JP3103420B2 - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は携帯用電話機等の高周波
機器に利用するフィルタやアンテナ共用器に使用される
積層型誘電体フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の誘電体フィルタは、例えば図６
（ａ）（特開昭６２ー５１８０３号公報）に示すよう
に、誘電体基板１１の一方の表面端部に形成されたガー
ド電極１２に複数の共振素子１３₁ 〜１３₅ を接続し、
誘電体基板１１の他方の裏面全面には図示しないアース
電極を形成して、誘電体基板１１を介して共振素子１３
₁ 〜１３₅ が各共振素子１３₁ 〜１３₅ 各々の間に各別
に存在する静電容量１４₁ 〜１４₄ で結合されることを
利用してコムライン型のフィルタを構成し、入力側の共
振素子１３₁ と共振素子１３₁ に隣合う共振素子１３₂
との間に、共振素子１３₁ と共振素子１３₂ とに電気的
に静電容量１５₁ および１５₂ で結合される電極１６₁
を形成して入力端子とし、同様に出力側の共振素子１３
₅ と共振素子１３₅ に隣合う共振素子１３₄ との間に共
振素子１３₅ と共振素子１３₄ とに電気的に静電容量１
５₃ および１５₄ で結合される電極１６₂ を形成して出
力端子としている。

【０００３】上記した従来例の誘電体フィルタの電気的
な等価回路は図６（ｂ）に示す如くであり、入力側につ
いて見れば、図６（ｃ）に示すようであって、静電容量
１４₁ 、１５₁ 、１５₂ をΔ−Ｙ変換すれば図６（ｄ）
に示すように、静電容量１７₁ 、１７₂ 、１７₃ とな
る。ここで、静電容量１７₁ によってバンドパスフィル
タの減衰ピークの周波数が変化することが知られてい
る。静電容量１７₁ の増加により図７の破線のように減
衰ピークの周波数が低下し、静電容量１７₁ の減少によ
り図７の一点鎖線のように減衰ピークの周波数が増加す
る。また出力側についても同様であって、静電容量１７
₁ に対応する出力側の静電容量に基づいて減衰ピークの
周波数が変化する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記した従
来例によるときは入力側の共振素子に直列接続される静
電容量１７₁ は、図６に示す如く、静電容量１４₁ 、１
５₁ 、１５₂ の３つの静電容量をΔ−Ｙ変換して始めて
定まることになる。したがって静電容量１７₁ は静電容
量１４₁ 、１５₁ および１５₂ の関数であり、静電容量
１７₁ を変化させたい場合、すなわち減衰ピークの周波
数を変化させたい場合には、静電容量１４₁ 、１５₁ お
よび１５₂ のすべてを調整することが必要となり、静電
容量１７₁のみの調整を簡単に行うことができないとい
う問題点があった。また出力側についても同様の問題点
があった。

【０００５】本発明は、入力端側または出力端側の共振
素子に直列に接続される静電容量の設定が容易な積層型
誘電体フィルタを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の積層型誘電体フ
ィルタは、入力端側共振素子と、出力端側共振素子と、
前記入力端側共振素子の一部および前記出力端側共振素
子の一部に誘電体層を挟んで重なる結合電極と、前記結
合電極の一部に前記誘電体層とは別の誘電体層を挟んで
重なり、かつ、入力接続端子及び出力接続端子のいずれ
か一方と電気的に接続される電極とを備えたことを特徴
とする。

【０００７】また、入力端側共振素子と出力端側共振素
子との間に１以上の共振素子が並設されていてもよい。

【０００８】

【作用】本発明の積層型誘電体フィルタによれば、入力
端側共振素子および出力端側共振素子と結合電極とが誘
電体層を挟んで重なることになって、前記入力端側共振
素子と前記結合電極との間、および前記出力端側共振素
子と前記結合電極との間にそれぞれ静電容量が形成さ
れ、この静電容量が前記入力端側共振素子、前記出力端
側共振素子のそれぞれに直列に接続された状態となる。
この静電容量は結合電極と入力端側および／または出力
端側共振素子との対向面積によって定まり、結合電極の
幅を設定することによって前記直列接続される静電容量
を容易に設定できることになる。したがって、バンドパ
スフィルタの減衰ピークの周波数を容易に変更すること
ができる。また、入力端側共振素子と出力端側共振素子
との間に１以上の共振素子を並設した場合も同様であ
る。すなわち、この場合、前記入力端側共振素子および
これに隣接する共振素子に誘電体層を挟んで重なる結合
電極、あるいは前記出力端側共振素子およびこれに隣接
する共振素子に誘電体層を挟んで重なる結合電極の少な
くともいずれか一方が設けられ、その結果、前記入力端
側共振素子と前記結合電極との間、前記入力端側共振素
子に隣接する共振素子と前記結合電極との間、および／
または、前記出力端側共振素子と前記結合電極との間、
前記出力端側共振素子に隣接する共振素子と前記結合電
極との間にそれぞれ静電容量が形成される。

【０００９】

【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。

【００１０】図１は本発明の一実施例の模式展開図であ
り、図２は本発明の一実施例の斜視図であり、図３は本
発明の一実施例の主要部の構成を示す平面図および側面
図である。

【００１１】誘電体層１₁ の裏面全面に形成される後記
のアース電極２に一端部がそれぞれ電気的に接続される
１／４波長ストリップライン共振器を構成する共振素子
３₁〜３₄ を誘電体層１₁ の表面に形成し、一端部がア
ース電極２に電気的に接続され、かつ他端が共振素子３
₁ 〜３₄ の他端から所定の間隔離れて対向する電極４₁
〜４₄ を誘電体層１₁ の表面に形成して、コムライン型
のフィルタを構成する。ここで、電極４₁ 〜４₄ によっ
て共振素子３₁ 〜３₄ の開放端側にアースとの間で容量
が付加される。このため、共振素子３₁ 〜３₄ は１／４
波長以下で共振する。共振素子間の結合は各々の間での
電磁気的な結合により実現される。これを集中定数で等
価表現すると８₁ 〜８₃ のインダクタンスで表せる。

【００１２】誘電体層１₁ 上に積層される誘電体層１₂
の表面に、誘電体層１₂ を挟んで入力側の共振素子３₁
の一部および共振素子３₁ に隣合う共振素子３₂ の一部
に重なると共に、共振素子３₁ および共振素子３₂ にほ
ぼ直交するように結合電極５₁ を形成し、同様に誘電体
層１₂ の表面に誘電体層１₂ を挟んで出力側の共振素子
３₄ の一部および共振素子３₄ に隣合う共振素子３₃ の
一部に重なると共に、共振素子３₃ および共振素子３₄
にほぼ直交するように結合電極５₂ を形成する。

【００１３】誘電体層１₂ 上に積層される誘電体層１₃
の表面に、誘電体層１₃ を挟んで結合電極５₁ の一部に
重なるように入力用電極６₁ を形成し、同様に誘電体層
１₃を挟んで結合電極５₂ の一部に重なるように出力用
電極６₂ を形成し、誘電体層１₃ 上に、表面にアース電
極２が形成される誘電体層１₄ を積層して、誘電体層１
₁ 〜１₄ を一体に構成し、表面および入力端子部１
０₁ 、出力端子部１０₂ を除く側面にアース電極２を塗
布して形成する。

【００１４】一方、一体に構成した誘電体層１₁ 〜１₄
の一方の側面中の入力端子部１０₁内に、アース電極２
と電気的に絶縁され、かつ入力用電極６₁ と電気的に接
続された入力端子７₁ を形成し、さらに同様に一体に構
成した誘電体層１₁ 〜１₄ の他方の側面中の出力端子部
１０₂ 内に、アース電極２と電気的に絶縁され、かつ出
力用電極６₂ と電気的に接続された出力端子７₂ を形成
する。

【００１５】上記のように構成した本実施例において、
共振素子３₁ 、共振素子３₂ 、結合電極５₁ および入力
用電極６₁ の空間的な構成を平面図および断面図で示せ
ば図３（ａ）および図３（ｂ）に示す如くであって、相
互に重なり部分があって、その間に誘電体層が存在し、
誘電体層を含む重なり部分において静電結合された状態
となっている。この静電容量をそれぞれ、静電容量
８₁₁、８₁₂、８₁₃とする。出力側についても同様であっ
て、共振素子３₃ 、共振素子３₄ 、結合電極５₂ および
出力用電極６₂ の重なり部分により形成される静電容量
をそれぞれ８₁₄、８₁₅、８₁₆とする。

【００１６】上記のように構成された本実施例の電気的
な等価回路は図４（ａ）に示すようになる。ここで、図
４（ａ）に示す各並列共振回路の静電容量は、共振素子
３₁〜３₄ を、集中定数で等価変換したときの静電容量
と共振素子３₁ 〜３₄ に対向する電極４₁ 〜４₄ との間
に形成される静電容量との和からなる合成静電容量を示
している。

【００１７】本実施例においては、電極４₁ 〜４₄ を誘
電体層１₁ の表面に形成したために、図４（ａ）に示す
各並列共振回路の静電容量は、共振素子３₁ 〜３₄ 夫々
を、集中定数に変換したときの静電容量と共振素子３₁
〜３₄ に対向する電極４₁ 〜４₄ との間に形成される静
電容量との和からなる合成静電容量となって、共振周波
数を同一とすれば並列共振回路のインダクタンスは小さ
くて済むことになって、共振素子３₁ 〜３₄ の長さは短
くて済み、積層型誘電体フィルタの容積は小さくて済む
ことになる。

【００１８】図４（ａ）において、今、インダクタンス
８₁ のインダクタンス値をＬ８₁ 、静電容量８₁₂および
８₁₃の容量値をＣ８₁₂、Ｃ８₁₃、フィルタの通過帯域の
中心周波数をｆとすると、Ｌ８₁ 、Ｃ８₁₂、Ｃ８₁₃、ｆ
の間に、 Ｌ８₁ ＞（１／Ｃ８₁₂＋１／Ｃ８₁₃）／（２πｆ）² …（１） の関係が成立するときには、図４（ａ）の９１ａの部分
は、図４（ｂ）の９１ｂの部分のように等価変換され
る。すなわち、この場合には、静電容量８₁₂、８₁₃が大
きくインダクタンス８₁ は無視できて、共振素子３₁ 、
３₂ 間の結合は容量性となる。その静電容量を図４
（ｂ）において静電容量８₂₁で示してある。この場合に
は、共振素子３₁ に直列に静電容量８₁₂が結合されてい
るから、フィルタの通過帯域の低周波側に減衰ピークが
現われる。

【００１９】式（１）の要件を満たす場合としては、Ｃ
８₁₂、Ｃ８₁₃が大きいか、または、Ｌ８₁ が大きい場合
がある。Ｃ８₁₂およびＣ８₁₃を大きくするためには、共
振素子３₁ と結合電極５₁ との対向面積、および共振素
子３₂ と結合電極５₁ との対向面積を増加させるか、共
振素子３₁ 、３₂ と結合電極５₁ との間の誘電体層１₂
の厚さを薄くする。また、Ｌ８₁ を大きくするため、す
なわち、共振素子３₁、３₂ 間の誘導結合を小さくする
ためには、共振素子３₁ と電極４₁ との間の静電容量お
よび共振素子３₂ と電極４₂ との間の静電容量の容量値
を小さくして共振素子３₁ 、３₂ の長さを長くし、共振
素子３₁ および３₂ が結合する部分の結合電気長を長く
するか、または、共振素子３₁ 、３₂ 間の距離を大きく
する。

【００２０】同様に、図４（ａ）において、インダクタ
ンス８₃ のインダクタンス値をＬ８₃ 、静電容量８₁₅お
よび８₁₆の容量値をＣ８₁₅、Ｃ８₁₆とすると、Ｌ８₃ 、
Ｃ８₁₅、Ｃ８₁₆、ｆの間に、 Ｌ８₃ ＞（１／Ｃ８₁₅＋１／Ｃ８₁₆）／（２πｆ）² …（２） の関係が成立するときには、図４（ａ）の９２ａの部分
は、図４（ｂ）の９２ｂの部分のように等価変換され
る。すなわち、この場合には、静電容量８₁₅、８₁₆が大
きくインダクタンス８₃ は無視できて、共振素子３₃ 、
３₄ 間の結合は容量性となる。その静電容量を図４
（ｂ）において静電容量８₂₂で示してある。この場合に
は、共振素子３₄ に直列に静電容量８₁₅が結合されてい
るから、フィルタの通過帯域の低周波側に減衰ピークが
現われる。

【００２１】式（２）の要件を満たす場合としては、Ｃ
８₁₅、Ｃ８₁₆が大きいか、または、Ｌ８₃ が大きい場合
がある。Ｃ８₁₅およびＣ８₁₆を大きくするためには、共
振素子３₄ と結合電極５₂ との対向面積、および共振素
子３₃ と結合電極５₂ との対向面積を増加させるか、共
振素子３₃ 、３₄ と結合電極５₂ との間の誘電体層１₂
の厚さを薄くする。また、Ｌ８₃ を大きくするため、す
なわち、共振素子３₃、３₄ 間の誘導結合を小さくする
ためには、共振素子３₃ と電極４₃ との間の静電容量お
よび共振素子３₄ と電極４₄ との間の静電容量の容量値
を小さくして共振素子３₃ 、３₄ の長さを長くし、共振
素子３₃ および３₄ が結合する部分の結合電気長を長く
するか、または、共振素子３₃ 、３₄ 間の距離を大きく
する。

【００２２】なお、ここで、誘電体層１₂ の厚さを一定
とすれば、誘電体層１₂ を挟んで共振素子３₁ と対向す
る結合電極５₁ の面積を設定することによって、共振素
子３₁ に直列接続される静電容量８₁₂は任意に設定する
ことができることになる。また、図５（ａ）および
（ｂ）に示すように共振素子３₁ の幅よりも広い範囲に
わたって、結合電極５₁ の幅を一定に設定することによ
って共振素子３₁ と結合電極５₁ との相対位置にずれが
生じても静電容量８₁₁に変化はなく、製作時に共振素子
３₁ と結合電極５₁ との相対位置の設定が容易となる。
なお、共振素子３₄と結合電極５₂ との関係においても
同様である。したがって本実施例の積層型誘電体フィル
タの低減側遮断特性にばらつきが生ずることもなくな
る。

【００２３】また、図４（ａ）において、Ｌ８₁ 、Ｃ８
₁₂、Ｃ８₁₃、ｆの間に、 Ｌ８₁ ＜（１／Ｃ８₁₂＋１／Ｃ８₁₃）／（２πｆ）² …（３） の関係が成立するときには、図４（ａ）の９１ａの部分
は、図４（ｃ）の９１ｃの部分のように等価変換され
る。この場合には、共振素子３₁ に直列にインダクタン
ス８₃₁が結合されているから、フィルタの通過帯域の高
周波側に減衰ピークが現われる。

【００２４】式（３）の要件を満たす場合としては、Ｃ
８₁₂、Ｃ８₁₃が小さいか、または、Ｌ８₁ が小さい場合
がある。Ｃ８₁₂およびＣ８₁₃を小さくするためには、共
振素子３₁ と結合電極５₁ との対向面積、および共振素
子３₂ と結合電極５₁ との対向面積を減少させるか、共
振素子３₁ 、３₂ と結合電極５₁ との間の誘導体層１₂
の厚さを厚くする。また、Ｌ８₁ を小さくするため、す
なわち、共振素子３₁、３₂ 間の誘導結合を大きくする
ためには、共振素子３₁ と電極４₁ との間の静電容量お
よび共振素子３₂ と電極４₂ との間の静電容量の容量値
を大きくして共振素子３₁ 、３₂ の長さを短くし、共振
素子３₁ および３₂ が結合する部分の結合電気長を短く
するか、または、共振素子３₁ 、３₂ 間の距離を小さく
する。

【００２５】同様に、図４（ａ）において、Ｌ８₃ 、Ｃ
８₁₅、Ｃ８₁₆、ｆの間に、 Ｌ８₃ ＜（１／Ｃ８₁₅＋１／Ｃ８₁₆）／（２πｆ）² …（４） の関係が成立するときには、図４（ａ）の９２ａの部分
は、図４（ｃ）の９２ｃの部分のように等価変換され
る。この場合には、共振素子３₄ に直列にインダクタン
ス８₃₄が結合されているから、フィルタの通過帯域の高
周波側に減衰ピークが現われる。

【００２６】式（４）の要件を満たす場合としては、Ｃ
８₁₅、Ｃ８₁₆が小さいか、または、Ｌ８₃ が小さい場合
がある。Ｃ８₁₅およびＣ８₁₆を小さくするためには、共
振素子３₄ と結合電極５₂ との対向面積、および共振素
子３₃ と結合電極５₂ との対向面積を減少させるか、共
振素子３₃ 、３₄ と結合電極５₂ との間の誘電体層１₂
の厚さを厚くする。また、Ｌ８₃ を小さくするため、す
なわち、共振素子３₃、３₄ 間の誘導結合を大きくする
ためには、共振素子３₃ と電極４₃ との間の静電容量お
よび共振素子３₄ と電極４₄ との間の静電容量の容量値
を大きくして共振素子３₃ 、３₄ の長さを短くし、共振
素子３₃ および３₄ が結合する部分の結合電気長を短く
するか、または、共振素子３₃ 、３₄ 間の距離を小さく
する。

【００２７】次に本実施例の積層型誘電体フィルタの製
造方法について説明する。本実施例の積層型誘電体フィ
ルタは共振素子３₁ 〜３₄ 、電極４₁ 〜４₄ 、結合電極
５₁、５₂ 、入力用電極６₁ および出力用電極６₂ を完
全に誘電体層１₁ 〜１₄ からなる誘電体中に内蔵するこ
とから、共振素子３₁ 〜３₄ 、電極４₁ 〜４₄ 、結合電
極５₁ 、５₂ 、入力用電極６₁ および出力用電極６₂ に
は損失の少ない比抵抗の低いものを用いることが望まし
く、低抵抗のＡｇ系、若しくはＣｕ系の導体を用いるこ
とが好ましい。

【００２８】信頼性が高く誘電率εγが大きくて小型化
に適するため、誘電体材料としては、セラミックスを使
用することが好ましい。

【００２９】また、セラミックス誘電体層の形成方法と
しては、誘電体原料粉末の成形体とその成形体上に塗布
した導体とを積層した後、焼成緻密化し、導体が積層構
造でセラミックスと一体となる構成にすることが好まし
い。

【００３０】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とＴｉＯ₂ 粉末およびＮｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末との混合
物等のガラス系のものや、ＢａＯ−ＴｉＯ₂ −ＲＥ₂ Ｏ
₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系組成（ＲＥ：レアアース成分）に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したものがある。

【００３１】一例として、ＭｇＯ：１８ｗｔ％−Ａｌ₂
Ｏ₃ ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ₂ ：３７ｗｔ％−Ｂ₂ Ｏ₃ ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ₂ ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ₂ 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末の１０ｗｔ％を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Ｎｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末は、Ｎｄ₂Ｏ
₃ 粉末とＴｉＯ₂ 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚み
のグリーンテープを作製した。

【００３２】銀ペーストを導体ペーストとして、前記グ
リーンテープ上に、図１に示した導体パターンを印刷
し、次いで、これら導体パターンが印刷されたグリーン
テープの厚みを調整するため必要なグリーンテープを重
ねて図１の構造となるように重ね、積層した後、９００
℃で焼成した。

【００３３】上記のように構成した積層型誘電体フィル
タ本体の両主面すなわち誘電体層１₁ の全裏面対応面
と、誘電体層１₄ の表面対応面と、入力端子部１０₁ 、
出力端子部１０₂ の部分を除く側面とに図２に示すよう
に銀電極からなるアース電極２を印刷し、さらに入力端
子部１０₁ 、出力端子部１０₂ 内においてアース電極２
から電気的に絶縁し、かつ入力用電極６₁ 、出力用電極
６₂ に各別に電気的に接続する銀電極を入力端子７₁ 、
出力端子７₂ として印刷して、印刷した電極を８５０℃
で焼きつけた。

【００３４】上記の積層型誘電体フィルタにおいて、各
共振素子３₁ 、３₂ 、３₃ および３₄ の幅を０．８ｍ
ｍ、かつ共振素子間の間隔を１．２ｍｍ、共振素子
３₁ 、３₂、３₃ および３₄ の長さを４ｍｍとし、電極
４₁ 、４₂ 、４₃ および４₄ の幅を０．８ｍｍとし、電
極４₁ 、４₂ 、４₃ および４₄ の長さを０．５ｍｍと
し、共振素子３₁ 、３₂ 、３₃ および３₄ とそれぞれ対
向する電極４₁ 、４₂ 、４₃ および４₄ との間隔を０．
３ｍｍとし、結合電極５₁ および５₂ の共振素子３₁ お
よび３₄ と対向する部分の面積を０．６４ｍｍ² 、誘電
体層１₁ 、１₂ 、１₃ 、１₄ の厚さを０．２ｍｍとした
とき、積層型誘電体フィルタは、その中心周波数は１８
００ＭＨｚ、帯域幅は７５ＭＨｚ、挿入損失は２．４ｄ
Ｂ以下であった。さらに減衰ピークの周波数は１７０５
ＭＨｚ、減衰量は４５ｄＢが得られた。

【００３５】さらに結合電極５₁ および５₂ の共振素子
３₁ 、３₄ と重なる部分の幅を共振素子３₁ 、３₄ の幅
よりも両側に０．２ｍｍずつ広い領域で共振素子長さ方
向で０．４ｍｍ広げて１．２ｍｍ（結合電極５₁ および
５₂ の共振素子３₁ および３₄ と対向する部分の面積を
０．９２ｍｍ² ）にした場合は中心周波数は１８００Ｍ
Ｈｚ、帯域幅は７５ＭＨｚ、挿入損失は２．３ｄＢ以下
であった。さらに減衰ピークの周波数は１６５５ＭＨ
ｚ、減衰量は５０ｄＢが得られた。

【００３６】なお、上記した実施例において、共振素子
３₁ 〜３₄ 相互間の結合を誘導結合とした場合を例示し
たが、容量結合であってもよい。

【００３７】以上の実施例において共振素子の配置がコ
ムライン型の場合について説明したがインタデジタルラ
イン型の場合にも適応することができる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明した如く本発明によれば、入力
端側共振素子の一部および出力端側共振素子の一部に誘
電体層を挟んで重なる結合電極と、前記結合電極の一部
に前記誘電体層とは別の誘電体層を挟んで重なり、か
つ、入力接続端子及び出力接続端子のいずれか一方と電
気的に接続される電極とを備えて外部と接続するように
したため、前記入力端側共振素子と前記結合電極との
間、および前記出力端側共振素子と前記結合電極との間
にそれぞれ静電容量が形成され、これらの静電容量が、
前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子に接続さ
れた状態となり、これらの静電容量は結合電極と入力端
側および／または出力端側共振素子との対向面積によっ
て定まって、結合電極の幅を設定することによって前記
直列接続される静電容量を容易に設定できる効果があ
り、フィルタ特性の減衰ピークの周波数を容易に変更す
ることができると共に、遮断周波数のばらつきがなくな
る効果がある。また、前記入力端側共振素子と前記出力
端側共振素子との間にさらに１以上の共振素子が並設さ
れているフィルタにおいても同様に、上記した効果が得
られる。

【００３９】さらに本発明によれば、共振素子と直列に
接続される静電容量を共振素子と対向する結合電極部分
の幅によって設定することができて、設計が容易になる
と共に、製造も容易となる効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の模式展開図である。

【図２】本発明の一実施例の斜視図である。

【図３】本発明の一実施例の主要部の構成を示す模式的
な平面図および断面図である。

【図４】本発明の一実施例の電気的な等価回路図であ
る。

【図５】本発明の一実施例の主要部の模式的な平面図で
ある。

【図６】従来例の構成を示す構成図および電気的な等価
回路図である。

【図７】誘電体フィルタの周波数特性図である。

【符号の説明】

１₁ 〜１₄ …誘電体層 ２…アース電極 ３₁ 〜３₄ …共振素子 ４₁ 〜４₄ …電極 ５₁ 、５₂ …結合電極 ６₁ …入力用電極 ６₂ …出力用電極 ７₁ …入力端子 ７₂ …出力端子

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−124101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−204518（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】入力端側共振素子と、出力端側共振素子
   と、前記入力端側共振素子の一部および前記出力端側共
   振素子の一部に誘電体層を挟んで重なる結合電極と、前
   記結合電極の一部に前記誘電体層とは別の誘電体層を挟
   んで重なり、かつ、入力接続端子及び出力接続端子のい
   ずれか一方と電気的に接続される電極とを備えたことを
   特徴とする積層型誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】入力端側共振素子と、出力端側共振素子
   と、前記入力端側共振素子と前記出力端側共振素子との
   間に並設された１以上の共振素子と、前記入力端側共振
   素子の一部およびこれに隣接する共振素子の一部に誘電
   体層を挟んで重なる結合電極、あるいは前記出力端側共
   振素子の一部およびこれに隣接する共振素子の一部に誘
   電体層を挟んで重なる結合電極の少なくともいずれか一
   方と、少なくとも１つの前記結合電極の一部に前記誘電
   体層とは別の誘電体層を挟んで重なり、かつ、入力接続
   端子及び出力接続端子のいずれか一方と電気的に接続さ
   れる電極とを備えたことを特徴とする積層型誘電体フィ
   ルタ。