JP2008218645A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008218645A JP2008218645A JP2007052835A JP2007052835A JP2008218645A JP 2008218645 A JP2008218645 A JP 2008218645A JP 2007052835 A JP2007052835 A JP 2007052835A JP 2007052835 A JP2007052835 A JP 2007052835A JP 2008218645 A JP2008218645 A JP 2008218645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting diode
- plane
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 51
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 43
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 13
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- KADIEFRANBIGHU-UHFFFAOYSA-N CC[Mg]C1C=CC=C1 Chemical compound CC[Mg]C1C=CC=C1 KADIEFRANBIGHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】2種類以上の波長ピークを持つ偏光光を取り出すことができる発光装置、つまり、たとえば、偏光した白色光を取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、支持基板10に青色発光ダイオードチップ71Bおよび黄色発光ダイオードチップ71Yを搭載して構成されている。発光ダイオードチップ71B,71Yは、m面を結晶成長の主面としたIII族窒化物半導体からなる発光ダイオード構造を有している。そのため、これらの発光ダイオードチップ71B,71Yから発生する光は、a軸方向に強い偏光成分を有している。青色および黄色発光ダイオードチップ71B,71Yは、それらの偏光成分強度の強い方位、すなわち、a軸方向が平行で、かつc軸方向も平行になるように、支持基板10にアライメントされて搭載されている。発光ダイオードチップ71の光取り出し方向は、支持基板10の主面に垂直な方向である。
【選択図】図1
【解決手段】この発光装置は、支持基板10に青色発光ダイオードチップ71Bおよび黄色発光ダイオードチップ71Yを搭載して構成されている。発光ダイオードチップ71B,71Yは、m面を結晶成長の主面としたIII族窒化物半導体からなる発光ダイオード構造を有している。そのため、これらの発光ダイオードチップ71B,71Yから発生する光は、a軸方向に強い偏光成分を有している。青色および黄色発光ダイオードチップ71B,71Yは、それらの偏光成分強度の強い方位、すなわち、a軸方向が平行で、かつc軸方向も平行になるように、支持基板10にアライメントされて搭載されている。発光ダイオードチップ71の光取り出し方向は、支持基板10の主面に垂直な方向である。
【選択図】図1
Description
この発明は、窒化物半導体で構成した発光ダイオードを備える発光装置に関する。
III-V族半導体においてV族元素として窒素を用いた半導体は「III族窒化物半導体」と呼ばれ、その代表例は、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)である。一般には、AlxInyGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)と表わすことができる。
c面を主面とする窒化ガリウム(GaN)基板上にIII族窒化物半導体を有機金属化学気相成長法(MOCVD法)によって成長させる窒化物半導体の製造方法が知られている。この方法を適用することにより、n型層およびp型層を有するGaN半導体積層構造を形成することができ、この積層構造を利用した発光デバイスを作製できる。このような発光デバイスは、たとえば、液晶パネル用バックライトの光源として利用可能である。
c面を主面とする窒化ガリウム(GaN)基板上にIII族窒化物半導体を有機金属化学気相成長法(MOCVD法)によって成長させる窒化物半導体の製造方法が知られている。この方法を適用することにより、n型層およびp型層を有するGaN半導体積層構造を形成することができ、この積層構造を利用した発光デバイスを作製できる。このような発光デバイスは、たとえば、液晶パネル用バックライトの光源として利用可能である。
c面を主面とするGaN基板上に再成長されたGaN半導体の主面はc面である。このc面から取り出される光は、ランダム偏光(無偏光)状態となっている。そのため、液晶パネルに入射する際に、入射側偏光板に対応した特定偏光以外は遮蔽され、出射側への輝度に寄与しない。そのため、高輝度な表示を実現し難い(効率は最大でも50%)という問題がある。
この問題を解決するために、c面以外、すなわち、a面、m面等の非極性(ノンポーラ)面、または半極性(セミポーラ)面を主面とするGaN半導体を成長させて、発光デバイスを作製することが検討されている。非極性面または半極性面を主面とするGaN半導体層によってp型層およびn型層を有する発光デバイスを作製すると、強い偏光状態の発光が可能である。そこで、このような発光デバイスの偏光の方向と、液晶パネルの入射側偏光板の通過偏光の方向とを一致させておくことにより、入射側偏光板での損失を少なくすることができる。その結果、高輝度な表示を実現できる。
T. Takeuchi et al., Jap. J. Appl. Phys. 39, 413-416, 2000
T. Takeuchi et al., Jap. J. Appl. Phys. 39, 413-416, 2000
たとえば、白色発光を実現しようとすると、従来からの白色LED(発光ダイオード)の場合と同様に、蛍光体と組み合わせることになる。すなわち、発光デバイスから発した偏光光を蛍光体に入射させ、この蛍光体から放出される光を外部に取り出すことによって、白色発光を実現できる。
ところが、蛍光体から放出される光は、散乱光であり、偏光方向がランダムな無偏光光である。したがって、液晶パネルのバックライト用光源として適用するとすれば、偏光板での大きな損失が避けられず、高輝度な表示を実現できない。また、蛍光体から放出される光の大部分が偏光板で減衰するから、液晶セル内に進入する光が白色光とならない。
ところが、蛍光体から放出される光は、散乱光であり、偏光方向がランダムな無偏光光である。したがって、液晶パネルのバックライト用光源として適用するとすれば、偏光板での大きな損失が避けられず、高輝度な表示を実現できない。また、蛍光体から放出される光の大部分が偏光板で減衰するから、液晶セル内に進入する光が白色光とならない。
そこで、この発明の目的は、2種類以上の波長ピークを持つ偏光光を取り出すことができる発光装置、つまり、たとえば、偏光した白色光を取り出すことができる発光装置を提供することである。
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、非極性面または半極性面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体で構成されたp型層、発光層およびn型層を有する発光ダイオードを複数個備え、この複数個の発光ダイオードの発光波長が互いに異なり、当該複数個の発光ダイオードが、偏光成分強度の強い方位が揃うようにアライメントしてある、発光装置である。
この構成によれば、III族窒化物半導体を用いた複数の発光ダイオードの発光波長が異なり、これらの発光ダイオードが各偏光成分の強度の強い方位が揃うようにアライメントしてある。これにより、複数個の発光ダイオードに同時に通電して発光させると、見かけ上、複数の発光ダイオードの発光色の混色光が観測されることになる。この混色光は2種類以上の波長ピークを持つ偏光光となる。むろん、複数個の発光ダイオードを同時に発光させる必要はなく、それらのうちの一つまたは複数個を発光させることもできる。これにより、複数色の偏光光を発生させることができる。
前記発光層は、AlxInyGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなるものであることが好ましい。
請求項2に記載されているように、前記複数の発光ダイオードは、個別のチップからなるものであってもよい。これにより、個々の発光波長のチップを個別に製造できるので、製造工程が簡単になる。
請求項2に記載されているように、前記複数の発光ダイオードは、個別のチップからなるものであってもよい。これにより、個々の発光波長のチップを個別に製造できるので、製造工程が簡単になる。
請求項3記載の発明は、前記複数の発光ダイオードは、発光波長が430nm〜480nmの青色発光ダイオード、および発光波長が550nm〜600nmの黄色発光ダイオードを含む、請求項1または2記載の発光装置である。この構成によれば、青色発光ダイオードおよび黄色発光ダイオードを同時に発光させることによって、見かけ上、白色発光の偏光光を発生させることができる。
請求項4記載の発明は、前記複数の発光ダイオードは、発光波長が430nm〜480nmの青色発光ダイオード、発光波長が500nm〜550nmの緑色発光ダイオード、および発光波長が600nm〜700nmの赤色発光ダイオードを含む、請求項1または2記載の発光装置である。この構成によれば、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオードおよび赤色発光ダイオードを同時に発光させることによって、見かけ上、白色発光の偏光光を発生させることができる。また、青色、緑色および赤色の各発光ダイオードの発光輝度を複数階調に制御することによって、見かけ上、任意の色(フルカラー)の偏光光を発生させることができる。
各発光ダイオードは、c面以外(すなわち、非極性面または半極性面)の積層主面を有するIII族窒化物半導体積層構造を備えたものであることが好ましい。これにより、偏光を発生させることができる。非極性面の例は、m面(10-10)およびa面(11-20)である。半極性面の例としては、(10-1-1)面、(10-1-3)面、(11-22)面を挙げることができる。
前記III族窒化物半導体積層構造は、c面以外の主面を有する基板の表面に成長させられたものであってもよい。前記基板としては、サファイア基板(たとえば、r面を主面とするもの)、LiAl2O3基板、炭化シリコン基板(たとえばm面を主面とするもの)、窒化ガリウム基板(たとえば、a面またはm面を主面とするもの)などを用いることができる。r面サファイア基板上にはa面III族窒化物半導体層を形成でき、LiAl2O3基板上にはm面III族窒化物半導体層を形成でき、m面炭化シリコン基板上にはm面III族窒化物半導体層を形成でき、a面窒化ガリウム基板上にはa面III族窒化物半導体層を形成でき、m面窒化ガリウム基板上にはm面III族窒化物半導体層を形成できる。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る発光装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。この発光装置は、支持基板10に青色発光ダイオードチップ71Bおよび黄色発光ダイオードチップ71Y(以下、これらを総称するときには「発光ダイオードチップ71」という。)を搭載して構成されている。青色発光ダイオードチップ71Bおよび黄色発光ダイオードチップ71Yは、後述するとおり、m面を結晶成長の主面としたIII族窒化物半導体からなる発光ダイオード構造を有している。そのため、これらの発光ダイオードチップ71から発生する光は、a軸方向に強い偏光成分を有している。青色および黄色発光ダイオードチップ71B,71Yは、それらの偏光成分強度の強い方位、すなわち、a軸方向が平行で、かつc軸方向も平行になるように、支持基板10にアライメントされて搭載されている。発光ダイオードチップ71B,71Yの光取り出し方向は、互いに平行であり、この実施形態では、支持基板10の主面に垂直な方向である。
図1は、この発明の一実施形態に係る発光装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。この発光装置は、支持基板10に青色発光ダイオードチップ71Bおよび黄色発光ダイオードチップ71Y(以下、これらを総称するときには「発光ダイオードチップ71」という。)を搭載して構成されている。青色発光ダイオードチップ71Bおよび黄色発光ダイオードチップ71Yは、後述するとおり、m面を結晶成長の主面としたIII族窒化物半導体からなる発光ダイオード構造を有している。そのため、これらの発光ダイオードチップ71から発生する光は、a軸方向に強い偏光成分を有している。青色および黄色発光ダイオードチップ71B,71Yは、それらの偏光成分強度の強い方位、すなわち、a軸方向が平行で、かつc軸方向も平行になるように、支持基板10にアライメントされて搭載されている。発光ダイオードチップ71B,71Yの光取り出し方向は、互いに平行であり、この実施形態では、支持基板10の主面に垂直な方向である。
このような構成により、青色および黄色発光ダイオードチップ71B,71Yの両方に通電して、これらを同時に発光させると、それらから生じる青色光および黄色光が見かけ上混合され、それらの混色光である白色光が観測される。こうして、青色領域(430nm〜480nm)に一つの波長ピークを持ち、黄色領域(550nm〜600nm)に別の波長ピークを持つ偏光光を発生することができる。したがって、この白色偏光光を液晶パネルのバックライト光源として用い、偏光板の偏光方向と発光ダイオードチップ71の偏光方向(a軸方向)とを平行としておけば、液晶セル内に青色光および黄色光の混色光(白色光)を効率良く進入させることができ、偏光板での減衰を抑制できる。むろん、青色発光ダイオードチップ71Bのみに通電して青色光のみを発生させたり、黄色発光ダイオードチップ71Yのみに通電して黄色光のみを発生させたりすることもできる。
図2は、この発明の他の実施形態に係る発光装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。この発光装置は、支持基板10に赤色発光ダイオードチップ71R、緑色発光ダイオードチップ71Gおよび青色発光ダイオードチップ71B(以下、これらを総称するときには「発光ダイオードチップ71」という。)を搭載して構成されている。赤色発光ダイオードチップ71R、緑色発光ダイオードチップ71Gおよび青色発光ダイオードチップ71Bは、後述するとおり、m面を結晶成長の主面としたIII族窒化物半導体からなる発光ダイオード構造を有している。そのため、これらの発光ダイオードチップ71から発生する光は、a軸方向に強い偏光成分を有している。赤色、緑色および青色発光ダイオードチップ71R,71G,71Bは、それらの偏光成分強度の強い方位、すなわち、a軸方向が平行で、かつc軸方向も平行になるように、支持基板10にアライメントされて搭載されている。発光ダイオードチップ71R,71G,71Bの光取り出し方向は、互いに平行であり、この実施形態では、支持基板10の主面に垂直な方向である。
このような構成により、赤色発光ダイオードチップ71R、緑色発光ダイオードチップ71Gおよび青色発光ダイオードチップ71Bのすべてに通電して、これらを同時に発光させると、それらから生じる赤色光、緑色光および青色光が見かけ上混合され、それらの混色光である白色光が観測される。こうして、赤色領域(600nm〜700nm)に第1のピークを持ち、緑色領域(500nm〜550nm)に第2のピークを持ち、青色領域(430nm〜480nm)に第3の波長ピークを持つ偏光光を発生することができる。
したがって、この白色偏光光を液晶パネルのバックライト光源として用い、偏光板の偏光方向と発光ダイオードチップ71の偏光方向(a軸方向)とを平行としておけば、液晶セル内に赤色光、緑色光および青色光の混色光(白色光)を効率良く進入させることができ、偏光板での減衰を抑制できる。
むろん、赤色発光ダイオードチップ71Rのみに通電して赤色光のみを発生させたり、緑色発光ダイオードチップ71Gのみに通電して緑色光のみを発生させたり、青色発光ダイオードチップ71Bのみに通電して青色光のみを発生させたりすることもできる。さらに、赤色発光ダイオードチップ71Rおよび緑色発光ダイオードチップ71Gの2つにのみ通電して赤色光および緑色光の混色光(黄色光)を発生させたり、緑色発光ダイオードチップ71Gおよび青色発光ダイオードチップ71Bの2つにのみ通電して緑色光および青色光の混色光(水色(シアン)光)を発生させたり、青色発光ダイオードチップ71Bおよび赤色発光ダイオードチップ71Rの2つにのみ通電して青色光および赤色光の混色光(紫色(マゼンタ)光)を発生させたりすることもできる。
むろん、赤色発光ダイオードチップ71Rのみに通電して赤色光のみを発生させたり、緑色発光ダイオードチップ71Gのみに通電して緑色光のみを発生させたり、青色発光ダイオードチップ71Bのみに通電して青色光のみを発生させたりすることもできる。さらに、赤色発光ダイオードチップ71Rおよび緑色発光ダイオードチップ71Gの2つにのみ通電して赤色光および緑色光の混色光(黄色光)を発生させたり、緑色発光ダイオードチップ71Gおよび青色発光ダイオードチップ71Bの2つにのみ通電して緑色光および青色光の混色光(水色(シアン)光)を発生させたり、青色発光ダイオードチップ71Bおよび赤色発光ダイオードチップ71Rの2つにのみ通電して青色光および赤色光の混色光(紫色(マゼンタ)光)を発生させたりすることもできる。
さらには、赤色、緑色および青色発光ダイオードチップ71R,71G,71Bの各発光強度を複数階調に制御すれば、任意の色の光を発生させることができ、フルカラーの発光装置を構成することができる。たとえば、このような発光装置を複数個二次元配列(たとえば、マトリクス配列)して、個々の発光装置に含まれる発光ダイオードチップ71R,71G,71Bの発光強度の階調制御を行えば、フルカラーの二次元表示装置を構成することができる。
図3は、前記発光ダイオードチップ71の構造例を説明するための図解的な断面図である。この発光ダイオードチップ71(窒化物半導体発光素子)は、GaN(窒化ガリウム)基板1上にIII族窒化物半導体積層構造(発光ダイオード構造)を形成するIII族窒化物半導体層2を成長させて構成されている。
III族窒化物半導体層2は、GaN基板1側から順に、n型コンタクト層21、活性層(発光層)としての多重量子井戸(MQW:Multiple-Quantum Well)層22、GaNファイナルバリア層25、p型電子阻止層23およびp型コンタクト層24を積層した積層構造を有している。p型コンタクト層24層の表面には、透明電極としてのアノード電極3が形成されている。さらに、このアノード電極3の一部には、配線接続のための接続部4が接合されている。また、n型コンタクト層21には、カソード電極5が接合されている。
III族窒化物半導体層2は、GaN基板1側から順に、n型コンタクト層21、活性層(発光層)としての多重量子井戸(MQW:Multiple-Quantum Well)層22、GaNファイナルバリア層25、p型電子阻止層23およびp型コンタクト層24を積層した積層構造を有している。p型コンタクト層24層の表面には、透明電極としてのアノード電極3が形成されている。さらに、このアノード電極3の一部には、配線接続のための接続部4が接合されている。また、n型コンタクト層21には、カソード電極5が接合されている。
GaN基板1は、支持基板(配線基板)10に接合されている。支持基板10の表面には、配線11,12が形成されている。そして、接続部4と配線11とがボンディングワイヤ13で接続されており、カソード電極5と配線12とがボンディングワイヤ14で接続されている。さらに、III族窒化物半導体層2、アノード電極3、接続部4およびカソード電極5、ならびにボンディングワイヤ13,14が、エポキシ樹脂等の透明樹脂によって支持基板10上で封止される。
n型コンタクト層21は、シリコンをn型ドーパントとして添加したn型GaN層からなる。層厚は3μm以上とすることが好ましい。シリコンのドーピング濃度は、たとえば、1018cm-3とされる。より具体的には、n型コンタクト層21は、GaN基板1上(またはAlN層8上)に結晶成長させられたn型GaN半導体からなる。
多重量子井戸層22は、それぞれ、たとえば、シリコンをドープした量子井戸層としてのInGaN層(たとえば3nm厚)とバリア層としてのGaN層(たとえば9nm厚)とを交互に所定周期(たとえば5周期)積層したものである。多重量子井戸層22と、p型電子阻止層23との間には、GaNファイナルバリア層25(たとえば40nm厚)が積層されている。
多重量子井戸層22は、それぞれ、たとえば、シリコンをドープした量子井戸層としてのInGaN層(たとえば3nm厚)とバリア層としてのGaN層(たとえば9nm厚)とを交互に所定周期(たとえば5周期)積層したものである。多重量子井戸層22と、p型電子阻止層23との間には、GaNファイナルバリア層25(たとえば40nm厚)が積層されている。
多重量子井戸層22は、n型コンタクト層21とp型コンタクト層24との間に挟まれて発光ダイオード構造を形成する。この多重量子井戸層22の発光波長は、青色発光ダイオードチップ71Bの場合には430nm〜480nm(たとえば、460nm)とされ、黄色発光ダイオードチップ71Yの場合には550nm〜600nm(たとえば、570nm)とされる。すなわち、黄色発光ダイオードチップ71Yの多重量子井戸層22の発光波長は、青色発光ダイオードチップ71Bの多重量子井戸層22の発光波長よりも長くされている。換言すれば、黄色発光ダイオードチップ71Yの多重量子井戸層22のバンドギャップ(より具体的には量子井戸層としてのInGaN層のバンドギャップ)は、青色発光ダイオードチップ71Bの多重量子井戸層22のバンドギャップ(より具体的には量子井戸層としてのInGaN層のバンドギャップ)よりも小さくされている。バンドギャップの調整は、インジウム(In)の組成比を調整することによって行うことができる。
同様に、多重量子井戸層22の発光波長は、赤色発光ダイオードチップ71Rの場合には600nm〜700nm(たとえば、650nm)とされ、緑色発光ダイオードチップ71Gの場合には500nm〜550nm(たとえば、530nm)とされる。これらの発光波長の制御も、インジウム(In)の組成比を調整することによって行われる。
p型電子阻止層23は、p型ドーパントとしてのマグネシウムを添加したAlGaN層からなる。層厚は、たとえば、28nmである。マグネシウムのドーピング濃度は、たとえば、3×1019cm-3とされる。
p型電子阻止層23は、p型ドーパントとしてのマグネシウムを添加したAlGaN層からなる。層厚は、たとえば、28nmである。マグネシウムのドーピング濃度は、たとえば、3×1019cm-3とされる。
p型コンタクト層24は、p型ドーパントとしてのマグネシウムを高濃度に添加したGaN層からなる。層厚は、たとえば、70nmである。マグネシウムのドーピング濃度は、たとえば、1020cm-3とされる。
アノード電極3は、NiとAuとから構成される透明な薄い金属層(たとえば、200Å以下)で構成される。
アノード電極3は、NiとAuとから構成される透明な薄い金属層(たとえば、200Å以下)で構成される。
カソード電極は、TiとAl層とから構成される膜である。
GaN基板1は、c面以外の主面を有するGaNからなる基板である。より具体的には、非極性面または半極性面を主面とするものである。好ましくは、非極性面の面方位から±1°以内のオフ角を有する面、または半極性面の面方位から±1°以内のオフ角を有する面を主面とするGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体層2の各層の積層主面は、GaN基板1の主面の結晶面に従う。すなわち、III族窒化物半導体層2の構成層の主面は、いずれも、GaN基板1の主面の結晶面と同じ結晶面を有する。
GaN基板1は、c面以外の主面を有するGaNからなる基板である。より具体的には、非極性面または半極性面を主面とするものである。好ましくは、非極性面の面方位から±1°以内のオフ角を有する面、または半極性面の面方位から±1°以内のオフ角を有する面を主面とするGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体層2の各層の積層主面は、GaN基板1の主面の結晶面に従う。すなわち、III族窒化物半導体層2の構成層の主面は、いずれも、GaN基板1の主面の結晶面と同じ結晶面を有する。
配線11,12から、アノード電極3およびカソード電極5間に順方向電圧を印加すると、多重量子井戸層22は、電流注入によって励起されて発光する。発光メカニズムは、ダイオード発光であってもよいし、EL(エレクトロスミネッセンス)発光であってもよい。GaN基板1の主面がc面以外の所定の結晶面(非極性面または半極性面)であるため、多重量子井戸層22の主面もまたc面以外の結晶面(GaN基板1と同一結晶面)となる。そのため、多重量子井戸層22は偏光光を発生することになる。
図4は、III族窒化物半導体の結晶構造のユニットセルを表した図解図である。III族窒化物半導体の結晶構造は、六方晶系で近似することができ、六角柱の軸方向に沿うc軸を法線とする面(六角柱の頂面)がc面(0001)である。III族窒化物半導体では、分極方向がc軸に沿っている。そのため、c面は、+c軸側と−c軸側とで異なる性質を示すので、極性面(Polar Plane)と呼ばれる。一方、六角柱の側面がそれぞれm面(10-10)であり、隣り合わない一対の稜線を通る面がa面(11-20)である。これらは、c面に対して直角な結晶面であり、分極方向に対して直交しているため、極性のない平面、すなわち、非極性面(Nonpolar Plane)である。さらに、c面に対して傾斜している(平行でもなく直角でもない)結晶面は、分極方向に対して斜めに交差しているため、若干の極性のある平面、すなわち、半極性面(Semipolar Plane)である。半極性面の具体例は、(10-1-1)面、(10-1-3)面、(11-22)面などである。
非特許文献1に、c面に対する結晶面の偏角と当該結晶面の法線方向の分極との関係が示されている。この非特許文献1から、(11-24)面、(10-12)面なども分極の少ない結晶面であり、大きな偏光状態の光を取り出すために採用される可能性のある有力な結晶面であると言える。
たとえば、m面を主面とするGaN単結晶基板は、c面を主面としたGaN単結晶から切り出して作製することができる。切り出された基板のm面は、たとえば、化学的機械的研磨処理によって研磨され、(0001)方向および(11−20)方向の両方に関する方位誤差が、±1°以内(好ましくは±0.3°以内)とされる。こうして、m面を主面とし、かつ、転位や積層欠陥といった結晶欠陥のないGaN単結晶基板が得られる。このようなGaN単結晶基板の表面には、原子レベルの段差が生じているにすぎない。
たとえば、m面を主面とするGaN単結晶基板は、c面を主面としたGaN単結晶から切り出して作製することができる。切り出された基板のm面は、たとえば、化学的機械的研磨処理によって研磨され、(0001)方向および(11−20)方向の両方に関する方位誤差が、±1°以内(好ましくは±0.3°以内)とされる。こうして、m面を主面とし、かつ、転位や積層欠陥といった結晶欠陥のないGaN単結晶基板が得られる。このようなGaN単結晶基板の表面には、原子レベルの段差が生じているにすぎない。
このようにして得られるGaN単結晶基板上に、MOCVD法によって、III族窒化物半導体層2を成長させることができる。
m面を主面とするGaN単結晶基板1上にm面を成長主面とするIII族窒化物半導体層2を成長させてa面に沿う断面を電子顕微鏡(STEM:走査透過電子顕微鏡)で観察すると、III族窒化物半導体層2には、転位の存在を表す条線が見られない。そして、表面状態を光学顕微鏡で観察すると、c軸方向への平坦性(最後部と最低部との高さの差)は10Å以下であることが分かる。このことは、多重量子井戸層22のc軸方向への平坦性が10Å以下であることを意味し、発光スペクトルの半値幅を小さくすることができる。
m面を主面とするGaN単結晶基板1上にm面を成長主面とするIII族窒化物半導体層2を成長させてa面に沿う断面を電子顕微鏡(STEM:走査透過電子顕微鏡)で観察すると、III族窒化物半導体層2には、転位の存在を表す条線が見られない。そして、表面状態を光学顕微鏡で観察すると、c軸方向への平坦性(最後部と最低部との高さの差)は10Å以下であることが分かる。このことは、多重量子井戸層22のc軸方向への平坦性が10Å以下であることを意味し、発光スペクトルの半値幅を小さくすることができる。
このように、無転位でかつ積層界面が平坦なm面III族窒化物半導体を成長させることができる。ただし、GaN単結晶基板1の主面のオフ角は±1°以内(好ましくは±0.3°以内)とすることが好ましく、たとえば、オフ角を2°としたm面GaN単結晶基板上にGaN半導体層を成長させると、GaN結晶がテラス状に成長し、オフ角を±1°以内とした場合のような平坦な表面状態とすることができないおそれがある。
m面を主面としたGaN単結晶基板上に結晶成長させられるIII族窒化物半導体は、m面を成長主面として成長する。c面を主面として結晶成長した場合には、c軸方向の分極の影響で、発光層10での発光効率が悪くなるおそれがある。これに対して、m面を結晶成長主面とすれば、量子井戸層での分極が抑制され、発光効率が増加する。
また、m面を結晶成長の主面とすることにより、III族窒化物半導体結晶の成長を極めて安定に行うことができ、c面やa面を結晶成長主面とする場合よりも、結晶性を向上することができる。これにより、高性能の発光ダイオード構造を作製できる。
また、m面を結晶成長の主面とすることにより、III族窒化物半導体結晶の成長を極めて安定に行うことができ、c面やa面を結晶成長主面とする場合よりも、結晶性を向上することができる。これにより、高性能の発光ダイオード構造を作製できる。
また、この実施形態では、基板1としてGaN単結晶基板を用いているので、III族窒化物半導体層2は、欠陥の少ない高い結晶品質を有することができる。その結果、高性能の発光ダイオードを実現できる。
さらにまた、実質的に転位のないGaN単結晶基板上にIII族窒化物半導体層2を成長させることにより、このIII族窒化物半導体層2は基板1の再成長面(m面)からの積層欠陥や貫通転位が生じていない良好な結晶とすることができる。これにより、欠陥に起因する発光効率低下などの特性劣化を抑制することができる。
さらにまた、実質的に転位のないGaN単結晶基板上にIII族窒化物半導体層2を成長させることにより、このIII族窒化物半導体層2は基板1の再成長面(m面)からの積層欠陥や貫通転位が生じていない良好な結晶とすることができる。これにより、欠陥に起因する発光効率低下などの特性劣化を抑制することができる。
図5は、III族窒化物半導体層2を構成する各層を成長させるための処理装置の構成を説明するための図解図である。処理室30内に、ヒータ31を内蔵したサセプタ32が配置されている。サセプタ32は、回転軸33に結合されており、この回転軸33は、処理室30外に配置された回転駆動機構34によって回転されるようになっている。これにより、サセプタ32に処理対象のウエハ35を保持させることにより、処理室30内でウエハ35を所定温度に昇温することができ、かつ、回転させることができる。ウエハ35は、前述のGaN基板1を構成する、たとえば、GaN単結晶ウエハである。
処理室30には、排気配管36が接続されている。排気配管36はロータリポンプ等の排気設備に接続されている。これにより、処理室30内の圧力は、1/10気圧〜常圧(好ましくは1/5気圧程度)とされ、処理室30内の雰囲気は常時排気されている。
一方、処理室30には、サセプタ32に保持されたウエハ35の表面に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給路40が導入されている。この原料ガス供給路40には、窒素原料ガスとしてのアンモニアを供給する窒素原料配管41と、ガリウム原料ガスとしてのトリメチルガリウム(TMG)を供給するガリウム原料配管42と、アルミニウム原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム(TMAl)を供給するアルミニウム原料配管43と、インジウム原料ガスとしてのトリメチルインジウム(TMIn)を供給するインジウム原料配管44と、マグネシウム原料ガスとしてのエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を供給するマグネシウム原料配管45と、シリコンの原料ガスとしてのシラン(SiH4)を供給するシリコン原料配管46とが接続されている。これらの原料配管41〜46には、それぞれバルブ51〜56が介装されている。各原料ガスは、いずれも水素もしくは窒素またはこれらの両方からなるキャリヤガスとともに供給されるようになっている。
一方、処理室30には、サセプタ32に保持されたウエハ35の表面に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給路40が導入されている。この原料ガス供給路40には、窒素原料ガスとしてのアンモニアを供給する窒素原料配管41と、ガリウム原料ガスとしてのトリメチルガリウム(TMG)を供給するガリウム原料配管42と、アルミニウム原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム(TMAl)を供給するアルミニウム原料配管43と、インジウム原料ガスとしてのトリメチルインジウム(TMIn)を供給するインジウム原料配管44と、マグネシウム原料ガスとしてのエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を供給するマグネシウム原料配管45と、シリコンの原料ガスとしてのシラン(SiH4)を供給するシリコン原料配管46とが接続されている。これらの原料配管41〜46には、それぞれバルブ51〜56が介装されている。各原料ガスは、いずれも水素もしくは窒素またはこれらの両方からなるキャリヤガスとともに供給されるようになっている。
たとえば、m面を主面とするGaN単結晶ウエハをウエハ35としてサセプタ32に保持させる。この状態で、バルブ52〜56は閉じておき、窒素原料バルブ51を開いて、処理室30内に、キャリヤガスおよびアンモニアガス(窒素原料ガス)が供給される。さらに、ヒータ31への通電が行われ、ウエハ温度が1000℃〜1100℃(たとえば、1050℃)まで昇温される。これにより、表面の荒れを生じさせることなくGaN半導体を成長させることができるようになる。
ウエハ温度が1000℃〜1100℃に達するまで待機した後、窒素原料バルブ51、ガリウム原料バルブ52およびシリコン原料バルブ56が開かれる。これにより、原料ガス供給路40から、キャリヤガスとともに、アンモニア、トリメチルガリウムおよびシランが供給される。その結果、ウエハ35の表面に、シリコンがドープされたGaN層からなるn型コンタクト層21が成長する。
n型コンタクト層21を形成した後には、次に、シリコン原料バルブ56が閉じられ、多重量子井戸層22の成長が行われる。多重量子井戸層22の成長は、窒素原料バルブ51、ガリウム原料バルブ52およびインジウム原料バルブ54を開いてアンモニア、トリメチルガリウムおよびトリメチルインジウムをウエハ35へと供給することによりInGaN層を成長させる工程と、インジウム原料バルブ54を閉じ、窒素原料バルブ51およびガリウム原料バルブ52を開いてアンモニアおよびトリメチルガリウムをウエハ35へと供給することにより、無添加のGaN層(バリア層)を成長させる工程とを交互に実行することによって行える。たとえば、GaN層を始めに形成し、その上にInGaN層(量子井戸層)を形成する。これを2〜7回(たとえば5回)に渡って繰り返し行った後、最後に、InGaN層上にGaNファイナルバリア層25が形成される。量子井戸層22およびGaNファイナルバリア層25の形成時には、ウエハ35の温度は、たとえば、700℃〜800℃(たとえば730℃)とされることが好ましい。多重量子井戸層22の形成時には、インジウム原料ガス、ガリウム原料ガスおよび窒素原料ガスの流量比を調節することによって、InGaN層の組成が調節される。これにより、InGaN層のバンドギャップが調節され、その結果、多重量子井戸層22の発光波長が制御される。
次いで、p型電子阻止層23が形成される。すなわち、窒素原料バルブ51、ガリウム原料バルブ52、アルミニウム原料バルブ53およびマグネシウム原料バルブ55が開かれ、他のバルブ54,56が閉じられる。これにより、ウエハ35に向けて、アンモニア、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされたAlGaN層からなるp型電子阻止層23が形成されることになる。このp型電子阻止層23の形成時には、ウエハ35の温度は、800℃以上(たとえば1000℃)とされることが好ましい。
次に、p型コンタクト層24が形成される。すなわち、窒素原料バルブ51、ガリウム原料バルブ52およびマグネシウム原料バルブ55が開かれ、他のバルブ53,54,56が閉じられる。これにより、ウエハ35に向けて、アンモニア、トリメチルガリウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされたGaN層からなるp型コンタクト層24が形成されることになる。p型コンタクト層24の形成時には、ウエハ35の温度は、800℃以上(たとえば1000℃)とされることが好ましい。
こうして、ウエハ35上にIII族窒化物半導体層2が成長させられると、このウエハ35は、エッチング装置に移され、たとえばプラズマエッチングによって、図3に示すように、n型コンタクト層21を露出させるための凹部7が形成される。凹部7は、多重量子井戸層22、p型電子阻止層23およびp型コンタクト層24を島状に取り囲むように形成されてもよく、これにより、多重量子井戸層22、p型電子阻止層23およびp型コンタクト層24をメサ形に整形するものであってもよい。
さらに、抵抗加熱または電子線ビームによる金属蒸着装置によって、アノード電極3、接続部4、カソード電極5が形成される。これにより、図3に示す発光ダイオード構造を得ることができる。
このようなウエハプロセスの後に、ウエハ35の劈開によって個別素子が切り出され、この個別素子は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングによってリード電極に接続された後、エポキシ樹脂等の透明樹脂中に封止される。
このようなウエハプロセスの後に、ウエハ35の劈開によって個別素子が切り出され、この個別素子は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングによってリード電極に接続された後、エポキシ樹脂等の透明樹脂中に封止される。
図6は、発光ダイオードチップ71の他の構成例を説明するための図解図である。この図6において、前述の図3に示された各部に対応する部分には同一の参照符号を付して示す。
この実施形態では、III族窒化物半導体積層構造としてのIII族窒化物半導体層2がGaN基板1の一方の主面(第1主面)に成長させられていて、このGaN基板1の他方主面(第2主面)は、鏡面に加工されて光取り出し面とされている。
この実施形態では、III族窒化物半導体積層構造としてのIII族窒化物半導体層2がGaN基板1の一方の主面(第1主面)に成長させられていて、このGaN基板1の他方主面(第2主面)は、鏡面に加工されて光取り出し面とされている。
III族窒化物半導体層2のp型コンタクト層24の表面に形成されたアノード電極3は、支持基板10上の配線11に接合(ダイボンディング)されている。これにより、発光ダイオード構造は、図3の場合とは反転した姿勢で支持基板10に固定されている。
III族窒化物半導体層2は、支持基板10側からn型コンタクト層21が露出するまでエッチング(たとえばプラズマエッチング)されていて、凹部17が形成されている。この凹部17に、n型コンタクト層21に接するカソード電極5が形成されている。このカソード電極5と支持基板10上の配線12とが、金属ポスト18によって接続されている。
III族窒化物半導体層2は、支持基板10側からn型コンタクト層21が露出するまでエッチング(たとえばプラズマエッチング)されていて、凹部17が形成されている。この凹部17に、n型コンタクト層21に接するカソード電極5が形成されている。このカソード電極5と支持基板10上の配線12とが、金属ポスト18によって接続されている。
この構成により、III族窒化物半導体層2の多重量子井戸層22から発生した偏光光は、GaN基板1を透過して外部に取り出される。
多重量子井戸層22で発生した偏光光がGaN基板1で吸収されることを抑制するためには、GaN基板1は多重量子井戸層22よりも広いバンドギャップを持つことが好ましい。また、基板1が多重量子井戸層22の発光波長に対して透明(好ましくは90%以上の光透過率)であることがより好ましい。
多重量子井戸層22で発生した偏光光がGaN基板1で吸収されることを抑制するためには、GaN基板1は多重量子井戸層22よりも広いバンドギャップを持つことが好ましい。また、基板1が多重量子井戸層22の発光波長に対して透明(好ましくは90%以上の光透過率)であることがより好ましい。
以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、主としてm面を主面とするGaN基板1を用いた例について説明したが、a面を主面とするGaN基板を用いてもよい。また、(10−11)面、(10−13)面、(11−22)などといったセミポーラ面を主面とするGaN基板を用いてもよい。
また、前述の例では、GaN基板1上にIII族窒化物半導体層2を再成長させた例について説明したが、たとえば、m面を主面とした炭化シリコン基板上に、成長主面をm面としたGaN半導体を成長させるようにしてもよいし、r面を主面とするサファイア基板上にa面を主面とするGaN半導体を成長させるようにしてもよい。
さらに、前述の実施形態では、MOCVD法によってGaN基板1上にGaN半導体をエピタキシャル成長させる例について説明したが、ハイドライド気相成長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)法などの他のエピタキシャル成長法が適用されてもよい。
さらに、前述の実施形態では、MOCVD法によってGaN基板1上にGaN半導体をエピタキシャル成長させる例について説明したが、ハイドライド気相成長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)法などの他のエピタキシャル成長法が適用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1 GaN基板
2 III族窒化物半導体層
3 アノード電極
4 接続部
5 カソード電極
7 凹部
10 支持基板
11,12 配線
13,14 ボンディングワイヤ
17 凹部
18 金属ポスト
21 n型コンタクト層
22 多重量子井戸層(発光層)
23 p型電子阻止層
24 p型コンタクト層
25 ファイナルバリア層
30 処理室
31 ヒータ
32 サセプタ
33 回転軸
34 回転駆動機構
35 ウエハ
36 排気配管
40 原料ガス供給路
41 窒素原料配管
42 ガリウム原料配管
43 アルミニウム原料配管
44 インジウム原料配管
45 マグネシウム原料配管
46 シリコン原料配管
51 窒素原料バルブ
52 ガリウム原料バルブ
53 アルミニウム原料バルブ
54 インジウム原料バルブ
55 マグネシウム原料バルブ
56 シリコン原料バルブ
71 発光ダイオードチップ
71B 青色発光ダイオードチップ
71Y 黄色発光ダイオードチップ
71R 赤色発光ダイオードチップ
71G 緑色発光ダイオードチップ
2 III族窒化物半導体層
3 アノード電極
4 接続部
5 カソード電極
7 凹部
10 支持基板
11,12 配線
13,14 ボンディングワイヤ
17 凹部
18 金属ポスト
21 n型コンタクト層
22 多重量子井戸層(発光層)
23 p型電子阻止層
24 p型コンタクト層
25 ファイナルバリア層
30 処理室
31 ヒータ
32 サセプタ
33 回転軸
34 回転駆動機構
35 ウエハ
36 排気配管
40 原料ガス供給路
41 窒素原料配管
42 ガリウム原料配管
43 アルミニウム原料配管
44 インジウム原料配管
45 マグネシウム原料配管
46 シリコン原料配管
51 窒素原料バルブ
52 ガリウム原料バルブ
53 アルミニウム原料バルブ
54 インジウム原料バルブ
55 マグネシウム原料バルブ
56 シリコン原料バルブ
71 発光ダイオードチップ
71B 青色発光ダイオードチップ
71Y 黄色発光ダイオードチップ
71R 赤色発光ダイオードチップ
71G 緑色発光ダイオードチップ
Claims (4)
- 非極性面または半極性面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体で構成されたp型層、発光層およびn型層を有する発光ダイオードを複数個備え、この複数個の発光ダイオードの発光波長が互いに異なり、当該複数個の発光ダイオードが、偏光成分強度の強い方位が揃うようにアライメントしてある、発光装置。
- 前記複数の発光ダイオードは、個別のチップからなる、請求項1記載の発光装置。
- 前記複数の発光ダイオードは、発光波長が430nm〜480nmの青色発光ダイオード、および発光波長が550nm〜600nmの黄色発光ダイオードを含む、請求項1または2記載の発光装置。
- 前記複数の発光ダイオードは、発光波長が430nm〜480nmの青色発光ダイオード、発光波長が500nm〜550nmの緑色発光ダイオード、および発光波長が600nm〜700nmの赤色発光ダイオードを含む、請求項1または2記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007052835A JP2008218645A (ja) | 2007-03-02 | 2007-03-02 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007052835A JP2008218645A (ja) | 2007-03-02 | 2007-03-02 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218645A true JP2008218645A (ja) | 2008-09-18 |
Family
ID=39838344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007052835A Pending JP2008218645A (ja) | 2007-03-02 | 2007-03-02 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008218645A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010116422A1 (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置ならびに窒化物系半導体発光素子および照明装置の製造方法 |
JP2010277952A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明用光源 |
WO2011040331A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子 |
WO2011070770A1 (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法 |
EP2352182A1 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing epitaxial wafer |
JP2016152398A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社エルム | 発光装置およびそれに用いられる蛍光体層の作成方法 |
US10115768B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device and display device |
JP2020501360A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | マイクロ画素ディスプレイからの偏光発光及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-02 JP JP2007052835A patent/JP2008218645A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2352182A4 (en) * | 2008-10-20 | 2015-02-11 | Sumitomo Electric Industries | METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING NITRIDE-SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PROCESS FOR PREPARING AN EPITACTIC WATER |
EP2352182A1 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing epitaxial wafer |
EP2418696A4 (en) * | 2009-04-09 | 2014-02-19 | Panasonic Corp | NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT, LIGHTING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHTING DEVICE |
WO2010116422A1 (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置ならびに窒化物系半導体発光素子および照明装置の製造方法 |
JP4815013B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法 |
US20120002134A1 (en) * | 2009-04-09 | 2012-01-05 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device |
EP2418696A1 (en) * | 2009-04-09 | 2012-02-15 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device |
US8791473B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device |
JP2010277952A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明用光源 |
US8823027B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
WO2011040331A1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子 |
JP4988069B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2012-08-01 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法 |
EP2472608A4 (en) * | 2009-12-09 | 2012-09-26 | Panasonic Corp | NITRID BASED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHTING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE LIGHTING DEVICE |
US20120182495A1 (en) * | 2009-12-09 | 2012-07-19 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device |
US8729579B2 (en) | 2009-12-09 | 2014-05-20 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device |
EP2472608A1 (en) * | 2009-12-09 | 2012-07-04 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device |
WO2011070770A1 (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法 |
JP2016152398A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 株式会社エルム | 発光装置およびそれに用いられる蛍光体層の作成方法 |
US10115768B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device and display device |
JP2020501360A (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-16 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | マイクロ画素ディスプレイからの偏光発光及びその製造方法 |
JP7293112B2 (ja) | 2016-12-01 | 2023-06-19 | オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | マイクロ画素ディスプレイからの偏光発光及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080230766A1 (en) | Light emitting device | |
US9911898B2 (en) | Ultraviolet light-emitting device | |
JP4989978B2 (ja) | 窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
JP2008159606A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
US20080232416A1 (en) | Light emitting device | |
JP2008091488A (ja) | 窒化物半導体製造方法 | |
WO2008041521A1 (en) | Light-emitting device | |
JP2011517098A (ja) | 半極性(Al,In,Ga,B)Nベースの発光ダイオードの製造のための方法 | |
JP2008153285A (ja) | 窒化物半導体装置および窒化物半導体製造方法 | |
US20140014997A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting element and light source including the nitride semiconductor light-emitting element | |
JP2008218645A (ja) | 発光装置 | |
JP2009111012A (ja) | 半導体発光素子 | |
WO2015146069A1 (ja) | 発光ダイオード素子 | |
JP2008153286A (ja) | 窒化物半導体積層構造および窒化物半導体装置、ならびに窒化物半導体積層構造の製造方法 | |
JP2009302314A (ja) | GaN系半導体装置 | |
JP2008118049A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
JP2009071174A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2014187159A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2008288532A (ja) | 窒化物系半導体装置 | |
JP2008235803A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2014207328A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2008118048A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
JP2976951B2 (ja) | 窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置 | |
WO2008056632A1 (fr) | Élément électroluminescent semi-conducteur gan | |
JP2009027022A (ja) | 窒化物半導体発光素子 |