JPH05299906A - 高周波多層集積回路 - Google Patents
高周波多層集積回路Info
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- JPH05299906A JPH05299906A JP4101178A JP10117892A JPH05299906A JP H05299906 A JPH05299906 A JP H05299906A JP 4101178 A JP4101178 A JP 4101178A JP 10117892 A JP10117892 A JP 10117892A JP H05299906 A JPH05299906 A JP H05299906A
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
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- H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 より一層の高密度化を可能とし、小型化が実
現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化を回
避できる高周波多層集積回路を提供すること。 【構成】上下に接地電極３、４を有する第１誘電体２に
埋め込まれた第１ストリップライン回路部１と、接地電
極３の上に配置された誘電体５上に形成された電気回路
部８と、両回路部を接地電極３を貫通して電気的に接続
しているビアホール６と、接地電極４の下に形成された
第２誘電体１１に埋め込まれた第２ストリップライン回
路部１０とを有し、第１誘電体２の誘電率を第２誘電体
１１の誘電率より十分小さくした高周波多層集積回路で
ある。
現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化を回
避できる高周波多層集積回路を提供すること。 【構成】上下に接地電極３、４を有する第１誘電体２に
埋め込まれた第１ストリップライン回路部１と、接地電
極３の上に配置された誘電体５上に形成された電気回路
部８と、両回路部を接地電極３を貫通して電気的に接続
しているビアホール６と、接地電極４の下に形成された
第２誘電体１１に埋め込まれた第２ストリップライン回
路部１０とを有し、第１誘電体２の誘電率を第２誘電体
１１の誘電率より十分小さくした高周波多層集積回路で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域の信号を扱
う、多層化された高周波多層集積回路に関するものであ
る。
う、多層化された高周波多層集積回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波集積回路としては、半導体
基板上に能動素子と受動部品を一体に集積化したモノリ
シック集積回路や、アルミナなどの誘電体基板の上に、
各種能動素子や受動部品を一体に集積化したハイブリッ
ド集積回路等が知られている。一般に、そのモノリシッ
ク集積回路は単層構造となっている。またアルミナ基板
などの誘電体を用いたものでは、電気回路が多層構造に
なっているものが知られている。
基板上に能動素子と受動部品を一体に集積化したモノリ
シック集積回路や、アルミナなどの誘電体基板の上に、
各種能動素子や受動部品を一体に集積化したハイブリッ
ド集積回路等が知られている。一般に、そのモノリシッ
ク集積回路は単層構造となっている。またアルミナ基板
などの誘電体を用いたものでは、電気回路が多層構造に
なっているものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時小型化
の流れのなかで、部品のより一層の高密度化が要求され
ているが、上記のモノリシック集積回路では、単層構造
における集積化であり、したがって、部品の大きさが決
まると、それが同一面内にいくら詰まるかで全体の大き
さが決まる。しかし、高周波回路では、空間あるいは基
板内を通して電磁界的な結合があり、ある密度以上に高
集積化することは困難であるという課題がある。
の流れのなかで、部品のより一層の高密度化が要求され
ているが、上記のモノリシック集積回路では、単層構造
における集積化であり、したがって、部品の大きさが決
まると、それが同一面内にいくら詰まるかで全体の大き
さが決まる。しかし、高周波回路では、空間あるいは基
板内を通して電磁界的な結合があり、ある密度以上に高
集積化することは困難であるという課題がある。
【０００４】またハイブリッド集積回路の場合、多層化
が可能であるが、従来のものでは電気配線のみを多層化
しているため、部品は、表面に実装することが必要であ
り、やはり集積、小型化に限界があるという課題があっ
た。
が可能であるが、従来のものでは電気配線のみを多層化
しているため、部品は、表面に実装することが必要であ
り、やはり集積、小型化に限界があるという課題があっ
た。
【０００５】また、一般に高周波回路は、空間を経て電
磁界結合しやすく、それを防止するため、金属板の蓋を
上につけたりするなどのいわゆる電磁界結合を遮蔽する
ための種々の工夫が必要であり、形状が複雑になったり
大きくなったり、また遮蔽が不十分なため、高周波特性
が損なわれるなどの課題もあった。
磁界結合しやすく、それを防止するため、金属板の蓋を
上につけたりするなどのいわゆる電磁界結合を遮蔽する
ための種々の工夫が必要であり、形状が複雑になったり
大きくなったり、また遮蔽が不十分なため、高周波特性
が損なわれるなどの課題もあった。
【０００６】本発明は、このような従来の高周波回路の
課題を考慮し、より一層の高密度化を可能とし、小型化
が実現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化
を回避できる高周波多層集積回路を提供することを目的
とするものである。
課題を考慮し、より一層の高密度化を可能とし、小型化
が実現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化
を回避できる高周波多層集積回路を提供することを目的
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上下に接地電
極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路
部と、接地電極の少なくとも一方の上に配置された誘電
体上に形成された電気回路部と、両回路部を接地電極を
貫通して電気的に接続しているビアホールとを有する高
周波多層集積回路であって、ストリップライン回路部が
２層以上形成され、そのうちの１層の誘電体の誘電率
が、他の層の誘電体の誘電率と異なる高周波多層集積回
路である。
極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路
部と、接地電極の少なくとも一方の上に配置された誘電
体上に形成された電気回路部と、両回路部を接地電極を
貫通して電気的に接続しているビアホールとを有する高
周波多層集積回路であって、ストリップライン回路部が
２層以上形成され、そのうちの１層の誘電体の誘電率
が、他の層の誘電体の誘電率と異なる高周波多層集積回
路である。
【０００８】本発明は、その誘電率の大きい方の誘電体
に埋め込まれたストリップライン回路部に、高周波共振
回路または高周波フィルタ回路を有する高周波多層集積
回路である。
に埋め込まれたストリップライン回路部に、高周波共振
回路または高周波フィルタ回路を有する高周波多層集積
回路である。
【０００９】本発明は、接地電極の少なくとも一方の上
の誘電体上に形成された電気回路部に、ストリップライ
ン回路部のインピーダンス整合調整回路を有する高周波
多層集積回路である。
の誘電体上に形成された電気回路部に、ストリップライ
ン回路部のインピーダンス整合調整回路を有する高周波
多層集積回路である。
【００１０】
【作用】本発明では、ストリップライン回路形成部の誘
電率を、回路の役割に応じて異なるものを用いた構成の
高周波多層集積回路とすることにより、高周波特性を良
好に保ったまま、回路の大幅な小型化を図ることができ
る。
電率を、回路の役割に応じて異なるものを用いた構成の
高周波多層集積回路とすることにより、高周波特性を良
好に保ったまま、回路の大幅な小型化を図ることができ
る。
【００１１】例えば、フィルタ回路、共振回路、インピ
ーダンス整合調整回路等を実現できる。
ーダンス整合調整回路等を実現できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】（実施例１）本発明の実施例１の高周波多
層集積回路の構造を図１に示す。図において、第１スト
リップライン回路部１は、第１埋め込み誘電体２に埋め
込まれている。そして、その第１埋め込み誘電体２の上
下に、第１ストリップライン回路部１の上部接地電極３
と下部接地電極４が配設されている。また、上部接地電
極３の上に上部誘電体５が設けられている。さらに、ビ
アホール６が、その下端を第１ストリップライン回路部
１に電気的に接続し、上部接地電極３を貫通して、その
上端を誘電体５の上まで引き出した状態で縦方向に形成
されている。上部誘電体５の表面には、上部電気回路の
配線７が配設され、また、個別部品などで構成された高
周波回路部に各種電源を供給するための直流バイアス回
路部８が配置されている。
層集積回路の構造を図１に示す。図において、第１スト
リップライン回路部１は、第１埋め込み誘電体２に埋め
込まれている。そして、その第１埋め込み誘電体２の上
下に、第１ストリップライン回路部１の上部接地電極３
と下部接地電極４が配設されている。また、上部接地電
極３の上に上部誘電体５が設けられている。さらに、ビ
アホール６が、その下端を第１ストリップライン回路部
１に電気的に接続し、上部接地電極３を貫通して、その
上端を誘電体５の上まで引き出した状態で縦方向に形成
されている。上部誘電体５の表面には、上部電気回路の
配線７が配設され、また、個別部品などで構成された高
周波回路部に各種電源を供給するための直流バイアス回
路部８が配置されている。
【００１４】他方、第１ストリップライン回路部１の途
中は、露出させられており、その露出部分にトランジス
タなどの電子部品９が配設されている。
中は、露出させられており、その露出部分にトランジス
タなどの電子部品９が配設されている。
【００１５】下部接地電極４の下には、第１埋め込み誘
電体２と異なる誘電率を有する第２埋め込み誘電体１１
が形成され、その中に、第２のストリップライン回路部
１０が埋め込まれ、高周波のフィルタ回路が形成されて
いる。
電体２と異なる誘電率を有する第２埋め込み誘電体１１
が形成され、その中に、第２のストリップライン回路部
１０が埋め込まれ、高周波のフィルタ回路が形成されて
いる。
【００１６】また、第１ストリップライン回路部１と第
２のストリップライン回路部１０とは、ビアホール１３
によって接続されている。
２のストリップライン回路部１０とは、ビアホール１３
によって接続されている。
【００１７】この様な構成において、高周波電気信号
は、第１ストリップライン回路部１の左側端より入力さ
れ、その露出部に設けられたトランジスタ９に入力さ
れ、再び第１ストリップライン回路部１に戻り、図の右
側へと信号が伝送されていく。第１ストリップライン回
路部１の入力側および出力側にそれぞれ、ビアホール６
が存在し、それによって上部電気回路部８に接続されて
いる。また第１ストリップライン回路部１と第２ストリ
ップライン回路部１０とは、ビアホール１３によって接
続されており、第２ストリップライン回路部１０のフィ
ルタ回路により、入力信号の中から特定の周波数の電気
信号のみを取り出し、次の回路部分へ信号伝送すること
が可能である。
は、第１ストリップライン回路部１の左側端より入力さ
れ、その露出部に設けられたトランジスタ９に入力さ
れ、再び第１ストリップライン回路部１に戻り、図の右
側へと信号が伝送されていく。第１ストリップライン回
路部１の入力側および出力側にそれぞれ、ビアホール６
が存在し、それによって上部電気回路部８に接続されて
いる。また第１ストリップライン回路部１と第２ストリ
ップライン回路部１０とは、ビアホール１３によって接
続されており、第２ストリップライン回路部１０のフィ
ルタ回路により、入力信号の中から特定の周波数の電気
信号のみを取り出し、次の回路部分へ信号伝送すること
が可能である。
【００１８】この場合、第１埋め込み誘電体２には誘電
率約９のアルミナーガラス系誘電体を、第２埋め込み誘
電体１１にはビスマスーニオブの酸化物を主成分とする
誘電率２０−７０の材料を用いた。フィルタ回路は精度
を上げようとすると、何段にも直列接続構成とすること
が望ましい。その場合、第１誘電体２に用いたアルミナ
ーガラス系の材料を、第２誘電体１１に用いるとする
と、誘電率が１０以下のため、大きな面積を必要とする
ことになる。そのため、このように誘電率の大きい材料
を第２誘電体１１に用いることにより、フィルタ回路を
はるかに小さく構成することができた。
率約９のアルミナーガラス系誘電体を、第２埋め込み誘
電体１１にはビスマスーニオブの酸化物を主成分とする
誘電率２０−７０の材料を用いた。フィルタ回路は精度
を上げようとすると、何段にも直列接続構成とすること
が望ましい。その場合、第１誘電体２に用いたアルミナ
ーガラス系の材料を、第２誘電体１１に用いるとする
と、誘電率が１０以下のため、大きな面積を必要とする
ことになる。そのため、このように誘電率の大きい材料
を第２誘電体１１に用いることにより、フィルタ回路を
はるかに小さく構成することができた。
【００１９】次に、このような構成の製造方法について
述べる。第１誘電体２としては、高周波特性に優れたア
ルミナに、ガラス成分とバインダーなどの有機物を加え
てスラリー状とし、ドクターブレード法などの板状化す
る手法により、厚み０．３−１ミリのシート状の、いわ
ゆるグリーンシートに加工した。次にビアホールを形成
する所定の部分に、パンチなどにより機械的に穴をあ
け、酸化銅にガラス成分とバインダーなどの有機物を加
えてペースト化したものを導体ペーストとして用い、穴
に充填、さらに、電極、配線、ストリップラインなどの
所定の形状になるように、先のグリーンシートの上に印
刷した。また第２誘電体１１に用いたビスマスーニオブ
酸化物系材料も、アルミナーガラス系材料と同様グリー
ンシート化し、ビアホールを形成、電極ペーストを印刷
した。次に上記アルミナーガラス系材料からなるグリー
ンシートとビスマスーニオブ系材料からなるグリーンシ
ートを所定の構成になるように積層後、８５０−１００
０度Ｃの酸化銅が還元されるに十分な還元雰囲気で焼結
させることにより、酸化銅が還元され、実施例に示す多
層構造が得られた。ストリップライン回路部１で露出し
た部分は、グリーンシートを重ねていく時、あらかじめ
その部分に空間を設けたグリーンシートを作り、重ねて
いくことにより実現できた。この後、必要箇所にそれぞ
れの個別電子部品を実装することにより、実施例１の高
周波多層集積回路の構成が得られた。このようにして作
られた電極、配線などに用いられる銅は、電気抵抗が極
めて低く、高周波回路で問題となる電極抵抗に基づく抵
抗損を極めて小さくすることができ、特に高周波多層集
積回路に有効である。銅は１０００度Ｃ以上で焼結させ
ると、周囲の誘電体と反応、あるいは拡散が進むため、
１０００度Ｃ以下で焼結できるようにする必要があり、
そのためにはアルミナとガラスの混合物を用いるのが良
い。ガラスの量を増すことにより、焼結温度を低くする
ことができた。またビスマスーニオブ酸化物の誘電体材
料も１０００度Ｃ以下の温度で焼成することができた。
銅に代わるものとしては銀があった。但しこの場合に
は、銀粉にガラスと有機ペーストを混ぜた銀ペーストを
用い焼成した。この場合は還元雰囲気を必要としない
が、銀の融点が銅の融点よりも低いため、この場合の焼
成温度は９３０度Ｃ以下でなければ良好な特性は得られ
なかった。
述べる。第１誘電体２としては、高周波特性に優れたア
ルミナに、ガラス成分とバインダーなどの有機物を加え
てスラリー状とし、ドクターブレード法などの板状化す
る手法により、厚み０．３−１ミリのシート状の、いわ
ゆるグリーンシートに加工した。次にビアホールを形成
する所定の部分に、パンチなどにより機械的に穴をあ
け、酸化銅にガラス成分とバインダーなどの有機物を加
えてペースト化したものを導体ペーストとして用い、穴
に充填、さらに、電極、配線、ストリップラインなどの
所定の形状になるように、先のグリーンシートの上に印
刷した。また第２誘電体１１に用いたビスマスーニオブ
酸化物系材料も、アルミナーガラス系材料と同様グリー
ンシート化し、ビアホールを形成、電極ペーストを印刷
した。次に上記アルミナーガラス系材料からなるグリー
ンシートとビスマスーニオブ系材料からなるグリーンシ
ートを所定の構成になるように積層後、８５０−１００
０度Ｃの酸化銅が還元されるに十分な還元雰囲気で焼結
させることにより、酸化銅が還元され、実施例に示す多
層構造が得られた。ストリップライン回路部１で露出し
た部分は、グリーンシートを重ねていく時、あらかじめ
その部分に空間を設けたグリーンシートを作り、重ねて
いくことにより実現できた。この後、必要箇所にそれぞ
れの個別電子部品を実装することにより、実施例１の高
周波多層集積回路の構成が得られた。このようにして作
られた電極、配線などに用いられる銅は、電気抵抗が極
めて低く、高周波回路で問題となる電極抵抗に基づく抵
抗損を極めて小さくすることができ、特に高周波多層集
積回路に有効である。銅は１０００度Ｃ以上で焼結させ
ると、周囲の誘電体と反応、あるいは拡散が進むため、
１０００度Ｃ以下で焼結できるようにする必要があり、
そのためにはアルミナとガラスの混合物を用いるのが良
い。ガラスの量を増すことにより、焼結温度を低くする
ことができた。またビスマスーニオブ酸化物の誘電体材
料も１０００度Ｃ以下の温度で焼成することができた。
銅に代わるものとしては銀があった。但しこの場合に
は、銀粉にガラスと有機ペーストを混ぜた銀ペーストを
用い焼成した。この場合は還元雰囲気を必要としない
が、銀の融点が銅の融点よりも低いため、この場合の焼
成温度は９３０度Ｃ以下でなければ良好な特性は得られ
なかった。
【００２０】第１ストリップライン回路部１の埋め込み
に用いている第１誘電体２の誘電率は、回路パターンを
適当な大きさにした方が設計や取り扱いが容易であり、
また伝送損失を小さくできるなどから、誘電率として１
０あるいはそれ以下のものが好ましく、アルミナーガラ
ス系の材料が適当であった。第２誘電体１１としては、
回路構成の寸法上から誘電率２０以上のものが好ましか
った。このように、ストリップライン回路形成部の誘電
率を、回路の役割に応じて異なるものを用いた構成の高
周波多層集積回路とすることにより、高周波特性を良好
に保ったまま、回路の大幅な小型化を図ることができ
た。
に用いている第１誘電体２の誘電率は、回路パターンを
適当な大きさにした方が設計や取り扱いが容易であり、
また伝送損失を小さくできるなどから、誘電率として１
０あるいはそれ以下のものが好ましく、アルミナーガラ
ス系の材料が適当であった。第２誘電体１１としては、
回路構成の寸法上から誘電率２０以上のものが好ましか
った。このように、ストリップライン回路形成部の誘電
率を、回路の役割に応じて異なるものを用いた構成の高
周波多層集積回路とすることにより、高周波特性を良好
に保ったまま、回路の大幅な小型化を図ることができ
た。
【００２１】この様に、本実施例１においては、形状の
大きくなるフィルタ回路部を、ストリップライン伝送部
よりも誘電率の大きい誘電体の中に形成することによ
り、高周波回路部を効果的に小型化することができる。
大きくなるフィルタ回路部を、ストリップライン伝送部
よりも誘電率の大きい誘電体の中に形成することによ
り、高周波回路部を効果的に小型化することができる。
【００２２】（実施例２）本発明の実施例２の高周波多
層集積回路の構造を図２に示す。図において、１から９
まで、および１１から１３までの各構成要素は、実施例
１の場合と同様である。１００は第２のストリップライ
ン回路部であり、高周波の共振回路を形成されている。
本実施例の回路構成は、その第２ストリップライン回路
部１００をビアホール１３によって能動素子９と電気的
に結合させたものであり、これにより発振回路を構成し
たものである。直流バイアス回路８は、能動素子９に直
流電源を供給するものであり、ビアホール６は、実施例
１又は３と同様、発振周波数などの高周波に対して減衰
もしくは遮断特性を有している。第２ストリップライン
回路部１００の共振回路により、特定の周波数で発振可
能となる。共振回路は、精度を上げようとすると、実施
例１のフィルタ回路と同様、やはり形状が大きくなるた
め、実施例１の場合と同様、第２誘電体１１に誘電率の
大きいものを用いた方が良く、ビスマスーニオブの酸化
物を主成分とする誘電率２０−７０の材料を用いた。仮
に、第１誘電体２に用いたアルミナーガラス系の材料を
第２誘電体１１に用いると、誘電率が１０以下のため、
大きな面積を必要とするが、第２誘電体１１にこのよう
に誘電率の大きい材料を用いることにより、共振回路を
はるかに小さく構成することができた。一方、第１スト
リップライン回路部１の埋め込みに用いている第１誘電
体２の誘電率は、実施例１に述べたと同様の理由から、
誘電率として１０あるいはそれ以下のものが好ましく、
アルミナーガラス系の材料が適当であった。第２誘電体
１１としては、やはり誘電率２０以上のものが好ましか
った。このように、ストリップライン回路形成部の誘電
率を、回路の役割に応じて異なるものを用いた構成の高
周波多層集積回路とすることにより、高周波特性を良好
に保ったまま、回路の大幅な小型化を図ることができ
た。
層集積回路の構造を図２に示す。図において、１から９
まで、および１１から１３までの各構成要素は、実施例
１の場合と同様である。１００は第２のストリップライ
ン回路部であり、高周波の共振回路を形成されている。
本実施例の回路構成は、その第２ストリップライン回路
部１００をビアホール１３によって能動素子９と電気的
に結合させたものであり、これにより発振回路を構成し
たものである。直流バイアス回路８は、能動素子９に直
流電源を供給するものであり、ビアホール６は、実施例
１又は３と同様、発振周波数などの高周波に対して減衰
もしくは遮断特性を有している。第２ストリップライン
回路部１００の共振回路により、特定の周波数で発振可
能となる。共振回路は、精度を上げようとすると、実施
例１のフィルタ回路と同様、やはり形状が大きくなるた
め、実施例１の場合と同様、第２誘電体１１に誘電率の
大きいものを用いた方が良く、ビスマスーニオブの酸化
物を主成分とする誘電率２０−７０の材料を用いた。仮
に、第１誘電体２に用いたアルミナーガラス系の材料を
第２誘電体１１に用いると、誘電率が１０以下のため、
大きな面積を必要とするが、第２誘電体１１にこのよう
に誘電率の大きい材料を用いることにより、共振回路を
はるかに小さく構成することができた。一方、第１スト
リップライン回路部１の埋め込みに用いている第１誘電
体２の誘電率は、実施例１に述べたと同様の理由から、
誘電率として１０あるいはそれ以下のものが好ましく、
アルミナーガラス系の材料が適当であった。第２誘電体
１１としては、やはり誘電率２０以上のものが好ましか
った。このように、ストリップライン回路形成部の誘電
率を、回路の役割に応じて異なるものを用いた構成の高
周波多層集積回路とすることにより、高周波特性を良好
に保ったまま、回路の大幅な小型化を図ることができ
た。
【００２３】この様に、本実施例２においては、形状の
大きくなる共振回路部を、ストリップライン伝送部より
も誘電率の大きい誘電体の中に形成することにより、高
周波回路部を効果的に小型化することができる。
大きくなる共振回路部を、ストリップライン伝送部より
も誘電率の大きい誘電体の中に形成することにより、高
周波回路部を効果的に小型化することができる。
【００２４】（実施例３）本発明の実施例３の高周波多
層集積回路の構造を図３に示す。図において、１から５
までと９および１１から１３までの構成要素は実施例１
と同様である。６０は第１ストリップライン回路部１と
上部電気回路部を接続するビアホールで、高周波電気信
号を良好に伝送するように構成されている。７０は上部
電気回路の配線であり、８０は個別部品などで構成され
た、第１ストリップライン回路部１のインピーダンス整
合調整用電気回路部であり、１０００は第２ストリップ
ライン回路部で形成されたインピーダンス整合回路部で
ある。高周波電気信号の経路と、１−５および９と１１
−１３までの各構成要素の機能は、実施例１と同様であ
る。入力してきた高周波電気信号はビアホール６０によ
って上部電気回路部に導かれ、入力インピーダンス整合
調整回路部８０を経て、再びビアホール６０により第１
ストリップライン回路部１に戻り、その露出部に設けら
れたトランジスタ９に接続される。ビアホール６０の形
状を第１ストリップライン回路部１の特性インピーダン
スに合うように構成することにより、高周波信号を良好
に伝送することができた。トランジスタ９の出力は、再
び第１ストリップライン回路部１からビアホール６０に
よって、上部電気回路部に導かれ、出力側のインピーダ
ンス整合調整回路部８０を経て、再びビアホール６０に
より第１ストリップライン回路部１に戻り、図の右側へ
と信号が伝送されていく。このような構成となっている
ことから、高周波回路では、面積を必要とするインピー
ダンス整合調整回路部を、信号伝送部と多層化すること
により、回路としての必要面積を小さくすることができ
た。また調整部が表面に露出していることから、調整の
作業性も良い。第２ストリップライン回路部１０００に
は、インピーダンス整合用のオープンスタブやその他の
ストリップライン回路が形成されており、これによりイ
ンピーダンス整合をより完全にするなどのことが、多層
化により面積を増やさずに可能となった。
層集積回路の構造を図３に示す。図において、１から５
までと９および１１から１３までの構成要素は実施例１
と同様である。６０は第１ストリップライン回路部１と
上部電気回路部を接続するビアホールで、高周波電気信
号を良好に伝送するように構成されている。７０は上部
電気回路の配線であり、８０は個別部品などで構成され
た、第１ストリップライン回路部１のインピーダンス整
合調整用電気回路部であり、１０００は第２ストリップ
ライン回路部で形成されたインピーダンス整合回路部で
ある。高周波電気信号の経路と、１−５および９と１１
−１３までの各構成要素の機能は、実施例１と同様であ
る。入力してきた高周波電気信号はビアホール６０によ
って上部電気回路部に導かれ、入力インピーダンス整合
調整回路部８０を経て、再びビアホール６０により第１
ストリップライン回路部１に戻り、その露出部に設けら
れたトランジスタ９に接続される。ビアホール６０の形
状を第１ストリップライン回路部１の特性インピーダン
スに合うように構成することにより、高周波信号を良好
に伝送することができた。トランジスタ９の出力は、再
び第１ストリップライン回路部１からビアホール６０に
よって、上部電気回路部に導かれ、出力側のインピーダ
ンス整合調整回路部８０を経て、再びビアホール６０に
より第１ストリップライン回路部１に戻り、図の右側へ
と信号が伝送されていく。このような構成となっている
ことから、高周波回路では、面積を必要とするインピー
ダンス整合調整回路部を、信号伝送部と多層化すること
により、回路としての必要面積を小さくすることができ
た。また調整部が表面に露出していることから、調整の
作業性も良い。第２ストリップライン回路部１０００に
は、インピーダンス整合用のオープンスタブやその他の
ストリップライン回路が形成されており、これによりイ
ンピーダンス整合をより完全にするなどのことが、多層
化により面積を増やさずに可能となった。
【００２５】この様に、本実施例３においては、大きい
面積を必要とする高周波のインピーダンス調整回路と、
他の高周波回路を分離、多層化しているので、多層集積
化による小型化の効果が大きい。
面積を必要とする高周波のインピーダンス調整回路と、
他の高周波回路を分離、多層化しているので、多層集積
化による小型化の効果が大きい。
【００２６】上記各実施例ではストリップライン回路部
を２層に多層化しているが、さらに３層、４層と多層に
することも可能であった。
を２層に多層化しているが、さらに３層、４層と多層に
することも可能であった。
【００２７】実施例２、３では、その作成方法について
述べなかったが、実施例１で述べたと同様の方法により
実現できた。
述べなかったが、実施例１で述べたと同様の方法により
実現できた。
【００２８】またいずれの実施例においても、ストリッ
プライン回路部の接地電極の一方の側にのみ誘電体を形
成し、その上部にインピーダンス調整回路や直流バイア
ス回路を形成した例を示したが、両面に形成することも
可能であり、回路部品数が多い場合には、両面に形成す
ることにより、回路の小型化が図れることは明かであ
る。
プライン回路部の接地電極の一方の側にのみ誘電体を形
成し、その上部にインピーダンス調整回路や直流バイア
ス回路を形成した例を示したが、両面に形成することも
可能であり、回路部品数が多い場合には、両面に形成す
ることにより、回路の小型化が図れることは明かであ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、ストリップライン回路部が２層以上形成さ
れ、そのうちの１層の誘電体の誘電率が、他の層の誘電
体の誘電率と異なるので、良好な高周波特性を保ったま
ま、回路を大幅に小型化することが可能する事が出来
る。
本発明は、ストリップライン回路部が２層以上形成さ
れ、そのうちの１層の誘電体の誘電率が、他の層の誘電
体の誘電率と異なるので、良好な高周波特性を保ったま
ま、回路を大幅に小型化することが可能する事が出来
る。
【図１】本発明の実施例１の略示断面図である。
【図２】本発明の実施例２の略示断面図である。
【図３】本発明の実施例３の略示断面図である。
１ 第１のストリップライン回路部 ２ 第１のストリップライン埋め込み誘電体 ３ 上部接地電極 ４ 下部接地電極 ５ 上部誘電体 ６ 伝送高周波減衰特性を有するビアホール ６０ 高周波伝送用ビアホール ７ 配線 ８ 個別電子部品などからなる表面電気回路部 ８０ インピーダンス整合回路部 ９ トランジスタ １０ 第２のストリップライン回路部（フィルタ回
路） １００ 第２のストリップライン回路部（共振回路） １０００ 第２のストリップライン回路部（インピー
ダンス整合回路） １１ 第２のストリップライン埋め込み誘電体 １２ 最下部接地電極 １３ ビアホール
路） １００ 第２のストリップライン回路部（共振回路） １０００ 第２のストリップライン回路部（インピー
ダンス整合回路） １１ 第２のストリップライン埋め込み誘電体 １２ 最下部接地電極 １３ ビアホール
Claims (8)
- 【請求項１】上下に接地電極を有する誘電体に埋め込ま
れたストリップライン回路部と、前記接地電極の少なく
とも一方の上に配置された誘電体上に形成された電気回
路部と、前記両回路部を前記接地電極を貫通して電気的
に接続しているビアホールとを有する高周波多層集積回
路であって、前記ストリップライン回路部が２層以上形
成され、そのうちの１層の誘電体の誘電率が、他の層の
誘電体の誘電率と異なることを特徴とする高周波多層集
積回路。 - 【請求項２】誘電率の大きい方の誘電体に埋め込まれた
ストリップライン回路部に、高周波共振回路または高周
波フィルタ回路を有することを特徴とする請求項１記載
の高周波多層集積回路。 - 【請求項３】接地電極の少なくとも一方の上の誘電体上
に形成された電気回路部に、前記ストリップライン回路
部のインピーダンス整合調整回路を有することを特徴と
する請求項１記載の高周波多層集積回路。 - 【請求項４】接地電極の少なくとも一方の誘電体上に形
成された電気回路部が直流バイアス回路を有することを
特徴とする請求項１記載の高周波多層集積回路。 - 【請求項５】誘電率の低い誘電体がアルミナとガラスを
主成分とし、埋め込みされた電極が銅または銀であるこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波多層集積回路。 - 【請求項６】誘電率の高い誘電体の誘電率が２０以上で
あることを特徴とする請求項１記載の高周波多層集積回
路。 - 【請求項７】最表層誘電体上に形成された電気回路部に
個別部品を実装したことを特徴とする請求項１記載の高
周波多層集積回路。 - 【請求項８】ストリップライン回路部の一部が露出して
おり、その部分に個別電子部品を実装したことを特徴と
する請求項１記載の高周波多層集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101178A JPH05299906A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 高周波多層集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101178A JPH05299906A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 高周波多層集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299906A true JPH05299906A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14293747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4101178A Pending JPH05299906A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 高周波多層集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299906A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288409A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Nec Corp | マイクロ波集積回路装置 |
| JPH11103176A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多層高周波回路基板及びこれを用いた高周波装置 |
| JPH11307685A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板 |
| JP2000312103A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波回路パッケージおよびその製造方法 |
| JP2002184898A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
| WO2005093828A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
| JP2005311338A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
| JP2005311337A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波パッケージ、送受信モジュールおよび無線装置 |
| EP1605735A2 (en) | 2004-06-11 | 2005-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency multilayer integrated circuit |
| US6980066B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-12-27 | Tdk Corporation | High-frequency module |
| KR100941694B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2010-02-12 | 삼성탈레스 주식회사 | 송수신 모듈용 회로 기판 |
| JP2010171254A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子デバイスパッケージ構造及びそれが用いられた電子回路モジュール |
| JP2012520652A (ja) * | 2010-05-12 | 2012-09-06 | メディアテック インコーポレーテッド | 信号ライン遷移素子を備えた回路装置 |
| US8358184B2 (en) | 2009-01-15 | 2013-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Stripline filter |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP4101178A patent/JPH05299906A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7336221B2 (en) | 2004-03-26 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package, transmitting and receiving module and wireless equipment |
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