WO2006067884A1 - バランス型弾性波フィルタ装置 - Google Patents

バランス型弾性波フィルタ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2006067884A1
WO2006067884A1 PCT/JP2005/012207 JP2005012207W WO2006067884A1 WO 2006067884 A1 WO2006067884 A1 WO 2006067884A1 JP 2005012207 W JP2005012207 W JP 2005012207W WO 2006067884 A1 WO2006067884 A1 WO 2006067884A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
idt
wave filter
balanced
filter device
subdivision
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/012207
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Teruhisa Shibahara
Seiichi Takahara
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority to EP05765240.6A priority Critical patent/EP1701441B1/en
Priority to US10/570,371 priority patent/US7528683B2/en
Priority to JP2006548689A priority patent/JP4274246B2/ja
Publication of WO2006067884A1 publication Critical patent/WO2006067884A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0038—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
    • H03H9/0274—Intra-transducers grating lines
    • H03H9/02748—Dog-legged reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14588—Horizontally-split transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14591—Vertically-split transducers

Definitions

  • the present invention relates to a balanced elastic wave filter device having a balanced-unbalanced variable capacity.
  • a surface acoustic wave filter is often connected as a bandpass filter between an antenna and a differential amplifier in a front end of a mobile communication device.
  • the antenna inputs and outputs unbalanced signals, whereas the differential amplifier inputs and outputs balanced signals. Therefore, it is necessary to connect components having balanced-unbalanced transformation between the antenna and the differential amplifier.
  • the surface acoustic wave filter has a balance-unbalance conversion function, other parts having the balance-unbalance conversion function, such as a balun, can be omitted.
  • the characteristic impedance of the antenna is usually 50 ⁇
  • the characteristic impedance of the differential amplifier is 100 ⁇ or more, and it is rare that it becomes about 1000 ⁇ ! /. Therefore, between the antenna and the differential amplifier, it is necessary to convert not only the balanced signal to the unbalanced signal but also the impedance. Therefore, it is desired that a surface acoustic wave filter having a balance-unbalance change also has such an impedance change.
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave filter device shown in FIG.
  • the illustrated electrode structure is formed on the piezoelectric substrate 202.
  • the surface acoustic wave filter device 201 includes an unbalanced terminal 203 and first and second balanced terminals 204 and 205.
  • the first to third IDTs 211 to 213 are arranged in the surface wave propagation direction.
  • Reflectors 214 and 215 are arranged on both sides of the surface wave propagation direction in the region where IDTs 211 to 213 are provided.
  • the second IDT 212 at the center is divided into two in the surface wave propagation direction, and thus has first and second divided IDT sections 212a and 212b.
  • the unbalanced terminal 203 is connected to the first and third IDTs 211, 21. Connected to one end of 3.
  • the other ends of the IDTs 211 and 213 are connected to the ground potential.
  • the first and second divided IDT sections 212a and 212b are connected to the first and second balanced terminals 204 and 205, respectively.
  • the surface acoustic wave filter device 201 has a balance-unbalance change, and further has an impedance change. That is, the second IDT 212 is divided into first and second divided IDT sections 2 12a and 212b, and the first and second divided IDT sections 212a and 212b are electrically connected in series. . Accordingly, the impedance of the second IDT 212 is four times the corresponding IDT before being divided into the divided IDT portions 21 2a and 212b. Therefore, in the surface acoustic wave filter device 201, the impedance ratio between the unbalanced terminal 203 and the balanced terminals 204 and 205 is about 1: 4.
  • Patent Document 1 JP 2003-69383
  • a surface acoustic wave filter connected between an antenna and a differential amplifier is strongly required to have not only a balance-unbalance conversion function but also an impedance conversion function.
  • the ratio of the impedance of the unbalanced terminal 203 to the impedance of the balanced terminals 204 and 205 is about 1: 4 as described above. Has impedance variation.
  • the characteristic impedance of the above-mentioned differential amplifier has become uncommon that it exceeds 1000 ⁇ . Therefore, for example, when the input / output impedance of the antenna is 50 ⁇ and the characteristic impedance of the differential amplifier is 1000 ⁇ , it is required to convert the impedance to 20 times larger.
  • the impedance can be increased by a factor of about four, it is difficult to realize a larger impedance change.
  • boundary acoustic wave filter devices using boundary acoustic waves formed only by surface acoustic wave filter devices are also known as acoustic wave devices.
  • Such boundary acoustic wave filter Other elastic wave filter devices such as devices are also desired to have a large impedance conversion function as well as a balanced-unbalanced conversion function.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave filter device that not only has a balanced-unbalanced conversion function, but also has a large impedance conversion function, in view of the current state of the prior art described above.
  • a first invention of the present application is a balanced elastic wave filter device having an unbalanced terminal and first and second balanced terminals and having a balanced unbalanced conversion function, comprising: a piezoelectric substrate; 1st to 3rd IDTs arranged in the surface wave propagation direction on the piezoelectric substrate, and the second IDT is divided into two in the surface wave propagation direction.
  • Each of the first and second divided IDT units is connected to each other, and the first and second divided IDT units are connected in series.
  • the ends are connected to the first and second balanced terminals, respectively, and the phase of the electric signal flowing from the unbalanced terminal to the first balanced terminal is changed from the unbalanced terminal to the second balanced terminal.
  • the first to third IDTs are arranged so as to be 180 degrees different from the phase of the electrical signal flowing through the first and second divided IDT units, respectively. Having at least first and second subdivision IDT sections divided and provided in the cross width direction perpendicular to the direction, and at least the first and second subdivision IDT sections are electrically connected in series. It is characterized by being beaten.
  • the outermost electrode finger adjacent to the second IDT of the first and third IDTs is connected to the ground potential.
  • a second invention of the present application is a balanced acoustic wave filter device having an unbalanced terminal, first and second balanced terminals, and having a balanced unbalance conversion function, comprising: a piezoelectric substrate; And a longitudinally coupled resonator type first and second elastic wave filter portions formed on the piezoelectric substrate, wherein the first elastic wave filter portions are arranged along a propagation direction of the elastic waves.
  • the first elastic wave filter has first to third IDTs arranged, and the second elastic wave filter unit has fourth to sixth IDTs arranged in a surface wave propagation direction.
  • the second IDT of the second acoustic wave filter is connected to an unbalanced terminal, and the fourth IDT of the second acoustic wave filter unit is connected to the first IDT by a first wiring line,
  • the third IDT is connected to the sixth IDT of the second acoustic wave filter unit by a second wiring line, and the fifth IDT is
  • the first and second divided IDT sections are divided in the direction of propagation of the characteristic wave, and one ends of the first and second divided IDT sections are connected in series.
  • the other end of the IDT section is electrically connected to the first and second balanced terminals, respectively, and transmits the phase of the electrical signal transmitted through the first wiring line and the second wiring line.
  • the second IDT and the first and third divided IDTs are configured so that the phase of the electric signal to be transmitted is different by 180 degrees, and the first and second divided IDTs of the second acoustic wave filter unit Each of which has at least first and second subdivision IDT sections that are further divided in the cross width direction orthogonal to the elastic wave propagation direction, and each of the at least first and second subdivision IDTs.
  • the parts are electrically connected in series.
  • the outermost electrode fingers adjacent to the fifth IDT of the fourth and sixth IDTs are connected to a ground potential.
  • a third invention of the present application is a non-type acoustic wave filter device including first, second balanced terminals, and third, fourth balanced terminals, comprising: a piezoelectric substrate; and the piezoelectric substrate First and second divided IDT sections having first to third IDTs arranged in the surface wave propagation direction on the substrate, wherein the second IDT is divided into two in the surface wave propagation direction. Each of the first and second divided IDT sections is connected to each other, the first and second divided IDT sections are connected in series, and the other ends of the first and second divided IDT sections are connected to each other.
  • the first balanced terminal is connected to the first and second balanced terminals
  • the third balanced terminal is connected to the first IDT
  • the fourth balanced terminal is connected to the third IDT
  • Each of the first and second divided IDT sections includes at least first and second re-divided IDT sections provided by being divided in the cross width direction orthogonal to the surface wave propagation direction.
  • the first and second subdivision IDT sections are electrically connected in series.
  • an outermost electrode finger adjacent to the second IDT of the first and third IDTs is connected to a ground potential.
  • the first and second divided IDT sections each include the first and second re-divided IDT sections, A second subdivision IDT unit of the first division IDT unit and a second subdivision IDT unit of the second division IDT unit are connected to the first and second balanced terminals, respectively, 1 subdivision
  • the first sound that the elastic wave propagates through the IDT section A soundtrack and a second acoustic track on which the elastic wave propagates through the second subdivision IDT section, and further includes means for bringing the excitation strength of the acoustic wave propagating through the first and second acoustic tracks closer to each other. ing.
  • a fourth invention of the present application is a balanced acoustic wave filter device having an unbalanced terminal and first and second balanced terminals and having a balanced unbalance conversion function, comprising: a piezoelectric substrate; The first to third IDTs arranged in the surface wave propagation direction on the piezoelectric substrate, the second IDT is connected to the unbalanced terminal, and one end of each of the first and third IDTs And the first and third IDTs are connected in series, and the other ends of the first and third IDTs are connected to the first and second balanced terminals, respectively.
  • the first to third IDTs are arranged so that the phase of the electrical signal flowing from the terminal to the first balanced terminal is 180 degrees different from the phase of the electrical signal flowing from the unbalanced terminal to the second balanced terminal.
  • the first and third IDTs are respectively in the cross width direction orthogonal to the surface wave propagation direction! It has at least first and second subdivision IDT sections provided by being divided, and at least the first and second subdivision IDT sections are electrically connected in series.
  • a portion to which one end of each of the first and third IDTs is connected is grounded.
  • a fourth IDT disposed outside the first IDT and connected to the unbalanced terminal, and a fourth IDT disposed outside the third IDT.
  • a fifth IDT connected to the balanced terminal is further provided.
  • the outermost electrode finger adjacent to the first and third IDTs of the second IDT is connected to a ground potential.
  • the outermost electrode fingers adjacent to the first and third IDTs of the fourth and fifth IDTs are connected to a ground potential. ! RU
  • the second subdivision IDT portion of the first IDT and the second subdivision IDT portion of the third IDT are respectively the first subdivision unit and the first subdivision IDT unit of the third IDT unit.
  • the means for bringing the excitation strength of the elastic waves in the first and second acoustic tracks closer to each other is the elasticity in the first acoustic track.
  • the means for changing the excitation intensity in the first acoustic track includes an excitation intensity in the gap between the i-th subdivision IDT portions. And Z or means for changing the excitation intensity in the gap between the outside of the first subdivision IDT portion in the surface wave propagation direction and the adjacent IDT.
  • the means for changing the excitation intensity in the second acoustic track includes excitation in a gap between the second subdivision IDT sections. It is a means for changing the intensity and the excitation intensity in the gap between Z and the IDT adjacent to the outer edge of the second subdivision IDT portion in the surface wave propagation direction.
  • the means for bringing the excitation intensity closer in the first and second acoustic tracks is IDT weighting.
  • the weighting can be either serial weighting, decimation weighting or cross width weighting.
  • the first and second subdivision IDT units have a period of a part of electrode fingers in the end force adjacent to another IDT.
  • a narrow pitch electrode finger portion that is smaller than the period of the electrode fingers in the remaining portion of the IDT, and a portion other than the narrow pitch electrode finger portion of the IDT is referred to as a main portion;
  • the means for changing the excitation intensity by V is a means for changing the excitation intensity in the narrow pitch electrode finger part and Z or main part of the first subdivision IDT part.
  • the first and second subdivision IDT units may be configured such that the end force adjacent to the other IDT is a part of the electrode finger.
  • Period force A narrow pitch electrode finger portion made smaller than the electrode finger cycle of the remaining part of the IDT is provided, and when the part other than the narrow pitch electrode finger part of the IDT is called a main part, the second acoustic track Means for changing the excitation intensity in the second subdivision IDT portion narrow pitch electrode finger It is a means for changing the excitation intensity in the filter and Z or main part.
  • the metallization ratio of the electrode finger is set so as to change the excitation intensity.
  • the metallization ratio of the electrode fingers of the first acoustic track is made smaller than the metallization ratio of the electrode fingers of the second acoustic track.
  • the phase of the electrical signal that flows through the first balanced terminal is also the electrical signal that flows through the second balanced terminal from the unbalanced terminal force. Since the 1st to 3rd IDTs are arranged so as to be 180 degrees different from the above phase, they have a balance-unbalance conversion function.
  • the first and second divided IDT sections have first and second re-divided IDT sections that are divided and provided in the cross width direction orthogonal to the surface wave propagation direction. Since the second subdivision IDT section is electrically connected in series, the ratio of the impedance on the unbalanced terminal side to the impedance on the balanced terminal side can be about 1:16. That is, in addition to the conventional balanced surface acoustic wave filter device, a balanced surface acoustic wave filter device having a large impedance change can be provided.
  • the out-of-band attenuation is further increased. It can be improved.
  • the first and second elastic wave filter units are formed on the piezoelectric substrate, and the second IDT of the first elastic wave filter unit is Connect to unbalanced terminal
  • the fourth IDT of the second elastic wave filter section is connected to the first IDT by the first wiring line
  • the third IDT is connected to the second elastic wave by the second wiring line. It is connected to the 6th IDT of the filter section.
  • the second elastic wave filter member force is configured in the same manner as the balanced elastic wave filter device of the first invention.
  • the balance-type elastic wave filter device having a large impedance change that has a balance-unbalance conversion function and the impedance of the unbalanced terminal side and the balanced terminal side is about 1:16. Can be provided.
  • the second elastic wave filter part force is connected to the unbalanced terminal via the first elastic wave filter part, it is possible to increase the out-of-band attenuation.
  • the second IDT force among the first to third IDTs arranged in the surface wave propagation direction has the first and second divided IDT sections.
  • the first and second divided IDT sections are connected at one end and the first and second divided IDT sections are connected in series, and the other ends of the first and second divided IDT sections are connected respectively.
  • the third balanced terminal is connected to the first IDT
  • the fourth balanced terminal is connected to the third IDT
  • the first and second divided IDT sections are orthogonal to the surface wave propagation direction, respectively.
  • At least the first and second subdivision IDT sections divided and provided in the crossing width direction, and at least the first and second subdivision IDT sections are electrically connected in series.
  • the second divided IDT portion a first respectively a second re-divided IDT portions, the first division I DT portion second re-divided IDT portion and a second divided IDT of
  • the second subdivided IDT section of each section is connected to the first and second balanced terminals, the first acoustic track on which the elastic wave propagates through the first subdivided IDT section, A second acoustic track in which the elastic wave propagates through the second subdivision IDT part is formed.
  • the first to third IDTs are arranged on the piezoelectric substrate, the second IDT is an unbalanced terminal, and one end of each of the first and third IDTs is The first and third IDTs are connected in series, and the other ends of the first and third IDTs are connected to the first and second balanced terminals, respectively. Then, the first to third IDTs are set so that the phase of the electrical signal flowing from the unbalanced terminal to the first balanced terminal is 180 degrees different from the phase of the electrical signal flowing from the unbalanced terminal force to the second balanced terminal. Is arranged. Therefore, it is possible to provide an elastic wave filter device having a balanced-unbalanced change.
  • the first and third IDTs have first and second subdivision IDT sections, and at least the first and second subdivision IDT sections are electrically connected in series. Therefore, the ratio of the impedance on the unbalanced terminal side to the impedance on the balanced terminal side can be about 1:16. That is, it is possible to provide a balanced elastic wave filter device having a large impedance conversion function.
  • the fourth IDT disposed outside the first IDT and connected to the unbalanced terminal, and the fourth IDT disposed outside the third IDT and connected to the unbalanced terminal 5th ID
  • a 5IDT type balanced elastic wave filter device can be provided.
  • Means for bringing the excitation strengths of the first and second acoustic tracks closer may be variously configured.
  • the means includes means for changing the excitation intensity of the first acoustic track and means for changing the excitation intensity of the elastic wave in the Z or the second acoustic track, by an appropriate combination thereof, The ripple in the passband can be effectively suppressed.
  • Means for changing the excitation strength of the elastic wave in the first acoustic track are the first subdivision I the excitation strength in the gap between the DT sections and the Z or the surface wave propagation direction of the first subdivision IDT section
  • the excitation intensity in the first acoustic track can be effectively changed according to the invention, thereby The excitation intensity of elastic waves in the first and second acoustic tracks can be made closer.
  • Means for changing the excitation intensity in the second acoustic track include the excitation intensity of the elastic wave in the gap between the second subdivision IDT section and the surface wave of the second subdivision IDT section or the outer end in the propagation direction.
  • the acoustic wave excitation intensity in the gap between the IDT and the adjacent IDT can effectively change the excitation intensity of the elastic wave in the second acoustic track.
  • the excitation strength between the first and second acoustic tracks can be reliably brought close to each other.
  • the means for increasing or decreasing the excitation intensity in the first and second acoustic tracks can be configured in various ways.
  • at least one electrode finger is weighted, at least one electrode finger is It can be realized by a simple method such as serial weighting, cross width weighting, or thinning weighting.
  • the means for changing the excitation intensity is a means for changing the excitation intensity in the narrow pitch electrode finger part and Z or the main part of the first subdivision ID ⁇ part.
  • the narrow pitch electrode finger part and the Z or main part are configured so as to change the excitation intensity in the narrow pitch electrode finger part and the Z or main part. Ripple that tends to appear can be effectively suppressed.
  • the means for changing the excitation intensity in the second acoustic track is a means for changing the excitation intensity in the narrow pitch electrode finger part and z or the main part of the second subdivision IDT part
  • the electrode finger metallization ratio can be used as these means, i.e., the narrow pitch electrode finger and Z or main part of the first subdivision IDT part, or the second subdivision IDT.
  • the excitation intensity of the narrow-pitch electrode fingers and the Z or main part can be changed by adjusting the metallization ratio of the electrode fingers of the subdivision IDT part.
  • the first acoustic track catalog ratio smaller than the metallization ratio of the second acoustic track, it is possible to effectively suppress ripples that tend to appear in the passband.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a surface acoustic wave filter device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an acoustic wave filter device which is a modification of the surface acoustic wave filter device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a surface acoustic wave filter device according to a modification of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing a surface acoustic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the surface acoustic wave filter devices of the first embodiment and the second embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to each modification of the second embodiment.
  • FIGS. 8A and 8B are schematic plan views showing electrode structures of a surface acoustic wave filter device according to each modification of the second embodiment.
  • FIGS. 9A and 9B are schematic plan views showing the electrode structure of the surface acoustic wave filter device according to each modification of the second embodiment.
  • FIGS. 9A and 9B are schematic plan views showing the electrode structure of the surface acoustic wave filter device according to each modification of the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of a balanced elastic wave filter device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing filter characteristics of the surface acoustic wave filter device of the third embodiment and filter characteristics of the surface acoustic wave filter device of the reference example prepared for comparison.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic front sectional view of a boundary acoustic wave device to which the present invention is applied.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of a conventional surface acoustic wave filter device having a balance-unbalance conversion function.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a surface acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 1 of the present embodiment has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is a LiTaO substrate.
  • the piezoelectric substrate 2 is not limited to LiNbO.
  • the piezoelectric substrate 2 may have a structure in which a piezoelectric thin film is laminated on a substrate made of a piezoelectric material or a substrate made of an insulating material.
  • the surface acoustic wave filter device 1 has an unbalanced terminal 3 and first and second balanced terminals 4 and 5.
  • a first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 6 and a second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 7 are configured.
  • the first to third IDTs 11 to 13 are arranged in the surface wave propagation direction.
  • the first to third IDTs 11 to 13 are arranged, and reflectors 17a and 17b are arranged on both sides in the surface wave propagation direction of the region.
  • the surface acoustic wave filter unit 6 is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter.
  • One end of the second IDT 12 located in the center of the surface acoustic wave filter unit 6 is connected to the unbalanced terminal 3, and the other end is connected to the ground potential.
  • One end of each of the first and third IDTs 11 and 13 is connected to the ground potential, and the other end is connected to the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 7.
  • the phases of the first and third IDTs 11 and 13 are 180 degrees different.
  • the second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter unit 7 has fourth to sixth IDTs 14 to 16 arranged along the surface wave propagation direction. Reflectors 18a and 18b are arranged on both sides of the surface wave propagation direction of the region where IDTs 14 to 16 are provided.
  • each of the fourth and sixth IDTs 14 and 16 is connected to the first and second IDTs 11 and 13 of the first longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter unit 6. Electrically connected by lines 21 and 22. The other ends of the IDTs 14 and 16 are connected to the ground potential.
  • the fifth IDT 15 located in the center has first and second divided IDT portions 15a and 15b that are divided into two along the surface wave propagation direction. 1st and 2nd division IDT parts 15a, 15b Are electrically connected in series by a bus bar 15c.
  • the bus bar 15c may be either connected to earth potential or electrically floating.
  • each of the divided IDT portions 15a and 15b is divided into first and second re-divided IDT portions 15al and 15a2 provided to be divided in the cross width direction, which is a direction orthogonal to the surface wave propagation direction. , 15b 1 and 15b2.
  • the first and second subdivision IDT units 15al and 15a2 are arranged in the intersecting width direction in the first subdivision IDT unit 15a, and the first and second subdivision IDT units 15al and 15a2 are connected in series by a common connection bus bar 15d.
  • the first re-divided IDT unit 15a 1 is configured between the above-described nose bar 15c and the connection bus bar 15d.
  • a second subdivision IDT portion 15a2 is configured between the connection bus bar 15d and the division bus bar 15e located on the opposite side of the bus bar 15c with respect to the connection bus bar 15d.
  • a divided bus bar 15e is connected to the first balanced terminal 4.
  • the first re-divided IDT unit 15b 1 is configured between the bus bar 15c and the connection bus bar 15f.
  • a second subdivision IDT portion 15b2 is configured between the connection bus bar 15f and the division bus bar 15g located on the opposite side of the connection bus bar 15f from the bus bar 15c!
  • Split bus bar 15g is connected to the second balanced terminal 5.
  • the surface acoustic wave filter device 1 has a structure in which the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections 6 and 7 are cascade-connected as described above. .
  • the balanced-unbalanced conversion function and the impedance conversion function are realized by the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 7. This will be described in detail by explaining the operation of the surface acoustic wave filter device 1.
  • the first and third IDTs 11 and 13 output electrical signals that are approximately 180 degrees out of phase.
  • the outputs of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 6 are the first and third IDTs 11 and 13, and the output of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 7.
  • 1st split IDT part 15a 2nd re-partition IDT part 15a2 to 1st balanced terminal 4 Is provided with one balanced signal. Further, the other balanced signal is given to the second balanced terminal 5 from the second re-divided IDT unit 15b2 of the second divided IDT unit 15b.
  • the surface acoustic wave filter device 1 has a balance-unbalance conversion function.
  • the first and second subdivided IDT units 15al and 15a2 are electrically connected in series. It is connected.
  • the first and second subdivided IDT units 15bl and 15b2 are electrically connected in series! RU
  • the fifth IDT 15 is divided in the surface wave propagation direction and the first and second divided IDT portions 15a and 15b are provided, so that the impedance value is four times that before the division.
  • the impedance on the unbalanced terminal 3 side and the balanced terminal 4 can be increased.
  • the impedance ratio on the 5 side can be about 1:16. Therefore, the surface acoustic wave filter device 1 has a larger impedance change than the conventional surface acoustic wave filter device 201 described in Patent Document 1.
  • the surface acoustic wave filter device 1 itself has a large impedance conversion function. It is possible to omit functional components and reduce impedance variation in required impedance variable components.
  • the outermost electrode fingers 14a and 16a adjacent to the fifth IDT 15 of the fourth and sixth IDTs 14 and 16 are connected to the ground potential. It is said to be a finger.
  • an elastic wave filter device having a balance-unbalance conversion function if an electrode finger to which a balanced signal is applied and an electrode finger to which an unbalanced signal is applied are adjacent to each other, The amount of attenuation may be reduced and the balance of the balanced signal may be impaired. This is because the electrode finger to which the balanced signal is applied is adjacent to the electrode finger to which the unbalanced signal is applied. This is because a direct wave is generated between the two parts.
  • the electrode fingers 14a and 16a adjacent to the IDT 15 from which the balanced signal is taken out are connected to the ground potential. Therefore, of the electrode fingers to which the unbalanced signals of IDTs 14 and 16 are applied, the electrode fingers 14b and 16b closest to IDT15 are not directly adjacent to the outermost electrode fingers of IDT15. Therefore, it is possible to provide the surface acoustic wave filter device 1 that has sufficient out-of-band attenuation and excellent balance.
  • the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 7 has a balanced-unbalanced conversion function and an impedance conversion function. Therefore, the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 6 in the surface acoustic wave filter device 1 is not necessarily provided.
  • FIG. 2 shows a modification of the surface acoustic wave filter device 1, which is the same as the surface acoustic wave filter device 1 except that the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 6 is not provided.
  • a surface acoustic wave filter device constructed as shown in Fig. 1 is shown schematically.
  • the fourth and sixth IDTs 14 and 16 of the surface acoustic wave filter unit 7 shown in FIG. Three balanced terminals are connected. Also in the surface acoustic wave filter device 31 of the present modification, the fourth to sixth IDTs 14 to 16 are configured in the same manner as the surface acoustic wave filter unit 7, so that a balanced-unbalanced variation and a large impedance variation are achieved. Have the ability.
  • the surface acoustic wave filter device 1 shown in FIG. 1 has a first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter on the unbalanced terminal 3 side. Since section 6 is provided, the advantage is that the out-of-band attenuation can be further increased.
  • the other structure of the surface acoustic wave filter device 31 is the same as that of the surface acoustic wave filter device 1. Therefore, the description of the surface acoustic wave filter device 1 will be omitted by using the description.
  • the surface acoustic wave filter devices 1 and 31 shown in FIG. 1 and FIG. 2 are divided in the cross width direction by dividing the first and second divided IDT portions provided in two in the surface wave propagation direction.
  • the first and second subdivision IDT sections are provided separately, but the first, second, and third subdivision IDT sections are provided divided in the cross width direction. It may be. Alternatively, it may be configured to have four or more re-divided IDT portions provided by being divided in the cross width direction.
  • the number of electrode fingers of the first subdivision IDT unit 15al is made equal to the number of electrode fingers of the first subdivision IDT unit 15bl. Therefore, the number of electrode fingers of the second subdivision IDT portion 15a2 is equal to the number of electrode fingers of the second subdivision IDT portion 15b2.
  • the number of electrode fingers of the first subdivision IDT part 19al is made different from the number of electrode fingers of the first subdivision IDT part 19b1, and the second The number of electrode fingers of the second subdivision IDT portion 19a2 may be different from the number of electrode fingers of the second subdivision IDT portion 19b2.
  • the number of electrode fingers of the first and second divided IDT portions 19a and 19b divided in the surface wave propagation direction of the IDT 19 is varied, and each of the divided IDT portions 19a and 19b is propagated as described above.
  • the first and second subdivision IDT sections 19al, 19a2, 19bl, and 19b2 may be divided in the direction.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device according to the second embodiment as the best mode embodiment of the acoustic wave filter device of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 101 of the second embodiment is configured by forming the illustrated electrode structure on a piezoelectric substrate 102.
  • the surface acoustic wave filter device 101 of the second embodiment is provided with the IDT 115 shown in FIG. 4 instead of the IDT 15 in the surface acoustic wave filter device 1 shown in FIG.
  • the surface acoustic wave filter device 1 of the first embodiment is configured in the same manner as the first embodiment. Therefore, the same parts are denoted by the same reference, and detailed description thereof is omitted.
  • the surface acoustic wave filter device 101 of the second embodiment is characterized by the second longitudinally coupled resonator type
  • the IDT 15 arranged at the center of the surface wave propagation direction has first and second divided IDT units 115 a and 115 b provided by being divided into two along the surface wave propagation direction.
  • the first and second divided IDT sections 115a and 115b are electrically connected in series by a bus bar 115c.
  • the bus bar 115c may be electrically floated or may be connected to the ground potential, or any of them.
  • each of the divided IDT sections 115a and 115b is divided into first and second sub-divided IDT sections 115al and 115a 2 provided in the cross width direction, which is a direction orthogonal to the surface wave propagation direction. , 115bl, 115b2.
  • first and second subdivision IDT units 115al and 115a2 are arranged in the cross width direction in the first subdivision IDT unit 115a, and the first and second subdivision IDT units 115al and 115a2 are connected in series by a common connection bus bar 115d.
  • a first re-divided IDT unit 115al is configured between the bus bar 115c and the connection bus bar 115d.
  • a second subdivision IDT unit 115a2 is formed between the connection bus bar 115d and the division bus bar 115e located on the opposite side of the bus bar 115c with respect to the connection bus bar 115d.
  • the divided bus bar 115e is connected to the first balanced terminal 4.
  • a first subdivision IDT unit 115b1 is configured between the nose 115c and the connection bus bar 115f.
  • a second subdivision IDT section 115b2 is formed between the connection bus bar 115f and the division bus bar 115g located on the opposite side of the connection bus bar 115f from the bus bar 115c.
  • the divided bus bar 115g is connected to the second balanced terminal 5.
  • the first and second longitudinally coupled resonator types are also used.
  • the surface acoustic wave filter units 6 and 7 are cascade-connected, and the balance-unbalance conversion function and the impedance conversion function are realized by the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 7. Since the fifth IDT 115 is configured as described above, the ratio of the impedance on the unbalanced terminal 3 side to the impedance on the balanced terminals 4 and 5 side can be about 1:16. Yes.
  • the surface acoustic wave filter device 101 is characterized in that floating electrode fingers 115h, 115h, and 115f are arranged on the outermost electrode fingers in the surface wave propagation direction of the first subdivision IDT portions 115al and 115bl.
  • 115i is provided with serial weighting
  • adjacent electrode fingers of the second subdivision IDT portions 115a2 and 115b2 are also provided with series weighting by providing floating electrode fingers 115j and 115k. There is.
  • ripples that tend to appear in the passband can be effectively suppressed by such serial weighting, and thereby good filter characteristics can be obtained.
  • FIG. 5 schematically showing the electrode structure of the surface acoustic wave filter device 1 of the first embodiment together with FIG.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device 1 according to the first embodiment.
  • the IDT 15 has the first and second divided IDT portions 15a and 15b provided to be divided in the surface wave propagation direction. Further, the first and second divided IDT units 15a and 15b have first and second re-divided IDT units 15al, 15a2, 15bl and 15b2. Therefore, as indicated by broken lines A and B in FIG. 5, the first acoustic track A propagating through the first subdivision IDT units 15al and 15bl and the second subdivision IDT units 15a2 and 15b2 Is formed with the second acoustic track B on which the sound propagates.
  • the ripple R is an acoustic track composed of a portion where the first subdivision IDT portions 15al, 15bl are provided, and a portion where the second subdivision IDT portions 15a, 15b are provided. I thought that this was not due to the difference in the excitation intensity of the surface acoustic wave from the second acoustic track composed of
  • the excitation intensity of the surface acoustic wave in the gap between the second subdivision IDT portions 15a2 and 15b2 in the second acoustic track B is equal to the first subdivision I. It becomes higher than the excitation intensity of the surface acoustic wave in the gap between the DT parts 15al and 15bl.
  • the excitation intensity of the surface acoustic wave in each gap between the outermost ends of the second subdivision IDT portions 15a2 and 15b2 in the surface wave propagation direction and the adjacent ID T14 and 16 is the first subdivision.
  • Each gear between IDT section 15al, 15bl outermost end in the surface wave propagation direction and adjacent IDT14, 16 It becomes stronger than the excitation intensity of the surface acoustic wave at the top.
  • the surface acoustic wave filter device 101 includes the first and second sound tracks A and B, but the first sound track A includes the first and second sound tracks A and B.
  • the second subdivision IDT sections 115al and 115bl are weighted in series so that floating electrode fingers 115h and 115i are provided on the outer ends in the surface wave propagation direction, whereby the first subdivision IDT sections 115al, The excitation strength of surface acoustic waves in each gap between 115 bl and adjacent IDTs 14 and 16 is enhanced.
  • the excitation strength of the surface acoustic waves in the first and second acoustic tracks A and B can be approximated, and as a result, the solid line in FIG. As shown in Fig. 3, it is possible to effectively suppress ripples in the passband.
  • the surface acoustic wave propagation direction of the IDT 115 is used as means for changing the excitation intensity of the surface acoustic wave in the first acoustic track A as described above.
  • the surface acoustic wave excitation is applied to the gap between the second subdivision ID T sections 115a2 and 115b2 as means for changing the excitation intensity. Series weighting was applied to weaken the intensity.
  • the means for bringing the excitation strength of the surface acoustic wave close to the first and second acoustic tracks A and B can be variously modified. Such a modification is exemplarily shown in FIGS. 7 (a) to 9 (b).
  • the IDT 125 having the divided IDT portions connected to the first and second balanced terminals is the first and second divided parts. It has IDT portions 125a and 125b. Each divided IDT section 125a, 125b has a re-divided IDT section 125al, 125a2, 125bl, 125b2. Of these, the first re-divided IDT portion 125al, 125bl, the first of the second embodiment shaped condition: subdividing IDT portion of the L: L 15a l, are the same as 115b 1.
  • the first and second divided IDT sections provided by dividing the fifth IDT 135 force into the surface wave propagation direction are divided into two. 135a and 135b, and the first and second divided IDT sections 135a and 135b are respectively divided into two in the direction perpendicular to the surface wave propagation direction. , 135al, 135bl, 135b2a.
  • the first subdivision IDT sections 135al and 135bl are thinned and weighted to increase the excitation strength of the surface acoustic waves in the gap located on both sides of the IDT 135 of the first acoustic track in the surface wave propagation direction.
  • thinning weighting is applied so as to weaken the excitation strength of the surface acoustic wave in the gap between the IDT sections 135a2 and 135b2.
  • the electrode fingers outside the surface wave propagation direction of the first subdivision IDT portions 145al and 145bl are floated. Thinning weighting is performed by using the pole finger, and thereby the excitation intensity in the gap outside the surface wave propagation direction of the first subdivision IDT portions 145al and 145bl in the first acoustic track is strengthened.
  • the excitation strength in the second acoustic track is weakened by providing thinning weights so that the electrode fingers facing the gap are floating electrode fingers. It has been.
  • series weighting is performed so that the electrode fingers facing the gap between the first subdivision IDT portions 155al and 155bl have floating electrode fingers, The excitation intensity of the surface acoustic wave in the gap in the first acoustic track is weakened.
  • the means for bringing the excitation strengths of the first and second acoustic tracks closer reduces the excitation strength of the surface acoustic wave in both the first and second acoustic tracks.
  • the excitation strengths of the two may be made closer by providing a difference to the extent that the excitation strength is weakened.
  • both the first and second acoustic tracks are configured so as to increase the excitation strength, and by providing a difference in the method of increasing the excitation strength, the elastic surfaces of the first and second acoustic tracks are increased. You can bring the excitation intensity of the waves closer.
  • the fifth IDT 165 is subjected to thinning weighting, whereby the surface acoustic wave between the first and second acoustic tracks is given.
  • the excitation intensity of is close. That is, in the gap where the first subdivision IDT sections 165al and 165bl are adjacent to each other, thinning weighting is performed so as to weaken the excitation intensity.
  • thinning weighting is performed so as to weaken the excitation strength of the surface wave in the gap between the outermost end in the surface wave propagation direction and the IDTs 14 and 16, Since the degree to which the excitation intensity is weakened is larger than the degree to which the excitation intensity is reduced on the first acoustic track side, as a result, the excitation intensity of the surface acoustic waves in the first and second acoustic tracks is made closer. Yes.
  • the fifth IDT 175 is thinned and the excitation strengths of the first and second acoustic tracks are made closer to each other. Yes. More specifically, in the first subdivision IDT sections 175al and 175bl, thinning weighting is performed by providing floating electrode fingers at the part facing the gap between the two, and the excitation intensity in the first acoustic track A is given. Has been strengthened.
  • thinning weighting is also applied to the second acoustic track B, and more specifically, the outermost electrode fingers in the surface wave propagation direction of the first and second subdivision IDT portions 175a2 and 175b2 are floated electrode fingers.
  • the excitation strength in the gap between IDTs 14 and 16 is reduced, thereby reducing the excitation strength of the surface acoustic wave in the second acoustic track and the surface acoustic waves in acoustic tracks A and B.
  • the vibration intensity is close.
  • the first acoustic track A and the second acoustic track B are made closer to the excitation intensity of the surface acoustic wave.
  • the means for changing the excitation intensity can be easily realized by various forms of weighting such as thinning weighting, cross width weighting, serial weighting, and the like.
  • weighting such as thinning weighting, cross width weighting, serial weighting, and the like.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of a balanced elastic wave filter device according to the third embodiment of the present invention.
  • This electrode structure is a LiTaO single crystal as a piezoelectric substrate
  • surface wave propagation is used as a LiTaO single crystal substrate.
  • the transport direction is the crystal X-axis direction
  • the substrate cut is a LiTaO substrate with a Y-axis rotation of ⁇ 45 degrees.
  • the piezoelectric substrate may be formed of another appropriate piezoelectric substrate single crystal material.
  • the illustrated electrode structure has a 10 nm-thick Ti film and a thickness 32 on the LiTaO substrate.
  • a first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 305 is connected to an unbalanced terminal 302.
  • the surface acoustic wave filter 305 includes first to third IDTs 311 to 313 and reflectors 314 and 315 arranged in the surface wave propagation direction.
  • One end of the IDT 312 is connected to the unbalanced terminal 302.
  • a second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 306 is connected to the subsequent stage of the surface acoustic wave filter 305.
  • the surface acoustic wave filter 306 includes first to third IDTs 321 to 323. The respective one end forces of the first IDT 321 and the third IDT 323 are electrically connected to the respective one ends of the first and third IDTs 311, 313 of the surface acoustic wave filter 305.
  • the second IDT 322 includes first and second divided IDT portions 322a and 322b provided to be divided along the surface acoustic wave filter propagation direction.
  • the first and second divided IDT sections 32 2a and 322b are respectively provided in first and second directions provided in a direction orthogonal to the surface wave propagation direction.
  • the subdivision IDT sections 322al and 322a2 and the first and second subdivision IDT sections 322b1 and 322b2 are provided.
  • the first balanced terminal 303 is connected to the second re-divided IDT unit 322a2 of the first divided IDT unit 322a.
  • the second balanced terminal 304 is connected to the second re-divided IDT unit 322b2 of the second divided IDT unit 322b.
  • reflectors 324 and 325 are disposed on both sides of the surface wave propagation direction of the portion where IDTs 321 to 323 are provided.
  • IDTs 311 to 313 and 321 to 323 are adjacent to each other in the surface acoustic wave propagation direction. It has.
  • the surface acoustic wave filters 305, 306 force S have the above electrode structure, and the phase of the electric signal flowing from the unbalanced terminal 302 to the first balanced terminal 303, The IDTs 311, 313 are inverted so that the phase of the electrical signal flowing from the unbalanced terminal 302 to the second balanced terminal 304 differs by 180 degrees. IDT321 and 323 have the same phase.
  • the IDT 322 has first and second divided IDT portions 322a and 322b, and the first and second divided IDT portions 322a and 322b are connected in series.
  • First and second damage iJIDT ⁇ 322a, 322b force S Further re-harness iJIDT ⁇ 322al, 322a2, 322b2, 322b2
  • the ratio to dance can be increased to about 1:16.
  • the metallization ratio of the narrow pitch electrode fingers of the IDT 322 in the first acoustic track passing through the first subdivision IDT units 322al and 322bl is the second subdivision IDT unit 32 2a.
  • the metallization ratio of the narrow pitch electrode fingers of the second acoustic track passing through 322b is smaller.
  • the metallization ratio of the main part of the first acoustic track passing through the first subdivision IDT part is made smaller than the metallization ratio of the second acoustic track. Therefore, the ratio between the excitation intensity in the first acoustic track and the excitation intensity of the surface acoustic wave in the second acoustic track is reduced.
  • the metallization ratio refers to the width between the electrode fingers adjacent to the width direction of the electrode fingers in the width direction along the elastic wave propagation direction of the electrode fingers over an IDT or electric grating type reflector. It shall be the ratio to the sum of the dimensions along the same direction of the space.
  • the number of electrode fingers IDT311, 313 is 11.5 and the number of electrode fingers 312 is 18.5.
  • the five electrode fingers closer to IDT 312 were electrode fingers constituting a narrow pitch electrode finger portion.
  • the electrode fingers on the side close to the third IDT 112 are also electrode fingers constituting the narrow pitch electrode finger portion.
  • the electrode finger pitch of the narrow pitch electrode finger portion was 2. O / zm, and the remaining portion other than the narrow pitch electrode finger, ie, the electrode finger pitch of the main portion was 2.113 m.
  • the number of reflectors 314 and 315 is 80, and the electrode pitch in the reflector is 2.3 ⁇ m.
  • the number of pairs of electrode fingers of the first and third IDTs 321 and 32 3 of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 306 is 11.5 pairs, and the electrode finger pitch is 2. 115 / zm.
  • the four electrode fingers on the side closer to IDT322 each constitute a narrow pitch electrode finger portion, and the electrode finger pitch in the narrow pitch electrode finger portion is set to 1.988 / zm.
  • the metallization ratio of the narrow pitch electrode finger portions of IDT321 and 323 was 0.63, the main portion metallization, and it was 0.65.
  • the number of electrode fingers of IDT322 is 9.5, and the electrode finger pitch of the main part is 2.12 ⁇ m.
  • IDT322 six electrode fingers on the side close to IDT321 and six electrode fingers on the side close to IDT323 were used as electrode fingers constituting a narrow pitch electrode finger portion.
  • the electrode pitch of this narrow pitch electrode finger was 1.968 / zm.
  • the metallization ratio in the first acoustic track is 0.
  • the metallization ratio of the second acoustic track is 0.65 for the main track, and! / For the narrow-pitch electrode is 0.65 .
  • the number of electrode fingers of reflectors 324 and 325 is 80, and the electrode finger pitch is 2 136 ⁇ m, Metallic, it was 0.66.
  • FIG. 11 is a diagram showing the filter characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment.
  • the bullets of the reference example configured in the same manner as in the above embodiment except that the metallization ratio of the first acoustic track is the same as the metallization ratio of the second acoustic track.
  • the filter characteristics of the surface acoustic wave filter device are indicated by broken lines.
  • the metallization ratios of the first and second acoustic tracks are made different as in the above embodiment, and the excitation strengths of both are made close to each other in the passband. It can be seen that the appearing ripple can be effectively suppressed.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the illustrated electrode structure is formed on the piezoelectric substrate 352.
  • the first to third IDTs 361 to 363 are arranged along the surface acoustic wave propagation direction, and the reflectors 364, 365 are placed on both sides of the region where the IDTs 361 to 363 are provided. Talk! Each end force of IDT 361 and 363 is connected to first and second balanced terminals 353 and 354, and each other end is grounded.
  • the IDT 362 includes first and second divided IDT portions 362 a and 362 b that are provided by being divided in the surface wave propagation direction.
  • Each of the divided IDT units 362a and 362b includes first and second re-divided IDT units 362al, 362a2, 362 bl, and 362b2 that are provided by being divided in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction.
  • the third and fourth balanced terminals 355 and 356 are connected to the second subdivision I DT3 ⁇ 4322a2, 322b2, respectively.
  • the first subdivision IDT sections 362al and 362bl forces S are provided with the first acoustic track that propagates the surface acoustic wave through the portions provided with the second subdivision IDT sections 362a2, 3 Excitation strength with the second acoustic track in which surface acoustic waves propagate through the part where 62b2 is provided
  • IDT362al and 362bl arranged on the first acoustic track are provided with narrow pitch electrode finger parts, and the metallization ratio of the narrow pitch electrode finger parts is set to the subdivision IDT part on the second acoustic track side.
  • the metallization ratio of the main part of the first acoustic track that is not connected to the balanced terminal is greater than the metallization ratio of the main part on the second acoustic track side that is connected to the balanced terminals 305 and 306. Just make it smaller. As a result, the ripple that tends to appear in the passband can be effectively suppressed, as in the case of the above-described electrostatic wave filter device 301.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the first to third IDTs 411 to 413 are arranged in the surface acoustic wave propagation direction.
  • Reflectors 414 and 415 are arranged on both sides of the first to third IDTs 411 to 413.
  • the unbalanced terminal 403 is connected to one end of the second IDT 412. The other end of the IDT 412 is grounded.
  • IDTs 411 and 413 have one end grounded and the other end electrically connected to first and second balanced terminals 404 and 400, respectively.
  • phase force of the electrical signal flowing from the unbalanced terminal 403 to the first balanced terminal 404 is 180 degrees different from the phase of the electrical signal flowing from the unbalanced terminal 403 to the second balanced terminal 405. I ’m left behind!
  • the first and second IDT portions 41 la, 41 la which are provided by dividing the first and third IDTs 411, 413 in the direction orthogonal to the surface wave propagation direction, are provided. 411b, 413a, 413b.
  • it since it is divided in a direction orthogonal to the surface acoustic wave propagation direction, it is expressed as a subdivision IDT section.
  • the metallization ratio of the first acoustic track is the same as that in the second acoustic track. The ratio is smaller.
  • narrow pitch electrode finger portions are provided in portions where IDTs are adjacent to each other, and the metallization ratio of the narrow pitch electrode finger portions in the first acoustic track is the same as in the second acoustic track. It is smaller than the metallization ratio of the corresponding narrow-pitch electrode finger part, and it is smaller than the metallization ratio of the main part in the first acoustic track and the corresponding main part in the second acoustic track. Yes.
  • ripples that tend to appear in the passband can be effectively suppressed.
  • FIG. 14 is a plan view schematically showing an electrode structure of the acoustic wave filter device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • first and third IDTs 461 to 463 are arranged along the surface acoustic wave propagation direction.
  • the IDTs 461 to 463 have the same configuration as the IDTs 411 to 413 shown in FIG. 13 except that the number of electrode fingers is different.
  • the fourth and fifth IDTs 464 and 465 are self-placed on both sides of the first to third IDTs 461 to 463 in the surface wave propagation direction.
  • Reflectors 466 and 467 are disposed on both sides of the surface wave propagation direction of the region where the first to fifth IDTs 461 to 465 are disposed.
  • One ends of the fourth and fifth IDTs 464 and 465 are connected in common and connected to the unbalanced terminal 453.
  • the elastic wave filter device 451 is configured in substantially the same manner as the elastic wave filter device 401.
  • the excitation intensity in the first acoustic track and the excitation intensity in the second acoustic track are brought close in the same manner as in the case of the elastic wave filter device 401, that is, the metallization ratio is relatively increased. Ripple that tends to appear in the passband can be effectively suppressed by making it relatively small on the first acoustic track side.
  • the surface acoustic wave filter device of the above-described embodiment and the modification uses an elastic surface wave as an elastic wave.
  • the present invention is not limited to a surface acoustic wave as an elastic wave, and other elastic waves such as a boundary acoustic wave may be used.
  • a balanced-unbalanced conversion function and a large impedance conversion function can be realized by configuring each IDT according to the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device according to the embodiment and the modification described above generates surface acoustic waves as described above.
  • the present invention may use other elastic waves such as boundary acoustic waves instead of surface acoustic waves.
  • FIG. 15 is a front sectional view schematically showing the electrode structure of the boundary acoustic wave filter device.
  • this boundary acoustic wave filter device 71 a piezoelectric substrate 72 as a first medium layer and a dielectric 73 as a second medium layer are laminated.
  • An electrode 74 having a plurality of IDTs is formed at the boundary between the piezoelectric substrate 72 and the dielectric 73. Using the boundary acoustic wave propagating along this boundary, the characteristics as a filter can be obtained.
  • the structure of the electrode 74 of the boundary acoustic wave filter device 71 is formed in the same manner as the electrode structure in the previous embodiment for the surface acoustic wave filter described above, thereby constituting the elastic wave filter device of the present invention. can do.
  • the acoustic wave filter device according to the present invention is effectively used as a bandpass filter between the antenna and the differential amplifier of the mobile communication device described above. It is not limited to. That is, the elastic wave filter device of the present invention can be generally used for the use of a filter device that is required to have a balance-unbalance change and an impedance change.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　平衡－不平衡変換機能を有するだけでなく、大きなインピーダンス変換機能を有する弾性波フィルタ装置を提供する。 　不平衡端子３と、第１，第２の平衡端子４，５と、ＩＤＴ１４～１６を有し、ＩＤＴ１４，１６の一端が不平衡端子３に接続されており、中央のＩＤＴ１５が表面波伝搬方向に分割された第１，第２の分割ＩＤＴ部１５ａ，１５ｂを有し、第１，第２の分割ＩＤＴ部１５ａ，１５ｂが、それぞれ、交差幅方向に分割された再分割ＩＤＴ部１５ａ１，１５ａ２，１５ｂ１，１５ｂ２を有し、第１，第２の分割ＩＤＴ部１５ａ，１５ｂが電気的に直列に接続されており、第１，第２の再分割ＩＤＴ部１５ａ１，５１ａ２及び第１，第２の再分割ＩＤＴ部１５ｂ１，１５ｂ２がそれぞれ電気的に直列に接続されており、第２の再分割ＩＤＴ部１５ａ２，１５ｂ２がそれぞれ第１，第２の平衡端子４，５に接続されている、弾性表面波フィルタ装置１。

Description

明 細 書
ノ ンス型弾性波フィルタ装置
技術分野
[0001] 本発明は、平衡—不平衡変浦能を有するバランス型弾性波フィルタ装置に関す る。
背景技術
[0002] 従来より、移動体通信機器のフロントエンドにおいて、アンテナと差動増幅器との間 に帯域フィルタとして、弾性表面波フィルタが接続されていることが多い。アンテナは 不平衡信号を入出力するのに対し、上記差動増幅器は平衡信号を入出力する。従 つて、アンテナと差動増幅器との間には、平衡—不平衡変 能を有する部品を接 続する必要があった。上記弾性表面波フィルタが、平衡ー不平衡変換機能を有する 場合には、上記平衡ー不平衡変換機能を有する他の部品、例えばバランを省略す ることがでさる。
[0003] 他方、上記アンテナの特性インピーダンスは、通常 50 Ωであるのに対し、差動増幅 器の特性インピーダンスは 100 Ω以上であり、 1000 Ω程度となることも珍しくな!/、。 従って、アンテナと差動増幅器との間では、平衡信号—不平衡信号を変換するだけ でなぐインピーダンスも変換しなければならない。よって、平衡—不平衡変 能を 有する弾性表面波フィルタが、このようなインピーダンス変 能をも有することが望 まれている。
[0004] 下記の特許文献 1には、図 16に示す弾性表面波フィルタ装置が開示されている。
弾性表面波フィルタ装置 201では、圧電基板 202上に、図示の電極構造が形成され ている。弾性表面波フィルタ装置 201は、不平衡端子 203と、第 1,第 2の平衡端子 2 04, 205とを有する。第 1〜第 3の IDT211〜213が表面波伝搬方向に配置されて いる。 IDT211〜213が設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射器 214, 215が配置されている。
[0005] 中央の第 2の IDT212は、表面波伝搬方向に二分割されており、従って第 1,第 2 の分割 IDT部 212a, 212bを有する。不平衡端子 203は、第 1,第 3の IDT211, 21 3の一端に接続されている。他方、 IDT211, 213の他端はアース電位に接続されて いる。また、第 1,第 2の分割 IDT部 212a, 212bが、それぞれ、第 1,第 2の平衡端 子 204, 205に接続されている。
[0006] 上記弾性表面波フィルタ装置 201は、平衡ー不平衡変 能を有し、さらにインピ 一ダンス変 能を有する。すなわち、第 2の IDT212が、第 1,第 2の分割 IDT部 2 12a, 212bに分割されており、かつ第 1,第 2の分割 IDT部 212a, 212bが電気的に 直列に接続されている。従って、第 2の IDT212のインピーダンスは、分割 IDT部 21 2a, 212bに分割する前の対応する IDTの 4倍の値となる。よって、弾性表面波フィル タ装置 201では、不平衡端子 203と平衡端子 204, 205とのインピーダンス比は約 1 :4となる。
特許文献 1 :特開 2003— 69383
発明の開示
[0007] 前述したように、アンテナと差動増幅器との間に接続される弾性表面波フィルタで は、平衡ー不平衡変換機能だけでなくインピーダンス変換機能を有することが強く求 められている。特許文献 1に記載の弾性表面波フィルタ装置 201では、上記のように 不平衡端子 203のインピーダンスと平衡端子 204, 205のインピーダンスとの比が約 1 :4とされているため、約 4倍のインピーダンス変 能を有する。
[0008] し力しながら、近年、上記差動増幅器の特性インピーダンスは、 1000 Ωを超えるこ とも珍しくなくなつている。従って、例えばアンテナの入出力インピーダンスが 50 Ωで あり、差動増幅器の特性インピーダンスが 1000 Ωである場合には、 20倍の大きさに インピーダンスを変換することが求められる。特許文献 1に記載の弾性表面波フィル タ装置 201では、インピーダンスを 4倍程度に大きくすることはできるものの、それ以 上大きなインピーダンス変 能を実現することはできな力つた。
[0009] 従って、より大きなインピーダンス変換機能が求められる場合、弾性表面波フィルタ 装置 201の他に、さらにインピーダンス変 能部品を接続しなければならな力つた
[0010] なお、近年、弾性波装置としては、弾性表面波フィルタ装置だけでなぐ弾性境界 波を利用した弾性境界波フィルタ装置も知られて ヽる。このような弾性境界波フィルタ 装置のような他の弾性波フィルタ装置においても、上記と同様に、平衡ー不平衡変 換機能だけでなぐ大きなインピーダンス変換機能を有するものが望まれている。
[0011] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、平衡ー不平衡変換機能を有 するだけでなく、大きなインピーダンス変換機能を併せ持つ弾性波フィルタ装置を提 供することにある。
[0012] 本願の第 1の発明は、不平衡端子と、第 1,第 2の平衡端子とを有し、平衡 不平 衡変換機能を有するバランス型の弾性波フィルタ装置であって、圧電基板と、前記圧 電基板上において表面波伝搬方向に配置された第 1〜第 3の IDTを備え、前記第 2 の IDTが、表面波伝搬方向に 2分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT部を有し 、第 1,第 2の分割 IDT部の各一端が接続されて第 1,第 2の分割 IDT部が直列接続 されており、第 1,第 2の分割 IDT部の他端が、それぞれ、第 1,第 2の平衡端子に接 続されており、前記不平衡端子から第 1の平衡端子に流れる電気信号の位相が、前 記不平衡端子から前記第 2の平衡端子に流れる電気信号の位相と 180度異なるよう に前記第 1〜第 3の IDTが配置されており、前記第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞ れ、表面波伝搬方向と直交する交差幅方向において分割されて設けられた少なくと も第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的 に直列に接続されて ヽることを特徴とする。
[0013] 第 1の発明のある特定の局面では、第 1,第 3の IDTの第 2の IDTに隣接している最 外側の電極指がアース電位に接続されて 、る。
[0014] 本願の第 2の発明は、不平衡端子と、第 1,第 2の平衡端子とを有し、平衡 不平 衡変換機能を有するバランス型の弾性波フィルタ装置であって、圧電基板と、前記圧 電基板に形成されており、縦結合共振子型の第 1,第 2の弾性波フィルタ部とを備え 、前記第 1の弾性波フィルタ部が、前記弾性波の伝搬方向に沿って配置された第 1 〜第 3の IDTを有し、前記第 2の弾性波フィルタ部が、表面波伝搬方向に配置された 第 4〜第 6の IDTを有し、前記第 1の弾性波フィルタ部の前記第 2の IDTが不平衡端 子に接続されており、前記第 1の IDTに、前記第 2の弾性波フィルタ部の第 4の IDT が第 1の配線ラインにより接続されており、前記第 3の IDTが第 2の配線ラインにより 前記第 2の弾性波フィルタ部の第 6の IDTに接続されており、前記第 5の IDTが、弹 性波伝搬方向に分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT部を有し、該第 1,第 2 の分割 IDT部の各一端が直列に接続されており、第 1,第 2の分割 IDT部の各他端 力 第 1,第 2の平衡端子にそれぞれ電気的に接続されており、前記第 1の配線ライ ンを伝送する電気信号の位相と、第 2の配線ラインを伝送する電気信号の位相とが 1 80度異なるように、第 2の IDT及び第 1,第 3の分割 IDTが構成されており、前記第 2 の弾性波フィルタ部の第 1,第 2の分割 IDT部が、弾性波伝搬方向と直交する交差 幅方向にさらに分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部をそれぞ れ有し、該少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続されていること を特徴とする。
[0015] 第 2の発明のある特定の局面では、前記第 4,第 6の IDTの前記第 5の IDTに隣接 している最外側の電極指がアース電位に接続される。
[0016] 本願の第 3の発明は、第 1,第 2の平衡端子と第 3,第 4の平衡端子とを備える、ノ ンス型の弾性波フィルタ装置であって、圧電基板と、前記圧電基板上において表面 波伝搬方向に配置された第 1〜第 3の IDTを有し、前記第 2の IDTが、表面波伝搬 方向に 2分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT部を有し、第 1,第 2の分割 IDT 部の各一端が接続されて第 1,第 2の分割 IDT部が直列接続されており、第 1,第 2 の分割 IDT部の他端が、それぞれ、第 1,第 2の平衡端子に接続されており、前記第 3平衡端子が前記第 1の IDTに接続され、前記第 4の平衡端子が前記第 3の IDTに 接続されており、前記第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞれ、表面波伝搬方向と直交 する交差幅方向において分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部 を有し、該少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続されていること を特徴とする。
[0017] 第 3の発明のある特定の局面では、前記第 1,第 3の IDTの前記第 2の IDTに隣接 して 、る最外側の電極指がアース電位に接続されて 、る。
[0018] 第 1〜第 3の発明の他の特定の局面では、前記第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞ れ、前記第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、前記第 1の分割 IDT部の第 2の再分割 ID T部及び前記第 2の分割 IDT部の第 2の再分割 IDT部がそれぞれ前記第 1,第 2の 平衡端子に接続されており、前記第 1の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 1の音 響トラックと、第 2の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 2の音響トラックとを有し、第 1,第 2の音響トラックを伝搬する弾性波の励振強度を近づける手段がさらに備えられ ている。
[0019] 本願の第 4の発明は、不平衡端子と、第 1,第 2の平衡端子とを有し、平衡 不平 衡変換機能を有するバランス型の弾性波フィルタ装置であって、圧電基板と、前記圧 電基板上において表面波伝搬方向に配置された第 1〜第 3の IDTを備え、第 2の ID Tが不平衡端子に接続されており、第 1,第 3の IDTの各一端が接続されて第 1,第 3 の IDTが直列接続されており、第 1,第 3の IDTの他端が、それぞれ、第 1,第 2の平 衡端子に接続されており、前記不平衡端子から第 1の平衡端子に流れる電気信号の 位相が、前記不平衡端子から前記第 2の平衡端子に流れる電気信号の位相と 180 度異なるように前記第 1〜第 3の IDTが配置されており、前記第 1,第 3の IDTが、そ れぞれ、表面波伝搬方向と直交する交差幅方向にお！ヽて分割されて設けられた少 なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電 気的に直列に接続されていることを特徴とする。
[0020] 第 4の発明のある特定の局面では、前記第 1,第 3の IDTの各一端が接続されてい る部分が接地されている。
[0021] 第 4の発明のさらに他の特定の局面では、第 1の IDTの外側に配置され不平衡端 子に接続されている第 4の IDTと、第 3の IDTの外側に配置され不平衡端子に接続さ れて 、る第 5の IDTとがさらに備えられて 、る。
[0022] 第 4の発明のさらに他の特定の局面では、前記第 2の IDTの前記第 1,第 3の IDT に隣接して 、る最外側の電極指がアース電位に接続されて 、る。
[0023] 第 4の発明のさらに別の特定の局面では、前記第 4,第 5の IDTの前記第 1,第 3の IDTに隣接して 、る最外側の電極指がアース電位に接続されて！、る。
[0024] 第 4の発明のさらに別の特定の局面によれば、前記第 1の IDTの第 2の再分割 IDT 部と前記第 3の IDTの第 2の再分割 IDT部がそれぞれ前記第 1,第 2の平衡端子に 接続されており、前記第 1の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 1の音響トラックと、 第 2の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 2の音響トラックとを有し、第 1,第 2の音 響トラックを伝搬する弾性波の励振強度を近づける手段がさらに設けられている。 [0025] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記 第 1,第 2の音響トラックにおける弾性波の励振強度を近づける手段が、前記第 1の 音響トラックにおける弾性波の励振強度を変化させる手段及び Zまたは前記第 2の 音響トラックにおいて弾性波の励振強度を変化させる手段である。
[0026] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置のより限定的な局面では、前記第 1の 音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 iの再分割 IDT部間の ギャップにおける励振強度及び Zまたは前記第 1の再分割 IDT部の表面波伝搬方 向外側と隣接する IDTとの間のギャップにおける励振強度を変化させる手段である。
[0027] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記 第 2の音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 2の再分割 IDT部 間のギャップにおける励振強度及び Zまたは前記第 2の再分割 IDT部の表面波伝 搬方向外側端と隣接する IDTとのギャップにおける励振強度を変化させる手段であ る。
[0028] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置のさらに限定的な局面では、前記第 1 ,第 2の音響トラックにおいて励振強度を近づける手段が、 IDTの重み付けである。こ の場合、重み付けは、直列重み付け、間引き重み付けまたは交差幅重み付けのいず れであってよい。
[0029] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置のさらに特定の局面では、前記第 1, 第 2の再分割 IDT部は、他の IDTと隣接している端力も一部分の電極指の周期が、 該 IDTの残りの部分の電極指の周期より小さくされた狭ピッチ電極指部を備え、前記 IDTの狭ピッチ電極指部以外の部分をメイン部と呼ぶと、前記第 1の音響トラックにお Vヽて励振強度を変化させる手段が、前記第 1の再分割 IDT部の狭ピッチ電極指部及 び Zまたはメイン部における励振強度を変化させる手段である。
[0030] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記 第 1,第 2の再分割 IDT部は、他の IDTと隣接している端力も一部分の電極指の周期 力 該 IDTの残りの部分の電極指の周期より小さくされた狭ピッチ電極指部を備え、 前記 IDTの狭ピッチ電極指部以外の部分をメイン部と呼ぶと、前記第 2の音響トラッ クにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 2の再分割 IDT部狭ピッチ電極指 フィルタ及び Zまたはメイン部における励振強度を変化させる手段である。
[0031] 本発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置において、前記励振強度を変化させ る手段として、電極指のメタライズ比が、励振強度を変化させるように設定されている
[0032] また、本発明のより限定的な局面では、上記第 1の音響トラックの電極指のメタライ ズ比が、第 2の音響トラックの電極指のメタライズ比よりも小さくされている。
[0033] 第 1の発明に係るバランス型弾性波フィルタ装置では、不平衡端子力も第 1の平衡 端子に流れる電気信号の位相は、不平衡端子力ゝら第 2の平衡端子に流れる電気信 号の位相と 180度異なるように第 1〜第 3の IDTが配置されているため、平衡—不平 衡変換機能を有する。加えて、第 1,第 2の分割 IDT部が、表面波伝搬方向と直交す る交差幅方向において分割されて設けられた第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続されているため、不平衡端子側のィ ンピーダンスと、平衡端子側のインピーダンスとの比を約 1 : 16とすることができる。す なわち、従来のバランス型弾性表面波フィルタ装置に加えて、大きなインピーダンス 変 能を有するバランス型弾性波フィルタ装置を提供することができる。
[0034] 第 1〜3の IDTの第 2の IDTに隣接して 、る側の端部に位置する最外側の電極指 がアース電位に接続される場合には、通過帯域外減衰量を改善することができる。す なわち、第 1,第 2の分割 IDT部が設けられている場合、第 1,第 2の平衡端子間のィ ンピーダンスが高くなり、従来の構成に比べて、平衡端子に接続される IDTと、不平 衡端子に接続される IDTとの間の寄生容量が同じ場合であっても、平衡端子への直 達波のレベルが高くなる。そのため、上記第 1,第 3の IDTの最外側の電極指をァー ス電位に接続することにより、この直達波の影響が抑制され、それによつて通過帯域 外減衰量を改善することができる。
[0035] 第 1の発明において、第 1,第 3の IDTの第 2の IDTに隣接している最外側の電極 指がアース電位に接続されている場合には、帯域外減衰量をより一層改善すること ができる。
[0036] 第 2の発明に係る弾性波フィルタ装置では、圧電基板上に、第 1,第 2の弾性波フィ ルタ部が構成されており、第 1の弾性波フィルタ部の第 2の IDTが不平衡端子に接続 されており、第 1の IDTに第 2の弾性波フィルタ部の第 4の IDTが第 1の配線ラインに より接続されており、第 3の IDTが第 2の配線ラインにより第 2の弾性波フィルタ部の第 6の IDTに接続されている。そして、第 2の弾性波フィルタ部力 第 1の発明のバラン ス型弾性波フィルタ装置と同様に構成されている。
[0037] 従って、平衡ー不平衡変換機能を有し、不平衡端子側のインピーダンスと平衡端 子側とのインピーダンスが約 1： 16とされた大きなインピーダンス変 能を有するバ ランス型弾性波フィルタ装置を提供することができる。第 2の発明では、第 2の弾性波 フィルタ部力 第 1の弾性波フィルタ部を介して不平衡端子に接続されているため、 帯域外減衰量の拡大を図ることができる。
[0038] 特に、第 4,第 6の IDTの第 5の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電位 に接続される場合には、帯域外減衰量をより一層改善することができる。
[0039] 第 3の発明に係る弾性波フィルタ装置では、表面波伝搬方向に配置された第 1〜 第 3の IDTの内、第 2の IDT力 上記第 1,第 2の分割 IDT部を有し、第 1,第 2の分 割 IDT部の各一端が接続されて第 1,第 2の分割 IDT部が直列接続されており、第 1 ,第 2の分割 IDT部の他端が、それぞれ、第 1,第 2の平衡端子に接続されている。 そして、第 3の平衡端子が、第 1の IDTに、第 4の平衡端子が第 3の IDTに接続され ており、第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する交差幅方 向において分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、少なく とも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列接続されている。
[0040] 従って、第 1,第 2の平衡端子と、第 3,第 4の平衡端子とのインピーダンス比を 1： 1 6とすることが可能となる、バランス型弾性波フィルタ装置を提供することができる。
[0041] 第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞれ第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、第 1の分割 I DT部の第2の再分割 IDT部及び第2の分割 IDT部の第2の再分割 IDT部がそれぞ れ第 1,第 2の平衡端子に接続されている構成では、第 1の再分割 IDT部を弾性波 が伝搬する第 1の音響トラックと、第 2の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 2の音 響トラックとが形成されることになる。この場合、第 1,第 2の音響トラックを伝搬する弾 性波の励振強度が異なるが、該第 1,第 2の音響トラックを伝搬する弾性波の励振強 度を近づける手段がさらに備えられている場合には、それによつて通過帯域内に現 れがちなリップルを効果的に抑制することができ、より一層良好なフィルタ特性を得る ことができる。
[0042] 本願の第 4の発明では、圧電基板上に第 1〜第 3の IDTが配置されており、第 2の I DTは不平衡端子に、第 1,第 3の IDTの各一端が接続されて第 1,第 3の IDTが直 列接続されており、第 1,第 3の IDTの他端が、それぞれ、第 1,第 2の平衡端子に接 続されている。そして、不平衡端子から第 1の平衡端子に流れる電気信号の位相が、 不平衡端子力ゝら第 2の平衡端子に流れる電気信号の位相と 180度異なるように、第 1 〜第 3の IDTが配置されている。従って、平衡—不平衡変 能を有する弾性波フ ィルタ装置を提供することができる。
[0043] し力も、第 1,第 3の IDTが、第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気に直列に接続されて ヽるので、不平衡端子側のインピーダ ンスと、平衡端子側のインピーダンスとの比を約 1 : 16とすることができる。すなわち、 大きなインピーダンス変換機能を有するバランス型弾性波フィルタ装置を提供するこ とがでさる。
[0044] 第 4の発明において、第 1,第 3の IDTの各一端が接続されている部分が、接地さ れて 、る場合には、帯域外減衰量を改善することができる。
[0045] 第 4の発明において、第 1の IDTの外側に配置され、不平衡端子に接続されている 第 4の IDTと、第 3の IDTの外側に配置され、不平衡端子に接続されている第 5の ID
Tとをさらに備える場合には、 5IDT型のバランス型弾性波フィルタ装置を提供するこ とがでさる。
[0046] 第 2の IDTの第 1,第 3の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電位に接続 されて 、る場合には、帯域外減衰量の拡大を図ることができる。
[0047] 第 4,第 5の IDTの第 1,第 2の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電位 に接続されている場合には、同様に、帯域外減衰量の拡大を図ることができる。
[0048] 第 4の発明において、第 1,第 2の音響トラックを伝搬する弾性波の励振強度を近づ ける手段がさらに設けられている場合には、通過帯域内に現れがちなリップルを効果 的に抑制することができ、より一層良好なフィルタ特性を得ることができる。
[0049] 上記第 1,第 2の音響トラックの励振強度を近づける手段は、様々に構成され得るが 、該手段が、第 1の音響トラックの励振強度を変化させる手段及び Zまたは第 2の音 響トラックにおける弾性波の励振強度を変化させる手段とを有する場合には、これら の適宜の組み合わせにより、通過帯域内リップルを効果的に抑制することができる。
[0050] 第 1の音響トラックにおいて弾性波の励振強度を変化させる手段が、第 1の再分割 I DT部間のギャップにおける励振強度及び Zまたは第 1の再分割 IDT部の表面波伝 搬方向外側端と隣接する IDTとの間のギャップにおける励振強度を変化させる手段 である場合には、本発明に従って、第 1の音響トラックにおける励振強度を効果的に 変化させることができ、それによつて第 1,第 2の音響トラックにおける弾性波の励振 強度を近づけることができる。
[0051] 第 2の音響トラックにおける励振強度を変化させる手段が、第 2の再分割 IDT部間 のギャップにおける弾性波の励振強度及び Zまたは第 2の再分割 IDT部の表面波 伝搬方向外側端と隣接する IDTとの間のギャップにおける弾性波の励振強度を変化 させる手段である場合には、第 2の音響トラックにおける弾性波の励振強度を効果的 に変化させることができ、それによつて第 1,第 2の音響トラック間の励振強度を確実 に近づけることが可能となる。
[0052] 上記第 1,第 2の音響トラックにおける励振強度を高めたり、低めたりする手段は様 々に構成され得る力 少なくとも 1本の電極指を重み付けした構造では、少なくとも 1 本の電極指を、直列重み付け、交差幅重み付けまたは間引き重み付けなどの簡単な 方法により実現することができる。
[0053] また、第 1の音響トラックにおいて、励振強度が変化させる手段が、第 1の再分割 ID τ部の狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイン部における励振強度を変化させる手段 である場合には、第 1の再分割 IDT部の狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイン部に おける励振強度を変化させるように、狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイン部を構成 するだけで、通過帯域内に現れがちなリップルを効果的に抑制することができる。
[0054] また、第 2の音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、第 2の再分割 IDT 部の狭ピッチ電極指部及び zまたはメイン部における励振強度を変化させる手段で ある場合にも、同様に、狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイン部における励振強度を 変化させるようにこれらを構成するだけで、通過帯域内に現れがちなリップルを効果 的に抑制することができる。そして、これらの手段として、電極指のメタライズ比を用い ることができ、すなわち、第 1の再分割 IDT部の狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイ ン部、ある ヽは第 2の再分割 IDT部の狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイン部の励 振強度を、再分割 IDT部の電極指のメタライズ比を調整することにより、変化させるこ とができる。特に、第 1の音響トラックカ タラィズ比を、第 2の音響トラックのメタライズ 比よりも小さくすることにより、通過帯域内に現れがちなリップルを効果的に抑制する ことが可能となる。
図面の簡単な説明
[図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図 である。
[図 2]図 2は、図 1に示した弾性表面波フィルタ装置の変形例である弾性波フィルタ装 置を示す模式的平面図である。
[図 3]図 3は、本発明の変形例に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である
[図 4]図 4は、本発明の第 2の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置を示す模式的 平面図である。
[図 5]図 5は、第 1の実施形態の弾性表面波フィルタ装置の電極構造を模式的に示 す平面図である。
[図 6]図 6は、第 1の実施形態及び第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置の減衰 量 周波数特性を示す図である。
[図 7]図 7は、（a)及び (b)は、第 2の実施形態の各変形例に係る弾性表面波フィルタ 装置の電極構造を示す各模式的平面図である。
[図 8]図 8は、（a)及び (b)は、第 2の実施形態の各変形例に係る弾性表面波フィルタ 装置の電極構造を示す各模式的平面図である。
[図 9]図 9は、（a)及び (b)は、第 2の実施形態の各変形例に係る弾性表面波フィルタ 装置の電極構造を示す各模式的平面図である。
[図 10]図 10は、本発明の第 3の実施形態に係るバランス型弾性波フィルタ装置の電 極構造を示す模式的平面図である。 [図 11]図 11は、第 3の実施形態の弾性表面波フィルタ装置のフィルタ特性及び比較 のために用意した参考例の弾性表面波フィルタ装置のフィルタ特性を示す図である
[図 12]図 12は、本発明の第 4の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示 す模式的平面図である。
[図 13]図 13は、本発明の第 5の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示 す模式的平面図である。
[図 14]図 14は、本発明の第 6の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示 す模式的平面図である。
[図 15]図 15は、本発明が適用される弾性境界波装置の模式的正面断面図である。
[図 16]図 16は、従来の平衡ー不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタ装置の 一例を示す模式的平面図である。
符号の説明
1…弾性表面波フィルタ装置
2…圧電基板
3…不平衡端子
4, 5…第 1,第 2の平衡端子
6…弾性表面波フィルタ部
7…弾性表面波フィルタ部
11〜16· ··第 1〜第 6の IDT
14a, 16a…電極指
15a, 15b…分割 IDT部
15al, 15a2"'第 1,第 2の再分割 IDT部
15bl, 15b2' "第 1,第 2の再分割 IDT部
17a, 17b…反射器
18a, 18b…反射器
21, 22· ··信号線
31…弾性表面波フィルタ装置 71···弾性境界波フィルタ装置
72…圧電基板
73…誘電体
74···電極
101···弾性表面波フィルタ装置
115a, 115b…分割 IDT部
115al, 115a2…第 1,第 2の再分割 IDT部
115bl, 115b2…第 1,第 2の再分割 IDT部
115ο···ノ スノ ー
115d…接続バスバー
115e…分割バスバー
115f…接続バスバー
115g…分割バスバー
115h, 115i…浮き電極指
115j, 115k…浮き電極指
121···弾性表面波フィルタ装置
125---IDT
125al, 125bl…第 1の再分割 IDT部 125a2, 125b2'"第 2の再分割 IDT部 131···弾性表面波フィルタ装置
135---IDT
135al, 135b 1…第 1の再分割 IDT部 135a2, 135b2…第 2の再分割 IDT部 141···弾性表面波フィルタ装置
145---IDT
145al, 145bl…第 1の再分割 IDT部 145a2, 145b2…第 2の再分割 IDT部 151···弾性表面波フィルタ装置 155al, 155b 1…第 1の再分割 IDT部 155a2, 155b2"'第 2の再分割 IDT部 161···弾性表面波フィルタ装置 165---IDT
165al, 165bl…第 1の再分割 IDT部 165a2, 165b2-"第 2の再分割 IDT部 171···弾性表面波フィルタ装置 175· "IDT
175al, 175bl…第 1の再分割 IDT部
175a2, 175b2"'第 2の再分割 IDT部
201…弾性表面波フィルタ装置
202···圧電基板
203…不平衡端子
204···第 1の平衡端子
205···第 2の平衡端子
211〜213-"第1〜第3の1。丁
212a…第 1の分割 IDT部
212b…第 2の分割 IDT部
214, 215···反射器
301…弾性波フィルタ装置
302…不平衡端子
303, 304…平衡端子
311〜313···Π Γ
314, 315···反射器
321〜323···Π Γ
324, 325···反射器
322a, 322b…分割 IDT部 322al, 322&2···再分割 IDT部
322b 1, 322b2-"再分割 IDT部
351…弾性波フィルタ装置
352…圧電基板
353, 354···平衡端子
355, 356···平衡端子
361〜363···Π Γ
362a, 362b…分割 IDT部
362al, 362a2'"再分割 IDT部
362b 1, 362b2-"再分割 IDT部
364, 365···反射器
401…弾性波フィルタ装置
411〜413···第 1〜第 3の IDT
411a, 41 lb…再分割 IDT部
413a, 413b…再分割 IDT部
403…不平衡端子
404, 405···平衡端子
414, 415…反射器
451…弾性波フィルタ装置
453…不平衡端子
454, 455···平衡端子
461〜463···Π Γ
464, 465---IDT
466, 467···反射器
発明を実施するための最良の形態
[0057] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。
[0058] (第 1の実施形態） 図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置を示す模式的平 面図である。
[0059] 本実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1は、圧電基板 2を有する。圧電基板 2は、 本実施形態では、 LiTaO基板カゝらなる。もっとも、圧電基板 2は、 LiNbOなどの他
3 3 の圧電単結晶からなる圧電単結晶基板であってもよぐ圧電セラミック基板であっても よい。また、圧電基板 2は、圧電材料からなる基板もしくは絶縁性材料からなる基板 上に圧電薄膜を積層した構造を有して 、てもよ 、。
[0060] 弾性表面波フィルタ装置 1は、不平衡端子 3と、第 1,第 2の平衡端子 4, 5とを有す る。
[0061] また、圧電基板 2上には、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 6及び第 2 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 7が構成されている。
[0062] 第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 6では、第 1〜第 3の IDT11〜13が 表面波伝搬方向に配置されて 、る。第 1〜第 3の IDT11〜13が配置されて 、る領域 の表面波伝搬方向両側に反射器 17a, 17bが配置されている。従って、弾性表面波 フィルタ部 6は 3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。
[0063] 弾性表面波フィルタ部 6の中央に位置している第 2の IDT12の一端が不平衡端子 3に接続されており、他端がアース電位に接続されている。第 1,第 3の IDT11, 13 の各一端はアース電位に接続されており、各他端が第 2の縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ部 7に接続されている。第 1,第 3の IDT11, 13の位相は 180度異なつ ている。
[0064] 第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 7は、表面波伝搬方向に沿って配置 された第 4〜第 6の IDT14〜16を有する。 IDT14〜16が設けられている領域の表 面波伝搬方向両側に反射器 18a, 18bが配置されて 、る。
[0065] 上記第 4,第 6の IDT14, 16の一端が、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィル タ部 6の第 1,第 3の IDT11, 13に第 1,第 2の配線ライン 21, 22により電気的に接続 されている。 IDT14, 16の他端はアース電位に接続されている。
[0066] 中央に位置している第 5の IDT15は、表面波伝搬方向に沿って二分割されて設け られた第 1,第 2の分割 IDT部 15a, 15bを有する。第 1,第 2の分割 IDT部 15a, 15b は、バスバー 15cにより電気的に直列に接続されている。バスバー 15cはアース電位 に接続されていてもよぐ電気的に浮いていてもよぐいずれであってもよい。
[0067] 他方、各分割 IDT部 15a, 15bは、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する方向であ る交差幅方向に分割されて設けられた第 1,第 2の再分割 IDT部 15al, 15a2, 15b 1, 15b2を有する。
[0068] すなわち、第 1,第 2の再分割 IDT部 15al, 15a2は、第 1の分割 IDT部 15aにお いて交差幅方向に配置されており、該第 1,第 2の再分割 IDT部 15al, 15a2は、共 通の接続バスバー 15dにより直列に接続されている。第 1の分割 IDT部 15aでは、前 述したノ スバー 15cと、接続バスバー 15dとの間に第 1の再分割 IDT部 15a 1が構成 されている。そして、接続バスバー 15dと、接続バスバー 15dに対してバスバー 15cと 反対側に位置する分割バスバー 15eとの間に、第 2の再分割 IDT部 15a2が構成さ れている。分割バスバー 15eが第 1の平衡端子 4に接続されている。
[0069] 同様に、第 2の分割 IDT部 15bにおいても、バスバー 15cと、接続バスバー 15fとの 間に第 1の再分割 IDT部 15b 1が構成されている。また、接続バスバー 15fと、接続 バスバー 15fに対してバスバー 15cとは反対側に位置して!/、る分割バスバー 15gとの 間に、第 2の再分割 IDT部 15b2が構成されている。分割バスバー 15gが第 2の平衡 端子 5に接続されている。
[0070] 本実施形態によれば弾性表面波フィルタ装置 1は、上記のように、第 1,第 2の縦結 合共振子型の弾性表面波フィルタ部 6, 7をカスケード接続した構造を有する。そして 、平衡ー不平衡変換機能及びインピーダンス変換機能は、第 2の縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ部 7により実現されて ヽる。これを弾性表面波フィルタ装置 1の動作 を説明することにより具体的に説明する。
[0071] 不平衡端子 3から電気信号が入力されると、該電気信号は第 2の IDT12に与えら れる。第 1、第 3の IDT11, 13から位相が約 180度異なる電気信号が出力される。そ して、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 6の出力は、第 1,第 3の IDT11, 1 3と、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 7の第 4,第 6の IDT14, 16とを接 続している第 1,第 2の配線ライン 21, 22を介して、上記第 4,第 6の IDT14, 16に入 力される。第 1の分割 IDT部 15aの第 2の再分割 IDT部 15a2から第 1の平衡端子 4 に一方の平衡信号が与えられる。また、第 2の分割 IDT部 15bの第 2の再分割 IDT 部 15b2から第 2の平衡端子 5に他方の平衡信号が与えられる。弾性表面波フィルタ 装置 1は、平衡ー不平衡変換機能を有する。
[0072] また、第 5の IDT15においては、平衡端子 4に接続されている第 1の分割 IDT部 15 aにおいては、第 1,第 2の再分割 IDT部 15al, 15a2が電気的に直列に接続されて いる。他方、第 2の分割 IDT部 15bでは、第 1,第 2の再分割 IDT部 15bl, 15b2が 電気的に直列に接続されて！、る。
[0073] 1つの IDTを交差幅方向に 2つの分割 IDT部分に分割し、 2つの分割 IDT部分を 直列に接続した場合には、分割前に比べてインピーダンス力 倍の大きさとなる。
[0074] 従って、表面波伝搬方向に第 5の IDT15が分割されて第 1,第 2の分割 IDT部 15a , 15bが設けられていることにより、インピーダンスの値を分割前に比べて 4倍とするこ とができ、さらに上記交差幅方向への分割により、インピーダンスを 4倍とすることが可 能とされているため、本実施形態では、不平衡端子 3側のインピーダンスと、平衡端 子 4, 5側のインピーダンスの比を約 1 : 16とすることができる。よって、弾性表面波フィ ルタ装置 1は、特許文献 1に記載の従来の弾性表面波フィルタ装置 201に比べて、 大きなインピーダンス変 能を有する。
[0075] 従って、弾性表面波フィルタ装置 1の後段に接続される差動増幅器の特性インピー ダンスが非常に大きい場合、弾性表面波フィルタ装置 1自体が大きなインピーダンス 変換機能を有するため、他のインピーダンス変換機能部品を省略したり、必要なイン ピーダンス変 «能部品におけるインピーダンス変 «能を軽減することが可能とな る。
[0076] さら〖こ、弾性表面波フィルタ装置 1では、第 4,第 6の IDT14, 16の第 5の IDT15に 隣接している最外側の電極指 14a, 16aがアース電位に接続される電極指とされて いる。
[0077] 平衡ー不平衡変換機能を有する弾性波フィルタ装置においては、平衡信号が印 加された電極指と、不平衡信号が印加された電極指とが隣接していると、帯域外周 波数における減衰量が低下したり、平衡信号の平衡度が損なわれることがある。これ は、平衡信号が印加された電極指と、不平衡信号が印加された電極指とが隣接して 、る部分にぉ 、て、両者の間に直達波が生じることによる。
[0078] ところ力 本実施形態では、不平衡信号が印加される IDT14, 16の電極指の内、 平衡信号が取出される IDT15に隣接している電極指 14a, 16aがアース電位に接続 される。従って、 IDT14, 16の不平衡信号が印加される電極指の内、 IDT15に最も 近い電極指 14b, 16bは、 IDT15の最外側の電極指と直接隣り合わないことになる。 よって、帯域外減衰量が十分であり、かつ平衡度に優れた弾性表面波フィルタ装置 1を提供することができる。
[0079] もっとも、本発明においては、 IDT14, 16の最外側の電極指の内、 IDT15に隣接 する 14a、 16aは、必ずしもアース電位に接続されずともよぐその場合においても、 大きなインピーダンス変換機能と平衡ー不平衡変換機能を併せ持つ弾性波フィルタ 装置を提供することができる。
[0080] 上記のように、弾性表面波フィルタ装置 1では、第 2の縦結合共振子型弾性表面波 フィルタ部 7が平衡—不平衡変換機能及びインピーダンス変換機能を有する。従つ て、弾性表面波フィルタ装置 1における第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 部 6は必ずしも設けられずともよい。図 2に、弾性表面波フィルタ装置 1の変形例であ つて、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 6が設けられていないことを除い ては、弾性表面波フィルタ装置 1と同様に構成された弾性表面波フィルタ装置を模式 的に示す。
[0081] 図 2から明らかなように、本変形例の弾性表面波フィルタ装置 31では、図 1に示した 弾性表面波フィルタ部 7の第 4,第 6の IDT14, 16が共通接続され、不平衡端子 3〖こ 接続されている。本変形例の弾性表面波フィルタ装置 31においても、弾性表面波フ ィルタ部 7と同様に第 4〜第 6の IDT14〜16が構成されているため、平衡—不平衡 変 能と、大きなインピーダンス変 能を有する。
[0082] もっとも、本変形例の弾性表面波フィルタ装置 31に比べて、図 1に示した弾性表面 波フィルタ装置 1では、不平衡端子 3側に第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 部 6が設けられているため、帯域外減衰量をより一層大きくすることができるという利 点を有する。
[0083] なお、弾性表面波フィルタ装置 31の他の構造は、弾性表面波フィルタ装置 1と同様 であるため、弾性表面波フィルタ装置 1の説明を援用することにより省略することとす る。
[0084] また、図 1、図 2に示した弾性表面波フィルタ装置 1、 31は表面波伝搬方向に 2分割 されて設けられた第 1、第 2の分割 IDT部が、交差幅方向において分割されて設けら れた第 1、第 2の再分割 IDT部を有する構成であるが、交差幅方向において分割さ れて設けられた第 1、第 2、第 3の再分割 IDT部を有する構成であってもよい。あるい は、交叉幅方向にぉ ヽて分割されて設けられた 4以上の再分割 IDT部を有する構成 であってもよい。
[0085] なお、図 2に示した弾性波フィルタ装置 31では、第 1の再分割 IDT部 15alの電極 指の本数と、第 1の再分割 IDT部 15blの電極指の本数とが等しくされており、第 2の 再分割 IDT部 15a2の電極指の本数と、第 2の再分割 IDT部 15b2の電極指の本数 とが等しくされていた。し力しながら、図 3に示す変形例のように、第 1の再分割 IDT 部 19alの電極指の本数を、第 1の再分割 IDT部 19b 1の電極指の本数と異ならせ、 第 2の再分割 IDT部 19a2の電極指の本数を第 2の再分割 IDT部 19b2の電極指の 本数と異ならせてもよい。すなわち、 IDT19の表面波伝搬方向に分割された第 1,第 2の分割 IDT部 19a, 19bの電極指の本数を異ならせ、さらに各分割 IDT部 19a, 19 bを上記のように表面波伝搬方向に第 1,第 2の再分割 IDT部 19al, 19a2, 19bl, 19b2を有するように分割してもよ 、。
[0086] (ベストモードとしての第 2の実施形態）
図 4は、本発明の弾性波フィルタ装置のベストモードの実施形態としての第 2の実 施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。第 2 の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101は、圧電基板 102上に図示の電極構造 を形成することにより構成されている。もっとも、第 2の実施形態の弾性表面波フィル タ装置 101は、図 1に示した弾性表面波フィルタ装置 1における IDT15に代えて、図 4に示されて 、る IDT115が設けられて 、ることを除 、ては、第 1の実施形態の弾性 表面波フィルタ装置 1と同様に構成されている。従って、同一部分については、同一 の参照を付することにより、その詳細な説明は省略する。
[0087] 第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101の特徴は、第 2の縦結合共振子型 弾性表面波フィルタ部 7において表面波伝搬方向中央に配置された IDTl 15が、表 面波伝搬方向に沿って 2分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT部 115a, 115b を有する。第 1,第 2の分割 IDT部 115a, 115bは、バスバー 115cにより電気的に直 列に接続されている。バスバー 115cはアース電位に接続されていてもよぐ電気的 に浮いていてもよく、いずれであってもよい。
[0088] 他方、各分割 IDT部 115a, 115bは、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する方向 である交差幅方向に分割されて設けられた第 1,第 2の再分割 IDT部 115al, 115a 2, 115bl, 115b2を有する。
[0089] すなわち、第 1,第 2の再分割 IDT部 115al, 115a2は、第 1の分割 IDT部 115aに おいて交差幅方向に配置されており、該第 1,第 2の再分割 IDT部 115al, 115a2 は、共通の接続バスバー 115dにより直列に接続されている。第 1の分割 IDT部 115 aでは、前述したバスバー 115cと、接続バスバー 115dとの間に第 1の再分割 IDT部 115alが構成されている。そして、接続バスバー 115dと、接続バスバー 115dに対し て、バスバー 115cと反対側に位置する分割バスバー 115eとの間に、第 2の再分割 I DT部 115a2が構成されて 、る。分割バスバー 115eが第 1の平衡端子 4に接続され ている。
[0090] 同様に、第 2の分害 iJIDT部 115bにおいても、ノ スノ ー 115cと、接続バスバー 115f との間に第 1の再分割 IDT部 115b 1が構成されている。また、接続バスバー 115fと、 接続バスバー 115fに対してバスバー 115cとは反対側に位置して 、る分割バスバー 115gとの間に、第 2の再分割 IDT部 115b2が構成されている。分割バスバー 115g が第 2の平衡端子 5に接続されている。
[0091] 従って、第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101においても、第 1の実施形 態の弾性表面波フィルタ装置 1の場合と同様に、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ部 6, 7がカスケード接続されており、平衡ー不平衡変換機能及びィ ンピーダンス変換機能が、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 7により実現 されている。そして、第 5の IDT115が上記のように構成されているため、不平衡端子 3側のインピーダンスと、平衡端子 4, 5側のインピーダンスとの比を約 1 : 16とすること が可能とされている。 [0092] さらに、第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101の特徴は、上記第 1の再分 割 IDT部 115al, 115blの表面波伝搬方向最外側の電極指に、浮き電極指 115h , 115iを設けることにより直列重み付けが施されており、第 2の再分割 IDT部 115a2 , 115b2の隣り合う電極指においても、浮き電極指 115j, 115kを設けることにより直 列重み付けが施されて 、ることにある。
[0093] 本実施形態では、このような直列重み付けにより、通過帯域内に現れがちなリップ ルを効果的に抑制することができ、それによつて良好なフィルタ特性を得ることができ る。これを、第 1の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1の電極構造を模式的に示す 図 5を図 4と併せて説明することにより明らかにする。
[0094] 図 5は、第 1の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1の電極構造を模式的に示す 平面図である。第 1の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1では、前述したように、 I DT15が、表面波伝搬方向に分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT部 15a, 1 5bを有し、さらに第 1,第 2の分割 IDT部 15a, 15bが、第 1,第 2の再分割 IDT部 15 al, 15a2, 15bl, 15b2を有する。従って、図 5に破線 A及び破線 Bで示すように、 第 1の再分割 IDT部 15al, 15blを伝搬する第 1の音響トラック Aと、第 2の再分割 ID T部 15a2, 15b2を弾性波が伝搬する第 2の音響トラック Bとが形成されることになる。
[0095] 他方、図 6に破線で示すように、第 1の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1では、 通過帯域内にリップル Rの現れることがあった。そこで、本願発明者は、このリップル Rを抑圧するべく鋭意検討した。その結果、上記リップル Rは、第 1の再分割 IDT部 1 5al, 15blが設けられている部分で構成される音響トラックと、第 2の再分割 IDT部 1 5a, 15bが設けられている部分で構成される第 2の音響トラックとにおける弾性表面 波の励振強度の違!ヽによるものではな!/、かと考えた。
[0096] すなわち、図 5に示した電極構造では、第 2の音響トラック Bにおける、第 2の再分割 IDT部 15a2, 15b2間のギャップにおける弾性表面波の励振強度は、第 1の再分割 I DT部 15al, 15bl間のギャップにおける弾性表面波の励振強度よりも高くなる。同 様に、第 2の再分割 IDT部 15a2, 15b2の表面波伝搬方向最外側端と、隣接する ID T14, 16との間の各ギャップにおける弾性表面波の励振強度は、第 1の再分割 IDT 部 15al, 15blの表面波伝搬方向最外側端と、隣接する IDT14, 16との間の各ギヤ ップにおける弾性表面波の励振強度に比べて強くなる。
[0097] これに対して、第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101では、第 1,第 2の音 響トラック A, Bを有するが、第 1の音響トラック Aにおいては、第 1,第 2の再分割 IDT 部 115al, 115blの表面波伝搬方向外側端に、浮き電極指 115h, 115iが設けら れるように直列重み付けが施され、それによつて、第 1の再分割 IDT部 115al, 115 blと隣接する IDT14, 16との間の各ギャップにおける弾性表面波の励振強度が強 められている。
[0098] 他方、第 2の音響トラック Bにおいては、第 2の再分割 IDT部 115a2, 115b2間のギ ヤップに臨む電極指に、浮き電極指 11¾, 115kを設けることにより直列重み付けが 施されている。そのため、第 2の再分割 IDT部 115a2, 115b2間のギャップにおける 弾性表面波の励振強度が弱められている。
[0099] よって、第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101では、第 1,第 2の音響トラ ック A, Bにおける弾性表面波の励振強度が近づけられ、それによつて図 6に実線で 示すように通過帯域内におけるリップルを効果的に抑圧することが可能とされる。
[0100] なお、第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 101では、上記のように、第 1の 音響トラック Aにおいて、弾性表面波の励振強度を変化させる手段として、 IDT115 の表面波伝搬方向両側のギャップにおいて強めるように直列重み付けを施し、他方 第 2の音響トラック Bにおいては、励振強度を変化させる手段として、第 2の再分割 ID T部 115a2, 115b2間のギャップにおける弾性表面波の励振強度を弱めるために直 列重み付けが施されていた。し力しながら、本発明においては、第 1,第 2の音響トラ ック A, Bにおける弾性表面波の励振強度を近づける手段は、様々に変形することが できる。このような変形例を、図 7 (a)〜図 9 (b)に例示的に示す。
[0101] 図 7 (a)に示した変形例の弾性表面波フィルタ装置 121では、第 1,第 2の平衡端 子に接続される分割 IDT部を有する IDT125は、第 1,第 2の分割 IDT部 125a, 12 5bを有する。各分割 IDT部 125a, 125bは、再分割 IDT部 125al, 125a2, 125bl , 125b2を有する。このうち、第 1の再分割 IDT部 125al, 125blは、第 2の実施形 態の第: Lの再分割 IDT部： L 15al, 115b 1と同様とされている。
[0102] 異なるところは、第 2の再分割 IDT部 125a2, 125b2において、直列重み付けに代 えて、再分割 IDT部 125a2, 125b2間のギャップに臨む部分において少なくとも 1本 の電極指の長さが短くされて交差幅重み付けが施されていることにある。すなわち、 ギャップに臨む電極指 125c, 125dの長さが他の同電位に接続される電極指よりも 短くされて励振強度が弱くなるように交差幅重み付けが施されている。
[0103] 他方、図 7 (b)に示す変形例の弾性表面波フィルタ装置 131では、第 5の IDT135 力 表面波伝搬方向に 2分割することにより設けられた第 1,第 2の分割 IDT部 135a , 135bを有し、第 1,第 2の分割 IDT部 135a, 135bが、それぞれ、表面波伝搬方向 と直交する方向に 2分割して設けられた第 1,第 2の再分割 IDT部 135al, 135al, 135bl, 135b2aを有する。ここでは、第 1の再分割 IDT部 135al, 135blに間引き 重み付けを施し、第 1の音響トラックの IDT135の表面波伝搬方向両側に位置するギ ヤップにおける弾性表面波の励振強度を強め、他方第 2の再分割 IDT部 135a2, 13 5b2間のギャップにおける弾性表面波の励振強度を弱めるように同様に間引き重み 付けが施されている。
[0104] 図 8 (a)に示す変形例の弾性表面波フィルタ装置 141では、第 5の IDT145におい て、第 1の再分割 IDT部 145al, 145blの表面波伝搬方向外側の電極指を浮き電 極指とすることにより間引き重み付けが施され、それによつて第 1の音響トラックにお ける第 1の再分割 IDT部 145al, 145blの表面波伝搬方向外側のギャップにおける 励振強度が強められている。他方、第 2の再分割 IDT部 145a2, 145b2間のギヤッ プにおいては、該ギャップに臨む電極指を浮き電極指とするように間引き重み付けを 設けることにより、第 2の音響トラックにおける励振強度が弱められている。
[0105] 図 8 (b)に示す弾性表面波フィルタ装置 151では、第 1の再分割 IDT部 155al, 15 5bl間のギャップに臨む電極指が浮き電極指を有するように直列重み付けが施され 、第 1の音響トラックにおける該ギャップにおける弾性表面波の励振強度が弱められ ている。
[0106] し力しながら、本変形例では、第 2の再分割 IDT部 155a2, 155b2の各表面波伝 搬方向外側端に位置する電極指に浮き電極指を設けるように直列重み付けが施さ れ、第 2の再分割 IDT部 155a2, 155b2の表面波伝搬方向外側のギャップにおける 励振強度が弱められているだけでなぐ第 2の再分割 IDT部 155a2, 155b2間のギ ヤップにおいては、該ギャップに臨む電極指間の電位差が低められ、同様に弾性表 面波の励振強度が弱められている。従って、第 2の音響トラックにおいて、弾性表面 波の励振強度が、第 1の音響トラックに比べてより一層弱められているため、結果とし て、第 1,第 2の音響トラックにおける弾性表面波の励振強度が近づけられている。
[0107] このように、本発明において、第 1,第 2の音響トラックの励振強度を近づける手段 は、第 1,第 2の音響トラックの双方において、弾性表面波の励振強度を弱め、それら の励振強度の弱める程度に差を設けることにより両者の励振強度を近づけてもよい。 あるいは、逆に、第 1,第 2の音響トラックの双方において、励振強度を強めるように構 成し、励振強度の強め方に差を設けることにより第 1,第 2の音響トラックにおける弾 性表面波の励振強度を近づけてもよ 、。
[0108] 図 9 (a)に示す変形例の弾性表面波フィルタ装置 161では、第 5の IDT165に間引 き重み付けが施され、それによつて第 1,第 2の音響トラック間の弾性表面波の励振 強度が近づけられている。すなわち、第 1の再分割 IDT部 165al, 165blが隣り合う ギャップにおいては、励振強度を弱めるように間引き重み付けが施されている。これ に対して、第 2の再分割 IDT部 165a2, 165b2においては、表面波伝搬方向最外側 端と IDT14, 16との間のギャップにおける表面波の励振強度を弱めるように間引き 重み付けが施され、この励振強度を弱める度合が、第 1の音響トラック側において励 振強度を弱める度合よりも大きくされているため、結果として第 1,第 2の音響トラック における弾性表面波の励振強度が近づけられている。
[0109] 図 9 (b)に示す変形例の弾性表面波フィルタ装置 171においても、第 5の IDT175 に、間引き重み付けが施されて、第 1,第 2の音響トラックの励振強度が近づけられて いる。より具体的には、第 1の再分割 IDT部 175al, 175blにおいては、両者の間の ギャップに臨む部分に浮き電極指を設けることにより間引き重み付けが施され、第 1 の音響トラック Aにおける励振強度が強められている。他方、第 2の音響トラック Bにお いても、間引き重み付けを施し、より具体的には、第 1,第 2の再分割 IDT部 175a2, 175b2の表面波伝搬方向最外側電極指を浮き電極指とすることにより、 IDT14, 16 との間のギャップにおける励振強度が低められ、それによつて第 2の音響トラックにお ける弾性表面波の励振強度が弱められ、音響トラック A, Bにおける弾性表面波の励 振強度が近づけられている。
[0110] 図 7 (a)〜図 9 (b)に示したように、本発明において、第 1の音響トラック Aと第 2の音 響トラック Bとにおける弾性表面波の励振強度を近づけるための、励振強度を変化さ せる手段は、間引き重み付け、交差幅重み付け、直列重み付けなどの様々な形態の 重み付けで容易に実現することができる。重み付けにより励振強度を調節する場合、 電極の形状を変更するだけでよいため、容易にかつ確実に励振強度を調整すること ができ、それによつて通過帯域内のリップルを効果的に抑圧することが可能となる。
[0111] 第 1の音響トラック Aと第 2の音響トラック Bの一方のみに重み付けが施されても各ト ラックにおける励振強度を近づけることができる。
[0112] 図 10は、本発明の第 3の実施形態に係るバランス型弾性波フィルタ装置の電極構 造を示す模式的平面図である。この電極構造は、圧電基板としての LiTaO単結晶
3 基板上に形成されている。本実施形態では、 LiTaO単結晶基板として、表面波伝
3
搬方向が結晶 X軸方向であり、基板カット各が Y軸回転 ±45度の LiTaO基板が用
3 いられている。もっとも、圧電基板は、他の適宜の圧電基板単結晶材料により形成さ れていてもよい。
[0113] また、図示の電極構造は、上記 LiTaO基板上に、厚み 10nmの Ti膜及び厚み 32
3
8nmの A1を積層してなる積層金属膜により形成した。
[0114] 図 10に示すように不平衡端子 302に、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 305が接続されている。弾性表面波フィルタ 305は、表面波伝搬方向に配置された 第 1〜第 3の IDT311〜313と、反射器 314, 315とを有する。 IDT312の一端が不 平衡端子 302に接続されて 、る。
[0115] 他方、弾性表面波フィルタ 305の後段には、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フ ィルタ 306が接続されている。弾性表面波フィルタ 306は、第 1〜第 3の IDT321〜3 23を有する。第 1の IDT321及び第 3の IDT323の各一端力 それぞれ、弾性表面 波フィルタ 305の第 1,第 3の IDT311, 313の各一端に電気的に接続されている。
[0116] 他方、第 2の IDT322は、弾性表面波フィルタ伝搬方向に沿って分割されて設けら れた第 1,第 2の分割 IDT部 322a, 322bを有する。また、第 1,第 2の分割 IDT部 32 2a, 322bは、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する方向に設けられた第 1,第 2の 再分割 IDT部 322al, 322a2及び第 1,第 2の再分割 IDT部 322b 1, 322b2を有 する。
[0117] 第 1の平衡端子 303が、第 1の分割 IDT部 322aの第 2の再分割 IDT部 322a2に接 続されている。他方、第 2の平衡端子 304は、第 2の分割 IDT部 322bの第 2の再分 割 IDT部 322b2に接続されている。なお、 IDT321〜323が設けられている部分の 表面波伝搬方向両側に反射器 324, 325が配置されている。
[0118] IDT311〜313、 321〜323は、それぞれ、 IDT同士が弾性表面波伝搬方向にお V、て隣り合って 、る部分に相対的に電極指ピッチが小さ!/、狭ピッチ電極指部を有す る。
[0119] 本実施形態の弾性表面波フィルタ装置 301では、弾性表面波フィルタ 305, 306力 S 上記電極構造を有し、不平衡端子 302から第 1の平衡端子 303に流れる電気信号 の位相と、不平衡端子 302から第 2の平衡端子 304に流れる電気信号の位相とが 18 0度異なるように、 IDT311, 313の位ネ目カ反転されて!ヽる。なお、 IDT321, 323の 位相は等しくされている。
[0120] 従って、平衡ー不平衡変換機能が実現されている。
[0121] 他方、本実施形態では、上記 IDT322が、第 1,第 2の分割 IDT部 322a, 322bを 有し、第 1,第 2の分割 IDT部 322a, 322bが直列に接続されており、第 1,第 2の分 害 iJIDT咅 322a, 322b力 Sさらに再分害 iJIDT咅 322al, 322a2, 322b2, 322b2を有 するため、不平衡端子 302側のインピーダンスと、平衡端子 303, 304側のインピー ダンスとの比を約 1 : 16のように大きくすることができる。
[0122] し力も、本実施形態では、第 1の再分割 IDT部 322al, 322blを通る第 1の音響ト ラックにおける IDT322の狭ピッチ電極指部のメタライズ比が第 2の再分割 IDT部 32 2a, 322bを通る第 2の音響トラックの狭ピッチ電極指部のメタライズ比よりも小さくさ れている。カロえて、第 1の再分割 IDT部を通る第 1の音響トラックのメイン部のメタライ ズ比が、第 2の音響トラックのメタライズ比よりも小さくされている。従って、第 1の音響 トラックにおいて励振強度と、第 2の音響トラックにおける弾性表面波の励振強度の 比が小さくされている。そのため、第 1,第 2の音響トラックの共振周波数が近づき、帯 域内に現れがちなリップルを効果的に抑制することができる。 [0123] なお、メタライズ比とは、 IDTや電気グレーティング型の反射器にぉ 、て、電極指の 弾性波伝搬方向に沿う幅寸法の、該電極指の幅方向寸法と隣り合う電極指間のスぺ ースの同じ方向に沿う寸法との合計に対する割合をいうものとする。
[0124] これを、具体的な実験例に基づき説明する。
[0125] 上記実施形態の弾性表面波フィルタ装置 301において、 IDT311, 313の電極指 の対数を 11. 5対、 312の電極指の対数を 18. 5対とした。また、 IDT311の複数本 の電極指の内、 IDT312に近い側の 5本の電極指は、狭ピッチ電極指部を構成する 電極指とした。同様に、第 3の IDT112に近い側の電極指についても、狭ピッチ電極 指部を構成する電極指とした。狭ピッチ電極指部の電極指ピッチは、 2. O /z mとし、 狭ピッチ電極指以外の残りの部分、すなわちメイン部の電極指ピッチは 2. 113 m とした。
[0126] また、反射器 314, 315の反射器の本数はそれぞれ 80本とし、反射器における電 極旨ピッチは 2. 3 μ mとした。
[0127] 他方、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 306の第 1,第 3の IDT321, 32 3の電極指の対数は 11. 5対として、電極指ピッチはメイン部において 2. 115 /z mと した。なお、 IDT321, 323では、 IDT322に近い側の 4本の電極指が狭ピッチ電極 指部をそれぞれ構成しており、狭ピッチ電極指部における電極指ピッチはいずれも 1 . 988 /z mとした。
[0128] さらに、 IDT321, 323の狭ピッチ電極指部のメタライズ比は 0. 63、メイン部のメタ ライス、 itは 0. 65とした。
[0129] IDT322の電極指の対数は 9. 5対とし、メイン部の電極指ピッチは 2. 12 μ mとした
。 IDT322では、 IDT321に近い側の 6本の電極指、及び IDT323に近い側の 6本 の電極指を狭ピッチ電極指部構成する電極指とした。この狭ピッチ電極指部の電極 旨ピッチは、 1. 968 /z mとした。
[0130] IDT322において、第 1の音響トラックにおけるメタライズ比は、メイン部において 0.
63、狭ピッチ電極指部にといて 0. 47とし、第 2の音響トラックのメタライズ比はメイン 咅にお ヽて 0. 65、狭ピッチ電極旨咅にお!/ヽて 0. 65とした。
[0131] また、反射器 324, 325の電極指の本数は、それぞれ 80本とし、電極指ピッチは 2 . 136 μ m、メタライス、 itは 0. 66とした。
[0132] 図 11は、本実施形態の弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示す図である。また、 比較のために、上記第 1の音響トラックのメタライズ比を第 2の音響トラックのメタライズ 比と同一としたことを除いては、上記本実施形態と同様にして構成された参考例の弾 性表面波フィルタ装置のフィルタ特性を破線で示す。図 11の実線と破線を比較すれ ば明らかなように、第 1,第 2の音響トラックのメタライズ比を上記実施形態のように、 異ならせ、両者の励振強度を近づけることにより、通過帯域内において現れているリ ップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
[0133] 図 12は、本発明の第 4の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模 式的平面図である。
[0134] 本実施形態の弾性波フィルタ装置 351では、圧電基板 352上に図示の電極構造 が形成されている。ここでは、弾性表面波伝搬方向に沿って、第 1〜第 3の IDT361 〜363が配置されており、 IDT361〜363の設けられている領域の両側に反射器 36 4, 365力酉己置されて!ヽる。 IDT361, 363の各一端力 第 1,第 2の平衡端子 353, 354に接続されており、各他端が接地されている。
[0135] IDT362は、表面波伝搬方向に分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT部 362 a, 362bを有する。分割 IDT部 362a, 362bは、それぞれが、表面波伝搬方向と直 交する方向に分割されて設けられた第 1,第 2の再分割 IDT部 362al, 362a2, 362 bl, 362b2を有する。第 3,第 4の平衡端子 355, 356が、それぞれ、第 2の再分割 I DT¾322a2, 322b2【こ電気的【こ接続されて!ヽる。
[0136] 第 1,第 2の平衡端子 353, 354に平衡信号が印加されると、第 3,第 4の平衡端子 355, 356に平衡信号が発生する。逆に、第 3,第 4の平衡端子 355, 356に平衡信 号を印加すると、第 1,第 2の平衡端子 353, 354に平衡信号が発生する。すなわち 、平衡一平衡信号変 能付きのバンドパスフィルタとして作用する弾性波フィルタ 装置 351を得ることができる。
[0137] ここでは、 IDT362において、第 1の再分割 IDT部 362al, 362bl力 S設けられてい る部分を弾性表面波を伝搬する第 1の音響トラックと、第 2の再分割 IDT部 362a2, 3 62b2が設けられている部分を弾性表面波が伝搬する第 2の音響トラックとの励振強 度を近づけるために、第 1の音響トラックに配置された IDT362al、 362blに狭ピッ チ電極指部を設け、該狭ピッチ電極指部のメタライズ比を、第 2の音響トラック側の再 分割 IDT部 362a2, 362b2の対応する狭ピッチ電極指部のメタライズ比よりも小さく すればよい。さらに、 IDT362において、平衡端子には接続されていない第 1の音響 トラックのメイン部のメタライズ比を、平衡端子 305, 306に接続されている第 2の音響 トラック側のメイン部のメタライズ比よりも小さくすればよい。それによつて、上述した弹 性波フィルタ装置 301の場合と同様に、通過帯域内に現れがちなリップルを効果的 に抑制することができる。
[0138] 図 13は、本発明の第 5の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模 式的平面図である。
[0139] 弾性波フィルタ装置 401では、第 1〜第 3の IDT411〜413が弾性表面波伝搬方 向に配置されて 、る。第 1〜第 3の IDT411〜413が設けられて!/、る領域の両側に、 反射器 414, 415が配置されている。
[0140] 第 2の IDT412の一端に、不平衡端子 403が接続されている。 IDT412の他端は、 接地されている。
[0141] IDT411, 413は、一端が接地されており、各他端が第 1,第 2の平衡端子 404, 4 05にそれぞれ電気的に接続されて!、る。
[0142] そして、不平衡端子 403から第 1の平衡端子 404に流れる電気信号の位相力 不 平衡端子 403から第 2の平衡端子 405に流れる電気信号の位相と 180度異なるよう に、 IDT411, 413力酉己置されて!/、る。
[0143] 他方、本実施形態では、第 1,第 3の IDT411, 413が、表面波伝搬方向と直交す る方向に分割されて設けられた第 1,第 2の再分割 IDT部 41 la, 411b, 413a, 413 bを有する。なお、ここでは、弾性表面波伝搬方向と直交する方向に分割されている ため、再分割 IDT部と表現している。
[0144] 上記のように、第1の再分割10丁部411&, 413aを通る第 1の音響トラックと第 2の再 ^ JlDT¾411b, 413bを通る第 2の音響トラックとが存在することになる。そして、本 実施形態においては、第 1の音響トラックと第 2の音響トラックにおける励振強度を近 づけるために、第 1の音響トラックのメタライズ比が、第 2の音響トラックにとけるメタライ ズ比よりも小さくされている。より具体的には、 IDT411〜413において、 IDT同士が 隣接する部分において、狭ピッチ電極指部を設け、第 1の音響トラックにおける狭ピッ チ電極指部のメタライズ比が、第 2の音響トラックにおける対応する狭ピッチ電極指部 のメタライズ比よりも小さくされており、かつ第 1の音響トラックにおけるメイン部のメタラ ィズ比力 第 2の音響トラックにおける対応するメイン部のメタライズ比よりも小さくされ ている。それによつて、上述した弾性波フィルタ装置 301と同様に、通過帯域内に現 れがちなリップルを効果的に抑制することができる。
[0145] 図 14は、本発明の第 6の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を模式的 に示す平面図である。
[0146] 弾性波フィルタ装置 451では、第 1,第 3の IDT461〜463力 表面波伝搬方向に 沿って配置されている。 IDT461〜463は、図 13〖こ示した IDT411〜413と、電極指 の本数が異なることを除 、ては、同様に構成されて 、る。
[0147] そして、本実施形態では、第 1〜第 3の IDT461〜463の表面波伝搬方向両側に、 第 4,第 5の IDT464, 465力 己置されている。そして、第 1〜第 5の IDT461〜465 が配置されている領域の表面波伝搬方向両側に反射器 466, 467が配置されている 。第 4,第 5の IDT464, 465の一端が共通接続され、不平衡端子 453に接続されて いる。その他の構造については、弾性波フィルタ装置 451は弾性波フィルタ装置 401 とほぼ同様に構成されている。本実施形態においても、第 1の音響トラックにおける励 振強度と、第 2の音響トラックにおける励振強度を、弾性波フィルタ装置 401の場合と 同様にして近づけることにより、すなわち、メタライズ比を相対的に第 1の音響トラック 側において相対的に小さくすることにより、通過帯域内に現れがちなリップルを効果 的に抑制することができる。
[0148] なお、上記実施形態及び変形例の弾性表面波フィルタ装置は、弾性波としての弾 性表面波を用いている。しかしながら、本発明は、弾性波として弾性表面波に限らず 、弾性境界波などの他の弾性波を用いてもよい。そして、他の弾性波を用いた弾性 波フィルタ装置においても、本発明に従って各 IDTを構成することにより、平衡一不 平衡変換機能及び大きなインピーダンス変換機能を実現することができる。上述して きた実施形態及び変形例の弾性表面波フィルタ装置は、上記のように弾性表面波を 利用したものであるが、本発明は、弾性表面波に代えて、弾性境界波などの他の弾 性波を用いたものであってもよい。図 15は、弾性境界波フィルタ装置の電極構造を 模式的に示す正面断面図である。この弾性境界波フィルタ装置 71では、第 1の媒層 としての圧電基板 72と、第 2の媒層としての誘電体 73とが積層されている。圧電基板 72と誘電体 73との境界に複数の IDTを有する電極 74が形成されて 、る。この境界 を伝搬する弾性境界波を利用してフィルタとしての特性が得られる。この場合、弾性 境界波フィルタ装置 71の電極 74の構造を、前述した弾性表面波フィルタにつ 、ての 実施形態における電極構造と同様に形成することにより、本発明の弾性波フィルタ装 置を構成することができる。
本発明に係る弾性波フィルタ装置は、前述した移動体通信機器のアンテナと差動 増幅器との間の帯域フィルタとして効果的に用いられるが、本発明の弾性波フィルタ 装置の用途はこのような用途に限定されるものではない。すなわち、平衡ー不平衡変 能と、インピーダンス変 能とを有することが求められるフィルタ装置の用途に 一般的に本発明の弾性波フィルタ装置を用いることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 不平衡端子と、第 1,第 2の平衡端子とを有し、平衡ー不平衡変換機能を有するバ ランス型の弾性波フィルタ装置であって、
圧電基板と、
前記圧電基板上において表面波伝搬方向に配置された第 1〜第 3の IDTを備え、 前記第 2の IDTが、表面波伝搬方向に 2分割されて設けられた第 1,第 2の分割 ID T部を有し、第 1,第 2の分割 IDT部の各一端が接続されて第 1,第 2の分割 IDT部 が直列接続されており、第 1,第 2の分割 IDT部の他端が、それぞれ、第 1,第 2の平 衡端子に接続されており、
前記不平衡端子から第 1の平衡端子に流れる電気信号の位相が、前記不平衡端 子から前記第 2の平衡端子に流れる電気信号の位相と 180度異なるように前記第 1 〜第 3の IDTが配置されており、
前記第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する交差幅方 向において分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該少な くとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続されていることを特徴とする、 バランス型弾性波フィルタ装置。
[2] 前記第 1,第 3の IDTの前記第 2の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電 位に接続されて ヽる、請求項 1に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[3] 不平衡端子と、第 1,第 2の平衡端子とを有し、平衡ー不平衡変換機能を有するバ ランス型の弾性波フィルタ装置であって、
圧電基板と、
前記圧電基板に形成されており、縦結合共振子型の第 1,第 2の弾性波フィルタ部 とを備え、
前記第 1の弾性波フィルタ部が、前記弾性波の伝搬方向に沿って配置された第 1 〜第 3の IDTを有し、
前記第 2の弾性波フィルタ部が、表面波伝搬方向に配置された第 4〜第 6の IDTを 有し、
前記第 1の弾性波フィルタ部の前記第 2の IDTが不平衡端子に接続されており、前 記第 1の IDTに、前記第 2の弾性波フィルタ部の第 4の IDTが第 1の配線ラインにより 接続されており、前記第 3の IDTが第 2の配線ラインにより前記第 2の弾性波フィルタ 部の第 6の IDTに接続されており、
前記第 5の IDTが、弾性波伝搬方向に分割されて設けられた第 1,第 2の分割 IDT 部を有し、該第 1,第 2の分割 IDT部の各一端が直列に接続されており、第 1,第 2の 分割 IDT部の各他端が、第 1,第 2の平衡端子にそれぞれ電気的に接続されており 前記第 1の配線ラインを伝送する電気信号の位相と、第 2の配線ラインを伝送する 電気信号の位相とが 180度異なるように、第 2の IDT及び第 1,第 3の IDTが構成さ れており、
前記第 2の弾性波フィルタ部の第 1,第 2の分割 IDT部が、弾性波伝搬方向と直交 する交差幅方向にさらに分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部 をそれぞれ有し、該少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続され て 、ることを特徴とする、バランス型弾性波フィルタ装置。
[4] 前記第 4,第 6の IDTの前記第 5の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電 位に接続される、請求項 3に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[5] 第 1,第 2の平衡端子と第 3,第 4の平衡端子とを備える、バランス型の弾性波フィル タ装置であって、
圧電基板と、
前記圧電基板上において表面波伝搬方向に配置された第 1〜第 3の IDTを有し、 前記第 2の IDTが、表面波伝搬方向に 2分割されて設けられた第 1,第 2の分割 ID T部を有し、第 1,第 2の分割 IDT部の各一端が接続されて第 1,第 2の分割 IDT部 が直列接続されており、第 1,第 2の分割 IDT部の他端が、それぞれ、第 1,第 2の平 衡端子に接続されており、
前記第 3の平衡端子が前記第 1の IDTに接続され、前記第 4の平衡端子が前記第 3の IDTに接続されており、
前記第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する交差幅方 向において分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該少な くとも第 1,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続されていることを特徴とする、 バランス型弾性波フィルタ装置。
[6] 前記第 1,第 3の IDTの前記第 2の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電 位に接続されて ヽる、請求項 5に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[7] 前記第 1,第 2の分割 IDT部が、それぞれ、前記第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、 前記第 1の分割 IDT部の第 2の再分割 IDT部及び前記第 2の分割 IDT部の第 2の再 分割 IDT部がそれぞれ前記第 1,第 2の平衡端子に接続されており、
前記第 1の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 1の音響トラックと、第 2の再分割 I DT部を弾性波が伝搬する第 2の音響トラックとを有し、第 1,第 2の音響トラックを伝 搬する弾性波の励振強度を近づける手段がさらに設けられていることを特徴とする、 請求項 1〜5のいずれか 1項に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[8] 不平衡端子と、第 1,第 2の平衡端子とを有し、平衡ー不平衡変換機能を有するバ ランス型の弾性波フィルタ装置であって、
圧電基板と、
前記圧電基板上において表面波伝搬方向に配置された第 1〜第 3の IDTを備え、 第 2の IDTが不平衡端子に接続されており、第 1,第 3の IDTの各一端が接続され て第 1,第 3の IDTが直列接続されており、第 1,第 3の IDTの他端が、それぞれ、第 1,第 2の平衡端子に接続されており、
前記不平衡端子から第 1の平衡端子に流れる電気信号の位相が、前記不平衡端 子から前記第 2の平衡端子に流れる電気信号の位相と 180度異なるように前記第 1 〜第 3の IDTが配置されており、
前記第 1,第 3の IDTが、それぞれ、表面波伝搬方向と直交する交差幅方向におい て分割されて設けられた少なくとも第 1,第 2の再分割 IDT部を有し、該少なくとも第 1 ,第 2の再分割 IDT部が電気的に直列に接続されていることを特徴とする、ノ ランス 型弾性波フィルタ装置。
[9] 前記第 1,第 3の IDTの各一端が接続されている部分が接地されていることを特徴 とする、請求項 8のバランス型弾性波フィルタ装置。
[10] 第 1の IDTの外側に配置され不平衡端子に接続されている第 4の IDTと、第 3の ID Tの外側に配置され不平衡端子に接続されている第 5の IDTとをさらに備えることを 特徴とする、請求項 8または 9のバランス型弾性波フィルタ装置。
[11] 前記第 2の IDTの前記第 1,第 3の IDTに隣接している最外側の電極指がアース電 位に接続されている、請求項 8〜10のいずれか 1項に記載のバランス型弾性波フィ ルタ装置。
[12] 前記第 4,第 5の IDTの前記第 1,第 3の IDTに隣接している最外側の電極指がァ ース電位に接続されて ヽる、請求項 10に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[13] 前記第 1の IDTの第 2の再分割 IDT部と前記第 3の IDTの第 2の再分割 IDT部が それぞれ前記第 1,第 2の平衡端子に接続されており、
前記第 1の再分割 IDT部を弾性波が伝搬する第 1の音響トラックと、第 2の再分割 I DT部を弾性波が伝搬する第 2の音響トラックとを有し、第 1,第 2の音響トラックを伝 搬する弾性波の励振強度を近づける手段がさらに設けられていることを特徴とする、 請求項 8〜 12のいずれか 1項に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[14] 前記第 1,第 2の音響トラックにおける弾性波の励振強度を近づける手段が、前記 第 1の音響トラックにおける弾性波の励振強度を変化させる手段及び Zまたは前記 第 2の音響トラックにおいて弾性波の励振強度を変化させる手段である、請求項 7ま たは 13に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[15] 前記第 1の音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 1の再分割 I DT部間のギャップにおける励振強度及び Zまたは前記第 1の再分割 IDT部の表面 波伝搬方向外側と隣接する IDTとの間のギャップにおける励振強度を変化させる手 段である、請求項 14に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[16] 前記第 2の音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 2の再分割 I DT部間のギャップにおける励振強度及び Zまたは前記第 2の再分割 IDT部の表面 波伝搬方向外側端と隣接する IDTとのギャップにおける励振強度を変化させる手段 である、請求項 14に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[17] 前記第 1,第 2の音響トラックにおいて励振強度を近づける手段が、 IDTの重み付 けである、請求項 7〜16のいずれ力 1項に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[18] 前記重み付けが、直列重み付け、間引き重み付けまたは交差幅重み付けである、 請求項 16に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[19] 前記第 1,第 2の再分割 IDT部は、他の IDTと隣接している端力も一部分の電極指 の周期が、該 IDTの残りの部分の電極指の周期より小さくされた狭ピッチ電極指部を 備え、
前記 IDTの狭ピッチ電極指部以外の部分をメイン部と呼ぶと、
前記第 1の音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 1の再分割 I
DT部の狭ピッチ電極指部及び Zまたはメイン部における励振強度を変化させる手 段である、請求項 7または 13に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[20] 前記第 1,第 2の再分割 IDT部は、他の IDTと隣接している端力も一部分の電極指 の周期が、該 IDTの残りの部分の電極指の周期より小さくされた狭ピッチ電極指部を 備え、
前記 IDTの狭ピッチ電極指部以外の部分をメイン部と呼ぶと、
前記第 2の音響トラックにおいて励振強度を変化させる手段が、前記第 2の再分割 I DT部狭ピッチ電極指フィルタ及び Zまたはメイン部における励振強度を変化させる 手段である、請求項 7または 13に記載のバランス型弾性波フィルタ装置。
[21] 前記手段が、電極指のメタライズ比である、請求項 19, 20のいずれか 1項に記載の バランス型弾性波フィルタ装置。
[22] 前記第 1の音響トラックの電極指のメタライズ比が前記第 2の音響トラックの電極指 のメタライズ比より小さくされて!/ヽる、請求項 21に記載のバランス型弾性波フィルタ装 置。
PCT/JP2005/012207 2004-12-20 2005-07-01 バランス型弾性波フィルタ装置 WO2006067884A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05765240.6A EP1701441B1 (en) 2004-12-20 2005-07-01 Balance type elastic wave filter device
US10/570,371 US7528683B2 (en) 2004-12-20 2005-07-01 Balanced acoustic wave filter device
JP2006548689A JP4274246B2 (ja) 2004-12-20 2005-07-01 バランス型弾性波フィルタ装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004368244 2004-12-20
JP2004-368244 2004-12-20
JP2005-021623 2005-01-28
JP2005021623 2005-01-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006067884A1 true WO2006067884A1 (ja) 2006-06-29

Family

ID=36601495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/012207 WO2006067884A1 (ja) 2004-12-20 2005-07-01 バランス型弾性波フィルタ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7528683B2 (ja)
EP (1) EP1701441B1 (ja)
JP (1) JP4274246B2 (ja)
KR (1) KR100793613B1 (ja)
WO (1) WO2006067884A1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123992A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Kyocera Corp 弾性表面波素子及び通信装置
WO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波装置
WO2008149619A1 (ja) * 2007-06-06 2008-12-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ装置
WO2009098840A1 (ja) * 2008-02-05 2009-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
WO2009131227A1 (ja) * 2008-04-25 2009-10-29 京セラ株式会社 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置
JP2010062773A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス、及び弾性波装置
WO2010029657A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2010061925A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタおよびデュプレクサ
JP2018026803A (ja) * 2016-08-05 2018-02-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902716B2 (en) * 2005-10-27 2011-03-08 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication apparatus
JP5210253B2 (ja) * 2009-07-01 2013-06-12 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03129915A (ja) * 1989-10-16 1991-06-03 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
JP2001292050A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
WO2002003549A1 (fr) * 2000-06-30 2002-01-10 Fujitsu Media Devices Limited Dispositif a onde acoustique de surface
JP2003069383A (ja) 2001-08-29 2003-03-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
EP1394941A2 (en) 2002-08-29 2004-03-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic-wave apparatus and communications apparatus
JP2004096349A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05218787A (ja) 1992-01-31 1993-08-27 Nec Corp 弾性表面波フィルタ用重み付け電極
JPH09167936A (ja) 1995-10-13 1997-06-24 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
DE19724259C2 (de) * 1997-06-09 2002-11-14 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter
JP2000091883A (ja) 1998-09-11 2000-03-31 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2001313540A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP3440935B2 (ja) 2000-11-29 2003-08-25 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3780408B2 (ja) 2001-01-26 2006-05-31 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3509764B2 (ja) 2001-03-23 2004-03-22 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
KR100609219B1 (ko) * 2001-04-09 2006-08-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성표면파 장치 및 통신 장치
JP3969347B2 (ja) * 2001-04-09 2007-09-05 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP2003087081A (ja) 2001-09-07 2003-03-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
WO2006068087A1 (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. バランス型弾性波フィルタ装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03129915A (ja) * 1989-10-16 1991-06-03 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
JP2001292050A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
WO2002003549A1 (fr) * 2000-06-30 2002-01-10 Fujitsu Media Devices Limited Dispositif a onde acoustique de surface
JP2003069383A (ja) 2001-08-29 2003-03-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
EP1394941A2 (en) 2002-08-29 2004-03-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic-wave apparatus and communications apparatus
JP2004096244A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信装置
JP2004096349A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1701441A4 *

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123992A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Kyocera Corp 弾性表面波素子及び通信装置
WO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波装置
GB2457392A (en) * 2006-12-25 2009-08-19 Murata Manufacturing Co Elastic wave device
JP4867997B2 (ja) * 2006-12-25 2012-02-01 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2010-04-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
GB2457392B (en) * 2006-12-25 2011-07-20 Murata Manufacturing Co Acoustic wave device
WO2008149619A1 (ja) * 2007-06-06 2008-12-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ装置
US8102225B2 (en) 2007-06-06 2012-01-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device
JPWO2008149619A1 (ja) * 2007-06-06 2010-08-19 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JPWO2009098840A1 (ja) * 2008-02-05 2011-05-26 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
WO2009098840A1 (ja) * 2008-02-05 2009-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
WO2009131227A1 (ja) * 2008-04-25 2009-10-29 京セラ株式会社 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置
US8552618B2 (en) 2008-04-25 2013-10-08 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device with IDT electrodes having different electrode finger pitches and communication apparatus using same
JP2010062773A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス、及び弾性波装置
WO2010029657A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 株式会社村田製作所 弾性波装置
US8723624B2 (en) 2008-09-09 2014-05-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device having an insulating film with wiring thereon not arranged over the IDT electrodes
WO2010061925A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタおよびデュプレクサ
JP5153889B2 (ja) * 2008-11-28 2013-02-27 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタおよびデュプレクサ
US8791773B2 (en) 2008-11-28 2014-07-29 Kyocera Corporation Surface acoustic wave filter and duplexer
JP2018026803A (ja) * 2016-08-05 2018-02-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
KR100793613B1 (ko) 2008-01-10
KR20060120610A (ko) 2006-11-27
EP1701441A1 (en) 2006-09-13
US20080246552A1 (en) 2008-10-09
JP4274246B2 (ja) 2009-06-03
EP1701441A4 (en) 2011-07-06
EP1701441B1 (en) 2013-04-17
JPWO2006067884A1 (ja) 2008-06-12
US7528683B2 (en) 2009-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006067884A1 (ja) バランス型弾性波フィルタ装置
JP6766961B2 (ja) 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ及び複合フィルタ装置
JP4670956B2 (ja) 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置
US7683735B2 (en) Balanced acoustic wave filter
KR100840872B1 (ko) 밸런스형 탄성파 필터 장치
EP1670138B1 (en) Surface acoustic wave filter and communication unit
WO2007007475A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP4412326B2 (ja) バランス型ｓａｗフィルタ
WO2010119745A1 (ja) 弾性波フィルタ及び通信機
WO2006068086A1 (ja) バランス型ｓａｗフィルタ
WO2007040052A1 (ja) 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
US8198959B2 (en) Acoustic wave filter device
US7429905B2 (en) Balanced acoustic wave filter
WO2006043445A1 (ja) バランス型弾性表面波フィルタ
JP4049612B2 (ja) 弾性表面波装置
WO2010150598A1 (ja) 弾性波装置及びデュプレクサ
EP1786100A1 (en) Balance type elastic surface-wave filter
JP4569314B2 (ja) バランス型弾性波フィルタ装置
JP4569325B2 (ja) バランス型弾性波フィルタ装置
WO2006048999A1 (ja) バランス型ｓａｗフィルタ
JP2006229487A (ja) バランス型弾性波フィルタ装置
JP2010041686A (ja) バランス型弾性波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580000788.5

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006548689

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067003705

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005765240

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10570371

Country of ref document: US

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005765240

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067003705

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE