JP2000164931A - 白色光源 - Google Patents

白色光源

Info

Publication number
JP2000164931A
JP2000164931A JP10337397A JP33739798A JP2000164931A JP 2000164931 A JP2000164931 A JP 2000164931A JP 10337397 A JP10337397 A JP 10337397A JP 33739798 A JP33739798 A JP 33739798A JP 2000164931 A JP2000164931 A JP 2000164931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
light
green
blue
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10337397A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinsuke Fujiwara
伸介 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP10337397A priority Critical patent/JP2000164931A/ja
Publication of JP2000164931A publication Critical patent/JP2000164931A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 LEDの組み合わせによって演色性の高い照
明用光源を作製すること。 【構成】 不純物を添加したZnSe基板上に、青色を
発する活性層を含む薄膜を形成して、活性層からの青
と、基板SA発光の黄色・橙色を発する(青+SA発
光)LEDと、不純物を添加したZnSe基板上に、緑
色を発する活性層を含む薄膜を形成して、活性層からの
緑と、基板SA発光の黄色・橙色を発する(緑+SA発
光)LEDを組み合わせて白色光源とする。基板蛍光が
黄色・橙色なので演色性が改善される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は照明用の高演色性白
色光を発生する光源に関するものである。特に、LED
によって照明、表示用の白色を与えようとするものであ
る。演色性というのは白色の評価に使われる尺度であ
る。同じように白色といっても様々の白色がある。まず
色調の違いがある。赤みがかった白色もある。暖色系の
白ともいう。反対に青みがかった白色もある。寒色系の
白と言う事もある。これは色度の違いであって色自体の
属性である。人間の目によって光源自体を見たときの色
の違いである。
【0002】照明用の光源であるからそれだけでは全て
の性質を表していることにはならない。照明には必ず対
象物がある。光源からの光が対象物に当たり、反射さ
れ、反射光が目に入るのである。だから対象物の本来の
色を忠実に再現できるのが良い白色光源である。照明用
の白色光源の場合、どれだけ忠実に再現できるか、とい
うことが問題になる。これを評価するのは難しいが、演
色性という概念がこれに当てられている。
【0003】
【従来の技術】照明用の白色光源として、現在、白熱
球、蛍光灯などが用いられている。白熱球はフィラメン
トが赤熱されて発光するので太陽光に近い。太陽光によ
って対象物が照射されて、その反射光が対象の本来の色
であるとする。人間はもともと太陽光の下で物を見、そ
の色によって物を同定する。だから太陽光のスペクトル
が照明用光源の基準となるのは自然である。太陽光は黒
体輻射であると考えられる。黒体輻射というのは、放射
を通さない壁で囲まれた空洞内部にあって熱平衡に達し
た電磁波動であり、空洞に小さい穴を開けたときに外部
に出る輻射のスペクトルとして定義される。これは振動
数νの振動hνが等確率で励起されているという理想的
な状態を想定したものである。hはプランク定数であ
る。熱によってのみ放射が起こる場合はそのような仮定
が成り立つ。黒体輻射であれば温度Tだけによってスペ
クトルを決めることができる。黒体輻射の発光スペクト
ルはプランクの輻射式
【0004】
【0005】によって与えられるからである。kはボル
ツマン定数、Tは絶対温度、cは光速である。図13に
プランクの放射スペクトル図を示す。温度が高くなると
全体のエネルギーが増大する。また、極大を与える波長
が下がってくる。全体のエネルギーはλにより積分する
ことによって得られる。それは絶対温度の4乗に比例す
る(シュテファンボルツマン法則)。λとλ+dλの範
囲の光エネルギーはρ(λ)dλである。これの極大を
与える波長λmは、温度だけで決まる。
【0006】
【0007】だから白色光が黒体輻射であるばあい、温
度によって簡単にスペクトルを表現できる。温度はピー
ク波長λmと上記の関係にあるから黒体輻射である白色
光は温度によって表現することもある。太陽光は黒体輻
射光であると考えられる。太陽光によって照らされた反
射光スペクトルが物体固有の色である。ところが白色光
といっても熱発光でないものは黒体輻射ではない。蛍光
灯の光は輝線スペクトルを含むので、黒体輻射スペクト
ルと著しく異なる。だから蛍光灯によって見た物体の色
は、固有の色とは食い違う。この食い違いをしめすもの
が演色性である。白色では演色性が重要な因子になる。
黒体輻射(太陽光)を演色性100とする。黒体輻射
(太陽光)から離れるに従って演色性は低くなる。白色
であっても太陽光と著しく異なる光源の演色性は低い。
【0008】白熱球の光は熱による放射であるから黒体
輻射である。演色性は100である。白色光源として理
想的な色なのである。しかし白熱球は光への変換効率が
悪い。寿命が著しく短い。必要な電力が大きく高熱にな
る。電圧も高い。任意の形状、サイズにすることができ
ない。変形の余地がない、など多くの欠点がある。蛍光
灯は光への変換効率がより高い。しかしサイズが大きく
て機器は重い。寿命もなお短い。小さくできないから照
明用、表示用光源としては使いにくい。演色性も悪い。
【0009】白熱球や蛍光灯と全く異なる原理に基づく
光源として半導体光源がある。これにはLEDとLDが
ある。ここではLEDを問題にする。半導体発光素子で
あるLED(Light Emitting Diode)は、サイズが小さ
い。軽量であるし、安価である。高速応答性に富む。電
気・光の変換効率が高い。電圧が低い。熱放射もわずか
である。消費電力が少なくて済む。白熱電球、蛍光灯と
比べれば、はるかに長寿命である。このように優れた特
徴がある。LEDやLDは高速応答性を生かして通信用
にも使える。CDのデータ読み出しにも使われる。それ
らの目的のものは赤外光LDを使う事が多い。本発明は
通信用、読み出し用のLEDを対象にしない。
【0010】高輝度の可視光を出すLEDは直流または
低周波で表示用にも使われる。このようなものは変調や
復調などが問題にならない。輝度と色が問題になる。可
視光、高輝度のLEDは、その特徴を生かしてOA機器
などのパイロットランプや屋外表示灯のような表示用光
源として広く利用されている。表示用光源だから色があ
っても差し支えない。むしろ赤や、青、緑などの定まっ
た色があった方がよい。
【0011】LEDは電子が活性層のバンドギャップを
飛び降りるときに光を出すことを利用するから原理的に
単色光λgを出す。活性層バンドギャップをEgとする
と波長λgは、λg=hc/Egによって与えられる。
活性層のバンドギャップEgによって波長が厳密に一義
的に決定される。LEDの発光スペクトルはλgをピー
クとする鋭い山になる。ピーク半値幅は狭い。現在実用
化されている可視LEDは次のような物がある。
【0012】活性層とともに示す。 (1)赤色LED……AlGaAs、GaAsP (2)緑色・黄緑色LED……GaP (3)青色LED……SiC (4)青色・緑色……GaInN (5)橙色・黄色……AlGaInP
【0013】活性層のバンドギャップが色を決める。だ
から活性層は波長によって様々のものが使われる。これ
らのLEDは安価であって鮮やかな色をだすから表示用
に使われる。表示だから直流または低周波駆動される。
安価ということが要求されるからプラスチックモールド
パッケージが利用される。L型リードの先端にLEDチ
ップを乗せ、LED上部電極と相手のリードとをワイヤ
で結び全体を透明着色樹脂によってモールドしたもので
ある。パッケージ(透明樹脂)が安いのでコストを下げ
ることができる。LEDは赤、緑、青の三原色を出すも
のが出そろった。中間色(橙色、黄色、黄緑色)のLE
Dもあるがこれらもあくまで単色であって複合中間色で
ない。表示用なら色が鮮やかで長寿命であり、消費電力
がわずかでしかも低電圧、小電流、安価というLEDが
ぴったり適合する。
【0014】通信用、表示用としてLEDが使用されて
いることを説明した。さらに進んでここではLEDを照
明用にも使おうとするのである。単色のLEDは照明光
には本来不適である。だからこれまでLEDを照明光源
として利用したものはなかった。照明というのは対象物
を照らして対象物の本来の反射光を発生させるものであ
る。反射光はもとの光源に含まれている筈である。照明
光は本来全ての色調を含むべきである。だから照明光は
白色であることが好ましい。白色であって始めて多様な
対象物本来の色を反射光として表現することができる。
単に白色であっても照明には使えない。
【0015】白色といっても様々の白色がある。対象物
が多岐に亘るのであるから照明用の理想光源は全ての色
を含んでいなくてはいけない。それも太陽光と同じ割合
で全ての光を含むことが望ましい。単に白色と言っても
照明に適する物と不適の物がある。つまり色度だけでは
表現できない特性が照明光には要求される。対象物の色
を忠実に反射光として再現するという特性が必要にな
る。ところがLEDは本来単色を出す発光素子である。
【0016】白色というのは単色とは対極にある概念で
ある。対象物から反射され対象をそのまま表すことが必
要である。だから単独のLEDはどのようにしても良い
白色光源にはならない。であるからLEDを照明に使う
というのはLEDの性質からすると意表を突いたことな
のである。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】従来から高輝度のAl
GaAs系や、GaAsP系の赤色LEDは広く利用さ
れてきた。近年、ZnSe系又はGaN系の高輝度の緑
から青領域の光を出すLEDが実現された。GaN系と
いうが活性層はGaInN層である。青色LEDが出来
たということはLEDの三原色が揃ったという事で意味
のある事である。白色光は三原色からなるのであるから
赤色LEDと青色LED、緑LEDを組み合わせる事に
よってLEDによる高輝度の白色光源を作製できる筈で
ある。
【0018】三原色の赤色LED、緑色LED、青色L
EDを組み合わせれば白色ができる。それはそうなので
あるが、照明用の白色としては不適である。それは本来
狭いピークを持つLED3つを組み合わせただけでは、
依然として3つの狭いピークからなるスペクトルしか得
られない。それは太陽光の白色のスペクトルと著しく異
なる。太陽光はすべての波長にわたってなだらかな分布
を持ち、それゆえ照明に好適なのである。3原色LED
を作製しても見かけは白色であるが照明用としては使え
ない。照明用の白色は自然光に近いものでないといけな
い。
【0019】白色光を照明として使用する場合、照明光
が白色であるだけでなく、演色性が高いことが要求され
る。即ち色度図上の色度座標が白色領域にあるだけでは
不十分である。ここで白色とはJISZ8110で定義
されている白色とする。また今後使用する各色もJIS
Z8110で定義されるものとする。
【0020】演色性というのは本発明の白色を説明する
上で重要な概念である。演色性について明らかにしなけ
ればならない。しかし、その前に色度というものについ
ても定義を明らかにする必要がある。色度にもいくつも
の物がある。XY色度は最もよく使われるものである。
赤、緑、青の3つの成分によって定義するものである。
これは赤に見える光の波長分布R(λ)、緑に見える波
長分布G(λ)、青に見える波長分布B(λ)に任意の
スペクトルを分解し、その係数として赤成分r、緑成分
g、青成分bを求め、赤をx軸に、緑をy軸上に表現し
たものである。青成分はx軸でもy軸にも対応しない
が、r、g、bの和を1に正規化して、x成分を赤に、
y成分を緑に対応させると、3色に比率を(x,y)に
よって表現できる。逆にx,yから、赤成分をx、緑成
分をy、青成分を(1−x−y)によって求めることが
できる。
【0021】色相を二次元の座標に表現したものが色度
図である。図12は一般的なxy色度図を示す。横軸
(x)が赤の割合を示す。縦軸(y)が緑の割合を示
す。x+y≦1であるから、実際の色はその範囲にあ
る。色度図で太いC字型実線によって表現したものが単
色のカーブである。単色光の波長を実線の傍らに書いて
いる。620nm(赤)から510nm〜530nm
(緑)にかけては斜め上向きの直線になる。緑で折れ曲
がり下向きの線になる。505nm〜500nmで縦軸
に接近するのは、赤成分が殆どない、ということであ
る。さらに下がって470nm〜450nmとなるとy
が殆ど0になる。
【0022】このカーブの輪郭線は単色スペクトルを表
す。紫と赤を結ぶ線は単色でない。輪郭線の内部は単色
でなくて、複合色を表現する。赤の方から、複合色とし
て、赤、黄赤、黄、黄緑、緑、青緑、青、青紫などが並
んでいる。同じように緑といっても色度図上に広がりを
もつ。輪郭線にある緑はピーク半値幅の狭い鮮やかな単
色である。輪郭線から離れた緑は単色でなく半値幅の広
いスペクトルをもつ複合色である。白色というのは、
青、緑、赤がほぼ等しく含まれる領域であるから、色度
図でも中心部にある。x=0.33、y=0.33が白
であることは明らかである。白といってもある程度の広
がりがあり、その周りも白である。
【0023】このように赤と緑をx、y軸にする色度図
は単純に全ての色を表現できる。直観性に富むというほ
かにさらに利点がある。任意の二つの光を合成したもの
は色度図上のその2点を光量比で内分した点の色にな
る。つまり色の混合に関して線形性があるということで
ある。一つの光を色度(x1,y1)、強度a1で表現
し、もう一つの光を色度(x2,y2)、強度a2で表
現したとすると、これら2色を混合したものの色度(x
3,y3)は、
【0024】
【0025】
【0026】によって与えられる。色度図にはこのよう
な色の組み合わせの線形性がある。輪郭線上の単色二つ
を組み合わせると内部の複合色を作る事ができる。とこ
ろが同じ複合色(x3,y3)であっても、上の式から
分かるように、元の色(x1,y1)、(x2,y2)
の取り方に関して多くの選択の余地がある。例えば緑の
(0.12,0.56)を作るのに、495nm+54
0nmの光で合成することもできるし、500nm+5
60nmの光によって合成することもできる。
【0027】これらの合成色は色度は同じであるが、ス
ペクトルが異なるから異なる光であるはずである。色度
が同じだから光自体をみると同じ色に見える。ところが
物体に当たって物体光となるばあいに違いが現れる。反
射光としての違いがある。対象に当ててその反射光の違
いを示す尺度が演色性である。色度は色自体で定義され
るので単純であるが、演色性(colour rendering prope
rties)は対象を媒介とするのでより複雑である。定義
は分かりにくく測定も難しい。
【0028】ある光源に対して、基準となる光源を想定
する。これは5000K以下の場合は、適当な温度Tの
黒体輻射光源(完全放射体)である。5000K以上の
場合はCIE(国際照明委員会)昼光というものであ
る。CIE昼光は太陽光とは少し違うが太陽光に近いも
のである。CIEによってそのスペクトルが10nmご
とに与えられる。これが基準光源である。以下完全放射
体又はCIE昼光というのは面倒なので基準光源という
ことにする。
【0029】これに対して演色性を測定すべき被測定光
源がある。これを試料光源と呼ぶ。色度が同じ基準光源
と、試料光源のスペクトルを比較するのであるから、各
波長での強度の違いの2乗を足し合わせて色ズレを求め
て、100から色ズレを引けば基準光源とのスペクトル
の差が求められる。そのようにすればいいように思える
が、そのような単純な定義ではない。照明は、対象を照
らすものであるから、対象を媒介にしてその照明として
の適否を評価しなければいけない。
【0030】それはそうなのであるが、世の中にある全
ての物体に光を当ててその反射光を比較するというわけ
にはいかない。そこで代表的な色調をもつ15個の試験
色C 、C、…、C15というものを選ぶ。さまざま
の異なる色調の試験色を選択してある。ある葉の色と
か、ある女性の肌の色とかそれぞれある定まった試験色
(C;j=1…15)である。これに基準光源の光を
当てその反射光スペクトルを求める。試料光源の光を当
てその反射光スペクトルを求める。それを比較するので
あるが、ここでもスペクトル全体を比較しない。
【0031】スペクトルから、UVW色度というものを
計算する。これは先ほどの赤R、緑G、青Bの違いに基
づくxy色度とは違う。同じ試験色Cであっても、基
準光源で照射したときの反射光のUVW色度(U,V
,W)と、試料光源で照射したときのUVW色度
(U,V,W)の差(U−U)、(V−V
)、(W−W)を色ズレ(colour shift)とい
う。色ズレは色差(colourdifference)とは違う。色差
は対象物自体が異なり、同じ光源で照らしたときの反射
光の違いを意味する。色ズレは同じ対象物を基準光源と
ある白色光源で照らしたときの違いを意味する。そして
3種の色ズレの二乗の和の平方根ΔEを求める。ΔE
はUVW色度空間における2点(U,V
)、(U,V,W)の距離である。ΔE
4.6を掛けて、100から引いた値が特殊演色評価数
である。
【0032】 ΔE={(U−U+(V−V+(W−W1/2 (5)
【0033】 R=100−4.6ΔE (6)
【0034】とするのである。「特殊」というのは別段
変なというような意味ではない。15個の試験色があ
り、その内の個々の試験色に対応する演色係数であるか
ら「特殊」といっている。「個別」といったような意味
である。対象物Cjは同じであるが、基準光源と試料光
源では発光スペクトルが異なるから反射光のスペクトル
も違う。スペクトルの違いを計算するためにUVW色度
を求め、その違い(偏差)を計算する。偏差は正の数で
なければならないから2乗して和を求め、平方根をと
る。4.6はその係数である。正規化の係数というわけ
ではない。便宜的な係数である。
【0035】だから演色係数は100以下であるが正と
は限らない。負になる場合もある。基準光源と同じ発光
スペクトルを持つなら、反射光のUVW色度偏差は0で
ある。演色性は100である。ところが基準光源(黒体
輻射)と試料の白色は違うから反射光のUVW色度も違
う。
【0036】黒体輻射はある波長でピークになる一つの
なだらかな山のスペクトルを持つ。試料がガス分子の励
起によって発光する光源であるばあい、いくつかの強烈
な輝線スペクトルを持つから演色性は極めて悪くなる。
【0037】以上の説明は一つの試験色Cjに関するも
のである。試験色は15あるから15の試験色の全てに
ついて、基準光源と試料光源の反射光のスペクトルを調
べ、UVW色度を計算し、両光源のUVW色度偏差を求
めそれに4.6を掛けて100から引いて特殊演色評価
数R、R、…、R15を求める。このようにたくさ
んの試験色を用いるのは、基準光源と試料光源のスペク
トルのズレ(shift)が全波長に渡って一様でないから
である。赤の近傍では基準光源と似ているが、青の近傍
では著しく異なるとか、様々のスペクトルのばらつきが
ある。それらに対応しなければならないから、多くの試
験色を用いる。平均演色評価数というのは、特殊演色評
価数の平均値である。この場合は15個のRjの平均で
ある。
【0038】
【0039】これが平均演色評価数Raである。aは平
均であることを示す。CIEの規定では15の試験色を
使うことになっているが、実際にはそのうちさらに8つ
の試験色を選んで演色性を求めることもある。その選ば
れた8つの試験色C1、C2、…、C8について特殊演
色評価数を求めて平均値をとる。
【0040】
【0041】いずれにしても採用された試験色について
の特殊演色評価数すべての平均であるから、これが高い
ということは基準光源と似たスペクトルを持つ白色であ
り、これが低いという事は基準光源からかけ離れた白色
だということである。照明は基準光源に近いのが望まし
い。つまり照明用の白色は演色性が高い方が良いのであ
る。
【0042】演色性は平均演色評価数(Ra;100が
最高値)で評価される。熱フィラメントからの放射光に
よる白熱電球はほぼ100に近い。蛍光灯はガス励起と
蛍光によって発光する。だからガス原子の励起による輝
線スペクトルとその輝線発光による蛍光材励起に基づく
蛍光が含まれる。輝線の鋭く高いピークの存在が演色性
を下げる。屋内照明光源として通常使用される光源であ
る蛍光灯の場合、一般白色蛍光灯ではRaは61程度で
ある。3波長型昼白色蛍光灯では88程度である。また
色合わせなどの特殊用途用としてRaが99に及ぶ高演
色型AAA蛍光灯も実現されている。一般に居間、ホー
ル、オフィスなどではRaが80〜89、工場作業では
Raが60〜79の照明を使用する事が推奨されてい
る。このように照明用の光源として確立された白熱球や
蛍光灯は演色性が良い。
【0043】それに対してLEDは単独で白色の出るも
のは存在しない。バンドギャップ遷移による発光に依存
するLEDは本来ある単色を出すものである。単色は白
色ではありえない。だから単独のLEDは白色光源にな
らない。しからばLEDを組み合わせればどうか?LE
Dの組み合わせによって照明用の白色を与えることも難
しい。仮に、青色光としてピーク波長465nm半値幅
10nmのLED、緑色光としてピーク波長525nm
半値幅10nmのLED、赤色光としてピーク波長66
0nm半値幅40nmのLEDを組み合わせて、色温度
5000Kの白色光を合成した場合、Raは0以下とな
り、極めて演色性の低い白色光となってしまう。それは
合成した白色光では、波長分布が飛び飛びとなってしま
うからである。
【0044】演色性が高い白色光を合成するには可視領
域(380nm〜780nm)の全波長の光を万遍なく
合成する必要がある。しかしながら通常LEDの波長の
半値幅は10nm〜50nm程度である。純度の高い色
を出すのである。スペクトルが狭いからである。スペク
トルが狭いということは多くの場合利点であるが、演色
性という点では欠点である。10nm〜50nmという
ように極めて狭い半値幅をもつLEDの光を合わせただ
けでは演色性が高い白色光を実現することはできない。
【0045】従って高輝度の緑から青領域のLEDが実
現されたからといって、それらと赤色LEDを組み合わ
せることによって屋内照明用に使用できる白色光源を実
現出来るわけでなかった。本発明は2種類或いは3種類
のLEDを組み合わせて演色性の高い光源を提供するこ
とを目的とする。
【0046】
【課題を解決するための手段】本発明の白色光源は、不
純物としてAl、Cl、Br、Iをドープしたn型Zn
Se基板とその上にエピタキシャル成長した活性層をふ
くむ薄膜とよりなり、電流を流すことによって活性層か
ら青色を発生させ、その青色光の一部が基板の不純物に
おいて蛍光を発生するようにして青色と蛍光の混合色を
発生する(青色+蛍光)LEDと、不純物としてAl、
C1、Br、Iをドープしたn型ZnSe基板とその上
にエピタキシャル成長した活性層を含む薄膜とよりな
り、電流を流す事によって活性層から緑色を発生させ、
その緑光の一部が基板の不純物において蛍光を発生する
ようにして緑色と蛍光の混合色を発生する(緑色+蛍
光)LEDとを組み合わせて白色を発生させるようにし
たものである。
【0047】つまりこれは(青+蛍光)LEDと(緑+
蛍光)LEDの2種類のLEDを組合わせた複合LED
装置である。青色LED+緑色LEDでは白色が作り難
いし、たとえxy色度で白色であっても演色性が低い。
本発明は、青LEDの代わりに、青と蛍光を発する(青
+蛍光)LEDを使う。緑LEDの代わりに緑と蛍光を
発する(緑+蛍光)LEDを用いる。蛍光は黄色、橙色
などでしかもブロードな分布をもつからこの白色光は演
色性に優れる。2種類のLEDからなるのに高い演色性
を持つのである。このように、青、緑にSA発光を組み
合わせ演色性を高めるところに本発明の骨子となる思想
が存在する。SA発光は不純物ドープZnSe基板の青
のLEDだけからでも出るので、緑LEDはSA発光が
あってもなくてもよい。SA発光する緑LEDは不純物
ドープZnSeがある。SA発光しない緑LEDとして
は、GaP系の緑LEDや、GaInN系の緑LEDを
利用できる。そのような単色緑LEDを使う場合は、青
LEDのSA発光を増強するために、青LEDのZnS
e基板厚みを増やすとか、ドーパント濃度を高めるとか
いった手当ては必要である。一般には、(青+SA発
光)LED+緑LEDの組み合わせによって白色光源を
構成するというのが本発明である。緑LEDもZnSe
とすると基板を共通にして便利であるから、以下の説明
では、緑LEDも、不純物ドープZnSe基板のLED
を例に挙げて述べる。
【0048】しかしそれでもなお演色性が不十分だとい
うばあいは、これらに加えて赤色LED或いは赤紫LE
Dを加える。赤LEDと青紫LEDの両方を加えてもよ
い。これらのLEDの混合によって照明光の特性である
演色性をさらに100に近づけることができる。青色L
EDと緑色LEDの数の比は、所望の白色になるように
適当に決める。
【0049】つまり本発明の白色光源は、 1.(青+蛍光)LED+(緑+蛍光)LED 2.(青+蛍光)LED+(緑+蛍光)LED+赤LE
D 3.(青+蛍光)LED+(緑+蛍光)LED+赤LE
D+青紫LED 4.(青+蛍光)LED+(緑+蛍光)LED+青紫L
ED
【0050】というふうに表現する事ができる。蛍光は
ZnSe基板にドープした不純物によって発生する。蛍
光を発するLEDはZnSe基板であって、発光中心を
与える不純物がドープされている。その上にエピタキシ
ャル成長法によって薄膜を形成するが、この薄膜は電流
励起によって青または緑の光を発生する。だから青色の
場合活性層は青のエネルギーに対応するバンドギャップ
を持つ半導体層である。緑色の場合活性層は緑のエネル
ギーに対応するバンドギャップを持つ半導体層である。
クラッド層は活性層の両側に設けられるが、これらは光
を閉じ込め、キャリヤを閉じ込め、かつ格子整合するよ
うな半導体層である。
【0051】本発明の特徴は二つある。一つは従来のL
EDのように純粋単色を出すLEDでなくて、不純物を
ドープしたZnSe基板を使い蛍光を出すようなLED
を使うということである。もう一つはZnSe基板LE
Dであって青色を出すLEDと、緑色を出すLEDを複
合させるということである。 緑LEDはSA発光があ
ってもなくてもよい。青、緑、SA発光が相補的に働い
て演色性を高める。
【0052】初めの特徴について説明する。通常のLE
Dではエピタキシャル薄膜の活性層で光が発生する。基
板はエピタキシャル薄膜を支持し電流を導くだけの消極
的な役割をもつだけである。エピタキシャル薄膜の活性
層が光を発するが、これに対して基板は透明であるべき
であった。本発明のLEDの基板は、活性層の発する光
に対して透明でない。透明でなくて光を吸収し、より長
い波長の光を発する。つまり蛍光を発するのである。基
板の役割は消極的なものでなく、積極的に光を発するも
のである。活性層からの短い波長の光と、基板からの波
長の長い光とを組み合わせて利用するのが本発明のLE
Dの優れた点である。
【0053】そのようなLEDの基板として、Al、
I、Cl、BrなどをドープしたZnSe基板を用い
る。これらの不純物濃度は1×1017cm−3以上で
あることが必要である。これらの不純物はn型であるか
ら基板をn型にして電流を導くという役割もある。これ
らの不純物がZnSe中に、Znの空孔と複合欠陥を作
る。この複合欠陥が蛍光を発する中心になるらしい。こ
れをSA発光と呼ぶ。SA発光は活性層で出た光を吸収
してよりエネルギーの低い光(波長は長くなる)として
放出する現象である。従来のLEDではこのような基板
からの蛍光があると邪魔であるとして、できるだけ蛍光
がないようにしていた。基板の純度を上げて吸収がない
ような基板材料を使っていたのである。
【0054】本発明は反対であって基板に積極的に不純
物をドープして蛍光が強くでるようにする。蛍光はバン
ドギャップ遷移による発光とは違い、スペクトルが幅広
く広がっている。しかもZnSe基板の蛍光の場合(S
A発光)は黄色や黄赤色、赤の範囲に広がっている。つ
まり蛍光は演色性の点から好都合な発光なのである。活
性層からの発光色が青あるいは緑である場合、青または
緑と、黄、赤のSA発光が足し合わされるとそれだけで
白色に近くなる。青+蛍光だけで白色になることもあ
る。緑+蛍光だけで白色になることもある。蛍光の強さ
は、基板のドーパント濃度を上げることによって高める
ことができる。また基板の厚みを増やすことによっても
蛍光を強めることができる。蛍光(SA発光)の強度を
適当にすれば、一つのLEDだけで白色光を作ることが
できる。それはそうなのであるが、それは色度の点で白
だというだけである。演色性の点では難点がある。
【0055】そこで、本発明はさらに(青色+蛍光)を
発するLEDと、(緑色+蛍光)を発するLEDを組み
合わせて、照明用の光源とする。そのようにすると、発
光スペクトルは、青と緑と黄色の部分にピークをもつよ
うになり連続スペクトルに近付く。つまり演色性が高く
なるのである。
【0056】図1に本発明のLED装置の概念図を示
す。左側のLEDは、ZnSe基板とエピタキシャル発
光層よりなる。エピタキシャル発光層(厳密には活性
層)では青(B)の光を出す。ZnSe基板のSA発光
中心(不純物とZn空孔)は青色を一部吸収し、黄色の
蛍光(Y)を発生する。発光層からの青(B)と基板
からの黄色(Y)が外部に出て行く。外部へ出る光は
(B+Y)である。右側のLEDも、ZnSe基板と
エピタキシャル発光層よりなる。エピタキシャル発光層
の活性層は少し組成が違っており、緑色(G)の光を出
す。この点で先ほどの素子と違う。ZnSe基板のSA
発光は緑色を一部吸収し、黄色の蛍光(Y)を発生す
る。外部へ出る光は(G+Y)である。(B+Y
LEDと、(G+Y)LEDをある割合で平面状に二
次元分布させる。
【0057】図2はそのような複合LED装置の例をし
めす。青+蛍光のLEDは、簡単にBYとしめす。緑+
蛍光を発するLEDは、簡単にGYと示している。本発
明の複合LED装置は、BY+GYというように表現で
きる。
【0058】このような複合LED装置は、青と緑と黄
色の領域にピークを持つスペクトルを発する。だから白
色にできる。BY、GYの両方のLEDの割合をかえる
と、さまざまの色調の白色を得ることができる。基板の
厚み、ドーパント濃度を変えると、蛍光(黄色、赤黄)
の割合を変えることができる。
【0059】様々の白色が得られるだけでなく、少なく
とも3つのピークを持ち、しかもSA発光のような連続
光を含むので、演色性が高くなる。演色性の高い白色で
あるから照明用に好適なのである。
【0060】GY+BYだけの組み合わせだけでは演色
性がなお低くて要望に応じられないという場合は、他の
赤LEDあるいは、青紫LEDをも追加する。それを図
2ではZによって表現している。本発明はこのようにB
Y+GYのLEDを縦横に並べる、或いはそれに加えて
Z(赤、青紫)LEDをも並べた複合LED装置という
ところに特徴がある。
【0061】
【発明の実施の形態】ZnSeのSA発光は一般に58
0nm〜600nmのピーク波長を持つ。その半値幅は
100nm程度と広い。しかも長波長側に大きなテイル
を持つので、緑ー黄緑ー黄ー黄赤ー赤の広い範囲をカバ
ーするブロードな発光である。ここでZnSeのSA発
光は、n型ドーパント(Alのような3族元素や、I、
Clのような7族元素)を1×1017cm−3以上ド
ーピングすることによって現れる発光であって、発光メ
カニズムはn型ドーパントとZn空孔の複合欠陥に起因
する発光であると言われている。もちろんここでは発光
のメカニズムは詳しく論じない。本発明は基板の蛍光を
利用するところに特徴があり、ZnSeの場合はSA発
光と呼ぶのである。本発明において、SA発光としてn
型ドーパントを1×1017cm−3以上添加したZn
Seのブロードな緑ー黄緑ー黄ー黄赤ー赤の広い領域を
カバーする発光スペクトルを持つ発光とする。
【0062】そこで、本発明は、赤色LEDの代わり
に、ZnSeのSA発光を使用し、ピーク波長465n
m半値幅10nmの青色LED、ピーク波長525nm
半値幅10nmの緑色LED、と併せて白色光を合成す
る。こうすると、Raが80以上まで上昇し3波長型昼
白色蛍光灯並になることが判明した。演色性の評価は、
15の試験色ではなくて、そのうちの8つの試験色R1
〜R8だけを用いた。ここで青、緑色の波長は必ずしも
上記の波長である必要はない。単に一例を示したのみで
ある。上記波長と異なる波長の青色、緑色を使用しても
同様に演色性を高める効果が期待できる。
【0063】上記光源では、試験色R〜Rの内、R
が低く平均であるRaを下げている。またRaに含ま
れない試験色R〜R15ではRが低い。Rは紫
色、R は赤色に対する演色性であり、これらが低い原
因は、SA発光のピークが黄ー黄赤色の領域にあり、赤
色光が足りないからである。
【0064】そこで赤色光を補うためにピーク波長66
0nm半値幅40nmの赤色LEDも組み合わせて白色
光を合成すると、Raを90以上にすることが可能であ
る事が判明した。
【0065】この光源にさらに青紫の光を加えるとさら
に演色性を高める事が可能である。例えばピーク波長4
20nm半値幅20nmのLEDも組み合わせるとRa
を95以上に高めることも可能になる。
【0066】SA発光は、n型のZnSeに540nm
より短い波長の光を当てる事によって得られる。このS
A発光を白色光を構成する青色光と緑色光と独立して発
光させても良いのであるが、ZnSe基板上にZnSe
やZnCdSeやZnSeTe活性層としたZnSe系
の青色もしくは緑色のLEDを作製すれば活性層で放出
された光の一部分は基板側に放出され、その光が基板に
吸収されSA発光として再発光する。このようにSA発
光するZnSe基板を使用すれば、緑色LEDと青色L
EDの組み合わせのみで青色光、緑色光、SA発光を発
光させることができる。
【0067】ここでZnSe基板の厚みやn型ドーパン
ト濃度を変えれば、基板側に放出された青色光もしくは
緑色光が基板に吸収される割合を変化させる事が可能で
あるので、ZnSe基板の厚みやn型ドーパント濃度を
変える事によって、青色光もしくは緑色光とSA発光の
発光強度を制御することが可能である。
【0068】独立した青色光、緑色光、SA発光、必要
であれば赤色光、青紫色光のランプを適当な配置で並べ
てその強度比を制御して白色光源を作製しても良いが、
単一のランプ中に各色の光源を配置すれば、単体で白色
ランプとして使用できるようになる。
【0069】ここでZnSeの定義であるが、多少のZ
n以外の2族もしくはSe以外の6族元素が含まれてい
ても、本発明の本質を損なうものではない。多少のZn
以外の2族、もしくはSe以外の6族元素が含まれてい
ても、緑ー黄緑ー黄ー黄赤ー赤の広い領域をカバーする
SA発光を発する限りZnSeとみなすものとする。
【0070】さらに以下の実験において演色性の測定法
について、予め説明する。先述のように、15或いは8
の試験色があり、基準光源と、試料光源でこれらを照ら
して、その反射光のスペクトルからUVW色度を計算
し、UVW色度のズレ(色ズレ)の2乗和平方根をだ
し、それに4.6を掛けて100から引いたものが演色
評価数である。
【0071】実際にはそのような試験色が得難いし、試
験色のばらつき、測定のばらつきもある。15の試験色
Cjには反射率βj(λ)が波長毎(10nm毎)に与
えられている。だから実際にものがあるのではなくて、
βj(λ)が決まっているのである。試験色自体が入手
できなくても演色性を評価できるようになっているので
ある。それで基準光S(λ)を照射したときの反射光H
(λ)のスペクトルが計算できる。これは
【0072】 H(λ)=ΣS(λ)βj(λ) (9)
【0073】である。これは10nmごとに380nm
〜780nmまで加算する。同様に試料光源の光T
(λ)を照射したときの反射光K(λ)のスペクトルも
計算できる。それは、
【0074】 K(λ)=ΣT(λ)βj(λ) (10)
【0075】である。H(λ)、K(λ)から、基準光
による試験色のUVW色度、試料光源により試験色のU
VW色度を計算する。これらの差の二乗和の平方根を求
め、4.6を掛けて100から差し引いて特殊演色評価
数とする。以下の実施例においても、8つの試験色C1
〜C8について、計算によって特殊演色評価数を求めて
いる。平均演色評価数Raは8つの平均値である。
【0076】
【実施例】[実施例1]SA光源として、ヨウ素輸送法
で成長させたZnSe単結晶から切りだしたZnSe基
板を使用した。この基板のキャリア密度8×1017
−3であった。ドーパントは自然に混入したヨウ素で
ある。青色光源としてこのZnSe基板上に作製したZ
nSe活性層を有するLEDとし、緑色光源としてもZ
nSe基板上に作製したZnSe/Zn0.67Cd
0.33Seの積層構造からなる多重量子井戸を活性層
とするLEDとした。基板の厚みとしては250μmの
ものを使用し、MBE法によって図3に示すような青、
及び緑色の発光構造を作製した。
【0077】本発光構造はp型にドープされたZnTe
とZnSeの積層超格子構造からなるp型コンタクト層
6、p型にドープされたBe0.20Mg0.20Zn
0. 60Se層からなるp型クラッド層5、ZnSe
(青)もしくはZnSe/Zn 0.67Cd0.33
e多重量子井戸(緑)からなるダブルへテロ活性層4、
n型にドープされたZn0.85Mg0.15
0.10Se0.90層からなるn型クラッド層3から
なる。その他に基板1と発光構造の間のn型ZnSeバ
ッファ層2がある。
【0078】下から順に述べると、 1.n型ZnSe基板(ヨウ素ドープ)1 2.n型ZnSeバッファ層 2 3.n型ZnMgSSeクラッド層3 4.ZnSe活性層4(青色の場合) ZnSe/ZnCdSe多重井戸活性層(緑色の場合)
4 5.p型BeMgZnSeクラッド層5 6.p型ZnTe/ZnSe超格子コンタクト層6 の層構造を持つ。
【0079】本構造のp型コンタクト層上にPd/Au
からなる格子状のp側パターン電極を形成し、さらに2
0nm以下の厚みからなる薄膜全面Au電極を形成し
た。これがp側(p型)電極である。ZnSe基板裏側
には、Inからなるn側(n型)電極を形成した。p側
電極の格子状というのはチップの4辺近に電極を形成す
るという意味である。図14にこれを示す。格子の周期
はチップのサイズに等しい。20nm以下の厚みの金電
極は透明であり、光を通すことができる。Pd/Auの
部分にワイヤをボンディングできる。p型電極はチップ
中心にドット状パターンとして設けても良い。図15に
これを示す。その場合は中心からの光が遮られるが、そ
れ以外の部分からは光が出るので差し支えない。
【0080】n、p型電極形成後、本ウエハを250μ
m×250μm角のサイズに切りだし、発光構造面を上
向きにして素子架台(ステム)に固定した。基板電極
(n側電極)は直接にステムに接触する。素子上部のp
側電極はワイヤボンデイングによってもう一つのピンに
接続する。
【0081】このチップを樹脂でモールドし、青+SA
発光(活性層=ZnSe)、および緑+SA発光(活性
層=ZnSe/ZnCdSe)を発するLEDを作製し
た。図16がその構造を示す。通常の表示用LEDと同
じである。LEDチップ13が、L型ステム(リードピ
ン)14の上にボンディングされる。p側電極がワイヤ
16によってもう一つのリードピン15に接続される。
全体を透明樹脂17によってモールドしてある。これが
一つのLED素子である。
【0082】これらのLEDを使って図4、図5に示す
照明器具を作製した。図4は照明器具の横断平面図であ
り、図5は縦断面図である。BYと略記したのが、青+
SA発光のLEDである。GYと書いたのが緑+SA発
光のLEDである。蛍光(SA発光)が黄色を主として
含むことから蛍光成分をYによって表現している。BY
とGYとを交互に配置している。照明器具7は正方形箱
型であり底板9、側板8を含む。底板9、側板8は、ア
ルミニウム製の高光沢反射板を用いている。上方の開口
部は乳白ガラス10が取り付けてある。透明ガラスにす
るとLEDの色が直接に見えてしまう。乳白ガラスにし
て青色、緑色などの色を混合する。この実施例におい
て、底板のサイズは38mm×38mmであり、側板の
高さは20mmである。
【0083】ここで(青+SA発光)のLEDを緑+S
A発光のLEDに掛ける電圧を別々に制御し、白色を合
成した。合成した白色の分光分布を図6に示す。横軸が
波長(nm)、縦軸が発光強度(任意目盛り)である。
465nmに高いピークがある。これは(青+SA発
光)LED(BY)の活性層からの発光である。550
nmのあたりに2番目のピークがある。これは(緑+S
A発光)LEDの活性層からの発光である。570nm
〜620nmのあたりに低く広がった山があるがこれが
黄色、橙色、赤にわたるSA発光である。両方のLED
のSA発光が重なっている。このように2種類のLED
の組み合わせであるのに、3つのピークをもつスペクト
ルを実現できる。単に青LED、緑LEDを組み合わせ
たのとは違うということがスペクトルから良く分かる。
【0084】この分光分布から色温度、Raを算出する
と、色温度=4900K、Ra=84であった。工場作
業場では、Raが60〜79でよいので、この実施例の
LED装置を照明用に利用する事が出来る。オフィス、
居間などでは、80〜89のRaが要求されるが、Ra
=84であれば利用できる。
【0085】[実施例2]実施例1は、青+SA発光
(BY)LEDと、緑+SA発光(GY)を組み合わせ
Ra=84を実現している。しかしこれでもなおRaが
低すぎるというような用途もある。そのような場合の為
にBY+GY+Rの実施例のLED装置を作製した。
【0086】実施例1で使用した青+SA発光のLED
(BY)と、緑+SA発光のLED(GY)とに加え、
AlGaAs系の赤色LED(R)を加えて、図7、図
8に示すような照明器具を作製した。底板9、側板8を
組み合わせた正方形の箱にLEDを縦横に並べた点は前
例と同じである。底板、側板がアルミニウム製高光沢反
射板である点も同じである。乳白色ガラス10で覆った
構造も同様である。BYとGY、Rを対称性が良いよう
に配列した。25個のLEDのうち、BYが12個、G
Yが8個、Rが5個である。しかしこの配分は目的によ
って自在に変更できる。ここでは、青+SA発光のLE
D、緑+SA発光のLED及び、赤色LEDに掛ける電
圧を別々に制御し、白色を合成した。
【0087】合成した白色の分光分布を図9に示す。4
65nmに青の高く鋭いピークがある。525nmに緑
の鋭いピークがある。570nm〜610nmにSA発
光の鈍い山がある。これらはBY、GYの活性層の発光
と、SA発光である。それに加えて、650nm〜67
0nmにもう一つのピークがある。これは赤LEDから
の発光である。赤領域がこれによって増強されるから演
色性が高くなる。
【0088】この分光分布から色温度、Raを算出する
と、色温度=5000K、Ra=94であった。Raが
94あれば、工業用照明はもとより、オフィス、家庭居
間などの照明としても利用できる。一般白色蛍光灯より
もRaにおいて勝っている。3波長型昼白色蛍光灯でも
Raが88ぐらいしか上がらないのであるから、本発明
の実施例2はこれをも越えるものである。
【0089】[実施例3]実施例1、2の場合、チップ
一つを一つのパッケージによって封止していた。LED
の形状としてはありふれたものである。自由に配置を変
える事が出来るという利点がある。反面それでは小型化
ができない。またパッケージ材料を節減することもでき
ない。そこで多数のLEDチップを一つのパッケージに
収容する素子構造を考えた。実施例1で作製したモール
ドする前の裸のLEDを図10、図11に示すように配
置し、ワイヤボンディングし、乳白色のキャップをかぶ
せて白色ランプを作製した。円形の底板20は絶縁体で
ある。その上に導体の中円板21と、同心状の周円環2
2を設けている。間には絶縁体23があり両者を絶縁し
ている。
【0090】中円板21の上には、本発明のBYーLE
Dチップと、GY−LEDチップをボンディングしてい
る。ここでは中心にBY一つ、周辺に6個のBYと、3
個のGYとを配列している。いずれもZnSe基板の上
に薄膜をエピタキシャル成長させたものである。活性層
がZnSeのものが青色を発生する。活性層がZnSe
/ZnCdSeのものが緑色を発生する。両方ともZn
Seにはヨウ素がドープされているから黄色・橙色のS
A発光を発する。基板側がn型でこれが中円板21に直
接に接合されている。中円板21はリードピン32が取
り付けられる。
【0091】上面のp側電極はワイヤ24、25、26
によって周円環22に接続されている。周円環22はリ
ードピン31に接合している。ピン32がカソード、ピ
ン31がアノードになる。全ての素子が、ピン31、3
2間に並列に接続されている。だから全ての素子に等し
い電圧が印加される。GYとBYで電圧を異ならせると
いうことはできない。底板20の上に凹曲面のキャップ
30が取り付けられる。キャップ30は乳白色とする。
素子内部内部は不活性ガスが充填してある。このような
複合構造は装置を微細構造にすることができる。パッケ
ージも単純化されてコストを下げることができる。
【0092】ここで、青色+SA発光LED(BY)7
個に対して、緑+SA発光LED(GY)を3個使用す
ることによって、青+SA発光のLEDと緑+SA発光
のLEDに掛ける電圧を別々に制御する事なく白色ラン
プを実現した。10個のLEDを並列回路に接続し、ラ
ンプからはn側、p側の2電極端子のみ取り出す事にし
た。このランプに3V前後の電圧をかけることによって
白色に発光することを確認した。
【0093】
【発明の効果】本発明は、不純物をドープしたZnSe
基板に青、緑の発光構造体をエピタキシャル成長させ、
(青+蛍光)あるいは(緑+蛍光)を発するLEDを作
り、これらを平面的に組み合わせて白色を作っている。
活性層の作る青、緑だけでなく、基板のSA発光の黄
色、橙色をも含むから演色性の高い白色を作ることがで
きる。本来LEDは鋭いスペクトルをもつから照明には
不適であったが、本発明は、ZnSeのSA発光を利用
することによって、高演色性の白色光源をLEDによっ
て実現することが始めて可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する為の並列LED素子よ
りなる光源の一部の断面図。
【図2】本発明の原理を説明するための3種類のLED
よりなる光源の一部の平面図。
【図3】本発明において用いられるLEDの層構造を示
す断面図。
【図4】本発明の実施例1にかかる白色光源の平面図。
【図5】本発明の実施例1にかかる白色光源の縦断面
図。
【図6】本発明の実施例1にかかる白色光源の発光スペ
クトル図。
【図7】本発明の実施例2にかかる白色光源の平面図。
【図8】本発明の実施例2にかかる白色光源の縦断面
図。
【図9】本発明の実施例2にかかる白色光源の発光スペ
クトル図。
【図10】本発明の実施例3にかかる白色光源の平面
図。
【図11】本発明の実施例3にかかる白色光源の縦断面
図。
【図12】一般的な色度図上での単色、中間色、白色の
定義を示す色度図。
【図13】プランク輻射のスペクトル図。
【図14】格子状にp側電極を設けたZnSeウエハの
平面図。
【図15】ドット状にp側電極を設けたZnSeウエハ
の平面図。
【図16】一般的なLEDの縦断面図。
【符号の説明】 1 n型ZnSe基板 2 n型ZnSeバッファ層 3 n型ZnMgSSeクラッド層 4 ZnSeまたはZnSe/ZnCdSe活性層 5 p型BeMgZnSeクラッド層 6 p型ZnTe/ZnSe超格子コンタクト層 7 パッケージ 8 側板 9 底板 10 乳白ガラス 11 リードピン 12 リードピン 13 LEDチップ 14 ステム(L型リードピン) 15 リードピン 16 ワイヤ 17 透明樹脂 19 キャップ 20 底板 21 中円板 22 周円環 23 絶縁体 24 ワイヤ 25 ワイヤ 26 ワイヤ 30 キャップ 31 リード 32 リード

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不純物としてAl、Cl、Br、Iをド
    ープしたn型ZnSe基板とその上にエピタキシャル成
    長した活性層を含む薄膜とよりなり、電流を流すことに
    よって活性層から青色光を発生させ、その青色光の一部
    が基板の不純物において蛍光を発生するようにして青色
    と蛍光の混合色を発生する(青色+蛍光)LEDと、基
    板とその上にエピタキシャル成長した活性層を含む薄膜
    とよりなり、電流を流す事によって活性層から緑色を発
    生させる緑色LEDとを組み合わせて白色を発生させる
    ようにしたことを特徴とする白色光源。
  2. 【請求項2】 緑色LEDが、不純物としてAl、C
    1、Br、Iをドープしたn型ZnSe基板とその上に
    エピタキシャル成長した活性層を含む薄膜とよりなり、
    電流を流す事によって活性層から緑色を発生させ、その
    緑光の一部が基板の不純物において蛍光を発生するよう
    にして緑色と蛍光の混合色を発生する(緑色+蛍光)L
    EDであることを特徴とする請求項1に記載の白色光
    源。
  3. 【請求項3】 (青色+蛍光)LEDと、(緑色+蛍
    光)LEDに加えて、赤色LEDをも含むようにした事
    を特徴とする請求項2に記載の白色光源。
  4. 【請求項4】 青紫色LEDをも含むようにした事を特
    徴とする請求項2又は3に記載の白色光源。
  5. 【請求項5】 緑色LEDがGaP系LED、またはG
    aInN系LEDであることを特徴とする請求項1に記
    載の白色光源。
  6. 【請求項6】 異なる色を発するLEDチップを複数
    個、同一のランプの中に組み込んだことを特徴とする請
    求項1〜5の何れかに記載の白色光源。
JP10337397A 1998-11-27 1998-11-27 白色光源 Pending JP2000164931A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10337397A JP2000164931A (ja) 1998-11-27 1998-11-27 白色光源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10337397A JP2000164931A (ja) 1998-11-27 1998-11-27 白色光源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000164931A true JP2000164931A (ja) 2000-06-16

Family

ID=18308257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10337397A Pending JP2000164931A (ja) 1998-11-27 1998-11-27 白色光源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000164931A (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337536B1 (en) * 1998-07-09 2002-01-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting diode and neutral color light emitting diode
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変led光源モジュール
WO2003019072A1 (fr) * 2001-08-23 2003-03-06 Yukiyasu Okumura Eclairage par del a temperature de couleur reglable
JP2003515956A (ja) * 1999-12-02 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Led及び蛍光ledを含み、白色光を生成するハイブリッド照明システム
US6590233B2 (en) 2001-02-23 2003-07-08 Kabushiki Kasiha Toshiba Semiconductor light emitting device
JP2003207770A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルタ及びそれを用いた液晶表示装置
JP2003332631A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 白色発光素子
WO2004004018A1 (ja) * 2002-06-28 2004-01-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 半導体発光素子
JP2006196889A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Au Optronics Corp 白色発光素子及びその製造方法
JP2007258202A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Showa Denko Kk 照明光源
JP2010067961A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Advanced Optoelectronic Technology Inc 高演色性発光ダイオードの製造方法とシステム
WO2010103737A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 昭和電工株式会社 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
CN101872825A (zh) * 2010-04-29 2010-10-27 华侨大学 制备低色温高显色性大功率白光led的新方法
WO2011040331A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 住友電気工業株式会社 発光素子
JP2014007142A (ja) * 2012-06-01 2014-01-16 Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Led照明の分光分布設計方法
JP2014195120A (ja) * 2004-11-12 2014-10-09 Philips Lumileds Lightng Co Llc 発光素子への光学要素の結合
JP2016522542A (ja) * 2013-05-03 2016-07-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 適応されたスペクトル出力を有する光源
US9499481B2 (en) 2008-05-26 2016-11-22 Arkema France Method for preparing lactames, comprising a photonitrosation step, followed by a Beckmann transposition step
US9627578B2 (en) 2010-07-06 2017-04-18 Showa Denko K.K. Epitaxial wafer for light-emitting diodes
CN107339617A (zh) * 2017-07-26 2017-11-10 佛山市川东照明科技有限公司 一种led光源组件以及led灯具
CN111540733A (zh) * 2020-05-08 2020-08-14 开发晶照明(厦门)有限公司 发光二极管封装结构

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337536B1 (en) * 1998-07-09 2002-01-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting diode and neutral color light emitting diode
JP2003515956A (ja) * 1999-12-02 2003-05-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Led及び蛍光ledを含み、白色光を生成するハイブリッド照明システム
US6590233B2 (en) 2001-02-23 2003-07-08 Kabushiki Kasiha Toshiba Semiconductor light emitting device
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変led光源モジュール
WO2003019072A1 (fr) * 2001-08-23 2003-03-06 Yukiyasu Okumura Eclairage par del a temperature de couleur reglable
JP2003207770A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルタ及びそれを用いた液晶表示装置
JP2003332631A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 白色発光素子
WO2004004018A1 (ja) * 2002-06-28 2004-01-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 半導体発光素子
JP2014195120A (ja) * 2004-11-12 2014-10-09 Philips Lumileds Lightng Co Llc 発光素子への光学要素の結合
JP4663513B2 (ja) * 2005-01-14 2011-04-06 友達光電股▲ふん▼有限公司 白色発光素子及びその製造方法
JP2011040794A (ja) * 2005-01-14 2011-02-24 Au Optronics Corp 白色発光素子及びその製造方法
JP2006196889A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Au Optronics Corp 白色発光素子及びその製造方法
JP2007258202A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Showa Denko Kk 照明光源
US9499481B2 (en) 2008-05-26 2016-11-22 Arkema France Method for preparing lactames, comprising a photonitrosation step, followed by a Beckmann transposition step
JP2010067961A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Advanced Optoelectronic Technology Inc 高演色性発光ダイオードの製造方法とシステム
WO2010103737A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 昭和電工株式会社 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ
CN102422445A (zh) * 2009-03-10 2012-04-18 昭和电工株式会社 发光二极管用外延晶片
US8482027B2 (en) 2009-03-10 2013-07-09 Showa Denko K.K. Epitaxial wafer for light emitting diode
JP2011077351A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子
KR101244470B1 (ko) 2009-09-30 2013-03-18 스미토모덴키고교가부시키가이샤 발광 소자
US8823027B2 (en) 2009-09-30 2014-09-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting device
WO2011040331A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 住友電気工業株式会社 発光素子
CN101872825A (zh) * 2010-04-29 2010-10-27 华侨大学 制备低色温高显色性大功率白光led的新方法
US9627578B2 (en) 2010-07-06 2017-04-18 Showa Denko K.K. Epitaxial wafer for light-emitting diodes
JP2014007142A (ja) * 2012-06-01 2014-01-16 Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Led照明の分光分布設計方法
JP2016522542A (ja) * 2013-05-03 2016-07-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 適応されたスペクトル出力を有する光源
CN107339617A (zh) * 2017-07-26 2017-11-10 佛山市川东照明科技有限公司 一种led光源组件以及led灯具
CN111540733A (zh) * 2020-05-08 2020-08-14 开发晶照明(厦门)有限公司 发光二极管封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11600605B2 (en) White light emitting devices having high luminous efficiency and improved color rendering that include pass-through violet emissions
JP2000164931A (ja) 白色光源
KR100347126B1 (ko) 백색led 및 중간색led
JP4386693B2 (ja) Ledランプおよびランプユニット
US10334686B2 (en) Light emitting module, a lamp, a luminaire and a method of illuminating an object
US8212466B2 (en) Solid state lighting devices including light mixtures
US6577073B2 (en) Led lamp
US8178888B2 (en) Semiconductor light emitting devices with high color rendering
US20140167601A1 (en) Enhanced Luminous Flux Semiconductor Light Emitting Devices Including Red Phosphors that Exhibit Good Color Rendering Properties and Related Red Phosphors
JP2009538532A (ja) 照明装置
JP2002057376A (ja) Ledランプ
CN103383074A (zh) 具有改善光质的 led 灯
KR20130019027A (ko) 조명 장치 및 조명 방법
JP2007214603A (ja) Ledランプおよびランプユニット
JP2022539889A (ja) フルスペクトル固体白色発光デバイス
JP2023095896A (ja) 照明装置
JP2004128443A (ja) 発光素子及びそれを用いた照明装置
WO2021007123A1 (en) Full spectrum white light emitting devices
JP2001184910A (ja) 発光ダイオードを用いた照明用光源および照明装置
JP4348488B2 (ja) 発光基板led素子
JP2000150960A (ja) 中間色led
WO2019107281A1 (ja) 発光装置および照明装置
KR100545441B1 (ko) 발광기판led소자
US12000585B2 (en) Lighting device
JP2010277952A (ja) 照明用光源

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 11

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees