JPH11346104A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH11346104A JPH11346104A JP10166361A JP16636198A JPH11346104A JP H11346104 A JPH11346104 A JP H11346104A JP 10166361 A JP10166361 A JP 10166361A JP 16636198 A JP16636198 A JP 16636198A JP H11346104 A JPH11346104 A JP H11346104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- layer
- filter
- dielectric constant
- constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20336—Comb or interdigital filters
- H01P1/20345—Multilayer filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/18—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type built-up from several layers to increase operating surface, i.e. alternately conductive and dielectric layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 挿入損失の少ない安価な誘電体フィルタを提
供することにある。 【解決手段】 本発明による誘電体フィルタは、互いに
電磁結合される少なくとも一対のストリップライン共振
器電極（２０、２５）を含む第１の誘電体層（１０d〜
１０i）と、この第１の誘電体層を挟んで対向すると共
に各々が少なくとも１つのシールド電極（１４、２９）
を含み且つ略等しい誘電率Ｋ１を持つ第２及び第３の誘
電体層（１０a、１０b及び１０k、１０l）とを有してな
る誘電体フィルタ（１０）において、第１の誘電体層と
第２の誘電体層との間、及び第１の誘電体層と第３の誘
電体層との間に、互いに略等しい誘電率Ｋ２を持つ第４
及び第５の誘電体層（１０c及び１０j）を各々介挿し、
これら第４及び第５の誘電体層の誘電率Ｋ２を、第２及
び第３の誘電体層の誘電率Ｋ１並びに第１の誘電体層の
誘電率Ｋ３の何れよりも小さくしたことを特徴とする。
供することにある。 【解決手段】 本発明による誘電体フィルタは、互いに
電磁結合される少なくとも一対のストリップライン共振
器電極（２０、２５）を含む第１の誘電体層（１０d〜
１０i）と、この第１の誘電体層を挟んで対向すると共
に各々が少なくとも１つのシールド電極（１４、２９）
を含み且つ略等しい誘電率Ｋ１を持つ第２及び第３の誘
電体層（１０a、１０b及び１０k、１０l）とを有してな
る誘電体フィルタ（１０）において、第１の誘電体層と
第２の誘電体層との間、及び第１の誘電体層と第３の誘
電体層との間に、互いに略等しい誘電率Ｋ２を持つ第４
及び第５の誘電体層（１０c及び１０j）を各々介挿し、
これら第４及び第５の誘電体層の誘電率Ｋ２を、第２及
び第３の誘電体層の誘電率Ｋ１並びに第１の誘電体層の
誘電率Ｋ３の何れよりも小さくしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば携帯電話
機等の高周波無線機器に用いて好適な誘電体フィルタに
係り、特に複数の電極を含む誘電体層を積層してなる小
型のチップ状誘電体フィルタに関する。
機等の高周波無線機器に用いて好適な誘電体フィルタに
係り、特に複数の電極を含む誘電体層を積層してなる小
型のチップ状誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば携帯電話機或いはその他の携帯無
線通信機器等に用いられる高周波フィルタには、益々小
型化が要求されているが、この種の高周波フィルタは優
れた周波数選択度と低挿入損失特性をも満たす必要があ
る。このような要求を満たす高周波フィルタとして、従
来、内部に共振器用のストリップライン電極を配してな
る積層型セラミック誘電体フィルタ（ストリップライン
フィルタ）が提案されている（例えば、ＰＣＴ国際公開
第WO 96/19843号及び特開平７−３１２５０３参照）。
この種の誘電体フィルタの利点 は、使用されるセラミ
ック誘電体の誘電率が高いため扱う信号の実効波長が短
くなり、これにより、必要とされる共振器の長さが短く
て済むのでフィルタの寸法を小さくすることができ、ま
た挿入損失も比較的少ない等の点にある。
線通信機器等に用いられる高周波フィルタには、益々小
型化が要求されているが、この種の高周波フィルタは優
れた周波数選択度と低挿入損失特性をも満たす必要があ
る。このような要求を満たす高周波フィルタとして、従
来、内部に共振器用のストリップライン電極を配してな
る積層型セラミック誘電体フィルタ（ストリップライン
フィルタ）が提案されている（例えば、ＰＣＴ国際公開
第WO 96/19843号及び特開平７−３１２５０３参照）。
この種の誘電体フィルタの利点 は、使用されるセラミ
ック誘電体の誘電率が高いため扱う信号の実効波長が短
くなり、これにより、必要とされる共振器の長さが短く
て済むのでフィルタの寸法を小さくすることができ、ま
た挿入損失も比較的少ない等の点にある。
【０００３】ところで、上記のような高誘電率誘電体材
料を用いる誘電体フィルタにおいては、その製造コスト
は、使用される誘電体材料の価格により大きく左右され
る。従って、この種の誘電体フィルタの製造コストを低
減する方法として、フィルタ自体の寸法を更に小さくす
ることにより、使用される誘電体材料の量を減少させる
ことが考えられる。しかしながら、フィルタの寸法は当
該フィルタの周波数特性（特に中心周波数）に直接関わ
るものであるから、このようなフィルタの小型化による
製造コストの低減には自ずと限界がある。
料を用いる誘電体フィルタにおいては、その製造コスト
は、使用される誘電体材料の価格により大きく左右され
る。従って、この種の誘電体フィルタの製造コストを低
減する方法として、フィルタ自体の寸法を更に小さくす
ることにより、使用される誘電体材料の量を減少させる
ことが考えられる。しかしながら、フィルタの寸法は当
該フィルタの周波数特性（特に中心周波数）に直接関わ
るものであるから、このようなフィルタの小型化による
製造コストの低減には自ずと限界がある。
【０００４】この種の誘電体フィルタの製造コストを低
減させる他の方法として、使用される高誘電率誘電体材
料自体の価格を低減することが考えられる。しかしなが
ら、フィルタの遮断特性或いは挿入損失等の特性を決定
することになる高誘電体材料には、誘電率及び誘電損失
等の値が正確に調整されたものを使用する必要があるた
め、その低価格化には自ずと限界がある。
減させる他の方法として、使用される高誘電率誘電体材
料自体の価格を低減することが考えられる。しかしなが
ら、フィルタの遮断特性或いは挿入損失等の特性を決定
することになる高誘電体材料には、誘電率及び誘電損失
等の値が正確に調整されたものを使用する必要があるた
め、その低価格化には自ずと限界がある。
【０００５】
【発明の目的及び概要】従って、本発明の一つの目的は
小型の誘電体フィルタであって、製造コストが低減され
たフィルタを提供することにある。
小型の誘電体フィルタであって、製造コストが低減され
たフィルタを提供することにある。
【０００６】また、本発明の他の目的は上記のような誘
電体フィルタであって、通過帯域における挿入損失の低
減された誘電体フィルタを提供することにある。
電体フィルタであって、通過帯域における挿入損失の低
減された誘電体フィルタを提供することにある。
【０００７】また、本発明の更に他の目的は、上記のよ
うな誘電体フィルタであって、禁止帯域における減衰に
優れた誘電体フィルタを提供することにある。
うな誘電体フィルタであって、禁止帯域における減衰に
優れた誘電体フィルタを提供することにある。
【０００８】また、本発明の更に他の目的は、上記のよ
うな誘電体フィルタであって、周囲の電磁的影響を受け
にくい誘電体フィルタを提供することにある。
うな誘電体フィルタであって、周囲の電磁的影響を受け
にくい誘電体フィルタを提供することにある。
【０００９】上記目的を達成するため、本発明による誘
電体フィルタは、互いに電磁結合される少なくとも一対
のストリップライン共振器電極を含む第１の誘電体層
と、該第１の誘電体層を挟んで対向すると共に各々が少
なくとも１つのシールド電極を含み且つ略等しい誘電率
Ｋ１を持つ第２及び第３の誘電体層とを有してなる誘電
体フィルタにおいて、第１の誘電体層と第２の誘電体層
との間、及び第１の誘電体層と第３の誘電体層との間
に、互いに略等しい誘電率Ｋ２を持つ第４及び第５の誘
電体層を各々介挿し、これら第４及び第５の誘電体層の
誘電率Ｋ２を、第２及び第３の誘電体層の誘電率Ｋ１並
びに第１の誘電体層の誘電率Ｋ３の何れよりも小さくし
たことを特徴としている。この場合、誘電率Ｋ２は誘電
率Ｋ１及びＫ３のうちの小さい方の少なくとも約１／３
以下であることが望ましい。
電体フィルタは、互いに電磁結合される少なくとも一対
のストリップライン共振器電極を含む第１の誘電体層
と、該第１の誘電体層を挟んで対向すると共に各々が少
なくとも１つのシールド電極を含み且つ略等しい誘電率
Ｋ１を持つ第２及び第３の誘電体層とを有してなる誘電
体フィルタにおいて、第１の誘電体層と第２の誘電体層
との間、及び第１の誘電体層と第３の誘電体層との間
に、互いに略等しい誘電率Ｋ２を持つ第４及び第５の誘
電体層を各々介挿し、これら第４及び第５の誘電体層の
誘電率Ｋ２を、第２及び第３の誘電体層の誘電率Ｋ１並
びに第１の誘電体層の誘電率Ｋ３の何れよりも小さくし
たことを特徴としている。この場合、誘電率Ｋ２は誘電
率Ｋ１及びＫ３のうちの小さい方の少なくとも約１／３
以下であることが望ましい。
【００１０】上記のような構成を有する誘電体フィルタ
は、第４及び第５の誘電体層をガラス等を多く含むセラ
ミック材料、又はラッカ等の安価な低誘電率誘電体材料
を用いて形成することができるので、全誘電体層を高価
な高誘電率誘電体材料により形成するフィルタに較べて
安価に製造することができる。尚、誘電体フィルタを高
誘電率誘電体層と低誘電率誘電体層とを用いて構成する
こと自体は、例えば特開平９−２１４２０４にも開示さ
れているが、このような誘電体フィルタにおける低誘電
率誘電体層は本発明におけるように、高誘電率誘電体層
の間に介挿されているものではない。尚、本発明誘電体
フィルタにおける誘電率Ｋ１とＫ３との関係は、Ｋ１＝
Ｋ３、Ｋ１＞Ｋ３又はＫ１＜Ｋ３の何れでもよいが、Ｋ
１＝Ｋ３とするのが、使用される誘電体材料の種類が少
なくて済む点で好ましい。この場合、或る利用分野のフ
ィルタにおいては、典型的にはＫ１及びＫ３として７０
ないし１００なる比誘電率を選択し、Ｋ２として５ない
し２５なる比誘電率を選択するとよい。
は、第４及び第５の誘電体層をガラス等を多く含むセラ
ミック材料、又はラッカ等の安価な低誘電率誘電体材料
を用いて形成することができるので、全誘電体層を高価
な高誘電率誘電体材料により形成するフィルタに較べて
安価に製造することができる。尚、誘電体フィルタを高
誘電率誘電体層と低誘電率誘電体層とを用いて構成する
こと自体は、例えば特開平９−２１４２０４にも開示さ
れているが、このような誘電体フィルタにおける低誘電
率誘電体層は本発明におけるように、高誘電率誘電体層
の間に介挿されているものではない。尚、本発明誘電体
フィルタにおける誘電率Ｋ１とＫ３との関係は、Ｋ１＝
Ｋ３、Ｋ１＞Ｋ３又はＫ１＜Ｋ３の何れでもよいが、Ｋ
１＝Ｋ３とするのが、使用される誘電体材料の種類が少
なくて済む点で好ましい。この場合、或る利用分野のフ
ィルタにおいては、典型的にはＫ１及びＫ３として７０
ないし１００なる比誘電率を選択し、Ｋ２として５ない
し２５なる比誘電率を選択するとよい。
【００１１】上記構成の本発明誘電体フィルタによれ
ば、共振器電極を含む誘電率Ｋ３の第１の誘電体層の層
方向外側に該第１の誘電体層におけるよりも低い誘電率
Ｋ２の第４及び第５の誘電体層が位置しているので、共
振器電極の周囲の電界は第４及び第５の誘電体層が高誘
電率のものである場合に較べて第１の誘電体層中に、と
りわけ両共振器電極の間に、集中する。この場合、誘電
率Ｋ２が誘電率Ｋ３に較べて低ければ低いほど、上記電
界は第１の誘電体層中に集中する。このような電界の集
中の結果、両共振器電極の間の電界は一層真っ直ぐなも
のになる（即ち、共振器電極の縁部から外方に湾曲して
はみ出す電界が少なくなる）。この結果、共振器電極間
の電界は、これら電極の縁部に偏ることなく電極間で一
層一様なものになるから、通常共振器電極の縁部への電
界の偏りに起因する伝導損が減少することになり、これ
により当該フィルタの通過帯域における挿入損失は減少
する。同様の理由により、当該フィルタのＱ値は改善さ
れ、また遮断帯域における減衰量も増加する。
ば、共振器電極を含む誘電率Ｋ３の第１の誘電体層の層
方向外側に該第１の誘電体層におけるよりも低い誘電率
Ｋ２の第４及び第５の誘電体層が位置しているので、共
振器電極の周囲の電界は第４及び第５の誘電体層が高誘
電率のものである場合に較べて第１の誘電体層中に、と
りわけ両共振器電極の間に、集中する。この場合、誘電
率Ｋ２が誘電率Ｋ３に較べて低ければ低いほど、上記電
界は第１の誘電体層中に集中する。このような電界の集
中の結果、両共振器電極の間の電界は一層真っ直ぐなも
のになる（即ち、共振器電極の縁部から外方に湾曲して
はみ出す電界が少なくなる）。この結果、共振器電極間
の電界は、これら電極の縁部に偏ることなく電極間で一
層一様なものになるから、通常共振器電極の縁部への電
界の偏りに起因する伝導損が減少することになり、これ
により当該フィルタの通過帯域における挿入損失は減少
する。同様の理由により、当該フィルタのＱ値は改善さ
れ、また遮断帯域における減衰量も増加する。
【００１２】一方、上記構成の本発明誘電体フィルタに
よれば、シールド電極を含む第２及び第３の誘電体層の
誘電率Ｋ１も、これら誘電体層に隣接する第４及び第５
の誘電体層の誘電率Ｋ２よりも大きく設定されている。
この結果、シールド電極の周囲の電界が当該電極の縁
部、即ち当該フィルタの側面部、に広がるのが防止さ
れ、これにより当該フィルタの特性は側面外部の電磁的
影響を受けにくくなる。
よれば、シールド電極を含む第２及び第３の誘電体層の
誘電率Ｋ１も、これら誘電体層に隣接する第４及び第５
の誘電体層の誘電率Ｋ２よりも大きく設定されている。
この結果、シールド電極の周囲の電界が当該電極の縁
部、即ち当該フィルタの側面部、に広がるのが防止さ
れ、これにより当該フィルタの特性は側面外部の電磁的
影響を受けにくくなる。
【００１３】また、本発明による上記誘電体フィルタに
おいては、前記一対のストリップライン共振器電極を、
第１の誘電体層内における層厚方向に互いに離隔した平
行な面上に各々設けるか、又は第１の誘電体層内におけ
る該層と平行に延在する単一の面上に互いに所定離隔し
て設けてもよい。更に、当該誘電体フィルタにおいて
は、第１の誘電体層に、前記一対のストリップライン共
振器電極の各々と容量結合される容量電極、又は前記一
対のストリップライン共振器電極の間の電磁結合を調整
するための同調用電極の少なくとも何れか一方を更に設
けてもよい。
おいては、前記一対のストリップライン共振器電極を、
第１の誘電体層内における層厚方向に互いに離隔した平
行な面上に各々設けるか、又は第１の誘電体層内におけ
る該層と平行に延在する単一の面上に互いに所定離隔し
て設けてもよい。更に、当該誘電体フィルタにおいて
は、第１の誘電体層に、前記一対のストリップライン共
振器電極の各々と容量結合される容量電極、又は前記一
対のストリップライン共振器電極の間の電磁結合を調整
するための同調用電極の少なくとも何れか一方を更に設
けてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による誘電体フィル
タの実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
タの実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】図１に示す本発明の第１実施例による誘電
体フィルタ１０は、各々が所定厚さを持つ平面視方形の
１２の誘電体層１０a〜１０lを有してなるブロック型
（チップ状）フィルタである。このフィルタ１０におけ
る対向する一対の側面（図１における手前側及び奥側の
側面）上にはこれら側面の略全面を覆う接地端子用電極
１１a及び１１bが各々設けられ、他の一対の側面（図１
における左右の側面）上にはこれら各側面の略中央部に
当該フィルタ１０の厚さ方向に延びる帯状の入／出力端
子用電極１２a及び１２bが各々設けられている。
体フィルタ１０は、各々が所定厚さを持つ平面視方形の
１２の誘電体層１０a〜１０lを有してなるブロック型
（チップ状）フィルタである。このフィルタ１０におけ
る対向する一対の側面（図１における手前側及び奥側の
側面）上にはこれら側面の略全面を覆う接地端子用電極
１１a及び１１bが各々設けられ、他の一対の側面（図１
における左右の側面）上にはこれら各側面の略中央部に
当該フィルタ１０の厚さ方向に延びる帯状の入／出力端
子用電極１２a及び１２bが各々設けられている。
【００１６】本誘電体フィルタ１０における一方の面
（図１における上面）側に位置する誘電体層１０aは保
護用の目的で設けられている。この誘電体層１０aに隣
接する誘電体層１０bの層１０a側の面上には、対向する
２つの辺（図では短辺）に沿う帯状の余白部１３、１３
を除いて略全面を覆い、他の２辺において電極１１a及
び１１bと各々接するシールド電極１４が形成されてい
る。余白部１３、１３は、該シールド電極１４が電極１
２a及び１２bと短絡するのを防止するために設けられて
いる。
（図１における上面）側に位置する誘電体層１０aは保
護用の目的で設けられている。この誘電体層１０aに隣
接する誘電体層１０bの層１０a側の面上には、対向する
２つの辺（図では短辺）に沿う帯状の余白部１３、１３
を除いて略全面を覆い、他の２辺において電極１１a及
び１１bと各々接するシールド電極１４が形成されてい
る。余白部１３、１３は、該シールド電極１４が電極１
２a及び１２bと短絡するのを防止するために設けられて
いる。
【００１７】上記誘電体層１０ｂの層１０ａとは反対の
側には、誘電体層１０c及び１０dが順次設けられてい
る。後者の誘電体層１０dに隣接する誘電体層１０eの層
１０d側の面上には、基端が電極１２aに接続され先端側
半部が拡幅された入力電極１６が形成されている。ま
た、この誘電体層１０eの上記面上には電極１１aに接す
る帯状の容量電極１８が形成されている。
側には、誘電体層１０c及び１０dが順次設けられてい
る。後者の誘電体層１０dに隣接する誘電体層１０eの層
１０d側の面上には、基端が電極１２aに接続され先端側
半部が拡幅された入力電極１６が形成されている。ま
た、この誘電体層１０eの上記面上には電極１１aに接す
る帯状の容量電極１８が形成されている。
【００１８】上記誘電体層１０eに隣接する誘電体層１
０fの層１０e側の面上には、第１のストリップライン共
振器として作用する共振器電極２０が形成されている。
この共振器電極２０は、基端が電極１１bに接続された
概ね逆Ｆ字状を呈する変形ＳＩＲ（Stepped Impedance
Resonator）であり、電極１２a寄りに配置されて前記入
力電極１６及び容量電極１８と電磁的及び容量的に各々
結合される。
０fの層１０e側の面上には、第１のストリップライン共
振器として作用する共振器電極２０が形成されている。
この共振器電極２０は、基端が電極１１bに接続された
概ね逆Ｆ字状を呈する変形ＳＩＲ（Stepped Impedance
Resonator）であり、電極１２a寄りに配置されて前記入
力電極１６及び容量電極１８と電磁的及び容量的に各々
結合される。
【００１９】上記誘電体層１０fに隣接する誘電体層１
０gの層１０f側の面上には、基端が電極１１ｂに接続さ
れた帯状の第１の同調用電極２２と、該電極２２の先端
側に電極１１aと平行に且つフローティング状態で配さ
れた第２及び第３の同調用電極２３及び２４が各々形成
されている。
０gの層１０f側の面上には、基端が電極１１ｂに接続さ
れた帯状の第１の同調用電極２２と、該電極２２の先端
側に電極１１aと平行に且つフローティング状態で配さ
れた第２及び第３の同調用電極２３及び２４が各々形成
されている。
【００２０】上記誘電体層１０gに隣接する誘電体層１
０hの層１０g側の面上には、前記層１０f上の電極２０
に対応する共振器電極２５が電極２０に対し図における
左右対称の関係で設けられ、上記誘電体層１０hに隣接
する誘電体層１０iの層１０h側の面上には、前記層１０
e上の電極１６及び１８に各々対応する出力電極２６及
び容量電極２８が、これら電極１６及び１８に対し図に
おける左右対称の関係で各々形成されている。
０hの層１０g側の面上には、前記層１０f上の電極２０
に対応する共振器電極２５が電極２０に対し図における
左右対称の関係で設けられ、上記誘電体層１０hに隣接
する誘電体層１０iの層１０h側の面上には、前記層１０
e上の電極１６及び１８に各々対応する出力電極２６及
び容量電極２８が、これら電極１６及び１８に対し図に
おける左右対称の関係で各々形成されている。
【００２１】上記誘電体層１０iの層１０hとは反対の側
には、誘電体層１０j及び１０kが順次設けられている。
後者の層１０kに隣接する誘電体層１０lの層１０k側の
面上には、前記電極１４と同様のシールド電極２９が形
成されている。層１０lは当該フィルタ１０の他方の面
（図における下面）側の保護層として設けられている。
には、誘電体層１０j及び１０kが順次設けられている。
後者の層１０kに隣接する誘電体層１０lの層１０k側の
面上には、前記電極１４と同様のシールド電極２９が形
成されている。層１０lは当該フィルタ１０の他方の面
（図における下面）側の保護層として設けられている。
【００２２】上記構成のフィルタ１０において、層１０
a、１０b、１０k及び１０lは例えばチタン酸バリウム
（barium titanate）等の高誘電率セラミック材料を主
成分とする誘電率Ｋ１の誘電体層である。また、層１０
c及び１０jは例えばガラス等を多く含む安価な低誘電率
セラミック材料、又はラッカ等からなる誘電率Ｋ２の低
誘電率誘電体層である。更に、層１０dないし１０iは例
えばチタン酸バリウム等の高誘電率セラミック材料を主
成分とする誘電率Ｋ３の誘電体層である。
a、１０b、１０k及び１０lは例えばチタン酸バリウム
（barium titanate）等の高誘電率セラミック材料を主
成分とする誘電率Ｋ１の誘電体層である。また、層１０
c及び１０jは例えばガラス等を多く含む安価な低誘電率
セラミック材料、又はラッカ等からなる誘電率Ｋ２の低
誘電率誘電体層である。更に、層１０dないし１０iは例
えばチタン酸バリウム等の高誘電率セラミック材料を主
成分とする誘電率Ｋ３の誘電体層である。
【００２３】（実験例）比誘電率＝７５（誘電率Ｋ３）
なるチタン酸バリウムを主成分とする高誘電率セラミッ
ク材料からなる各グリーンシート上に、シルク印刷によ
り銀を主成分とする導電ペーストを塗布し乾燥させるこ
とにより電極１４；電極１６及び１８；電極２０；電極
２２、２３及び２４；電極２５；電極２６及び２８；電
極２９を各々形成した。次に、このように上面に電極が
形成された各グリーンシートと、電極が形成されていな
いグリーンシートとを所定枚数づつ組み合わせて誘電体
層１０aないし１０lを各々構成し、次いでこれら各誘電
体層を積層し、プレス及び過熱を同時に行う単一の工程
により焼結処理した後、各側面に電極１１a、１１b、１
２a及び１２bを形成して比較サンプルＡを作成した。こ
の場合、誘電体層１０a及び１０bからなる部分の層厚は
約１００μ、誘電体層１０cの層厚は約４００μ、誘電
体層１０dないし１０iからなる部分の層厚は約７００
μ、誘電体層１０jの層厚は約４００μ、誘電体層１０k
及び１０lからなる部分の層厚は約１００μであった。
なるチタン酸バリウムを主成分とする高誘電率セラミッ
ク材料からなる各グリーンシート上に、シルク印刷によ
り銀を主成分とする導電ペーストを塗布し乾燥させるこ
とにより電極１４；電極１６及び１８；電極２０；電極
２２、２３及び２４；電極２５；電極２６及び２８；電
極２９を各々形成した。次に、このように上面に電極が
形成された各グリーンシートと、電極が形成されていな
いグリーンシートとを所定枚数づつ組み合わせて誘電体
層１０aないし１０lを各々構成し、次いでこれら各誘電
体層を積層し、プレス及び過熱を同時に行う単一の工程
により焼結処理した後、各側面に電極１１a、１１b、１
２a及び１２bを形成して比較サンプルＡを作成した。こ
の場合、誘電体層１０a及び１０bからなる部分の層厚は
約１００μ、誘電体層１０cの層厚は約４００μ、誘電
体層１０dないし１０iからなる部分の層厚は約７００
μ、誘電体層１０jの層厚は約４００μ、誘電体層１０k
及び１０lからなる部分の層厚は約１００μであった。
【００２４】次に、上記と略同様の工程により、誘電体
層１０c及び１０jのみを比誘電率＝５０（誘電率Ｋ２）
なる、ガラスを約２０％添加したチタン酸バリウム誘電
体材料のグリーンシートを用いて構成したものから比較
サンプルＢを作成した。更に、上記と略同様の工程によ
り、誘電体層１０c及び１０jのみを比誘電率＝１５（誘
電率Ｋ２）なる、ガラスを約６０％添加したチタン酸バ
リウム誘電体材料のグリーンシートを用いて構成したも
のから本発明によるサンプルＣを作成した。
層１０c及び１０jのみを比誘電率＝５０（誘電率Ｋ２）
なる、ガラスを約２０％添加したチタン酸バリウム誘電
体材料のグリーンシートを用いて構成したものから比較
サンプルＢを作成した。更に、上記と略同様の工程によ
り、誘電体層１０c及び１０jのみを比誘電率＝１５（誘
電率Ｋ２）なる、ガラスを約６０％添加したチタン酸バ
リウム誘電体材料のグリーンシートを用いて構成したも
のから本発明によるサンプルＣを作成した。
【００２５】上記サンプルＡ、Ｂ及びＣの周波数特性を
測定したところ、図２に示すようになった。この図にお
いて、横軸は入力信号の周波数、縦軸は挿入損失を各々
示し、実線ＡはサンプルＡの周波数特性を、破線Ｂはサ
ンプルＢの周波数特性を、一点鎖線Ｃは本発明によるサ
ンプルＣの周波数特性を各々示している。この図に示す
特性より、本発明によるサンプルＣが、サンプルＡ（従
来のフィルタに相当）よりも、且つ、サンプルＢよりも
優れた特性、即ち通過帯域における一層低減された挿入
損失、遮断帯域における一層大きな減衰及び高いＱ値を
有することが分かる。また、この図に示す特性と、他の
サンプルの特性及び使用されるセラミック材料の価格等
を総合的に検討した結果、Ｋ１及びＫ３としては７０な
いし１００の比誘電率を選択し、Ｋ２としては５ないし
２５の比誘電率を選択するのが望ましいことが判った。
測定したところ、図２に示すようになった。この図にお
いて、横軸は入力信号の周波数、縦軸は挿入損失を各々
示し、実線ＡはサンプルＡの周波数特性を、破線Ｂはサ
ンプルＢの周波数特性を、一点鎖線Ｃは本発明によるサ
ンプルＣの周波数特性を各々示している。この図に示す
特性より、本発明によるサンプルＣが、サンプルＡ（従
来のフィルタに相当）よりも、且つ、サンプルＢよりも
優れた特性、即ち通過帯域における一層低減された挿入
損失、遮断帯域における一層大きな減衰及び高いＱ値を
有することが分かる。また、この図に示す特性と、他の
サンプルの特性及び使用されるセラミック材料の価格等
を総合的に検討した結果、Ｋ１及びＫ３としては７０な
いし１００の比誘電率を選択し、Ｋ２としては５ないし
２５の比誘電率を選択するのが望ましいことが判った。
【００２６】次に、図３は本発明の第２実施例による誘
電体フィルタ１１０を示し、この図において図１に示し
た第１実施例によるフィルタ１０の各部と対応する部分
には「１００」を加算した符号を各々付してある。この
誘電体フィルタ１１０は、図１に示したフィルタ１０と
略同様の構成のブロック型（チップ状）フィルタである
が、フィルタ１０とは下記の点が相違している。
電体フィルタ１１０を示し、この図において図１に示し
た第１実施例によるフィルタ１０の各部と対応する部分
には「１００」を加算した符号を各々付してある。この
誘電体フィルタ１１０は、図１に示したフィルタ１０と
略同様の構成のブロック型（チップ状）フィルタである
が、フィルタ１０とは下記の点が相違している。
【００２７】このフィルタ１１０における誘電体層１１
０eの層１１０d側の面上には、接地端子用電極１１１a
に接する帯状の容量電極１１８のみが形成されている。
また、誘電体層１１０fの層１１０e側の面上には、入力
電極１１６のみが形成されている。更に、誘電体層１１
０gの層１１０f側の面上には、基端が接地端子用電極１
１１bに接続された２本のストリップライン共振器電極
１２０及び１２５が所定離隔して平行に形成されてい
る。また、誘電体層１１０hの層１１０g側の面上及び誘
電体層１１０iの層１１０h側の面上には、層１１０f上
の電極１１６及び層１１０e上の電極１１８に各々対応
する出力電極１２６及び容量電極１２８が、電極１１６
及び１１８に対して図における左右対称の関係で各々形
成されている。
０eの層１１０d側の面上には、接地端子用電極１１１a
に接する帯状の容量電極１１８のみが形成されている。
また、誘電体層１１０fの層１１０e側の面上には、入力
電極１１６のみが形成されている。更に、誘電体層１１
０gの層１１０f側の面上には、基端が接地端子用電極１
１１bに接続された２本のストリップライン共振器電極
１２０及び１２５が所定離隔して平行に形成されてい
る。また、誘電体層１１０hの層１１０g側の面上及び誘
電体層１１０iの層１１０h側の面上には、層１１０f上
の電極１１６及び層１１０e上の電極１１８に各々対応
する出力電極１２６及び容量電極１２８が、電極１１６
及び１１８に対して図における左右対称の関係で各々形
成されている。
【００２８】上記構成のフィルタ１１０において、層１
１０a、１１０b、１１０k及び１１０lは例えば比較的高
誘電率のセラミック材料を主成分とする誘電率Ｋ４の高
誘電率誘電体層である。また、層１１０c及び１１０jは
例えばガラス等を多く含む安価な低誘電率セラミック材
料、又はラッカ等からなる誘電率Ｋ５の低誘電率誘電体
層である。更に、層１１０dないし１１０iは例えば高誘
電率セラミック材料を主成分とする誘電率Ｋ６の高誘電
率誘電体層である。この場合、誘電率Ｋ４は誘電率Ｋ６
よりも小さく、誘電率Ｋ５は誘電率Ｋ４及びＫ６の何れ
よりも大幅に小さい。
１０a、１１０b、１１０k及び１１０lは例えば比較的高
誘電率のセラミック材料を主成分とする誘電率Ｋ４の高
誘電率誘電体層である。また、層１１０c及び１１０jは
例えばガラス等を多く含む安価な低誘電率セラミック材
料、又はラッカ等からなる誘電率Ｋ５の低誘電率誘電体
層である。更に、層１１０dないし１１０iは例えば高誘
電率セラミック材料を主成分とする誘電率Ｋ６の高誘電
率誘電体層である。この場合、誘電率Ｋ４は誘電率Ｋ６
よりも小さく、誘電率Ｋ５は誘電率Ｋ４及びＫ６の何れ
よりも大幅に小さい。
【００２９】図３に示した実施例においても、図２に示
したものと同様の効果を得ることができた。
したものと同様の効果を得ることができた。
【００３０】尚、第１実施例及び第２実施例として説明
したような誘電体フィルタであって、特定の用途のフィ
ルタにおいては、各誘電体層の層厚は使用される誘電体
材料及び電極形状等によっても大きく左右されるが、誘
電体層１０a（１１０a）及び１０b（１１０b）からなる
部分の層厚は５０〜１２０μ、誘電体層１０c（１１０
c）の層厚は２００〜４００μ、誘電体層１０d（１１０
d）ないし１０i（１１０i）からなる部分の層厚は５０
〜７００μ、誘電体層１０j（１１０j）の層厚は２００
〜４００μ、誘電体層１０k（１１０k）及び１０l（１
１０l）からなる部分の層厚は５０〜１２０μになるも
のと考えられる。
したような誘電体フィルタであって、特定の用途のフィ
ルタにおいては、各誘電体層の層厚は使用される誘電体
材料及び電極形状等によっても大きく左右されるが、誘
電体層１０a（１１０a）及び１０b（１１０b）からなる
部分の層厚は５０〜１２０μ、誘電体層１０c（１１０
c）の層厚は２００〜４００μ、誘電体層１０d（１１０
d）ないし１０i（１１０i）からなる部分の層厚は５０
〜７００μ、誘電体層１０j（１１０j）の層厚は２００
〜４００μ、誘電体層１０k（１１０k）及び１０l（１
１０l）からなる部分の層厚は５０〜１２０μになるも
のと考えられる。
【００３１】また、前記第１及び第２実施例において、
誘電率Ｋ２（又はＫ５）の低誘電率誘電体層１０c（１
１０c）及び１０j（１１０j）をラッカ等により形成す
る場合は、誘電率Ｋ１（又はＫ４）の誘電体層１０a、
１０b（又は１１０a、１１０b）及び１０k、１０l（又
は１１０k、１１０l）並びに誘電率Ｋ３（又はＫ６）の
誘電体層１０d〜１０i（又は１１０d〜１１０i）を各々
別々に焼結形成し、しかる後、これら焼結形成された誘
電体層とラッカ等から形成された誘電体層とを積層して
一体化する必要がある。
誘電率Ｋ２（又はＫ５）の低誘電率誘電体層１０c（１
１０c）及び１０j（１１０j）をラッカ等により形成す
る場合は、誘電率Ｋ１（又はＫ４）の誘電体層１０a、
１０b（又は１１０a、１１０b）及び１０k、１０l（又
は１１０k、１１０l）並びに誘電率Ｋ３（又はＫ６）の
誘電体層１０d〜１０i（又は１１０d〜１１０i）を各々
別々に焼結形成し、しかる後、これら焼結形成された誘
電体層とラッカ等から形成された誘電体層とを積層して
一体化する必要がある。
【図１】 図１は、本発明による誘電体フィルタの第１
実施例を概念的に示す分解斜視図。
実施例を概念的に示す分解斜視図。
【図２】 図２は、実験的に作成された同実施例のサン
プル例と、他の比較サンプル例との特性を示すグラフ。
プル例と、他の比較サンプル例との特性を示すグラフ。
【図３】 図３は、本発明による誘電体フィルタの第２
実施例を概念的に示す分解斜視図である。
実施例を概念的に示す分解斜視図である。
１０…誘電体フィルタ １０ａ〜１０l…誘電体層 １１ａ、１１ｂ…接地端子用電極 １２ａ…入力端子用電極 １２ｂ…出力端子用電極 １４、２９…シールド電極 １６…入力電極 １８、２８…容量電極 ２０、２５…ストリップライン共振器電極 ２２〜２４…同調用電極 ２６…出力電極
Claims (10)
- 【請求項１】互いに電磁結合される少なくとも一対のス
トリップライン共振器電極を含む第１の誘電体層と、該
第１の誘電体層を挟んで対向すると共に各々が少なくと
も１つのシールド電極を含み且つ略等しい誘電率Ｋ１を
持つ第２及び第３の誘電体層とを有してなる誘電体フィ
ルタにおいて、 前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間、及び
前記第１の誘電体層と前記第３の誘電体層との間に、互
いに略等しい誘電率Ｋ２を持つ第４及び第５の誘電体層
を各々介挿し、これら第４及び第５の誘電体層の誘電率
Ｋ２を、前記第２及び第３の誘電体層の誘電率Ｋ１並び
に前記第１の誘電体層の誘電率Ｋ３の何れよりも小さく
したことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】請求項１に記載の誘電体フィルタにおい
て、前記誘電率Ｋ２が前記誘電率Ｋ１及びＫ３のうちの
小さい方の少なくとも約１／３以下であることを特徴と
する誘電体フィルタ。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の誘電体フィルタに
おいて、前記誘電率Ｋ１が前記誘電率Ｋ３と略等しいこ
とを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項４】請求項１又は２に記載の誘電体フィルタに
おいて、前記誘電率Ｋ１が前記誘電率Ｋ３よりも小さい
ことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項５】請求項１又は２に記載の誘電体フィルタに
おいて、前記誘電率Ｋ１が前記誘電率Ｋ３よりも大きい
ことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項６】請求項１ないし５の何れか一項に記載の誘
電体フィルタにおいて、前記一対のストリップライン共
振器電極が前記第１の誘電体層内において該層の厚さ方
向に互いに離隔した平行な面上に各々位置していること
を特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項７】請求項１ないし５の何れか一項に記載の誘
電体フィルタにおいて、前記一対のストリップライン共
振器電極が前記第１の誘電体層内において該層と平行に
延びる単一の面上に互いに所定離隔して設けられている
ことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項８】請求項１ないし７の何れか一項に記載の誘
電体フィルタにおいて、前記第１の誘電体層が、前記一
対のストリップライン共振器電極の各々と容量結合され
る容量電極、又は前記一対のストリップライン共振器電
極の間の電磁結合を調整するための同調用電極の少なく
とも何れか一方を更に有していることを特徴とする誘電
体フィルタ。 - 【請求項９】請求項１ないし８の何れか一項に記載の誘
電体フィルタにおいて、前記第４及び第５の誘電体層が
ガラスを含む低誘電体材料を有することを特徴とする誘
電体フィルタ。 - 【請求項１０】請求項１ないし８の何れか一項に記載の
誘電体フィルタにおいて、前記第４及び第５の誘電体層
がラッカを主成分として含む低誘電体材料を有すること
を特徴とする誘電体フィルタ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10166361A JPH11346104A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 誘電体フィルタ |
| KR1020007000918A KR20010022339A (ko) | 1998-05-29 | 1999-05-14 | 유전체 필터 |
| PCT/IB1999/000885 WO1999063615A2 (en) | 1998-05-29 | 1999-05-14 | Dielectric filter |
| CN99801219A CN1274476A (zh) | 1998-05-29 | 1999-05-14 | 介质滤波器 |
| EP99917037A EP1000444A2 (en) | 1998-05-29 | 1999-05-14 | Dielectric filter |
| US09/316,775 US6222430B1 (en) | 1998-05-29 | 1999-05-21 | Dielectric filter |
| TW088110100A TW428341B (en) | 1998-05-29 | 1999-06-16 | Dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10166361A JPH11346104A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11346104A true JPH11346104A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15829977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10166361A Withdrawn JPH11346104A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 誘電体フィルタ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6222430B1 (ja) |
| EP (1) | EP1000444A2 (ja) |
| JP (1) | JPH11346104A (ja) |
| KR (1) | KR20010022339A (ja) |
| CN (1) | CN1274476A (ja) |
| TW (1) | TW428341B (ja) |
| WO (1) | WO1999063615A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69739292D1 (de) * | 1997-01-07 | 2009-04-16 | Panasonic Corp | Mehrschichtiges Filter |
| JP2001036372A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | ディレイライン |
| JP2003016133A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Tdk Corp | 高周波電子部品及びその設計方法 |
| DE10122393A1 (de) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Philips Corp Intellectual Pty | Flexible Leiterfolie mit einer elektronischen Schaltung |
| JP2003198206A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Ngk Insulators Ltd | 積層型誘電体フィルタ |
| US7012481B2 (en) * | 2002-10-04 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Duplexer, and laminate-type high-frequency device and communication equipment using the same |
| JP2004312065A (ja) | 2003-04-01 | 2004-11-04 | Soshin Electric Co Ltd | 受動部品 |
| JP6269591B2 (ja) * | 2015-06-19 | 2018-01-31 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| CN109935946A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 香港凡谷發展有限公司 | 一种用于滤波器的空腔混合介质谐振结构及滤波器 |
| JP7021552B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-02-17 | Tdk株式会社 | 誘電体フィルタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69122748T2 (de) * | 1990-12-26 | 1997-05-07 | Tdk Corp | Hochfrequenzvorrichtung |
| JP2606044B2 (ja) * | 1991-04-24 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体フィルタ |
| EP0917235B1 (en) * | 1993-08-24 | 2003-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric antenna duplexer |
| CN1099717C (zh) | 1994-12-19 | 2003-01-22 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 带状线滤波器,具有带状线滤波器的接收机及调谐带状线滤波器的方法 |
| JPH09214204A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 積層フィルタ |
| DE69708104T2 (de) * | 1996-07-31 | 2002-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mehrschichtiger zweiband-bandpassfilter |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10166361A patent/JPH11346104A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-14 KR KR1020007000918A patent/KR20010022339A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-05-14 CN CN99801219A patent/CN1274476A/zh active Pending
- 1999-05-14 EP EP99917037A patent/EP1000444A2/en not_active Withdrawn
- 1999-05-14 WO PCT/IB1999/000885 patent/WO1999063615A2/en not_active Application Discontinuation
- 1999-05-21 US US09/316,775 patent/US6222430B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-16 TW TW088110100A patent/TW428341B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010022339A (ko) | 2001-03-15 |
| CN1274476A (zh) | 2000-11-22 |
| TW428341B (en) | 2001-04-01 |
| WO1999063615A2 (en) | 1999-12-09 |
| EP1000444A2 (en) | 2000-05-17 |
| US6222430B1 (en) | 2001-04-24 |
| WO1999063615A3 (en) | 2000-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0641035B1 (en) | A laminated antenna duplexer and a dielectric filter | |
| US6140891A (en) | Dielectric laminated filter | |
| JP3115149B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH07142902A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| US6510607B1 (en) | Method for forming a dielectric laminated device | |
| JPH11346104A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| US6414568B1 (en) | Interdigitated, laminated LC bandpass filter with different length electrodes | |
| US6356244B1 (en) | Antenna device | |
| JPH11136002A (ja) | 誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの通過帯域特性を調整する方法 | |
| US6825740B2 (en) | TEM dual-mode rectangular dielectric waveguide bandpass filter | |
| EP0617476B1 (en) | Filter and method for its manufacture | |
| US20030184411A1 (en) | Monolithic LC filter with enhanced magnetic coupling between resonator inductors | |
| JPH0697705A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| US6828880B2 (en) | Bandpass filter | |
| JP2957041B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH10178302A (ja) | 誘電体積層フィルタ及び通信装置 | |
| JPH088605A (ja) | 積層誘電体フィルタ | |
| JP2963835B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2860011B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH06120704A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH05335804A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP2710904B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| US8130062B2 (en) | Microstripline filter | |
| JP3173230B2 (ja) | フィルタの製造方法 | |
| JP2002232209A (ja) | バンドパスフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |