JP3256435B2 - 積層チップｅｍｉ除去フィルタ - Google Patents
積層チップｅｍｉ除去フィルタInfo
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- JP3256435B2 JP3256435B2 JP13760496A JP13760496A JP3256435B2 JP 3256435 B2 JP3256435 B2 JP 3256435B2 JP 13760496 A JP13760496 A JP 13760496A JP 13760496 A JP13760496 A JP 13760496A JP 3256435 B2 JP3256435 B2 JP 3256435B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、積層チップ型の
ＥＭＩ除去フィルタに関するものである。
ＥＭＩ除去フィルタに関するものである。
【０００２】
【背景技術】ノイズ対策などに使用する積層チップＥＭ
Ｉ除去フィルタは、広く知られているように、コイル
（インダクタ）とコンデンサ（キャパシタ）の組み合わ
せによって構成されており、代表的な構造を示すと図５
のようになる。図５は、部分的に内部を示したもので、
等価回路は図６に示すようになっている。これらの図に
おいて、積層フィルタ１０は、左右にＩＮ（入力）電極
１２，ＯＵＴ（出力）電極１４を備えており、上下に誘
電体層１６，磁性体層１８を備えている。また、積層フ
ィルタ１０の前後には、ＧＮＤ（アース）電極２０，２
２がそれぞれ設けられている。
Ｉ除去フィルタは、広く知られているように、コイル
（インダクタ）とコンデンサ（キャパシタ）の組み合わ
せによって構成されており、代表的な構造を示すと図５
のようになる。図５は、部分的に内部を示したもので、
等価回路は図６に示すようになっている。これらの図に
おいて、積層フィルタ１０は、左右にＩＮ（入力）電極
１２，ＯＵＴ（出力）電極１４を備えており、上下に誘
電体層１６，磁性体層１８を備えている。また、積層フ
ィルタ１０の前後には、ＧＮＤ（アース）電極２０，２
２がそれぞれ設けられている。
【０００３】誘電体層１６内には、コンデンサ電極２
４，２６，２８が適宜の間隔をおいて設けられている。
これらのうち、コンデンサ電極２４，２８は、ＧＮＤ電
極２０，２２にそれぞれ接続されており、コンデンサ電
極２４，２８に挟まれた他のコンデンサ電極２６は、ビ
アホール３０を通じてコイル側に接続されている。磁性
体層１８内には、コイル導体３２がビアホール（図示せ
ず）を用いて螺旋状に接続されており、一端が前記ビア
ホール３０に接続され、他端が出力電極１４に接続され
ている。なお、図５には、出力側のコイルしか示されて
いないが、入力電極１２に接続される入力側のコイルに
ついても同様である。また、図６に等価回路を示すよう
に、入力側と出力側は等価であり、入出力は逆にしても
よい。
４，２６，２８が適宜の間隔をおいて設けられている。
これらのうち、コンデンサ電極２４，２８は、ＧＮＤ電
極２０，２２にそれぞれ接続されており、コンデンサ電
極２４，２８に挟まれた他のコンデンサ電極２６は、ビ
アホール３０を通じてコイル側に接続されている。磁性
体層１８内には、コイル導体３２がビアホール（図示せ
ず）を用いて螺旋状に接続されており、一端が前記ビア
ホール３０に接続され、他端が出力電極１４に接続され
ている。なお、図５には、出力側のコイルしか示されて
いないが、入力電極１２に接続される入力側のコイルに
ついても同様である。また、図６に等価回路を示すよう
に、入力側と出力側は等価であり、入出力は逆にしても
よい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術では、コイル及びコンデンサのみの組み
合わせであるため、電流抑制作用が小さい。このため、
デジタル信号に対するリンギング抑制効果も小さく、回
路が誤動作するなどの不都合がある。図７（A）には、
デジタル信号波形におけるリンギングの一例が示されて
おり、理想的には平坦であるのが好ましい部分にリンギ
ングが生じている。
ような背景技術では、コイル及びコンデンサのみの組み
合わせであるため、電流抑制作用が小さい。このため、
デジタル信号に対するリンギング抑制効果も小さく、回
路が誤動作するなどの不都合がある。図７（A）には、
デジタル信号波形におけるリンギングの一例が示されて
おり、理想的には平坦であるのが好ましい部分にリンギ
ングが生じている。
【０００５】この発明は、以上の点に着目したもので、
リンギングの抑制を効果的に行って、回路誤動作を良好
に防止することができる積層チップＥＭＩ除去フィルタ
を提供することを、その目的とするものである。
リンギングの抑制を効果的に行って、回路誤動作を良好
に防止することができる積層チップＥＭＩ除去フィルタ
を提供することを、その目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、コイルの導体パターンが形成されたシ
ートと、コンデンサの導体パターンが形成されたシート
とを積層するとともに、前記コイルの導体パターンを第
１のホールで接続し、前記コンデンサの導体パターンを
第２のホールで接続し、前記コイルの導体パターンと前
記コンデンサの導体パターンを第３のホールで接続した
積層チップＥＭＩ除去フィルタにおいて、前記第３のホ
ールを高抵抗化したことを特徴とする。主要な実施形態
によれば、高抵抗化するホール接続部は、例えば、Ａｇ
−Ｐｄ合金，ルテニウム酸化物，ニクロム，クロメルの
少なくとも一つを主成分とする材料によって形成され
る。前記コンデンサの導体パターンは誘電体層中に形成
され、前記コイルの導体パターンは磁性体層，誘電体層
又は絶縁体層中に形成される。
め、この発明は、コイルの導体パターンが形成されたシ
ートと、コンデンサの導体パターンが形成されたシート
とを積層するとともに、前記コイルの導体パターンを第
１のホールで接続し、前記コンデンサの導体パターンを
第２のホールで接続し、前記コイルの導体パターンと前
記コンデンサの導体パターンを第３のホールで接続した
積層チップＥＭＩ除去フィルタにおいて、前記第３のホ
ールを高抵抗化したことを特徴とする。主要な実施形態
によれば、高抵抗化するホール接続部は、例えば、Ａｇ
−Ｐｄ合金，ルテニウム酸化物，ニクロム，クロメルの
少なくとも一つを主成分とする材料によって形成され
る。前記コンデンサの導体パターンは誘電体層中に形成
され、前記コイルの導体パターンは磁性体層，誘電体層
又は絶縁体層中に形成される。
【０００７】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、次の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、次の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態につい
て、実施例を参照しながら詳細に説明する。積層チップ
ＥＭＩ除去フィルタは、例えば、高速信号線におけるノ
イズ除去などに利用される。
て、実施例を参照しながら詳細に説明する。積層チップ
ＥＭＩ除去フィルタは、例えば、高速信号線におけるノ
イズ除去などに利用される。
【０００９】
【実施例１】最初に、図１及び図２（A）を参照しなが
ら実施例１について説明する。図１（A）には、実施例
１にかかる積層フィルタのビアホールに沿った断面が示
されており、図１（B）には積層シート上の電極パター
ンが示されている。また、図２（A）には等価回路が示
されている。
ら実施例１について説明する。図１（A）には、実施例
１にかかる積層フィルタのビアホールに沿った断面が示
されており、図１（B）には積層シート上の電極パター
ンが示されている。また、図２（A）には等価回路が示
されている。
【００１０】まず、実施例１の積層フィルタの製造手順
について説明する。 （1）Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトによる磁性体材料のグリ
ーンシート上に、Ａｇ：Ｐｄ＝１：１（原子比）の割合
で含む比較的抵抗値の高い抵抗ペーストを用いて、図１
（B）のＳＥ，ＳＦ，ＳＧ，ＳＨに示すパターンでスク
リーン印刷した。これによって、コイルパターンＬ１０
〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ２６がそれぞれ形成される。ま
た、図１（B）のＳＤで示すグリーンシートのビアホー
ルうち、磁性体材料の複数のグリーンシートには、Ａｇ
導体ペーストをスクリーン印刷した。これによって、磁
性体側のビアホールＨ１４，Ｈ２４が形成される。
について説明する。 （1）Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトによる磁性体材料のグリ
ーンシート上に、Ａｇ：Ｐｄ＝１：１（原子比）の割合
で含む比較的抵抗値の高い抵抗ペーストを用いて、図１
（B）のＳＥ，ＳＦ，ＳＧ，ＳＨに示すパターンでスク
リーン印刷した。これによって、コイルパターンＬ１０
〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ２６がそれぞれ形成される。ま
た、図１（B）のＳＤで示すグリーンシートのビアホー
ルうち、磁性体材料の複数のグリーンシートには、Ａｇ
導体ペーストをスクリーン印刷した。これによって、磁
性体側のビアホールＨ１４，Ｈ２４が形成される。
【００１１】（2）次に、ＴｉＯ2を主成分とする誘電体
材料のグリーンシート上に、Ａｇ導体ペーストを用い
て、図１（B）のＳＡ，ＳＢ，ＳＣに示すパターンでス
クリーン印刷した。これによって、コンデンサパターン
Ｃ１０，Ｃ１２，Ｃ１４がそれぞれ形成される。また、
図１（B）のＳＤで示すグリーンシートのビアホールう
ち、誘電体材料の複数のグリーンシートには、Ａｇ導体
ペーストをスクリーン印刷した。これによって、誘電体
側のビアホールＨ１４，Ｈ２４が形成される。
材料のグリーンシート上に、Ａｇ導体ペーストを用い
て、図１（B）のＳＡ，ＳＢ，ＳＣに示すパターンでス
クリーン印刷した。これによって、コンデンサパターン
Ｃ１０，Ｃ１２，Ｃ１４がそれぞれ形成される。また、
図１（B）のＳＤで示すグリーンシートのビアホールう
ち、誘電体材料の複数のグリーンシートには、Ａｇ導体
ペーストをスクリーン印刷した。これによって、誘電体
側のビアホールＨ１４，Ｈ２４が形成される。
【００１２】（3）次に、以上のようにして電極やビア
ホールが印刷されたグリーンシートを、図１（B）に示
す順序で積層した。このとき、誘電体シート層の上部
に、電極などが印刷されていない誘電体グリーンシート
を適当枚重ねるとともに、磁性体シート層の下部に、電
極などが印刷されていない磁性体グリーンシートを適当
枚重ねた。その後、誘電体及び磁性体の積層体を熱プレ
スして一体化した。なお、図１の実施例では、一つのシ
ートに１個のパターンのみが形成されているが、実際に
は同一パターンが多数配列されており、多数個取りとな
っている。
ホールが印刷されたグリーンシートを、図１（B）に示
す順序で積層した。このとき、誘電体シート層の上部
に、電極などが印刷されていない誘電体グリーンシート
を適当枚重ねるとともに、磁性体シート層の下部に、電
極などが印刷されていない磁性体グリーンシートを適当
枚重ねた。その後、誘電体及び磁性体の積層体を熱プレ
スして一体化した。なお、図１の実施例では、一つのシ
ートに１個のパターンのみが形成されているが、実際に
は同一パターンが多数配列されており、多数個取りとな
っている。
【００１３】次に、この積層状態における前記導体パタ
ーンの接続について、図２（A）も参照しながら説明す
る。上側の誘電体側から説明すると、シートＳＡ〜ＳＣ
のコンデンサパターンＣ１０〜Ｃ１４によってコンデン
サ５０が形成される。なお、コンデンサパターンＣ１
０，Ｃ１４は、ＧＮＤ電極２０，２２（図５参照）に接
続できるように、図１（B）の上下に延長形成されてい
る。それらに挟まれたコンデンサパターンＣ１２の両端
にはビアホールＨ１０，Ｈ２０が形成されており、図１
（A）に示すように、シートＳＣのビアホールＨ１２，
Ｈ２２、シートＳＤのビアホールＨ１４，Ｈ２４を複数
介して、磁性体側に接続されている。
ーンの接続について、図２（A）も参照しながら説明す
る。上側の誘電体側から説明すると、シートＳＡ〜ＳＣ
のコンデンサパターンＣ１０〜Ｃ１４によってコンデン
サ５０が形成される。なお、コンデンサパターンＣ１
０，Ｃ１４は、ＧＮＤ電極２０，２２（図５参照）に接
続できるように、図１（B）の上下に延長形成されてい
る。それらに挟まれたコンデンサパターンＣ１２の両端
にはビアホールＨ１０，Ｈ２０が形成されており、図１
（A）に示すように、シートＳＣのビアホールＨ１２，
Ｈ２２、シートＳＤのビアホールＨ１４，Ｈ２４を複数
介して、磁性体側に接続されている。
【００１４】一方、下側の磁性体側では、シートＳＥ〜
ＳＨのコイルパターンＬ１０〜Ｌ１６によって入力側の
コイル５２が形成される。コイルパターンＬ１０〜Ｌ１
６は、ビアホールＨ３０〜Ｈ３４によって螺旋状になる
ように接続される。なお、コイルパターンＬ１６は、入
力電極１２（図５参照）に接続できるように、図１
（B）の左側に延長形成されている。
ＳＨのコイルパターンＬ１０〜Ｌ１６によって入力側の
コイル５２が形成される。コイルパターンＬ１０〜Ｌ１
６は、ビアホールＨ３０〜Ｈ３４によって螺旋状になる
ように接続される。なお、コイルパターンＬ１６は、入
力電極１２（図５参照）に接続できるように、図１
（B）の左側に延長形成されている。
【００１５】また、シートＳＥ〜ＳＨのコイルパターン
Ｌ２０〜Ｌ２６によって出力側のコイル５４が形成され
る。コイルパターンＬ２０〜Ｌ２６は、ビアホールＨ４
０〜Ｈ４４によって螺旋状になるように接続される。な
お、コイルパターンＬ２６は、出力電極１４（図５参
照）に接続できるように、図１（B）の右側に延長形成
されている。
Ｌ２０〜Ｌ２６によって出力側のコイル５４が形成され
る。コイルパターンＬ２０〜Ｌ２６は、ビアホールＨ４
０〜Ｈ４４によって螺旋状になるように接続される。な
お、コイルパターンＬ２６は、出力電極１４（図５参
照）に接続できるように、図１（B）の右側に延長形成
されている。
【００１６】更に、コイルパターンＬ１０，Ｌ２０のラ
ンドＬ１０Ｈ，Ｌ２０Ｈは、図１（A）に示すように、
複数のシートＳＤのビアホールＨ１４，Ｈ２４を介し
て、誘電体側に接続されている。
ンドＬ１０Ｈ，Ｌ２０Ｈは、図１（A）に示すように、
複数のシートＳＤのビアホールＨ１４，Ｈ２４を介し
て、誘電体側に接続されている。
【００１７】（4）次に、これによって得られた積層体
を切断し、未焼成の積層チップを得る。この未焼成チッ
プを脱バイ，すなわちグリーンシートやペーストに含ま
れている有機バインダを加熱除去し、例えば９００℃で
焼成して積層チップの焼成体を得る。そして、このチッ
プ焼成体に、例えばＡｇ導体ペーストを用いて入力電
極，出力電極，ＧＮＤ電極（前記図５参照）を塗布形成
し、例えば８００℃で焼き付ける。更に、それらの電極
端子に、Ｎｉメッキあるいはハンダメッキを施して積層
フィルタの完成品を得る。
を切断し、未焼成の積層チップを得る。この未焼成チッ
プを脱バイ，すなわちグリーンシートやペーストに含ま
れている有機バインダを加熱除去し、例えば９００℃で
焼成して積層チップの焼成体を得る。そして、このチッ
プ焼成体に、例えばＡｇ導体ペーストを用いて入力電
極，出力電極，ＧＮＤ電極（前記図５参照）を塗布形成
し、例えば８００℃で焼き付ける。更に、それらの電極
端子に、Ｎｉメッキあるいはハンダメッキを施して積層
フィルタの完成品を得る。
【００１８】このように、実施例１によれば、図２
（A）に太線で示すように、コイル５２，５４を構成す
る導体パターン部分が高抵抗化された構成となってい
る。
（A）に太線で示すように、コイル５２，５４を構成す
る導体パターン部分が高抵抗化された構成となってい
る。
【００１９】
【実施例２】次に、図３及び図２（B）を参照しながら
実施例２について説明する。図３は上述した図１に対応
するものであり、（A）はビアホールに沿った断面図，
（B）は積層シート上の電極パターンである。また、図
２（B）は等価回路である。この実施例２では、上述し
た実施例１と比較して、シートＳＢ上のコンデンサパタ
ーンＣ１３が、図３（B）に示すようにコ字繰り返しパ
ターンとなっており、更にこの部分が高抵抗のＡｇ−Ｐ
ｄによる抵抗ペーストで形成された構成となっている。
なお、コイルパターンＬ１０〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ２６
は、通常のＡｇペーストによって形成されている。この
ように、実施例２によれば、図２（B）に示すように、
コンデンサ６０の一方の電極である導体パターン部分Ｃ
１３が高抵抗化された構成となっており、コイル６２，
６４はいずれも通常の導体となっている。
実施例２について説明する。図３は上述した図１に対応
するものであり、（A）はビアホールに沿った断面図，
（B）は積層シート上の電極パターンである。また、図
２（B）は等価回路である。この実施例２では、上述し
た実施例１と比較して、シートＳＢ上のコンデンサパタ
ーンＣ１３が、図３（B）に示すようにコ字繰り返しパ
ターンとなっており、更にこの部分が高抵抗のＡｇ−Ｐ
ｄによる抵抗ペーストで形成された構成となっている。
なお、コイルパターンＬ１０〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ２６
は、通常のＡｇペーストによって形成されている。この
ように、実施例２によれば、図２（B）に示すように、
コンデンサ６０の一方の電極である導体パターン部分Ｃ
１３が高抵抗化された構成となっており、コイル６２，
６４はいずれも通常の導体となっている。
【００２０】
【実施例３】次に、図２（C）を参照しながら実施例３
について説明する。この実施例３では、前記実施例１と
比較して、コイルパターンＬ１０〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ
２６，ビアホールパターンＨ３０〜Ｈ３４，Ｈ４０〜Ｈ
４４が全て通常のＡｇペーストで形成されている。しか
し、図１（B）のシートＳＤのビアホールパターンＨ１
４，Ｈ２４が、誘電体側及び磁性体側の全体でＡｇ−Ｐ
ｄによる抵抗ペーストで形成された構成となっている。
このように、実施例３によれば、図２（C）に示すよう
に、コンデンサ７０，コイル７２，７４は通常の導体と
なっているものの、それらを接続するビアホール接続部
７６が高抵抗化された構成となっている。
について説明する。この実施例３では、前記実施例１と
比較して、コイルパターンＬ１０〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ
２６，ビアホールパターンＨ３０〜Ｈ３４，Ｈ４０〜Ｈ
４４が全て通常のＡｇペーストで形成されている。しか
し、図１（B）のシートＳＤのビアホールパターンＨ１
４，Ｈ２４が、誘電体側及び磁性体側の全体でＡｇ−Ｐ
ｄによる抵抗ペーストで形成された構成となっている。
このように、実施例３によれば、図２（C）に示すよう
に、コンデンサ７０，コイル７２，７４は通常の導体と
なっているものの、それらを接続するビアホール接続部
７６が高抵抗化された構成となっている。
【００２１】
【実施例４】次に、図２（D）を参照しながら実施例４
について説明する。この実施例４では、前記実施例２と
比較して、ビアホール接続部分を実施例３のようにＡｇ
−Ｐｄによる抵抗ペーストで形成した構成となってい
る。すなわち、実施例４では、図２（D）に示すよう
に、コンデンサ８０の一方の電極である導体パターン部
分Ｃ１３，及びビアホール接続部８６がが高抵抗化され
た構成となっており、コイル８２，８４はいずれも通常
の導体となっている。
について説明する。この実施例４では、前記実施例２と
比較して、ビアホール接続部分を実施例３のようにＡｇ
−Ｐｄによる抵抗ペーストで形成した構成となってい
る。すなわち、実施例４では、図２（D）に示すよう
に、コンデンサ８０の一方の電極である導体パターン部
分Ｃ１３，及びビアホール接続部８６がが高抵抗化され
た構成となっており、コイル８２，８４はいずれも通常
の導体となっている。
【００２２】
【実施例５】次に、実施例５は、前記実施例１における
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、原子比でＡｇ：
Ｐｄ＝２：１の抵抗ペーストによる導体パターンで形成
したものである。
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、原子比でＡｇ：
Ｐｄ＝２：１の抵抗ペーストによる導体パターンで形成
したものである。
【００２３】
【実施例６】次に、実施例６は、前記実施例１における
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、原子比でＡｇ：
Ｐｄ＝１：２の抵抗ペーストによる導体パターンで形成
したものである。
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、原子比でＡｇ：
Ｐｄ＝１：２の抵抗ペーストによる導体パターンで形成
したものである。
【００２４】
【実施例７】次に、実施例７は、前記実施例１における
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、Ａｇ−Ｐｄの代
わりに酸化ルテニウム（ルテニウム酸化物）を主成分と
する抵抗ペーストによる導体パターンで形成したもので
ある。
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、Ａｇ−Ｐｄの代
わりに酸化ルテニウム（ルテニウム酸化物）を主成分と
する抵抗ペーストによる導体パターンで形成したもので
ある。
【００２５】
【実施例８】次に、実施例８は、前記実施例１における
磁性体部分を誘電体材料によって形成し、全体が誘電体
材料によって構成された積層フィルタとしたものであ
る。
磁性体部分を誘電体材料によって形成し、全体が誘電体
材料によって構成された積層フィルタとしたものであ
る。
【００２６】
【実施例９】次に、実施例９は、実施例８の誘電体材料
として、ガラスセラミックによる絶縁体材料を用い、全
体が絶縁体材料によって構成された積層フィルタとした
ものである。
として、ガラスセラミックによる絶縁体材料を用い、全
体が絶縁体材料によって構成された積層フィルタとした
ものである。
【００２７】
【比較例】次に、比較例として、前記実施例１における
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、Ａｇ−Ｐｄの代
わりにＡｇペーストによる導体パターンとしたものであ
る。別言すれば、導体部分を全部Ａｇペーストによる導
体パターンで形成したもので、背景技術に相当する。
高抵抗部分であるコイル５２，５４を、Ａｇ−Ｐｄの代
わりにＡｇペーストによる導体パターンとしたものであ
る。別言すれば、導体部分を全部Ａｇペーストによる導
体パターンで形成したもので、背景技術に相当する。
【００２８】次に、以上のような構成の実施例１〜９及
び比較例につき、入出力電極間の抵抗値とリンギングを
測定したところ、次の表１に示すような結果が得られ
た。なお、リンギング電圧は、図７（A）に示すＶRの値
である。
び比較例につき、入出力電極間の抵抗値とリンギングを
測定したところ、次の表１に示すような結果が得られ
た。なお、リンギング電圧は、図７（A）に示すＶRの値
である。
【００２９】
【表１】
【００３０】この表１の結果を考察すると、いずれの実
施例も比較例に対して格段に低いリンギング値となって
いる。実施例４が最もリンギング値が低く、実施例３は
実施例中で最も高いリンギング値となっている。すなわ
ち、いずれの実施例によっても良好にリンギングが抑制
され、図７（A）に示す波形は同図（B）に示すようにな
る。図４には、表１に示す入出力間抵抗値とリンギング
との関係がグラフとして示されている。同図のように、
入出力間抵抗値とリンギングとは、概略反比例の関係に
あることが分る。
施例も比較例に対して格段に低いリンギング値となって
いる。実施例４が最もリンギング値が低く、実施例３は
実施例中で最も高いリンギング値となっている。すなわ
ち、いずれの実施例によっても良好にリンギングが抑制
され、図７（A）に示す波形は同図（B）に示すようにな
る。図４には、表１に示す入出力間抵抗値とリンギング
との関係がグラフとして示されている。同図のように、
入出力間抵抗値とリンギングとは、概略反比例の関係に
あることが分る。
【００３１】更に、実施例１，２，３を比較すると、高
抵抗化した個所により入出力間抵抗値が変化し、これに
対応してリンギング値も変化しているものの、いずれに
おいても良好なリンギング抑制効果が得られている。従
って、いずれの個所を高抵抗化するかは、製造工程やコ
ストなどを考慮して適宜決めればよい。次に、実施例
１，５，６を比較すると、Ａｇ：Ｐｄの合金の比率によ
り入出力間抵抗値が変化し、これに対応してリンギング
値も変化しているものの、いずれにおいても良好なリン
ギング抑制効果が得られている。従って、Ａｇ：Ｐｄの
比率も、必要に応じて適宜設定してよい。
抵抗化した個所により入出力間抵抗値が変化し、これに
対応してリンギング値も変化しているものの、いずれに
おいても良好なリンギング抑制効果が得られている。従
って、いずれの個所を高抵抗化するかは、製造工程やコ
ストなどを考慮して適宜決めればよい。次に、実施例
１，５，６を比較すると、Ａｇ：Ｐｄの合金の比率によ
り入出力間抵抗値が変化し、これに対応してリンギング
値も変化しているものの、いずれにおいても良好なリン
ギング抑制効果が得られている。従って、Ａｇ：Ｐｄの
比率も、必要に応じて適宜設定してよい。
【００３２】次に、実施例１，５，６と実施例７は、高
低抗体の材料がＡｇ−Ｐｄ合金か，ルテニウム酸化物か
で異なる。ルテニウム酸化物の方がＡｇ−Ｐｄ合金より
も抵抗値が高いためリンギングの抑制効果も高いが、Ａ
ｇ−Ｐｄ合金であっても良好にリンギングが抑制されて
おり、いずれの材料を用いてもよい。次に、実施例１，
８，９を比較すると、いずれもほぼ同様の入出力間抵抗
値となっており、リンギング値にもそれほどの相違はな
い。従って、磁性体材料，誘電体材料，絶縁体材料のい
ずれとするかも適宜決めてよい。
低抗体の材料がＡｇ−Ｐｄ合金か，ルテニウム酸化物か
で異なる。ルテニウム酸化物の方がＡｇ−Ｐｄ合金より
も抵抗値が高いためリンギングの抑制効果も高いが、Ａ
ｇ−Ｐｄ合金であっても良好にリンギングが抑制されて
おり、いずれの材料を用いてもよい。次に、実施例１，
８，９を比較すると、いずれもほぼ同様の入出力間抵抗
値となっており、リンギング値にもそれほどの相違はな
い。従って、磁性体材料，誘電体材料，絶縁体材料のい
ずれとするかも適宜決めてよい。
【００３３】以上のように、本実施例によれば、フィル
タの入出力間のいずれかの部分を高抵抗化することによ
り、リンギングが良好に抑制される。このため、リンギ
ングが原因で生ずる回路の誤動作が防止されるようにな
る。また、コイルやコンデンサの他に新たに抵抗を設け
ることなく、既存の導体部分を高抵抗化するので、製造
工程が複雑となるなどの不都合もない。
タの入出力間のいずれかの部分を高抵抗化することによ
り、リンギングが良好に抑制される。このため、リンギ
ングが原因で生ずる回路の誤動作が防止されるようにな
る。また、コイルやコンデンサの他に新たに抵抗を設け
ることなく、既存の導体部分を高抵抗化するので、製造
工程が複雑となるなどの不都合もない。
【００３４】
【他の実施例】この発明は、以上の開示に基づいて多様
に改変することが可能であり、例えば次のようなものが
ある。 （1）前記実施例では、高抵抗化を図る材料としてＡｇ
−Ｐｄ合金やルテニウム酸化物を用いたが、それら以外
の材料を使用することを妨げるものではない。例えば、
ニクロムやクロメルを主成分とする抵抗材料も使用可能
であり、それら４つうちのいずれか一つを主成分とする
材料を用いてよい。
に改変することが可能であり、例えば次のようなものが
ある。 （1）前記実施例では、高抵抗化を図る材料としてＡｇ
−Ｐｄ合金やルテニウム酸化物を用いたが、それら以外
の材料を使用することを妨げるものではない。例えば、
ニクロムやクロメルを主成分とする抵抗材料も使用可能
であり、それら４つうちのいずれか一つを主成分とする
材料を用いてよい。
【００３５】（2）前記実施例では、例えばコイルやビ
アホールの導体パターンを全体として高抵抗化したが、
もちろん一部分のみ，例えばコイルパターンの一部分の
みを高抵抗化するなど、必要に応じて適宜変更してよ
い。積層シート毎に導体パターンを高抵抗化するかどう
かを設定すると、製造工程上は好都合である。端子間の
いずれかの領域を高抵抗化することで、同様の効果を得
ることができる。なお、高抵抗化する領域を増やすほ
ど、リンギングの抑制効果も増大する。
アホールの導体パターンを全体として高抵抗化したが、
もちろん一部分のみ，例えばコイルパターンの一部分の
みを高抵抗化するなど、必要に応じて適宜変更してよ
い。積層シート毎に導体パターンを高抵抗化するかどう
かを設定すると、製造工程上は好都合である。端子間の
いずれかの領域を高抵抗化することで、同様の効果を得
ることができる。なお、高抵抗化する領域を増やすほ
ど、リンギングの抑制効果も増大する。
【００３６】（3）前記実施例に示した導体パターンの
形状，積層数，ビアホールの位置などは、何ら実施例に
限定されるものではなく、必要に応じて適宜設計変更し
てよい。例えばビアホールの代わりにスルーホールとす
るなどである。製造工程も同様である。
形状，積層数，ビアホールの位置などは、何ら実施例に
限定されるものではなく、必要に応じて適宜設計変更し
てよい。例えばビアホールの代わりにスルーホールとす
るなどである。製造工程も同様である。
【００３７】（4）前記実施例では、主として材料を工
夫することで高抵抗化を図ったが、図３（B）のコンデ
ンサパターンＣ１３に示すように、パターン形状（膜厚
も含む）を工夫することで高抵抗化を図るようにしても
よい。
夫することで高抵抗化を図ったが、図３（B）のコンデ
ンサパターンＣ１３に示すように、パターン形状（膜厚
も含む）を工夫することで高抵抗化を図るようにしても
よい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、入出力間に高抵抗化部分を設けることとしたので、
リンギングが効果的に抑制され、更には回路の誤動作が
良好に防止されるという効果がある。
ば、入出力間に高抵抗化部分を設けることとしたので、
リンギングが効果的に抑制され、更には回路の誤動作が
良好に防止されるという効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示す図である。（A）は
ビアホールに沿った断面図，（B）は各積層シートの平
面図である。
ビアホールに沿った断面図，（B）は各積層シートの平
面図である。
【図２】主要実施例における高抵抗化部分を太線で示す
回路図である。
回路図である。
【図３】この発明の実施例２を示す図である。（A）は
ビアホールに沿った断面図，（B）は各積層シートの平
面図である。
ビアホールに沿った断面図，（B）は各積層シートの平
面図である。
【図４】実施例における入出力間抵抗とリンギングとの
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図５】積層チップ型のＥＭＩ除去フィルタの一例を示
す一部破断した斜視図である。
す一部破断した斜視図である。
【図６】図５のフィルタの等価回路図である。
【図７】デジタル波形の一例を示す図である。（A）は
リンギングが生じた波形，（B）は本実施例によるリン
ギング抑制後の波形である。
リンギングが生じた波形，（B）は本実施例によるリン
ギング抑制後の波形である。
１０…積層フィルタ １２…入力電極 １４…出力電極 １６…誘電体層 １８…磁性体層 ２０，２２…ＧＮＤ電極 ２４，２６，２８…コンデンサ電極 ３０…ビアホール ３２…コイル電極 ５０，６０，７０，８０…コンデンサ ５２，５４，６２，６４，７２，７４，８２，８４…コ
イル ５６，６６，７６，８６…ビアホール接続部 Ｃ１０〜Ｃ１４…コンデンサパターン Ｈ１０〜Ｈ１４，Ｈ２０〜Ｈ２４，Ｈ３０〜Ｈ３４，Ｈ
４０〜Ｈ４４…ビアホール Ｌ１０〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ２６…コイルパターン ＳＡ〜ＳＨ…積層シート
イル ５６，６６，７６，８６…ビアホール接続部 Ｃ１０〜Ｃ１４…コンデンサパターン Ｈ１０〜Ｈ１４，Ｈ２０〜Ｈ２４，Ｈ３０〜Ｈ３４，Ｈ
４０〜Ｈ４４…ビアホール Ｌ１０〜Ｌ１６，Ｌ２０〜Ｌ２６…コイルパターン ＳＡ〜ＳＨ…積層シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−295513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−293210（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−60148（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−181119（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−237060（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−308023（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−168074（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−19314（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−110022（ＪＰ，Ｕ) 実開 平５−82003（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 5/02 - 7/12 H01F 17/00 H01F 27/00 H01G 4/40
Claims (3)
- 【請求項１】 コイルの導体パターンが形成されたシー
トと、コンデンサの導体パターンが形成されたシートと
を積層するとともに、前記コイルの導体パターンを第１
のホールで接続し、前記コンデンサの導体パターンを第
２のホールで接続し、前記コイルの導体パターンと前記
コンデンサの導体パターンを第３のホールで接続した積
層チップＥＭＩ除去フィルタにおいて、 前記第３のホールを高抵抗化したことを特徴とする積層
チップＥＭＩ除去フィルタ。 - 【請求項２】 高抵抗化する部分を、Ａｇ−Ｐｄ合金，
ルテニウム酸化物，ニクロム，クロメルのうちの少なく
とも一つを主成分とする材料によって形成したことを特
徴とする請求項１記載の積層チップＥＭＩ除去フィル
タ。 - 【請求項３】 前記導体パターンのうち、コンデンサの
導体パターンを誘電体層中に形成し、コイルの導体パタ
ーンを、磁性体層，誘電体層又は絶縁体層中に形成した
ことを特徴とする請求項１又は２記載の積層チップＥＭ
Ｉ除去フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13760496A JP3256435B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 積層チップｅｍｉ除去フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13760496A JP3256435B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 積層チップｅｍｉ除去フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298438A JPH09298438A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3256435B2 true JP3256435B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=15202582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13760496A Expired - Fee Related JP3256435B2 (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 積層チップｅｍｉ除去フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256435B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3319373B2 (ja) * | 1998-01-13 | 2002-08-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 固体電子部品 |
| CN101116157A (zh) | 2005-02-10 | 2008-01-30 | 双信电机株式会社 | 电子部件 |
| JP4760789B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2011-08-31 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、回路基板及び回路モジュール |
| JP2009117459A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP13760496A patent/JP3256435B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09298438A (ja) | 1997-11-18 |
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