WO2004004018A1

WO2004004018A1 - 半導体発光素子

Info

Publication number: WO2004004018A1
Application number: PCT/JP2003/006234
Authority: WO
Inventors: Takao Nakamura; Shinsuke Fujiwara; Hideki Matsubara
Original assignee: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Priority date: 2002-06-28
Filing date: 2003-05-19
Publication date: 2004-01-08
Also published as: KR20050012714A; CN1557026A; EP1519423A1; JP2004039663A; CA2459554A1; US20040238811A1; AU2003234828A1; TW200402897A

Abstract

出射面から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板と、ｎ型ＺｎＳｅ基板の上に形成された活性層と、出射面と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層とを備えることにより、発生した光を有効に活用し、高輝度で、かつ白色の発光素子の色度の調整を容易にできるＺｎＳｅ系発光素子を提供する。

Description

明細書半導体発光素子技術分野

本発明は、半導体発光素子に関し、より具体的には Z n S e系発光素子に関するものである。背景技術

Z n S e系白色発光素子では、 n型 Z n S e基板上に形成された p n接合を含む活性層において青色光を発光し、さらに、 Z n S e基板における自己活性発光中心（S A (Self- Activated)中心）がその青色光を受けて励起され黄色光を発光する。図 1 2は、 Z n S e系白色発光素子を示す構成概略図である。 S A中心を有する n型 Z n S e基板 1 0 1の上に n型 Z n S eェピタキシャル層 1 0 3が形成され、その上に少なくとも 1つの p n接合を含む発光層である活性層 1 0 4が形成されている。その上には p型 Z n S eェピタキシャル層 1 0 5が形成されている。活性層 1 0 4で発光を生じさせるには、 n型 Z n S e基板 1 0 1の裏面に設けた n型電極 1 1 2と、 p型 Z n S eェピタキシャル層 1 0 5の上に設けた p 型電極 1 1 0との間に電圧を印加する。電圧は、 p n接合に順方向電圧がかかるように、 p型電極 1 1 0に所定の電圧を、また n型電極 1 1 2にそれより低い電圧を印加する。この電圧印加により、 p n接合にキャリアが注入され、活性層 1 0 4で発光が生じる。 Z n S e化合物半導体の場合、活性層から発光される光は、活性層内の Z n S e層に相当する波長の青色である。この青色発光は狭いバンド幅を有する。

この青色光は、上面側の p型 Z n S eェピタキシャル層を通り出射面から外に出射されるだけでなく、下側の n型 Z n S e基板 1 0 1にも到達する。 n型 Z n S e基板には、あらかじめ、ヨウ素、アルミニウム、塩素、臭素、ガリウム、ィンジゥム等を少なくとも 1種類ドーピングして n型導電性としている。このドービングにより、 Z n S e基板には S A発光中心が形成される。上記の青色光を含む 5 1 0 n m以短の短波長域の光の照射により、 S A発光中心から、 5 5 0 n m 〜6 5 0 n mの長波長域の光が発光される。この長波長域の光は、黄色または橙色の可視光である。

図中の活性層からの青色もしくは青緑色発光のうち、 Z n S e基板方向に伝播するものは、 Z n S e基板 1 0 1に吸収されて、光励起発光を起こして黄色もしくは橙色もしくは赤色の光を発する。この両者の発光を組み合わせることにより、白色光を得ることができる。発明の開示

上述のように、 Z n S e系半導体発光素子を発光させるためには、 p型半導体層の上に配置された p型電極と、 n型 Z n S e基板の裏面に形成される n型電極の間に電圧を印加する必要がある。

n型 Z n S e基板の裏面に形成される n型電極には、従来、融着法による I n や、再成長または蒸着法による A u / T iが使用されていた。これらの金属は、活性層からの青色もしくは青緑色発光や n型 Z n S e基板で発生する長波長域の光に対して反射率が低く、れらの光の多くを吸収していた。

上記のように、 Z n S e系発光素子は、活性層で発生する短波長城の光に加えて、 Z n S e基板で発生する長波長域の光も用いる。このため、 Z n S e系基板における発光をできるだけ多く有効に取り出すことは出力向上や色度制御のためにも重要である。

本発明の主目的は、半導体素子で発生した光を有効に活用することにより、高輝度の半導体発光素子を得ることにある。また、副次的な目的は、白色光を発光する半導体発光素子の色度の調整やさらに出力、色度のばらつきを抑制するにある。

本発明の半導体発光素子は、出射面から光を外部に出射する半導体発光素子である。この半導体発光素子は、自己活性発光中心を含む第 1導電型半導体基板と、第 1導電型半導体基板の上に形成された活性層と、出射面と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射する A 1層とを備える。

上記のように、出射面と反対側の実装基板側に A 1層を配置させることにより、活性層から発光する青色光および半導体基板中からの S A発光を A 1層で反射し、出射面に向けることにより、出力を向上、すなわち輝度を向上することができる。また、 S A発光中心から発光される光も A 1層で反射され有効化されるが、それだけでなく短波長域光が反射されて半導体基板中を伝播するとき、再度 S A発光中心を励起するので、その分長波長域光の強度は増大し、励起に寄与した活性層からの光は吸収され、その強度は減少する。このため、白色光において活性層からの光の成分に対して、 S A発光中心からの光の成分を高めることが可能になる。上記の発光素子は、実装されるとき、ェピアップ（基板ダウン）実装でも、ェピダウン（基板アップ）実装でもよい。ェピダウン等とは、上記第 1および第 2 導電型半導体層が基板上にェピタキシャル成長されるために呼ばれる実装における発光素子の向きを表す用語である。ェピアップ（基板ダウン）とは、半導体基板が実装基板に固定され、ェピタキシャル層が出射面を構成することをさし、ェピダウン（基板アップ）とはェピタキシャル層の側が実装基板に固定され、半導体基板が出射面を構成することをさす。上記の A 1層は、ェピアップ実装することを前提とする半導体発光素子にも、ェピダウン実装することを前提とする半導体発光素子にも用いることができる。

すなわち、上記の出射面は、活性層の上に形成された第 2導電型半導体層の側に位置し、 A 1層が第 1導電型半導体基板に電気的に接続される電極を構成してもよい。

上記の構成により、ェピアップ実装において、 A 1層における反射により高輝度を実現することができる。すなわち、活性層からの光が A 1層に向うとき、および A 1層で反射されて出射面に向うときの合計 2回半導体基板中の S A発光中心を励起する。このため、 S A発光の強度を高め、また活性層からの光そのものの強度をも高くすることができる。

上記の第 1導電型半導体基板の表面（裏面）に第 1導電型不純物を第 1導電型半導体基板よりも高濃度に含む高濃度第 1導電型半導体層を設け、その高濃度第 1導電型半導体層に接して、 A 1層が位置する構造としてもよい。

この構成により、ェピアップ実装の場合に、裏面電極をォーミックにすることが容易となる。上記の出射面は、第 1導電型半導体基板の側に位置し、 A 1層が活性層の上に形成された第 2導電型半導体層の側に位置するようにしてもよい。

この構成により、ェピダウン実装においても、半導体発光素子中で発光した光の有効活用をはかり、輝度を高めることができる。

また、上記の A 1層の上に接して、さらに A u層、および Zまたは、 2層からなる T i (下層） /A u (上層）を有することができる。この A u層または T i ZA u層により、不安定な A 1層を保護して安定化することが可能となる。

上記の第 1導電型半導体基板が自己活性発光中心を含む n型 Z n S e基板であり、 n型 Z n S e基板の上に形成された p n接合を含む活性層を有する構成とすることができる。

上記のように、半導体基板として比較的製造しやすい n型 Z n S eを用い、たとえばェピアップ実装する場合、活性層で生じた光が A 1層に到達する。活性層から Z n S e基板の表面（裏面）にまで到達する光量は基板の吸収係数に依存するが、 P V T (Physical Vapor Transport)法で作製した Z n S e基板の吸収係数はそれほど大きくなく、相当量の光が活性層から Z n S e基板の表面（裏面）に到達する。裏面に到達した光は、 A 1層で反射して、上方へと戻される。従来の裏面電極に用いられていた I n電極や T i電極では、これらの光は裏面電極でほとんど吸収されていた。上記のように A 1層を配置することにより、光取り出し部へと反射され、 Z n S e基板をもう一度通る。活性層からの光がもう一度 Z n S e基板を上方へと通過するとき、 Z n S e基板中の発光中心からもう一度長波長域の光を発光させる。このため、全体の輝度を向上させるだけでなく、相対的に S A発光中心からの光の比率を増すことができる。この結果、たとえば寒色系の白色光をより完全な白色光に近づけたり、さらに暖色系の白色光を得ることができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の実施の形態 1における反射率の測定方法の原理図であり、図 1 ( a ) は、空気と接する面からの反射を含む反射率 r 1の測定を示す図であり、図 1 ( b ) は、図 1 ( a ) の測定を補完して必要な反射率 R 1を得るために、反射率 r 0および透過光 TOを測定する方法を示す図である。

図 2は、 T i ZAu電極の場合の透過光 TOの測定結果を示す図である。

図 3は、 T i ZAu電極の場合の反射率 rOの測定結果を示す図である。

図 4は、 TOと rOとの測定結果から算出した吸収係数 aを示す図である。

図 5は、 TOと rOとの測定結果から算出した空気 ZZ n S e界面での反射率 R0を示す図である。

図 6は、サンプルの片面に T i/Au薄膜を蒸着した場合の反射率 r 1の測定結果を示す図である。

図 7は、 T i/Zn S e界面における反射率 R1の算出結果を示す図である。

図 8は、 A 1層、 I n層および T i層をそれぞれ Z n S e基板の裏面に有する場合の反射率 r 1の測定結果を示す図である。

図 9は、 A 1層、 I n層および T i層のそれぞれと Z n S e層との界面の反射 R1 の算出結果を示す図である。

図 1 0は、本発明の実施の形態 2における Z n S e系発光素子を示す断面図である。

図 1 1は、本発明の実施の形態 3における Z n S e系発光素子を示す断面図である。

図 1 2は、従来の Z n S e系発光素子を示す図である。発明を実施するための最良の形態

次に図面を用いて、本発明の実施の形態について説明する。

(実施の形態 1 )

半導体発光素子の Z n S e系白色 LEDでは、 n型 Z n S e基板上に成長させたェピタキシャル活性層からの青色光の一部が Z n S e基板中を進行するとき S Aセンタの励起を行う。このとき、青色光の一部は上記励起のために吸収される。 S Aセンタは励起され、その緩和過程で発光される S A発光を利用することによつて白色化を実現している。この白色 LEDでは Z n S e基板の裏面に、金属の n型電極が形成されている。 Z n S e基板の青色光の吸収が十分でない場合、青色光の一部は Z n S e基板の裏面電極に達する。一方、 SA発光は、等方的であり、出射面側にも実装面側にも同じ光量の光が放射されるので、相当量の S A光が裏面電極に達する。

Z n S e基板の裏面電極での反射率が 100 %であれば、裏面電極に光が達しても問題は生じない。し力、し、実際には 1◦ 0%の反射率はあり得ず、吸収は避けられない。したがって Z n S e裏面電極界面での反射率は白色 LEDの発光特性を決める上で重要なファクタである。しかし、今までその反射率は測定されておらず、反射率に関する実際の知見はないに等しい。そこで、 Z n S e基板の裏面電極界面での反射率を測定した。裏面電極としては T i層、 I n層、それに A 1層を用い、以下の結果を得た。

(a 1) 反射率測定の原理

図 1 (a) に示す配置で反射率を測定すると、測定される反射率（rl) は、空気 n S e界面での反射率（R0) と、 Z n S e中での吸収係数（a) と、 Z n S e/裏面電極界面での反射率（R1) とを含んだ値になる。したがって r lを測定するだけでは R1を決定することはできない。 r lの測定に加え、図 1 (b) の配置、すなわち裏面電極がない状態での反射率（rO) と、透過率（TO) とを測定し、これらの 3測定の結果から R0、 Rl、 rlおよび aを求めることが可能となる。

測定である rl、 r0、 TOと、 R0、 Rlおよび aとの間には、多重反射も考慮すると以下の関係がある。

rO=RO + [ {A² - R0 - (1 -R0) ²} / { 1 - (A · R0) ²} ]

T0= {A · (1一 R0) ²} / { 1- (A - R0) ²}

r 1 = R0 + [ {A²■ Rl · (1 -RO) ²} / { 1 -A² - RO - Rl} ]

A = exp (― a · d )

ここで、 dは Z n S e基板の厚みである。これらの関係式を使えば、測定値 rl、 r0、 TOから R0、 Rl、 aを算出することができる。

(a 2) T i /A u電極の場合の測定

使用したサンプルは以下の 3つのサンプルである。

(s i) as-grown P VT基板 (Physical Vapor Transport法)

(s2) A 1 -doped PVT基板 ( s 3) CVT基板 (Chemical Vapor Transport法）

各ウェハを l OmmX 1 Ommにへき開後、厚み 200 μπιになるように両面ミラー研磨を施した。サンプノレ（s2) A 1 -doped PVTに関しては、 A 1が存在する領域が残るように各面を研磨した。

電極溶着前に上記 3つのサンプノレの透過率 T0および反射率 r0を測定した。測定結果を図 2および図 3に示す。

透過率の違いは、ドーピングの有無とドーパントの違いによるものである。ド —ビングすると吸収端が長波長側にシフトする。 A 1よりョゥ素の方がその傾向が顕著である。反射率は長波長側ではあまり変わらないが、吸収端近くになると大きく異なる。しかし、これだけでは吸収の影響が出たのか界面での反射率 R0が異なるのかは判断できない。上記の測定結果から、空気/ Z n S e界面での反射率 R 0と吸収係数 aを算出した結果を図 4および図 5に示す。これらの図によれば、 R0は各サンプルで大きく異ならない。

次に、これらのサンプルの片面に T i ZAu薄膜を蒸着した。 T iの膜厚は 5 00A、 Auの膜厚は 1000 Aとした。ここで T i膜は十分に厚く、入射光は透過しないので T iの後に蒸着した A uの影響はほとんどないと考えられる。反射率 _r 1の測定結果を図 6に示す。

この反射率 r 1から T i /Z n S e界面での反射率 R 1を算出すると、図 7のようになる。図 7からわかるように、 T iノ Z n S e界面での反射率 R1はあまり高くない。裏面電極に対した入射光の多くは吸収され失われてしまう。 CVT基板を使用した場合、青色光に対する吸収係数が大きいので（図 4参照）、青色光は裏面まで達しない。しかし、青色光が変換された S A光の一部はやはり裏面に達するので、光の吸収ロスは避けられない。 PVT基板を使用した場合、青色光の吸収係数が小さいので、青色光の一部は裏面に達して吸収され失われる。もちろん活性層からの青色光だけでなく、 S A光の一部も失われる。

(a 3) I n電極および A 1電極の場合の測定

次に、 as- grown PVT基板の片面に I nまたは A 1を蒸着して反射率 r 1を測定して、 I nおよび A 1に対する反射率 R1を評価する。ここで as- grown PVT 基板の吸収係数 aと反射率 R0としては（a 2) において測定した値を使用し、ここで新たに測定はしなかった。

測定した反射率 r 1とそれから見積った（ I nまたは A 1 /Z n S e界面）の反射率 R1を図 8および図 9に示す。

図 8および図 9からわかるように、 I n電極を使用した場合、 T i電極よりはやや反射率は上がるが、大きく向上するわけではない。一方、 A 1電極を使用すると反射率が大幅に向上することがわかる。したがって裏面電極に A 1を使用することにより、発光素子（LED) の輝度を大きく向上させることが可能となる。

( a 4) まとめ

上記の測定結果をまとめると、（T i、 I nまたは A 1 ZZ n S e界面）での反射率を測定し、 T i電極およびまたは I n電極を使用した場合、反射率は 2 0%〜30%程度と低いことを確認した。これに対して、 A 1電極では、反射率は 75%程度と大幅に高くなることが判明した。したがって白色 LEDの裏面電極として、 T i層や I n層を使用すると、裏面電極での光の吸収ロスが大きくなるが、 A 1層を使用すればその吸収ロスが大幅に減少することが分かった。この結果、出射面と反対側の実装面の電極に A 1層を用いることにより、実装面において光を反射して出射面側に向わせるので、光を無駄にしないで輝度を高めることが可能になる。

(実施の形態 2)

図 10は、本発明の実施の形態 2における Z n S e系発光素子を示す断面図である。図 1 0において、 n型 Z n S e単結晶基板 1の上に、順次、 Ι μπι厚の n 型 Z n S eノくッファ層 2、 0. 5 / m厚の n型 Z n M g S S eクラッド層 3、 Z n S e/Z nC d S e多重量子井戸活性層 4、 0. 5 / m厚の p型 Z n M g S S eクラッド層 5、 0. 2 μ m厚の p型 Zn S e層 6、 Z nTeと Z n S eの積層超格子構造からなる P型コンタクト層 7が形成されている。さらにその上に、 4 0 nm厚の p型 Z nT e層 8が形成されている。このようなェピタキシャル構造の上に、 Au薄膜 10 aと格子状 T i ZAu膜 10 bからなる p型電極 10が形成されている。

p n接合での発光は電極からの電流密度が高い位置ほど強く発光するので、電流が活性層中の P n接合全体に行き渡って流れるよう、 p型 Z n S eェピタキシャル膜の表面を、薄い金（Au) 膜が被覆している。金膜の厚さは薄ければ薄いほどよいが、薄くなり過ぎると均一な発光が得られなくなる。

n型 Z n S e基板 1には、 n型不純物であるヨウ素、ァノレミニゥム、塩素、臭素、ガリウム、インジウム等を 1種類以上ドーピングし、 510 nm以短の波長の光の照射により 550 ηπ！〜 650 n mの範囲に発光波長の中心をもつ S A (Se lf-Activated)発光中心を形成している。なお、以後、 Zn S e基板に形成される各層はいずれもェピタキシャル層であるが、ェピタキシャル層であることを一々断らない。

図 10で最も特徴的なことは、 n型 Z n S e基板の裏面に A 1層 9 aが配置されていることである。 A 1層 9 aと n型 Z n S e基板 1との間には、 n型不純物を Z n S e基板よりも高濃度で含む n+型 Z n S e層 1 9が介在している。 n+型 Zn S e層 19はェピタキシャル膜であることが望ましい。このような高濃度 n 型 Z n S e層 1 9を介在させることにより、 A 1層 9 aは n型 Z n S e基板 1とォーミック接触を実現することが容易となる。 A 1層 9 aの上には A 1層の不安定性を保護するために Au膜 9 bが被覆される。

上記のように、 n型 Z n S e基板の裏面電極に A 1層が配置されたことにより、従来、 T i層や I n層などにより吸収され損失されていた光の大部分を出射面側に反射することができる。このため、 Z n S e系発光素子の出力を向上させ、輝度を高めることができる。また、従来、 S A発光からの長波長域光は裏面電極に向かうものは吸収ロスとされていたが、その分の大部分が反射されて出射面側に向い有効化される。さらに、活性層からの短波長域光が A 1層で反射されて出射面側に向うとき S A発光中心は再度励起されて、長波長域の光を発光する。また、その励起に寄与した短波長域光は吸収されロスとなる。このため、相対的に長波長域光の強度が短波長域光の強度に比べて高くなり、寒色の白色光をより完全な白色光に近づけることが可能となる。すなわち、輝度を向上させるだけでなく、白色光の色度の調整をすることができる。

(実施例）

実施の形態 2の Z n S e系発光素子を作製して、 A 1層を設けた効果を検証した。本発明例は、図 10に示す Z n S e系発光素子であり、 Z n S e基板 1の裏面に A 1層 9 aを配置してある。また、 A 1層 9 aと Z n S e基板 1との間には n+型 Z n S e層 1 9を介在させ、 A 1層 9 aの上には Au層 9 bを積層している。また、比較例として、 A 1層の代わりに T i層を用いた Z n S e系発光素子を作製した。これら本発明例と比較例とについて、輝度および色度を測定した。色度は直上の色度である。結果を表 1に示す。

表 1によれば、従来のように、 T i ZAuからなる電極では、出力は 1. 83 mWが得られた。一方、本発明例では、出力 2. 72mWとなり、約 1. 5倍の出力を得ることができた。また、色度（X, Y) は、 T i層を用いた場合、（0. 184, 0. 26 1) であり、寒色系白色であった。しかし、 A 1層を用いることにより、（0. 208， 0. 26 1) となり、暖色成分を増大させる効果が得られた。このように A 1電極を用いることにより、出力向上および色度制御が可能となり、高出力の白色 LEDを得ることができる。また、活性層からの光を裏面で反射することにより、出力および色調のばらつきを抑えることができる。

(実施の形態 3 )

図 1 1は、本発明の実施の形態 3における Z n S e系発光素子を示す断面図である。本実施の形態では、 Z n S e基板アップ（p型層ダウン）実装に特徴がある。 P型層ダウン実装であるため、活性層の全体にわたって所定以上の電流密度を供給するため p型電極は全面を覆う必要があるが、出射面を構成する n型 Z n S e基板の表面全体にわたって T i ZAu膜を形成する必要はない。このため、出射面 16には、格子状電極 12が設けられている。上記の構造のため、 A 1層の反射作用の効果に加えて、 p型層ダウン実装により、出射面を全面被覆する p 型電極 T i ZAu膜を用いなくてもよく、この分の輝度上昇をさらに得ることが可能になる。

図 1 1において、 n型 Z nS e基板 1の上面に接して基板 1よりも高濃度に n 型不純物を含む高濃度 Z n S eェピタキシャル層 15が設けられている。この高濃度 Z n S eェピタキシャル層 15に接して T i /A uからなる格子状電極 12 が設けられている。この高濃度 Z n S eェピタキシャル層 15は、 T iZAu格子状電極 12がォーミック電極となることが容易となるように設けられている。この高濃度 Z n S eェピタキシャル層 15は、またこの発光装置における出射面 16を形成する。

上記の Z n S e基板の上には、順に下側に、 n型 Z n S eバッファ層 2と、 n 型 Z nMg S S eクラッド層 3と、 Zn S eZZnC d S e多重量子井戸活性層 4と、 p型 Z nMg S S eクラッド層 5と、 p型 Z n T e ZZ n S e超格子コンタクト層 7および A 1層 9aと Au層 9 bが形成されている。 p型 ZnTe/Zn S e超格子コンタクト層 7の上には、ォーミック電極 A uを周辺部に格子状に配置し、さらに電流をチップ全面に拡げるためにハニカム状の A u電極を形成する。この電極に A 1を全面に蒸着し、ハニカム状の開口部から出射される活性層からの発光を反射させる。なお、ボトム側の電極はォーミック接触をする金属が、 (si) 所定の面積被覆率で離散的に全面に配置されるか、または（s2) 連続していても所定の開口率の開口部を有しながら全面に配置され、残りの部分を A 1 層が被覆すればよい。上記実施の形態における A u膜の格子状電極とハニカム形状との組み合わせの配置は、上記（s2) の連続していながら、所定の開口率を有する場合に該当する。上記のボトム電極では、ォーミック接触する金属（Au) が周縁部に配置され、格子状電極が形成されていたが、ボトム電極の全面に、ォ一ミック接触の金属が離散的に配置されていてもよい。すなわち、（si) の配置であってもよい。

図 11の構造によれば、ェピアップ構造と異なり、出射面の全面を覆う Au膜はない。このため、出射光が A u電極膜で吸収されることがないので、この分、高輝度にすることができる。さらに、実施の形態 2で詳細に説明したように、活性層からの光は p側電極に部分的に設けられた A 1層による反射作用を得ることにより、より一層輝度を向上させることができる。また、実施の形態 2で説明した理由により、寒色系の白色光における暖色系の光の強度を高め、より完全な白色光に近づけることが可能となる。

上記において、本発明の実施の形態について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態はあくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことを意図するものである。産業上の利用可能性

本発明の半導体発光素子を用い、 A 1層を出射面と反対側の面の電極に用いることにより、高輝度で、かつ S A発光の成分を高めて色度の調整を容易に行うことが可能となる。

Claims

請求の範囲

1 . 出射面から光を外部に出射する半導体発光素子であって、自己活性発光中心を含む第 1導電型半導体基板と、前記第 1導電型半導体基板の上に形成された活性層と、前記出射面と反対側の面に位置し、光を前記出射面側に反射する A 1層とを備える、半導体発光素子。

2 . 前記出射面が、前記活性層の上に形成された第 2導電型半導体層の側に位置し、前記 A 1層が前記第 1導電型半導体基板に電気的に接続される電極を構成する、請求項 1に記載の半導体発光素子。

3 . 前記第 1導電型半導体基板の表面に第 1導電型不純物を前記第 1導電型半導体基板よりも高濃度に含む高濃度第 1導電型半導体層を設け、その高濃度第 1導電型半導体層に接して、前記 A 1層が位置している、請求項 2に記載の半導体発光素子。

4 . 前記出射面が、前記第 1導電型半導体基板の側に位置し、前記 A 1層が前記活性層の上に形成された前記第 2導電型半導体層の側に位置する、請求項 1に記載の半導体発光素子。

5 . 前記 A 1層の上に接して、さらに A u層および Zまたは T i層と A u層との複合層を有する、請求項 1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子。

6 . 前記第 1導電型半導体基板が自己活性発光中心を含む n型 Z n S e基板であり、前記 n型 Z n S e基板の上に形成された p n接合を含む活性層を有する、請求項 1〜 5のいずれかに記載の半導体発光素子。