WO2010119745A1 - 弾性波フィルタ及び通信機 - Google Patents

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WO2010119745A1
WO2010119745A1 PCT/JP2010/054530 JP2010054530W WO2010119745A1 WO 2010119745 A1 WO2010119745 A1 WO 2010119745A1 JP 2010054530 W JP2010054530 W JP 2010054530W WO 2010119745 A1 WO2010119745 A1 WO 2010119745A1
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electrode finger
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潤平 安田
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter having a balance-unbalance conversion function and a communication device including the same.
  • a surface acoustic wave filter having a balanced-unbalanced conversion function, a so-called balun function is used in an RF (Radio Frequency) circuit of a communication device.
  • the surface acoustic wave filter having the balance-unbalance conversion function has a problem that the balance of the signals output from the first balanced signal terminal and the second balanced signal terminal is poor.
  • the balance refers to the amplitude balance and the phase balance.
  • Patent Document 1 proposes a surface acoustic wave filter having a balance-unbalance conversion function with improved balance.
  • FIG. 1 of Patent Document 1 has a 3IDT type balance-unbalance conversion function in which first to third comb-shaped electrode portions (IDTs) are arranged on a piezoelectric substrate along the propagation direction of surface acoustic waves.
  • a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter is disclosed.
  • First and second reflectors are disposed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where the first to third IDTs are disposed.
  • the second IDT located in the center has first and second divided comb-like electrodes.
  • the first and second divided comb-like electrodes are formed by dividing one of the comb-like electrodes constituting the second IDT into two in the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the first and second split comb electrodes are connected to the first and second balanced signal terminals, respectively.
  • the first and third IDTs are connected in common and connected to the unbalanced signal terminal.
  • the first to third IDTs, the first and second reflectors are arranged on one side and the other side around a virtual central axis A extending in a direction orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave. At least one of the design parameters is different. This states that the balance is improved.
  • FIG. 13 of Patent Document 1 a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave having a 5IDT type balance-unbalance conversion function in which five IDTs are arranged on the piezoelectric substrate along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • a filter is disclosed.
  • First and second reflectors are arranged on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where the five IDTs are arranged.
  • Patent Document 1 even in such a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter, as in the embodiment of the 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter, it is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • a structure in which at least one design parameter of the five IDTs and the first and second reflectors is different on one side and the other side about the virtual central axis extending in the direction to be used. has been suggested.
  • Patent Document 1 in a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter having a 5IDT type balance-unbalance conversion function, how to make one side different from the other side about a virtual central axis is described. There is no specific description about.
  • An object of the present invention is to provide a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter having a balanced-unbalanced conversion function in which five IDTs are arranged along the propagation direction of an elastic wave, and between the first and second balanced signal terminals. It is an object of the present invention to provide an elastic wave filter that can improve the balance of a signal in the signal with more certainty.
  • At least a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit formed on the piezoelectric substrate are provided, and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has an acoustic wave propagation direction.
  • Elastic so as to sandwich the first, second, third, fourth and fifth IDTs disposed along the region where the first, second, third, fourth and fifth IDTs are disposed.
  • First and second reflectors disposed along the wave propagation direction, and the third IDT includes first and second divided comb-like electrodes disposed along the elastic wave propagation direction.
  • first divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the second IDT
  • second divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the fourth IDT.
  • 4 IDT is connected to the unbalanced signal terminal
  • first IDT and the first divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the first plane.
  • the fifth IDT and the second divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the second balanced signal terminal respectively to the signal terminal, and the first and fifth IDTs are respectively fixed electrode fingers.
  • the electrode finger pitch of the first IDT is smaller than the electrode finger pitch of the fifth IDT, and the signal flowing through the first IDT is adjacent to the portion where the first and second IDTs are adjacent to each other.
  • An acoustic wave filter is provided in which the phase and the phase of the signal flowing through the second IDT are in phase.
  • At least a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit formed on the piezoelectric substrate are provided, and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has an acoustic wave propagation direction.
  • Elastic so as to sandwich the first, second, third, fourth and fifth IDTs disposed along the region where the first, second, third, fourth and fifth IDTs are disposed.
  • First and second reflectors disposed along the wave propagation direction, and the third IDT includes first and second divided comb-like electrodes disposed along the elastic wave propagation direction.
  • first divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the second IDT
  • second divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the fourth IDT.
  • 4 IDT is connected to the unbalanced signal terminal
  • first IDT and the first divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the first plane.
  • the fifth IDT and the second divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the second balanced signal terminal respectively to the signal terminal, and the first and fifth IDTs are respectively fixed electrode fingers.
  • the electrode finger pitch of the first IDT is smaller than the electrode finger pitch of the fifth IDT, and the outermost electrode fingers adjacent to each other are adjacent to each other in a portion where the first and second IDTs are adjacent to each other.
  • An acoustic wave filter is provided that has the same polarity.
  • At least a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit formed on the piezoelectric substrate are provided, and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has an acoustic wave propagation direction.
  • Elastic so as to sandwich the first, second, third, fourth and fifth IDTs disposed along the region where the first, second, third, fourth and fifth IDTs are disposed.
  • First and second reflectors disposed along the wave propagation direction, and the third IDT includes first and second divided comb-like electrodes disposed along the elastic wave propagation direction.
  • first divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the second IDT, and the second divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the fourth IDT.
  • 4 IDT is connected to the unbalanced signal terminal, and the first IDT and the first divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the first plane.
  • the fifth IDT and the second divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the second balanced signal terminal respectively to the signal terminal, and the first and fifth IDTs are connected to the main pitch electrode finger.
  • An elastic wave filter is provided in which the phase of the signal flowing through the first IDT and the phase of the signal flowing through the second IDT are in phase in a portion where the second IDT is adjacent.
  • At least a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit formed on the piezoelectric substrate are provided, and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has an acoustic wave propagation direction.
  • Elastic so as to sandwich the first, second, third, fourth and fifth IDTs disposed along the region where the first, second, third, fourth and fifth IDTs are disposed.
  • First and second reflectors disposed along the wave propagation direction, and the third IDT includes first and second divided comb-like electrodes disposed along the elastic wave propagation direction.
  • first divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the second IDT, and the second divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the fourth IDT.
  • 4 IDT is connected to the unbalanced signal terminal, and the first IDT and the first divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the first plane.
  • the fifth IDT and the second divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the second balanced signal terminal respectively to the signal terminal, and the first and fifth IDTs are connected to the main pitch electrode finger.
  • an elastic wave filter is provided in which the polarities of the outermost electrode fingers adjacent to each other are the same in a portion where the second IDT is adjacent.
  • At least a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit formed on the piezoelectric substrate are provided, and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has an acoustic wave propagation direction.
  • Elastic so as to sandwich the first, second, third, fourth and fifth IDTs disposed along the region where the first, second, third, fourth and fifth IDTs are disposed.
  • First and second reflectors disposed along the wave propagation direction, and the third IDT includes first and second divided comb-like electrodes disposed along the elastic wave propagation direction.
  • first divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the second IDT
  • second divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the fourth IDT.
  • 4 IDT is connected to the unbalanced signal terminal
  • first IDT and the first divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the first plane.
  • the fifth IDT and the second divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the second balanced signal terminal, respectively, and the duty ratio of the first IDT is that of the fifth IDT.
  • An elastic wave filter that is smaller than the duty ratio and has a phase of a signal that flows through the first IDT and a phase of a signal that flows through the second IDT in a portion where the first and second IDTs are adjacent to each other. It is.
  • At least a piezoelectric substrate and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit formed on the piezoelectric substrate are provided, and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has an acoustic wave propagation direction.
  • Elastic so as to sandwich the first, second, third, fourth and fifth IDTs disposed along the region where the first, second, third, fourth and fifth IDTs are disposed.
  • First and second reflectors disposed along the wave propagation direction, and the third IDT includes first and second divided comb-like electrodes disposed along the elastic wave propagation direction.
  • first divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the second IDT
  • second divided comb-shaped electrode is disposed on the side closer to the fourth IDT.
  • 4 IDT is connected to the unbalanced signal terminal
  • first IDT and the first divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the first plane.
  • the fifth IDT and the second divided comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the second balanced signal terminal, respectively, and the duty ratio of the first IDT is that of the fifth IDT.
  • An elastic wave filter is provided in which the polarity is smaller than the duty ratio and the polarities of the outermost electrode fingers adjacent to each other are the same in a portion where the first and second IDTs are adjacent to each other.
  • the elastic wave filter according to the present invention may be a surface acoustic wave filter using a surface acoustic wave as an elastic wave, or may be a boundary acoustic wave filter using an elastic boundary wave as an elastic wave.
  • a communication device includes the elastic wave filter of the present invention.
  • the first to fifth IDTs are arranged along the propagation direction of the elastic wave, and the third IDT located at the center is the first and second IDTs.
  • the electrode finger pitch or duty ratio of the first IDT located on the outermost side is the fifth Since it is different from the electrode finger pitch or duty ratio of the IDT, it is possible to effectively improve the balance of the signal between the first and second balanced signal terminals.
  • the electrode finger pitch and duty ratio of the first IDT located on the outermost side are set to the electrode finger pitch of the fifth IDT. Further, the balance can be effectively improved by making it different from the duty ratio.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a bottom view of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing the structure of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention and the surface acoustic wave filter of the first comparative example.
  • FIG. 5 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention and the surface acoustic wave filter of the first comparative example.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter of the second comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the second comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the second comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the second comparative example.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the third comparative example.
  • FIG. 10 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the third comparative example.
  • FIG. 10 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the third comparative example.
  • FIG. 11 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the fourth comparative example.
  • FIG. 12 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the fourth comparative example.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the second embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the fifth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the sixth comparative example.
  • FIG. 15 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the second embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the fifth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the sixth comparative example.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the third embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the seventh comparative example, and the surface acoustic wave filter of the eighth comparative example.
  • FIG. 18 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the third embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the seventh comparative example, and the surface acoustic wave filter of the eighth comparative example.
  • FIG. 19 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the ninth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the tenth comparative example.
  • FIG. 21 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the ninth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the tenth comparative example.
  • FIG. 21 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the ninth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the tenth comparative example.
  • FIG. 22 is a diagram showing the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the eleventh comparative example, and the surface acoustic wave filter of the twelfth comparative example.
  • FIG. 23 is a diagram showing the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention, the surface acoustic wave filter of the eleventh comparative example, and the surface acoustic wave filter of the twelfth comparative example.
  • FIG. 24 is a schematic front sectional view showing an example of a boundary acoustic wave filter according to the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter 200 according to the first embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment is a surface acoustic wave filter that uses surface acoustic waves.
  • an elastic wave filter used as a PCS (Personal Communication Services) reception filter will be described.
  • the pass band of the PCS reception filter is 1930 to 1990 MHz.
  • the piezoelectric substrate P a 40 ° ⁇ 5 ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 substrate is used.
  • the electrode structure is not particularly limited, but in this embodiment, the electrode structure is formed of a metal material mainly composed of aluminum.
  • the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 200A and the surface acoustic wave resonator 214 connected in series to the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 200A are provided. And are formed.
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter section 200A includes first to fifth IDTs 201 to 205 arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • First and second reflectors 206 and 207 are arranged on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where the first to fifth IDTs 201 to 205 are arranged.
  • the first and second reflectors 206 and 207 are grating type reflectors formed by short-circuiting a plurality of electrode fingers at both ends.
  • the first IDT 201 has a pair of comb-like electrodes 201a and 201b.
  • the comb-like electrode 201a has a bus bar and a plurality of electrode fingers having one end connected to the bus bar.
  • the comb-like electrode 201b also includes a bus bar and a plurality of electrode fingers having one end connected to the bus bar.
  • the comb-like electrodes 201a and 201b face each other so that the plurality of electrode fingers of the comb-like electrode 201a and the plurality of electrode fingers of the comb-like electrode 201b are interleaved with each other.
  • the plurality of electrode fingers are extended in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the second to fifth IDTs 202 to 205 have a plurality of comb-like electrodes.
  • the third IDT 203 located at the center has comb-like electrodes 203a and first and second divided comb-like electrodes 203b and 203c.
  • the first and second divided comb-shaped electrodes 203b and 203c are formed by dividing the other comb-shaped electrode facing the comb-shaped electrode 203a into two in the propagation direction of the surface acoustic wave. Yes.
  • the first and second divided comb-like electrodes 203b and 203c are arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • each of the second and fourth IDTs 202 and 204 is connected to an unbalanced signal terminal 211 via a surface acoustic wave resonator 214.
  • the other ends of the second and fourth IDTs 202 and 204 are connected to the ground potential.
  • One ends of the first and fifth IDTs 201 and 205 are connected to the ground potential.
  • the other end of the first IDT 201 and the first divided comb-like electrode 203 b of the third IDT 203 are connected in common and connected to the first balanced signal terminal 212.
  • the second divided comb-like electrode 203c of the third IDT 203 and the other end of the fifth IDT 205 are connected in common and connected to the second balanced signal terminal 213.
  • the comb-like electrode 203a of the third IDT 203 located at the center is connected to the ground potential.
  • the phase of the signal output from the first and second balanced signal terminals 212 and 213 is different by 180 °, and the first and second balanced signals
  • the fourth IDT 204 is inverted with respect to the second IDT 202 so that a signal is output from the unbalanced signal terminal 211 when signals having a phase difference of 180 ° are input from the terminals 212 and 213. Accordingly, the surface acoustic wave filter 200 has a balance-unbalance conversion function.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view showing the structure of the surface acoustic wave filter 200 according to this embodiment.
  • the surface acoustic wave filter 200 includes a piezoelectric substrate P on which the electrode structure shown in FIG. 1 is formed, a base substrate 222 on which the piezoelectric substrate P is flip-chip bonded, and the piezoelectric substrate P and the base substrate 222. And a resin layer 223 formed so as to cover. That is, the surface acoustic wave filter 200 is a CSP (Chip Size Package) type surface acoustic wave filter.
  • the surface acoustic wave filter 200 is obtained by flip-chip bonding a plurality of piezoelectric substrates P on the aggregate base substrate, then sealing with a resin, and then cutting.
  • FIG. 2 is a bottom view of the surface acoustic wave filter 200 according to the present embodiment.
  • terminal electrodes 301 to 305 for electrical connection to the outside are formed on the bottom surface of the surface acoustic wave filter 200, that is, the bottom surface of the base substrate 222.
  • Each of the terminal electrodes 301 to 305 is made of an appropriate electrode material such as W.
  • the terminal electrode 301 is electrically connected to the unbalanced signal terminal 211.
  • the terminal electrodes 302 and 303 are electrically connected to the first and second balanced signal terminals 212 and 213, respectively.
  • the terminal electrodes 304 and 305 are terminal electrodes connected to the ground potential.
  • the lower surface of the base substrate 222 has a rectangular shape, and the terminal electrode 301 is arranged along one short side and at the center of the short side.
  • the terminal electrodes 302 and 304 and the terminal electrodes 303 and 305 are arranged symmetrically with respect to a central axis passing through the center of the short side and parallel to the long side.
  • the terminal electrodes 302 and 304 and the terminal electrodes 303 and 305 are arranged symmetrically with respect to the central axis, and thereby, between the first and second balanced signal terminals 212 and 213.
  • the balance of the signal can be further increased.
  • the central axis is in a position overlapping a virtual central axis A described later.
  • the electrode finger pitch of the plurality of electrode fingers including the outermost electrode finger located at the end of the IDT is made smaller.
  • the portion where the electrode finger pitch is relatively reduced is referred to as a narrow pitch electrode finger portion.
  • a narrow pitch electrode finger is schematically indicated by N.
  • a portion other than the portion indicated by N in the IDT (narrow pitch electrode finger portion) is referred to as an electrode finger portion having an electrode finger pitch different from the narrow pitch electrode finger portion, that is, a main pitch electrode finger portion.
  • the electrode finger pitch is the distance between the centers of the electrode fingers adjacent to each other.
  • the continuity of the surface acoustic wave propagation characteristics in the portion where the IDTs are adjacent to each other can be enhanced.
  • the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment is configured as follows.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 202 and 204 are made equal.
  • the electrode finger pitch is made equal.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205.
  • the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment is characterized in that the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205. It is in. More specifically, the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is larger than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205. It is reduced by about 0.2% with respect to the electrode finger pitch. As a result, the balance is improved as shown in the examples described later.
  • the number of electrode fingers of the first to fifth IDTs 201 to 205 is as shown in Table 1 below.
  • the numbers in parentheses indicate the number of electrode fingers of the narrow pitch electrode finger portion. Other numbers indicate the number of electrode fingers of the main pitch electrode finger portion.
  • segmentation comb-tooth electrode 203c are shown separately. Yes.
  • the outermost electrode finger of the first IDT 201 and the outermost electrode finger of the second IDT 202 are both ground potentials. It is an electrode finger connected to. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the outermost electrode finger of the fourth IDT 204 is an electrode finger connected to the signal terminal, and the fifth IDT 205
  • the outermost electrode finger is an electrode finger connected to the ground potential. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the outermost electrode finger of the second IDT 202 and the outermost electrode finger of the third IDT 203 are both electrode fingers connected to the ground potential. It is. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the outermost electrode finger of the third IDT 203 is an electrode finger connected to the ground potential
  • the fourth IDT 204 is an electrode finger connected to the signal terminal. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the phase of the signal flowing through the second IDT 202 and the phase of the signal flowing through the first IDT 201 are in phase.
  • the phase of the signal flowing through the fourth IDT 204 is opposite to the phase of the signal flowing through the fifth IDT 205.
  • the first IDT 201 located on the outermost side is connected to the first balanced signal terminal 212, and the second IDT 202 connected to the unbalanced signal terminal 211 is adjacent to each other.
  • the portion where the fifth IDT 205 located on the outermost side is connected to the second balanced signal terminal 213 and the fourth IDT 204 connected to the unbalanced signal terminal 211 are adjacent to each other.
  • the electrode pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 in which the phase of the signal flowing through both adjacent IDTs is in phase is the opposite phase of the signal of the signal flowing through both adjacent IDTs It is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205.
  • the first IDT 201 and the fifth IDT 205 extend in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave except that the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions are different.
  • the structure on the piezoelectric substrate P is symmetric about the virtual central axis A. Thereby, the degree of balance is increased. This is because, in the second and fourth IDTs 202 and 204 adjacent to the third IDT 203 located in the center, the polarity of the outermost electrode finger adjacent to the third IDT 203 is Except for the fact that the second IDT 202 and the fourth IDT 204 are different, almost no unbalanced component is generated.
  • the surface acoustic wave filter of the first comparative example was prepared.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 and the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 are made equal.
  • the first comparative example is configured as follows.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the first and fifth IDTs 201 and 205 are made equal.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 202 and 204 are made equal.
  • the electrode finger pitch is made equal.
  • 4 and 5 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter 200 according to this embodiment and the surface acoustic wave filter of the first comparative example. 4 and 5, the solid line indicates the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment, and the broken line indicates the surface acoustic wave filter of the first comparative example.
  • the amplitude balance is the difference between the amplitude of the signal output from the first balanced signal terminal 212 and the amplitude of the signal output from the second balanced signal terminal 213.
  • the phase balance is the difference between the phase of the signal output from the first balanced signal terminal 212 and the phase of the signal output from the second balanced signal terminal 213.
  • the amplitude balance is 0 dB and the phase balance is 180 ° in the passband.
  • the amplitude balance is in the range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB and the phase balance is in the range of 168 ° to 192 ° within the passband.
  • the magnitude of the worst value of the amplitude balance and the phase balance within the passband is important. That is, it is required that the absolute value of the worst value of amplitude balance is small and the worst value of phase balance is close to 180 ° in the passband.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about -1.0 dB.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is ⁇ 0.8 dB. Therefore, according to this embodiment, the amplitude balance is improved by about 0.2 dB compared to the first comparative example. This is because the phase shift between the signal output from the first balanced signal terminal 212 and the signal output from the second balanced signal terminal 213 is the main difference between the first IDT 201 and the fifth IDT 205. This is because the correction is made by changing the electrode finger pitch of the pitch electrode finger portion.
  • the degree of phase balance is slightly worse in the present embodiment than in the first comparative example.
  • the worst value of the phase balance is in the range of 168 ° to 192 °. Therefore, according to the present embodiment, it can be seen that the amplitude balance can be drastically improved without significantly degrading the phase balance.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter of the second comparative example.
  • an electrode structure as shown in FIG. 6 is formed on the piezoelectric substrate P.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 is set to the main pitch electrode of the first IDT 201. It is smaller than the electrode finger pitch of the finger part by about 0.2% with respect to the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger part of the first IDT 201.
  • the surface acoustic wave filter of the second comparative example is such that the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 is smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201. Except for this, it has the same configuration as the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment.
  • the second comparative example is configured as follows.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 202 and 204 are made equal.
  • the electrode finger pitch is made equal.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201.
  • FIGS. 7 and 8 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter 200 according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the second comparative example. It is. 7 and 8, the solid line shows the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment, the broken line shows the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the alternate long and short dash line shows the surface acoustic wave filter of the second comparative example. Show.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is ⁇ 1.4 dB, which is worse than that of the first comparative example.
  • the amplitude balance does not satisfy the required range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB.
  • the phase balance is deteriorated.
  • Table 2 shows the first to fifth IDTs 201 to 205 in the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the third comparative example.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger part is shown.
  • segmentation comb-tooth electrode 203c are shown separately. Yes.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 202 and 204 is made equal to ⁇ 3.
  • the electrode finger pitch is made equal to ⁇ 4.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is ⁇ 2 ⁇ 0.999
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 is ⁇ 2 ⁇ 1.001. That is, the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205.
  • the first comparative example is configured as follows.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the first and fifth IDTs 201 and 205 is equal to ⁇ 2.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 202 and 204 is made equal to ⁇ 3.
  • the electrode finger pitch is made equal to ⁇ 4.
  • the surface acoustic wave filter of the third comparative example is configured as follows.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the first and fifth IDTs 201 and 205 is equal to ⁇ 2.
  • the electrode finger pitch is made equal to ⁇ 4.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the second IDT 202 is ⁇ 3 ⁇ 1.001
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fourth IDT 204 is ⁇ 3 ⁇ 0.999.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the second IDT 202 is different from the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fourth IDT 204.
  • the third comparative example has the same configuration as the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment except for the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the first to fifth IDTs 201 to 205.
  • FIGS. 9 and 10 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter 200 according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the third comparative example. It is. 9 and 10, the solid line indicates the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment, the broken line indicates the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the alternate long and short dash line indicates the surface acoustic wave filter of the third comparative example. Show.
  • the outermost electrode finger of the third IDT 203 is an electrode finger connected to the neutral point potential, that is, the ground potential, and the outermost electrode on the third IDT 203 side in the second IDT 202 is used.
  • the outer electrode finger is an electrode finger connected to the ground potential, and the outermost electrode finger on the third IDT 203 side in the fourth IDT 204 is an electrode finger connected to the signal terminal.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the second IDT 202 is made larger than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fourth IDT 204.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is -1.7 dB, which is worse than that of the first comparative example.
  • the amplitude balance does not satisfy the required range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB. This is presumably because the change of the parameter in one IDT has an adverse effect on the other IDT because the second IDT 202 and the fourth IDT 204 are electrically connected.
  • Table 3 shows the first to fifth IDTs 201 to 205 in the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the fourth comparative example.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger part is shown.
  • segmentation comb-tooth electrode 203c are shown separately. Yes.
  • ⁇ 2 to ⁇ 4 in Table 3 are the same values as ⁇ 2 to ⁇ 4 in Table 2.
  • the surface acoustic wave filter of the fourth comparative example is configured as follows.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the first and fifth IDTs 201 and 205 is equal to ⁇ 2.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 202 and 204 is made equal to ⁇ 3.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the portion formed by the comb-like electrode 203a and the first divided comb-like electrode 203b is ⁇ 4 ⁇ 1.001
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion by the divided comb-like electrode 203c is set to ⁇ 4 ⁇ 0.999.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the portion formed by the electrode 203c is made different.
  • the fourth comparative example has the same configuration as the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment except for the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portions of the first to fifth IDTs 201 to 205.
  • FIGS. 11 and 12 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter 200 according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the surface acoustic wave filter of the fourth comparative example. It is. 11 and 12, the solid line indicates the surface acoustic wave filter 200 of the present embodiment, the broken line indicates the surface acoustic wave filter of the first comparative example, and the alternate long and short dash line indicates the surface acoustic wave filter of the fourth comparative example. Show.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is ⁇ 1.4 dB, which is worse than that of the first comparative example.
  • the amplitude balance does not satisfy the required range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB. This is because the electrode fingers of the first and second divided comb-like electrodes 203b and 203c in the third IDT 203 are adjacent to each other, and the acoustic coupling is strong. This is probably because the change in the parameter has an adverse effect on the other divided comb-like electrode.
  • the first IDT 201 that is connected to the first balanced signal terminal 212 and is located on the outermost side, and the unbalanced signal
  • the second IDT 202 connected to the terminal 211 is adjacent to the second IDT 202, and is connected to the second balanced signal terminal 213.
  • the fifth IDT 205 located on the outermost side and the unbalanced signal terminal 211
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 in which the phases of the signals flowing through both adjacent IDTs are in phase is adjacent. It is necessary to set so that the phase of the signals flowing through the matching IDTs is smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger part of the fifth IDT 205 having the opposite phase. , Whereby it can be seen that could dramatically improve the balance.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the first and fifth IDTs 201 and 205 are all different. However, in the main pitch electrode finger portions of the IDT, some electrode finger portions Only the electrode finger pitch may be different. Further, the electrode finger pitch of the narrow pitch electrode finger portion of the first IDT 201 may be different from the electrode finger pitch of the narrow pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205. Even in such a case, the degree of balance can be improved as in the first embodiment.
  • the narrow pitch electrode finger portions are provided in the first to fifth IDTs 201 to 205.
  • the narrow pitch electrode finger portions may not be provided, and a constant electrode finger pitch may be used. Even in such a case, in the first and fifth IDTs 201 and 205 having a constant electrode finger pitch, the balance can be improved by changing a part or all of the electrode finger pitches.
  • a 40 ° ⁇ 5 ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 substrate is used as the piezoelectric substrate P.
  • the present invention is not limited to this, and other piezoelectric single crystal substrates may be used.
  • the same effect can be obtained by using a 64 ° to 72 ° Y-cut X-propagation LiNbO 3 substrate or a 41 ° Y-cut X-propagation LiNbO 3 substrate.
  • the electrode finger of the comb-like electrode 203a facing the first and second divided comb-like electrodes 203b and 203c in the third IDT 203 may be a floating electrode finger. Even in that case, the same effect as the above embodiment can be obtained.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter 400 according to the second embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter 400 of the second embodiment an electrode structure as shown in FIG. 13 is formed on the piezoelectric substrate P. Similar to the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment, the surface acoustic wave filter 400 of the second embodiment includes a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 400A and a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter. And a surface acoustic wave resonator 414 connected in series to the portion 400A.
  • the surface acoustic wave filter 400 according to the second embodiment is similar to the surface acoustic wave filter 200 according to the first embodiment in the basic structure, the same portions are replaced with reference numerals in the 200s, Detailed description will be omitted by attaching reference numerals in the 400s.
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter section 400A includes first to fifth IDTs 401 to 405 arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the third IDT 403 located in the center includes comb-like electrodes 403a and first and second divided comb-like electrodes 403b and 403c.
  • the first and second divided comb-like electrodes 403b and 403c are formed by dividing the other comb-like electrode facing the comb-like electrode 403a into two in the propagation direction of the surface acoustic wave. Yes.
  • the first and second divided comb-like electrodes 403b and 403c are arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • First and second reflectors 406 and 407 are disposed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where the first to fifth IDTs 401 to 405 are disposed.
  • the second and fourth IDTs 402 and 404 are respectively replaced with the second and fourth IDTs 202 and 204 in the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment.
  • it is reversed.
  • each of the second and fourth IDTs 402 and 404 is connected to an unbalanced signal terminal 411 via a surface acoustic wave resonator 414.
  • the other ends of the second and fourth IDTs 402 and 404 are connected to the ground potential.
  • One ends of the first and fifth IDTs 401 and 405 are connected to the ground potential.
  • the other end of the first IDT 401 and the first divided comb-like electrode 403 b of the third IDT 403 are connected in common and connected to the first balanced signal terminal 412.
  • the second divided comb-like electrode 403c of the third IDT 403 and the other end of the fifth IDT 405 are connected in common and connected to the second balanced signal terminal 413.
  • the comb-like electrode 403a of the third IDT 403 located at the center is connected to the ground potential.
  • the fourth IDT 404 is inverted with respect to the second IDT 402 as in the case of the first embodiment.
  • a narrow pitch electrode finger portion is provided in a portion where the two IDTs in the first to fifth IDTs 401 to 405 are adjacent to each other.
  • the electrode finger pitch of the plurality of electrode fingers including the outermost electrode finger located at the end of the IDT is made smaller than the electrode finger pitch of other portions of the IDT.
  • a narrow pitch electrode finger is schematically indicated by N.
  • the part other than the part indicated by N (narrow pitch electrode finger part) in the IDT is an electrode finger part having an electrode finger pitch different from the narrow pitch electrode finger part, that is, the main pitch electrode finger part.
  • the outermost electrode finger of the first IDT 401 is an electrode finger connected to the ground potential
  • the outermost electrode finger of the IDT 402 is an electrode finger connected to the signal terminal. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the outermost electrode finger of the fourth IDT 404 and the outermost electrode finger of the fifth IDT 405 are both at the ground potential. It is a connected electrode finger. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the outermost electrode finger of the second IDT 402 is an electrode finger connected to the signal terminal
  • the outermost electrode finger of the third IDT 403 is It is an electrode finger connected to the ground potential. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the outermost electrode finger of the third IDT 403 and the outermost electrode finger of the fourth IDT 404 are both at the ground potential. It is a connected electrode finger. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the phase of the signal flowing through the second IDT 402 is opposite to the phase of the signal flowing through the first IDT 401.
  • the phase of the signal flowing through the fourth IDT 404 and the phase of the signal flowing through the fifth IDT 405 are in phase.
  • the surface acoustic wave filter 400 of the present embodiment is configured as follows.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 402 and 404 are made equal.
  • the electrode finger pitch is made equal.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401.
  • the surface acoustic wave filter 400 of the present embodiment is characterized in that the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401. It is in. More specifically, the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405 is greater than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401 than that of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401. It is reduced by about 0.2% with respect to the electrode finger pitch.
  • the first IDT 401 located on the outermost side is connected to the first balanced signal terminal 412, and the second IDT 402 connected to the unbalanced signal terminal 411 is adjacent to each other.
  • the portion where the fifth IDT 405 located on the outermost side is connected to the second balanced signal terminal 413 and the fourth IDT 404 connected to the unbalanced signal terminal 411 are adjacent to each other.
  • the electrode pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405 in which the phase of the signal flowing through both adjacent IDTs is in phase is opposite to the phase of the signal flowing through both adjacent IDTs It is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401.
  • the first IDT 401 and the fifth IDT 405 extend in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave except that the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions are different.
  • the structure on the piezoelectric substrate P is symmetric about the virtual central axis A. Thereby, the degree of balance is increased. This is because in the second and fourth IDTs 402 and 404 adjacent to the third IDT 403 located in the center, the polarity of the outermost electrode finger adjacent to the third IDT 403 is Except for the fact that the second IDT 402 and the fourth IDT 404 are different, almost no unbalanced component is generated.
  • a surface acoustic wave filter of a fifth comparative example and a surface acoustic wave filter of a sixth comparative example were prepared.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401 is made equal to the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401 is the main pitch electrode of the fifth IDT 405, contrary to the surface acoustic wave filter 400 of the present embodiment. It is made smaller by about 0.2% than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405 than the electrode finger pitch of the finger portion.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 401 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 405. Except for this, it has the same configuration as the surface acoustic wave filter 400 of the present embodiment.
  • FIGS. 14 and 15 are diagrams showing amplitude balance and phase balance of the surface acoustic wave filter 400 according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the fifth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the sixth comparative example. It is. 14 and 15, the solid line shows the surface acoustic wave filter 400 of this embodiment, the broken line shows the surface acoustic wave filter of the fifth comparative example, and the alternate long and short dash line shows the surface acoustic wave filter of the sixth comparative example. Show.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper passband limit of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is ⁇ 1.1 dB.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is ⁇ 0.8 dB. Therefore, according to the present embodiment, the amplitude balance is improved by 0.3 dB over the fifth comparative example. This is because the phase shift between the signal output from the first balanced signal terminal 412 and the signal output from the second balanced signal terminal 413 is the main difference between the first IDT 401 and the fifth IDT 405. This is because the correction is made by changing the electrode finger pitch of the pitch electrode finger portion.
  • the degree of phase balance is slightly worse in the present embodiment than in the fifth comparative example.
  • the worst value of the phase balance is in the range of 168 ° to 192 °.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 1.4 dB, which is worse than that of the fifth comparative example.
  • the amplitude balance does not satisfy the required range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB.
  • the phase balance is deteriorated. Therefore, as apparent from FIGS. 14 and 15, it can be seen that the amplitude balance can be improved without deteriorating the phase balance so much in the second embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter 500 according to the third embodiment of the present invention.
  • an electrode structure as shown in FIG. 16 is formed on the piezoelectric substrate P.
  • the surface acoustic wave filter 500 of the third embodiment also includes a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 500A and a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave. And a surface acoustic wave resonator 514 connected in series to the filter unit 500A.
  • the surface acoustic wave filter 500 according to the third embodiment is similar to the surface acoustic wave filter 200 according to the first embodiment in the basic structure, the same portions are replaced with reference numerals in the 200s, A detailed description thereof will be omitted by giving reference numerals in the 500s.
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter unit 500A includes first to fifth IDTs 501 to 505 arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the third IDT 503 located in the center has a comb-like electrode 503a and first and second divided comb-like electrodes 503b and 503c.
  • the first and second divided comb-like electrodes 503b and 503c are formed by dividing the other comb-like electrode facing the comb-like electrode 503a into two in the propagation direction of the surface acoustic wave. Yes.
  • the first and second divided comb-like electrodes 503b and 503c are arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • First and second reflectors 506 and 507 are disposed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where the first to fifth IDTs 501 to 505 are disposed.
  • the first and fifth IDTs 501 and 505 are respectively replaced with the first and fifth IDTs 201 and 205 in the surface acoustic wave filter 200 according to the first embodiment.
  • the outermost electrode finger of the third IDT 503 is an electrode finger connected to the signal terminal.
  • each of the second and fourth IDTs 502 and 504 is connected to an unbalanced signal terminal 511 via a surface acoustic wave resonator 514.
  • the other ends of the second and fourth IDTs 502 and 504 are connected to the ground potential.
  • One ends of the first and fifth IDTs 501 and 505 are connected to the ground potential.
  • the other end of the first IDT 501 and the first divided comb-like electrode 503 b of the third IDT 503 are connected in common and connected to the first balanced signal terminal 512.
  • the second divided comb-like electrode 503c of the third IDT 503 and the other end of the fifth IDT 505 are connected in common and connected to the second balanced signal terminal 513. Further, the comb-like electrode 503a of the third IDT 503 located at the center is connected to the ground potential.
  • the fourth IDT 504 is inverted with respect to the second IDT 502 in the same manner as in the first embodiment in order to realize the balanced-unbalanced conversion function.
  • a narrow pitch electrode finger portion is provided in a portion where two IDTs in the first to fifth IDTs 501 to 505 are adjacent to each other.
  • the electrode finger pitch of the plurality of electrode fingers including the outermost electrode finger located at the end of the IDT is made smaller than the electrode finger pitch of other portions of the IDT.
  • a narrow pitch electrode finger is schematically indicated by N.
  • the part other than the part indicated by N (narrow pitch electrode finger part) in the IDT is an electrode finger part having an electrode finger pitch different from the narrow pitch electrode finger part, that is, the main pitch electrode finger part.
  • the outermost electrode finger of the first IDT 501 is an electrode finger connected to the signal terminal
  • the outermost electrode finger of the IDT 502 is an electrode finger connected to the ground potential. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the outermost electrode finger of the fourth IDT 504 and the outermost electrode finger of the fifth IDT 505 are both used as signal terminals. It is a connected electrode finger. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the outermost electrode finger of the second IDT 502 is an electrode finger connected to the ground potential
  • the outermost electrode finger of the third IDT 503 is It is an electrode finger connected to the signal terminal. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the outermost electrode finger of the third IDT 403 and the outermost electrode finger of the fourth IDT 404 are both used as signal terminals. It is a connected electrode finger. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the phase of the signal flowing through the second IDT 502 is opposite to the phase of the signal flowing through the first IDT 501.
  • the phase of the signal flowing through the fourth IDT 504 and the phase of the signal flowing through the fifth IDT 505 are in phase.
  • the surface acoustic wave filter 500 of the present embodiment is configured as follows.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 502 and 504 are made equal.
  • the electrode finger pitch is made equal.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501.
  • the surface acoustic wave filter 500 of the present embodiment is characterized in that the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505 is smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501. It is in. More specifically, the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505 is larger than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501 of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501. It is reduced by about 0.2% with respect to the electrode finger pitch. That is, in the present embodiment, the first balanced signal terminal 512 is connected to the outermost first IDT 501 and the second IDT 502 connected to the unbalanced signal terminal 511 are adjacent to each other.
  • the electrode pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505 in which the phases of the signals flowing through both adjacent IDTs are in phase, and the phases of the signals flowing through both adjacent IDTs are in reverse phase It is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501.
  • the first IDT 501 and the fifth IDT 505 extend in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave except that the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions are different.
  • the structure on the piezoelectric substrate P is symmetric about the virtual central axis A. Thereby, the degree of balance is increased. This is because in the second and fourth IDTs 502 and 504 adjacent to the third IDT 503 located in the center, the polarity of the outermost electrode finger adjacent to the third IDT 503 is the first polarity. This is because the unbalanced component is hardly generated except for the difference between the second IDT 502 and the fourth IDT 504.
  • the degree of balance can be improved. This will be described with reference to FIGS.
  • a surface acoustic wave filter of a seventh comparative example and a surface acoustic wave filter of an eighth comparative example were prepared.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501 is equal to the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501 is the main pitch electrode of the fifth IDT 505, contrary to the surface acoustic wave filter 500 of the present embodiment. It is made smaller by about 0.2% than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505 than the electrode finger pitch of the finger portion.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 501 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 505. Except for this, it has the same configuration as the surface acoustic wave filter 500 of this embodiment.
  • 17 and 18 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter 500 according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the seventh comparative example, and the surface acoustic wave filter of the eighth comparative example. It is. 17 and 18, the solid line indicates the surface acoustic wave filter 500 of the present embodiment, the broken line indicates the surface acoustic wave filter of the seventh comparative example, and the alternate long and short dash line indicates the surface acoustic wave filter of the eighth comparative example. Show.
  • the amplitude balance is the worst value in the vicinity of 1990 MHz, which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about -1.2 dB.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 1.1 dB. Therefore, according to the present embodiment, the amplitude balance is improved by about 0.1 dB over the seventh comparative example. This is because the phase shift between the signal output from the first balanced signal terminal 512 and the signal output from the second balanced signal terminal 513 is the main difference between the first IDT 501 and the fifth IDT 505. This is because the correction is made by changing the electrode finger pitch of the pitch electrode finger portion.
  • the degree of phase balance is slightly worse in the present embodiment than in the seventh comparative example.
  • the worst value of the phase balance is in the range of 168 ° to 192 °.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 1.4 dB, which is worse than that in the seventh comparative example.
  • the amplitude balance does not satisfy the required range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB.
  • FIG. 19 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter 600 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • an electrode structure as shown in FIG. 19 is formed on the piezoelectric substrate P.
  • the surface acoustic wave filter 600 of the fourth embodiment includes a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 600A and a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter. And a surface acoustic wave resonator 614 connected in series to the portion 600A. Since the surface acoustic wave filter 600 according to the fourth embodiment is similar to the surface acoustic wave filter 200 according to the first embodiment in the basic structure, the same portions are replaced with reference numerals in the 200s, Detailed description will be omitted by giving reference numbers in the 600s.
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter section 600A includes first to fifth IDTs 601 to 605 arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the third IDT 603 located in the center has a comb-like electrode 603a and first and second divided comb-like electrodes 603b and 603c.
  • the first and second divided comb-shaped electrodes 603b and 603c are formed by dividing the other comb-shaped electrode facing the comb-shaped electrode 603a into two in the propagation direction of the surface acoustic wave. Yes.
  • the first and second divided comb-like electrodes 603b and 603c are arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • First and second reflectors 606 and 607 are arranged on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where the first to fifth IDTs 601 to 605 are arranged.
  • the first IDT 601, the second IDT 602, the fourth IDT 604, and the fifth IDT 605 are respectively the same as those in the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment.
  • Inverted with respect to the first IDT 201, the second IDT 202, the fourth IDT 204, and the fifth IDT 205, and the outermost electrode finger of the third IDT 603 is an electrode finger connected to the signal terminal. Yes.
  • each of the second and fourth IDTs 602 and 604 is connected to an unbalanced signal terminal 611 via a surface acoustic wave resonator 614.
  • the other ends of the second and fourth IDTs 602 and 604 are connected to the ground potential.
  • One ends of the first and fifth IDTs 601 and 605 are connected to the ground potential.
  • the other end of the first IDT 601 and the first divided comb-like electrode 603 b of the third IDT 603 are connected in common and connected to the first balanced signal terminal 612.
  • the second divided comb-like electrode 603 c of the third IDT 603 and the other end of the fifth IDT 605 are connected in common and connected to the second balanced signal terminal 613.
  • the comb-like electrode 603a of the third IDT 603 located at the center is connected to the ground potential.
  • the fourth IDT 604 is inverted with respect to the second IDT 602 in the same manner as in the first embodiment in order to realize the balanced-unbalanced conversion function.
  • a narrow pitch electrode finger portion is provided in a portion where two IDTs in the first to fifth IDTs 601 to 605 are adjacent to each other.
  • the electrode finger pitch of the plurality of electrode fingers including the outermost electrode finger located at the end of the IDT is made smaller than the electrode finger pitch of other portions of the IDT.
  • a narrow pitch electrode finger is schematically indicated by N.
  • the part other than the part indicated by N (narrow pitch electrode finger part) in the IDT is an electrode finger part having an electrode finger pitch different from the narrow pitch electrode finger part, that is, the main pitch electrode finger part.
  • the outermost electrode finger of the first IDT 601 and the outermost electrode finger of the second IDT 602 are both signaled. It is an electrode finger connected to the terminal. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the outermost electrode finger of the fourth IDT 604 is an electrode finger connected to the ground potential
  • the fifth IDT 605 The outermost electrode finger is an electrode finger connected to the signal terminal. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the outermost electrode finger of the second IDT 602 and the outermost electrode finger of the third IDT 603 are both electrode fingers connected to the signal terminals. It is. That is, both electrode fingers have the same polarity.
  • the outermost electrode finger of the third IDT 603 is an electrode finger connected to the signal terminal, and the fourth IDT 604 is provided.
  • the outermost electrode finger is an electrode finger connected to the ground potential. That is, the polarities of both electrode fingers are different.
  • the phase of the signal flowing through the second IDT 602 and the phase of the signal flowing through the first IDT 601 are in phase.
  • the phase of the signal flowing through the fourth IDT 604 is opposite to the phase of the signal flowing through the fifth IDT 605. .
  • the surface acoustic wave filter 600 of the present embodiment is configured as follows.
  • the electrode finger pitches of the main pitch electrode finger portions of the second and fourth IDTs 602 and 604 are made equal.
  • the electrode finger pitch is made equal.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 601 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605.
  • the surface acoustic wave filter 600 of the present embodiment is characterized in that the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 601 is smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605. It is in. More specifically, the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 601 is larger than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605 of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605. It is reduced by about 0.2% with respect to the electrode finger pitch.
  • the first balanced signal terminal 612 is connected to the outermost first IDT 601 and the second IDT 602 connected to the unbalanced signal terminal 611 is adjacent to each other.
  • the portion where the fifth IDT 605 located on the outermost side is connected to the second balanced signal terminal 613 and the fourth IDT 604 connected to the unbalanced signal terminal 611 are adjacent to each other.
  • the electrode pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 601 in which the phase of the signal flowing through both adjacent IDTs is in phase is the opposite phase of the signal of the signal flowing through both adjacent IDTs It is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605.
  • the first IDT 601 and the fifth IDT 605 extend in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave except that the electrode pitches of the main pitch electrode fingers are different.
  • the structure on the piezoelectric substrate P is symmetric about the virtual central axis A. Thereby, the degree of balance is increased. This is because in the second and fourth IDTs 602 and 604 adjacent to the third IDT 603 located in the center, the polarity of the outermost electrode finger adjacent to the third IDT 603 is Except for the fact that the second IDT 602 and the fourth IDT 604 are different from each other, almost no unbalanced component is generated.
  • a surface acoustic wave filter of a ninth comparative example and a surface acoustic wave filter of a tenth comparative example were prepared.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 601 is made equal to the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605.
  • the electrode pitch of the main pitch electrode fingers of the fifth IDT 605 is the main pitch electrode of the first IDT 601. It is smaller than the electrode finger pitch of the finger part by about 0.2% with respect to the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger part of the first IDT 601.
  • the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 605 is made smaller than the electrode finger pitch of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 601. Except for this, it has the same configuration as the surface acoustic wave filter 600 of this embodiment.
  • 20 and 21 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter 600 according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the ninth comparative example, and the surface acoustic wave filter of the tenth comparative example. It is. 20 and 21, the solid line indicates the surface acoustic wave filter 600 of the present embodiment, the broken line indicates the surface acoustic wave filter of the ninth comparative example, and the alternate long and short dash line indicates the surface acoustic wave filter of the tenth comparative example. Show.
  • the amplitude balance is the worst value in the vicinity of 1990 MHz, which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about -1.2 dB.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 1.1 dB. Therefore, according to the present embodiment, the amplitude balance is improved by about 0.1 dB compared to the ninth comparative example. This is because the phase shift between the signal output from the first balanced signal terminal 612 and the signal output from the second balanced signal terminal 613 is the main difference between the first IDT 601 and the fifth IDT 605. This is because the correction is made by changing the electrode finger pitch of the pitch electrode finger portion.
  • the degree of phase balance is slightly worse in the present embodiment than in the ninth comparative example.
  • the worst value of the phase balance is in the range of 168 ° to 192 °.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 1.4 dB, which is worse than that of the ninth comparative example.
  • the amplitude balance does not satisfy the required range of ⁇ 1.2 dB to +1.2 dB.
  • the phase balance is deteriorated.
  • the surface acoustic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention is the same as the surface acoustic wave filter 200 according to the first embodiment in the first IDT and the fifth IDT. Is different from the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment only in that the duty ratios of the main pitch electrode finger portions are varied as shown in Table 4 below. Therefore, since the electrode structure of the surface acoustic wave filter of the fifth embodiment is the same as that of the surface acoustic wave filter 200 of the first embodiment, the following description of the fifth embodiment is shown in FIG. The first embodiment will be referred to.
  • the surface acoustic wave filter of the present embodiment is configured as follows.
  • the duty ratios of the main pitch electrode fingers of the second and fourth IDTs 202 and 204 are made equal.
  • the duty ratio is made equal.
  • the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is made smaller than the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205.
  • the feature of the surface acoustic wave filter of the present embodiment is that the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is made smaller than the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205. More specifically, the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is greater than the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 than the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205. Is reduced by about 6%.
  • a surface acoustic wave filter of an eleventh comparative example and a surface acoustic wave filter of a twelfth comparative example were prepared.
  • the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201 is equal to the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205, It has the same configuration as the surface acoustic wave filter of the present embodiment.
  • the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 is the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201, contrary to the surface acoustic wave filter of the present embodiment.
  • the duty ratio is smaller by about 6% than the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201.
  • the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the fifth IDT 205 is smaller than the duty ratio of the main pitch electrode finger portion of the first IDT 201.
  • FIG. 22 and 23 are diagrams showing the amplitude balance and the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, the surface acoustic wave filter of the eleventh comparative example, and the surface acoustic wave filter of the twelfth comparative example. is there.
  • the solid line indicates the surface acoustic wave filter of this embodiment
  • the broken line indicates the surface acoustic wave filter of the eleventh comparative example
  • the alternate long and short dash line indicates the surface acoustic wave filter of the twelfth comparative example.
  • the amplitude balance is the worst value in the vicinity of 1990 MHz, which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 1.1 dB.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about ⁇ 0.9 dB. Therefore, according to this embodiment, the amplitude balance is improved by about 0.2 dB over the eleventh comparative example. This is because the phase shift between the signal output from the first balanced signal terminal 212 and the signal output from the second balanced signal terminal 213 is the main difference between the first IDT 201 and the fifth IDT 205. This is because the correction is made by changing the duty ratio of the pitch electrode fingers.
  • the degree of phase balance is slightly worse in the present embodiment than in the eleventh comparative example.
  • the worst value of the phase balance is in the range of 168 ° to 192 °.
  • the amplitude balance in the vicinity of 1990 MHz which is the upper limit of the pass band of the PCS reception filter, is the worst value.
  • the amplitude balance at 1990 MHz is about -1.2 dB, which is worse than the eleventh comparative example.
  • the phase balance is deteriorated in the twelfth comparative example.
  • the balance can be improved by changing the duty ratio instead of the electrode finger pitch.
  • the surface acoustic wave filter has been described.
  • the electrode structure of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having the first to fifth IDTs is described in the present invention.
  • the present invention can be applied not only to a surface acoustic wave filter using a surface acoustic wave but also to a boundary acoustic wave filter using a boundary acoustic wave.
  • FIG. 24 is a schematic front sectional view showing an example of the boundary acoustic wave filter 701 according to the present invention.
  • a dielectric 703 is laminated on a piezoelectric substrate 702 made of a piezoelectric material.
  • An electrode structure 704 including IDT is provided at the interface between the piezoelectric substrate 702 and the dielectric 703.
  • comb-like electrode 403b, 403c ... split comb-like electrode 406, 407 ... reflector 411 ... unbalanced signal terminal 412 ... first balanced signal terminal 413 ... second balanced signal terminal 414 ... surface acoustic wave resonator 500 ... surface acoustic wave filter 500A ... longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter section 501 to 505 ... IDT 503a ... comb-like electrodes 503b, 503c ... split comb-like electrodes 506, 507 ... reflectors 511 ... unbalanced signal terminals 512 ... first balanced signal terminals 513 ... second balanced signal terminals 514 ...
  • surface acoustic wave resonators 600 ... surface acoustic wave filter 600A ... longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter section 601 to 605 ...
  • IDT 603a comb-like electrodes 603b, 603c: split comb-like electrodes 606, 607 ... reflector 611 ... unbalanced signal terminal 612 ... first balanced signal terminal 613 ... second balanced signal terminal 614 ... surface acoustic wave resonator 701 ... boundary acoustic wave filter 702 ... piezoelectric substrate 703 ... dielectric 704 ... electrode structure P ... piezoelectric substrate

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Abstract

 平衡-不平衡変換機能を有し、平衡度を改善することが可能とされている弾性波フィルタを得る。 圧電基板Pと、圧電基板Pに形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部200Aとを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部200Aは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1~第5のIDT201~205と、第1~第5のIDT201~205が配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器206,207とを備え、第3のIDT203は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極203b,203cを有し、かつ第1の分割くし歯状電極203bは第2のIDT202に近い側に、第2の分割くし歯状電極203cは第4のIDT204に近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDT202,204は不平衡信号端子に、第1のIDT201と第3のIDT203の第1の分割くし歯状電極203bとは第1の平衡信号端子212に、第5のIDT205と第3のIDT203の第2の分割くし歯状電極203cとは第2の平衡信号端子213にそれぞれ接続されており、第1及び第5のIDT201,205がそれぞれ一定の電極指ピッチを有し、第1のIDT201の電極指ピッチが第5のIDT205の電極指ピッチよりも小さくされており、第1及び第2のIDT201,202が隣り合う部分において、第1のIDT201を流れる信号の位相と第2のIDT202を流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタ200。

Description

弾性波フィルタ及び通信機
 本発明は、平衡-不平衡変換機能を有する弾性波フィルタ及びそれを備えた通信機に関する。
 近年、携帯電話機などの通信機の小型化や軽量化を図るために、構成部品の削減や小型化が進んでおり、さらには、複数の機能を複合した部品の開発も進んできている。このような状況を背景に、通信機のRF(Radio Frequency)回路において、平衡-不平衡変換機能、いわゆるバランの機能を持たせた弾性表面波フィルタが使用されている。
 しかしながら、平衡-不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタでは、第1の平衡信号端子と第2の平衡信号端子とから出力される信号の平衡度が悪いという問題があった。ここで、平衡度とは、振幅平衡度及び位相平衡度をいう。
 下記の特許文献1には、このような平衡度が改善された平衡-不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタが提案されている。
 特許文献1の図1では、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って第1~第3のくし型電極部(IDT)が配置された、3IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタが開示されている。第1~第3のIDTが配置されている領域の弾性表面波の伝搬方向両側には、第1及び第2の反射器が配置されている。中央に位置している第2のIDTは、第1及び第2の分割くし歯状電極を有する。第1及び第2の分割くし歯状電極は、第2のIDTを構成するくし歯状電極の1つが弾性表面波の伝搬方向において2分割されることにより形成されている。第1及び第2の分割くし歯状電極は、それぞれ、第1及び第2の平衡信号端子に接続されている。第1及び第3のIDTは、共通接続されて、不平衡信号端子に接続されている。特許文献1では、弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に延びる仮想中心軸Aを中心として、一方側と他方側とにおいて、第1~第3のIDTと第1及び第2の反射器とのうち少なくとも一つの設計パラメータが異ならされている。それによって、平衡度が改善されると述べられている。
 また、特許文献1の図13では、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って5つのIDTが配置された、5IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタが開示されている。5つのIDTが配置されている領域の弾性表面波の伝搬方向両側には、第1及び第2の反射器が配置されている。特許文献1では、このような5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいても、3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの実施例と同様に、弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に延びる仮想中心軸を中心として、一方側と他方側とにおいて、5つのIDTと第1及び第2の反射器とのうち少なくとも一つの設計パラメータを異ならせた構造を採用すればよい旨が示唆されている。
WO2005/031971
 しかしながら、特許文献1には、5IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいて、仮想中心軸を中心として、一方側と他方側とをどのように異ならせるかについては具体的には何ら記載されていない。
 他方、特許文献1の図13に示されているような5IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、仮想中心軸を中心として、一方側と他方側とを異ならせるための構成が、3IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタに比べて多くなっている。従って、単に仮想中心軸を中心として、一方側と他方側とを非対称とするだけでは、平衡度を十分に改善することができず、平衡度がかえって悪化することもあった。
 本発明の目的は、弾性波の伝搬方向に沿って5つのIDTが配置されている平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにおいて、第1及び第2の平衡信号端子間における信号の平衡度をより一層確実に改善することを可能とする弾性波フィルタを提供することにある。
 本願の第1の発明によれば、圧電基板と、圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ第1の分割くし歯状電極は第2のIDTに近い側に、第2の分割くし歯状電極は第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、第1のIDTと第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、第5のIDTと第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、第1及び第5のIDTがそれぞれ一定の電極指ピッチを有し、第1のIDTの電極指ピッチが第5のIDTの電極指ピッチよりも小さくされており、第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、第1のIDTを流れる信号の位相と第2のIDTを流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタが提供される。
 本願の第2の発明によれば、圧電基板と、圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ第1の分割くし歯状電極は第2のIDTに近い側に、第2の分割くし歯状電極は第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、第1のIDTと第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、第5のIDTと第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、第1及び第5のIDTがそれぞれ一定の電極指ピッチを有し、第1のIDTの電極指ピッチが第5のIDTの電極指ピッチよりも小さくされており、第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、互いに隣り合う最外側電極指の極性が同じである、弾性波フィルタが提供される。
 本願の第3の発明によれば、圧電基板と、圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ第1の分割くし歯状電極は第2のIDTに近い側に、第2の分割くし歯状電極は第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、第1のIDTと第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、第5のIDTと第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、第1及び第5のIDTが、メインピッチ電極指部と、メインピッチ電極指部よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ電極指部とを有し、第1のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチが第5のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、あるいは第1のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチが第5のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、第1のIDTを流れる信号の位相と第2のIDTを流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタが提供される。
 本願の第4の発明によれば、圧電基板と、圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ第1の分割くし歯状電極は第2のIDTに近い側に、第2の分割くし歯状電極は第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、第1のIDTと第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、第5のIDTと第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、第1及び第5のIDTが、メインピッチ電極指部と、メインピッチ電極指部よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ電極指部とを有し、第1のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチが第5のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、あるいは第1のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチが第5のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、互いに隣り合う最外側電極指の極性が同じである、弾性波フィルタが提供される。
 本願の第5の発明によれば、圧電基板と、圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ第1の分割くし歯状電極は第2のIDTに近い側に、第2の分割くし歯状電極は第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、第1のIDTと第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、第5のIDTと第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、第1のIDTのデューティ比が第5のIDTのデューティ比よりも小さくされており、第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、第1のIDTを流れる信号の位相と第2のIDTを流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタである。
 本願の第6の発明によれば、圧電基板と、圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ第1の分割くし歯状電極は第2のIDTに近い側に、第2の分割くし歯状電極は第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、第1のIDTと第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、第5のIDTと第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、第1のIDTのデューティ比が第5のIDTのデューティ比よりも小さくされており、第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、互いに隣り合う最外側電極指の極性が同じである、弾性波フィルタが提供される。
 本発明に係る弾性波フィルタは、弾性波として弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタであってもよく、あるいは弾性波として弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタであってもよい。
 本発明に係る通信機は、本発明の弾性波フィルタを備えることを特徴とする。
 本願の第1~第6の発明によれば、弾性波の伝搬方向に沿って第1~第5のIDTが配置されており、中央に位置している第3のIDTが第1及び第2の分割くし歯状電極を有する、5IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにおいて、最外側に位置する第1のIDTの電極指ピッチまたはデューティ比が第5のIDTの電極指ピッチまたはデューティ比と異ならされているため、第1及び第2の平衡信号端子間における信号の平衡度を効果的に改善することが可能となる。
 特許文献1に記載の3IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、単に仮想中心軸を中心として、一方側と他方側との構成を異ならせるだけで、平衡度の改善が図られていた。5IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタでは、仮想中心軸を中心として、一方側と他方側との構成数が多いため、単に仮想中心軸を中心として、一方側と他方側との構成を異ならせるだけでは、必ずしも平衡度を改善することはできなかった。本発明に従って、5IDT型の平衡-不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにおいて、最外側に位置する第1のIDTの電極指ピッチやデューティ比を第5のIDTの電極指ピッチやデューティ比と異ならせることにより、平衡度を効果的に改善することが可能となる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタの底面図である。 図3は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタの構造を示す模式的正面断面図である。 図4は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ及び第1の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図5は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ及び第1の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図6は、第2の比較例の弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 図7は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第2の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図8は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第2の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図9は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第3の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図10は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第3の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図11は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第4の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図12は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第4の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図13は、本発明の第2の実施形態に係る弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 図14は、本発明の第2の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第5の比較例の弾性表面波フィルタ、第6の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図15は、本発明の第2の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第5の比較例の弾性表面波フィルタ、第6の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図16は、本発明の第3の実施形態に係る弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 図17は、本発明の第3の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第7の比較例の弾性表面波フィルタ、第8の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図18は、本発明の第3の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第7の比較例の弾性表面波フィルタ、第8の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図19は、本発明の第4の実施形態に係る弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 図20は、本発明の第4の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第9の比較例の弾性表面波フィルタ、第10の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図21は、本発明の第4の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第9の比較例の弾性表面波フィルタ、第10の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図22は、本発明の第5の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第11の比較例の弾性表面波フィルタ、第12の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度を示す図である。 図23は、本発明の第5の実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第11の比較例の弾性表面波フィルタ、第12の比較例の弾性表面波フィルタの位相平衡度を示す図である。 図24は、本発明に係る弾性境界波フィルタの一例を示す模式的正面断面図である。
 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
 〔第1の実施形態〕
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ200の電極構造を示す模式的平面図である。本実施形態の弾性表面波フィルタ200は、弾性表面波を利用する弾性波フィルタである。
 なお、本実施形態及び以下の各実施形態では、PCS(Personal Communication Services)受信用フィルタとして用いられる弾性波フィルタを説明する。なお、PCS受信用フィルタの通過帯域は1930~1990MHzである。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ200では、圧電基板P上に、図1に示すような電極構造が形成されている。圧電基板Pとしては、40°±5°YカットX伝搬のLiTaO基板が用いられている。電極構造は、特に限定されるわけではないが、本実施形態では、アルミニウムを主体とする金属材料により形成されている。
 圧電基板P上に上記電極構造を形成することにより、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部200Aと、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部200Aに直列に接続された弾性表面波共振子214とが形成されている。
 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部200Aは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された第1~第5のIDT201~205を有する。第1~第5のIDT201~205が配置されている領域の弾性表面波の伝搬方向両側に、第1及び第2の反射器206,207が配置されている。第1及び第2の反射器206,207は、複数本の電極指を両端で短絡してなるグレーティング型反射器である。
 第1のIDT201を例にとり、IDTの構造を説明する。第1のIDT201は、一対のくし歯状電極201a,201bを有する。くし歯状電極201aは、バスバーと、バスバーに一端が連ねられた複数本の電極指とを有する。同様に、くし歯状電極201bもまた、バスバーと、バスバーに一端が連ねられた複数本の電極指とを有する。そして、くし歯状電極201aの複数本の電極指と、くし歯状電極201bの複数本の電極指とが互いに間挿し合うように、くし歯状電極201a,201bが対向している。複数本の電極指は、弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に延ばされている。
 第2~第5のIDT202~205も同様に、複数のくし歯状電極を有する。もっとも、中央に位置している第3のIDT203は、くし歯状電極203aと、第1及び第2の分割くし歯状電極203b,203cとを有する。第1及び第2の分割くし歯状電極203b,203cは、くし歯状電極203aに対向している他方側のくし歯状電極が弾性表面波の伝搬方向において2分割されることにより形成されている。第1及び第2の分割くし歯状電極203b,203cは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されている。
 第2及び第4のIDT202,204の一端は、弾性表面波共振子214を介して、不平衡信号端子211に接続されている。第2及び第4のIDT202,204の他端は、グラウンド電位に接続されている。第1及び第5のIDT201,205の一端は、グラウンド電位に接続されている。第1のIDT201の他端と第3のIDT203の第1の分割くし歯状電極203bとは、共通接続されて、第1の平衡信号端子212に接続されている。第3のIDT203の第2の分割くし歯状電極203cと第5のIDT205の他端とは、共通接続されて、第2の平衡信号端子213に接続されている。
 また、中央に位置している第3のIDT203のくし歯状電極203aは、グラウンド電位に接続されている。
 不平衡信号端子211から信号が入力された際に、第1及び第2の平衡信号端子212,213から出力される信号の位相が180°異なるように、また、第1及び第2の平衡信号端子212,213から位相が180°異なる信号が入力された際に、不平衡信号端子211から信号が出力されるように、第4のIDT204は、第2のIDT202に対して反転されている。従って、弾性表面波フィルタ200は、平衡-不平衡変換機能を有する。
 図3は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ200の構造を示す模式的正面断面図である。図3に示すように、弾性表面波フィルタ200は、図1に示す電極構造が形成された圧電基板Pと、圧電基板Pがフリップチップボンディングされたベース基板222と、圧電基板Pとベース基板222と覆うように形成された樹脂層223とを有する。すなわち、弾性表面波フィルタ200は、CSP(Chip Size Package)型の弾性表面波フィルタである。実際には、集合ベース基板上に複数の圧電基板Pをフリップチップボンディングし、しかる後樹脂により封止し、次に切断することにより、弾性表面波フィルタ200を得る。
 図2は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ200の底面図である。図2に示すように、弾性表面波フィルタ200の底面、すなわち、ベース基板222の下面には、外部と電気的に接続するための端子電極301~305が形成されている。端子電極301~305は、それぞれ、Wなどの適宜の電極材料からなる。
 ここで、端子電極301は、不平衡信号端子211に電気的に接続されている。また、端子電極302,303は、それぞれ第1及び第2の平衡信号端子212,213に電気的に接続されている。端子電極304,305は、グラウンド電位に接続される端子電極である。
 ベース基板222の下面は矩形の形状を有し、端子電極301は、一方の短辺に沿うように、かつ該短辺の中央に配置されている。そして、この短辺の中心を通り、長辺に平行な中心軸に対し、端子電極302,304と、端子電極303,305とが対称に配置されている。このように、端子電極302,304と、端子電極303,305とが中心軸を中心として対称に配置されていることが好ましく、それによって、第1及び第2の平衡信号端子212,213間における信号の平衡度をより一層高めることができる。平衡度をより一層高めるためには、この中心軸は、後述の仮想中心軸Aと重なる位置にあることが好ましい。
 図1に示すように、第1~第5のIDT201~205における2つのIDT同士が隣り合う部分では、IDTの端部に位置する最外側電極指を含む複数本の電極指の電極指ピッチが、当該IDTの他の部分の電極指ピッチよりも小さくされている。この相対的に電極指ピッチが小さくされている部分は、狭ピッチ電極指部と称されているものである。図1において、狭ピッチ電極指部を模式的にNで示す。IDTにおけるNで示されている部分(狭ピッチ電極指部)以外の部分は、狭ピッチ電極指部とは異なる電極指ピッチの電極指部、すなわちメインピッチ電極指部と称することとする。ここで、電極指ピッチとは、互いに隣り合う電極指の中心間距離である。
 周知のように、狭ピッチ電極指部を設けることにより、IDT同士が隣接している部分における弾性表面波の伝搬特性の連続性を高めることができる。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ200は、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ200の特徴は、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることにある。より具体的には、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチは、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。それによって、後述の実施例で示すように、平衡度が改善される。
 なお、第1~第5のIDT201~205の電極指の本数は下記の表1に示す通りである。括弧内の数字は、狭ピッチ電極指部の電極指の本数を示す。その他の数字は、メインピッチ電極指部の電極指の本数を示す。なお、IDT203については、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分と、くし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分とを分けて示している。
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 図1に示すように、第1のIDT201と第2のIDT202とが隣り合っている部分において、第1のIDT201の最外側電極指及び第2のIDT202の最外側電極指は、いずれもグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 これに対して、第4のIDT204と第5のIDT205とが隣り合っている部分においては、第4のIDT204の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指であり、第5のIDT205の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 第2のIDT202と第3のIDT203とが隣り合っている部分において、第2のIDT202の最外側電極指及び第3のIDT203の最外側電極指は、いずれもグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 これに対して、第3のIDT203と第4のIDT204とが隣り合っている部分においては、第3のIDT203の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指であり、第4のIDT204の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 従って、第1のIDT201と第2のIDT202とが隣り合っている部分においては、第2のIDT202を流れる信号の位相と、第1のIDT201を流れる信号の位相とは、同相となっている。一方、第4のIDT204と第5のIDT205とが隣り合っている部分においては、第4のIDT204を流れる信号の位相と、第5のIDT205を流れる信号の位相とは、逆相となっている。
 すなわち、本実施形態では、第1の平衡信号端子212に接続されており、最外側に位置する第1のIDT201と、不平衡信号端子211に接続されている第2のIDT202とが隣り合っている部分並びに、第2の平衡信号端子213に接続されており、最外側に位置する第5のIDT205と、不平衡信号端子211に接続されている第4のIDT204とが隣り合っている部分において、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が同相である第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が逆相である第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 なお、本実施形態では、第1のIDT201と第5のIDT205とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせたことを除いては、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直方向に延びる仮想中心軸Aを中心として、圧電基板P上の構造は対称とされている。それによって、平衡度が高められる。これは、中央に位置している第3のIDT203と隣り合っている第2及びの第4のIDT202,204において、第3のIDT203に対して隣り合っている最外側電極指の極性が、第2のIDT202と第4のIDT204とで異なっていることを除いては、不平衡成分がほぼ発生しないことによる。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ200との比較のために、第1の比較例の弾性表面波フィルタを用意した。第1の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチと、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチとを等しくしたことを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様の構成を有する。
 具体的には、第1の比較例は、以下のように構成されている。第1及び第5のIDT201,205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。
 図4及び図5は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ200と第1の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図4及び図5において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ200を示し、破線は第1の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 振幅平衡度は、第1の平衡信号端子212から出力される信号の振幅と、第2の平衡信号端子213から出力される信号の振幅との差である。位相平衡度は、第1の平衡信号端子212から出力される信号の位相と、第2の平衡信号端子213から出力される信号の位相との差である。平衡-不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタでは、通過帯域内において、振幅平衡度が0dB、位相平衡度が180°であることが理想である。一般には、通過帯域内において、振幅平衡度が-1.2dB~+1.2dBの範囲内であること、位相平衡度が168°~192°の範囲内であることが求められている。
 また、振幅平衡度及び位相平衡度を評価する場合には、通過帯域内における振幅平衡度及び位相平衡度の最も悪い値の大きさが重要である。すなわち、通過帯域内において、振幅平衡度の最も悪い値の絶対値が小さいこと、位相平衡度の最も悪い値が180°に近いことが求められる。
 図4から明らかなように、本実施形態及び第1の比較例のいずれにおいても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第1の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-1.0dBである。これに対して、本実施形態では、1990MHzにおける振幅平衡度は-0.8dBである。従って、本実施形態によれば、振幅平衡度が第1の比較例よりも約0.2dB改善されている。これは、第1の平衡信号端子212から出力される信号と、第2の平衡信号端子213から出力される信号との間の位相のずれが、第1のIDT201と第5のIDT205とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせることにより補正されていることによる。
 他方、図5から明らかなように、位相平衡度については、本実施形態では、第1の比較例よりも若干悪化している。しかしながら、本実施形態においても、位相平衡度の最も悪い値は、168°~192°の範囲内におさまっている。従って、本実施形態によれば、位相平衡度をさほど悪化させることなく、振幅平衡度を飛躍的に改善し得ることがわかる。
 次に、第2の比較例の弾性表面波フィルタを用意した。図6は、第2の比較例の弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。第2の比較例の弾性表面波フィルタでは、圧電基板P上に、図6に示すような電極構造が形成されている。第2の比較例の弾性表面波フィルタは、本実施形態の弾性表面波フィルタ200とは逆に、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。第2の比較例の弾性表面波フィルタは、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様の構成を有する。
 具体的には、第2の比較例は、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 図7及び図8は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ200、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第2の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図7及び図8において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ200を示し、破線は第1の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第2の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 図7から明らかなように、第2の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第2の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が-1.4dBであり、第1の比較例よりも悪化している。更に、第2の比較例では、振幅平衡度が、求められる範囲である-1.2dB~+1.2dBの範囲を満たしていない。また、図8から明らかなように、第2の比較例では、位相平衡度が悪化している。
 次に、第3の比較例の弾性表面波フィルタを用意した。表2に、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第3の比較例の弾性表面波フィルタのそれぞれにおける、第1~第5のIDT201~205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを示す。なお、IDT203については、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分と、くし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分とを分けて示している。
 本実施形態は、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ3と等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ4と等しくされている。第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチをλ2×0.999、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチをλ2×1.001とされている。すなわち、第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 第1の比較例は、以下のように構成されている。第1及び第5のIDT201,205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ2と等しくされている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ3と等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ4と等しくされている。
 そして、第3の比較例の弾性表面波フィルタは、以下のように構成されている。第1及び第5のIDT201,205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ2と等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ4と等しくされている。第2のIDT202のメインピッチ電極指部の電極指ピッチをλ3×1.001、第4のIDT204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチをλ3×0.999とされている。すなわち、第2のIDT202のメインピッチ電極指部の電極指ピッチと、第4のIDT204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチとが異ならされている。第3の比較例は、第1~第5のIDT201~205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様の構成を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 図9及び図10は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ200、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第3の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図9及び図10において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ200を示し、破線は第1の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第3の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 なお、第3の比較例では、第3のIDT203の最外側電極指は、中性点電位、すなわちグラウンド電位に接続されている電極指であり、第2のIDT202における第3のIDT203側の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指であり、第4のIDT204における第3のIDT203側の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指であるため、上記のように第2のIDT202のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを、第4のIDT204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも大きくされている。
 図9から明らかなように、第3の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第3の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が-1.7dBであり、第1の比較例よりも悪化している。更に、第3の比較例では、振幅平衡度が、求められる範囲である-1.2dB~+1.2dBの範囲を満たしていない。これは、第2のIDT202と第4のIDT204とが電気的に接続されているので、一方のIDTにおけるパラメータの変化が他方のIDTに悪影響を及ぼしていることによると考えられる。
 次に、第4の比較例の弾性表面波フィルタを用意した。表3に、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第4の比較例の弾性表面波フィルタのそれぞれにおける、第1~第5のIDT201~205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを示す。なお、IDT203については、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分と、くし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分とを分けて示している。また、表3のλ2~λ4は、表2中のλ2~λ4と同じ値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表3から明らかなように、第4の比較例の弾性表面波フィルタは、以下のように構成されている。第1及び第5のIDT201,205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ2と等しくされている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部の電極指ピッチがλ3と等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチをλ4×1.001、くし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチをλ4×0.999とされている。すなわち、第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチと、くし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチとが異ならされている。第4の比較例は、第1~第5のIDT201~205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様の構成を有する。
 図11及び図12は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ200、第1の比較例の弾性表面波フィルタ、第4の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図11及び図12において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ200を示し、破線は第1の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第4の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 図11から明らかなように、第4の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第4の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が-1.4dBであり、第1の比較例よりも悪化している。更に、第4の比較例では、振幅平衡度が、求められる範囲である-1.2dB~+1.2dBの範囲を満たしていない。これは、第3のIDT203における第1及び第2の分割くし歯状電極203b,203cの電極指同士が隣り合っており、音響的結合が強くなっているため、一方の分割くし歯状電極におけるパラメータの変化が、他方の分割くし歯状電極に悪影響を及ぼしているためと考えられる。
 上記第1の実施形態及び第1~第4の比較例の結果から明らかなように、第1の平衡信号端子212に接続されており、最外側に位置する第1のIDT201と、不平衡信号端子211に接続されている第2のIDT202とが隣り合っている部分並びに、第2の平衡信号端子213に接続されており、最外側に位置する第5のIDT205と、不平衡信号端子211に接続されている第4のIDT204とが隣り合っている部分において、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が同相である第1のIDT201のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が逆相である第5のIDT205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくなるように設定することが必要であり、それによって、平衡度を飛躍的に改善し得ることがわかる。
 なお、第1の実施形態では、第1及び第5のIDT201,205のメインピッチ電極指部の電極指ピッチを全て異ならせたが、IDTのメインピッチ電極指部において、一部の電極指部の電極指ピッチのみを異ならせてもよい。また、第1のIDT201の狭ピッチ電極指部の電極指ピッチと、第5のIDT205の狭ピッチ電極指部の電極指ピッチとを異ならせてもよい。その場合においても、上記第1の実施形態と同様に、平衡度を改善することができる。
 また、第1の実施形態では、第1~第5のIDT201~205において狭ピッチ電極指部が設けられていたが、狭ピッチ電極指部を設けず、一定の電極指ピッチとしてもよい。このような場合でも、一定の電極指ピッチを有する第1及び第5のIDT201,205において、一部または全部の電極指ピッチを異ならせることで、平衡度を改善することができる。
 なお、第1の実施形態では、圧電基板Pとして、40°±5°YカットX伝搬のLiTaO基板を用いたが、本発明の効果が得られる原理からも明らかなように、本発明は、これに限らず、他の圧電単結晶基板が用いられてもよい。例えば、64°~72°YカットX伝搬のLiNbO基板や41°YカットX伝搬のLiNbO基板などを用いても、同様の効果を得ることができる。
 また、第1の実施形態において、第3のIDT203における、第1及び第2の分割くし歯状電極203b,203cと対向する、くし歯状電極203aの電極指は、浮き電極指であってもよく、その場合においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
 〔第2の実施形態〕
 図13は、本発明の第2の実施形態に係る弾性表面波フィルタ400の電極構造を示す模式的平面図である。
 第2の実施形態の弾性表面波フィルタ400では、圧電基板P上に、図13に示すような電極構造が形成されている。第2の実施形態の弾性表面波フィルタ400は、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部400Aと、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部400Aに直列に接続された弾性表面波共振子414とを有する。第2の実施形態の弾性表面波フィルタ400は、基本的な構造において、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様であるため、同一部分については、200番台の参照番号に代えて、400番台の参照番号を付することにより、その詳細な説明は省略する。
 第2の実施形態においても、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部400Aは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された第1~第5のIDT401~405を有する。中央に位置している第3のIDT403は、くし歯状電極403aと、第1及び第2の分割くし歯状電極403b,403cとを有する。第1及び第2の分割くし歯状電極403b,403cは、くし歯状電極403aに対向している他方側のくし歯状電極が弾性表面波の伝搬方向において2分割されることにより形成されている。第1及び第2の分割くし歯状電極403b,403cは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されている。第1~第5のIDT401~405が配置されている領域の弾性表面波の伝搬方向両側に、第1及び第2の反射器406,407が配置されている。なお、第2の実施形態の弾性表面波フィルタ400では、第2及び第4のIDT402,404が、それぞれ、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200における第2及び第4のIDT202,204に対して反転されている。
 第2及び第4のIDT402,404の一端は、弾性表面波共振子414を介して、不平衡信号端子411に接続されている。第2及び第4のIDT402,404の他端は、グラウンド電位に接続されている。第1及び第5のIDT401,405の一端は、グラウンド電位に接続されている。第1のIDT401の他端と第3のIDT403の第1の分割くし歯状電極403bとは、共通接続されて、第1の平衡信号端子412に接続されている。第3のIDT403の第2の分割くし歯状電極403cと第5のIDT405の他端とは、共通接続されて、第2の平衡信号端子413に接続されている。また、中央に位置している第3のIDT403のくし歯状電極403aは、グラウンド電位に接続されている。
 第2の実施形態では、平衡-不平衡変換機能を実現するために、第1の実施形態の場合と同様に、第2のIDT402に対し、第4のIDT404が反転されている。
 図13に示すように、第1~第5のIDT401~405における2つのIDT同士が隣り合う部分では、狭ピッチ電極指部が設けられている。狭ピッチ電極指部では、IDTの端部に位置する最外側電極指を含む複数本の電極指の電極指ピッチが、当該IDTの他の部分の電極指ピッチよりも小さくされている。図13において、狭ピッチ電極指部を模式的にNで示す。IDTにおけるNで示されている部分(狭ピッチ電極指部)以外の部分は、狭ピッチ電極指部とは異なる電極指ピッチの電極指部、すなわちメインピッチ電極指部である。
 図13に示すように、第1のIDT401と第2のIDT402とが隣り合っている部分においては、第1のIDT401の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指であり、第2のIDT402の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 これに対して、第4のIDT404と第5のIDT405とが隣り合っている部分においては、第4のIDT404の最外側電極指及び第5のIDT405の最外側電極指は、いずれもグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 第2のIDT402と第3のIDT403とが隣り合っている部分において、第2のIDT402の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指であり、第3のIDT403の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 これに対して、第3のIDT403と第4のIDT404とが隣り合っている部分においては、第3のIDT403の最外側電極指及び第4のIDT404の最外側電極指は、いずれもグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 従って、第1のIDT401と第2のIDT402とが隣り合っている部分においては、第2のIDT402を流れる信号の位相と、第1のIDT401を流れる信号の位相とは、逆相となっている。一方、第4のIDT404と第5のIDT405とが隣り合っている部分においては、第4のIDT404を流れる信号の位相と、第5のIDT405を流れる信号の位相とは、同相となっている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ400は、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT402,404のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第3のIDT403における、くし歯状電極403aと第1の分割くし歯状電極403bとによる部分及びくし歯状電極403aと第2の分割くし歯状電極403cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ400の特徴は、第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることにある。より具体的には、第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチは、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。
 すなわち、本実施形態では、第1の平衡信号端子412に接続されており、最外側に位置する第1のIDT401と、不平衡信号端子411に接続されている第2のIDT402とが隣り合っている部分並びに、第2の平衡信号端子413に接続されており、最外側に位置する第5のIDT405と、不平衡信号端子411に接続されている第4のIDT404とが隣り合っている部分において、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が同相である第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が逆相である第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 なお、本実施形態では、第1のIDT401と第5のIDT405とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせたことを除いては、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直方向に延びる仮想中心軸Aを中心として、圧電基板P上の構造は対称とされている。それによって、平衡度が高められる。これは、中央に位置している第3のIDT403と隣り合っている第2及びの第4のIDT402,404において、第3のIDT403に対して隣り合っている最外側電極指の極性が、第2のIDT402と第4のIDT404とで異なっていることを除いては、不平衡成分がほぼ発生しないことによる。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ400との比較のために、第5の比較例の弾性表面波フィルタと、第6の比較例の弾性表面波フィルタとを用意した。第5の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチと、第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチとを等しくしたことを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ400と同様の構成を有する。第6の比較例の弾性表面波フィルタは、本実施形態の弾性表面波フィルタ400とは逆に、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。第6の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT401のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT405のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ400と同様の構成を有する。
 図14及び図15は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ400、第5の比較例の弾性表面波フィルタ、第6の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図14及び図15において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ400を示し、破線は第5の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第6の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 図14から明らかなように、本実施形態及び第5の比較例のいずれにおいても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第5の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度は-1.1dBである。これに対して、本実施形態では、1990MHzにおける振幅平衡度は-0.8dBである。従って、本実施形態によれば、振幅平衡度が第5の比較例よりも0.3dB改善されている。これは、第1の平衡信号端子412から出力される信号と、第2の平衡信号端子413から出力される信号との間の位相のずれが、第1のIDT401と第5のIDT405とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせることにより補正されていることによる。
 他方、図15から明らかなように、位相平衡度については、本実施形態では、第5の比較例よりも若干悪化している。しかしながら、本実施形態においても、位相平衡度の最も悪い値は、168°~192°の範囲内におさまっている。
 また、図14から明らかなように、第6の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第6の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が約-1.4dBであり、第5の比較例よりも悪化している。更に、第6の比較例では、振幅平衡度が、求められる範囲である-1.2dB~+1.2dBの範囲を満たしていない。また、図15から明らかなように、第6の比較例では、位相平衡度が悪化している。従って、図14及び図15から明らかなように、第2の実施形態においても、位相平衡度をさほど悪化させることなく、振幅平衡度を改善し得ることがわかる。
 〔第3の実施形態〕
 図16は、本発明の第3の実施形態に係る弾性表面波フィルタ500の電極構造を示す模式的平面図である。第3の実施形態の弾性表面波フィルタ500では、圧電基板P上に、図16に示すような電極構造が形成されている。第3の実施形態の弾性表面波フィルタ500もまた、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部500Aと、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部500Aに直列に接続された弾性表面波共振子514とを有する。第3の実施形態の弾性表面波フィルタ500は、基本的な構造において、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様であるため、同一部分については、200番台の参照番号に代えて、500番台の参照番号を付することにより、その詳細な説明を省略する。
 第3の実施形態においても、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部500Aは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された第1~第5のIDT501~505を有する。中央に位置している第3のIDT503は、くし歯状電極503aと、第1及び第2の分割くし歯状電極503b,503cとを有する。第1及び第2の分割くし歯状電極503b,503cは、くし歯状電極503aに対向している他方側のくし歯状電極が弾性表面波の伝搬方向において2分割されることにより形成されている。第1及び第2の分割くし歯状電極503b,503cは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されている。第1~第5のIDT501~505が配置されている領域の弾性表面波の伝搬方向両側に、第1及び第2の反射器506,507が配置されている。なお、第3の実施形態の弾性表面波フィルタ500では、第1及び第5のIDT501,505が、それぞれ、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200における第1及び第5のIDT201,205に対して反転されていると共に、第3のIDT503の最外側電極指が信号端子に接続されている電極指とされている。
 第2及び第4のIDT502,504の一端は、弾性表面波共振子514を介して、不平衡信号端子511に接続されている。第2及び第4のIDT502,504の他端は、グラウンド電位に接続されている。第1及び第5のIDT501,505の一端は、グラウンド電位に接続されている。第1のIDT501の他端と第3のIDT503の第1の分割くし歯状電極503bとは、共通接続されて、第1の平衡信号端子512に接続されている。第3のIDT503の第2の分割くし歯状電極503cと第5のIDT505の他端とは、共通接続されて、第2の平衡信号端子513に接続されている。また、中央に位置している第3のIDT503のくし歯状電極503aは、グラウンド電位に接続されている。
 第3の実施形態では、平衡-不平衡変換機能を実現するために、第1の実施形態の場合と同様に、第2のIDT502に対し、第4のIDT504が反転されている。
 図16に示すように、第1~第5のIDT501~505における2つのIDT同士が隣り合う部分では、狭ピッチ電極指部が設けられている。狭ピッチ電極指部では、IDTの端部に位置する最外側電極指を含む複数本の電極指の電極指ピッチが、当該IDTの他の部分の電極指ピッチよりも小さくされている。図16において、狭ピッチ電極指部を模式的にNで示す。IDTにおけるNで示されている部分(狭ピッチ電極指部)以外の部分は、狭ピッチ電極指部とは異なる電極指ピッチの電極指部、すなわちメインピッチ電極指部である。
 図16に示すように、第1のIDT501と第2のIDT502とが隣り合っている部分においては、第1のIDT501の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指であり、第2のIDT502の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 これに対して、第4のIDT504と第5のIDT505とが隣り合っている部分においては、第4のIDT504の最外側電極指及び第5のIDT505の最外側電極指は、いずれも信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 第2のIDT502と第3のIDT503とが隣り合っている部分において、第2のIDT502の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指であり、第3のIDT503の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 これに対して、第3のIDT503と第4のIDT504とが隣り合っている部分においては、第3のIDT403の最外側電極指及び第4のIDT404の最外側電極指は、いずれも信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 従って、第1のIDT501と第2のIDT502とが隣り合っている部分においては、第2のIDT502を流れる信号の位相と、第1のIDT501を流れる信号の位相とは、逆相となっている。一方、第4のIDT504と第5のIDT505とが隣り合っている部分においては、第4のIDT504を流れる信号の位相と、第5のIDT505を流れる信号の位相とは、同相となっている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ500は、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT502,504のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第3のIDT503における、くし歯状電極503aと第1の分割くし歯状電極503bとによる部分及びくし歯状電極503aと第2の分割くし歯状電極503cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ500の特徴は、第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることにある。より具体的には、第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチは、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。すなわち、本実施形態では、第1の平衡信号端子512に接続されており、最外側に位置する第1のIDT501と、不平衡信号端子511に接続されている第2のIDT502とが隣り合っている部分並びに、第2の平衡信号端子513に接続されており、最外側に位置する第5のIDT505と、不平衡信号端子511に接続されている第4のIDT504とが隣り合っている部分において、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が同相である第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が逆相である第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 なお、本実施形態では、第1のIDT501と第5のIDT505とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせたことを除いては、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直方向に延びる仮想中心軸Aを中心として、圧電基板P上の構造は対称とされている。それによって、平衡度が高められる。これは、中央に位置している第3のIDT503と隣り合っている第2及びの第4のIDT502,504において、第3のIDT503に対して隣り合っている最外側電極指の極性が、第2のIDT502と第4のIDT504とで異なっていることを除いては、不平衡成分がほぼ発生しないことによる。
 本実施形態においても、第1~第5のIDT501~505が上記のように構成されているため、平衡度を改善することができる。これを、図17及び図18を参照して説明する。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ500との比較のために、第7の比較例の弾性表面波フィルタと、第8の比較例の弾性表面波フィルタとを用意した。第7の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチと、第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチとを等しくしたことを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ500と同様の構成を有する。第8の比較例の弾性表面波フィルタは、本実施形態の弾性表面波フィルタ500とは逆に、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。第8の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT501のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT505のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ500と同様の構成を有する。
 図17及び図18は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ500、第7の比較例の弾性表面波フィルタ、第8の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図17及び図18において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ500を示し、破線は第7の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第8の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 図17から明らかなように、本実施形態及び第7の比較例のいずれにおいても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近において振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第7の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-1.2dBである。これに対して、本実施形態では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-1.1dBである。従って、本実施形態によれば、振幅平衡度が第7の比較例よりも約0.1dB改善されている。これは、第1の平衡信号端子512から出力される信号と、第2の平衡信号端子513から出力される信号との間の位相のずれが、第1のIDT501と第5のIDT505とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせることにより補正されていることによる。
 他方、図18から明らかなように、位相平衡度については、本実施形態では、第7の比較例よりも若干悪化している。しかしながら、本実施形態においても、位相平衡度の最も悪い値は、168°~192°の範囲内におさまっている。
 また、図17から明らかなように、第8の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第8の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が約-1.4dBであり、第7の比較例よりも悪化している。更に、第8の比較例では、振幅平衡度が、求められる範囲である-1.2dB~+1.2dBの範囲を満たしていない。
 また、図18から明らかなように、第8の比較例では、位相平衡度が悪化している。
 従って、図17及び図18から明らかなように、第3の実施形態においても、位相平衡度をさほど悪化させることなく、振幅平衡度を改善し得ることがわかる。
 〔第4の実施形態〕
 図19は、本発明の第4の実施形態に係る弾性表面波フィルタ600の電極構造を示す模式的平面図である。第4の実施形態の弾性表面波フィルタ600では、圧電基板P上に、図19に示すような電極構造が形成されている。
 第4の実施形態の弾性表面波フィルタ600は、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部600Aと、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部600Aに直列に接続された弾性表面波共振子614とを有する。第4の実施形態の弾性表面波フィルタ600は、基本的な構造において、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様であるため、同一部分については、200番台の参照番号に代えて、600番台の参照番号を付することにより、その詳細な説明を省略する。
 第4の実施形態においても、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部600Aは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された第1~第5のIDT601~605を有する。中央に位置している第3のIDT603は、くし歯状電極603aと、第1及び第2の分割くし歯状電極603b,603cとを有する。第1及び第2の分割くし歯状電極603b,603cは、くし歯状電極603aに対向している他方側のくし歯状電極が弾性表面波の伝搬方向において2分割されることにより形成されている。第1及び第2の分割くし歯状電極603b,603cは、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されている。第1~第5のIDT601~605が配置されている領域の弾性表面波の伝搬方向両側に、第1及び第2の反射器606,607が配置されている。なお、第4の実施形態の弾性表面波フィルタ600では、第1のIDT601,第2のIDT602,第4のIDT604,第5のIDT605が、それぞれ、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200における第1のIDT201,第2のIDT202,第4のIDT204,第5のIDT205に対して反転されていると共に、第3のIDT603の最外側電極指が信号端子に接続されている電極指とされている。
 第2及び第4のIDT602,604の一端は、弾性表面波共振子614を介して、不平衡信号端子611に接続されている。第2及び第4のIDT602,604の他端は、グラウンド電位に接続されている。第1及び第5のIDT601,605の一端は、グラウンド電位に接続されている。第1のIDT601の他端と第3のIDT603の第1の分割くし歯状電極603bとは、共通接続されて、第1の平衡信号端子612に接続されている。第3のIDT603の第2の分割くし歯状電極603cと第5のIDT605の他端とは、共通接続されて、第2の平衡信号端子613に接続されている。また、中央に位置している第3のIDT603のくし歯状電極603aは、グラウンド電位に接続されている。
 第4の実施形態では、平衡-不平衡変換機能を実現するために、第1の実施形態の場合と同様に、第2のIDT602に対し、第4のIDT604が反転されている。
 図19に示すように、第1~第5のIDT601~605における2つのIDT同士が隣り合う部分では、狭ピッチ電極指部が設けられている。狭ピッチ電極指部では、IDTの端部に位置する最外側電極指を含む複数本の電極指の電極指ピッチが、当該IDTの他の部分の電極指ピッチよりも小さくされている。図19において、狭ピッチ電極指部を模式的にNで示す。IDTにおけるNで示されている部分(狭ピッチ電極指部)以外の部分は、狭ピッチ電極指部とは異なる電極指ピッチの電極指部、すなわちメインピッチ電極指部である。
 図19に示すように、第1のIDT601と第2のIDT602とが隣り合っている部分においては、第1のIDT601の最外側電極指及び第2のIDT602の最外側電極指は、いずれも信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 これに対して、第4のIDT604と第5のIDT605とが隣り合っている部分においては、第4のIDT604の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指であり、第5のIDT605の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 第2のIDT602と第3のIDT603とが隣り合っている部分において、第2のIDT602の最外側電極指及び第3のIDT603の最外側電極指は、いずれも信号端子に接続されている電極指である。すなわち、両電極指は同一極性を有している。
 これに対して、第3のIDT603と第4のIDT604とが隣り合っている部分においては、第3のIDT603の最外側電極指は信号端子に接続されている電極指であり、第4のIDT604の最外側電極指はグラウンド電位に接続されている電極指である。すなわち、両電極指の極性は異なっている。
 従って、第1のIDT601と第2のIDT602とが隣り合っている部分においては、第2のIDT602を流れる信号の位相と、第1のIDT601を流れる信号の位相とは、同相となっている。一方、第4のIDT604と第5のIDT605とが隣り合っている部分においては、第4のIDT604を流れる信号の位相と、第5のIDT605を流れる信号の位相とは、逆相となっている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ600は、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT602,604のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第3のIDT603における、くし歯状電極603aと第1の分割くし歯状電極603bとによる部分及びくし歯状電極603aと第2の分割くし歯状電極603cとによる部分のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが等しくされている。第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ600の特徴は、第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることにある。より具体的には、第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチは、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。
 すなわち、本実施形態では、第1の平衡信号端子612に接続されており、最外側に位置する第1のIDT601と、不平衡信号端子611に接続されている第2のIDT602とが隣り合っている部分並びに、第2の平衡信号端子613に接続されており、最外側に位置する第5のIDT605と、不平衡信号端子611に接続されている第4のIDT604とが隣り合っている部分において、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が同相である第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、隣り合っている両方のIDTを流れる信号の位相が逆相である第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされている。
 なお、本実施形態では、第1のIDT601と第5のIDT605とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせたことを除いては、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直方向に延びる仮想中心軸Aを中心として、圧電基板P上の構造は対称とされている。それによって、平衡度が高められる。これは、中央に位置している第3のIDT603と隣り合っている第2及びの第4のIDT602,604において、第3のIDT603に対して隣り合っている最外側電極指の極性が、第2のIDT602と第4のIDT604とで異なっていることを除いては、不平衡成分がほぼ発生しないことによる。
 本実施形態の弾性表面波フィルタ600との比較のために、第9の比較例の弾性表面波フィルタと、第10の比較例の弾性表面波フィルタとを用意した。
 第9の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチと、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチとを等しくしたことを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ600と同様の構成を有する。
 第10の比較例の弾性表面波フィルタは、本実施形態の弾性表面波フィルタ600とは逆に、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも、第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチに対して約0.2%分、小さくされている。第10の比較例の弾性表面波フィルタは、第5のIDT605のメインピッチ電極指部の電極指ピッチが、第1のIDT601のメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされていることを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタ600と同様の構成を有する。
 図20及び図21は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ600、第9の比較例の弾性表面波フィルタ、第10の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。図20及び図21において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタ600を示し、破線は第9の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第10の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 図20から明らかなように、本実施形態及び第9の比較例のいずれにおいても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近において振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第9の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-1.2dBである。これに対して、本実施形態では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-1.1dBである。従って、本実施形態によれば、振幅平衡度が第9の比較例よりも約0.1dB改善されている。これは、第1の平衡信号端子612から出力される信号と、第2の平衡信号端子613から出力される信号との間の位相のずれが、第1のIDT601と第5のIDT605とのメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせることにより補正されていることによる。
 他方、図21から明らかなように、位相平衡度については、本実施形態では、第9の比較例よりも若干悪化している。しかしながら、本実施形態においても、位相平衡度の最も悪い値は、168°~192°の範囲内におさまっている。
 また、図20から明らかなように、第10の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第10の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が約-1.4dBであり、第9の比較例よりも悪化している。更に、第10の比較例では、振幅平衡度が、求められる範囲である-1.2dB~+1.2dBの範囲を満たしていない。また、図21から明らかなように、第10の比較例では、位相平衡度が悪化している。
 従って、図20及び図21から明らかなように、第4の実施形態においても、位相平衡度をさほど悪化させることなく、振幅平衡度を改善し得ることがわかる。
 〔第5の実施形態〕
 本発明の第5の実施形態の弾性表面波フィルタは、第1のIDTと第5のIDTとにおいて、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200のようにメインピッチ電極指部の電極指ピッチを異ならせるのではなく、下記の表4に示すように、メインピッチ電極指部のデューティ比を異ならせた点においてのみ、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と相違する。従って、第5の実施形態の弾性表面波フィルタの電極構造は、第1の実施形態の弾性表面波フィルタ200と同様であるため、以下の第5の実施形態の説明においては、図1に示した第1の実施形態を援用することとする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 表4に示すように、本実施形態の弾性表面波フィルタは、以下のように構成されている。第2及び第4のIDT202,204のメインピッチ電極指部のデューティ比が等しくされている。第3のIDT203における、くし歯状電極203aと第1の分割くし歯状電極203bとによる部分及びくし歯状電極203aと第2の分割くし歯状電極203cとによる部分のメインピッチ電極指部のデューティ比が等しくされている。第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比が、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比よりも小さくされている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタの特徴は、第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比が、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比よりも小さくされていることにある。より具体的には、第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比は、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比よりも、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比に対して約6%分、小さくされている。
 本実施形態の弾性表面波フィルタとの比較のために、第11の比較例の弾性表面波フィルタと、第12の比較例の弾性表面波フィルタとを用意した。第11の比較例の弾性表面波フィルタは、第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比と、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比とを等しくしたことを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタと同様の構成を有する。第12の比較例の弾性表面波フィルタは、本実施形態の弾性表面波フィルタとは逆に、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比が、第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比よりも、第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比に対して約6%分、小さくされている。第12の比較例の弾性表面波フィルタは、第5のIDT205のメインピッチ電極指部のデューティ比が、第1のIDT201のメインピッチ電極指部のデューティ比よりも小さくされていることを除いては、本実施形態の弾性表面波フィルタと同様の構成を有する。
 図22及び図23は、本実施形態に係る弾性表面波フィルタ、第11の比較例の弾性表面波フィルタ、第12の比較例の弾性表面波フィルタの振幅平衡度及び位相平衡度を示す図である。
 図22及び図23において、実線は本実施形態の弾性表面波フィルタを示し、破線は第11の比較例の弾性表面波フィルタを示し、一点鎖線は第12の比較例の弾性表面波フィルタを示す。
 図22から明らかなように、本実施形態及び第11の比較例のいずれにおいても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近において振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第11の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-1.1dBである。これに対して、本実施形態では、1990MHzにおける振幅平衡度は約-0.9dBである。従って、本実施形態によれば、振幅平衡度が第11の比較例よりも約0.2dB改善されている。これは、第1の平衡信号端子212から出力される信号と、第2の平衡信号端子213から出力される信号との間の位相のずれが、第1のIDT201と第5のIDT205とのメインピッチ電極指部のデューティ比を異ならせることにより補正されていることによる。
 他方、図23から明らかなように、位相平衡度については、本実施形態では、第11の比較例よりも若干悪化している。しかしながら、本実施形態においても、位相平衡度の最も悪い値は、168°~192°の範囲内におさまっている。
 また、図22から明らかなように、第12の比較例においても、PCS受信用フィルタの通過帯域上限である1990MHz付近における振幅平衡度が、最も悪い値となっている。第12の比較例では、1990MHzにおける振幅平衡度が約-1.2dBであり、第11の比較例よりも悪化している。また、図23から明らかなように、第12の比較例では、位相平衡度が悪化している。
 図22及び図23から明らかなように、第5の実施形態においても、位相平衡度をさほど悪化させることなく、振幅平衡度を改善し得ることがわかる。従って、第5の実施形態から明らかなように、電極指ピッチに代えて、デューティ比を異ならせることによっても、平衡度を改善し得ることがわかる。
 〔その他〕
 なお、第1~第5の実施形態では、弾性表面波フィルタにつき説明したが、本発明は、上記のように、第1~第5のIDTを有する縦結合共振子型弾性波フィルタの電極構造により平衡度の改善効果を得るものである。そのため、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタだけでなく、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタにも本発明を適用することができる。
 図24は、本発明に係る弾性境界波フィルタ701の一例を示す模式的正面断面図である。弾性境界波フィルタ701では、圧電体からなる圧電基板702上に、誘電体703が積層されている。圧電基板702と誘電体703との界面に、IDTを含む電極構造704が設けられている。この電極構造704として、前述した各実施形態の電極構造を形成することにより、本発明に従って、弾性境界波フィルタを提供することができる。
 200…弾性表面波フィルタ
 200A…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
 201~205…IDT
 201a,201b,203a…くし歯状電極
 203b,203c…分割くし歯状電極
 206,207…反射器
 211…不平衡信号端子
 212…第1の平衡信号端子
 213…第2の平衡信号端子
 214…弾性表面波共振子
 222…ベース基板
 223…樹脂層
 301~305…端子電極
 400…弾性表面波フィルタ
 400A…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
 401~405…IDT
 403a…くし歯状電極
 403b,403c…分割くし歯状電極
 406,407…反射器
 411…不平衡信号端子
 412…第1の平衡信号端子
 413…第2の平衡信号端子
 414…弾性表面波共振子
 500…弾性表面波フィルタ
 500A…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
 501~505…IDT
 503a…くし歯状電極
 503b,503c…分割くし歯状電極
 506,507…反射器
 511…不平衡信号端子
 512…第1の平衡信号端子
 513…第2の平衡信号端子
 514…弾性表面波共振子
 600…弾性表面波フィルタ
 600A…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
 601~605…IDT
 603a…くし歯状電極
 603b,603c…分割くし歯状電極
 606,607…反射器
 611…不平衡信号端子
 612…第1の平衡信号端子
 613…第2の平衡信号端子
 614…弾性表面波共振子
 701…弾性境界波フィルタ
 702…圧電基板
 703…誘電体
 704…電極構造
 P…圧電基板

Claims (9)

  1.  圧電基板と、前記圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、
     前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、前記第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、
     前記第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ前記第1の分割くし歯状電極は前記第2のIDTに近い側に、前記第2の分割くし歯状電極は前記第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、
     前記第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、前記第1のIDTと前記第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、前記第5のIDTと前記第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、
     前記第1及び第5のIDTがそれぞれ一定の電極指ピッチを有し、前記第1のIDTの電極指ピッチが前記第5のIDTの電極指ピッチよりも小さくされており、
     前記第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、前記第1のIDTを流れる信号の位相と前記第2のIDTを流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタ。
  2.  圧電基板と、前記圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、
     前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、前記第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、
     前記第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ前記第1の分割くし歯状電極は前記第2のIDTに近い側に、前記第2の分割くし歯状電極は前記第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、
     前記第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、前記第1のIDTと前記第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、前記第5のIDTと前記第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、
     前記第1及び第5のIDTがそれぞれ一定の電極指ピッチを有し、前記第1のIDTの電極指ピッチが前記第5のIDTの電極指ピッチよりも小さくされており、
     前記第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、互いに隣り合う最外側電極指の極性が同じである、弾性波フィルタ。
  3.  圧電基板と、前記圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、
     前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、前記第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、
     前記第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ前記第1の分割くし歯状電極は前記第2のIDTに近い側に、前記第2の分割くし歯状電極は前記第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、
     前記第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、前記第1のIDTと前記第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、前記第5のIDTと前記第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、
     前記第1及び第5のIDTが、メインピッチ電極指部と、メインピッチ電極指部よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ電極指部とを有し、前記第1のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチが前記第5のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、あるいは前記第1のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチが前記第5のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、
     前記第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、前記第1のIDTを流れる信号の位相と前記第2のIDTを流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタ。
  4.  圧電基板と、前記圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、
     前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、前記第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、
     前記第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ前記第1の分割くし歯状電極は前記第2のIDTに近い側に、前記第2の分割くし歯状電極は前記第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、
     前記第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、前記第1のIDTと前記第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、前記第5のIDTと前記第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、
     前記第1及び第5のIDTが、メインピッチ電極指部と、メインピッチ電極指部よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ電極指部とを有し、前記第1のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチが前記第5のIDTのメインピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、あるいは前記第1のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチが前記第5のIDTの狭ピッチ電極指部の電極指ピッチよりも小さくされており、
     前記第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、互いに隣り合う最外側電極指の極性が同じである、弾性波フィルタ。
  5.  圧電基板と、前記圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、
     前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、前記第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、
     前記第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ前記第1の分割くし歯状電極は前記第2のIDTに近い側に、前記第2の分割くし歯状電極は前記第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、
     前記第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、前記第1のIDTと前記第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、前記第5のIDTと前記第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、
     前記第1のIDTのデューティ比が前記第5のIDTのデューティ比よりも小さくされており、
     前記第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、前記第1のIDTを流れる信号の位相と前記第2のIDTを流れる信号の位相とが同相である、弾性波フィルタ。
  6.  圧電基板と、前記圧電基板に形成された縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを少なくとも備え、
     前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1,第2,第3,第4及び第5のIDTと、前記第1,第2,第3,第4及び第5のIDTが配置された領域を挟み込むように弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の反射器とを備え、
     前記第3のIDTは、弾性波の伝搬方向に沿って配置された第1及び第2の分割くし歯状電極を有し、かつ前記第1の分割くし歯状電極は前記第2のIDTに近い側に、前記第2の分割くし歯状電極は前記第4のIDTに近い側にそれぞれ配置されており、
     前記第2及び第4のIDTは不平衡信号端子に、前記第1のIDTと前記第3のIDTの第1の分割くし歯状電極とは第1の平衡信号端子に、前記第5のIDTと前記第3のIDTの第2の分割くし歯状電極とは第2の平衡信号端子にそれぞれ接続されており、
     前記第1のIDTのデューティ比が前記第5のIDTのデューティ比よりも小さくされており、
     前記第1及び第2のIDTが隣り合う部分において、互いに隣り合う最外側電極指の極性が同じである、弾性波フィルタ。
  7.  弾性波が弾性表面波であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性波フィルタ。
  8.  弾性波が弾性境界波であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性波フィルタ。
  9.  請求項1~8のいずれか1項に記載の弾性波フィルタを備えることを特徴とする、通信機。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104467734A (zh) * 2014-11-07 2015-03-25 深圳华远微电科技有限公司 Gps和bds用声表面波滤波器及其小型化封装工艺
CN105284050A (zh) * 2013-06-13 2016-01-27 株式会社村田制作所 声表面波滤波器装置以及双工器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251964A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性波フィルタ及び通信機
EP2658123B1 (en) * 2010-12-24 2019-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same.
WO2013069225A1 (ja) * 2011-11-10 2013-05-16 パナソニック株式会社 弾性波装置
JP6465047B2 (ja) * 2016-02-19 2019-02-06 株式会社村田製作所 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
US10998880B2 (en) * 2016-03-31 2021-05-04 Kyocera Corporation Acoustic wave element and communication apparatus
US10148246B2 (en) * 2016-06-08 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer and radio-frequency (RF) front-end module
WO2018116717A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置の製造方法、弾性波装置、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
JP2019145895A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091881A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードsawフィルタ
JP2002084163A (ja) * 2000-05-22 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP2003152502A (ja) * 2001-08-29 2003-05-23 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
WO2009001651A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Kyocera Corporation 弾性表面波装置及び通信装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003003574A1 (ja) 2001-06-29 2004-10-21 松下電器産業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP4270207B2 (ja) * 2003-09-25 2009-05-27 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ及び通信機
EP1729415B1 (en) * 2004-08-23 2014-04-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Balanced surface acoustic wave filter
WO2006068086A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. バランス型sawフィルタ
CN100563102C (zh) * 2006-01-20 2009-11-25 株式会社村田制作所 声表面波滤波器件
WO2008038502A1 (fr) * 2006-09-25 2008-04-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtre d'onde acoustique d'interface
JP2008252678A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
US8339221B2 (en) * 2008-09-22 2012-12-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter device having narrow-pitch electrode finger portions
JP2010251964A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性波フィルタ及び通信機

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091881A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードsawフィルタ
JP2002084163A (ja) * 2000-05-22 2002-03-22 Murata Mfg Co Ltd 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP2003152502A (ja) * 2001-08-29 2003-05-23 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
WO2009001651A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Kyocera Corporation 弾性表面波装置及び通信装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105284050A (zh) * 2013-06-13 2016-01-27 株式会社村田制作所 声表面波滤波器装置以及双工器
CN104467734A (zh) * 2014-11-07 2015-03-25 深圳华远微电科技有限公司 Gps和bds用声表面波滤波器及其小型化封装工艺
CN104467734B (zh) * 2014-11-07 2017-10-20 深圳华远微电科技有限公司 Gps和bds用声表面波滤波器及其小型化封装工艺

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