JP2011077351A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の波長の光を安定して発光できる比較的簡易な構成の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、複合基板３と複合基板３上に設けられており発光層９を有する窒化ガリウム系半導体層５とを備える。複合基板３は基体１９と窒化ガリウム層とを有し、窒化ガリウム系半導体層５は窒化ガリウム層の主面に設けられており、窒化ガリウム層のｃ軸方向と窒化ガリウム層の主面Ｓ１の法線Ｎ１の方向とのなす角度θは５０度以上１３０度以下の範囲内にあり、発光層９は絶対値０．２以上の範囲内にある偏光度の光を発し、基体１９は発光層９から発せられる光によって発光する蛍光材料を含む。この構成によって発光層９から発せられる青色光と、発光層９から発せられる青色光が基体１９に入射することによって発光される黄色光とが合成された白色光を発光できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子に関する。

近年、複数の波長（色）の光を発光する発光素子が開発されている。特許文献１の窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ基板上にＧａＮ半導体層が形成され、ＧａＮ半導体層は、それぞれ異なった波長の光を発光する第１及び第２の量子井戸層を有する。第１の活性層からの光の色と第２の活性層からの光の色との混色が観測される。特許文献２の発光装置は、支持基板に青色発光ダイオードチップおよび黄色発光ダイオードを搭載し、二つの発光ダイオードからの発光により白色光が得られる。特許文献３の発光素子は、紫外線を吸収してより長波長の光を発するＩＩＩ族窒化物半導体基板と、このＩＩＩ族窒化物半導体基板上に設けられており紫外線を含む光を発光する活性層とを有する。特許文献４の白色発光素子は、青色光を発するＩｎＧａＮ−ＬＥＤと、青色光によって黄色光を発するＺｎＳＳｅ蛍光板とを備える。特許文献５には、複合基板に含まれる蛍光体を用いて入射光と異なる波長の光を発する波長変換部材が開示されている。また、複合基板についての技術は特許文献６，７に開示され、ＩｎＧａＮ井戸層から発せられる光の偏光については非特許文献１に記載されている。

特開２００８−１５９６０６号公報 特開２００８−２１８６４５号公報 特開２００８−２３５８０４号公報 特開２００４−２５３５９２号公報 特開２００７−１５０３３１号公報 特表２００５−５３７６７９号公報 特開２００８−０１０７６６号公報

Dmitry S.Sizov, Rajaram Bhat, Jerome Napierala, Chad Gallinat,Kechang Song, and Chung-en Zah, "500-nm Optical Gain Anisotropy of Semipolar(11-22) InGaN Quantum Wells", Applied Physics Express 2 (2009) 071001.

以上のように、複数の波長（色）の光を発光する発光素子についての開発が行われているが、偏光性、発光効率が不十分であったり構造が複雑である等のために、比較的簡易な構成でありつつも偏光性や発光効率の向上された発光素子の開発が望まれている。そこで、本発明は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、複数の波長の光を安定して発光できる発光素子の提供を目的としている。

本発明に係る発光素子は、基板と前記基板上に設けられておりインジウムを含有する発光層を有する六方晶系窒化ガリウム系半導体層とを備えた発光素子であって、前記基板は、基体と前記基体上に設けられており前記基体よりも厚みの小さい窒化ガリウム層とを有し、前記六方晶系窒化ガリウム系半導体層は、前記窒化ガリウム層の主面に設けられており、前記窒化ガリウム層のｃ軸方向と前記窒化ガリウム層の主面の法線方向とのなす角度は、５０度以上１３０度以下の範囲内にあり、前記発光層は、絶対値０．２以上の範囲内にある偏光度の光を発し、前記基体は、前記発光層から発せられる光によって発光する蛍光材料を含む、ことを特徴とする。

本発明によれば、発光層から発せられる光と、発光層から発せられる光が基体に入射することによって発光される光とが合成された光を発光できる。窒化ガリウム層のｃ軸方向と窒化ガリウム層の主面の法線方向とのなす角度が５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、発光層のインジウムの含有量が比較的多くなり、よって、高輝度な発光が可能となる。窒化ガリウム層のｃ軸方向と窒化ガリウム層の主面の法線方向とのなす角度が５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、ピエゾ電界が比較的小さく、よって、駆動電流の電流値の変化によって生じる発光層の発光波長の変化幅が比較的小さい。偏光度が絶対値０．２以上の範囲内にあるので、偏光度が比較的高い。

本発明の発光素子では、前記基体は、前記蛍光材料を含む蛍光体層と、前記蛍光体層の主面に設けられた支持層とを有し、前記窒化ガリウム層は、前記支持層の主面に設けられている。よって、窒化ガリウム層との張り合わせが良好な材料の支持層を選択することが可能となる。

本発明の発光素子では、前記蛍光体層の裏面に設けられており前記蛍光体層から出射される光を反射するための反射層を更に備える。よって、蛍光体層内に入射した光の利用効率を向上できる。

本発明の発光素子では、前記窒化ガリウム層の厚みは１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の範囲内にあり、基板の高品質化と低コスト化を両立することができる。

本発明の発光素子では、前記発光層は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光を発するので、青色光を発光する。

本発明の発光素子では、前記蛍光材料は、５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光を発光する成分を含有するので、黄色光を発光する。従って、発光層からの青色光と基体の蛍光材料による黄色光とを合成することにより白色光が得られる。

本発明の発光素子では、前記蛍光材料は、Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうち少なくとも一元素以上の不純物を含む多結晶ＺｎＳ_ｘＳｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）を含有する。ＺｎＳ_ｘＳｅ_１−ｘは青色光を吸収して黄色光を発光することができる。

本発明によれば、複数の波長の光を安定して発光できる発光素子を提供できる。

実施形態に係る発光素子の構成を示す図である。 実施形態に係る他の発光素子の構成を示す図である。 実施形態に係る他の発光素子の製造方法を説明するための図である。 実施形態に係る偏光度の駆動電流値依存を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１に、実施形態に係る発光素子１の構成を示す。発光素子１は、複合基板３、窒化ガリウム系半導体層５、ｐ電極１３、パッド電極１５及びｎ電極１７を備える。複合基板３は、基体１９及びＧａＮ層２１を有している。基体１９は、後述する発光層９から発せられる光によって発光する蛍光材料を含む。この蛍光材料は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光（青色光）を受けると、５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光（黄色光）を発光する成分を含有する。

基体１９上にＧａＮ層２１が設けられており、基体１９とＧａＮ層２１とは接している。ＧａＮ層２１の厚み（以下、厚みとは、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１の法線Ｎ１の方向の幅を意味する。）は、基体１９の厚みよりも小さい。

窒化ガリウム系半導体層５は、ｎ型窒化物半導体層７、発光層９及びｐ型窒化物半導体層１１を有している。ｎ型窒化物半導体層７、発光層９及びｐ型窒化物半導体層１１は、何れも、六方晶系窒化ガリウム系半導体からなる。窒化ガリウム系半導体層５は、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１に設けられており、ＧａＮ層２１に接している。窒化ガリウム系半導体層５は、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１からエピタキシャル成長によって形成されたものである。

ｎ型窒化物半導体層７は、ＧａＮ層２３及び緩衝層２５を含み、ＧａＮ層２３は、第１の領域２３ａ及び第２の領域２３ｂからなる。第１の領域２３ａ及び第２の領域２３ｂは、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１に設けられており、この主面Ｓ１上に並列に配置されている。第１の領域２３ａ及び第２の領域２３ｂは、何れも、ＧａＮ層２１に接している。緩衝層２５は、第１の領域２３ａ上に設けられており、第１の領域２３ａに接している。更に、第１の領域２３ａ、緩衝層２５、発光層９及びｐ型窒化物半導体層１１は、この順にＧａＮ層２１の主面Ｓ１上に積層されている。ｎ電極１７は、第２の領域２３ｂ上に設けられており、第２の領域２３ｂにオーミック接触している。第１の領域２３ａの厚みは、第２の領域２３ｂの厚みよりも大きい。

発光層９は、複数のバリア層２７と複数の井戸層２９とを有し、バリア層２７及び井戸層２９が交互に積層された多重量子井戸構造を有する。発光層９は、緩衝層２５上に設けられており、緩衝層２５に接している。バリア層２７と井戸層２９とは、法線Ｎ１に直交する方向に沿って交互に積層されている。発光層９は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光（青色光）を発する。

ｐ型窒化物半導体層１１は、電子ブロック層３１及びコンタクト層３３を有する。電子ブロック層３１は、発光層９上に設けられており、発光層９に接している。コンタクト層３３は電子ブロック層３１上に設けられており、電子ブロック層３１に接している。

ｐ電極１３は、コンタクト層３３上に設けられており、コンタクト層３３にオーミック接触している。パッド電極１５は、コンタクト層３３上及びｐ電極１３上に設けられており、ｐ電極１３の開口を介してコンタクト層３３に接触しており、密着性が良好なものになっている。

更に、発光素子１の構成をより詳細に説明する。基体１９は、Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうち少なくとも一元素以上の不純物を含む多結晶ＺｎＳｅからなるが、Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうち少なくとも一元素以上の不純物を含む多結晶ＺｎＳ_ｘＳｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）を含有するものであればよい。ＧａＮ層２１は、ｎ型ドープされたＧａＮからなる。ＧａＮ層２１は、２００ｎｍ程度の厚みを有しているが、１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の範囲内にある厚みを有していればよい。ＧａＮ層２１の転移密度は１×１０^７ｃｍ^−２以下である。ＧａＮ層２１の法線Ｎ１の方向とＧａＮ層２１のｃ軸方向との成す角θは、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１がＧａＮ結晶のｍ面となる値であるが、５０度以上１３０度以下の範囲内にあればよい。

ＧａＮ層２３は、ｎ型ドープされたＧａＮからなり、第１の領域２３ａは２μｍ程度の厚みを有する。緩衝層２５は、ｎ型ドープされたＩｎＧａＮからなり、１００ｎｍ程度の厚みを有する。緩衝層２５のＩｎ組成比は０．０２であり、Ｇａ組成比は０．９８である。

バリア層２７は、ＧａＮからなり、１５ｎｍ程度の厚みを有する。井戸層２９は、ＩｎＧａＮからなり、３ｎｍ程度の厚みを有する。井戸層２９のＩｎ組成比は０．１７であり、Ｇａ組成比は０．８３である。角度θが５０度以上１３０度以下の範囲内にあることにより、井戸層２９におけるＩｎ組成比が比較的大きく、よって、発光層９は、高輝度な青色光を発光できる。更に、角度θが５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、発光層９内のピエゾ電界が比較的小さく、よって、駆動電流の電流値の変化によって生じる発光層９の発光波長の変化幅が比較的小さい。

また、角度θが５０度以上１３０度以下の範囲内にあることにより、発光層９は絶対値０．２以上の範囲内にある偏光度の青色光を発する。

電子ブロック層３１は、ｐ型ドープされたＡｌＧａＮからなり、２０ｎｍ程度の厚みを有する。電子ブロック層３１のＡｌ組成比は０．１８であり、Ｇａ組成比は０．８２である。コンタクト層３３は、ｐ型ドープされたＧａＮからなり、５０ｎｍ程度の厚みを有する。ｐ電極１３は、Ｎｉ／Ａｕからなり、パッド電極１５は、Ｔｉ／Ａｕからなり、ｎ電極１７は、Ｔｉ／Ａｌからなる。

次いで、発光素子１の製造方法（実施例）について説明する。まず、ＧａＮ層２１の裏面（主面Ｓ１の反対側の面）の平均表面粗さＲａを１ｎｍ以下とした。そして、このＧａＮ層２１の裏面に基体１９を加熱しながら圧着することによって基体１９とＧａＮ層２１とを張り合わせ、複合基板３を得た。ＧａＮ層２１の裏面の平均表面粗さＲａを１ｎｍ以下としたことによって、基体１９とＧａＮ層２１とを十分に強固に張り合わせることができた。

次に、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１に窒化ガリウム系半導体層５を形成した。まず、ｎ型ドープされたＧａＮ層（ＧａＮ層２３に対応）を、摂氏８４０度のもとで、厚みが２μｍ程度となるまで、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１においてエピタキシャル成長させた。次に、ｎ型ドープされたＩｎＧａＮ層（緩衝層２５に対応し、Ｉｎ組成比は０．０２であり、Ｇａ組成比は０．９８である。）を、摂氏８４０度のもとで、厚みが１００ｎｍ程度となるまで、上記２μｍ程度の厚みのＧａＮ層の表面においてエピタキシャル成長させた後に、ＧａＮからなる複数のバリア層（バリア層２７に対応）と、ＩｎＧａＮ（Ｉｎ組成比は０．１７であり、Ｇａ組成比は０．８３）からなる複数の井戸層（井戸層２９に対応）とを含む多重量子井戸構造の発光層（発光層９に対応）を、上記１００ｎｍ程度の厚みのＩｎＧａＮ層の表面上においてエピタキシャル成長させた。複数のバリア層のそれぞれを、厚みが１５ｎｍ程度となるまで、摂氏８４０度のもとで成長し、また、複数の井戸層のそれぞれを、厚みが３ｎｍ程度となるまで、摂氏７８０度のもとで成長した。

次に、ｐ型ドープされたＡｌＧａＮ層（電子ブロック層３１に対応し、Ａｌ組成は０．１８であり、Ｇａ組成は０．８２である。）を、摂氏８４０度のもとで、厚みが２０ｎｍ程度となるまで、上記発光層の表面において成長させた後に、ｐ型ドープされたＧａＮ層（コンタクト層３３に対応）を、摂氏８４０度のもとで、厚みが５０ｎｍ程度となるまで、上記ＡｌＧａＮ層の表面において成長させた。次に、上記の５０ｎｍ程度の厚みのｐ型のＧａＮ層、２０ｎｍ程度の厚みのｐ型のＡｌＧａＮ層、発光層、１００ｎｍ程度の厚みのｎ型のＩｎＧａＮ層及び２μｍ程度の厚みのｎ型のＧａＮ層をドライエッチングし、コンタクト層３３、電子ブロック層３１、発光層９、緩衝層２５及びＧａＮ層２３（第１の領域２３ａ及び第２の領域２３ｂ）を形成した。以上のようにして、ＧａＮ層２１の主面Ｓ１に窒化ガリウム系半導体層５をエピタキシャル成長によって形成した。

次に、ｐ電極１３をコンタクト層３３の表面に真空蒸着によって形成した後に、パッド電極１５をコンタクト層３３の表面及びｐ電極１３の表面に真空蒸着によって形成し、ｎ電極１７を第２の領域２３ｂの表面に真空蒸着によって形成した。

以上の製造方法によって製造した発光素子１に通電した結果、発光層９が４７０ｎｍのピーク波長の光（青色光）を発し、基体１９が発光層９からの青色光を受けて励起されて黄色光を発光したことによって、この青色光と黄色光とが合成された白色光が観測された。発光層９から発せられた青色光の偏光度は０．８４であった。

以上説明した発光素子１は、発光層９から発せられる青色光と、発光層９から発せられる青色光が基体１９に入射することによって発光される黄色光とが合成された白色光を発光できる。角度θが５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、発光層９のインジウムの含有量が比較的多くなり、よって、高輝度な発光が可能となる。角度θが５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、ピエゾ電界が比較的小さく、よって、駆動電流の電流値の変化によって生じる発光層９の発光波長の変化幅が比較的小さい。偏光度が絶対値０．２以上の範囲内にあるので、偏光度が比較的高い。

図２に、変形例に係る発光素子１ａの構成を示す。発光素子１ａは、発光素子１の複合基板３に替えて複合基板３ａと、反射層３５ａとを備える。複合基板３ａ及び反射層３５ａを除いて、発光素子１ａは発光素子１と同様の構成を有する。複合基板３ａは、基体１９ａ及びＧａＮ層２１ａを有する。基体１９ａは、蛍光体層３７ａ及び支持層３９ａを含む。反射層３５ａ、蛍光体層３７ａ、支持層３９ａ及びＧａＮ層２１ａは、この順に積層されている。反射層３５ａは、蛍光体層３７ａの裏面Ｓ２に設けられており、蛍光体層３７ａに接している。支持層３９ａは、蛍光体層３７ａの主面Ｓ３に設けられており、蛍光体層３７ａに接している。ＧａＮ層２１ａは、支持層３９ａの主面Ｓ４に設けられており、支持層３９ａに接している。

反射層３５ａは、蛍光体層３７ａから出射される光を反射するためのものであり、反射率の高い金属（例えばＡｇ）からなる。蛍光体層３７ａが、発光層９から発光され蛍光体層３７ａ内に入射する青色光のほぼ全てを吸収可能な厚みを有する場合、蛍光体層３７ａと反射層３５ａとの界面の平坦性に制限を設ける必要はないが、蛍光体層３７ａが、当該厚みよりも十分小さな厚みを有する場合、蛍光体層３７ａと反射層３５ａとの界面において生じ得る青色光の乱反射を低減するために（すなわち、青色光の偏光度の低下を抑制するために）、蛍光体層３７ａと反射層３５ａとの界面の平坦性を上げて、反射層３５ａをミラーとするのが好ましい。

蛍光体層３７ａは、基体１９と同様に、Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうち少なくとも一元素以上の不純物を含む多結晶ＺｎＳｅからなるが、Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうち少なくとも一元素以上の不純物を含む多結晶ＺｎＳ_ｘＳｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）を含有するものであればよい。支持層３９ａは、発光層９から発せられる青色光を十分に透過できるものであり、ＧａＮ層との張り合わせが良好に行える例えば単結晶サファイアからなる。

ＧａＮ層２１ａは、ｎ型ドープされたＧａＮからなる。ＧａＮ層２１ａは、２００ｎｍ程度の厚みを有するが、１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の範囲内にある厚みを有していればよい。ＧａＮ層２１ａの転移密度は１×１０^７ｃｍ^−２以下である。ＧａＮ層２１ａの主面Ｓ１ａの法線Ｎ１ａの方向と、ＧａＮ層２１ａのＧａＮ結晶のｃ軸方向との成す角度θａは、１０５度であり、主面Ｓ１ａがＧａＮ結晶の（２０−２−１）面となる値であるが、５０度以上１３０度以下の範囲内にあればよい。

次いで、発光素子１ａの製造方法（他の実施例）について説明する。まず、図３（Ａ）に示すように、蛍光体層３７ａの主面Ｓ３に支持層３９ａを加熱しながら圧着することによって蛍光体層３７ａと支持層３９ａとを張り合わせ、この後、支持層３９ａの主面Ｓ４にＧａＮ層４１を加熱しながら圧着することによって支持層３９ａとＧａＮ層４１とを張り合わせた。ここで、ＧａＮ層４１の一の面の平均表面粗さＲａを予め１ｎｍとしておき、この面と支持層３９ａの主面Ｓ４とを合わせて支持層３９ａとＧａＮ層４１とを加熱しながら圧着した。このように平均表面粗さＲａを１ｎｍ以下としたことによって、支持層３９ａとＧａＮ層４１とを十分に強固に張り合わせることができた。

次に、図３（Ｂ）に示すように、切断面Ｌに沿ってＧａＮ層４１をワイヤーソーを用いて切断し、図３（Ｃ）に示すように、ＧａＮ層４１からＧａＮ層２１ａを形成した。切断面Ｌは、主面Ｓ３（又は主面Ｓ４）に平行な面である。以上のようにして、蛍光体層３７ａ、支持層３９ａ及びＧａＮ層２１ａを有する複合基板３ａを形成した。

次に、発光素子１と同様の方法によって、ＧａＮ層２１ａの主面Ｓ１ａに窒化ガリウム系半導体層５をエピタキシャル成長によって形成し、更に、ｐ電極１３、パッド電極１５及び１７を真空蒸着によって形成した。そして、蛍光体層３７ａの裏面Ｓ２に反射層３５ａを真空蒸着によって形成した。

以上の製造方法によって製造した発光素子１ａに通電した結果、発光層９が４７０ｎｍのピーク波長の光（青色光）を発し、蛍光体層３７ａが発光層９からの青色光を受けて励起されて黄色光を発光したことによって、この青色光と黄色光とが合成された白色光が観測された。図４に、発光素子１ａから発せられた青色光の偏光度の駆動電流値依存性の実測結果を示す。発光素子１ａから発せられた青色光の偏光度の絶対値は、０．６３（２ｍＡの電流値）以上０．６５（５００ｍＡの電流値）以下の範囲内にあり、比較的小さかった。従って、発光素子１ａは、幅広い駆動電流で利用可能であることがわかる。

以上説明した発光素子１ａは、発光層９から発せられる青色光と、発光層９から発せられる青色光が蛍光体層３７ａに入射することによって発光される黄色光とが合成された白色光を発光できる。角度θａが５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、発光層９のインジウムの含有量が比較的多くなり、よって、高輝度な発光が可能となる。角度θａが５０度以上１３０度以下の範囲内にあるので、ピエゾ電界が比較的小さく、よって、駆動電流の電流値の変化によって生じる発光層９の発光波長の変化幅が比較的小さい。偏光度が絶対値０．２以上の範囲内にあるので、偏光度が比較的高い。

１，１ａ…発光素子、１１…ｐ型窒化物半導体層、１３…ｐ電極、１５…パッド電極、１７…ｎ電極、１９，１９ａ…基体、２１，２１ａ，２３，４１…ＧａＮ層、２３ａ…第１の領域、２３ｂ…第２の領域、２５…緩衝層、２７…バリア層、２９…井戸層、３…複合基板、３１…電子ブロック層、３３…コンタクト層、３５ａ…反射層、３７ａ…蛍光体層、３９ａ…支持層、３ａ…複合基板、５…窒化ガリウム系半導体層、７…ｎ型窒化物半導体層、９…発光層。

Claims (7)

1. 基板と前記基板上に設けられておりインジウムを含有する発光層を有する六方晶系窒化ガリウム系半導体層とを備えた発光素子であって、
   前記基板は、基体と前記基体上に設けられており前記基体よりも厚みの小さい窒化ガリウム層とを有し、
   前記六方晶系窒化ガリウム系半導体層は、前記窒化ガリウム層の主面に設けられており、
   前記窒化ガリウム層のｃ軸方向と前記窒化ガリウム層の主面の法線方向とのなす角度は、５０度以上１３０度以下の範囲内にあり、
   前記発光層は、絶対値０．２以上の範囲内にある偏光度の光を発し、
   前記基体は、前記発光層から発せられる光によって発光する蛍光材料を含む、
   ことを特徴とする発光素子。
2. 前記基体は、前記蛍光材料を含む蛍光体層と、前記蛍光体層の主面に設けられた支持層とを有し、
   前記窒化ガリウム層は、前記支持層の主面に設けられている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 前記蛍光体層の裏面に設けられており前記蛍光体層から出射される光を反射するための反射層を更に備える、ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
4. 前記窒化ガリウム層の厚みは１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の発光素子。
5. 前記発光層は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光を発する、ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の発光素子。
6. 前記蛍光材料は、５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲内にあるピーク波長の光を発光する成分を含有する、ことを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
7. 前記蛍光材料は、Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉのうち少なくとも一元素以上の不純物を含む多結晶ＺｎＳ_ｘＳｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）を含有する、ことを特徴とする請求項６に記載の発光素子。

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