WO2005064689A1 - 光データ通信モジュール - Google Patents

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Tomoharu Horio
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Rohm Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an optical data communication module incorporated in a personal computer, a peripheral device thereof, a mobile phone, or the like, and particularly to an infrared data communication module.
  • FIG. 4 shows an example of a conventional infrared data communication module.
  • the illustrated infrared data communication module 9 includes a substrate 90, and a light emitting element 92, a light receiving element 93, and an IC chip 94 are mounted on a surface 90a of the substrate 90, and these parts are sealed with a resin package. Covered by 91.
  • the resin package 91 enhances the light receiving sensitivity by collecting the infrared light emitted from the light emitting element 92 to enhance the directivity and collecting the infrared light traveling from the outside to the light receiving element 93.
  • a second lens unit 91b for the second lens unit.
  • the IC chip 94 performs drive control of the light emitting element 92 and signal processing for outputting a predetermined signal to the outside based on a signal from the light receiving element 93.
  • Such an infrared data communication module is disclosed, for example, in JP-A-2002-76427 (Patent Document 1 below).
  • Patent Document 1 JP-A-2002-76427
  • the light emitting element 92 when the light emitting element 92 is driven, the light emitting element 92 may generate electromagnetic noise.
  • an IC chip 94 is provided near the light emitting element 92. Therefore, conventionally, the electromagnetic noise generated from the light emitting element 92 has a bad influence on the IC chip 94 and the IC chip 94 may malfunction.
  • the present invention has been conceived under the above circumstances, and reduces the possibility that an IC chip malfunctions due to electromagnetic noise generated from a light emitting element, and also reduces the possibility that the light emitting element It is an object of the present invention to provide an optical data communication module capable of reducing the amount of infrared rays scattered by force, in particular, an infrared data communication module.
  • An optical data communication module provided by the present invention includes a substrate, a light emitting element, a light receiving element, an IC chip, and a sealing resin package.
  • the substrate In the configuration in which the IC chip is mounted on the substrate and covered with the sealing resin package, the substrate has a recess whose inner surface is covered by a ground-connected metal film, and a bracket is provided.
  • the light emitting element is disposed in the recess.
  • the metal film is connected to the ground, and exhibits an electromagnetic shielding function. Therefore, the electromagnetic noise generated from the light emitting element is shielded by the metal film. And it can be prevented from reaching the IC chip. Therefore, it is possible to prevent the IC chip from malfunctioning due to the electromagnetic noise generated by the light receiving element force. Further, light emitted from the light-emitting element can be reflected in a predetermined direction by the metal film, so that light is prevented from being scattered around the light-emitting element. This makes it possible to increase the amount of light emitted from the light emitting element in a predetermined direction outside the resin package, and to improve the communication performance while saving power.
  • the light emitting element is an infrared light emitting element
  • the light receiving element is an infrared light receiving element
  • the height of the uppermost portion of the metal film is higher than the height of the light emitting element. According to such a configuration, the propagation of electromagnetic noise toward the light emitting element power IC chip is more reliably prevented.
  • the concave portion is filled with a resin having a higher elastic modulus than the resin package, and the light emitting element is covered with the resin of the parentheses. According to such a configuration, it is avoided that stress acts directly on the light emitting element from the resin package. As a result, the light emitting element is protected. Further, by filling the concave portion with resin, it is possible to prevent the resin from flowing around the light emitting element and unreasonably spreading.
  • the recess has a truncated conical shape whose diameter decreases toward the bottom. According to such a configuration, it is possible to efficiently reflect the infrared light emitted from the light emitting element to the periphery thereof toward the upper side of the concave portion (the direction opposite to the bottom surface), and to reduce the amount of emitted light. It is more suitable to increase the directivity as well as to increase.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of an infrared data communication module according to the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line IHI in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the infrared data communication module shown in FIG. 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a conventional infrared data communication module.
  • the infrared data communication module 1 shown in Figs. 1 and 2 includes a substrate 2, a light emitting element 3 that emits infrared light, a light receiving element 4 that can receive and sense infrared light, an IC chip 5, and a sealing element.
  • the light emitting element 3, the light receiving element 4, and the IC chip 5 are mounted on the surface 2a of the substrate 2.
  • the resin package 6 covers the light emitting element 3, the light receiving element 4, and the IC chip 5!
  • the substrate 2 is an insulating substrate made of glass epoxy resin or the like, and has a rectangular shape in a plan view.
  • a wiring pattern for supplying power to the light emitting element 3, the light receiving element 4, and the IC chip 5 and for inputting and outputting signals is formed.
  • a plurality of terminals (not shown) used for surface mounting are formed on the back surface of the substrate 2, and the plurality of terminals and the front surface 2a are connected via a plurality of film conductors 20 formed on the side surface of the substrate 2. Wiring of Noturn is connected.
  • Each of the film conductors 20 is provided in the semi-cylindrical recess 21, so that the film conductor 20 also protrudes the side force of the substrate 2.
  • a concave portion 22 having an upper opening shape is formed, and the light emitting element 3 is arranged in the concave portion 22.
  • the recess 22 has an inverted truncated cone shape with a smaller diameter toward the bottom. Can be formed by machining.
  • Metal film 7 is formed so as to entirely cover the bottom surface and inner peripheral surface of concave portion 22.
  • the metal film 7 has a flange 70 covering the periphery of the recess 22.
  • the metal film 7 includes a plurality of layers 7a to 7c.
  • the lowermost layer 7a is made of, for example, copper and is formed simultaneously with the formation of the wiring pattern.
  • the lowermost layer 7a is grounded.
  • the intermediate layer 7b serves, for example, as a nickel force, and plays a role of increasing the bonding strength of the uppermost layer (surface layer) 7c to the lowermost layer 7b.
  • the uppermost layer 7c is made of, for example, metal power having excellent corrosion resistance.
  • the light emitting element 3 is an infrared LED, and is bonded to the metal film 7 via, for example, a conductive adhesive, so that a cathode is formed on the bottom surface of the light emitting element 3.
  • the cathode is electrically connected to the metal film 7.
  • An anode is formed on the upper surface of the light emitting element 3, and the anode is connected to the nod portion 29 of the wiring pattern via a wire W.
  • the height of the light emitting element 3 is lower than the upper surface of the flange 70 of the metal film 7, so that the light emitting element 3 does not protrude beyond the opening of the recess 22.
  • the recess 22 is provided with a buffer body 8 formed by filling a soft silicone resin or the like having an elastic modulus (elastic coefficient) smaller than that of the sealing resin package 6, and the light emitting element 3 is provided with the buffer body 8. Covered by body 8.
  • the buffer body 8 has infrared transmittance.
  • the light receiving element 4 includes a photodiode capable of sensing infrared rays.
  • the IC chip 5 drives the light emitting element 3 and amplifies the signal output from the light receiving element 4.
  • the sealing resin package 6 is made of, for example, an epoxy resin containing a pigment and does not transmit visible light, but transmits infrared light.
  • the sealing resin package 6 includes a first lens 61 for condensing infrared light traveling upward from the light emitting element 3 and a second lens for condensing externally transmitted infrared light on the light receiving element 4. 62 and.
  • the electromagnetic noise generated from the light emitting element 3 is Be cut off. Therefore, the electromagnetic noise is prevented from reaching the IC chip 5, and malfunction of the IC chip 5 due to the electromagnetic noise can be prevented.
  • the height of the light emitting element 3 does not protrude beyond the concave portion 22, the electromagnetic force from the light emitting element 3 to the IC chip 5 is more reliably prevented from progressing.
  • Infrared rays are emitted not only from the upper surface of the light emitting element 3 but also from each side surface of the light emitting element 3.
  • the infrared rays emitted from each side force are reflected upward on the surface of the metal film 7. Therefore, the amount of infrared light that passes through the first lens 61 of the sealing resin package 6 and is emitted upward can be increased. Since the concave portion 22 has an inverted truncated cone shape whose diameter decreases toward the bottom, the efficiency of advancing infrared rays toward the lens 61 is good, and the directivity of the infrared rays is also enhanced. Further, since the uppermost layer 7c of the metal film 7 is made of gold and has a high infrared reflectance, it is more suitable for increasing the amount of emitted infrared light.
  • the buffer body 8 serves to prevent the light emitting element 3 from directly receiving the stress from the sealing resin package 6 and to alleviate the stress. Therefore, the light emitting element 3 is protected.
  • the resin forming the buffer body 8 was dropped on the light emitting element 3 in a liquid state in the manufacturing process of the infrared data communication module 1. In this case, the resin can stay in the concave portion 22 and spread over a large area on the substrate 2.
  • the specific configuration of the optical data communication module according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously changed in design.
  • the metal film 7 does not have to have a three-layer structure as described above, and may have a laminated structure including different numbers of metal layers or a single-layer structure.
  • the specific material of each metal layer forming the metal film 7 is not limited.
  • the specific shape and size of the concave portion 22 in which the light emitting element 3 is housed and arranged are not limited.

Abstract

赤外線データ通信モジュール１は、赤外線発光素子３、赤外線受光素子４、およびＩＣチップ５を備えている。発光素子３、受光素子４、およびＩＣチップ５は基板２に搭載されて封止樹脂パッケージ６により覆われている。基板２には、グランド接続された金属膜７によって内面が覆われた凹部２２が形成されており、かつこの凹部２２内に、発光素子３が配されている。                                                                       

Description

明 細 書
光データ通信モジュール
技術分野
[0001] 本発明は、パーソナルコンピュータ、その周辺機器、あるいは携帯電話機などに組 み込まれる光データ通信モジュール、特に赤外線データ通信モジュールに関する。 背景技術
[0002] 従来の赤外線データ通信モジュールの一例を図 4に示す。図示された赤外線デー タ通信モジュール 9は基板 90を備えており、当該基板 90の表面 90aに発光素子 92 、受光素子 93、および ICチップ 94が実装され、かつこれら部品が封止榭脂パッケー ジ 91に覆われている。榭脂パッケージ 91は、発光素子 92から発せられた赤外線を 集光して指向性を高めるための第 1レンズ部 91aと、外部から進行してきた赤外線を 受光素子 93に集めることによって受光感度を高めるための第 2レンズ部 91bとを有し ている。 ICチップ 94は、発光素子 92の駆動制御や、受光素子 93からの信号に基づ いて所定の信号を外部に出力するための信号処理などを行なう。このような赤外線 データ通信モジュールは、例えば特開 2002-76427号公報（下記特許文献 1)に開 示されている。
[0003] 特許文献 1：特開 2002-76427号公報
[0004] 上記赤外線データ通信モジュール 9においては、発光素子 92が駆動される際にこ の発光素子 92から電磁ノイズが発生する場合がある。一方、この発光素子 92の近傍 には、 ICチップ 94が配されている。このため、従来においては、発光素子 92から発 せられた電磁ノイズが、 ICチップ 94に悪影響を及ぼし、 ICチップ 94が誤作動する虡 れがあった。
[0005] また、一般に、赤外線データ通信モジュールの省電力化を図りつつ、その通信性 能を高めるためには、発光素子から所定の適正な方向に進行していく赤外線の量を 多くすることが望まれる。これに対し、上記赤外線データ通信モジュール 9において は、発光素子 92の側面力もこの発光素子 92の周辺に向けて発せられた赤外線がレ ンズ部 9 laに向けて進行しないようになっており、無駄を生じていた。したがって、こ の点においても改善の余地があった。
発明の開示
[0006] 本発明は、以上の状況のもとに考え出されたものであって、発光素子から発せられ る電磁ノイズに起因して ICチップが誤作動する可能性を低減するとともに、発光素子 力 散乱する赤外線の量を少なくすることが可能な光データ通信モジュール、特に 赤外線データ通信モジュールを提供することを課題としている。
[0007] 本発明により提供される光データ通信モジュールは、基板と、発光素子と、受光素 子と、 ICチップと、封止榭脂パッケージと、を備えており、上記発光素子、受光素子 及び ICチップが上記基板に搭載され、且つ上記封止榭脂パッケージにより覆われて いる構成において、上記基板には、グランド接続された金属膜によって内面が覆わ れた凹部が形成されており、かっこの凹部内に上記発光素子が配されていることを 特徴とする。
[0008] このような構成によれば、上記金属膜は、グランド接続されており、電磁シールド機 能を発揮することとなるために、上記発光素子から発生する電磁ノイズは、この金属 膜により遮られ、 ICチップには到達しないようにすることができる。したがって、受光素 子力 発生する電磁ノイズに起因して ICチップが誤作動することを防止することが可 能である。また、上記発光素子から発せられた光を上記金属膜によって所定方向に 反射させることができ、発光素子の周辺部に光が散乱することが抑制される。これに より、発光素子から榭脂パッケージ外部の所定方向に出射する光の量を多くし、省電 力化を図りつつ、通信性能を高めることができる。
[0009] 本発明の好適な実施形態によれば、上記発光素子は赤外線発光素子であり、前 記受光素子は赤外線受光素子である。
[0010] 好ましくは、上記金属膜の最上部の高さは、上記発光素子の高さよりも高くされてい る。このような構成によれば、発光素子力 ICチップに向けて電磁ノイズが進行するこ とがより確実に防止される。
[0011] 好ましくは、上記凹部には、上記榭脂パッケージよりも弾性率力 、さい榭脂が充填 され、かっこの榭脂によって上記発光素子が覆われている。このような構成によれば 、上記榭脂パッケージから上記発光素子に対して応力が直接作用することが回避さ れ、上記発光素子の保護が図られる。また、上記凹部に榭脂を充填すれば、この榭 脂が上記発光素子の周辺に流れて不当に広がらないようにすることもできる。
[0012] 好ましくは、上記凹部は、底面寄りほど直径が小さくなる円錐台形状である。このよ うな構成によれば、上記発光素子からその周囲に発せられた赤外線を上記凹部の上 方 (底面とは反対の方向）に向けて効率良く反射させることが可能となり、光の出射量 を多くするとともに、その指向性を高めるのにより好適となる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明に係る赤外線データ通信モジュールの一例を示す概略斜視図である。
[図 2]図 1における IHI線に沿う断面図である。
[図 3]図 2に示された赤外線データ通信モジュールの要部拡大断面図である。
[図 4]従来の赤外線データ通信モジュールの一例を示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明す る。
[0015] 図 1および図 2に示した赤外線データ通信モジュール 1は、基板 2と、赤外線を発す る発光素子 3と、赤外線の受光感知が可能な受光素子 4と、および ICチップ 5と、封 止榭脂パッケージ 6と、を含んでいる。発光素子 3、受光素子 4および ICチップ 5は、 基板 2の表面 2aに実装されている。榭脂パッケージ 6は、発光素子 3、受光素子 4お よび ICチップ 5を覆って!/、る。
[0016] 基板 2は、ガラスエポキシ榭脂製などの絶縁基板であり、平面視長矩形状である。
基板 2の表面 2aには、発光素子 3、受光素子 4、および ICチップ 5に対する電力供給 や信号の入出力を行なわせるための配線パターン（図示略）が形成されている。基板 2の裏面には、面実装に利用される複数の端子（図示略)が形成されており、基板 2 の側面に形成された複数の膜状導体 20を介して上記複数の端子と表面 2aの配線 ノターンとが繋がっている。各膜状導体 20は、半筒状の凹部 21に設けられており、 このために膜状導体 20が基板 2の側面力も突出して 、な 、。
[0017] 基板 2の表面 2aには、上部開口状の凹部 22が形成されており、当該凹部 22内に 発光素子 3が配されている。凹部 22は、底部寄りほど小径となる逆円錐台形状であり 、機械加工により形成することが可能である。凹部 22の底面および内周面を全体的 に覆うように、金属膜 7が形成されている。金属膜 7は、凹部 22の周囲を覆う鍔部 70 ち有している。
[0018] 図 3によく表われているように、金属膜 7は、複数の層 7a— 7cを含んでいる。最下層 7 aは、たとえば銅カゝらなり、上記配線パターンの形成と同時に形成される。最下層 7a は、グランド接続されている。中間層 7bは、たとえばニッケル力もなり、最下層 7bに対 する最上層 (表層） 7cの接合強度を高める役割を果たす。最上層 7cは、耐食性など に優れたたとえば金力ゝらなる。
[0019] 図示の実施形態では、発光素子 3は、赤外 LEDであり、たとえば導電性接着剤を 介して金属膜 7に接着されていることにより、この発光素子 3の底面には陰極が形成 されており、当該陰極は金属膜 7と導通している。この発光素子 3の上面には陽極が 形成されており、当該陽極は上記配線パターンのノッド部 29にワイヤ Wを介して接 続されている。この発光素子 3の高さは、金属膜 7の鍔部 70の上面よりも低い高さで あり、凹部 22の開口部を越えて発光素子 3がはみ出さないようになつている。凹部 22 には、封止榭脂パッケージ 6よりも弾性率 (弾性係数)が小さぐ軟らかいシリコーン榭 脂などが充填されて形成されたバッファ体 8が形成されており、発光素子 3はこのバッ ファ体 8によって覆われている。ノ ッファ体 8は、赤外線透過性を有している。
[0020] 受光素子 4は、赤外線を感知可能なフォトダイオードを含んで 、る。 ICチップ 5は、 発光素子 3の駆動ゃ受光素子 4から出力される信号の増幅などを行なうためのもので ある。封止榭脂パッケージ 6は、たとえば顔料を含んだエポキシ榭脂からなり、可視光 に対しては透過性を有しない反面、赤外線に対しては透過性を有する。封止榭脂パ ッケージ 6は、発光素子 3から上方に進行する赤外線を集光するための第 1レンズ 61 と、外部力 進行してきた赤外線を受光素子 4上に集光させるための第 2レンズ 62と を有している。
[0021] 本実施形態の赤外線データ通信モジュール 1においては、発光素子 3がグランド接 続された金属膜 7によって囲まれて 、るために、発光素子 3から発生した電磁ノイズ はこの金属膜 7によって遮断される。したがって、上記電磁ノイズが ICチップ 5に到達 することが阻止され、電磁ノイズに起因する ICチップ 5の誤作動を防止することができ る。特に、発光素子 3は、凹部 22を越えてはみ出さない高さであるために、発光素子 3から ICチップ 5に向力 電磁ノイズの進行は、より確実に防止される。
[0022] 赤外線は、発光素子 3の上面のみならず、発光素子 3の各側面からも発せられる。
各側面力 発せられた赤外線は、金属膜 7の表面にて上方に向けて反射される。し たがって、封止榭脂パッケージ 6の第 1レンズ 61を透過して上方に出射する赤外線 の量を多くすることができる。凹部 22は、底部ほど直径力 、さくなる逆円錐台形状で あるため、赤外線をレンズ 61に向けて進行させる効率が良ぐまた赤外線の指向性も 高められる。さらに、金属膜 7の最上層 7cは金力 なり、赤外線の反射率が高いため に、赤外線の出射量を多くするのにより好適となる。
[0023] バッファ体 8は、発光素子 3が封止榭脂パッケージ 6から応力を直接受けないように し、上記応力を緩和する役割を果たす。したがって、発光素子 3の保護が図られる。 また、ノ ッファ体 8は、凹部 22に充填されているために、この赤外線データ通信モジ ユール 1の製造過程において、バッファ体 8を形成する榭脂を液体状態で発光素子 3 上に滴下させた際には、当該樹脂が凹部 22に滞留し、基板 2上において広い面積 に広がらな 、ようにすることができる。
[0024] なお、本発明に係る光データ通信モジュールの具体的な構成は、上記した実施形 態に限定されず、種々に設計変更自在である。例えば、金属膜 7は、上記したような 3層構造でなくても力まわず、異なる数の金属層を含む積層構造、あるいは単層構造 にすることもできる。また、金属膜 7を構成する各金属層の具体的な材質も限定され ない。さらに、発光素子 3が収容配置される凹部 22の具体的な形状やサイズも限定 されない。

Claims

請求の範囲
[1] 基板と、発光素子と、受光素子と、 ICチップと、封止榭脂パッケージと、を備えてお り、上記発光素子、受光素子及び ICチップが上記基板に搭載され、且つ上記封止 榭脂パッケージにより覆われて 、る、光データ通信モジュールであって、
上記基板には、グランド接続された金属膜によって内面が覆われた凹部が形成さ れており、かっこの凹部内に上記発光素子が配されている、光データ通信モジユー ル。
[2] 上記発光素子が赤外線発光素子であり、前記受光素子が赤外線受光素子である
、請求項 1に記載の赤外線データ通信モジュール。
[3] 上記金属膜の最上面の高さは、上記発光素子の高さよりも高くされている、請求項
1に記載の赤外線データ通信モジュール。
[4] 上記凹部には、上記榭脂パッケージよりも弾性率力 、さい榭脂が充填され、かっこ の榭脂によって上記発光素子が覆われている、請求項 1に記載の赤外線データ通信 モジユーノレ。
[5] 上記凹部は、底面寄りほど直径力 、さくなる円錐台形状である、請求項 1に記載の 赤外線データ通信モジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7291867B2 (en) * 2005-03-09 2007-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Optical semiconductor device, electronic device, and method for producing optical semiconductor device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035810A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Rohm Co Ltd 光通信モジュール
KR100945621B1 (ko) * 2005-03-07 2010-03-04 로무 가부시키가이샤 광 통신 모듈 및 그 제조 방법
JP4744998B2 (ja) * 2005-09-14 2011-08-10 ローム株式会社 光通信モジュール
JP5013472B2 (ja) * 2007-10-30 2012-08-29 パナソニック電工Ｓｕｎｘ株式会社 光電センサ
US9496247B2 (en) * 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
PL3168874T3 (pl) 2015-11-11 2021-07-12 Lipac Co., Ltd. Obudowa chipów półprzewodnikowych z interfejsem optycznym
DE102016118996A1 (de) 2016-10-06 2018-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von sensoren
CN106449599A (zh) * 2016-11-30 2017-02-22 南通沃特光电科技有限公司 一种天线装置的制造方法
KR102040116B1 (ko) * 2017-12-28 2019-11-05 주식회사 지파랑 광 인터페이스를 가지는 반도체 칩 패키지
US20210401300A1 (en) * 2018-11-12 2021-12-30 Sony Group Corporation Biological information measuring device
CN115867828A (zh) * 2020-06-15 2023-03-28 利派克株式会社 半导体封装件及制造半导体封装件的方法
CN111830647A (zh) * 2020-06-30 2020-10-27 宁波群芯微电子有限责任公司 光电耦合装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0563239A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄ表示装置
JPH10154825A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Sharp Corp 発光／受光装置
JP2001177118A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 赤外線データ通信モジュール
JP2002176184A (ja) * 2000-12-11 2002-06-21 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP2002261299A (ja) * 2000-12-25 2002-09-13 Sharp Corp 赤外線データ通信モジュール
JP2003234498A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Sharp Corp 赤外線データ通信モジュール

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62194686A (ja) * 1986-02-20 1987-08-27 Nec Corp 光結合半導体装置
US5049978A (en) * 1990-09-10 1991-09-17 General Electric Company Conductively enclosed hybrid integrated circuit assembly using a silicon substrate
US6034712A (en) * 1996-06-26 2000-03-07 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and image forming machine including it
JP3851418B2 (ja) * 1997-06-13 2006-11-29 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
JP3948789B2 (ja) * 1997-07-02 2007-07-25 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
US6169295B1 (en) * 1998-05-29 2001-01-02 Maxim Integrated Products, Inc. Infrared transceiver module and method for making same
JP3637809B2 (ja) * 1999-05-26 2005-04-13 松下電工株式会社 赤外線データ通信モジュール
TW526701B (en) * 1999-08-26 2003-04-01 Rohm Co Ltd Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
US6342670B1 (en) * 2000-09-19 2002-01-29 Lite-On Electronics, Inc. Photoelectric module device
US6712529B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
JP2002324916A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003244077A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Sharp Corp リモコン送信機能付き赤外線通信用モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0563239A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄ表示装置
JPH10154825A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Sharp Corp 発光／受光装置
JP2001177118A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 赤外線データ通信モジュール
JP2002176184A (ja) * 2000-12-11 2002-06-21 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP2002261299A (ja) * 2000-12-25 2002-09-13 Sharp Corp 赤外線データ通信モジュール
JP2003234498A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Sharp Corp 赤外線データ通信モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7291867B2 (en) * 2005-03-09 2007-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Optical semiconductor device, electronic device, and method for producing optical semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20070194339A1 (en) 2007-08-23
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