JPH05283904A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】減衰特性が改善され、また、広帯域化され、よ
り小型化された積層型誘電体フィルタを提供する。 【構成】共振素子２１、２２、２３の開放端側の一部に
重なる内部アース電極８１を誘電体層１４上に形成す
る。共振素子２３の一部と共振素子２２の一部とに重な
る出力用電極４２を、誘電体層１５上に形成する。共振
素子２１〜２３を誘電体層１１上に形成し、さらに、電
極３１〜３３も誘電体層１１上に形成する。誘電体層１
６上に、共振素子２１の一部と共振素子２２の一部とに
重なる入力用電極４１を形成する。共振素子２１、２
２、２３の開放端側の一部に誘電体層を挟んで重なる内
部アース電極８２を誘電体層１７上に形成する。誘電体
層１７上に、誘電体層１３を積層する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は積層型誘電体フィルタに
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサ等に
使用される積層型誘電体フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】図３
６、３７は、それぞれ本発明者らが案出した積層型誘電
体フィルタの模式展開図および斜視図である。この積層
型誘電体フィルタにおいては、図３６に示すように、ま
ず、誘電体層１１の表面に一端部が後記のアース電極７
０に電気的に接続される１／４波長型ストリップライン
共振器からなる共振素子２１〜２３を所定間隔で形成
し、さらに、一端部がアース電極７０に電気的に接続さ
れかつ他端部が共振素子２１〜２３の開放端から所定の
間隔離れて共振素子２１〜２３とそれぞれ対向する電極
３１〜３３を、誘電体層１１の表面に形成して共振素子
２１〜２３各々の間を誘導結合させ、誘電体層１１上に
積層される誘電体層１２の表面に、誘電体層１２を挟ん
で入力側の共振素子２１の一部に重なる入力用電極４１
および誘電体層１２を挟んで出力側の共振素子２３の一
部に重なる出力用電極４２を形成し、誘電体層１２上に
誘電体層１３を積層して積層型誘電体フィルタ本体を構
成する。

【０００３】次に、図３７に示すように、積層型誘電体
フィルタ本体の表面、裏面、および入力端子部６１と出
力端子部６２を除いた側面にアース電極７０を形成し、
積層型誘電体フィルタ本体の側面に形成した入力端子部
６１内にアース電極７０から電気的に絶縁され、かつ入
力用電極４１に電気的に接続される入力端子５１と、同
様に積層型誘電体フィルタ本体の側面に形成した出力端
子部６２内にアース電極７０から電気的に絶縁され、か
つ出力用電極４２に電気的に接続される出力端子５２を
形成して構成されている。

【０００４】図３６、３７に示した積層型誘電体フィル
タの電気的な等価回路は図３８に示す如くである。図３
８において符号１１１は共振素子２１と入力用電極４１
間の静電容量であり、符号１１２は共振素子２３と出力
用電極４２間の静電容量であり、符号１２１〜１２３は
それぞれ共振素子２１と電極３１間の静電容量、共振素
子２２と電極３２間の静電容量、共振素子２３と電極３
３間の静電容量であり、符号１３１は共振素子２１と共
振素子２２との間の誘導結合を示すインダクタンスであ
り、符号１３２は共振素子２２と共振素子２３との間の
誘導結合を示すインダクタンスであって、バンドパスフ
ィルタを構成している。なお、並列共振回路の静電容量
２１１、２２１、２３１およびインダクタンス２１２、
２２２、２３２は、共振素子２１、２２、２３をそれぞ
れ等価変換したときの静電容量およびインダクタンスで
ある。

【０００５】このような積層型誘電体フィルタにおいて
は、共振素子２１〜２３各々の間の分布結合によって、
帯域幅等の希望する周波数特性を有するバンドパスフィ
ルタを得るようにしているが、このような構成では隣合
う共振素子２１〜２３間の結合しかないために、減衰ピ
ークを形成して減衰特性を改善することはできなかっ
た。減衰特性を改善するために、共振素子数を増加させ
る方法を採ることも考えられるが、共振素子数を増加さ
せた場合は挿入損失が増加してしまうという問題点があ
る。

【０００６】そこで、周波数特性に減衰ピークを形成す
るために、隣合う共振素子間以外に、共振素子を飛び越
した結合を設けることが探索されている。例えば、特開
昭６４−７８００１公報に示されているように、隔たっ
た共振素子を結合させることによって帯域の高域側、ま
たは低域側に減衰ピークを形成することが提案されてい
る。

【０００７】しかしながら、このような方法によるとき
は共振素子の他に、共振素子間に結合のためのコイル
や、隔たった共振素子を結合させるための容量素子など
を必要とし、製作に手数がかかる、減衰ピークの周波数
にばらつきが多い、という問題点に加えて、部品点数が
増加して小型化が困難となるという問題点もあった。

【０００８】また、このようなバンドパスフィルタを、
携帯用電話機端末等の高周波回路フィルタやアンテナデ
ュプレクサ用のフィルタとして用いるには帯域幅が十分
ではなかった。図３６、３７に示した積層型誘電体フィ
ルタを広帯域化するためには、隣接する共振素子同士を
極端に近づけることにより共振素子同士の結合を強くす
る以外に方法はなかった。しかし、このように共振素子
同士を近接させると、共振素子特性が製造ばらつき（例
えば、印刷ばらつき）等に対して極端に敏感になり、一
定の特性を持つバンドパスフィルタを安定して供給する
ことは困難であった。

【０００９】また、携帯用電話機端末においては、小型
化の要求が強まっており、それにつれてその内部に用い
られるバンドパスフィルタも小型化することが強く要求
されるようになっているが、上述した構造の積層型誘電
体フィルタにおいては、その小型化にも限度があった。

【００１０】従って、本発明の一目的は、減衰ピークを
形成して減衰特性を改善させ、しかも減衰ピークの周波
数にばらつきが少なく、かつ小型化が容易な積層型誘電
体フィルタを提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、共振素子同士を極端
に近づけることなく共振素子同士の結合を強化して広帯
域化させた積層型誘電体フィルタを提供することにあ
る。

【００１２】本発明のさらに他の目的は、より小型化さ
れた積層型誘電体フィルタを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、入力端
側共振素子と、出力端側共振素子と、前記入力端側共振
素子の第１の主面および前記出力端側共振素子の第１の
主面に対向し、前記入力端側共振素子および前記出力端
側共振素子との間に第１の誘電体層を挟んで設けられた
第１のアース電極と、前記入力端側共振素子および前記
出力端側共振素子と前記第１のアース電極との間の前記
第１の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１
の主面の一部および前記出力端側共振素子の前記第１の
主面の一部に対向して設けられた第１の内部アース電極
と、前記入力端側共振素子および前記出力端側共振素子
と前記第１のアース電極との間の前記第１の誘電体層中
に、前記入力端側共振素子の一部と前記出力端側共振素
子の一部とに対向して設けられた入力電極または出力電
極のいずれか一方と、を有することを特徴とする第１の
積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００１４】前記第１の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の前記第１の主
面とは反対側の第２の主面および前記出力端側共振素子
の前記第１の主面とは反対側の第２の主面に対向し、前
記入力端側共振素子および前記出力端側共振素子との間
に第２の誘電体層を挟んで設けられた第２のアース電極
をさらに有する第２の積層型誘電体フィルタを得ること
ができる。

【００１５】前記第２の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子および前記出力
端側共振素子と前記第２のアース電極との間の前記第２
の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第２の主
面の一部および前記出力端側共振素子の前記第２の主面
の一部に対向して設けられた第２の内部アース電極をさ
らに有する第３の積層型誘電体フィルタを得ることがで
きる。

【００１６】前記第１の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の前記第１の主
面とは反対側の第２の主面の一部と、前記出力端側共振
素子の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の一部と
に対向し、前記入力端側共振素子および前記出力端側共
振素子との間に第２の誘電体層を挟んで設けられた入力
電極または出力電極の他方をさらに有する第４の積層型
誘電体フィルタを得ることができる。

【００１７】前記第２または第３の積層型誘電体フィル
タにおいて、好ましくは、前記入力端側共振素子および
前記出力端側共振素子と前記第２のアース電極との間の
前記第２の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記
第２の主面の一部と前記出力端側共振素子の前記第２の
主面の一部とに対向して設けられた入力電極または出力
電極の他方をさらに有する第５の積層型誘電体フィルタ
を得ることができる。

【００１８】前記第１乃至第５のいずれかの積層型誘電
体フィルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共振素
子の一端および前記出力端側共振素子の一端が前記第１
のアース電極と電気的に接続され、前記第１の内部アー
ス電極が前記入力端側共振素子の他端である開放端側お
よび前記出力端側共振素子の他端である開放端側におい
て前記入力端側共振素子の前記第１の主面の一部および
前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一部と対向し
て設けられている第６の積層型誘電体フィルタを得るこ
とができる。

【００１９】前記第２、第３、第５のいずれかの積層型
誘電体フィルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共
振素子の一端および前記出力端側共振素子の一端が前記
第１のアース電極と電気的に接続され、前記第１および
第２の内部アース電極が、前記入力端側共振素子の他端
である開放端側および前記出力端側共振素子の他端であ
る開放端側において、好ましくは、前記入力端側共振素
子および前記出力端側共振素子の前記第１および前記第
２の主面の一部とそれぞれ対向して設けられている第７
の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００２０】また、本発明によれば、入力端側共振素子
と、出力端側共振素子と、前記入力端側共振素子と前記
出力端側共振素子との間に並設された１以上の内部共振
素子と、前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出力
端側共振素子の第１の主面および前記内部共振素子の第
１の主面に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力端
側共振素子および前記内部共振素子との間に第１の誘電
体層を挟んで設けられた第１のアース電極と、前記入力
端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記内部共
振素子と前記第１のアース電極との間の前記第１の誘電
体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の主面の一
部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一部およ
び前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に対向して
設けられた第１の内部アース電極と、前記入力端側共振
素子、前記出力端側共振素子および前記内部共振素子と
前記第１のアース電極との間の前記第１の誘電体層中
に、前記入力端側共振素子または前記出力端側共振素子
のいずれか一方の一部および前記入力端側共振素子また
は前記出力端側共振素子の前記いずれか一方に最隣接す
る前記内部共振素子の一部とに対向して設けられた入力
電極または出力電極のいずれか一方と、を有する第８の
積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００２１】前記第８の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の前記第１の主
面とは反対側の第２の主面、前記出力端側共振素子の前
記第１の主面とは反対側の第２の主面および前記内部共
振素子の前記第１の主面とは反対側の第２の主面に対向
し、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子およ
び前記内部共振素子との間に第２の誘電体層を挟んで設
けられた第２のアース電極をさらに有する第９の積層型
誘電体フィルタを得ることができる。

【００２２】前記第９の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子、前記出力端側
共振素子および前記内部共振素子と前記第２のアース電
極との間の前記第２の誘電体層中に、前記入力端側共振
素子の前記第２の主面の一部、前記出力端側共振素子の
前記第２の主面の一部および前記内部共振素子の前記第
２の主面の一部に対向して設けられた第２の内部アース
電極をさらに有する第１０の積層型誘電体フィルタを得
ることができる。

【００２３】前記第８の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子または前記出力
端側共振素子のいずれか他方の前記第１の主面とは反対
側の第２の主面の一部および前記入力端側共振素子また
は前記出力端側共振素子の前記いずれか他方に最隣接す
る前記内部共振素子の前記第１の主面とは反対側の第２
の主面の一部とに対向し、前記入力端側共振素子または
前記出力端側共振素子の前記いずれか他方および前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前記いず
れかの他方に最隣接する前記内部共振素子との間に第２
の誘電体層を挟んで設けられた入力電極または出力電極
の他方をさらに有する第１１の積層型誘電体フィルタを
得ることができる。

【００２４】前記第９または第１０の積層型誘電体フィ
ルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共振素子、前
記出力端側共振素子および前記内部共振素子と前記第２
のアース電極との間の前記第２の誘電体層中に、前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子のいずれか
他方の一部および前記入力端側共振素子または前記出力
端側共振素子の前記いずれか他方に最近接する前記内部
共振素子の一部とに対向して設けられた入力電極または
出力電極の他方をさらに有する第１２の積層型誘電体フ
ィルタを得ることができる。

【００２５】前記第８乃至第１２のいずれかの積層型誘
電体フィルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共振
素子の一端、前記出力端側共振素子の一端および前記内
部共振素子の一端が前記第１のアース電極と電気的に接
続され、前記第１の内部アース電極が前記入力端側共振
素子の他端である開放端側、前記出力端側共振素子の他
端である開放端側および前記内部共振素子の他端である
開放端側において前記入力端側共振素子の前記第１の主
面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一
部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部と対
向して設けられる第１３の積層型誘電体フィルタを得る
ことができる。

【００２６】前記第９、第１０、第１２のいずれかの積
層型誘電体フィルタにおいて、好ましくは、前記入力端
側共振素子の一端、前記出力端側共振素子の一端および
前記内部共振素子の一端が前記第１のアース電極と電気
的に接続され、前記第１および第２の内部アース電極
が、前記入力端側共振素子の他端である開放端側、前記
出力端側共振素子の他端である開放端側および前記内部
共振素子の他端である開放端側において、好ましくは、
前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
記内部共振素子の前記第１および前記第２の主面の一部
とそれぞれ対向して設けられる第１４の積層型誘電体フ
ィルタを得ることができる。

【００２７】さらに、本発明によれば、入力端側共振素
子と、出力端側共振素子と、前記入力端側共振素子の第
１の主面および前記出力端側共振素子の第１の主面に対
向し、前記入力端側共振素子および前記出力端側共振素
子との間に第１の誘電体層を挟んで設けられた第１のア
ース電極と、前記入力端側共振素子および前記出力端側
共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第１の誘
電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の主面の
一部および前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一
部に対向して設けられた第１の内部アース電極と、前記
入力端側共振素子の前記第１の主面とは反対側の第２の
主面の一部と、前記出力端側共振素子の前記第１の主面
とは反対側の第２の主面の一部とに対向し、前記入力端
側共振素子および前記出力端側共振素子との間に第２の
誘電体層を挟んで設けられた入力電極または出力電極の
いずれか一方と、を有する第１５の積層型誘電体フィル
タを得ることができる。

【００２８】前記第１５の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の一端および前
記出力端側共振素子の一端が前記第１のアース電極と電
気的に接続され、前記第１の内部アース電極が前記入力
端側共振素子の他端である開放端側および前記出力端側
共振素子の他端である開放端側において前記入力端側共
振素子の前記第１の主面の一部および前記出力端側共振
素子の前記第１の主面の一部と対向して設けられる第１
６の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００２９】さらにまた、本発明によれば、入力端側共
振素子と、出力端側共振素子と、前記入力端側共振素子
と前記出力端側共振素子との間に並設された１以上の内
部共振素子と、前記入力端側共振素子の第１の主面、前
記出力端側共振素子の第１の主面および前記内部共振素
子の第１の主面に対向し、前記入力端側共振素子、前記
出力端側共振素子および前記内部共振素子との間に第１
の誘電体層を挟んで設けられた第１のアース電極と、前
記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記
内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第１
の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の主
面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一
部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に対
向して設けられた第１の内部アース電極と、前記入力端
側共振素子または前記出力端側共振素子のいずれか一方
の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の一部および
前記入力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前
記いずれか一方に最隣接する前記内部共振素子の前記第
１の主面とは反対側の第２の主面の一部とに対向し、前
記入力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前記
いずれか一方および前記入力端側共振素子または前記出
力端側共振素子の前記いずれか一方に最近接する前記内
部共振素子との間に第２の誘電体層を挟んで設けられた
入力電極または出力電極のいずれか一方と、を有する第
１７の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００３０】前記第１７の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の一端、前記出
力端側共振素子の一端および前記内部共振素子の一端が
前記第１のアース電極と電気的に接続され、前記第１の
内部アース電極が前記入力端側共振素子の他端である開
放端側、前記出力端側共振素子の他端である開放端側お
よび前記内部共振素子の他端である開放端側において前
記入力端側共振素子の前記第１の主面の一部、前記出力
端側共振素子の前記第１の主面の一部および前記内部共
振素子の前記第１の主面の一部と対向して設けられる第
１８の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００３１】前記第８の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子または前記出力
端側共振素子のいずれか他方の前記第１の主面とは反対
側の第２の主面の一部および前記入力端側共振素子また
は前記出力端側共振素子の前記いずれか他方に最隣接す
る前記内部共振素子の前記第１の主面とは反対側の第２
の主面の一部とに対向し、前記入力端側共振素子または
前記出力端側共振素子の前記いずれか他方および前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前記いず
れか他方に最近接する前記内部共振素子との間に第２の
誘電体層を挟んで設けられた結合電極と、前記結合電極
の一部に対向し、前記結合電極との間に第３の誘電体層
を挟んで設けられた入力電極または出力電極の他方と、
を有する第１９の積層型誘電体フィルタを得ることがで
きる。

【００３２】前記第９または第１０の積層型誘電体フィ
ルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共振素子、前
記出力端側共振素子および前記内部共振素子と前記第２
のアース電極との間の前記第２の誘電体層中に、前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子のいずれか
他方の一部および前記入力端側共振素子または前記出力
端側共振素子の前記いずれか他方に最近接する前記内部
共振素子の一部とに対向して設けられた結合電極と、前
記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記
内部共振素子と前記第２のアース電極との間の前記第２
の誘電体層中に、前記結合電極の一部に対向して設けら
れた入力電極または出力電極の他方と、をさらに有する
第２０の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００３３】前記第１９の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の一端、前記出
力端側共振素子の一端および前記内部共振素子の一端が
前記第１のアース電極と電気的に接続され、前記第１の
内部アース電極が前記入力端側共振素子の他端である開
放端側、前記出力端側共振素子の他端である開放端側お
よび前記内部共振素子の他端である開放端側において前
記入力端側共振素子の前記第１の主面の一部、前記出力
端側共振素子の前記第１の主面の一部および前記内部共
振素子の前記第１の主面の一部と対向して設けられる第
２１の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００３４】前記第２０の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の一端、前記出
力端側共振素子の一端および前記内部共振素子の一端が
前記第１のアース電極と電気的に接続され、前記第１お
よび第２の内部アース電極が、前記入力端側共振素子の
他端である開放端側、前記出力端側共振素子の他端であ
る開放端側および前記内部共振素子の他端である開放端
側において、好ましくは、前記入力端側共振素子、前記
出力端側共振素子および前記内部共振素子の前記第１お
よび前記第２の主面の一部とそれぞれ対向して設けられ
る第２２の積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００３５】また、本発明によれば、入力端側共振素子
と、出力端側共振素子と、前記入力端側共振素子と前記
出力端側共振素子との間に並設された１以上の内部共振
素子と、前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出力
端側共振素子の第１の主面および前記内部共振素子の第
１の主面に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力端
側共振素子および前記内部共振素子との間に第１の誘電
体層を挟んで設けられた第１のアース電極と、前記入力
端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記内部共
振素子と前記第１のアース電極との間の前記第１の誘電
体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の主面の一
部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一部およ
び前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に対向して
設けられた第１の内部アース電極と、前記入力端側共振
素子、前記出力端側共振素子および前記内部共振素子と
前記第１のアース電極との間の前記第１の誘電体層中
に、前記入力端側共振素子または前記出力端側共振素子
のいずれか一方の一部および前記入力端側共振素子また
は前記出力端側共振素子の前記いずれか一方に最隣接す
る前記内部共振素子の一部とに対向して設けられた結合
電極と、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子
および前記内部共振素子と前記第１のアース電極との間
の前記第１の誘電体層中に、前記結合電極の一部に対向
して設けられた入力電極または出力電極のいずれか一方
と、を有する第２３の積層型誘電体フィルタを得ること
ができる。

【００３６】前記第２３の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子の前記第１の主
面とは反対側の第２の主面、前記出力端側共振素子の前
記第１の主面とは反対側の第２の主面および前記内部共
振素子の前記第１の主面とは反対側の第２の主面に対向
し、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子およ
び前記内部共振素子との間に第２の誘電体層を挟んで設
けられた第２のアース電極をさらに有する第２４の積層
型誘電体フィルタを得ることができる。

【００３７】前記第２４の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子、前記出力端側
共振素子および前記内部共振素子と前記第２のアース電
極との間の前記第２の誘電体層中に、前記入力端側共振
素子の前記第２の主面の一部、前記出力端側共振素子の
前記第２の主面の一部および前記内部共振素子の前記第
２の主面の一部に対向して設けられた第２の内部アース
電極をさらに有する第２５の積層型誘電体フィルタを得
ることができる。

【００３８】前記第２３の積層型誘電体フィルタにおい
て、好ましくは、前記入力端側共振素子または前記出力
端側共振素子のいずれか他方の前記第１の主面とは反対
側の第２の主面の一部および前記入力端側共振素子また
は前記出力端側共振素子の前記いずれか他方に最隣接す
る前記内部共振素子の前記第１の主面とは反対側の第２
の主面の一部とに対向し、前記入力端側共振素子または
前記出力端側共振素子の前記いずれか他方および前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前記いず
れかの他方に最隣接する前記内部共振素子との間に第２
の誘電体層を挟んで設けられた結合電極と、前記結合電
極の一部に対向し、前記結合電極との間に第３の誘電体
層を挟んで設けられた入力電極または出力電極の他方
と、をさらに有する第２６の積層型誘電体フィルタを得
ることができる。

【００３９】前記第２４または２５の積層型誘電体フィ
ルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共振素子、前
記出力端側共振素子および前記内部共振素子と前記第２
のアース電極との間の前記第２の誘電体層中に、前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子のいずれか
他方の一部および前記入力端側共振素子または前記出力
端側共振素子の前記いずれか他方に最近接する前記内部
共振素子の一部とに対向して設けられた結合電極と、前
記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記
内部共振素子と前記内部共振素子と前記第２のアース電
極との間の前記第２の誘電体層中に前記結合電極の一部
に対向して設けられた入力電極または出力電極の他方を
さらに有する第２７の積層型誘電体フィルタを得ること
ができる。

【００４０】前記第２３乃至２７のいずれかの積層型誘
電体フィルタにおいて、好ましくは、前記入力端側共振
素子の一端、前記出力端側共振素子の一端および前記内
部共振素子の一端が前記第１のアース電極と電気的に接
続され、前記第１の内部アース電極が前記入力端側共振
素子の他端である開放端側、前記出力端側共振素子の他
端である開放端側および前記内部共振素子の他端である
開放端側において前記入力端側共振素子の前記第１の主
面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一
部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部と対
向して設けらる第２８の積層型誘電体フィルタを得るこ
とができる。

【００４１】前記第２４、２５、２７のいずれかの積層
型誘電体フィルタにおいて、好ましくは、前記入力端側
共振素子の一端、前記出力端側共振素子の一端および前
記内部共振素子の一端が前記第１のアース電極と電気的
に接続され、前記第１および第２の内部アース電極が、
前記入力端側共振素子の他端である開放端側、前記出力
端側共振素子の他端である開放端側および前記内部共振
素子の他端である開放端側において、好ましくは、前記
入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記内
部共振素子の前記第１および前記第２の主面の一部とそ
れぞれ対向して設けられる第２９の積層型誘電体フィル
タを得ることができる。

【００４２】さらに、本発明によれば、入力端側共振素
子と、出力端側共振素子と、前記入力端側共振素子と前
記出力端側共振素子との間に並設された１以上の内部共
振素子と、前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出
力端側共振素子の第１の主面および前記内部共振素子の
第１の主面に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力
端側共振素子および前記内部共振素子との間に第１の誘
電体層を挟んで設けられた第１のアース電極と、前記入
力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前記内部
共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第１の誘
電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の主面の
一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の一部お
よび前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に対向し
て設けられた第１の内部アース電極と、前記入力端側共
振素子または前記出力端側共振素子のいずれか一方の前
記第１の主面とは反対側の第２の主面の一部および前記
入力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前記い
ずれか一方に最隣接する前記内部共振素子の前記第１の
主面とは反対側の第２の主面の一部とに対向し、前記入
力端側共振素子または前記出力端側共振素子の前記いず
れか一方および前記入力端側共振素子または前記出力端
側共振素子の前記いずれか一方に最近接する前記内部共
振素子との間に第２の誘電体層を挟んで設けられた結合
電極と、前記結合電極の一部に対向し、前記結合電極と
の間に第３の誘電体層を挟んで設けられた入力電極また
は出力電極のいずれか一方と、を有する第３０の積層型
誘電体フィルタを得ることができる。

【００４３】前記第１乃至３０のいずれかの積層型誘電
体フィルタにおいて、好ましくは、前記積層型誘電体フ
ィルタはコムライン型の誘電体フィルタである第３１の
積層型誘電体フィルタを得ることができる。

【００４４】

【作用】本発明においては、誘電体層を挟んで共振素子
と対向して設けられたアース電極と前記共振素子との間
の誘電体層中に、共振素子の一部と対向して内部アース
電極を設けている。従って、内部アース電極と対向して
いる共振素子の部分は、よりアースに近くなり、共振素
子と内部アース電極との間には静電容量が形成され、こ
の静電容量も共振素子を等価変換したときの並列共振回
路の静電容量に付加されることになる。従って、共振周
波数を同一とすれば、並列共振回路のインダクタンスは
小さくて済むことになり、共振素子の長さもより短くな
り、積層型誘電体フィルタ全体の長さも短くなる。

【００４５】また、内部アース電極と対向している共振
素子の部分はよりアースに近くなり、アースとの結合が
強くなるから、内部アース電極と対向している部分の共
振素子同士の結合が弱くなる。従って、共振素子同士の
結合は内部アース電極と重ならない部分で主として結合
するようになる。このことは、実質的に共振素子の電気
長が短くなったことを意味する。このように電気長が短
くなると、共振素子同士を結合する分布定数素子のリア
クタンスも小さくなり、共振素子同士が強く結合するよ
うになり、フィルタの特性が広帯域化する。

【００４６】さらに、誘電体層を挟んで入力端側共振素
子の一部と前記出力端側共振素子の一部とに対向して入
力電極または出力電極のいずれか一方とを設け、また
は、誘電体層を挟んで入力端側共振素子または出力端側
共振素子のいずれか一方の一部および入力端側共振素子
または出力端側共振素子のいずれか一方に最隣接する内
部共振素子の一部とに対向して入力電極または出力電極
のいずれか一方を設けることにより、入力端側共振素子
または出力端側共振素子のいずれか一方の共振素子にイ
ンダクタンスが直列接続された状態となり、バンドパス
フィルタの通過帯域の高域側に減衰ピークを生じさせ
る。

【００４７】また、入力端側共振素子または出力端側共
振素子のいずれか一方および入力端側共振素子または出
力端側共振素子のいずれか一方に最隣接する内部共振素
子とに誘電体層を挟んで対向して結合電極を設け、この
結合電極の一部に誘電体層を挟んで入力電極または出力
電極の一方を設けることにより、入力端側共振素子また
は出力端側共振素子のいずれか一方の共振素子に静電容
量が直列に接続された状態となり、バンドパスフィルタ
の通過帯域の低域側に減衰ピークを生じさせる。

【００４８】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。

【００４９】図１は本発明の第１の実施例の模式展開図
であり、図２は本実施例の斜視図である。

【００５０】後記する共振素子２１、２２、２３の開放
端側の一部に誘電体層１１および１５を挟んで重なり、
端部が後記するアース電極７０と電気的に接続される内
部アース電極８１を誘電体層１４の表面上に形成する。
なお、誘電体層１４の裏面にもアース電極７０が後に形
成される。

【００５１】後記する出力端側の共振素子２３の一部と
共振素子２３に隣合う共振素子２２の一部とに誘電体層
１１を挟んで重なると共に、共振素子２３および共振素
子２２にほぼ直交する出力用電極４２を、誘電体層１５
の表面上に形成する。なお、出力用電極４２は共振素子
２２に対向する部分を含む所定長部分の幅を細く形成し
てある。

【００５２】後記するアース電極７０に一端部がそれぞ
れ電気的に接続されて１／４波長型ストリップライン共
振器を構成する共振素子２１〜２３を誘電体層１５上に
積層される誘電体層１１の表面上に形成し、さらに、一
端部が後記するアース電極７０に電気的に接続され、か
つ他端部が共振素子２１〜２３の開放端から所定の間隔
離れて共振素子２１〜２３とそれぞれ対向する電極３１
〜３３を誘電体層１１の表面上に形成して、共振素子２
１〜２３各々が分布結合されることを利用してコムライ
ン型のフィルタを構成する。共振素子２１が入力端側の
共振素子であり、共振素子２３が出力端側の共振素子で
ある。

【００５３】誘電体層１１上に積層される誘電体層１６
の表面に、入力端側の共振素子２１の一部と共振素子２
１に隣合う共振素子２２の一部とに誘電体層１６を挟ん
で重なると共に、共振素子２３および共振素子２２とほ
ぼ直交する入力用電極４１を形成する。なお、入力用電
極４１は共振素子２２に対向する部分を含む所定長部分
の幅を細く形成してある。

【００５４】共振素子２１、２２、２３の開放端側の一
部に誘電体層１６、１７を挟んで重なり、端部が後記す
るアース電極７０と電気的に接続される内部アース電極
８２を誘電体層１７の表面上に形成する。

【００５５】誘電体層１７上に、表面にアース電極７０
が形成される誘電体層１３を積層して、誘電体層１４、
１５、１１、１６、１７、１３を一体に構成する。

【００５６】一体に構成した誘電体層１４、１５、１
１、１６、１７、１３の上下面および入力端子部６１、
出力端子部６２を除く側面に、図２に示すように、アー
ス電極７０を形成する。さらに、一体に構成した誘電体
層１４、１５、１１、１６、１７、１３の一方の側面の
入力端子部６１内に、アース電極７０と電気的に絶縁さ
れ、かつ入力用電極４１と電気的に接続される入力端子
５１を形成し、さらに同様に、一体に構成した誘電体層
１４、１５、１１、１６、１７、１３の他方の側面の出
力端子部６２内に、アース電極７０と電気的に絶縁さ
れ、かつ出力用電極４２と電気的に接続される出力端子
５２を形成する。

【００５７】以上のように構成した本実施例において、
まず、共振素子２１〜２３、電極３１〜３３、入力用電
極４１および出力用電極４２の空間的な構成のみを平面
図およびそのＸ−Ｘ線断面図で示せば図３および図４に
示す如くである。共振素子２１、２２と入力用電極４１
との間に誘電体層１６を挟んで重なり部分があって、誘
電体層１６を含む重なり部分において静電結合された状
態となっている。この静電容量をそれぞれ、静電容量４
０１、４０３とする。また、共振素子２３、２２と出力
用電極４２との間にも誘電体層１１を挟んで重なり部分
があって、誘電体層１１を含む重なり部分において静電
結合された状態となっている。この静電容量をそれぞ
れ、静電容量４０２、４０４とする。

【００５８】さらに、共振素子２１、２２、２３の解放
端と電極３１、３２、３３との間にはそれぞれ静電容量
１２１、１２２、１２３が形成されている。そして、こ
れらの静電容量１２１〜１２３が存在することによっ
て、共振素子２１、２２、２３はインダクタンス４１
１、４１２でそれぞれ結合されている。

【００５９】上記のように、共振素子２１〜２３、電極
３１〜３３、入力用電極４１および出力用電極４２から
構成されるフィルタの電気的な等価回路は図５に示すよ
うになる。図５におけるインダクタンス４１１、静電容
量４０１、および静電容量４０３をΔ−Ｙ変換すれば図
６における入力側静電容量１１１、結合静電容量１１３
および共振素子２１と直列接続されるインダクタンス１
３１となり、同様にインダクタンス４１２、静電容量４
０２、静電容量４０４をΔ−Ｙ変換すれば、図６におけ
る出力側静電容量１１２、結合静電容量１１４および共
振素子２３と直列接続されるインダクタンス１３２とな
る。従って、図５の等価回路は図６の等価回路となり、
バンドパス特性を呈する。

【００６０】このように、上記構成のフィルタは、等価
的に、共振素子２１に直列にインダクタンス１３１が接
続された状態および共振素子２３に直列にインダクタン
ス１３２が接続された状態となって、バンドパスフィル
タの通過帯域の高域側に減衰のピークを生じさせる。

【００６１】なお、この減衰のピークが生ずる周波数は
静電容量４０３、静電容量４０４によって変動する。

【００６２】しかしながら、静電容量４０３は、誘電体
層１６の厚さを一定とすれば、誘電体層１６を挟んで共
振素子３２と入力用電極４１との対向面積によって設定
され、静電容量４０４は、誘電体層１１を挟んで共振素
子２２と出力用電極４２との対向面積によって設定され
る一方、共振素子２２の幅および入力用電極４１、出力
用電極４２の幅の設定は比較的容易であるから、共振素
子２２と入力用電極４１との対向面積および共振素子２
２と出力用電極４２との対向面積をばらつきなく設定す
ることも容易である。従って、これらの対向面積をばら
つきなく設定することによって減衰のピークが生ずる周
波数のばらつきを抑制することができる。

【００６３】さらにまた、本実施例においては、図１、
図３に示すように入力用電極４１の幅を共振素子２２と
対向する部分を含む所定長にわたって狭く設定してある
ため、共振素子２２との間に位置ずれが生じても共振素
子２２と入力用電極４１との対向面積のばらつきは殆ど
なく、この結果静電容量４０３の変化は少なくて済む。
また、出力用電極４２の幅も共振素子２２と対向する部
分を含む所定長にわたって狭く設定してあるため、共振
素子２２の位置にずれが生じても共振素子２２と出力用
電極４２との対向面積のばらつきは殆どなく、その結果
静電容量４０４の変化は少なくて済む。このため、入力
用電極４１の幅を共振素子２２と対向する部分を含む所
定長にわたって狭く設定せずに同じ容量値の静電容量を
形成した場合（図７（ａ）参照）よりも、また出力用電
極４２の幅を共振素子２２と対向する部分を含む所定長
にわたって狭く設定せずに同じ容量値の静電容量を形成
した場合（図７（ｂ）参照）よりも、減衰ピークが生ず
る周波数の変動がさらに少なくて済むことになる。

【００６４】また、インダクタンス４１１および４１２
は共振素子２１、２２、２３間の誘導結合で得られ、静
電容量４０１、４０３は誘電体層１６と共振素子２１、
２２と入力用電極４１とによって得られ、静電容量４０
２、４０４は誘電体層１１と共振素子２２、２３と出力
用電極４２とによって得られるため、別途部品を必要と
せず、小型化が可能となる。

【００６５】次に、共振素子２１〜２３、電極３１〜３
３、入力用電極４１、出力用電極４２からなる図３の構
成に内部アース電極８１、８２が加わった場合の空間的
な構成を平面図およびそのＹ−Ｙ線断面図で示せば図８
および図９に示す如くである。共振素子２１と内部アー
ス電極８１、８２との間には静電容量１４１、１４２が
それぞれ形成され、共振素子２２と内部アース電極８
１、８２との間には静電容量１４３、１４４がそれぞれ
形成され、共振素子２３と内部アース電極８１、８２と
の間には静電容量１４５、１４６がそれぞれ形成されて
いる。

【００６６】図１０には、上記のようにして構成された
積層型誘電体フィルタの等価回路を示す。図６の等価回
路にさらに静電容量１４１、１４２、１４３、１４４、
１４５、１４６が付加された構成となっている。

【００６７】次に、本発明において用いられた内部アー
ス電極の作用・効果について説明する。

【００６８】先ず、図１１に示すように、コムライン型
の２つの共振素子３２１、３２２が存在する場合を考え
る。共振素子３２１、３２２の電気長はともにθであ
る。図１２は図１１のコムライン型の配線の等価回路図
である。ここで共振素子３２１、３２２の偶モードのイ
ンピーダンスをＺ_e とし、奇モードのインピーダンスを
Ｚ₀ とすると、共振素子３２１、３２２を分布定数的に
結合する分布定数素子３２３の特性インピーダンスＺ_C
は

【００６９】

【数１】

【００７０】となる。さらにこの特性インピーダンスＺ
_C のラインの開放側からみたインピーダンスＺは、Ｚ＝
ｊＺ_C tan θと表される。

【００７１】図１３はこのインピーダンスＺのリアクタ
ンスＺ_C tan θと電気長θとの関係を示したものであ
る。θ＝９０°（すなわち、１／４波長）では分布定数
素子３２３のリアクタンスＺ_C tan θが∞となり、共振
素子３２１、３２２の間には、結合が存在しないことが
わかる。次に、電気長θが１／４波長よりも短くなれ
ば、すなわち、０＜θ＜９０°の場合においては、tan
θが有限の値となり、分布定数素子３２３のリアクタン
スＺ_C tan θも有限の値となり、共振素子３２１、３２
２が結合するようになり、θの値が小さいほどリアクタ
ンスＺ_C tan θが小さくなり、強く結合するようにな
る。そして、この場合、すなわち、０＜θ＜９０°の場
合はＺ_C tan θの値が正だから、分布定数素子３２３は
インダクタンスとして表されることになる。

【００７２】ここで、もう一度図８、９、１０を参照す
れば、内部アース電極８１、８２を部分的に共振素子２
１〜２３の開放端側に追加したことにより、共振素子２
１〜２３の開放端側であって、内部アース電極８１、８
２と重なった部分はよりアースに近くなり、アースとの
結合が強くなるから、内部アース電極８１、８２と重な
った部分の共振素子２１〜２３同士の結合が弱くなる。
従って、共振素子２１〜２３同士の結合は内部アース電
極８１、８２と重ならない部分で主として結合するよう
になる。このことは、共振素子２１〜２３の結合電気長
θが、実質的には内部アース電極８１、８２と重ならな
い部分の長さと等しくなることを意味する。このように
共振素子２１〜２３の結合電気長θが短くなれば、共振
素子２１〜２３同士を結合する分布定数素子３２３のリ
アクタンスＺ_C tan θも小さくなるから、共振素子２１
〜２３同士がより強く結合するようになり、フィルタ特
性の広帯域化が図られるようになる。

【００７３】また、電極３１〜３３を設けているから共
振素子２１〜２３とアースとの間には静電容量１２１〜
１２３がそれぞれ加わっているが、さらに、内部アース
電極８１、８２を設けることにより、共振素子２１〜２
３と内部アース電極８１、８２との間には静電容量１４
１および１４２、１４３および１４４、１４５および１
４６がそれぞれ形成され、これらの静電容量も共振素子
２１〜２３とアースとの間に付加されることになる。従
って、図１０に示す並列共振回路の静電容量は共振素子
２１〜２３を等価交換したときの静電容量２１１、２２
１、２３１と、これらの付加された静電容量との和から
なる合成静電容量となって、共振周波数を同一とすれ
ば、並列共振回路のインダクタンスはより小さくて済む
ことになる。従って、共振素子２１〜２３の長さもより
短くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも短くな
る。

【００７４】また、入力用電極４１と出力用電極４２と
は、共振素子２１〜２３が形成された面に対して、誘電
体層をそれぞれ各別に挟んで位置することになるから、
入力用電極４１と出力用電極４２とは共振素子２１〜２
３によって静電的に遮蔽された状態となる。従って、入
力用電極４１と出力用電極４２との間の浮遊容量は殆ど
なくなる。この結果、バンドパスフィルタの減衰特性も
向上する。

【００７５】次に、第１の実施例の積層型誘電体フィル
タの製造方法について説明する。

【００７６】本積層型誘電体フィルタは共振素子２１〜
２３、電極３１〜３３、入力用電極４１、出力用電極４
２および内部アース電極８１、８２を完全に誘電体中に
内蔵することから、共振素子２１〜２３、電極３１〜３
３、入力用電極４１および出力用電極４２には損失の少
ない比抵抗の低いものを用いることが望ましく、低抵抗
のＡｇ系、若しくはＣｕ系の導体を用いることが好まし
い。

【００７７】使用する誘電体としては、信頼性が高く誘
電率εγが大きいために小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。

【００７８】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミックス誘
電体と一体化することが望ましい。

【００７９】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とＴｉＯ₂ 粉末およびＮｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末との混合
物等のガラス系のものや、ＢａＯ−ＴｉＯ₂ −Ｒｅ₂ Ｏ
₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系組成（Ｒｅ：レアアース成分）に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。

【００８０】一例として、ＭｇＯ：１８ｗｔ％−Ａｌ₂
Ｏ₃ ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ₂ ：３７ｗｔ％−Ｂ₂ Ｏ₃ ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ₂ ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ₂ 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末の１０ｗｔ％を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Ｎｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末は、Ｎｄ₂Ｏ
₃ 粉末とＴｉＯ₂ 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚み
のグリーンシートを作製した。

【００８１】次に、上記第１の実施例の場合は、銀ペー
ストを導体ペーストとして図１に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンシートの厚みを調整するため必要なグリー
ンシートを重ねて図１の構造となるように重ね、積層し
た後、９００℃で焼成した。

【００８２】上記のように構成した積層型誘電体フィル
タ本体の両主面、すなわち誘電体層１４の全裏面対応面
および誘電体層１３の前面対応面、入力端子部６１、出
力端子部６２を除く側面に図２に示すように銀電極から
なるアース電極７０を印刷し、さらにアース電極７０か
ら電気的に絶縁し、かつ入力用電極４１、出力用電極４
２に各別に電気的に接続する銀電極を入力端子部６１、
出力端子部６２内に入力端子５１、出力端子５２として
印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけた。

【００８３】上記の積層型誘電体フィルタにおいて、各
共振素子２１〜２３の幅ｗ₁ を０．８ｍｍ、共振素子２
１〜２３間の間隔ｓ₁ を１．２ｍｍ、共振素子２１〜２
３の長さｌ₁ を４ｍｍ、電極３１〜３３の幅ｗ₂ を０．
８ｍｍ、電極３１〜３３の長さｌ₂ を０．５ｍｍ、電極
３１〜３３の間隔ｓ₂ を１．２ｍｍ、共振素子２１〜２
３とそれらにそれぞれ対向する電極３１〜３３との間隔
ｓ₃ を０．３ｍｍとし、入力用電極４１と共振素子２１
との対向面積を０．９６ｍｍ² 、入力用電極４１と共振
素子２２との対向面積を０．０８ｍｍ² 、出力用電極４
２と共振素子２３との対向面積を０．９６ｍｍ² 、出力
用電極４２と共振素子２２との対向面積を０．０８ｍｍ
² 、誘電体層１４、１５、１１、１６、１７、１３の厚
さをそれぞれ１．５ｍｍ、０．２ｍｍ、０．２ｍｍ、
０．２ｍｍ、０．２ｍｍ、１．５ｍｍとし、内部アース
電極８１、８２の幅ｗ₃ を５．４ｍｍ、内部アース電極
８１、８２の長さｌ₃ を１．８ｍｍ、内部アース電極８
１と各共振素子２１〜２３との対向面積をそれぞれ０．
８ｍｍ² 、内部アース電極８２と各共振素子２１〜２３
との対向面積をそれぞれ０．８ｍｍ² 、各共振素子２１
〜２３が内部アース電極８１、８２より露出する長さｌ
₄ を３ｍｍとしたとき、外形形状は６．０ｍｍ×４．８
ｍｍ×３．８ｍｍであり、中心周波数は１１００ＭＨ
ｚ、帯域幅は７５ＭＨｚ、挿入損失は２．５ｄＢ以下で
あった。さらに減衰ピークの周波数は１２８０ＭＨｚで
あり、そのときの減衰量は５０ｄＢであった。このフィ
ルタを３０個作ったとき、減衰ピークの周波数のばらつ
きは標準偏差が３ＭＨｚであった。

【００８４】また、入力用電極４１については、図７
（ａ）に示すように、共振素子２２との対向部分を細く
せず、しかも入力用電極４１と共振素子２２との対向面
積を対向部を細くした場合と同一にし、かつ出力用電極
４２についても、図７（ｂ）に示すように、共振素子２
２との対向部分を細くせず、しかも共振素子２２との対
向面積を対向部を細くした場合と同一にして製造した場
合は、中心周波数は１１００ＭＨｚ、帯域幅は７２ＭＨ
ｚ、挿入損失は２．５以下であった。また、減衰ピーク
の周波数は１２５０ＭＨｚであり、そのときの減衰量は
３５ｄＢであった。このフィルタを３０個作ったとき、
減衰ピークの周波数のばらつきは、標準偏差が８ＭＨｚ
であり、対向部を細くした場合に比して、減衰ピークの
周波数のばらつきは大きかった。

【００８５】比較のために、この第１の実施例において
使用したグリーンシートを用いて、誘電体層１４の表面
上には内部アース電極８１を設けず、誘電体層１７の表
面上にも内部アース電極８２を設けず、共振素子２１〜
２３の長さｌ₁ および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
ｌ₅ を長くし、他は第１の実施例と同様に構成した場合
（比較例１）、中心周波数を第１の実施例と同じ１１０
０ＭＨｚにするには共振素子２１〜２３の長さｌ₁ を７
ｍｍとする必要があり、積層型誘電体フィルタ自体の長
さｌ₅ も第１の実施例が４．８ｍｍであったのに比べて
７．８ｍｍと長くなった。そして、帯域幅も１５ＭＨｚ
であり、第１の実施例よりも狭かった。このように、第
１の実施例によって帯域幅が大幅に改善され、積層型誘
電体フィルタ自体の寸法も小さくなっていることがわか
る。

【００８６】さらに、比較のために、第１の実施例にお
いて使用したグリーンシートを用いて、図１４に示すよ
うに、誘電体層１６上に設ける入力用電極４１を共振素
子２２とは対向せず、共振素子２１のみと対向させ（対
向面積０．７８ｍｍ² ）、誘電体層１５上に設ける出力
用電極４２も共振素子２２とは対向せず、共振素子２３
のみと対向させ（対向面積０．７８ｍｍ² ）、他は第１
の実施例と同様に構成した場合（比較例２）、中心周波
数１１００ＭＨｚ、帯域幅は８０ＭＨｚ、挿入損失は
２．４ｄＢ以下であった。なお、この場合は、減衰ピー
クは存在せず、中心周波数から１５０ＭＨｚ高い周波数
点での減衰量は２５ｄＢであった。このように第１の実
施例によって高周波側の減衰特性も改善されていること
がわかる。

【００８７】次に、本発明の第２の実施例として、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用いて、図
１５に示すように、誘電体層１５上に設ける出力用電極
４２を共振素子２２とは対向せず、共振素子２３のみと
対向させ（対向面積０．７８ｍｍ² ）、他は第１の実施
例と同様に構成した。その結果、中心周波数１１００Ｍ
Ｈｚ、帯域幅７８ＭＨｚ、挿入損失は２．５ｄＢ以下で
あった。さらに減衰ピークの周波数は１３１０ＭＨｚで
あり、そのときの減衰量は６０ｄＢ以下であった。

【００８８】次に、本発明の第３の実施例として、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用いて、図
１６に示すように、誘電体層１６上に設ける入力用電極
４１を共振素子２２とは対向せず、共振素子２１のみと
対向させ（対向面積０．７８ｍｍ² ）、他は第１の実施
例と同様に構成した。その結果、中心周波数１１００Ｍ
Ｈｚ、帯域幅７８ＭＨｚ、挿入損失は２５ｄＢ以下であ
った。さらに減衰ピークの周波数は１３１０ＭＨｚであ
り、そのときの減衰量は６０ｄＢ以下であった。

【００８９】上記第２、第３の実施例を、入力用電極４
１、出力用電極４２のいずれもが中央の共振素子２２と
対向しない比較例２と比較すれば、入力用電極４１、出
力用電極４２のいずれか一方を共振素子２２と対向させ
ることにより、高周波側の減衰特性が改善されることが
わかる。

【００９０】次に、上記第２、第３の実施例を、入力用
電極４１、出力用電極４２の両方が共振素子２２とそれ
ぞれ対向する第１の実施例と比較すれば、入力用電極４
１および出力用電極４２の両方を共振素子２２と対向さ
せた第１の実施例のほうが、入力用電極４１、出力用電
極４２のいずれか一方を共振素子２２と対向させた第
２、第３の実施例よりも高周波側の減衰特性がより改善
されていることがわかる。

【００９１】次に、本発明の第４の実施例を説明する。
図１７は本実施例の模式展開図、図１８は本実施例の主
要部の構成を示す平面図、図１９、図２０はそれぞれ図
１８のＸ−Ｘ線、Ｙ−Ｙ線断面図である。

【００９２】第１〜第３の実施例においては、共振素子
が３個の場合を例示したが、本実施例においては、共振
素子は２個であって、この場合は図１７乃至図２０に示
すように、前記第１の実施例において共振素子２２およ
び電極３２を除去し、共振素子２１と共振素子２３とを
分布結合とし、誘電体層１６を挾んで共振素子２１の１
部と共振素子２３の１部とに対向する入力用電極４１を
設け、誘電体層１１を挾んで共振素子２３の１部と共振
素子２１の１部とに対向する出力用電極４２を設ければ
よい。

【００９３】この場合の電気的な等価回路は図２１に示
すようになり、この場合においても上記した第１の実施
例の場合と同様の作用をする。ここで、静電容量４０
５、静電容量４０７は、共振素子２１、共振素子２３と
入力用電極４１との間の静電容量をそれぞれ示し、静電
容量４０６、静電容量４０８は共振素子２３、共振素子
２１と出力用電極４２との間の静電容量をそれぞれ示
し、インダクタンス４１３は共振素子２１と共振素子２
３との間の誘導結合のインダクタンスである。

【００９４】次に、本実施例の積層型誘電体フィルタの
製造方法について説明する。本実施例においても、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用い、銀ペ
ーストを導体ペーストとして図１７に示した導体パター
ンをそれぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印
刷されたグリーンシートの厚みを調整するため必要なグ
リーンシートを重ねて図１７の構造となるように重ね、
積層した後、９００℃で焼成した。

【００９５】上記のように構成した積層型誘電体フィル
タ本体の両主面すなわち誘電体層１４の全裏面対応面、
誘電体層１３の前面対応面、入力端子部６１、出力端子
部６２を除く側面に図２に示すように銀電極からなるア
ース電極７０を印刷し、さらにアース電極７０から電気
的に絶縁し、かつ入力用電極４１、出力用電極４２に各
別に電気的に接続する銀電極を入力端子部６１、出力端
子部６２内に入力端子５１、出力端子５２として印刷
し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけた。

【００９６】上記の積層型誘電体フィルタにおいて、各
共振素子２１、２３の幅ｗ₁ を０．８ｍｍ、かつ共振素
子２１と共振素子２３間の間隔ｓ₁ を１．２ｍｍ、共振
素子２１、２３の長さｌ₁ を４ｍｍ、電極３１、３３の
幅ｗ₂ を０．８ｍｍ、電極３１、３３の長さｌ₂ を０．
５ｍｍ、電極３１と電極３３との間隔ｓ₂ を１．２ｍ
ｍ、共振素子２１、２３とそれらにそれぞれ対向する電
極３１、３３との間隔ｓ ₃ を０．３ｍｍとし、入力用電
極４１と共振素子２１との対向面積を１．２ｍｍ ² 、入
力用電極４１と共振素子２３との対向面積を０．１ｍｍ
² 、出力用電極４２と共振素子２３との対向面積を１．
２ｍｍ² 、出力用電極４２と共振素子２１との対向面積
を０．１ｍｍ² 、誘電体層１４、１５、１１、１６、１
７、１３の厚さをそれぞれ１．５ｍｍ、０．２ｍｍ、
０．２ｍｍ、０．２ｍｍ、０．２ｍｍ、１．５ｍｍと
し、内部アース電極８１、８２の幅ｗ₃ を３．４ｍｍ、
内部アース電極８１、８２の長さｌ₃ を１．８ｍｍ、内
部アース電極８１と各共振素子２１、２３との対向面積
をそれぞれ０．８ｍｍ² 、内部アース電極８２と各共振
素子２１、２３との対向面積をそれぞれ０．８ｍｍ² 、
各共振素子２１、２３が内部アース電極８１、８２より
露出する長さｌ₄ を３ｍｍとしたとき、外形形状は３．
８ｍｍ×４．０ｍｍ×４．８ｍｍであり、中心周波数は
１１００ＭＨｚ、帯域幅は６５ＭＨｚ、挿入損失は１．
８ｄＢ以下であった。さらに減衰ピークの周波数は１３
００ＭＨｚであり、そのときの減衰量は４０ｄＢであっ
た。

【００９７】比較のために、この第４の実施例において
使用したグリーンシートを用いて、誘電体層１４の表面
上には内部アース電極８１を設けず、誘電体層１７の表
面上にも内部アース電極８２を設けず、共振素子２１、
２３の長さｌ₁ および積層型誘電体フィルタ自体の長さ
ｌ₅ を長くし、他は第４の実施例と同様に構成した場合
（比較例３）、中心周波数を第４の実施例と同じ１１０
０ＭＨｚにするには共振素子２１、２３の長さｌ₁ を７
ｍｍとする必要があり、積層型誘電体フィルタ自体の長
さｌ₅ も第４の実施例が４．８ｍｍであったのに比べて
７．８ｍｍと長くなった。そして、帯域幅も１２ＭＨｚ
であり、第４の実施例よりも狭かった。このように、第
４の実施例によっても帯域幅が大幅に改善され、積層型
誘電体フィルタ自体の寸法も小さくなっていることがわ
かる。 さらに、比較のために、第４の実施例において
使用したグリーンシートを用いて、図２２に示すよう
に、誘電体層１６上に設ける入力用電極４１を共振素子
２３とは対向せず、共振素子２１のみと対向させ（対向
面積０．９ｍｍ² ）、誘電体層１５上に設ける出力用電
極４２も共振素子２１とは対向せず、共振素子２３のみ
と対向させ（対向面積０．９ｍｍ² ）、他は第１の実施
例と同様に構成した場合（比較例４）、中心周波数１１
００ＭＨｚ、帯域幅は７０ＭＨｚ、挿入損失は１．７ｄ
Ｂ以下であった。なお、この場合は、減衰ピークは存在
せず、中心周波数から２００ＭＨｚ高い周波数点での減
衰量は２５ｄＢであった。このように第４の実施例によ
って高周波側の減衰特性も改善されていることがわか
る。

【００９８】次に、本発明の第５の実施例として、第４
の実施例において使用したグリーンシートを用いて、図
２３に示すように、誘電体層１５上に設ける出力用電極
４２を共振素子２１とは対向せず、共振素子２３のみと
対向させ（対向面積０．９ｍｍ² ）、他は第１の実施例
と同様に構成した。その結果、中心周波数１１００ＭＨ
ｚ、帯域幅６８ＭＨｚ、挿入損失は１．７ｄＢ以下であ
った。さらに減衰ピークの周波数は１３７０ＭＨｚであ
り、そのときの減衰量は５０ｄＢ以下であった。

【００９９】次に、本発明の第６の実施例として、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用いて、図
２４に示すように、誘電体層１６上に設ける入力用電極
４１を共振素子２３とは対向せず、共振素子２１のみと
対向させ（対向面積０．９ｍｍ² ）、他は第１の実施例
と同様に構成した。その結果、中心周波数１１００ＭＨ
ｚ、帯域幅６８ＭＨｚ、挿入損失は１．７ｄＢ以下であ
った。さらに減衰ピークの周波数は１３７０ＭＨｚであ
り、そのときの減衰量は５０ｄＢ以下であった。

【０１００】上記第５、６の実施例を、入力用電極４
１、出力用電極４２のいずれもが中央の共振素子２２と
対向しない比較例４と比較すれば、入力用電極４１、出
力用電極４２のいずれか一方を共振素子２１およ２３と
対向させることにより、高周波側の減衰特性が改善され
ることがわかる。

【０１０１】次に、上記第５、第６の実施例を入力用電
極４１、出力用電極４２のいずれもが共振素子２１およ
２３と対向する第４の実施例と比較すれば、入力用電極
４１および出力用電極４２の両方を共振素子２１およ２
３と対向させた第４の実施例のほうが、入力用電極４
１、出力用電極４２のいずれか一方を共振素子２１およ
２３と対向させた第５、第６の実施例よりも高周波側の
減衰特性がより改善されていることがわかる。

【０１０２】また、共振素子数が３個を超えてもよく、
例えば共振素子２２と２３との間に共振素子２４を設
け、共振素子２２と共振素子２４との結合を誘導結合と
した場合は、電気的な等価回路は図２５に示す如くにな
って、共振素子２２と共振素子２４とはインダクタンス
４１４によって接続された回路となる。この場合におい
ても上記した実施例の場合と同様の作用をする。

【０１０３】また、共振素子２２と共振素子２４との結
合を容量結合とした場合は、図２６に示すように、電気
的な等価回路は、図６のインダクタンス４１４に代わっ
て静電容量４１５によって共振素子２２と共振素子２４
とが接続された状態となるが、この場合でも上記した実
施例と同様の作用をする。

【０１０４】このように、共振素子が４以上のときは、
共振素子２１と２２の結合および共振素子２４と２３の
結合は誘導結合であることを必要とするが、共振素子２
２と共振素子２４との結合は誘導結合であっても、容量
結合であっても差し支えない。

【０１０５】次に、本発明の第７の実施例を説明する。

【０１０６】図２７は本実施例の模式展開図であり、図
２は本実施例の斜視図である。

【０１０７】後記する共振素子２１、２２、２３の開放
端側の一部に誘電体層１１、１８および１５を挟んで重
なり、端部が後記するアース電極７０と電気的に接続さ
れる内部アース電極８１を誘電体層１４の表面上に形成
する。なお、誘電体層１４の裏面にもアース電極７０が
後に形成される。

【０１０８】後記する結合電極９１の一部に誘電体層１
８を挟んで重なると共に、共振素子２３にほぼ直交する
出力用電極４２を、誘電体層１５の表面上に形成する。
誘電体層１５上に積層される誘電体層１８の表面に、誘
電体層１１を挟んで出力端側の共振素子２３の一部と共
振素子２３に隣合う共振素子２２の一部に重なると共
に、共振素子２３および２２にほぼ直交するように結合
電極９１を形成する。

【０１０９】後記するアース電極７０に一端部がそれぞ
れ電気的に接続されて１／４波長型ストリップライン共
振器を構成する共振素子２１〜２３を誘電体層１５上に
積層される誘電体層１１の表面上に形成し、さらに、一
端部が後記するアース電極７０に電気的に接続され、か
つ他端部が共振素子２１〜２３の開放端から所定の間隔
離れて共振素子２１〜２３とそれぞれ対向する電極３１
〜３３を誘電体層１１の表面上に形成して、共振素子２
１〜２３各々が分布結合されることを利用してコムライ
ン型のフィルタを構成する。共振素子２１が入力端側の
共振素子であり、共振素子２３が出力端側の共振素子で
ある。

【０１１０】誘電体層１１上に積層される誘電体層１６
の表面に、入力端側の共振素子２１の一部と共振素子２
１に隣合う共振素子２２の一部とに誘電体層１６を挟ん
で重なると共に、共振素子２３および共振素子２２とほ
ぼ直交する入力用電極４１を形成する。なお、入力用電
極４１は共振素子２２に対向する部分を含む所定長部分
の幅を細く形成してある。

【０１１１】共振素子２１、２２、２３の開放端側の一
部に誘電体層１６、１７を挟んで重なり、端部が後記す
るアース電極７０と電気的に接続される内部アース電極
８２を誘電体層１７の表面上に形成する。

【０１１２】誘電体層１７上に、表面にアース電極７０
が形成される誘電体層１３を積層して、誘電体層１４、
１５、１８、１１、１６、１７、１３を一体に構成す
る。

【０１１３】一体に構成した誘電体層１４、１５、１
８、１１、１６、１７、１３の上下面および入力端子部
６１、出力端子部６２を除く側面に、図２に示すよう
に、アース電極７０を形成する。さらに、一体に構成し
た誘電体層１４、１５、１８、１１、１６、１７、１３
の一方の側面の入力端子部６１内に、アース電極７０と
電気的に絶縁され、かつ入力用電極４１と電気的に接続
される入力端子５１を形成し、さらに同様に、一体に構
成した誘電体層１４、１５、１８、１１、１６、１７、
１３の他方の側面の出力端子部６２内に、アース電極７
０と電気的に絶縁され、かつ出力用電極４２と電気的に
接続される出力端子５２を形成する。

【０１１４】以上のように構成した本実施例において、
共振素子２１〜２３、電極３１〜３３、入力用電極４
１、出力用電極４２、結合電極９１、および内部アース
電極８１、８２の空間的な構成を、平面図、そのＸ−Ｘ
線断面図、およびそのＹ−Ｙ線断面図で示せばそれぞれ
図２８、図２９、図３０に示す如くである。共振素子２
１、２２と入力用電極４１との間に誘電体層１６を挟ん
で重なり部分があって、誘電体層１６を含む重なり部分
において静電結合された状態となっている。この静電容
量をそれぞれ、静電容量４０１、４０３とする。また、
共振素子２３、２２と結合電極９１との間にも誘電体層
１１を挟んで重なり部分があって、誘電体層１１を含む
重なり部分において静電結合された状態となっている。
この静電容量をそれぞれ、静電容量１１６、１１７とす
る。さらに、結合電極９１と出力用電極４２との間にも
誘電体層１８を挟んで重なり部分があって、誘電体層１
１を含む重なり部分において静電結合された状態となっ
ている。この静電容量を静電容量１１５とする。

【０１１５】また、共振素子２１、２２、２３の開放端
と電極３１、３２、３３との間にはそれぞれ静電容量１
２１、１２２、１２３が形成されている。さらに、共振
素子２１と内部アース電極８１、８２との間には静電容
量１４１、１４２がそれぞれ形成され、共振素子２２と
内部アース電極８１、８２との間には静電容量１４３、
１４４がそれぞれ形成され、共振素子２３と内部アース
電極８１、８２との間には静電容量１４５、１４６がそ
れぞれ形成されている。そして、これらの静電容量１２
１〜１２３、１４１〜１４６が存在することによって、
共振素子２１、２２、２３はインダクタンス４１１、４
１２でそれぞれ結合されている。

【０１１６】上記のように、共振素子２１〜２３、電極
３１〜３３、入力用電極４１および出力用電極４２、結
合電極９１および内部アース電極８１、８２から構成さ
れるフィルタの電気的な等価回路は図３１に示すように
なる。図３１におけるインダクタンス４１１、静電容量
４０１、および静電容量４０３をΔ−Ｙ変換すれば図３
２における入力側静電容量１１１、結合静電容量１１３
および共振素子２１と直列接続されるインダクタンス１
３１となる。また、本実施例のような構成においては、
静電容量１１６、１１７、１１５によって、インダクタ
ンス４１２を吸収することができて、共振素子２２と２
３の結合は容量性となる。その静電容量を図３２におい
ては静電容量１１８で示してある。

【０１１７】このように、上記構成のフィルタにおいて
は、等価的に、共振素子２１に直列にインダクタンス１
３１が接続された状態となって、バンドパスフィルタの
通過帯域の高域側に減衰ピークを生じさせる。また、共
振素子２３には、等価的に、静電容量１１６が直列に接
続された状態となって、バンドパスフィルタの通過帯域
の低域側に減衰ピークを生じさせる。

【０１１８】このように、入力側においては共振素子２
１、２２間のインダクタンス４１１を利用して高域側に
減衰ピークを設けているのに対して、出力側において
は、共振素子２２、２３と結合電極９１間の静電容量１
１７、１１６によって結合させているから、共振素子２
３、２２間のインダクタンス４１２は、静電容量１１
７、１１６に対して小さくしておくことが必要となる。
そこで、本実施例においては、共振素子２３、２２間の
間隔を共振素子２１、２２間の間隔よりも大きくして、
インダクタンス４１２を小さくしている。

【０１１９】なお、高域側の減衰ピークが生ずる周波数
は静電容量４０３によって変動する。しかしながら、静
電容量４０３は、誘電体層１６の厚さを一定とすれば、
誘電体層１６を挟んで共振素子３２と入力用電極４１と
の対向面積によって設定される一方、共振素子２２の幅
および入力用電極４１の幅の設定は比較的容易であるか
ら、共振素子２２と入力用電極４１との対向面積をばら
つきなく設定することも容易である。従って、本実施例
においても、この対向面積をばらつきなく設定すること
によって高域側の減衰ピークが生ずる周波数のばらつき
を抑制することができる。

【０１２０】さらにまた、本実施例においても、図２７
に示すように入力用電極４１の幅を共振素子２２と対向
する部分を含む所定長にわたって狭く設定してあるた
め、共振素子２２との間に位置ずれが生じても共振素子
２２と入力用電極４１との対向面積のばらつきは殆どな
く、この結果静電容量４０３の変化は少なくて済む。こ
のため、本実施例においても、入力用電極４１の幅を共
振素子２２と対向する部分を含む所定長にわたって狭く
設定せずに同じ容量値の静電容量を形成した場合（図７
（ａ）参照）よりも、減衰ピークが生ずる周波数の変動
がさらに少なくて済むことになる。

【０１２１】また、低域側の減衰ピークが生じる周波数
は共振素子２３に直列接続される静電容量１１６によっ
て変動する。しかしながら、誘電体層１１の厚さを一定
とすれば、誘電体層１１を挟んで共振素子２３と対向す
る結合電極９１の面積を設定することによって、共振素
子２３に直列接続される静電容量１１６は任意に設定す
ることができることになる。さらに、図３３（ａ）およ
び（ｂ）に示すように共振素子２１の幅よりも拾い範囲
にわたって、結合電極９１の幅を一定に設定することに
よって共振素子２１と結合電極９１との相対位置にずれ
が生じても静電容量１１６に変化はなく、製作時に共振
素子２１と結合電極９１との相対位置の設定がさらに容
易となる。したがって、本実施例の積層型誘電体フィル
タの低域側遮断特性にばらつきが生ずることもなくな
る。

【０１２２】また、インダクタンス４１１は共振素子２
１、２２間の誘導結合で得られ、静電容量４０１、４０
３は誘電体層１６と共振素子２１、２２と入力用電極４
１とによって得られ、静電容量１１７、１１６は誘電体
層１１と共振素子２２、２３と結合電極９１とによって
得られ、静電容量１１５は誘電体層１８と結合電極９１
と出力用電極４２とによって得られるため、別途部品を
必要とせず、小型化が可能となる。

【０１２３】また、本実施例において用いられた内部ア
ース電極８１、８２の作用・効果は第１乃至第６の実施
例と同一である。すなわち、内部アース電極８１、８２
によって、共振素子２１〜２３同士がより強く結合する
ようになり、フィルタ特性の広帯域化が図られるように
なる。また、共振周波数を同一とすれば、共振素子２１
〜２３の長さもより短くなり、積層型誘電体フィルタの
全体の長さも短くなる。

【０１２４】また、本実施例においても、入力用電極４
１と出力用電極４２とは共振素子２１〜２３によって静
電的に遮蔽された状態となる。従って、入力用電極４１
と出力用電極４２との間の浮遊容量は殆どなくなる。こ
の結果、バンドパスフィルタの周波数特性の急峻度も向
上する。

【０１２５】次に、本実施例の積層型誘電体フィルタの
製造方法について説明する。本実施例においても、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用い、銀ペ
ーストを導体ペーストとして図２７に示した導体パター
ンをそれぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印
刷されたグリーンシートの厚みを調整するため必要なグ
リーンシートを重ねて図２７の構造となるように重ね、
積層した後、９００℃で焼成した。

【０１２６】上記のように構成した積層型誘電体フィル
タ本体の両主面、すなわち誘電体層１４の全裏面対応面
および誘電体層１３の前面対応面、入力端子部６１、出
力端子部６２を除く側面に図２に示すように銀電極から
なるアース電極７０を印刷し、さらにアース電極７０か
ら電気的に絶縁し、かつ入力用電極４１、出力用電極４
２に各別に電気的に接続する銀電極を入力端子部６１、
出力端子部６２内に入力端子５１、出力端子５２として
印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけた。

【０１２７】上記の積層型誘電体フィルタにおいて、各
共振素子２１〜２３の幅ｗ₁ を０．８ｍｍ、共振素子２
１、２２間の間隔ｓ₁ を１．２ｍｍ、共振素子２２、２
３間の間隔ｓ₄ を２．０ｍｍ、共振素子２１〜２３の長
さｌ₁ を４ｍｍ、電極３１〜３３の幅ｗ₂ を０．８ｍ
ｍ、電極３１〜３３の長さｌ₂ を０．７ｍｍ、電極３
１、３２の間隔ｓ₂ を１．２ｍｍ、電極３２、３３の間
隔ｓ₅ を２．０ｍｍ、共振素子２１〜２３とそれらにそ
れぞれ対向する電極３１〜３３との間隔ｓ₃ を０．３ｍ
ｍとし、入力用電極４１と共振素子２１との対向面積を
０．６４ｍｍ² 、結合電極９１と共振素子２３、２２と
の対向面積をそれぞれ１．１２ｍｍ² 、０．４ｍｍ² 、
出力用電極４２と結合電極９１との対向面積を０．９ｍ
ｍ² 、誘電体層１４、１５、１８、１１、１６、１７、
１３の厚さをそれぞれ１．３ｍｍ、０．２ｍｍ、０．２
ｍｍ、０．２ｍｍ、０．２ｍｍ、０．２ｍｍ、１．５ｍ
ｍとし、内部アース電極８１、８２の幅ｗ₃ を１．４ｍ
ｍ、内部アース電極８１、８２の長さｌ₃ を６．２ｍ
ｍ、内部アース電極８１と各共振素子２１〜２３との対
向面積をそれぞれ０．３２ｍｍ² 、内部アース電極８２
と各共振素子２１〜２３との対向面積をそれぞれ０．３
２ｍｍ² 、各共振素子２１〜２３が内部アース電極８
１、８２より露出する長さｌ₄ を３．６ｍｍとしたと
き、外形形状は３．８ｍｍ×５．０ｍｍ×７．２ｍｍで
あり、中心周波数は１４８０ＭＨｚ、帯域幅は８０ＭＨ
ｚ、挿入損失は２．４ｄＢ以下であった。さらに高域側
の減衰ピークの周波数は１７２０ＭＨｚであり、そのと
きの減衰量は６０ｄＢであった。また低域側の減衰ピー
クの周波数は１２９０ＭＨｚであり、そのときの減衰量
は６５ｄＢであった。このフィルタを３０個作ったと
き、高域側の減衰ピークの周波数のばらつきは標準偏差
が５ＭＨｚであり、低域側の減衰ピークの周波数のばら
つきは標準偏差が４ＭＨｚであった。

【０１２８】比較のために、この第７の実施例において
使用したグリーンシートを用いて、誘電体層１８上には
結合電極９１は設けず、誘電体層１５上に設ける出力用
電極４２を直接共振素子２３のみと対向させ（対向面積
０．５ｍｍ² ）、他は第７の実施例と同様に構成した場
合（比較例５）、中心周波数１４８０ＭＨｚ、帯域幅は
８３ＭＨｚ、挿入損失は２．４ｄＢ以下であった。ま
た、高域側の減衰ピークの周波数は１７１０ＭＨｚであ
り、そのときの減衰量は５５ｄＢであった。但し、この
場合は、低域側の減衰ピークは存在せず、中心周波数か
ら２５０ＭＨｚ低い周波数点での減衰量は３５ｄＢであ
った。このように第７の実施例によって低域側の減衰特
性も改善されていることがわかる。

【０１２９】また、本実施例の入力用電極４１を出力端
子５２に接続し、出力用電極４２を入力端子５１に接続
しても、本実施例と同等な特性が得られた。

【０１３０】また、本実施例においても、共振素子数が
３個を超えてもよく、例えば共振素子２２と２３との間
に共振素子２４を設け、共振素子２２と共振素子２４と
の結合を誘導結合とした場合は、電気的な等価回路は図
３４に示す如くになって、共振素子２２と共振素子２４
とはインダクタンス４１４によって接続された回路とな
る。この場合においても上記した本実施例の場合と同様
の作用をする。

【０１３１】また、共振素子２２と共振素子２４との結
合を容量結合とした場合は、図３５に示すように、電気
的な等価回路は、図３４のインダクタンス４１４に代わ
って静電容量４１５によって共振素子２２と共振素子２
４とが接続された状態となるが、この場合でも上記した
本実施例と同様の作用をする。

【０１３２】なお、共振素子が４以上のときは、共振素
子２１と２２の結合は誘導結合であり、共振素子２４と
２３との結合は容量結合性であることを必要とするが、
共振素子２２と共振素子２４との結合は誘導結合であっ
ても、容量結合であっても差し支えない。

【０１３３】また、以上各実施例においては、内部アー
ス電極８１、８２が入力用電極４１、出力用電極４２お
よび結合電極９１と対向しない場合を例示したが、内部
アース電極８１、８２が入力用電極４１、出力用電極４
２および結合電極９１のいずれか、あるいはすべてと対
向して重なった場合であっても本発明は適用できる。

【０１３４】

【発明の効果】本発明においては、誘電体層を挟んで共
振素子と対向して設けられたアース電極と前記共振素子
との間の誘電体層中に、共振素子の一部と対向して内部
アース電極を設けているから、積層型誘電体フィルタを
広帯域化できるとともに小型化できる。

【０１３５】また、誘電体層を挟んで入力端側共振素子
の一部と前記出力端側共振素子の一部とに対向して入力
電極または出力電極のいずれか一方とを設け、または、
誘電体層を挟んで入力端側共振素子または出力端側共振
素子のいずれか一方の一部および入力端側共振素子また
は出力端側共振素子のいずれか一方に最隣接する内部共
振素子の一部とに対向して入力電極または出力電極のい
ずれか一方を設けているから、バンドパスフィルタの通
過帯域の高域側に減衰ピークが生じ、高域側の減衰特性
が改善される。

【０１３６】また、入力端側共振素子または出力端側共
振素子のいずれか一方および入力端側共振素子または出
力端側共振素子のいずれか一方に最隣接する内部共振素
子とに誘電体層を挟んで対向して結合電極を設け、この
結合電極の一部に誘電体層を挟んで入力電極または出力
電極の一方を設けているから、バンドパスフィルタの通
過帯域の低域側に減衰ピークが生じ、低域側の減衰特性
が改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の模式展開図である。

【図２】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の主要部の構成を示す平面図である。

【図４】図３のＸ−Ｘ線断面図である。

【図５】図３に示したフィルタの等価回路図である。

【図６】図５の回路の等価回路図である。

【図７】共振素子と入力用電極および出力用電極との位
置関係を説明するための平面図である。

【図８】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の主要部の構成を示す平面図である。

【図９】図８のＹ−Ｙ線断面図である。

【図１０】図８に示したフィルタの等価回路図である。

【図１１】コムライン型の共振素子を説明するための図
である。

【図１２】図１１の配線の等価回路図である。

【図１３】図１２の等価回路図における分布定数素子３
２３のインピーダンスのリアクタンスと電気長との関係
を示す図である。

【図１４】比較例２の積層型誘電体フィルタの主要部の
構成を示す平面図である。

【図１５】本発明の第２の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す平面図である。

【図１６】本発明の第３の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す平面図である。

【図１７】本発明の第４の実施例の積層型誘電体フィル
タの模式展開図である。

【図１８】本発明の第４の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す平面図である。

【図１９】図１８のＸ−Ｘ線断面図である。

【図２０】図１８のＹ−Ｙ線断面図である。

【図２１】図１８に示したフィルタの等価回路図であ
る。

【図２２】比較例４の積層型誘電体フィルタの主要部の
構成を示す平面図である。

【図２３】本発明の第５の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す平面図である。

【図２４】本発明の第６の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す平面図である。

【図２５】本発明の第１の実施例において、共振素子数
を増加した場合の等価回路図である。

【図２６】本発明の第１の実施例において、共振素子数
を増加した場合の等価回路図である。

【図２７】本発明の第７の実施例の積層型誘電体フィル
タの模式展開図である。

【図２８】本発明の第７の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す平面図である。

【図２９】図２８のＸ−Ｘ線断面図である。

【図３０】図２８のＹ−Ｙ線断面図である。

【図３１】図２８に示したフィルタの等価回路図であ
る。

【図３２】図２８の回路の等価回路図である。

【図３３】本発明の第７の実施例において、結合電極と
共振素子との位置関係を説明するための平面図である。

【図３４】本発明の第７の実施例において、共振素子数
を増加した場合の等価回路図である。

【図３５】本発明の第７の実施例において、共振素子数
を増加した場合の等価回路図である。

【図３６】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの模式展開図である。

【図３７】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの斜視図である。

【図３８】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの等価回路図である。

【符号の説明】

１１、１３〜１７…誘電体層 ２１〜２３…共振素子 ３１〜３３…電極 ４１…入力用電極 ４２…出力用電極 ８１、８２…内部アース電極

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】入力端側共振素子と、 出力端側共振素子と、 前記入力端側共振素子の第１の主面および前記出力端側
   共振素子の第１の主面に対向し、前記入力端側共振素子
   および前記出力端側共振素子との間に第１の誘電体層を
   挟んで設けられた第１のアース電極と、 前記入力端側共振素子および前記出力端側共振素子と前
   記第１のアース電極との間の前記第１の誘電体層中に、
   前記入力端側共振素子の前記第１の主面の一部および前
   記出力端側共振素子の前記第１の主面の一部に対向して
   設けられた第１の内部アース電極と、 前記入力端側共振素子および前記出力端側共振素子と前
   記第１のアース電極との間の前記第１の誘電体層中に、
   前記入力端側共振素子の一部と前記出力端側共振素子の
   一部とに対向して設けられた入力電極または出力電極の
   いずれか一方と、 を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】入力端側共振素子と、 出力端側共振素子と、 前記入力端側共振素子と前記出力端側共振素子との間に
   並設された１以上の内部共振素子と、 前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出力端側共振
   素子の第１の主面および前記内部共振素子の第１の主面
   に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素
   子および前記内部共振素子との間に第１の誘電体層を挟
   んで設けられた第１のアース電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の
   主面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の
   一部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に
   対向して設けられた第１の内部アース電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記入力端側共振素子または前記出
   力端側共振素子のいずれか一方の一部および前記入力端
   側共振素子または前記出力端側共振素子の前記いずれか
   一方に最隣接する前記内部共振素子の一部とに対向して
   設けられた入力電極または出力電極のいずれか一方と、 を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
3. 【請求項３】入力端側共振素子と、 出力端側共振素子と、 前記入力端側共振素子の第１の主面および前記出力端側
   共振素子の第１の主面に対向し、前記入力端側共振素子
   および前記出力端側共振素子との間に第１の誘電体層を
   挟んで設けられた第１のアース電極と、 前記入力端側共振素子および前記出力端側共振素子と前
   記第１のアース電極との間の前記第１の誘電体層中に、
   前記入力端側共振素子の前記第１の主面の一部および前
   記出力端側共振素子の前記第１の主面の一部に対向して
   設けられた第１の内部アース電極と、 前記入力端側共振素子の前記第１の主面とは反対側の第
   ２の主面の一部と、前記出力端側共振素子の前記第１の
   主面とは反対側の第２の主面の一部とに対向し、前記入
   力端側共振素子および前記出力端側共振素子との間に第
   ２の誘電体層を挟んで設けられた入力電極または出力電
   極のいずれか一方と、 を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
4. 【請求項４】入力端側共振素子と、 出力端側共振素子と、 前記入力端側共振素子と前記出力端側共振素子との間に
   並設された１以上の内部共振素子と、 前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出力端側共振
   素子の第１の主面および前記内部共振素子の第１の主面
   に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素
   子および前記内部共振素子との間に第１の誘電体層を挟
   んで設けられた第１のアース電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の
   主面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の
   一部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に
   対向して設けられた第１の内部アース電極と、 前記入力端側共振素子または前記出力端側共振素子のい
   ずれか一方の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の
   一部および前記入力端側共振素子または前記出力端側共
   振素子の前記いずれか一方に最隣接する前記内部共振素
   子の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の一部とに
   対向し、前記入力端側共振素子または前記出力端側共振
   素子の前記いずれか一方および前記入力端側共振素子ま
   たは前記出力端側共振素子の前記いずれか一方に最近接
   する前記内部共振素子との間に第２の誘電体層を挟んで
   設けられた入力電極または出力電極のいずれか一方と、 を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
5. 【請求項５】入力端側共振素子と、 出力端側共振素子と、 前記入力端側共振素子と前記出力端側共振素子との間に
   並設された１以上の内部共振素子と、 前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出力端側共振
   素子の第１の主面および前記内部共振素子の第１の主面
   に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素
   子および前記内部共振素子との間に第１の誘電体層を挟
   んで設けられた第１のアース電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の
   主面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の
   一部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に
   対向して設けられた第１の内部アース電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記入力端側共振素子または前記出
   力端側共振素子のいずれか一方の一部および前記入力端
   側共振素子または前記出力端側共振素子の前記いずれか
   一方に最隣接する前記内部共振素子の一部とに対向して
   設けられた結合電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記結合電極の一部に対向して設け
   られた入力電極または出力電極のいずれか一方と、 を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
6. 【請求項６】入力端側共振素子と、 出力端側共振素子と、 前記入力端側共振素子と前記出力端側共振素子との間に
   並設された１以上の内部共振素子と、 前記入力端側共振素子の第１の主面、前記出力端側共振
   素子の第１の主面および前記内部共振素子の第１の主面
   に対向し、前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素
   子および前記内部共振素子との間に第１の誘電体層を挟
   んで設けられた第１のアース電極と、 前記入力端側共振素子、前記出力端側共振素子および前
   記内部共振素子と前記第１のアース電極との間の前記第
   １の誘電体層中に、前記入力端側共振素子の前記第１の
   主面の一部、前記出力端側共振素子の前記第１の主面の
   一部および前記内部共振素子の前記第１の主面の一部に
   対向して設けられた第１の内部アース電極と、 前記入力端側共振素子または前記出力端側共振素子のい
   ずれか一方の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の
   一部および前記入力端側共振素子または前記出力端側共
   振素子の前記いずれか一方に最隣接する前記内部共振素
   子の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の一部とに
   対向し、前記入力端側共振素子または前記出力端側共振
   素子の前記いずれか一方および前記入力端側共振素子ま
   たは前記出力端側共振素子の前記いずれか一方に最近接
   する前記内部共振素子との間に第２の誘電体層を挟んで
   設けられた結合電極と、 前記結合電極の一部に対向し、前記結合電極との間に第
   ３の誘電体層を挟んで設けられた入力電極または出力電
   極のいずれか一方と、 を有することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。