KR100549345B1 - 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법 - Google Patents

고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법에 관한 것으로, 펌핑 전압을 발생시키는 펌핑 전압 발생부 이외에 보조 펌핑 전압 발생부를 추가로 구비하고, 일반 동작 모드에서 전류 소비가 급격하게 증가하는 동작 모드로 진입함과 동시에 보조 펌핑 전압 발생부를 일정 시간동안 동작시켜 펌핑 전압을 목표 전압보다 더 높게 상승시킴으로써, 전류 소비가 급격하게 증가하는 동작 모드로 진입하여도 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮아지는 것을 방지하고 회로를 안정적으로 동작시켜 회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
고전압, 오토리프레쉬, 전류소모, 펌핑

Description

고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법{High voltage supply circuit and a method of supplying high voltage}
도 1은 종래 기술에 따른 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 도 2의 동작 모드 판단부의 실시예를 설명하기 위한 상세 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 제1 펌핑 전압 발생부 200 : 제2 펌핑 전압 발생부
110 : 펌핑 전압 검출기 210 : 동작모드 판단부
120, 220 : 오실레이터 130, 230 : 펌핑부
140 : 주변 회로 211 : 반전 지연부
본 발명은 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법에 관한 것으로, 특히 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮아지는 것을 방지할 수 있는 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 디램(DRAM)의 단위 셀은 스위치 역할을 하는 1개의 MOS형 트랜지스터와 전하(데이타)를 저장하는 1개의 커패시터로 이루어지며, 다수의 단위 셀들은 뱅크(Bank)로 구분된다. 이때, 단위 셀에는 2진 데이터가 저장되며 단위 셀에 포함된 커패시터에 전하 저장 상태에 따라, 단위 셀에 저장된 데이터가 '1' 또는 '0'으로 구분된다. 이렇게, 커패시터에 저장된 전하에 따라 데이터가 결정되므로, 원리적으로는 전력의 소비가 없다.
그러나, MOS 트랜지스터의 PN 접합 등에서 누설전류가 발생되기 때문에, 시간이 지날수록 커패시터에 저장된 전하량이 차츰 감소하여 데이터가 소실될 수 있다. 따라서, 데이터가 소실되는 것을 방지하기 위하여, 메모리 셀의 데이터를 읽은 후 그 정보에 따라 다시 커패시터에 전하를 재충전해 주어야 한다. 이러한 동작을 리프레쉬 동작이라 하며, 리프레쉬 동작을 주기적으로 반복해주어야 데이터가 소실되지 않고 유지된다. 이하, 리프레쉬 동작을 위하여 단위 셀에 인가되는 전압을 리 프레쉬 전압이라 하기로 한다. 리프레쉬 전압은 전원 전압보다 전위가 높기 때문에, 전원 전압을 일정 전압 이상으로 상승시킨 펌핑 전압을 리프레쉬 전압으로 사용한다.
도 1은 종래 기술에 따른 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, DRAM에서 사용되는 리프레쉬 전압과 같은 고전압을 생성하는 고전압 공급 회로는 펌핑 전압 검출기(110), 오실레이터(120) 및 펌핑부(130)를 포함한다.
전체 회로가 초기화되고 정상적으로 동작되기 시작하면 액티브 신호가 발생되는데, 액티브 신호가 인에이블 신호(E1)로 펌핑 전압 검출기(110)에 인가되며, 인에이블 신호에 따라 펌핑 전압 검출기(110)는 펌핑부(130)에서 생성된 펌핑 전압(Vpp)의 전위를 판단한다. 오실레이터(120)는 펌핑 전압 검출기(110)의 출력 신호에 따라 펄스 신호를 발생시킨다. 펌핑부(130)는 오실레이터(120)에서 발생된 펄스 신호를 이용하여 전원 전압(Vdd)을 상승시켜 펌핑 전압(Vpp)을 생성하고, 이를 주변 회로(140)로 공급한다. 이때, 펌핑 전압 검출기(110)는 펌핑부(130)에서 생성된 펌핑 전압(Vpp)의 전위를 판단한다. 판단 결과, 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮으면 오실레이터(120)를 동작시켜 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압이 될 때까지 전원 전압(Vdd)을 지속적으로 상승시키고, 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압까지 상승되면 펌핑 동작이 중지되도록 오실레이터(120)의 동작을 중지시킨다.
한편, DRAM에 포함된 셀들은 뱅크로 구분되는데, 일반 동작 모드 시에는 하 나의 뱅크(Bank)만이 인에이블 되거나 다수의 뱅크들이 순차적으로 인에이블 된다. 따라서, 이 경우에는 워드라인 등이 순차적으로 선택되기 때문에, 펌핑 전압(Vpp)에 따른 피크(Peak) 전류가 적절하게 분배되어 되어 공급된다.
하지만, 일반 동작 모드에서 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입하면, 다수의 뱅크들이 동시에 인에이블 되며, 이로 인해 펌핑 전압(Vpp)이 모든 뱅크에 인가되면서 펌핑 전압(Vpp)이 낮아진다. 이때, 펌핑 전압 검출기(110)는 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮아지면 펌핑 동작이 진행되도록 오실레이터(120)를 동작시킨다. 오실레이터(120)가 동작하여 펄스가 발생되면 펌핑부(130)에서는 펌핑 동작을 실시하여 펌핑 전압(Vpp)을 목표 전압까지 다시 상승시킨다.
이렇게, 종래의 고전압 공급 회로는 상기의 동작을 통해 펌핑 전압(Vpp)을 항상 목표 전압으로 유지시킬 수 있지만, 일반 모드에서 오토 리프레쉬 동작 모드와 같이 전류 소비가 급격히 증가하는 동작 모드로 진입할 때 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮아졌다가 목표 전압까지 상승하는 현상이 발생되는 문제점이 있다. 즉, 낮아진 펌핑 전압(Vpp)을 펌핑 전압 검출기(110)가 감지하고 펌핑 동작을 실시하여 펌핑 전압(Vpp)을 목표 전압까지 다시 상승시킬 때까지는, 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮은 상태에서 회로가 동작하게 된다.
따라서, 이 구간에서는 동작의 오류가 발생될 수도 있기 때문에 회로의 동작에 대한 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
이에 대하여, 본 발명이 제시하는 고전압 공급 회로 및 고전압 공급 방법는 펌핑 전압을 발생시키는 펌핑 전압 발생부 이외에 보조 펌핑 전압 발생부를 추가로 구비하고, 일반 동작 모드에서 전류 소비가 급격하게 증가하는 동작 모드로 진입함과 동시에 보조 펌핑 전압 발생부를 일정 시간동안 동작시켜 펌핑 전압을 목표 전압보다 더 높게 상승시킴으로써, 전류 소비가 급격하게 증가하는 동작 모드로 진입하여도 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮아지는 것을 방지하고 회로를 안정적으로 동작시켜 회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 회로는 노멀 동작 모드 및 오토 리프레쉬 동작 모드에서 동작하여 전원전압보다 높은 제1 펌핑 전압을 생성해서 주변회로로 공급하기 위한 제1 펌핑 전압 발생부; 및 상기 노멀 동작 모드에서 전류 소비가 증가하는 상기 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입 시, 오토 리프레쉬 동작 모드 신호에 따라 상기 전원전압보다 높은 제2 펌핑 전압을 생성하여 상기 제1 펌핑 전압 발생부의 출력 단자로 공급하기 위한 제2 펌핑 전압 발생부를 포함한다.
상기에서, 제1 펌핑 전압 발생부는, 소정의 펄스를 발생시키기 위한 오실레이터와, 펄스에 따라 전원 전압을 상승시켜 제1 펌핑 전압을 생성하기 위한 펌핑부, 및 제1 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮으면 제1 펌핑 전압이 목표 전압으로 상승할 때까지 오실레이터를 동작시키는 펌핑 전압 검출부를 포함한다.
제2 펌핑 전압 발생부는, 오토 리프레쉬 동작 모드 신호에 따라 인에이블 신호를 발생시키기 위한 동작 모드 판단부와, 인에이블 신호에 따라 소정의 펄스를 발생시키기 위한 오실레이터, 및 펄스에 따라 전원 전압을 상승시켜 제2 펌핑 전압을 생성하기 위한 펌핑부를 포함한다.
이때, 동작 모드 판단부는 오토 리프레쉬 동작 모드로의 진입과 동시에 목표 시간 동안만 인에이블 신호를 발생시키는 것이 바람직하다. 이러한 동작 모드 판단부는, 오토 리프레쉬 동작 모드 신호를 목표 시간만큼 반전 지연시키기 위한 반전 지연부와, 오토 리프레쉬 동작 모드 신호 및 반전 지연부의 출력 신호를 논리 조합하기 위한 난드 게이트, 및 난드 게이트의 출력 신호를 반전시켜 인에이블 신호를 발생시키기 위한 인버터를 포함한다. 여기서, 오토 리프레쉬 동작 모드 신호는 리프레쉬 플래그 신호일 수도 있다.
한편, 반전 지연부는 직렬로 접속된 홀수개의 인버터를 포함하여 이루어지며, 반전 지연부에 포함된 인버터의 수에 따라 목표 시간을 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 방법은 노멀 동작 모드 및 오토 리프레쉬 동작 모드 시 제1 펌핑 전압을 주변 회로로 공급하는 단계; 및 상기 노멀 동작 모드에서 전류 소비가 증가하는 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입하면 제2 펌핑 전압을 발생시켜 상기 제1 펌핑 전압과 함께 상기 주변 회로로 공급하는 단계를 포함한다.
이때, 제2 펌핑 전압은 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입과 동시에 주변 회로로 공급되며, 일정 시간 동안만 공급되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 회로는 제1 펌핑 전압 발생부(100)와 제2 펌핑 전압 발생부(200)를 포함한다. 여기서, 제1 펌핑 전압 발생부(100)는 펌핑 전압 검출기(110), 오실레이터(120) 및 펌핑부(130)를 포함한다.
전체 회로가 초기화되고 정상적으로 동작되기 시작하면 액티브 신호가 발생되는데, 액티브 신호가 인에이블 신호(E1)로 펌핑 전압 검출기(110)에 인가되며, 인에이블 신호에 따라 펌핑 전압 검출기(110)는 펌핑부(130)에서 생성된 펌핑 전압(Vpp)의 전위를 판단한다. 오실레이터(120)는 펌핑 전압 검출기(110)의 출력 신호에 따라 펄스 신호를 발생시킨다. 펌핑부(130)는 오실레이터(120)에서 발생된 펄스 신호를 이용하여 전원 전압(Vdd)을 상승시켜 제1 펌핑 전압(Vpp)을 생성하고, 이를 주변 회로(140)로 공급한다. 이때, 펌핑 전압 검출기(110)는 펌핑부(130)에서 생성된 펌핑 전압(Vpp)의 전위를 판단한다. 판단 결과, 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮으면 오실레이터(120)를 동작시켜 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압이 될 때까 지 전원 전압(Vdd)을 지속적으로 상승시키고, 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압까지 상승되면 펌핑 동작이 중지되도록 오실레이터(120)의 동작을 중지시킨다.
이때, 제1 동작 모드에서 전류 소비가 급격하게 증가하는 제2 동작 모드로 진입하면, 제1 펌핑 전압 발생부(100)에서 발생되는 제1 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮아지게 되며, 제1 펌핑 전압(Vpp)을 목표 전압까지 다시 상승시키는 데에는 일정 시간이 소요된다. 이로 인해, 제2 동작 모드로 진입 후에는 일정 시간동안 제1 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮은 전압으로 공급될 수 있다.
제2 펌핑 전압 발생부(200)는 이렇게 제1 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮아지는 것을 방지하기 위하여, 제1 동작 모드(예를 들면, 일반 동작 모드)에서 전류 소비가 증가하는 제2 동작 모드(예를 들면, DRAM에서의 오토 리프레쉬 동작 모드)로 진입함과 동시에, 제2 동작 모드 신호에 따라 전원전압보다 높은 제2 펌핑 전압을 생성하여 제1 펌핑 전압 발생부(100)의 출력 단자로 공급한다. 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
제2 펌핑 전압 발생부(200)는 동작모드 판단부(210), 오실레이터(220), 및 펌핑부(230)를 포함한다. 여기서, 동작모드 판단부(210)는 제1 동작 모드에서 전류 소비가 증가하는 제2 동작 모드로 진입 시, 제2 동작 모드 신호에 따라 인에이블 신호(E2)를 발생시킨다. 오실레이터(220)는 인에이블 신호(E2)에 따라 소정의 펄스를 발생시킨다. 펌핑부(230)는 오실레이터(220)에서 발생된 펄스에 따라 전원 전압을 상승시켜 제2 펌핑 전압을 생성하고, 이를 제1 펌핑 전압 발생부(100)의 출력 단자로 공급한다.
이때, 고전압 공급 회로가 DRAM에 포함되어 내부 오토 리프레쉬 동작을 위한 고전압(Vpp)을 생성하는 경우에는, 제1 동작 모드가 일반 동작 모드가 되고 제2 동작 모드가 오토 리프레쉬 동작 모드가 될 수 있다. 또한, 이 경우에는 오토 리프레쉬(Auto-refresh) 명령에 기인한 리프레쉬 플래그(Refresh Flag) 신호가 제2 동작 모드 신호로 동작모드 판단부(210)에 인가될 수 있다. 여기서, 리프레쉬 플래그 신호는 외부에서 오토 리프레쉬 명령에 의해서 만들어지는 신호로써, 리프레쉬 동작의 시작과 끝을 알려 주는 신호이다. 리프레쉬 플래그 신호가 인가되어 전류 소비가 증가하는 제2 동작 모드(오토 리프레쉬 동작 모드)로 진입하면, 동작모드 판단부(210)는 리프레쉬 플래그 신호가 인가됨과 동시에 인에이블 신호(E2)를 생성한다. 인에이블 신호(E2)가 생성되어 오실레이터(220)로 입력되면, 오실레이터(220)는 소정의 펄스를 생성하고, 펌핑부(230)는 펄스에 따라 전원 전압을 상승시켜 제2 펌핑 전압을 발생시키고 이를 제1 펌핑 전압 발생부(100)의 출력 단자로 공급한다.
한편, 제2 동작 모드로 진입한 후 제2 펌핑 전압 발생부(200)가 계속해서 동작하면, 제1 펌핑 전압 발생부(100)의 출력 단자의 전위가 계속해서 상승하게 된다. 따라서, 제1 펌핑 전압 발생부(100)의 제1 펌핑 전압(Vpp)이 목표 전압보다 낮아지지 않을 정도로만 제2 펌핑 전압이 제1 펌핑 전압 발생부(100)의 출력 단자로 공급될 수 있도록, 제2 펌핑 전압 발생부(200)를 일정 시간 동안만 동작시키는 것이 바람직하다. 이를 위해, 동작모드 판단부(210)는 제2 동작 모드 신호가 인가되면 일정 시간 동안만 인에이블 신호(E2)를 생성한다. 이러한 동작모드 판단부(210)의 구체적인 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 도 2의 동작모드 판단부의 실시예를 설명하기 위한 상세 회로도이다.
도 3을 참조하면, 인에이블 신호(E2)를 일정 시간 동안만 생성하기 위한 동작모드 판단부는 반전 지연부(211)와 다수의 논리 소자를 이용하여 구현 가능하다. 좀 더 구체적으로 예를 들어 설명하면, 동작모드 판단부는 제2 동작 모드 신호(예를 들면, 리프레쉬 플래그 신호)를 목표 시간만큼 반전 지연시키기 위한 반전 지연부(211)와, 제2 동작 모드 신호 및 반전 지연부(211)의 출력 신호를 논리 조합하기 위한 난드 게이트(N1), 및 난드 게이트(N1)의 출력 신호를 반전시켜 인에이블 신호(E2)를 발생시키기 위한 인버터(I1)를 포함한다. 상기에서, 반전 지연부(211)는 직렬로 접속된 홀수개의 인버터(I2 내지 I2n)로 구현 가능하며, 인버터의 수에 따라 제2 동작 모드 신호인 리프레쉬 플래그 신호의 지연 정도, 즉 인에이블 신호(E2)의 발생 시간을 조절할 수 있다.
이하, 도 3의 상세 회로도와 도 4의 파형도를 참조하여, 제1 동작 모드(일반 동작 모드)에서 제2 동작 모드(오토 리프레쉬 동작 모드)로 진입하는 경우의 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기로 한다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 파형도이다.
일반 동작 모드
일반 동작 모드에서는 리프레쉬 플래그 신호가 로우 레벨로 인가된다. 리프레쉬 플래그 신호가 로우 레벨로 동작모드 판단부(210)의 난드 게이트(N1)로 인가되면 난드 게이트(N1)는 하이 레벨의 신호를 출력하고, 이 신호는 인버터(I1)에 의 해 반전되어 인에이블 신호(E2)가 로우 레벨(비활성)로 생성된다. 따라서, 제1 펌핑 전압 발생부만 동작되고, 제2 펌핑 전압 발생부는 동작하지 않으며 제2 펌핑 전압도 생성되지 않는다. 일반 동작 모드는 전류 소비가 많지 않으므로 제1 펌핑 전압 발생부(100)만으로도 주변 회로에 펌핑 전압을 충분히 안정적으로 공급할 수 있다.
이 상태에서, 리프레쉬 플래그 신호가 인가되어 전류 소비가 증가하는 제2 동작 모드인 오토 리프래쉬 동작 모드로 진입하면, 리프레쉬 플래그 신호가 인가됨과 동시에 제2 펌핑 전압 발생부(200)가 일정 시간 동안 동작되어 제1 펌핑 전압 발생부(100)에서 발생되는 제1 펌핑 전압(Vpp)이 낮아지는 것을 방지한다. 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
오토 리프레쉬 동작 모드
리프레쉬 플래그 신호가 하이 레벨로 인가되면, 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입하면서 리프레쉬 플래그 신호가 제2 펌핑 전압 발생부의 동작모드 판단부로 인가된다. 하이 레벨의 리프레쉬 플래그 신호는 동작모드 판단부의 난드 게이트(N1)의 제1 입력단으로 인가된다. 한편, 반전 지연부(211)는 일정 시간이 경과한 후에 하이 레벨의 리프레쉬 플래그 신호를 로우 레벨로 반전시키기 때문에, 일정 시간 동안은 반전 지연부(211)의 출력 신호가 하이 레벨로 유지되며, 하이 레벨의 출력 신호는 난드 게이트(N1)의 제2 입력단으로 인가된다. 난드 게이트(N1)의 제1 및 제2 입력단에 하이 레벨의 신호가 인가되어, 난드 게이트(N1)는 로우 레벨의 신호를 출력하고, 로우 레벨의 신호는 인버터(I1)에 의해 반전되어 인에이블 신호(E2) 가 하이 레벨(활성화)로 발생된다.
인에이블 신호(E2)가 활성화되면, 제2 펌핑 전압 발생부의 오실레이터와 펌핑부가 동작하여 제2 펌핑 전압을 생성하고, 이를 제1 펌핑 전압 발생부의 출력 단자로 공급한다. 이러한 동작을 통해, 전류 소비가 증가하여도 펌핑 전압이 낮아지는 것을 방지할 수 있다.
일정 시간이 경과하면, 반전 지연부(211)는 하이 레벨의 리프레쉬 플래그 신호를 로우 레벨로 반전시키며, 이 신호는 난드 게이트(N1)의 제2 입력단으로 인가된다. 난드 게이트(N1)는 리프레쉬 플래그 신호에 상관없이 반전 지연부(211)의 로우 레벨 신호에 의해 하이 레벨의 신호를 출력하고, 하이 레벨의 신호는 인버터(I1)에 의해 반전되어 인에이블 신호(E2)가 로우 레벨(비활성)로 발생된다.
인에이블 신호(E2)가 비활성화되면, 제2 펌핑 전압 발생부의 오실레이터와 펌핑부의 동작이 중단된다. 즉, 제2 펌핑 전압 발생부의 동작이 중단되고, 제1 펌핑 전압 발생부만 계속해서 동작하게 된다.
이렇게, 전류 소비가 증가되어 펌핑 전압이 낮아질 수 있는 오토 리프레쉬 동작 모드의 진입 구간에서, 펌핑 전압의 변화에 상관없이 제1 펌핑 전압 발생부의 출력 단자로 펌핑 전압을 일정 시간 동안 미리 공급하여 보충함으로써 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮아지는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 일반 동작 모드에서 전류 소비가 급격하게 증 가하는 동작 모드로 진입하더라도 보조 펌핑 전압 발생부를 이용하여 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮아지는 것을 방지함으로써, 회로를 안정적으로 동작시켜 회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 노멀 동작 모드 및 오토 리프레쉬 동작 모드에서 동작하여 전원전압보다 높은 제1 펌핑 전압을 생성해서 주변회로로 공급하기 위한 제1 펌핑 전압 발생부; 및
    상기 노멀 동작 모드에서 전류 소비가 증가하는 상기 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입 시, 오토 리프레쉬 동작 모드 신호에 따라 상기 전원전압보다 높은 제2 펌핑 전압을 생성하여 상기 제1 펌핑 전압 발생부의 출력 단자로 공급하기 위한 제2 펌핑 전압 발생부를 포함하는 고전압 공급 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 펌핑 전압 발생부는,
    소정의 펄스를 발생시키기 위한 오실레이터;
    상기 펄스에 따라 상기 전원 전압을 상승시켜 상기 제1 펌핑 전압을 생성하기 위한 펌핑부; 및
    상기 제1 펌핑 전압이 목표 전압보다 낮으면 상기 제1 펌핑 전압이 상기 목표 전압으로 상승할 때까지 상기 오실레이터를 동작시키는 펌핑 전압 검출부를 포함하는 고전압 공급 회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 펌핑 전압 발생부는,
    상기 오토 리프레쉬 동작 모드 신호에 따라 인에이블 신호를 발생시키기 위한 동작 모드 판단부;
    상기 인에이블 신호에 따라 소정의 펄스를 발생시키기 위한 오실레이터; 및
    상기 펄스에 따라 상기 전원 전압을 상승시켜 상기 제2 펌핑 전압을 생성하기 위한 펌핑부를 포함하는 고전압 공급 회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 동작 모드 판단부는 상기 오토 리프레쉬 동작 모드로의 진입과 동시에 목표 시간 동안만 상기 인에이블 신호를 발생시키는 고전압 공급 회로.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 동작 모드 판단부는,
    상기 오토 리프레쉬 동작 모드 신호를 상기 목표 시간만큼 반전 지연시키기 위한 반전 지연부;
    상기 오토 리프레쉬 동작 모드 신호 및 상기 반전 지연부의 출력 신호를 논리 조합하기 위한 난드 게이트; 및
    상기 난드 게이트의 출력 신호를 반전시켜 인에이블 신호를 발생시키기 위한 인버터를 포함하는 고전압 공급 회로.
  6. 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 오토 리프레쉬 동작 모드 신호가 리프레쉬 플래그 신호인 고전압 공급 회로.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 반전 지연부는 직렬로 접속된 홀수개의 인버터를 포함하여 이루어지는 고전압 공급 회로.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반전 지연부에 포함된 상기 인버터의 수에 따라 상기 목표 시간이 제어되는 고전압 공급 회로.
  9. 노멀 동작 모드 및 오토 리프레쉬 동작 모드 시 제1 펌핑 전압을 주변 회로로 공급하는 단계; 및
    상기 노멀 동작 모드에서 전류 소비가 증가하는 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입하면 제2 펌핑 전압을 발생시켜 상기 제1 펌핑 전압과 함께 상기 주변 회로로 공급하는 단계를 포함하는 고전압 공급 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 펌핑 전압은 상기 오토 리프레쉬 동작 모드로 진입과 동시에 상기 주변 회로로 공급되며, 일정 시간 동안만 공급되는 고전압 공급 방법.
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