JPH06120703A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents
積層型誘電体フィルタInfo
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- JPH06120703A JPH06120703A JP4267299A JP26729992A JPH06120703A JP H06120703 A JPH06120703 A JP H06120703A JP 4267299 A JP4267299 A JP 4267299A JP 26729992 A JP26729992 A JP 26729992A JP H06120703 A JPH06120703 A JP H06120703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】共振素子間の誘導結合度を調整可能として、所
望の帯域幅が得られる積層型誘電体フィルタを提供す
る。 【構成】共振素子２１、２３の開放端に対向する内層ア
ース電極８１を誘電体層１２上に形成する。誘電体層１
３上に、入力用電極４１および出力用電極４２を形成す
る。アース電極７０に一端部がそれぞれ接続されて１／
４波長型ストリップライン共振器を構成する共振素子２
１、２３を誘電体層１４上に形成する。共振素子２１、
２３に共に重なる結合調整電極９１を誘電体層１５上に
形成する。共振素子２１、２３の開放端側に対向する内
層アース電極８２を誘電体層１６上に形成する。
望の帯域幅が得られる積層型誘電体フィルタを提供す
る。 【構成】共振素子２１、２３の開放端に対向する内層ア
ース電極８１を誘電体層１２上に形成する。誘電体層１
３上に、入力用電極４１および出力用電極４２を形成す
る。アース電極７０に一端部がそれぞれ接続されて１／
４波長型ストリップライン共振器を構成する共振素子２
１、２３を誘電体層１４上に形成する。共振素子２１、
２３に共に重なる結合調整電極９１を誘電体層１５上に
形成する。共振素子２１、２３の開放端側に対向する内
層アース電極８２を誘電体層１６上に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層型誘電体フィルタに
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサ等に
使用される積層型誘電体フィルタに関する。
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサ等に
使用される積層型誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１４、１５は、それぞれ本発明者らが
案出した積層型誘電体フィルタの模式展開図および斜視
図である。
案出した積層型誘電体フィルタの模式展開図および斜視
図である。
【０００３】この積層型誘電体フィルタにおいては、後
記する共振素子２１、２２、２３の開放端側の一部に誘
電体層１３、１４を挟んで重なり、端部が後記するアー
ス電極７０と接続される内層アース電極８１を誘電体層
１２上に形成し、後記する出力端側の共振素子２３の一
部に誘電体層１４を挟んで重なる出力用電極４２を誘電
体層１３上に形成し、後記するアース電極７０に一端部
がそれぞれ接続されて１／４波長ストリップライン共振
器を構成する共振素子２１〜２３を誘電体層１４上に形
成し、さらに一端部が後記するアース電極７０に接続さ
れかつ他端部が共振素子２１〜２３の開放端から所定の
間隔離れて共振素子２１〜２３とそれぞれ対向する電極
３１〜３３を誘電体層１４上に形成し、誘電体層１５上
に、入力端側の共振素子２１の一部に誘電体層１５を挟
んで重なる入力用電極４１を形成し、共振素子２１、２
２、２３の開放端側の一部に誘電体層１５、１６を挟ん
で重なり、端部が後記するアース電極７０と接続される
内層アース電極８２を誘電体層１６上に形成し、誘電体
層１６上に、表面にアース電極７０が形成される誘電体
層１７を積層して、誘電体層１２〜１７を一体に構成
し、その後焼成して、積層体５００を形成する。
記する共振素子２１、２２、２３の開放端側の一部に誘
電体層１３、１４を挟んで重なり、端部が後記するアー
ス電極７０と接続される内層アース電極８１を誘電体層
１２上に形成し、後記する出力端側の共振素子２３の一
部に誘電体層１４を挟んで重なる出力用電極４２を誘電
体層１３上に形成し、後記するアース電極７０に一端部
がそれぞれ接続されて１／４波長ストリップライン共振
器を構成する共振素子２１〜２３を誘電体層１４上に形
成し、さらに一端部が後記するアース電極７０に接続さ
れかつ他端部が共振素子２１〜２３の開放端から所定の
間隔離れて共振素子２１〜２３とそれぞれ対向する電極
３１〜３３を誘電体層１４上に形成し、誘電体層１５上
に、入力端側の共振素子２１の一部に誘電体層１５を挟
んで重なる入力用電極４１を形成し、共振素子２１、２
２、２３の開放端側の一部に誘電体層１５、１６を挟ん
で重なり、端部が後記するアース電極７０と接続される
内層アース電極８２を誘電体層１６上に形成し、誘電体
層１６上に、表面にアース電極７０が形成される誘電体
層１７を積層して、誘電体層１２〜１７を一体に構成
し、その後焼成して、積層体５００を形成する。
【０００４】次に、図１５に示すように、積層体５００
の上下面および入力端子部６１、出力端子部６２を除く
側面にアース電極７０を形成する。さらに、積層体５０
０の一方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０
と絶縁され、かつ入力用電極４１と接続される入力端子
５１を形成し、さらに同様に、積層体５００の他方の側
面の出力端子部６２内に、アース電極７０と絶縁され、
かつ出力用電極４２と接続される出力端子５２を形成す
る。
の上下面および入力端子部６１、出力端子部６２を除く
側面にアース電極７０を形成する。さらに、積層体５０
０の一方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０
と絶縁され、かつ入力用電極４１と接続される入力端子
５１を形成し、さらに同様に、積層体５００の他方の側
面の出力端子部６２内に、アース電極７０と絶縁され、
かつ出力用電極４２と接続される出力端子５２を形成す
る。
【０００５】上述した積層型誘電体フィルタの等価回路
は図１６に示すようになる。図１６において符号１１１
は共振素子２１と入力用電極４１間の静電容量であり、
符号１１２は共振素子２３と出力用電極４２間の静電容
量であり、符号１２１〜１２３はそれぞれ共振素子２１
と電極３１間の静電容量、共振素子２２と電極３２間の
静電容量、共振素子２３と電極３３間の静電容量であ
り、符号１３２は共振素子２１と共振素子２２との間の
誘導結合を示すインダクタンスであり、符号１３３は共
振素子２２と共振素子２３との間の誘導結合を示すイン
ダクタンスであって、バンドパスフィルタを構成してい
る。なお、並列共振回路の静電容量２１１、２２１、２
３１およびインダクタンス２１２、２２２、２３２は、
共振素子２１、２２、２３をそれぞれ等価変換したとき
の静電容量およびインダクタンスである。
は図１６に示すようになる。図１６において符号１１１
は共振素子２１と入力用電極４１間の静電容量であり、
符号１１２は共振素子２３と出力用電極４２間の静電容
量であり、符号１２１〜１２３はそれぞれ共振素子２１
と電極３１間の静電容量、共振素子２２と電極３２間の
静電容量、共振素子２３と電極３３間の静電容量であ
り、符号１３２は共振素子２１と共振素子２２との間の
誘導結合を示すインダクタンスであり、符号１３３は共
振素子２２と共振素子２３との間の誘導結合を示すイン
ダクタンスであって、バンドパスフィルタを構成してい
る。なお、並列共振回路の静電容量２１１、２２１、２
３１およびインダクタンス２１２、２２２、２３２は、
共振素子２１、２２、２３をそれぞれ等価変換したとき
の静電容量およびインダクタンスである。
【０００６】また、静電容量１４１および１４２はそれ
ぞれ共振素子２１の開放端側と内層アース電極８１およ
び８２との間に形成される静電容量であり、静電容量１
４３および１４４はそれぞれ共振素子２２の開放端側と
内層アース電極８１および８２との間に形成される静電
容量であり、静電容量１４５および１４６はそれぞれ共
振素子２３の開放端側と内層アース電極８１および８２
との間に形成される静電容量である。
ぞれ共振素子２１の開放端側と内層アース電極８１およ
び８２との間に形成される静電容量であり、静電容量１
４３および１４４はそれぞれ共振素子２２の開放端側と
内層アース電極８１および８２との間に形成される静電
容量であり、静電容量１４５および１４６はそれぞれ共
振素子２３の開放端側と内層アース電極８１および８２
との間に形成される静電容量である。
【０００７】この積層型誘電体フィルタにおいては、共
振素子２１、２２、２３の開放端側と対向する内層アー
ス電極８１、８２を設けている。従って、内層アース電
極８１、８２と対向している共振素子の開放端側の部分
はアースにより近くなり、共振素子２１、２２、２３の
開放端側と内層アース電極８１、８２との間には静電容
量１４１〜１４６がそれぞれ形成され、この静電容量１
４１〜１４６も共振素子２１、２２、２３を等価変換し
たときの並列共振回路の静電容量１２１、１２２、１２
３に付加されることになる。従って、共振周波数を同一
とすれば、並列共振回路のインダクタンスは小さくて済
むことになり、共振素子２１、２２、２３の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くする
ことができる。
振素子２１、２２、２３の開放端側と対向する内層アー
ス電極８１、８２を設けている。従って、内層アース電
極８１、８２と対向している共振素子の開放端側の部分
はアースにより近くなり、共振素子２１、２２、２３の
開放端側と内層アース電極８１、８２との間には静電容
量１４１〜１４６がそれぞれ形成され、この静電容量１
４１〜１４６も共振素子２１、２２、２３を等価変換し
たときの並列共振回路の静電容量１２１、１２２、１２
３に付加されることになる。従って、共振周波数を同一
とすれば、並列共振回路のインダクタンスは小さくて済
むことになり、共振素子２１、２２、２３の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くする
ことができる。
【０００８】また、内層アース電極８１、８２と対向し
ている共振素子２１〜２３の開放端側の部分はよりアー
スに近くなり、アースとの結合が強くなるから、内層ア
ース電極８１、８２と対向している開放端側の部分の共
振素子同士の結合が弱くなる。従って、共振素子同士の
結合は内層アース電極８１、８２と重ならない部分で主
として結合するようになる。このことは、実質的に共振
素子の結合電気長が短くなったことを意味する。このよ
うに電気長が短くなると、共振素子同士を結合する分布
定数素子のリアクタンスも小さくなり、共振素子同士が
強く誘導結合するようになり、フィルタの特性が広帯域
化する。
ている共振素子２１〜２３の開放端側の部分はよりアー
スに近くなり、アースとの結合が強くなるから、内層ア
ース電極８１、８２と対向している開放端側の部分の共
振素子同士の結合が弱くなる。従って、共振素子同士の
結合は内層アース電極８１、８２と重ならない部分で主
として結合するようになる。このことは、実質的に共振
素子の結合電気長が短くなったことを意味する。このよ
うに電気長が短くなると、共振素子同士を結合する分布
定数素子のリアクタンスも小さくなり、共振素子同士が
強く誘導結合するようになり、フィルタの特性が広帯域
化する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積層型
誘電体フィルタをさらに小型化するために内層アース電
極８１、８２と共振素子２１〜２３との対向面積を増加
させていくと、共振素子の実質的な電気長が短くなって
共振素子同士がより強く誘導結合するようになりフィル
タの特性が広帯域化しすぎるという問題があった。
誘電体フィルタをさらに小型化するために内層アース電
極８１、８２と共振素子２１〜２３との対向面積を増加
させていくと、共振素子の実質的な電気長が短くなって
共振素子同士がより強く誘導結合するようになりフィル
タの特性が広帯域化しすぎるという問題があった。
【００１０】さらに、上述した構造の誘電体フィルタに
おいては、共振素子２１〜２３の短絡部分や内層アース
８１、８２のエッジ部分では共振素子の電磁界が乱れて
誘導結合が強くなるように作用し、フィルタの特性をよ
り広帯域化させてしまう傾向があるから、積層型誘電体
フィルタを小型化するために内層アース電極８１、８２
と共振素子２１〜２３との対向面積を増加させていく
と、共振素子同士がますます強く誘導結合してフィルタ
の特性を広帯域化させすぎてしまい、所望の帯域幅を有
するフィルタを得ることができないという問題があっ
た。
おいては、共振素子２１〜２３の短絡部分や内層アース
８１、８２のエッジ部分では共振素子の電磁界が乱れて
誘導結合が強くなるように作用し、フィルタの特性をよ
り広帯域化させてしまう傾向があるから、積層型誘電体
フィルタを小型化するために内層アース電極８１、８２
と共振素子２１〜２３との対向面積を増加させていく
と、共振素子同士がますます強く誘導結合してフィルタ
の特性を広帯域化させすぎてしまい、所望の帯域幅を有
するフィルタを得ることができないという問題があっ
た。
【００１１】従って、本発明の一目的は、共振素子間の
誘導結合度を調整可能として、所望の帯域幅が得られる
積層型誘電体フィルタを提供することにある。
誘導結合度を調整可能として、所望の帯域幅が得られる
積層型誘電体フィルタを提供することにある。
【００１２】また、本発明の他の目的は、積層型誘電体
フィルタを小型化してもフィルタの特性が広帯域化しす
ぎることのない積層型誘電体フィルタを提供することに
ある。
フィルタを小型化してもフィルタの特性が広帯域化しす
ぎることのない積層型誘電体フィルタを提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１の
アース電極と、第２のアース電極と、前記第１のアース
電極と前記第２のアース電極との間に設けられた誘電体
層と、前記誘電体層内に設けられた片側短絡型の第１の
共振素子と、前記誘電体層内かつ前記第１の共振素子と
同一平面内に前記第１の共振素子と近接して設けられた
片側短絡型の第２の共振素子と、前記第１のアース電極
と前記第１の共振素子および前記第２の共振素子との間
の前記誘電体層内に設けられ前記第１の共振素子の一主
面の一部と前記第２の共振素子の一主面の一部とに対向
する結合調整電極と、を有することを特徴とする積層型
誘電体フィルタが得られる。
アース電極と、第２のアース電極と、前記第１のアース
電極と前記第２のアース電極との間に設けられた誘電体
層と、前記誘電体層内に設けられた片側短絡型の第１の
共振素子と、前記誘電体層内かつ前記第１の共振素子と
同一平面内に前記第１の共振素子と近接して設けられた
片側短絡型の第２の共振素子と、前記第１のアース電極
と前記第１の共振素子および前記第２の共振素子との間
の前記誘電体層内に設けられ前記第１の共振素子の一主
面の一部と前記第２の共振素子の一主面の一部とに対向
する結合調整電極と、を有することを特徴とする積層型
誘電体フィルタが得られる。
【００１４】前記積層型誘電体フィルタが、前記誘電体
層内かつ前記第１の共振素子および前記第２の共振素子
と同一平面内であって前記第１の共振素子に対して前記
第２の共振素子とは反対側に前記第１の共振素子と近接
して設けられた片側短絡型の第３の共振素子とをさらに
有する場合には、前記第２のアース電極と前記第１の共
振素子および前記第３の共振素子との間の前記誘電体層
内に設けられ前記第１の共振素子の前記一主面とは反対
側の他の主面の一部と前記第３の共振素子の一主面の一
部とに対向する第２の結合調整電極をさらに有すること
が好ましい。
層内かつ前記第１の共振素子および前記第２の共振素子
と同一平面内であって前記第１の共振素子に対して前記
第２の共振素子とは反対側に前記第１の共振素子と近接
して設けられた片側短絡型の第３の共振素子とをさらに
有する場合には、前記第２のアース電極と前記第１の共
振素子および前記第３の共振素子との間の前記誘電体層
内に設けられ前記第１の共振素子の前記一主面とは反対
側の他の主面の一部と前記第３の共振素子の一主面の一
部とに対向する第２の結合調整電極をさらに有すること
が好ましい。
【００１５】また、前記積層型誘電体フィルタが、前記
第１および前記第２の共振素子の開放端側と対向して前
記誘電体層内に設けられた内層アース電極、または前記
第１乃至第３の共振素子の開放端側と対向して前記誘電
体層内に設けられた内層アース電極をさらに有すること
が好ましい。
第１および前記第２の共振素子の開放端側と対向して前
記誘電体層内に設けられた内層アース電極、または前記
第１乃至第３の共振素子の開放端側と対向して前記誘電
体層内に設けられた内層アース電極をさらに有すること
が好ましい。
【００１６】
【作用】本発明においては、片側短絡型の第１の共振素
子および第２の共振素子を同一平面内に近接して設け、
第１の共振素子の一主面の一部と第２の共振素子の一主
面の一部とに対向する第１の結合調整電極を設けている
から、この第１の結合調整電極と第１の共振素子と第２
の共振素子との間にはそれぞれ容量が形成される。そし
てこれらの容量の合成容量が第１の共振素子と第２の共
振素子との間に形成される誘導結合と並列に接続される
ことになるから、この容量によって第１の共振素子と第
２の共振素子との間に形成される誘導結合を抑制するこ
とができる。従って、この容量の値を調整することによ
って第１の共振素子と第２の共振素子との間の誘導結合
度を調整することができ、所望の帯域幅を有するフィル
タを得ることができる。なお、この容量の調整は、第１
の共振素子と第１の結合調整電極の重なり面積およびこ
れらの間の距離並びに第２の共振素子と第１の結合調整
電極との重なり面積およびこれらの間の距離を変化させ
ることによって容易に行うことができる。
子および第２の共振素子を同一平面内に近接して設け、
第１の共振素子の一主面の一部と第２の共振素子の一主
面の一部とに対向する第１の結合調整電極を設けている
から、この第１の結合調整電極と第１の共振素子と第２
の共振素子との間にはそれぞれ容量が形成される。そし
てこれらの容量の合成容量が第１の共振素子と第２の共
振素子との間に形成される誘導結合と並列に接続される
ことになるから、この容量によって第１の共振素子と第
２の共振素子との間に形成される誘導結合を抑制するこ
とができる。従って、この容量の値を調整することによ
って第１の共振素子と第２の共振素子との間の誘導結合
度を調整することができ、所望の帯域幅を有するフィル
タを得ることができる。なお、この容量の調整は、第１
の共振素子と第１の結合調整電極の重なり面積およびこ
れらの間の距離並びに第２の共振素子と第１の結合調整
電極との重なり面積およびこれらの間の距離を変化させ
ることによって容易に行うことができる。
【００１７】また、積層型誘電体フィルタが、第１の共
振素子および第２の共振素子と同一平面内であって第１
の共振素子に対して第２の共振素子とは反対側に第１の
共振素子と近接して設けられた片側短絡型の第３の共振
素子とをさらに有する場合には、第１の共振素子と第３
の共振素子とに対向して設けられる第２の結合調整電極
を第１の結合調整電極が対向する第１の共振素子の一主
面とは反対側の他の主面の一部と第３の共振素子の一主
面の一部とに対向するように設けることにより、第１の
結合調整電極と第２の結合調整電極とは第１の共振素子
に対してそれぞれ反対側の層に設けられることになる。
その結果、第１の結合調整電極と第１の共振素子との対
向面積および第２の結合調整電極と第１の共振素子との
対向面積をそれぞれ独立に大きくすることができ、これ
らの間に大きい容量を形成することができる。このよう
に大きい容量が形成できれば、共振素子間に形成される
誘導結合をその容量によって調整して所望の帯域幅のフ
ィルタを得ることも容易となる。
振素子および第２の共振素子と同一平面内であって第１
の共振素子に対して第２の共振素子とは反対側に第１の
共振素子と近接して設けられた片側短絡型の第３の共振
素子とをさらに有する場合には、第１の共振素子と第３
の共振素子とに対向して設けられる第２の結合調整電極
を第１の結合調整電極が対向する第１の共振素子の一主
面とは反対側の他の主面の一部と第３の共振素子の一主
面の一部とに対向するように設けることにより、第１の
結合調整電極と第２の結合調整電極とは第１の共振素子
に対してそれぞれ反対側の層に設けられることになる。
その結果、第１の結合調整電極と第１の共振素子との対
向面積および第２の結合調整電極と第１の共振素子との
対向面積をそれぞれ独立に大きくすることができ、これ
らの間に大きい容量を形成することができる。このよう
に大きい容量が形成できれば、共振素子間に形成される
誘導結合をその容量によって調整して所望の帯域幅のフ
ィルタを得ることも容易となる。
【００１８】また、積層型誘電体フィルタが共振素子の
開放端側と対向する内層アース電極をさらに有するよう
にすることによって、共振素子の開放端側と内層アース
との間に形成される静電容量も共振素子を等価変換した
ときの並列共振回路の静電容量に付加されることになる
から、共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のイン
ダクタンスは小さくて済むことになり、その結果、共振
素子の長さもより短くなり、積層型誘電体フィルタ全体
の長さも短くすることができる。
開放端側と対向する内層アース電極をさらに有するよう
にすることによって、共振素子の開放端側と内層アース
との間に形成される静電容量も共振素子を等価変換した
ときの並列共振回路の静電容量に付加されることになる
から、共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のイン
ダクタンスは小さくて済むことになり、その結果、共振
素子の長さもより短くなり、積層型誘電体フィルタ全体
の長さも短くすることができる。
【００１９】この場合に、積層型誘電体フィルタを小型
化するために内層アース電極と共振素子との対向面積を
増加させていくと、共振素子同士がますます強く誘導結
合してフィルタの特性を広帯域化させすぎてしまうとい
う問題が発生するが、本発明においては隣接する共振素
子間に共に対向する結合調整電極を設けているから、こ
の結合調整電極と共振素子との間に形成される容量によ
って共振素子間に形成される誘導結合を抑制することが
でき、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。このように共振素子の開放端側に対向する内層アー
ス電極と、隣接する共振素子に共に対向する結合調整電
極とを設けることによって、積層型誘電体フィルタを小
型化してもフィルタの特性が広帯域化しすぎることのな
い積層型誘電体フィルタを得ることができる。
化するために内層アース電極と共振素子との対向面積を
増加させていくと、共振素子同士がますます強く誘導結
合してフィルタの特性を広帯域化させすぎてしまうとい
う問題が発生するが、本発明においては隣接する共振素
子間に共に対向する結合調整電極を設けているから、こ
の結合調整電極と共振素子との間に形成される容量によ
って共振素子間に形成される誘導結合を抑制することが
でき、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。このように共振素子の開放端側に対向する内層アー
ス電極と、隣接する共振素子に共に対向する結合調整電
極とを設けることによって、積層型誘電体フィルタを小
型化してもフィルタの特性が広帯域化しすぎることのな
い積層型誘電体フィルタを得ることができる。
【００２０】また、上述のように、本発明においては、
隣接する共振素子に共に対向する結合調整電極を設ける
ことにより隣接する共振素子と結合調整電極間にそれぞ
れ形成される容量の合成容量が隣接する共振素子間に形
成される誘導結合と並列に接続されることになるから、
隣接する共振素子間には容量とインダクタンスとからな
る並列共振回路が挿入されたことになる。そして、この
容量とインダクタンスとからなる並列共振回路のインピ
ーダンスは並列共振点の前後で誘導性から容量性へと変
化するから、隣接する共振素子と結合調整電極間にそれ
ぞれ形成される容量の値を調整することにより共振素子
間の結合を誘導性にも容量性にもすることができる。い
ま、共振素子間の結合を誘導性にした場合を考えると、
通過帯域の高周波側に並列共振点が存在するから高周波
側に減衰ピークを持ったフィルタが得られ、また、共振
素子間の結合を容量性にすると、通過帯域の低周波側に
並列共振点が存在することになり低周波側に減衰ピーク
を持ったフィルタが得られ、いずれの場合もフィルタの
減衰特性を改善することができる。
隣接する共振素子に共に対向する結合調整電極を設ける
ことにより隣接する共振素子と結合調整電極間にそれぞ
れ形成される容量の合成容量が隣接する共振素子間に形
成される誘導結合と並列に接続されることになるから、
隣接する共振素子間には容量とインダクタンスとからな
る並列共振回路が挿入されたことになる。そして、この
容量とインダクタンスとからなる並列共振回路のインピ
ーダンスは並列共振点の前後で誘導性から容量性へと変
化するから、隣接する共振素子と結合調整電極間にそれ
ぞれ形成される容量の値を調整することにより共振素子
間の結合を誘導性にも容量性にもすることができる。い
ま、共振素子間の結合を誘導性にした場合を考えると、
通過帯域の高周波側に並列共振点が存在するから高周波
側に減衰ピークを持ったフィルタが得られ、また、共振
素子間の結合を容量性にすると、通過帯域の低周波側に
並列共振点が存在することになり低周波側に減衰ピーク
を持ったフィルタが得られ、いずれの場合もフィルタの
減衰特性を改善することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２２】図１は本発明の第１の実施例の模式展開図
であり、図２は本実施例の斜視図である。
であり、図２は本実施例の斜視図である。
【００２３】後記する共振素子２１、２３の開放端側に
誘電体層１３、１４を挟んで重なり、端部が後記するア
ース電極７０と接続される内層アース電極８１を誘電体
層１２上に形成する。なお、誘電体層１１の裏面にはア
ース電極７０が後に形成される。
誘電体層１３、１４を挟んで重なり、端部が後記するア
ース電極７０と接続される内層アース電極８１を誘電体
層１２上に形成する。なお、誘電体層１１の裏面にはア
ース電極７０が後に形成される。
【００２４】誘電体層１３上に、入力端側の共振素子２
１の一部に誘電体層１４を挟んで重なる入力用電極４１
および出力端側の共振素子２３の一部に誘電体層１４を
挟んで重なる出力用電極４２を形成する。
１の一部に誘電体層１４を挟んで重なる入力用電極４１
および出力端側の共振素子２３の一部に誘電体層１４を
挟んで重なる出力用電極４２を形成する。
【００２５】後記するアース電極７０に一端部がそれぞ
れ接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２１、２３を誘電体層１４上に形成す
る。さらに、一端部が後記するアース電極７０に接続さ
れ、かつ他端部が共振素子２１、２３の開放端から所定
の間隔離れて共振素子の開放端とそれぞれ対向する電極
３１、３３を誘電体層１４上に形成して、共振素子２
１、２３が分布結合されることを利用してコムライン型
のフィルタを構成する。
れ接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２１、２３を誘電体層１４上に形成す
る。さらに、一端部が後記するアース電極７０に接続さ
れ、かつ他端部が共振素子２１、２３の開放端から所定
の間隔離れて共振素子の開放端とそれぞれ対向する電極
３１、３３を誘電体層１４上に形成して、共振素子２
１、２３が分布結合されることを利用してコムライン型
のフィルタを構成する。
【００２６】共振素子２１、２３に誘電体層１５を挟ん
で共に重なる結合調整電極９１を誘電体層１５上に形成
する。 共振素子２１、２３の開放端側に誘電体層１
５、１６を挟んで重なり、端部が後記するアース電極７
０と接続される内層アース電極８２を誘電体層１６上に
形成する。
で共に重なる結合調整電極９１を誘電体層１５上に形成
する。 共振素子２１、２３の開放端側に誘電体層１
５、１６を挟んで重なり、端部が後記するアース電極７
０と接続される内層アース電極８２を誘電体層１６上に
形成する。
【００２７】誘電体層１６上に、表面にアース電極７０
が形成される誘電体層１７を積層して、誘電体層１１〜
１７を一体に構成し、その後焼成して、積層体５００を
形成する。
が形成される誘電体層１７を積層して、誘電体層１１〜
１７を一体に構成し、その後焼成して、積層体５００を
形成する。
【００２８】積層体５００の上下面および入力端子部６
１、出力端子部６２を除く側面に、図２に示すように、
アース電極７０を形成する。さらに、積層体５００の一
方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０と絶縁
され、かつ入力用電極４１と接続される入力端子５１を
形成し、さらに同様に、積層体５００の他方の側面の出
力端子部６２内に、アース電極７０と絶縁され、かつ出
力用電極４２と接続される出力端子５２を形成する。
１、出力端子部６２を除く側面に、図２に示すように、
アース電極７０を形成する。さらに、積層体５００の一
方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０と絶縁
され、かつ入力用電極４１と接続される入力端子５１を
形成し、さらに同様に、積層体５００の他方の側面の出
力端子部６２内に、アース電極７０と絶縁され、かつ出
力用電極４２と接続される出力端子５２を形成する。
【００２９】以上のように構成した本実施例において、
共振素子２１、２３、電極３１、３３、入力用電極４
１、出力用電極４２、内層アース電極８１、８２および
結合調整電極９１の空間的な構成を平面図、そのＸ−Ｘ
線断面図およびＹ−Ｙ線断面図で示せば図３、図４およ
び図５に示すようになる。
共振素子２１、２３、電極３１、３３、入力用電極４
１、出力用電極４２、内層アース電極８１、８２および
結合調整電極９１の空間的な構成を平面図、そのＸ−Ｘ
線断面図およびＹ−Ｙ線断面図で示せば図３、図４およ
び図５に示すようになる。
【００３０】共振素子２１、２３の開放端と電極３１、
３３との間にはそれぞれ静電容量１２１、１２３が形成
されている。そして、これらの静電容量１２１、１２３
が存在することによって、共振素子２１と２３とはイン
ダクタンス１３１で結合されている。
３３との間にはそれぞれ静電容量１２１、１２３が形成
されている。そして、これらの静電容量１２１、１２３
が存在することによって、共振素子２１と２３とはイン
ダクタンス１３１で結合されている。
【００３１】入力用電極４１と共振素子２１との間には
静電容量１１１が形成され、出力用電極４２と共振素子
２３との間には静電容量１１２が形成されている。
静電容量１１１が形成され、出力用電極４２と共振素子
２３との間には静電容量１１２が形成されている。
【００３２】また、共振素子２１と結合調整電極９１と
の間には静電容量１５１が形成され、共振素子２３と結
合調整電極９１との間には静電容量１５２が形成されて
いる。
の間には静電容量１５１が形成され、共振素子２３と結
合調整電極９１との間には静電容量１５２が形成されて
いる。
【００３３】さらに、共振素子２１の開放端と内層アー
ス電極８１、８２との間には静電容量１４１、１４２が
それぞれ形成され、共振素子２３の開放端と内層アース
電極８１、８２との間には静電容量１４５、１４６がそ
れぞれ形成されている。
ス電極８１、８２との間には静電容量１４１、１４２が
それぞれ形成され、共振素子２３の開放端と内層アース
電極８１、８２との間には静電容量１４５、１４６がそ
れぞれ形成されている。
【００３４】上記のようにして構成された積層型誘電体
フィルタの等価回路は図６のようになり、バンドパス特
性を示す。なお、図６において符号１６１は、共振素子
２１と結合調整電極９１との間に形成される静電容量１
５１および共振素子２３と結合調整電極９１との間に形
成される静電容量１５２の合成容量を表わす。このよう
に、本実施例においては、共振素子２１と共振素子２３
との間に形成されるインダクタンス１３１と並列に静電
容量１６１が接続されることになるから、この静電容量
１６１によって、共振素子２１と共振素子２３との間に
形成されここではインダクタンス１３１で表わされてい
る誘導結合を抑制することができる。従って、この静電
容量１６１の値を調整することによって共振素子２１と
共振素子２３との間の誘導結合度を調整することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。なお、この静電容量１６１は共振素子２１と結合調
整電極９１との間に形成される静電容量１５１および共
振素子２３と結合調整電極９１との間に形成される静電
容量１５２の合成容量であるから、その調整は、共振素
子２１と結合調整電極９１の重なり面積およびこれらの
間の距離並びに共振素子２３と結合調整電極９１との重
なり面積およびこれらの間の距離を変化させることによ
って容易に行うことができる。
フィルタの等価回路は図６のようになり、バンドパス特
性を示す。なお、図６において符号１６１は、共振素子
２１と結合調整電極９１との間に形成される静電容量１
５１および共振素子２３と結合調整電極９１との間に形
成される静電容量１５２の合成容量を表わす。このよう
に、本実施例においては、共振素子２１と共振素子２３
との間に形成されるインダクタンス１３１と並列に静電
容量１６１が接続されることになるから、この静電容量
１６１によって、共振素子２１と共振素子２３との間に
形成されここではインダクタンス１３１で表わされてい
る誘導結合を抑制することができる。従って、この静電
容量１６１の値を調整することによって共振素子２１と
共振素子２３との間の誘導結合度を調整することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。なお、この静電容量１６１は共振素子２１と結合調
整電極９１との間に形成される静電容量１５１および共
振素子２３と結合調整電極９１との間に形成される静電
容量１５２の合成容量であるから、その調整は、共振素
子２１と結合調整電極９１の重なり面積およびこれらの
間の距離並びに共振素子２３と結合調整電極９１との重
なり面積およびこれらの間の距離を変化させることによ
って容易に行うことができる。
【００３５】また、本実施例においては、共振素子２
１、２３の開放端と対向する内層アース電極８１、８２
を設けているから、共振素子２１の開放端と内層アース
８１、８２との間にそれぞれ形成される静電容量１４
１、１４２が共振素子２１を等価変換したときの並列共
振回路の静電容量２１１に付加され、共振素子２３の開
放端と内層アース８１、８２との間にそれぞれ形成され
る静電容量１４５、１４６も共振素子２３を等価変換し
たときの並列共振回路の静電容量２３１に付加されるこ
とになるから、共振周波数を同一とすれば、並列共振回
路のインダクタンス２１２、２３２は小さくて済むこと
になり、その結果、共振素子２１、２３の長さもより短
くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くするこ
とができる。
１、２３の開放端と対向する内層アース電極８１、８２
を設けているから、共振素子２１の開放端と内層アース
８１、８２との間にそれぞれ形成される静電容量１４
１、１４２が共振素子２１を等価変換したときの並列共
振回路の静電容量２１１に付加され、共振素子２３の開
放端と内層アース８１、８２との間にそれぞれ形成され
る静電容量１４５、１４６も共振素子２３を等価変換し
たときの並列共振回路の静電容量２３１に付加されるこ
とになるから、共振周波数を同一とすれば、並列共振回
路のインダクタンス２１２、２３２は小さくて済むこと
になり、その結果、共振素子２１、２３の長さもより短
くなり、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くするこ
とができる。
【００３６】この場合に、積層型誘電体フィルタを小型
化するために内層アース電極８１、８２と共振素子２
１、２３との対向面積を増加させていくと、共振素子２
１と共振素子２３とがますます強く誘導結合してフィル
タの特性を広帯域化させすぎてしまうという問題が発生
するが、本実施例においては共振素子２１、２３に共に
対向する結合調整電極９１を設けているから、この結合
調整電極９１と共振素子２１、２３との間にそれぞれ形
成される静電容量１５１、１５２によって共振素子２
１、２３間に形成される誘導結合を抑制することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。このように共振素子２１、２３の開放端に対向する
内層アース電極８１、８２と、共振素子２１、２３に共
に対向する結合調整電極９１とを設けることによって積
層型誘電体フィルタを小型化してもフィルタの特性が広
帯域化しすぎることのない積層型誘電体フィルタを得る
ことができる。
化するために内層アース電極８１、８２と共振素子２
１、２３との対向面積を増加させていくと、共振素子２
１と共振素子２３とがますます強く誘導結合してフィル
タの特性を広帯域化させすぎてしまうという問題が発生
するが、本実施例においては共振素子２１、２３に共に
対向する結合調整電極９１を設けているから、この結合
調整電極９１と共振素子２１、２３との間にそれぞれ形
成される静電容量１５１、１５２によって共振素子２
１、２３間に形成される誘導結合を抑制することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。このように共振素子２１、２３の開放端に対向する
内層アース電極８１、８２と、共振素子２１、２３に共
に対向する結合調整電極９１とを設けることによって積
層型誘電体フィルタを小型化してもフィルタの特性が広
帯域化しすぎることのない積層型誘電体フィルタを得る
ことができる。
【００３７】また、上述のように、本実施例において
は、共振素子２１、２３に共に対向する結合調整電極９
１を設けることにより共振素子２１、２３と結合調整電
極９１との間にそれぞれ形成される静電容量１５１、１
５２の合成容量１６１が共振素子２１、２３間に形成さ
れるインダクタンス１３１と並列に接続されることにな
るから、共振素子２１、２３間には静電容量１６１とイ
ンダクタンス１３１とからなる並列共振回路が挿入され
たことになる。そして、この静電容量１６１とインダク
タンス１３１とからなる並列共振回路のインピーダンス
は、図７に示すように並列共振点ｆｐの前後で誘導性か
ら容量性へと変化するから、共振素子２１，２３と結合
調整電極９１との間にそれぞれ形成される静電容量１５
１、１５２の容量値を調整することにより共振素子２
１、２３間の結合を誘導性にも容量性にもすることがで
きる。いま、共振素子２１、２３間の結合を誘導性にし
た場合を考えると、通過帯域の高周波側に並列共振点が
存在するから図８Ａに示すように高周波側に減衰ピーク
を持ったフィルタが得られ、また、共振素子２１、２３
間の結合を容量性にすると、通過帯域の低周波側に並列
共振点が存在することになり図８Ｂに示すように低周波
側に減衰ピークを持ったフィルタが得られ、いずれの場
合もフィルタの減衰特性を改善することができる。
は、共振素子２１、２３に共に対向する結合調整電極９
１を設けることにより共振素子２１、２３と結合調整電
極９１との間にそれぞれ形成される静電容量１５１、１
５２の合成容量１６１が共振素子２１、２３間に形成さ
れるインダクタンス１３１と並列に接続されることにな
るから、共振素子２１、２３間には静電容量１６１とイ
ンダクタンス１３１とからなる並列共振回路が挿入され
たことになる。そして、この静電容量１６１とインダク
タンス１３１とからなる並列共振回路のインピーダンス
は、図７に示すように並列共振点ｆｐの前後で誘導性か
ら容量性へと変化するから、共振素子２１，２３と結合
調整電極９１との間にそれぞれ形成される静電容量１５
１、１５２の容量値を調整することにより共振素子２
１、２３間の結合を誘導性にも容量性にもすることがで
きる。いま、共振素子２１、２３間の結合を誘導性にし
た場合を考えると、通過帯域の高周波側に並列共振点が
存在するから図８Ａに示すように高周波側に減衰ピーク
を持ったフィルタが得られ、また、共振素子２１、２３
間の結合を容量性にすると、通過帯域の低周波側に並列
共振点が存在することになり図８Ｂに示すように低周波
側に減衰ピークを持ったフィルタが得られ、いずれの場
合もフィルタの減衰特性を改善することができる。
【００３８】次に、第１の実施例の積層型誘電体フィル
タの製造方法について説明する。
タの製造方法について説明する。
【００３９】本実施例の積層型誘電体フィルタは共振素
子２１、２３、電極３１、３３、入力用電極４１、出力
用電極４２、内層アース電極８１、８２および結合調整
電極９１を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素
子２１、２３、電極３１、３３、入力用電極４１、出力
用電極４２、内層アース電極８１、８２および結合調整
電極９１には損失の少ない比抵抗の低いものを用いるこ
とが望ましく、低抵抗のＡｇ系、若しくはＣｕ系の導体
を用いることが好ましい。
子２１、２３、電極３１、３３、入力用電極４１、出力
用電極４２、内層アース電極８１、８２および結合調整
電極９１を完全に誘電体中に内蔵することから、共振素
子２１、２３、電極３１、３３、入力用電極４１、出力
用電極４２、内層アース電極８１、８２および結合調整
電極９１には損失の少ない比抵抗の低いものを用いるこ
とが望ましく、低抵抗のＡｇ系、若しくはＣｕ系の導体
を用いることが好ましい。
【００４０】使用する誘電体としては、信頼性が高く誘
電率εγが大きいために小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
電率εγが大きいために小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
【００４１】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミックス誘
電体と一体化することが望ましい。
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミックス誘
電体と一体化することが望ましい。
【００４２】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とＴｉＯ2 粉末およびＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ2 Ｏ
3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系組成（Ｒｅ：レアアース成分）に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とＴｉＯ2 粉末およびＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ2 Ｏ
3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系組成（Ｒｅ：レアアース成分）に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
【００４３】一例として、ＭｇＯ：１８ｗｔ％−Ａｌ2
Ｏ3 ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ2 ：３７ｗｔ％−Ｂ2 Ｏ3 ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ2 ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ2 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末の１０ｗｔ％を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末は、Ｎｄ2Ｏ
3 粉末とＴｉＯ2 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚み
のグリーンテープを作製した。
Ｏ3 ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ2 ：３７ｗｔ％−Ｂ2 Ｏ3 ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ2 ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ2 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末の１０ｗｔ％を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末は、Ｎｄ2Ｏ
3 粉末とＴｉＯ2 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚み
のグリーンテープを作製した。
【００４４】次に、上記第１の実施例の場合は、銀ペー
ストを導体ペーストとして図１に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンテープの厚みを調整するため必要なグリー
ンテープを重ねて図１の構造となるように重ね、積層し
た後、９００℃で焼成して、積層体５００を作成した。
ストを導体ペーストとして図１に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンテープの厚みを調整するため必要なグリー
ンテープを重ねて図１の構造となるように重ね、積層し
た後、９００℃で焼成して、積層体５００を作成した。
【００４５】上記のように構成した積層体５００の上
面、下面および入力端子部６１、出力端子部６２を除く
側面に図２に示すように銀電極からなるアース電極７０
を印刷し、さらにアース電極７０から絶縁し、かつ入力
用電極４１、出力用電極４２に各別に接続する銀電極を
入力端子部６１、出力端子部６２内に入力端子５１、出
力端子５２として印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼
きつけた。
面、下面および入力端子部６１、出力端子部６２を除く
側面に図２に示すように銀電極からなるアース電極７０
を印刷し、さらにアース電極７０から絶縁し、かつ入力
用電極４１、出力用電極４２に各別に接続する銀電極を
入力端子部６１、出力端子部６２内に入力端子５１、出
力端子５２として印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼
きつけた。
【００４６】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図９は本実施例の模式展開図である。
図９は本実施例の模式展開図である。
【００４７】第１の実施例においては、共振素子が２個
の場合を例示したが、本実施例においては、共振素子２
２を共振素子２１と２３との間の誘電体層１４上に形成
して共振素子を３個としている。 後記する共振素子２
１、２２、２３の開放端側に誘電体層１２、１３を挟ん
で重なり、端部が後記するアース電極７０と接続される
内層アース電極８１を誘電体層１２上に形成する。な
お、誘電体層１１の裏面にはアース電極７０が後に形成
される。
の場合を例示したが、本実施例においては、共振素子２
２を共振素子２１と２３との間の誘電体層１４上に形成
して共振素子を３個としている。 後記する共振素子２
１、２２、２３の開放端側に誘電体層１２、１３を挟ん
で重なり、端部が後記するアース電極７０と接続される
内層アース電極８１を誘電体層１２上に形成する。な
お、誘電体層１１の裏面にはアース電極７０が後に形成
される。
【００４８】誘電体層１３上に、出力端側の共振素子２
３の一部に誘電体層１４を挟んで重なる出力用電極４２
および共振素子２１、２２に誘電体層１４を挟んで共に
重なる結合調整電極９２を形成する。
３の一部に誘電体層１４を挟んで重なる出力用電極４２
および共振素子２１、２２に誘電体層１４を挟んで共に
重なる結合調整電極９２を形成する。
【００４９】後記するアース電極７０に一端部がそれぞ
れ接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２１、２２、２３を誘電体層１４上に形
成する。さらに、一端部が後記するアース電極７０に接
続され、かつ他端部が共振素子２１、２２、２３の開放
端から所定の間隔離れて共振素子２１、２２、２３の開
放端とそれぞれ対向する電極３１、３２、３３を誘電体
層１４上に形成して、共振素子２１、２２、２３が分布
結合されることを利用してコムライン型のフィルタを構
成する。
れ接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２１、２２、２３を誘電体層１４上に形
成する。さらに、一端部が後記するアース電極７０に接
続され、かつ他端部が共振素子２１、２２、２３の開放
端から所定の間隔離れて共振素子２１、２２、２３の開
放端とそれぞれ対向する電極３１、３２、３３を誘電体
層１４上に形成して、共振素子２１、２２、２３が分布
結合されることを利用してコムライン型のフィルタを構
成する。
【００５０】誘電体層１５上に、入力端側の共振素子２
１の一部に誘電体層１５を挟んで重なる入力用電極４１
および共振素子２２、２３に誘電体層１５を挟んで共に
重なる結合調整電極９３を形成する。
１の一部に誘電体層１５を挟んで重なる入力用電極４１
および共振素子２２、２３に誘電体層１５を挟んで共に
重なる結合調整電極９３を形成する。
【００５１】共振素子２１、２２、２３の開放端側に誘
電体層１５、１６を挟んで重なり、端部が後記するアー
ス電極７０と接続される内層アース電極８２を誘電体層
１６上に形成する。
電体層１５、１６を挟んで重なり、端部が後記するアー
ス電極７０と接続される内層アース電極８２を誘電体層
１６上に形成する。
【００５２】誘電体層１６上に、表面にアース電極７０
が形成される誘電体層１７を積層して、誘電体層１１〜
１７を一体に構成し、その後焼成して、積層体５００を
形成する。
が形成される誘電体層１７を積層して、誘電体層１１〜
１７を一体に構成し、その後焼成して、積層体５００を
形成する。
【００５３】図２に示すように、積層体５００の上下面
および入力端子部６１、出力端子部６２を除く側面に、
アース電極７０を形成する。さらに、積層体５００の一
方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０と絶縁
され、かつ入力用電極４１と接続される入力端子５１を
形成し、さらに同様に、積層体５００の他方の側面の出
力端子部６２内に、アース電極７０と絶縁され、かつ出
力用電極４２と接続される出力端子５２を形成する。
および入力端子部６１、出力端子部６２を除く側面に、
アース電極７０を形成する。さらに、積層体５００の一
方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０と絶縁
され、かつ入力用電極４１と接続される入力端子５１を
形成し、さらに同様に、積層体５００の他方の側面の出
力端子部６２内に、アース電極７０と絶縁され、かつ出
力用電極４２と接続される出力端子５２を形成する。
【００５４】以上のように構成した本実施例において、
共振素子２１、２２、２３、電極３１、３２、３３、入
力用電極４１、出力用電極４２、内層アース電極８１、
８２および結合調整電極９１、９２の空間的な構成を平
面図、そのＸ−Ｘ線断面図およびＹ−Ｙ線断面図で示せ
ば図１０、図１１および図１２に示すようになる。
共振素子２１、２２、２３、電極３１、３２、３３、入
力用電極４１、出力用電極４２、内層アース電極８１、
８２および結合調整電極９１、９２の空間的な構成を平
面図、そのＸ−Ｘ線断面図およびＹ−Ｙ線断面図で示せ
ば図１０、図１１および図１２に示すようになる。
【００５５】共振素子２１、２２、２３の開放端と電極
３１、３２、３３との間にはそれぞれ静電容量１２１、
１２２、１２３が形成されている。そして、これらの静
電容量１２１、１２２、１２３が存在することによっ
て、共振素子２１と２２とはインダクタンス１３２で結
合され、共振素子２２と２３とはインダクタンス１３３
で結合されている。
３１、３２、３３との間にはそれぞれ静電容量１２１、
１２２、１２３が形成されている。そして、これらの静
電容量１２１、１２２、１２３が存在することによっ
て、共振素子２１と２２とはインダクタンス１３２で結
合され、共振素子２２と２３とはインダクタンス１３３
で結合されている。
【００５６】入力用電極４１と共振素子２１との間には
静電容量１１１が形成され、出力用電極４２と共振素子
２３との間には静電容量１１２が形成されている。
静電容量１１１が形成され、出力用電極４２と共振素子
２３との間には静電容量１１２が形成されている。
【００５７】また、共振素子２１と結合調整電極９２と
の間には静電容量１５３が形成され、共振素子２２と結
合調整電極９２との間には静電容量１５４が形成されて
いる。共振素子２２と結合調整電極９３との間には静電
容量１５５が形成され、共振素子２３と結合調整電極９
３との間には静電容量１５６が形成されている。
の間には静電容量１５３が形成され、共振素子２２と結
合調整電極９２との間には静電容量１５４が形成されて
いる。共振素子２２と結合調整電極９３との間には静電
容量１５５が形成され、共振素子２３と結合調整電極９
３との間には静電容量１５６が形成されている。
【００５８】さらに、共振素子２１の開放端と内層アー
ス電極８１、８２との間には静電容量１４１、１４２が
それぞれ形成され、共振素子２２の開放端と内層アース
電極８１、８２との間には静電容量１４３、１４４がそ
れぞれ形成され、共振素子２３の開放端と内層アース電
極８１、８２との間には静電容量１４５、１４６がそれ
ぞれ形成されている。
ス電極８１、８２との間には静電容量１４１、１４２が
それぞれ形成され、共振素子２２の開放端と内層アース
電極８１、８２との間には静電容量１４３、１４４がそ
れぞれ形成され、共振素子２３の開放端と内層アース電
極８１、８２との間には静電容量１４５、１４６がそれ
ぞれ形成されている。
【００５９】上記のようにして構成された積層型誘電体
フィルタの等価回路は図１３のようになり、バンドパス
特性を示す。なお、図１３において符号１６２は、共振
素子２１と結合調整電極９２との間に形成される静電容
量１５３および共振素子２２と結合調整電極９２との間
に形成される静電容量１５４の合成容量を表わし、符号
１６３は、共振素子２２と結合調整電極９３との間に形
成される静電容量１５５および共振素子２３と結合調整
電極９３との間に形成される静電容量１５６の合成容量
を表わす。
フィルタの等価回路は図１３のようになり、バンドパス
特性を示す。なお、図１３において符号１６２は、共振
素子２１と結合調整電極９２との間に形成される静電容
量１５３および共振素子２２と結合調整電極９２との間
に形成される静電容量１５４の合成容量を表わし、符号
１６３は、共振素子２２と結合調整電極９３との間に形
成される静電容量１５５および共振素子２３と結合調整
電極９３との間に形成される静電容量１５６の合成容量
を表わす。
【００６０】このように、本実施例においても、共振素
子２１と共振素子２２との間に形成されるインダクタン
ス１３２と並列に静電容量１６２が接続されることにな
り、共振素子２２と共振素子２３との間に形成されるイ
ンダクタンス１３３と並列に静電容量１６３が接続され
ることになるから、この静電容量１６２、１６３によっ
て共振素子２１と共振素子２２との間に形成され、ここ
ではインダクタンス１３２で表わされている誘導結合お
よび共振素子２２と共振素子２３との間に形成され、こ
こではインダクタンス１３３で表わされている誘導結合
をそれぞれ抑制することができる。従って、この静電容
量１６２、１６３の値を調整することによって共振素子
２１、２２、２３間の誘導結合度を調整することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。
子２１と共振素子２２との間に形成されるインダクタン
ス１３２と並列に静電容量１６２が接続されることにな
り、共振素子２２と共振素子２３との間に形成されるイ
ンダクタンス１３３と並列に静電容量１６３が接続され
ることになるから、この静電容量１６２、１６３によっ
て共振素子２１と共振素子２２との間に形成され、ここ
ではインダクタンス１３２で表わされている誘導結合お
よび共振素子２２と共振素子２３との間に形成され、こ
こではインダクタンス１３３で表わされている誘導結合
をそれぞれ抑制することができる。従って、この静電容
量１６２、１６３の値を調整することによって共振素子
２１、２２、２３間の誘導結合度を調整することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることができ
る。
【００６１】なお、この静電容量１６２は共振素子２１
と結合調整電極９２との間に形成される静電容量１５３
および共振素子２２と結合調整電極９２との間に形成さ
れる静電容量１５４の合成容量であり、静電容量１６３
は共振素子２２と結合調整電極９３との間に形成される
静電容量１５５および共振素子２３と結合調整電極９３
との間に形成される静電容量１５６の合成容量であるか
ら、その調整は、共振素子２１、２２と結合調整電極９
２の重なり面積およびこれらの間の距離並びに共振素子
２２、２３と結合調整電極９３との重なり面積およびこ
れらの間の距離を変化させることによって容易に行うこ
とができる。
と結合調整電極９２との間に形成される静電容量１５３
および共振素子２２と結合調整電極９２との間に形成さ
れる静電容量１５４の合成容量であり、静電容量１６３
は共振素子２２と結合調整電極９３との間に形成される
静電容量１５５および共振素子２３と結合調整電極９３
との間に形成される静電容量１５６の合成容量であるか
ら、その調整は、共振素子２１、２２と結合調整電極９
２の重なり面積およびこれらの間の距離並びに共振素子
２２、２３と結合調整電極９３との重なり面積およびこ
れらの間の距離を変化させることによって容易に行うこ
とができる。
【００６２】本実施例においては、結合調整電極９２を
共振素子２１〜２３が設けられる誘電体層１４の下層の
誘電体層１３上に設け、結合調整電極９３を共振素子２
１〜２３が設けられる誘電体層１４の上層の誘電体層１
５上に設けているから、結合調整電極９２と共振素子２
２との対向面積および結合調整電極９３と共振素子２２
との対向面積をそれぞれ独立して大きくすることがで
き、これらの間に大きい容量を形成することができる。
このように大きい容量が形成できれば、共振素子間２１
〜２３に形成される誘導結合をその容量によって調整し
て所望の帯域幅のフィルタを得ることも容易となる。
共振素子２１〜２３が設けられる誘電体層１４の下層の
誘電体層１３上に設け、結合調整電極９３を共振素子２
１〜２３が設けられる誘電体層１４の上層の誘電体層１
５上に設けているから、結合調整電極９２と共振素子２
２との対向面積および結合調整電極９３と共振素子２２
との対向面積をそれぞれ独立して大きくすることがで
き、これらの間に大きい容量を形成することができる。
このように大きい容量が形成できれば、共振素子間２１
〜２３に形成される誘導結合をその容量によって調整し
て所望の帯域幅のフィルタを得ることも容易となる。
【００６３】また、本実施例においても、共振素子２
１、２２、２３の開放端と対向する内層アース電極８
１、８２を設けているから、共振素子２１の開放端と内
層アース８１、８２との間にそれぞれ形成される静電容
量１４１、１４２が共振素子２１を等価変換したときの
並列共振回路の静電容量２１１に付加され、共振素子２
２の開放端と内層アース８１、８２との間にそれぞれ形
成される静電容量１４３、１４４が共振素子２２を等価
変換したときの並列共振回路の静電容量２２１に付加さ
れ、共振素子２３の開放端と内層アース８１、８２との
間にそれぞれ形成される静電容量１４５、１４６も共振
素子２３を等価変換したときの並列共振回路の静電容量
２３１に付加されることになるから、共振周波数を同一
とすれば、並列共振回路のインダクタンス２１２、２２
２、２３２は小さくて済むことになり、その結果、共振
素子２１、２２、２３の長さもより短くなり、積層型誘
電体フィルタ全体の長さも短くすることができる。
１、２２、２３の開放端と対向する内層アース電極８
１、８２を設けているから、共振素子２１の開放端と内
層アース８１、８２との間にそれぞれ形成される静電容
量１４１、１４２が共振素子２１を等価変換したときの
並列共振回路の静電容量２１１に付加され、共振素子２
２の開放端と内層アース８１、８２との間にそれぞれ形
成される静電容量１４３、１４４が共振素子２２を等価
変換したときの並列共振回路の静電容量２２１に付加さ
れ、共振素子２３の開放端と内層アース８１、８２との
間にそれぞれ形成される静電容量１４５、１４６も共振
素子２３を等価変換したときの並列共振回路の静電容量
２３１に付加されることになるから、共振周波数を同一
とすれば、並列共振回路のインダクタンス２１２、２２
２、２３２は小さくて済むことになり、その結果、共振
素子２１、２２、２３の長さもより短くなり、積層型誘
電体フィルタ全体の長さも短くすることができる。
【００６４】この場合に、積層型誘電体フィルタを小型
化するために内層アース電極８１、８２と共振素子２
１、２２、２３との対向面積を増加させていくと、共振
素子２１〜２３がますます強く誘導結合してフィルタの
特性を広帯域化させすぎてしまうという問題が発生する
が、本実施例においては共振素子２１、２２に共に対向
する結合調整電極９２および共振素子２２、２３に共に
対向する結合調整電極９３を設けているから、この結合
調整電極９２と共振素子２１、２２との間にそれぞれ形
成される静電容量１５３、１５４および結合調整電極９
３と共振素子２２、２３との間にそれぞれ形成される静
電容量１５５、１５６によって共振素子２１〜２３間に
形成される誘導結合を抑制することができ、所望の帯域
幅を有するフィルタを得ることができる。このように共
振素子２１〜２３の開放端に対向する内層アース電極８
１、８２と、共振素子２１、２２に共に対向する結合調
整電極９２および共振素子２２、２３に共に対向する結
合調整電極９３とを設けることによって積層型誘電体フ
ィルタを小型化してもフィルタの特性が広帯域化しすぎ
ることのない積層型誘電体フィルタを得ることができ
る。
化するために内層アース電極８１、８２と共振素子２
１、２２、２３との対向面積を増加させていくと、共振
素子２１〜２３がますます強く誘導結合してフィルタの
特性を広帯域化させすぎてしまうという問題が発生する
が、本実施例においては共振素子２１、２２に共に対向
する結合調整電極９２および共振素子２２、２３に共に
対向する結合調整電極９３を設けているから、この結合
調整電極９２と共振素子２１、２２との間にそれぞれ形
成される静電容量１５３、１５４および結合調整電極９
３と共振素子２２、２３との間にそれぞれ形成される静
電容量１５５、１５６によって共振素子２１〜２３間に
形成される誘導結合を抑制することができ、所望の帯域
幅を有するフィルタを得ることができる。このように共
振素子２１〜２３の開放端に対向する内層アース電極８
１、８２と、共振素子２１、２２に共に対向する結合調
整電極９２および共振素子２２、２３に共に対向する結
合調整電極９３とを設けることによって積層型誘電体フ
ィルタを小型化してもフィルタの特性が広帯域化しすぎ
ることのない積層型誘電体フィルタを得ることができ
る。
【００６５】また、上述のように、本実施例において
も、共振素子２１、２２に共に対向する結合調整電極９
２を設けることにより共振素子２１、２２と結合調整電
極９２との間にそれぞれ形成される静電容量１５３、１
５４の合成容量１６２が共振素子２１、２２間に形成さ
れるインダクタンス１３２と並列に接続されることにな
り、共振素子２２、２３に共に対向する結合調整電極９
３を設けることにより共振素子２２、２３と結合調整電
極９３との間にそれぞれ形成される静電容量１５５、１
５６の合成容量１６３が共振素子２２、２３間に形成さ
れるインダクタンス１３３と並列に接続されることにな
るから、共振素子２１、２２間には静電容量１６２とイ
ンダクタンス１３２とからなる並列共振回路が挿入され
たことになり、共振素子２２、２３間には静電容量１６
３とインダクタンス１３３とからなる並列共振回路が挿
入されたことになる。そして、この静電容量１６２とイ
ンダクタンス１３２とからなる並列共振回路のインピー
ダンスおよび静電容量１６３とインダクタンス１３３と
からなる並列共振回路のインピーダンスは、第１の実施
例において説明したのと同様に並列共振点の前後で誘導
性から容量性へと変化するから、共振素子２１，２２と
結合調整電極９２との間にそれぞれ形成される静電容量
１５３、１５４の容量値および共振素子２２，２３と結
合調整電極９３との間にそれぞれ形成される静電容量１
５５、１５６の容量値を調整することにより共振素子２
１、２２間の結合および共振素子２２、２３間の結合を
誘導性にも容量性にもすることができる。いま、これら
の共振素子２１〜２３間の結合を誘導性にした場合を考
えると、高周波側に減衰ピークを持ったフィルタが得ら
れ、また、共振素子２１〜２３間の結合を容量性にする
と、低周波側に減衰ピークを持ったフィルタが得られ、
いずれの場合もフィルタの減衰特性を改善することがで
きる。
も、共振素子２１、２２に共に対向する結合調整電極９
２を設けることにより共振素子２１、２２と結合調整電
極９２との間にそれぞれ形成される静電容量１５３、１
５４の合成容量１６２が共振素子２１、２２間に形成さ
れるインダクタンス１３２と並列に接続されることにな
り、共振素子２２、２３に共に対向する結合調整電極９
３を設けることにより共振素子２２、２３と結合調整電
極９３との間にそれぞれ形成される静電容量１５５、１
５６の合成容量１６３が共振素子２２、２３間に形成さ
れるインダクタンス１３３と並列に接続されることにな
るから、共振素子２１、２２間には静電容量１６２とイ
ンダクタンス１３２とからなる並列共振回路が挿入され
たことになり、共振素子２２、２３間には静電容量１６
３とインダクタンス１３３とからなる並列共振回路が挿
入されたことになる。そして、この静電容量１６２とイ
ンダクタンス１３２とからなる並列共振回路のインピー
ダンスおよび静電容量１６３とインダクタンス１３３と
からなる並列共振回路のインピーダンスは、第１の実施
例において説明したのと同様に並列共振点の前後で誘導
性から容量性へと変化するから、共振素子２１，２２と
結合調整電極９２との間にそれぞれ形成される静電容量
１５３、１５４の容量値および共振素子２２，２３と結
合調整電極９３との間にそれぞれ形成される静電容量１
５５、１５６の容量値を調整することにより共振素子２
１、２２間の結合および共振素子２２、２３間の結合を
誘導性にも容量性にもすることができる。いま、これら
の共振素子２１〜２３間の結合を誘導性にした場合を考
えると、高周波側に減衰ピークを持ったフィルタが得ら
れ、また、共振素子２１〜２３間の結合を容量性にする
と、低周波側に減衰ピークを持ったフィルタが得られ、
いずれの場合もフィルタの減衰特性を改善することがで
きる。
【００６６】次に、本実施例の積層型誘電体フィルタの
製造方法について説明する。本実施例においても、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用い、銀ペ
ーストを導体ペーストとして図９に示した導体パターン
をそれぞれ印刷し、次いで、これらに導体パターンが印
刷されたグリーンシートの厚みを調整するために必要な
グリーンシートを重ねて図９の構造となるように積層し
た後、９００℃で焼成して、積層体５００を作成した。
製造方法について説明する。本実施例においても、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用い、銀ペ
ーストを導体ペーストとして図９に示した導体パターン
をそれぞれ印刷し、次いで、これらに導体パターンが印
刷されたグリーンシートの厚みを調整するために必要な
グリーンシートを重ねて図９の構造となるように積層し
た後、９００℃で焼成して、積層体５００を作成した。
【００６７】上記のように構成した積層体５００上面、
入力端子部６１、出力端子部６２を除く側面に図２に示
すように銀電極からなるアース電極７０を印刷し、さら
にアース電極７０から電気的に絶縁し、かつ入力用電極
４１、出力用電極４２に各別に接続する銀電極を入力端
子部６１、出力端子部６２内に入力端子５１、出力端子
５２として印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけ
た。
入力端子部６１、出力端子部６２を除く側面に図２に示
すように銀電極からなるアース電極７０を印刷し、さら
にアース電極７０から電気的に絶縁し、かつ入力用電極
４１、出力用電極４２に各別に接続する銀電極を入力端
子部６１、出力端子部６２内に入力端子５１、出力端子
５２として印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけ
た。
【００６８】
【発明の効果】本発明においては、片側短絡型の第１の
共振素子および第２の共振素子を同一平面内に近接して
設け、第１の共振素子の一主面の一部と第２の共振素子
の一主面の一部とに対向する第１の結合調整電極を設け
ているから、この第１の結合調整電極と第１の共振素子
と第２の共振素子との間にはそれぞれ容量が形成され
る。そしてこれらの容量の合成容量が第１の共振素子と
第２の共振素子との間に形成される誘導結合と並列に接
続されることになるから、この容量によって第１の共振
素子と第２の共振素子との間に形成される誘導結合を抑
制することができる。従って、この容量の値を調整する
ことによって第１の共振素子と第２の共振素子との間の
誘導結合度を調整することができ、所望の帯域幅を有す
るフィルタを得ることができる。また、積層型誘電体フ
ィルタが、第１の共振素子および第２の共振素子と同一
平面内であって第１の共振素子に対して第２の共振素子
とは反対側に第１の共振素子と近接して設けられた片側
短絡型の第３の共振素子とをさらに有する場合には、第
１の共振素子と第３の共振素子とに対向して設けられる
第２の結合調整電極を第１の結合調整電極が対向する第
１の共振素子の一主面とは反対側の他の主面の一部と第
３の共振素子の一主面の一部とに対向するように設ける
ことにより、第１の結合調整電極と第２の結合調整電極
とは第１の共振素子に対してそれぞれ反対側の層に設け
られることになる。その結果、第１の結合調整電極と第
１の共振素子との対向面積および第２の結合調整電極と
第１の共振素子との対向面積をそれぞれ独立に大きくす
ることができ、これらの間に大きい容量を形成すること
ができる。このように大きい容量が形成できれば、共振
素子間に形成される誘導結合をその容量によって調整し
て所望の帯域幅のフィルタを得ることも容易となる。
共振素子および第２の共振素子を同一平面内に近接して
設け、第１の共振素子の一主面の一部と第２の共振素子
の一主面の一部とに対向する第１の結合調整電極を設け
ているから、この第１の結合調整電極と第１の共振素子
と第２の共振素子との間にはそれぞれ容量が形成され
る。そしてこれらの容量の合成容量が第１の共振素子と
第２の共振素子との間に形成される誘導結合と並列に接
続されることになるから、この容量によって第１の共振
素子と第２の共振素子との間に形成される誘導結合を抑
制することができる。従って、この容量の値を調整する
ことによって第１の共振素子と第２の共振素子との間の
誘導結合度を調整することができ、所望の帯域幅を有す
るフィルタを得ることができる。また、積層型誘電体フ
ィルタが、第１の共振素子および第２の共振素子と同一
平面内であって第１の共振素子に対して第２の共振素子
とは反対側に第１の共振素子と近接して設けられた片側
短絡型の第３の共振素子とをさらに有する場合には、第
１の共振素子と第３の共振素子とに対向して設けられる
第２の結合調整電極を第１の結合調整電極が対向する第
１の共振素子の一主面とは反対側の他の主面の一部と第
３の共振素子の一主面の一部とに対向するように設ける
ことにより、第１の結合調整電極と第２の結合調整電極
とは第１の共振素子に対してそれぞれ反対側の層に設け
られることになる。その結果、第１の結合調整電極と第
１の共振素子との対向面積および第２の結合調整電極と
第１の共振素子との対向面積をそれぞれ独立に大きくす
ることができ、これらの間に大きい容量を形成すること
ができる。このように大きい容量が形成できれば、共振
素子間に形成される誘導結合をその容量によって調整し
て所望の帯域幅のフィルタを得ることも容易となる。
【００６９】また、積層型誘電体フィルタが共振素子の
開放端側と対向する内層アース電極をさらに有するよう
にすることによって、共振素子の開放端側と内層アース
との間に形成される静電容量も共振素子を等価変換した
ときの並列共振回路の静電容量に付加されることになる
から、共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のイン
ダクタンスは小さくて済むことになり、その結果、共振
素子の長さもより短くなり、積層型誘電体フィルタ全体
の長さも短くすることができる。
開放端側と対向する内層アース電極をさらに有するよう
にすることによって、共振素子の開放端側と内層アース
との間に形成される静電容量も共振素子を等価変換した
ときの並列共振回路の静電容量に付加されることになる
から、共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のイン
ダクタンスは小さくて済むことになり、その結果、共振
素子の長さもより短くなり、積層型誘電体フィルタ全体
の長さも短くすることができる。
【００７０】この場合に、本発明においては隣接する共
振素子間に共に対向する結合調整電極を設けているか
ら、この結合調整電極と共振素子との間に形成される容
量によって共振素子間に形成される誘導結合を抑制する
ことができ、所望の帯域幅を有するフィルタを得ること
ができる。
振素子間に共に対向する結合調整電極を設けているか
ら、この結合調整電極と共振素子との間に形成される容
量によって共振素子間に形成される誘導結合を抑制する
ことができ、所望の帯域幅を有するフィルタを得ること
ができる。
【００７１】また、本発明においては、隣接する共振素
子に共に対向する結合調整電極を設けることにより隣接
する共振素子と結合調整電極間にそれぞれ形成される容
量の合成容量が隣接する共振素子間に形成される誘導結
合と並列に接続されることになるから、隣接する共振素
子間には容量とインダクタンスとからなる並列共振回路
が挿入されたことになる。そして、この容量とインダク
タンスとからなる並列共振回路のインピーダンスは並列
共振点の前後で誘導性から容量性へと変化するから、隣
接する共振素子と結合調整電極間にそれぞれ形成される
容量の値を調整することにより共振素子間の結合を誘導
性にも容量性にもすることができ、それに応じて高周波
側に減衰ピークを持ったフィルタは低周波側に減衰ピー
クを持ったフィルタが得られ、いずれの場合もフィルタ
の減衰特性を改善することができる。
子に共に対向する結合調整電極を設けることにより隣接
する共振素子と結合調整電極間にそれぞれ形成される容
量の合成容量が隣接する共振素子間に形成される誘導結
合と並列に接続されることになるから、隣接する共振素
子間には容量とインダクタンスとからなる並列共振回路
が挿入されたことになる。そして、この容量とインダク
タンスとからなる並列共振回路のインピーダンスは並列
共振点の前後で誘導性から容量性へと変化するから、隣
接する共振素子と結合調整電極間にそれぞれ形成される
容量の値を調整することにより共振素子間の結合を誘導
性にも容量性にもすることができ、それに応じて高周波
側に減衰ピークを持ったフィルタは低周波側に減衰ピー
クを持ったフィルタが得られ、いずれの場合もフィルタ
の減衰特性を改善することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の模式展開図である。
の模式展開図である。
【図２】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施例の主要部の平面図であ
る。
る。
【図４】図３のＸ−Ｘ線断面図である。
【図５】図３のＹ−Ｙ線断面図である。
【図６】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図７】静電容量とインダクタンスからなる並列共振回
路のインピーダンスを説明するための図である。
路のインピーダンスを説明するための図である。
【図８】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の周波数特性を説明するための図である。
の周波数特性を説明するための図である。
【図９】本発明の第２の実施例の積層型誘電体フィルタ
の模式展開図である。
の模式展開図である。
【図１０】本発明の第１の実施例の主要部の平面図であ
る。
る。
【図１１】図１０のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１２】図１０のＹ−Ｙ線断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例の積層型誘電体フィル
タの等価回路図である。
タの等価回路図である。
【図１４】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの模式展開図である。
ィルタの模式展開図である。
【図１５】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの斜視図である。
ィルタの斜視図である。
【図１６】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの等価回路図である。
ィルタの等価回路図である。
１１〜１７…誘電体層 ２１〜２３…共振素子 ３１〜３３…電極 ４１…入力用電極 ４１…入力用電極 ５１…入力端子 ５２…出力端子 ７０…アース電極 ８１、８２…内層アース電極 ９１、９２、９３…結合調整電極
Claims (4)
- 【請求項１】第１のアース電極と、 第２のアース電極と、 前記第１のアース電極と前記第２のアース電極との間に
設けられた誘電体層と、 前記誘電体層内に設けられた片側短絡型の第１の共振素
子と、 前記誘電体層内かつ前記第１の共振素子と同一平面内に
前記第１の共振素子と近接して設けられた片側短絡型の
第２の共振素子と、 前記第１のアース電極と前記第１の共振素子および前記
第２の共振素子との間の前記誘電体層内に設けられ前記
第１の共振素子の一主面の一部と前記第２の共振素子の
一主面の一部とに対向する結合調整電極と、を有するこ
とを特徴とする積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項２】請求項１記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、前記積層型誘電体フィルタが、 前記誘電体層内かつ前記第１の共振素子および前記第２
の共振素子と同一平面内であって前記第１の共振素子に
対して前記第２の共振素子とは反対側に前記第１の共振
素子と近接して設けられた片側短絡型の第３の共振素子
と、 前記第２のアース電極と前記第１の共振素子および前記
第３の共振素子との間の前記誘電体層内に設けられ前記
第１の共振素子の前記一主面とは反対側の他の主面の一
部と前記第３の共振素子の一主面の一部とに対向する第
２の結合調整電極とをさらに有することを特徴とする積
層型誘電体フィルタ。 - 【請求項３】請求項１記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、前記積層型誘電体フィルタが前記第１および前記
第２の共振素子の開放端側と対向して前記誘電体層内に
設けられた内層アース電極をさらに有することを特徴と
する積層型誘電体フィルタ。 - 【請求項４】請求項２記載の積層型誘電体フィルタにお
いて、前記積層型誘電体フィルタが前記第１乃至第３の
共振素子の開放端側と対向して前記誘電体層内に設けら
れた内層アース電極をさらに有することを特徴とする積
層型誘電体フィルタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267299A JP2806710B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 積層型誘電体フィルタ |
| US08/023,395 US5374909A (en) | 1992-02-28 | 1993-02-26 | Stripline filter having internal ground electrodes |
| US08/299,073 US5497130A (en) | 1992-02-28 | 1994-09-01 | Layered transmission line filter with a capacitively coupled electrode in a layer opposing stripline resonators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267299A JP2806710B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 積層型誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120703A true JPH06120703A (ja) | 1994-04-28 |
| JP2806710B2 JP2806710B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17442904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4267299A Expired - Lifetime JP2806710B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-10-06 | 積層型誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806710B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608364A (en) * | 1993-11-02 | 1997-03-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Layered stripline filter including inductive coupling adjustment strip |
| US6294967B1 (en) | 1998-03-18 | 2001-09-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Laminated type dielectric filter |
| JP2002261507A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器と通信機器 |
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| US7262675B2 (en) | 2005-02-16 | 2007-08-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Laminated filter with improved stop band attenuation |
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| JP2009159328A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マルチプレクサ、トリプレクサ及びダイプレクサ |
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-
1992
- 1992-10-06 JP JP4267299A patent/JP2806710B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7924116B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-04-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Diplexer and multiplexer using the same |
| JP2009159328A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マルチプレクサ、トリプレクサ及びダイプレクサ |
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| US9041493B2 (en) | 2010-10-14 | 2015-05-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coupling structure for multi-layered chip filter, and multi-layered chip filter with the structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2806710B2 (ja) | 1998-09-30 |
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