WO2006085625A1

WO2006085625A1 - 電子部品

Info

Publication number: WO2006085625A1
Application number: PCT/JP2006/302388
Authority: WO
Inventors: Yuichi Miyata; Yukio Isowaki; Hiroyuki Maruta
Original assignee: Soshin Electric Co., Ltd.
Priority date: 2005-02-10
Filing date: 2006-02-10
Publication date: 2006-08-17
Also published as: US7764143B2; US7737803B2; CN101116243A; US20090009267A1; US20090021326A1; CN101116157A; JPWO2006085625A1; JPWO2006085624A1; CN101116243B; WO2006085624A1

Abstract

　第１コイル（Ｌ１）を形成するための第６コイル電極（５０ｆ）と、第２コイル（Ｌ２）を形成するための第１２コイル電極（５２ｆ）とを例えば第２コンデンサ電極層（Ｓｂ２）における第２コンデンサ電極（３６）を介して電気的に接続するようにしている。これにより、誘電体部（１８）の透磁率は、磁性体部（２０）の透磁率よりも大幅に小さいことから（例えば透磁率μ＝１）、等価的に現れる第１コイル（Ｌ１）及び第２コイル（Ｌ２）間の結合を無視できるほど小さくすることができ、所望の周波数特性を得ることができる。

Description

明細書

電子部品

技術分野

[0001] 本発明は、誘電体部と磁性体部とが接合されてなる基体を有する電子部品に関し、例えば LCフィルタ等に用、て好適な電子部品に関する。

背景技術

[0002] 近時、携帯電話等の携帯機器 (電子機器を含む）に FMラジオ受信機及び Z又は FMトランスミッターを搭載することが考えられている。この場合、携帯機器において通常使用されている周波数帯域の信号を通過させるフィルタに加えて、 FM帯域の信号を通過させるフィルタが必要になる。

[0003] 従来、 FM帯域の信号を通過させるフィルタとしては、誘電体フィルタが使われて!/ヽた。

[0004] ここで、例えば従来の誘電体フィルタとしては、例えば特許文献 1に開示されたフィルタがあるが、このフィルタは、 500MHzレベルのスプリアスを減衰させることを目的としている。確かに FM帯域を含む 76〜108MHzの信号を通過させることはできるが、携帯機器において通常使用されている周波数帯域である 800MHz、 1. 4GHz、 1 . 9GHz、 2. 5GHz、 5GHz等の高域の信号を減衰させるという考えはない。

[0005] 従って、携帯機器に FMラジオ受信機及び/又は FMトランスミッターを搭載する場合、高域のノイズを抑圧することはできないことは明らかである。

[0006] また、フィルタに要求されるインダクタンスの値は、周波数が低くなるほど大きな値が要求される。通過域が lOOMHz近辺にあるフィルタでコイルを形成しょうとすると、必要なインダクタンスを得るために、ターン数を増やしたり、コイルの形状を大きくしなければならない。

[0007] コイルのターン数を増やすことによって、必要なインダクタンスは得られる力コイルの導体抵抗が増加して、 Q特性が劣化してしまい、良好なフィルタ特性が得られない。また、浮遊成分が発生して、良好な減衰特性が得られないという不都合がある。し力も、コイルの面積が大きくなり、小型化することができない。これは、小型化傾向にある携帯機器への搭載に不利となる。ちなみに従来のフィルタの寸法は、 4. 8mm X 3. 5mmと大きぐ携帯機器に使える大きさではなかった。

[0008] また、従来にお!ヽては、誘電体層と磁性体層とが接合されてなる基体を有する積層型電子部品が提案されている (例えば特許文献 2参照)。しかし、この積層型電子部品は、ダミー層を追加することで、もっぱら製品に反りや、デラミネーシヨンや、クラックの発生を抑えることを目的としたものであって、携帯機器に FMラジオ受信機及び Z 又は FMトランスミッターを搭載するという目的を達成できるかどうかは不明であった。

[0009] 特許文献 1 :特許 2505135号公報

特許文献 2：特開 2003 - 37022号公報

発明の開示

[0010] 本発明は、上述した誘電体層と磁性体層とが接合されてなる基体を有する積層型電子部品を改良し、電子部品の小型化、特性の向上を図ることができ、例えば携帯機器に FMラジオ受信機及び Z又は FMトランスミッターを搭載することを可能にする電子部品を提供することを目的とする。

[0011] 本発明に係る電子部品は、誘電体部と磁性体部とが接合されてなる基体と、前記基体の前記誘電体部に形成された複数のコンデンサ電極と、前記基体の前記磁性体部に形成された複数のコイル電極とを有する電子部品において、 1つの前記コィル電極と他の前記コイル電極と力 1つの前記コンデンサ電極を介して電気的に接続されて!ヽることを特徴とする。

[0012] 例えば 2つのコイルを電気的に接続する場合、通常、磁性体部内において、 1つのコイル電極（一方のコイルの端部）と他のコイル電極 (他方のコイルの端部）とを電気的に接続することが考えられる。

[0013] しかし、この場合、等価的に 2つのコイル間に正の結合が生じるために、電子部品をフィルタとして使用した場合に、フィルタの通過帯域が狭くなり、所望の周波数特性を得ることができなくなるおそれがある。

[0014] 一方、本発明は、磁性体部に形成された 1つのコイル電極と他のコイル電極とを、誘電体部に形成された 1つのコンデンサ電極を介して電気的に接続するようにしているため、等価的に現れる 2つのコイル間の結合を無視できるほど小さくすることができ、所望の周波数特性を得ることができる。

[0015] また、本発明に係る電子部品は、誘電体部と磁性体部とが接合してなる基体と、前記基体の前記誘電体部に形成された少なくとも 1つの接地電極と、前記基体の前記誘電体部に形成された複数のコンデンサ電極と、前記基体の前記磁性体部に形成された複数のコイル電極とを有する電子部品において、前記複数のコンデンサのうち、少なくとも第 1コンデンサ電極と前記接地電極とが前記誘電体部の第 1形成面にそれぞれ形成され、前記複数のコンデンサのうち、少なくとも第 2コンデンサ電極及び第 3コンデンサ電極が前記誘電体部の第 2形成面にそれぞれ形成され、前記接地電極と前記第 2コンデンサ電極とが対向し、前記第 2コンデンサ電極と前記第 3コンデンサ電極とが前記第 1コンデンサ電極に対向していることを特徴とする。

[0016] 例えば 1つのコンデンサ電極と接地電極間でグランド間容量を形成し、他の 2つのコンデンサ電極にてグランド間容量とは異なるコンデンサを形成する場合を想定したとき、接地電極が幅広く形成されていると、接地電極が 3つのコンデンサ電極に対向してしまい、その結果、接地電極間で浮遊容量が発生し、高周波減衰特性が劣化するおそれがある。

[0017] 一方、本発明は、第 1コンデンサ電極と接地電極とを誘電体部の第 1形成面にそれぞれ形成し、第 2コンデンサ電極及び第 3コンデンサ電極を誘電体部の第 2形成面にそれぞれ形成し、さらに、接地電極と第 2コンデンサ電極とを対向させ、第 2コンデンサ電極と第 3コンデンサ電極とを第 1コンデンサ電極に対向させるようにしたので、接地電極間で浮遊容量は発生しなくなり、高周波減衰特性の劣化を抑制することができる。

[0018] し力も、上述の組み合わせを 1つの配列パターンとしたとき、この配列パターンを誘電体部における誘電体層の積層方向に並べることによって、グランド間容量並びにコンデンサの容量を増大させることができ、高周波減衰特性をさらに向上させることができる。

[0019] 以上説明したように、本発明に係る電子部品によれば、電子部品の小型化、特性の向上を図ることができ、例えば携帯機器に FMラジオ受信機及び Z又は FMトランスミッタ一を搭載することを可能にする。図面の簡単な説明

[図 1]図 1は、本実施の形態に係るフィルタを示す回路図である。

[図 2]図 2は、本実施の形態に係るフィルタの外観を示す斜視図である。

[図 3]図 3は、第 1の具体例に係るフィルタを示す分解斜視図である。

[図 4]図 4は、第 1のコイルと第 2のコイルに関する通常の電気的接続例を示す斜視図である。

[図 5]図 5A及び図 5Bは、図 4の接続例による作用を示す説明図である。

[図 6]図 6は、第 1の具体例に係るフィルタにおいて、第 1のコイルと第 2のコイルに関する電気的接続例を示す斜視図である。

[図 7]図 7は、図 6の接続例による作用を示す説明図である。

[図 8]図 8は、第 1〜第 3のコンデンサを形成するための通常の電極の積層例とその作用を示す説明図である。

[図 9]図 9は、第 1の具体例に係るフィルタにおいて、第 1〜第 3のコンデンサを形成するための電極の積層例とその作用を示す説明図である。

[図 10]図 10は、第 2の具体例に係るフィルタに関する第 1の実験例 (xBaO'y Nd O

1 2 3

•y Bi O -zTiOにおいて、組成 (x、 y、 y及び z)を変えて基体を作製した場合の誘

2 2 3 2 1 2

電特性を測定)の結果を示す表図である。

[図 11]図 11は、接合部を構成する誘電体材料の好まヽ実施例を示す表図である。

[図 12]図 12は、第 2の具体例に係るフィルタに関する第 2の実験例 (NiO、 ZnO、 Fe

2

O、 Co O、 CuOにおいて、組成を変えて基体を作製した場合の初透磁率と高周波

3 3 4

特性を測定)の結果を示す表図である。

[図 13]図 13は、第 2の具体例に係るフィルタに関する第 3の実験例 (ZnOと Co Oの

3 4 組成選定に関わる周波数（l〜1000MHz)に対する Qの変ィ匕）において、実施例 28 、比較例 14及び 15の結果を示す表図である。

[図 14]図 14は、第 2の具体例に係るフィルタに関する第 4の実験例 (ZnOと Co Oの

3 4 組成選定に関わる周波数（1〜： LOOOMHz)に対するインダクタンス値の変ィ匕）において、実施例 28、比較例 14及び 15の結果を示す表図である。

[図 15]図 15は、第 3の実験例において、比較例 14及び 16の結果を示す表図である [図 16]図 16は、第 4の実験例において、比較例 14及び 16の結果を示す表図である

[図 17]図 17は、第 2の具体例に係るフィルタと誘電体材料の基体で構成されたフィルタ（従来例）の減衰特性 (0〜2GHz)を示す図である。

[図 18]図 18は、第 2の具体例に係るフィルタの減衰特性 (0〜6GHz)を示す図である

[図 19]図 19は、第 2の具体例に係るフィルタと誘電体材料の基体で構成されたフィルタ (従来例)の挿入損失特性を示す図である。

[図 20]図 20は、第 5の実験例において、 Co Oの添加量に対する温度係数及び高

3 4

周波特性の変化を示す特性図である。

[図 21]図 21は、第 5の実験例において、 ZnOの添加量に対する温度係数及び高周波特性の変化を示す特性図である。

[図 22]図 22は、第 5の実験例において、 Fe Oの添加量に対する温度係数及び高周

2 3

波特性の変化を示す特性図である。

[図 23]図 23は、第 5の実験例において、 NiOの添加量に対する温度係数及び高周波特性の変化を示す特性図である。

[図 24]図 24は、第 3の具体例に係るフィルタに関する第 6の実験例 (NiO、 ZnO、 Fe

2

O、 Co O、 CuOにおいて、組成を変えて基体を作製した場合の初透磁率、温度係

3 3 4

数及び高周波特性を測定)の結果を示す表図である。

発明を実施するための最良の形態

[0021] 以下、本発明に係る電子部品を例えば FMラジオ受信機及び Z又は FMトランスミッター用のフィルタに適用した実施の形態例を図 1〜図 24を参照しながら説明する。

[0022] 本実施の形態に係るフィルタ 10は、基本的には図 1に示すように、入力端子 12とグランド間に第 1コンデンサ C1と第 1コイル L1がそれぞれ並列に接続され、入力端子 1 2と出力端子 14間に第 2コンデンサ C2及び第 3コンデンサ C3が直列に接続され、さらに、第 2コンデンサ C2の両端に第 2コイル L2が並列に接続された回路構成を有する。 [0023] 具体的には、図 2に示すように、基体 16を有する。この基体 16は、誘電体部 18と、磁性体部 20と、これら誘電体部 18と磁性体部 20とを接合する接合部 22と、磁性体部 20の下部に接合されたダミー部 24とが焼成一体ィ匕されて構成されている。

[0024] なお、ダミー部 24は、特許文献 2にも示すように、基体 16に反りや、デラミネーションゃ、クラックの発生を抑えることを目的として形成したものである。材料の選定等につ!、ては特許文献 2を参照された、。

[0025] ここで、本実施の形態に係るフィルタ 10について、 3つの具体例を図 3〜図 24を参照しながら説明する。

[0026] まず、第 1の具体例に係るフィルタ 10Aについて図 1〜図 9を参照しながら説明する

[0027] この第 1の具体例に係るフィルタ 10Aにおいて、誘電体部 18は、図 3に示すように、複数の誘電体層が積層されて構成され、その内訳は、上カゝら順に、第 1ダミー層 Sal 、第 2ダミー層 Sa2、第 1コンデンサ電極層 Sbl〜第 4コンデンサ電極層 Sb4及び第 3 ダミー層 Sa3となっている。これら第 1ダミー層 Sal、第 2ダミー層 Sa2、第 1コンデンサ電極層 Sb 1〜第 4コンデンサ電極層 Sb4及び第 3ダミー層 Sa3は、 1枚あるヽは複数枚の層にて構成される。

[0028] 磁性体部 20は、複数の磁性体層が積層されて構成され、その内訳は、上カゝら順に、第 1ダミー層 Scl〜第 4ダミー層 Sc4、第 1コイル電極層 Sdl〜第 6コイル電極層 Sd 6及び第 5ダミー層 Sc5〜第 7ダミー層 Sc7となっている。これら第 1ダミー層 Scl〜第 4ダミー層 Sc4、第 1コイル電極層 Sdl〜第 6コイル電極層 Sd6及び第 5ダミー層 Sc5 〜第 7ダミー層 Sc7は、 1枚あるいは複数枚の層にて構成される。

[0029] 接合部 22は、 1つの中間層 Seにて構成され、この中間層 Seは、 1枚あるいは複数枚の層にて構成される。

[0030] ダミー部 24は、 1つのダミー層 Sfにて構成され、このダミー層 Sfは、 1枚あるいは複数枚の層にて構成される。

[0031] なお、誘電体部 18における第 1ダミー層 Sal〜第 3ダミー層 Sa3並びに磁性体部 2 0における第 1ダミー層 Scl〜第 7ダミー層 Sc7は、いずれも、ダミー部 24と同様に、基体 16の反りや、デラミネーシヨンや、クラックの発生を抑えることを目的として形成したものである。

[0032] また、図 2に示すように、基体 16の第 1側面 16aに入力端子 12とグランド端子 26と出力端子 14とが形成され、基体 16の第 2側面 16b (第 1側面 16aと反対の側面）に第 1接続端子 28a及び第 2接続端子 28bと、 NC (Non— connection)端子 30とが形成されている。

[0033] そして、図 3に示すように、第 1コンデンサ電極層 Sbl〜第 4コンデンサ電極層 Sb4 並びに第 1コイル電極層 Sd 1〜第 6コイル電極層 Sd6には各種電極層が形成されている。その内訳を説明すると、まず、第 1コンデンサ電極層 Sblの一主面には、一端力 Sグランド端子 26に接続された第 1グランド電極 32と、一端が第 1接続端子 28aに接続された第 1コンデンサ電極 34とが形成されている。第 1コンデンサ電極 34は、第 1 グランド電極 32に向けて張り出す張出し部 34aを有する。

[0034] 第 2コンデンサ電極層 Sb2の一主面には、一端が入力端子 12に接続され、他端が第 2接続端子 28bに接続された第 2コンデンサ電極 36と、一端が出力端子 14に接続された第 3コンデンサ電極 38とが形成されている。第 2コンデンサ電極 36は、第 3コンデンサ電極 38に向けて張り出す張出し部 36aを有する。

[0035] 第 3コンデンサ電極層 Sb3の一主面には、第 1コンデンサ電極層 Sblに形成された第 1グランド電極 32と第 1コンデンサ電極 34と同様の第 2グランド電極 40と第 4コンデンサ電極 42とが形成されている。第 4コンデンサ電極 42は、第 2グランド電極 40に向けて張り出す張出し部 42aを有する。

[0036] 第 4コンデンサ電極層 Sb4の一主面には、第 2コンデンサ電極層 Sb2に形成された第 2コンデンサ電極 36と第 3コンデンサ電極 38と同様の第 5コンデンサ電極 44と第 6 コンデンサ電極 46とが形成されている。第 5コンデンサ電極 44は、第 6コンデンサ電極 46に向けて張り出す張出し部 44aを有する。

[0037] 一方、第 1コイル電極層 Sdl〜第 6コイル電極層 Sd6の各一主面には、それぞれ第 1コイル L1を形成するための第 1コイル電極層 50a〜第 6コイル電極 50fと、それぞれ第 2コイル L2を形成するための第 7コイル電極層 52a〜第 12コイル電極 52fが形成されている。第 1コイル電極層 Sdlの一主面に形成された第 1コイル電極 50aの一端が入力端子 12に接続され、第 7コイル電極 52aの一端が第 1接続端子 28aに接続されている。また、第 6コイル電極層 Sd6の一主面に形成された第 6コイル電極 50fの一端がグランド端子 26に接続され、第 12コイル電極 52fの一端が第 2接続端子 28b に接続されている。さらに、第 1コイル電極 50a〜第 6コイル電極 50fは、それぞれビァホールを介して電気的に接続され、第 7コイル電極 52a〜第 12コイル電極 52fは、それぞれビアホールを介して電気的に接続されて!ヽる。

[0038] これらの構成により、第 1グランド電極 32と該第 1グランド電極 32と対向する第 2コンデンサ電極 36とで形成される容量、第 2グランド電極 40と該第 2グランド電極 40と対向する第 2コンデンサ電極 36とで形成される容量、並びに第 2グランド電極 40と該第 2グランド電極 40と対向する第 5コンデンサ電極 44とで形成される容量の合成容量によって図 1に示す第 1コンデンサ C1が形成される。

[0039] 同様に、第 1コンデンサ電極 34の張出し部 34aと該張出し部 34aと対向する第 2コンデンサ電極 36の張出し部 36aとで形成される容量、第 2コンデンサ電極 36の張出し部 36aと該張出し部 36aと対向する第 4コンデンサ電極 42の張出し部 42aとで形成される容量、並びに第 4コンデンサ電極 42の張出し部 42aと該張出し部 42aと対向する第 5コンデンサ電極 44の張出し部 44aとで形成される容量の合成容量によって図 1 に示す第 2コンデンサ C2が形成される。

[0040] さらに、第 1コンデンサ電極 34と該第 1コンデンサ電極 34と対向する第 3コンデンサ電極 38とで形成される容量、第 3コンデンサ電極 38と該第 3コンデンサ電極 38と対向する第 4コンデンサ電極 42とで形成される容量、並びに第 4コンデンサ電極 42と該第 4コンデンサ電極 42と対向する第 6コンデンサ電極 46とで形成される容量の合成容量によって図 1に示す第 3コンデンサ C3が形成される。

[0041] また、第 1〜第 6コイル電極 50a〜50fにて図 1に示す第 1コイル L1が形成され、第 7〜第 12コイル電極 52a〜52fにて図 1に示す第 2コイル L2が形成される。特に、この第 1の具体例では、第 1コイル電極 50aと第 12コイル電極 52fとを入力端子 12、第 2コンデンサ電極 36及び第 5コンデンサ電極 44並びに第 2接続端子 28bを介して電気的に接続するようにして、る。

[0042] ここで、例えば第 1コイル L1と第 2コイル L2を電気的に接続する場合、図 4に示すように、磁性体部 20内において、第 1コイル L1を形成するための第 6コイル電極 50fと第 2コイル L2を形成するための第 12コイル電極 52fとをリード電極 54を介して電気的に接続することが考えられる。

[0043] しかし、この場合、等価的に見ると、図 5Aに示すように、第 1コイル L1と第 2コイル L 2の接続点 56と入力端子 12との間に第 3コイル L12が接続された形態となり、結果的に、図 5Bに示すように、第 1コイル L1及び第 2コイル L2間に正の結合が生じるため、電子部品をフィルタとして使用した場合に、フィルタの通過帯域が狭くなり、所望の周波数特性を得ることができなくなるおそれがある。

[0044] 一方、第 1の具体例に係るフィルタ 10Aは、図 6にその一部を示すように、第 1コィル L1を形成するための第 6コイル電極 50fと、第 2コイル L2を形成するための第 12コィル電極 52fとを例えば第 2コンデンサ電極層 Sb2における第 2コンデンサ電極 36を介して電気的に接続するようにしているため、図 7に示すように、誘電体部 18の透磁率は、磁性体部 20の透磁率よりも大幅に小さいことから (例えば透磁率 = 1)、等価的に現れる第 1コイル L1及び第 2コイル L2間の結合を無視できるほど小さくすることができ、所望の周波数特性を得ることができる。

[0045] また、図 1に示す第 1コンデンサ C1〜第 3コンデンサ C3を形成する場合、例えば図 8に示すように、例えば第 1誘電体層の一主面ほぼ全面にグランド電極 60を形成し、第 2誘電体層の一主面に第 1電極 62及び第 2電極 64を形成し、第 3誘電体層の一主面に第 3電極 66を形成することが考えられる。この場合、グランド電極 60と第 1電極 62間にて第 1コンデンサ C1が形成され、第 1電極 62と第 3電極 66にて第 2コンデンサ C2が形成され、第 2電極 64と第 3電極 66にて第 3コンデンサ C3が形成されることになる。

[0046] し力し、グランド電極 60が幅広く形成されていると、グランド電極 60が第 1コンデンサ C1の形成とは関係のない 2つの電極 (第電極 642及び第 3電極 66)にも対向してしまい、その結果、グランド電極 60と第 2電極 64間並びにグランド電極 60と第 3電極 66間でそれぞれ浮遊容量 Csl及び Cs2が発生し、高周波減衰特性が劣化するおそれがある。

[0047] 一方、この第 1の具体例に係るフィルタ 10Aにおいては、一部を抽出して示すと、図 9に示すように、第 1グランド電極 32と第 1コンデンサ電極 34とを誘電体部 18の第 1コンデンサ電極層 Sblにそれぞれ形成し、第 2コンデンサ電極 36と第 3コンデンサ電極 38とを第 2コンデンサ電極層 Sb2にそれぞれ形成し、第 1グランド電極 32と第 2 コンデンサ電極 36とを対向させ、第 2コンデンサ電極 36と第 3コンデンサ電極 38とを第 1コンデンサ電極 34に対向させるようにしている。そのため、第 1グランド電極 32は、第 1コンデンサ C1の形成とは関係のない 2つの電極 (第 1コンデンサ電極 34及び第 3コンデンサ電極 38)に対向しなくなる。その結果、第 1グランド電極 32と第 1コンデンサ電極 34間並びに第 1グランド電極 32と第 3コンデンサ電極 38間でそれぞれ浮遊容量は発生しなくなり、高周波減衰特性の劣化を抑制することができる。

[0048] しかも、図 9に示す組み合わせを 1つの配列パターンとしたとき、図 3に示す第 1の具体例に係るフィルタ 10Aでは、この配列パターンを誘電体部 18における誘電体層の積層方向に 2つ並べるようにして!/、るため、第 1コンデンサ C1〜第 3コンデンサ C3 の各容量を増大させることができ、高周波減衰特性をさらに向上させることができる。もちろん、 3つ以上の配列パターンを積層させるようにしてもょ、。

[0049] 次に、第 2の具体例に係るフィルタ 10Bについて図 10〜図 20を参照しながら説明する。

[0050] この第 2の具体例に係るフィルタ 10Bは、図 2に示す誘電体部 18、磁性体部 20及び接合部 22の材料を特定したものである。

[0051] 具体的には、誘電体部 18を構成する誘電体材料は、

xBaO-v Nd O -y Bi O -zTiOにおいて、

1 2 3 2 2 3 2

0. 09≤x≤0. 25

0. 05≤y≤0. 20

1

0<y≤0. 10

2

0. 60≤z≤0. 75

の組成を主成分とする。

[0052] この理由について、図 10に示す第 1の実験例（実施例 1〜13、比較例 1〜6)の結果に基づいて説明する。この第 1の実験例は、 xBaO-y Nd O -y Bi O -zTiOにお

1 2 3 2 2 3 2 いて、組成 (x、 y、 y及び z)を変えて基体 16を作製した場合の誘電特性を測定した

1 2

ものである。この結果を図 10に示す。 [0053] 一般に、誘電体材料は誘電率の高い方が基体 16の小型化が促進でき好ましい。し力し、図 10の結果から、誘電率は 60以上、 120以下であることが好ましい。 60未満では小型化の効果が十分ではなく（比較例 1参照）、 120を超えると小さくなりすぎて、導体印刷不良が発生し、歩留まりが低下する（比較例 2及び 3参照)。

[0054] また、誘電率の温度係数（て ε )も絶対値として 100ppmZ°C以下が好ましい。これを超えると温度変化の影響を受けすぎて、寒冷地、酷暑地等での動作が不安定となる（比較例 2〜6参照)。

[0055] これらの特'性を満たす誘電体材料は、 xBaO -y Re O -y Bi O · zTiOの組成（Re

1 2 3 2 2 3 2 ：希土類)を持つ、結晶相が疑似タングステンブロンズ型である誘電体が好ましぐ組成範囲は上記組成である。

[0056] その詳細を述べると、 BaOが減少すると誘電率が低下し、増えすぎると温度係数の絶対値が大きくなる。 Bi O

2 3が低下すると、低温焼成が困難となり、誘電率も低下する

。増えすぎると温度係数が大きくなる。 TiO

2が増えると誘電率が低下し、減少すると温度係数が増加する。

[0057] また、焼成温度を 900°C付近とするため、ガラスを 0. l〜5wt%程度添加してもよい。ガラスは B O— SiO系ガラス、 ZnO - SiO—B O系ガラス、 BaO - SiO— B

2 3 2 2 2 3 2 2 o系ガラス等がある。

3

[0058] なお、 Ndは、その 1Z2までを La, Sm, Pr等の希土類元素で置換してもよい。

[0059] 次に、接合部 22を構成する誘電体材料は、 BaO -TiO— ZnO系の誘電体である

2

。具体的には、 aBaO、 bZnO、 cTiOとしたとき、

2

4≤a≤45

12≤b≤45

a+b + c = 100

が好ましい。好ましい組成例（実施例 14〜18)を図 11に示す。

[0060] この組成にすることにより、磁性体部 20と誘電体部 18との間の元素の拡散を減少させることができ、接合を安定化させることができる。

[0061] 次に、磁性体部 20を構成する磁性体材料は、周波数 150MHz以下での初透磁率が 10以上のフライトである。 [0062] 具体的には、磁性体材料は、 NiO : 31〜42mol%、 ZnO : 2〜： LOmol%、 Fe O :4

2 3

3〜48mol%、Co O : 0. 5〜3mol%、 CuO : 10〜14mol%の組成を主成分とする

3 4

フェライトであることが好まし、。

[0063] さらに好ましくは、 NiO : 33〜41mol%、 ZnO : 3〜7mol%、 Fe O :44〜46mol

2 3

%、 Co O : l〜3mol%、 CuO : l l〜13mol%の組成を主成分とするフェライトであ

3 4

る。

[0064] この理由について、図 12に示す第 2の実験例（実施例 19〜27、比較例 7〜16)の結果に基づいて説明する。この第 2の実験例は、 NiO、 ZnO、 Fe O、 Co O、 CuO

2 3 3 4 において、組成を変えて基体 16を作製した場合の初透磁率と高周波特性 (Q = 100 となる周波数)を測定したものである。この結果を図 12に示す。

[0065] NiOが多くなると、高周波特性 (Qが 100となる周波数）は向上するが、初透磁率が低下する。従って、 NiOの下限は 31mol%であることが好ましい。 ZnOが増加すると、初透磁率は向上するが、高周波特性が低下する。従って、 ZnOの下限は 2mol%となる。 NiOと ZnOはほぼバランスするように組成量を決めるので、それぞれ逆の理由で上限が決まる。

[0066] Fe Oは、磁性体の結晶構造がスピネル構造となるように組成を決めるので、上限

2 3

、下限が決まり、 43〜48mol%の範囲が好ましい。この範囲を外れると異相が生じ、初透磁率、高周波特性が劣化する。

[0067] Co Oは、高周波特性改良のために添加する。添加量が 0. 5mol%未満では高周

3 4

波特性が得られない。 3mol%を超えると、逆に初透磁率が低下する。

[0068] CuOは、約 900°Cで焼結できるように、焼結助剤として添加する。 10mol%未満では 900°C焼成で十分な密度が得られない。 14mol%を超えると過焼結となり、内部から気孔が発生する。

[0069] ここで、 ZnOと Co Oの組成選定にっ、ての 2つの実験例（第 3及び第 4の実験例）

3 4

について図 13〜図 16を参照しながら説明する。

[0070] 第 3の実験例は、実施例 24並びに比較例 14〜16についての周波数（1〜1000M

Hz)に対する Qの変化をみたもので、その結果を図 13及び図 15に示す。

[0071] 第 4の実験例は、実施例 24並びに比較例 14〜16についての周波数（1〜1000M Hz)に対する透磁率 (インダクタンス）の変化をみたもので、その結果を図 14及び図 16に示す。

[0072] また、図 13〜図 16において、実施例 24の特性を曲線 Lnl lで示し、比較例 14の特性を曲線 Lnl2で示し、比較例 15の特性を曲線 Lnl3で示し、比較例 16の特性を曲線 Lnl4で示す。

[0073] 図 13〜図 16の結果から以下のことが判明した。まず、比較例 14 (曲線 Lnl2)は、 Co Oを添カ卩していないため、図 13に示すように、フィルタの通過帯域（FM帯域）で

3 4

の Qが小さぐ実用性に乏しい。

[0074] 比較例 15 (曲線 Lnl3)は、 Co Oを 0. 3mol%添カ卩しており、図 13に示すように、

3 4

比較例 14 (曲線 Lnl2)よりは周波数特性が向上している力 75MHz付近で Qがピークとなり、該ピークを超えた段階で急峻に低下していることから、やはり、実用性に乏しい。なお、実施例 24、比較例 14及び 15は、図 14に示すように、インダクタンスの値はほとんど変わらな、ことがわかる。

[0075] 比較例 16 (曲線 Lnl4)は、 Co Oを 1. 5mol%添カ卩しており、図 15に示すように、

3 4

フィルタの通過帯域 (FM帯域）での Qが改善している力図 16に示すように、インダクタンスの値が極端に小さ、。

[0076] 実施例 24 (曲線 Lnl l)は、 ZnOを 4mol%、 Co Oを 1. 5mol%添カ卩しており、図 1

3 4

3及び図 14から、フィルタの通過帯域（FM帯域）での Q並びにインダクタンスが向上している。

[0077] なお、磁性体材料は、上述したように、結晶構造がスピネル型である Ni—Zn系フエライトが好ましいが、六方晶系のフエロタスプレーナフェライトも使用可能である。

[0078] 次に、第 2の具体例に係るフィルタ 10Bの製法の一例について以下に説明する。まず、誘電体材料のグリーンシート及び磁性体材料のグリーンシートをそれぞれ作製した。

[0079] 誘電体材料のグリーンシートは、以下のようにして作製した。すなわち、高純度の炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化ネオジム、酸化チタンの各粉末を、図 10に示す実施例 1〜13の各組成比率に従って秤量した。これらの原料粉末を、アルミナ製ポット中にジルコユア玉石と共に投入し、エタノールを分散媒とし、湿式混合した。得られた混合物をポットから取り出し、乾燥し、 1200°Cで 2時間、空気雰囲気下で仮焼を行つた。仮焼物をアルミナ玉石と共にアルミナ製ポットに投入し粗粉砕した後、 B O—

2 3

SiO系ガラスを 3wt%添加して微粉砕し、乾燥し、平均粒径約 0. 3 /z mの粉末を得

2

た。この粉末に既知のバインダ、可塑剤、溶剤を混合して、スラリーとし、粘度調整後、ドクターブレード法で厚さ 0. 05mmのグリーンシートとした。

[0080] 一方、磁性体材料のグリーンシートは、以下のように作製した。すなわち、酸化鉄（ Fe O )、酸ィ匕ニッケル、酸化銅、酸化亜鉛、酸ィ匕コノレトの各原料を所定量秤量し、

2 3

アルミナ製ポット中にジルコユア玉石と共に投入し、エタノールを分散媒とし、湿式混合した。得られた混合物をポットから取り出し、乾燥し、 900°Cで 2時間、空気雰囲気下で仮焼を行った。仮焼物をアルミナ玉石と共にアルミナ製ポットに投入し粗粉砕した後、微粉砕し、乾燥し、平均粒径約 0. 5 mの粉末を得た。この粉末に既知のバインダ、可塑剤、溶剤を混合して、スラリーとし、粘度調整後、ドクターブレード法で厚さ 0. 05mmのグリーンシートとした。

[0081] その後、誘電体材料のグリーンシート及び磁性体材料のグリーンシートを、 100 X 1 00mmに打ち抜き、レーザーでビアを開けた後、 Agを主成分とする導体ペーストを用い、所定の回路パターンをスクリーン印刷で形成した。その後所定の構成になるよう、誘電体材料のグリーンシート、磁性体材料のグリーンシートを積み重ね、 80°Cの温度、 20MPaの圧力で積層した。これを切断後、端面に導体を印刷してから、空気中で最高温度 900°Cで 2時間となるよう、焼成し、製品（第 2の具体例に係るフィルタ 10B)とした。

[0082] 上述の組成にて構成された第 2の具体例に係るフィルタ 10Bと、誘電体材料の基体で構成されたフィルタ (従来例)の特性 (減衰特性及び挿入損失特性)を比較したところ、図 17〜図 19に示す結果となった。図 17〜図 19において、実線 L20は第 2の具体例に係るフィルタ 10Bの特性を示し、破線 L21は従来例の特性を示す。

[0083] 図 17に示すように、従来例では、高域側（例えば 0. 5GHz以上）の減衰特性に劣ィ匕 (跳ね返り P1及び P2等参照）が見られるのに対して、第 2の具体例に係るフィルタ 10Bでは高域側の減衰特性に劣化は見られな、。ちなみに 6GHzまで測定した結果を図 18に示す。この図 18からも高域側の減衰特性に劣化は見られないことがわかる。

[0084] また、図 19からもわ力るように、第 2の具体例に係るフィルタ 10Bは、従来例と比して挿入損失が小さい。

[0085] このように、第 2の具体例に係るフィルタ 10Bを使用することで、例えば携帯機器に FMラジオ受信機及び Z又は FMトランスミッターを搭載することが可能となる。

[0086] そして、第 1の具体例に係るフィルタ 10Aと第 2の具体例に係るフィルタ 10Bを組み合わせることで、さらなる特性の向上を図ることができる。

[0087] 次に、第 3の具体例に係るフィルタ 10Cについて図 20〜図 24を参照しながら説明する。

[0088] この第 3の具体例に係るフィルタ 10Cは、図 2に示す誘電体部 18、磁性体部 20及び接合部 22のうち、磁性体部 20の材料を特定したものである。なお、誘電体部 18の材料及び接合部 22の材料は、上述した第 2の具体例に係るフィルタ 10Bと同様の材料を用いることができる。

[0089] そして、この第 3の具体例に係るフィルタ 10Cの磁性体部 20を構成する磁性体材料は、 NiO : 37. 4〜42. 2mol%、ZnO : 0. 01〜3. 6mol%、 Fe O : 46. 2〜48m

2 3

ol%、Co O : 0. 1〜0. 8mol%、 CuO : 10〜14mol%の組成を主成分とするフェラ

3 4

イトであることが好ましい。

[0090] さらに好ましくは、 NiO : 37. 4〜42. 2mol%、 ZnO : 0. 01〜： L 9mol%、 Fe O：

2 3

46. 6〜48mol%、Co O : 0. 1〜0. 5mol%、 CuO : 10〜14mol%の組成を主成

3 4

分とするフェライトである。

[0091] この理由について、図 20〜図 23に示す第 5の実験例の結果に基づいて説明する [0092] この第 5の実験例は、 Co O、 ZnO、 Fe O、 NiOについて、それぞれ添加量を変

3 4 2 3

えて基体 16を作製した場合の温度係数 τ μと高周波特性 (Q = 100となる周波数）を測定したものである。図 20〜図 23において、実線 LnlOlは温度係数の特性を示し、破線 Lnl02は高周波特性を示す。

[0093] そして、温度特性を考慮したフィルタ特性として実用的であるためには、温度係数 τ μとして 1000ppmZ°C以下、高周波特性 (Q = 100となる周波数）として 100MH z以上が必要である。この条件 (条件 1)を満足する第 1範囲 T1を図 20〜図 23に示した。さらに好ましい条件は、温度係数 τ μとして 500ppmZ°C以下、高周波特性として 100MHz以上である。この条件（条件 2)を満足する第 2範囲 T2も図 20〜図 23に示した。

[0094] まず、 Co Oについては、図 20に示すように、添カ卩量の増加と共に温度係数は増

3 4

加している。これは、 Coの高い磁気異方性に因るものと考えられる。また、 Co Oの

3 4 添加量の増加と共に高周波特性も増加する傾向が見られた。添加量 Omol%では、高周波特性が 100MHzよりも僅かに低、ことがわかる。

[0095] 次に、 ZnOについては、図 21に示すように、添カ卩量の増加と共に、温度係数は増加し、高周波特性は低下する。添加量が 3. 6mol%を超えた段階で温度係数が 100 Oppm/°Cを超え、添カ卩量が 6mol%以上となった段階で高周波特性が 100MHzとなることから、第 1範囲 T1としては、温度係数によって規定されることになる。

[0096] 次に、 Fe Oについては、図 22に示すように、第 1範囲 T1外では、温度係数が高く

2 3

、温度特性が悪くなる。高周波特性は、添加量の増加と共に低下し、 48mol%を超えた段階で 100MHz未満となって、る。

[0097] 次に、 NiOについては、図 23に示すように、第 1範囲 T1外では、温度係数が高ぐ温度特性が悪くなる。高周波特性に関しては、測定範囲（35〜49mol%)において 1

OOMHz以上を実現できて!/、るため、問題はな!/、。

[0098] そして、この図 20〜図 23に示す第 1範囲 T1及び第 2範囲 T2から上述した磁性体部 20を構成する磁性体材料の組成の範囲が導き出される。

[0099] ここで、 CuOの添カ卩量が一定（12mol%)で、且つ、 NiO、 ZnO、 Fe O、 Co Oの

2 3 3 4 添加量が上述した第 1範囲 Tl内あるいは第 2範囲 T2内である実施例 101〜108と、 CuOの添カ卩量が一定（12mol%)で、且つ、 NiO、 ZnO、 Fe O、 Co Oの添加量が

2 3 3 4

上述した第 1範囲 Tl外の組成を有する比較例 101〜107について、初透磁率 (周波数 10MHz、温度 25°Cでの初透磁率）と、温度係数 (周波数 10MHzでの温度係数）と、高周波特性 (Q = 100となる周波数)を測定した実験例 (第 6の実験例)の結果を図 24に示す。

[0100] 図 24の結果から、比較例 101は、温度係数が 860ppmZ°Cで良好である力高周波特性が 70MHzであり、実用レベルの 100MHz以上ではなかった。同様に、比較例 106においても温度係数が 360ppmZ°Cで良好である力高周波特性が 65MH zであり、実用レベルではな力つた。

[0101] 比較例 102〜105は、いずれも高周波特性が実用レベルの 100MHz以上である力温度係数が実用レベルの 1000ppmZ°C以下を満足して、な！/、。

[0102] 比較例 107は、温度係数が実用レベルの 1000ppmZ°C以下を満足せず、さらに

、高周波特性も実用レベルの 100MHz以上を満足して、な、。

[0103] 一方、実施例 101、 102、 104〜108は、いずれも温度係数が 500ppmZ°C以下を満足し、且つ、高周波特性も 100MHz以上を満足しており、良好な結果となっている。

[0104] 実施例 103についても、実施例 101、 102、 104〜108の結果ほどではないが、温度係数が 1000ppmZ°C以下を満足し、且つ、高周波特性も 100MHz以上を満足しており、良好な結果となっている。

[0105] このように、第 3の具体例に係るフィルタ IOCにおいては、温度特性及び高周波特性が共に良好であり、このフィルタ IOCを使用することで、例えば携帯機器に FMラジォ受信機及び Z又は FMトランスミッターを搭載することが可能となる。

[0106] そして、第 1の具体例に係るフィルタ 10Aと第 3の具体例に係るフィルタ 10Bを組み合わせることで、さらなる特性の向上を図ることができる。

[0107] なお、本発明に係る電子部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなぐ種々の構成を採り得ることはもちろんである。

Claims

請求の範囲

[1] 誘電体部（18)と磁性体部（20)とが接合されてなる基体（16)と、

前記基体（16)の前記誘電体部（18)に形成された複数のコンデンサ電極（36)と、前記基体（16)の前記磁性体部（20)に形成された複数のコイル電極（50f、 52f)とを有する電子部品において、

1つの前記コイル電極（50f)と他の前記コイル電極（52f)と力 1つの前記コンデンサ電極 (36)を介して電気的に接続されて!ヽることを特徴とする電子部品。

[2] 請求項 1記載の電子部品において、

前記基体（18)の寸法が 2. OmmX l . 25mm X lmm以下であり、携帯機器で使われることを特徴とする電子部品。

[3] 請求項 2記載の電子部品において、

前記磁性体部（20)を構成する磁性体材料は、周波数 150MHz以下での初透磁率が 10以上のフェライトであることを特徴とする電子部品。

[4] 請求項 2記載の電子部品において、

前記磁性体部（20)を構成する磁性体材料は、 NiOが 31〜42mol%、 ZnOが 2〜 10mol%、 Fe O力43〜48mol%、 Co Oが 0. 5〜3mol%、 CuOが 10〜14mol

2 3 3 4

%の組成を主成分とするフェライトであることを特徴とする電子部品。

[5] 請求項 2記載の電子部品において、

前記磁性体部（20)を構成する磁性体材料は、 NiOが 37. 4-42. 2mol%、 ZnO が 0. 01〜3. 6mol%, Fe O力46. 2〜48mol⁰/₀、 Co O力0. 1〜0. 8mol%, Cu

2 3 3 4

Oが 10〜14mol%の組成を主成分とするフェライトであることを特徴とする電子部品

[6] 請求項 2記載の電子部品において、

前記誘電体部（18)を構成する誘電体材料は、 xBaO-y Nd O -y Bi O -zTiOに

1 2 3 2 2 3 2 おいて、

0. 09≤x≤0. 25

0. 05≤_yi≤0. 20

0<y≤0. 10

0. 60≤z≤0. 75

の組成を主成分とすることを特徴とする電子部品。

[7] 請求項 2記載の電子部品において、

前記基体（16)は、前記誘電体部（18)と前記磁性体部（20)との間に接合部（22) を有し、

前記接合部（22)を構成する材料は、 BaO—TiO—ZnO系の誘電体であることを

2

特徴とする電子部品。

[8] 誘電体部（18)と磁性体部（20)とが接合してなる基体（16)と、

前記基体（16)の前記誘電体部（18)に形成された少なくとも 1つの接地電極（32) と、

前記基体（16)の前記誘電体部（18)に形成された複数のコンデンサ電極（34、 36 、 38)と、

前記基体（16)の前記磁性体部（20)に形成された複数のコイル電極とを有する電子部品において、

前記複数のコンデンサ電極（34、 36、 38)のうち、少なくとも第 1のコンデンサ電極（ 34)と前記接地電極（32)とが前記誘電体部（18)の第 1の形成面にそれぞれ形成され、

前記複数のコンデンサ電極（34、 36、 38)のうち、少なくとも第 2及び第 3のコンデンサ電極（36、 38)が前記誘電体部（18)の第 2の形成面にそれぞれ形成され、前記接地電極（32)と前記第 2のコンデンサ電極（36)とが対向し、

前記第 2のコンデンサ電極（36)と前記第 3のコンデンサ電極（38)とが前記第 1のコンデンサ電極 (34)に対向してヽることを特徴とする電子部品。

[9] 請求項 8記載の電子部品において、

[10] 請求項 9記載の電子部品において、

前記磁性体部（20)を構成する磁性体材料は、周波数 150MHz以下での初透磁率が 10以上のフェライトであることを特徴とする電子部品。請求項 9記載の電子部品にお、て、

2 3 3 4

請求項 9記載の電子部品にお、て、

2 3 3 4

Oが 10〜14mol%の組成を主成分とするフェライトであることを特徴とする電子部品請求項 9記載の電子部品にお、て、

1 2 3 2 2 3 2 おいて、

0. 09≤x≤0. 25

0. 05≤_yi≤0. 20

0<y₂≤0. 10

0. 60≤z≤0. 75

の組成を主成分とすることを特徴とする電子部品。

請求項 9記載の電子部品にお、て、

2

特徴とする電子部品。