WO2006095589A1 - 樹脂基材、それに無電解めっきを施した電子部品基材、および電子部品基材の製造方法 - Google Patents

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Toshifumi Kawamura
Toru Imori
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Definitions

  • the present invention relates to a resin base material particularly useful as an electronic component base material. More specifically, the present invention relates to a resin base material useful as an electronic component base material capable of forming an electroless adhesion layer on the resin layer with good adhesion.
  • Patent Document 2 a polyimide resin precursor solution containing a palladium compound is applied on a polyimide resin substrate and dried to form a polyimide resin precursor layer. After irradiating ultraviolet rays in the presence of a donor to form a plating base nucleus, a base metal layer is formed by an electroless plating process, and a polyimide film is formed after or before the surface plating layer is formed. There are some cases in which the resin precursor layer is heated to imidize to form a polyimide resin layer. This is to improve the adhesion strength between the polyimide resin layer and the plating base metal layer by forming an adhesive base nucleus in the polyimide resin layer by the anchor effect.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-30216
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-374055
  • the substrate material is limited to polyimide resin, and for electronic components. It cannot be applied to general substrates. Further, the ultraviolet ray treatment is required for activating noradium, and further, high temperature heating is required for imido, so that the treatment process is complicated.
  • the present invention provides a technology that can be applied to a general resin base material as a substrate material, and that can easily improve the adhesion strength between the base material and the metal layer. That is, an object of the present invention is to provide a general resin substrate useful as an electronic component substrate having improved adhesion strength with a plated metal layer.
  • the present inventor has used a solution containing a noble metal compound that is an electroless plating catalyst and an imidazole silane capable of capturing the same, and a swellable resin base material that is swellable by the solution.
  • the inventors have found that it is effective to treat the surface and have arrived at the present invention.
  • the present invention
  • a method for producing a base material for an electronic component comprising a step of subjecting a resin base material obtained by treating a swellable surface with a solution containing imidazolesilane and a noble metal compound to electroless adhesion .
  • the resin base material is represented by a solution containing imidazole silane and a noble metal compound.
  • the surface treatment is carried out, the surface is swollen by the solution, so that the noble metal catalyst can be embedded in the inner resin layer from the surface and can be present there. Therefore, the metal can be similarly deposited to the inside of the resin layer by electrolessly bonding the resin substrate. Due to the anchor effect of the plated metal layer, the adhesion strength between the resin layer of the resin substrate and the metal layer formed by electroless plating can be improved.
  • the resin base material used in the present invention may be a resin material whose surface is swollen by surface treatment with a solution containing imidazole silane and a noble metal compound by the above-described action.
  • a solution containing imidazole silane and a noble metal compound by the above-described action there are no particular restrictions.
  • epoxy resin, phenol resin, polyurethane resin, melamine resin, silicon resin and the like can be mentioned.
  • the B-staged resin is preferred, which is the stage before complete curing, which is easy to swell by being surface-treated with the above solution.
  • a particularly preferred resin substrate is an epoxy resin.
  • the epoxy resin include diglycidyl ethers of bisphenols such as bisphenol A and bisphenol F (bisphenol type epoxy resin), side chain, or main chain with rubber, urethane, polyether,
  • diglycidyl ethers of bisphenols such as bisphenol A and bisphenol F (bisphenol type epoxy resin)
  • side chain or main chain with rubber, urethane, polyether
  • modified with flexible resin such as polyester, glycidyl etherified products (novolac type epoxy resin) such as phenol novolac and cresol novolac
  • epoxy resins such as conjugated diene polymers such as polybutadiene are listed. It is.
  • the imidazole silane used in the present invention is preferably a compound represented by the following (1), (2) and (3) capable of capturing a noble metal compound.
  • R 1 is hydrogen or an alkyl group having 120 carbon atoms
  • R 2 is hydrogen, a beer group or an alkyl group having 15 carbon atoms
  • R 3 R 4 is an alkyl group having 13 carbon atoms
  • n is 1 indicates 3.
  • R 1 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms
  • R 2 is hydrogen, a bur group or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • R 3 and R 4 are carbon atoms having 1 to 3 carbon atoms.
  • Alkyl group, n represents 1-3.
  • imidazole compound represented by the general formula (4) examples include imidazole, 2-alkylimidazole, 2,4-dialkylimidazole, and 4-bulimidazole.
  • imidazole; 2-alkylimidazole is particularly preferred as 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole; and 2,4 dialkylimidazole.
  • the 3-glycidoxypropyl trisilane compound represented by the general formula (5) includes 3-glycidoxypropyltrialkoxysilane, 3-glycidoxypropyl dialkoxyalkylsilane, 3 —Glycidoxypropylalkoxydialkylsilanes.
  • 3-glycidoxypropyltrialkoxysilanes 3-glycidoxypropinoletrimethoxysilane, 3-glycidoxypro Pinoletriethoxysilane, 3-glycidoxypropyldialkoxyalkylsilane as 3-glycidoxypropyldimethoxymethylsilane, 3-glycidoxypropylalkoxydialkylsilane as 3-glycidoxypropylethoxydimethylsilane Etc.
  • a noble metal compound catalyst that has been conventionally used in electroless plating can be used.
  • noble metal compounds include palladium soaps, palladium, silver, platinum, gold and other chlorides, which exhibit a catalytic action when depositing metals such as copper and nickel on the surface of electroless plating liquids. Examples thereof include ammine complexes such as oxides, oxides, sulfates, and ammonium salts. Of these, palladium compounds are preferable, and palladium soaps such as palladium naphthenate are particularly preferable.
  • the noble metal compound is used in the treatment solution at a concentration of 1 to 30000 mgZL, preferably 10 to 2 OOOOmgZL.
  • the imidazole silane used in the present invention is used in the treatment solution at a concentration of 1 to 30000 mgZL, preferably 10 to 20000 mgZL.
  • the solvent used in this treatment liquid is not particularly limited as long as it dissolves imidazole silane and a noble metal compound and swells the resin by surface treatment of the resin base material with the treatment solution of parentheses.
  • imidazole silane can be dissolved in water by using a mixture of water that is insoluble in water and an organic solvent such as ethylene glycol as a solvent. Such a mixed solution of water and ethylene glycol is also preferable as the solvent.
  • Examples of the surface treatment method include application, immersion and the like by ordinary treatment methods. After coating, soaking and drying, the solvent is removed.
  • the surface is roughened by treating with permanganic acid or the like.
  • the adhesion strength is improved.
  • a reducing agent in order to further activate the electroless plating activity of the resin base material treated with the noble metal compound and imidazole silane, it is preferable to treat with a reducing agent before electroless plating.
  • a reducing agent a known reducing agent usually used in electroless plating can be used, but preferably an alkali of hypophosphorous acid such as hypophosphorous acid and sodium hypophosphite is used. Metal salts, dimethylborane, etc. can be raised.
  • the electroless plating itself is not particularly limited by a known method. Electroless plating is preferably copper plating, but nickel, cobalt, etc. may also be used.
  • electric plating can be performed.
  • a known technique with no particular limitation can be applied to this electric plating method. For example, copper, chromium, nickel, silver, etc. can be applied.
  • the present invention includes an electronic component base material and a build-up substrate obtained by subjecting a resin base material treated with a solution containing a noble metal compound and imidazole silane to electroless plating.
  • Hypophosphorous acid phosphinic acid
  • a reducing solution with a concentration of 30gZL
  • electroless copper plating high-temperature formalin copper plating solution, KC500 (Nikko Metal Plating Manufactured by Co., Ltd.), 0.3 m thickness
  • electrolytic copper plating copper sulfate plating, 1.5 A / dm 2 , 35 m thickness. 170.
  • the peel strength after full cure with C was 1.2 kgfZcm.
  • hypophosphorous acid phosphinic acid
  • electroless copper plating high-temperature type formalin copper plating solution, KC500 (Nikko Metal Plate) Tin Co., Ltd.
  • electric copper plating copper sulfate plating, 1. 35 m thick.
  • the peel strength after full curing at 170 ° C was 1.4kgfZcm.
  • Epoxy resin (Matsushita Electric Works, Ltd.) in an aqueous solution containing 200 mg ZL, palladium chloride lOOmgZUPd conversion 60 mgZL, and imidazole alcohol 30 g / L.
  • Epoxy resin pre-preda (R-1661T) manufactured by the company was made into a semi-cured state (100 ° C. cured), and was then subjected to a rough-treatment with permanganic acid.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was conducted except that the epoxy resin was changed to polyimide resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, BT resin pre-preda, GHPL-950K). The peel strength was 1. lkgfZcm.
  • Example 2 The same treatment as in Example 1 was performed except that epoxy resin (manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd., epoxy resin pre-preda, R-1661T) was changed to a C stage product (fully cured product).
  • the peel strength was 0.4 kgf / cm.

Abstract

　基板材料として一般的な樹脂基材に適用でき、その基材とめっき金属層との密着強度を向上させることができる技術を提供する、すなわち、めっき金属層との密着強度を向上した一般的な樹脂基材を提供する。 　イミダゾールシランと無電解めっきの触媒作用を有するパラジウムなどの貴金属化合物を含む溶液を用い、該溶液により膨潤性を有する表面を処理してなるエポキシ樹脂などの樹脂基材、およびこの樹脂基材に無電解めっきを施した電子部品基材。

Description

明 細 書
樹脂基材、それに無電解めつきを施した電子部品基材、および電子部品 基材の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、特に電子部品基材として有用な榭脂基材に関する。詳しくは、榭脂層に 密着性よく無電解めつき層を形成できる電子部品基材として有用な榭脂基材に関す る。
背景技術
[0002] 近年、プリント基板は、機器の小型化、高性能化の要求によりその配線密度はます ます増大している。それに伴い、基板は配線を微細化するためその表面をロープロフ アイル化しており、この表面の低粗化傾向により、基板と基板上に形成する金属めつ き膜との密着性を十分にとることが困難になっている。しかし、前記の要求を満たすた めに、この密着強度の向上もまた要求される。
[0003] こうした要求に対応するため、すでに各種の提案がなされている。その中で、特許 文献 あるいは 2には、ポリイミド榭脂基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミ ド榭脂前駆体溶液を塗布 ·乾燥させてポリイミド榭脂前駆体層を形成し、次 ヽで水素 供与体の存在下において紫外線を照射しめっき下地核を形成した後、無電解めつき 処理によりめつき下地金属層を形成し、更に表面めつき層を形成した後または形成 する前に前記ポリイミド榭脂前駆体層を加熱イミドィ匕してポリイミド榭脂層にすると ヽぅ ものがある。これはめつき下地核をポリイミド榭脂層内に形成したことによりそのアンカ 一効果により、ポリイミド榭脂層とめっき下地金属層の密着強度を向上させるものであ る。
特許文献 1：特開 2002— 30216号公報
特許文献 2：特開 2002— 374055号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] し力しながら、前記の提案では基板材料はポリイミド榭脂に限定され、電子部品用 基板一般に適用することはできない。また、ノラジウムを活性ィ匕するために紫外線処 理を要し、更にイミドィ匕のために高温加熱を要するなどその処理工程は煩雑である。 本発明は、基板材料として一般的な榭脂基材に適用でき、その基材とめつき金属 層との密着強度をより簡易に向上させることができる技術を提供するものである。すな わち、本発明は、めっき金属層との密着強度を向上した電子部品基材として有用な 一般的な樹脂基材を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明者は、鋭意検討した結果、無電解めつきの触媒である貴金属化合物とこれ を捕捉できるイミダゾールシランを含む溶液を使用して、その溶液により膨潤性を有 する榭脂基材の表面を処理することが有効であることを知見し、本発明に至った。す なわち、本発明は、
[1]イミダゾールシランと貴金属化合物を含む溶液を用い、該溶液により膨潤性を有 する表面を処理してなる榭脂基材。
[2]榭脂基材がエポキシ榭脂である前記 [ 1 ]記載の榭脂基材。
[3]貴金属化合物がパラジウム化合物である前記 [ 1 ]または [2]記載の榭脂基材。
[4]前記 [ 1 ]記載の榭脂基材に無電解めつきを施した電子部品基材。
[5]榭脂基材がエポキシ榭脂である前記 [4]記載の電子部品基材。
[6]電子部品基材がビルドアップ基板である前記 [4]または [5]記載の電子部品基 材。
[7]イミダゾールシランと貴金属化合物を含む溶液を用い、該溶液により膨潤性を有 する表面を処理してなる榭脂基材に、無電解めつきを施す工程を含む電子部品基材 の製造方法。
[8]榭脂基材がエポキシ榭脂である前記 [7]記載の電子部品基材の製造方法。
[9]電子部品基材がビルドアップ基板である前記 [7]または [8]記載の電子部品基 材の製造方法。
に関する。
発明の効果
[0006] 本発明によれば、榭脂基材は、イミダゾールシランと貴金属化合物を含む溶液で表 面処理された際に、その溶液により表面が膨潤するため、表面より内部の榭脂層に 貴金属触媒を潜り込ませてそこに存在させることができる。そのため、この榭脂基材を 無電解めつきすることにより金属も同様に榭脂層内部にまで析出させることができる。 こうしためっき金属層のアンカー効果により、榭脂基材の榭脂層と無電解めつきによ る金属層との密着強度を向上させることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0007] 本発明に使用する榭脂基材としては、上記の作用によりイミダゾールシランと貴金 属化合物を含む溶液で表面処理されることによりその表面が膨潤されるような榭脂材 料であれば特に制限はない。例えばエポキシ榭脂、フエノール榭脂、ポリウレタン榭 脂、メラミン榭脂、シリコン榭脂等をあげることができる。これらの榭脂は熱硬化性榭脂 の場合、前記溶液で表面処理されることにより膨潤が容易である完全硬化に至る前 の段階である 、わゆる Bステージの榭脂が好ま U、。
[0008] 本発明にお ヽて、特に好ま ヽ榭脂基材は、エポキシ榭脂である。エポキシ榭脂と しては、例えばビスフエノール A、ビスフエノール Fなどのビスフエノール類のジグリシ ジルエーテルィ匕物（ビスフエノール型エポキシ榭脂）、側鎖、または主鎖にゴム、ウレ タン、ポリエーテル、ポリエステル等の可撓性榭脂で変性されたもの、フエノールノボ ラック、クレゾ一ルノボラック、などのグリシジルエーテル化物（ノボラック型エポキシ榭 脂）、あるいはポリブタジエンなどの共役ジエンポリマーのエポキシィ匕物などが上げら れる。
[0009] 本発明に使用するイミダゾールシランとしては、貴金属化合物を捕捉することができ る以下の（1)、 (2)および（3)で表される化合物が好ましい。
[化 1] NCH2CHCH20(CH2)3S i (〇R3 )nR4 (3— nl (1)
OH
Figure imgf000005_0001
(ただし、 R1は水素または炭素数が 1 20のアルキル基、 R2は水素、ビ-ル基または 炭素数 1 5のアルキル基、 R3 R4は炭素数 1 3のアルキル基、 nは 1 3を示す。 )
[0010] 上記式（1)、 （2)、 (3)において、 I^ R4は各規定されたとおりの意義を有するが、 特に合成の容易性力 R1は水素、メチル、ェチル、ゥンデシル、ヘプタデシルが好ま しぐ R2は水素、メチル、ェチルが好ましぐ R3 R4はメチル、ェチルが好ましい。 これらの合成法については、特開平 5— 186479号公報に開示されている。
すなわち、以下に示すイミダゾールイ匕合物（一般式 (4))と 3—グリシドキシプロピル シランィ匕合物（一般式 (5))との等モル反応により合成することができる。なお、この合 成法によって上記（1) (2) (3)で表されるイミダゾールシランの混合物として得られ る場合にも特に分離する必要はなぐ混合物の形態で使用することが有利である。
[0011] [化 2] S i (O R3 ) n R4 —
Figure imgf000006_0001
(4 )
Figure imgf000006_0002
(上記式中、 R1は水素又は炭素数が 1〜20のアルキル基、 R2は水素、ビュル基又 は炭素数 1〜5のアルキル基、 R3及び R4は炭素数 1〜3のアルキル基、 nは 1〜3を表 す。）
上記一般式 (4)で表されるイミダゾールイ匕合物として好まし 、のは、イミダゾール、 2 アルキルイミダゾール、 2, 4 ジアルキルイミダゾール、 4 ビュルイミダゾール等 である。これらのうちとくに好ましいのは、イミダゾール； 2—アルキルイミダゾールとし ては、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチルイミダゾール、 2—ゥンデシルイミダゾール、 2 へプタデシルイミダゾール；また、 2, 4 ジアルキルイミダゾールとしては、 2 ェ チル— 4—メチルイミダゾール等を挙げることができる。 [0013] 又上記一般式（5)で表される 3—グリシドキシプロビルシランィ匕合物は、 3—グリシド キシプロピルトリアルコキシシラン、 3 -グリシドキシプロピルジアルコキシアルキルシ ラン、 3—グリシドキシプロピルアルコキシジアルキルシランであり、これらのうちとくに 好ましいものを挙げれば、 3—グリシドキシプロピルトリアルコキシシランとしては、 3— グリシドキシプロピノレトリメトキシシラン、 3—グリシドキシプロピノレトリエトキシシラン、ま た 3—グリシドキシプロピルジアルコキシアルキルシランとしては、 3—グリシドキシプロ ピルジメトキシメチルシラン、 3—グリシドキシプロピルアルコキシジアルキルシランとし ては、 3—グリシドキシプロピルエトキシジメチルシラン等である。
[0014] また、本発明に使用する貴金属化合物は、無電解めつきにおいて従来力も使用さ れている貴金属化合物触媒を使用することができる。こうした貴金属化合物としては、 無電解めつき液力 被めつき物表面に銅やニッケルなどの金属を析出させる際の触 媒作用を示すパラジウム石けん、パラジウム、銀、白金、金などの塩化物、水酸化物 、酸化物、硫酸塩、アンモ-ゥム塩などのアンミン錯体などがあげられる。これらの中 でもパラジウム化合物が好ましく、ナフテン酸パラジウムなどのパラジウム石けんが特 に好ましい。貴金属化合物は、前記処理液中 l〜30000mgZL、好ましくは 10〜2 OOOOmgZLの濃度で使用する。
[0015] 本発明に使用するイミダゾールシランは、前記処理液中、 l〜30000mgZL、好ま しくは 10〜20000mgZLの濃度で使用される。
この処理液に使用する溶媒としては、イミダゾールシラン、及び貴金属化合物を溶 解し、かっこの処理液で榭脂基材を表面処理することにより該榭脂を膨潤させる溶媒 であれば制限はない。
このような溶媒としては、特にメチルェチルケトン、ォクタノール、ブタノール等が好 ましい。また、イミダゾールシランは水に不溶性である力 水とエチレングリコール等の 有機溶媒を混合したものを溶媒として用いることにより溶解し、水溶液とすることがで きる。このような水とエチレングリコール等の混合溶液も溶媒として好ましい。
[0016] 表面処理方法としては、通常の処理方法でよぐ塗布、浸漬等が挙げられる。塗布 、浸潰した後、乾燥し、溶媒を除去する。
また、前記表面処理の前に、過マンガン酸等で処理し、表面を粗化することによりさ らに密着強度が向上する。
[0017] また、貴金属化合物とイミダゾールシランにより処理された榭脂基材の無電解めつ き活性を更に活性化させるために、無電解めつきを行う前に、還元剤により処理する ことが好ましい。この還元剤としては、無電解めつきにおいて通常使用されている公 知の還元剤を使用することができるが、好ましくは、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム 等の次亜リン酸のアルカリ金属塩、ジメチルボランなどを上げることができる。
[0018] 本発明において、無電解めつきそれ自体は、公知の方法でよぐ特に制限されるも のではない。無電解めつきは、銅めつきが好ましいが、その他、ニッケル、コバルトな どでも良い。
また、無電解めつきの後、電気めつきを行うことができる。この電気めつき法につい ても特に制限はなぐ公知の技術が適用できる。例えば、銅、クロム、ニッケル、銀な どが適用できる。
また、基材として完全硬化に至る前の榭脂を用いている場合は、電気めつきを行つ た後、もしくは無電解めつきを行った後に、加熱し、完全硬化させることが好ましい。 本発明は、貴金属化合物とイミダゾールシランを含む溶液により処理された榭脂基 材に無電解めつきを施した電子部品基材、ビルドアップ基板を含むものである。 実施例
[0019] 実施例 1
イミダゾールシラン (イミダゾールと 3—グリシドキシプロピルトリメトキシシランの等モ ル反応生成物） 5gとナフテン酸パラジウム 10gをメチルェチルケトン 1Lに混合溶解し 、エポキシ榭脂 (松下電工社製、エポキシ榭脂プリプレダ、 R— 1661T)を半硬化状 態（140°C硬化）にした表面にベーカーアプリケーターで塗布した。 120°Cで溶媒乾 燥を行った。塗布層は 0. であった。次亜リン酸 (ホスフィン酸） 30gZL濃度の 還元液に浸漬後水洗処理し、 Pdを活性化させた後、無電解銅めつき（高温タイプの ホルマリン系銅めつき液、 KC500 (日鉱メタルプレーティング (株)製）、 0. 3 mj?)と 電気銅めつき（硫酸銅めつき、 1.
Figure imgf000008_0001
35 m厚）を行った。 170。Cでフルキュ ァ一した後のピール強度は 1. OkgfZcmとなった。なお、ピール強度は 90° ピール 強度 (JIS C 6481)である。以下も同じである。 [0020] 実施例 2
イミダゾールシラン (イミダゾールと 3—グリシドキシプロピルトリメトキシシランの等モ ル反応生成物） 5gとナフテン酸パラジウム 10gをオタタノ—ル 1Lに混合溶解し、ェポ キシ榭脂 (松下電工社製、エポキシ榭脂プリプレダ、 R— 1661T)を半硬化状態（10 0°C硬化）にした表面にベーカーアプリケーターで塗布した。 120°Cで溶媒乾燥を行 い、塗布層は 0. であった。次亜リン酸 (ホスフィン酸） 30gZL濃度の還元液に 浸漬後水洗処理し、 Pdを活性化させた後、無電解銅めつき (高温タイプのホルマリン 系銅めつき液、 KC500 (日鉱メタルプレーティング (株)製）、 0. 3 m厚）と電気銅め つき（硫酸銅めつき、 1. 5A/dm2、 35 m厚）を行った。 170。Cでフルキュア一した 後のピール強度は 1. 2kgfZcmとなった。
[0021] 実施例 3
イミダゾールシラン (イミダゾールと 3—グリシドキシプロピルトリメトキシシランの等モ ル反応生成物） 5gとナフテン酸パラジウム 10gをォクタノール 1Lに混合溶解し、ェポ キシ榭脂 (松下電工社製、エポキシ榭脂プリプレダ、 R— 1661T)を半硬化状態（14 0°C硬化）にし、さらに過マンガン酸で粗ィ匕処理した表面に、ベーカーアプリケーター で塗布した。 120°Cで溶媒乾燥を行い、塗布層は 0. l /z mとなった。次亜リン酸 (ホ スフイン酸） 30gZL濃度の還元液に浸漬後水洗処理し、 Pdを活性化させた後、無電 解銅めつき（高温タイプのホルマリン系銅めつき液、 KC500 (日鉱メタルプレーティン グ (株)製）、 0. 3 m厚）と電気銅めつき (硫酸銅めつき、 1.
Figure imgf000009_0001
35 m厚）を 行った。 170°Cでフルキュア一した後のピール強度は 1. 4kgfZcmとなった。
[0022] 実施例 4
イミダゾールシラン (イミダゾールと 3—グリシドキシプロピルトリメトキシシランの等モ ル反応生成物） 200mgZLと塩化パラジウム lOOmgZUPd換算 60mgZL)とェチ レンダリコール 30g/Lを含んだ水溶液に、エポキシ榭脂 (松下電工社製、エポキシ 榭脂プリプレダ、 R - 1661T)を半硬化状態（100°C硬化）にし、過マンガン酸で粗ィ匕 処理したものを浸漬した。 120°Cで乾燥後、次亜リン酸 (ホスフィン酸） 30gZL濃度 の還元液に浸漬後水洗処理し、 Pdを活性化させた後、無電解銅めつき (高温タイプ のホルマリン系銅めつき液、 KC 500 (日鉱メタルプレーティング (株）製）、 0. 3 μ ηι 厚）と電気銅めつき（硫酸銅めつき、 1. 5AZdm2、 35 m厚）を行った。 170。Cでフ ルキュアした後のピール強度は 1. lkgfZcmとなった。
[0023] 実施例 5
エポキシ榭脂をポリイミド榭脂（三菱ガス化学社製、 BTレジンプリプレダ、 GHPL- 950K)とした以外は、実施例 1と同様に処理した。ピール強度は 1. lkgfZcmとなつ た。
[0024] 比較例 1
エポキシ榭脂 (松下電工社製、エポキシ榭脂プリプレダ、 R- 1661T)を Cステージ 品（完全硬化品）とした以外は、実施例 1と同じ処理をした。ピール強度は 0. 4kgf/ cmとなった。

Claims

請求の範囲
[1] イミダゾールシランと貴金属化合物を含む溶液を用い、該溶液により膨潤性を有する 表面を処理してなる榭脂基材。
[2] 榭脂基材がエポキシ榭脂である請求の範囲第 1項記載の榭脂基材。
[3] 貴金属化合物がパラジウム化合物である請求の範囲第 1項または第 2項記載の榭脂 基材。
[4] 請求の範囲第 1項記載の榭脂基材に無電解めつきを施した電子部品基材。
[5] 榭脂基材がエポキシ榭脂である請求の範囲第 4項記載の電子部品基材。
[6] 電子部品基材がビルドアップ基板である請求の範囲第 4項または第 5項記載の電子 部品基材。
[7] イミダゾールシランと貴金属化合物を含む溶液を用い、該溶液により膨潤性を有する 表面を処理してなる榭脂基材に、無電解めつきを施す工程を含む電子部品基材の 製造方法。
[8] 榭脂基材がエポキシ榭脂である請求の範囲第 7項記載の電子部品基材の製造方法
[9] 電子部品基材がビルドアップ基板である請求の範囲第 7項または第 8項記載の電子 部品基材の製造方法。
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