型受光 部 72からの受光電気信号をそれぞれ取得する。
[0041] 続いて、コントローラ 80は図 7に示されたウェハ判別プロセスフローを実行すること により、ウェハ位置合わせ装置 40に搬入されたウェハ 1が、シリコンウェハであるのか 、石英ウェハであるの力、炭化シリコンウェハであるのかを自動的に判別する。
[0042] 図 7に示されている第一ステップ S1において、コントローラ 80の反射型センサ受光 量測定部 82は反射型センサ 70の反射型受光部 72の受光電気信号によって受光量 Qを測定する。
第二ステップ S2において、コントローラ 80はテーブル登録部 83から予め登録され ているテーブルを読み出す。
第三ステップ S3において、コントローラ 80の判別部 84は、テーブル登録部 83から 読み出したテーブルのうちシリコンウェハに関する受光量範囲と、反射型センサ受光 量測定部 82の受光量 Qとを比較する。すなわち、反射型センサ受光量測定部 82か らの受光量 Qの値は、 3920未満 3650超の範囲内であるか否かを判定する。
反射型センサ受光量測定部 82からの受光量 Qの値が 3920未満 3650超の範囲内 である場合 (YES)には、判別部 84は「判別対象になつているウェハはシリコンゥェ ハである」と判定する（第四ステップ S4)。
判別部 84はこの判定結果をウェハ種別表示命令部 88に送信する。ウェハ種別表 示命令部 88は「判別対象になつているウェハはシリコンウェハであることを表示させ る命令」をバッチ式 CVD装置の表示部に送信する（第五ステップ S5)。 さらに、判別部 84は「判別対象になつているウェハはシリコンウェハである」との判 定結果を不透明ウェハノッチ検出部 85に送信し、不透明ウェハノッチ検出部 85にノ ツチの検出の実行を命令する（第六ステップ S6)。
[0043] 翻って、第三ステップ S3において、反射型センサ受光量測定部 82からの受光量 Q の値が 3920未満 3650超の範囲内でない場合 (NO)には、判別部 84は第七ステツ プ S7に進む。
第七ステップ S7において、コントローラ 80の判別部 84はテーブル登録部 83から読 み出したテーブルのうち石英ウェハに関する受光量範囲と、反射型センサ受光量測 定部 82の受光量 Qとを比較する。すなわち、反射型センサ受光量測定部 82からの 受光量 Qの値は、 800未満 660超の範囲内であるか否かを判定する。
反射型センサ受光量測定部 82からの受光量 Qの値が 800未満 660超の範囲内で ある場合 (YES)には、判別部 84は「判別対象になつているウェハは石英ウェハであ る」と判定する（第八ステップ S8)。
判別部 84はこの判定結果をウェハ種別表示命令部 88に送信する。ウェハ種別表 示命令部 88は「判別対象になつているウェハは石英ウェハであることを表示させる命 令」をバッチ式 CVD装置の表示部に送信する（第九ステップ S9)。
さらに、判別部 84は「判別対象になつているウェハは石英ウェハである」との判定 結果を透明ウェハ'半透明ウェハノッチ検出部 86に送信し、透明ウェハ'半透明ゥェ ノ、ノッチ検出部 86にノッチの検出の実行を命令する（第十ステップ S10)。
[0044] 翻って、第七ステップ S7において、反射型センサ受光量測定部 82からの受光量 Q の値が 800未満 660超の範囲内でない場合 (NO)には、判別部 84は第 ^—ステツ プ S 11に進む。
第 ^—ステップ SI 1にお 、て、コントローラ 80の判別部 84はテーブル登録部 83か ら読み出したテーブルのうち炭化シリコンウェハに関する受光量範囲と、反射型セン サ受光量測定部 82の受光量 Qとを比較する。すなわち、反射型センサ受光量測定 部 82からの受光量 Qの値は、 260未満 240超の範囲内であるか否かを判定する。 反射型センサ受光量測定部 82からの受光量 Qの値が 260未満 240超の範囲内で ある場合 (YES)には、判別部 84は「判別対象になつているウェハは炭化シリコンゥ ェハである」と判定する（第十二ステップ S 12)。
判別部 84はこの判定結果をウェハ種別表示命令部 88に送信する。ウェハ種別表 示命令部 88は「判別対象になつているウェハは炭化シリコンウェハであることを表示 させる命令」をバッチ式 CVD装置の表示部に送信する（第十三ステップ S 13)。 さらに、判別部 84は「判別対象になつているウェハは炭化シリコンウェハである」と の判定結果を透明ウェハ ·半透明ウェハノッチ検出部 86に送信し、透明ウェハ'半 透明ウェハノッチ検出部 86にノッチ検出の実行を命令する（第十四ステップ S14)。
[0045] 翻って、第十一ステップ S 11において、反射型センサ受光量測定部 82からの受光 量 Qの値が 260未満 240超の範囲内でない (NO)場合には、判別部 84は第一ステ ップ S1に戻り、前述したウェハ判別プロセスフローをやり直す。
この場合には、反射型センサ 70の反射型受光部 72による受光電気信号の取得作 動からやり直すことが望ま U、。
やり直しの回数が予め設定された回数に到達した場合には、コントローラ 80はエラ 一警報を発生する。
[0046] そして、第六ステップ S6において、シリコンウェハのノッチを検出すべき命令を受け た不透明ウェハノッチ検出部 85は、透過型センサ 60の透過型受光部 62からの電気 信号とモータ 47からの角度信号とに基づいて、透明ウェハのノッチの位置を検出す る作業を実行し、検出結果をウェハ位置合わせ部 87に送信する。
[0047] また、第十ステップ S10または第十四ステップ S14において、石英ウェハ (透明ゥェ ノ、)または炭化シリコンウェハ（半透明ウエノ、）のノッチを検出すべき命令を受けた透 明ウェハ.半透明ウェハノッチ検出部 86は、反射型センサ 70の反射型受光部 72か らの電気信号とモータ 47からの角度信号とに基づいて、石英ウェハまたは炭化シリコ ンウェハのノッチの位置を検出する作業を実行し、検出結果をウェハ位置合わせ部
87に送信する。
[0048] 例えば、透明ウェハである石英ウェハと不透明ウェハであるシリコンウェハとが混在 しており、図 4および図 5において、ウェハ位置合わせ装置 40における下から一段目 のウェハが石英ウェハ 1Bであり、下から二段目のウェハがシリコンウェハ 1Aであると 仮定すると、下から一段目の石英ウェハ 1Bに対しては、透明ウェハ ·半透明ウェハノ ツチ検出部 86がノッチ laを反射型センサ 70を使用して検出することになり、下から二 段目のシリコンウェハ 1Aに対しては、不透明ウェハノッチ検出部 85がノッチ laを透 過型センサ 60を使用して検出することになる。
このように、ウェハ位置合わせ装置 40において石英ウェハ 1Bとシリコンウェハ 1Aと が混在して 、る場合であつても、ウェハ位置合わせ装置 40の 5台のノッチ検出器の 全てに透過型センサ 60と反射型センサ 70とがそれぞれ配置されていることにより、ゥ ェハ位置合わせ部 87はウェハ位置合わせ装置 40の 5段のターンテーブル 49に搬 入された全てのウェハについてノッチ laの位置を取得することができるので、 5枚の ウェハ 1のノッチ laの位置を全て揃えることができる。
[0049] 5枚のウェハ 1相互のノッチ laの位置がウェハ位置合わせ装置 40によって揃えら れると、ウェハ移載装置 35の 5枚のツイ一ザ 36の前述した搬入作動とは逆の作動に より、 5枚のウェハ 1はウェハ位置合わせ装置 40から搬出される。
続いて、ウェハ移載装置 35は 5枚のウェハ 1をウェハ位置合わせ装置 40から搬出 した 5枚のツイ一ザ 36をボート 34へ搬送し、 5枚のウェハ 1をボート 34^ ^—括して移 載する。
[0050] 5枚のウェハ 1のポッド 2からウェハ位置合わせ装置 40への搬入ステップ、ウェハ位 置合わせ装置 40によるウェハ位置合わせステップおよびウェハ位置合わせ装置 40 力もボート 34への移載ステップが繰り返されることにより、予め指定された枚数 (例え ば、 25枚）のウェハ 1がボート 34へ装填（ウェハチャージング）されると、待機室 17は ロード、ロックされる。
[0051] 以上のようにして予め指定された枚数のウェハ 1がボート 34に装填されると、ボート 34はボートエレベータ 30によって上昇されて、プロセスチューブ 25の処理室 26に搬 入される。
ボート 34が上限に達すると、ボート 34を保持したシールキャップ 33の上面の周辺 部がプロセスチューブ 25をシール状態に閉塞するため、処理室 26は気密に閉じら れた状態になる。
[0052] プロセスチューブ 25の処理室 26は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるよ うに排気管 28によって排気され、ヒータユニット 24によって所定の温度に加熱され、 所定の原料ガスがガス導入管 27によって所定の流量だけ供給される。 これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウェハ 1に形成される
[0053] 予め設定された処理時間が経過すると、ボート 34がボートエレベータ 30によって下 降されることにより、処理済みのウェハ 1を保持したボート 34がウェハ移載位置に搬 出される。
[0054] ボート 34がウェハ移載位置に搬出されると、ウェハ移載装置 35はボート 34からボ ート 34の処理済みのウェハ 1を 5枚のツイ一ザ 36によって 1枚ずつ受け取って脱装（ デイスチャージング）する。
続いて、ウェハ移載装置 35は 5枚のウェハ 1をポッドオーブナ 21によって開放され たポッド 2に搬送し、ポッド 2に収納する。
[0055] この処理済のウェハ 1のデイスチャージングステップおよびポッド 2への収納ステツ プが繰り返されて、ボート 34の 25枚のウェハ 1が空のポッド 2への収納が完了すると
、ポッド 2はキャップ着脱機構 23によってキャップを装着された後に、ポッドオーブナ
21の載置台 22から回転式ポッド棚 15の指定された棚板にポッド搬送装置 16によつ て搬送されて、一時的に保管される。
[0056] その後、処理済みのウェハ 1を収納したポッド 2は回転式ポッド棚 15からポッド搬入 搬出口 12へポッド搬送装置 16により搬送され、ポッド搬入搬出口 12から筐体 11の 外部に搬出されてポッドステージ 14の上に載置される。
ポッドステージ 14の上に載置されたポッド 2は次工程へ工程内搬送装置によって搬 送される。
[0057] 以降、前述した作用が繰り返されてウェハ 1がバッチ式 CVD装置 10によってバッチ 処理されて行く。
[0058] 前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
[0059] 1) 実験によって予め求めたテーブルの受光量範囲と反射型センサ受光量とを比較 することにより、バッチ式 CVD装置に投入されたウェハがシリコンウェハであるのか、 石英ウェハであるの力、炭化シリコンウェハであるのかを自動的に判別することがで きるので、バッチ式 CVD装置のオペレータや上位コントローラがバッチ式 CVD装置 に投入されるウェハの種別を事前に特定する作業を省略することができ、オペレータ や上位コントローラの負担を軽減したり誤入力を防止したりすることができる。
[0060] 2) ウェハ位置合わせ装置に搬入されたウェハが不透明ウェハ（シリコンウェハ）であ るの力、、透明ウェハ (石英ウエノ、）であるの力、、半透明ウェハ (炭化シリコンウエノ、）で あるのかを自動的に判別することにより、ウェハ位置合わせ装置に搬入された当該ゥ ェハに対して反射型センサまたは透過型センサを適宜に使用することにより、当該ゥ ェハのノッチを検出することができる。
[0061] 3) ウェハ位置合わせ装置の 5台のノッチ検出器の全てに透過型センサと反射型セ ンサとをそれぞれ配置することにより、ウェハ位置合わせ部はウェハ位置合わせ装置 の 5段のターンテーブルに搬入された全てのウェハについてノッチの位置を取得する ことができるので、ウェハ位置合わせ装置において不透明ウェハであるシリコンゥェ ノ、と透明ウェハである石英ウェハおよび半透明ウェハである炭化シリコンウェハとが 混在して 、る場合であっても、 5枚のウェハのノッチの位置を全て揃えることができる
[0062] 4) 判別部が判別したウェハの種別をウェハ種別表示命令部に送信し、判別対象に なっているウェハの種別をバッチ式 CVD装置の表示部によって表示させることにより 、ノツチ式 CVD装置のオペレータや上位コントローラにおいて、当該ウェハの種別 を確認させることができるので、オペレータや上位コントローラの誤入力による全不良 ウェハの発生を未然に防止することができる。
[0063] なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなぐその要旨を逸脱しない 範囲で種々に変更が可能であることは 、うまでもな!/、。
[0064] 例えば、前記実施の形態にお!、ては、反射型センサを使用してウェハの種類を判 別するように構成した場合について説明した力 透過型センサを使用してウェハの種 類を判別するように構成してもよ!ヽ。
この場合には、石英ウェハのような透明ウェハは、透過型センサの発光を透過して しまうことにより、ウェハが無い状態と区別することができないために、判別することが できない。し力し、シリコンウェハのような不透明ウェハと、炭化シリコンウェハのような 半透明ウェハとは判別することができる。 したがって、反射型センサと透過型センサとを併用してウェハの種類を判別するよう に構成すると、判別精度を向上させることができる。
また、前記実施の形態においては、反射型センサを使用してウェハの種類を判別 するように構成した場合について説明した力 異なる膜種を成膜済みのシリコンゥェ ハ毎に、反射型センサの受光量を測定する実験を実施したところ、次の表 2に示され たテーブルを求めることができたので、このテーブルを使用することにより、成膜され た膜種を判別するように構成してもよ V、。
[¾2] 表 2
Figure imgf000020_0001
さらに、異なる膜厚を成膜済みのシリコンウェハ毎に、反射型センサの受光量を測 定する実験を実施したところ、次の表 3に示されたテーブルを求めることができたので 、このテーブルを使用することにより、成膜された膜厚を判別するように構成してもよ い。
闘
表 3
Figure imgf000021_0001
[0067] 発光源には赤色 LEDを使用するに限らず、青色 LEDや緑色 LED、赤色レーザ半 導体装置、青色レーザ半導体装置および絶縁レーザ半導体装置等を使用してもよ い。
また、これらの光デバイスを併用することにより、同一のウェハ種類や同一膜種およ び同一膜厚について、閾値の最も大きな光量範囲を選択することができるので、それ らの判別精度を高めることができる。
[0068] ウェハ位置合わせ装置には、 5台のノッチ検出器を装備するに限らず、 1台または 2 台〜 4台、 6台以上のノッチ検出器を装備してもよい。
[0069] ウェハを判別するための基板検出部やコントローラは、ウェハ位置合わせ装置に組 み込むに限らず、独立に構成してもよい。
[0070] 前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散 'CVD装置の場合について説明したが、 本発明はこれに限らず、半導体製造装置全般に適用することができる。
[0071] 以上の本願が開示する発明のうち代表的なものを纏めると、次の通りである。
(1)基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置から搬送されて来た前記基板を検出するために、前記基板へ 光を発光する発光部および前記光を受光する受光部を有する基板検出部と、 前記受光部からの受光量データを受け取るコントローラと、を備えており、 前記コントローラは、互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録しておき、前記 発光部から発光された光が前記基板を介して前記受光部に到達した場合には、その 受光した受光量が予め登録された前記光量範囲の 、ずれであるかを判定し、判定さ れた前記光量範囲に応じた命令を出力するように構成されていることを特徴とする半 導体製造装置。
(2)基板を処理する処理室と、
該処理室内に基板を搬入する前に、該基板へ光を発光する発光部および前記光 を受光する受光する受光部とを有する基板検出部と、
前記受光部力 の受光量データを受け取るコントローラと、を備えており、 前記コントローラは、互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録しておき、前記 発光部から発光された光が前記基板を介して前記受光部に到達した場合には、その 受光した受光量が予め登録された前記光量範囲の 、ずれであるかを判定し、判定さ れた前記光量範囲に応じた命令を出力するように構成されていることを特徴とする半 導体製造装置。
(3)前記基板検出部が前記発光部および前記受光部を備えた反射型センサである ことを特徴とする前記（1)または (2)に記載の半導体製造装置。
(4)前記基板検出部が前記発光部および前記受光部を備えた透過型センサである ことを特徴とする前記（1)または (2)に記載の半導体製造装置。
(5)前記判定された光量範囲に応じた命令は、前記基板の種類を判別した後に前 記基板検出部において判別された基板を回転させてノッチ位置を検出する場合には 、そのノッチを検出するのに、反射型センサを使用する力 または、透過型センサを 使用するかを選択する命令であることを特徴とする前記（1)または（2)に記載の半導 体製造装置。
(6)前記判定された光量範囲に応じた命令は、制御用表示部に前記検出された光 量範囲に対応したウェハの種別を表示させる命令であることを特徴とする前記（1)ま たは (2)に記載の半導体製造装置。
(7)前記基板検出部に反射型センサと透過型センサとを設けて前記基板を検出する ことを特徴とする前記（1)または (2)に記載の半導体製造装置。
(8)前記基板は、不透明な基板、半透明な基板および透明な基板のいずれかである ことを特徴とする前記（1)または (2)に記載の半導体製造装置。
(9)前記複数の受光量データは、不透明な基板、半透明な基板および透明な基板 のいずれかの受光量データのうち、不透明な基板、半透明な基板および透明な基板 のうちの少なくとも二つ以上の受光量データであることを特徴とする前記（1)または（ 2)に記載の半導体製造装置。
(10)前記複数の受光量データは、二つ以上の異なる膜種の受光量データであるこ とを特徴とする前記（1)または (2)に記載の半導体製造装置。
(11)前記複数の受光量データは、二つ以上の異なる膜厚の受光量データであるこ とを特徴とする前記（1)または (2)に記載の半導体製造装置。
(12)前記 (2)に記載の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法 であって、
前記処理室内に基板を搬入する前に、
互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録されたコントローラが、前記発光部か ら基板搬送装置から搬送されて来た前記基板に向けて発光させ、該発光された光が 前記基板を介して前記受光部に到達するステップと、
前記コントローラが、前記受光部が受光した受光量が予め登録された前記光量範 囲の 、ずれであるかを判定し、判定された前記光量範囲に応じた命令を出力するス テツプと、
前記基板を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に搬入された前記基板にガス導入管からガスを供給するステップと、 前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(13)基板を基板検出部に搬送するステップと、
互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録されたコントローラが、発光部力 基 板搬送装置力 搬送されて来た前記基板に向けて発光させ、該発光された光が前 記基板を介して前記受光部に到達するステップと、
前記コントローラが、前記受光部が受光した受光量が予め登録された前記光量範 囲の 、ずれであるかを判定し、判定された前記光量範囲に応じた命令を出力するス テツプと、
前記基板を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に搬入された前記基板にガス導入管からガスを供給するステップと、 前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(14)前記コントローラが、前記光量範囲に応じた命令を出力し、該命令を受けた基 板位置合わせ部が、前記基板の位置を揃えるステップをさらに有することを特徴とす る前記（13)に記載の半導体装置の製造方法。

Claims

請求の範囲
[1] 基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置から搬送されて来た前記基板を検出するために、前記基板へ 光を発光する発光部および前記光を受光する受光部を有する基板検出部と、 前記受光部力 の受光量データを受け取るコントローラと、を備えており、 前記コントローラは、互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録しておき、前記 発光部から発光された光が前記基板を介して前記受光部に到達した場合には、その 受光した受光量が予め登録された前記光量範囲の 、ずれであるかを判定し、判定さ れた前記光量範囲に応じた命令を出力するように構成されていることを特徴とする半 導体製造装置。
[2] 基板を処理する処理室と、
該処理室内に基板を搬入する前に、該基板へ光を発光する発光部および前記光 を受光する受光する受光部とを有する基板検出部と、
前記受光部力 の受光量データを受け取るコントローラと、を備えており、 前記コントローラは、互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録しておき、前記 発光部から発光された光が前記基板を介して前記受光部に到達した場合には、その 受光した受光量が予め登録された前記光量範囲の 、ずれであるかを判定し、判定さ れた前記光量範囲に応じた命令を出力するように構成されていることを特徴とする半 導体製造装置。
[3] 前記基板検出部が前記発光部および前記受光部を備えた反射型センサであること を特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。
[4] 前記基板検出部が前記発光部および前記受光部を備えた透過型センサであること を特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。
[5] 前記判定された光量範囲に応じた命令は、前記基板の種類を判別した後に前記 基板検出部において判別された基板を回転させてノッチ位置を検出する場合には、 そのノッチを検出するのに、反射型センサを使用するか、または、透過型センサを使 用するかを選択する命令であることを特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置
[6] 前記判定された光量範囲に応じた命令は、制御用表示部に前記検出された光量 範囲に対応したウェハの種別を表示させる命令であることを特徴とする請求項 1に記 載の半導体製造装置。
[7] 前記基板検出部に反射型センサと透過型センサとを設けて前記基板を検出するこ とを特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。
[8] 前記基板は、不透明な基板、半透明な基板および透明な基板の 、ずれかであるこ とを特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。
[9] 前記複数の受光量データは、不透明な基板、半透明な基板および透明な基板の いずれかの受光量データのうち、不透明な基板、半透明な基板および透明な基板の うちの少なくとも二つ以上の受光量データであることを特徴とする請求項 1に記載の 半導体製造装置。
[10] 前記複数の受光量データは、二つ以上の異なる膜種の受光量データであることを 特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。
[11] 前記複数の受光量データは、二つ以上の異なる膜厚の受光量データであることを 特徴とする請求項 1に記載の半導体製造装置。
[12] 請求項 2に記載の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であ つて、
前記処理室内に基板を搬入する前に、
互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録されたコントローラが、前記発光部か ら基板搬送装置から搬送されて来た前記基板に向けて発光させ、該発光された光が 前記基板を介して前記受光部に到達するステップと、
前記コントローラが、前記受光部が受光した受光量が予め登録された前記光量範 囲の 、ずれであるかを判定し、判定された前記光量範囲に応じた命令を出力するス テツプと、
前記基板を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に搬入された前記基板にガス導入管からガスを供給するステップと、 前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[13] 基板を基板検出部に搬送するステップと、
互いに重ならない複数の光量範囲を予め登録されたコントローラが、発光部力 基 板搬送装置力 搬送されて来た前記基板に向けて発光させ、該発光された光が前 記基板を介して前記受光部に到達するステップと、
前記コントローラが、前記受光部が受光した受光量が予め登録された前記光量範 囲の 、ずれであるかを判定し、判定された前記光量範囲に応じた命令を出力するス テツプと、
前記基板を前記処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内に搬入された前記基板にガス導入管からガスを供給するステップと、 前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[14] 前記コントローラが、前記光量範囲に応じた命令を出力し、該命令を受けた基板位 置合わせ部が、前記基板の位置を揃えるステップをさらに有することを特徴とする請 求項 13に記載の半導体装置の製造方法。
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