WO2004113045A1 - スタンパーを保持する面に断熱層とダイヤモンド様炭素膜を施した光ディスク成形金型とそれを使用する成形方法 - Google Patents

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Definitions

  • Optical disks are generally manufactured by an injection molding method. Molding cavities are provided on the opposing surfaces of the fixed mold and the movable mold of the injection molding apparatus, and a stamper having an information pattern due to unevenness such as minute pits is held on the stamper holding surface of the cavity of one of the dies. A method for manufacturing an optical disk having an information pattern transferred from a stamper by injecting a molten resin into the resin and cooling and solidifying the resin is widely used.
  • the mold and the stamper are heated to a predetermined temperature or higher so that the molten resin is completely filled in every corner of the information pattern of the stamper when the molten resin is injected, and the information pattern is accurately transferred.
  • the mold needs to be cooled from the outside in order to quickly solidify and cool the molded optical disk.
  • it is necessary to raise the temperature of the molten resin to be injected or prolong the contact time with the molten resin in order to bring the temperature of the cooled mold cavity surface and the temperature of the stamper to the predetermined temperature.
  • the time required for molding is long. There is a problem of low productivity (shortening of molding cycle time, improvement of the number of shots per unit time).
  • a heat insulating layer is formed on the stamper holding surface of the mold cavity to keep the stamper warm and avoid excessive heat dissipation, thereby shortening the molding cycle time.
  • Proposed powers are described in JP-A-2002-361689, JP-A-2002-513691, JP-A-2001-334534 and the like.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-361689 discloses that a ceramic having a thickness of 100 to 300 ⁇ m, a bismuth having a thickness of 250 to 300 ⁇ m, or a polyimide or polyamideimide having a thickness of 20 to 150 ⁇ m is provided on the inside or the back of a stamper.
  • a heat insulating layer with low thermal conductivity (less than 94W / mK) It states that the transfer effect is increased by temporary heat storage at the time of filling, and the cooling is lowered by about 10 to 20 ° C, and the productivity of optical discs is improved by quenching and solidifying with a mold.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-513691 discloses that a polyimide, polyetherimide or siloxane-modified polyether having a low thermal conductivity and a thickness of about 10 to 500 zm is provided on a back surface (a surface in contact with a mold) of a stamper (insert). It is described that the transferability of the optical disk is improved by applying a heat insulating paint of imide.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-334534 describes that by forming a polyimide heat insulating layer of about 20 150 ⁇ m on the back surface of a stamper, the transferability of an optical disk is improved, and the cycle time is shortened by a low mold temperature. are doing.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-361689
  • Patent Document 2 JP 2002-513691A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-334534
  • the present invention solves such a problem and improves the durability of the stamper and the molding die, and greatly increases the number of shots that can be molded with! Stampers and the number of shots that can be molded with one mold.
  • the purpose is to do.
  • the present invention provides an optical disk molding die in which a heat insulating layer and a diamond-like carbon film are integrally formed in this order on a wall surface of a mold cavity of an optical disk molding die holding a stamper.
  • the present invention also provides an optical disk comprising: attaching a stamper having an information pattern to be transferred to a wall surface of a molding cavity of the optical disk molding die; introducing a molten raw material resin into the molding cavity; And a molding method.
  • Diamond-like carbon (DLC) films have been disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-145646 and 62-145647, New Diamond Forum, Vol. 4, No. 4 (issued October 25, 1988), and the like. Has been described. As described in the above-mentioned document (New Diamond Forum), the DLC film has a broad peak of Raman scattering spectrum at 1400 to 1700 cm- 1 and a sharp peak at 1333 cm- 1 in Raman spectroscopy. And a graphite having a sharp peak at 1581 cm- 1 are substances having a structure clearly different from that of diamond.
  • the diamond-like carbon film is an amorphous thin film containing carbon and hydrogen as main components, and is formed by randomly existing sp 2 and sp 3 bonds between carbons.
  • FIG. 1 is a view showing one example of an injection molding layer for performing an injection molding method of the present invention.
  • the heat insulating layer used in the present invention is preferably a ceramic such as alumina, silicon oxide, SiC or zirconium, a glass or a porous sintered body such as a hard metal, or a polyimide or polyamide imide. Material strength selected from heat-resistant synthetic resin. These materials are selected from those having an affinity for the diamond-like carbon film.
  • the thickness of the insulation layer is preferably 0. lxml. Ocm. When the surface of the heat insulating layer is not smooth, it is preferable to polish the film before forming the diamond-like carbon film.
  • thermal spraying ion plating, CVD, bonding of a plate or film, and sputtering can be used on the stamper holding surface of the mold. If glass is used, it may be possible to use thermal spraying, sputtering, and attaching a plate or film.
  • a method such as sticking a plate or a film, applying a paint, or pouring a molten resin can be used.
  • an adhesion layer having a thickness of about 0.01-3 ⁇ 0 ⁇ may be provided between the heat insulating layer and the diamond-like carbon film.
  • the adhesion layer for example, a Mo film described in JP-A-4-1341558, a carbonized and silicon-based amorphous film described in JP-A-5-142875, a silicon carbide-based film described in JP-A-2000-177046, or And a metal film of any one or more of silicides of V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Ti, and Zr, and V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Ti, and Ti described in JP-A-2000-178736.
  • An amorphous diamond-like carbon film having an oxygen content gradient described in (1) can be used.
  • the diamond-like carbon film used in the present invention contains carbon and hydrogen as main components, and may contain other optional components.
  • the thickness of the diamond-like carbon film is preferably 0.0110. zm, more preferably 0.03-3.
  • FIG. 1 shows an example of an injection molding apparatus used for manufacturing an optical disk.
  • the mold is formed in the mold cavity formed on the mating surface of the movable mold and the fixed mold that supports the tamper (molding mold), and is pressurized and cooled to form the surface of the stamper simultaneously with molding. It is being transferred to goods.
  • the mold comprises a movable mold 2 and a fixed mold 5 and forms a molding cavity 7 when the movable mold is closed.
  • the sheet-shaped metal stamper 1 is held on the mirror-polished surface of the movable mold 2 on the side of the cavity 7, and the peripheral portion thereof is pressed by the outer peripheral ring 4 and Z or the inner side by the inner ring 8.
  • the outer ring 4 also forms the peripheral wall of the cavity 7.
  • the resin is introduced from the supply port 3 through the gate 6 of the gate member 12 to the cavity 7 at a predetermined molding pressure and molded, and the information pattern (surface irregularities) to be transferred from the stamper 4 is formed on the resin. Transcribed.
  • the tip of the gate cut member 9 penetrates into the resin and cuts the center hole of the optical disc at the gate cut portion 10.
  • a cooling channel (not shown) is provided around the movable mold and the fixed mold so that cooling water cools the mold around the cavity.
  • a heat insulating layer 14 and a diamond-like carbon film 15 are integrally attached to a mirror surface on the cavity side of the movable mold 2 supporting the stamper with or without a metal film. .
  • the stamper 1 repeats thermal expansion and contraction during molding, but has low friction with the diamond-like carbon film and does not scratch the back surface of the stamper and the surface of the mold, so that the quality of the stamper and the mold is maintained for a long time. It is also possible to shorten the molding cycle time by the heat retaining action of the heat insulating layer, and also to greatly extend the durability life of the mold.
  • the diamond-like carbon film (hereinafter, “DLC film”) can be formed by a plasma CVD method, an ion etching deposition method, an ECR plasma CVD method, or the like, or can be formed by a sputtering method.
  • the DLC film When the DLC film is formed by the plasma CVD method, it can be formed by, for example, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 41672/1991.
  • Plasma in the plasma CVD method can be either DC or AC. AC can be used from a few hertz to a microwave. ECR plasma described in “Diamond thin film technology” (published by the General Technology Center) can also be used. Further, a bias voltage may be applied.
  • a DLC film is formed by a plasma CVD method, it is preferable to use the following compound as a source gas.
  • Examples of compounds containing C and H include hydrocarbons such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, ethylene, and propylene.
  • Compounds containing C + H + O include S, such as CH ⁇ H, CH ⁇ H, HCH ⁇ , and CH COCH.
  • Compounds containing C + H + N include ammonium cyanide, hydrogen cyanide, monomethylenamine, dimethylamine, arinoleamine, aniline, getylamine, acetonitrile, azoisobutane, diarylamine, ethylamine, MMH, DMH, trilinoleamine, trimethylamine, Triethynoleamine, triphenylamine and the like.
  • the flow rate of the source gas may be appropriately determined according to the type of the source gas. It is preferable that the operating pressure is usually 1 to 200 Pa and the input power is usually about 10 W to 5 kW.
  • the DLC film may be formed by an ionization vapor deposition method.
  • the ionization vapor deposition method is described in, for example, JP-A-59-174508, JP-A-2-22012, and JP-A-10-202668.
  • the method and apparatus disclosed therein are not limited to the above, and other methods of ion vapor deposition may be used as long as the ionized gas for the raw material can be accelerated.
  • a high vacuum of the vacuum vessel to about 10- 4 Pa.
  • a filament that is heated by an AC power supply to generate thermoelectrons is provided in the vacuum vessel.
  • a counter electrode is arranged around the filament, and a voltage Vd is applied between the filament and the filament.
  • an electromagnetic coil that surrounds the filament and the counter electrode and generates a magnetic field for trapping ionized gas is arranged.
  • the source gas collides with thermoelectrons from the filament to generate positive pyrolysis ions and electrons, which are accelerated by the negative potential Va applied to the grid.
  • Vd, Va and the magnetic field of the coil the composition and film quality can be changed. Further, a noise voltage may be applied.
  • a plasma CVD method is used as a source gas.
  • a similar one may be used.
  • the flow rate of the source gas may be appropriately determined according to the type.
  • the operating pressure is usually preferably about 170 Pa.
  • the DLC film can also be formed by a sputtering method.
  • gases such as O, N, NH, CH, and H are introduced as reactive gases in addition to sputtering gases for sputtering such as Ar and Kr.
  • any of high-frequency power, AC power, and DC power is applied to sputter the target, and the target is sputter-deposited to form a DLC film.
  • the high frequency sputtering power is usually about 10W-5kW.
  • Operating pressure usually, 1 0- 3 - 0. lPa are preferred.
  • a target Using such a target, high-frequency power is removed, the target is sputtered, and a diamond-like carbon film is formed by sputter deposition on the surface of the heat insulating layer adhered to the mold. Also in this case, a negative bias voltage is applied to the bias applied to the mold.
  • the noise voltage is preferably a direct current.
  • a self-bias may be used without applying a bias voltage.
  • the bias voltage is preferably -10-2000V, more preferably -50-1000V.
  • the high frequency sputtering power is usually about 10W-5KW. Operating pressure, usually 0.0013—0.13Pa force S preferred level.
  • the stamper holding surface of the mold Prior to the formation of the heat insulating layer and the diamond-like carbon film, the stamper holding surface of the mold needs to be mirror-polished.
  • the surface layer can be purified by gas phase etching using a gas such as Ar or Kr.
  • the adhesion layer interposed between the heat insulating layer and the diamond-like carbon film can be formed by a method similar to the above-described DLC film formation using an appropriate raw material.
  • the wall of the mold cavity holding the stamper is polished to a mirror surface, a 0.5 mm thick SiC is formed by thermal spraying, the surface is polished, and a diamond-like carbon film formed in ⁇ m.
  • the diamond-like carbon film is formed by a self-biased RF plasma CVD method using a source gas of CH (0.017 Pa'm 3 's—, a power supply of RF, and an operating pressure of 66.5 Pa).
  • the film was formed under the following conditions: input power: 500 W; film formation rate: 100 nm / min. Film composition is CH
  • the carbon film was a diamond-like carbon film.
  • a film was formed by the method of Example 1 except that AlO was used instead of SiC.
  • AlO was used instead of SiC.
  • Si was formed by a 0.1 ⁇ m sputtering method.
  • a film was formed by the method of Example 1 except that Pyrex (registered trademark) glass was used instead of SiC.
  • a Si film was formed by a 0.1 ⁇ m sputtering method.
  • Example 1 instead of spraying SiC, the method of Example 1 was followed except that a 50 ⁇ m polyimide film was placed on the mirror surface of the mold cavity holding the stamper and the periphery was fixed with Teflon (registered trademark) bolts.
  • Teflon registered trademark
  • a Si film was formed by a 0.1 ⁇ m sputtering method.
  • Example 1 was repeated except that instead of spraying SiC, 0.1 mm of SiC was formed by a sputtering method on the mirror surface of the mold cavity facing the stamper.
  • the cavity of the mold cavity holding the stamper was polished to a mirror surface, and a diamond-like carbon film having a thickness of 1.5 ⁇ m was formed directly thereon in accordance with Example 1.
  • optical disks were injection-molded using a mold having a predetermined coating.
  • Table 1 shows the above results.
  • the cycle time is a relative value when the cycle time of Comparative Example 5 is set to 1
  • the stamper life is the number of serviceable shots that could be performed by one stamper without causing molding failure. Is the number of durable shots before the stamper holding surface of one mold becomes unusable. [table 1]
  • the present invention was able to extend the life of the stamper by more than 10 times and extend the life of the mold by several hundred times while maintaining the same cycle time as the molding die having the conventional heat insulating layer. (Comparison with Comparative Examples 1-4). Further, the present invention was able to greatly reduce the cycle time of molding using a molding die provided with a conventional diamond-like carbon film.

Abstract

　光ディスク成形における成形サイクルと同時にスタンパー及び金型の寿命を延ばすことを課題とする。 　光ディスク成形金型の成形キャビティのスタンパーを保持する壁面に、断熱層及びダイヤモンド様炭素膜をこの順に一体形成した光ディスク成形金型で、ダイヤモンド様炭素膜は式ＣＨaＯbＮcＦdＢeＰf（ただし原子比でａ＝０．０５～０．７、ｂ＝０～１、ｃ＝０～１、ｄ＝０～１、ｅ＝０～１、及びｆ＝０～１）で表される組成を有し、断熱層はセラミック、ガラス、及び耐熱性合成樹脂より選択された材料から形成されている。

Description

明 細 書
スタンパーを保持する面に断熱層とダイヤモンド様炭素膜を施した光ディ スク成形金型とそれを使用する成形方法
技術分野
[0001] 本発明はスタンパー（成形母型板）を利用して光ディスクの成形を行う型の光デイス ク成形金型とそれを使用した光ディスクの成形方法に関する。
背景技術
[0002] 光ディスクは一般に射出成形法により製作される。射出成形装置の固定金型と可 動金型の対向面に成形キヤビティを設け、一方の金型のキヤビティのスタンパー保持 面に、微小ピット等の凹凸による情報パターンを有するスタンパーを保持させ、キヤビ ティに溶融樹脂を注入し、冷却固化してスタンパーから転写した情報パターンを有す る光ディスクを製造する方法が広く行われてレ、る。
[0003] 金型及びスタンパーは、溶融樹脂の注入時に溶融樹脂がスタンパーの情報パター ンの隅々まで完全に充填して情報パターンの精密な転写が行われるように所定温度 以上に加温される必要がある一方、成形された光ディスクの固化'冷却を迅速に行う ために金型を外部から冷却する必要がある。しかし、冷却された金型のキヤビティ表 面及びスタンパーの温度を所定の温度にするには、射出する溶融樹脂温度を上げる か又は溶融樹脂との接触時間を長くする必要があり、ひいては 1回の成形に要する 時間 (成形サイクル時間）が長ぐ生産性 (成形サイクル時間の短縮、単位時間当たり のショット数の向上）が低い問題がある。
[0004] この問題を解決するために、金型キヤビティのスタンパー保持面に断熱層を形成す ることによりスタンパーを保温して熱の過度な散逸を回避し、それにより成形サイクノレ 時間を短縮するための提案力 特開 2002— 361689号、特開 2002— 513691号、 特開 2001-334534号等に記載されている。
特開 2002— 361689号公報は、スタンパーの内部又は裏面に厚さ 100— 300 μ m のセラミックス、厚さ 250— 300 μ mのビスマス、又は厚さ 20— 150 μ mのポリイミド又 はポリアミドイミド等の熱伝導性の低い（94W/mK未満）断熱層を固着し、溶融樹脂 充填時の一時的蓄熱により転写効果を上げ、冷却は 10— 20°C程度低く冷却されて レ、る金型により急冷固化することにより光ディスクの生産性を向上させることを記載し ている。
特開 2002—513691号は、スタンパー（インサート）の裏面 (金型に接触する面）に 熱伝導度の低い、厚さ約 10— 500 z mのポリイミド、ポリエーテルイミド、又はシロキ サン改質ポリエーテルイミドの断熱性塗料を塗布することにより、光ディスクの転写性 を向上することを記載してレ、る。
特開 2001—334534号は、スタンパーの裏面に 20 150 μ m程度のポリイミド製 断熱層を形成することにより、光ディスクの転写性を向上し、低い金型温度によりサイ クル時間を短縮することを記載している。
そのほか着脱自在の厚い断熱板を金型表面とスタンパーの間に介在させることも 提案されている。
[0005] しかし、スタンパーの裏面にポリイミド、ポリアミドイミド、セラミタス、ビスマス等の断熱 層を形成すると、成形サイクル時間は短縮されるものの、スタンパーと金型のスタンパ 一保持面との間の摩擦が大きぐスタンパー及び金型の耐久性に劣り、スタンパー交 換に至るショット数並びに金型の交換に至るショット数が著しく少ない欠点がある。 又、スタンパーと断熱層が一体に形成されている場合には、両者の熱膨張係数の 差によりスタンパーに歪みが生じ、成形に支障が生じる問題がある。
[0006] 特許文献 1 :特開 2002 - 361689号公報
特許文献 2 :特開 2002— 513691号公報
特許文献 3：特開 2001 - 334534号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 上記の特開 2002-361689号公報、特開 2002—513691号公報、特開 2001—3 34534号公報等に記載されたようなスタンパーの裏面に形成したポリイミド、ポリアミ ドイミド、セラミタス、ビスマス等の熱伝導性の低い断熱層は、金型面との間の摩擦が 大きぐ耐久性に劣り、スタンパー交換及び金型交換に至るショット数が著しく少ない 欠点がある。 即ち、スタンパーの保温性又は冷却に対する遅延性を向上するために 20 / m— 2 50 /i mのような厚い断熱層が介在するにもかかわらず金型のスタンパー保持面とス タンパ一裏面の断熱層との間に生じる大きい摩擦と摩耗のため、これらの接触面にス クラッチ傷を生じ、それ力 Sスタンパーの転写面を変形させるため情報パターンの精密 な転写が不可能となり、スタンパーと成形金型の耐久寿命が著しく短い欠点があるが 、従来断熱層を有するスタンパーの耐久性を向上する試みはされていない。
又、スタンパーと断熱層が一体に形成されている場合には、両者の熱膨張係数の 差によりスタンパーに歪みが生じ、成形に支障が生じる問題がある。
従って本発明はこのような問題を解決し、スタンパーと成形金型の耐久性を向上し 、：!枚のスタンパーで成形可能なショット数及び 1つの金型で成形可能なショット数を 大幅に向上することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、光ディスク成形金型の成形キヤビティのスタンパーを保持する壁面に、 断熱層及びダイヤモンド様炭素膜をこの順に一体形成した光ディスク成形金型を提 供する。
[0009] 本発明は又、前記の光ディスク成形金型の成形キヤビティの壁面に、転写すべき情 報パターンを有するスタンパーを取り付け、溶融した原料樹脂を成形キヤビティに導 入し成形することよりなる光ディスクの成形方法を提供する。
[0010] ダイヤモンド様炭素（DLC)膜は、特開昭 62—145646号公報、同 62—145647号 公報、 New Diamond Forum,第 4卷第 4号（昭和 63年 10月 25日発行）等に記 載されている。 DLC膜は、上記文献（New Diamond Forum)に記載されている ように、ラマン分光分析において、 1400— 1700cm— 1にブロードなラマン散乱スぺク トルの山を有し、 1333cm— 1に鋭いピークを有するダイヤモンドや、 1581cm— 1に鋭レヽ ピークを有するグラフアイトとは、明らかに異なった構造を有する物質である。 DLC膜 のラマン分光分析スペクトルは上記のブロードな山は、炭素及び水素以外の上記元 素を含有することにより、これから相当程度変動する。ダイヤモンド様炭素膜は、炭素 と水素とを主成分とするアモルファス状態の薄膜であって、炭素同士の sp2及び sp3結 合がランダムに存在することによって形成されている。 発明の効果
[0011] 従来の断熱層を有するスタンパーでは射出成形金型の成形キヤビティのスタンパ 一保持面とスタンパー裏面の断熱層との間に大きい摩擦と摩耗が生じ、これらの接 触面にスクラッチ傷を生じ、それ力スタンパーの転写面を変形させるため情報パター ンの精密な転写を早期に不可能とし、スタンパーの寿命が短かい欠点があり、又、ス タンパ一と断熱層が一体に形成されている場合に、両者の熱膨張係数の差によりス タンパ一に歪みが生じ、成形に支障が生じる問題があつたが、本発明は成形キヤビ ティのスタンパー保持面に、断熱層を設けその上にダイヤモンド様炭素膜を一体に 形成したことにより、スタンパーの耐用寿命 (成形可能なショット数）を大幅に向上し、 又、成形金型の耐用寿命 (成形可能なショット数）を大幅に延ばすことが可能となった 図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明の射出成形方法を実施するための射出成形層の一例を示す図である。
(符号の説明）
[0013] 1 スタンパー
2 可動金型
3 樹脂供給口
4 外周リング
5 固定金型
6 ゲート
7 成形キヤビティ
8 内側リング
9 ゲートカット部材
10 ゲートカット部
12 ゲート部材
14 断熱層
15 ダイヤモンド様炭素膜
発明を実施するための最良の形態 [0014] 本発明で使用する断熱層は好ましくはアルミナ、酸化ケィ素、 SiC、ジルコユア等の セラミック、ガラス、超硬金属（hard metal)等の多孔質焼結体、及びポリイミド、ポリアミ ドイミド等の耐熱性合成樹脂より選択された材料力 形成されている。これらの材料 はダイヤモンド様炭素膜と親和性を有するものから選択される。断熱層の厚さは好ま しくは 0. l x m l . Ocmである。断熱層の表面が平滑でない場合には、ダイヤモン ド様炭素膜を成膜するに先だって研磨することが好ましい。
セラミックを使用する場合には、金型のスタンパー保持面に溶射、イオンプレーティ ング、 CVD法、板又はフィルムの貼り付け、スパッタリングを使用することができる。 ガラスを使用する場合には、溶射、スパッタリング、及び板又はフィルムの貼り付け を使用すること力 Sできる。
耐熱性合成樹脂の場合には、板又はフィルムの貼り付け、塗料の塗布、溶融樹脂 の流し込み等の方法を使用できる。
[0015] 本発明で断熱層とダイヤモンド様炭素膜の間に密着層厚さ約 0. 01— 3 μ ΐη程度 の密着層を施しても良い。密着層としては例えば特開平 4一 341558に記載の Mo膜 、特開平 5-142875に記載の炭化とケィ素の非晶質膜、特開 2000-177046に記 載の炭化けい素系膜、又はそれと V, Nb, Ta、 Cr, Mo, W、 Ti及び Zrの珪化物の いずれか一種以上の金属膜、特開 2000— 178736に記載の V, Nb, Ta、 Cr, Mo, W、 Ti及び Zrの珪化物のいずれか一種以上、特開 2000— 178737に記載の周期表 第 5A族金属を主成分とする金属膜と Siを主成分とする Si膜の積層膜、特開 2000 - 178738号に記載の含有酸素勾配を有する無定形ダイヤモンド様炭素膜等が使用 できる。
[0016] 本発明で使用されるダイヤモンド様炭素膜は、炭素と水素を主成分とし、他の任意 成分を含んでよい。好ましくは式 CH O N F B P (ただし原子比で a = 0. 05-0. 7
a b c d e r
、 b = 0— 1、 c = 0 1、 d=0 1、 e = 0— 1、及び f=0 1)で表される組成を有する ダイヤモンド様炭素膜の厚さは好ましくは 0. 01 10 z m、更に好ましくは 0. 03— 3. である。
[0017] 図 1は光ディスクの製造に使用される射出成形装置の一例であり、溶融樹脂を、ス タンパ一（成形母型）を支持した可動金型と固定金型の合わせ面に形成される金型 キヤビティー内に導入し、加圧し、冷却することにより、成形と同時にスタンパーの表 面形状を成形品に転写することが行なわれている。金型は可動金型 2と固定金型 5と より成り、可動金型が閉鎖されたときに成形キヤビティー 7を形成する。可動金型 2の キヤビティー 7の側の鏡面研磨した表面にはシート状金属スタンパー 1を保持させ、 更にその周部を外周リング 4で及び Z又は内側を内側リング 8により押える。外周リン グ 4はキヤビティー 7の周壁をも構成する。図 1は金型が閉じた状態を示し、キヤビティ 一 7が形成されている。この状態で、樹脂は供給口 3よりゲート部材 12のゲート 6を経 て所定の成形圧力でキヤビティー 7に導入されて成形が行なわれ、スタンパー 4の転 写すべき情報パターン (表面凹凸）が樹脂に転写される。なお成形中に又は成形後 にゲートカット部材 9の先端部が樹脂中に侵入してゲートカット部 10で光ディスクの中 心孔を切り取る。又、可動金型及び固定金型には図示しない冷却流路が巡らされて いて冷却水がキヤビティの周りの金型部分を冷却するようになっている。
[0018] 本発明にしたがって、スタンパーを支持する可動金型 2のキヤビティ側の鏡面には 断熱層 14とダイヤモンド様炭素膜 15が金属膜を介在して又は介在しないで一体に 被着されている。このためスタンパー 1は成形時に熱伸縮を繰り返すがダイヤモンド 様炭素膜との間は低摩擦であり、スタンパー裏面及び金型の表面にスクラッチを生じ ないので、スタンパー及び金型の品質を長期にわたり保持することが可能であり、同 時に断熱層の保温作用により成形のサイクル時間を短縮することが可能となり、更に 金型の耐久寿命も大幅に延長できる。
[0019] (ダイヤモンド様炭素膜の成膜）
ダイヤモンド様炭素膜 (以下「DLC膜」）は、プラズマ CVD法、イオンィ匕蒸着法、 EC Rプラズマ CVD法等により形成できるほか、スパッタ法でも形成することができる。
DLC膜をプラズマ CVD法により形成する場合、例えば特開平 4一 41672号公報等 に記載されてレ、る方法により成膜することができる。プラズマ CVD法におけるプラズ マは、直流、交流のいずれであってもよレ、。交流としては数へルツからマイクロ波まで 使用可能である。又、「ダイヤモンド薄膜技術」（総合技術センター発行)等に記載さ れている ECRプラズマも使用可能である。又、バイアス電圧を印加してもよい。 [0020] DLC膜をプラズマ CVD法により形成する場合、原料ガスには、下記化合物を使用 することが好ましい。
C及び Hを含有する化合物として、メタン、ェタン、プロパン、ブタン、ペンタン、へキ サン、エチレン、プロピレン等の炭化水素が挙げられる。
C + H + Oを含む化合物としては、 CH〇H、 C H〇H、 HCH〇、 CH COCH等 力 Sある。
C + H + Nを含む化合物としては、シアン化アンモニゥム、シアン化水素、モノメチ ノレアミン、ジメチルァミン、ァリノレアミン、ァニリン、ジェチルァミン、ァセトニトリル、ァゾ イソブタン、ジァリルァミン、ェチルァミン、 MMH、 DMH、トリアリノレアミン、トリメチル ァミン、トリエチノレアミン、トリフエニルァミン等がある。
[0021] この他、上記の化合物、 O源あるいは〇N源、 N源、 H源、 F源、 B源、 P源等とを組 み合わせてもよい。
[0022] 上記原料ガスの流量は原料ガスの種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力 は、通常、 1一 200Pa、投入電力は、通常、 10W— 5kW程度が好ましい。
[0023] DLC膜は、イオン化蒸着法により形成してもよい。イオン化蒸着法は、例えば特開 昭 59-174508号公報、特開平 2-22012号公報、特開平 10—202668号公報等に 記載されている。ただし、これらに開示された方法、装置に限られるものではなぐ原 料用イオン化ガスの加速が可能であれば他の方式のイオン蒸着技術を用いてもよい
[0024] イオン化蒸着法においては、真空容器内を 10— 4Pa程度までの高真空とする。この 真空容器内には交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラメントが設けら れ、このフィラメントを取り囲んで対電極が配置され、フィラメントとの間に電圧 Vdを与 える。又、フィラメント、対電極を取り囲んでイオン化ガス閉じこめ用の磁界を発生する 電磁コイルが配置されている。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突して、プラス の熱分解イオンと電子を生じ、このプラスイオンはグリッドに印加された負電位 Vaによ り加速される。この Vd、 Va及びコイルの磁界を調整することにより、組成や膜質を変 えること力できる。又、ノ ィァス電圧を印加してもよい。
[0025] DLC膜をイオン化蒸着法により形成する場合、原料ガスには、プラズマ CVD法と 同様のものを用いればよい。上記原料ガスの流量はその種類に応じて適宜決定す ればよい。動作圧力は、通常 1一 70Pa程度が好ましい。
[0026] DLC膜は、スパッタ法により形成することもできる。この場合、 Ar、 Kr等のスパッタ 用のスパッタガスに加えて、 O 、 N、 NH、 CH、 H等のガスを反応性ガスとして導
2 2 3 4 2
入すると共に、 Cをターゲットとしたり、 C、 N、 O等を含む混成ターゲット或いは 2以上 のターゲットを用いてもよレ、。又、ポリマーをターゲットとして用いることも可能である。 このようなターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流電力のいずれかを印加し 、ターゲットをスパッタし、これを基板上にスパッタ堆積させることにより DLC膜を形成 する。高周波スパッタ電力は、通常、 10W— 5kW程度である。動作圧力は、通常、 1 0— 3— 0. lPaが好ましい。
[0027] このようなターゲットを用いて高周波電力をカ卩え、ターゲットをスパッタし、金型に固 着した断熱層の面にスパッタ堆積させることによりダイヤモンド様炭素膜を形成する。 なお、この場合も金型に加えるバイアスは負のバイアス電圧を印加する。ノくィァス電 圧は、直流が好ましい。又、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用しても よレ、。上記のバイアス電圧は、好ましくは—10—— 2000Vであり、より好ましくは—50 一- 1000Vである。高周波スパッタ電力は、通常 10W— 5KW程度である。動作圧 力 ίま、通常 0. 0013— 0. 13Pa力 S好ましレヽ。
[0028] なお、断熱層及びダイヤモンド様炭素膜の形成に先立って、金型のスタンパー保 持面は鏡面研磨する必要がある。又、断熱層が CVD又はスパッタリングで製作され る場合には、 Ar、 Kr等のガスを用いて気相エッチングし、表面層を浄化することもで きる。
[0029] (密着層の成膜）
本発明で断熱層とダイヤモンド様炭素膜との間に介在させる密着層は、適正な原 料を使用し、上記の DLC膜の成膜と同様な方法により成膜できる。
実施例
[0030] 実施例 1
スタンパーを保持する金型のキヤビティの壁面を鏡面に研磨し、溶射により 0· 5m mの厚さの SiCを形成し、その表面を研磨し、その上にダイヤモンド様炭素膜を 1 · 5 β mに形成した。ただし、ダイヤモンド様炭素膜の成膜は、 自己バイアス RFプラズマ CVD法により、原料ガス： C H (0. 017Pa'm3' s— 、電源： RF、動作圧： 66· 5Pa
2 4 、 投入電力： 500W、成膜レート： 100nm/minの条件で成膜した。膜組成は CH で
0.21 あり、炭素膜はダイヤモンド様炭素膜であった。
[0031] 実施例 2
SiCの代わりに Al Oを使用した他は、実施例 1の方法により成膜した。密着層とし
2 3
ては Siを 0. 1 μ mスパッタ法で成膜した。
[0032] 実施例 3
SiCの代わりにパイレックス（登録商標）ガラスを使用した他は、実施例 1の方法によ り成膜した。密着層としては Siを 0. 1 μ mスパッタ法で成膜した。
[0033] 実施例 4
SiCを溶射する代わりに、スタンパーを保持する金型キヤビティの鏡面に 50 μ mの ポリイミドフィルムを配置し、周囲をテフロン (登録商標）ボルトで止めた他は、実施例 1の方法に従った。密着層としては Siを 0. 1 μ mスパッタ法で成膜した。
[0034] 実施例 5
SiCを溶射する代わりに、スタンパーに対向する金型キヤビティの鏡面にスパッタリ ング法で 0. 1mmの SiCを形成した他は、実施例 1に従った。
[0035] 比較例 1一 4
実施例 1一 4においてダイヤモンド様炭素膜を使用しなかった。
[0036] 比較例 5
スタンパーを保持する金型のキヤビティの壁面を鏡面に研磨し、その上に直接実施 例 1に従ってダイヤモンド様炭素膜を 1. 5 μ mに形成した。
[0037] 以上の実施例及び比較例で所定の被覆を有する金型を使用して光ディスクの射出 成形を行った。
以上の結果を表 1に示す。表 1において、サイクル時間は比較例 5のサイクル時間 を 1とした場合の相対値であり、スタンパー寿命は一枚のスタンパーにより成形不良 を生じないで成形できた耐用ショット回数であり、金型寿命は 1つの金型のスタンパー 保持面が使用できなくなるまでの耐用ショット回数である。 [表 1]
表 1
Figure imgf000012_0001
表 1の結果から、本発明は従来の断熱層を有する成形金型と同等のサイクル時間 を維持しながらスタンパーの寿命を 10倍以上延ばし、金型の寿命を数百倍に延ばす ことができた（比較例 1一 4との対比）。又、本発明は従来のダイヤモンド様炭素膜を 施した成形金型を使用する成形のサイクル時間を大幅に短縮することができた。

Claims

請求の範囲
[1] 光ディスク成形金型の成形キヤビティのスタンパーを保持する壁面に、断熱層及び ダイヤモンド様炭素膜をこの順に一体形成した光ディスク成形金型。
[2] 断熱層はセラミック、ガラス、焼結体、及び耐熱性合成樹脂より選択された材料から 形成されている請求項 1の光ディスク成形金型。
[3] ダイヤモンド様炭素膜は式 CH O N F B P
a b c d e f
(ただし原子比で a = 0. 05— 0. Ί、 b = 0— 1、 c = 0— 1、 d = 0— 1、 e = 0— 1、及び f
=0— 1)で表される組成を有する請求項 1一 2のいずれかの光ディスク成形金型。
[4] 断熱層の厚さは 0. 1 /i m— 1. 0cmである請求項 1一 3のいずれかの光ディスク成 形金型。
[5] ダイヤモンド様炭素膜の厚さは 0· 01— 10. 0 μ ΐηである請求項 1一 4のいずれか の光ディスク成形金型。
[6] 前記請求項 1一 5のいずれかの光ディスク成形金型の成形キヤビティの一つの壁面 に、表面に転写すべき情報パターンを有するスタンパーを取り付け、溶融した原料榭 脂を前記キヤビティに導入し成形することよりなる光ディスクの成形方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1547748A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Technos Co., Ltd., Optical disc mold having diamond-like carbonaceous layer (DLC) and a molding method using the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007034815A1 (ja) * 2005-09-21 2007-03-29 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. 金型、金型温度調整方法、金型温度調整装置、射出成形方法、射出成形機、及び熱可塑性樹脂シート
JP4774889B2 (ja) * 2005-09-28 2011-09-14 凸版印刷株式会社 光学部品用成形型の製造方法
JP5319874B2 (ja) * 2006-04-07 2013-10-16 日立マクセル株式会社 射出成型用金型部材
KR101093456B1 (ko) 2006-04-20 2011-12-13 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 수지성형장치 및 수지성형방법
JP5211597B2 (ja) * 2007-09-13 2013-06-12 株式会社リコー 断熱構造を有するスタンパの製造方法
JP5247233B2 (ja) * 2008-05-15 2013-07-24 三菱瓦斯化学株式会社 金型組立体及び射出成形方法
JP5149069B2 (ja) * 2008-05-15 2013-02-20 三菱瓦斯化学株式会社 金型組立体及び射出成形方法
WO2013031505A1 (ja) * 2011-08-31 2013-03-07 ポリプラスチックス株式会社 溶着体の製造方法
KR20170050342A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 한국생산기술연구원 단열을 위한 패턴이 형성된 사출성형용 스탬퍼 및 이를 구비하는 사출 금형
KR102116004B1 (ko) * 2018-08-03 2020-05-27 (주)엠티에이 다양한 형상의 탄소체 성장용 금형 및 이를 이용한 탄소체 성장방법
CN111319200A (zh) * 2020-03-06 2020-06-23 盐城摩因宝新材料有限公司 一种医用器件易脱模模具及其制作工艺
CN111319199A (zh) * 2020-03-06 2020-06-23 盐城摩因宝新材料有限公司 一种冷循环易脱模注塑模具及其制作工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01234214A (ja) * 1988-03-16 1989-09-19 Tdk Corp 成形用金型とその製造方法
JP2000254922A (ja) * 1999-03-08 2000-09-19 Citizen Watch Co Ltd 樹脂成形用金型および樹脂成形用金型への硬質被膜形成方法
JP2002079522A (ja) * 2000-06-23 2002-03-19 Hitachi Maxell Ltd ディスク基板成形金型及び樹脂成形金型
JP2002321026A (ja) * 2001-04-23 2002-11-05 Tdk Corp 工 具
JP2003019717A (ja) * 2001-05-01 2003-01-21 Mitsubishi Engineering Plastics Corp 金型組立体及び射出成形方法
JP2004175112A (ja) * 2002-11-13 2004-06-24 Maxell Hi Tec Ltd 成型用金型及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01234214A (ja) * 1988-03-16 1989-09-19 Tdk Corp 成形用金型とその製造方法
JP2000254922A (ja) * 1999-03-08 2000-09-19 Citizen Watch Co Ltd 樹脂成形用金型および樹脂成形用金型への硬質被膜形成方法
JP2002079522A (ja) * 2000-06-23 2002-03-19 Hitachi Maxell Ltd ディスク基板成形金型及び樹脂成形金型
JP2002321026A (ja) * 2001-04-23 2002-11-05 Tdk Corp 工 具
JP2003019717A (ja) * 2001-05-01 2003-01-21 Mitsubishi Engineering Plastics Corp 金型組立体及び射出成形方法
JP2004175112A (ja) * 2002-11-13 2004-06-24 Maxell Hi Tec Ltd 成型用金型及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1547748A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Technos Co., Ltd., Optical disc mold having diamond-like carbonaceous layer (DLC) and a molding method using the same

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