JP3743795B2 - マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、マンガン−亜鉛系フェライトに関し、特に広帯域伝送用トランスのコアに用いて好ましい高透磁率マンガン−亜鉛系フェライトに関する。
【0002】
【従来の技術】
上記のような広帯域伝送用トランス、例えばパルストランスにおいては、正確なデジタル通信を行なうため、広帯域で透磁率が高く、10〜500kHz の全域で高い透磁率を示すコア用のマンガン−亜鉛系フェライトが必要である。
【0003】
マンガン−亜鉛系フェライトにおいては、透磁率や損失などの電磁気特性は構造敏感性を有しており、微細構造の影響を大きく受けている。一般に結晶磁気異方性定数と磁歪定数がともに小さい組成を選択し、結晶粒子径を大きく、かつ空孔を減らし焼結密度を高めてやれば透磁率は向上する。これは磁壁移動が容易になる為であり、透磁率は磁壁の移動によって支配されていると考えられているからである。また、副成分が磁気特性に与える影響も大きく、含有量を制御しないと、結晶粒界への析出、異常粒成長の促進、空孔の発生助長など、磁壁の滑らかな移動を妨げ、透磁率の低下を招く。
【0004】
特公平5−55463号公報には、酸化第二鉄、酸化マンガン、及び酸化亜鉛を主成分とし、0.01重量%以下の二酸化ケイ素、0.02重量%以下の酸化カルシウムを副成分とした焼結型酸化物磁性材料において、更に副成分として、0.02〜0.05重量%の酸化ビスマス及び0.005〜0.05重量%の酸化アルミニウムを含有し、初透磁率μ0 が、18000以上、相対損失係数tanδ/μが2.0×10-6 以下であることを特徴とする酸化物磁性材料、上記を1300〜1370℃で焼結した焼結体であることを特徴とする酸化物磁性材料、酸化アルミニウム添加によるμ0 の温度係数が常に正を有する酸化物磁性材料が提案されている。しかしながら、この公報に記載されている磁性材料は、通信用の変成器磁心に使用するのに適したものとされているが、通信速度の高速化に伴って要求される高透磁率特性が得られていない。
【0005】
大きな結晶粒子径に関する技術として、特公昭52−29439号公報には、微細フェライト形成性出発混合物を所望形状を有する物体に成形、圧縮し、次いで焼結することにより多結晶マンガン−亜鉛フェライト体を製造するにあたり、SrF2 、B、Bi、Ca、Cu、Mg、Pb、Si、Vの酸化物およびFe3(PO4)2 のうちから選択した1種の粒子生長促進物質、またはこれら物質の混合物を、フェライトの0.005〜1重量%の分量で上記焼結前の製造段階で添加し、50μm 以上の平均粒径の抱合した結晶が得られるまで焼結を1350〜1400℃の温度で行うことを特徴とする多結晶マンガン−亜鉛フニライト体の製造方法が提案されている。しかし、このものの用途としては、ヘッドに限定されており、結晶粒子径を大きく不規則に抱合した結晶により、優れた耐崩壊性、高寿命特性を有するヘッドを提供することで極めて大きな結晶粒子で高い透磁率を得るという本発明の目的とは異なり、伝送装置のパルストランス等で要求される高透磁率特性も得られていない。しかも、このフェライトも用途がヘッドであるために、伝送装置のパルストランス等で要求される高透磁率が得られていない。
【0006】
このような要求により、本出願人は、特開平6−204025号公報において、広帯域で透磁率が高く、10〜500kHz の全域で高い透磁率を示すマンガン−亜鉛系フェライトを提供した。この特許公開公報で提案されたマンガン−亜鉛系フェライトは、Fe2 O3 換算で50〜56モル%の酸化鉄と、MnO換算で22〜39モル%の酸化マンガンと、ZnO換算で8〜25モル%の酸化亜鉛とを含有するマンガン−亜鉛系フエライトであって、Bi2 O3 換算で800ppm 以下の酸化ビスマス成分と、MoO3 換算で1200ppm 以下の酸化モリブデン成分とを添加して焼結したものである。
【0007】
この特許公開公報で提案されたマンガン−亜鉛系フェライトは、25℃における10kHz、100kHzおよび500kHzの初透磁率が、それぞれ9000以上、9000以上および3000以上と、広帯域で高い初透磁率を示す。
【0008】
またパルストランスにおいて、小型化、高速通信化を実現するためには、特に10kHz付近の周波数領域においてさらに高い透磁率を示すことが重要である。高い透磁率を実現することで、少ない巻線でも高いインダクタンスが得られるとともに、低い分布容量が実現でき、広い周波数帯域で信号の通過を可能とする。
【0009】
ところで、本出願人による特開平6−204025号公報には、広周波領域で透磁率が高く(10〜100kHz の周波数領域で9000以上)、10〜500kHzの全域で高い透磁率を示すマンガン−亜鉛系フェライトを提供する目的で、Fe2O3 換算で50〜56モル%の酸化鉄と、MnO換算で22〜39モル%の酸化マンガンと、ZnO換算で8〜25モル%の酸化亜鉛とを含有するマンガン−亜鉛系フェライトであって、Bi2O3 換算で800ppm 以下の酸化ビスマス成分と、MoO3 換算で1200ppm 以下の酸化モリブデン成分とを添加して焼結したマンガン−亜鉛系フェライトが提案されている。しかし、このものでも必要とされる高透磁率特性が得られてはいない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、広帯域で高い透磁率を示し、特に10k〜100kHz付近の周波数領域において特に高い透磁率を示すマンガン−亜鉛系フェライトを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記(1)〜(12)のいずれかの構成により達成される。
(1) 主成分として酸化鉄と酸化マンガンと酸化亜鉛とを、それぞれFe 2 O 3 換算、MnO換算、ZnO換算で、
Fe 2 O 3 :50〜56モル%、
MnO:21〜27モル%、
ZnO:20〜26モル%含有し、
フェライト全体の重量を100とした場合に、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、
平均結晶粒径が50μm超200μm以下であるマンガン−亜鉛系フェライトを製造する方法であって、
昇温速度を2段階以上に変化させながら雰囲気温度を焼成保持温度に向けて上昇させる昇温工程を含む焼成工程を経ることを特徴とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(2) 主成分として酸化鉄と酸化マンガンと酸化亜鉛とを、それぞれFe 2 O 3 換算、MnO換算、ZnO換算で、
Fe 2 O 3 :50〜56モル%、
MnO:21〜27モル%、
ZnO:20〜26モル%含有し、
フェライト全体の重量を100とした場合に、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、
平均結晶粒径が50μm超200μm以下であるマンガン−亜鉛系フェライトを製造する方法であって、
降温速度を2段階以上に変化させながら雰囲気温度を焼成保持温度から下降させる降温工程を含む焼成工程を経ることを特徴とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(3) 主成分として酸化鉄と酸化マンガンと酸化亜鉛とを、それぞれFe 2 O 3 換算、MnO換算、ZnO換算で、
Fe 2 O 3 :50〜56モル%、
MnO:21〜27モル%、
ZnO:20〜26モル%含有し、
フェライト全体の重量を100とした場合に、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、
平均結晶粒径が50μm超200μm以下であるマンガン−亜鉛系フェライトを製造する方法であって、
昇温速度を2段階以上に変化させながら、雰囲気温度を焼成保持温度に向けて上昇させる昇温工程と、
前記焼成保持温度で保持する温度保持工程と、
降温速度を2段階以上に変化させながら、雰囲気温度を前記焼成保持温度から下降させる降温工程とを、含む焼成工程
を経ることを特徴とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(4) 当初の昇温速度を速くし、徐々に昇温速度を遅くする上記(1)または(3)のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(5) 前記昇温速度を2段とする場合において、1段目の昇温速度を200〜500℃/時間とし、2段目の昇温速度を20〜200℃/時間とする上記(4)のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(6) 前記降温速度を2段とする場合において、1段目の降温速度を20〜200℃/時間とし、2段目の降温速度を200〜500℃/時間とする上記(2)〜(5)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(7) フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、Bi 2 O 3 換算で0.08重量%以下(ただし0を含まない)の酸化ビスマス成分を含有する上記(1)〜(6)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(8) フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、MoO 3 換算で0.12重量%以下(ただし0を含まない)の酸化モリブデン成分を有する上記(1)〜(7)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(9) フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムの1種または2種以上を、それぞれNb 2 O 5 換算、Ta 2 O 5 換算、ZrO 2 換算で、
Nb 2 O 5 :0(ただし0を含まない)〜0.03重量%、
Ta 2 O 5 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%、
ZrO 2 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%、
含有する上記(1)〜(8)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(10) フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、CaO換算で0.005〜0.05重量%の酸化カルシウムを含有する上記(1)〜(9)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(11) 10kHzにおける透磁率が15,000以上である上記(1)〜(10)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
(12) 100kHzにおける透磁率が15,000以上である上記(1)〜(11)のいずれかのマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
【0012】
【作用】
本発明においては、Pを含有するマンガン−亜鉛系フェライトの焼成中における温度条件と雰囲気を制御することにより、結晶の異常成長が生ぜず、平均結晶粒径が50μm 超であって200μm 以下の焼結体を得ることができる。そしてこのような結晶粒径と、微量添加元素の相乗効果により、10kHzにおける透磁率が15,000以上であるマンガン−亜鉛系フェライトが得られた。これにより、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトにより得られたコアを例えばパルストランスに組み込んだ場合には、高い透磁率を実現することで、少ない巻線数でも高いインダクタンスが得られるとともに、低い分布容量が実現でき、広い周波数帯域で信号の通過を可能とする。
【0013】
また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトは、従来のマンガン−亜鉛系フェライトと比べれば、100kHzの透磁率も15,000以上と高い水準にあり、トランスとした場合に、巻線数を低減でき、トランスの小型化を図ることができる。特に、ISDNやADSL等のデジタル伝送系で高特性を発揮するトランスを得ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明のマンガン−亜鉛系フェライトは、Fe2 O3 換算で50〜56モル%の酸化鉄と、MnO換算で21〜27モル%の酸化マンガンと、ZnO換算で20〜26モル%の酸化亜鉛とを主成分として含有し、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、平均結晶粒径が50μm 超200μm 以下である。
【0015】
主成分は、それぞれ、酸化鉄をFe2 O3 換算で50〜56モル%、特に52〜54モル%、酸化マンガンをMnO換算で21〜27モル%、特に23〜25モル%、酸化亜鉛をZnO換算で20〜26モル%、特に22〜24モル%程度とすることが好ましい。この範囲外では、10kHzでの透磁率が低下する傾向がある。
【0016】
また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトは、酸化カルシウムや、二酸化ケイ素を副成分として含有することもできる。これらの副成分は、それぞれ、CaO換算0.005〜0.05重量%、特に0.01〜0.03重量%、SiO2 換算0.005〜0.015重量%程度とする。なお、CaOやSiO2 は、一般に粒界に存在する。
【0017】
このような本発明のフェライトは、酸化ビスマスと酸化モリブデンとを、特にBi2 O3 やMoO3 の形で含有することが好ましい。この場合、添加したビスマスやモリブデンの酸化物成分、特に酸化モリブデン成分は、焼成により一部蒸発ないし昇華してしまうことがあり、フェライト中のビスマス酸化物やモリブデン酸化物の含有量は添加量と一致しないことがある。すなわち、好ましくは酸化ビスマスの含有量は、Bi2 O3 換算で添加量の50〜100重量%程度、また、酸化モリブデンの含有量は、MoO3 換算で添加量の10〜60重量%程度、特に10〜30重量%程度が含有されている。
【0018】
本発明のフェライト中には、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%、好ましくは0.0005〜0.002重量%の燐を含有する。燐を含有させることにより、より低い焼結温度で大きな結晶粒子を得ることができる。特に、焼結炉の性能の限界付近で使用されることが多い高透磁率フェライトは、焼結温度を下げることができれば、炉の使用条件に余裕を持つことができる。
【0019】
本発明のフェライト中には、さらに、副成分として、好ましくは酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムの1種または2種以上を、それぞれNb2 O5 換算、Ta2O5 換算、ZrO2 換算で、
Nb2 O5 :0(ただし0を含まない)〜0.03重量%、
より好ましくは0.003〜0.02重量%、特に0.005〜0.01重量%、
Ta2O5 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%、
より好ましくは0.01〜0.04重量%、特に0.015〜0.03重量%、
ZrO2 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%
より好ましくは0.01〜0.04重量%、特に0.015〜0.03重量%含有する。
【0020】
これらの副成分元素を含有することにより、特に高周波側での透磁率を飛躍的に向上させることができる。これらの元素のなかでも特にジルコニウムが好ましく、2種以上を併用するときには酸化ジルコニウム−酸化タンタルの組み合わせが好ましい。2種以上を用いる場合の混合比は任意である。
【0021】
このような成分を含有する本発明のフェライトの平均結晶粒径は50μm超200μm以内である。平均結晶粒径が小さすぎると10kHzにおける透磁率が低下してしまい、10kHzにおける透磁率15,000以上を達成できなくなるおそれがある。また、平均粒子径が大きすぎても10kHzにおける透磁率15,000以上は達成できるが、100kHzにおける透磁率が低下してしまう。なお、平均結晶粒径は、鏡面研摩面を酸エッチング後、光学顕微鏡にて観察される多結晶体を円換算した場合の平均直径の平均として求めればよい。
【0022】
本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの平均結晶粒径は、好ましくは50超〜180μm 、さらに好ましくは60〜150μm、特に好ましくは70〜130μmである。また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトにおいては、50超〜140μmの結晶粒径のものが、好ましくは50vol%以上、特に70vol%以上、更には80vol%以上存在していることが好ましい。また、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの10kHzにおける透磁率は、好ましくは20,000以上、特に25,000以上であることが好ましい。本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの10kHzにおける透磁率は、現在のところ、最高35,000程度が達成できており、この値は、高ければ高いほど好ましい。
【0023】
このように平均結晶粒径が大きく、しかも均一に揃っていると、25℃における10kHzの透磁率15,000以上、特に20,000以上、さらには25,000以上、例えば15,000〜35,000を達成でき、しかも100kHz の透磁率は10000以上、特に12000以上、さらには15000以上、例えば10000〜22000程度、500kHz の透磁率は2000以上、特に3000以上、さらには3500以上、例えば3500〜6000程度と従来と同程度かそれ以上の透磁率が得られる。
【0024】
本発明のマンガン−亜鉛系フェライトを製造するには、まず、主成分として、通常の酸化鉄成分、酸化マンガン成分および酸化亜鉛成分の混合物を用意する。これらの主成分は、フェライトの最終組成として前記の量比になるように混合され、原料として供される。また、必要により副成分の原料として、炭酸カルシウム等の焼成により酸化カルシウムになる化合物や酸化カルシウムと、焼成により酸化ケイ素になる化合物や酸化ケイ素等が添加される。この場合、これらの副成分の原料は、磁性材料の最終組成として前記の量比になるように添加される。
【0025】
そして、さらに必要により副成分として酸化ビスマス成分と、酸化モリブデン成分とが添加される。酸化ビスマス成分としては、Bi2 O3 の他、Bi2 (SO4 )3 等を用いることができるが、Bi2 O3 が好ましい。酸化ビスマス成分の添加量は、Bi2 O3 換算で0.08重量%以下、特に0.06重量%以下、好ましくは0.005〜0.04重量%とする。添加量が前記範囲を超えると却って透磁率が減少する。
【0026】
また、酸化モリブデン成分としては、MoO3 の他、MoCl3 等を用いることができるが、MoO3 が好ましい。酸化モリブデン成分の添加量は、MoO3 換算で0.12重量%、特に0.1重量%以下、好ましくは0.003〜0.05重量%とする。添加量が前記範囲を超えると却って透磁率が減少する。
【0027】
また、副成分として燐をP換算で0.0003〜0.003重量%添加する。また、必要に応じて、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムの1種以上がさらに原料混合物中に添加される。酸化ニオブとしては、Nb2 O5 が、酸化タンタルとしては、Ta2O5 が、酸化ジルコニウムとしては、ZrO2 が好ましい。これらの添加量は、好ましくはそれぞれNb2 O5 :0(ただし0を含まない)〜0.03重量%、Ta2O5 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%、ZrO2 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%である。
【0028】
このように主成分および添加微量成分を混合した後、これに適当なバインダー、例えばポリビニルアルコールを少量、例えば0.1〜1.0重量%加え、スプレードライヤー等にて80〜200μm 程度の径の顆粒とし、成型する。
【0029】
次いで、この成型品を焼成する。この焼成条件については、下記の条件に従う。
【0030】
本発明のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法は、仮焼後のフェライト材料の成形体の焼成中における温度保持工程の保持温度を1200〜1450℃、特に1350〜1450℃の温度範囲に設定する。また、この温度保持工程の前に焼成中降温工程を設け、この焼成中降温工程の最低温度を、1000〜1400℃の温度範囲であって、低下温度を30℃以上、特に50℃以上としてもよい。
【0031】
上記温度保持工程の保持温度を1200〜1450℃の温度範囲に設定した理由は、フェライト化促進ならびに結晶粒径の制御のためであり、この温度範囲で特に10kHzにおける透磁率が向上する。この主温度保持工程の温度保持時間は、0.5〜10時間程度が好ましい。
【0032】
本発明の焼成においては、昇温工程、および温度保持工程に続く降温工程は、従来の焼成の温度プロファイルと同様のものを用いることができる。具体的には、上記昇温工程における昇温速度は、20〜500℃/時間であることが好ましい。また、この昇温速度は2段階以上に変化させることができ、この場合は、当初の昇温速度を速くし、徐々に昇温速度を遅くするのが好ましい。例えば2段とする場合は、1段目の昇温速度を200〜500℃/時間程度とし、2段目の昇温速度を20〜200℃/時間程度とすることが好ましい。一方、降温工程における降温速度は、20〜500℃/時間であることが好ましい。この降温工程における降温速度も2段階以上に変化させることができ、2段とする場合は、1段目の降温速度を20〜200℃/時間程度とし、2段目の降温速度を200〜500℃/時間程度とすることが好ましい。
【0033】
本発明の焼成において用いる炉は、連続炉でもバッチ炉でもよい。また、焼成時の雰囲気は、平衡酸素分圧の理論に従い調整すればよく、特に酸素分圧を制御した窒素雰囲気(酸素のみの場合も存在する)で行なうことが好ましい。
【0034】
以上により、本発明のマンガン−亜鉛系フェライトを得ることができる。
【0035】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例1〕
MnO(24モル%)、ZnO(23モル%)、Fe2 O3 (53モル%)を主成分とし、副成分としてCaCO3 (磁性材料の最終組成におけるCaO換算で0.02重量%)とSiO2 (磁性材料の最終組成において0.01重量%)とBi2 O3(0.02重量%)とMoO3(0.02重量%)とし、添加剤としてP(0.0008重量%)を添加して、サンプルを得た。
【0036】
これらを混合後、バインダを加えスプレードライヤーにて平均粒径150μm に顆粒化し、成形し、成形体100個を得た。これらをPO2 :0.5%の窒素雰囲気中で昇温し、酸素濃度20%以上の雰囲気中で安定温度1380〜1450℃、1〜10時間保持し、焼結し、その後酸素分圧を制御した雰囲気中で冷却し、平均粒径50μm 超、200μm 以下の、外径6mm、内径3mm、高さ1.5mmのトロイダルコアを得た。
【0037】
なお、上記に示した温度プロファイルの一例を下に詳述する。
【0038】
実施例の温度プロファイル
昇温工程
1200℃までの昇温速度:300℃/時間
1200℃から1420℃までの昇温速度:100℃/時間
温度保持工程
1420℃で3.0時間保持
降温工程
1420℃から1000℃までの降温速度:100℃/時間
1000℃から常温までの降温速度:250℃/時間
【0039】
なお、実施例および比較例のものの最終組成を蛍光X線により測定したところ、主成分とCaO、SiO2 、Nb2O5 ,ZrO2 ,Ta2O5 は、原料組成とほぼ対応するものであり、Bi2O3 とMoO3 は添加量の10〜80重量%であった。
【0040】
得られた各トロイダルコアの25℃における10kHz と100kHz での透磁率およびを平均結晶粒径を測定した。なお、透磁率の測定にはインピーダンスアナライザーを用いた。これらの結果を表1に示す。
【0041】
【表1】
【0042】
表1に示される結果から本発明の効果が明らかである。すなわち、本発明に従い平均結晶粒径が64〜189μmと調整したもの(表1のサンプル1〜7)は、特に10kHzでの透磁率が従来(表1のサンプル8〜10)に比べて極めて大きくなり、また、100kHz以上の透磁率も従来のものと同等あるいはそれ以上であることがわかる。また、実施例のものでは、50超〜140μmの粒径の結晶が80vol%以上であった。
【0043】
これらの実施例と比較例のサンプルの断面を研磨し、光学顕微鏡にて撮影した写真をそれぞれ図1,図2に示す。
【0044】
〔実施例2〕
実施例1において、マンガン−亜鉛系フェライトの組成を、主成分にたいし、副成分としてCaCO3 とSiO2 に加え、Bi2 O3 とMoO3 とPとを含有するサンプル11〜16,Bi2 O3 とPとを含有するサンプル17および18、Pのみを含有するサンプル19を得た。また、比較サンプル20〜22として、Bi2 O3 、MoO3 、Pの添加量を上記範囲外としたものを作製した。
【0045】
得られた各サンプルを実施例1と同様にして評価した。結果を表2に示す。
【0046】
【表2】
【0047】
〔実施例3〕
実施例1において、マンガン−亜鉛系フェライトの組成を、主成分に対し、副成分としてCaCO3 とSiO2 とBi2 O3 とMoO3 とPに加え、さらにZrO2 と、Ta2O5 と、Nb2O5 とを含有するサンプル31〜34,サンプル35〜37、サンプル38〜39を得た。また、比較サンプル40として、上記添加剤を添加しないものを作製した。
【0048】
得られた各サンプルを実施例1と同様にして評価した。結果を表3に示す。
【0049】
【表3】
【0050】
【発明の効果】
本発明のマンガン−亜鉛系フェライトは、周波数10kHz付近の周波数帯域で特に高い透磁率を示す。しかも周波数100kHz 以上の高周波領域でも従来と同等かそれ以上の透磁率を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明サンプルの断面を撮影した図面代用写真である。
【図2】比較サンプルの断面を撮影した図面代用写真である。
Claims (12)
- 主成分として酸化鉄と酸化マンガンと酸化亜鉛とを、それぞれFe2 O3 換算、MnO換算、ZnO換算で、
Fe2 O3 :50〜56モル%、
MnO:21〜27モル%、
ZnO:20〜26モル%含有し、
フェライト全体の重量を100とした場合に、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、
平均結晶粒径が50μm超200μm以下であるマンガン−亜鉛系フェライトを製造する方法であって、
昇温速度を2段階以上に変化させながら雰囲気温度を焼成保持温度に向けて上昇させる昇温工程を含む焼成工程を経ることを特徴とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 - 主成分として酸化鉄と酸化マンガンと酸化亜鉛とを、それぞれFe2 O3 換算、MnO換算、ZnO換算で、
Fe2 O3 :50〜56モル%、
MnO:21〜27モル%、
ZnO:20〜26モル%含有し、
フェライト全体の重量を100とした場合に、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、
平均結晶粒径が50μm超200μm以下であるマンガン−亜鉛系フェライトを製造する方法であって、
降温速度を2段階以上に変化させながら雰囲気温度を焼成保持温度から下降させる降温工程を含む焼成工程を経ることを特徴とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 - 主成分として酸化鉄と酸化マンガンと酸化亜鉛とを、それぞれFe2 O3 換算、MnO換算、ZnO換算で、
Fe2 O3 :50〜56モル%、
MnO:21〜27モル%、
ZnO:20〜26モル%含有し、
フェライト全体の重量を100とした場合に、副成分としてP換算で0.0003〜0.003重量%の燐を含有し、
平均結晶粒径が50μm超200μm以下であるマンガン−亜鉛系フェライトを製造する方法であって、
昇温速度を2段階以上に変化させながら、雰囲気温度を焼成保持温度に向けて上昇させる昇温工程と、
前記焼成保持温度で保持する温度保持工程と、
降温速度を2段階以上に変化させながら、雰囲気温度を前記焼成保持温度から下降させる降温工程とを、含む焼成工程
を経ることを特徴とするマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 - 当初の昇温速度を速くし、徐々に昇温速度を遅くする請求項1または3に記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- 前記昇温速度を2段とする場合において、1段目の昇温速度を200〜500℃/時間とし、2段目の昇温速度を20〜200℃/時間とする請求項4に記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- 前記降温速度を2段とする場合において、1段目の降温速度を20〜200℃/時間とし、2段目の降温速度を200〜500℃/時間とする請求項2〜5のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、Bi2 O3 換算で0.08重量%以下(ただし0を含まない)の酸化ビスマス成分を含有する請求項1〜6のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、MoO3 換算で0.12重量%以下(ただし0を含まない)の酸化モリブデン成分を有する請求項1〜7のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムの1種または2種以上を、それぞれNb2 O5 換算、Ta2 O5 換算、ZrO2 換算で、
Nb2 O5 :0(ただし0を含まない)〜0.03重量%、
Ta2 O5 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%、
ZrO2 :0(ただし0を含まない)〜0.06重量%、
含有する請求項1〜8のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。 - フェライト全体の重量を100とした場合に、さらに副成分として、CaO換算で0.005〜0.05重量%の酸化カルシウムを含有する請求項1〜9のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- 10kHzにおける透磁率が15,000以上である請求項1〜10のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
- 100kHzにおける透磁率が15,000以上である請求項1〜11のいずれかに記載のマンガン−亜鉛系フェライトの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26406199A JP3743795B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
DE10083302T DE10083302T1 (de) | 1999-09-17 | 2000-09-12 | Ferrit auf Mangan-Zink-Basis |
PCT/JP2000/006218 WO2001022440A1 (fr) | 1999-09-17 | 2000-09-12 | Ferrite de manganese-zinc |
CNB008019932A CN1226757C (zh) | 1999-09-17 | 2000-09-12 | 锰锌系铁氧体 |
KR10-2001-7006091A KR100392505B1 (ko) | 1999-09-17 | 2000-09-12 | 망간-아연계 페라이트 |
TW089118985A TW516048B (en) | 1999-09-17 | 2000-09-15 | Manganese-zinc ferrite |
US09/855,646 US6423243B2 (en) | 1999-09-17 | 2001-05-16 | Manganese-zinc base ferrite |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26406199A JP3743795B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001085217A JP2001085217A (ja) | 2001-03-30 |
JP3743795B2 true JP3743795B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=17397996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26406199A Expired - Fee Related JP3743795B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6423243B2 (ja) |
JP (1) | JP3743795B2 (ja) |
KR (1) | KR100392505B1 (ja) |
CN (1) | CN1226757C (ja) |
DE (1) | DE10083302T1 (ja) |
TW (1) | TW516048B (ja) |
WO (1) | WO2001022440A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3743795B2 (ja) | 1999-09-17 | 2006-02-08 | Tdk株式会社 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
JP2002093613A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Tdk Corp | xDSLモデムトランス用磁心材料 |
US6773619B2 (en) * | 2001-07-17 | 2004-08-10 | Tdk Corporation | Magnetic core for transformer, Mn-Zn based ferrite composition and methods of producing the same |
JP4668574B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2011-04-13 | 関東電化工業株式会社 | Mg系フェライト並びに該フェライトを用いた電子写真現像用キャリア及び現像剤 |
CN100557726C (zh) * | 2003-11-12 | 2009-11-04 | 关东电化工业株式会社 | 镁基铁氧体、含有该铁氧体的电子照相显影载体以及含有该载体的显影剂 |
US7764143B2 (en) * | 2005-02-10 | 2010-07-27 | Soshin Electric Co., Ltd. | Electronic component including a magnetic layer and a dielectric layer |
US9488635B2 (en) * | 2010-12-21 | 2016-11-08 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Pore structure analyzer based on non-contact impedance measurement for cement-based materials |
CN102173767B (zh) * | 2011-01-17 | 2013-05-15 | 临沂中瑞电子有限公司 | 一种光伏逆变器用磁性材料 |
CN103073276A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-05-01 | 江门杰富意磁性材有限公司 | 100KHz以上的高周波数用低损耗Mn-Zn系铁氧体材料 |
JP6085228B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2017-02-22 | Jfeケミカル株式会社 | MnZnフェライトおよびその製造方法 |
JP6085229B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2017-02-22 | Jfeケミカル株式会社 | MnZnフェライトコアおよびその製造方法 |
CN104072119A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-10-01 | 天长市中德电子有限公司 | 一种低损耗铁氧体材料 |
CN107216139A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-09-29 | 中国计量大学 | 高饱和磁通密度MnZn铁氧体 |
CN113087512B (zh) * | 2021-03-09 | 2021-12-03 | 电子科技大学 | 高频率稳定性高磁导率的MnZn铁氧体材料及制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2148554A1 (de) | 1970-10-07 | 1972-04-13 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Ferritkoerpers |
JPH0350124A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-04 | Hitachi Ferrite Ltd | Mn―Znフェライト磁心 |
JPH0555463A (ja) | 1991-08-29 | 1993-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3233420B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-11-26 | ティーディーケイ株式会社 | マンガン−亜鉛系フェライトおよび磁心 |
JP3635410B2 (ja) | 1992-12-28 | 2005-04-06 | Tdk株式会社 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
JP2735790B2 (ja) * | 1994-06-29 | 1998-04-02 | ケミライト工業株式会社 | Mn−Znフェライト |
KR0144224B1 (ko) * | 1995-08-22 | 1998-07-15 | 미노루 다나까 | 소프트 페라이트 원료분말, 그의 소결체 및 제조방법과 장치 |
DE59601546D1 (de) * | 1995-09-15 | 1999-05-06 | Siemens Matsushita Components | Mangan-Zink-Ferrit |
JPH10256026A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Tdk Corp | Mn−Zn系フェライト |
JP3743795B2 (ja) | 1999-09-17 | 2006-02-08 | Tdk株式会社 | マンガン−亜鉛系フェライトの製造方法 |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26406199A patent/JP3743795B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-12 KR KR10-2001-7006091A patent/KR100392505B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-12 DE DE10083302T patent/DE10083302T1/de not_active Ceased
- 2000-09-12 CN CNB008019932A patent/CN1226757C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-12 WO PCT/JP2000/006218 patent/WO2001022440A1/ja active IP Right Grant
- 2000-09-15 TW TW089118985A patent/TW516048B/zh active
-
2001
- 2001-05-16 US US09/855,646 patent/US6423243B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001085217A (ja) | 2001-03-30 |
KR100392505B1 (ko) | 2003-07-23 |
CN1322364A (zh) | 2001-11-14 |
KR20010102948A (ko) | 2001-11-17 |
CN1226757C (zh) | 2005-11-09 |
DE10083302T1 (de) | 2002-03-21 |
US6423243B2 (en) | 2002-07-23 |
US20010045541A1 (en) | 2001-11-29 |
TW516048B (en) | 2003-01-01 |
WO2001022440A1 (fr) | 2001-03-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041001 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050818 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121202 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131202 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |