JP3204753B2 - 共用器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は共用器に関し、特に一つ
のアンテナを送信側と受信側とで共用し送信信号と受信
信号とを分離する機能を有する共用器に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】共用
器、例えば、一つのアンテナを送信側と受信側とで共用
し送信信号と受信信号とを分離する機能を有するアンテ
ナ共用器においては、中心周波数の異なる二つのフィル
タが並列に接続されるから、これらの二つのフィルタの
いずれか一方のフィルタの中心周波数においても、これ
らのフィルタが共用する入出力端子であるアンテナから
見た他方のフィルタのインピーダンスが無限大になるよ
うにして、当該フィルタの通過特性を妨げないようする
必要がある。

【０００３】この目的のために、分波回路を二つのフイ
ルタの接続部分に挿入することが行われている。図１０
は、それぞれ所定の電気長を持った伝送線路４１１、４
１２をアンテナ７００とフィルタ５００およびフィルタ
６００との間にそれぞれ挿入して分波回路４００を構成
した場合を示している。この構造においては、伝送線路
４１１、４１２が所定の電気長を有することが必要とな
るので、これらの伝送線路４１１、４１２を所定の長さ
引き回す必要があり、誘電体基板中にこれらの伝送線路
４１１、４１２を形成する場合には大きな面積を必要と
し、共用器を小型化できないという問題があった。

【０００４】そこで、伝送線路の代わりに容量やコイル
等の集中定数素子を使用して分波回路を構成することが
行われている。図１１にはその一例として、コイル４２
１および４２２をフィルタ５００および６００とアンテ
ナ７００との間にそれぞれ直列に挿入し、容量４２３を
フィルタ５００、６００と並列に挿入した場合を示して
いる。このような分波回路を構成するために、従来にお
いては、コイル４２１、４２２として、実際にリードを
巻いた個別部品を使用し、容量４２３として、チップ容
量等の個別部品を使用していた。従って、部品点数が増
加し、共用器も小型化できないという問題があった。さ
らに、コイルのリアクタンスが振動によって変化し、安
定性や信頼性も低いという問題があった。

【０００５】従って、本発明の一目的は、小型化に適し
た構造を有する共用器を提供することにある。

【０００６】本発明の他の目的は、分波回路を構成する
のにコイル等の部品を不用とし、安定性や信頼性に優れ
た共用器を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、中心周
波数の異なる第１のフィルタおよび第２のフィルタと、
前記第１および第２のフィルタのいずれか一方のフィル
タの中心周波数においても、前記第１および第２のフィ
ルタが共用する入出力端子から見た前記第１および第２
のフィルタのうちの他方のフィルタのインピーダンスが
無限大になるようにした分波回路とを有する共用器にお
いて、前記第１および第２のフィルタの少なくとも一つ
を共振素子が誘電体基板中に一体的に設けられたトリプ
レート型のフィルタとし、前記分波回路の少なくとも一
部を前記誘電体基板中に設け、前記第１のフィルタ、前
記第２のフィルタおよび前記分波回路を前記誘電体基板
に一体的に形成したことを特徴とする共用器が得られ
る。

【０００８】好ましくは、前記分波回路が前記第１およ
び第２のフィルタにそれぞれ直列に接続された容量と前
記第１および第２のフィルタに並列に接続されたインダ
クタンスとを有して構成される。

【０００９】さらに好ましくは、前記インダクタンスの
先端がアースに短絡され電気長が９０度以下の伝送線路
によって構成される。

【００１０】前記分波回路のインダクタンスを構成する
伝送線路がマイクロストリップ線路であることが、さら
に好ましい。

【００１１】

【作用】本発明においては、中心周波数の異なる第１の
フィルタおよび第２のフィルタと、前記第１および第２
のフィルタのいずれか一方のフィルタの中心周波数にお
いても、前記第１および第２のフィルタが共用する入出
力端子から見た前記第１および第２のフィルタのうちの
他方のフィルタのインピーダンスが無限大になるように
した分波回路とを有する共用器において、前記第１およ
び第２のフィルタの少なくとも一つを共振素子が誘電体
基板中に一体的に設けられたトリプレート型のフィルタ
とし、前記分波回路の少なくとも一部を前記誘電体基板
中に設け、前記第１のフィルタ、前記第２のフィルタお
よび前記分波回路を前記誘電体基板に一体的に形成して
いるから、共用器を小型化でき、部品点数も減少し、ま
た、コイル等の部品も不用となるから、安定性や信頼性
に優れた共用器が得られる。

【００１２】ここで、使用するフィルタをトリプレート
型のフィルタとする理由は、一部内蔵化された分波回路
とフィルタを接続する際、その接続は基板に内蔵された
電極を使用して行われるのが望ましく、そのためには、
導体の内蔵多層構造が可能で、分波回路とフィルタを接
続する電極の形成が容易な積層型のトリプレート型フィ
ルタが好ましいからである。

【００１３】また、少なくとも一つがトリプレート型で
ある理由は、残り一つのフィルタに要求される仕様が低
い場合には、集中定数型のＬＣ型フィルタ（バンドパ
ス、ローパス等）が使用される場合が考えられるからで
ある。

【００１４】好ましくは、第１、第２のフィルタ共にト
リプレート型フィルタが使用される。

【００１５】また、本発明の共用器において、分波回路
を第１および第２のフィルタにそれぞれ直列に接続され
た容量と第１および第２のフィルタに並列に接続された
インダクタンスとによって構成することにより、分波回
路を誘電体基板に容易に形成できる。すなわち、誘電体
基板中または誘電体基板上に形成した導体を利用してイ
ンダクタンスを形成する場合には導体の一端を短絡また
は開放にする必要があるが、この導体を第１および第２
のフィルタに並列に接続することによって、その一端を
容易に短絡または開放できる。なお、第１および第２の
フィルタに直列に接続された容量は誘電体基板内に内蔵
された電極を利用して容易に形成できる。

【００１６】そして、このインダクタンスを先端がアー
スに短絡され電気長が９０度以下の伝送線路によって構
成することによって、インダクタンスをコンパクトに誘
電体基板に形成できる。なお、先端短絡した伝送線路の
インピーダンスは、ｊＺｔａｎθと変化するため、どの
ようなインピーダンスの値にも対応できる。

【００１７】また、分波回路のインダクタンスを構成す
る伝送線路をマイクロストリップ線路とすることによっ
て、伝送線路の特性インピーダンスを高くすることがで
きる。分波回路のインダクタンスを構成する伝送線路は
集中定数素子であるコイルを置き換えたものであるが、
この伝送線路の特性インピーダンスが高くなると、その
周波数に対するリアクタンスの変化がコイルの場合に近
くなるから分波回路を広帯域化することができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。

【００１９】図１は本発明の共用器の第１の実施例の模
式展開図であり、図２は本実施例の斜視図である。

【００２０】誘電体層１１の下面には後にアース電極１
１０が設けられるが、そのアース電極１１０と後記する
伝送線路７０の先端部とを接続するためのスルーホール
９１を誘電体層１１内に形成する。

【００２１】後記する共振素子２１、２２の開放端側に
誘電体層１４、１３を挟んで重なり、端部が後記するア
ース電極１１０と接続される内層アース電極８１および
後記する共振素子２３、２４、２５の開放端側に誘電体
層１４、１３を挟んで重なり、端部が後記するアース電
極１１０と接続される内層アース電極８３を誘電体層１
２上に形成する。さらに、アース電極１１０と後記する
伝送線路７０の先端部とを接続するためのスルーホール
９２も誘電体層１２内に形成する。

【００２２】誘電体層１３上に、その一端部５１が後記
する伝送線路７０の一部に誘電体層１４を挟んで重なり
その他端部５２が後記する共振素子２３の一部に誘電体
層１４を挟んで重なる容量結合電極５０および後記する
共振素子２５の一部に重なる入出力電極４２を形成す
る。さらに、アース電極１１０と後記する伝送線路７０
の先端部とを接続するためのスルーホール９３も誘電体
層１３内に形成する。

【００２３】後記するアース電極１１０に一端部がそれ
ぞれ接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を
構成する共振素子２１〜２５を誘電体層１４上に形成
し、さらに、一端部が後記するアース電極１１０に接続
され、かつ他端部が共振素子２１〜２５の開放端から所
定の間隔離れて共振素子２１〜２５の開放端とそれぞれ
対向する電極３１〜３５を誘電体層１４上に形成し、共
振素子２１、２２が分布結合されることを利用してコム
ライン型のフィルタ５００を構成し、共振素子２３、２
４、２５が分布結合されることを利用してコムライン型
のフィルタ６００を構成する。

【００２４】また、さらに、共振素子２２と共振素子２
３との間の誘電体層１４上には、インダクタンスを構成
するための伝送線路７０を形成する。伝送線路７０の先
端部にはアース電極１１０と接続するためのスルーホー
ル９４が設けられており、伝送線路７０の先端部はスル
ーホール９４、９３、９２および９１を介して誘電体層
１１の下面に設けられるアース電極１１０に短絡され
る。スルーホール９４は伝送線路７０の電気長が９０度
以下の所定の長さとなるような位置に設けてあるから、
伝送線路７０はインダクタンスを構成する。なお、伝送
線路７０の前端部７１の導体幅を細くしているのは伝送
線路７０の特性インピーダンスをなるべく高くして分波
回路を広帯域化するためであり、伝送線路７０の後端部
７２の導体幅を広くしているのは、実装を容易にするた
めには外部導出部をある程度広くする必要があるからで
ある。

【００２５】誘電体層１５上に、その一端部６１が伝送
線路７０の一部に誘電体層１５を挟んで重なりその他端
部６２が共振素子２２の一部に誘電体層１５を挟んで重
なる容量結合電極６０および共振素子２１の一部に重な
る入出力電極４１を形成する。

【００２６】共振素子２１、２２の開放端側に誘電体層
１５、１６を挟んで重なり、端部が後記するアース電極
１１０と接続される内層アース電極８２および共振素子
２３、２４、２５の開放端側に誘電体層１５、１６を挟
んで重なり、端部が後記するアース電極１１０と接続さ
れる内層アース電極８４を誘電体層１６上に形成する。

【００２７】誘電体層１６上に、表面にアース電極１１
０が形成される誘電体層１７を積層して、誘電体層１１
〜１７を一体に構成し、その後焼成して、積層体１００
を形成する。

【００２８】図２に示すように、積層体１００の上下面
および入出力端子部１３１、入出力端子部１３２および
アンテナ端子部１３３を除く側面に、アース電極１１０
を形成する。また、積層体１００の側面の入出力端子部
１３１内に、アース電極１１０と絶縁され、かつ入出力
電極４１と接続される入出力端子１２１を形成し、さら
に同様に、積層体１００の側面の入出力端子部１３２内
に、アース電極１１０と絶縁され、かつ入出力電極４２
と接続される入出力端子１２２を形成する。さらに、ア
ンテナ端子部１３３内に、アース電極１１０と絶縁さ
れ、かつ伝送線路７０の後端部７２と接続されるアンテ
ナ端子１２３を形成する。

【００２９】上記のようにして構成した共用器の等価回
路は図３のようになる。共振素子２１、２２によってバ
ンドパスフィルタ５００を構成し、共振素子２３、２
４、２５によってバンドパスフィルタ６００を構成して
いる。静電容量２１１、２２１、２３１、２４１、２５
１およびインダクタンス２１２、２２２、２３２、２４
２、２５２は共振素子２１、２２、２３、２４、２５を
それぞれ等価変換したときの静電容量およびインダクタ
ンスである。静電容量２１３、２２３、２３３、２４
３、２５３はそれぞれ共振素子２１、２２、２３、２
４、２５と電極３１、３２、３３、３４、３５との間に
形成される静電容量であり、これらの静電容量が存在す
ることによって共振素子２１と共振素子２２とはインダ
クタンス３１１で結合され、共振素子２３と共振素子２
４とはインダクタンス３１２で結合され、共振素子２４
と共振素子２５とはインダクタンス３１３で結合されて
いる。

【００３０】また、この実施例においては、共振素子２
１、２２の開放端側と対向する内層アース電極８１、８
２および共振素子２３、２４、２５の開放端側と対向す
る内層アース電極８３、８４を設けている。内層アース
電極８１、８２と対向している共振素子２１、２２の開
放端側の部分はよりアースに近くなり、共振素子２１の
開放端側と内層アース電極８１および８２との間には静
電容量２１４、２１５がそれぞれ形成され、共振素子２
２の開放端側と内層アース電極８１および８２との間に
は静電容量２２４、２２５がそれぞれ形成される。同様
に、内層アース電極８３、８４と対向している共振素子
２３、２４、２５の開放端側の部分はよりアースに近く
なり、共振素子２３の開放端側と内層アース電極８３お
よび８４との間には静電容量２３４、２３５がそれぞれ
形成され、共振素子２４の開放端側と内層アース電極８
３および８４との間には静電容量２４４、２４５がそれ
ぞれ形成され、共振素子２５の開放端側と内層アース電
極８３および８４との間には静電容量２５４、２５５が
それぞれ形成されている。これらの静電容量２１４、２
１５、２２４、２２５、２３４、２３５、２４４、２４
５、２５４、２５５も共振素子２１、２２、２３、２
４、２５を等価変換したときの並列共振回路の静電容量
２１１、２２１、２３１、２４１、２５１にそれぞれ付
加されることになる。従って、共振周波数を同一とすれ
ば、並列共振回路のインダクタンスは小さくてすむこと
になり、共振素子２１、２２、２３、２４、２５の長さ
もより短くなる。

【００３１】さらに、また、内層アース電極８１、８２
と対向している共振素子２１、２２の開放端側の部分お
よび内層アース電極８３、８４と対向している共振素子
２３、２４、２５の開放端側の部分はよりアースに近く
なり、アースとの結合が強くなるから、内層アース電極
８１、８２と対向している共振素子２１、２２の開放端
側の部分および内層アース電極８３、８４と対向してい
る共振素子２３、２４、２５の開放端側の部分における
共振素子同士の結合が弱くなる。従って、共振素子同士
の結合は内層アース電極８１、８２または内層アース電
極８３、８４と重ならない部分で主として結合すること
になる。このことは、実質的に共振素子の結合電気長が
短くなったことを意味する。このように結合電気長が短
くなると、共振素子同士を結合する分布定数素子のリア
クタンスも小さくなり、共振素子同士が強く誘導結合す
るようになり、フィルタ５００、６００の特性が広帯域
化する。

【００３２】静電容量３０１は入出力電極４１と共振素
子２１との間に形成される静電容量であり、静電容量３
０２は容量結合電極６０と共振素子２２との間に形成さ
れる静電容量であり、静電容量３０３は容量結合電極５
０と共振素子２３との間に形成される静電容量であり、
静電容量３０４は入出力電極４２と共振素子２５との間
に形成される静電容量である。

【００３３】静電容量４０１は容量結合電極６０と伝送
線路７０との間に形成される静電容量であり、静電容量
４０２は容量結合電極５０と伝送線路７０との間に形成
される静電容量である。インダクタンス４０３は伝送線
路７０によって構成されるインダクタンスである。イン
ダクタンス４０３はフィルタ５００、６００と並列に接
続され、静電容量４０１はアンテナ７００とフィルタ５
００との間に直列に接続され、静電容量４０２はアンテ
ナ７００とフィルタ６００との間に直列に接続され、こ
れらのインダクタンス４０３、静電容量４０１、４０２
によって分波回路４００を構成している。

【００３４】このように、本実施例においては、フィル
タ５００、６００および分波回路４００を一つの積層体
１００内に一体的に形成しているから、共用器を小型化
でき、部品点数も減少し、また、コイル等の部品も不用
となるから、安定性や信頼性に優れた共用器が得られ
る。

【００３５】そして、本実施例においては、分波回路４
００を構成するインダクタンス４０３をフィルタ５０
０、６００と並列に接続しているから、インダクタンス
４０３を構成する伝送線路７０の先端を容易にアースに
短絡することができる。伝送線路７０の先端をアースに
短絡しその電気長を９０度以下とすることによって伝送
線路７０はインダクタンス４０３となる。なお、このよ
うに先端短絡した伝送線路のインピーダンスは、ｊＺｔ
ａｎθと変化するため、どのようなインピーダンスの値
にも対応できる。また、フィルタ５００に直列に接続さ
れる静電容量４０１は誘電体層１５上に設けられた容量
結合電極６０、誘電体層１５および伝送線路７０により
容易に形成でき、フィルタ６００に直列に接続される静
電容量４０２は誘電体層１３上に設けられた容量結合電
極５０、誘電体層１４および伝送線路７０により容易に
形成できる。

【００３６】次に、第１の実施例の共用器の製造方法に
ついて説明する。

【００３７】本実施例の共用器は共振素子２１〜２５、
電極３１〜３５、入出力電極４１、４２、容量結合電極
５０、６０、伝送線路７０および内層アース電極８１〜
８４を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素子２
１〜２５、電極３１〜３５、入出力電極４１、４２、容
量結合電極５０、６０、伝送線路７０および内層アース
電極８１〜８４には損失の少ない比抵抗の低いものを用
いることが望ましく、低抵抗のＡｇ系、若しくはＣｕ系
の導体を用いることが好ましい。

【００３８】使用する誘電体としては、信頼性が高く誘
電率εγが大きいために小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。

【００３９】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミックス誘
電体と一体化することが望ましい。

【００４０】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とＴｉＯ₂ 粉末およびＮｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末との混合
物等のガラス系のものや、ＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｒｅ₂ Ｏ
₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系組成（Ｒｅ：レアアース成分）に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁器組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。

【００４１】一例として、ＭｇＯ：１８ｗｔ％−Ａｌ₂
Ｏ₃ ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ₂ ：３７ｗｔ％−Ｂ₂ Ｏ₃ ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ₂ ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ₂ 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末の１０ｗｔ％を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Ｎｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末は、Ｎｄ₂Ｏ
₃ 粉末とＴｉＯ₂ 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚み
のグリーンテープを作成した。

【００４２】次に、上記第１の実施例の場合は、所定の
位置にスルーホール用の穴を形成した後、銀ペーストに
よって充填する。そして、銀ペーストを導体ペーストと
して図１に示した導体パターンをそれぞれ印刷し、次い
で、これら導体パターンが印刷されたグリーンテープの
厚みを調整するため必要なグリーンテープを重ねて図１
の構造となるように重ね、積層した後、９００℃で焼成
して、積層体１００を作成した。

【００４３】上記のように構成した積層体１００の上
面、下面および入出力端子部１３１、１３２およびアン
テナ端子部１３３を除く側面に図２に示すように銀電極
からなるアース電極１１０を印刷し、さらにアース電極
１１０から絶縁し、かつ入出力電極４１、４２および伝
送線路７０に各別に接続する銀電極を入出力端子部１３
１、１３２内およびアンテナ端子部１３３内に入出力端
子１２１、１２２およびアンテナ端子１２３として印刷
し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけた。

【００４４】次に、本発明の共用器の第２の実施例を説
明する。図４は本実施例の模式展開図であり、図５は本
実施例の斜視図である。

【００４５】第１の実施例においては、分波回路４００
のインダクタンス４０３を構成する伝送線路７０を積層
体１００の内部に形成したストリップ線路としたが、本
実施例においては、分波回路４００のインダクタンス４
０３を構成する伝送線路７０を誘電体層１７上、すなわ
ち、積層体１００上に形成したマイクロストリップ線路
としている。このように、分波回路４００のインダクタ
ンス４０３を構成する伝送線路７０をマイクロストリッ
プ線路とすることによって、伝送線路７０の特性インピ
ーダンスを高くすることができる。分波回路４００のイ
ンダクタンス４０３を構成する伝送線路７０は集中定数
素子であるコイルを置き換えたものであるが、この伝送
線路７０の特性インピーダンスが高くなると、周波数に
対するリアクタンスの変化がコイルの場合に近くなるか
ら分波回路４００を広帯域化することができる。

【００４６】なお、本実施例では、インダクタンスは表
面のマイクロストリップ線路としたが、実用的には保護
層として薄い絶縁層をマイクロストリップ線路の導体上
に形成する場合もある。

【００４７】本実施例においては、さらに、分波回路４
００の静電容量４０１を容量結合電極６０の一端部６１
と誘電体層１４上の容量結合電極７３との重なり部分で
形成し、分波回路４００の静電容量４０２を容量結合電
極５０の一端部５１と誘電体層１４上の容量結合電極７
３との重なり部分で形成した点、および伝送線路７０の
先端部を誘電体層１７上に設けられるアース電極と直接
接続している点が第１の実施例と異なるが、他の構成は
第１の実施例と同様である。なお、伝送線路７０の後端
部７２と容量結合電極７３とはアンテナ端子部１３３内
に設けたアンテナ端子１２３によって接続されている。
また、使用した材料や製造方法も第１の実施例と同様で
ある。

【００４８】次に、本発明の共用器の第３の実施例を説
明する。図６は本実施例の模式展開図であり、図７は本
実施例の斜視図である。

【００４９】第２の実施例において、誘電体層１１の下
面に設けられるアース電極１１０を伝送線路７０の下の
部分１４１だけ除いたのが本実施例であり、他の構成は
第２の実施例と同様であり、使用した材料や製造方法も
第１の実施例と同様である。本実施例においては伝送線
路７０の下の部分１４１にはアース電極１１０が設けら
れていないから、伝送線路７０の特性インピーダンスを
第２の実施例よりも高くすることができ、分波回路４０
０をより広帯域化することができる。なお、フィルタ５
００、６００に対応する部分のアース電極１１０は第
１、第２の実施例と同様に設けられているから、フィル
タ５００、６００の特性に対する影響はほとんどない。

【００５０】次に、本発明の共用器の第４の実施例を説
明する。図８は本実施例の模式展開図であり、図２は本
実施例の斜視図であり、図９は本実施例の等価回路図で
ある。

【００５１】第１〜第３の実施例においては、分波回路
４００を二つの静電容量４０１、４０２および一つのイ
ンダクタンス４０３によって構成したが、本実施例にお
いては、分波回路４００を四つの静電容量４３１〜４３
４と二つのインダクタンス４３５、４３６とによって構
成している。このようにして分波回路４００を構成する
ことにより、分波回路４００の設計が容易となり、その
特性を広帯域化することができる。

【００５２】このような分波回路４００を実現するため
に、本実施例においては、誘電体層１１上に容量結合用
電極７７を設け、誘電体層１２上には内層アース電極８
１、８３に加え伝送線路７６を設け、誘電体層１４上に
は伝送線路７０に代えてアース電極８００を設け、誘電
体層１６上には内装アース電極８２、８４に加え伝送線
路７４を設け、誘電体層１６と誘電体層１７との間に誘
電体層１８を設けその誘電体層１８上には容量結合用電
極７５を設けた点が第１の実施例と異なるが、他の構成
は第１の実施例と同様であり、使用した材料や製造方法
も同様である。

【００５３】本実施例においては、分波回路４００の静
電容量４３１を容量結合電極６０の一端部６１と誘電体
層１６上の伝送線路７４の後端部７４２との重なり部分
で形成し、静電容量４３２を伝送線路７４の後端部７４
２と誘電体層１８上の容量結合用電極７５の前端部７５
２との重なり部分で形成し、伝送線路７４によってイン
ダクタンス４３５を形成する。なお、伝送線路７４の前
端部７４１は積層体１００の前側面に設けられるアース
電極１１０に接続され、容量結合用電極７５の後端部は
積層体１００の後側面に設けられるアンテナ端子１２３
と接続される。

【００５４】また、分波回路４００の静電容量４３４を
誘電体層１３上の容量結合電極５０の一端部５１と誘電
体層１２上の伝送線路７６の後端部７６２との重なり部
分で形成し、静電容量４３４を伝送線路７６の後端部７
６２と誘電体層１１上の容量結合用電極７７の前端部７
７２との重なり部分で形成し、伝送線路７６によってイ
ンダクタンス４３６を形成する。なお、伝送線路７６の
前端部７６１は誘電体層１２内に設けられるスルーホー
ル９２および誘電体層１１内に設けられるスルーホール
９１によって積層体１００の下面に設けられるアース電
極１１０と接続されている。このように、伝送線路７６
の前端部７６１を積層体１００の前側面に設けられるア
ース電極１１０と接続せずスルーホール９２およびスル
ーホール９１によって積層体１００の下面に設けられる
アース電極１１０と接続しているのは、伝送線路７４に
よるインダクタンス４３５とは異なった値のインダクタ
ンス４３６を得るためである。また、容量結合用電極７
７の後端部７７１は積層体１００の後側面に設けられる
アンテナ端子１２３と接続される。

【００５５】また、本実施例においては、誘電体層１４
上に設けられたアース電極８００は、伝送線路７４、７
６間の分布結合を阻止するシールドとして機能する。ア
ース電極８００の前端部は積層体１００の前側面に設け
られるアース電極１１０に接続され、後端部８０１、８
０２は積層体１００の後側面に設けられるアース電極１
１０と接続される。なお、アース電極８００の後端部を
二つの部分８０１、８０２に分離し、これらの後端部８
０１、８０２間には電極を設けていないのは、アース電
極８００が積層体１００の後側面に設けられるアンテナ
端子１２３と短絡するのを防止するためである。

【００５６】なお、以上の各実施例においては、フィル
タ５００、６００としてバンドパスフィルタを示した
が、本発明においては、バンドパスフィルタのみなら
ず、バンドリジェクションフィルタ、ローパスフィル
タ、ハイパスフィルタ等もそれぞれフィルタ５００、６
００として用いることができる。

【００５７】

【発明の効果】本発明においては、中心周波数の異なる
第１のフィルタおよび第２のフィルタと、前記第１およ
び第２のフィルタのいずれか一方のフィルタの中心周波
数においても、前記第１および第２のフィルタが共用す
る入出力端子から見た前記第１および第２のフィルタの
うちの他方のフィルタのインピーダンスが無限大になる
ようにした分波回路とを有する共用器において、前記第
１および第２のフィルタの少なくとも一つを共振素子が
誘電体基板中に一体的に設けられたトリプレート型のフ
ィルタとし、前記分波回路の少なくとも一部を前記誘電
体基板中に設け、前記第１のフィルタ、前記第２のフィ
ルタおよび前記分波回路を前記誘電体基板に一体的に形
成しているから、共用器を小型化でき、部品点数も減少
し、また、コイル等の部品も不用となるから、安定性や
信頼性に優れた共用器が得られる。

【００５８】この場合において、分波回路を第１および
第２のフィルタにそれぞれ直列に接続された容量と第１
および第２のフィルタに並列に接続されたインダクタン
スとによって構成することにより、分波回路を誘電体基
板に容易に形成できる。

【００５９】そして、このインダクタンスを先端がアー
スに短絡され電気長が９０度以下の伝送線路によって構
成することによって、インダクタンスをコンパクトに誘
電体基板に形成できる。

【００６０】また、分波回路のインダクタンスを構成す
る伝送線路をマイクロストリップ線路とすることによっ
て、伝送線路の特性インピーダンスを高くすることがで
き、その結果、分波回路を広帯域化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の共用器の模式展開図で
ある。

【図２】本発明の第１の実施例の共用器の斜視図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施例の共用器の等価回路図で
ある。

【図４】本発明の第２の実施例の共用器の模式展開図で
ある。

【図５】本発明の第２の実施例の共用器の斜視図であ
る。

【図６】本発明の第３の実施例の共用器の模式展開図で
ある。

【図７】本発明の第３の実施例の共用器の斜視図であ
る。

【図８】本発明の第４の実施例の共用器の模式展開図で
ある。

【図９】本発明の第４の実施例の共用器の斜視図であ
る。

【図１０】従来の共用器を説明するための図である。

【図１１】従来の共用器を説明するための図である。

【符号の説明】

１１〜１７…誘電体層 ２１〜２５…共振素子 ３１〜３５…電極 ４１、４２…入出力電極 ５０、６０、７３…容量結合電極 ７０、７４、７６…伝送線路 ８１〜８４…内層アース電極 ９１〜９４…スルーホール １００…積層体 １１０…アース電極 ４００…分波回路 ５００、６００…フィルタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−301901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−60006（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−97103（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−65101（ＪＰ，Ｕ) 米国特許4168479（ＵＳ，Ａ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】中心周波数の異なる第１のフィルタおよび
   第２のフィルタと、前記第１および第２のフィルタのい
   ずれか一方のフィルタの中心周波数においても、前記第
   １および第２のフィルタが共用する入出力端子から見た
   前記第１および第２のフィルタのうちの他方のフィルタ
   のインピーダンスが無限大になるようにした分波回路と
   を有する共用器において、 前記第１および第２のフィルタの少なくとも一つを共振
   素子が誘電体基板中に一体的に設けられたトリプレート
   型のフィルタとし、 前記分波回路の少なくとも一部を前記誘電体基板中に設
   け、 前記第１のフィルタ、前記第２のフィルタおよび前記分
   波回路を前記誘電体基板に一体的に形成し、 前記分波回路が前記第１および第２のフィルタにそれぞ
   れ直列に接続された容量と前記第１および第２のフィル
   タに並列に接続されたインダクタンスとを有している こ
   とを特徴とする共用器。
2. 【請求項２】請求項１記載の共用器において、 前記インダクタンスの先端がアースに短絡され電気長が
   ９０度以下の伝送線路によって構成されていることを特
   徴とする共用器。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の共用器において、 前記分波回路のインダクタンスを構成する伝送線路がマ
   イクロストリップ線路であることを特徴とする共用器。