WO2006059501A1 - チャージポンプ回路の駆動回路および電源装置ならびに発光装置 - Google Patents

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pump circuit
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voltage
oscillator
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Tomoyuki Ito
Isao Yamamoto
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Rohm Co Ltd
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B45/30Driver circuits
    • H05B45/37Converter circuits
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    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Definitions

  • the present invention relates to a drive circuit for driving a charge pump circuit.
  • LEDs light emitting diodes
  • the output voltage is usually about 3.5V, and about 4.2V even when fully charged.
  • the voltage required to drive the LED is 4V or higher, so it is necessary to boost the battery voltage using a power supply device such as a switching regulator and supply it to the LED as necessary.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 6-78527
  • the charge pump circuit control circuit has a built-in oscillator for this purpose.
  • the boosting rate of the charge pump circuit is set to 1x and the boosting operation is not performed, it is not necessary to turn on / off the switching transistor by simply bypassing the input / output terminal of the charge pump circuit. If the 1MHz oscillator is operated, power is wasted.
  • the present invention has been made in view of these problems, and a purpose thereof is to provide a drive circuit for a charge pump circuit with reduced current consumption and improved efficiency. Means for solving the problem
  • This drive circuit is a drive circuit for a charge pump circuit capable of switching a plurality of boosting rates, and includes a control unit that controls the charge pump circuit, a first oscillator that outputs a first period signal, and a frequency that is a first period. A second oscillator that outputs a second periodic signal for time measurement set lower than the signal.
  • the control unit turns on only the first oscillator when the boost rate of the charge pump circuit is greater than 1, and controls the boost operation of the charge pump circuit and measures the time based on the first period signal. If the circuit boost ratio is 1, turn on only the second oscillator and measure the time based on the second periodic signal.
  • the first oscillator is turned off and the time measurement is performed. Only the second low-frequency oscillator provided in is turned on. Since the current consumption of the oscillator becomes smaller as the frequency is lower, according to this aspect, it is possible to reduce the current consumption when the step-up ratio is 1 and to achieve high efficiency.
  • the control unit switches the boost rate of the charge pump circuit when a voltage to be monitored for switching the boost rate of the charge pump circuit satisfies a predetermined condition for a predetermined time or more.
  • the control unit may perform the time measurement at this time based on the first or second periodic signal.
  • step-up rate When the step-up rate is higher than one time, time measurement for switching the step-up rate is performed using the first periodic signal with a high frequency used to turn on / off the switching element of the charge pump circuit, and the step-up rate is Sometimes, the circuit can be made highly efficient by measuring the time for switching the step-up rate using the second periodic signal having a low frequency.
  • the frequency of the second period signal may be set to be higher than the minimum frequency required for measuring a predetermined time in the control unit.
  • the second periodic signal is set to the minimum frequency required for the time measurement according to the length of time to be measured in the control unit, thereby reducing the current consumption of the second oscillator and increasing the boost ratio to 1 time. Efficiency can be improved.
  • the frequency of the second period signal may be set to 1Z10 or less of the frequency of the first period signal.
  • the frequency of the second oscillator is set by setting the length of the time to be measured by the second periodic signal to be shorter by one digit or more than the periodic time of the first periodic signal for turning on / off the switching element of the charge pump circuit. Can be set to 1Z10 or less of the frequency of the first oscillator, and the current consumption when the step-up rate is 1 can be reduced.
  • This power supply device includes a charge pump circuit capable of switching a plurality of boosting rates, and the above-described drive circuit that drives the charge pump circuit.
  • the first and second oscillators are provided in the drive circuit, and the charge pump circuit does not need to be switched.
  • the boost ratio is 1, the high efficiency of the power supply is achieved by turning on only the second oscillator with a low frequency. be able to.
  • the drive circuit of the charge pump circuit According to the drive circuit of the charge pump circuit according to the present invention, it is possible to reduce the consumption current when the step-up rate is 1 and to achieve high efficiency.
  • FIG. 1 is a diagram showing an entire drive circuit and a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the charge pump circuit of FIG.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of the constant current circuit and the monitoring circuit of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a diagram showing current-voltage characteristics of a FET that is a first transistor.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the input voltage of the charge pump circuit and the efficiency.
  • FIG. 1 shows a light emitting device 1000 according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 1000 includes a light emitting diode 300 that is a light emitting element, and a power supply device 100 for driving the light emitting diode 300.
  • the light emitting device 1000 is mounted on an information terminal driven by the battery 500, and the power supply device 100 generates a voltage necessary to drive the light emitting diode by boosting the battery voltage Vbat output from the battery 500.
  • the light emitting device 1000 is mounted on an electronic device such as a mobile phone terminal or a PDA.
  • the power supply apparatus 100 has an input terminal 102 to which the battery voltage Vbat is input as an input / output terminal, an output terminal 104 that is connected to the anode terminal of the light emitting diode 300 and outputs an output voltage Vout obtained by boosting the battery voltage Vbat, Includes LED terminal 106 connected to the power sword terminal of light emitting diode 300.
  • the power supply apparatus 100 includes a charge pump circuit 10 and its drive circuit 20.
  • the charge pump circuit 10 the battery voltage Vbat input from the input terminal 102 is boosted, and the output voltage Vout is generated from the output terminal 104.
  • the charge pump circuit 10 is configured such that a plurality of boosting rates can be switched. In this embodiment, it is assumed that the step-up rate can be switched in three ways: 1 time, 1.5 times, and 2 times.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the charge pump circuit 10.
  • the charge pump circuit 10 includes a first capacitor Cl, a second capacitor C2, and a first switch SW1 to a ninth switch SW9 for controlling the connection state of these capacitors.
  • these switches are collectively referred to as switch SW when it is not necessary to distinguish them.
  • the first capacitor C1 and the second capacitor C2 have the same capacitance value and are externally attached to the outside of the integrated circuit.
  • the first switch SW1 to the ninth switch SW9 can be configured by an N-type or P-type field effect transistor FET, and are switched by controlling the conduction state between the drain and the source by the voltage applied to the gate terminal. It can be operated as an element. In this charge pump circuit 10, switching is performed by the control signal Vent output from the on / off state force drive circuit 20 of the first switch SW 1 to the ninth switch SW 9. The control signal Vent is not shown in FIG. 2, but the first switch SW1 to the ninth switch. It will be input to each of the switches SW9!
  • the charge pump circuit 10 is configured such that a plurality of boosting rates can be switched as described above. Here, the operation according to the boosting rate of the charge pump circuit 10 will be described.
  • the step-up rate is set to 1 time
  • the first switch SW1, the third switch SW3, the seventh switch SW7, and the eighth switch SW8 are steadily driven by the drive signal Vent output from the drive circuit 20. It is turned on and all other switches are turned off.
  • the input terminal 102 and the output terminal 104 are turned on by the switch that is turned on, the battery voltage Vbat applied to the input terminal 102 is output from the output terminal 104, and the boost rate is set to 1 time. become.
  • control signal Vent output from the drive circuit 20 when the boosting rate is set to 1 is a constant voltage that is not a switching signal that repeatedly turns on and off over time.
  • the charge pump circuit 10 repeats the first period and the second period in which the connection state of the switch SW is different.
  • the first switch SW1, the fifth switch SW5, and the sixth switch SW6 are turned on, and all other switches are turned off to connect the first capacitor C1 and the second capacitor C2 in series. Connect and charge with battery voltage Vbat. Since the capacitance values of the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are equal, the two capacitors are charged with VbatZ2 which is 1Z2 of the battery voltage Vbat.
  • the second switch SW2 and the seventh switch SW7, the fourth switch SW4 and the eighth switch SW8 are turned on, and all the other switches are turned off.
  • the first capacitor Cl and the second capacitor C2 are connected in parallel between the input terminal 102 and the output terminal 104.
  • the output terminal 104 outputs the sum of the battery voltage Vbat applied to the input terminal 102 and the charging voltage of the capacitor.
  • the charge pump circuit 10 repeats the first period and the second period to Output the voltage Vbat multiplied by 1.5.
  • the first switch SW1 and the ninth switch SW9, the third switch SW3 and the sixth switch SW6 are turned on, and all the other switches are turned off.
  • the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are connected in parallel between the input terminal 102 and the ground terminal GND, and each is charged with the battery voltage Vbat.
  • the second switch SW2 and the seventh switch SW7, the fourth switch SW4 and the eighth switch SW8 are turned on, and all the other switches are turned off.
  • the first capacitor Cl and the second capacitor C2 are connected in parallel between the input terminal 102 and the output terminal 104. From the output terminal 104, the sum of the battery voltage Vbat applied to the input terminal 102 and the charging voltage of the capacitor is output.
  • the charge pump circuit 10 repeats the first period and the second period, thereby doubling and outputting the battery voltage Vbat.
  • the drive circuit 20 sets the step-up rate of the charge pump circuit 10 and controls the step-up operation, that is, the connection state of the switch SW of the charge pump circuit 10.
  • the drive circuit 20 includes a constant current circuit 22, a control unit 24, a first oscillator 26, a second oscillator 28, and a monitoring circuit 30.
  • the constant current circuit 22 is connected to the force sword terminal of the light emitting diode 300 via the LED terminal 106. Since the light emission luminance of the light emitting diode 300 is determined by the current lied flowing through the light emitting diode 300, the constant current circuit 22 controls the current lied so that the light emission luminance of the light emitting diode 300 becomes a desired value.
  • the monitoring circuit 30 monitors the voltage across the constant current circuit 22 as a voltage to be monitored in order to switch the boosting rate of the charge pump circuit 10.
  • the monitoring circuit 30 compares the voltage across the constant current circuit 22 with a predetermined voltage and outputs the comparison result to the control unit 24.
  • the voltage across the constant current circuit 22 corresponds to the voltage between the ground terminal and the LED terminal 106.
  • the control unit 24 is based on the output from the monitoring circuit 30. Switches the boost rate of charge pump circuit 10.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing configurations of the constant current circuit 22 and the monitoring circuit 30.
  • the constant current circuit 22 includes a first transistor Ml, a first resistor Rl, and a first operational amplifier 40.
  • the first transistor Ml is an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
  • the first transistor Ml and the first resistor Rl are provided in series with a constant current flow path.
  • a connection point of the first transistor Ml and the first resistor R1 is connected to the inverting input terminal of the first operational amplifier 40, and the voltage Vrl is fed back.
  • a luminance control voltage Ve that indicates the light emission luminance of the light emitting diode 300 is applied to the non-inverting input terminal.
  • the output terminal of the first operational amplifier 40 is connected to the gate terminal that is the control terminal of the first transistor M1.
  • the voltage Vrl applied to the first resistor R1 is returned to the inverting input terminal of the first operational amplifier 40, and feedback is performed so that the voltages of the inverting input terminal and the non-inverting input terminal become equal. For this reason, the voltage applied to the first resistor R1 approaches the luminance control voltage Ve.
  • the constant current region means the saturation region when the transistor is a field effect transistor FET, and the active region when the transistor is a neuropolar transistor.
  • the device When the voltage Vied of the LED terminal 106 decreases, the potential difference between both ends of the first transistor Ml, that is, the drain-source voltage decreases, and the device operates in the non-saturated region. In the non-saturated region, the current flowing between the drain and the source depends on the drain-source voltage, so the constant current circuit 22 does not operate as a constant current circuit, and the light emission luminance of the light emitting diode 300 is stabilized. I can't do that.
  • the monitoring circuit 30 has a predetermined voltage Vied at the LED terminal 106. Monitor not to drop below threshold voltage Vth.
  • This threshold voltage Vth is set within a range in which the first transistor Ml operates in the constant current region (saturation region).
  • the monitoring circuit 30 includes a voltage comparator 50 and a voltage source 52 that outputs a threshold voltage Vth.
  • the voltage comparator 50 receives the voltage Vied of the LED terminal 106 and the threshold voltage Vth, and outputs a high level when Vied> Vth and a low level when Vied> Vth.
  • the output Vs of the voltage comparator 50 is input to the control unit 24.
  • the control unit 24 increases the boost rate of the charge pump circuit 10. Increase one step. That is, if the voltage Vs output from the monitoring circuit 30 becomes a low level when operating at a boost ratio of 1, the boost ratio is set to 1.5. Similarly, when the voltage Vs output from the monitoring circuit 30 becomes low level when operating at 1.5 times, the boost rate is set to 2 times.
  • the battery voltage Vbat decreases due to the discharge of the battery 500, and accordingly, even when the voltage Vied of the power sword terminal of the light emitting diode 300 decreases, the boosting rate can be switched appropriately. . If the boost ratio is set high, the output voltage Vout output from the output terminal 104 will rise, so the voltage Vied at the LED terminal 106 can be made higher than the threshold voltage Vth, and the constant current The circuit 22 can be operated stably.
  • the threshold voltage Vth output from the voltage source 52 is a voltage at which the constant current circuit 22 can operate stably, that is, the first transistor Ml operates in the constant current region (saturation region).
  • the range is set.
  • the threshold voltage Vth is set to 0.3V.
  • Fig. 4 shows the current-voltage characteristics (IV characteristics) of the FET, which is the first transistor Ml.
  • the vertical axis shows the drain-source current Ids, and the horizontal axis shows the drain-source voltage Vds.
  • the average current-voltage characteristic IVml is a saturated region when the drain-source voltage is higher than the voltage Vxl, and a non-saturated region when the drain-source voltage is lower than the voltage Vxl. If the current-voltage characteristic IV changes to the current-voltage characteristic IVm2 due to variations in the semiconductor manufacturing process and temperature changes, the boundary voltage between the saturated region and the non-saturated region also shifts to Vx2. To do something.
  • the voltage across the constant current circuit 22 is the sum of the voltage drop Vrl in the first resistor R1 and the drain-source voltage of the first transistor Ml. Therefore, the voltage necessary for stable operation of the constant current circuit 22 also changes with the fluctuation of the current-voltage characteristics of the first transistor Ml. Similarly, this voltage changes due to variations in the resistance value of the first resistor R1.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the battery voltage Vbat as the input voltage of the charge pump circuit 10 and the efficiency of 7 ?.
  • Vbat Vled + Vf using the forward voltage Vf of the light emitting diode 300.
  • the threshold voltage Vth is fixed to the voltage Vthl, the characteristics of the first transistor Ml vary, and the voltage for stable operation of the constant current circuit 22 becomes lower than the threshold voltage Vthl. Even in this case, the step-up rate can be switched to 1.5 times in the state of Vbat and Vbatl, and there is room for improvement in terms of efficiency.
  • the voltage source 52 of the monitoring circuit 30 follows the characteristic variation of the first transistor Ml and the first resistor R1. Tashiki! /, Configured to generate the value voltage Vth! RU
  • the voltage source 52 includes a second transistor M2, a second resistor R2, and a current source 54.
  • the second transistor M2, the second resistor R2, and the current source 54 are connected in series, and the constant voltage Ic generated by the current source 54 is passed through the second transistor M2 and the second resistor R2.
  • the voltage source 52 outputs the voltage at the connection point between the second transistor M2 and the current source 54 as the threshold voltage Vth.
  • the voltage source 52 is substantially the same as the constituent force constant current circuit 22 of the main part for generating the threshold voltage Vth.
  • the first resistor R1 and the second resistor R2 are preferably formed close to each other and paired.
  • the threshold voltage Vth can be changed following the characteristic change of the first transistor Ml.
  • the resistance value of the first resistor R1 changes due to variations in semiconductor manufacturing processes and temperature changes
  • the resistance value of the second resistor R2 should also be changed in the same way.
  • the threshold voltage Vth follows the characteristic fluctuation of the second resistor R2.
  • the control unit 24 can set an optimum boosting rate. As a result, as shown in FIG. 5, it means that the voltage for switching the boost rate can be set appropriately in the range of Vbatl to Vbat2, and therefore the efficiency of the charge pump circuit 10 can be improved. Similarly, switching the boost ratio from 1.5 times to 2 times is performed at the optimum voltage, which can improve efficiency.
  • the control unit 24 sets the boosting rate of the charge pump circuit 10 and generates a control signal Vent corresponding to the set boosting rate.
  • the control unit 24 monitors the output signal Vs of the monitoring circuit 30, and increases the step-up rate when the state where the output signal Vs is at a low level continues for a predetermined time. In the present embodiment, the control unit 24 increases the step-up rate of the charge pump circuit 10 by one step when the output signal Vs of the monitoring circuit 30 becomes low level for 2 ms.
  • the periodic signal necessary for the control unit 24 to generate the control signal Vent and measure time is output from the first oscillator 26 and the second oscillator 28.
  • Each of the first oscillator 26 and the second oscillator 28 has an enable terminal (not shown), and is configured to be able to stop its operation.
  • the control unit Vent When the boosting operation is performed by the charge pump circuit 10, that is, the control signal Vent when the boosting rate is set to 1.5 times or 2 times, the control unit Vent is supplied from the first switch SW1 to the ninth switch. It is a switching signal that turns SW9 on and off.
  • the first oscillator 26 generates a first periodic signal Voscl having a frequency required for this switching signal. For example, the frequency of the first period signal Voscl is set to 1 MHz.
  • control unit 24 generates the second periodic signal Vosc2 having a frequency required for measuring the time 2ms when the output signal Vs of the monitoring circuit 30 is monitored. Since the time of about 2 ms can be measured at a frequency of about several tens of kHz, in the present embodiment, the frequency of the second period signal Vosc2 is set to 64 kHz.
  • the drive circuit 20 switches between using either the first oscillator 26 or the second oscillator 28 according to the boost rate of the charge pump circuit 10. Therefore, the control unit 24 outputs an enable signal for controlling on / off to the enable terminals of the first oscillator 26 and the second oscillator 28 in accordance with the boost rate of the charge pump circuit 10.
  • the step-up rate is set to 1. If the battery voltage Vbat decreases due to power consumption, the voltage Vied at the LED terminal 106 also decreases.
  • the threshold voltage Vth output from the voltage source 52 is compared with the voltage Vied of the LED terminal 106, and when Vied becomes Vth, a low level is output as the output signal Vs.
  • the control unit 24 turns off the first oscillator 26, operates only the second oscillator 28, and performs time measurement using the second periodic signal Vosc2.
  • the control unit 24 sets the boost rate to 1.
  • the step-up rate is higher than 1, it is necessary to generate a switching signal that repeatedly turns on and off as the control signal Vent to be output to the charge pump circuit 10 as described above.
  • the control unit 24 since the control unit 24 requires the first periodic signal Voscl, the first oscillator 26 is turned on.
  • the step-up rate is 1.5 times, the control unit 24 performs time measurement for monitoring the state of the output signal Vs of the monitoring circuit 30 using the first period signal Voscl.
  • the second periodic signal Vosc2 since the second periodic signal Vosc2 is not required, the control unit 24 turns off the second oscillator 28.
  • the control unit 24 keeps only the first oscillator 26 on and controls based on the first periodic signal Voscl. Generate signal Vc nt and measure time of 2ms.
  • the current consumption of the oscillator depends on the frequency, and the current consumption increases as the frequency becomes higher!
  • the current consumption of the first oscillator 26 is larger than the current consumption of the second oscillator 28. Therefore, according to the drive circuit 20 according to the present embodiment, when performing the boosting operation, the first oscillator 26 that oscillates at 1 MHz is turned on to generate the control signal Vent and set the boosting rate. Measure time to do. On the other hand, when the step-up rate is 1, the control signal Vent has a high frequency and it is not necessary to generate a signal. Therefore, the current consumption is small, and switching to the second oscillator 28 reduces the current consumption of the circuit. High efficiency can be achieved. [0060] The configuration and operation of power supply device 100 according to the present embodiment have been described above.
  • the drive circuit of the charge pump circuit oscillates at a different frequency when it is necessary to measure time in addition to the generation of the control signal for controlling the charge pump operation.
  • the boost ratio is 1x
  • the case where the first oscillator 26 and the second oscillator 28 are configured separately has been described.
  • the frequency can be switched between two types of the first period signal and the second period signal.
  • You may comprise integrally as an oscillator.
  • the same effect as that described in the embodiment can be obtained by switching the frequency of the oscillator in accordance with the step-up rate of the charge pump circuit 10.
  • the circuit area can be reduced by configuring the two oscillators together.
  • the present invention can be widely applied to the drive circuit of the charge pump circuit 10 in which the boost rate can be switched.
  • the present invention is not limited to this. Can also be applied.
  • the load circuit is not necessarily driven at a constant current as in the light emitting diode 300.
  • the step-up rate may be set based on the battery voltage Vbat, which is the input voltage of the charge pump circuit 10, or the output voltage Vout of the charge pump circuit 10.
  • the monitoring circuit 30 monitors the battery voltage Vbat or the output voltage Vout as a voltage to be monitored in order to switch the boost rate of the charge pump circuit 10, and the control unit 24 monitors the battery voltage Vbat or the output voltage.
  • Charge pump when Vout falls below a certain voltage for a certain time Switch the boost rate of circuit 10.
  • the transistor to be used is an FET, but another type of transistor such as a bipolar transistor may be used.
  • the selection is based on the design specifications required for the power supply device. It may be determined by a semiconductor manufacturing process or the like.
  • all the elements constituting the power supply device may be integrated, or a part thereof may be constituted by discrete components. Which parts are to be integrated may be determined according to cost, occupied area, and the like.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

 効率を改善したチャージポンプ回路の駆動回路を提供する。  昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路10の駆動回路20において、制御部24は、チャージポンプ回路10を制御する。第1発振器26は、制御部24によりチャージポンプ回路10の昇圧動作を制御するために必要な第1周期信号を出力する。第2発振器28は、周波数が第1周期信号より低く設定される時間測定用の第2周期信号を出力する。制御部24は、駆動回路20自身あるいはチャージポンプ回路10の状態を監視し、所定の状態が所定の時間以上持続したときにチャージポンプ回路10の昇圧率を切り替える。制御部24は、チャージポンプ回路10の昇圧率が1倍より大きいとき第1発振器26のみをオンし、第1周期信号にもとづいて昇圧動作の制御および時間測定を行う一方、昇圧率が1倍のとき、第2発振器28のみをオンし、第2周期信号にもとづいて時間測定を行う。

Description

明 細 書
チャージポンプ回路の駆動回路および電源装置ならびに発光装置 技術分野
[0001] 本発明は、チャージポンプ回路を駆動するための駆動回路に関する。
背景技術
[0002] 近年の携帯電話、 PDA (Personal Digital Assistance)等の情報端末は、例え ば液晶のバックライトに用いられる発光ダイオード(Light Emitting Diode、以下 LEDという)を備えている。これらの情報端末では、 Liイオン電池が多く用いられるが 、その出力電圧は通常 3. 5V程度であり、満充電時においても 4. 2V程度である。一 方、 LEDの駆動に必要な電圧は 4V以上であるため、必要に応じてスイッチングレギ ユレータ等の電源装置を用いて電池電圧を昇圧し、 LEDに供給する必要がある。
[0003] ここで、特許文献 1に記載されるような昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路 を、 LEDを駆動するための電源装置として用いた場合、電池電圧が十分高いときに は、昇圧率を 1倍に設定し、電池電圧が低下するにしたがって昇圧率を高くすること により、 LEDを安定に駆動することができる。
[0004] 特許文献 1 :特開平 6— 78527号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] ここで、昇圧率を 1倍より高く設定し、昇圧動作を行う場合には、チャージポンプ回 路のコンデンサの充放電を制御するために 1MHz程度の周波数でスイッチングトラン ジスタをオンオフさせる必要があり、チャージポンプ回路の制御回路は、このための 発振器を内蔵している。し力しながら、チャージポンプ回路の昇圧率を 1倍に設定し、 昇圧動作を行わな 、場合には、チャージポンプ回路の入出力端子をバイパスすれ ばよぐスイッチングトランジスタをオンオフさせる必要がないため、 1MHzの発振器を 動作させておくと、無駄に電力を消費することになる。
[0006] 本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電流を低減 し、効率を改善したチャージポンプ回路の駆動回路の提供にある。 課題を解決するための手段
[0007] 本発明のある態様はチャージポンプ回路の駆動回路に関する。この駆動回路は、 複数の昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路の駆動回路であって、チャージ ポンプ回路を制御する制御部と、第 1周期信号を出力する第 1発振器と、周波数が第 1周期信号より低く設定される時間測定用の第 2周期信号を出力する第 2発振器と、 を備える。制御部は、チャージポンプ回路の昇圧率が 1倍より大きいときは第 1発振 器のみをオンし、第 1周期信号にもとづいてチャージポンプ回路の昇圧動作の制御 および時間測定を行う一方、チャージポンプ回路の昇圧率が 1倍のときは、第 2発振 器のみをオンし、第 2周期信号にもとづいて時間測定を行う。
[0008] すなわち、チャージポンプ回路の駆動回路に発振周波数の異なる 2つの発振器を 設け、チャージポンプ回路のスイッチング動作が不要となる昇圧率が 1倍のときには、 第 1発振器をオフし、時間測定用に設けられた周波数の低い第 2発振器のみをオン する。発振器の消費電流は、周波数が低いほど小さくなるため、この態様によれば、 昇圧率が 1倍のときの消費電流を低減することができ、高効率ィ匕を図ることができる。
[0009] 制御部は、チャージポンプ回路の昇圧率を切り替えるために監視すべき電圧が所 定の時間以上にわたり、所定の条件を満たしたとき、チャージポンプ回路の昇圧率を 切り替える。制御部は、このときの時間測定を、第 1または第 2周期信号にもとづいて 行ってもよい。
昇圧率が 1倍より高いときには、チャージポンプ回路のスイッチング素子のオンオフ に使用される周波数の高い第 1周期信号を利用して昇圧率切り替えのための時間測 定を行い、昇圧率が 1倍のときには、周波数の低い第 2周期信号を利用して昇圧率 切り替えのための時間測定を行うことにより、回路を高効率ィ匕することができる。
[0010] 第 2周期信号の周波数は、制御部において所定の時間を計測するために必要とさ れる最低周波数より高く設定されてもよい。
第 2周期信号は、制御部において測定すべき時間の長さに応じて、その時間測定 に最低限必要な周波数とすることで、第 2発振器の消費電流を低減し、昇圧率 1倍時 の効率を改善することができる。
[0011] 第 2周期信号の周波数は、第 1周期信号の周波数の 1Z10以下に設定されてもよ い。チャージポンプ回路のスイッチング素子をオンオフするための第 1周期信号の周 期時間に対して、第 2周期信号によって測定すべき時間の長さを一桁以上短く設定 することによって、第 2発振器の周波数を第 1発振器の周波数の 1Z10以下に設定 することができ、昇圧率が 1倍のときの消費電流を低減することができる。
[0012] 本発明の別の態様は、電源装置である。この電源装置は、複数の昇圧率が切り替 え可能なチャージポンプ回路と、前記チャージポンプ回路を駆動する上述の駆動回 路と、を備える。
駆動回路に第 1、第 2発振器を設け、チャージポンプ回路をスイッチング動作させる 必要のない昇圧率 1倍時に、周波数の低い第 2発振器のみをオンすることによって電 源装置の高効率ィ匕を図ることができる。
[0013] なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を方法、装置 、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。 発明の効果
[0014] 本発明に係るチャージポンプ回路の駆動回路によれば、昇圧率が 1倍のときの消 費電流を低減し、高効率ィ匕を図ることができる。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]本発明の実施の形態に係る駆動回路および発光装置全体を示す図である。
[図 2]図 1のチャージポンプ回路の構成を示す回路図である。
[図 3]図 1の定電流回路および監視回路の構成を示す回路図である。
[図 4]第 1トランジスタである FETの電流電圧特性を示す図である。
[図 5]チャージポンプ回路の入力電圧と、効率の関係を示す図である。
符号の説明
[0016] 10 チャージポンプ回路、 20 駆動回路、 22 定電流回路、 24 制御部、 2 6 第 1発振器、 28 第 2発振器、 30 監視回路、 40 第 1演算増幅器、 52 電圧源、 100 電源装置、 102 入力端子、 104 出力端子、 106 LED端子 、 300 発光ダイオード、 1000 発光装置、 Ml 第 1トランジスタ、 R1 第 1抵 抗、 M2 第 2トランジスタ、 R2 第 2抵抗。 発明を実施するための最良の形態
[0017] 図 1は、本発明の実施の形態に係る発光装置 1000を示す。この発光装置 1000は 、発光素子である発光ダイオード 300と、その発光ダイオード 300を駆動するための 電源装置 100を含む。発光装置 1000は、電池 500により駆動される情報端末に搭 載され、電源装置 100は、電池 500から出力される電池電圧 Vbatを昇圧して発光ダ ィオードを駆動するために必要な電圧を生成する。発光装置 1000は、たとえば携帯 電話端末や PDAなどの電子機器に搭載されるものである。
[0018] 電源装置 100は、入出力端子として、電池電圧 Vbatが入力される入力端子 102、 発光ダイオード 300のアノード端子に接続され、電池電圧 Vbatを昇圧した出力電圧 Voutを出力する出力端子 104、発光ダイオード 300の力ソード端子に接続される LE D端子 106を含む。
[0019] 電源装置 100は、チャージポンプ回路 10およびその駆動回路 20を含む。チャージ ポンプ回路 10には、入力端子 102から入力された電池電圧 Vbatを昇圧し、出力端 子 104から出力電圧 Voutを生成する。このチャージポンプ回路 10は、複数の昇圧 率が切り替え可能に構成されている。本実施の形態において、昇圧率は 1倍、 1. 5 倍、 2倍の 3通りで切り替えられるものとする。
[0020] 図 2は、チャージポンプ回路 10の構成を示す回路図である。チャージポンプ回路 1 0は、第 1コンデンサ Cl、第 2コンデンサ C2、およびこれらのコンデンサの接続状態 を制御するための第 1スィッチ SW1から第 9スィッチ SW9を含む。以下、これらのスィ ツチを特に区別する必要のないときはスィッチ SWと総称する。第 1コンデンサ C1およ び第 2コンデンサ C2は容量値が等しく設定され、集積回路の外部に外付けされてい る。
[0021] 第 1スィッチ SW1から第 9スィッチ SW9は、 N型または P型の電界効果トランジスタ FETによって構成することができ、ゲート端子に印加する電圧によってドレインソース 間の導通状態を制御することによりスイッチング素子として動作させることができる。こ のチャージポンプ回路 10においては、第 1スィッチ SW1から第 9スィッチ SW9のオン オフの状態力 駆動回路 20から出力される制御信号 Ventによって切り替えられる。 なお、制御信号 Ventは、図 2には図示していないが、第 1スィッチ SW1から第 9スィ ツチ SW9それぞれへ入力されて!、るものとする。
[0022] チャージポンプ回路 10は、上述のように複数の昇圧率が切り替えられるように構成 されている。ここで、チャージポンプ回路 10の昇圧率に応じた動作について説明す る。
[0023] 昇圧率が 1倍に設定されるときには、駆動回路 20から出力される駆動信号 Ventに よって、第 1スィッチ SW1、第 3スィッチ SW3、第 7スィッチ SW7、第 8スィッチ SW8が 定常的にオンされ、その他のスィッチはすべてオフされる。その結果、入力端子 102 と出力端子 104がオンされたスィッチによって導通状態となるため、入力端子 102に 印加された電池電圧 Vbatが出力端子 104から出力され、昇圧率が 1倍に設定される ことになる。
したがって、昇圧率が 1倍に設定されるときに駆動回路 20から出力される制御信号 Ventは、時間的にオンオフを繰り返すスイッチング信号ではなぐ一定電圧となる。
[0024] 次に、昇圧率が 1. 5倍に設定されるときの動作について説明する。昇圧率が 1より 大きいとき、すなわち昇圧動作を行う場合には、チャージポンプ回路 10は、スィッチ S Wの接続状態の異なる第 1期間、第 2期間を繰り返す。
第 1期間においては、第 1スィッチ SW1、第 5スィッチ SW5、第 6スィッチ SW6をォ ンし、その他のスィッチをすベてオフすることにより、第 1コンデンサ C1および第 2コン デンサ C2を直列に接続し、電池電圧 Vbatで充電する。第 1コンデンサ C1および第 2コンデンサ C2の容量値は等しいため、 2つのコンデンサは、それぞれ電池電圧 Vb atの 1Z2となる VbatZ2で充電される。
[0025] 第 2期間では、第 2スィッチ SW2と第 7スィッチ SW7、第 4スィッチ SW4と第 8スイツ チ SW8をオンし、その他のスィッチをすベてオフする。このとき、入力端子 102と出力 端子 104間には、第 1コンデンサ Cl、第 2コンデンサ C2が並列に接続される。その 結果、出力端子 104からは、入力端子 102に印加された電池電圧 Vbatと、コンデン サの充電電圧の和が出力されることになる。第 1期間において、第 1コンデンサ Cl、 第 2コンデンサ C2は電圧 VbatZ2で充電されているため、結局、出力端子 104から は、 Vbat+Vbat/2= 1. 5 X Vbatの電圧が出力される。
このように、チャージポンプ回路 10は、第 1期間と第 2期間を繰り返すことにより電池 電圧 Vbatを 1. 5倍して出力する。
[0026] 次に、昇圧率が 2倍に設定されるときの動作について説明する。
第 1期間においては、第 1スィッチ SW1と第 9スィッチ SW9、第 3スィッチ SW3と第 6スィッチ SW6をオンし、その他のスィッチをすベてオフする。第 1コンデンサ C1およ び第 2コンデンサ C2は、入力端子 102と接地端子 GND間に並列に接続されることに なり、それぞれは、電池電圧 Vbatで充電される。
[0027] 第 2期間においては、第 2スィッチ SW2と第 7スィッチ SW7、第 4スィッチ SW4と第 8スィッチ SW8がオンし、他のスィッチはすべてオフされる。その結果、入力端子 102 と出力端子 104間には、第 1コンデンサ Cl、第 2コンデンサ C2が並列に接続される。 出力端子 104からは、入力端子 102に印加された電池電圧 Vbatと、コンデンサの充 電電圧の和が出力されることになる。第 1期間において、第 1コンデンサ Cl、第 2コン デンサ C2はそれぞれ電池電圧 Vbatで充電されているため、出力端子 104からは、 Vbat + Vbat = 2 X Vbatの電圧が出力される。
このようにチャージポンプ回路 10は、第 1期間と第 2期間を繰り返すことにより、電池 電圧 Vbatを 2倍して出力する。
[0028] 図 1に戻る。駆動回路 20は、チャージポンプ回路 10の昇圧率を設定し、昇圧動作 、すなわちチャージポンプ回路 10のスィッチ SWの接続状態を制御する。この駆動回 路 20は、定電流回路 22、制御部 24、第 1発振器 26、第 2発振器 28、監視回路 30を 含む。
[0029] 定電流回路 22は、 LED端子 106を介して発光ダイオード 300の力ソード端子と接 続されている。発光ダイオード 300の発光輝度は、発光ダイオード 300に流れる電流 liedによって決まるため、定電流回路 22は、発光ダイオード 300の発光輝度が所望 の値となるように、電流 liedを制御する。
[0030] 監視回路 30は、チャージポンプ回路 10の昇圧率を切り替えるために監視すべき電 圧として定電流回路 22の両端の電圧を監視する。監視回路 30は、定電流回路 22の 両端の電圧と、所定の電圧を比較し、比較結果を制御部 24に出力する。本実施の 形態においては、定電流回路 22の両端の電圧は、接地端子と LED端子 106間の電 圧に相当する。詳細は後述するが、制御部 24は、監視回路 30からの出力にもとづき チャージポンプ回路 10の昇圧率を切り替える。
[0031] 図 3は、定電流回路 22および監視回路 30の構成を示す回路図である。
定電流回路 22は、第 1トランジスタ Ml、第 1抵抗 Rl、第 1演算増幅器 40を含む。 第 1トランジスタ Mlは、 N型の MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor)である。第 1トランジスタ Mlおよび第 1抵抗 Rlは、定電流の 流れる経路に直列に設けられている。第 1演算増幅器 40の反転入力端子には、第 1 トランジスタ Mlと第 1抵抗 R1の接続点が接続され、電圧 Vrlが帰還入力されている 。また、非反転入力端子には、発光ダイオード 300の発光輝度を指示する輝度制御 電圧 Veが印加されている。また第 1演算増幅器 40の出力端子は、第 1トランジスタ M 1の制御端子であるゲート端子に接続されている。
[0032] 第 1演算増幅器 40の反転入力端子には、第 1抵抗 R1に印加される電圧 Vrlが帰 還されており、反転入力端子と非反転入力端子の電圧が等しくなるように帰還がかか るため、第 1抵抗 R1に印加される電圧は輝度制御電圧 Veに近づくことになる。
第 1抵抗 R1に印加される電圧 Vrlが輝度制御電圧 Veと等しいとき、第 1抵抗 R1に は、電流 I=Ve/Rlが流れることになる。この電流 Iは、第 1トランジスタ Mlおよび L ED端子 106を介して発光ダイオード 300から流れる電流 liedに他ならない。
このようにして、定電流回路 22は、輝度制御電圧 Veにもとづく定電流 lied =VeZ Rlを生成し、発光ダイオード 300に流れる電流 liedを制御する。
[0033] ここで、この定電流回路 22が安定に電流を生成するためには、第 1トランジスタ Ml を定電流領域で動作させる必要がある。定電流領域とは、トランジスタが電界効果ト ランジスタ FETのときには飽和領域を意味し、ノイポーラトランジスタのときには活性 領域を意味する。
[0034] LED端子 106の電圧 Viedが低下すると、第 1トランジスタ Mlの両端間の電位差、 すなわちドレインソース間電圧が小さくなり、非飽和領域で動作するようになる。非飽 和領域においては、ドレインソース間に流れる電流がドレインソース間電圧に依存し てしまうため、定電流回路 22が定電流回路として動作しなくなってしまい、発光ダイ オード 300の発光輝度を安定させることができなくなる。
[0035] そこで、図 3に示すように、監視回路 30は、 LED端子 106の電圧 Viedが所定のし きい値電圧 Vthを下回らないように監視する。このしきい値電圧 Vthは、第 1トランジ スタ Mlが定電流領域 (飽和領域)で動作する範囲で設定されて 、る。
この監視回路 30は、電圧比較器 50、しきい値電圧 Vthを出力する電圧源 52を含 む。電圧比較器 50には、 LED端子 106の電圧 Viedと、しきい値電圧 Vthが入力さ れており、 Vied > Vthのときハイレベルを、 Viedく Vthのときローレベルを出力する 。この電圧比較器 50の出力 Vsは、制御部 24へと入力されている。
[0036] 制御部 24は、監視回路 30から出力される電圧 Vsがローレベルになった状態、す なわち Vled<Vthとなる状態が所定の時間持続すると、チャージポンプ回路 10の昇 圧率を 1段階上昇させる。すなわち、昇圧率が 1倍で動作していたときに、監視回路 3 0から出力される電圧 Vsがローレベルとなると、昇圧率を 1. 5倍に設定する。同様に 、 1. 5倍で動作していたときに監視回路 30から出力される電圧 Vsがローレベルとな ると、昇圧率を 2倍に設定する。
[0037] その結果、電池 500の放電により電池電圧 Vbatが低下し、それにともなって、発光 ダイオード 300の力ソード端子の電圧 Viedが低下した場合にも、昇圧率を適切に切 り替えることができる。昇圧率が高く設定されると、出力端子 104から出力される出力 電圧 Voutが上昇することになるため、 LED端子 106の電圧 Viedをしきい値電圧 Vt hよりも高くすることができ、定電流回路 22を安定に動作させることができる。
[0038] 電圧源 52から出力されるしきい値電圧 Vthは、定電流回路 22が安定に動作するこ とが可能な電圧、すなわち、第 1トランジスタ Mlが定電流領域 (飽和領域)で動作す る範囲に設定される。たとえば、このしきい値電圧 Vthは 0. 3Vに設定される。
[0039] ここで、定電流回路 22を構成する第 1トランジスタ Ml、第 1抵抗 Rl、第 1演算増幅 器 40の素子特性、回路特性は、半導体製造プロセスのばらつきや温度によって変 動する。図 4は、第 1トランジスタ Mlである FETの電流電圧特性 (IV特性)を示す図 であり、縦軸はドレインソース電流 Ids、横軸がドレインソース電圧 Vdsを示す。
図中、平均的な電流電圧特性 IVmlでは、ドレインソース電圧が電圧 Vxlより高い とき飽和領域であり、電圧 Vxlより低いとき非飽和領域となる。いま、半導体製造プロ セスのばらつきや温度変化によって、電流電圧特性 IVが、電流電圧特性 IVm2に変 化したとすると、これにともなって、飽和領域と非飽和領域の境界電圧も Vx2にシフト すること〖こなる。
[0040] 定電流回路 22の両端の電圧は、第 1抵抗 R1における電圧降下 Vrlと、第 1トラン ジスタ Mlのドレインソース間電圧の和となる。したがって、第 1トランジスタ Mlの電流 電圧特性の変動にともなって、定電流回路 22を安定に動作させるために必要な電 圧も変化すること〖こなる。同様に、第 1抵抗 R1の抵抗値のばらつきによってもこの電 圧は変化することになる。
[0041] 第 1トランジスタ Mlの電流電圧特性 IVm力 半導体製造プロセスのばらつきや温 度変化によって、図 4の IVmlと IVm2の間で変動するとするとき、定電流回路 22を 安定に動作させるための電圧は、 Vthl =Ic X Rl + Vxlから Vth2=Ic X Rl +Vx2 の範囲で変動することになる。
監視回路 30の電圧源 52により生成されるしきい値電圧 Vthを一定値とする場合、 第 1トランジスタ Mlの電流電圧特性が変動するすべての範囲において定電流回路 2 2を安定に動作させるためには、マージンを考慮してしきい値電圧 Vthを、 Vthl =Ic XR1 + Vxlに設定しておく必要がある。
[0042] ここで、チャージポンプ回路 10の効率について検討する。図 5は、チャージポンプ 回路 10の入力電圧となる電池電圧 Vbatと、効率 7?の関係を示す図である。
ここで、電圧源 52により生成されるしきい値電圧 Vthを電圧 Vthlに固定した場合 を考える。昇圧率が 1倍のとき、電池電圧 Vbatと LED端子 106の電圧 Viedの関係 は、発光ダイオード 300の順方向電圧 Vfを用いて Vbat=Vled+Vfと表される。いま 、電池電圧 Vbatの低下にともない、 Vb at < Vbat 1 ( = Vth 1 + Vf )となると、 LED端 子 106の電圧 Viedはく Vthlとなるため、昇圧率が 1倍から 1. 5倍へと切り替えられ ることになる。
[0043] このように、しきい値電圧 Vthを電圧 Vthlに固定すると、もし第 1トランジスタ Mlの 特性がばらつき、定電流回路 22を安定動作させるための電圧がしきい値電圧 Vthl より低くなつた場合にも、 Vbatく Vbatlとなった状態で昇圧率が 1. 5倍に切り替えら れることになり、効率の面で改善の余地がある。
[0044] そこでチャージポンプ回路 10の効率を改善するために、本実施の形態に係る監視 回路 30の電圧源 52は、第 1トランジスタ Mlおよび第 1抵抗 R1の特性変動に追従し たしき!/、値電圧 Vthを生成するように構成されて!、る。
図 3に戻る。電圧源 52は、第 2トランジスタ M2、第 2抵抗 R2、電流源 54を含む。 第 2トランジスタ M2、第 2抵抗 R2、電流源 54は直列に接続されており、第 2トランジ スタ M2および第 2抵抗 R2には、電流源 54により生成される定電圧 Icが流されている
[0045] この電圧源 52は、第 2トランジスタ M2と電流源 54の接続点の電圧をしきい値電圧 Vthとして出力する。第 2トランジスタ M2のドレインソース間電圧 Vds2は、定電流 Ic によって決定され、第 2抵抗 R2に現れる電圧 Vr2は、 Vr2=Ic XR2で与えられる。 その結果、しきい値電圧 Vthは、 Vth=Ic XR2+Vds2と表すことができる。
[0046] このように、電圧源 52は、しき 、値電圧 Vthを生成するための主要部の構成力 定 電流回路 22とほぼ同一となっている。半導体集積回路上において、好ましくは、第 1 抵抗 R1と第 2抵抗 R2は互いに近接して、ペアリングをとつて形成することが望ましい 。同様に、第 1トランジスタ Mlと第 2トランジスタ M2も互いに近接して形成し、ペアリ ングをとることが望ましい。
このように定電流回路 22と電圧源 52の主要な構成を同一とし、回路を構成する抵 抗、トランジスタをペアリングして形成することによって、対応する素子特性の変動量 をほぼ等しくすることができる。
[0047] その結果、第 1トランジスタ Mlの電流電圧特性が変動し、飽和領域と非飽和領域 の境界電圧 Vxが変動した場合、第 2トランジスタ M2の飽和領域と非飽和領域の境 界電圧 Vxも変動するため、しきい値電圧 Vthを、第 1トランジスタ Mlの特性変動に 追従して変化させることができる。
[0048] 同様に、第 1抵抗 R1の抵抗値が半導体製造プロセスのばらつきや温度変化によつ て変動した場合に、第 2抵抗 R2の抵抗値も同様に変動するように形成しておけば、 しき 、値電圧 Vthは、第 2抵抗 R2の特性変動にも追従することになる。
[0049] 以上のように監視回路 30を構成することにより、プロセスばらつきや温度変化による 素子特性の変動によって定電流回路 22を安定に動作させるために必要な電圧が変 動した場合にも、その変動に応じてしきい値電圧 Vthを生成するため、制御部 24に おいて、最適な昇圧率の設定を行うことができる。 この結果、図 5に示すように、昇圧率を切り替える電圧を Vbatlから Vbat2の範囲 で適切に設定できることを意味するため、チャージポンプ回路 10の効率を改善する ことができる。同様に、 1. 5倍から 2倍への昇圧率の切り替えも、最適な電圧で行わ れるため、効率を改善することができる。
[0050] 図 1に戻る。制御部 24は、チャージポンプ回路 10の昇圧率を設定し、設定した昇 圧率に応じた制御信号 Ventを生成する。この制御部 24は、監視回路 30の出力信 号 Vsをモニタしており、出力信号 Vsがローレベルとなった状態が所定の時間持続す ると昇圧率を上昇させる。本実施の形態においては、制御部 24は、監視回路 30の 出力信号 Vsが 2msの間、ローレベルとなったときに、チャージポンプ回路 10の昇圧 率を 1段階上昇させる。
[0051] 制御部 24が、制御信号 Ventを生成し、時間の計測を行うために必要な周期信号 は、第 1発振器 26、第 2発振器 28から出力される。第 1発振器 26および第 2発振器 2 8はそれぞれ図示しないイネ一ブル端子を備えており、動作を停止することができる よう構成されている。
[0052] 制御部 24は、チャージポンプ回路 10により昇圧動作を行うとき、すなわち昇圧率を 1. 5倍、または 2倍に設定したときの制御信号 Ventは、第 1スィッチ SW1から第 9ス イッチ SW9をオンオフさせるスイッチング信号となる。第 1発振器 26は、このスィッチ ング信号に必要とされる周波数を有する第 1周期信号 Vosclを生成する。たとえば、 この第 1周期信号 Vosclの周波数は 1MHzに設定される。
[0053] また、制御部 24は、監視回路 30の出力信号 Vsをモニタする際に時間 2msを計測 するために必要とされる周波数を有する第 2周期信号 Vosc2を生成する。 2ms程度 の時間は、数十 kHz程度の周波数で測定することができるため、本実施の形態では 、この第 2周期信号 Vosc2の周波数は 64kHzに設定されて 、るものとする。
[0054] 駆動回路 20は、チャージポンプ回路 10の昇圧率に応じて、第 1発振器 26および 第 2発振器 28のいずれかを切り替えて使用する。そのため、制御部 24は、チャージ ポンプ回路 10の昇圧率に応じて第 1発振器 26、第 2発振器 28のィネーブル端子に 対してオンオフを制御するィネーブル信号を出力する。
[0055] 以下、駆動回路 20において、チャージポンプ回路 10の昇圧率を切り替える際の動 作について説明する。
電池 500から出力される電池電圧 Vbatが十分高いときには、昇圧率は 1倍に設定 されている。いま、電力消費により電池電圧 Vbatが低下してくると、 LED端子 106の 電圧 Viedも低下する。監視回路 30においては、電圧源 52から出力されるしきい値 電圧 Vthと、 LED端子 106の電圧 Viedを比較し、 Viedく Vthとなると出力信号 Vsと してローレベルを出力する。
[0056] チャージポンプ回路 10の昇圧率が 1倍に設定されるとき、チャージポンプ回路 10 において、第 1スィッチ SW1、第 3スィッチ SW3、第 7スィッチ SW7、第 8スィッチ SW 8を定常的にオンすればよいため、周波数 1MHzの第 1周期信号 Vosclは必要とさ れない。このため、昇圧率が 1倍のとき、制御部 24は、第 1発振器 26をオフしておき、 第 2発振器 28のみを動作させ、第 2周期信号 Vosc2を利用して時間測定を行う。
[0057] 監視回路 30の出力信号 Vsが 2msローレベルとなると、制御部 24は、昇圧率を 1.
5倍に切り替える。昇圧率が 1倍より高いとき、上述のようにチャージポンプ回路 10へ 出力すべき制御信号 Ventとしてオンオフを繰り返すスイッチング信号を生成する必 要がある。このとき、制御部 24は第 1周期信号 Vosclを必要とするため、第 1発振器 26をオンする。昇圧率が 1. 5倍のとき、制御部 24は、監視回路 30の出力信号 Vsの 状態のモニタのための時間測定を、第 1周期信号 Vosclを用いて行う。このとき、第 2 周期信号 Vosc2は必要とされないため、制御部 24は第 2発振器 28をオフする。
[0058] さらに、電池電圧 Vbatが低下し、昇圧率が 2倍に設定されるときにも、制御部 24は 第 1発振器 26のみをオンしておき、第 1周期信号 Vosclにもとづいて、制御信号 Vc ntの生成および 2msの時間測定を行う。
[0059] 発振器の消費電流は、周波数に依存し、周波数が高!、ほど消費電流は増加する。
すなわち、第 1発振器 26の消費電流は第 2発振器 28の消費電流よりも大きい。その ため、本実施の形態に係る駆動回路 20によれば、昇圧動作を行う場合には、 1MHz で発振する第 1発振器 26をオンしておき、制御信号 Ventを生成するとともに、昇圧 率を設定するための時間測定を行う。一方、昇圧率が 1倍のとき、制御信号 Ventとし て周波数の高 、信号を生成する必要がな 、ため、消費電流の小さ 、第 2発振器 28 に切り替えることにより回路の消費電流を低減し、高効率ィ匕を図ることができる。 [0060] 以上、本実施の形態に係る電源装置 100の構成および動作について説明した。 本実施の形態に係る電源装置 100によれば、チャージポンプ回路の駆動回路にお いて、チャージポンプ動作を制御する制御信号の生成に加えて、時間測定する必要 がある場合に、異なる周波数で発振する 2つの発振器を設けた。昇圧率が 1倍の時 には、消費電流の大きな周波数の高い発振器はオフしておき、時間測定に必要な周 波数の低い発振器を使用することによって、 1倍モード時の消費電流を低減すること ができ、負荷回路に流れる出力電流の小さな軽負荷時の電力変換効率を改善する ことができる。
[0061] 上記実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに いろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当 業者に理解されるところである。
[0062] 実施の形態では、第 1発振器 26、第 2発振器 28を別々に構成する場合について 説明したが、周波数が第 1周期信号と、第 2周期信号の 2通りに切り替え可能な 1つ の発振器として一体に構成してもよい。この場合においても、チャージポンプ回路 10 の昇圧率に応じて、発振器の周波数を切り換えることにより、実施の形態で説明した 場合と同様の効果を得ることができる。さらに、 2つの発振器を一体に構成すること〖こ より、回路面積を削減することができる。
[0063] 本発明は、昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路 10の駆動回路に広く適用 することができる。
たとえば、本実施の形態では、チャージポンプ回路 10を電源装置 100によって、負 荷回路として発光ダイオード 300を駆動する場合について説明したがこれには限定 されず、その他の負荷回路を駆動する電源装置にも適用することができる。このとき、 負荷回路は発光ダイオード 300のように必ずしも定電流駆動される必要はない。
[0064] 昇圧率の設定は、チャージポンプ回路 10の入力電圧である電池電圧 Vbatあるい は、チャージポンプ回路 10の出力電圧 Voutにもとづいて行ってもよい。このとき、監 視回路 30は、チャージポンプ回路 10の昇圧率を切り替えるために監視すべき電圧と して電池電圧 Vbatあるいは出力電圧 Voutを監視し、制御部 24は電池電圧 Vbatあ るいは出力電圧 Voutが所定の電圧を所定の時間下回ったときに、チャージポンプ 回路 10の昇圧率を切り替える。
[0065] 本実施の形態においては、使用するトランジスタは FETとしたがバイポーラトランジ スタ等の別のタイプのトランジスタを用いてもよぐこれらの選択は、電源装置に要求 される設計仕様、使用する半導体製造プロセスなどによって決めればよい。
[0066] 本実施の形態において、電源装置を構成する素子はすべて一体集積化されてい てもよく、その一部がディスクリート部品で構成されていてもよい。どの部分を集積ィ匕 するかは、コストや占有面積などによって決めればよい。
産業上の利用可能性
[0067] 本発明に係るチャージポンプ回路の駆動回路によれば、昇圧率が 1倍のときの消 費電流を低減し、高効率ィ匕を図ることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 複数の昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路の駆動回路であって、
前記チャージポンプ回路を制御する制御部と、
第 1周期信号を出力する第 1発振器と、
周波数が前記第 1周期信号より低く設定される時間測定用の第 2周期信号を出力 する第 2発振器と、を備え、
前記制御部は、前記チャージポンプ回路の昇圧率が 1倍より大きいときは前記第 1 発振器のみをオンし、前記第 1周期信号にもとづいて前記チャージポンプ回路の昇 圧動作の制御および時間測定を行う一方、前記チャージポンプ回路の昇圧率が 1倍 のときは、前記第 2発振器のみをオンし、前記第 2周期信号にもとづいて時間測定を 行うことを特徴とする駆動回路。
[2] 複数の昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路の駆動回路であって、
前記チャージポンプ回路を制御する制御部と、
第 1周期信号または周波数が前記第 1周期信号より低く設定される第 2周期信号の いずれかを切り換えて出力する周波数可変の発振器と、を備え、
前記制御部は、前記チャージポンプ回路の昇圧率が 1倍より大きいときは、前記第 1周期信号にもとづいて前記チャージポンプ回路の昇圧動作の制御および時間測定 を行う一方、前記チャージポンプ回路の昇圧率が 1倍のときは、前記第 2周期信号に もとづいて時間測定を行うことを特徴とする駆動回路。
[3] 前記制御部は、前記チャージポンプ回路の昇圧率を切り替えるために監視すべき 電圧が所定の時間以上所定の条件を満たしたとき、前記チャージポンプ回路の昇圧 率を切り替え、このときの時間測定を、前記第 1または第 2周期信号にもとづいて行う ことを特徴とする請求項 1または 2に記載の駆動回路。
[4] 前記第 2周期信号の周波数は、前記制御部において、前記所定の時間を計測する ために必要とされる最低周波数より高く設定されることを特徴とする請求項 3に記載 の駆動回路。
[5] 1つの半導体基板上に一体集積化されたことを特徴とする請求項 1から 4のいずれ 力に記載の駆動回路。
[6] 複数の昇圧率が切り替え可能なチャージポンプ回路と、
前記チャージポンプ回路を駆動する請求項 1から 5のいずれかに記載の駆動回路 と、
を備えることを特徴とする電源装置。
[7] 発光ダイオードと、
電池と、
前記電池の電圧を昇圧して前記発光ダイオードを駆動する請求項 6に記載の電源 装置と、
を備えることを特徴とする発光装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013162723A (ja) * 2012-02-08 2013-08-19 Hitachi Automotive Systems Ltd アクチュエータ駆動半導体ディバイス

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080084239A1 (en) * 2006-09-08 2008-04-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Regulated charge pump circuit
JP5566568B2 (ja) 2007-03-27 2014-08-06 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 電源電圧発生回路
WO2009136368A1 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Nxp B.V. Charge pump dc-dc converter
JP5142861B2 (ja) * 2008-07-09 2013-02-13 パナソニック株式会社 内部電圧発生回路
TWI399732B (zh) * 2008-08-13 2013-06-21 Sitronix Technology Corp And a control chip for a color order type liquid crystal display device
TWI399128B (zh) * 2008-10-31 2013-06-11 Advanced Analog Technology Inc 控制發光二極體之電荷泵驅動電路之方法及電路
JP5301344B2 (ja) * 2009-04-24 2013-09-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 昇圧回路
US8462578B2 (en) 2011-05-23 2013-06-11 Freescale Semiconductor, Inc. Charge pump circuit with fast start-up
CN102255503B (zh) * 2011-07-21 2014-07-23 成都芯源系统有限公司 电荷泵电路以及包含该电路的电源装置
US8493040B2 (en) * 2011-08-04 2013-07-23 Nxp B.V. Voltage regulator with charge pump
US10972003B2 (en) * 2018-06-27 2021-04-06 Sitronix Technology Corp. Charge pump
CN109951070B (zh) * 2019-02-27 2025-01-10 杰华特微电子股份有限公司 电压转换电路、转换方法及应用其的led控制电路
US10624165B1 (en) * 2019-09-26 2020-04-14 Infineon Technologies Ag Circuit for providing power to two or more strings of LEDs

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312695A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Nec Corp 半導体装置
JP2003348821A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Ricoh Co Ltd 電源供給回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0678527A (ja) 1992-08-26 1994-03-18 Nec Kansai Ltd 駆動電圧供給装置とその集積回路
KR0123849B1 (ko) * 1994-04-08 1997-11-25 문정환 반도체 디바이스의 내부 전압발생기
JPH10327575A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Kyocera Corp 電源回路
US5841648A (en) * 1997-05-29 1998-11-24 Micro Motion, Inc. Adjustable voltage converter utilizing a charge pump
JP2002040526A (ja) 2000-07-19 2002-02-06 Olympus Optical Co Ltd ストロボ装置
KR100432890B1 (ko) * 2002-06-07 2004-05-22 삼성전자주식회사 안정적으로 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생 회로 및그 승압 전압 제어 방법
KR100549345B1 (ko) * 2003-08-25 2006-02-02 주식회사 하이닉스반도체 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법
JP4308158B2 (ja) * 2004-03-30 2009-08-05 ローム株式会社 昇圧制御装置およびそれを用いた電子装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312695A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Nec Corp 半導体装置
JP2003348821A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Ricoh Co Ltd 電源供給回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013162723A (ja) * 2012-02-08 2013-08-19 Hitachi Automotive Systems Ltd アクチュエータ駆動半導体ディバイス

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