WO2003036694A1 - Materiel de traitement thermique et procede de traitement thermique - Google Patents

Materiel de traitement thermique et procede de traitement thermique Download PDF

Info

Publication number
WO2003036694A1
WO2003036694A1 PCT/JP2002/010968 JP0210968W WO03036694A1 WO 2003036694 A1 WO2003036694 A1 WO 2003036694A1 JP 0210968 W JP0210968 W JP 0210968W WO 03036694 A1 WO03036694 A1 WO 03036694A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chamber
substrate
hot plate
heat treatment
resist
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/010968
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroshi Shinya
Yasutaka Souma
Takahiro Kitano
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to US10/491,432 priority Critical patent/US7050710B2/en
Priority to KR1020047005593A priority patent/KR100919069B1/ko
Publication of WO2003036694A1 publication Critical patent/WO2003036694A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • the present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method for heat-treating a substrate such as a semiconductor on which a coating film such as a resist film is formed.
  • a so-called photolithography technology is used to form a predetermined circuit pattern on the surface of a semiconductor wafer.
  • this photolithography process for example, a series of processes of applying a photoresist solution to a washed semiconductor wafer to form a resist film, exposing the resist film in a predetermined pattern, and developing the resist film are performed. Is being done.
  • the formation of the resist film is performed, for example, by the following steps. First, a semiconductor wafer is fixed to a spin chuck, and then, for example, a predetermined amount is applied to the surface of the wafer by using a resist solution discharge nozzle provided at a tip thereof with a pipe having a constant diameter of a flow path of the resist solution. Is applied. By rotating the spin chuck in this state, the resist solution is spread over the entire wafer and adjusted to a predetermined film thickness. Thereafter, the wafer is subjected to a predetermined heat treatment, that is, a so-called pre-beta process.
  • the heating unit 101 includes a chamber 102, a hot plate 103 provided in the chamber 102, and an air supply port for introducing a certain amount of air into the chamber 102. 104 and an exhaust port 105 for exhausting a certain amount of air in the chamber 102.
  • the wafer is placed on a hot plate 103 maintained at a predetermined temperature and heated, and in parallel with this, the wafer is supplied from the air supply opening 104 to the inside of the chamber 102.
  • Pre-baking of the resist film is performed by exhausting the same amount from the exhaust port 105 while introducing a fixed amount of air into the air.
  • CD Cosmetic Dimension
  • resist materials which have not been a problem until now, are beginning to appear, in which line width fluctuation due to airflow in a heating unit for performing pre-bake treatment after resist application is remarkable.
  • the density of the polymer contained in the resist solution and the density of the polymer contained in the resist solution change due to the change in the surface temperature of the resist film due to the air flow.
  • the heat treatment apparatus of the present invention for achieving the above object is a heat treatment apparatus for heat treating a substrate having a coating film formed on a surface thereof, comprising: a holding member that holds the substrate substantially horizontally; A chamber for accommodating the substrate held by the member; a hot plate disposed above the substrate held by the holding member in the chamber so that the coating film formed on the substrate can be directly heated; A gap having a predetermined width is provided between the end face and the inner wall surface of the chamber, and an exhaust port is provided on the upper surface of the chamber and exhausts the inside of the chamber.
  • the heat treatment apparatus of the present invention is a heat treatment apparatus for heat treating a substrate having a coating film formed on a surface thereof, wherein the holding member holds the substrate substantially horizontally, and the holding member holds the substrate.
  • a hot plate arranged above the substrate held by the holding member in the chamber so as to directly heat the coating film formed on the substrate and having a gas permeable property,
  • An exhaust port provided on an upper surface of the chamber to exhaust the inside of the chamber.
  • the heat treatment apparatus of the present invention is suitably used particularly for heat treatment of a resist film when a resist solution is applied to a substrate to form a resist film.
  • the heat treatment apparatus in any aspect of the steam may further include an air supply pipe for supplying air into the chamber. This is because it may be necessary to supply air in order to prevent the wafer W from becoming difficult to be heated due to excessive decompression in the champer.
  • the coating film is a resist film formed by applying a resist solution on a substrate (W)
  • the air supplied from the air supply pipe contains the vapor of the resist solvent at almost saturated vapor pressure.
  • the heat treatment method of the present invention includes a first step of applying a resist solution to a substrate to form a resist film, and a second step of holding the substrate with the resist film formed therein in a closed chamber.
  • a gas permeable hot plate is arranged at a predetermined position above the substrate on which the resist film is formed, and while the resist film is subjected to heat treatment, the gas evaporating from the resist film is exhausted through the hot plate into the chamber. And a third step of exhausting air.
  • the heat treatment method of the present invention includes a first step of applying a resist liquid to a substrate to form a resist film, and a second step of holding the substrate with the resist film formed in a closed chamber. Hot at a predetermined position above the substrate on which the resist film is formed A third step of exhausting gas from the resist film by exhausting the chamber and maintaining the inside of the chamber at a predetermined reduced-pressure atmosphere while arranging the plate and performing heat treatment on the resist film.
  • the coating film formed on the substrate is directly heated from above, and gas and the like contained in the coating film are uniformly evaporated from the coating film and exhausted. It is possible. This improves the uniformity of the coating film quality and improves the CD uniformity. In addition, by improving the uniformity of the film quality of the coating film, it is possible to improve the LER characteristic and obtain a pattern side surface having a smooth side surface.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating and developing processing system as one embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic front view of the resist coating and developing system shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic rear view of the resist coating and developing system shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a prebak unit applied to the resist coating / developing system shown in FIGS.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view showing another embodiment of the pre-beta unit.
  • FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views showing two modes of the arrangement of the hole 32 a of the exhaust adjustment plate 32.
  • FIG. 7A and 7B are schematic sectional views showing still another embodiment of the pre-beta unit.
  • FIGS. 8A and 8B are cross-sectional views showing modified examples of the pre-vein unit shown in FIGS. 4 and 7A and 7B, respectively.
  • FIGS. 9A and 9B are schematic sectional views showing still another embodiment of the pre-bake unit, and FIG. 9C is a schematic sectional view showing a modified example thereof.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a conventional prebakunit.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION a resist coating / development processing system is equipped with a hot plate unit for pre-baking a semiconductor wafer (hereafter referred to as “wafer”) coated with a resist solution, and performing all processes from resist coating to development processing.
  • wafer semiconductor wafer
  • a resist coating and developing system 1 includes a cassette station 10 as a transfer station, a processing station 11 having a plurality of processing units, An interface unit 12 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 is provided.
  • the cassette station 10 stores a plurality of wafers W as objects to be processed, for example, two wafers W.
  • the resist coating from another system is carried into the development processing system 1, or the resist coating is carried out from the development processing system 1 to the other system. This is for transferring the wafer W between the wafer cassette CR and the processing station 11.
  • a plurality of (four in the figure) positioning projections 20a are formed on the upper part 0 along the X direction in the figure, and the wafer cassette CR connects each wafer entrance to the processing station 11 at the position of the projections 20a. It can be placed in one row toward the side. In the wafer cassette CR, the wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction).
  • the cassette station 10 has a wafer transfer mechanism 21 located between the cassette mounting table 20 and the processing station 11.
  • the wafer transfer mechanism 21 has a wafer transfer arm 21 a movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the arrangement direction of the wafers W therein (Z direction). By 21a, one of the wafer cassettes CR can be selectively accessed.
  • the wafer transfer arm 21a is configured to be rotatable in six directions shown in FIG. 1, and is provided with an alignment unit (ALIM) belonging to a third processing unit G3 on the processing station 11 side described later. ) You can also access the Extension Exercise Unit (EXT).
  • ALIM alignment unit
  • EXT Extension Exercise Unit
  • the processing station 1 1 is used for coating and developing on the wafer W.
  • a plurality of processing units for performing a series of steps are provided, and these are arranged at predetermined positions in multiple stages, and these process wafers W one by one.
  • the processing station 11 has a wafer transfer path 22a at the center, in which a main wafer transfer mechanism 22 is provided, and all the wafer transfer paths 22a are provided around the wafer transfer path 22a. It has a configuration in which processing units are arranged.
  • the plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and in each processing unit, a plurality of processing units are arranged in multiple stages along a vertical direction (Z direction).
  • the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a cylindrical support 49 so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction).
  • the cylindrical support 49 is rotatable by the rotational driving force of a motor (not shown), and accordingly, the wafer transfer device 46 is also integrally rotatable.
  • the wafer transfer device 46 includes a plurality of holding arms 48 that are movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by the holding arms 48.
  • the first and second processing unit G 2 is disposed in parallel to the resist coating 'developing front side of the system i (near side in FIG. 1), the third processing section G 3 are the cassette station 10 is disposed adjacent to the fourth processing unit G 4 are are arranged adjacent to the I interface unit 1 2.
  • the processing unit G 5 of the fifth is disposed on the back surface.
  • a resist coating processing unit (two spinner-type processing units) that places a wafer W on a spin chuck (not shown) in a coater cup (CP) and performs a predetermined processing.
  • the development unit (DEV) for developing the pattern of the resist (COT) and the resist is stacked in two stages from the bottom.
  • the second processing section G 2 resist coating Interview two as two spinner-type processing Yunitto. Tsu Miyako (COT) and a developing unit (DEV) that are two-tiered from the bottom in order.
  • Open-type processing units for performing predetermined processing are stacked in multiple stages. That is, an adhesion unit (AD) that performs a so-called hydrophobic treatment to enhance the fixability of the resist, an alignment unit (AL IM) that performs alignment, and an extension unit (EXT) that carries in and out the wafer W.
  • the cooling unit (COL) which performs the cooling process
  • the four hot plate units (HP) which perform the heating process on the wafer W before and after the exposure process and after the image processing, are in order from the bottom. Stacked in eight stages. Note that a cooling unit (COL) may be provided instead of the alignment unit (ALIM), and the cooling unit (COL) may have an alignment function.
  • open type processing units are multi-tiered.
  • Two pre-bake units (PB) used exclusively for pre-bake processing of the wafer W coated with the resist solution are stacked in eight stages from the bottom.
  • processing unit G 5 of the fifth In the case of providing a processing unit G 5 of the fifth to the back side of the main wafer transfer mechanism 22, processing unit G 5 of the fifth, as shown in FIG. 2, the main wafer transfer mechanism 22 along the guide rails 25 You can see and move to the side. Therefore, even in the case where the processing unit. G 5 of the fifth, the space portion is secured by sliding along the guide rail 25 to this maintenance work from behind the main wafer transfer mechanism 22 easily Can be performed.
  • the interface unit 12 has the same length as the processing station 11 in the depth direction (X direction). As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface section 12, and the peripheral exposure device 23 is arranged at the rear.
  • the wafer transfer mechanism 24 is provided in the center.
  • the wafer transfer mechanism 2 4 has a ⁇ E Ha transfer arm 24 a, the wafer transfer arm 24 a is, X Direction, both cassettes CR moves in the Z direction, BR and the peripheral exposure device 23 Access It is possible.
  • the arm 24 a wafer transport is rotatable ⁇ direction, an extension unit included in the fourth processing unit G 4 of the processing stations 1 1 (EXT) and, illustrated in the adjacent exposure device side to al It is also possible to access a wafer transfer table that does not use it.
  • the wafer transfer arm 21a of the wafer transfer mechanism 21 accommodates the unprocessed wafer W on the cassette mounting table 20. removed one wafer W with ⁇ click Seth the wafer cassette CR, transported to the third processing section G 3 E box tension Interview two Tsu preparative (EXT).
  • the wafer W is transferred from the extension unit (EXT) to the processing station 11 by the wafer transfer device 46 of the main wafer transfer mechanism 22. And, after being Araimento by the third processing section G 3 ⁇ Lai instrument unit (AL IM), is conveyed to the adhesion process unit (AD), where the resist hydrophobic treatment for enhancing adhesion of (HMDS treatment) Is applied. Since this process involves heating, the wafer W is then transferred to the cooling unit (COL) by the wafer transfer device 46 and cooled.
  • AD adhesion process unit
  • HMDS treatment resist hydrophobic treatment for enhancing adhesion of
  • the cooled wafer W is transferred into the third processing section G 3 ⁇ Lai instrument unit (AL IM), where it is Araimento through fourth Ekusuten Chillon unit processor G 4 a (EXT) Interface Conveyed to part 12.
  • Araimento Lai instrument unit
  • EXT Ekusuten Chillon unit processor
  • the wafer W is exposed in the peripheral portion by the peripheral exposure device 23 in the interface section 12. After being illuminated to remove the excess resist, the wafer is conveyed to an exposure device (not shown) provided adjacent to the interface section 12, where the wafer W is exposed to light according to a predetermined pattern. You.
  • the wafer W is transferred to the developing unit (DEV), where the exposure pattern is developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to one of the hot plate units (HP) and subjected to the bast bake treatment, and then cooled by the cooling unit (COL). After such a series of processing is completed, and returned to the cassette station 1 0 through the third processing section G 3 of the extension unit (EXT), is inserted into one of the wafer cassettes CR.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a prebak unit PB1 as one embodiment of the present invention.
  • the pre-bakut PB 1 ′ has an installation plate 34 on which the wafer W is placed, a chamber 30 including an upper container 30 a and a lower container 30 b, and lift pins 36 for lifting and lowering the wafer W. .
  • a hot plate 31 made of a porous material for heating the resist film formed on the wafer W, and a flow of gas exhausted from the hot plate 31 are adjusted so as to perform uniform exhaust.
  • An exhaust adjustment plate 32 is provided.
  • the lower container 30b is fixed, and the mounting plate 34 is fixed to the lower container 30b.
  • the upper container 30a can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown).
  • the upper container 30a is lowered, the upper container 30a and the lower container 30b are brought into close contact with each other by the sealing member 37 to form the processing chamber 40.
  • the hot plate 31 is placed at a predetermined height from the surface of the wafer W.
  • the hot plate 31 is made of, for example, porous ceramics with a built-in heater and has gas permeability.
  • An exhaust port 33 is provided at the center of the upper surface of the upper container 30a.
  • the processing chamber 40 is also depressurized to have gas permeability.
  • the exhaust adjustment plate 32 has a role of suppressing a large amount of gas from being easily exhausted from the center of the hot plate 31 because the exhaust port 33 is provided at the center of the upper surface of the upper container 30a. Fulfill.
  • the exhaust adjustment plate 32 is provided with a plurality of holes 32a.
  • this hole 32a is formed at the center of the exhaust adjustment plate 32.
  • gas can be uniformly transmitted through the entire hot plate 31.
  • FIG. 6B the same effect can be obtained by shortening the diameter of the hole 32a at the center and increasing the diameter at the periphery.
  • the lift pins 36 can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown).
  • the mounting plate 34 is provided with a hole through which the lift pins 36 can pass.
  • the lift pins 36 transfer the wafer W to and from the holding arm 48 with the upper container 30a raised and the upper surface of the lower container 30b opened.
  • the holding arm 4 holding the wafer W is opened.
  • the wafer W is transferred from the holding arm 48 to the lift pins 36 when the wafer 8 is advanced above the mounting plate 34 and then the lift pins 36 are raised.
  • the holding arm 48 is withdrawn after the wafer W is separated from the holding arm 48, and then the lift pins 36 are lowered, the wafer W is held by the proximity pins 35 provided on the surface of the mounting plate 34. In this way, the lift pins 36 are transferred to the mounting plate 34 from the force.
  • the processing chamber 40 is formed by lowering the upper container 30a.
  • hot plate 31 is arranged at a predetermined height from the surface of wafer W, and the hot film 31 is directly heated by the resist film.
  • a wafer W is placed on a hot plate 103 and heated by heating the wafer W. Since the resist film formed on the wafer W was heated, the temperature distribution of the wafer W was transferred to the resist film and the CD uniformity deteriorated, but the pre-baking unit PB] In _, since the resist film is directly heated, it is possible to improve the temperature uniformity of the resist film and improve the CD uniformity.
  • the exhaust operation of the exhaust port 33 is started.
  • the inside of the upper container 30a is depressurized, and the processing chamber 40 is also depressurized because the hot plate 31 itself has gas permeability.
  • the solvent evaporates or sublimates from the resist film heated by the hot plate 31 to generate gas. For this reason, when the processing chamber 40 is brought into a reduced pressure atmosphere, gas evaporating from the resist film passes through the hot plate 31 and is exhausted from the exhaust port 33.
  • the processing chamber 40 is kept in a reduced-pressure atmosphere by exhausting air from the exhaust port 33.
  • the degree of this reduced pressure is caused by the gas generated from the resist film generated by heating the resist film. It is preferable that the pressure be reduced to such an extent that the amount generated by the reduction of the vapor pressure due to the reduced pressure of the processing chamber 40 does not increase, and the exhaust from the exhaust port 33 is exhausted. It is preferable to carry out gently from the beginning. This is because, if the processing chamber 40 is maintained at a high decompression atmosphere by strongly exhausting from the exhaust port 33, there is a possibility that the distribution of the resist film thickness may occur due to turbulence of the air flow at the initial stage of the exhaust. is there.
  • the gas evaporating from the resist film for example, a sublimate is exhausted from the exhaust port 33 and then cooled and solidified in the pipe, and in order to prevent the sublimate from adhering to the pipe, the sublimate is located near the exhaust port 33. May be provided with a mechanism for cooling and solidifying.
  • the evacuation operation from the exhaust port 33 is stopped, and then the upper container 30 a is raised, and the wafer W is firstly transferred from the holding arm 48 to the pre-baket PB 1.
  • the wafer W is unloaded from the pre-baket PB1 in the reverse order of the loading procedure.
  • the wafer W is then transferred to an exposure unit via an alignment unit (ALIM) and the like.
  • ALIM alignment unit
  • FIG. 5 is a schematic sectional view of a pre-beta unit P B 2 of another embodiment.
  • the only difference between the pre-unit PB 2 and the pre-unit unit P B 1 shown in FIG. 4 is the structure of the hot plate 38, and therefore, the hot plate 38 will be described below.
  • a plurality of through holes 38 a are formed in the hot plate 38 so as to penetrate the hot plate 38 in the vertical direction, and the through holes 38 a serve as gas passages that evaporate from the resist film. I have.
  • FIGS. 7A and 7B are schematic cross-sectional views showing still another embodiment of the pre-bake unit (referred to as “pre-bunk unit PB 3”).
  • FIG. 7A shows a wafer in the pre-bake unit PB 3.
  • the pre-beta unit PB 3 includes a chamber 51 composed of a fixed upper container 51a and a vertically movable lower container 51b, a hot plate 53 fixed to the upper container 51a, and a lower container 5 It has a support pin 55 fixed to 1b and a wafer transfer pin 56 fixed to a holding table 57 so as to penetrate the bottom wall of the lower container 51b.
  • the lower container 51b is connected to a holding member 60, and the holding member 60 is engaged with a vertically extending guide 59, and is attached to a lifting device 61 having a built-in air cylinder and the like.
  • a lifting device 61 having a built-in air cylinder and the like.
  • the holding arm 48 holding the wafer W (not shown in FIGS. 7A and 7B) is advanced into the chamber 51, and the wafer delivery pin 5 protruding from the lower container 51b.
  • the wafer W can be delivered to 6.
  • the power source only needs to be provided with the lifting device 61 that raises and lowers the lower container 51b, and the power source for the wafer transfer pins 56 and the support pins 55 is not required. Can be.
  • the lifting / lowering device 61 when the lifting / lowering device 61 is operated to raise the lower container 51b, the lower container 51b and the upper container 51a are brought into close contact with each other via the sealing member 58, and the processing is performed.
  • a chamber 70 is formed.
  • the wafer W held on the wafer transfer pin 56 is transferred to the support pin 55 and held at a predetermined distance from the hot plate 53.
  • Proximity pins 54 for keeping the distance between the hot plate 53 and the wafer W constant are provided on the lower surface of the hot plate 53, and the lower container is located at a position where the wafer W comes into contact with the proximity pins 54. It is preferable to keep 5 1b.
  • a seal member 58 having a width in a deformable length range.
  • a mechanism that can be extended and retracted on the support pin 55 for example, a spring is provided below the support pin 55. Is also good. '
  • An exhaust port 52 is provided on the upper wall of the upper container 51a, so that the inside of the processing chamber 70 can be exhausted.
  • a gap 53a is formed between the hot plate 53 and the inner surface of the side wall of the upper container 51a. Gas evaporating from the resist film directly heated by the hot plate 53 passes through the gap 53 a from the gap between the hot plate 53 and the wafer W and is exhausted from the exhaust port 52.
  • the intensity of the exhaust from the exhaust port 52 is set to such an extent that a gas evaporating by heating the resist film is exhausted. This suppresses the generation of strong horizontal air currents in the space between the hot plate 53 and the wafer W, thereby preventing the resist film from becoming uneven in thickness and making the film quality of the resist film uniform.
  • the pre-bake units PB 4 and PB 5 shown in FIGS. 8A and 8B are different from the pre-bake unit PB 1 shown in FIG. 4 in that the air supply pipes 4 are located near the left and right ends of the bottom of the lower vessel 5 1b. 3 and 6 3 are arranged.
  • the provision of the air supply pipes 43 and 63 requires the supply of air in order to prevent the wafer W from becoming difficult to be heated by excessive pressure reduction in the chambers 30 and 51. This is because there are cases.
  • the difference between the pre-bake unit PB 6 shown in FIG. 9A and the pre-bout unit PB 1 shown in FIG. 4 is that the hot plate 31 in FIG. 4 is replaced by a porous material such as porous ceramics.
  • a hot plate 80 having a plurality of vertical holes 80 c penetrating vertically is provided, and a substrate W in the chamber 30 is provided on the side of the upper container 30 a via the hot plate 80.
  • an air supply pipe 81 for supplying air is provided.
  • the hot plate 80 is formed in a disk shape, and has a straight vertical hole 80c formed in parallel with its axis (the axis connecting the upper surface and the lower surface).
  • the plurality of vertical holes 80 c are formed in the radial direction and the circumferential direction of the hot plate 80.
  • the gas barrier layer 80 d formed on the upper surface of the hot plate 80 and the inner wall of the vertical hole 80 c is made of a fluorine-based resin that is a heat-resistant and stain-resistant resin, for example, Teflon. (Registered trademark), the thickness of which is more than 10 ⁇ .
  • Teflon. Registered trademark
  • two gas flow paths are formed in the hot plate 80. That is, two gas flow paths are formed: a communication hole for supply and a vertical hole for exhaust.
  • the gas barrier layer 80d is formed of a fluorine-based resin, good gas barrier properties can be ensured, and the wafer and the like are not contaminated.
  • the supply of air from the supply pipe 81 is started, and at the same time, the exhaust from the exhaust port 33 is started. As a result, the inside of the chamber 30 starts to be purged. Further, the heating of the substrate W is started by the hot plate 80, and the wafer W is heated at a predetermined heating temperature for a predetermined time.
  • the air supplied from the air supply pipe 81 is introduced from the side wall of the hot plate 80, and this air flows through the communication hole formed in the hot plate 80 toward the center of the wafer W, and It is released from the lower surface of the plate 80.
  • the air flowing through this communication hole does not leak from the upper surface of the hot plate 80 and the inner wall of the vertical hole 80c because the gas barrier layer 80d is formed by $$.
  • Air released from the lower surface of hot plate 80 is supplied to the processing surface of wafer W.
  • the exhaust gas flows through the vertical hole 80c, the flow straightening plate 32, and the exhaust port 33, and is discharged outside.
  • air can be replaced for each micro area on the processing surface of the wafer W, and the solvent in the resist liquid in each area can be uniformly evaporated.
  • the airflow at the time of drying a uniform resist film thickness can be obtained.
  • the solvent supplied from the resist solution is vaporized into the air supplied from the air supply pipe 81 so as to be contained at a substantially saturated vapor pressure. The effect of improvement can be enhanced.
  • the air is introduced from the air supply pipe 81 to the side wall of the hot plate 80 and exhausted from the vertical hole 80c, but as shown in FIG. Air may be introduced from the upper surface side of the hot plate 80 via an air supply port 39 provided in the upper part of the upper container 30a. In this case, it is necessary to pass through the vertical hole 80 c.
  • the gas enters the hot plate 80 from the lower surface of the hot plate 80 and is discharged from the exhaust pipe 82 provided on the side wall of the upper container 30a.
  • a straight hole is shown as the vertical hole 80 c, but as shown in FIG. 9B, an opening portion on the upper surface 80 a and the lower surface Is preferably larger than the diameter of the vertical hole 80c, and a tapered surface 80c1 is formed between the opening and the vertical hole 80c.
  • the present invention is not limited to the above embodiments.
  • the porous material having gas permeability shown in FIG. 4 is used instead of the hot plate 53 without providing the gap 53 a. It is possible to use a hot plate 31 made of a hot plate or a hot plate 38 having a through hole 38a shown in FIG.
  • the porosity of the central part of the hot plate is lower than the porosity of the peripheral part. If the gas permeation capacity at the center is smaller than the gas permeation capacity at the peripheral part, the gas is evenly transmitted through the entire hot plate without providing the exhaust adjustment plate 32. It can be done.
  • the wafer W is held on the mounting plate 34, but as in the pre-vacuum PB 3 shown in FIGS. 7A and 7B, The wafer W may be held by the support pins 55.
  • the heat treatment apparatus and the heat treatment method of the present invention are applied to the prebake unit for performing the prebake treatment of the resist film. It can also be applied to a hot plate unit (HP) that performs post-exposure bake processing of post-processing and post-bake processing after development processing.
  • the type of the coating film is not limited to the resist film, and the present invention can be applied to an apparatus and a method for forming an interlayer insulating film and a protective film.
  • a semiconductor wafer is taken as a substrate.
  • the heat treatment apparatus and the heat treatment method of the present invention can be applied to one step of photolithography of another substrate such as an (LCD) substrate.
  • the present invention it is possible to directly heat the coating film formed on the substrate from the top and uniformly evaporate the gas and the like contained in the coating film from the coating film and exhaust the gas. It is. Also, compared to a method of indirectly heating the coating film by heating the substrate, the temperature unevenness of the substrate is less likely to be transferred to the coating film. This has the remarkable effect of improving the uniformity of the coating film quality and improving the CD uniformity. Further, by improving the uniformity of the film quality of the coating film, it is possible to obtain an effect that it is possible to improve the LER characteristic and obtain a pattern side surface having a smooth side surface.

Description

明細書 熱処理装置および熱処理方法 技術分野
本発明は、 レジスト膜等の塗布膜が形成された半導体ゥ 等の基板を加熱処 理する熱処理装置および熱処理方法に関するものである。 背景技術 ' 半導体デバイスの製造プロセスにおいては、 いわゆるフォトリソグラフィー技 術を用いて、 半導体ウェハの表面に所定の回路パターンを形成している。 このフ ォトリソグラフィー工程では、 例えば、 洗浄処理された半導体ウェハにフォトレ ジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、 所定のパターンでレジスト膜を露光し、 これを現像処理するという一連の処理が行われている。
レジスト膜の形成は、 例えば、 次のような工程により行なわれる。 まず、 半導 体ウェハをスピンチャックに固定し、 次いで、 例えば、 レジスト液が流れる流路 の口径が一定の管体が先端に設けられたレジスト液吐出ノズルを用いて、 ウェハ の表面に所定量のレジスト液を塗布する。 その状態でスピンチャックを回転させ ることにより、 レジスト液をウェハ全体に拡げて所定の膜厚に調整する。 その後、 ウェハに所定の熱処理を施す、 いわゆるプリベータ処理が行なわれる。
従来、 レジスト膜のプリべーク処理は、 図 1 0に未す加熱ユニット 1 0 1を用 いて行われている。 加熱ュ-ット 1 0 1は、 チャンバ 1 0 2と、 'チャンバ 1 0 2 内に設けられたホットプレート 1 0 3と、 チャンバ 1 0 2内に一定量の空気を導 入する給気口 1 0 4と、 チャンバ 1 0 2内の空気を一定量排気する排気口 1 0 5 とを有している。 このような加熱ユニット 1 0 1においては、 ウェハを所定温度 に保持されたホットプレート 1 0 3上に載置して加熱し、 これと並行して給気口 1 0 4からチャンバ 1 0 2内に空気を一定量導入しながら、 同量を排気口 1 0 5 から排気することにより、 レジスト膜のプリべーク処理が行われている。
近年、 フォトリソグラフィー工程においては、 パターンの微細化や細線化が進 むにつれて、 パターン線幅のウェハ面内均一性 （以下、 「C D (Critical Dimension)均一性」 と記す） が厳しく求められるようになつている。 また、 これ までは問題となっていなかつだ、 レジスト塗布後のプリべーク処理を行なう加熱 ュニット内の気流による線幅変動が顕著に現れるレジスト材料が現れ始めている。 しかしながら、 加熱ュニット 1 0 1を用いて空気をチャンバ 1 0 2内で流しなが ら行なう従来の熱処理方法では、 気流によってレジスト膜の表面温度が変化する ことによって、 レジスト液に含まれるポリマー密度や溶媒残留濃度にばらつきが 生ずると考えられるために、 このような問題に対処することができない。
また、 パターンの微細化や細線化が進むにつれて、 パターン側面の荒れ （以下、 「 L E R (Line Edge Roughness) 」 と記す） の制御が ¾要となってきている。 こ の L E Rの問題を解決する方法としては、 レジスト液の組成調整等が試みられて いるが、 レジスト感度や C D均一性等の他のレジスト特性との兼ね合いから、 十 分な成果を上げるには至っていない。 一方、 L E Rに対する加熱ユニット側から のアプローチは行なわれていない。 ， 発明の開示
本発明の目的は、 C D均一性を向上させる熱処理を可能とする熱処理装置およ び熱処理方法を提供することを目的とする。 また、 本発明は良好な L E R特性を 得ることを可能とする熱処理装置およぴ熱処理方法を提供することを目的とする。 上記目的を達成する本発明の熱処理装置は、 一の局面においては、 表面に塗布 膜の形成された基板を熱処理する熱処理装.置であって、 基板を略水平に保持する 保持部材と、 保持部材に保持された基板を収容するチャンバと、 基板に形成され た塗布膜を直接に加熱できるようにチャンバ内において保持部材に保持された基 板の上方に配置されるホットプレートと、 ホットプレートの端面とチャンバの内 壁面との間に設けられた所定幅の間隙部と、 チャンバの上面に設けられ、 チャン バの内部の排気を行なう排気口とを備える。 この熱処理装置においては、 排気口 からチャンバ内の排気を行なうことによってチャンバ內は所定の減圧雰囲気に保 持され、 塗布膜がホットプレートによって加熱された際に塗布膜から発生するガ スは間隙部を通つた後にチヤンバ外へ排出される。 本発明の熱処理装置は、 他の局面においては、 .表面に塗布膜の形成された基板 を熱処理する熱処理装置であって、 基板を略水平に保持する保持部材と、 保持部 材に保持された S板を収容するチャンバと、 ガス透過性を有し、 基板に形成され た塗布膜を直接に加熱できるようにチャンバ内において保持部材に保持された基 板の上方に配置されるホットプレートと、 チャンバの上面に設けられてチャンバ の内部の排気を行なう排気口とを備える。 この熱処理装置においては、 塗布膜が ホットプレートによって加熱された際に塗布膜から発生するガスはホットプレー トを 過した後にチャンバ外へ排出される。 '
本発明の熱処理装置は、 上記いずれの局面においても、 特に、 基板上にレジス ト液を塗布してレジスト膜を形成する際のレジスト膜の加熱処理に好適に用いら れる。
また、 蒸気いずれの局面における熱処理装置においても、 チャンバ内にエアを 供給するエア供給配管をさらに備える場合もある。 これは、 チャンパ内の過剰な 減圧によってゥェハ Wが加熱され難くなることを防止するために、 空気を供給す る必要が生じる場合があるからである。
塗布膜が、 レジスト液が基板 （W) 上に塗布されて形成されたレジスト膜であ る場合には、 エア供給配管から供給する空気に、 ほぼ飽和蒸気圧でレジストの溶 剤の蒸気を含ませることにより、 プリべーク処理におけるレジスト膜からの溶剤 の蒸発が抑制され、 より遅い速度で蒸発が進行することになる。 その結果、 レジ スト膜の膜質の均一性などをさらに向上させることができる。
本発明の熱処理方法は、 一つの局面においては、 基板にレジスト液を塗布して レジスト膜を形成する第 1工程と、 レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ 内に保持する第 2工程と、 レジスト膜の形成された基板の上方の所定位置にガス 透過性を有するホットプレートを配置してレジスト膜を加熱処理しながら、 レジ スト膜から蒸発するガスがホットプレートを通して排気されるようにチャンバ内 の排気を行なう第 3工程とを備える。
本発明の熱処理方法は、 他の局面においては、 基板にレジスト液を塗布してレ ジスト膜を形成する第 1工程と、 レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内 に保持する第 2工程と、 レジスト膜の形成された基板の上方の所定位置にホット プレートを配置してレジスト膜を加熱処理しながら、 チャンバ内の排気を行って チャンバ内を所定の減圧雰囲気に保持することによってレジスト膜から蒸発する ガスをチャンバから排 する第 3工程とを備える。
上述のような本発明の熱処理装置および熱処理方法によれば、 基板に形成され た塗布膜を上部から直接に加熱して、 塗布膜から塗布膜に含まれるガス等を均一 に蒸発させて排気することが可能である。 これにより塗布膜の膜質の均一性が向 上し、 C D均一性を向上させることができる。 また、 塗布膜の膜質の均一性を高 めることによって、 L E R特性を改善して滑らかな側面を有するパターン側面を 得ることが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本努明の熱処理装置の一実施形態としての、 レジスト塗布 '現像処理 システムを示す概略平面図である。
図 2は、 図 1に示したレジスト塗布 ·現像処理システムの概略正面図である。 図 3は、 図 1に示したレジスト塗布■現像処理システムの概略背面図である。 図 4は、 図 1〜図 3に示したレジスト塗布 ·現像処理システムに適用されるプ リベークュニットの一実施形態を示す概略断面図である。
図 5は、 プリベータ.ュニットの他の実施形態を示す概略断面図である。
図 6 A， 6 Bは、 排気調整プレート 3 2の孔部 3 2 aの配置についての 2つの 態様を示す断面図である。
図 7 A， 7 Bは、 プリベータユニットのさらに他の実施形態を示す概略断面図 である。
図 8 A, 8 Bはそれぞれ、 図 4およびず 7 A, 7 Bに示したプリべ クュニッ トの変形例を示す断面図である。
図 9 A, 9 Bは、 プリべークユニットのさらに他の実施形態を示す概略断面図、 図 9 Cはその変形例を示す概略断面図である。
図 1 0は、 従来のプリべークュニットの概略構造を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。 ここ では、 レジスト液が塗布された半導体ウェハ （以下 「ウェハ」 という） をプリべ ーク処理するホットプレートュニットを備え、 レジスト塗布から現像処理までを 一貫して行なう、 レジスト塗布 ·現像処理システムを例に挙げて説明する。
本発明の一実施形態のレジスト塗布■現像処理システム 1は、 図 1〜図 3に示 すように、 搬送ステーションであるカセットステーション 1 0と、 複数の処理ュ ニットを有する処理ステーション 1 1と、 処理ステーション 1 1に隣接して設け られる図示しない露光装置との間でウェハ Wを受け渡すためのインターフェイス 部 1 2とを具備している。
カセットステーション 1 0は、 被処理体としてのウェハ Wを複数枚、 例えば 2
5枚単位でウェハカセット C Rに搭載された状態で、 他のシステムから本レジス ト塗布■現像処理システム 1へ搬入し、 または本レジスト塗布 '現像処理システ ム 1から他のシステムへ搬出する等、 ウェハカセット C Rと処理ステーション 1 1との間でウェハ Wの搬送を行なうためのものである。
カセットステーション 1 0においては、 図 1に示すように、 カセット载置台 2
0上に図中 X方向に沿って複数 （図では 4個） の位置決め突起 2 0 aが形成され ており、 この突起 2 0 aの位置にウェハカセット C Rがそれぞれのウェハ出入口 を処理ステーション 1 1側に向けて 1列に載置可能となっている。 ウェハカセッ ト C Rにおいてはウェハ Wが垂直方向 （Z方向） に配列されている。 また、 カセ ットステーション 1 0は、 カセット載置台 2 0と処理ステーション 1 1との間に 位置するウェハ搬送機構 2 1を有している。
ウェハ搬送機構 2 1は、 カセット配列方向 （X方向） およびその中のウェハ W の配列方向 ( Z方向) に移動可能なウェハ搬送用アーム 2 1 aを有しており、 こ のウェハ搬送用アーム 2 1 aにより、 いずれかのウェハカセット C Rに対して選 択的にアクセス可能となっている。 また、 ウェハ搬送用アーム 2 1 aは、 図 1中 に示される 6方向に回転可能に構成されており、 後述する処理ステーション 1 1 側の第 3の処理部 G 3に属するァライメントユニット （A L I M) およぴェクス テンションユエット ( E X T) にもアクセスできるようになつている。
—方、 処理ステーション 1 1は、 ウェハ Wへ対して塗布 '現像を行なう際の一 連の工程を実施するための複数の処理ユエットを備え、 これらが所定位置に多段 に配置されており、 これらによりウェハ Wが 1枚ずつ処理される。 この処理ステ ーシヨン 11は、 図 1に示すように、 中心部にウェハ搬送路 22 aを有しており、 この中に主ウェハ搬送機構 22が設けられ、 ウェハ搬送路 22 aの周りに全ての 処理ユニットが配置された構成となっている。 これら複数の処理ユニットは、 複 数の処理部に分かれており、 各処理部は複数の処理ュ-ットが垂直方向 （Z方 向） に沿って多段に配置されている。
主ウェハ搬送機構 22は、 図 3に示すように、 筒状支持体 49の内側にウェハ 搬送装置 46を上下方向 （Z方向） に昇降自在に装備している。 筒状支持体 49 は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、 それに伴って ウェハ搬送装置 46も一体的に回転可能となっている。 ウェハ搬送装置 46は、 搬送基台 47の前後方向に移動自在な複数本の保持アーム 48を備え、 これらの 保持アーム 48によって各処理ユエット間でのウェハ Wの受け渡しを実現してい る。
図 1に示すように、 レジスト塗布 '現像処理システム 1においては、 5個の処 理部 Gl5 G2, G3, G4, G5がウェハ搬送路 22 aの周囲に実際に配置されて いる。 これらのうち、 第 1および第 2の処理部 G2はレジスト塗布 '現像 処理システム iの正面側 （図 1における手前側） に並列に配置され、 第 3の処理 部 G 3はカセットステーション 10に隣接して配置され、 第 4の処理部 G 4はィ ンターフェイス部 1 2に隣接して配置されている。 また、 第 5の処理部 G5は背 面部に配置されている。
第 1の処理部 では、 図 2に示すように、 コータカップ （CP) 内でウェハ Wを図示しないスピンチャックに乗せて所定の処理を行なう 2台のスピナ型処理 ユニットであるレジスト塗布処理ユニット （COT) およびレジストのパターン を現像する現像ユニット （DEV) が下から順に 2段に重ねられている。 第 2の 処理部 G2も同様に、 2台のスピナ型処理ュニットとしてレジスト塗布処理ュニ. ット （COT) および現像ユニット （DEV) が下から順に 2段に重ねられてい る。
第 3の処理部 G 3においては、 図 3に示すように、 ウェハ Wを載置台 S Pに載 せて所定の処理を行なうオープン型の処理ュュットが多段に重ねられている。 す なわち、 レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行なうアドヒー ジョンユニット （AD) 、 位置合わせを行なうァライメントユニッ ト （AL I M) 、 ウェハ Wの搬入出を行なうエクステンションユニット （EXT) 、 冷却処 理を行なうクーリングュュット （COL) 、 露光処理前や露光処理後さらには現 像処理後にウェハ Wに対して加熱処理を行なう 4つのホットプレートュニット (HP) が下から順に 8段に重ねられている。 なお、 ァライメントュュット （A L I M) の代わりにクーリングユニット (COL) を設け、 クーリングユエット (COL) にァライメント機能を持たせてもよい。
第 4の処 ¾部 G4においても、 オープン型の処理ユニットが多段に重ねられて いる。 すなわち、 クーリングュュット (COL) 、 クーリングプレートを備えた ウェハ搬入出部であるエクステンション .クーリングユニット (EXTCOL) 、 エクステンションユニット (EXT) 、 クーリングユニット (COL) 、 および 2つのホットプレートユニット (HP) 、 レジスト液が塗布されたウェハ Wのプ リベーク処理専用に用いられる 2つのプリべークユニット (PB) が下から順に 8段に重ねられている。
主ウェハ搬送機構 22の背部側に第 5の処理部 G5を設ける場合に、 第 5の処 理部 G5は、 図 2に示すように、 案内レール 25に沿って主ウェハ搬送機構 22 から見て側方へ移動できるように つている。 したがって、 第 5の処理部. G5を 設けた場合でも、 これを案内レール 25に沿ってスライドすることにより空間部 が確保されるので、 主ウェハ搬送機構 22に対して背後からメンテナンス作業を 容易に行なうことができる。
インターフェイス部 12は、 奥行方向 （X方向） については、 処理ステーショ ン 1 1と同じ長さを有している。 図 1および図 2に示すように、 このインターフ エイス部 12の正面部には、 可搬性のピックアップカセット CRと定置型のバッ ファカセット BRが 2段に配置され、 背面部には周辺露光装置 23が配設され、 中央部にはウェハ搬送機構 24が配設されている。 このウェハ搬送機構2 4はゥ ェハ搬送用アーム 24 aを有しており、 このウェハ搬送用アーム 24 aは、 X方 向、 Z方向に移動して両カセット CR， BRおよび周辺露光装置 23にアクセス 可能となっている。
なお、 ウェハ搬送用アーム 24 aは Θ方向に回転可能であり、 処理ステーショ ン 1 1の第 4の処理部 G4に属するエクステンションユニット （EXT) や、 さ らには隣接する露光装置側の図示しないウェハ受け渡し台にもアクセス可能とな つている。
上述したレジスト塗布 ·現像処理システム 1においては、 先ず、 カセットステ ーシヨン 10において、 ウェハ搬送機構 21のウェハ搬送用アーム 21 aがカセ ット載置台 20上の未処理のウェハ Wを収容しているウェハカセット CRにァク セスして 1枚のウェハ Wを取り出し、 第 3の処理部 G 3のェクステンションュニ ット （EXT) に搬送する。
ウェハ Wは、 このエクステンションユエット (EXT) から、 主ウェハ搬送機 構 22のウェハ搬送装置 46により、 処理ステーション 1 1に搬入される。 そし て、 第 3の処理部 G3のァライメントユニット （AL IM) によりァライメント された後、 アドヒージョン処理ユニット （AD) に搬送され、 そこでレジストの 定着性を高めるための疎水化処理 （HMDS処理） が施される。 この処理は加熱 を伴うため、 その後ウェハ Wは、 ウェハ搬送装置 46により、 クーリングュニッ ト （COL) に搬送されて冷却される。
アドヒージョン処理ユニット （AD) での処理が終了してクーリングユニット (COL) で冷却されたウェハ W、 またはアドヒージョン処理ユニット （AD) での処理を行わないウェハ Wは、 引き続き、 ウェハ搬送装置 46によりレジスト 塗布処理ュ ット （COT) に搬送され、 そこでレジストが塗布され、 塗布膜が 形成される。 塗布処理終了後、 ウェハ Wは、 第 4の処理部 G4のプリべ一クュニ ット （PB) 内でプリベータ処理され、 その後いずれかのクーリングユニット (COL) にて冷却される。 なお、 プリべークユニット （PB) におけるウェハ Wの処理形態については、 後に詳細に説明する。
冷却されたウェハ Wは、 第 3の処理部 G3のァライメントユニット （AL I M) に搬送され、 そこでァライメントされた後、 第 4の処理部 G4のェクステン シヨンユニット （EXT) を介してインターフェイス部 12に搬送される。
ウェハ Wは、 インターフェイス部 12において周辺露光装置 23により周辺露 光されて余分なレジストが除去された後、 インターフェイス部 12に隣接して設 けられた図示しない露光装置に搬送され、 そこで所定のパターンにしたがってゥ ェハ Wのレジスト膜に露光処理が施される。
露光後のウェハ Wは、 再びインターフェイス部 12に戻され、 ウェハ搬送機構 24により、 第 4の処理部 G4に属するエクステンションユニット （EXT) に 搬送される。 そして、 ウェハ Wは、 ウェハ搬送装置 46により、 いずれかのホッ トプレニトユニット （HP) に搬送されて、 ポストェクスポージャーべーク処理 が施され、 次いで、 クーリングユニット (COL) により冷却される。
その後、 ウェハ Wは現像ュュット （DEV) に搬送され、 そこで露光パターン の現像が行われる。 現像終了後、 ウェハ Wはいずれかのホットプレートユニット (HP) に搬送されてボストベーク処理が施され、 次いで、 クーリングユニット (COL) により冷却される。 このような一連の処理が終了した後、 第 3の処理 部 G3のエクステンションユニット (EXT) を介してカセットステーション 1 0に戻され、 いずれかのウェハカセット CRに収容される。
次に、 本発明のプリべ一クュュットの実施形態について詳細に説明する。 図 4 は、 本発明の一実施形態としてのプリべークュニット PB 1を示す断面図である。 このプリべークュュット PB 1'は、 ウェハ Wを載置する载置プレート 34と、 上 部容器 30 aと下部容器 30 bからなるチャンバ 30と、 ウェハ Wを昇降させる リフトピン 36とを有している。 上部容器 30 aには、 ウェハ Wに形成されたレ ジスト膜を加熱する多孔質素材からなるホットプレート 31と、 ホットプレート 31から均一な排気が行われるように排気されるガスの流れを調整する排気調整 プレート 32とが設けられている。
下部容器 30 bは固定されており、 載置プレート 34は下部容器 30 bに固定 されている。 また、 上部容器 30 aは図示しない昇降機構により昇降自在となつ ている。 上部容器 30 aを降下させた状態では、 シール部材 37により上部容器 30 aと下部容器 30 bが密着して処理室 40が形成される。 ウェハ Wが载置プ レート 34に載置された状態で処理室 40が形成されると、 ウェハ Wの表面から 所定の高さ位置にホットプレート 31が配置される。 こうして、 ホットプレート 31によるレジスト膜の直接加熱処理を行なうことができる。 ホットプレート 3 1としては、 例えば、 ヒータを内蔵した多孔質セラミックス 製で、 ガス透過性を有するものが用いられる。 上部容器 3 0 aの上面中央には排 気口 3 3が設けられており、 排気口 3 3からの排気動作を行なうと、 上部容器 3 0 aの內部が減圧され、 さらにホットプレート 3 1がガス透過性を有するために 処理室 4 0も減圧される。 排気調整プレート 3 2は、 排気口 3 3が上部容器 3 0 aの上面中央部に設けられているためにホットプレート 3 1の中央部から多くの ガスが排気され易くなるのを抑制する役割を果たす。
例えば、 排気調整プレート 3 2には複数の孔部 3 2 aが設けられているが、 た とえば図 6 Aに示すように、 この孔部 3 2 aを排気調整プレート 3 2の中央部で は少なく形成し、 周縁部では多く形成することで、 ホットプレート 3 1全体で均 —にガスが透過するようになる。 また、 たとえば図 6 Bに示すように、 この孔部 3 2 aの直径を中央部では短くし、 周縁部では長くすることによつても同様の効 果を得ることが可能である。
リフトピン 3 6は図示しない昇降機構により昇降自在となっており、 載置プレ ート 3 4にはリフトピン 3 6が貫通することができる孔部が設けられている。 リ フトピン 3 6は、 上部容器 3 0 aを上昇させて下部容器 3 0 bの上面が開いた状 態で、 保持アーム 4 8との間でウェハ Wの受け渡しを行なう。
このような構成を有するプリべークユニット P B 1においては、 先ず、 上部容 器 3 0 aを上方に退避させて下部容器 3 0 bの上面を開口させた状態において、 ウェハ Wを保持した保持アーム 4 8を载置プレート 3 4の上方に進入させ、 次に リフ トピン 3 6を上昇させると、 ウェハ Wは保持アーム 4 8からリフトピン 3 6 に受け渡される。 ウェハ Wが保持アーム 4 8から離れた後に保持アーム 4 8を退 出させ、 次いでリフトピン 3 6を降下させると、 ウェハ Wは载置プレート 3 4の 表面に設けられたプロキシミティピン 3 5に保持されるようにして、 リフトピン 3 6力 ら載置プレート 3 4へと受け渡される。
次に、 上部容器 3 0 aを降下させて処理室 4 0を形成する。 こうしてウェハ W の表面から所定の高さ位置にホットプレート 3 1が配置され、 ホットプレート 3 1によるレジスト膜の直接加熱処理が行われる。 従来は図 1 0に示されるように、 ホットプレート 1 0 3にウェハ Wを载置し、 ウェハ Wを加熱することによってゥ ェハ Wに形成されたレジスト膜を加熱していたために、 ウェハ Wの温度分布がレ ジスト膜に転写されて C D均一性が低下するといつた問題があつたが、 プリべ一 クユニット P B ]_では直接にレジスト膜を加熱するために、 レジスト膜の温度均 一性を高めて、 C D均一性を高めることが可能である。
ホットプレート 3 1によるレジスト膜の加熱を開始すると同時に、 排気口 3 3 力^の排気動作を開始する。 排気口 3 3からの排気が開始されると、 上部容器 3 0 aの内部が減圧され、 さら.にホットプレート 3 1自体がガス透過性を有するこ とから処理室 4 0も減圧される。 一方、 ホットプレート 3 1によって加熱された レジスト膜からは溶剤が蒸発または昇華してガスが発生する。 このために処理室 4 0が減圧雰囲気になると、 レジスト膜から蒸発するガスはホットプレート 3 1 を透過して排気口 3 3から排気される。
ホットプレート 3 1全体からほぼ均一にガスを透過させることができる状態で は、 レジスト膜から蒸発するガスは、 処理室 4 0内において水平方向に大きく流 れるような気流を発生させることなく、 レジスト膜からほぼ真上に引かれるよう な気流を生ずる。 これにより気流の発生によるレジスト膜厚の変化を抑制するこ とができ、 しかも、 レジスト臭からのガスの蒸発を均一に行なうことが可能とな るために、 レジスト膜の膜質を均一化させることができる。 これにより C D均一 性を向上させ、 パターン側面の平滑化を促進することができる。
なお、 排気口 3 3からの排気を行なうことで処理室 4 0が減圧雰囲気に保持さ れるが、 この減圧の程度は、 レジスト膜から発生するガスはレジスト膜を加熱す ることによつて発生するものが主であって、 処理室 4 0が減圧されて蒸気圧が下 がることによって発生するものが多くならない程度に、 弱くすることが好ましく、 また、 排気口 3 3からの排気は排気開始時から穏やかに行なうことが好ましい。 これは、 排気口 3 3からの排気を強く行なって処理室 4 0を高い減圧雰囲気に保 持すると、 排気の初期段階での気流の乱れによってレジスト膜厚に分布の生ずる おそれ等があるためである。
なお、 レジスト膜から蒸発するガス、 例えば昇華物が排気口 3 3から排気され た後に配管内で冷えて固化し、 配管内に付着するのを防止するために、 排気口 3 3近傍に昇華物を冷却して固化させる機構を設けてもよい。 ウェハ Wの所定時間の処理が終了したら、 排気口 3 3からの排気動作を停止し •た後に上部容器 3 0 aを上昇させ、 先に保持アーム 4 8からプリべークュエツト P B 1にウェハ Wを搬入した手順とは逆の順序でウェハ Wをプリべークュエツト P B 1から搬出する。 ウェハ Wはその後にァライメントユニット （A L I M) 等 を経て露光 ¾置へと搬送される。
次に、 本発明のプリべークユニットの他のの実施形態について説明する。 図 5 は他の実施形態のプリベータユニット P B 2の概略断面図である。 プリべークュ ニット P B 2が図 4に示したプリベータュニット P B 1と異なる点は、 ホットプ レート 3 8の構造のみであるので、 以下、 ホットプレート 3 8について説明する。 ホットプレート 3 8には上下方向にホットプレート 3 8を貫通するように複数の 貫通孔 3 8 aが形成されており、 この貫通孔 3 8 aがレジスト膜から蒸発するガ スの通路となっている。
排気調整プレート 3 2を設けた場合には、 貫通孔 3 8 aは、 例えば、 隣接する 貫通孔 3 8 aどうしの距離が同じとなるように設けることができる。 これは、 各 貫通孔 3 8 aを通るガスの量は、 排気調整プレート 3 2によって調整されるから である。 一方、 貫通孔 3 8 aはホットプレート 3 8の中央部で少なく形成し、 周 縁部で多く形成することで、 排気調整プレート 3 2を設けずにホットプレート 3 8全体で均一に処理室 4 0からガスを排気口 3 3へと透過させることができる。 図 7 A, 7 Bはプリべークユニットのさらに他の実施形態 （ 「プリべ一クュニ ット P B 3」 とする） を示す概略断面図であり、 図 7 Aにはプリべークユニット P B 3におけるウェハ Wの搬入出時の状態が示されており、 図 7 Bにはレジスト 膜の加熱処理時の状態が示されている。 プリベータユニット P B 3は、 固定され た上部容器 5 1 aと昇降可能な下部容器 5 1 bとからなるチャンバ 5 1と、 上部 容器 5 1 aに固定されたホットプレート 5 3と、 下部容器 5 1 bに固定された支 持ピン 5 5と、 下部容器 5 1 bの底壁を貫通するように保持台 5 7に固定して設 けられたウェハ受渡ピン 5 6とを有している。
下部容器 5 1 bは保持部材 6 0に連結され、 保持部材 6 0は鉛直方向に延在す るガイド 5 9と嚙み合わされるとともに、 ェアーシリンダ等を内蔵する昇降装置 6 1に取り付けられている。 図 7 Aに示すように、 下部容器 5 1 bを降下させて 保持した状態では、 ウェハ Wを保持した保持アーム 4 8 (図 7 A， 7 Bには図示 せず） をチャンバ 5 1内に進入させて、 下部容器 5 1 bから突出しているウェハ 受渡ピン 5 6へウェハ Wを受け渡すことができる。 このような構成とすることに より、 動力源は下部容器 5 1 bを昇降させる昇降装置 6 1だけを設ければよく、 ウェハ受渡ピン 5 6よび支持ピン 5 5の動力源を不用とすることができる。
図 7 Bに示すように、 昇降装置 6 1を動作させて下部容器 5 1 bを上昇させる と、 下部容器 5 1 bと上部容器 5 1 aとがシール部材 5 8を介して密着し、 処理 室 7 0が形成される。 また、 下部容器 5 1 bを上昇させる途中で、 ウェハ受渡ピ ン 5 6に保持されていたウェハ Wは支持ピン 5 5に受け渡しされて、 ホットプレ ート 5 3と所定距離を隔てて保持される。 なお、 ホットプレート 5 3の下面にホ ットプレート 5 3とウェハ Wとの距離を一定とするためのプロキシミティピン 5 4を設けて、 このプロキシミティピン 5 4にウェハ Wが当接する位置で下部容器 5 1 bを保持するようにすることが好ましい。 この場合には、 シール部材 5 8は、 変形できる長さ範囲に幅を有するものを用いることが好ましい。 また、 'プロキシ ミティピン 5 4にウェハ Wが当接する際のウェハ Wへの衝撃を軽減するために、 支持ピン 5 5に伸縮自在な機構、 例えば、 スプリングを支持ピン 5 5の下部に設 けてもよい。'
上部容器 5 1 aの上壁には排気口 5 2が設けられており、 処理室 7 0内の排気 を行なうことができるようになつている。 また、 ホットプレート 5 3と上部容器 5 1 aの側壁の内面との間には間隙部 5 3 aが形成されている。 ホットプレート 5 3によって直接に加熱されるレジスト膜から蒸発等するガスは、 ホットプレー ト 5 3.とウェハ Wとの間隙から間隙部 5 3 aを抜けて排気口 5 2から排気される。 図 4を参照しながら説明したプリべークュニット P B 1と同様に、 排気口 5 2 力 らの排気の強さは、 レジスト膜を加熱することによって蒸発等するガスが排気 される程度とする。 これによりホットプレート 5 3とウェハ Wの間の空間で水平 方向の強い気流が発生することを抑制して、 レジスト膜に厚みムラが生ずること を防止することができるとともに、 レジスト膜の膜質を均一化することが可能で あ O o
次に、 図 4および図 7 A, 7 Bに基づいて説明したそれぞれの実施の形態の変 形例を、 図 8 A， 8 Bを参照して説明する。
図 8 A, 8 Bのそれぞれに示したプリべークユニット P B 4 , P B 5が図 4に 示したプリべークュニット P B 1と異なるのは、 下部容器 5 1 bの底部左右両端 近傍に空気供給配管 4 3 , 6 3を配設した点である。 この空気供給配管 4 3 , 6 3を配設させるのは、 チャンバ 3 0， 5 1内の過剰な減圧によってウェハ Wが加 熱され難くなることを防止するために、 空気を供給する必要が生じる場合がある からである。
また、 この空気供給配管 4 3 , 6 3から供給する空気に、 ほぼ飽和蒸気圧でレ ジストの溶剤の蒸気を含ませることにより、 次のような効果が得られる。
レジスト膜を形成した基板のプリべーク処理において、 レジストの溶剤の蒸発 が急激に進行すると、 基板の主表面内においてレジスト膜の熱による変化に起因 して、 膜厚のばらつきなどの膜質の不均一が生じやすくなる。 それに対して、 チ ヤンバ内にほぼ飽和蒸気圧でレジストの溶剤の蒸気を含むことにより、 プリべ一 ク処理におけるレジスト膜からの溶刻の蒸発が抑制され、 より遅い速度で蒸発が 進行することになる。 その結果、 レジスト膜の膜質の均一性などをさらに向上さ せることができる。
次に、 本発明のさらに他の実施形態のプリベータユニット P B 6について， 図 9 A, 9 Bを参照して説明する。
図 9 Aに示すプリべークュニット P B 6が図 4に示したプリベータュ-ット P B 1と異なる点は、 図 4におけるホットプレート 3 1に代えて、 多孔質セラミツ クスなどの多孔質素材によって構成され、 かつ、 上下に貫通する複数の縦孔 8 0 cを有するホットプレート 8 0を設けるともに、 上部容器 3 0 aの側部に、 ホッ トプレート 8 0を介してチャンバ 3 0内の基板 Wにエアを供給するエア供給管 8 1を配設した点である。
ホットプレート 8 0は円板状に形成され、 その軸線 （上面と下面とを結ぶ軸 線） に平行に、 直線状の縦孔 8 0 cが形成されている。 この縦孔 8 0 cは、 ホッ トプレート 8 0の径方向及ぴ周方向に複数形成されている。
また、 ホットプレート 8 0上面および縦孔 8 0 cの内壁に形成されたガスバリ ァ層 8 0 dは、 耐熱性及ぴ耐汚性の樹脂であるフッ素系樹脂、 例えばテフロン (登録商標） によって構成され、 その厚さは 1 0 μ πι以上に形成されている。 このガスバリア層 8 0 dによって、 ホットプレート 8 0には 2つのガス流通路 が形成される。 すなわち、 供給を行う連通孔と排気を行う縦孔の 2つのガス流通 路が形成される。 また、 ガスバリア層 8 0 dがフッ素系樹脂によって形成されて いるため、 良好なガスバリア性を確保できると共に、 ウェハ等を汚染することも ない。
先ず、 基板処理が開始される前に供給管 8 1からのエアの供給が開始され、 こ れと同時に排気口 3 3からの排気が開始される。 これにより、 チャンバ 3 0内が パージされ始める。 また、 ホットプレート 8 0によって、 基板 Wの加熱が開始さ れ、 ウェハ W 所定の加熱温度で所定時間加熱される。
このとき、 エア供給管 8 1から供給されるエアはホットプレート 8 0の側壁か ら導入され、 このエアはホットプレート 8 0に形成された連通孔内をウェハ Wの 中央部方向に流れ、 ホットプレート 8 0の下面から放出される。 この連通孔を流 れるエアは、 ガスバリア層 8 0 dが开$成されているため、 ホットプレート 8 0の 上面および縦孔 8 0 cの内壁から漏れ出すことはない。
また、 ホットプレート 8 0の下面から放出されたエアは、 ウェハ Wの処理面に 供給される。 一方、 排気は縦孔 8 0 c、 整流板 3 2および排気口 3 3を流れて、 外部に排出される。
以上のように、 ウェハ Wの処理面に対して、 微小領域毎にエアの置換をなすこ とができ、 各領域のレジスト液中の溶剤を均一に蒸発させることができる。 この ように、 乾燥させる際の気流を制御することにより、 均一なレジスト膜厚を得る ことができる。
この実施の形態においても、 エア供給管 8 1から供給するエアに、 レジスト液 の溶剤を気化させてほぼ飽和蒸気圧で含ませることにより、 上述したような作用 によって、 レジスト膜の膜質の均一性向上の効果を高めることができる。
なお、 上記実施形態では、 ホットプレート 8 0の側壁にエア供給管 8 1からェ ァを導入し、 縦孔 8 0 cから排気するように構成されているが、 図 9 Cに示すよ うに、 上部容器 3 0 aの上部に設けたエア供給口 3 9を介してホットプレート 8 0の上面側からエアを導入してもよい。 この場合には、 縦孔 8 0 cを通過したェ ァが、 ホットプレート 8 0の下面からホットプレート 8 0内に入り、 上部容器 3 0 aの側壁に設けた排気管 8 2から排出される。
また、 上記実施形態において、 縦孔 8 0 cとして直線状の孔を示したが、 図 9 Bに示すように、 ホットプレート 8 0の上面 8 0 aおよぴ下面 8 0 bにおける開 口部の直径が、 縦孔 8 0 cの直径より大きく、 かつ開口部と縦孔 8 0 cとの間に テーパ面 8 0 c 1を形成するのが好ましい。
このようにテーパ面が形成されることにより、 エアの供給、 排気を滑らかに行う ことができる。
以上、 本発明の実施の形態について説明してきたが、 本発明は上記実施の形態 に限定されるものではない。 例えば、 図 7 A， 7 Bに示したプリべークユニット P B 3においては、 間隙部 5 3 aを設けることなく、 ホットプレート 5 3に代え て、 図 4に示したガス透過性を有する多孔質素材からなるホットプレート 3 1ま たは図 5に示した貫通孔 3 8 aの形成されたホットプレート 3 8を用いることが 可能である。
チャンバを構成する上部容器の上面中央に排気口が形成されている場合におい て多孔質素材からなるホットプレートを用いる場合には、 ホットプレートとして、 中央部の気孔率が周縁部の気孔率に対して小さくなつているもの、 つまり、 中央 部のガス透過能力が周縁部のガス透過能力よりも小さいものを用いると、 排気調 整プレート 3 2を設けなくとも、 ホットプレート全体で均一にガスを透過させる ことができる。 図 4および図 5に示したプリべークュュット P B 1 , P B 2では、 載置プレート 3 4上にウェハ Wを保持したが、 図 7 A， 7 Bに示すプリべークュ ニット P B 3のように、 支持ピン 5 5によってウェハ Wを保持しても構わない。 さらに上記実施の形態では、 レジスト膜のプリべ一ク処.理を行なうプリべーク ュニットに本発明の熱処理装置および熱処理方法を適用した場合について説明し たが、 本発明は、 露光処理後のポストェクスポージャーべーク処理や現像処理後 のポストべーク処理を行なうホットプレートユニット （H P ) にも適用すること が可能である。 また、 塗布膜の種類はレジスト膜に限定されるものではなく、 層 間絶縁膜や保護膜を形成する装置および方法に本発明を適用することができる。 上記実施の形態では基板として半導体ウェハを取り上げたが、 液晶ディスプレイ ( L C D) 基板等の他の基板のフォトリソグラフィ一工程にも、 本発明の熱処理 装置および熱処理方法を適用することができる。 産業上の利用可能性
上述の通り、 本発明によれば、 基板に形成された塗布膜を上部から直接に加熱 して、 塗布膜から塗布膜に含まれるガス等を均一に蒸発させて排気す.ることが可 能である。 また、 基板を加熱することで間接的に塗布膜を加熱させる方法と比較 して、 基板の温度ムラが塗布膜に転写され難くなる。 これにより塗布膜の膜質の 均一性を向上させ、 C D均一性を向上させることが可能となるという顕著な効果 が得られる。 また、 塗布膜の膜質の均一性を高めることによって、 L E R特性を 改善して滑らかな側面を有するパターン側面を得ることが可能となるという効果 ち得られる。

Claims

請求の範囲
1 . 表面に塗布膜の形成されだ基板 （W) を熱処理する熱処理装置であって、 前記基板を略水平に保持する保持部材 （5 5 ) と、
前記保持部材に保持された基板を収容するチャンバ （5 1 ) と、
前記基板に形成された塗布膜を直接に加熱できるように前記チャンバ内におい て前記保持部材に保持された基板の上方に配置されるホットプレート （5 3 ) と、 前記チャンバの上面に設けられ、 前記チャンバの内部の排気を行なう排気口 ( 5 2 ) とを備え、
前記ホットプレートの端面と前記チャンバの内壁面との間には、 所定幅の間隙 部 （5 3 a ) が設けられ、
前記排気口から前記チャンバ内の排気を行なうことによって前記チャンバ内は 所定の減圧雰囲気に保持され、
前記塗布膜が前記ホットプレートによって加熱された際に前記塗布膜から発生 するガスは前記間隙部を通った後に前記チャンバ外へ排出される、 熱処理装置。
2 . 前記塗布膜が、 レジス ト液が基板 （W) 上に塗布されて形成されたレジス ト 膜である、 特許請求の範囲第 1項記載の熱処理装置。
3 . 表面に塗布膜の形成された基板 （W) を熱処理する熱処理装置であって、 前記基板を略水平に保持する保持部材 （3 4 ) と、
前記保持部材に保持された基板を収容するチャンバ （3 0 ) と、
ガス透過性を有し、 前記基板に形成された塗布膜を直接に加熱できるように前 記チャンバ内において前記保持部材に保持された基板の上方に配置されるホット プレート （3 1 ) と、
前記チヤンバの上面に設けられて前記チヤンバの内部の排気を行なう排気口 ( 3 3 ) とを備え、
前記塗布膜が前記ホットプレートによって加熱された際に前記塗布膜から発生 するガスは前記ホットプレートを透過した後に前記チャンバ外へ排出される、 熱
4 . 前記塗布膜が、 レジス ト液が基板 （W) 上に塗布されて形成されたレジス ト 膜である、 請求の範囲第 3項記載の熱処理装置。
5. 前記ホットプレート （31) には上下方向に前記ホットプレートを貫通する 複数の貫通孔 （38 a) が設けられている、 請求の範囲第 3項または第 4項記載 の熱処理装置。
6. 前記ホットプレート （31) は、 通気性を有する多孔質素材からなる、 請求 の範囲第 3項または第 4項記載の熱処理装置。
7. 前記ホットプレート （31) の全面で均一に前記ガスの透過が起こるように、 所定位置に孔部 （32 a) が設けられた排気調節板 （32) が前記ホットプレー トと前記チャンバ （30) の上面との間に設けられた、 請求の範囲第 3項または 第 4項記載の熱処理装置。
8. 前記チャンバ （30， 51) は、 固定された上部容器 （30 a， 51 a) と 昇降自在な下部容器 （30 b, 51 b) とを有し、 '
前記保持部材 （34， 55) は前記下部容器に固定され、 かつ、 前記排気口 (33, 52) は前記上部容器に設けられ、
前記基板 （W) を支持可能であり、 前記下部容器を上昇させた際に支持してい た基板を前記保持部材に受け渡し、 前記下部容器を降下させた際に前記保持部材 から基板を受け取るように前記下部容器の底壁を貫通して設けられた基板受渡部 材をさらに備えた、 請求の範囲第 1項または第 3項記載の熱処理装置。
9. 前記チャンバ （30， 51) 内にエアを供給する手段をさらに備えた、 特許 請求の範囲第 1項または第 3項記載の熱処理装置。
10. 前記塗布膜が、 レジスト液が基板 (W) 上に塗布されて形成されたレジス ト膜であって、 前記前記チャンバ （30, 5 1) 内にエアを供給する手段が、 ェ ァ内にレジストの溶剤の蒸気を略飽和蒸気圧で含ませる手段を有する、 特許請求 の範囲第 9項記載の熱処理装置。
1 1. 基板 （W) にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する第 1工程と、 レジスト膜が形成された前記基板を密閉されたチャンバ （30) 内に保持する 第 2工程と、
レジスト膜が形成された前記基板の上方の所定位置にガス透過性を有するホッ トプレート （31) を配置して、 このホットプレートよって前記レジスト膜を加 熱処理しながら、 前記レジスト膜から蒸発するガスが前記ホットプレートを通し て排気されるように前記チャンバ内の排気を行なう第 3工程とを備える、 熱処理 方法。
1 2. 基板 （W) にレジス ト液を塗布してレジス ト膜を形成する第 1工程と、 レジスト膜が形成された前記基板を密閉されたチャンバ （51) 内に保持する 第 2工程と、
レジスト膜が形成された前記基板の上方の所定位置にホットプレート （53) を配置し、 このホットプレートによって前記レジスト膜を加熱処理しながら、 前 記チャンバ内の排気を行って前記チャンバ内を所定の減圧雰囲気に保持すること により、 前記レジスト膜から蒸発するガスを前記チャンバから排気する第 3工程 とを備える、 熱処理方法。
1 3. 前記チャンバ （30， 51) 内にエアを供給する工程をさらに備える、 特 許請求の範囲第 1 1項または第 1 2項記載の熱処理方法。 ·
14. 前記前記チャンバ （30, 51) 内に、 レジストの溶剤の蒸気を略飽和蒸 気圧で含むエアを供給する工程をさらに備える、 特許請求の範囲第 1 1項または 第 12項記載の熱処理方法。
PCT/JP2002/010968 2001-10-25 2002-10-22 Materiel de traitement thermique et procede de traitement thermique WO2003036694A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/491,432 US7050710B2 (en) 2001-10-25 2002-10-22 Thermal treatment equipment and thermal treatment method
KR1020047005593A KR100919069B1 (ko) 2001-10-25 2002-10-22 열처리장치 및 열처리방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-327194 2001-10-25
JP2001327194A JP3989221B2 (ja) 2001-10-25 2001-10-25 熱処理装置および熱処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003036694A1 true WO2003036694A1 (fr) 2003-05-01

Family

ID=19143462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/010968 WO2003036694A1 (fr) 2001-10-25 2002-10-22 Materiel de traitement thermique et procede de traitement thermique

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7050710B2 (ja)
JP (1) JP3989221B2 (ja)
KR (1) KR100919069B1 (ja)
CN (1) CN1319122C (ja)
TW (1) TW561511B (ja)
WO (1) WO2003036694A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4694150B2 (ja) * 2003-06-20 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理システム
FR2877545B1 (fr) * 2004-11-10 2007-01-12 Seb Sa Gaufrier permettant un meilleur remplissage du sous-ensemble superieur de cuisson
US20070000441A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Scalable uniform thermal plate
JP4901323B2 (ja) * 2006-06-20 2012-03-21 東京応化工業株式会社 基板処理装置
JP4542577B2 (ja) * 2007-09-19 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
JP5003773B2 (ja) * 2010-02-15 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
CN102269940A (zh) * 2010-06-04 2011-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光刻胶烘焙装置
KR20120030646A (ko) * 2010-09-20 2012-03-29 이병칠 프록시미티 어드헤시브를 구비하는 엘씨디(ｌｃｄ) 글라스 기판용 오븐챔버
CN102707586B (zh) * 2012-05-21 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种前烘设备及其排气方法
CN102863147B (zh) * 2012-09-26 2014-10-29 深圳市华星光电技术有限公司 对基板进行烤焙处理的装置及方法
KR102315662B1 (ko) * 2014-08-04 2021-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6406192B2 (ja) * 2014-12-10 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
CN106556973A (zh) * 2015-09-28 2017-04-05 无锡华润上华科技有限公司 光刻方法
KR102373977B1 (ko) 2015-10-05 2022-03-15 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR101941097B1 (ko) * 2015-11-24 2019-01-23 주식회사 원익테라세미콘 가스 공급 및 배기 장치
JP6781031B2 (ja) * 2016-12-08 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び熱処理装置
KR102444878B1 (ko) * 2017-07-04 2022-09-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN108759360A (zh) * 2018-06-20 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 蒸发辅助装置和干燥设备
JP7208813B2 (ja) * 2019-02-08 2023-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US11067897B1 (en) * 2020-05-22 2021-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist baking apparatus with cover plate having uneven exhaust hole distribution
KR102570523B1 (ko) 2021-06-11 2023-08-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN115502067B (zh) * 2022-10-25 2023-09-26 长鑫存储技术有限公司 加热装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316138A (ja) * 1996-04-19 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd レジスト処理装置
US5817178A (en) * 1995-05-30 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for baking photoresist applied on substrate
JP2001274051A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0155545B1 (ko) * 1988-06-27 1998-12-01 고다까 토시오 기판의 열처리 장치
KR100236202B1 (ko) * 1995-05-30 1999-12-15 가나타 가오루 기판베이킹장치 및 기판베이킹방법(an apparatus for baking a substrate for photo mask and a method thereof)
KR100524204B1 (ko) * 1998-01-07 2006-01-27 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리장치
US6246030B1 (en) * 1998-07-22 2001-06-12 Tokyo Electron Limited Heat processing method and apparatus
TW535192B (en) * 1999-11-16 2003-06-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing unit and processing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5817178A (en) * 1995-05-30 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for baking photoresist applied on substrate
JPH08316138A (ja) * 1996-04-19 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd レジスト処理装置
JP2001274051A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1319122C (zh) 2007-05-30
JP2003133197A (ja) 2003-05-09
KR20040045839A (ko) 2004-06-02
US20040245237A1 (en) 2004-12-09
JP3989221B2 (ja) 2007-10-10
CN1608309A (zh) 2005-04-20
TW561511B (en) 2003-11-11
KR100919069B1 (ko) 2009-09-28
US7050710B2 (en) 2006-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003036694A1 (fr) Materiel de traitement thermique et procede de traitement thermique
TWI789048B (zh) 基板處理方法、基板處理系統及電腦可讀取記憶媒體
KR101423783B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR100628584B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4853536B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
WO2004109779A1 (ja) 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置
JP5099054B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2004235468A (ja) 熱的処理方法および熱的処理装置
JP4148346B2 (ja) 熱処理装置
JP5173900B2 (ja) レジスト塗布方法
US20080081111A1 (en) Apparatus and method for thermally processing a substrate with a heated liquid
JP2001276715A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP4624936B2 (ja) 基板の処理方法及びプログラム
JP3831310B2 (ja) 処理装置
JP2003156858A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP2003158061A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4043022B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP7158549B2 (ja) 基板処理方法、基板処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4066255B2 (ja) 基板の処理装置及び基板の処理方法
WO2023276723A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2021068718A (ja) 基板処理システム、基板処理装置及び基板処理方法
WO2023032214A1 (ja) 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP2001210584A (ja) シリル化処理装置及びシリル化処理方法
JP3673724B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001237172A (ja) 加熱処理装置および加熱処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR US

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10491432

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020047005593

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20028259831

Country of ref document: CN