WO2006087955A1 - 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

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Megumi Jyousaka
Hiroshi Tomita
Masahide Tadokoro
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    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Definitions

  • Heat treatment plate temperature setting method heat treatment plate temperature setting device, program, and computer-readable recording medium recording the program
  • the present invention relates to a temperature setting method for a heat treatment plate, a temperature setting device for a heat treatment plate, a program, and a computer-readable recording medium on which the program is recorded.
  • a resist coating process for applying a resist solution on a wafer to form a resist film for example, an exposure process for exposing the resist film to a predetermined pattern, Heat treatment (post-exposure baking) that promotes the chemical reaction, development processing that develops the exposed resist film, etc., are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.
  • Heat treatment post-exposure baking
  • Heat treatment such as the above-described post exposure baking is usually performed by a heat treatment apparatus.
  • the heat treatment equipment is equipped with a hot plate to place and heat the wafer.
  • a heater that generates heat by power supply is built into the hot plate, and the hot plate is adjusted to a predetermined temperature by the heat generated by the heater.
  • the heat treatment temperature in the above heat treatment greatly affects the line width of the resist pattern finally formed on the wafer. Therefore, in order to strictly control the temperature in the wafer surface during heating, the heat plate of the above-described heat treatment apparatus is divided into a plurality of regions, and an independent heater is built in each region. The temperature is adjusted.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-143850
  • the present invention has been made in view of the points to be applied, and the temperature setting of a heat treatment plate such as a hot plate is set so that the line width of the resist pattern is uniformly formed in a substrate surface such as a wafer. Its purpose is to do.
  • the present invention for achieving the above object is a method for setting a temperature of a heat treatment plate on which a substrate is mounted and heat-treated, and the heat treatment is performed in a photolithography process for forming a resist pattern on the substrate.
  • the heat treatment plate is divided into a plurality of regions, the temperature is set for each region, and the temperature for adjusting the in-plane temperature of the substrate on the heat treatment plate for each region of the heat treatment plate.
  • a correction value is set.
  • the temperature correction value of each region is calculated and set by a calculation model created for the correlation between the line width of the resist pattern formed by heat treatment on the heat treatment plate and the temperature correction value.
  • the calculation model calculates a temperature correction value that makes the line width in the substrate surface uniform based on the measured line width value of the resist pattern in the substrate surface.
  • the temperature correction value of each region of the heat-treated plate is correlated with the line width of the resist pattern and the temperature correction value. Is calculated and set to be uniform. As a result, the resist pattern formed through heat treatment on the heat-treated plate is uniformly formed on the substrate surface.
  • the inclination component in the X direction and the inclination component in the Y direction are obtained by a least square method from a plurality of line width measurement values in the substrate surface, and the curve component is an inclination of the line width measurement value in the substrate surface. Alternatively, it may be obtained by removing the X-direction tilt component and the Y-direction tilt component from the direction.
  • the calculation model is separated into one model component determined by the resist solution and another model component determined by other processing conditions other than the resist solution! But ⁇ ⁇ .
  • ⁇ the degree of change of the resist solution.
  • the other model component may be further separated into a first model component determined by exposure processing conditions in a photolithography process and a second model component determined by processing conditions other than the exposure processing conditions. ,.
  • the temperature correction value of each region may be set for each processing recipe determined by a combination of at least the heat treatment temperature and the type of resist solution. In such a case, if either the heat treatment temperature or the type of resist solution that affects the line width of the resist pattern is changed, the temperature correction value for each region is changed. As a result, the heat treatment is always performed at an appropriate in-plane temperature, so that the line width of the finally formed resist pattern is uniformly formed in the substrate surface.
  • the heat treatment may be a heat treatment performed after the exposure process and before the development process.
  • the present invention according to another aspect is a temperature setting device for a heat treatment plate on which a substrate is placed and heat treated, wherein the heat treatment is performed in a photolithography process for forming a resist pattern on the substrate.
  • the heat treatment plate is divided into a plurality of regions, the temperature is set for each region, and a temperature correction value for adjusting the in-plane temperature of the substrate on the heat treatment plate is set for each region of the heat treatment plate. Is set.
  • the temperature correction value of each region is calculated and set by a calculation model created by the correlation force between the line width of the resist pattern formed by heat treatment on the heat treatment plate and the temperature correction value.
  • the calculation model can calculate the temperature correction value so that the line width in the substrate surface is uniform based on the measured line width of the resist pattern.
  • the temperature correction value of each region of the heat-treated plate is correlated with the line width of the resist pattern and the temperature correction value. Is calculated and set to be uniform. As a result, the resist pattern formed through heat treatment on the heat-treated plate is uniformly formed on the substrate surface.
  • the tilt component in the X direction and the tilt component in the Y direction are obtained by a least square method from a plurality of line width measurement values in the substrate surface, and the curve component is an inclination of the line width measurement value in the substrate surface. It may be obtained by removing the slope component in the X direction and the slope component in the Y direction from the direction.
  • the calculation model is separated into one model component determined by the resist solution and another model component determined by other processing conditions other than the resist solution! .
  • the other model component may be further separated into a first model component determined by exposure processing conditions in a photolithography process and a second model component determined by processing conditions other than the exposure processing conditions. ,.
  • the temperature correction value of each region may be set for each processing recipe determined by a combination of at least the heat treatment temperature and the type of resist solution.
  • the heat treatment may be a heat treatment performed after the exposure process and before the development process.
  • the present invention provides a program used for a temperature setting device for performing heat treatment of a substrate in a photolithography process for forming a resist pattern using a heat treatment plate.
  • the heat treatment plate is divided into a plurality of regions, and the temperature can be set for each region. Further, in order to adjust the in-plane temperature of the substrate on the heat treatment plate for each region of the heat treatment plate, The temperature correction value is set.
  • the program calculates the temperature correction value of each region by a calculation model created based on the correlation between the line width of the resist pattern formed by heat treatment on the heat treatment plate and the temperature correction value. To be executed.
  • the calculation model is a resist Based on the measured line width of Noturn, the temperature correction value can be calculated so that the line width in the substrate surface is uniform.
  • Such a program of the present invention is recorded on, for example, a computer-readable recording medium such as a node disk, a compact disk, a magneto-optical disk, a floppy disk, and the like.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a coating and developing treatment system.
  • FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a rear view of the coating and developing treatment system of FIG. 1.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing measurement points of the line width in the wafer surface.
  • FIG. 5 is an explanatory view of a longitudinal section showing an outline of the configuration of the PEB apparatus.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of a transverse section showing an outline of the configuration of the PEB device.
  • FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a hot plate of the PEB apparatus.
  • FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a temperature setting device.
  • FIG. 9 is a relational expression between the line width fluctuation amount and the temperature correction value using the calculation model.
  • FIG. 10 is a determinant showing an example of a calculation model.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a temperature setting process.
  • FIG. 12 An example in which the measured line width of each wafer region is substituted into the relational expression in FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing a variation tendency of line width measurement values.
  • FIG. 14 is a diagram showing an inclination component in the X direction of a variation tendency of a line width measurement value.
  • FIG. 15 is a diagram showing a Y-direction gradient component of a variation tendency of line width measurement values.
  • FIG. 16 is a diagram showing a curved component of a variation tendency of line width measurement values.
  • FIG. 17 is a table showing a temperature correction table when a calculation model and a temperature correction value are set for each processing recipe.
  • FIG. 19 is a relational expression between the line width fluctuation amount and the temperature correction value when model components other than the resist solution are further divided into model components related to exposure processing and other model components.
  • FIG. 20 is an enlarged view of the measurement points of line width.
  • FIG. 21 A theoretical formula for calculating the measurement error.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a coating and developing treatment system 1 provided with a temperature setting device for a heat treatment plate according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system 1. Yes, Fig. 3 is a rear view of the coating development system 1.
  • the coating and developing treatment system 1 carries, for example, 25 wafers W in a cassette unit into and out of the external force coating and developing treatment system 1, and the wafer W with respect to the cassette C.
  • a cassette station 2 that carries in and out the process, a processing station 3 in which a plurality of various processing devices that perform predetermined processing in a single-stage manner in the photolithography process are arranged in multiple stages, and a processing station 3 that is adjacent to the processing station 3.
  • an interface unit 4 for transferring Ueno and W to and from an exposure apparatus (not shown) provided as a unit.
  • the cassette station 2 is provided with a cassette mounting table 5, and the cassette mounting table 5 Multiple cassettes U can be placed in a row in the X direction (vertical direction in Fig. 1).
  • the cassette station 2 is provided with a wafer transfer body 7 that can move on the transfer path 6 in the X direction.
  • the wafer carrier 7 is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafer W accommodated in the cassette U, and is connected to the wafers and W in each cassette U arranged in the X direction. Can be selectively accessed.
  • the wafer transfer body 7 is rotatable in the ⁇ direction around the Z axis, and also with respect to a temperature control device 60 and a transition device 61 belonging to a third processing device group G3 on the processing station 3 side described later. Accessible.
  • the processing station 3 adjacent to the cassette station 2 includes, for example, five processing device groups G1 to G5 in which a plurality of processing devices are arranged in multiple stages.
  • cassette station 2 side force first processing device group G1 and second processing device group G2 are arranged in sequence.
  • the cassette station 2 side force 3rd processing device group G3, 4th processing device group G4 and 5th processing device group G5 are in order.
  • a first transfer device 10 is provided between the third processing device group G3 and the fourth processing device group G4.
  • the first transfer device 10 can selectively access the processing devices in the first processing device group G1, the third processing device group G3, and the fourth processing device group G4 to transfer the wafer W.
  • a second transfer device 11 is provided between the fourth processing device group G4 and the fifth processing device group G5. The second transfer device 11 can selectively access the processing devices in the second processing device group G2, the fourth processing device group G4, and the fifth processing device group G5 to transfer the wafer W.
  • a liquid processing unit that supplies a predetermined liquid to the wafer W and performs processing for example, a resist coating unit 20 that applies a resist solution to the wafer W.
  • a resist coating unit 20 that applies a resist solution to the wafer W.
  • 21, 22, Bottom coating devices 23, 24 that form an antireflection film that prevents reflection of light during the exposure process are also stacked in five steps in order.
  • liquid processing units, for example, development processing units 30 to 34 for supplying a developing solution to the wafer W and performing development processing are also stacked in five stages in order.
  • the third processing unit group G3 includes a temperature control device 60, a transition device 61 for transferring the wafer W, and the temperature of the wafer W under high-precision temperature control.
  • the high-precision temperature control devices 62 to 64 to adjust and the high-temperature heat processing devices 65 to 68 to heat-treat the wafer W at high temperature are also stacked in 9 steps in order.
  • a high-precision temperature control unit 70 pre-baking units 71 to 74 for heating the wafer W after the resist coating process, and the wafer W after the development process are heated.
  • Post-baking devices 75 to 79 to be processed are stacked in 10 steps in order of the lower force.
  • a plurality of heat treatment apparatuses for heat-treating the wafer W such as high-precision temperature control apparatuses 80 to 83, and a plurality of post-exposure baking apparatuses (for processing the wafer W after exposure) ( The following is referred to as “PEB device.”) 84 to 89 are piled up in 10 steps in descending order.
  • a plurality of processing devices are arranged on the positive side in the X direction of the first transfer device 10, for example, to hydrophobize the wafer W as shown in FIG.
  • Adhesion devices 90 and 91, and heating devices 92 and 93 that heat the wafer W are stacked in four steps in descending order.
  • a peripheral exposure device 94 that selectively exposes only the edge portion of the wafer W, for example, is disposed on the positive side in the X direction of the second transfer device 11.
  • a wafer transfer body 101 that moves on a transfer path 100 extending in the X direction and a buffer cassette 102 are provided.
  • the wafer transport body 101 can move in the Z direction and can also rotate in the ⁇ direction.
  • the wafer transport body 101 is connected to an exposure apparatus (not shown) adjacent to the interface unit 4, the notch cassette 102, and the fifth processing unit group G5.
  • the wafer W can be transferred by accessing it.
  • the cassette station 2 is provided with a line width measuring device 110 that measures the line width of the resist pattern on the wafer W.
  • the line width measuring device 110 can measure the line width of the resist pattern in the wafer surface by, for example, irradiating the wafer W with an electron beam and acquiring an image of the surface of the wafer W.
  • the line width measuring device 110 can measure line widths at a plurality of locations on the wafer W plane.
  • the line width measuring apparatus 110 has a wafer area W that is divided into a plurality of areas.
  • the line width can be measured at multiple measurement points Q from 1 to W. This 5
  • the wafer regions W to W are the hot plate regions R to R of the hot plate 140 of the PEB apparatus 84 described later. It corresponds to.
  • the wafer carrier 7 takes out the unprocessed wafer W from the cassette U force on the cassette mounting table 5, and controls the temperature control device of the third processing device group G3. Transported to 60.
  • the wafer W transferred to the temperature control device 60 is adjusted to a predetermined temperature, and then transferred to the bottom coating device 23 by the first transfer device 10 to form an antireflection film.
  • the wafer W on which the antireflection film is formed is sequentially transferred to the heating device 92, the high-temperature heat treatment device 65, and the high-precision temperature control device 70 by the first transfer device 10, and is subjected to predetermined processing in each device. .
  • the wafer W is transferred to the resist coating device 20, and after a resist film is formed on the wafer W, the wafer W is transferred to the pre-baking device 71 by the first transfer device 10, and then the second transfer device. 11 is sequentially conveyed to the peripheral exposure device 94 and the high-precision temperature control device 83, and predetermined processing is performed in each device. Thereafter, UENO and W are transported to the exposure apparatus and exposed by the wafer carrier 101 of the interface unit 4! The wafer W after the exposure processing is transferred to the PEB device 84, for example, by the wafer transfer body 101, subjected to post-exposure baking, and then transferred to the high-precision temperature controller 81 by the second transfer device 11. The temperature is adjusted.
  • the resist film is transferred to the developing device 30 and the resist film on the wafer W is developed.
  • the wafer W is transferred to the post-baking device 75 by the second transfer device 11 and subjected to heat treatment, and then transferred to the high-precision temperature controller 63 to adjust the temperature.
  • the wafer W is transferred to the transition device 61 by the first transfer device 10 and returned to the cassette U by the wafer transfer body 7 to complete a series of photolithography steps.
  • the PEB device 84 includes a heating unit 121 that heats the wafer W and a cooling unit 122 that cools the wafer W.
  • the heating unit 121 includes a lid 130 that is located on the upper side and is movable up and down, and a hot plate that forms the processing chamber S together with the lid 130 located on the lower side. With containment 131!
  • the lid 130 has a substantially conical shape that gradually increases toward the center, and an exhaust portion 130a is provided at the top.
  • the atmosphere in the processing chamber S is uniformly exhausted from the exhaust part 130a.
  • a hot plate as a heat treatment plate for placing and heating the wafer W is mounted in the center of the hot plate accommodating part 131.
  • the hot plate 140 has a substantially disk shape with a large thickness.
  • a plurality of, for example, five hot plate regions R 1, R 2, R 3, R 4, and R 5 are used.
  • the hot plate 140 is divided into, for example, a circular hot plate region R and a hot plate region R to R that are circularly divided into four circular arcs around the center of the plate.
  • a heater 141 that generates heat by power feeding is individually incorporated.
  • the quantity is adjusted by the temperature controller 142.
  • the temperature controller 142 adjusts the amount of heat generated by the heater 141 so that each of the hot plate regions R to R
  • the temperature of 15 can be controlled to a predetermined set temperature.
  • the temperature setting in the temperature control device 142 is performed by, for example, a temperature setting device 190 described later.
  • first raising / lowering pins 150 for raising and lowering the wafer W while supporting the downward force.
  • the first elevating pin 150 can be moved up and down by the elevating drive mechanism 151.
  • a through hole 152 that penetrates the hot plate 140 in the thickness direction is formed.
  • the first elevating pin 150 is able to protrude upward from the hot plate 140 by passing through the through-hole 152 by increasing the downward force of the hot plate 140.
  • the hot plate housing part 131 includes an annular holding member 160 that houses the hot plate 140 and holds the outer periphery of the hot plate 140, and a substantially cylindrical support ring 161 that surrounds the outer periphery of the holding member 160. Have. On the upper surface of the support ring 161, for example, an outlet 161a for injecting an inert gas into the processing chamber S is formed. The inside of the processing chamber S can be purged by injecting an inert gas from the outlet 161a. In addition, a cylindrical case 162 serving as an outer periphery of the hot plate accommodating portion 131 is provided outside the support ring 161.
  • a cooling plate 170 for mounting and cooling the wafer W is provided in the cooling unit 122 adjacent to the heating unit 121.
  • the cooling plate 170 has, for example, a substantially rectangular flat plate shape as shown in FIG. 6, and the end surface on the heating unit 121 side is curved in an arc shape.
  • a cooling member 170a such as a Peltier element is built in the cooling plate 170, and the cooling plate 170 can be adjusted to a predetermined set temperature.
  • the cooling plate 170 is attached to a rail 171 extending toward the heating unit 121 side. .
  • the cooling plate 170 can be moved on the rail 171 by the driving unit 172.
  • the cooling plate 170 can move to above the heating plate 140 on the heating unit 121 side.
  • the cooling plate 170 for example, two slits 173 along the X direction are formed as shown in FIG.
  • the slit 173 is formed so that the end surface force on the heating unit 121 side of the cooling plate 170 is also close to the center of the cooling plate 170.
  • the slit 173 prevents interference between the cooling plate 170 moved to the heating unit 121 side and the first lifting pins 150 protruding on the heating plate 140.
  • a second lifting pin 174 is provided below the slit 173 in the cooling section 122.
  • the second raising / lowering pin 174 can be raised and lowered by the raising / lowering drive unit 175.
  • the second elevating pin 174 can also protrude downward from the cooling plate 170 through the slit 173 as the downward force of the cooling plate 170 rises.
  • loading / unloading ports 180 for loading / unloading the wafer W are formed on both side surfaces of the casing 120 with the cooling plate 170 interposed therebetween.
  • the wafer W is loaded from the loading / unloading port 180 and placed on the cooling plate 170. Subsequently, the cooling plate 170 is moved, and the wafer W is moved above the hot plate 140. The first lifting pins 150 place the wafer W on the hot plate 140 and heat the wafer W. After a predetermined time, the wafer W is again transferred from the hot plate 140 to the cooling plate 170 and cooled, and is transferred from the cooling plate 170 through the loading / unloading port 180 to the outside of the PEB apparatus 84 to undergo a series of heat treatments. finish.
  • the temperature setting device 190 is composed of, for example, a general-purpose computer equipped with a CPU, a memory, and the like, and is connected to the temperature control device 142 of the hot plate 140, for example, as shown in FIGS.
  • the temperature setting device 190 for example, as shown in FIG. 8, an arithmetic unit 200 for executing various programs, an input unit 201 for inputting various information for temperature setting, for example, and a temperature correction value are calculated.
  • a communication unit 204 for communication is provided.
  • the program storage unit 202 stores, for example, a calculation model M.
  • Calculation Model M is a correlation model expressed by the relational expression (1) between the resist pattern line width change ⁇ CD and temperature correction value ⁇ ⁇ , as shown in Fig. 9, for example.
  • the calculation model M is based on the measured line width of the resist pattern formed in the coating and developing treatment system 1, and the optimum temperature correction value ⁇ for each hot plate region R to R, that is, the line width of the resist pattern. Is finally
  • a temperature correction value ⁇ T that is uniform in the wafer plane can be calculated.
  • the calculation model M is, for example, the determinant shown in FIG.
  • the line width variation of the wafer area w to w is measured for all combinations, for example.
  • a program PI for calculating the temperature correction value ⁇ of each of the hot plate regions R to R using the relational expression (1) of the calculation model M is calculated.
  • the program P2 that changes the existing temperature setting of the temperature controller 142 based on the temperature correction value ⁇ ⁇ is stored.
  • the various programs for realizing the functions of the temperature setting device 190 may be installed in the temperature setting device 190 using a computer-readable recording medium.
  • Figure 11 shows the flow of the temperature setting process.
  • the wafer W on which a series of photolithography steps have been performed in the coating and developing treatment system 1 is transferred to the line width measuring device 110, and the line width of the resist pattern on the wafer W is measured (step of FIG. 11). Sl). At this time, the line widths of a plurality of measurement points Q on the wafer surface are measured, and the line widths of the wafer regions W to W corresponding to the hot plate regions R to R of the hot plate 140 are obtained.
  • the result of the line width measurement in the line width measuring device 110 is output to the temperature setting device 190.
  • the temperature setting device 190 for example, based on the measured line width of each wafer region W to W.
  • the optimum temperature correction value ⁇ is calculated by the calculation model M (step S2 in FIG. 11).
  • the line width change ⁇ CD in the relational expression (1) is added to the average line width E, which is the target line width, and the measured line width values CD, CD, CD, Substitute the difference between CD and CD
  • the line width measurement device 110 obtains line width measurement values at a plurality of measurement points Q in the wafer surface.
  • the variation tendency of the line width measurement value CD within the wafer surface is shown, as shown in Fig. 13.
  • the temperature correction value ⁇ in the above embodiment is obtained by obtaining the X-direction tilt component, Y-direction tilt component and curvature component in the wafer plane of the variation tendency of the line width measurement value in the wafer plane. It may be set so that each variation tendency component decreases.
  • the X axis passes through the wafer areas W, W, W on the diameter of the wafer W
  • the Y axis passes through the wafer area on the diameter of the wafer W.
  • the inclination component in the X direction, the inclination component in the Y direction, and the bending component are calculated from the variation tendency of the line width measurement values measured by the line width measurement device 110.
  • the slope component Fx in the X direction is calculated from the distribution of the measured line width projected on the vertical plane including the X axis using the least squares method.
  • the tilt component Fy in the Y direction is calculated from the distribution of the measured line width projected on the vertical plane including the Y axis using the least squares method.
  • the convex curve component Fz as shown in Fig. 16 can be obtained by removing the tilt component Fx in the X direction and the tilt component Fy in the Y direction from the overall variation tendency of the line width measurement values.
  • a temperature correction value ⁇ is calculated so that each of the variation tendency components Fx, Fy, Fz is eliminated. For example, a line in the wafer area W shown in FIG.
  • the width change ⁇ CD and the line width change ⁇ CD of the wafer area W are calculated. Y Then, the line width change ⁇ CD of the wafer area W is calculated. Furthermore, from the bending component Fz,
  • ACD ACD + ACD
  • ACD ACD + ACD
  • ⁇ C ⁇ ⁇
  • the temperature correction value ⁇ is calculated by model M. As a result, each line width change amount ACD to ⁇ CD becomes zero and each variation inclination component Fx, Fy, Fz becomes zero.
  • a temperature correction value ⁇ that eliminates variations in line width in the wafer surface is calculated.
  • the process of calculating the temperature correction value ⁇ is realized, for example, by executing a program stored in the program storage unit 203 of the temperature setting device 190.
  • the line width measurement values measured at a number of measurement points on the wafer surface are divided into three variation tendency components Fx, Fy, Fz, and the variation tendency components Fx, Fy, Based on Fz, the temperature correction value ⁇ is calculated so that the variation tendency components Fx, Fy, and Fz are eliminated. In this way, the temperature correction value ⁇ can be obtained more easily.
  • the calculated temperature correction values ⁇ of the respective hot plate regions R to R in the above embodiment are:
  • Temperature compensation value is calculated and set.
  • the resist solution is changed and the processing recipe is changed. Even if is changed, the wafer w is heat-treated at the optimum in-plane temperature according to the processing recipe, so that the uniformity of the resist pattern line width within the wafer surface can be ensured.
  • the calculation model M described in the above embodiment includes a model component ⁇ that is affected by the resist solution and a model component Mt that is affected by other processing conditions other than the resist solution, as shown in FIG. Even if you want to separate it.
  • the processing conditions other than the resist solution include those that affect the line width, such as the processing temperature, processing time, and processing apparatus status.
  • the processing conditions other than the resist solution include those that affect the line width, such as the processing temperature, processing time, and processing apparatus status.
  • the processing conditions other than the resist solution are changed, it is sufficient to change only the model component (X only) of the calculation model M.
  • the processing conditions other than the resist solution are changed, it is only necessary to change the model component Mt of the calculation model M. In this way, it is possible to respond flexibly and quickly to changes in the resist solution and changes in the processing temperature. it can.
  • the model component Mt is separated into a model component Mtl that is affected by exposure processing conditions in the photolithography process and a model component Mt2 that is affected by processing conditions other than the exposure processing conditions. It may be.
  • the exposure processing conditions here affect the line width such as the exposure amount (dose amount, focus amount) and the state of the exposure apparatus. Processing conditions other than the exposure processing conditions include, for example, heating in a PEB apparatus. It affects the line width, such as the processing heating time, heating temperature, and PEB equipment status. In this case, for example, if a problem occurs in the exposure system, the problem can be dealt with by changing only the model component Mtl.
  • the results of the line width measurement of the wafer W performed by the above-described line width measuring apparatus 110 include the measurement error caused by the measurement accuracy of the line width measuring apparatus 110 and the processing apparatus during processing of the wafer. May include process errors caused by slight variations in process conditions.
  • the calculation model M described in the above embodiment is created based on the correlation between the line width fluctuation amount of each wafer region measured in advance and the temperature correction value. Measurement error and process error may be taken into account.
  • a single wafer W on which a resist pattern is formed is measured a plurality of times by the line width measuring device 110, and the dispersion of the measured value, for example, the standard deviation is obtained, and this standard deviation is calculated by applying a Kalman filter to each element of the calculation model M. Use to reflect. As a result, the measurement error is considered in advance.
  • a calculation model M can be created.
  • the line width measuring device 110 measures a plurality of wafers and Ws each having a resist pattern formed in a sheet format by the same processing recipe, and obtains a variation of the measured value, for example, a standard deviation. This standard deviation is reflected in each element of the calculation model M using a Kalman filter. This makes it possible to create a calculation model M that takes process errors into account.
  • the line width measuring device 110 is an electron beam type (CD-SEM)
  • CD-SEM electron beam type
  • the line width measuring device 110 may be detected by measuring the line width of one wafer W. For example, as shown in FIG. 20, the line width measuring device 110 divides a minute area at a measurement point Q in the wafer plane into a plurality of parts, detects the line width of each divided part, and calculates an average value thereof. Thus, the line width at measurement point Q is measured.
  • the measurement accuracy d may be calculated by the theoretical formula (2) obtained from the general formula for determining the sample size in Fig. 21.
  • ⁇ is the number of divisions.
  • This calculated measurement accuracy d is reflected in the calculation model M.
  • the measurement error can be detected by a single line width measurement, so that an accurate measurement error can be detected even when an electronic beam is used.
  • measurement errors can be detected easily and quickly.
  • the orientation of the wafer W when placed on the hot plate 140 that is, the notch position of the wafer W must be constant. This is because if the orientation of the wafer W on the hot plate 40 is deviated, the hot plate region corresponding to the wafer region of the measurement line width cannot be specified.
  • the alignment at the notch position of the wafer w is performed during the exposure process in the photolithography process in the coating and developing system 1. However, there is a possibility that the notch position of the wafer W may be shifted between the exposure process and post exposure baking. In the meantime, during that time, UENO and W are transported to a device having an alignment function, for example, the peripheral exposure device 94, and again aligned. Force may also be carried into the PEB equipment.
  • a CCD camera as a detection member that detects the notch position of the wafer W may be attached to the PEB device, and the deviation of the notch position of the wafer W may be detected when it is transferred into the wafer W force PEB device.
  • the notch position of the wafer W is shifted, the shift of the notch position is reflected in the calculation model M, for example, and each hot plate region R corresponding to the position of the line width measurement is reflected.
  • the present invention is not limited to this example and can take various forms.
  • the temperature-set hot plate 140 is divided into five regions, but the number can be arbitrarily selected.
  • the above embodiment is an example of setting the temperature of the hot plate 140 of the PEB device 84, but other heat treatment devices such as a pre-baking device and a post-baking device equipped with a hot plate,
  • the present invention can also be applied to a cooling processing apparatus having a cooling plate on which the wafer W is placed and cooled.
  • the present invention can also be applied to the temperature setting of a heat treatment plate for heat treatment of other substrates such as FPD (Flat Panel Display) and photomask mask reticles other than wafers.
  • FPD Full Panel Display
  • the present invention is useful when setting the temperature of the heat treatment plate so that the line width of the resist pattern is uniformly formed in the substrate surface.

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Abstract

　レジストパターンの線幅がウエハ面内で均一に形成されるように，熱板の温度設定を行う。ＰＥＢ装置の熱板は，複数の熱板領域に分割されており，各熱板領域毎に温度設定できる。熱板の各熱板領域には，熱板に載置されるウエハ面内の温度を調整するための温度補正値がそれぞれ設定される。この熱板の各熱板領域の温度補正値は，熱板において熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関から作成された算出モデルにより算出されて設定される。算出モデルＭは，レジストパターンの線幅測定値に基づいて，ウエハ面内の線幅が均一になるような温度補正値を算出する。

Description

明 細 書
熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及び プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
技術分野
[0001] 本発明は，熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及び プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。 背景技術
[0002] 例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程では，例えばウェハ 上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，レジスト膜を所定の パターンに露光する露光処理，露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱 処理 (ポストェクスポージャーべ一キング） ,露光されたレジスト膜を現像する現像処 理などが順次行われ，ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
[0003] 例えば上述のポストェクスポージャーべ一キングなどの加熱処理は，通常加熱処理 装置で行われている。加熱処理装置は，ウェハを載置して加熱する熱板を備えてい る。熱板には，例えば給電により発熱するヒータが内蔵されており，このヒータによる 発熱により熱板は所定温度に調整されている。
[0004] 上述の加熱処理における熱処理温度は，最終的にウェハ上に形成されるレジスト ノ ターンの線幅に大きな影響を与える。そこで，加熱時のウェハ面内の温度を厳格 に制御するために，上述の加熱処理装置の熱板は，複数の領域に分割され，各領 域毎に独立したヒータが内蔵され，各領域毎に温度調整されている。
[0005] し力しながら，上記熱板の各領域の温度調整を，総て同じ設定温度で行うと，例え ば各領域の熱抵抗などの相違により，熱板上のウェハ面内の温度がばらつくことがあ る。このため，熱板の各領域の設定温度は，温度補正 (温度オフセット）され，この各 領域の温度補正値は，ウェハの面内温度が均一になるように設定されて!、た (特許 文献 1参照。）。
特許文献 1 :日本国特開 2001— 143850号公報
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0006] し力しながら，従来のようにウェハ面内の温度が均一になるように温度補正値を設 定しても，実際には，最終的にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅がゥェ ハ面内で均一に形成されていなかった。
[0007] 本発明は，力かる点に鑑みてなされたものであり，レジストパターンの線幅がウェハ などの基板面内で均一に形成されるように，熱板などの熱処理板の温度設定を行う ことをその目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 上記目的を達成するための本発明は，基板を載置して熱処理する熱処理板の温 度設定方法であって，前記熱処理は，基板上にレジストパターンを形成するフォトリソ グラフィー工程において行われるものであり，前記熱処理板は複数の領域に区画さ れて当該領域毎に温度設定され，さらに前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上 の基板の面内温度を調整するための温度補正値が設定される。前記各領域の温度 補正値は，熱処理板にぉ 、て熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅と温 度補正値との相関力 作成された算出モデルによって算出されて設定される。前記 算出モデルは，基板面内のレジストパターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の 線幅が均一になるような温度補正値を算出する。
[0009] 本発明によれば，熱処理板の各領域の温度補正値が，レジストパターンの線幅と 温度補正値との相関力 作成された算出モデルにより，レジストパターンの線幅が基 板面内で均一になるように算出されて，設定される。この結果，熱処理板における熱 処理を通じて形成されたレジストパターンが基板面内において均一に形成される。
[0010] 基板面内の複数の線幅測定位置における線幅測定値を高さ方向に表すことによつ て示される基板面内における線幅測定値のばらつき傾向から，基板面内の X方向の 傾き成分と，基板面内の X方向に直交する Y方向の傾き成分と，基板面内の湾曲成 分との各ばらつき傾向成分が求められ，前記算出モデルにより，前記各ばらつき傾 向成分が減少するような温度補正値が算出されるようにしてもよい。かかる場合，基 板面内の複数の線幅測定値が， 3つのばらつき傾向成分に変換され，当該ばらつき 傾向成分が減少するように温度補正値が算出されるので，レジストパターンが基板面 内で均一になるような温度補正値を容易に算出できる。
[0011] 前記 X方向の傾き成分と Y方向の傾き成分は，基板面内の複数の線幅測定値から 最小二乗法により求められ，前記湾曲成分は，基板面内における線幅測定値の傾 向から前記 X方向の傾き成分と Y方向の傾き成分を除くことにより求められるようにし てもよい。
[0012] 前記算出モデルは，レジスト液によって定まる一のモデル成分とレジスト液以外の 他の処理条件によって定まる他のモデル成分に分離されて！、てもよ ヽ。かかる場合， 例えばレジスト液が変更された場合には，レジスト液に影響される一のモデル成分だ けを変更すれば足りるので， レジスト液の変更に簡単かつ迅速に対応できる。
[0013] 前記他のモデル成分は，フォトリソグラフィー工程における露光処理条件によって 定まる第 1のモデル成分と，露光処理条件以外の処理条件によって定まる第 2のモ デル成分にさらに分離されて 、てもよ 、。
[0014] 前記各領域の温度補正値は，少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わ せにより定まる処理レシピ毎に設定されていてもよい。かかる場合，レジストパターン の線幅に影響を与える熱処理温度とレジスト液の種類のいずれかが変更された場合 に，各領域の温度補正値が変更される。この結果，加熱処理が常に適正な面内温度 で行われるので，最終的に形成されるレジストパターンの線幅が基板面内において 均一に形成される。
[0015] 前記熱処理は，露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。
[0016] 別の観点による本発明は，基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定装置 であって，前記熱処理は，基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー 工程において行われるものであり，前記熱処理板は複数の領域に区画されて，当該 領域毎に温度設定され，さらに，前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上の基板の 面内温度を調整するための温度補正値が設定される。前記各領域の温度補正値は ,熱処理板にお!、て熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅と温度補正値と の相関力 作成された算出モデルにより算出されて設定され。そして前記算出モデ ルは，レジストパターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が均一になるよう な温度補正値を算出できるものである。 [0017] 本発明によれば，熱処理板の各領域の温度補正値が，レジストパターンの線幅と 温度補正値との相関力 作成された算出モデルにより，レジストパターンの線幅が基 板面内で均一になるように算出されて設定される。この結果，熱処理板における熱処 理を通じて形成されたレジストパターンが基板面内において均一に形成される。
[0018] 基板面内の複数の線幅測定位置における線幅測定値を高さ方向に表すことによつ て示される基板面内における線幅測定値のばらつき傾向から，基板面内の X方向の 傾き成分と，基板面内の X方向に直交する Y方向の傾き成分と，基板面内の湾曲成 分との各ばらつき傾向成分が求められ，前記算出モデルは，前記各ばらつき傾向成 分が減少するような温度補正値を算出できてもよい。
[0019] 前記 X方向の傾き成分と Y方向の傾き成分は，基板面内の複数の線幅測定値から 最小二乗法により求められ，前記湾曲成分は，基板面内における線幅測定値の傾 向から前記 X方向の傾き成分と Y方向の傾き成分を除くことにより求められてもよ 、。
[0020] 前記算出モデルは，レジスト液によって定まる一のモデル成分とレジスト液以外の 他の処理条件によって定まる他のモデル成分に分離されて！、てもよ 、。
[0021] 前記他のモデル成分は，フォトリソグラフィー工程における露光処理条件によって 定まる第 1のモデル成分と，露光処理条件以外の処理条件によって定まる第 2のモ デル成分にさらに分離されて 、てもよ 、。
[0022] 前記各領域の温度補正値は，少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わ せにより定まる処理レシピ毎に設定されるようにしてもょ 、。
[0023] 前記熱処理は，露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。
[0024] 別の観点による本発明によれば，本発明は，レジストパターンを形成するフォトリソ グラフィー工程において行われる基板の熱処理を熱処理板で行うための温度設定装 置に使用されるプログラムであって，前記熱処理板は複数の領域に区画され，かつ 当該領域毎に温度設定可能なものであり，さらに前記熱処理板の各領域毎に，熱処 理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値が設定されている。そして前 記プログラムは，前記各領域の温度補正値を，熱処理板において熱処理されて形成 されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関力 作成された算出モデルによ り算出することをコンピュータに実行させるものである。前記算出モデルは，レジスト ノターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が均一になるような温度補正値 を算出できるものである。
[0025] このような本発明のプログラムは，例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体，例 えばノヽードディスク，コンパクトディスク，光磁気ディスク，フロッピーディスクなどに記 録される。
発明の効果
[0026] 本発明によれば，最終的に基板上に形成されるレジストパターンの線幅の基板面 内の均一性が確保されるので，歩留まりの向上が図られる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
[図 2]図 1の塗布現像処理システムの正面図である。
[図 3]図 1の塗布現像処理システムの背面図である。
[図 4]ウェハ面内の線幅の測定点を示す説明図である。
[図 5]PEB装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
[図 6]PEB装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
[図 7]PEB装置の熱板の構成を示す平面図である。
[図 8]温度設定装置の構成を示すブロック図である。
[図 9]算出モデルを用いた線幅変動量と温度補正値との関係式である。
[図 10]算出モデルの一例を示す行列式である。
[図 11]温度設定プロセスを示すフロー図である。
[図 12]図 9の関係式に各ウェハ領域の線幅測定値を代入した例を示す。
[図 13]線幅測定値のばらつき傾向を示す図である。
[図 14]線幅測定値のばらつき傾向の X方向の傾き成分を示す図である。
[図 15]線幅測定値のばらつき傾向の Y方向の傾き成分を示す図である。
[図 16]線幅測定値のばらつき傾向の湾曲成分を示す図である。
[図 17]算出モデルと温度補正値を処理レシピ毎に設定する場合の温度補正テープ ルを示す表である。
[図 18]算出モデルをレジスト液に関するモデル成分とそれ以外のモデル成分に分離 した場合の線幅変動量と温度補正値との関係式である。
[図 19]レジスト液以外のモデル成分をさらに露光処理に関するモデル成分とそれ以 外のモデル成分に分けた場合の線幅変動量と温度補正値との関係式である。
[図 20]線幅の測定点の拡大図である。
[図 21]測定誤差を算出するための理論式である。
符号の説明
[0028] 1 塗布現像処理システム
84 PEB装置
140 熱板
142 温度制御装置
190 温度設定装置
R〜R
1 5 熱板領域
w〜w ウェハ領域
1 5
M 算出モデル
W ウェハ
発明を実施するための最良の形態
[0029] 以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図 1は，本実施の形態に かかる熱処理板の温度設定装置が備えられた塗布現像処理システム 1の構成の概 略を示す平面図であり，図 2は，塗布現像処理システム 1の正面図であり，図 3は，塗 布現像処理システム 1の背面図である。
[0030] 塗布現像処理システム 1は，図 1に示すように例えば 25枚のウェハ Wをカセット単 位で外部力 塗布現像処理システム 1に対して搬入出したり，カセット Cに対してゥェ ハ Wを搬入出したりするカセットステーション 2と，フォトリソグラフィー工程の中で枚葉 式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーショ ン 3と，この処理ステーション 3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間 でウエノ、 Wの受け渡しをするインターフェイス部 4とを一体に接続した構成を有してい る。
[0031] カセットステーション 2には，カセット載置台 5が設けられ，当該カセット載置台 5は， 複数のカセット Uを X方向（図 1中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセ ットステーション 2には，搬送路 6上を X方向に向力つて移動可能なウェハ搬送体 7が 設けられている。ウェハ搬送体 7は，カセット Uに収容されたウェハ Wのウェハ配列方 向（Z方向；鉛直方向）にも移動自在であり， X方向に配列された各カセット U内のゥ エノ、 Wに対して選択的にアクセスできる。
[0032] ウェハ搬送体 7は， Z軸周りの Θ方向に回転可能であり，後述する処理ステーション 3側の第 3の処理装置群 G3に属する温調装置 60やトランジシヨン装置 61に対しても アクセスできる。
[0033] カセットステーション 2に隣接する処理ステーション 3は，複数の処理装置が多段に 配置された，例えば 5つの処理装置群 G1〜G5を備えている。処理ステーション 3の X方向負方向（図 1中の下方向）側には，カセットステーション 2側力 第 1の処理装 置群 G1,第 2の処理装置群 G2が順に配置されている。処理ステーション 3の X方向 正方向（図 1中の上方向）側には，カセットステーション 2側力 第 3の処理装置群 G3 ,第 4の処理装置群 G4及び第 5の処理装置群 G5が順に配置されている。第 3の処 理装置群 G3と第 4の処理装置群 G4の間には，第 1の搬送装置 10が設けられて 、る 。第 1の搬送装置 10は，第 1の処理装置群 G1,第 3の処理装置群 G3及び第 4の処 理装置群 G4内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハ Wを搬送できる。第 4の 処理装置群 G4と第 5の処理装置群 G5の間には，第 2の搬送装置 11が設けられてい る。第 2の搬送装置 11は，第 2の処理装置群 G2,第 4の処理装置群 G4及び第 5の 処理装置群 G5内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハ Wを搬送できる。
[0034] 図 2に示すように第 1の処理装置群 G1には，ウェハ Wに所定の液体を供給して処 理を行う液処理装置，例えばウェハ Wにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置 20, 21, 22,露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティン グ装置 23, 24が下力も順に 5段に重ねられている。第 2の処理装置群 G2には，液処 理装置，例えばウェハ Wに現像液を供給して現像処理する現像処理装置 30〜34 が下力も順に 5段に重ねられている。また，第 1の処理装置群 G1及び第 2の処理装 置群 G2の最下段には，各処理装置群 Gl, G2内の液処理装置に各種処理液を供 給するためのケミカル室 40, 41がそれぞれ設けられている。 [0035] 例えば図 3に示すように第 3の処理装置群 G3には，温調装置 60,ウェハ Wの受け 渡しを行うためのトランジシヨン装置 61,精度の高い温度管理下でウェハ Wを温度調 節する高精度温調装置 62〜64及びウェハ Wを高温で加熱処理する高温度熱処理 装置 65〜68が下力も順に 9段に重ねられている。
[0036] 第 4の処理装置群 G4では，例えば高精度温調装置 70,レジスド塗布処理後のゥェ ハ Wを加熱処理するプリべ一キング装置 71〜74及び現像処理後のウェハ Wを加熱 処理するポストべ一キング装置 75〜79が下力も順に 10段に重ねられている。
[0037] 第 5の処理装置群 G5では，ウェハ Wを熱処理する複数の熱処理装置，例えば高 精度温調装置 80〜83,露光後のウェハ Wを加熱処理する複数のポストェクスポー ジャーべ一キング装置（以下「PEB装置」とする。 ) 84〜89が下力も順に 10段に重ね られている。
[0038] 図 1に示すように第 1の搬送装置 10の X方向正方向側には，複数の処理装置が配 置されており，例えば図 3に示すようにウェハ Wを疎水化処理するためのアドヒージョ ン装置 90, 91,ウェハ Wを加熱する加熱装置 92, 93が下力 順に 4段に重ねられ ている。図 1に示すように第 2の搬送装置 11の X方向正方向側には，例えばウェハ W のエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置 94が配置されている。
[0039] インターフェイス部 4には，例えば図 1に示すように X方向に向けて延伸する搬送路 100上を移動するウェハ搬送体 101と，バッファカセット 102が設けられている。ゥェ ハ搬送体 101は， Z方向に移動可能でかつ Θ方向にも回転可能であり，インターフエ イス部 4に隣接した図示しない露光装置と，ノ ッファカセット 102及び第 5の処理装置 群 G5に対してアクセスしてウェハ Wを搬送できる。
[0040] 例えばカセットステーション 2には，ウェハ W上のレジストパターンの線幅を測定す る線幅測定装置 110が設けられている。線幅測定装置 110は，例えば電子ビームを ウェハ Wに照射し，ウェハ W表面の画像を取得することによって，ウェハ面内のレジ ストパターンの線幅を測定できる。線幅測定装置 110は，ウェハ W面内の複数個所 の線幅を測定できる。例えば線幅測定装置 110は，図 4に示すようにウェハ Wを複数 の領域に区画した各ウェハ領域 W
1〜Wの複数の測定点 Qで線幅を測定できる。こ 5
のウェハ領域 W〜Wは，後述する PEB装置 84の熱板 140の各熱板領域 R〜R に対応している。
[0041] この塗布現像処理システム 1では，先ず，ウェハ搬送体 7によって，カセット載置台 5 上のカセット U力 未処理のウェハ Wがー枚取り出され，第 3の処理装置群 G3の温 調装置 60に搬送される。温調装置 60に搬送されたウェハ Wは，所定温度に温度調 節され，その後第 1の搬送装置 10によってボトムコーティング装置 23に搬送され，反 射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハ Wは，第 1の搬送装置 10に よって加熱装置 92,高温度熱処理装置 65,高精度温調装置 70に順次搬送され，各 装置で所定の処理が施される。その後ウェハ Wは，レジスド塗布装置 20に搬送され ,ウェハ W上にレジスト膜が形成された後，第 1の搬送装置 10によってプリべ一キン グ装置 71に搬送され，続いて第 2の搬送装置 11によって周辺露光装置 94,高精度 温調装置 83に順次搬送されて，各装置において所定の処理が施される。その後，ゥ エノ、 Wは，インターフェイス部 4のウェハ搬送体 101によって図示しな!、露光装置に 搬送され，露光される。露光処理の終了したウェハ Wは，ウェハ搬送体 101によって 例えば PEB装置 84に搬送され，ポストェクスポージャーべ一キングが施された後，第 2の搬送装置 11によって高精度温調装置 81に搬送されて温度調節される。その後， 現像処理装置 30に搬送され，ウェハ W上のレジスト膜が現像される。その後ウェハ Wは，第 2の搬送装置 11によってポストべ一キング装置 75に搬送され，加熱処理が 施された後，高精度温調装置 63に搬送され温度調節される。そしてウェハ Wは，第 1の搬送装置 10によってトランジシヨン装置 61に搬送され，ウェハ搬送体 7によって カセット Uに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
[0042] 次に，上述した PEB装置 84の構成について説明する。 PEB装置 84は，図 5及び 図 6〖こ示すよう〖こ筐体 120内〖こ，ウェハ Wを加熱処理する加熱部 121と，ウェハ Wを 冷却処理する冷却部 122を備えて 、る。
[0043] 加熱部 121は，図 5に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体 130と，下側に 位置して蓋体 130と一体となって処理室 Sを形成する熱板収容部 131を備えて!/ヽる。
[0044] 蓋体 130は，中心部に向力つて次第に高くなる略円錐状の形態を有し，頂上部に は，排気部 130aが設けられている。処理室 S内の雰囲気は，排気部 130aから均一 に排気される。 [0045] 熱板収容部 131の中央には，ウェハ Wを載置して加熱する熱処理板としての熱板
140が設けられている。熱板 140は，厚みのある略円盤形状を有している。
[0046] 熱板 140は，図 7に示すように複数，例えば 5つの熱板領域 R , R , R , R , Rに
1 2 3 4 5 区画されている。熱板 140は，例えば平面力も見て中心部に位置して円形の熱板領 域 Rと，その周囲を円弧状に 4等分した熱板領域 R〜Rに区画されている。
1 2 5
[0047] 熱板 140の各熱板領域 R〜Rには，給電により発熱するヒータ 141が個別に内蔵
1 5
され，各熱板領域 R〜R毎に加熱できる。各熱板領域 R〜Rのヒータ 141の発熱
1 5 1 5
量は，温度制御装置 142により調整されている。温度制御装置 142は，ヒータ 141の 発熱量を調整して，各熱板領域 R〜R
1 5の温度を所定の設定温度に制御できる。温 度制御装置 142における温度設定は，例えば後述する温度設定装置 190により行 われる。
[0048] 図 5に示すように熱板 140の下方には，ウェハ Wを下方力も支持して昇降させるた めの第 1の昇降ピン 150が設けられている。第 1の昇降ピン 150は，昇降駆動機構 1 51により上下動できる。熱板 140の中央部付近には，熱板 140を厚み方向に貫通す る貫通孔 152が形成されている。第 1の昇降ピン 150は，熱板 140の下方力も上昇し て貫通孔 152を通過し，熱板 140の上方に突出できる。
[0049] 熱板収容部 131は，熱板 140を収容して熱板 140の外周部を保持する環状の保 持部材 160と，その保持部材 160の外周を囲む略筒状のサポートリング 161を有して いる。サポートリング 161の上面には，処理室 S内に向けて例えば不活性ガスを噴出 する吹き出し口 161aが形成されている。この吹き出し口 161aから不活性ガスを噴出 することにより，処理室 S内をパージすることができる。また，サポートリング 161の外 方には，熱板収容部 131の外周となる円筒状のケース 162が設けられている。
[0050] 加熱部 121に隣接する冷却部 122には，例えばウェハ Wを載置して冷却する冷却 板 170が設けられている。冷却板 170は，例えば図 6に示すように略方形の平板形 状を有し，加熱部 121側の端面が円弧状に湾曲している。図 5に示すように冷却板 1 70の内部には，例えばペルチェ素子などの冷却部材 170aが内蔵されており，冷却 板 170を所定の設定温度に調整できる。
[0051] 冷却板 170は，加熱部 121側に向かって延伸するレール 171に取付けられている 。冷却板 170は，駆動部 172によりレール 171上を移動できる。冷却板 170は，加熱 部 121側の熱板 140の上方まで移動できる。
[0052] 冷却板 170には，例えば図 6に示すように X方向に沿った 2本のスリット 173が形成 されている。スリット 173は，冷却板 170の加熱部 121側の端面力も冷却板 170の中 央部付近まで形成されている。このスリット 173により，加熱部 121側に移動した冷却 板 170と熱板 140上に突出した第 1の昇降ピン 150との干渉が防止される。図 5に示 すように冷却部 122内のスリット 173の下方には，第 2の昇降ピン 174が設けられてい る。第 2の昇降ピン 174は，昇降駆動部 175によって昇降できる。第 2の昇降ピン 174 は，冷却板 170の下方力も上昇してスリット 173を通過し，冷却板 170の上方に突出 できる。
[0053] 図 6に示すように冷却板 170を挟んだ筐体 120の両側面には，ウェハ Wを搬入出 するための搬入出口 180が形成されている。
[0054] 以上のように構成された PEB装置 84では，先ず，搬入出口 180からウェハ Wが搬 入され，冷却板 170上に載置される。続いて冷却板 170が移動して，ウェハ Wが熱 板 140の上方に移動される。第 1の昇降ピン 150によって，ウェハ Wが熱板 140上に 載置されて，ウェハ Wが加熱される。そして，所定時間経過後，ウェハ Wが再び熱板 140から冷却板 170に受け渡され冷却され，当該冷却板 170から搬入出口 180を通 じて PEB装置 84の外部に搬出されて一連の熱処理が終了する。
[0055] 次に，上記 PEB装置 84の熱板 140の温度設定を行う温度設定装置 190の構成に ついて説明する。例えば温度設定装置 190は，例えば CPUやメモリなどを備えた汎 用コンピュータにより構成され，例えば図 5及び図 7に示すように熱板 140の温度制 御装置 142に接続されて 、る。
[0056] 温度設定装置 190は，例えば図 8に示すように各種プログラムを実行する演算部 2 00と，例えば温度設定のための各種情報を入力する入力部 201と，温度補正値を 算出するための算出モデル Mなどの各種情報を格納するデータ格納部 202と，温度 設定のための各種プログラムを格納するプログラム格納部 203と，熱板 140の温度設 定を変更するために温度制御装置 142と通信する通信部 204などを備えて 、る。
[0057] 例えばプログラム格納部 202には，例えば算出モデル Mが格納されている。算出 モデル Mは，例えば図 9に示すようにレジストパターンの線幅変化量 Δ CDと温度補 正値 ΔΤとの関係式（1)で示される相関モデルである。算出モデル Mは，塗布現像 処理システム 1にお 、て形成されたレジストパターンの線幅測定値に基づ 、て，各熱 板領域 R〜Rの最適温度補正値 ΔΤ,つまりレジストパターンの線幅が最終的にゥ
1 5
ェハ面内で均一になるような温度補正値 Δ Tを算出できる。
[0058] 算出モデル Mは，例えば図 10に示す行列式であり，例えば行列式の各要素 a は ，
,複数の熱板領域 R〜Rのうちの任意の熱板領域の温度を 1°C変化させたときの各
1 5
ウェハ領域 w〜wの線幅変動量を，例えば総ての組み合わせについて測定するこ
1 5
とによって求められている。
[0059] プログラム格納部 203には，例えば図 8に示すように算出モデル Mの関係式（1)を 用いて各熱板領域 R〜Rの温度補正値 ΔΤを算出するプログラム PIや，算出され
1 5
た温度補正値 ΔΤに基づいて，温度制御装置 142の既存の温度設定を変更するプ ログラム P2などが格納されている。なお，温度設定装置 190の機能を実現するため の各種プログラムは，コンピュータ読み取り可能な記録媒体により温度設定装置 190 にインストールされたものであってもよ 、。
[0060] 次に，以上のように構成された温度設定装置 190による温度設定プロセスについて 説明する。図 11は，力かる温度設定プロセスのフローを示す。
[0061] 先ず，塗布現像処理システム 1において一連のフォトリソグラフィー工程が行われた ウェハ Wが線幅測定装置 110に搬送され，ウェハ W上のレジストパターンの線幅が 測定される（図 11の工程 Sl)。この際，ウェハ面内の複数の測定点 Qの線幅が測定 され，熱板 140の各熱板領域 R〜Rに対応する各ウェハ領域 W〜Wの線幅が求 められる。
[0062] 続いて，線幅測定装置 110における線幅測定の結果が温度設定装置 190に出力 される。温度設定装置 190では，例えば各ウェハ領域 W〜Wの線幅測定値に基づ
1 5
いて，算出モデル Mにより最適温度補正値 ΔΤが算出される（図 11の工程 S2)。例 えば図 12に示すように，関係式（1)の線幅変化量 Δ CDに， 目標線幅である平均線 幅 Eと各ウェハ領域 W〜Wの測定線幅値 CD , CD , CD , CD , CDの差を代入
1 5 1 2 3 4 5 することによって，各熱板領域 R〜Rの温度補正値 ΔΤ , ΔΤ , ΔΤ , ΔΤ , ΔΤ が算出される。
[0063] その後，各温度補正値 ΔΤ〜 ΔΤの情報が通信部 204から温度制御装置 142に
1 5
出力され，温度制御装置 142における熱板 140の各熱板領域 R〜Rの温度補正値
1 5
が変更され，新たな設定温度に設定される（図 11の工程 S3)。
[0064] 以上の実施の形態によれば，温度補正値と線幅との相関から作成された算出モデ ル Mにより，ウェハ面内の線幅が均一になるような各領域 R〜Rの温度補正値 ΔΤ
1 5
が算出される。この結果，塗布現像処理システム 1におけるフォトリソグラフィー工程 において，レジストパターンの線幅がウェハ面内において均一に形成される。
[0065] ところで，線幅測定装置 110により，ウェハ面内の複数の測定点 Qの線幅測定値が 得られる。この各測定点 Qにおける線幅測定の数値を高さ方向に表し，ウェハ面に 対する垂直面に投射すると，図 13に示すようにウェハ面内における線幅測定値 CD のばらつき傾向が示される。上記実施の形態における温度補正値 ΔΤは，このゥェ ハ面内における線幅測定値のばらつき傾向のウェハ面内の X方向の傾き成分， Y方 向の傾き成分及び湾曲成分を求め，それらの各ばらつき傾向成分が減少するように 設定されてもよい。なお，本実施の形態においては，図 4に示すように X軸は，ウェハ Wの直径上でウェハ領域 W , W , Wを通り， Y軸は，ウェハ Wの直径上でウェハ領
4 1 2
域 W , W , Wを通るように設定されている。
3 1 5
[0066] かかる場合，先ず，線幅測定装置 110によって測定された線幅測定値のばらつき 傾向から， X方向の傾き成分， Y方向の傾き成分及び湾曲成分が算出される。例え ば図 14に示すように X軸を含む垂直面に投射された線幅測定値の分布から，最小 二乗法を用いて， X方向の傾き成分 Fxが算出される。また，図 15に示すように Y軸を 含む垂直面に投射された線幅測定値の分布から，最小二乗法を用いて Y方向の傾 き成分 Fyが算出される。さらに，線幅測定値の全体のばらつき傾向から， X方向の傾 き成分 Fxと Y方向の傾き成分 Fyを除くことにより，図 16に示すように凸状の湾曲成 分 Fzが求められる。
[0067] 続いて，上記各ばらつき傾向成分 Fx, Fy, Fzがなくなるような温度補正値 ΔΤが算 出される。例えば X方向の傾き成分 Fxから，図 14に示すウェハ領域 Wにおける線
2
幅変化量 Δ CD と，ウェハ領域 Wの線幅変化量 Δ CD が算出される。また， Y と，ウェハ領域 Wの線幅変化量 Δ CD が算出される。さらに湾曲成分 Fzから，例
5 5-1
えば図 16に示すウェハ中心部のウェハ領域 Wの線幅変化量 Δ CDと，ウェハ外周 部の各ウェハ領域 W〜Wの各線幅変化量 Δ CD , ACD , ACD , ACD
2 5 2-2 3-2 4-2 5 が算出される。例えば各ばらつき傾向成分 Fx, Fy, Fzにおける線幅変動量がゥェ
-2
ハ領域毎に加算され，各ウェハ領域の線幅変動量 Δ CD， ACD (ACD + ^C
1 2 2-1
D )， ACD (ACD +ACD )， ACD (ACD +ACD )， ^CΌ (Δ
2-2 3 3-1 3-2 4 4-1 4-2 5
CD +ACD )が算出される。
5-1 5-2
[0068] 算出された各線幅変化量 Δ CD〜ACDが上述の関係式（1)に代入され，算出
1 5
モデル Mにより温度補正値 ΔΤが算出される。これにより，各線幅変化量 ACD〜Δ CDが零になり，各ばらつき傾き成分 Fx, Fy, Fzが零になる温度補正値 ΔΤ,つまり
5
ウェハ面内の線幅のばらつきがなくなる温度補正値 ΔΤが算出される。
[0069] なお，上記温度補正値 ΔΤの算出プロセスは，例えば温度設定装置 190のプログ ラム格納部 203に格納されたプログラムを実行することにより実現される。
[0070] この例によれば，ウェハ面内の多数の測定点で測定された線幅測定値が 3つのば らつき傾向成分 Fx, Fy, Fzに分けられ，そのばらつき傾向成分 Fx, Fy, Fzに基づ いて，ばらつき傾向成分 Fx, Fy, Fzがなくなるように温度補正値 ΔΤが算出される。 こうすることにより，温度補正値 ΔΤをより簡単に求めることができる。
[0071] 以上の実施の形態における算出された各熱板領域 R〜Rの温度補正値 ΔΤは，
1 5
少なくとも PEB装置 84における熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより 定まる処理レシピ毎に設定されるようにしてもよい。つまり，熱処理温度又はレジスト 液の種類のいずれかが異なる処理レシピに対しては，異なる算出モデル Mが用いら れ，異なる温度補正値 ΔΤが設定されるようにしてもよい。例えば図 17に示すように， 加熱温度又はレジスト液が異なる処理レシピ H (加熱温度 T1,レジスト液 B1),処理 レシピ 1(加熱温度 T1,レジスト液 B2),処理レシピ J (加熱温度 T2,レジスト液 B1), 処理レシピ K (加熱温度 T2,レジスト液 B2)が設定されている場合，それらの各処理 レシピ H〜K毎に，算出モデル M , M , M , Mが設定され，各熱板領域 R〜Rの
1 2 3 4 1 5 温度補正値が算出され設定される。かかる場合，レジスト液が変更され，処理レシピ が変更されても，当該処理レシピに応じた最適な面内温度でウェハ wが熱処理され るので，レジストパターンの線幅のウェハ面内の均一性を確保できる。
[0072] 以上の実施の形態で記載した算出モデル Mは，例えば図 18に示すようにレジスト 液に影響されるモデル成分 αと，レジスト液以外の他の処理条件に影響されるモデ ル成分 Mtに分離するようにしてもょ 、。ここで 、うレジスト液以外の他の処理条件に は，例えば処理温度，処理時間，処理装置の状態など線幅に影響を与えるものが含 まれる。かかる場合，例えば処理レシピに従って，レジスト液が変更され，異なる算出 モデル Mに変更される場合に，算出モデル Mのうちのモデル成分 (Xのみを変更す れば足りる。また，例えば処理温度などのレジスト液以外の他の処理条件が変更され る場合には，算出モデル Mのモデル成分 Mtのみを変更すれば足りる。このようにレ ジスト液の変更や処理温度の変更などに柔軟かつ迅速に対応できる。
[0073] さらに，モデル成分 Mtは，図 19に示すようにフォトリソグラフィー工程における露光 処理条件に影響されるモデル成分 Mtlと，露光処理条件以外の処理条件に影響さ れるモデル成分 Mt2に分離するようにしてもよい。ここでいう露光処理条件は，例え ば露光量 (ドーズ量，フォーカス量），露光装置の状態などの線幅に影響を与えるも のであり，露光処理条件以外の処理条件は，例えば PEB装置における加熱処理の 加熱時間，加熱温度， PEB装置の状態などの線幅に影響を与えるものである。かか る場合，例えば露光装置に不具合が発生した場合には，モデル成分 Mtlのみを変 更することにより，不具合に対応できる。
[0074] ところで，例えば上述の線幅測定装置 110によって行われるウェハ Wの線幅測定 の結果には，線幅測定装置 110の測定精度により生じる測定誤差と，ウェハの処理 中に処理装置などのプロセス状態が僅かに変動することにより生じるプロセス誤差が 含まれることがある。上記実施の形態で記載した算出モデル Mは，予め測定された 各ウェハ領域の線幅変動量と温度補正値との相関により作成されるものであるが，こ の算出モデル Mの作成時に，上記測定誤差とプロセス誤差を加味してもよい。例え ば，レジストパターンが形成された一枚のウェハ Wを線幅測定装置 110により複数回 測定し，その測定値のばらつき例えば標準偏差を求め，この標準偏差を算出モデル Mの各要素にカルマンフィルタを用いて反映させる。これにより，測定誤差を予め考 慮した算出モデル Mを作成することができる。また，同じ処理レシピにより枚様式にレ ジストパターンが形成された複数枚のウエノ、 Wを線幅測定装置 110により測定し，そ の測定値のばらつき例えば標準偏差を求める。この標準偏差を算出モデル Mの各 要素にカルマンフィルタを用いて反映させる。これにより，プロセス誤差を予め考慮し た算出モデル Mを作成することができる。
[0075] 線幅測定装置 110が電子ビーム式のもの（CD— SEM)である場合には，同じレジ ストパターンに複数回電子ビームが照射されると，その電子ビームによりレジストバタ 一ンの線幅が変動してしまう。このため，線幅測定装置 110の測定誤差が正確に検 出されない恐れがある。そこで，線幅測定装置 110の測定誤差を，一枚のウェハ W の線幅測定で検出してもよい。例えば線幅測定装置 110は，図 20に示すようにゥェ ハ面内の測定点 Qにおける微小領域を複数に分割し，当該各分割部分の線幅を検 出し，その平均値を算出することにより，測定点 Qにおける線幅を測定している。この 場合，図 21に標本の大きさを決定する一般式から求められた理論式 (2)により測定 精度 dを算出してもよい。理論式（2)における σは，微小領域における線幅の標準偏 差であり， Ζ = 1. 96 (Ζ :正規累積分布の逆関数， α =0. 05 (信頼確率 95%)の 場合)であり， ηは，分割数である。この算出された測定精度 dは，算出モデル Mに反 映される。かかる場合，一回の線幅測定により測定誤差が検出できるので，電子ビー ムを用いる場合においても，正確な測定誤差を検出できる。また，測定誤差の検出を 簡単かつ迅速に行うことができる。
[0076] 以上の実施の形態のように，ウェハ面内のウェハ領域 W 当
1〜Wの線幅を測定し， 5
該各ウェハ領域 W〜Wに対応している各熱板領域 R
1〜Rの温度補正値を設定す
1 5 5
る場合，熱板 140に載置されたときのウェハ Wの向き，つまりウェハ Wのノッチ位置が 一定であることが必要である。これは，熱板 40上のウェハ Wの向きがずれると，測定 線幅のウェハ領域に対応する熱板領域が特定できなくなるからである。ウェハ wのノ ツチ位置のァライメントは，塗布現像処理システム 1におけるフォトリソグラフィー工程 の露光処理時に行われる。しかしながら，露光処理からポストェクスポージャーべ一 キングまでの間にウェハ Wのノッチ位置がずれる可能性がある。そこで，その間に，ゥ エノ、 Wをァライメント機能のある装置，例えば周辺露光装置 94に搬送し，再度ァライ メントを行って力も PEB装置に搬入してもよい。また， PEB装置に，ウェハ Wのノッチ 位置を検出する検出部材としての CCDカメラを取り付け，ウェハ W力 PEB装置内に 搬送された際に，ウェハ Wのノッチ位置のずれを検出してもよい。そして，ウェハ Wの ノッチ位置がずれて 、る場合に，そのノッチ位置のずれを例えば算出モデル Mに反 映させ，線幅測定の位置に対応した各熱板領域 R
1〜Rの温度補正値を算出しても 5
よい。こうすることにより，各熱板領域 R〜Rの温度設定を適正に行うことができる。
1 5
[0077] 以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず 種々の態様を採りうるものである。例えば上記実施の形態において，温度設定された 熱板 140は， 5つの領域に分割されていたが，その数は任意に選択できる。また，上 記実施の形態は， PEB装置 84の熱板 140を温度設定する例であつたが，熱板を備 えたプリべ一キング装置やポストべ一キング装置などの他の加熱処理装置や，ゥェ ハ Wを載置して冷却する冷却板を備えた冷却処理装置にも本発明は適用できる。さ らに，本発明は，ウェハ以外の例えば FPD (フラットパネルディスプレイ），フォトマス ク用のマスクレチクルなどの他の基板を熱処理する熱処理板の温度設定にも適用で きる。
産業上の利用可能性
[0078] 本発明は，レジストパターンの線幅が基板面内で均一に形成されるように，熱処理 板の温度設定を行う際に有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定方法であって，
前記熱処理は，基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程におい て行われるものであり，
前記熱処理板は複数の領域に区画されて当該領域毎に温度設定され， さらに前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上の基板の面内温度を調整するため の温度補正値が設定され，
前記各領域の温度補正値は，熱処理板にお!、て熱処理されて形成されるレジストパ ターンの線幅と温度補正値との相関力 作成された算出モデルによって算出されて 設定され，
前記算出モデルは，基板面内のレジストパターンの線幅測定値に基づいて，基板面 内の線幅が均一になるような温度補正値を算出する。
[2] 請求項 1に記載の熱処理板の温度設定方法にお!、て，
基板面内の複数の線幅測定位置における線幅測定値を高さ方向に表すことによつ て示される基板面内における線幅測定値のばらつき傾向から，基板面内の X方向の 傾き成分と，基板面内の X方向に直交する Y方向の傾き成分と，基板面内の湾曲成 分との各ばらつき傾向成分が求められ，
前記算出モデルにより，前記各ばらつき傾向成分が減少するような温度補正値が算 出する。
[3] 請求項 2に記載の熱処理板の温度設定方法にお 、て，
前記 X方向の傾き成分と Y方向の傾き成分は，基板面内の複数の線幅測定値力ゝら最 小二乗法により求められ，
前記湾曲成分は，前記基板面内における線幅測定値の傾向から前記 X方向の傾き 成分と Y方向の傾き成分を除くことにより求める。
[4] 請求項 1に記載の熱処理板の温度設定方法にお!、て，
前記算出モデルは，レジスト液によって定まる一のモデル成分とレジスト液以外の他 の処理条件によって定まる他のモデル成分に分離されている。
[5] 請求項 4に記載の熱処理板の温度設定方法にお 、て， 前記他のモデル成分は，フォトリソグラフィー工程における露光処理条件によって定 まる第 1のモデル成分と，露光処理条件以外の処理条件によって定まる第 2のモデ ル成分にさらに分離されて 、る。
[6] 請求項 1に記載の熱処理板の温度設定方法にお!、て，
前記各領域の温度補正値は，少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わ せにより定まる処理レシピ毎に設定される。
[7] 請求項 1に記載の熱処理板の温度設定方法にお!、て，
前記熱処理は，露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理である。
[8] 基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定装置であって，
前記熱処理は，基板上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程におい て行われるものであり，
前記熱処理板は複数の領域に区画されて，当該領域毎に温度設定され， さらに，前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上の基板の面内温度を調整するた めの温度補正値が設定され，
前記各領域の温度補正値は，熱処理板にお!、て熱処理されて形成されるレジストパ ターンの線幅と温度補正値との相関力 作成された算出モデルにより算出されて設 定され，
前記算出モデルは，レジストパターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が 均一になるような温度補正値を算出できるものである。
[9] 請求項 8に記載の熱処理板の温度設定装置にお 、て，
基板面内の複数の線幅測定位置における線幅測定値を高さ方向に表すことによつ て示される基板面内における線幅測定値のばらつき傾向から，基板面内の X方向の 傾き成分と，基板面内の X方向に直交する Y方向の傾き成分と，基板面内の湾曲成 分との各ばらつき傾向成分が求められ，
前記算出モデルは，前記各ばらつき傾向成分が減少するような温度補正値を算出で きるものである。
[10] 請求項 9に記載の熱処理板の温度設定装置において，
前記 X方向の傾き成分と Y方向の傾き成分は，基板面内の複数の線幅測定値力ゝら最 小二乗法により求められ，
前記湾曲成分は，前記基板面内における線幅測定値の傾向から前記 X方向の傾き 成分と Y方向の傾き成分を除くことにより求められる。
[11] 請求項 8に記載の熱処理板の温度設定装置において，
前記算出モデルは，レジスト液によって定まる一のモデル成分とレジスト液以外の他 の処理条件によって定まる他のモデル成分に分離されている。
[12] 請求項 11に記載の熱処理板の温度設定装置にお!、て，
前記他のモデル成分は，フォトリソグラフィー工程における露光処理条件によって定 まる第 1のモデル成分と，露光処理条件以外の処理条件によって定まる第 2のモデ ル成分にさらに分離されて 、る。
[13] 請求項 8に記載の熱処理板の温度設定装置において，
前記各領域の温度補正値は，少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わ せにより定まる処理レシピ毎に設定される。
[14] 請求項 8に記載の熱処理板の温度設定装置において，
前記熱処理は，露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理である。
[15] レジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程にぉ 、て行われる基板の熱処理 を熱処理板で行うための温度設定装置に使用されるプログラムであって， 前記熱処理板は複数の領域に区画され，かつ当該領域毎に温度設定可能なもので あり，さらに前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上の基板の面内温度を調整する ための温度補正値が設定されており，
前記プログラムは，前記各領域の温度補正値を，熱処理板において熱処理されて形 成されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関力 作成された算出モデルに より算出することをコンピュータに実行させるものであり，この算出モデルは，レジスト ノ ターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が均一になるような温度補正値 を算出できるものである。
[16] レジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程にぉ 、て行われる基板の熱処理 を熱処理板で行うための温度設定装置に使用されるプログラムを記録した，コンビュ ータ読み取り可能な記録媒体であって， 前記プログラムは，前記各領域の温度補正値を，熱処理板において熱処理されて形 成されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関力 作成された算出モデルに より算出することをコンピュータに実行させるものであり，この算出モデルは，レジスト パターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が均一になるような温度補正値 を算出できるものである。
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