WO2006057202A1 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents

エッチング方法及びエッチング装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2006057202A1
WO2006057202A1 PCT/JP2005/021256 JP2005021256W WO2006057202A1 WO 2006057202 A1 WO2006057202 A1 WO 2006057202A1 JP 2005021256 W JP2005021256 W JP 2005021256W WO 2006057202 A1 WO2006057202 A1 WO 2006057202A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching
gas
containing gas
plasma
processing container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/021256
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tetsuya Nishizuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to US11/791,718 priority Critical patent/US7842617B2/en
Publication of WO2006057202A1 publication Critical patent/WO2006057202A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas

Definitions

  • the present invention relates to an etching method and an etching apparatus that perform an etching process using an etching gas activated by plasma on the surface of an object to be processed such as a semiconductor wafer.
  • a case will be described as an example in which a tungsten-containing film formed on a polysilicon layer is subjected to pattern etching by a conventional etching method, for example, in order to form a gate electrode.
  • FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view showing a part of the object to be processed.
  • the object to be processed is a semiconductor wafer W such as a silicon substrate.
  • a SiO 2 film serving as a gate oxide film and a silicon-containing material such as a policy.
  • an underlayer 4 made of a recon layer is formed.
  • an etching target layer 6 made of a tungsten-containing material is formed on the underlayer 4.
  • the etching target layer 6 has a laminated structure of, for example, a tungsten nitride (WN) film 6A as a lower layer and a tungsten (W) film 6B as an upper layer.
  • WN tungsten nitride
  • W tungsten
  • the etching target layer formed in this way For example, a patterned mask 8 for forming a gate electrode is formed on the upper surface of 6.
  • the mask 8 for example, a SiN film, a SiO film, a photoresist film or the like is used.
  • an etching gas such as C1 gas, NF gas, or S is used.
  • F gas is used, and O gas is used as an additive gas to increase selectivity with the underlayer.
  • the etching gas When etching the semiconductor wafer W as described above, the etching gas is turned into plasma by plasma and activated, and the generated active species attack the etching target layer 6. At this time, the material forming the etching target layer 6 reacts with the active species and the additive gas to generate a reaction product. Then, the reaction product is vaporized and discharged as a gas. As a result, the etching target layer force S other than the portion protected by the mask 8 is scraped off. The etching stops at the portion of the base layer 4 that functions as a stagger layer.
  • Reaction products such as WF and WOC1 have no problem because they are relatively volatile.
  • reaction products such as number
  • the reaction products have relatively low volatility! It is easy to deposit because it has ⁇ and ⁇ ⁇ properties.
  • the reaction product which is difficult to volatilize adheres to the etched part and deteriorates the etching shape.
  • an F-based gas used as an etching gas
  • the gas is rich in reactivity, so that there is a problem that the etching target layer 6 is excessively scraped off to cause an undercut and the etching shape is deteriorated. is there.
  • FIG. 9A to FIG. 9C are electron microscopes showing an example of an etching shape at the time of this etching process. It is a micrograph and its schematic diagram.
  • FIG. 9A shows a schematic diagram of a state in which etching has been properly performed and a proper etching shape has been obtained.
  • Figure 9B shows the addition of N as an etching gas
  • non-volatile deposits 10 such as WO and WC1 O are deposited on the sides of
  • Figure 9C shows the case when C1 gas with O added was used as the etching gas.
  • the etching shape is shown.
  • a phenomenon occurs in which the undercut portion 12 is formed by excessively scraping the side portion of the etched shape into an arc shape. That is, as shown in FIGS. 9B and 9C, in the conventional etching method, the etching shape may deteriorate.
  • select C1 gas is used as the etching gas
  • the ratio is extremely lowered, and the polysilicon layer as the underlayer is also scraped off.
  • An object of the present invention is to provide an etching method and an etching apparatus capable of obtaining an appropriate etching shape while maintaining high selectivity with respect to a base layer.
  • the inventors of the present invention diligently studied the etching gas and the additive gas during the etching process. As a result, when etching thin films made of tungsten-containing materials such as tungsten films and tungsten nitride films, C1 gas, O gas, and N gas can be used.
  • the present invention is directed to the presence of plasma in a processing vessel that can be evacuated with respect to an object to be processed in which an etching target layer made of a tungsten-containing material is formed on a base layer made of a silicon-containing material.
  • etching target layer made of a tungsten-containing material is formed on a base layer made of a silicon-containing material.
  • chlorine-containing gas, oxygen-containing gas, and nitrogen-containing gas are used as the etching gas.
  • V is an etching method characterized in that
  • the amount of the oxygen-containing gas added to the total flow rate of the chlorine-containing gas and the nitrogen-containing gas is in the range of 2.9 to 8.6%, and the chlorine-containing gas and The flow rate ratio of the nitrogen-containing gas to the total flow of the nitrogen-containing gas is 50-80.
  • the present invention provides a process container in which an object to be processed in which an etching target layer made of a tungsten-containing material is formed on a base layer made of a silicon-containing material can be evacuated.
  • a chlorine-containing gas and an acid / nitrogen-based gas are used as the gas during the etching.
  • the plasma is generated by microwaves.
  • the etching process is performed in a processing container having an RLSA (Radial Line Slot Antenna) type planar antenna member.
  • RLSA Random Line Slot Antenna
  • the base layer is made of a polysilicon layer
  • the etching target layer has a laminated structure of a tungsten nitride film and a tungsten film.
  • the present invention provides a plasma in a processing vessel that can be evacuated with respect to an object to be processed in which an etching target layer made of a tungsten-containing material is formed on a base layer made of a silicon-containing material.
  • the etching apparatus is controlled in such a manner that the etching process is performed using a chlorine-containing gas, an oxygen-containing gas, and a nitrogen-containing gas as the etching gas. It is a computer-readable recording medium that contains a program.
  • the present invention provides a tungsten-containing material on a base layer made of a silicon-containing material.
  • a chlorine-containing gas is used as the etching gas.
  • the present invention provides the above-described processing container in which the inside can be evacuated and the object to be processed in which the etching target layer made of the tungsten-containing material is formed on the lower layer made of the silicon-containing material.
  • a mounting table provided in the processing container; a gas supply means for supplying a chlorine-containing gas, an oxygen-containing gas, and a nitrogen-containing gas into the processing container as etching gases; and plasma in the processing container.
  • Plasma forming means for raising the gas, and the gas supply means and the step of supplying the etching gas into the processing container and the step of performing plasma etching in the processing container and the gas supply means and
  • An etching apparatus comprising: control means for controlling the plasma forming means.
  • the present invention provides the above-described processing container in which the inside can be evacuated and the object to be processed in which the etching target layer made of the tungsten-containing material is formed on the lower layer made of the silicon-containing material.
  • a mounting table provided in the processing container; a gas supply means for supplying a chlorine-containing gas and an oxygen-nitrogen system as gas during etching into the processing container; and plasma is generated in the processing container.
  • the gas supply means and the plasma formation so as to execute a plasma forming means, a step of supplying a gas at the time of etching into the processing vessel, and a step of performing etching by generating a plasma in the processing vessel
  • An etching apparatus comprising: control means for controlling the means.
  • the plasma forming means is configured to form plasma by an RLSA (Radial Line Slot Antenna) type planar antenna member.
  • RLSA Random Line Slot Antenna
  • FIG. 2 is a plan view showing a planar antenna member of the plasma forming means.
  • FIG. 3 is a bottom view showing a shower head portion of the gas supply means.
  • Figure 4 shows the ratio of N gas flow rate to the total flow rate of C1 gas and N gas.
  • FIGS. 5A to 5D show the N gas flow rate ratios of 50%, 70%, 80%, and 90%.
  • Figure 6 shows the amount of O gas added to the total flow rate of C1 gas and N gas and the underlying layer.
  • FIGS. 7A to 7E the amount of O gas added is 2.9%, 4.3%, 5.7%, 8.6%, 11
  • FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view showing a part of the object to be processed.
  • FIG. 9A to FIG. 9C are an electron micrograph showing an example of an etching shape at the time of etching processing, and a schematic diagram thereof.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of an etching apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a planar antenna member of the plasma forming means.
  • FIG. 3 is a bottom view showing the shower head portion of the gas supply means.
  • an etching apparatus an etching apparatus using a radial line slot antenna (RLSA) type planar antenna member will be described as an example.
  • RLSA radial line slot antenna
  • the etching apparatus 22 of the present embodiment has a processing container 24 that is entirely formed into a cylindrical shape.
  • the side wall and bottom of the processing container 24 are made of a conductor such as aluminum and are grounded.
  • the inside of the processing container 24 is configured as a sealed processing space S, and plasma is formed in the processing space S.
  • a mounting table 26 on which, for example, a semiconductor wafer W as a target object is mounted is accommodated on the upper surface.
  • the mounting table 26 is formed in a flat disk shape made of anodized aluminum or the like, for example.
  • the mounting table 26 is supported by a support column 28 made of, for example, aluminum standing up from the bottom of the processing container 24.
  • a gate valve 30 that opens and closes for loading / unloading a wafer into / from the inside of the processing container 24 is provided on the side wall of the processing container 24.
  • an exhaust port 32 is provided at the bottom of the processing container 24.
  • An exhaust passage 38 to which a pressure control valve 34 and a vacuum pump 36 are sequentially connected is connected to the exhaust port 32.
  • the ceiling of the processing container 24 is open (has an opening).
  • a top plate 40 that is permeable to microwaves is airtightly provided via a seal member 42 such as an O-ring.
  • the top plate 40 is made of a ceramic material such as Al 2 O 3, for example. Top plate 40 thickness
  • the length is set to about 20 mm, for example.
  • Plasma forming means 44 for generating plasma in the processing vessel 24 is provided on the top surface of the top plate 40.
  • the plasma forming means 44 has a disk-shaped planar antenna member 46 provided on the top surface of the top plate 40.
  • a slow wave member 48 is provided on the planar antenna member 46.
  • the slow wave material 48 has a high dielectric constant characteristic in order to shorten the wavelength of the microwave.
  • the substantially entire upper and side surfaces of the slow wave member 48 are covered with a waveguide box 50 made of a conductive hollow cylindrical container.
  • the planar antenna member 46 is configured as a bottom plate of the waveguide box 50 and faces the mounting table 26.
  • a cooling jacket 52 through which a coolant for cooling the waveguide box 50 flows is provided at the top of the waveguide box 50.
  • the peripheral portions of the waveguide box 50 and the planar antenna member 46 are both electrically connected to the processing container 24.
  • An outer tube 54A of the coaxial waveguide 54 is connected to the center of the upper surface of the waveguide box 50.
  • the internal cable 54B inside the coaxial waveguide 54 is connected to the center portion of the planar antenna member 46 through the through-hole at the center of the slow wave member 48.
  • the coaxial waveguide 54 is connected via a mode converter 56 and a waveguide 58 to, for example, a 2.45 GHz microwave generator 60 having matching (not shown).
  • a mode converter 56 and a waveguide 58 to, for example, a 2.45 GHz microwave generator 60 having matching (not shown).
  • microwaves can be propagated to the planar antenna member 46.
  • the frequency of the microwave is not limited to 2.45 GHz, and may be another frequency, for example, 8.35 GHz.
  • the waveguide 58 a waveguide having a circular cross section or a rectangular cross section or a coaxial waveguide can be used.
  • the slow wave material 48 having a high dielectric constant characteristic provided on the upper surface of the planar antenna member 46 in the waveguide box 50 shortens the in-tube wavelength of the microwave due to the wavelength shortening effect. Acts like As the slow wave material 48, for example, aluminum nitride or the like can be used.
  • the planar antenna member 46 corresponds to a 300 mm size wafer
  • the planar antenna member 46 is made of, for example, a conductive material having a diameter of S400 to 500 mm and a thickness of about 1 to several mm. More specifically, for example, a copper plate or aluminum plate force having a silver-plated surface can be formed.
  • the planar antenna member 46 is formed with a number of microwave radiation holes 62 formed of, for example, long groove-like through holes.
  • the arrangement form of the microwave radiation holes 62 is not particularly limited. For example, they can be arranged concentrically, spirally, radially, and the like. Alternatively, it can be evenly distributed over the entire surface of the planar antenna member. In the example shown in FIG.
  • the two microwave radiation holes 62 are arranged in a concentric circle formed by arranging them in a substantially T shape with a slight separation.
  • the planar antenna member 46 has a so-called RLSA (Radial Line Slot Antenna) type antenna structure, and thereby features of high density plasma and low electron energy are obtained.
  • a gas supply means 64 for supplying a gas required for etching into the processing container 24 is provided above the mounting table 26.
  • the gas supply means 64 includes a gas flow channel 66 formed in a lattice shape, a ring-shaped gas flow channel 66a, and a gas flow channel 66 formed in the middle of the gas flow channel 66.
  • a shower head 70 having a large number of gas injection holes 68 is provided. In this case, both ends of each lattice-shaped gas flow channel 66 are connected to the gas flow channel 66a in the form of a ridge, so that the gas can flow sufficiently through each gas flow channel 66.
  • the shower head section 70 is formed with a large number of openings 72 that pass through in the vertical direction at positions that avoid the gas flow paths 66 and 66a. Through this opening 72, gas can flow in the vertical direction.
  • the entire shower head unit 70 can be formed of quartz, aluminum or the like in order to maintain durability in relation to the etching gas. In particular, when a chlorine-based gas is used, it is preferable to form it with quartz.
  • a gas passage 74 extending to the outside is connected to the ring-shaped gas passage 66a.
  • This gas passage 74 is branched into a plurality of branch passages on the way, and each branch passage is connected to each gas source with an on-off valve 76 and a flow rate controller 78 such as a mass flow controller interposed therebetween.
  • an on-off valve 76 and a flow rate controller 78 such as a mass flow controller interposed therebetween.
  • C1 gas source 80A that stores 2 and O gas that stores, for example, O gas as an oxygen-containing gas
  • N gas source 80B and N gas source 80C that stores N gas, for example, as nitrogen-containing gas
  • the shower head unit 70 as described above is provided in two upper and lower stages, O gas and N gas are flowed from one of them, and C1 gas is flowed from the other.
  • a plurality of, for example, three lifting pins 82 (only two are shown in FIG. 1) for raising and lowering the wafer W when the wafer W is loaded and unloaded are provided below the mounting table 26, a plurality of, for example, three lifting pins 82 (only two are shown in FIG. 1) for raising and lowering the wafer W when the wafer W is loaded and unloaded are provided.
  • the ascending / descending pin 82 is moved up and down by an elevating rod 86 provided so as to penetrate the bottom of the container via an extendable bellows 84.
  • the mounting table 26 is formed with a pin insertion hole 88 through which the elevating pin 82 is inserted.
  • the entire mounting table 26 is made of a heat-resistant material, for example, a ceramic such as alumina.
  • a heating means 90 is provided in the heat resistant material.
  • the heating means 90 of the present embodiment has a thin plate-like resistance heater 92 embedded over substantially the entire area of the mounting table 26.
  • the resistance heater 92 is connected to a heater power source 96 via a wiring 94 that passes through the column 28.
  • a thin electrostatic chuck 100 having conductor wires 98 disposed therein, for example, in a mesh shape is provided on the upper surface side of the mounting table 26, a thin electrostatic chuck 100 having conductor wires 98 disposed therein, for example, in a mesh shape is provided.
  • the conductor wire 98 of the electrostatic chuck 100 is connected to the DC power source 104 via the wiring 102 in order to exert an electrostatic attraction force.
  • a bias high frequency power source 106 is also connected to the wiring 102 in order to apply a bias high frequency power of 13.56 MHz, for example, to the conductor wire 98 of the electrostatic chuck 100 during etching.
  • each gas source 80A to 80C force C1 gas, O gas, and N gas at a predetermined flow rate.
  • the pressure control valve 34 is controlled, and the inside of the processing container 24 is maintained at a predetermined process pressure.
  • the microwave generator 60 of the plasma forming means 44 is driven, and the microphone mouth wave generated by the microwave generator 60 is transmitted through the waveguide 58 and the coaxial waveguide 54 to the planar antenna.
  • member 46 Supplied to member 46. From the planar antenna member 46 to the processing space, a microphone mouth wave whose wavelength is shortened by the slow wave material 48 is introduced. Thereby, plasma is generated in the processing space, and an etching process using a predetermined plasma is performed.
  • each gas of C 1, 0, and N is converted into plasma by the microwave and activated.
  • the etching target layer 6 made of a tungsten-containing material formed on the surface of the wafer w is etched and removed except for the portion protected by the mask 8 by the active species generated at times.
  • the respective gases flow downward while being diffused substantially uniformly around the mounting table 26, and are discharged from the exhaust path 38 through the exhaust port 32.
  • a high frequency for bias is applied to the conductor wire 98 in the electrostatic chuck 100 from the high frequency power supply 106 for noise.
  • the active species and the like are drawn with good straightness with respect to the wafer surface, thereby reducing the possibility of the etching shape being collapsed.
  • C1 gas which is a chlorine-containing gas, is used as an etching gas.
  • the etching target layer 6 composed of the laminated structure of the tungsten nitride film 6A and the tungsten film 6B can be etched with high selectivity with respect to the base layer 4 composed of the polysilicon layer.
  • the etching shape can be maintained in an appropriate shape without breaking.
  • adhesion of the non-volatile deposit 10 as shown in FIG. 9B, which has occurred in the conventional method is prevented, and in FIG. 9C, which has occurred in the conventional method.
  • Generation of the undercut portion 12 as shown in the figure is also prevented, and an appropriate etching shape as shown in FIG. 9A can be obtained.
  • an inert gas such as Ar gas or He gas may be added.
  • an appropriate amount of gas is added as an oxygen-containing gas.
  • N gas was added as a nitrogen-containing gas to make the etching shape appropriate.
  • the process temperature is in the range of 60 to 80 ° C, for example, and the process pressure is in the range of 0.5 to 2Pa, for example.
  • the flow rate of the chlorine-containing gas (C1 gas) is the size of the processing container 2.
  • the wafer size is 300 mm, it is in the range of about 100 to 1000 sccm.
  • the flow rate ratio of the nitrogen-containing gas is in the range of 50-80%.
  • the amount of oxygen-containing gas (O gas) added is 2 ⁇ 9
  • Figure 4 shows the etching of the flow ratio of N gas to the total flow of C1 gas and N gas.
  • the left vertical axis indicates the etching rate (etching target layer and underlayer), and the right vertical axis indicates the selection ratio.
  • 5A to 5D show the etching conditions when the N gas flow ratio is 50%, 70%, 80%, and 90%.
  • the total flow rate of 2 2 was kept constant at 700 sccm, and the ratio of both gases was changed.
  • the flow rate of 2 was fixed at 30 sccm.
  • FIG. 5A to FIG. 5C show relatively appropriate etching shapes. However, in FIG. 5D, side etching occurs. And as is clear from the graph of Fig. 4, N gas
  • the selection ratio is preferably improved. However, if the N gas flow ratio exceeds 80%,
  • the etching rate of the target layer is excessively lowered. Further, in this case, side etching occurs in the etching target layer as shown in FIG. 5D, although it does not appear in the graph of FIG. That is, this case is not preferable. On the other hand, the gas flow ratio of N is smaller than 50%
  • Figure 6 shows the amount of O gas added to the total flow rate of C1 gas and N gas
  • the gas and N gas flow rates are fixed at 200 sccm and 500 sccm, respectively.
  • FIGS. 7A to 7D show relatively appropriate etching shapes. However, in FIG. 7E, a deposit is generated on the side wall. On the other hand, as is apparent from the graph of FIG.
  • the C1 gas is used as the chlorine-containing gas.
  • BC1 etc. can be used.
  • the form of the above implementation is not limited to this.
  • BC1 etc. can be used.
  • the form of the above implementation is not limited to this.
  • nitrogen-containing gas two types of gases, oxygen-containing gas and nitrogen-containing gas, are used as additive gases.
  • acid nitrogen gas may be used.
  • this nitrogen oxide gas for example, NO gas, N 2 O gas, NO gas or the like can be used.
  • the present invention is not limited to this.
  • the present invention can also be applied when the underlayer 4 is made of a silicon single crystal.
  • the etching target layer 6 is not limited to the laminated structure of the tungsten nitride film 6A and the tungsten film 6B, and may be any film as long as it is a material containing tungsten.
  • the present invention can be applied to a single layer composed of only a tungsten nitride film or a single layer composed of only a tungsten film.
  • the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be a glass substrate, an LCD substrate, or the like.
  • the present invention can also be applied.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

　本発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとが用いられることを特徴とするエッチング方法である。

Description

明 細 書
エッチング方法及びエッチング装置
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ウェハ等の被処理体の表面にプラズマにより活性ィ匕されたエツ チングガスを用いてエッチング処理を施すエッチング方法及びエッチング装置に関 する。
背景技術
[0002] 一般に、半導体製品の集積回路を形成するには、半導体ウェハ等の被処理体に 対して、成膜処理、改質処理、酸化拡散処理、エッチング処理等の各種の処理が行 われる。近年の半導体集積回路の更なる高密度化、高微細化、薄膜化及び製品歩 留まり向上の要請に伴って、エッチング処理においても、下地層との選択性を高く維 持しつつ、エッチング形状を設計通りに精度良く形成することが求められている。
[0003] 一般に、エッチング処理を行う場合には、エッチング対象層とその下層に位置する エッチングストッパ層となる下地層との選択性を考慮して、エッチングガスが選定され る。また、エッチング処理を行う時には、低温で処理を行うことができ、且つ、エツチン グ効率を高めるために、プラズマが用いられる傾向にある（特開平 11 - 111689号 公報及び特開 2004— 39935号公報参照）。
[0004] ここで、従来のエッチング方法にっ 、て、例えばゲート電極を形成するためにポリシ リコン層上に形成されたタングステン含有膜をパターンエッチングする場合を例として 説明する。
[0005] 図 8は、被処理体の一部を示す部分拡大断面図である。図 8に示すように、この被 処理体は、シリコン基板等の半導体ウェハ Wよりなる。ここでは、当該半導体ウェハ Wの表面に、ゲート酸ィ匕膜となる SiO 膜 2及びシリコン含有材料である例えばポリシ
2
リコン層よりなる下地層 4が形成されている。そして、前記下地層 4上に、タングステン 含有材料よりなるエッチング対象層 6が形成されて!、る。このエッチング対象層 6は、 ここでは、例えば下層となる窒化タングステン (WN)膜 6Aと上層となるタングステン（ W)膜 6Bとの積層構造を有している。そして、このように形成されたエッチング対象層 6の上面に、例えばゲート電極を形成するためのパターンィ匕されたマスク 8が形成さ れている。マスク 8としては、例えば SiN膜、 SiO 膜、フォトレジスト膜等が用いられる
2
[0006] さて、前記したような積層構造を有する半導体ウェハ Wに対してエッチング処理が 行われる場合には、従来においては、エッチングガスとして C1 ガスや NF ガスや S
2 3
F ガスが用いられ、添加ガスとして下地層との選択性を高めるために O ガス等が
6 2 用いられ、これらのガスがプラズマにより活性ィ匕されてエッチング処理が行われる。ま た、必要に応じて、不活性ガス例えば Arガスが供給される場合もある。また、 O ガス
2 に代えて、 N ガスが用いられる場合もある。
2
[0007] 前記したような半導体ウェハ Wをエッチングする場合、プラズマによりエッチングガ スがプラズマ化されて活性ィ匕され、発生された活性種がエッチング対象層 6をアタック する。この時、エッチング対象層 6を形成している材料と活性種及び添加ガスとが反 応して、反応生成物が生成される。そして、当該反応生成物は気化してガスとなって 排出され、結果的に、マスク 8によって保護されている部分以外のエッチング対象層 力 S削り取られる。当該エッチングは、ストツバ層として機能する下地層 4の部分で停止 する。
[0008] ところで、エッチング処理時に発生される反応生成物としては、種々の物質がある。
WFや WOC1 等の反応生成物は、比較的揮発性が高いことから問題はないが、エツ
4
チングガスとして C1系ガスが用いられた時に発生される WO や WC1 O (X, y :正
3
数)等の反応生成物は、比較的揮発性が低！ヽことから堆積し易!ヽと ヽぅ性質をもって いる。
[0009] ここで、下地層 4との選択比を高めるには、前記したように、 O ガスの流量比を増
2
加すればよい。しかし、 O ガスの流量比が増加されると、前記 WO や WC1 o 等
2 3
の揮発し難い反応生成物がエッチング部分に付着してエッチング形状を劣化させて しまう。また、エッチングガスとして F系ガスが用いられる場合、当該ガスは反応性に 富むことから、エッチング対象層 6が過度に削り取られてアンダーカットが生じてエツ チング形状が劣化してしまう、という問題がある。
[0010] 図 9A乃至図 9Cは、このエッチング処理時のエッチング形状の一例を示す電子顕 微鏡写真とその模式図である。図 9Aは、エッチングが適正に行われて適正なエッチ ング形状が得られた状態の模式図を示す。図 9Bは、エッチングガスとして N が添加
2 された C1 ガスが用いられたときのエッチング形状を示す。この場合、エッチング形状
2
の側部に WO や WC1 O 等の不揮発性堆積物 10が堆積するという現象が発生し
3
ている。図 9Cは、エッチングガスとして O が添加された C1 ガスが用いられたときの
2 2
エッチング形状を示す。この場合、エッチング形状の側部が円弧状に過度に削り取ら れてアンダーカット部 12が形成されるという現象が発生している。すなわち、図 9B及 び図 9Cに示すように、従来のエッチング方法では、エッチング形状が劣化する場合 がある。一方、エッチングガスとして単に C1 ガスのみが用いられた場合には、選択
2
比が極端に低下して、下地層であるポリシリコン層をも削り取られてしまう。
[0011] 前記したようなエッチング形状の劣化は、線幅等の寸法の設計ルールがそれ程厳 しくな力つた従来の場合には、それ程問題にならな力つた。しかしながら、微細化が 更に進んで寸法の設計ルールがより厳しくなつてくると、解決が望まれる問題である。 発明の要旨
[0012] 本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたもの である。本発明の目的は、下地層に対して高い選択性を維持しつつ、しかも、適正な エッチング形状を得ることが可能なエッチング方法及びエッチング装置を提供するこ とにある。
[0013] 本件発明者は、エッチング処理時のエッチングガスと添加ガスとについて鋭意研究 した。その結果、タングステン膜ゃ窒化タングステン膜などのタングステン含有材料よ りなる薄膜をエッチングする場合には、 C1 ガスと O ガスと N ガスとを用いたり、 C1
2 2 2 2 ガスと NO等の酸ィ匕窒素系ガスとを用いることにより、高い選択性及び適正なエッチ ング形状が得られる、という知見を得た。そして、当該知見に基づいて、本件発明者 は本発明を想到するに至った。
[0014] 本発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエツ チング対象層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理容器内 にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法にぉ ヽて、 前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとが用 V、られることを特徴とするエッチング方法である。
[0015] 本発明によれば、エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含 有ガスとが用いられることにより、下地層に対して高い選択性を維持しつつ、し力も、 適正なエッチング形状を得ることができる。
[0016] この場合、例えば、前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する 前記酸素含有ガスの添加量は、 2. 9〜8. 6%の範囲内であり、前記塩素含有ガス及 び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記窒素含有ガスの流量比は、 50〜80
%の範囲内である。
[0017] あるいは、本発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よ りなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処 理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法に おいて、前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸ィ匕窒素系ガスとが用いら れることを特徴とするエッチング方法である。
[0018] 本発明によれば、エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸ィ匕窒素系ガスとが用 いられることにより、下地層に対して高い選択性を維持しつつ、し力も、適正なエッチ ング形状を得ることができる。
[0019] この場合、例えば、前記プラズマは、マイクロ波によって発生される。
[0020] また、例えば、前記エッチング処理は、 RLSA (Radial Line Slot Antenna)方 式の平面アンテナ部材を有する処理容器内で行われる。
[0021] また、例えば、前記下地層は、ポリシリコン層よりなり、前記エッチング対象層は、窒 化タングステン膜とタングステン膜との積層構造を有する。
[0022] また、本発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりな るエッチング対象層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理 容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すエッチング装置について、前 記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとを用い てエッチング処理を施す、と 、うようにエッチング装置を制御するプログラムを含むコ ンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
[0023] また、本発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりな るエッチング対象層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理 容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すエッチング装置について、前 記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸ィ匕窒素系ガスとを用いてエッチング 処理を施す、 t 、うようにエッチング装置を制御するプログラム
を含むコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
[0024] また、本発明は、内部が真空引き可能な処理容器と、シリコン含有材料よりなる下 地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象層が形成された被処理体を 載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ塩素含 有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとをエッチング時のガスとして供給するための ガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前 記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内でブラ ズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように前記ガス供給手段及び前記プ ラズマ形成手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするエッチング装置で ある。
[0025] また、本発明は、内部が真空引き可能な処理容器と、シリコン含有材料よりなる下 地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象層が形成された被処理体を 載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ塩素含 有ガスと酸ィ匕窒素系とをエッチング時のガスとして供給するためのガス供給手段と、 前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記処理容器内へ 前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内でプラズマを立ててエツ チングを行う工程とを実行するように前記ガス供給手段及び前記プラズマ形成手段 を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするエッチング装置である。
[0026] この場合、例えば、前記プラズマは、マイクロ波によって発生される。
[0027] また、例えば、前記プラズマ形成手段は、 RLSA (Radial Line Slot Antenna) 方式の平面アンテナ部材によってプラズマを形成するようになって!/、る。
図面の簡単な説明
[0028] [図 1]図 1は、本発明に係るエッチング装置の一実施の形態を示す構成図である。
[図 2]図 2は、プラズマ形成手段の平面アンテナ部材を示す平面図である。 [図 3]図 3は、ガス供給手段のシャワーヘッド部を示す下面図である。
[図 4]図 4は、 C1 ガス及び N ガスの合計流量に対する N ガスの流量比のエツチン
2 2 2
グ依存性を示すグラフである。
[図 5]図 5A乃至図 5Dは、 N ガスの流量比が 50%、 70%、 80%、 90%である時の
2
それぞれのエッチング状態を示す電子顕微鏡写真である。
[図 6]図 6は、 C1 ガス及び N ガスの合計流量に対する O ガスの添加量と下地層に
2 2 2
対する選択性との関係を示すグラフである。
[図 7]図 7A乃至図 7Eは、 O ガスの添加量が 2. 9%、 4. 3%、 5. 7%、 8. 6%、 11
2
. 4%である時のそれぞれのエッチング状態を示す電子顕微鏡写真である。
[図 8]図 8は、被処理体の一部を示す部分拡大断面図である。
[図 9]図 9A乃至図 9Cは、エッチング処理時のエッチング形状の例を示す電子顕微 鏡写真及びその模式図である。
発明を実施するための最良の形態
[0029] 以下に、本発明に係るエッチング装置及びエッチング方法の実施の形態を添付図 面に基づいて詳述する。
[0030] 図 1は、本発明に係るエッチング装置の一実施の形態を示す構成図である。図 2は 、プラズマ形成手段の平面アンテナ部材を示す平面図である。図 3は、ガス供給手段 のシャワーヘッド部を示す下面図である。ここでは、エッチング装置として、ラジアルラ インスロットアンテナ（RLSA: Radial Line Slot Antenna)方式の平面アンテナ 部材が用いられたエッチング装置が例として説明される。
[0031] 図 1に示すように、本実施の形態のエッチング装置 22は、全体が筒体状に成形さ れた処理容器 24を有している。処理容器 24の側壁や底部は、アルミニウム等の導体 により構成され、接地されている。処理容器 24の内部は、密閉された処理空間 Sとし て構成され、この処理空間 S内にプラズマが形成されるようになっている。
[0032] 処理容器 24内には、上面に被処理体としての例えば半導体ウェハ Wを載置する 載置台 26が収容されている。載置台 26は、例えばアルマイト処理されたアルミニウム 等からなる平坦円板状に形成されている。載置台 26は、処理容器 24の底部より起立 する例えばアルミニウム等よりなる支柱 28に支持されている。 [0033] 処理容器 24の側壁には、処理容器 24の内部に対してウェハを搬入'搬出するた めに開閉するゲートバルブ 30が設けられている。また、処理容器 24の底部には、排 気口 32が設けられている。排気口 32には、圧力制御弁 34及び真空ポンプ 36が順 次介接された排気路 38が接続されている。これにより、必要に応じて、処理容器 24 内を所定の圧力まで真空引きできるようになつている。
[0034] また、処理容器 24の天井部は開口している（開口部を有している）。ここに、マイクロ 波に対しては透過性を有する天板 40が Oリング等のシール部材 42を介して気密に 設けられている。天板 40は、例えば Al O 等のセラミック材等よりなる。天板 40の厚
2 3
さは、耐圧性を考慮して、例えば 20mm程度に設定される。
[0035] そして、天板 40の上面に、処理容器 24内でプラズマを立てるためのプラズマ形成 手段 44が設けられている。具体的には、プラズマ形成手段 44は、天板 40の上面に 設けられた円板状の平面アンテナ部材 46を有している。平面アンテナ部材 46上に は、遅波材 48が設けられている。遅波材 48は、マイクロ波の波長を短縮するために 高誘電率特性を有している。遅波材 48の上方及び側方の略全面は、導電性の中空 円筒状容器よりなる導波箱 50によって覆われている。平面アンテナ部材 46は、導波 箱 50の底板として構成され、載置台 26に対向している。導波箱 50の上部には、これ を冷却するための冷媒が流れる冷却ジャケット 52が設けられている。
[0036] 導波箱 50及び平面アンテナ部材 46の周辺部は、共に処理容器 24と導通されてい る。導波箱 50の上面の中心に、同軸導波管 54の外管 54Aが接続されている。同軸 導波管 54の内部の内部ケーブル 54Bは、遅波材 48の中心の貫通孔を通って、平面 アンテナ部材 46の中心部に接続されている。
[0037] 同軸導波管 54は、モード変換器 56及び導波管 58を介して、マッチング（図示せず )を有する例えば 2. 45GHzのマイクロ波発生器 60に接続されている。これにより、平 面アンテナ部材 46へマイクロ波を伝搬できるようになって 、る。マイクロ波の周波数 は、 2. 45GHzに限定されず、他の周波数、例えば 8. 35GHzなど、であってもよい 。導波管 58としては、断面円形或いは断面矩形の導波管や同軸導波管を用いること ができる。そして、導波箱 50内の、平面アンテナ部材 46の上面に設けられた高誘電 率特性を有する遅波材 48は、波長短縮効果によって、マイクロ波の管内波長を短く するように作用する。遅波材 48としては、例えば窒化アルミ等を用いることができる。
[0038] 平面アンテナ部材 46は、 300mmサイズのウェハに対応する場合には、例えば、直 径カ S400〜500mm、厚みが 1〜数 mm程度の導電性材料から構成される。より具体 的には、例えば表面が銀メツキされた銅板或いはアルミ板力も構成され得る。平面ァ ンテナ部材 46には、例えば長溝状の貫通孔よりなる多数のマイクロ波放射孔 62が形 成されている。マイクロ波放射孔 62の配置形態は、特に限定されない。例えば、同心 円状、螺旋状、放射状などに配置され得る。あるいは、平面アンテナ部材全面に均 一になるように分布され得る。図 2に示す例では、 2個のマイクロ波放射孔 62を僅か に離間させて略 Tの字状に配置してなる組力 同心円状に配置されている。この平面 アンテナ部材 46は、いわゆる RLSA (Radial Line Slot Antenna)方式のアンテ ナ構造であり、これにより、高密度プラズマ及び低電子エネルギーという特徴が得ら れる。
[0039] また、載置台 26の上方には、処理容器 24内へエッチング時に必要とされるガスを 供給するためのガス供給手段 64が設けられている。具体的には、ガス供給手段 64 は、図 3に示すように、格子状に形成されたガス流路 66と、リング状のガス流路 66aと 、当該ガス流路 66の途中に形成された多数のガス噴射孔 68と、を有するシャワーへ ッド部 70を備えている。この場合、格子状の各ガス流路 66の両端部カ^ング状のガ ス流路 66aに接続されており、各ガス流路 66には十分にガスが流され得るようになつ ている。また、シャワーヘッド部 70には、前記各ガス流路 66、 66aを避けるような位置 に、上下方向に抜ける多数の開口部 72が形成されている。この開口部 72を介して、 上下方向にガスが流通できるようになって 、る。このようなシャワーヘッド部 70の全体 は、エッチングガスとの関係で耐久性を維持するために、石英やアルミニウム等で形 成され得る。特に、塩素系ガスが用いられる場合には、石英で形成されることが好ま しい。
[0040] 更に、リング状のガス流路 66aには、外部に延びるガス路 74が接続されている。こ のガス路 74は、途中で複数の分岐路に分岐されて、各分岐路には開閉弁 76やマス フローコントローラのような流量制御器 78がそれぞれ介設されつつ各ガス源に接続さ れている。ここで、エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含 有ガスとが用いられる。具体的なガス源としては、塩素含有ガスとして例えば C1 ガス
2 を貯留する C1 ガス源 80A、酸素含有ガスとして例えば O ガスを貯留する O ガス
2 2 2 源 80B、及び、窒素含有ガスとして例えば N ガスを貯留する N ガス源 80Cが用い
2 2
られている。尚、前記したようなシャワーヘッド部 70を上下 2段に設けて、その一方か ら O ガスと N ガスとを流し、他方カゝら C1 ガスを流すような構成を採用してもよい。
2 2 2
[0041] また、載置台 26の下方には、ウェハ Wの搬出入時にウェハ Wを昇降させる複数、 例えば 3本、の昇降ピン 82 (図 1においては 2本のみ記す）が設けられている。この昇 降ピン 82は、伸縮可能なベローズ 84を介して容器底部を貫通するように設けられた 昇降ロッド 86によって昇降される。また、載置台 26には、昇降ピン 82を挿通させるた めのピン揷通孔 88が形成されている。
[0042] 載置台 26の全体は、耐熱材料、例えばアルミナ等のセラミック、により構成されてい る。この耐熱材料中に、加熱手段 90が設けられている。本実施の形態の加熱手段 9 0は、載置台 26の略全域に亘つて埋め込まれた薄板状の抵抗加熱ヒータ 92を有し ている。この抵抗加熱ヒータ 92は、支柱 28内を通る配線 94を介して、ヒータ電源 96 に接続されている。
[0043] また、載置台 26の上面側には、内部に例えば網目状に配設された導体線 98を有 する薄い静電チャック 100が設けられている。静電チャック 100の導体線 98は、静電 吸着力を発揮するために、配線 102を介して直流電源 104に接続されている。これ により、載置台 26上詳しくは静電チャック 100上に載置されるウェハ Wが、静電吸着 力により吸着され得るようになつている。一方、配線 102には、エッチング時に例えば 13. 56MHzのバイアス用の高周波電力を静電チャック 100の導体線 98へ印加する ために、バイアス用高周波電源 106をも接続されている。
[0044] そして、このエッチング装置 22の全体の動作は、例えばマイクロコンピュータ等より なる制御手段 108によって制御されるようになっている。この動作を行うコンピュータ のプログラムは、フレキシブノレディスクや CD (Compact Disc)やフラッシュメモリ等 の記憶媒体 110に記憶されている。具体的には、この制御手段 108からの指令によ り、各ガスの供給や流量制御、マイクロ波や高周波の供給や電力制御、プロセス温 度やプロセス圧力の制御等が行われるようになって!/、る。 [0045] 次に、以上のように構成されたエッチング装置 22を用いて行なわれるエッチング方 法について説明する。
[0046] まず、ゲートバルブ 30を介して、半導体ウェハ Wが搬送アーム（図示せず）によって 処理容器 24内に収容される。昇降ピン 82を上下動させることによって、半導体ゥェ ハ Wは載置台 26の上面である載置面に載置される。そして、この半導体ウェハ Wは 、静電チャック 100によって静電吸着される。このウェハ Wでは、図 8に示すように、 下地層 4上にエッチング対象層 6が形成されている。このエッチング対象層 6上に、パ ターンィ匕されたマスク 8が、予め前工程にて形成されて！、る。
[0047] ウェハ Wは、加熱手段 90によって、所定のプロセス温度に維持される。一方、各ガ ス源 80A〜80C力ら C1 ガス、 O ガス及び N ガスがそれぞれ所定の流量でシャヮ
2 2 2
一ヘッド部 70を介して処理容器 24内へ供給される。そして、圧力制御弁 34が制御さ れて、処理容器 24内が所定のプロセス圧力に維持される。これと同時に、プラズマ形 成手段 44のマイクロ波発生器 60が駆動され、マイクロ波発生器 60にて発生されたマ イク口波が、導波管 58及び同軸導波管 54を介して平面アンテナ部材 46に供給され る。平面アンテナ部材 46から処理空間へは、遅波材 48によって波長が短くされたマ イク口波が導入される。これにより、処理空間内にプラズマが発生され、所定のプラズ マを用いたエッチング処理が行われる。
[0048] 詳細には、平面アンテナ部材 46から処理容器 24内へマイクロ波が導入されると、 C 1 、0 、N の各ガスが当該マイクロ波によってプラズマ化されて活性ィ匕され、この
2 2 2
時に発生される活性種によって、ウェハ wの表面に形成されて ヽるタングステン含有 材料よりなるエッチング対象層 6が、マスク 8により保護されている部分を除いて、エツ チングされて除去される。前記各ガスは、載置台 26の周辺部に略均等に拡散しなが ら下方へ流れて行き、排気口 32を介して排気路 38から排出される。また、エッチング 処理に際しては、ノ ィァス用高周波電源 106から静電チャック 100中の導体線 98へ バイアス用の高周波が印加される。これにより、活性種等がウェハ表面に対して直進 性良く引き込まれるため、エッチング形状が崩れるおそれが低減される。
[0049] ここで、本実施の形態においては、エッチングガスとして塩素含有ガスである C1 ガ
2 スが用いられ、添加ガスとして酸素含有ガスである O ガスと窒素含有ガスである N ガスとが用いられているので、ポリシリコン層よりなる下地層 4に対して、窒化タンダス テン膜 6Aとタングステン膜 6Bとの積層構造よりなるエッチング対象層 6が選択性良く エッチングされ得る。一方、そのエッチング形状が崩れることなぐ適正な形状に維持 され得る。換言すれば、本実施の形態によれば、従来方法で発生していた図 9Bに示 すような不揮発性堆積物 10の付着が防止され、また、従来方法で発生していた図 9 Cに示すようなアンダーカット部 12の発生も防止されて、図 9Aに示すような適正なェ ツチング形状を得ることができる。尚、前記各ガスに加えて、不活性ガス、例えば Arガ スゃ Heガス等が添加されてもょ 、。
[0050] 本実施の形態において適切なエッチング処理が実施される理由は、以下のように 考えられる。すなわち、エッチングガスとして C1 ガスが用いられ、下地層 4であるポリ
2
シリコン層との選択比を得るために酸素含有ガスとして o ガスが適切量添加され、ま
2
た、エッチング形状を適切にするために窒素含有ガスとして N ガスが適切量添加さ
2
れることにより、反応生成物として揮発性の低い物質がほとんど発生することなぐ主 として揮発性の高い物質、例えば wo、 wo 等が発生する。これこそ、最適なエッチ
2
ング条件である。また、反応生成物として揮発性の低い物質が一時的に生じたとして も、この物質は N ガスの活性種によって還元されて揮発性の高い物質へと変換され
2
ると考免られる。
[0051] なお、本実施の形態のプロセス条件については、プロセス温度は例えば 60〜80°C の範囲内であり、プロセス圧力は例えば 0. 5〜2Paの範囲内である。
[0052] また、各ガスにっ ヽては、塩素含有ガス (C1 ガス）の流量は、処理容器 2の大きさ
2
にもよるが、例えばウェハサイズが 300mmの時には 100〜1000sccm程度の範囲 内である。
[0053] また、塩素含有ガス (C1 ガス)及び窒素含有ガス (N ガス）の合計流量に対する
2 2
窒素含有ガスの流量比は、 50〜80%の範囲内である。ここで、 N ガスの流量比が
2
50%よりも少ない場合には、エッチング対象層 6と下地層 4との選択比が十分にとれ なくなって、適正なエッチング形状が得られなくなってしまう。また、 N ガスの流量比
2
が 80%よりも多い場合には、エッチングレートが急激に低下すると同時に、エツチン グ対象層 6の側壁が削られてサイドエッチングが発生してしまう。 [0054] また、塩素含有ガス (CI ガス)及び窒素含有ガス (N ガス）の合計流量に対する
2 2
酸素含有ガス（O ガス）の添カ卩量は、 2· 9
2 〜8. 6%の範囲内である。ここで、 O ガ
2 スの流量比が 2. 9%よりも少ない場合には、エッチングレートが大幅に低下してスル 一プットが十分でなくなってしまう。また、 O ガスの流量比が 8. 6%よりも大きい場合
2
には、側壁にデポが発生してエッチング形状が劣化してしまう。
[0055] ここで、各ガスの流量比に対するエッチング形状の良否及び下地層に対する選択 性について、実際に評価を行った。その評価結果について説明する。
[0056] 図 4は、 C1 ガス及び N ガスの合計流量に対する N ガスの流量比のエッチング
2 2 2
依存性を示すグラフである。ここでは、左側の縦軸にエッチングレート (エッチング対 象層及び下地層）が示され、右側の縦軸に選択比が示されている。また、図 5A乃至 図 5Dは、 N ガスの流量比が 50%、 70%、 80%、 90%である時の各エッチング状
2
態を示す電子顕微鏡写真である。この時のエッチング条件は、 C1 ガスと N ガスと
2 2 の合計流量が 700sccmで一定とされ、両ガスの比率が変化された。なお、 O ガス
2 の流量は 30sccmに固定された。
[0057] 図 5A乃至図 5Cは、比較的適正なエッチング形状を示している。し力し、図 5Dでは 、サイドエッチングが発生している。そして、図 4のグラフから明らかなように、 N ガス
2 の流量比が増加される時、エッチング対象層のエッチングレートはそれ程低下しない のに対して、下地層のエッチングレートは大幅に低下する。すなわち、この場合、選 択比が向上して好ましい。しかし、 N ガスの流量比が 80%を超えて大きくなると、ェ
2
ツチング対象層のエッチングレートが過度に低下する。更にこの場合、図 4のグラフに は現れていないが、図 5Dに示すように、エッチング対象層にサイドエッチングが発生 する。すなわち、この場合は好ましくない。一方、 N のガス流量比が 50%よりも小さ
2
い場合には、選択比が小さくなり過ぎてしまって好ましくない。以上から、 N ガスの
2 流量比について、 50〜80%の範囲内であることが必要であり、特に 70〜80%の範 囲内において選択比が実用上十分な値である 3. 0以上となって好ましい、ということ が確認された。
[0058] 図 6は、 C1 ガス及び N ガスの合計流量に対する O ガスの添加量と下地層に対
2 2 2
する選択性との関係を示すグラフである。ここでは、左側の縦軸にエッチングレート（ エッチング対象層及び下地層）が示され、右側の縦軸に選択比が示されている。図 7 A乃至図 7Eは、 O ガスの添加量が 2. 9%、 4. 3%、 5. 7%、 8. 6%、 11. 4%であ
2
る時の各エッチング状態の電子顕微鏡写真を示す。この時のプロセス条件は、 C1
2 ガスと N ガスの流量がそれぞれ 200sccm及び 500sccmに固定され、 O ガスの流
2 2 量のみが変化された。
[0059] 図 7A乃至図 7Dは、比較的適正なエッチング形状を示している。し力し、図 7Eでは 、側壁にデポが発生している。一方、図 6のグラフから明らかなように、 O ガスの添加
2 量が増大される程、エッチング対象層のエッチングレートは大きくなるのに対して、下 地層のエッチングレートは低下し、従って、選択比は増大している。また、 ο ガスの
2 添加量が 2. 9%よりも少ない場合には、エッチングレートが過度に低下してしまって 好ましくない。また、 O ガスの添加量が 8. 6%よりも大きくなると、図 7Eに示すように
2
、側壁にデポが発生してエッチング形状が劣化してしまうので好ましくない。以上から 、 Ο ガスの添カ卩量が 2. 9〜8. 6%の範囲内では、適正な選択比が得られ、特に 4.
2
3〜5. 7%の範囲内では、 3. 0以上の選択比が得られて側壁デポも全く発生せず好 ましい、ということが確認できた。
[0060] 前記の実施の形態では、塩素含有ガスとして C1 ガスが用いられている力 本発明
2
はこれに限定されない。例えば、 BC1 等を用いることができる。また前記の実施の形
3
態では、添加ガスとして酸素含有ガスと窒素含有ガスとの 2種類のガスが用いられて いるが、これらの 2種類のガスに代えて、酸ィ匕窒素ガスを用いてもよい。この酸化窒素 ガスとしては、例えば NOガス、 N Oガス、 NO ガス等を用いることができる。
2 2
[0061] また、ここでは、被処理体である半導体ウェハ Wの断面構造として、下地層 4として ポリシリコン層が形成されている場合を例として説明したが、本発明はこれに限定され ない。例えば、下地層 4がシリコン単結晶よりなる場合にも本発明を適用することがで きる。また、エッチング対象層 6としては、窒化タングステン膜 6Aとタングステン膜 6B の積層構造に限定されず、タングステンを含む材料であるならば、どのような膜でもよ い。例えば、窒化タングステン膜だけの単層、或いは、タングステン膜だけの単層の 場合にも、本発明を適用することができる。
[0062] また、被処理体としては、半導体ウェハに限定されず、ガラス基板、 LCD基板等に も本発明を適用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象 層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理容器内にてプラズ マの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法にぉ 、て、
前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとが 用いられる
ことを特徴とするエッチング方法。
[2] 前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記酸素含有ガス の添加量は、 2. 9〜8. 6%の範囲内であり、
前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記窒素含有ガス の流量比は、 50〜80%の範囲内である
ことを特徴とする請求項 1に記載のエッチング方法。
[3] シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象 層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理容器内にてプラズ マの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法にぉ 、て、
前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸ィ匕窒素系ガスとが用いられること を特徴とするエッチング方法。
[4] 前記プラズマは、マイクロ波によって発生される
ことを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれかに記載のエッチング方法。
[5] 前記エッチング処理は、 RLSA (Radial Line Slot Antenna)方式の平面アン テナ部材を有する処理容器内で行われる
ことを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれかに記載のエッチング方法。
[6] 前記下地層は、ポリシリコン層よりなり、
前記エッチング対象層は、窒化タングステン膜とタングステン膜との積層構造を有 する
ことを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれかに記載のエッチング方法。
[7] シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象 層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理容器内にてプラズ マの存在下でエッチング処理を施すエッチング装置について、
前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとを 用いてエッチング処理を施す、
t 、うようにエッチング装置を制御するプログラム
を含むコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
[8] シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象 層が形成された被処理体に対して、真空引き可能になされた処理容器内にてプラズ マの存在下でエッチング処理を施すエッチング装置について、
前記エッチング時のガスとして、塩素含有ガスと酸ィ匕窒素系ガスとを用いてエツチン グ処理を施す、
t 、うようにエッチング装置を制御するプログラム
を含むコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
[9] 内部が真空引き可能な処理容器と、
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象 層が形成された被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、 前記処理容器内へ塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとをエッチング時 のガスとして供給するためのガス供給手段と、
前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、
前記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内で プラズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように前記ガス供給手段及び前 記プラズマ形成手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。
[10] 内部が真空引き可能な処理容器と、
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン含有材料よりなるエッチング対象 層が形成された被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、 前記処理容器内へ塩素含有ガスと酸ィ匕窒素系とをエッチング時のガスとして供給 するためのガス供給手段と、
前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、 前記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内で プラズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように前記ガス供給手段及び前 記プラズマ形成手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。
[11] 前記プラズマは、マイクロ波によって発生される
ことを特徴とする請求項 9または 10に記載のエッチング装置。
[12] 前記プラズマ形成手段は、 RLSA (Radial Line Slot Antenna)方式の平面ァ ンテナ部材によってプラズマを形成するようになって 、る
ことを特徴とする請求項 9乃至 11のいずれかに記載のエッチング装置。
PCT/JP2005/021256 2004-11-29 2005-11-18 エッチング方法及びエッチング装置 Ceased WO2006057202A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/791,718 US7842617B2 (en) 2004-11-29 2005-11-18 Etching method and etching apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-344608 2004-11-29
JP2004344608A JP4701691B2 (ja) 2004-11-29 2004-11-29 エッチング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006057202A1 true WO2006057202A1 (ja) 2006-06-01

Family

ID=36497939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/021256 Ceased WO2006057202A1 (ja) 2004-11-29 2005-11-18 エッチング方法及びエッチング装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7842617B2 (ja)
JP (1) JP4701691B2 (ja)
KR (1) KR100910681B1 (ja)
CN (1) CN100580887C (ja)
TW (1) TWI385721B (ja)
WO (1) WO2006057202A1 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1115147A4 (en) * 1999-05-26 2007-05-02 Tadahiro Ohmi DEVICE FOR PLASMA TREATMENT
KR101418438B1 (ko) * 2007-07-10 2014-07-14 삼성전자주식회사 플라즈마 발생장치
TWI427697B (zh) * 2007-12-28 2014-02-21 東京威力科創股份有限公司 金屬膜及金屬氧化膜之蝕刻方法與半導體裝置之製造方法
JP2010118549A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US20110061810A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110061812A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110065276A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
JP2011174540A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Tokyo Electron Ltd 真空排気用のボールバルブ及び真空排気装置
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
JP5514310B2 (ja) * 2010-06-28 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US8969210B2 (en) 2010-09-15 2015-03-03 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
JP5413342B2 (ja) * 2010-09-27 2014-02-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハ表層部のエッチング方法およびシリコンウェーハの金属汚染分析方法
JP5916044B2 (ja) * 2010-09-28 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9245717B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Lam Research Corporation Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor
US8562785B2 (en) 2011-05-31 2013-10-22 Lam Research Corporation Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor
JP5377587B2 (ja) * 2011-07-06 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8808562B2 (en) * 2011-09-12 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Dry metal etching method
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
SG2013083654A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Methods for depositing films on sensitive substrates
JP6350525B2 (ja) * 2013-06-27 2018-07-04 日本電気株式会社 スイッチング素子とその製造方法および半導体装置とその製造方法
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
US9633867B2 (en) * 2015-01-05 2017-04-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for anisotropic tungsten etching
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
KR102179230B1 (ko) * 2016-06-03 2020-11-16 엔테그리스, 아이엔씨. 하프니아 및 지르코니아의 기상 에칭
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
JP6725176B2 (ja) * 2016-10-31 2020-07-15 株式会社日立ハイテク プラズマエッチング方法
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
US10373804B2 (en) * 2017-02-03 2019-08-06 Applied Materials, Inc. System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
KR102899918B1 (ko) 2018-03-02 2025-12-12 램 리써치 코포레이션 가수분해를 사용한 선택적인 증착
SG11202111962QA (en) 2019-05-01 2021-11-29 Lam Res Corp Modulated atomic layer deposition
US12237175B2 (en) 2019-06-04 2025-02-25 Lam Research Corporation Polymerization protective liner for reactive ion etch in patterning
JP2022534793A (ja) 2019-06-07 2022-08-03 ラム リサーチ コーポレーション 原子層堆積時における膜特性の原位置制御
KR20220042442A (ko) 2019-08-06 2022-04-05 램 리써치 코포레이션 실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)
CN113643973B (zh) * 2020-04-27 2024-11-08 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种低温刻蚀的方法及装置
US12598930B2 (en) 2020-07-23 2026-04-07 Lam Research Corporation Conformal thermal CVD with controlled film properties and high deposition rate
CN115735261A (zh) 2020-07-28 2023-03-03 朗姆研究公司 含硅膜中的杂质减量
US12473633B2 (en) 2021-07-09 2025-11-18 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116824A (ja) * 1996-06-17 1998-05-06 Applied Materials Inc 高いポリシリコン選択性を有するメタルシリサイドエッチング方法
JP2000252259A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Sony Corp ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法
JP2002355550A (ja) * 2001-03-28 2002-12-10 Tadahiro Omi プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び遅波板
JP2004119781A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Sharp Corp ドライエッチング方法
JP2004273532A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6050923A (ja) * 1983-08-31 1985-03-22 Hitachi Ltd プラズマ表面処理方法
JPS6265331A (ja) * 1985-09-17 1987-03-24 Hitachi Ltd 銅もしくは銅合金のエツチング方法
JPH11135481A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Yamaha Corp エッチング方法
US6217704B1 (en) * 1998-09-22 2001-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP2002025986A (ja) * 2000-07-06 2002-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング方法
JP4717295B2 (ja) * 2000-10-04 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ドライエッチング装置及びエッチング方法
JP4147017B2 (ja) * 2001-10-19 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116824A (ja) * 1996-06-17 1998-05-06 Applied Materials Inc 高いポリシリコン選択性を有するメタルシリサイドエッチング方法
JP2000252259A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Sony Corp ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法
JP2002355550A (ja) * 2001-03-28 2002-12-10 Tadahiro Omi プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び遅波板
JP2004119781A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Sharp Corp ドライエッチング方法
JP2004273532A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200636851A (en) 2006-10-16
CN101069272A (zh) 2007-11-07
KR20070086761A (ko) 2007-08-27
CN100580887C (zh) 2010-01-13
TWI385721B (zh) 2013-02-11
US7842617B2 (en) 2010-11-30
JP2006156675A (ja) 2006-06-15
JP4701691B2 (ja) 2011-06-15
US20080138996A1 (en) 2008-06-12
KR100910681B1 (ko) 2009-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006057202A1 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP4750176B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
KR100976207B1 (ko) 처리 장치, 처리 방법 및 그 처리 장치를 제어하는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체
TWI396234B (zh) A plasma oxidation treatment method and a manufacturing method of a semiconductor device
JP4633729B2 (ja) 半導体装置の製造方法およびプラズマ酸化処理方法
JP2020017698A (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR100900073B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
JP4124543B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
JP2010161350A (ja) 基板処理方法
KR20230124008A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP4979389B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2006310736A (ja) ゲート絶縁膜の製造方法および半導体装置の製造方法
WO2006025363A1 (ja) シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびコンピュータ記憶媒体
JP2007165788A (ja) 金属系膜の脱炭素処理方法、成膜方法および半導体装置の製造方法
JP4124800B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
JP2007123766A (ja) エッチング方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体
JP4218360B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP2006128529A (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
WO2007077718A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4612063B2 (ja) 表面処理方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KN KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580040949.3

Country of ref document: CN

Ref document number: 11791718

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077014786

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 05806803

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP