JP3628804B2 - 積層型電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、高周波領域で使用される積層型のストリップライン共振器やストリップラインフィルタ等の積層型電子部品およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、自動車電話や携帯電話、あるいは衛星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信の進展にともない、高周波で損失の小さい部品に対する要求が高まっている。特に近年開発された積層型のストリップライン共振器やストリップラインフィルタの低損失化に対する要求は大きい。従来の積層型のストリップライン共振器は、特開平5−243828号公報に示されるように、均質な誘電体セラミックス中に、ストリップライン層、シールド層、および入出力用の容量形成層等が形成された構造を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらこのような構造をもつ従来の積層型のストリップライン共振器におけるストリップライン上の電流分布を考えると、ストリップラインの端縁部に電流が集中してしまい、その影響で損失を低くすることができないという課題があった。これと同様な課題を従来の積層型のストリップラインフィルタ等の積層型電子部品にも有していた。
【0004】
この発明は、上記の課題を解決するため、積層型のストリップライン共振器やストリップラインフィルタ等のストリップラインの端縁部の電流集中による損失を低くすることのできる積層型電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の積層型電子部品は、複数の誘電体シートを積層し一体化させた誘電体中にストリップラインと、前記ストリップラインと略平行なシールド層とを備えた積層型電子部品であって、前記ストリップラインの端縁部周辺の前記誘電体中に、前記ストリップラインと略平行で、かつ前記誘電体に囲まれた誘電率の低い低誘電率部または空孔部を設け、前記低誘電率部または前記空孔部は前記ストリップラインの端縁部から前記シールド層に立てた垂面を横切ることを特徴とする。
【0006】
この構成によれば、ストリップラインの端縁部周辺の誘電体中に、ストリップラインと略平行で、かつ誘電体に囲まれた誘電率の低い低誘電率部または空孔部を設け、低誘電率部または空孔部はストリップラインの端縁部からシールド層に立てた垂面を横切ることにより、ストリップラインの端縁部に電流が集中するのを緩和し、損失を低くすることができる。
請求項2記載の積層型電子部品は、請求項1記載の積層型電子部品において、誘電体はセラミックスを主成分とし、ストリップラインはAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分としている。
【0007】
このように、誘電体はセラミックスを主成分とし、ストリップラインはAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とすることが好ましい。これは、誘電体の誘電率が高いほど損失低下の効果が大きいため、誘電率の高いセラミックスを主成分としたものを用いることにより、大きい効果を得ることができる。また、ストリップラインはAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とすることにより、導体による損失を低くすることができる。
【0008】
請求項3記載の積層型電子部品の製造方法は、内層となる誘電体シートにストリップラインを形成し、前記ストリップラインを形成した誘電体シート、及びシールドが形成された誘電体シートを含む複数の誘電体シートを積層し、焼成する積層型電子部品の製造方法であって、前記ストリップラインを形成した誘電体シートの上方および下方に積層される誘電体シートの所定の位置に所定の形状の貫通孔を開け、この貫通孔に熱処理により分解・飛散する成分を埋設して空孔部形成用シートを形成する工程と、前記空孔部形成用シートを含む前記複数の誘電体シートを前記埋設された貫通孔が前記ストリップラインの端縁部周辺に位置し、前記ストリップラインと略平行で、かつ、前記誘電体シートを構成する誘電体に囲まれるように積層する工程と、前記熱処理により前記貫通孔に埋設した成分を分解・飛散させて空孔部を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0009】
この製造方法により、ストリップラインの端縁部周辺に位置し、ストリップラインと略平行で、かつ、誘電体シートを構成する誘電体に囲まれるように空孔部を形成することにより、ストリップラインの端縁部に電流が集中するのを緩和し、損失を低くすることができる。
請求項4記載の積層型電子部品の製造方法は、内層となる誘電体シートにストリップラインを形成し、前記ストリップラインを形成した誘電体シート、及びシールドが形成された誘電体シートを含む複数の誘電体シートを積層し、焼成する積層型電子部品の製造方法であって、前記ストリップラインを形成した誘電体シートの上方および下方に積層される誘電体シートの所定の位置に所定の形状の貫通孔を開け、この貫通孔に前記誘電体シートより誘電率の低い誘電体を含む成分を埋設して低誘電率部形成用シートを形成する工程と、前記低誘電率部形成用シートを含む前記複数の誘電体シートを前記埋設された貫通孔が前記ストリップラインの端縁部周辺に位置し、前記ストリップラインと略平行で、かつ、前記誘電体シートを構成する誘電体に囲まれるように積層する工程とを含むことを特徴とする。
【0010】
この製造方法により、ストリップラインの端縁部周辺に位置し、ストリップラインと略平行で、かつ、誘電体シートを構成する誘電体に囲まれるように低誘電率部を形成することにより、ストリップラインの端縁部に電流が集中するのを緩和し、損失を低くすることができる。
請求項5記載の積層型電子部品の製造方法は、請求項3または4記載の積層型電子部品の製造方法において、誘電体シートとしてセラミックスを主成分とするグリーンシートを用い、ストリップラインをAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とする材料で形成する。
【0011】
このように、誘電体シートとしてセラミックスを主成分とするグリーンシートを用い、ストリップラインをAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とする材料で形成することにより、損失低下の効果が大きく好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
〔第1の実施の形態;請求項1,2に対応〕
図1はこの発明の実施の形態における積層型電子部品の一例である積層型のストリップライン共振器の斜視図である。図2の(a)、(b)、(c)はそれぞれ図1のA−A線断面図、B−B線断面図、C−C断面図である。図3の(a)、(b)、(c)、(d)、(e)はそれぞれ図2のD−D線断面図、E−E線断面図、F−F線断面図、G−G線断面図、H−H線断面図である。
【0013】
1は誘電体シートを積層した誘電体であり、樹脂、コンポジット、あるいはセラミックス等で構成される。樹脂としては、エポキシ、フェノール等が使用でき、コンポジットとしては、ガラス−エポキシ、ガラス−ポリイミド等が使用できる。セラミックスとしては、アルミナ−ガラス系、Ba−Nd−Ti−O−SiO2 −B2 O3 系、Bi2 O3 −Nb2 O5 系等が使用できる。特に、セラミックスは高誘電率のものが知られ、素子の小型化に有利であるので好ましい。
【0014】
2、3、4はそれぞれシールド層、ストリップライン層、入出力用の容量形成層であり、Au、Ag、Cu、Ag−Pd、あるいはAg−Pt等で構成される内部導体である。これらの内部導体は、金属箔を張りつける、あるいは金属ペーストをスクリーン印刷して焼付ける等で形成する。シールド層2は、外部の電磁波の遮断および素子に入力された電磁波の漏洩を阻止する作用がある。ストリップライン層3は、この例の場合、一方を短絡しており、1/4波長共振器として作用する。入出力用の容量形成層4は、電磁波を素子へ導入し、ストリップライン層3へ結合させる作用がある。
【0015】
5、6、7は外部導体であり、Au、Ag、Cu、Ag−Pd、あるいはAg−Pt等で構成される。これらの外部導体5、6、7は、金属ペーストをスクリーン印刷あるいはデッピング等で所定の場所に付着させ、焼付け等で形成する。また、場合によっては、外部導体5、6、7の表面をNi−SnあるいはNi−半田等でメッキする。
【0016】
8aは空孔部であり、この空孔部8aはストリップライン層3の端縁部周辺の誘電体1中に形成している。また、空孔部8aの代わりに、誘電体1より誘電率の低い低誘電率部8bを形成してもよい。この部分の形成方法は、第2の実施の形態で説明する。
この実施の形態によれば、誘電体1中に形成されたストリップライン層3の端縁部周辺の誘電体1中に空孔部8aまたは低誘電率部8bを設けたことにより、ストリップライン層3の端縁部に電流が集中するのを緩和し、損失を低下させる効果がある。この効果は、誘電体1の誘電率が高いほど大きいので、誘電体1としては高誘電率のセラミックスが好ましい。また、ストリップライン層3などの導体は、Au、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とすることにより、導体による損失を低くすることができ好ましい。
【0017】
なお、この実施の形態では、積層型のストリップライン共振器の例について説明したが、ストリップライン伝送線路、マイクロストリップライン伝送線路、共振器を組み合わせたフィルタでも同様の効果がある。
〔第2の実施の形態;請求項3〜5に対応〕
この第2の実施の形態では、第1の実施の形態における積層型電子部品の製造方法について説明する。
【0018】
誘電体1としては、アルミナ−ガラス系、Ba−Nd−Ti−O−SiO2 −B2 O3 系、Bi2 O3 −Nb2 O5 系などのセラミックスを主成分に用いる。誘電体セラミックスの粉末をバインダ、可塑剤、溶剤とともに混合してスラリーを得る。ドクターブレード法あるいはリバースロール法などによりスラリーをグリーンシートに成形し、所定の大きさに切断する。グリーンシートの厚みは、5〜500μm程度である。
【0019】
このようにして得られたグリーンシートを所定の枚数積層・圧着し、所定の位置に所定の大きさの貫通孔をパンチングなどにより形成する。グリーンシートの厚み、枚数、パンチの形状などにより、形成したい空孔部8aまたは低誘電率部8bの大きさと形状を調整できる。空孔部8aを形成する場合には、貫通孔に樹脂、カーボンなど熱処理により飛散する成分を詰めておく。低誘電率部8bを形成する場合には、貫通孔に、ガラス、アルミナ、フォルステライトなど低誘電率の誘電体をペーストにしたものを詰めておく。
【0020】
一方、他のグリーンシートの表面に、シールド層2、ストリップライン層3、および入出力用の容量形成層4など所定の内部導体パターンを形成しておく。これらの内部導体パターンは、Au、Ag、あるいはCuなどの導体ペーストをスクリーン印刷で形成してもよいし、エッチングなどでパターン形成した金属箔をグリーンシート表面に張りつけてもよい。
【0021】
こうして得られた空孔部などの形成用グリーンシート、内部導体パターンを形成したグリーンシート、および通常のグリーンシートを、例えば図1から図3に示した構造になるように重ね合わせ、加圧して圧着する。
このグリーンシート積層体を個片に切断し、300℃〜700℃の熱処理によってグリーンシート中に含まれる有機成分や、空孔部8aを形成する場合のカーボンなどの成分を飛散させた後、800℃から1080℃で焼成する。なお、グリーンシート積層体の切断は焼成後に行っても構わない。焼成された個片の所定の位置にAu、Ag、Cu、Ag−Pd、あるいはAg−Ptなどで外部導体5、6、7を形成する。この形成方法としては、金属のペーストをスクリーン印刷あるいはデッピング等で所定の場所に付着させ、焼付け等で形成する。なお、外部導体5、6、7の焼付けを焼成と同時に行っても構わない。さらに、必要に応じて、外部導体5、6、7の表面に、Ni−Snメッキ、Ni−半田メッキ膜等(図示せず)を形成する。
【0022】
この実施の形態の製造方法により、ストリップライン層3の端縁部周辺に空孔部8aまたは低誘電率部8bが存在する積層型のストリップライン共振器やストリップラインフィルタなどを製造することができる。
以上のようにして製造した共振器あるいはフィルタの高周波での透過および反射特性をネットワークアナライザを用いて測定する。共振器の場合は損失の低さを表すQ値、フィルタの場合は挿入損失や帯域外の減衰などを測定することにより、第1の実施の形態で述べた効果がわかる。
【0023】
【実施例】
次に、この発明の実施例について説明する。
この実施例では、図1から図3に示したλ/4タイプの積層型のストリップライン共振器として、空孔部8aを形成した共振器と、低誘電率部8bを形成した共振器とを作製した。また、比較例として空孔部8aと低誘電率部8bのいずれも形成していない従来の共振器を作製した。
【0024】
誘電体1としては、Bi2 O3 −Nb2 O5 系のセラミックス(比誘電率εr =44)を用いた。このセラミックスの粉末100gに対して、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂6g、可塑剤としてフタル酸n−ジブチル2.5g、溶剤として酢酸ブチル40ccを加え、直径15mmのジルコニアボールとともにポットに入れ、60時間回転させてスラリーを得た。このスラリーをドクターブレード法にて厚み80μmのグリーンシートに成形し、100mm角に切断した。
【0025】
切断したグリーンシートを3枚重ねて、200kg/cm2 にて圧着した。圧着したグリーンシートの所定の位置に、パンチングにて貫通孔を形成した。この貫通孔に、空孔部8aを形成する場合にはアクリル樹脂を、低誘電率部8bを形成する場合にはアルミナをペースト状にしたものを印刷法により埋めた。
また、別のグリーンシートに、シールド層2、ストリップライン層3、および入出力用の容量形成層4の各導体パターンを、Agペーストをスクリーン印刷することで形成した。各導体パターンは、図1から図3に示した通りである。
【0026】
これらのグリーンシートを、図1から図3の構造になるように積層し、400kg/cm2 にて圧着した。個片に切断後、550℃で熱処理し、有機成分などを飛散させた。その後、900℃で1時間保持して焼成した。得られた焼成体の所定の部分にAgペーストを塗布し、焼き付けて外部導体5、6、7を形成し、完成品を得た。
【0027】
素子の大きさは、縦8mm、横5mm、厚さ2.2mmであり、ストリップラインの長さは7mm、幅は2mm、厚さは0.025mmであった。空孔部8aまたは低誘電率部8bの長さは7mm、幅は0.3mm、厚さは0.15mmであった。
このようにして作製した積層型のストリップライン共振器の共振周波数とQ値をネットワークアナライザにて測定した。結果を表1に示す。表1において、実施例▲1▼は空孔部8aを形成した共振器、実施例▲2▼は低誘電率部8bを形成した共振器、比較例は空孔部8aも低誘電率部8bも形成していない従来の共振器を示す。
【0028】
【表1】
【0029】
表1に示すように、ストリップライン層3の端縁部の周辺に空孔部8aまたは低誘電率部8bを設けたことで、共振器のQ値は高くなり、性能が向上したことがわかる。
【0030】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、ストリップラインの端縁部周辺の誘電体中に、ストリップラインと略平行で、かつ誘電体に囲まれた誘電率の低い低誘電率部または空孔部を設け、低誘電率部または空孔部はストリップラインの端縁部からシールド層に立てた垂面を横切ることにより、ストリップラインの端縁部に電流が集中するのを緩和し、損失を低くすることができる。また、誘電体はセラミックスを主成分とし、ストリップラインはAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とすることが、損失低下の効果が大きく好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態おける積層型電子部品である積層型のストリップライン共振器を示す斜視図である。
【図2】(a)は図1のA−A線断面図、(b)は図1のB−B線断面図、(c)は図1のC−C線断面図である。
【図3】(a)は図2のD−D線断面図、(b)は図2のE−E線断面図、(c)は図2のF−F線断面図、(d)は図2のG−G線断面図、(e)は図2のH−H線断面図である。
【符号の説明】
1 誘電体
2 シールド層
3 ストリップライン層
4 入出力用の容量形成層
5,6,7 外部導体
8a 空孔部
8b 低誘電率部
Claims (5)
- 複数の誘電体シートを積層し一体化させた誘電体中にストリップラインと、前記ストリップラインと略平行なシールド層とを備えた積層型電子部品であって、
前記ストリップラインの端縁部周辺の前記誘電体中に、前記ストリップラインと略平行で、かつ前記誘電体に囲まれた誘電率の低い低誘電率部または空孔部を設け、前記低誘電率部または前記空孔部は前記ストリップラインの端縁部から前記シールド層に立てた垂面を横切ることを特徴とする積層型電子部品。 - 誘電体はセラミックスを主成分とし、前記ストリップラインはAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とした請求項1記載の積層型電子部品。
- 内層となる誘電体シートにストリップラインを形成し、前記ストリップラインを形成した誘電体シート、及びシールドが形成された誘電体シートを含む複数の誘電体シートを積層し、焼成する積層型電子部品の製造方法であって、
前記ストリップラインを形成した誘電体シートの上方および下方に積層される誘電体シートの所定の位置に所定の形状の貫通孔を開け、この貫通孔に熱処理により分解・飛散する成分を埋設して空孔部形成用シートを形成する工程と、
前記空孔部形成用シートを含む前記複数の誘電体シートを前記埋設された貫通孔が前記ストリップラインの端縁部周辺に位置し、前記ストリップラインと略平行で、かつ、前記誘電体シートを構成する誘電体に囲まれるように積層する工程と、
前記熱処理により前記貫通孔に埋設した成分を分解・飛散させて空孔部を形成する工程とを含むことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。 - 内層となる誘電体シートにストリップラインを形成し、前記ストリップラインを形成した誘電体シート、及びシールドが形成された誘電体シートを含む複数の誘電体シートを積層し、焼成する積層型電子部品の製造方法であって、
前記ストリップラインを形成した誘電体シートの上方および下方に積層される誘電体シートの所定の位置に所定の形状の貫通孔を開け、この貫通孔に前記誘電体シートより誘電率の低い誘電体を含む成分を埋設して低誘電率部形成用シートを形成する工程と、
前記低誘電率部形成用シートを含む前記複数の誘電体シートを前記埋設された貫通孔が前記ストリップラインの端縁部周辺に位置し、前記ストリップラインと略平行で、かつ、前記誘電体シートを構成する誘電体に囲まれるように積層する工程とを含むことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。 - 誘電体シートとしてセラミックスを主成分とするグリーンシートを用い、ストリップラインをAu、AgおよびCuのうち少なくとも1つの金属を主成分とする材料で形成する請求項3または4記載の積層型電子部品の製造方法。
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