JP4501291B2 - 誘電体フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器と通信機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として携帯電話機などの高周波無線機器等で用いる小型の誘電体フィルタ、特にストリップライン型の共振用電極を誘電体基板上に配列し、互いに電磁気的に結合させた構造を有する誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、誘電体フィルタは携帯電話機の高周波フィルタとして多数用いられているが、さらに小型化、薄型化することが要望されており、同軸型に比べて薄くできる平面型の誘電体フィルタが今後有望視されている。以下に図面を参照しながら、平面型の誘電体フィルタの一例について説明する。
【０００３】
図８は平面型積層タイプの誘電体フィルタの構造を示す分解斜視図であり、図に示す積層タイプの誘電体フィルタの基本的な構成は、まず６枚の誘電体基板１ａ〜１ｆよりなり、誘電体基板１ｂの上面にはシールド電極２ａが、１ｃの上面には段間結合用電極３が、１ｄの上面には共振器電極４ａ，４ｂが、１ｅの上面には入出力結合容量電極５ａ，５ｂが、１ｆの上面にはシールド電極２ｂがそれぞれ形成され積層されている。
【０００４】
またこの積層誘電体基板の左右側面にはシールド電極２ａ、２ｂと接続して接地端子を形成する端面電極６ａ、６ｂが、積層誘電体基板の背面にはシールド電極２ａ、２ｂおよび共振器電極４ａ，４ｂの共通の開放端と対応して接地端子となる端面電極７が形成されている。積層誘電体基板の前面に形成されている端面電極８は共振器電極４ａ，４ｂのそれぞれの短絡端と接続してシールド電極２ａ、２ｂと接続する。積層誘電体基板左右側面の端面電極９ａ、９ｂは入出力結合用電極５ａ、５ｂと接続して入出力端子を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の構成を有する平面型積層タイプの誘電体フィルタにおいてその共振器電極を始めとする段間結合容量電極や入出力結合容量電極等は全て導電性ペースト等を印刷することにより形成されており、したがって共振器電極を十分な厚さで均一に形成することが困難であった。
【０００６】
図９は図８に示す誘電体基板１ｃと１ｄとの積層状態を示す断面図であり、図に示すように共振器電極４ａ、４ｂの中心部は厚く、周辺に行くほど厚さが薄くなる傾向があった。また電極が印刷された誘電体基板を積層する時に電極端部が尖り、かつ端部に高周波電流が集中するために共振器のＱ値が低下し、フィルタ特性が劣化するという課題があった。さらに金属粉末を導電体とする導電性ペーストを印刷する場合、印刷用スクリーンのメッシュに起因する表面の凹凸の発生は避けられず、フィルタ特性を劣化させるという課題があった。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決し、均一な厚さを備えた共振器電極を形成することにより低損失の誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、複数の共振器電極を備え、その共振器電極間を互いに電磁界結合させて構成した誘電体フィルタにおいて、複数の共振器電極を金属箔により構成するものであり、共振器のＱ値を向上させ、低損失かつ高減衰特性を備えることができる。
【００１８】
本発明の請求項１に記載の発明は、金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔よりなる共振器電極を形成する工程と、共振器電極を誘電体基板の内部に埋め込み共振器誘電体基板を形成する工程と、共振器誘電体基板と少なくとも段間結合容量誘電体基板と入出力結合容量誘電体基板と接地電極誘電体基板とを積層して積層誘電体基板を形成する工程とを備える誘電体フィルタの製造方法であり、低損失、高減衰特性を有する誘電体フィルタを提供することができる。
【００１９】
本発明の請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法に関し、共振器電極を形成する工程を金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔の両面にフォトマスクを形成してその両面からエッチングした後、化学研磨法または電解研磨法を用いて共振器電極の端面形状を角丸四角形状または円弧状とした電極フレームを形成する工程としたものであり、共振器電極の端面に任意の形状の丸みを付与することができる。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法に関し、共振器誘電体基板を形成する工程をグリーンシート状のセラミック誘電体基板に請求項２に記載の製造方法によって形成された共振器電極を埋め込む工程とするものであり、誘電体フィルタを高誘電率セラミック材料で構成する場合に使用することできるため、小型でかつフィルタ特性に優れた誘電体フィルタを提供することができる。
【００２１】
本発明の請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の製造方法によって形成されたグリーンシート状の共振器セラミック誘電体基板と、少なくともグリーンシート状の段間結合容量セラミック誘電体基板と、グリーンシート状の入出力結合容量セラミック誘電体基板とをグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板により上下から狭持して積層し、同時焼成することにより積層誘電体基板を形成する工程を備えた誘電体フィルタの製造方法であり、誘電体フィルタを全て高誘電率セラミック基板で構成することができるため、低損失で小型の誘電体フィルタを得ることが可能となる。
【００２２】
本発明の請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法に関し、共振器誘電体基板を形成する工程を、未硬化状態のコンポジット基板に請求項２に記載の製造方法によって得られた共振器電極を埋め込んだ後、加熱硬化させる工程とするものであり、製造コストの低減に有効である。
【００２３】
本発明の請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の製造方法によって形成された共振器コンポジット誘電体基板と、少なくともそれぞれ焼成された段間結合容量セラミック誘電体基板と、入出力結合容量セラミック誘電体基板と、複数の接地電極セラミック誘電体基板とを積層することにより複合構造を有する積層誘電体基板を形成する工程を備えた誘電体フィルタの製造方法であり、共振器コンポジット誘電体基板とその他のセラミック誘電体基板を別の工程で製造した後、一体化することができ、製造歩留まりの向上に有効である。
【００２７】
以下本発明の誘電体フィルタについて図面を参照しながら説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は本発明の第１の実施の形態における誘電体フィルタの構造を示す分解斜視図であり、誘電体フィルタの基本的な構成は図６に示すものと同様であり、６枚の誘電体基板１１ａ〜１１ｆより構成されるが共振器電極が搭載される共振器誘電体基板１１ｄは高誘電率セラミック基板の他に後述する製造方法により樹脂基板または樹脂成分と無機質フィラーとより構成されるコンポジット基板が選択される場合がある。
【００２９】
まず接地電極誘電体基板１１ｂの上面にはシールド電極１２ａが、段間結合容量誘電体基板１１ｃの上面には段間結合容量電極１３が形成され、共振器誘電体基板１１ｄの上面には厚さが１０μｍから４００μｍの銀または銅を主成分とする金属箔よりなり、その断面形状が鋭利な角部を有しない角丸四角形状である共振器電極１４ａ，１４ｂが載置されており、入出力結合容量誘電体基板１１ｅの上面には入出力結合容量電極１５ａ，１５ｂが、接地電極誘電体基板１１ｆの上面にはシールド電極１２ｂがそれぞれ形成され、これらの誘電体基板が一体に積層されて誘電体フィルタを構成している。
【００３０】
また積層誘電体基板の左右側面には端面電極１６ａ、１６ｂおよび入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂと接続して入出力端子を形成する端面電極１９ａ、１９ｂが、積層誘電体基板の背面および前面にはそれぞれ端面電極１７、１８がそれぞれ形成されている点は従来と同様である。
【００３１】
上記構成において本発明の特徴とするところは共振器電極の構成にあり、図１に示すように共振器誘電体基板１１ｄの上面に形成されている共振器電極１４ａ、１４ｂは金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔より形成されたものである。
【００３２】
図２（ａ）は図１に示すＡ−Ａ線における積層された各誘電体基板１１ｃ、１１ｄおよび１１ｅの断面を示すものであり、共振器誘電体基板１１ｄの上面には後述する別工程で作製された金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔よりなる共振器電極１４ａ、１４ｂが配置されている。また段間結合容量誘電体基板１１ｃの上面には段間結合容量電極１３が、入出力結合容量誘電体基板１１ｅの上面には入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂがそれぞれ導電性ペーストの印刷により形成されている。なお、段間結合容量電極１３および入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂを共振器電極１４ａ、１４ｂと同様に金属箔で形成することも可能である。
【００３３】
なお本実施の形態における共振器電極１４ａ、１４ｂは図２（ｂ）にその拡大断面を示すようにその断面形状において角部が円弧状、または共振器電極の端面における断面が円弧状に形成されていることが電気特性上好ましく、このような角丸四角形状は後述する電極フレームを共振器電極１４ａ、１４ｂの形状にエッチングした後、共振器電極１４ａ、１４ｂの端面を化学研磨または電解研磨処理することによって形成することができる。さらに共振器電極１４ａ、１４ｂの表面は研磨または金属メッキ等の処理を施すことによって０．５μｍ〜０．０１μｍの表面粗さを有する平滑面としておくことが好ましい。
【００３４】
このように共振器電極１４ａ、１４ｂを平坦な面を備えた金属箔で形成することにより、Ｑ値の高い共振器を構成することができ、低損失かつ減衰特性に優れた誘電体フィルタを得ることができる。
【００３５】
さらに共振器電極１４ａ、１４ｂの平面形状は図１に示す均一な電極幅を備えるものだけでなく、図２（ｃ）に示すように開放端側に幅広部１４ａｗ、１４ｂｗを設けた形状とすることも必要とするフィルタ特性に対応して形成することができる。
【００３６】
なお、本実施の形態においては、厚さが１０μｍから４００μｍの金属箔よりなりストリップ線路を用いた場合を示したが、本願発明はこれに限るものではない。なお、誘電体フィルタを高周波で用いる場合において、高周波電流は厚み方向に均一に流れるのではなく線路表面に集中することがあり、その集中する度合い、すなわち、集中する厚みを「表皮深さ」とすると、導体厚みは表皮深さ以上の厚みが必要となる。ストリップ線路の場合、高周波電流は上面、下面に流れるため導体厚みは2倍必要となり、表皮深さを考えると、周波数、導電率等にも依存するが、数GHzの周波数領域では約１〜３μmとなり、その2倍＋αということで金属箔は１０μｍ以上の厚さが好ましい。一方、実験の結果から１００μmまで単調に共振器のQ値は向上するが２００μmとなるとほぼ横ばいか多少上昇することになること、及び厚みを厚くすると誘電体フィルタの高さが高くなること等を考慮すると、金属箔の厚さは４００μm以下が好ましい。
【００３７】
また、上記の実施の形態において共振器電極として銅と銀を主成分とする電極厚みが１００μｍである金属箔を共振器電極として用いた場合、Q値は２８０となり、一方、従来例に示すように印刷工法により形成することによって電極厚みが４０μｍである共振器電極を用いた場合、Q値は２４０となることから、本実施の形態を用いることでQ値の高い共振器を提供することができる。
【００３８】
（実施の形態２）
つぎに本発明に関わる誘電体フィルタの製造方法について説明する。
【００３９】
図３は本発明の第２の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を示す工程図であり、まず別工程における共振器電極の製造方法について説明する。
【００４０】
図３（ａ）は図３（ｂ）の平面図におけるＡ−Ａ線の断面を示すものであり、金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔２１の両面に全く同じパターンを有するエッチングレジスト膜２２をフォトリソグラフィによって形成している。これを金属箔２１の両側からエッチングし、さらにエッチングされた端面を化学研磨または電解研磨処理することにより図３（ｂ）の平面図に示すように一対の共振器電極２３が複数個形成された電極フレーム２４を得ることができる。なお２５は電極フレーム２４の両内側に設けられた位置合わせ用ガイドである。
【００４１】
図３（ｃ）はこのようにして形成された電極フレーム２４の断面を示すものであり、つぎに図３（ｄ）に示すように電極フレーム２４とBi−Ca−Nb−O系の高誘電率材料よりなる誘電体のグリーンシート２６を重ねて上下から矢印のように加圧して図３（ｅ）に示すように電極フレーム２４をグリーンシート２６中に埋め込み、つぎにこれを個片に切断することにより図３（ｆ）に示す共振器誘電体基板２７を得ることができる。
【００４２】
つぎに図４はこのようにして形成した金属箔よりなる共振器電極（１４ａ、１４ｂ）を備えた共振器誘電体基板２７（図１では１１ｄに相当）を用いて誘電体フィルタを形成する製造工程を示したものであり、図１と同一部分には同一番号を付して説明する。
【００４３】
まず図４（ａ）に示すように保護材となる保護セラミック誘電体基板１１ａ、シールド電極１２ａが形成された接地電極セラミック誘電体基板１１ｂ、段間結合容量電極１３が形成された段間結合容量セラミック誘電体基板１１ｃ、上記図３の工程で得られた金属箔共振器電極１４ａ、１４ｂが埋め込まれた共振器セラミック誘電体基板１１ｄ、さらにその下部に入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂが形成された入出力結合容量セラミック誘電体基板１１ｅとシールド電極１２ｂが形成された接地電極セラミック誘電体基板１１ｆをそれぞれ配置して矢印で示すように加圧してそれぞれの電極類をグリーンシート状の各セラミック誘電体基板中に埋め込んで積層することにより、図４（ｂ）に示す積層誘電体基板２８を形成し、つぎにこの積層誘電体基板２８を温度約９００℃で還元雰囲気焼成を行い焼結させて積層型のセラミック誘電体フィルタを得ることができる。
【００４４】
なお本実施の形態において上記各誘電体基板の材料としてBi−Ca−Nb−O系、Ba−Ti−O系、[Zr(Mg,Zn,Nb)]TiO4+MnO2系またはBa−Nd−Ti−O系の高誘電率セラミック材を用いることができ、さらに容量を形成しない構成部にフォルステライト系、アルミナほう珪酸ガラス系の低誘電率セラミック基板を用いることも可能である。
【００４５】
（実施の形態３）
つぎに本発明の第３の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法について説明する。本実施の形態が第２の実施の形態と異なる点は金属箔よりなる共振器電極を埋め込むための誘電体基板としてエポキシ系樹脂よりなる熱硬化性樹脂とAl2O3,MgO等の粉体よりなる無機質フィラーを混合したコンポジット材料を用いた点である。
【００４６】
なお、上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂以外にフェノール系樹脂、シアネート系樹脂等もコンポジット材料の樹脂成分として使用することができる。
【００４７】
図５は本実施の形態における製造方法の要点を説明する概略工程図であり、まず図５（ａ）に示すように保護材となるグリーンシート状の保護セラミック誘電体基板３１ａとシールド電極３２ａを備えるグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板３１ｂと段間結合容量電極３３を備えるグリーンシート状の段間結合容量セラミック誘電体基板３１ｃを重ね合わせて矢印方向に加圧、積層する。これを約９００℃で焼成することにより図５（ｂ）に示す第１の誘電体ブロック３４を形成する。つぎに図５（ｃ）に示すように入出力結合容量電極３５ａ、３５ｂを備えるグリーンシート状の入出力結合容量セラミック誘電体基板３６とシールド電極３２ｂが形成されたグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板３７とを重ね合わせて加圧、積層して同じく約９００℃で焼成することにより図５（ｄ）に示す第２の誘電体ブロック３８を形成する。
【００４８】
つぎに図５（ｅ）に示すように第１の誘電体ブロック３４と第２の誘電体ブロック３８との間に図３において説明した共振器電極の形成法と同様な工程を用いてエポキシ系樹脂とAl2O3,MgO等の粉体よりなる無機質フィラーを混合したコンポジットシート中に共振器電極３９ａ、３９ｂを埋め込んだ共振器コンポジット誘電体基板４０を挟んで矢印方向に加圧して入出力結合容量電極３５ａ、３５ｂを共振器コンポジット誘電体基板４０の下面に埋め込ませ、コンポジット材の硬化温度の１５０℃〜２００℃で加熱して一体化させることにより図５（ｆ）に示す誘電体フィルタを得ることができる。
【００４９】
なお本実施の形態においてコンポジットシートを構成する無機質フィラーとして上記Al2O3,MgO以外に Bi−Ca−Nb−O系、Ba−Ti−O系、[Zr(Mg,Zn,Nb)]TiO4+MnO2系またはBa−Nd−Ti−O系の高誘電率セラミック粉末を高い充填量で混入して共振器コンポジット誘電体基板４０を形成することにより優れたフィルタ特性を得ることができる。
【００５０】
このように本実施の形態によれば金属箔よりなる共振器電極３９ａ、３９ｂを樹脂成分を含むコンポジット材料に埋め込ませているため、図５に示す比較的容易な製造工程で誘電体フィルタを形成することが可能となる。
【００５１】
なお、本実施の形態において、コンポジット材料のフィラーの含有率の一例としては、同時に用いるセラミック材料と熱膨張係数を合わせるために、フィラーの含有率を７０〜９０％ぐらいにすることが好ましい。
【００５２】
また、コンポジット材料の誘電率を大きくしたい場合には、フィラーの含有率を出来るだけ高くしたほうが好ましく、逆に接着性を考慮すればフィラーの含有率は上記の数値範囲より少なくても構わない。
【００５３】
（実施の形態４）
つぎに本発明の第４の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法について説明する。本実施の形態は誘電体フィルタを比較的容易な製造方法で提供することができる第３の実施の形態の製造方法を改善するものであり、図６（ａ）に示すように図３に示す電極フレーム２４と、電極フレームとほぼ同等の厚さを有するコンポジット材４１とを圧着し、図６（ｂ）のように電極フレーム２４の間隙部４２にコンポジット材４１を充填して電極コンポジット基板４３を形成する。
【００５４】
つぎに図６（ｃ）に示すように図５（ｂ）で得た第１の誘電体ブロック３４と、図５（ｃ）で形成したグリーンシート状の第２の誘電体ブロック３８の上面にグリーンシート状の高誘電率セラミック材よりなる誘電体基板４４を積層して第３の実施の形態の場合と同様の条件で焼成して形成した第３の誘電体ブロック４５との間に電極コンポジット基板４３を個片に切断して得た共振器コンポジット誘電体基板４６を挟んで圧着することにより図６（ｄ）に示すように入出力結合容量電極３５ａ、３５ｂと共振器電極３９ａ、３９ｂとの間に高誘電率材料よりなる誘電体基板４４を介在させることができ、コスト低減に有効な製造方法でありながらＱ値を向上させた誘電体フィルタを得ることができる。
【００５５】
また本実施の形態における電極コンポジット基板４３を用いる代わりに、図６（ｃ）に示す工程において第３の誘電体ブロック４５の上面に共振器電極３９ａ、３９ｂを載置し、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂の少なくともいずれかの液状樹脂を接着剤として電極フレーム２４の間隙部４２に充填して誘電体ブロック３４を接合して誘電体フィルタを製造することも可能である。また上記樹脂接着剤に代えてガラスフリットよりなるペーストを電極フレーム２４の間隙部４２に充填して約９００℃で焼成し、ガラス封着することもできる。
【００５６】
なお図３（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）、（ｂ）に示した電極フレームによる共振器電極の形成は複数の共振器電極を同時に形成する多数個取りの場合について説明しており、その他の工程は図面を簡略化するため個々の誘電体フィルタについて説明している。
【００５７】
上記本発明の各実施の形態における金属箔よりなる共振器電極は、その表面を研磨またはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等をメッキ形成することによりその平均表面粗さを０．５μｍから０．０１μｍ程度の平滑面とすることができ、従来の導電性ペーストの印刷による共振器電極の平均表面粗さ１〜３μｍに比較し、極めて平坦性に優れた電極表面を得ることができるため共振器のＱ値が向上し、優れたフィルタ特性を得ることができる。
【００５８】
また本発明に関わる金属箔よりなる複数の共振器電極について上記各実施の形態では２本の共振器電極から構成される共振器について説明したが、３本以上の共振器電極を形成した場合でも同様の効果を得ることが可能である。
【００５９】
さらに従来の導電性ペーストの印刷による共振器電極はその厚さに限界があったが本発明に関わる金属箔よりなる共振器電極はフォトリソグラフィによる金属箔のエッチング形成が可能であるため必要とするフィルタ特性に応じて自由にその厚さを設計することができ導体ロスを低減できるため、通信機器等の小型化に有効に活用することができる。
【００６０】
（実施の形態５）
つぎに本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第１から第４の実施の形態における誘電体フィルタを携帯電話等の通信機器の送信波と受信波とを分波するアンテナ共用器の送信用フィルタまたは受信用フィルタとして使用するものであり、図７に示すようにアンテナに接続する整合回路の両端にそれぞれ本発明に関わる誘電体フィルタを配置することにより、アンテナ共用器に使用していた従来のスペースファクタの大きな同軸共振器を排除することができるので、極めて小型化されたアンテナ共用器を得ることができる。
【００６１】
さらに本発明に係わる金属箔よりなる共振器電極を備えた誘電体フィルタまたは上記アンテナ共用器を携帯電話等の通信機器に使用することにより、優れた特性および極めて小型化された通信機器を実現することが可能となる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明は上記実施の形態より明らかなように複数の共振器電極を備え、その共振器電極間を互いに電磁界結合させて構成する誘電体フィルタの複数の共振器電極を金属箔により構成するものであり、かつその金属箔共振器電極の厚さを均一とし、さらに電極表面の平坦性を向上させることにより共振器のＱ値を向上させ、低損失かつ高減衰特性を備えることができ、また製造コストを上昇することなく高精度のフィルタ特性を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における誘電体フィルタの分解斜視図
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線における積層誘電体基板の断面図
（ｂ）は共振器電極の拡大断面図
（ｃ）は幅広部を備えた共振器電極を有する共振器誘電体基板の斜視図
【図３】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を説明する前半工程図
【図４】（ａ）、（ｂ）は同製造方法における後半工程図
【図５】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第３の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を説明する工程図
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を説明する工程図
【図７】本発明の第５の実施の形態におけるアンテナ共用器及び通信機器の概略ブロック図
【図８】従来の誘電体フィルタの分解斜視図
【図９】同誘電体フィルタに形成されている共振器電極の断面図
【符号の説明】
１１ａ〜１１ｆ 誘電体基板
１２ａ，１２ｂ シールド電極
１３ 段間結合容量電極
１４ａ，１４ｂ 共振器電極
１５ａ，１５ｂ 入出力結合容量電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として携帯電話機などの高周波無線機器等で用いる小型の誘電体フィルタ、特にストリップライン型の共振用電極を誘電体基板上に配列し、互いに電磁気的に結合させた構造を有する誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、誘電体フィルタは携帯電話機の高周波フィルタとして多数用いられているが、さらに小型化、薄型化することが要望されており、同軸型に比べて薄くできる平面型の誘電体フィルタが今後有望視されている。以下に図面を参照しながら、平面型の誘電体フィルタの一例について説明する。
【０００３】
図８は平面型積層タイプの誘電体フィルタの構造を示す分解斜視図であり、図に示す積層タイプの誘電体フィルタの基本的な構成は、まず６枚の誘電体基板１ａ〜１ｆよりなり、誘電体基板１ｂの上面にはシールド電極２ａが、１ｃの上面には段間結合用電極３が、１ｄの上面には共振器電極４ａ，４ｂが、１ｅの上面には入出力結合容量電極５ａ，５ｂが、１ｆの上面にはシールド電極２ｂがそれぞれ形成され積層されている。
【０００４】
またこの積層誘電体基板の左右側面にはシールド電極２ａ、２ｂと接続して接地端子を形成する端面電極６ａ、６ｂが、積層誘電体基板の背面にはシールド電極２ａ、２ｂおよび共振器電極４ａ，４ｂの共通の開放端と対応して接地端子となる端面電極７が形成されている。積層誘電体基板の前面に形成されている端面電極８は共振器電極４ａ，４ｂのそれぞれの短絡端と接続してシールド電極２ａ、２ｂと接続する。積層誘電体基板左右側面の端面電極９ａ、９ｂは入出力結合用電極５ａ、５ｂと接続して入出力端子を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の構成を有する平面型積層タイプの誘電体フィルタにおいてその共振器電極を始めとする段間結合容量電極や入出力結合容量電極等は全て導電性ペースト等を印刷することにより形成されており、したがって共振器電極を十分な厚さで均一に形成することが困難であった。
【０００６】
図９は図８に示す誘電体基板１ｃと１ｄとの積層状態を示す断面図であり、図に示すように共振器電極４ａ、４ｂの中心部は厚く、周辺に行くほど厚さが薄くなる傾向があった。また電極が印刷された誘電体基板を積層する時に電極端部が尖り、かつ端部に高周波電流が集中するために共振器のＱ値が低下し、フィルタ特性が劣化するという課題があった。さらに金属粉末を導電体とする導電性ペーストを印刷する場合、印刷用スクリーンのメッシュに起因する表面の凹凸の発生は避けられず、フィルタ特性を劣化させるという課題があった。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決し、均一な厚さを備えた共振器電極を形成することにより低損失の誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、複数の共振器電極を備え、その共振器電極間を互いに電磁界結合させて構成した誘電体フィルタにおいて、複数の共振器電極を金属箔により構成するものであり、共振器のＱ値を向上させ、低損失かつ高減衰特性を備えることができる。
【００１８】
本発明の請求項１に記載の発明は、金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔よりなる共振器電極を形成する工程と、共振器電極を誘電体基板の内部に埋め込み共振器誘電体基板を形成する工程と、共振器誘電体基板と少なくとも段間結合容量誘電体基板と入出力結合容量誘電体基板と接地電極誘電体基板とを積層して積層誘電体基板を形成する工程とを備える誘電体フィルタの製造方法であり、低損失、高減衰特性を有する誘電体フィルタを提供することができる。
【００１９】
本発明の請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法に関し、共振器電極を形成する工程を金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔の両面にフォトマスクを形成してその両面からエッチングした後、化学研磨法または電解研磨法を用いて共振器電極の端面形状を角丸四角形状または円弧状とした電極フレームを形成する工程としたものであり、共振器電極の端面に任意の形状の丸みを付与することができる。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法に関し、共振器誘電体基板を形成する工程をグリーンシート状のセラミック誘電体基板に請求項２に記載の製造方法によって形成された共振器電極を埋め込む工程とするものであり、誘電体フィルタを高誘電率セラミック材料で構成する場合に使用することできるため、小型でかつフィルタ特性に優れた誘電体フィルタを提供することができる。
【００２１】
本発明の請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の製造方法によって形成されたグリーンシート状の共振器セラミック誘電体基板と、少なくともグリーンシート状の段間結合容量セラミック誘電体基板と、グリーンシート状の入出力結合容量セラミック誘電体基板とをグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板により上下から狭持して積層し、同時焼成することにより積層誘電体基板を形成する工程を備えた誘電体フィルタの製造方法であり、誘電体フィルタを全て高誘電率セラミック基板で構成することができるため、低損失で小型の誘電体フィルタを得ることが可能となる。
【００２２】
本発明の請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法に関し、共振器誘電体基板を形成する工程を、未硬化状態のコンポジット基板に請求項２に記載の製造方法によって得られた共振器電極を埋め込んだ後、加熱硬化させる工程とするものであり、製造コストの低減に有効である。
【００２３】
本発明の請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の製造方法によって形成された共振器コンポジット誘電体基板と、少なくともそれぞれ焼成された段間結合容量セラミック誘電体基板と、入出力結合容量セラミック誘電体基板と、複数の接地電極セラミック誘電体基板とを積層することにより複合構造を有する積層誘電体基板を形成する工程を備えた誘電体フィルタの製造方法であり、共振器コンポジット誘電体基板とその他のセラミック誘電体基板を別の工程で製造した後、一体化することができ、製造歩留まりの向上に有効である。
【００２７】
以下本発明の誘電体フィルタについて図面を参照しながら説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は本発明の第１の実施の形態における誘電体フィルタの構造を示す分解斜視図であり、誘電体フィルタの基本的な構成は図６に示すものと同様であり、６枚の誘電体基板１１ａ〜１１ｆより構成されるが共振器電極が搭載される共振器誘電体基板１１ｄは高誘電率セラミック基板の他に後述する製造方法により樹脂基板または樹脂成分と無機質フィラーとより構成されるコンポジット基板が選択される場合がある。
【００２９】
まず接地電極誘電体基板１１ｂの上面にはシールド電極１２ａが、段間結合容量誘電体基板１１ｃの上面には段間結合容量電極１３が形成され、共振器誘電体基板１１ｄの上面には厚さが１０μｍから４００μｍの銀または銅を主成分とする金属箔よりなり、その断面形状が鋭利な角部を有しない角丸四角形状である共振器電極１４ａ，１４ｂが載置されており、入出力結合容量誘電体基板１１ｅの上面には入出力結合容量電極１５ａ，１５ｂが、接地電極誘電体基板１１ｆの上面にはシールド電極１２ｂがそれぞれ形成され、これらの誘電体基板が一体に積層されて誘電体フィルタを構成している。
【００３０】
また積層誘電体基板の左右側面には端面電極１６ａ、１６ｂおよび入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂと接続して入出力端子を形成する端面電極１９ａ、１９ｂが、積層誘電体基板の背面および前面にはそれぞれ端面電極１７、１８がそれぞれ形成されている点は従来と同様である。
【００３１】
上記構成において本発明の特徴とするところは共振器電極の構成にあり、図１に示すように共振器誘電体基板１１ｄの上面に形成されている共振器電極１４ａ、１４ｂは金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔より形成されたものである。
【００３２】
図２（ａ）は図１に示すＡ−Ａ線における積層された各誘電体基板１１ｃ、１１ｄおよび１１ｅの断面を示すものであり、共振器誘電体基板１１ｄの上面には後述する別工程で作製された金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔よりなる共振器電極１４ａ、１４ｂが配置されている。また段間結合容量誘電体基板１１ｃの上面には段間結合容量電極１３が、入出力結合容量誘電体基板１１ｅの上面には入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂがそれぞれ導電性ペーストの印刷により形成されている。なお、段間結合容量電極１３および入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂを共振器電極１４ａ、１４ｂと同様に金属箔で形成することも可能である。
【００３３】
なお本実施の形態における共振器電極１４ａ、１４ｂは図２（ｂ）にその拡大断面を示すようにその断面形状において角部が円弧状、または共振器電極の端面における断面が円弧状に形成されていることが電気特性上好ましく、このような角丸四角形状は後述する電極フレームを共振器電極１４ａ、１４ｂの形状にエッチングした後、共振器電極１４ａ、１４ｂの端面を化学研磨または電解研磨処理することによって形成することができる。さらに共振器電極１４ａ、１４ｂの表面は研磨または金属メッキ等の処理を施すことによって０．５μｍ〜０．０１μｍの表面粗さを有する平滑面としておくことが好ましい。
【００３４】
このように共振器電極１４ａ、１４ｂを平坦な面を備えた金属箔で形成することにより、Ｑ値の高い共振器を構成することができ、低損失かつ減衰特性に優れた誘電体フィルタを得ることができる。
【００３５】
さらに共振器電極１４ａ、１４ｂの平面形状は図１に示す均一な電極幅を備えるものだけでなく、図２（ｃ）に示すように開放端側に幅広部１４ａｗ、１４ｂｗを設けた形状とすることも必要とするフィルタ特性に対応して形成することができる。
【００３６】
なお、本実施の形態においては、厚さが１０μｍから４００μｍの金属箔よりなりストリップ線路を用いた場合を示したが、本願発明はこれに限るものではない。なお、誘電体フィルタを高周波で用いる場合において、高周波電流は厚み方向に均一に流れるのではなく線路表面に集中することがあり、その集中する度合い、すなわち、集中する厚みを「表皮深さ」とすると、導体厚みは表皮深さ以上の厚みが必要となる。ストリップ線路の場合、高周波電流は上面、下面に流れるため導体厚みは2倍必要となり、表皮深さを考えると、周波数、導電率等にも依存するが、数GHzの周波数領域では約１〜３μmとなり、その2倍＋αということで金属箔は１０μｍ以上の厚さが好ましい。一方、実験の結果から１００μmまで単調に共振器のQ値は向上するが２００μmとなるとほぼ横ばいか多少上昇することになること、及び厚みを厚くすると誘電体フィルタの高さが高くなること等を考慮すると、金属箔の厚さは４００μm以下が好ましい。
【００３７】
また、上記の実施の形態において共振器電極として銅と銀を主成分とする電極厚みが１００μｍである金属箔を共振器電極として用いた場合、Q値は２８０となり、一方、従来例に示すように印刷工法により形成することによって電極厚みが４０μｍである共振器電極を用いた場合、Q値は２４０となることから、本実施の形態を用いることでQ値の高い共振器を提供することができる。
【００３８】
（実施の形態２）
つぎに本発明に関わる誘電体フィルタの製造方法について説明する。
【００３９】
図３は本発明の第２の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を示す工程図であり、まず別工程における共振器電極の製造方法について説明する。
【００４０】
図３（ａ）は図３（ｂ）の平面図におけるＡ−Ａ線の断面を示すものであり、金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔２１の両面に全く同じパターンを有するエッチングレジスト膜２２をフォトリソグラフィによって形成している。これを金属箔２１の両側からエッチングし、さらにエッチングされた端面を化学研磨または電解研磨処理することにより図３（ｂ）の平面図に示すように一対の共振器電極２３が複数個形成された電極フレーム２４を得ることができる。なお２５は電極フレーム２４の両内側に設けられた位置合わせ用ガイドである。
【００４１】
図３（ｃ）はこのようにして形成された電極フレーム２４の断面を示すものであり、つぎに図３（ｄ）に示すように電極フレーム２４とBi−Ca−Nb−O系の高誘電率材料よりなる誘電体のグリーンシート２６を重ねて上下から矢印のように加圧して図３（ｅ）に示すように電極フレーム２４をグリーンシート２６中に埋め込み、つぎにこれを個片に切断することにより図３（ｆ）に示す共振器誘電体基板２７を得ることができる。
【００４２】
つぎに図４はこのようにして形成した金属箔よりなる共振器電極（１４ａ、１４ｂ）を備えた共振器誘電体基板２７（図１では１１ｄに相当）を用いて誘電体フィルタを形成する製造工程を示したものであり、図１と同一部分には同一番号を付して説明する。
【００４３】
まず図４（ａ）に示すように保護材となる保護セラミック誘電体基板１１ａ、シールド電極１２ａが形成された接地電極セラミック誘電体基板１１ｂ、段間結合容量電極１３が形成された段間結合容量セラミック誘電体基板１１ｃ、上記図３の工程で得られた金属箔共振器電極１４ａ、１４ｂが埋め込まれた共振器セラミック誘電体基板１１ｄ、さらにその下部に入出力結合容量電極１５ａ、１５ｂが形成された入出力結合容量セラミック誘電体基板１１ｅとシールド電極１２ｂが形成された接地電極セラミック誘電体基板１１ｆをそれぞれ配置して矢印で示すように加圧してそれぞれの電極類をグリーンシート状の各セラミック誘電体基板中に埋め込んで積層することにより、図４（ｂ）に示す積層誘電体基板２８を形成し、つぎにこの積層誘電体基板２８を温度約９００℃で還元雰囲気焼成を行い焼結させて積層型のセラミック誘電体フィルタを得ることができる。
【００４４】
なお本実施の形態において上記各誘電体基板の材料としてBi−Ca−Nb−O系、Ba−Ti−O系、[Zr(Mg,Zn,Nb)]TiO4+MnO2系またはBa−Nd−Ti−O系の高誘電率セラミック材を用いることができ、さらに容量を形成しない構成部にフォルステライト系、アルミナほう珪酸ガラス系の低誘電率セラミック基板を用いることも可能である。
【００４５】
（実施の形態３）
つぎに本発明の第３の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法について説明する。本実施の形態が第２の実施の形態と異なる点は金属箔よりなる共振器電極を埋め込むための誘電体基板としてエポキシ系樹脂よりなる熱硬化性樹脂とAl2O3,MgO等の粉体よりなる無機質フィラーを混合したコンポジット材料を用いた点である。
【００４６】
なお、上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂以外にフェノール系樹脂、シアネート系樹脂等もコンポジット材料の樹脂成分として使用することができる。
【００４７】
図５は本実施の形態における製造方法の要点を説明する概略工程図であり、まず図５（ａ）に示すように保護材となるグリーンシート状の保護セラミック誘電体基板３１ａとシールド電極３２ａを備えるグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板３１ｂと段間結合容量電極３３を備えるグリーンシート状の段間結合容量セラミック誘電体基板３１ｃを重ね合わせて矢印方向に加圧、積層する。これを約９００℃で焼成することにより図５（ｂ）に示す第１の誘電体ブロック３４を形成する。つぎに図５（ｃ）に示すように入出力結合容量電極３５ａ、３５ｂを備えるグリーンシート状の入出力結合容量セラミック誘電体基板３６とシールド電極３２ｂが形成されたグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板３７とを重ね合わせて加圧、積層して同じく約９００℃で焼成することにより図５（ｄ）に示す第２の誘電体ブロック３８を形成する。
【００４８】
つぎに図５（ｅ）に示すように第１の誘電体ブロック３４と第２の誘電体ブロック３８との間に図３において説明した共振器電極の形成法と同様な工程を用いてエポキシ系樹脂とAl2O3,MgO等の粉体よりなる無機質フィラーを混合したコンポジットシート中に共振器電極３９ａ、３９ｂを埋め込んだ共振器コンポジット誘電体基板４０を挟んで矢印方向に加圧して入出力結合容量電極３５ａ、３５ｂを共振器コンポジット誘電体基板４０の下面に埋め込ませ、コンポジット材の硬化温度の１５０℃〜２００℃で加熱して一体化させることにより図５（ｆ）に示す誘電体フィルタを得ることができる。
【００４９】
なお本実施の形態においてコンポジットシートを構成する無機質フィラーとして上記Al2O3,MgO以外に Bi−Ca−Nb−O系、Ba−Ti−O系、[Zr(Mg,Zn,Nb)]TiO4+MnO2系またはBa−Nd−Ti−O系の高誘電率セラミック粉末を高い充填量で混入して共振器コンポジット誘電体基板４０を形成することにより優れたフィルタ特性を得ることができる。
【００５０】
このように本実施の形態によれば金属箔よりなる共振器電極３９ａ、３９ｂを樹脂成分を含むコンポジット材料に埋め込ませているため、図５に示す比較的容易な製造工程で誘電体フィルタを形成することが可能となる。
【００５１】
なお、本実施の形態において、コンポジット材料のフィラーの含有率の一例としては、同時に用いるセラミック材料と熱膨張係数を合わせるために、フィラーの含有率を７０〜９０％ぐらいにすることが好ましい。
【００５２】
また、コンポジット材料の誘電率を大きくしたい場合には、フィラーの含有率を出来るだけ高くしたほうが好ましく、逆に接着性を考慮すればフィラーの含有率は上記の数値範囲より少なくても構わない。
【００５３】
（実施の形態４）
つぎに本発明の第４の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法について説明する。本実施の形態は誘電体フィルタを比較的容易な製造方法で提供することができる第３の実施の形態の製造方法を改善するものであり、図６（ａ）に示すように図３に示す電極フレーム２４と、電極フレームとほぼ同等の厚さを有するコンポジット材４１とを圧着し、図６（ｂ）のように電極フレーム２４の間隙部４２にコンポジット材４１を充填して電極コンポジット基板４３を形成する。
【００５４】
つぎに図６（ｃ）に示すように図５（ｂ）で得た第１の誘電体ブロック３４と、図５（ｃ）で形成したグリーンシート状の第２の誘電体ブロック３８の上面にグリーンシート状の高誘電率セラミック材よりなる誘電体基板４４を積層して第３の実施の形態の場合と同様の条件で焼成して形成した第３の誘電体ブロック４５との間に電極コンポジット基板４３を個片に切断して得た共振器コンポジット誘電体基板４６を挟んで圧着することにより図６（ｄ）に示すように入出力結合容量電極３５ａ、３５ｂと共振器電極３９ａ、３９ｂとの間に高誘電率材料よりなる誘電体基板４４を介在させることができ、コスト低減に有効な製造方法でありながらＱ値を向上させた誘電体フィルタを得ることができる。
【００５５】
また本実施の形態における電極コンポジット基板４３を用いる代わりに、図６（ｃ）に示す工程において第３の誘電体ブロック４５の上面に共振器電極３９ａ、３９ｂを載置し、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂の少なくともいずれかの液状樹脂を接着剤として電極フレーム２４の間隙部４２に充填して誘電体ブロック３４を接合して誘電体フィルタを製造することも可能である。また上記樹脂接着剤に代えてガラスフリットよりなるペーストを電極フレーム２４の間隙部４２に充填して約９００℃で焼成し、ガラス封着することもできる。
【００５６】
なお図３（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）、（ｂ）に示した電極フレームによる共振器電極の形成は複数の共振器電極を同時に形成する多数個取りの場合について説明しており、その他の工程は図面を簡略化するため個々の誘電体フィルタについて説明している。
【００５７】
上記本発明の各実施の形態における金属箔よりなる共振器電極は、その表面を研磨またはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等をメッキ形成することによりその平均表面粗さを０．５μｍから０．０１μｍ程度の平滑面とすることができ、従来の導電性ペーストの印刷による共振器電極の平均表面粗さ１〜３μｍに比較し、極めて平坦性に優れた電極表面を得ることができるため共振器のＱ値が向上し、優れたフィルタ特性を得ることができる。
【００５８】
また本発明に関わる金属箔よりなる複数の共振器電極について上記各実施の形態では２本の共振器電極から構成される共振器について説明したが、３本以上の共振器電極を形成した場合でも同様の効果を得ることが可能である。
【００５９】
さらに従来の導電性ペーストの印刷による共振器電極はその厚さに限界があったが本発明に関わる金属箔よりなる共振器電極はフォトリソグラフィによる金属箔のエッチング形成が可能であるため必要とするフィルタ特性に応じて自由にその厚さを設計することができ導体ロスを低減できるため、通信機器等の小型化に有効に活用することができる。
【００６０】
（実施の形態５）
つぎに本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第１から第４の実施の形態における誘電体フィルタを携帯電話等の通信機器の送信波と受信波とを分波するアンテナ共用器の送信用フィルタまたは受信用フィルタとして使用するものであり、図７に示すようにアンテナに接続する整合回路の両端にそれぞれ本発明に関わる誘電体フィルタを配置することにより、アンテナ共用器に使用していた従来のスペースファクタの大きな同軸共振器を排除することができるので、極めて小型化されたアンテナ共用器を得ることができる。
【００６１】
さらに本発明に係わる金属箔よりなる共振器電極を備えた誘電体フィルタまたは上記アンテナ共用器を携帯電話等の通信機器に使用することにより、優れた特性および極めて小型化された通信機器を実現することが可能となる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明は上記実施の形態より明らかなように複数の共振器電極を備え、その共振器電極間を互いに電磁界結合させて構成する誘電体フィルタの複数の共振器電極を金属箔により構成するものであり、かつその金属箔共振器電極の厚さを均一とし、さらに電極表面の平坦性を向上させることにより共振器のＱ値を向上させ、低損失かつ高減衰特性を備えることができ、また製造コストを上昇することなく高精度のフィルタ特性を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における誘電体フィルタの分解斜視図
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線における積層誘電体基板の断面図
（ｂ）は共振器電極の拡大断面図
（ｃ）は幅広部を備えた共振器電極を有する共振器誘電体基板の斜視図
【図３】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を説明する前半工程図
【図４】（ａ）、（ｂ）は同製造方法における後半工程図
【図５】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第３の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を説明する工程図
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施の形態における誘電体フィルタの製造方法を説明する工程図
【図７】本発明の第５の実施の形態におけるアンテナ共用器及び通信機器の概略ブロック図
【図８】従来の誘電体フィルタの分解斜視図
【図９】同誘電体フィルタに形成されている共振器電極の断面図
【符号の説明】
１１ａ〜１１ｆ 誘電体基板
１２ａ，１２ｂ シールド電極
１３ 段間結合容量電極
１４ａ，１４ｂ 共振器電極
１５ａ，１５ｂ 入出力結合容量電極
Claims (6)
- 金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔よりなる共振器電極を形成する工程と、前記共振器電極を誘電体基板の内部に埋め込み共振器誘電体基板を形成する工程と、前記共振器誘電体基板と少なくとも段間結合容量誘電体基板と入出力結合容量誘電体基板と接地電極誘電体基板とを積層して積層誘電体基板を形成する工程とを備えた誘電体フィルタの製造方法。
- 共振器電極を形成する工程が、金、銀および銅の少なくともいずれかを主成分とする金属箔の両面にフォトマスクを形成してその両面からエッチングした後、化学研磨法または電解研磨法を用いて前記共振器電極の端面形状を角丸四角形状または円弧状とした電極フレームを形成する工程よりなることを特徴とする請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法。
- 共振器誘電体基板を形成する工程が、グリーンシート状のセラミック誘電体基板に請求項２に記載の製造法によって形成された共振器電極を埋め込むことにより形成することを特徴とする請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法。
- 請求項３に記載の製造方法によって形成されたグリーンシート状の共振器セラミック誘電体基板と、少なくともグリーンシート状の段間結合容量セラミック誘電体基板と、グリーンシート状の入出力結合容量セラミック誘電体基板とを複数のグリーンシート状の接地電極セラミック誘電体基板により上下から狭持して積層し、同時焼成することにより積層誘電体基板を形成する工程を備えた誘電体フィルタの製造方法。
- 共振器誘電体基板を形成する工程が、未硬化状態のコンポジット基板に請求項２に記載の製造方法によって得られた共振器電極を埋め込んだ後、加熱硬化させることにより形成することを特徴とする請求項１に記載の誘電体フィルタの製造方法。
- 請求項５に記載の製造方法によって形成された共振器コンポジット誘電体基板と、少なくともそれぞれ焼成された段間結合容量セラミック誘電体基板と、入出力結合容量セラミック誘電体基板と、複数の接地電極セラミック誘電体基板とを積層することにより複合構造を有する積層誘電体基板を形成する工程を備えた誘電体フィルタの製造方法。
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