KR20010022339A - 유전체 필터 - Google Patents

Abstract

한 쌍 이상의 스트립라인 공진기 쌍을, 서로 전자기적으로 결합되게 포함하는 제 1 유전층과, 상기 제 1 유전층이 사이에 끼워지는 상태로 서로에 대해 마주보는 관계로 배치되고 실질적으로 동일한 유전율(K1)을 구비한 제 2 및 제 3 유전층을 포함하는 유전체 필터로서, 상기 제 2 및 제 3 유전층은 하나 이상의 실드 전극을 포함한다. 상기 유전체 필터는 실질적으로 상기 동일한 유전율(K2)을 구비하고 상기 제 1 및 제 2 유전층 사이 및 상기 제 1 및 제 3 유전층 사이에 각각 삽입된 제 4 및 제 5 유전층을 더 포함한다. 상기 제 4 및 제 5 유전층의 상기 유전율(K2)은 상기 제 2 및 제 3 유전층의 상기 유전율(K1)과 상기 제 1 유전층의 상기 유전율(K3) 중 어느 하나보다 작게 되도록 선택되어진다.

Description

유전체 필터{DIELECTRIC FILTER}

이동 전화 및 다른 쓰기 편리한 무선 통신 기기의 분야에서 고 주파수 필터를 더 소형화하기 위한 요구가 증가하고 있는 반면, 그러한 필터는 고 주파수 선택도와 저 삽입 손실 모두에 부합될 것이 요구된다. 상기 요건에 부합할 수 있는 고주파수 필터로서, 공진기(예를 들어, 소위 스트립라인 필터)로서 스트립라인 전극을 포함하는 다층 세라믹 필터가 제안되어 왔다. 그러한 다층 세라믹 필터에 대해, 예를 들어, PCT 출원(공개 번호 WO 96/19843호)과 일본 특허 출원(공개 공보 312503/95호)을 참조한다. 이 형태의 다층 세라믹 필터는, 거기서 사용된 세라믹 물질의 유전율이 높기 때문에 신호의 유효 파장이 보다 짧아져서, 자체 공진기의 요구된 길이는 보다 짧아진다는 점에서 장점을 갖는다. 그 결과, 상기 필터의 크기는 감소될 수 있고 삽입 손실은 상대적으로 적다.

고 유전율의 유전체 물질을 사용한 상기 형태의 유전체 필터의 제조 원가는 주로 유전체 물질의 원가에 의해 결정된다. 그러므로, 상기 형태의 유전체 필터의 제조 원가를 감소시키기 위하여, 필터의 크기가 더 축소되어서 사용된 유전체 물질의 양을 감소시키는 것이 고려될 수 있다. 그러나, 필터 자체의 크기가 직접 필터 주파수 특성(특히, 필터 중심 주파수)에 관련되기 때문에, 필터 크기의 축소에 의한 원가 감소는 제한된다.

상기 형태의 유전체 필터의 제조 원가를 감소시키는 다른 방법으로 유전체 물질 자체 원가가 하락되는 것이 추가로 고려될 수 있다. 그러나, 차단 특성과 삽입 손실 같은 필터의 주된 특성이 사용된 유전체 물질에 의해 결정되기 때문에, 필터의 제조자는 정확하게 조절되고 제어된 유전율과 유전 손실을 갖는 유전체 물질을 사용하는 것이 필요하다. 따라서, 이러한 접근에 의해 제조 원가의 감소는 또한 제한된다.

본 발명은 이동 전화 같은 고 주파수 무선 통신 기기에서 사용하는 데 적합한 유전체 필터, 특히, 사이에 끼워진 전극을 갖는 많은 유전층을 적층함으로써 구성되는 소형의 칩 형태 유전체 필터에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유전체 필터의 분해 사시도.

도 2는 제 1 실시예에 따라 제공된 샘플 및 비교를 위한 또 다른 샘플의 주파수 특성을 도시한 그래프.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유전체 필터의 분해 사시도.

그러므로 본 발명의 목적은 감소된 원가로 제조될 수 있는 소형 유전체 필터를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 통과 대역에서 보다 낮은 삽입 손실을 갖는 유전체 필터를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 차단 대역에서 보다 양호한 감쇠를 나타내는 유전체 필터를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 환경에 의해 전자기적으로 영향을 적게 받는 유전체 필터를 제공하는 데 있다.

본 발명에 따라, 위 목적을 얻기 위해서, 서로 전자기적으로 결합되도록 한 쌍 이상의 스트립라인 공진기 쌍을 포함하는 제 1 유전층과, 서로 대응되는 관계로 배치되고 그 사이에 제 1 유전층이 삽입되는, 제 2 및 제 3 유전층으로서, 실질적으로 동일한 유전율(K1)을 구비하고, 각각 하나 이상의 실드 전극을 포함하는 제 2 및 제 3 유전층을 포함하는 유전체 필터는, 실질적으로 동일한 유전율(K2)을 구비한 제 4 및 제 5 유전층은 제 1 및 제 2 유전층 사이와 제 1 및 제 3 유전층 사이에서 각각 삽입되고, 제 4 및 제 5 유전층의 상기 유전율(K2)은 제 2 및 제 3 유전층의 상기 유전율(K1)과 제 1 유전층의 유전율(K3) 중 어느 하나보다 적게 되도록 선택되는 것을 특징으로 한다. 이러한 경우, 유전율(K2)은 유전율(K1 및 K3) 중 적은 것의 적어도 1/3보다 적은 것이 바람직하다.

위에서 기술된 구조의 유전체 필터는, 모든 유전층이 고 유전율의 값비싼 유전체 물질로 형성되는 종래의 필터와 비교하여, 대부분 유리, 래커 또는 이와 유사한 것을 포함한 세라믹 물질 같은 저 유전율의 값싼 유전체 물질로 제 4 및 제 5 층을 형성함으로써 보다 낮은 원가로 제조될 수 있다. 유전체 필터를 형성하기 위한 고 및 저 유전율의 유전층 사용이 일본 특허 출원(공개 공보 214204/97호)으로부터 공지되어 있다는 것을 유념해야 한다. 그러나, 그러한 공지된 필터의 저 유전율의 유전층은 보다 높은 유전율의 유전층 사이에 삽입되지 않는다. 본 발명에서, 유전율(K1 및 K3) 사이의 관계가 K1=K3, K1＞K3 및 K1＜K3 중 어느 하나가 될지라도, 사용될 물질의 종류의 수가 적어지기 때문에 관계(K1=K3)가 가장 바람직하다. 이 경우에, 특정한 목적을 위한 특정 필터에서, 유전율(K1 및 K3)은 전형적으로 70에서 100까지 범위가 되도록 선택될 수 있고, 유전율(K2)은 전형적으로 5에서 25까지 범위가 되도록 선택될 수 있다.

본 발명에 따른 상기 구조의 유전체 필터에서, 제 1 유전층의 유전율보다 낮은 유전율(K2)의 제 4 및 제 5 유전층은, 유전율(K3)을 구비하고 공진기 전극을 포함하는 제 1 유전층의 바깥쪽에 배치되어서, 공진기 전극 주위의 전기장은, 제 4 및 제 5 유전층이 고 유전율을 갖는 경우와 비교하여, 특히, 양 공진기 전극 사이의 제 1 유전층 내에 더욱 집중된다. 이러한 경우, 유전율(K2)이 유전율(K3)과 비교하여 더욱 더 낮아질수록, 전기장은 제 1 유전층 내에 더욱 더 집중된다. 그러한 집중의 결과로서, 양 공진기 전극 사이의 전기장은 더 직선적이 되고, 즉, 공진기 전극의 에지가 표면상으로 굴곡되는 전기장이 적어지게 될 것이다. 따라서, 공진기 전극 사이의 전기장은 공진기 전극의 에지 부분에 부분적으로 집중되는 것 없이 보다 고르게 분배되어서, 전극의 에지에서 전기장의 그러한 부분적 집중으로 주로 야기되는 전도 손실이 감소되고, 이에 따라 통과 대역에서 이 필터의 삽입 손실은 줄어든다. 동일한 이유로, 이 필터의 Q 값은 개선되고, 차단 대역에서 감쇠는 증가된다.

상기 구조의 유전체 필터에서, 제 2 및 제 3 유전층의 유전율(K1)은 거기에 인접한 제 4 및 제 5 유전층의 유전율(K2)보다 또한 더 커지도록 선택된다. 그 결과로, 실드 전극 주위 전기장에서는 실드 전극의 에지를 더 넘어서 확장되는 것, 즉 이 필터의 면을 넘어서 확장되는 것이 방지될 수 있어서, 이 필터의 특성은 면의 외측 지역에서 전자기 효과에 덜 민감하다.

본 발명에 따른 유전체 필터에서, 스트립라인 공진기 전극 쌍은 서로 평행하고 층의 두께 방향으로 위치한 제 1 유전층 내의 상이한 평면상에 제공될 수 있다. 교대로, 스트립라인 공진기 쌍은 제 1 유전층 내에 위치하고 이에 평행한 단일 평면상에 위치된 관계로 배열될 것이다. 게다가, 본 발명에 따른 필터에서, 제 1 유전층은 및/또는 스트립라인 공진기 쌍 사이의 전자기 접속을 조절하기 위한 동조 전극, 스트립라인 공진기 쌍에 각각 용량적으로 결합된 정전 용량 전극을 더 포함할 수 있다.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유전체 필터에 대해서 이제 기술될 것이다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제공된 유전체 필터(10)를 도시한다. 상기 필터(10)는 각각 미리 결정된 두께와 직사각형의 평면도를 갖는 12개의 유전층(10a 내지 10l)을 포함하는 블록 형태(또는 칩 형태)의 필터이다. 상기 필터(10)의 한 쌍의 측면(도 1에서 전 및 후 면)에 각각 대응하는 면의 표면을 완전히 덮는 접지 단자 전극(11a 및 11b)이 제공된다. 필터(10)에는, 각각 스트립형 형태이고 대응하는 면의 중앙 부분에서 필터(10)의 두께 방향으로 확장하는 입력/출력 단자 전극(12a 및 12b)이 다른 한 쌍의 측면(도 1에서 우 및 좌 측) 상에 제공된다.

이 필터의 한 표면(도 1에서 상부 표면)에 배치된 유전층(10a)은 보호 목적을 위해서 제공된다. 유전층(10a)은 유전층(10b)과 접하는데, 상기 유전층(10b)의 유전층(10a)과 접하는 표면에 실드 전극(14)이 제공되고, 상기 실드 전극(14)은 표면의 반대면(도 1에서 보다 짧은 면)을 따라 미리 결정된 폭으로 확장하는 가장자리 부분(13 및 13)을 제외한 표면을 완전히 덮고, 상기 실드 전극(14)은 표면의 또 다른 반대면에서 전극(11a 및 11b)에 연결된다. 가장자리 부분(13 및 13)은 실드 전극(14)이 전극(12a 및 12b)과 단락되는 것을 방지하기 위해서 제공된다.

유전층(10a)에 반대편인 유전층(10b) 면상에서, 유전층(10c 및 10d)은 이러한 순서로 제공된다. 유전층(10d)은 유전층(10e)에 접하는데, 상기 유전층(10e)의 유전층(10d)과 접하는 표면에 입력 전극(16)이 제공되고, 상기 입력 전극(16)은 인접한 단부에서 전극(12a)에 연결되고, 확장된 폭의 절반인 말단을 갖는다. 상기 유전층(10e)의 위에서 기술된 표면상에는 전극(11a)에 결합된 스트립형 용량성 전극(18)이 더 제공된다.

유전층(10e)은 제 1 스트립라인 공진기로서 작용하는 공진기 전극(20)이 유전층(10e)에 면한 표면상에 제공되는 유전층(10f)에 인접한다. 이 공진기 전극(20)은 인접한 단부에서 전극(11b)에 연결되고 일반적으로 반전된 F 형태를 구비한 변경된 계단형 임피던스 공진기(SIR: modified stepped impedance resonator)를 형성한다. 전극(20)은 전극(12) 가까이 배치되어서 전자기적으로 입력 전극(16)과 결합되고 용량적으로 용량 전극(18)과 결합된다.

유전층(10f)은 유전층(10g)과 인접하는데, 상기 유전층(10g)의 유전층(10f)과 접하는 표면에 인접한 단부에서 전극(11b)에 연결된 스트립형 제 1 동조 전극(22), 및 제 2 및 제 3 동조 전극(23 및 24)이 제공되고 상기 전극(23, 24)은 모두 플로팅 상태이고, 전극(11a)과 평행으로 전극(22)의 인접한 단부로부터 멀리 떨어져 배치된다.

유전층(10g)은 유전층(10h)과 인접하는데, 상기 유전층(10h)의 유전층(10g)에 면한 표면상에서 공진기 전극(25)이 제공되고, 상기 공진기 전극(25)은 층(10f) 상의 전극(20)에 대응하고 도 1에서 도시한 바와 같이, 전극(20)과 좌우 대칭적인 관계로 배치된다. 유전층(10h)은 유전층(10i)과 인접하는데, 상기 유전층(10i)의 유전층(10h)에 면한 표면상에서 출력 전극(26) 및 용량성 전극(28)이 제공되고, 상기 출력 전극(26) 및 용량성 전극(28)은 전극 (16 및 18)에 대응하고, 각각 전극(16 및 18)과 좌우 대칭적인 관계로 배치된다.

층(10h)과 반대되는 유전층(10i)의 면상에, 유전층(10j 및 10k)은 이러한 순서로 제공된다. 층(10k)은 전극(14)과 유사한 실드 전극(29)이 층(10k)에 면한 표면상에 제공되는 유전층(10l)과 인접한다. 이 층(10l)은 필터(10)의 다른 표면(도 1에서 하부표면)을 보호하기 위해서 제공된다.

위 구조의 필터(10)에서, 각 층(10a, 10b, 10k 및 10l)은 티탄산염 바륨 같은 고 유전율의 세라믹 물질을 기본 물질로서 포함하는 K1의 유전율을 구비한 유전층이다. 반면에, 각 층(10c 및 10j)은 예를 들어. 대부분 유리 또는 이와 유사한 것, 또는 래커를 포함한 저 유전율의 값싼 세라믹 물질로 이루어진 K2의 유전율을 구비한 유전층이다. 각 층(10d 내지 10i)은 티탄산염 바륨 같은 고 유전율의 세라믹 물질을 기본 물질로 포함하는 K3의 유전율을 구비한 유전층이다.

예

주된 요소로서 은을 포함하는 전도성 반죽은 실크 스크린 인쇄에 의해 고 유전율을 구비한 세라믹 물질로 이루어진 초록색 시트 상에 인가되는데, 상기 세라믹 물질은 75(K3=75)인 유전율을 구비하고 기본 물질로 티탄산염 바륨을 포함한다. 초록색 시트상의 반죽은 건조되어서, 전극(14; 16, 18; 20; 22; 23, 24; 25; 26 및 28)이 형성된다. 이와 같이 표면에 형성된 전극을 갖는 초록색 시트는 유전층(10a 내지 10l) 중 하나를 각각 형성하기 위하여, 전극 없이 미리 결정된 수의 초록색 시트와 결합된다. 이러한 유전층은 적층되고나서, 동시에 단일 소결 과정에서 압력이 가해지고 열이 가해지며, 그 후 전극(11a, 11b, 12a 및 12b)은 비교를 위한 샘플(A)을 얻기 위하여 각 면상에서 형성된다. 층(10a 및 10b)으로 구성된 부분의 두께는 100 ㎛이고, 층(10c)의 두께는 400 ㎛이고, 층(10d 내지 10i)으로 구성된 부분의 두께는 700 ㎛이고, 층(10j)의 두께는 400 ㎛이고, 층(10k 및 10l)으로 구성된 부분의 두께는 100 ㎛이다.

비교를 위한 샘플(B)은, 유전층(10c 및 10j)이 티탄산염 바륨의 유전체 물질로 이루어지고, 유리의 대략 20％ 무게의 첨가제를 포함하는, 초록색 시트를 사용하여 준비된 것을 제외하고 유사한 과정으로 만들어지는데, 상기 초록색 시트는 50(K2=50)인 유전율을 갖는다. 게다가, 샘플(C)은, 티탄산염 바륨의 유전체 물질로 이루어지고, 유리의 대략 60％ 무게의 첨가제를 포함하는, 초록색 시트를 사용하여 준비된 것을 제외하고 유사한 과정으로 만들어지는데, 상기 초록색 시트는 15(K2=15)인 유전율을 갖는다.

각 샘플(A, B 및 C)의 주파수 특성이 측정되고, 그 결과 도 2에서 도시된다. 도 2에서, 가로축은 입력 신호의 주파수를 나타내고 세로축은 삽입 손실을 나타낸다. 실선(A)은 샘플(A)의 주파수 특성을 나타내고, 점선(B)은 샘플(B)의 주파수 특성을 나타내고, 일점 쇄선(C)은 샘플(C)의 주파수 특성을 나타낸다. 도 2에서 도시된 특성으로부터 본 발명에 따라 준비된 샘플(C)이 샘플(A)(재래식 필터에 대응하는) 및 샘플(B)보다도 보다 나은 특성, 즉, 통과 대역에서 감소된 손실, 차단 대역에서 보다 큰 감쇠 및 보다 높은 Q 값을 구비하는 것을 알 수 있다.

도 2에서 도시한 특성, 다른 샘플의 특성, 사용된 세라믹 물질의 비용, 등등을 집합적으로 철저히 재조사하고 검사한 결과로서, 유전율(K1 및 K3)이 70에서 100까지의 범위 안에 있어야하는 것이 바람직하고 유전율(K2)은 5에서 25까지의 범위 안에 있어야하는 것이 바람직하다는 것을 알게된다.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유전체 필터(110)를 도시하는데, 도 1에서 도시한 유전체 필터에 대응하는 부분은 100이 더해진 유사한 참조 번호로 지정된다. 상기 필터(110)는 도 1의 필터(10)와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 블록 형태(또는 칩 형태) 필터이지만 다음 내용에서는 도 1의 필터(10)와 상이하다.

이 필터(110)의 유전층(110e)은 층(110d)과 접한 표면상에서 접지 단자 전극(111a)에 연결되는 스트립형 용량성 전극(118)만을 제공받는다. 유전층(110f)은 층(110e)과 접한 표면상에서 입력 전극(116)만을 제공받는다. 유전층(110g)의 층(110f)과 접하는 표면에 2개의 스트립라인 공진기 전극(120 및 125)이 제공되고, 상기 2개의 스트립라인 공진기 전극(120 및 125)은 그 사이의 미리 결정된 간격에 평행하게 배치되고 인접한 단부에서 접지 단자 전극(111b)에 연결된다. 유전층(110h)의 유전층(110g)에 접한 표면상에서 출력 전극(126)이 제공되고, 상기 출력 전극(126)은 층(110f) 상의 전극(116)에 대응하고 도 3에서 도시한 바와 같이, 전극(116)과 좌우 대칭적으로 배치된다. 유사한 방법으로, 유전층(110i)의 층(110h)에 접한 표면상에서 용량성 전극(128)이 제공되고, 상기 용량성 전극(128)은 층(110e) 상의 전극(118)에 대응하고 도 3에서 도시한 바와 같이, 전극(118)과 좌우 대칭적으로 배치된다.

위 구조의 필터(110)에서, 각 층(110a, 110b, 110k 및 110l)은 예를 들어, 기본 물질로서 상대적으로 높은 유전율의 세라믹 물질을 포함하는 K4의 유전율을 구비한 유전층이다. 반면에, 각 층(110c 및 110j)은 예를 들어, 대부분 유리 또는 이와 유사한 것, 또는 래커를 포함한 예를 들어, 저 유전율의 값싼 세라믹 물질로 이루어진 K5의 유전율을 구비한 유전층이다. 각 층(110d 내지 110i)은 예를 들어, 기본 물질로서 고 유전율의 세라믹 물질을 포함하는 K6의 유전율을 구비한 유전층이다. 이 경우에 있어, 유전율(K4)은 유전율(K6)보다 작고 유전율(K5)은 유전율(K4 및 K6) 중 임의의 것보다 상당히 크다.

도 3의 실시예가 또한 도 1의 실시예에 의해 얻어지는 것과 동일한 효과를 실질적으로 나타낸다는 것을 알게된다.

제 1 및 제 2 실시예에 관해 위에서 기술된 것 같은 특정한 목적을 위한 유전체 필터의 각 유전층 두께는 다른 것들 중에서, 사용된 유전체 물질 및 그 위에 제공된 전극의 형태에 따라 변경된다. 그러나, 유전층{10a(110a) 및 10b(110b)}으로 구성된 부분의 두께가 50 에서 120 ㎛까지의 범위에 들 수 있고, 유전층{10c(110c)}의 두께는 200에서 400 ㎛까지의 범위에 들 수 있고, 유전층{10d(110d) 내지 10i(110i)}으로 구성된 부분의 두께는 50에서 700 ㎛까지의 범위에 들 수 있고, 유전층{10j(110j)}의 두께는 200에서 400 ㎛까지의 범위에 들 수 있고, 유전층{10k(110k) 및 10l(110l)}의 두께는 50에서 120 ㎛까지의 범위에 들 수 있다.

위의 제 1 및 제 2 실시예에서, 유전층{10c(110c) 및 10j(110j)}이 저 유전율(K2)(또는 K5)을 구비한 래커 또는 이와 유사한 것으로 구성될 때, 먼저 유전율(K1)(또는 K4)의 유전층(10a 및 10b)(또는 110a 및 110b)으로 구성된 부분, 유전율(K1)(또는 K4)의 유전층(10k 및 10l)(또는 110k 및 110l)으로 구성된 부분 및 유전층(K3)(또는 K6)의 유전층(10d 내지 10i)(또는 110d 내지 110i)으로 구성된 부분을 소결함으로써 개별적으로 형성하고 나서, 이러한 소결 부분과 래커층을 적층시켜 완전한 요소를 형성하는 것이 필요할 것이다.

Claims (10)

1. 한 쌍 이상의 스트립라인 공진기 쌍을, 서로 전자기적으로 결합되게 포함하는 제 1 유전층과, 상기 제 1 유전층이 사이에 끼워지는 상태로 서로에 대해 마주보는 관계로 배치되고 실질적으로 동일한 유전율(K1)을 구비한 제 2 및 제 3 유전층을 포함하는 유전체 필터로서, 상기 제 2 및 제 3 유전층은 하나 이상의 실드 전극을 포함하는, 유전체 필터에 있어서,

   실질적으로 동일한 유전율(K2)을 구비한 제 4 및 제 5 유전층은 상기 제 1 및 제 2 유전층 사이와 상기 제 1 및 제 3 유전층 사이 각각에 삽입되고, 상기 제 4 및 제 5 유전층의 상기 유전율(K2)이 상기 제 2 및 제 3 유전층의 상기 유전율(K1)과 상기 제 1 유전층의 상기 유전율(K3) 중 어느 하나 보다 작게 되도록 선택되어지는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
2. 제 1항에 있어서, 상기 유전율(K2)은 상기 유전율(K1 및 K3) 중 가장 작은 것의 1/3보다 작은 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 유전율(K1)은 실질적으로 상기 유전율(K3)과 동일한 것이라는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 유전율(K1)은 상기 유전율(K3)보다 작다는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 유전율(K1)은 상기 유전율(K3)보다 큰 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트립라인 공진기 쌍은 상기 제 1 유전층 내에서 각 평면에 위치하는데, 상기 평면은 상기 제 1 유전층의 두께 방향에서 평행이고, 간격이 유지되는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
7. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트립라인 공진기 쌍은 상기 제 1 유전층 내에서 한 평면위에 이격된 관계로 배치되는데, 상기 평면은 상기 제 1 유전층에 평행으로 확장되는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 유전층은 상기 스트립라인 공진기 쌍에 각각 용량적으로 결합된 용량 전극, 및/또는 상기 스트립라인 공진기 쌍 사이의 전자기 접속을 조절하기 위한 동조 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 4 및 제 5 유전층은 유리를 포함하는 저 유전율의 유전체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.
10. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 4 및 제 5 유전층은 기본 물질로서 래커를 포함하는 저 유전율의 유전체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 필터.