CN101116157A - 电子部件 - Google Patents

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CN
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filter
electronic component
dielectric
capacitors
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宫田祐一
礒胁幸夫
丸田浩之
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Soshin Electric Co Ltd
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Soshin Electric Co Ltd
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Abstract

构成磁性部分(20)的磁性材料是主要包含31－42mol％的NiO、2－10mol％的ZnO、43－48mol％的Fe2O3、0.5－3mol％的Co3O4和10－14mol％的CuO的铁氧体。构成电介质部分(18)的电介质材料主要由xBaO·y1Nd2O3·y2Bi2O3·zTiO2构成，其中0.09≤x≤0.25，0.05≤y1≤0.20，0＜y2≤0.10和0.60≤z≤0.75。构成接合部分(22)的电介质材料为BaO－TiO2－ZnO电介质材料。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及一种具有通过结合电介质部分和磁性部分形成的基本元件的电子部件或电子零件。本发明涉及一种优选可用于例如LC滤波器的电子部件或电子零件。
背景技术
近年来，FM无线电接收机和/或FM发射机可装载在便携式装置(包括电子装置)例如移动电话上。在这种情况下，对于便携式装置需要提供除了允许一般使用的频带信号通过的滤波器之外还允许FM频带信号通过的滤波器。
迄今电介质滤波器(dielectric filter)已用作允许FM频带信号通过的滤波器。
例如，常规的电介质滤波器包括例如在专利文献1中公开的滤波器。然而，提供该滤波器目的是削弱500MHz级的阻带(spurious)。实际上允许包括FM频带的76至108MHz的信号通过该滤波器。然而，该滤波器不是用于削弱高频带的信号，例如，作为由便携式装置一般使用的频带800MHz、1.4GHz、1.9GHz、2.5GHz和5GHz。
因此，很明显，当FM无线接收机和/或FM发射机装载在便携式装置上时，不能抑制高频带的噪声。
至于滤波器需要的电感值，频率越低，需要的值就越大。当线圈由具有邻近100MHz通带的滤波器形成时，需要增加匝数和/或增加线圈的大小，以获得所需的电感。
所需的电感通过增加线圈的匝数获得。然而，因为线圈的导体电阻增加，所以Q特性因而退化，未能获得合适的滤波器特性。而且，因为不利地出现了杂散成分，所以没有获得合适的衰减特性。此外，因为线圈的面积增加，所以不能实现小型尺寸(compact size)。相反，上面装载滤波器的便携式装置需要尺寸小型化。与此相比，常规滤波器的尺度是如此大，即，4.8mm×3.5mm，以致于它不可用于便携式装置。
在常规技术中，已提出了具有通过结合电介质层和磁性层获得的基本元件的叠置式电子部件(例如，参见专利文献2)。然而，仅提供叠置式电子部件以通过增加虚设层(dummy layer)抑制产品的翘曲、分层和裂缝。不清楚叠置式电子部件是否能够将FM无线接收机和/或FM发射机装载在便携式装置上。
专利文献1：日本专利No.2505135；
专利文献2：日本特开专利公布No.2003-37022。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子零件，通过改善具有由接合如上所述的电介质层和磁性层获得的基本元件的叠置型电子零件，能够实现小型尺寸的电子零件，以改善其特性，以及将FM无线接收机和/或FM发射机装载在例如便携式装置上。
根据本发明，提供了一种由接合电介质部分和磁性部分构造的基本元件的电子零件，其中通带为76至108MHz的频带或其一部分，并且从200MHz到6GHz的衰减不小于10dB。在该情况下，因为基本元件具有不大于2.0mm×1.25mm×1mm的尺度，所以其可用于便携式装置。
因此，例如，可以在便携式装置上装载FM无线接收机和/或FM发射机。
电介质部分由一个电介质层或多个电介质层构成。磁性部分由一个磁性层或多个磁性层构成。
优选构成磁性部分的磁性材料是在不大于150MHz的频率具有初始导磁率不小于10的铁氧体。因此，在76至108MHz的通带可以确保低损耗。
在该情况下，优选构成磁性部分的磁性材料是包含其中NiO为31至42mol％、ZnO为2至10mol％、Fe2O3为43至48mol％、Co3O4为0.5至3mol％且CuO为10至14mol％的组成为主要成分的铁氧体。
可替换地，优选构成磁性部分的磁性材料是包含其中NiO为37.4至42.2mol％、ZnO为0.01至3.6mol％、Fe2O3为46.2至48mol％、Co3O4为0.1至0.8mol％且CuO为10至14mol％的组成为主要成分的铁氧体。在该情况下，能够获得温度特性和高频特性两个都合适的滤波器。
优选构成电介质部分的电介质材料包含xBaO·y1Nd2O3·y2Bi2O3·zTiO2的组成为主要成分，其中：
0.09≤x≤0.2 5
0.05≤y1≤0.20
0＜y2≤0.10
0.60≤z≤0.75 。
而且，优选基本元件具有设置在电介质部分和磁性部分之间的接合部分；且构成该接合部分的材料是基于BaO-TiO2-ZnO的电介质。
如上所述，根据本发明的电子零件，能够小型化该电子零件并改善其特性。例如，该电子零件能够将FM无线接收机和/或FM发射机装载在便携式装置上。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的滤波器的电路图；
图2是示出根据本发明实施例的滤波器外观的透视图；
图3是示出根据第一实施例的滤波器的分解透视图；
图4是示出关于第一线圈和第二线圈的普通电连接的实例的透视图；
图5A和5B是示出由图4所示的实例连接产生的功能的图；
图6是示出关于根据第一实施例的滤波器中第一线圈和第二线圈的电连接实例的透视图；
图7是示出由图6所示的实例产生的功能的图；
图8是示出用于形成第一至第三电容器的普通堆叠电极及其功能的实例的图；
图9是示出根据第一实施例的滤波器中用于形成第一至第三电容器的堆叠电极及其功能的实例的图；
图10是示出关于涉及第二实施例的滤波器的第一实验性实例的结果的表(当通过改变xBaO·y1Nd2O3·y2Bi2O3·zTiO2的组成(x，y1，y2和z)制造基本元件时测量的电介质特性)；
图11是示出用于构造接合部分的电介质材料的优选实例的表；
图12是示出关于涉及第二实施例的滤波器的第二实验性实例的结果的表(当用不同组成的NiO、ZnO、Fe2O3、Co3O4和CuO制造基本元件时测量的初始导磁率和高频特性)；
图13是示出关于第二实施例的滤波器的第三实验性实例中实例28和比较例14和15的结果的图(关于ZnO和Co3O4的组成选择，Q关于频率(1至1,000MHz)的变化)；
图14是示出关于第二实施例的滤波器的第四实验性实例的实例28和比较例14和15的结果的图(关于ZnO和Co3O4的组成选择，电感值关于频率(1至1,000MHz)的变化)；
图15是示出第三实验性实例中的比较例14和16的结果的图；
图16是示出第四实验性实例中的比较例14和16的结果的图；
图17是示出第二实施例的滤波器和由电介质材料的基本元件构成的滤波器(常规实例)的衰减特性(0至2GHz)的图；
图18是示出关于第二实施例的滤波器的衰减特性(0至6GHz)的图；
图19是示出第二实施例的滤波器和由电介质材料的基本元件构成的滤波器(常规实例)的插入损耗特性的图；
图20是示出说明高频特性和温度系数关于第五实验性实例中添加的Co3O4的量的变化的特性的图；
图21是示出高频特性和温度系数关于第五实验性实例中添加的ZnO的量的变化的图；
图22是示出高频特性和温度系数关于第五实验性实例中添加的Fe2O3的量的变化的图；
图23是示出高频特性和温度系数关于第五实验性实例中添加的NiO的量的变化的图；
图24是示出关于第三实施例的滤波器的第六实验性实例的结果的表(当利用不同组成的NiO、ZnO、Fe2O3、Co3O4和CuO制造基本元件时测量的初始导磁率、温度系数和高频特性)。
具体实施方式
下面将参考图1至24进行说明，图1至24示出了把根据本发明的电子零件应用到例如FM无线接收机和/或FM发射机的滤波器上的实施例。
如图1所示，根据该实施例的滤波器10基本上具有第一电容器C1和第一线圈L1平行连接在输入端子12和地之间、第二电容器C2和第三电容器C3串联连接在输入端子12和输出端子14之间、以及第二线圈L2平行连接到第二电容器C2的两端的电路结构。
具体地，如图2所示，提供了基本元件16。该基本元件16是通过烧结和集成电介质部分18、磁性部分20、接合电介质部分18和磁性部分20的接合部分22、以及接合到磁性部分20的下部的虚设部分24形成的。
形成虚设部分24以抑制基本元件16的翘曲、分层和裂缝，这也在专利文献2中被描述。例如，关于材料的选择，可参考专利文献2。
现在将参考图3至24说明关于根据该实施例的滤波器10的三个实施例。
首先，将参考图1至9说明根据第一实施例的滤波器10A。
如图3所示，在根据第一实施例的滤波器10A中，通过叠置多个电介质层形成电介质部分18。详细地，从顶部按顺序提供第一虚设层Sa1、第二虚设层Sa2、第一至第四电容器电极层Sb1至Sb2、和第三虚设层Sa3。第一虚设层Sa1、第二虚设层Sa2、第一至第四电容器电极层Sb1至Sb4、和第三虚设层Sa3中的每一个由一层或多层构造。
通过叠置多个磁性层构造磁性部分20。详细地，从顶部按顺序提供第一至第四虚设层Sc1至Sc4、第一至第六线圈电极层Sd1至Sd6、和第五至第七虚设层Sc5至Sc7。第一至第四虚设层Sc1至Ac4、第一至第六线圈电极层Sd1至Sd6、和第五至第七虚设层Sc5至Sc7中的每一个由一层或多层构造。
接合部分22由一个中间层Se构造。中间层Se由一层或多层构造。
虚设部分24由一个虚设层Sf构造。虚设层Sf由一层或多层构造。
形成电介质部分18的第一至第三虚设层Sa1至Sa3和磁性部分20的第一至第七虚设层Sc1至Sc7中的每一个，以便以与虚设部分24中相同的方式抑制基本元件16的翘曲、分层和裂缝。
如图2所示，在基本元件16的第一侧表面16a上形成输入端子12、地端子26和输出端子14。在基本元件16的第二侧表面16b(与第一侧表面16a相对的侧表面)上形成第一连接端子28a、第二连接端子28b和NC(非连接)端子30。
如图3所示，在第一至第四电容器电极层Sb1至Sb4和第一至第六线圈电极层Sd1至Sd6上形成各个电极层。下面将说明其细节。首先，在第一电容器电极层Sb1的主表面上形成一端连接至地端子26的第一地电极32和一端连接至第一连接端子28a的第一电容器电极34。第一电容器电极34具有朝着第一地电极32突出的突出部分34a。
在第二电容器电极层Sb2的主表面上形成一端连接至输入端子12且另一端连接至第二连接端子28b的第二电容器电极36、和一端连接至输出端子14的第三电容器电极38。第二电容器电极36具有朝着第三电容器电极38突出的突出部分36a。
在第三电容器电极层Sb3的主表面上形成第二地电极40和第四电容器电极42，其与形成在第一电容器电极层Sb1上的第一地电极32和第一电容器电极34相似。第四电容器电极42具有朝着第二地电极40突出的突出部分42a。
在第四电容器电极层Sb4的主表面上形成第五电容器电极44和第六电容器电极46，其与形成在第二电容器电极层Sb2上的第二电容器电极36和第三电容器电极38相似。第五电容器电极44具有朝着第六电容器电极46突出的突出部分44a。
另一方面，在第一至第六线圈电极层Sd1至Sd6的相应主表面上形成用于分别形成第一线圈L1的第一至第六线圈电极50a至50f和用于分别形成第二线圈L2的第七至第十二线圈电极52a至52f。第一线圈电极50a形成在第一线圈电极层Sd1的主表面上，一端连接至输入端子12。第七线圈电极52a的一端连接至第一连接端子28a。第六线圈电极50f形成在第六线圈电极层Sd6的主表面上，一端连接至地端子26。第十二线圈电极52f的一端连接至第二连接端子28b。而且，第一至第六线圈电极50a至50f分别经由通孔彼此电连接。第七至第十二线圈电极52a至52f分别经由通孔彼此电连接。
利用该结构，图1所示的第一电容器C1是通过由第一地电极32和与第一地电极32相对的第二电容器电极36形成的电容、由第二地电极40和与第二地电极40相对的第二电容器电极36形成的电容、以及由第二地电极40和与第二地电极40相对的第五电容器电极44形成的电容的组合电容形成的。
类似地，图1所示的第二电容器C2是由第一电容器电极34的突出部分34a和与突出部分34a相对的第二电容器电极36的突出部分36a形成的电容、由第二电容器36的突出部分36a和与突出部分36a相对的第四电容器电极42的突出部分42a形成的电容、以及由第四电容器电极42的突出部分42a和与突出部分42a相对的第五电容器电极44的突出部分44a形成的电容的组合电容。
而且，图1所示的第三电容器C3是由第一电容器电极34和与第一电容器电极34相对的第三电容器电极38形成的电容、由第三电容器电极38和与第三电容器电极38相对的第四电容器电极42形成的电容、以及由第四电容器电极42和与第四电容器电极42相对的第六电容器电极46形成的电容的组合电容。
图1所示的第一线圈L1由第一至第六线圈电极50a至50f形成。图1所示的第二线圈L2由第七至第十二线圈电极52a至52f形成。尤其是，在第一实施例中，第一线圈电极50a经由输入端子12、第二电容器电极36、第五电容器电极44和第二连接端子28b电连接至第十二线圈电极52f。
例如，当第一线圈L1和第二线圈L2彼此电连接时，如图4所示，用于形成第一线圈L1的第六线圈电极50f和用于形成第二线圈L2的第十二线圈电极52f经由磁性部分20中的引线电极54彼此电连接。
然而，在该情况下，当如图5A所示等效观察时，第三线圈L12连接在输入端子12与第一线圈L1和第二线圈L2的连接点56之间。结果，第一线圈L1和第二线圈L2被正耦合，如图5B所示。因此，当该电子零件用作滤波器时，因为不希望滤波器的通带变窄，所以不能够获得任何所希望的频率特性。
另一方面，在根据第一实施例的滤波器10A的情况下，如图6部分地所示，用于形成第一线圈L1的第六线圈电极50f和用于形成第二线圈L2的第十二线圈电极52f例如经由形成在第二电容器电极层Sb2上的第二电容器电极36彼此电连接。因此，如图7所示，电介质部分18的导磁率比磁性部分20的导磁率(例如，导磁率μ＝1)小得多。因此，可以以等效电路示出的第一线圈L1和L2之间的耦合可以降低到第一线圈L1和L2之间的耦合可忽略的这种程度。能够获得所希望的频率特性。
当形成图1所示的第一至第三电容器C1至C3时，如图8所示，例如，地电极60形成在第一电介质层的基本整个主表面上，第一电极62和第二电极64形成在第二电介质层的主表面上，以及第三电极66形成在第三电介质层的主表面上。在该情况下，第一电容器C1形成在地电极60和第一电极62之间，第二电容器C2形成在第一电极62和第三电极66之间，以及第三电容器C3形成在第二电极64和第三电极66之间。
然而，当地电极60是宽的时，地电极60也与不涉及第一电容器C1的形成的两个电极(第二电极64和第三电极66)相对。结果，在地电极60和第二电极64之间以及在地电极60和第三电极66之间分别产生了杂散电容Cs1、Cs2。高频衰减特性可能被不希望地退化。
另一方面，在根据第一实施例的滤波器10A的情况下，如图9部分地所示。第一地电极32和第一电容器电极34分别形成在电介质部分18的第一电容器电极层Sb1上。第二电容器电极36和第三电容器电极38分别形成在第二电容器电极层Sb2上。第一地电极32和第二电容器电极36彼此相对。第二电容器电极36和第三电容器电极38与第一电容器电极34相对。因此，第一地电极32没有与不涉及第一电容器C1的形成的两个电极(第一电容器电极34和第三电容器电极38)相对。结果，分别在第一地电极32和第一电容器电极34之间以及在第一地电极32和第三电容器电极38之间没有出现杂散电容。能够抑制高频衰减特性的退化。
而且，当图9所示的组合被认为是一个布置图案时，在根据图3所示的第一实施例的滤波器10A中在电介质部分18中的电介质层的叠置方向上对准两个布置图案。因此，能够增加第一至第三电容器C1至C3的相应电容。能够进一步改善高频衰减特性。当然，还可以允许叠置三个或更多个布置图案。
接下来，将参考图10至20说明根据第二实施例的滤波器10B。
在根据第二实施例的滤波器10B中，为图2所示的电介质部分18、磁性部分20和接合部分22指定材料。
具体地，用于形成电介质部分18的电介质材料包含xBaO·y1Nd2O3·y2Bi2O3·zTiO2的组成为主要成分，其中：
0.09≤x≤0.25
0.05≤y1≤0.20
0＜y2≤0.10
0.60 ≤z≤0.75 。
将基于图10所示的第一实验性实例(实例1至13和比较例1至6)的结果说明其原因。在第一实验性实例中，当用不同组成(x，y1，y2和z)的xBaO·y1Nd2O3·y2Bi2O3·zTiO2制造基本元件16时测量电介质特性。结果示于图10中。
通常，当电介质材料具有高介电常数时，优选小型化该基本元件16。然而，根据图10所示的结果，优选该介电常数不小于60且不大于120。如果介电常数小于60，则小型化的效果不充分(参见比较例1)。如果介电常数超过120，则尺度会被过度减小，在导体印刷中产生缺陷，并且成品率降低(参见比较例2和3)。
优选介电常数的温度系数(τε)与绝对值一样不大于100ppm/℃。如果温度系数超过这个值，则在冷和热位置温度变化会不利地影响操作很多(参见比较例2至6)。
满足如上所述的特性的电介质材料优选是具有xBaO·y1Re2O3·y2Bi2O3·zTiO2(Re：稀土)的组成的电介质，其中晶相为伪钨青铜型。该组成在前述范围内。
详细地，如果BaO减少，则介电常数降低。如果BaO过度增加，则温度系数的绝对值增加。如果Bi2O3降低，则在低温烧结很难，并且还会降低介电常数。如果Bi2O3过度增加，则温度系数增加。如果TiO2增加，则介电常数降低。如果TiO2减少，则温度系数增加。
为了使烧结温度在900℃附近，可加入大约0.1至5％重量比的玻璃。该玻璃包括例如B2O3-SiO2基玻璃、ZnO-SiO2-B2O3基玻璃和BaO-SiO2-B2O3基玻璃。
一半的Nd可用稀土元素例如La、Sm和Pr代替。
接下来，用于形成接合部分22的电介质材料是BaO-TiO2-ZnO基电介质。具体地，对于aBaO、bZnO和cTiO2优选满足下述：
4≤a≤45
12≤b≤45
a+b+c＝100。
优选的组成实例(实例14至18)示于图11中。
利用该范围内的组成，能够降低磁性部分20和电介质部分18之间元素的扩散，并使该结稳定。
用于形成磁性部分20的磁性材料是在不大于150MHz的频率处具有不小于10的初始导磁率的铁氧体。
具体地，优选磁性材料为包含其中NiO为31至42mol％、ZnO为2至10mol％、Fe2O3为43至48mol％、Co3O4为0.5至3mol％以及CuO为10至14mol％的组成为主要成分的的铁氧体。
更优选，磁性材料为包含其中NiO为33至41mol％、ZnO为3至7mol％、Fe2O3为44至46mol％、Co3O4为1至3mol％以及CuO为11至13mol％的组成为主要成分的的铁氧体。
将基于图12所示的第二实验性实例(实例19至27和比较例7至16)的结果说明其原因。在第二实验性实例中，当通过改变NiO、ZnO、Fe2O3、Co3O4和CuO的组成制造基本元件16时测量初始导磁率和高频特性(Q＝100时的频率)。结果示于图12中。
如果NiO增加，则高频特性(对于Q＝100的频率)被改善，但初始导磁率降低。因此，优选NiO的下限为31mol％。如果ZnO增加，则初始导磁率被改善，但高频特性降低。因此，ZnO的下限为2mol％。因为确定该组成来平衡NiO和ZnO，所以由于相反的原因来分别确定上限。
至于Fe2O3，因为确定该组成以便磁性部分的结晶结构是尖晶石结构，因此确定上限和下限。该范围优选为43至48mol％。如果该组成在该范围以外，则形成多相(hetero phase)使得初始导磁率和高频特性退化。
添加Co3O4以改善高频特性。如果添加的Co3O4的量小于0.5mol％，则不会改善高频特性。如果它超过3mol％，则相反会降低初始导磁率。
添加CuO作为烧结辅助物以在大约900℃进行烧结。如果CuO小于10mol％，则通过在900℃烧结不能获得足够的密度。如果CuO超过14mol％，则过分促进了该烧结，并且从内部出现孔。
现在将参考图13至16关于ZnO和Co3O4的组成选择的两个实验性实例(第三和第四实验性实例)进行说明。
在第三实验性实例中，在实例24和比较例14至16中观察Q关于频率(1至1,000MHz)的变化。结果示于图13和15中。
在第四实验性实例中，在实例24和比较例14至16中观察导磁率(电感)关于频率(1至1,000MHz)的变化。结果示于图14和16中。
在图13至16中，实例24的特性由曲线Ln11表示，比较例14的特性由曲线Ln12表示，比较例15的特性由曲线Ln13表示，以及比较例16的特性由曲线Ln14表示。
从图13至16所示的结果揭示了以下事实。首先，因为在比较例14(曲线Ln12)中没有添加Co3O4，如图13所示，所以对于实际使用来说在滤波器的通带(FM带)中Q太小。
在比较例15(曲线Ln13)中，添加了0.3mol％的Co3O4。如图13所示，该频率特性与比较例14(曲线Ln12)相比被改善了。然而，Q在75MHz附近处于峰值，并且曲线在它通过该峰值时急剧下降。因此，也难以实际使用。如图14所示，电感值在实例24和比较例14和15中基本不变。
在比较例16(曲线Ln14)中，添加了1.5mol％的Co3O4。如图15所示，在滤波器的通带(FM带)中Q被改善。然而，如图16所示，电感值非常小。
在实例24(曲线Ln11)中，添加了4mol％的ZnO，并且添加了1.5mol％的Co3O4。根据图13和14，在滤波器的通带(FM带)中Q和电感被改善。
磁性材料优选是具有如上所述的尖晶石型结晶结构的Ni-Zn基铁氧体。然而，还能够使用六角复盖层(ferrox)平面铁氧体。
接下来，将在下面对制造根据第二实施例的滤波器10B的方法的实例进行说明。首先，分别制造了电介质材料的生片(green sheet)和磁性材料的生片。
电介质材料的生片制造如下。也就是，根据图10所示的实例1至13的相应组成比称出高纯度的碳酸钡、碳酸锶、氧化钕和氧化钛的相应粉末。原料粉末与氧化锆球一起引入由氧化铝制成的罐(pot)中，并经受与作为分散介质的乙醇的湿法混合。从罐中取出获得的混合物，并将其在大气气氛下在1,200℃干燥和焙烧2小时。焙烧的产品与氧化铝球一起引入由氧化铝制成的罐中，并且被粗糙地磨成粉状。之后，添加了3％重量比的B2O3-SiO2基玻璃，紧接着是被精细地磨成粉状并且干燥以获得具有约0.3μm的平均颗粒大小的粉末。已知的粘合剂、增塑剂和溶剂与该粉末混合以制备浆。在调节粘性之后，通过刮刀法制备了具有0.05mm的厚度的生片。
另一方面，磁性材料的生片制造如下。也就是，称出预定量的氧化铁(Fe2O3)、氧化镍、氧化铜、氧化锌和氧化钴的相应原料，并且它们与氧化锆球一起引入由氧化铝制成的罐中，并经受与作为分散介质的乙醇的湿法混合。从罐中取出获得的混合物，并将其在大气气氛下在900℃干燥和焙烧2小时。焙烧的产品与氧化铝球一起引入由氧化铝制成的罐中，并且被粗糙地磨成粉状。之后，精细地研磨该产品并且将其干燥以获得具有约0.5μm的平均颗粒大小的粉末。已知的粘合剂、增塑剂和溶剂与该粉末混合以制备浆。在调节粘性之后，借助刮刀法制备了具有0.05mm的厚度的生片。
之后，电介质材料的生片和磁性材料的生片中的每一个被冲孔成100×100mm，并且用激光器形成通孔。随后，使用包含主要成分Ag的导体浆料来通过丝网印刷形成预定的电路图案。叠置电介质材料的生片和磁性材料的生片以提供预定的布置，将其在80℃的温度和20MPa的压力下挤压。切割该叠层，然后将导体印刷在端表面上，并将其烧结以便在大气中最大温度为900℃长达2小时，以获得产品(根据第二实施例的滤波器10B)。
关于所述特性(衰减特性和插入损耗特性)，将根据第二实施例的利用如上所述的组成构造的滤波器10B与利用电介质材料的基本元件构造的滤波器(常规实例)进行比较。获得了如图17至19所示的结果。在图17至19中，实线L20表示根据第二实施例的滤波器10B的特性，虚线L21表示常规实例的特性。
如图17所示，在常规实例中，在高频区(例如，不小于0.5GHz)的一侧观察到衰减特性方面的退化(例如，参见跃起P1，P2)。相反，在根据第二实施例的滤波器10B的情况下，在高频区的一侧没有观察到衰减特性方面的退化。与此相关，图18示出了高达6GHz的测量结果。从图18看出，在高频区的一侧没有观察到衰减特性方面的退化。
同样如从图19看出，根据第二实施例的滤波器10B的插入损耗比常规实例的插入损耗小。
如上所述，当使用根据第二实施例的滤波器10B时，例如，能够将FM无线接收机和/或FM发射机装载在便携式装置上。
通过结合根据第一实施例的滤波器10A和根据第二实施例的滤波器10B能够进一步改善所述特性。
接下来，将参考图20至24说明根据第三实施例的滤波器10C。
在根据第三实施例的滤波器10C中，在图2所示的电介质部分18、磁性部分20和接合部分22当中，指定磁性部分20的材料且电介质部分18和接合部分22的材料与根据上述的第二实施例的滤波器10B的材料相同或等效。
构成根据第三实施例的滤波器10C的磁性部分20的磁性材料优选是包含其中NiO为37.4至42.2mol％、ZnO为0.01至3.6mol％、Fe2O3为46.2至48mol％、Co3O4为0.1至0.8mol％且CuO为10至14mol％的组成为主要成分的的铁氧体。
更优选，该磁性材料是包含其中NiO为37.4至42.2mol％、ZnO为0.01至1.9mol％、Fe2O3为46.6至48mol％、Co3O4为0.1至0.5mol％且CuO为10至14mol％的组成为主要成分的的铁氧体。
将基于图20至23所示的第五实验性实例的结果说明其原因。
在第五实验性实例中，当利用分别添加的不同量的Co3O4、ZnO、Fe2O3和NiO制造基本元件16时测量温度系数τμ和高频特性(对于Q＝100的频率)。在图20至23中，实线Ln101表示温度系数的特性，虚线Ln102表示高频特性。
为了使考虑温度系数的滤波器特性实用，必要的是温度系数τμ不大于1,000ppm/℃，且高频特性(对于Q＝100的频率)不小于100MHz。满足该条件(条件1)的第一范围T1示于图20至23中。更优选，温度系数τμ不大于500ppm/℃，且高频特性不小于100MHz。满足该条件(条件2)的第二范围T2也示于图20至23中。
首先，关于Co3O4，如图20所示，当增加添加剂的量时温度系数增加。这种现象可能是由Co的高磁各向异性引起的。也观察到这样的趋势，即当添加的Co3O4的量增加时，高频特性也增加。要理解的是，当添加剂的量为0mol％时高频特性略低于100MHz。
接下来，关于ZnO，如图21所示，当添加剂的量增加时，温度系数增加，并且高频特性降低。在添加剂的量超过3.6mol％的阶段温度系数超过1,000ppm/℃。在添加剂的量不小于6mol％的阶段高频特性为100MHz。因此，第一范围T1由温度系数确定。
关于Fe2O3，如图22所示，温度系数高且温度特性在第一范围T1以外退化。当添加剂的量增加时，高频特性降低。在添加剂的量超过48mol％的阶段高频特性小于100MHz。
关于NiO，如图23所示，温度系数高且温度特性在第一范围T1以外退化。然而，可以在测量范围(35至49mol％)内实现不小于100MHz的高频特性。
上述的用于形成磁性部分20的磁性材料的组成范围可以由图20至23所示的第一范围T1和第二范围T2确定。
图24示出了实验性实例(第六实验性实例)的结果，其中对于实例101至108和比较例101至107测量了初始导磁率(在10MHz的频率和25℃的温度下的初始导磁率)、温度系数(在10MHz的频率下的温度系数)、和高频特性(对于Q＝100的频率)。在实例101至108中，其中添加的CuO的量不变(12mol％)且NiO、ZnO、Fe2O3和Co3O4的添加量在上述的第一范围T1或第二范围T2内。在比较例101至107中，添加的CuO不变(12mol％)且NiO、ZnO、Fe2O3和Co3O4的添加量在上述的第一范围T1以外。
根据图24所示的结果，在比较例101中，温度系数为860ppm/℃，其是令人满意的。然而，高频特性为70MHz，其对于实际水平来说不小于100MHz。相似地，而且在比较例106中，温度系数为360ppm/℃，其是令人满意的。然而，高频特性为65MHz，其没有处于实际水平。
在比较例102至105的任何一个中，高频特性不小于实际水平的100MHz。然而，温度系数不满足不大于1,000ppm/℃的实际水平。
在比较例107中，温度系数不满足1,000ppm/℃的实际水平。而且，高频特性也不满足不小于100MHz的实际水平。
另一方面，在实例101、102和104至108中，温度系数满足不大于500ppm/℃的值，并且高频特性也满足不小于100MHz的值。获得了令人满意的结果。
在实例103中，结果不超过实例101、102和104至108的结果。然而，温度系数满足不大于1,000ppm/℃的值，且高频特性也满足不小于100MHz的值。获得了令人满意的结果。
如上所述，在根据第三实施例的滤波器10C中，温度特性和高频特性两个都令人满意。当使用滤波器10C时，能够将FM无线接收机和/或FM发射机装载在例如便携式装置上。
通过组合根据第一实施例的滤波器10A和根据第三实施例的滤波器10B能够进一步改善所述特性。
理所当然的是，根据本发明的电子零件不限于上述的实施例，其可在不脱离本发明的要点或基本特性的情况下以其它多种方式来体现。

Claims (7)

1.一种电子零件，具有通过接合电介质部分(18)和磁性部分(20)构造的基本元件(16)，其中
通带为76至108MHz的带或其一部分，且从200MHz至6GHz的衰减不小于10dB。
2.根据权利要求1的电子零件，其中所述基本元件(16)具有不大于2.0mm×1.25mm×1mm的尺度，且所述电子零件可用于便携式装置。
3.根据权利要求2的电子零件，其中形成所述磁性部分(20)的磁性材料是在不大于150MHz的频率处具有不小于10的初始导磁率的铁氧体。
4.根据权利要求3的电子零件，其中形成所述磁性部分(20)的所述磁性材料是包含其中NiO为31至42mol％、ZnO为2至10mol％、Fe2O3为43至48mol％、Co3O4为0.5至3mol％且CuO为10至14mol％的组成为主要成分的铁氧体。
5.根据权利要求3的电子零件，其中形成所述磁性部分(20)的所述磁性材料是包含其中NiO为37.4至42.2mol％、ZnO为0.01至3.6mol％、Fe2O3为46.2至48mol％、Co3O4为0.1至0.8mol％且CuO为10至14mol％的组成为主要成分的铁氧体。
6.根据权利要求3的电子零件，其中形成所述电介质部分(18)的电介质材料包含xBaO·y1Nd2O3·y2Bi2O3·zTiO2的组成为主要成分，其中
0.09≤x≤0.25
0.05≤y1≤0.20
0＜y2≤0.10
0.60≤z≤0.75。
7.根据权利要求3的电子零件，其中：
所述基本元件(16)具有设置在所述电介质部分(18)和所述磁性部分(20)之间的接合部分(22)；以及
形成所述接合部分(22)的材料是BaO-TiO2-ZnO基电介质。
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