JP2003289097A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓｉウェーハ等の反射率が高い基板のノッチ等
の切り欠き部および透明ガラスウェーハ等の反射率が低
い基板のノッチ等の切り欠き部の両方を検出する検出セ
ンサであって、パーティクルの発生を抑制した検出セン
サを備える基板処理装置を提供する。 【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板（ウェーハ
３０）の切り欠き部（ノッチ３１）を検出する検出セン
サであって、光源と反射式検知部とを有する投受光セン
サ１０と、透過式検知部を有する受光センサ２０とを備
える検出センサ２を備えている。
の切り欠き部および透明ガラスウェーハ等の反射率が低
い基板のノッチ等の切り欠き部の両方を検出する検出セ
ンサであって、パーティクルの発生を抑制した検出セン
サを備える基板処理装置を提供する。 【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板（ウェーハ
３０）の切り欠き部（ノッチ３１）を検出する検出セン
サであって、光源と反射式検知部とを有する投受光セン
サ１０と、透過式検知部を有する受光センサ２０とを備
える検出センサ２を備えている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、Ｓｉウェーハのノッチおよび透明ガラスウェ
ーハのノッチの両方を検出する検出センサを備える基板
処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、Ｓｉウェーハのノッチおよび透明
ガラスウェーハのノッチの両方を検出する検出センサで
あって、パーティクルの発生を抑制した検出センサを備
える基板処理装置は提供されていなかった。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、Ｓｉウェーハ等の反射率が高い基板のノッチ等
の切り欠き部および透明ガラスウェーハ等の反射率が低
い基板のノッチ等の切り欠き部の両方を検出する検出セ
ンサであって、パーティクルの発生を抑制した検出セン
サを備える基板処理装置を提供することにある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板の
切り欠き部を検出する検出センサであって、光源と、反
射式検知部と、透過式検知部とを有する前記検出センサ
を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。 【０００５】このように、光源と、反射式検知部と、透
過式検知部とを有する検出センサを使用しているので、
機械的接触式で見られるようなパーティクルの発生を抑
制することができる。 【０００６】 【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板処
理装置の検出センサを説明するための概略構成図であ
る。 【０００７】本実施の形態の検出センサ１は、投受光セ
ンサ１０と受光センサ２０とを備えるセンサ部２と、投
受光センサ１０に接続されたアンプ部４１と、受光セン
サ２０に接続されたアンプ部４２と、アンプ部４１、４
２に接続されたシーケンサ５０とを備えている。ウェー
ハ３０は、ターンテーブル３５上に搭載され、ターンテ
ーブル３５によって回転する。ウェーハ３０の周辺部に
はノッチ３１が設けられており、ウェーハ３０の周辺部
は、投受光センサ１０と受光センサ２０とに挟まれてい
る。 【０００８】投受光センサ１０、受光センサ２０はスク
リーンタイプ（投受光部の幅が広いタイプ）を使用して
いるので、ターンテーブル３５によって回転する際のウ
ェーハ３０の偏心を吸収する。 【０００９】投受光センサ１０および受光センサ２０の
センサ出力はアナログ出力タイプを使用し、ノッチ３１
による透過光量または反射光量の変動による出力電圧変
動をアンプ４２、４１をそれぞれ介してシーケンサ５０
等で処理してノッチ３１の検知を行う。 【００１０】本実施の形態においては、投受光センサ１
０に光源（投光ＬＥＤ）と反射光受光センサとを設け、
受光センサ２０に透過光受光センサを設ける。このよう
にして、ひとつの光源（発光ＬＥＤ（発光ダイオー
ド））に対し、反射光受光センサおよび透過光受光セン
サの２つの受光センサをウェーハ３０をこれら２つの受
光センサの間に挟んで対向して設置し、透過光量および
反射光量を同時に測定する。 【００１１】次に、図２〜図８を参照して、投受光セン
サ１０と受光センサ２０とを備えるセンサ部２について
より詳細に説明する。 【００１２】投受光センサ１０は、投光用光ファイバー
と受光用光ファイバーの両方を持ち合わせ、図２に示す
ように、投光用光ファイバーと受光用光ファイバーとが
交互に配置されるものと、図３に示すように、投光用光
ファイバーと受光用光ファイバーとが左右に配置される
ものとがある。投受光センサ１０として、投光用光ファ
イバーと受光用光ファイバーとが交互に配置されるもの
を使用する場合には、図２に示すように、受光センサ２
０としては、受光用光ファイバーとダミー光ファイバー
とを交互に配置し、投受光センサ１０の投光用光ファイ
バーの位置と、受光センサ２０の受光用光ファイバーの
位置とを対応させている。投受光センサ１０として、投
光用光ファイバーと受光用光ファイバーとを左右に並列
に配置されるものを使用する場合には、図３に示すよう
に、投受光センサ１０の投光用光ファイバーの位置と、
受光センサ２０の受光用光ファイバーの位置とを対応さ
せている。 【００１３】次に、ウェーハ３０として、Ｓｉウェーハ
および透明ガラスウェーハをそれぞれ使用した場合の、
投受光センサ１０およぼ受光センサ２０によるウェーハ
３０のノッチの検出について説明する。 【００１４】ワークとしてのウェーハ３０がない場合に
は、図４に示すように、投受光センサ１０の投光用光フ
ァイバーからの光は、受光センサ２０の受光用光ファイ
バーに到達するが、投受光センサ１０の受光用光ファイ
バーには到達しない。 【００１５】ウェーハ３０としてＳｉウェーハを使用す
る場合には、図５に示すように、Ｓｉウェーハによって
光は反射されると共に遮られ、投受光センサ１０の投光
用光ファイバーからの光は、投受光センサ１０の受光用
光ファイバーには到達するが、受光センサ２０の受光用
光ファイバーに到達しない。Ｓｉウェーハのノッチ部分
では、図６に示すように、投受光センサ１０の投光用光
ファイバーからの光は、ノッチ部分では遮られることは
ないので、受光センサ２０の受光用光ファイバーに到達
するが、投受光センサ１０の受光用光ファイバーには到
達しない。 【００１６】ウェーハ３０として透明ガラスウェーハを
使用する場合には、図７に示すように、透明ガラスウェ
ーハによって光は一部反射されると共に透過し、投受光
センサ１０の投光用光ファイバーからの光は、投受光セ
ンサ１０の受光用光ファイバーに到達すると共に、受光
センサ２０の受光用光ファイバーに到達する。透明ガラ
スウェーハのノッチ部分では、図８に示すように、投受
光センサ１０の投光用光ファイバーからの光は、ノッチ
部分では遮られることはないので、受光センサ２０の受
光用光ファイバーに到達するが、投受光センサ１０の受
光用光ファイバーには到達しない。 【００１７】次に、ウェーハ３０として、Ｓｉウェーハ
および透明ガラスウェーハをそれぞれ使用し、投受光セ
ンサ１０の光源（発光ＬＥＤ）からの光を受ける受光セ
ンサ２０を使用して、ノッチ３１による透過光の光量の
変化を測定して、ノッチ３１の検出を行った。このよう
に、透過型センサを使用した場合には、Ｓｉウェーハの
ノッチ３１による透過光の光量の変化は十分に検出でき
るが、透明ガラスウェーハのノッチ３１による透過光の
光量の変化は確認できなかった。このように透過型セン
サでＳｉウェーハおよび透明ガラスウェーハをそれぞれ
測定した結果を図９に示す。 【００１８】今度は、投受光センサ１０の光源（発光Ｌ
ＥＤ）からの光を投受光センサ１０で受ける反射型セン
サを使用し、ウェーハ３０として、Ｓｉウェーハおよび
透明ガラスウェーハをそれぞれ使用して、ノッチ３１に
よる反射光の光量の変化を測定して、ノッチ３１の検出
を行った。その結果を図１０、１１にそれぞれ示す。こ
のように、反射型センサを使用した場合には、透明ガラ
スウェーハ用に設定した場合には、Ｓｉウェーハのノッ
チ３１は検出できず（図１０参照）、Ｓｉウェーハ用に
設定した場合には、透明ガラスウェーハのノッチ３１は
ほとんど検出できなかった（図１１参照）。 【００１９】そこで、受光センサ２０に設けられた透過
光受光センサは反射率が高い媒体（Ｓｉウェーハ）用に
調整を行い、投受光センサ１０に設けられた反射光受光
センサは反射率が低い媒体（透明ガラス等）用に調整を
行った。これにより、透過型センサでＳｉウェーハのノ
ッチの検出を行い、反射型センサで透明ガラスウェーハ
の検出を行うことができるようになる。 【００２０】そして、ウェーハ３０に対して直角な位置
に投受光センサ１０と受光センサ２０とを設置すること
により、２つの受光センサ（受光センサ２０に設けられ
た透過光受光センサおよび投受光センサ１０に設けられ
た反射光受光センサ）が同じタイミングでウェーハ３０
のノッチ３１を検知可能な配置にする。 【００２１】シーケンサ５０等により、透過光量および
反射光量を常時監視し、図１２に示すように、受光セン
サ２０に設けられた透過光受光センサおよび投受光セン
サ１０に設けられた反射光受光センサのいずれかに光量
の変化が認められた場合、これら２つのセンサの出力信
号をＯＲ回路にて処理し、ノッチ検知出力とする。 【００２２】このように、本実施の形態では、光源とし
て、発光ＬＥＤを使用することにより、安価で安全性の
問題も考慮不要となる。また、不接触型のため、パーテ
ィクルの発生を抑えることが可能となる。さらに、反射
光受光センサと透過光受光センサをウェーハに対し対角
に設置することにより、透明体および不透明体を同じタ
イミングにて検知可能となり、透明体、不透明体共検知
可能となる。 【００２３】なお、上記一実施の形態では、光源として
ＬＥＤ（発光ダーオード）を使用し、反射光用受光部お
よび透過光受光部として、フォトダイオードを使用した
が、光源として、レーザを使用することも可能である。
しかしながら、その場合には、安全性に注意しなければ
ならず、また、スペースも必要となる。また、反射光用
受光部および透過光受光部にＣＣＤカメラを使用するこ
とも可能であるが、その場合には、ＣＣＤカメラは高価
であり、また、スペースも必要となる。これらを勘案す
ると、上記一実施の形態のように、光源としてＬＥＤ
（発光ダーオード）を使用し、反射光用受光部および透
過光受光部として、フォトダイオードを使用すると、安
全性、スペース、価格の点で有利となる。 【００２４】 【発明の効果】本発明においては、光源と、反射式検知
部と、透過式検知部とを有する検出センサを使用してい
るので、機械的接触式で見られるようなパーティクルの
発生を抑制することができる。
し、特に、Ｓｉウェーハのノッチおよび透明ガラスウェ
ーハのノッチの両方を検出する検出センサを備える基板
処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、Ｓｉウェーハのノッチおよび透明
ガラスウェーハのノッチの両方を検出する検出センサで
あって、パーティクルの発生を抑制した検出センサを備
える基板処理装置は提供されていなかった。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、Ｓｉウェーハ等の反射率が高い基板のノッチ等
の切り欠き部および透明ガラスウェーハ等の反射率が低
い基板のノッチ等の切り欠き部の両方を検出する検出セ
ンサであって、パーティクルの発生を抑制した検出セン
サを備える基板処理装置を提供することにある。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板の
切り欠き部を検出する検出センサであって、光源と、反
射式検知部と、透過式検知部とを有する前記検出センサ
を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。 【０００５】このように、光源と、反射式検知部と、透
過式検知部とを有する検出センサを使用しているので、
機械的接触式で見られるようなパーティクルの発生を抑
制することができる。 【０００６】 【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板処
理装置の検出センサを説明するための概略構成図であ
る。 【０００７】本実施の形態の検出センサ１は、投受光セ
ンサ１０と受光センサ２０とを備えるセンサ部２と、投
受光センサ１０に接続されたアンプ部４１と、受光セン
サ２０に接続されたアンプ部４２と、アンプ部４１、４
２に接続されたシーケンサ５０とを備えている。ウェー
ハ３０は、ターンテーブル３５上に搭載され、ターンテ
ーブル３５によって回転する。ウェーハ３０の周辺部に
はノッチ３１が設けられており、ウェーハ３０の周辺部
は、投受光センサ１０と受光センサ２０とに挟まれてい
る。 【０００８】投受光センサ１０、受光センサ２０はスク
リーンタイプ（投受光部の幅が広いタイプ）を使用して
いるので、ターンテーブル３５によって回転する際のウ
ェーハ３０の偏心を吸収する。 【０００９】投受光センサ１０および受光センサ２０の
センサ出力はアナログ出力タイプを使用し、ノッチ３１
による透過光量または反射光量の変動による出力電圧変
動をアンプ４２、４１をそれぞれ介してシーケンサ５０
等で処理してノッチ３１の検知を行う。 【００１０】本実施の形態においては、投受光センサ１
０に光源（投光ＬＥＤ）と反射光受光センサとを設け、
受光センサ２０に透過光受光センサを設ける。このよう
にして、ひとつの光源（発光ＬＥＤ（発光ダイオー
ド））に対し、反射光受光センサおよび透過光受光セン
サの２つの受光センサをウェーハ３０をこれら２つの受
光センサの間に挟んで対向して設置し、透過光量および
反射光量を同時に測定する。 【００１１】次に、図２〜図８を参照して、投受光セン
サ１０と受光センサ２０とを備えるセンサ部２について
より詳細に説明する。 【００１２】投受光センサ１０は、投光用光ファイバー
と受光用光ファイバーの両方を持ち合わせ、図２に示す
ように、投光用光ファイバーと受光用光ファイバーとが
交互に配置されるものと、図３に示すように、投光用光
ファイバーと受光用光ファイバーとが左右に配置される
ものとがある。投受光センサ１０として、投光用光ファ
イバーと受光用光ファイバーとが交互に配置されるもの
を使用する場合には、図２に示すように、受光センサ２
０としては、受光用光ファイバーとダミー光ファイバー
とを交互に配置し、投受光センサ１０の投光用光ファイ
バーの位置と、受光センサ２０の受光用光ファイバーの
位置とを対応させている。投受光センサ１０として、投
光用光ファイバーと受光用光ファイバーとを左右に並列
に配置されるものを使用する場合には、図３に示すよう
に、投受光センサ１０の投光用光ファイバーの位置と、
受光センサ２０の受光用光ファイバーの位置とを対応さ
せている。 【００１３】次に、ウェーハ３０として、Ｓｉウェーハ
および透明ガラスウェーハをそれぞれ使用した場合の、
投受光センサ１０およぼ受光センサ２０によるウェーハ
３０のノッチの検出について説明する。 【００１４】ワークとしてのウェーハ３０がない場合に
は、図４に示すように、投受光センサ１０の投光用光フ
ァイバーからの光は、受光センサ２０の受光用光ファイ
バーに到達するが、投受光センサ１０の受光用光ファイ
バーには到達しない。 【００１５】ウェーハ３０としてＳｉウェーハを使用す
る場合には、図５に示すように、Ｓｉウェーハによって
光は反射されると共に遮られ、投受光センサ１０の投光
用光ファイバーからの光は、投受光センサ１０の受光用
光ファイバーには到達するが、受光センサ２０の受光用
光ファイバーに到達しない。Ｓｉウェーハのノッチ部分
では、図６に示すように、投受光センサ１０の投光用光
ファイバーからの光は、ノッチ部分では遮られることは
ないので、受光センサ２０の受光用光ファイバーに到達
するが、投受光センサ１０の受光用光ファイバーには到
達しない。 【００１６】ウェーハ３０として透明ガラスウェーハを
使用する場合には、図７に示すように、透明ガラスウェ
ーハによって光は一部反射されると共に透過し、投受光
センサ１０の投光用光ファイバーからの光は、投受光セ
ンサ１０の受光用光ファイバーに到達すると共に、受光
センサ２０の受光用光ファイバーに到達する。透明ガラ
スウェーハのノッチ部分では、図８に示すように、投受
光センサ１０の投光用光ファイバーからの光は、ノッチ
部分では遮られることはないので、受光センサ２０の受
光用光ファイバーに到達するが、投受光センサ１０の受
光用光ファイバーには到達しない。 【００１７】次に、ウェーハ３０として、Ｓｉウェーハ
および透明ガラスウェーハをそれぞれ使用し、投受光セ
ンサ１０の光源（発光ＬＥＤ）からの光を受ける受光セ
ンサ２０を使用して、ノッチ３１による透過光の光量の
変化を測定して、ノッチ３１の検出を行った。このよう
に、透過型センサを使用した場合には、Ｓｉウェーハの
ノッチ３１による透過光の光量の変化は十分に検出でき
るが、透明ガラスウェーハのノッチ３１による透過光の
光量の変化は確認できなかった。このように透過型セン
サでＳｉウェーハおよび透明ガラスウェーハをそれぞれ
測定した結果を図９に示す。 【００１８】今度は、投受光センサ１０の光源（発光Ｌ
ＥＤ）からの光を投受光センサ１０で受ける反射型セン
サを使用し、ウェーハ３０として、Ｓｉウェーハおよび
透明ガラスウェーハをそれぞれ使用して、ノッチ３１に
よる反射光の光量の変化を測定して、ノッチ３１の検出
を行った。その結果を図１０、１１にそれぞれ示す。こ
のように、反射型センサを使用した場合には、透明ガラ
スウェーハ用に設定した場合には、Ｓｉウェーハのノッ
チ３１は検出できず（図１０参照）、Ｓｉウェーハ用に
設定した場合には、透明ガラスウェーハのノッチ３１は
ほとんど検出できなかった（図１１参照）。 【００１９】そこで、受光センサ２０に設けられた透過
光受光センサは反射率が高い媒体（Ｓｉウェーハ）用に
調整を行い、投受光センサ１０に設けられた反射光受光
センサは反射率が低い媒体（透明ガラス等）用に調整を
行った。これにより、透過型センサでＳｉウェーハのノ
ッチの検出を行い、反射型センサで透明ガラスウェーハ
の検出を行うことができるようになる。 【００２０】そして、ウェーハ３０に対して直角な位置
に投受光センサ１０と受光センサ２０とを設置すること
により、２つの受光センサ（受光センサ２０に設けられ
た透過光受光センサおよび投受光センサ１０に設けられ
た反射光受光センサ）が同じタイミングでウェーハ３０
のノッチ３１を検知可能な配置にする。 【００２１】シーケンサ５０等により、透過光量および
反射光量を常時監視し、図１２に示すように、受光セン
サ２０に設けられた透過光受光センサおよび投受光セン
サ１０に設けられた反射光受光センサのいずれかに光量
の変化が認められた場合、これら２つのセンサの出力信
号をＯＲ回路にて処理し、ノッチ検知出力とする。 【００２２】このように、本実施の形態では、光源とし
て、発光ＬＥＤを使用することにより、安価で安全性の
問題も考慮不要となる。また、不接触型のため、パーテ
ィクルの発生を抑えることが可能となる。さらに、反射
光受光センサと透過光受光センサをウェーハに対し対角
に設置することにより、透明体および不透明体を同じタ
イミングにて検知可能となり、透明体、不透明体共検知
可能となる。 【００２３】なお、上記一実施の形態では、光源として
ＬＥＤ（発光ダーオード）を使用し、反射光用受光部お
よび透過光受光部として、フォトダイオードを使用した
が、光源として、レーザを使用することも可能である。
しかしながら、その場合には、安全性に注意しなければ
ならず、また、スペースも必要となる。また、反射光用
受光部および透過光受光部にＣＣＤカメラを使用するこ
とも可能であるが、その場合には、ＣＣＤカメラは高価
であり、また、スペースも必要となる。これらを勘案す
ると、上記一実施の形態のように、光源としてＬＥＤ
（発光ダーオード）を使用し、反射光用受光部および透
過光受光部として、フォトダイオードを使用すると、安
全性、スペース、価格の点で有利となる。 【００２４】 【発明の効果】本発明においては、光源と、反射式検知
部と、透過式検知部とを有する検出センサを使用してい
るので、機械的接触式で見られるようなパーティクルの
発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサを説明するための概略構成図である。 【図２】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部の一例を説明するための概略構成図であ
る。 【図３】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部の他の例を説明するための概略構成図で
ある。 【図４】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部におけるワークがないときの光路を説明
するための概略構成図である。 【図５】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、ワークとしてＳｉウェーハを
使用したときの光路を説明するための概略構成図であ
る。 【図６】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、Ｓｉウェーハのノッチ部の光
路を説明するための概略構成図である。 【図７】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、ワークとして透明ガラスウェ
ーハを使用したときの光路を説明するための概略構成図
である。 【図８】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、透明ガラスウェーハのノッチ
部の光路を説明するための概略構成図である。 【図９】透過センサの電圧特性を示す図である。 【図１０】透明ガラスウェーハ用設定時の反射センサの
電圧特性を示す図である。 【図１１】Ｓｉウェーハ用設定時の反射センサの電圧特
性を示す図である。 【図１２】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出
センサのノッチ検出出力を示す図である。 【符号の説明】 １…検出センサ ２…センサ部 １０…投受光センサ ２０…受光センサ ３０…ウェーハ ３１…ノッチ ３５…ターンテーブル ４１、４２…アンプ部 ５０…シーケンサ
ンサを説明するための概略構成図である。 【図２】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部の一例を説明するための概略構成図であ
る。 【図３】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部の他の例を説明するための概略構成図で
ある。 【図４】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部におけるワークがないときの光路を説明
するための概略構成図である。 【図５】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、ワークとしてＳｉウェーハを
使用したときの光路を説明するための概略構成図であ
る。 【図６】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、Ｓｉウェーハのノッチ部の光
路を説明するための概略構成図である。 【図７】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、ワークとして透明ガラスウェ
ーハを使用したときの光路を説明するための概略構成図
である。 【図８】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出セ
ンサのセンサ部における、透明ガラスウェーハのノッチ
部の光路を説明するための概略構成図である。 【図９】透過センサの電圧特性を示す図である。 【図１０】透明ガラスウェーハ用設定時の反射センサの
電圧特性を示す図である。 【図１１】Ｓｉウェーハ用設定時の反射センサの電圧特
性を示す図である。 【図１２】本発明の一実施の形態の基板処理装置の検出
センサのノッチ検出出力を示す図である。 【符号の説明】 １…検出センサ ２…センサ部 １０…投受光センサ ２０…受光センサ ３０…ウェーハ ３１…ノッチ ３５…ターンテーブル ４１、４２…アンプ部 ５０…シーケンサ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】基板の切り欠き部を検出する検出センサで
あって、光源と、反射式検知部と、透過式検知部とを有
する前記検出センサを備えることを特徴とする基板処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091336A JP2003289097A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091336A JP2003289097A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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2002
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| WO2006104121A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置 |
| JPWO2006104121A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2008-09-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
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| CN111834258A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-27 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 用于晶圆的崩膜检测治具 |
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