JP2003198206A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents
積層型誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JP2003198206A JP2003198206A JP2001396166A JP2001396166A JP2003198206A JP 2003198206 A JP2003198206 A JP 2003198206A JP 2001396166 A JP2001396166 A JP 2001396166A JP 2001396166 A JP2001396166 A JP 2001396166A JP 2003198206 A JP2003198206 A JP 2003198206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric layers
- electrode
- resonance
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】共振電極長を変更することなく、短絡端側の電
気長を短くできるようにして、スプリアス帯域での減衰
特性を改善する。 【解決手段】共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び
（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の各開放端を、誘電体層の
積層方向に関して挟むように形成された複数の内層アー
ス電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４Ｂを有
し、これら内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４
Ａ及び２４Ｂにて挟まれた第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜
Ｓ６の誘電率を、その他の誘電体層（第１及び第２の誘
電体層Ｓ１及びＳ２並びに第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜
Ｓ９）の誘電率よりも高くする。
気長を短くできるようにして、スプリアス帯域での減衰
特性を改善する。 【解決手段】共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び
（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の各開放端を、誘電体層の
積層方向に関して挟むように形成された複数の内層アー
ス電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４Ｂを有
し、これら内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４
Ａ及び２４Ｂにて挟まれた第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜
Ｓ６の誘電率を、その他の誘電体層（第１及び第２の誘
電体層Ｓ１及びＳ２並びに第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜
Ｓ９）の誘電率よりも高くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話や
無線通信端末の高周波回路で使用される積層型誘電体フ
ィルタに関する。
無線通信端末の高周波回路で使用される積層型誘電体フ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、例えば携帯電話や無線通信端末の
高周波回路で使用される積層型誘電体フィルタは、使用
されるシステムに必要な周波数帯の信号のみを通過さ
せ、それ以外の周波数帯の信号を減衰させる働きをして
いる。
高周波回路で使用される積層型誘電体フィルタは、使用
されるシステムに必要な周波数帯の信号のみを通過さ
せ、それ以外の周波数帯の信号を減衰させる働きをして
いる。
【０００３】このような高周波用の積層型誘電体フィル
タにおいては、ストリップライン共振器が使用され、こ
の共振器の長さを変更することで周波数を調整するよう
にしている。
タにおいては、ストリップライン共振器が使用され、こ
の共振器の長さを変更することで周波数を調整するよう
にしている。
【０００４】また、最近の携帯電話等の無線通信システ
ムの多様化に伴い、積層型誘電体フィルタに対して、小
型化の要求が強くなってきている。外形形状を小型化す
ると、当然、共振器も小型化する必要があるため、共振
電極の途中から幅を変更したり、内層アース電極を使用
するようにして、共振器のインピーダンスを段階的に変
えることで、形状を小型にしつつも、共振周波数を同等
まで下げることができる。
ムの多様化に伴い、積層型誘電体フィルタに対して、小
型化の要求が強くなってきている。外形形状を小型化す
ると、当然、共振器も小型化する必要があるため、共振
電極の途中から幅を変更したり、内層アース電極を使用
するようにして、共振器のインピーダンスを段階的に変
えることで、形状を小型にしつつも、共振周波数を同等
まで下げることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、共振器で
は、一般に、共振周波数の逓倍の周波数においても、共
振する現象が見られる。このため、共振周波数よりも高
い周波数域において、減衰を十分に確保できない場合が
ある。
は、一般に、共振周波数の逓倍の周波数においても、共
振する現象が見られる。このため、共振周波数よりも高
い周波数域において、減衰を十分に確保できない場合が
ある。
【０００６】例えば、伝送線路の一方の端部を短絡、他
方の端部を開放にした１／４波長の共振器の場合、共振
周波数の奇数倍での共振がみられる。
方の端部を開放にした１／４波長の共振器の場合、共振
周波数の奇数倍での共振がみられる。
【０００７】つまり、積層型誘電体フィルタは、必要な
周波数帯域の信号のみを通過させ、それ以外を減衰させ
るという目的のために、通過させる所望の周波数で共振
する共振器を含むが、上述のように、所望の周波数の３
倍及び５倍の周波数での共振が起こるために、この帯域
での減衰特性が劣化するという問題がある。
周波数帯域の信号のみを通過させ、それ以外を減衰させ
るという目的のために、通過させる所望の周波数で共振
する共振器を含むが、上述のように、所望の周波数の３
倍及び５倍の周波数での共振が起こるために、この帯域
での減衰特性が劣化するという問題がある。
【０００８】そこで、内層アース電極を共振電極の開放
端部分に誘電体層を挟んで対向させるなどして、共振電
極の途中から特性インピーダンスを低めに変更すること
で、共振周波数を一定にしても、この共振周波数の奇数
倍での共振をより高域にシフトさせることができ、スプ
リアス特性を改善できることが知られている。
端部分に誘電体層を挟んで対向させるなどして、共振電
極の途中から特性インピーダンスを低めに変更すること
で、共振周波数を一定にしても、この共振周波数の奇数
倍での共振をより高域にシフトさせることができ、スプ
リアス特性を改善できることが知られている。
【０００９】ここで、複数の誘電体層が積層された誘電
体基板中に誘電体層の積層方向に共振器を構成した場合
であって、共振電極のインピーダンスを途中から変更さ
せる手段として内層アース電極を形成した場合を想定す
る。
体基板中に誘電体層の積層方向に共振器を構成した場合
であって、共振電極のインピーダンスを途中から変更さ
せる手段として内層アース電極を形成した場合を想定す
る。
【００１０】まず、：各共振電極において、インピー
ダンス比を上げる。具体的には、開放端側のインピーダ
ンスをより下げる及び／又は短絡端側のインピーダンス
を上げる。次いで、：インピーダンスの高い短絡端と
インピーダンスの低い開放端の電気長を同じにする。
ダンス比を上げる。具体的には、開放端側のインピーダ
ンスをより下げる及び／又は短絡端側のインピーダンス
を上げる。次いで、：インピーダンスの高い短絡端と
インピーダンスの低い開放端の電気長を同じにする。
【００１１】上述の及びの手法によって、共振周波
数の３倍の周波数をより高域にシフトさせることができ
る。
数の３倍の周波数をより高域にシフトさせることができ
る。
【００１２】しかしながら、共振電極の開放端側のイン
ピーダンスを下げるためには、：開放端の電極幅を広
くする、：共振電極と内層アース電極間の厚みを薄く
する、という方法があるが、いずれも変更範囲が限られ
る。
ピーダンスを下げるためには、：開放端の電極幅を広
くする、：共振電極と内層アース電極間の厚みを薄く
する、という方法があるが、いずれも変更範囲が限られ
る。
【００１３】また、短絡端側のインピーダンスを上げる
ためには、共振電極の短絡端側における幅を小さくする
方法があるが、特性が劣化（Ｑ値が低下）するため、採
用できない。
ためには、共振電極の短絡端側における幅を小さくする
方法があるが、特性が劣化（Ｑ値が低下）するため、採
用できない。
【００１４】また、スプリアス特性を改善する手法とし
て、インピーダンスの高い短絡端とインピーダンスの低
い開放端の各電気長を同じにすることも考えられるが、
内層アース電極の長さを長くする必要がある。しかし、
この場合、：内層アース電極自体の共振周波数が下が
るため、フィルタ通過帯域の２倍、３倍の周波数帯域
に、内層アース電極自身の共振によるピークがシフトし
てくることとなり、スプリアス帯域での減衰量が劣化す
る、：Ｑ値の低下をもたらし、フィルタの挿入損失が
劣化する、：入出力用電極や結合調整電極の配置エリ
アが小さくなり、所望のフィルタ特性が得られなくな
る、という問題がある。
て、インピーダンスの高い短絡端とインピーダンスの低
い開放端の各電気長を同じにすることも考えられるが、
内層アース電極の長さを長くする必要がある。しかし、
この場合、：内層アース電極自体の共振周波数が下が
るため、フィルタ通過帯域の２倍、３倍の周波数帯域
に、内層アース電極自身の共振によるピークがシフトし
てくることとなり、スプリアス帯域での減衰量が劣化す
る、：Ｑ値の低下をもたらし、フィルタの挿入損失が
劣化する、：入出力用電極や結合調整電極の配置エリ
アが小さくなり、所望のフィルタ特性が得られなくな
る、という問題がある。
【００１５】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、共振電極長を変更することなく、短絡端
側の電気長を短くすることができ、スプリアス帯域での
減衰特性を改善することができる積層型誘電体フィルタ
を提供することを目的とする。
たものであり、共振電極長を変更することなく、短絡端
側の電気長を短くすることができ、スプリアス帯域での
減衰特性を改善することができる積層型誘電体フィルタ
を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型誘電
体フィルタは、複数の誘電体層が積層されて構成された
誘電体基板内に共振電極を具備し、前記共振電極の部位
によって、実効的な誘電率が異なることを特徴とする。
体フィルタは、複数の誘電体層が積層されて構成された
誘電体基板内に共振電極を具備し、前記共振電極の部位
によって、実効的な誘電率が異なることを特徴とする。
【００１７】この場合、前記共振電極において、インピ
ーダンスの低い開放端側の誘電率に比べて、インピーダ
ンスの高い短絡端側の誘電率を低めにすることで、共振
電極長を変更することなく、短絡端側の電気長のみを短
くすることができる。これにより、共振電極の高次の共
振が、より高域にシフトし、スプリアス特性を改善する
ことができる。
ーダンスの低い開放端側の誘電率に比べて、インピーダ
ンスの高い短絡端側の誘電率を低めにすることで、共振
電極長を変更することなく、短絡端側の電気長のみを短
くすることができる。これにより、共振電極の高次の共
振が、より高域にシフトし、スプリアス特性を改善する
ことができる。
【００１８】また、本発明において、前記誘電体基板内
に前記共振電極の開放端に対向するように形成された内
層アース電極を有するようにしてもよい。この場合、前
記内層アース電極を、前記共振電極の開放端を前記誘電
体層の積層方向について挟むように形成し、少なくとも
前記複数の内層アース電極にて挟まれた１以上の誘電体
層の誘電率が、その他の誘電体層の誘電率よりも高くな
るようにしてもよい。
に前記共振電極の開放端に対向するように形成された内
層アース電極を有するようにしてもよい。この場合、前
記内層アース電極を、前記共振電極の開放端を前記誘電
体層の積層方向について挟むように形成し、少なくとも
前記複数の内層アース電極にて挟まれた１以上の誘電体
層の誘電率が、その他の誘電体層の誘電率よりも高くな
るようにしてもよい。
【００１９】この発明では、高い誘電率を有する誘電体
層にて誘電体基板を構成した場合に、複数の内層アース
電極にて挟まれた１以上の誘電体層以外の誘電体層を低
誘電率の誘電体層で構成するようにしたので、短絡端側
の実効誘電率のみが下がる。その結果、開放端側のイン
ピーダンスや電気長は一定であるが、短絡端側のインピ
ーダンスが上がると共に、電気長は短くなる。これによ
り、積層型誘電体フィルタのスプリアス特性が改善する
ことになる。
層にて誘電体基板を構成した場合に、複数の内層アース
電極にて挟まれた１以上の誘電体層以外の誘電体層を低
誘電率の誘電体層で構成するようにしたので、短絡端側
の実効誘電率のみが下がる。その結果、開放端側のイン
ピーダンスや電気長は一定であるが、短絡端側のインピ
ーダンスが上がると共に、電気長は短くなる。これによ
り、積層型誘電体フィルタのスプリアス特性が改善する
ことになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型誘電体
フィルタの実施の形態例を図１〜図３を参照しながら説
明する。
フィルタの実施の形態例を図１〜図３を参照しながら説
明する。
【００２１】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタ
１０は、図１に示すように、複数の誘電体層（Ｓ１〜Ｓ
９：図３参照）が積層、焼成一体化され、かつ、表面に
アース電極２０が形成された誘電体基板１２を有し、誘
電体基板１２内には、２組の共振器１４及び１６が形成
されている。
１０は、図１に示すように、複数の誘電体層（Ｓ１〜Ｓ
９：図３参照）が積層、焼成一体化され、かつ、表面に
アース電極２０が形成された誘電体基板１２を有し、誘
電体基板１２内には、２組の共振器１４及び１６が形成
されている。
【００２２】各共振器１４及び１６は、例えば３枚の共
振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６
Ｂ、１６Ｃ）がその積層方向に重ねられて構成され、積
層方向の各共振電極（１４Ａ、１６Ａ）及び（１４Ｂ、
１６Ｂ）間、並びに（１４Ｂ、１６Ｂ）及び（１４Ｃ、
１６Ｃ）間にはそれぞれ誘電体層が介在されている。
振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６
Ｂ、１６Ｃ）がその積層方向に重ねられて構成され、積
層方向の各共振電極（１４Ａ、１６Ａ）及び（１４Ｂ、
１６Ｂ）間、並びに（１４Ｂ、１６Ｂ）及び（１４Ｃ、
１６Ｃ）間にはそれぞれ誘電体層が介在されている。
【００２３】共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び
（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）を１／４波長の共振電極と
した場合は、例えば図２に示すように、誘電体基板１２
の側面のうち、共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及
び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）が露出する面にアース電
極２０を形成して各共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の一方の端部をア
ース電極２０と短絡させた構造が採用される。
（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）を１／４波長の共振電極と
した場合は、例えば図２に示すように、誘電体基板１２
の側面のうち、共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及
び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）が露出する面にアース電
極２０を形成して各共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の一方の端部をア
ース電極２０と短絡させた構造が採用される。
【００２４】この場合、各共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、
１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の開放端を内
層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４Ｂ
を介してアース電極２０と容量結合させることで、各共
振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６
Ｂ、１６Ｃ）の電気長を短くすることができる。なお、
内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４
Ｂによる作用は後述する。
１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の開放端を内
層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４Ｂ
を介してアース電極２０と容量結合させることで、各共
振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６
Ｂ、１６Ｃ）の電気長を短くすることができる。なお、
内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４
Ｂによる作用は後述する。
【００２５】具体的に、積層型誘電体フィルタ１０の構
成を図３に基づいて説明すると、まず、前記誘電体基板
１２は、低い誘電率（例えば誘電率εｒ＝７）を有する
複数の誘電体層（例えば第１及び第２の誘電体層Ｓ１及
びＳ２）と、高い誘電率（例えば誘電率εｒ＝８０）を
有する複数の誘電体層（第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜Ｓ
６）と、低い誘電率（例えば誘電率εｒ＝７）を有する
複数の誘電体層（例えば第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ
９）とが順次積層されて構成されている。これら第１〜
第９の誘電体層Ｓ１〜Ｓ９はそれぞれ１枚あるいは複数
枚の層にて構成される。
成を図３に基づいて説明すると、まず、前記誘電体基板
１２は、低い誘電率（例えば誘電率εｒ＝７）を有する
複数の誘電体層（例えば第１及び第２の誘電体層Ｓ１及
びＳ２）と、高い誘電率（例えば誘電率εｒ＝８０）を
有する複数の誘電体層（第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜Ｓ
６）と、低い誘電率（例えば誘電率εｒ＝７）を有する
複数の誘電体層（例えば第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ
９）とが順次積層されて構成されている。これら第１〜
第９の誘電体層Ｓ１〜Ｓ９はそれぞれ１枚あるいは複数
枚の層にて構成される。
【００２６】そして、第４〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６
の各一主面にそれぞれ２組の共振電極（１４Ａ、１４
Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）が形成さ
れ、特に第４の誘電体層Ｓ４の一主面に形成された各共
振電極１４Ａ及び１６Ａには、入力端子２６及び出力端
子２８（図１参照）と直接接続するためのリード電極３
０及び３２が形成されている。
の各一主面にそれぞれ２組の共振電極（１４Ａ、１４
Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）が形成さ
れ、特に第４の誘電体層Ｓ４の一主面に形成された各共
振電極１４Ａ及び１６Ａには、入力端子２６及び出力端
子２８（図１参照）と直接接続するためのリード電極３
０及び３２が形成されている。
【００２７】第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、平面的
に、共振電極１４Ａ及び１６Ｂの各開放端を含む位置に
それぞれ内層アース電極２２Ａ及び２４Ａが形成され、
更に、共振器１４及び１６間の結合度を調整するための
結合調整電極３４が形成されている。
に、共振電極１４Ａ及び１６Ｂの各開放端を含む位置に
それぞれ内層アース電極２２Ａ及び２４Ａが形成され、
更に、共振器１４及び１６間の結合度を調整するための
結合調整電極３４が形成されている。
【００２８】また、第７の誘電体層Ｓ７の一主面には、
平面的に、共振電極１４Ｃ及び１６Ｃの各開放端を含む
位置にそれぞれ内層アース電極２２Ｂ及び２４Ｂが形成
されている。
平面的に、共振電極１４Ｃ及び１６Ｃの各開放端を含む
位置にそれぞれ内層アース電極２２Ｂ及び２４Ｂが形成
されている。
【００２９】このように、本実施の形態に係る積層型誘
電体フィルタ１０は、共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の各開放端を、誘
電体層の積層方向に関して挟むように形成された複数の
内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４
Ｂを有し、これら内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並び
に２４Ａ及び２４Ｂにて挟まれた第３〜第６の誘電体層
Ｓ３〜Ｓ６の誘電率を、その他の誘電体層（第１及び第
２の誘電体層Ｓ１及びＳ２並びに第７〜第９の誘電体層
Ｓ７〜Ｓ９）の誘電率よりも高くするようにしている。
電体フィルタ１０は、共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の各開放端を、誘
電体層の積層方向に関して挟むように形成された複数の
内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２４
Ｂを有し、これら内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並び
に２４Ａ及び２４Ｂにて挟まれた第３〜第６の誘電体層
Ｓ３〜Ｓ６の誘電率を、その他の誘電体層（第１及び第
２の誘電体層Ｓ１及びＳ２並びに第７〜第９の誘電体層
Ｓ７〜Ｓ９）の誘電率よりも高くするようにしている。
【００３０】ここで、高い誘電率を有する誘電体層で誘
電体基板１２を構成した場合を考えると、各共振電極
（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１
６Ｃ）は、全体にわたって高い誘電率の誘電体層（第４
〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６）で覆われた状態となり、
この状態からトリミング等が行われて所定の通過帯域に
合わせ込まれることになる。
電体基板１２を構成した場合を考えると、各共振電極
（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１
６Ｃ）は、全体にわたって高い誘電率の誘電体層（第４
〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６）で覆われた状態となり、
この状態からトリミング等が行われて所定の通過帯域に
合わせ込まれることになる。
【００３１】従って、各共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１
４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の短絡端側のイ
ンピーダンスや電気長を変更する場合は、開放端側のイ
ンピーダンスや電気長の変化を小さくすることが必要と
なる。
４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の短絡端側のイ
ンピーダンスや電気長を変更する場合は、開放端側のイ
ンピーダンスや電気長の変化を小さくすることが必要と
なる。
【００３２】しかし、この実施の形態では、上述したよ
うに、内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及
び２４Ｂにて挟まれた第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜Ｓ６
の誘電率を、その他の誘電体層（第１及び第２の誘電体
層Ｓ１及びＳ２並びに第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ
９）の誘電率よりも高くするようにしているため、短絡
端側の実効誘電率のみが下がることとなる。その結果、
各共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、
１６Ｂ、１６Ｃ）の共振電極長を変更することなく、各
共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１
６Ｂ、１６Ｃ）における短絡端側の電気長のみを短くす
ることができる。これにより、各共振電極（１４Ａ、１
４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の高次
の共振が、より高域にシフトし、スプリアス特性を改善
することができる。
うに、内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及
び２４Ｂにて挟まれた第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜Ｓ６
の誘電率を、その他の誘電体層（第１及び第２の誘電体
層Ｓ１及びＳ２並びに第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ
９）の誘電率よりも高くするようにしているため、短絡
端側の実効誘電率のみが下がることとなる。その結果、
各共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、
１６Ｂ、１６Ｃ）の共振電極長を変更することなく、各
共振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１
６Ｂ、１６Ｃ）における短絡端側の電気長のみを短くす
ることができる。これにより、各共振電極（１４Ａ、１
４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ）の高次
の共振が、より高域にシフトし、スプリアス特性を改善
することができる。
【００３３】ここで、本実施の形態に係る積層型誘電体
フィルタ１０の製造方法について説明する。
フィルタ１０の製造方法について説明する。
【００３４】この実施の形態に係る積層型誘電体フィル
タ１０においては、各種電極を誘電体基板１２内に内層
（内蔵）することから、これらの電極は、損失の少ない
比抵抗の低いものを用いることが好ましい。
タ１０においては、各種電極を誘電体基板１２内に内層
（内蔵）することから、これらの電極は、損失の少ない
比抵抗の低いものを用いることが好ましい。
【００３５】使用する誘電体としては、信頼性が高く、
誘電率の選択の幅が広いもの、即ち、セラミック誘電体
が好ましい。この場合、積層型誘電体フィルタ１０の小
型化を有効に図ることができる。
誘電率の選択の幅が広いもの、即ち、セラミック誘電体
が好ましい。この場合、積層型誘電体フィルタ１０の小
型化を有効に図ることができる。
【００３６】また、製造方法としては、セラミック粉末
の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形成
した後、各々の成形体を積層し、更に焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミック誘電
体と一体化することが望ましい。
の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形成
した後、各々の成形体を積層し、更に焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミック誘電
体と一体化することが望ましい。
【００３７】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であることから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であることから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。
【００３８】また、マイクロ波フィルタとしてのデバイ
スの性格上、形成される共振回路の共振周波数の温度特
性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃以下になるような誘
電体材料が好ましい。
スの性格上、形成される共振回路の共振周波数の温度特
性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃以下になるような誘
電体材料が好ましい。
【００３９】このような誘電体材料としては、例えばコ
ージェライト系ガラス粉末とＴｉＯ 2粉末及びＮｄ2Ｔｉ
2Ｏ7粉末との混合物等のガラス系のものや、ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ 2−Ｒｅ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系組成（Ｒｅ：レアアース
成分）に若干のガラス形成成分やガラス粉末を添加した
もの、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘
電体磁気組成物粉末に若干のガラス粉末を添加したもの
がある。
ージェライト系ガラス粉末とＴｉＯ 2粉末及びＮｄ2Ｔｉ
2Ｏ7粉末との混合物等のガラス系のものや、ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ 2−Ｒｅ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系組成（Ｒｅ：レアアース
成分）に若干のガラス形成成分やガラス粉末を添加した
もの、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘
電体磁気組成物粉末に若干のガラス粉末を添加したもの
がある。
【００４０】一例として、本実施の形態に係る積層型誘
電体フィルタ１０の第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜Ｓ６
（誘電率εｒ＝８０）に対しては、ＭｇＯ（１８ｗｔ
％）−Ａｌ2Ｏ3（３７ｗｔ％）−ＳｉＯ2（３７ｗｔ
％）−Ｂ2Ｏ3（５ｗｔ％）−ＴｉＯ2（３ｗｔ％）なる
組成のガラス粉末７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ2粉末１
７ｗｔ％と、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7粉末１０ｗｔ％とを十分に
混合し、混合粉末を得た。
電体フィルタ１０の第３〜第６の誘電体層Ｓ３〜Ｓ６
（誘電率εｒ＝８０）に対しては、ＭｇＯ（１８ｗｔ
％）−Ａｌ2Ｏ3（３７ｗｔ％）−ＳｉＯ2（３７ｗｔ
％）−Ｂ2Ｏ3（５ｗｔ％）−ＴｉＯ2（３ｗｔ％）なる
組成のガラス粉末７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ2粉末１
７ｗｔ％と、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7粉末１０ｗｔ％とを十分に
混合し、混合粉末を得た。
【００４１】なお、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7粉末は、Ｎｄ2Ｏ3粉
末とＴｉＯ2粉末とを１２００℃で仮焼した後、粉砕し
て得たものを使用した。
末とＴｉＯ2粉末とを１２００℃で仮焼した後、粉砕し
て得たものを使用した。
【００４２】また、第１及び第２の誘電体層Ｓ１及びＳ
２並びに第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ９（誘電率εｒ
＝７）に対しては、ＺｎＯ（１７ｍｏｌ％）−ＢａＯ
（２４ｍｏｌ％）−ＴｉＯ2（４９ｍｏｌ％）−ＭｎＯ
（５ｍｏｌ％）−Ａｌ2Ｏ3（５ｍｏｌ％）なる組成１０
０ｗｔ％と、ガラス粉末５ｗｔ％とを十分に混合し、混
合粉末を得た。
２並びに第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ９（誘電率εｒ
＝７）に対しては、ＺｎＯ（１７ｍｏｌ％）−ＢａＯ
（２４ｍｏｌ％）−ＴｉＯ2（４９ｍｏｌ％）−ＭｎＯ
（５ｍｏｌ％）−Ａｌ2Ｏ3（５ｍｏｌ％）なる組成１０
０ｗｔ％と、ガラス粉末５ｗｔ％とを十分に混合し、混
合粉末を得た。
【００４３】次いで、それぞれの混合粉末に、アクリル
系有機バインダ、可塑剤、トルエン及びアルコール系の
溶剤を加え、アルミナ玉石で十分に混合してスラリーと
した。そして、このスラリーを用いて、ドクターブレー
ド法により、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの厚みのグリー
ンテープを作製した。
系有機バインダ、可塑剤、トルエン及びアルコール系の
溶剤を加え、アルミナ玉石で十分に混合してスラリーと
した。そして、このスラリーを用いて、ドクターブレー
ド法により、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの厚みのグリー
ンテープを作製した。
【００４４】次に、銀ペーストを導体ペーストとして、
図３に示した導体パターンをそれぞれ印刷し、次いで、
これら導体パターンが印刷されたグリーンテープの厚み
を調整するために必要なグリーンテープを重ねて図３の
構造となるように重ね、積層した後、例えば９００℃で
焼成して、誘電体基板１２を作製した。
図３に示した導体パターンをそれぞれ印刷し、次いで、
これら導体パターンが印刷されたグリーンテープの厚み
を調整するために必要なグリーンテープを重ねて図３の
構造となるように重ね、積層した後、例えば９００℃で
焼成して、誘電体基板１２を作製した。
【００４５】以上の製造方法を採用することにより、共
振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６
Ｂ、１６Ｃ）の開放端を誘電体層の積層方向について挟
むように形成された複数の内層アース電極２２Ａ及び２
２Ｂ並びに２４Ａ及び２４Ｂを有し、かつ、これら複数
の内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２
４Ｂにて挟まれた誘電体層の誘電率が、その他の誘電体
層の誘電率よりも高い構造の積層型誘電体フィルタ１０
を容易に製造することができる。
振電極（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）及び（１６Ａ、１６
Ｂ、１６Ｃ）の開放端を誘電体層の積層方向について挟
むように形成された複数の内層アース電極２２Ａ及び２
２Ｂ並びに２４Ａ及び２４Ｂを有し、かつ、これら複数
の内層アース電極２２Ａ及び２２Ｂ並びに２４Ａ及び２
４Ｂにて挟まれた誘電体層の誘電率が、その他の誘電体
層の誘電率よりも高い構造の積層型誘電体フィルタ１０
を容易に製造することができる。
【００４６】なお、この発明に係る積層型誘電体フィル
タは、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸
脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろん
である。
タは、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸
脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろん
である。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る積層
型誘電体フィルタによれば、共振電極長を変更すること
なく、短絡端側の電気長を短くすることができ、スプリ
アス帯域での減衰特性を改善することができる。
型誘電体フィルタによれば、共振電極長を変更すること
なく、短絡端側の電気長を短くすることができ、スプリ
アス帯域での減衰特性を改善することができる。
【図１】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタを示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図３】本実施の形態に係る積層型誘電体フィルタを示
す分解斜視図である。
す分解斜視図である。
１０…積層型誘電体フィルタ １２…誘電体
基板 １４、１６…共振器 １４Ａ、１４
Ｂ、１４Ｃ…共振電極 １６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ…共振電極 ２２Ａ、２２
Ｂ…内層アース電極 ２４Ａ、２４Ｂ…内層アース電極 Ｓ１〜Ｓ９…
第１〜第９の誘電体層
基板 １４、１６…共振器 １４Ａ、１４
Ｂ、１４Ｃ…共振電極 １６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ…共振電極 ２２Ａ、２２
Ｂ…内層アース電極 ２４Ａ、２４Ｂ…内層アース電極 Ｓ１〜Ｓ９…
第１〜第９の誘電体層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 平井 隆己
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
(72)発明者 水野 和幸
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
(72)発明者 齋藤 仁
長野県佐久市猿久保664−１ 双信電機株
式会社千曲工場内
(72)発明者 野口 剛司
長野県佐久市猿久保664−１ 双信電機株
式会社千曲工場内
Ｆターム(参考） 5J006 HA25 HA27 HA35 HB05 HB21
JA01 JA31 LA03 LA21 NA03
NB07 NC03 NF03 PB04
Claims (4)
- 【請求項１】複数の誘電体層が積層されて構成された誘
電体基板内に共振電極を具備し、 前記共振電極の部位によって、実効的な誘電率が異なる
ことを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項２】請求項１記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、 前記共振電極の開放端部分の実効誘電率が、前記共振電
極の短絡端部分の実効誘電率よりも高いことを特徴とす
る積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の積層型誘電体フィル
タにおいて、 前記誘電体基板内に前記共振電極の開放端に対向するよ
うに形成された内層アース電極を有することを特徴とす
る積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項４】請求項１又は２記載の積層型誘電体フィル
タにおいて、 前記共振電極の開放端を前記誘電体層の積層方向につい
て挟むように形成された複数の内層アース電極を有し、 少なくとも前記複数の内層アース電極にて挟まれた１以
上の誘電体層の誘電率は、その他の誘電体層の誘電率よ
りも高いことを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396166A JP2003198206A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 積層型誘電体フィルタ |
| CNB021593973A CN100487975C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | 介电体滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396166A JP2003198206A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 積層型誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003198206A true JP2003198206A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=19189064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001396166A Pending JP2003198206A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 積層型誘電体フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003198206A (ja) |
| CN (1) | CN100487975C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158920A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Ube Ind Ltd | 積層型誘電体共振器及び積層型誘電体フィルタ |
| JP2011523523A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-08-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 回路構成 |
| JP2014225830A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11346104A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Philips Japan Ltd | 誘電体フィルタ |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001396166A patent/JP2003198206A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-27 CN CNB021593973A patent/CN100487975C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158920A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Ube Ind Ltd | 積層型誘電体共振器及び積層型誘電体フィルタ |
| JP2011523523A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-08-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 回路構成 |
| JP2014225830A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュール |
| US9859861B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-01-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | High frequency filter and high frequency module equipped with same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1430308A (zh) | 2003-07-16 |
| CN100487975C (zh) | 2009-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3115149B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH07142902A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| US5576672A (en) | Layered stripline filter including capacitive coupling electrodes | |
| US6356244B1 (en) | Antenna device | |
| JP2860018B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2851966B2 (ja) | 積層型誘電体フィルター | |
| JP2003198206A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH06120703A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP3204753B2 (ja) | 共用器 | |
| JP2721626B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2957041B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2000244202A (ja) | 積層型共用器及びその製造方法 | |
| JP3454535B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2860010B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH06120704A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH05283906A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH05243810A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH08288706A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP3264387B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2806682B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2963835B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2710904B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP4493225B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP3381956B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2000349532A (ja) | アンテナ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040903 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060418 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060815 |