JP2004128443A - 発光素子及びそれを用いた照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化合物半導体よりなるダブルへテロ発光層部8,18の活性層5,15が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成され、それら発光単位層からの発光の組合せに基づいて、熱放射型光源の連続スペクトルを擬似的に合成したスペクトルである、擬似連続スペクトルを有した可視光を発光出力する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光素子とそれを用いた照明装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
照明用の光源としては、古くから白熱電球が使用されており、また、白熱電球が発明される以前には、蝋燭や松明などの自然燃焼光が照明用として用いられていた。いずれも高温体の可視光輻射を光源として利用するものであり、熱放射型光源と総称される。また、太陽光も、色温度が約6000Kの黒体輻射スペクトルで近似でき、熱放射型光源の一種とみなすことができる。
【0003】
白熱電球はフィラメントの抵抗発熱を利用するものであるから、寿命が短く、かつ、ジュール発熱損失が大きいため効率が悪い欠点がある。また、発光に伴い、可視光ばかりでなく赤外線も多量に放射されるので、光源の温度上昇が著しい問題がある。また、自然燃焼光は、電球に比べてさらに寿命が短く、燃焼熱のほか、すすや炭酸ガスなどの燃焼生成物の発生も著しいので、手入れが大変である。
【0004】
他方、白熱電球以外の一般照明用光源として、蛍光ランプがある。蛍光ランプは、微量の水銀を封入したガラス管内の電極に高圧を印加して熱電子を発生させ、その熱電子で励起された水銀からの放射紫外線により、ガラス管内面に塗付した蛍光体をフォトルミネセンス発光させるものである。使用する蛍光体により種々のスペクトルの発光が可能であるが、一般に広く使用される蛍光体は、ハロリン酸カルシウム(3Ca3(PO4)2・CaFCl/Sb,Mn)であり、例えばFとCl,SbとMnのそれぞれの量を調整することにより、種々の色温度の白色光を得ることができる。蛍光ランプは、白熱電球と比べれば消費電力が小さく、また、白色で明るいため、過去には白熱電球が占めていた用途の大半を置き換えるに至っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、蛍光ランプにも、以下のような欠点がある。
・陰極放電を利用して紫外線を発生させるため、電極の蒸発消耗により比較的早期に寿命が尽きやすい。
・高電圧を必要とするため、白熱電球と比べれば小さいとはいえ、消費電力は、依然無視できない。
・ランプ廃棄に伴い、紫外線源としてガラス管内に封入された水銀が放出されるため、環境保護上の観点においても今後は敬遠されてゆくことが予想される。
・紫外線の漏洩があるため、紙類などの光やけ等を起しやすい。
・ハロリン酸カルシウム系のリン光は白色光ではあるが、そのスペクトルは、自然光(太陽光)スペクトルとの相違が大きく、演色性に難点がある。例えば、赤・緑・青(RGB)の3波長領域での幅の狭い発光を組み合わせて、より演色性の優れた照明を実現することも行なわれているが、各色の蛍光体のスペクトルが輝線状の鋭いピークを有するため、演色性に関して自然光との間には埋めがたい隔たりがある。
【0006】
また、近年は、間接照明や屋内照明用として、柔らかく温かみのある白熱電球も、その魅力が見直されつつあり、使用量が再び増加し始めている。また、レストランなどの飲食店やホテルなどの宿泊施設では、高級感の創出や、料理の見栄え向上のため、黄色系あるいはオレンジ系の、幾分暗めの落ち着いた照明色が好まれる傾向にある。このような目的においては、白熱電球や蝋燭などの自然燃焼光が本質的に適しており、白色系の蛍光ランプでの代用は意味をなさないから、これらの光源を、前述の欠点を承知の上で積極利用せざるを得ない事情がある。
【0007】
本発明の課題は、白熱電球、太陽光あるいは自然燃焼光などの熱放射型光源と類似したスペクトルの可視光を簡単かつ安価に発生でき、しかも、従来型の光源の有する種々の欠点を一挙に解決可能な発光素子と、それを用いた照明装置とを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上述の課題を解決するために、本発明の発光素子は、ピーク波長の異なる複数の発光を組み合わせることにより、熱放射型光源の連続スペクトルを擬似的に合成したスペクトルである、擬似連続スペクトルを有した可視光を発光出力することを特徴とする。また、本発明の照明装置は、該本発明の発光素子と、当該発光素子に発光駆動電力を供給する電力供給部とを有し、発光素子からの可視光を照明光として取り出すようにしたことを特徴とする。
【0009】
本発明の発光素子は、量子光学的なキャリアの発光再結合を利用することにより生成される、ピーク波長の異なる複数の発光(以下、発光単位ともいう)を組み合わせることにより、熱放射型光源の連続スペクトルを擬似的に合成する。その結果、白熱電球や太陽光あるいは蝋燭などの燃焼光源と類似の発光スペクトルを、発光単位の種々の組合せにより容易に合成できる。また、光源として半導体発光素子を用いるので経時的な劣化が小さく長寿命であり、基本的に発光素子への通電回路さえあれば連続発光可能であるから回路構成も簡略化できる。さらに、高電圧を必要とせず、抵抗損失も小さいので消費電力が少なくて済む。また、蛍光ランプにおける水銀など、環境保護上望ましくない物質も使用されないので、エコロジカルにクリーンな発光装置が実現できる。
【0010】
上記本発明の発光素子は、化合物半導体よりなるダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成され、それら発光単位層からの発光の組合せに基づいて擬似連続スペクトルを有した可視光を発光出力するものとして構成することができる。化合物半導体にて構成したダブルへテロ構造の発光層部(ダブルへテロ発光層部)は、活性層両側のクラッド層がキャリアへの障壁として作用するため、その閉じ込め効果により高い効率での発光が可能である。上記の構成では、そのようなダブルへテロ発光層部の活性層部に、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を作りこみ、各発光単位層からの発光(以下、発光単位ともいう)の組合せに基づいて、熱放射型光源の連続スペクトルを擬似的に合成する。これにより、波長の異なる複数の発光単位層が作りこまれた活性層(以下、これを「複合活性層」ともいう)を用いるので、多数の発光波長が合成された擬似連続スペクトルを少ない素子数で実現できる。また、光源及びその周辺回路を大幅に簡略化でき、ひいては安価で高性能かつ低消費電力の照明装置が実現できる。なお、従って、赤外線の発生を抑制したい場合は、発光波長が赤外域に属さない発光単位層を選んで組み合わせればよく、紫外線の発生を抑制した素子が必要な場合は発光波長が紫外域に属さない発光単位層を選んで組み合わせればよい。
【0011】
白熱電球や蛍光ランプは、発光原理に由来した不可避的な事情から、前者においては赤外線(熱線)が、後者においては紫外線が、それぞれ相当量発生する。他方、本発明の発光素子においては、発光波長が赤外域に属さない発光単位を選んで組み合わせれば、波長710nm以上の赤外発光成分を含まない擬似連続スペクトルを簡単に得ることができる。他方、発光波長が紫外に属さない発光単位を選んで組み合わせれば、波長350nm以下の紫外発光成分を含まない擬似連続スペクトルを簡単に得ることができる。つまり、白熱電球や蛍光ランプにおいて避けがたかった赤外線や紫外線の発生を、簡単かつ極めて効果的に抑制することができる。なお、化合物半導体からなる各発光単位層からの発光スペクトルは、一般には半値幅の狭いピーク波形を有したものとなるが、バックグラウンド領域には微量ながら赤外発光成分や紫外発光成分が不可避的に含まれることがある。このような不可避的な赤外ないし紫外発光成分は、積極利用するものでない限り、本明細書においては「含まれない」概念に属するものとみなす。
【0012】
本発明の発光素子においては、種々の波長の発光単位を種々の強度にて組み合わせることにより、熱放射型光源のアナログ的な連続スペクトルを、いわばデジタル的に合成する点に特徴がある。量子化レベルの低い(つまり、解像度の低い)デジタル画像の輪郭にジャギーが存在するごとく、本発明の発光素子が合成する擬似連続スペクトルにおいても、各発光単位の波長の間隔が大きすぎると、飛び飛びの波長ピークに対応した波打ちがスペクトル波形に生じやすくなる。従って、熱放射型光源特有のスムーズな連続スペクトルを実現するには、発光単位の波長間隔をなるべく詰めることが望ましい。具体的には、複数の発光単位層は、そのバンドギャップエネルギーの大小配列において、隣接するバンドギャップエネルギー間の差分値が0.42eV以下、より望ましくは0.2eV以下となっているのがよい。また、該差分値の下限値は小さければ小さいほど、よりスムーズなスペクトル波形が得られるが、差分値が過度に小さくなりすぎると、必要な発光単位層の数が多くなりすぎて、製造コストの高騰につながる。擬似連続スペクトルを形成する発光単位のピーク波長の間隔は、スペクトル半値幅よりも狭いと、隣接するスペクトル間の重なりが大きくなりすぎて無駄が多くなる。ダブルへテロ構造の発光素子においては、発光単位のスペクトル半値幅がおおむね20nm前後であることを考慮すれば、上記隣接するバンドギャップエネルギー間の差分値を0.05eV以上に設定することが望ましい。
【0013】
熱放射型光源は、光源温度によって異なる発光スペクトルを示す。例えば白熱電球(3000K前後)や燃焼光(1500K前後)など、照明用に多く用いられている光源の場合、太陽光ほどには光源温度が高くないために、黄色あるいはオレンジ色に着色して見える。しかし、光源が着色しているにもかかわらず、演色性の低下は思ったほど甚だしくないことが知られている。これには、目の順応と、低温の熱放射型光源のスペクトルにも、比較的広い帯域の可視光波長成分がカバーされていることの2つが関係している。そして、実際の熱放射型光源との視覚的な差異がなるべく目立たない擬似連続スペクトルを得るためには、特に後者の観点において、なるべく広い波長範囲の可視光成分がスペクトルに含まれていることが望ましい。具体的には、ピーク波長での発光強度を基準強度として、該基準強度の5%以上の発光強度を示す有効波長域が、少なくとも500nm以上600nm以下の範囲にわたって確保されていることが望ましい。有効波長域がこれよりも狭くなると、照明の演色性が著しく損なわれる場合がある。該有効波長域は、望ましくは、少なくとも470nm以上650nm以下、さらに望ましくは400nm以上670nm以下の範囲にわたって確保されているのがよい。また、擬似連続スペクトルの上記の有効波長域は、発光波長の異なる4以上の発光単位層(後述のように、2素子以上を組み合わせる場合は、その合計の発光単位層の数とする)により合成することが、スムーズなスペクトル波形を実現し、ひいては演色性を高める観点において望ましい。
【0014】
なお、RGB単色光の組合せでも、強度比の調整により、見かけ上は熱放射型光源と類似の発光色を合成することが可能であるが、そのスペクトルは、あくまでRGB単色光の組合せによる輝線的なものに過ぎず、連続スペクトルの有する微妙な照明効果を実現することはできない。本発明においては、RGB単色光よりも、ピーク波長間隔の接近した単色発光の組合せにより、基準強度の5%以上の発光強度を示す有効波長域を少なくとも500nm以上600nm以下の範囲にわたって確保できるので、擬似的な合成スペクトルであるとはいえ、熱放射型光源が有する連続スペクトルの微妙な照明効果に肉薄することが可能である。特に、基準強度の10%以上(望ましくは15%以上)の発光強度を示す有効波長域を、少なくとも500nm以上600nm以下にて確保した連続スペクトルは、本発明の発光素子であれば極めて容易に実現できるが、RGB単色光の組合せでは実現不可能である。
【0015】
この場合、本発明の発光素子により実現すべき擬似連続スペクトルは、スペクトル波形に生ずる前述のリップルを可及的に小さくすることが、リアルな光源色の再現を図る上で有効である。具体的には、図34に示すように、スペクトル上において、リップル谷部を作る隣接する2つの小ピークの双方に接する第一接線Aを引き、上記接線Aと平行にリップル谷部に対して第二接線Bを引いたとき、両接線の強度軸方向の距離をリップル深さdと定義する。また、リップル谷の底位置を通って強度軸と平行な直線Vを引いたとき、その直線Vと第一接線Aとの交点Qを、着目しているリップルにおける基準強度Hと定義する。スムーズな擬似連続スペクトルの実現には、d/Hにて定義されるリップル率が、上記有効波長域の全体に渡って十分に小さくなっていること、例えば0.1以下となっていることが望ましい。そして、本明細書においては、リップル率Rが0.1以下であれば、擬似連続スペクトルの前記有効波長域において、リップル谷部を作る隣接する2つの小ピークは無視して考えるものとする。
【0016】
次に、本発明の発光素子により、熱放射型光源(太陽光(あるいは自然光)を含む)を模した擬似連続スペクトルを合成しようとする場合、上記有効波長域において単一のピークを有するブロードな連続スペクトルとなるか、あるいは該有効波長域において波長に対し強度が単調に増加又は減少するものとなっていることが望ましい。
【0017】
すなわち、図17は、自然光(太陽光)のスペクトルを示すが、光源温度が6000Kと高いため波長400nm付近にピークが生じ、上記の有効波長域において波長の増加に対し強度は単調に減少する。しかし、図18の白熱電球のスペクトルでは、光源温度が3000Kと低いため、ピークは波長700nm付近の長波長側に生ずる。その結果、上記の有効波長域において波長の増加に対し強度は単調に増加する。当然、光源温度が3000Kと6000Kの間にある場合は、上記有効波長域内にピークが生ずるので、図33に示すように、スペクトルは、上記有効波長域内に単一のピークを有するブロードな強度分布を有したものとなる。本発明の発光素子において、このようなスペクトル波形をリップル率0.1以下の擬似連続スペクトルとして合成することは、発光層部をなす複数の発光単位層を、そのバンドギャップエネルギーの大小配列において、隣接するバンドギャップエネルギー間の差分値を例えば0.2eV以下とすることにより、簡単に実現することができる。そして、高演色性と称される従来の蛍光ランプのようなRGBの組合せでは決して実現できない、自然光や熱放射型光源の発光スペクトルをリアルに再現することができる。
【0018】
ダブルへテロ発光層部は、例えばIII−V族化合物半導体あるいはII−VI族化合物半導体にて構成することができ、活性層に含まれる発光単位層の発光波長は、該発光単位層を構成する混晶化合物半導体の混晶比により調整することができる。この場合、有効波長域を上記のように広く確保した発光素子を実現しようとする場合、単一の化合物半導体系では、全ての波長域を十分な発光強度にてカバーできないこともある。そこで、波長域に応じて異なる種別の化合物半導体系を使い分けることができる。具体的には、それぞれ系の異なる化合物半導体にてダブルへテロ発光層部を構成した複数の素子を組合せ、各素子からの発光スペクトルを合成して出力する構成を採用することができる。波長域に応じ、発光強度確保の上で有利となる化合物半導体系を選んで個別の素子を構成し、これを組み合わせることにより、どの波長域においても、得るべき擬似連続スペクトルの波形に応じて必要十分な発光強度を容易に確保できる。この場合、それら複数の素子の少なくとも1つを、複数の発光単位層が作りこまれた複合活性層を有するものとして構成することで、素子数削減の効果を達成することができる。
【0019】
複数の素子に分割して構成する具体例として、各々化合物半導体よりなるダブルへテロ発光層部を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層に含まれる発光単位層の発光波長が、520nm以上700nm以下の範囲で設定される第一の素子と、同じく360nm以上560nm以下の範囲で設定される第二の素子とが組み合わさる構成を例示できる。そして、それら第一の素子と第二の素子との少なくとも一方を、活性層中に発光単位層を複数含んだものとして構成する。可視光帯域は360nmから700nmまでの比較的広範囲に及ぶが、その全帯域をカバーするには、バンドギャップ幅を1.75eV〜3.2eVの広い範囲にて変化させることが可能でなければならない。他方、現在、発光素子用として使用されている化合物半導体は、長波長側(520nm以上700nm以下)あるいは短波長側(360nm以上560nm以下)のどちらかでのみ高発光強度が得られる、というタイプのものが多い。従って、このような2種の素子を組み合わせれば、可視光帯域の略全域を効果的にカバーでき、また、使用する素子の種類も2種類のみであるから、素子数削減効果も大きい。さらに、2種の素子の波長域は、490〜560nmの緑色系帯域を分かち合う形で定められているが、熱放射型光源のスペクトルに帯域幅として最も広く含まれる緑色系帯域を2種の素子で分担することで、よりスムーズで帯域の欠落が少ない、高品質の擬似連続スペクトル波形を実現することができる。
【0020】
第一の素子は、具体的にはダブルへテロ発光層部が(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1:以下、AlGaInPとも記載する)にて構成された素子とすることができる。この素子は、混晶比x,yの設定により、520nm以上670nm以下の範囲で、高強度を維持しつつ発光波長を容易に調整することができる。また、第二の素子は、ダブルへテロ発光層部がInaGabAl1−a−bN(0≦a≦1,0≦b≦1,a+b≦1:以下、InGaAlNとも記載する)にて構成された素子とすることができる。この素子は、混晶比a,bの設定により、360nm以上560nm以下の範囲で、高強度を維持しつつ発光波長を容易に調整することができる。いずれも、発光駆動電圧が、前者は2V前後、後者が3V前後といずれも低く、さらに50〜800mA程度の通電にて照明用に十分な発光強度を得ることができ、駆動回路を簡略化できる上消費電力も小さい利点がある。
【0021】
なお、上記の素子は、いずれもIII−V族化合物半導体を使用するものであるが、長波長域をカバーする第一の素子としてはGaAlAs(可能な波長域640nm以上700nm)にて、ダブルへテロ発光層部を構成することも可能である。また、短波長域をカバーする第二の素子は、例えば、MgaZn1−aO(ただし、0≦a≦1)型酸化物や、あるいはSiCあるいはZnSeなどのII−VI族化合物半導体によりダブルへテロ発光層部を構成することも可能である。擬似太陽光スペクトルのように青色系の波長域の強度を高く確保する必要がある場合は、第二の素子として、発光強度の高い上記InGaAlN系あるいはMgZnO系の発光層部を用いることが望ましい。しかし、擬似電球光スペクトルのように、青色系の波長域の強度がそれほど必要とされない場合は、発光強度が多少小さいSiCあるいはZnSe系の発光層部を用いることも十分可能である。また、熱放射型光源の種類によっては単一の発光素子により擬似連続スペクトルを発生させることも可能である。例えば、赤色系の波長域の強度をそれほど確保する必要がない場合は、ワイドギャップ型のInGaAlN系の化合物半導体を用いて、同じ活性層内に、強度は小さいが赤色系の波長域の発光単位層を組み込むことが可能である。他方、青色系の波長域の強度をそれほど確保する必要がない場合は、AlGaInP系の化合物半導体のみを用いて発光素子を構成することも可能である。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図1は、本発明の一実施形態である発光素子を用いた照明用光源の一例を示すものである。照明用光源50は、本発明の概念による発光素子10,20を有する。該発光素子10,20は、第一の素子10と第二の素子20であり、いずれも、化合物半導体よりなるダブルへテロ発光層部(以下、単に発光層部という)8,18の活性層(図2、図3参照)が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成される。第一の素子10は、発光単位層の発光波長が520nm以上700nm以下の範囲で設定され、第二の素子20は、発光単位層の発光波長が360nm以上560nm以下の範囲で設定される。そして、照明用光源50は、これらの2種の素子10,20からの発光を互いに混合して、熱放射型光源の連続スペクトルを擬似的に合成し、擬似連続スペクトルを有した可視光として発光出力する。
【0023】
図2は第一の素子10の積層構造を例示するものである。第一の素子10は、n型GaAs単結晶基板(以下、単に基板という)1の第一主表面MP1上に発光層部8が形成されている。この基板1の第一主表面MP1と接するようにn型GaAsバッファ層2が形成され、該バッファ層2上に発光層部8が形成される。そして、その発光層部8の上に電流拡散層7が形成され、その電流拡散層7の上に、発光層部8に発光駆動電圧を印加するための第一電極9が形成されている。また、基板1の第二主表面MP2側には、同じく第二電極3が全面に形成されている。第一電極9は、第一の素子10の第一主表面PFの略中央に形成され、該第一電極9の周囲の領域が発光層部8からの光取出領域とされている。
【0024】
発光層部8は、(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦0.55,0.45≦y≦0.55)混晶からなる活性層5(例えばノンドープのもの:ただし、必要に応じてドーパントの添加が可能である)を、p型(AlzGa1−z)yIn1−yP(ただしx<z≦1)からなるp型クラッド層6とn型(AlzGa1−z)yIn1−yP(ただしx<z≦1)からなるn型クラッド層4とにより挟んだ構造を有する。図2では、第一電極9側にp型AlGaInPクラッド層6が配置されており、第二電極3側にn型AlGaInPクラッド層4が配置されている。従って、通電極性は第一電極9側が正である。なお、ここでいう「ノンドープ」とは、「ドーパントの積極添加を行なわない」との意味であり、通常の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有(例えば1013〜1016/cm3程度を上限とする)をも排除するものではない。また、電流拡散層7はp型GaP層として形成されている。
【0025】
また、図3は、第二の素子20の積層構造を例示するものである。第二の素子20は、n型SiC単結晶基板(以下、単に基板という)11の第一主表面MP1上に発光層部18が形成されている。この基板11の第一主表面MP1と接するようにn型GaNバッファ層12が形成され、該バッファ層12上に発光層部18が形成される。そして、その発光層部18の上に電流拡散層17が形成され、その電流拡散層17の上に、発光層部18に発光駆動電圧を印加するための第一電極19が形成されている。また、基板11の第二主表面MP2側には、同じく第二電極13が分散形態で形成されている。第一電極19は、第二の素子20の第一主表面PFの略中央に形成され、該第一電極19の周囲の領域が発光層部18からの光取出領域とされている。
【0026】
発光層部18は、ノンドープInaGabAl1−a−bN混晶からなる活性層15を、p型InaGabAl1−a−bNからなるp型クラッド層16とn型(InaGabAl1−a−bNからなるn型クラッド層14とにより挟んだ構造を有する。図3では、第一電極19側にp型InGaAlNクラッド層16が配置されており、第二電極13側にn型クラッド層14が配置されている。従って、通電極性は第一電極19側が正である。また、電流拡散層17は、p型GaNにより形成されている。
【0027】
いずれの素子も、各層のエピタキシャル成長は、公知の有機金属気相エピタキシャル成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy:MOVPE)法により行なうことができる。また、光取出強度を高めるため、発光層部8,18と基板1,11との間に反射層を設けてもよい。
【0028】
図4は、第一の素子10の活性層5の構造の一例をバンド図の形にて模式的に示すものである。また、図7は、第二の素子20の活性層15の構造の一例をバンド図の形にて模式的に示すものである。該活性層5,15において発光単位層は、各々2つの障壁層B,Bに挟まれた井戸層W1‥Wnよりなる。障壁層B,Bに挟まれた井戸層W1‥Wnを発光単位層とすることで、井戸層内へのキャリア閉じ込め効果により、個々の発光単位層の発光効率を高めることができる。各井戸層W1‥Wnの発光波長は、それぞれのバンドギャップエネルギーEg1‥Egn(図4),Eg’1‥Eg’n(図7)(≡各井戸層でのEc−Evの値:Ecは伝導体底エネルギーレベル、Evは価電子帯頂エネルギーレベル)に応じて定まる。本実施形態では、各井戸層W1‥Wnが全て異なるバンドギャップエネルギーを有し、それぞれ個別の発光単位層を形成している。つまり、1つの発光単位層に含まれる井戸層の数を1つとしている。ただし、後述のように、同一バンドギャップエネルギーの複数の井戸層の組を発光単位層とすることもできる。表1は、(AlxGa1−x)yIn1−yPの各混晶比x,yと、得られるバンドギャップエネルギー及び発光波長(及び目安となる発光色)の関係を例示したものである。x≧0.6では間接発光となり、発光強度が低下するので、x<0.6にて設定することが望ましい。また、表2は、InaGa1−aNの混晶比aと、得られるバンドギャップエネルギー及び発光波長(及び目安となる発光色)の関係を例示したものである。なお、図4において、井戸層における伝導体底エネルギーEcは、井戸層のバンドギャップエネルギーが大きいほど高く設定され、他方、価電子帯頂エネルギーEvは井戸層のバンドギャップエネルギーが大きいほど低く設定されるように描いているが、バンド構造はこれに限定されるものではない。例えば、価電子帯頂エネルギーEvの大小は、井戸層の組成により、バンドギャップエネルギーの大小に一義的に対応しない場合がある。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
第一の素子10及び第二の素子20のいずれにおいても、上記複数の発光単位層、すなわち井戸層W1‥Wnは、バンドギャップエネルギーの大小配列において、隣接するバンドギャップエネルギー間の差分値ΔEが、0.42eV以下、望ましくは0.2eV以下とされる。バンドギャップエネルギー間の差分値ΔEが過度に大きくなると、単位スペクトルのピーク位置間の距離が大きくなりすぎ、合成された波形に大きな波打ちが生じて、滑らかなスペクトルが得られなくなる。なお、差分値ΔEは、バンドギャップエネルギーが隣接する全ての発光単位層の組に対して等しく設定することもできるし、必要とする発光スペクトル形状に応じて、強度を意識的に高めたい波長域においては間隔を密とし、逆に強度を抑制したい波長域においては間隔を粗とするなど、少なくとも一部の発光単位層の組について不等間隔に設定することもできる。
【0032】
各発光単位層からの発光強度は、井戸層W1‥Wnの層厚により調整することができ、例えば後述の量子井戸構造をとらない場合は、ある層厚までは、層厚の増加に伴い発光強度を高めることができる。発光単位層中の井戸層の数が1である場合は、該層厚調整により発光強度の調整が可能である。他方、層厚を増加させる代わりに、図13に示すように、1つの発光単位層中の井戸層の数を増やすこと、つまり同じバンドギャップエネルギー(Eg1,Eg2,‥,Egn)の井戸層を複数層形成することによって発光強度を増加させることができる。つまり、発光単位層からの発光強度は、井戸層の層数によっても調整可能である。この構造においては、個々の井戸層の厚さは増加しないので、キャリア閉じ込め効果の観点においてより有利であり、発光効率を高めることができる。すなわち、井戸層の層厚及び/又は層数にて発光単位層の発光強度が調整される。得るべき擬似連続スペクトルにおいて、発光強度の高い波長域ほど、該波長域に寄与する井戸層の層厚及び/又は層数を大きく設定すればよく、想定した擬似連続スペクトルを得るための発光単位層の設計を容易に行なうことができる。なお、図4に示すように、個々の井戸層は、その井戸層での発光に寄与しないキャリアが他の井戸層に向けて移動することが妨げられないように、障壁層の高さを略一定にそろえておくことが望ましい。その結果、発光波長の短い発光単位層(つまり、バンドギャップエネルギーが広い井戸層を有する発光単位層)ほど井戸深さを小さく設定しておくことが望ましい。
【0033】
各発光単位層中の井戸層の数は、図14に示すように、一律に同じ数ずつ設けることもできるし、図15に示すように、発光単位層の波長域に応じて、井戸層の数を変化させることもできる。すなわち、発光強度の高い波長域ほど、該波長域に寄与する井戸層の層数を大きく設定すれば、擬似連続スペクトルの設計も一層容易となる。
【0034】
図2及び図3に示すように、第一の素子10及び第二の素子20のダブルへテロ発光層部8,18は、積層方向片側の主表面、すなわち第一の素子10及び第二の素子20の各第一主表面PFが光取出面とされており、図4及び図7に示すように、発光単位層(井戸層W1‥Wn)は、発光波長の長いものほど、活性層の層厚方向において光取出面より遠い位置に配置されている。発光波長の短い光は、その発光波長のエネルギーよりも小さいバンドギャップを有する半導体に吸収されやすい傾向がある。しかし、上記のように、発光波長の長い発光単位層を光取出面から離して配置すれば、それよりも光取出面側に積層される発光単位層は、いずれも、下層側からの光のエネルギーよりもバンドギャップが広く、吸収が起こりにくくなる。従って、素子の光取出し効率を高めることができる。
【0035】
他方、後述の演色性調整等の目的で、特定波長域の強度を強調あるいは抑制するために、図16に示すように、上記のバンドギャップエネルギー順の発光単位層の配列を、一部で作為的に入れ替えることも可能である。バンドギャップエネルギーの順位入れ替えにより、光取出面に近づいた発光単位層(図16では、バンドギャップエネルギーがEgk+1の層)の光取出強度を相対的に強めたり、あるいはそれよりも下層側となる層(図16では、バンドギャップエネルギーがEgkの層)の発光を、該発光単位層により吸収して発光を抑制したりすることができる。
【0036】
また、キャリア閉じ込め効果により発光効率を高めるには、量子井戸構造を有するものとして発光単位層を構成することが望ましい。この場合、量子効果発現のため、井戸層の厚さを電子の平均自由行程以下(通常、10nm以下、例えば2〜5nm)に設定する必要がある。量子井戸構造の採用により、波長の安定化や発光効率の向上を図ることができる。また、障壁層厚さも10nm以下(ただし、トンネル効果によるキャリア通過を阻むため、5nm以上が望ましい)に小さくすれば、2〜3%程度までであれば格子定数のずれが許容され、発光波長領域の拡大も容易である。また、バルクでは間接遷移領域となる短波長域でも、量子井戸によるキャリア局在化により直接遷移的な振る舞いに近づけることができ、短波長側への発光波長拡大を図る上で有利となる。
【0037】
量子井戸構造においては、井戸層の厚さに上記のごとき制約があるため、層厚による発光強度の調整は期待できない。従って、量子井戸構造をなす発光単位層は、井戸層の層数にて発光強度が調整されることとなる。つまり、該発光単位層は、多重量子井戸構造を有したものとなる。多重量子井戸構造においては、サブバンド形成によりキャリア閉じ込め効果がさらに高められ、発光強度を向上させる目的においてより有利となる。なお、量子井戸構造において井戸層は、発光波長の短い発光単位層ほど、キャリアの平均自由行程が小さくなるため、層厚を小さく設定することが望ましい。
【0038】
なお、発光単位層の変形例としては、図20に示すように、発光波長の互いに異なる複数の発光単位層WAを繰り返し単位として、該繰り返し単位WAを活性層5の層厚方向において複数形成する構成を採用することもできる。この構成は、各波長成分の強度分布をなるべく均一化する必要が場合に有効である。例えば、ダブルへテロ発光層部8,18の、積層方向片側の主表面が光取出面とされている場合は、繰り返し単位WA内にて発光単位層を、発光波長の長いものほど、活性層5,15の層厚方向において光取出面より遠い位置に配置すれば、光吸収の影響を軽減できるので有利である。
【0039】
さらに、図21に示すように、1つの井戸層Wkを、複数の混晶比の化合物半導体の積層体として形成することにより、井戸底形状を階段状としたバンド構造を採用することもできる。この構成は、障壁層の数が少なくて済むので、製造工程が簡略化できる利点がある。
【0040】
本実施形態では、得るべき擬似連続スペクトルが、白熱電球の連続スペクトルを模した擬似電球光スペクトルを有するように、両素子10及び20の活性層5,15を設計している。図18は、タングステンフィラメントを用いた白熱電球を、色温度約3000Kにて発光させたときのスペクトル波形である。強度ピークは破線にて示すように、近赤外域の800nm付近に存在し、可視光帯域での強度分布は、発光波長とともに増加する傾向となる。相当強度の赤外線を含むため、光源の温度上昇が生じやすいことが直ちに理解できる。
【0041】
本発明においては、図18の連続スペクトルを、複数の発光単位層からの種々の波長の単色光(発光単位)を組み合わせて、いわばデジタル的に合成し、擬似連続スペクトルとする。第一の素子10において、波長700nm以上にて発光する井戸層を設けなければ、図18に実線で示すように、赤外発光成分を大幅に削減できる。また、白熱電球の連続スペクトルにおいて短波長領域には、僅かではあるが有害な紫外線も含まれている。しかし、後述のように第二の素子20において、波長360nm以下にて発光する井戸層を設けなければ、該紫外発光成分も削減できる。
【0042】
本実施形態では、各素子10,20の活性層5,15を、以下のように構成している。すなわち、図5及び図8に示すように、複数の発光単位層は、発光波長の長い発光単位層(井戸層)ほど発光強度が高くなるように調整される。具体的には、発光波長の長い発光単位層ほど、井戸層の厚さもしくは数を大きくする。図18に示すスペクトル波形に近づけるには、例えば、650nmでの強度I650と560nmでの強度I560との比I650/I560が1.4前後となるように設定する。例えば、第一の素子10において、バンドギャップエネルギーが略等間隔の11の量子井戸層を形成する場合の、各層のバンドギャップエネルギー、層厚及び層数の設定例を表3に示す(混晶比は、表1を参照して定めるとよい)。また、第二の素子20において、バンドギャップエネルギーが略等間隔の7つの量子井戸層を形成する場合の、各層のバンドギャップエネルギー、層厚及び層数の設定例を表4に示す。
【0043】
【表3】
【0044】
【表4】
【0045】
図5及び図8に示すように、個々の発光単位層の発光スペクトル(以下、単位スペクトルという)は、それぞれ固有のピーク波長を有した分布の鋭いものになるが、これらが合成されて、破線で示すように、各単位スペクトルのピーク位置をつないだ形状の擬似連続スペクトルが、各素子10,20から出力される。なお、個々の発光単位層中の井戸層の数が多ければ多いほど、モデルとする熱放射型光源のスペクトル波形(可視光部分)を忠実に再現できるが、層数を削減したい場合の微調整手段として、層厚調整を補助的に導入することも可能である。また、発光単位層中の全ての井戸層を量子井戸とするのではなく、一部の井戸層を層厚の大きい非量子井戸とすることもできる。
【0046】
いずれの素子10,20も、その発光スペクトルは波長が長くなるにつれ、発光強度は増加する。しかし、発光波長に対する可視光の相対視感度は、図6に示すように、明所では555nm付近で最大となる。図5および図8には、視感度補正係数Vの波長依存性を示す曲線を一点鎖線にて示している。視感度補正強度は、絶対強度Iと視感度補正係数Vとの積V・Iにて表すことができる。図5に示すように、第一の素子10は絶対強度Iと視感度補正係数Vとの波長依存性が逆傾向なので、視感度補正強度V・Iは、中間波長域、具体的には黄色域からオレンジ色域にピークを生ずる。他方、図8に示すように、第二の素子20は絶対強度Iと視感度補正係数Vとの波長依存性が同傾向なので、視感度補正強度V・Iは波長が長くなるとともに単調増加する。
【0047】
そして、図1の照明用光源50からは、長波長域側の第一の素子10のスペクトルと短波長域側の第二の素子20のスペクトルとが合成されて出力される。その結果、第一の素子10のスペクトル波形SAの短波長側に、第二の素子20のスペクトル波形SBが接続されて、図9のような擬似電球光スペクトルが最終的に得られる。すなわち、擬似電球光スペクトルの絶対強度Iは、図18の白熱電球のスペクトル、すなわち視感度補正後の発光強度分布は、黄色域からオレンジ色域、すなわち570nm以上640nm以下に強度ピークを有し、白熱電球によく似た黄色味あるいはオレンジ色味を帯びた、暖かで柔らかい照明色が得られる。
【0048】
なお、最終的な発光スペクトルの形状は、各波長の発光単位層の発光強度を、層数や層厚により調整することにより、所望のものを任意に形成できる。特に、自然光の演色性に近づけた照明光を得たい場合は、太陽光の連続スペクトルを模した擬似太陽光スペクトルを、擬似連続スペクトルとして合成すればよい。図17は、可視領域の太陽光スペクトルを示すものであるが、色温度が6000K前後と高いため、白熱電球と比べて、強度ピークは400nm付近の短波長域に生ずる。また、可視光波長帯の略全域に渡って、波長が長くなるほど絶対強度Iは減少する傾向を示す。従って、図5及び図8とは全く逆に、複数の発光単位層は、発光波長の短い層ほど発光強度が高くなるように調整されればよい。表5に第一の素子10の、また、表6に第二の素子20の、各井戸層の層数の設定例を示す。
【0049】
【表5】
【0050】
【表6】
【0051】
照明の分野においては、自然光の演色性を如何にすれば忠実にかつ安価に再現できるか、ということが長年にわたり1つ究極の課題であり続けてきた。例えば普及が著しい蛍光ランプは、白色光ではあるが、そのスペクトルは、自然光(太陽光)スペクトルとの相違が大きく、演色性に難点がある。図19は、高演色性蛍光ランプのスペクトルの一例であるが、バックグラウンド部分のスペクトル波形は図17の太陽光スペクトルと大きく隔たっていることがわかる。そこで、赤・緑・青(RGB)の3波長領域での幅の狭い発光材料を組み合わせざるを得ないのであるが、各色の蛍光体のスペクトルが輝線状の鋭いピークとなって突出する。図17との波形の相違から推察される通り、自然光との間には埋めがたい隔たりが生ずることは自明である。しかし、本発明を採用すれば、例えば表5あるいは表6に例示したような組合せにて、発光単位層のからの種々の波長の光を組み合わせることにより、図17に示す太陽光スペクトルの可視光部分を、擬似太陽光スペクトルとして極めて忠実に再現できる。例えば、JIS:Z8726(1990)に規定された平均演色評価指数において85以上は容易に実現でき、例えば、蛍光ランプの分野では、90〜95前後が限界といわれている平均演色評価指数を、これと同程度あるいはさらに高い値(例えば95〜100)に高めることも、比較的容易である。なお、図19に示すような蛍光ランプの波形を、本発明の発光素子により合成することも可能である。
【0052】
以上、熱放射型光源のスペクトル波形をなるべく忠実に再現したい場合の実施の形態について説明したが、特定の色調に対する演色性を高めるために、一部の波長域の強度分布を意図的に変更することも、本発明によれば、その波長域に対応する発光単位層の発光強度調整により、比較的容易に実現できる。具体的には、擬似連続スペクトルの有効波長域に属する予め定められた波長域を、当該波長域に対応する色調の演色性が、他の波長域に対応する色調への演色性よりも選択的に高められた演色波長域となるように、擬似連続スペクトルの強度分布を定めるようにする。このような光源により照明を行なうと、上記演色波長域として定めた色調を有する被照明体部分を鮮やかに目立たせることができる。図32にそのような演色波長域を有する擬似連続スペクトルの例を示す。実線は赤領域である650nm付近に強度ピークが設けらており、赤系の色調(例えば、食肉の色などである)への演色性を高めることができる。他方、一点鎖線は、緑領域である550nm付近に強度ピークが設けらており、緑系の色調への演色性を高めることができる。特に、公園や庭などをライトアップしたとき、植物の緑を鮮やかに演出することができる。
【0053】
このような演色波長域を形成するには、演色波長域に寄与する発光単位層の発光強度を、他の波長域に寄与する発光単位層の発光強度よりも高く設定すればよい。例えば、図15には、演色波長域に寄与する発光単位層(Egx)の層数を、他の発光単位層の層数よりも選択的に増加させた例を示している。
【0054】
以下、上記の光源モジュール50を用いた照明装置の実施形態について説明する。図23は、本発明の一実施形態である照明装置90の回路図である。この照明装置90は、発光素子10,20(光源モジュール50)と、当該発光素子10,20に発光駆動電力を供給する電力供給部70とを有し、発光素子10,20からの可視光を照明光として取り出す。電力供給部70は、電源部100からの出力電圧を発光素子駆動電圧に変換する電圧変換部99,111,121を有する。本実施形態において、第一の素子10は、AlGaInP系の発光素子であり、駆動電圧は2V前後、動作電流値は100mA〜1A程度であり、消費電力は0.2〜2W程度である。また、第二の素子20は、InGaAlN系の発光素子であり、駆動電圧は3V前後、動作電流値は100mA〜1A程度であり、消費電力は0.3〜3W程度である。外部電源としては、商用交流(例えばAC100V)、乾電池(例えばDC1.5V)あるいは自動車用バッテリー(DC9〜15V)であり、電源回路(電圧変換部)により発光素子駆動電圧に変換して使用するのが妥当である。
【0055】
光源モジュール50は、半導体発光素子を用いているので白熱電球等と比較すればはるかに長寿命であるが、長期間使用していると発光強度が低下し、やがては寿命にいたる。従って、寿命到来した場合に、光源の交換ができるようになっていると便利である。図23に示すように、電圧変換部111,121には、発光素子駆動電圧を出力する駆動電圧出力端子130,131,132が設けられている。また、光源モジュール50は、図22に示すように、発光素子10,20と受電端子61,62,63とが一体化されたものとしておき、受電端子61,62,63にて駆動電圧出力端子130,131,132に着脱可能に取り付けられるようにすればよい。このようにしておくと、寿命到来した光源モジュール50を取り外し、新しい光源モジュール50を受電端子61,62,63にて駆動電圧出力端子130,131,132に装着するだけで、交換作業を簡単に行なうことができる。
【0056】
図1に示す光源モジュール50においては、金属導体よりなるカソード用ステージ53上に、Agペースト等の金属導体ペーストを介して両素子10,20の第二電極3,13が接続されている。また、素子10,20の第一電極9,19は、導体金具51及び52に金属リード9a、19aにより接続されている。カソード側となる第二電極3,13は、カソード用ステージ53にて共通結線され、該カソード用ステージ53より、受電端子の1つをなすカソード端子63が取り出される。一方、導体金具51及び52からは、受電端子をなす個別のアノード端子61,62が取り出されている。そして、これら受電端子61,62,63を突出させた形で、カソード用ステージ53、素子10,20及び導体金具51及び52の全体が、透光性の樹脂モールド60により覆われて、光源モジュール50が構成されている。樹脂モールド60はアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂を使用できるが、2素子からの光が十分に混合されるように、樹脂モールド60中に、気泡やガラスあるいはセラミックよりなる光散乱粒子261を分散配合しておくとよい。
【0057】
なお、光源モジュール50に組み込む第一の素子10及び第二の素子20の数は、図10に示すように、各々1つずつとすることもできるし、図11及び図12に示すように、複数個組み込むこともできる。図11では、発光強度向上のため、各素子10,20をいずれも同数ずつ設けた例であり、発光波長帯域の異なる両素子10,20からの光を十分混合して出力できるよう、一定の経路(個々では、周方向)に沿って素子10,20を交互に配置してある。一方、図12は、合成すべきスペクトルの波形調整や、あるいは両素子10,20の発光レベルをマッチングさせる等の目的で、素子10,20の数を異ならせて設けた例を示す。
【0058】
図23においては、電源部として商用交流電源100が使用されている。そして、電圧変換部は、該商用交流電源を直流電圧に変換するAC/DCコンバータ99を有するものとされている。これにより、商用交流による既存の電燈線等に、照明装置90を簡単に取り付けて使用できる。AC/DCコンバータ99は、例えばコンセントプラグ等で構成された電源電端子135にて、商用交流電源100に接続される。図23の実施形態では、AC/DCコンバータ99は、商用交流電源100の電源電圧(例えば100V)を所定の電圧(例えば5〜15V)に降圧するトランス140と、降圧後の交流を整流する整流部141を有する。ここでは、整流部141としてダイオードブリッジを用い、全波整流を行なうようにしている。
【0059】
整流部141による整流波形は、コンデンサ142にて平滑化された後、各素子10,20の駆動安定化電源回路111,121に分配入力される。駆動安定化電源回路111,121は、それぞれレギュレータIC112,122(コンデンサ113,114、123,124は発振防止用のものである)を有し、AC/DCコンバータ99からの入力電圧を、各素子10,20に適した直流駆動電圧に変換して、アノード側駆動電圧出力端子130,131に出力する。なお、素子10,20の共通化されたカソード端子63は、接地側駆動電圧出力端子132を介して接地線Gに接続される。
【0060】
図22は、図23の回路による照明装置90を、電燈263として構成した例である。この例では、光源モジュール50に端子ケース66及び電球バルブ65が組みつけられて、電球状の光源ユニット64が形成されている。端子ケース66の末端面からは、受電端子61,62,63がピン状に引き出されている。また、端子ケース66には、光源モジュール50を覆う透光性の電球バルブ65が一体化されている。電球バルブ65は、ガラスあるいはアクリル樹脂等の透光性を有する熱可塑性樹脂にて構成でき、気泡やガラスあるいはセラミックよりなる光散乱粒子を分散配合しておくか、あるいは内面をすりガラス状の面粗し部としておくことにより、光分散効果、ひいては各素子10,20からの光の混合効果を高めることができる。
【0061】
電燈263は本体ケース73を有し、該本体ケース73に取付凹部133aを有する光源ソケット133が設けられている。光源ユニット64は端子ケース66にて光源ソケット133の取付凹部133aに挿入され、その底面に設けられた雌コネクタ状の駆動電圧出力端子130,131,132に受電端子61,62,63がそれぞれ差し込まれて装着される。駆動電圧出力端子130,131,132は、電力供給部70の基板に接続され、さらに電力供給部70への電力供給線134aが、周知のスイッチボックス72を経て、電源プラグ135を有した電源コード134に接続されている。電源プラグ135を商用交流コンセントに差し込めば、電力供給部70を介して光源ユニット64の光源モジュール50に給電され、所期のスペクトルの照明光にて電燈263を点灯することができる。なお、操作部74によりスイッチボックス72を操作すれば、光源モジュール50への給電がON/OFFされ、電燈263の点灯/消灯を簡単に行なうことができる。
【0062】
なお、図22の電燈263は、発光素子を用いた光源モジュール専用の装置として構成されていた。この場合、既存の白熱電球等を使用する照明装置には、光源モジュールを流用できない欠点がある。そこで、電圧変換部を、商用交流電源に直結された電球用ソケットに対し、電球用ソケットと互換性を有する装着導体部にて着脱可能に装着できるように構成しておけば、既存の電球用ソケットとの互換性を生じ、普及を促進することができる。以下、その例について説明する。まず、電球用ソケットに電圧変換部を直結できるようにするには、電圧変換部をなるべくコンパクトで小型に構成する必要がある。図24に例示する回路91の構成では、AC/DCコンバータ101を、トランスに代えて、専用LSI102(例えば、ローム(株)製、BP5057−15など)により構成し、軽量化を図っている。該LSI102は、周辺のダイオード109、コンデンサ103,106,108、抵抗104及びコイル107により、ステップダウン型降圧回路を構成する。これ以外の部分の回路構成は、図23と全く同じなので詳細な説明は省略する。
【0063】
図25は、具体的な電燈80の実施形態を示すものである。この構成では、電力供給部70を有した変換アダプタ150を構成し、商用交流電源に直結された電球用ソケット84に対し、これと互換性を有する装着導体部87にて変換アダプタ150を着脱可能に装着できるようにしてある。電球用ソケット84は、ベース82とともにねじ等の締結部材82aにより天井や壁面などの被装着部に取り付けられる。そして、電球用ソケット84の内面には、雌ねじ状のソケット金具85と、これと絶縁状態で配置されたソケット側底部端子金具86とが配置され、電燈線136により商用交流電源から受電する。変換アダプタ150は、電力供給部70を収容したケース152を備え、電力供給部70の2つの交流入力部(一方が接地である)にそれぞれ接続される、電球用口金と同形状の雄ねじ状の装着導体部87と、アダプタ側底部端子金具88とが、ケース152から突出して設けられている。ケース152には、図22と略同一構造の電球ソケット133が設けられ(共通部分には同一の符号を付与して詳細な説明は省略する)ている。変換アダプタ150を装着導体部87にて電球用ソケット84に装着すると、装着導体部87とソケット金具85及びアダプタ側底部端子金具88とソケット側底部端子金具86とがそれぞれ導通し、電力供給部70が電燈線136より商用交流を受電する。そして、該変換アダプタ150の電球ソケット133に光源ユニット64を装着すれば、電燈80を点灯させることができる。なお、光源ユニット64を覆う透光性フード81が、ねじ式等の着脱部83にてベース82に着脱可能とされている。
【0064】
また、電力供給部70と発光素子10,20(光源モジュール50)とを一体不可分に結合し、電圧変換機能付光源ユニットを構成することも可能である。この構成によると、変換アダプタ150がなくても、電球用ソケット84等に発光素子10,20を簡単に取り付けて使用することができる。図26にその実例を示している。該電燈80’は、図25の構成と略同じであるが、電力供給部70と装着導体部87とが光源モジュール50に一体化され、電圧変換機能付光源ユニット79が構成されている。光源モジュール50の寿命が尽きると、電圧変換機能付光源ユニット79を単位として、電力供給部70ごと交換を行なう。
【0065】
以下、本発明の照明装置の他の実施形態について説明する。
図27は、燃焼光源を模した照明装置の一例として、蝋燭状の外観を有する照明装置160を構成した例である。該照明装置160は、図1に示す光源モジュール50を電力供給部70により商用交流電源により点灯駆動する。回路構成は、図23あるいは図24と全く同じである。そして、光源モジュール50の発光素子10,20の擬似連続スペクトルは、燃焼光の連続スペクトルを模した擬似燃焼光スペクトルを有するものである。具体的には、蝋燭光の連続スペクトルを模するため、図18よりもさらに色温度の低い擬似連続スペクトル(例えば1500K程度)が得られるように、活性層5,15が設計されている。発光色はさらにオレンジないし赤みの強いものとなる。電力供給部70は蝋燭の軸を模した本体162内に収容され、その先端に光源モジュール50が配置されるとともに、その外側を、炎の外観形状を真似た透光性フード161で覆っている。電力供給部70は、本体162から引き出された電源コード134及び電源プラグ135を介して、コンセントより受電する。
【0066】
図28の照明装置170は、複数の光源モジュール50を直線的に配置して、直管状の蛍光ランプに代用できるようにしたものである。該照明装置170においては、本体ケース172内に電力供給部70が収容されている。また、本体ケース172の長手方向の一側面上には、光源モジュール50が予め定められた間隔にて配置されており、本体ケース172に着脱可能な透光性フード171により外側が覆われている。光源モジュール50は、図32に実線にて示すような、赤色領域に演色波長域を有するものである。例えば、食肉店や食肉売り場には、図29に示すような商品201の陳列用冷蔵庫200が配置されるが、その冷蔵庫200の内側を照明装置170にて照明することができる。図30に示すように、この照明装置170により照らされた食肉201mは赤色が鮮やかに映えて見え、消費者の購買意欲をくすぐることができる。
【0067】
また、図31の照明装置180及び181は野外照明用に構成した例であり、いずれも、図1と同タイプの光源モジュールを備えている。ここで使用される光源モジュールは、図32に一点鎖線にて示すような、緑色領域に演色波長域を有するものである。例えば、図31に示すように、これら照明装置180及び181により照らされた樹木TRや芝生GL等の植物は緑色がひときわ鮮やかに浮き立って見え、夜間の庭や公園を美しく幻想的にライトアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光素子を用いた光源モジュールの一例を示す模式図。
【図2】第一の発光素子の全体構成例を示す模式図。
【図3】第二の発光素子の全体構成例を示す模式図。
【図4】第一の発光素子の活性層の構成例を示すバンド図。
【図5】第一の発光素子による擬似連続スペクトルの概念説明図。
【図6】可視光に対する相対視感度の波長依存性を示すグラフ。
【図7】第二の発光素子の活性層の構成例を示すバンド図。
【図8】第二の発光素子による擬似連続スペクトルの概念説明図。
【図9】第一の発光素子と第二の発光素子との合成スペクトルの概念図。
【図10】光源モジュールにおける第一の発光素子と第二の発光素子との第一配置例を示す平面図。
【図11】同じく第二配置例を示す平面図。
【図12】同じく第三配置例を示す平面図。
【図13】活性層の第一変形例を示す伝導体底側のバンド図。
【図14】活性層の第二変形例を示す伝導体底側のバンド図。
【図15】活性層の第三変形例を示す伝導体底側のバンド図。
【図16】活性層の第四変形例を示す伝導体底側のバンド図。
【図17】可視光帯域の太陽光スペクトルを示す説明図。
【図18】可視光帯域の白熱電球のスペクトルを示す説明図。
【図19】蛍光ランプのスペクトルの一例を示す説明図。
【図20】活性層の第五変形例を示す伝導体底側のバンド図。
【図21】活性層の第六変形例を示す伝導体底側のバンド図。
【図22】本発明の照明装置の第一実施形態を示す断面図。
【図23】本発明の照明装置の第一回路構成例を示す図。
【図24】本発明の照明装置の第二回路構成例を示す図。
【図25】本発明の照明装置の第二実施形態を示す断面図。
【図26】本発明の照明装置の第三実施形態を示す断面図。
【図27】本発明の照明装置の第四実施形態を示す断面図。
【図28】本発明の照明装置の第五実施形態を示す断面図。
【図29】図28の照明装置の使用例を示す図。
【図30】図29の効果説明図。
【図31】本発明の照明装置の第六実施形態を示す断面図。
【図32】本発明の発光素子により実現される、演色波長域を有する擬似連続スペクトルの例を示す模式図。
【図33】有効波長域にブロードな単一ピークを有する擬似連続スペクトルの一例を示す模式図。
【図34】擬似連続スペクトルのリップル率の定義を説明する図。
【符号の説明】
10,20 発光素子
8,18 ダブルへテロ発光層部
5,15 活性層
W1〜Wn 井戸層(発光単位層)
B 障壁層
10 第一の素子
20 第二の素子
50 光源モジュール
70 電力供給部
100 電源部
99,111,121 電圧変換部
130,131,132 駆動電圧出力端子
61,62,63 受電端子
79 電圧変換機能付光源ユニット
84 電球用ソケット
87 装着導体部
Claims (37)
- ピーク波長の異なる複数の発光を組み合わせることにより、熱放射型光源の連続スペクトルを擬似的に合成したスペクトルである、擬似連続スペクトルを有した可視光を発光出力することを特徴とする発光素子。
- 化合物半導体よりなるダブルへテロ発光層部の活性層が、バンドギャップエネルギーの相違する複数の発光単位層を含んで構成され、それら発光単位層からの発光の組合せに基づいて前記擬似連続スペクトルを有した可視光を発光出力することを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記発光単位層は2つの障壁層に挟まれた井戸層よりなることを特徴とする請求項2記載の発光素子。
- 前記井戸層の層厚及び/又は層数にて前記発光単位層の発光強度が調整されることを特徴とする請求項3記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルにおいて、発光強度の高い波長域ほど、該波長域に寄与する前記井戸層の層厚及び/又は層数が大きく設定されることを特徴とする請求項4記載の発光素子。
- 前記井戸層は、発光波長の短い前記発光単位層ほど井戸深さが小さく設定されることを特徴とする請求項3ないし5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記発光単位層は量子井戸構造を有することを特徴とする請求項3ないし6のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記量子井戸構造をなす前記発光単位層は、前記井戸層の層数にて発光強度が調整されることを特徴とする請求項7記載の発光素子。
- 前記井戸層は、発光波長の短い前記発光単位層ほど層厚が小さく設定されることを特徴とする請求項7又は8に記載の発光素子。
- 前記ダブルへテロ発光層部は、積層方向片側の主表面が光取出面とされており、前記発光単位層は、発光波長の長いものほど、前記活性層の層厚方向において前記光取出面より遠い位置に配置されることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 発光波長の互いに異なる複数の前記発光単位層を繰り返し単位として、該繰り返し単位を前記活性層の層厚方向において複数形成したことを特徴とする請求項2ないし9のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ダブルへテロ発光層部は、積層方向片側の主表面が光取出面とされており、前記繰り返し単位内にて前記発光単位層は、発光波長の長いものほど、前記活性層の層厚方向において前記光取出面より遠い位置に配置されることを特徴とする請求項11記載の発光素子。
- 複数の前記発光単位層は、バンドギャップエネルギーの大小配列において、隣接するバンドギャップエネルギー間の差分値が0.42eV以下であることを特徴とする請求項2記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルは、ピーク波長での発光強度を基準強度として、該基準強度の5%以上の発光強度を示す有効波長域が、少なくとも500nm以上600nm以下の範囲にわたって確保されていることを特徴とする請求項2記載の発光素子。
- 前記有効波長域が、少なくとも470nm以上650nm以下の範囲にわたって確保されていることを特徴とする請求項14記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルの前記有効波長域を、発光波長の異なる4以上の前記発光単位層により合成することを特徴とする請求項14又は15に記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルが、前記有効波長域の全体に渡ってリップル率が0.1以下となっていることを特徴とする請求項16記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルが、前記有効波長域において単一のピークを有するブロードな連続スペクトルとなるか、あるいは該有効波長域において波長に対し強度が単調に増加又は減少するものとなっていることを特徴とする請求項1ないし17のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルの前記有効波長域に属する予め定められた波長域が、当該波長域に対応する色調の演色性を、他の波長域に対応する色調への演色性よりも選択的に高めた演色波長域となるように、前記擬似連続スペクトルの強度分布が定められてなることを特徴とする請求項1ないし18ののいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記演色波長域に寄与する前記発光単位層の発光強度が、他の波長域に寄与する前記発光単位層の発光強度よりも高く設定されてなることを特徴とする請求項19記載の発光素子。
- 各々化合物半導体よりなるダブルへテロ発光層部を有してなり、該ダブルへテロ発光層部の活性層に含まれる発光単位層の発光波長が、520nm以上700nm以下の範囲で設定される第一の素子と、同じく360nm以上560nm以下の範囲で設定される第二の素子とが組み合わされてなり、それら第一の素子と第二の素子との少なくとも一方が、前記活性層中に前記発光単位層を複数含んでなることを特徴とする請求項2又は14ないし17のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記第一の素子は、前記ダブルへテロ発光層部が(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)にて構成され、前記第二の素子は、前記ダブルへテロ発光層部がInaGabAl1− a − bN(0≦a≦1,0≦b≦1,a+b≦1)にて構成されてなることを特徴とする請求項21記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルは、白熱電球の連続スペクトルを模した擬似電球光スペクトルを有するものである請求項1ないし22のいずれか1項に記載の発光素子。
- 複数の前記発光単位層は、発光波長の長い層ほど発光強度が高くなるように調整されてなることを特徴とする請求項23記載の発光素子。
- 前記擬似電球光スペクトルは、視感度補正後の発光強度分布において、570nm以上640nm以下に強度ピークを有するものである請求項23又は24に記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルは、太陽光の連続スペクトルを模した擬似太陽光スペクトルを有するものである請求項1ないし22のいずれか1項に記載の発光素子。
- 複数の前記発光単位層は、発光波長の短い層ほど発光強度が高くなるように調整されてなることを特徴とする請求項26記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルは、燃焼光の連続スペクトルを模した擬似燃焼光スペクトルを有するものであることを特徴とする請求項1ないし22のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記擬似燃焼光スペクトルは、蝋燭光の連続スペクトルを模したものであることを特徴とする請求項28に記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルは、波長710nm以上の赤外発光成分を含まないことを特徴とする請求項23ないし29のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記擬似連続スペクトルは、波長350nm以下の紫外発光成分を含まないことを特徴とする請求項23ないし30のいずれか1項に記載の発光素子。
- 請求項1ないし31のいずれか1項に記載の発光素子と、当該発光素子に発光駆動電力を供給する電力供給部とを有し、前記発光素子からの前記可視光を照明光として取り出すようにしたことを特徴とする照明装置。
- 前記電力供給部は、電源部からの出力電圧を発光素子駆動電圧に変換する電圧変換部を有してなることを特徴とする請求項32記載の照明装置。
- 前記電圧変換部には前記発光素子駆動電圧を出力する駆動電圧出力端子が設けられ、前記発光素子と受電端子とが一体化された光源モジュールが、前記受電端子にて前記駆動電圧出力端子に着脱可能に取り付けられることを特徴とする請求項33記載の照明装置。
- 前記電源部として商用交流電源を使用し、前記電圧変換部は、該商用交流電源を直流電圧に変換するAC/DCコンバータを有することを特徴とする請求項33又は34に記載の照明装置。
- 前記電圧変換部が、前記商用交流電源に直結された電球用ソケット対し、前記電球用ソケットと互換性を有する装着導体部にて着脱可能に装着される請求項35記載の照明装置。
- 前記電圧変換部と前記発光素子とが一体不可分に結合されて、電圧変換機能付光源ユニットを構成してなることを特徴とする請求項33記載の照明装置。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1643554A2 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-05 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Leuchtdiodenanordnung |
JP2007012808A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Univ Of Tokushima | 交流電源用発光装置 |
JP2007142426A (ja) * | 2005-11-19 | 2007-06-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2007281257A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
DE102009049612A1 (de) | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Nichia Corp., Anan | Lichtemittierendes Nitridhalbleiterelement |
JP2011512671A (ja) * | 2008-02-15 | 2011-04-21 | クリー インコーポレイテッド | 白色光出力を生成する広帯域発光デバイス・ランプ |
WO2011055519A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | パナソニック株式会社 | スポット用光源及び電球形光源 |
WO2012108065A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
WO2012165022A1 (ja) | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具 |
JP2013062346A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2013206781A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Beat Sonic:Kk | Ledランプ |
EP2312652A3 (en) * | 2009-10-19 | 2013-11-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system |
KR101343562B1 (ko) | 2005-05-23 | 2013-12-23 | 필립스 솔리드-스테이트 라이팅 솔루션스, 인크. | 소켓 체결용 모듈형 led 기반 조명 장치, 이를 포함하는조명 기구, 및 이를 조립, 설치 및 분리하는 방법 |
JPWO2012144087A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-07-28 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
JP2016015379A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起型発光エピタキシャル基板及びその製造方法、並びに電子線励起型発光装置 |
WO2016098273A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | ソニー株式会社 | 活性層構造、半導体発光素子および表示装置 |
WO2016186467A1 (ko) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
-
2003
- 2003-03-07 JP JP2003061475A patent/JP4106615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1643554A3 (de) * | 2004-09-30 | 2008-03-19 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Leuchtdiodenanordnung |
EP1643554A2 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-05 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Leuchtdiodenanordnung |
KR101343562B1 (ko) | 2005-05-23 | 2013-12-23 | 필립스 솔리드-스테이트 라이팅 솔루션스, 인크. | 소켓 체결용 모듈형 led 기반 조명 장치, 이를 포함하는조명 기구, 및 이를 조립, 설치 및 분리하는 방법 |
JP2007012808A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Univ Of Tokushima | 交流電源用発光装置 |
JP2007142426A (ja) * | 2005-11-19 | 2007-06-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2011091434A (ja) * | 2005-11-19 | 2011-05-06 | Samsung Led Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
US8076684B2 (en) | 2006-04-07 | 2011-12-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III intride semiconductor light emitting element |
JP2007281257A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2011512671A (ja) * | 2008-02-15 | 2011-04-21 | クリー インコーポレイテッド | 白色光出力を生成する広帯域発光デバイス・ランプ |
CN103715318A (zh) * | 2008-02-15 | 2014-04-09 | 克里公司 | 用于提供白色光输出的宽带发光器件灯 |
US8598565B2 (en) | 2008-02-15 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Broadband light emitting device lamps for providing white light output |
DE102009049612A1 (de) | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Nichia Corp., Anan | Lichtemittierendes Nitridhalbleiterelement |
EP2312652A3 (en) * | 2009-10-19 | 2013-11-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system |
JP4745467B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-08-10 | パナソニック株式会社 | スポット用光源及び電球形光源 |
WO2011055519A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | パナソニック株式会社 | スポット用光源及び電球形光源 |
US9112120B2 (en) | 2011-02-09 | 2015-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light source and white light source system including the same |
WO2012108065A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
JPWO2012144087A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-07-28 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
JP5770269B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-08-26 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
US8779455B2 (en) | 2011-06-02 | 2014-07-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting system and illumination fixture |
WO2012165022A1 (ja) | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具 |
JP2013062346A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2013206781A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Beat Sonic:Kk | Ledランプ |
JP2016015379A (ja) * | 2014-07-01 | 2016-01-28 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起型発光エピタキシャル基板及びその製造方法、並びに電子線励起型発光装置 |
WO2016098273A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | ソニー株式会社 | 活性層構造、半導体発光素子および表示装置 |
CN107004738A (zh) * | 2014-12-19 | 2017-08-01 | 索尼公司 | 有源层结构,半导体发光元件和显示装置 |
JPWO2016098273A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2017-09-28 | ソニー株式会社 | 活性層構造、半導体発光素子および表示装置 |
CN107004738B (zh) * | 2014-12-19 | 2019-06-28 | 索尼公司 | 有源层结构,半导体发光元件和显示装置 |
US10672944B2 (en) | 2014-12-19 | 2020-06-02 | Sony Corporation | Active layer structure, semiconductor light emitting element, and display apparatus |
WO2016186467A1 (ko) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US10290766B2 (en) | 2015-05-20 | 2019-05-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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