JP2003133197A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置および熱処理方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＤ均一性を向上させる熱処理を可能とする
熱処理装置および熱処理方法を提供する。 【解決手段】 本発明の熱処理装置の一実施形態である
プリベークユニット（ＰＢ）は、ウエハＷを略水平に保
持する載置プレート３４と、ウエハＷを収容するチャン
バ３０と、ガス透過性を有し、ウエハＷに形成されたレ
ジスト膜を直接に加熱できるようにチャンバ３０内にお
いてウエハＷの上方に配置されるホットプレート３１
と、チャンバ３０の上面に設けられた排気口３３とを具
備する。レジスト膜がホットプレート３１によって加熱
された際にレジスト膜から発生するガスは水平方向に大
きく流れる気流を生ずることなく、ホットプレート３１
を透過して、その後にチャンバ３０外へ排出される。こ
れにより均一な膜質を有するレジスト膜が得られる。
熱処理装置および熱処理方法を提供する。 【解決手段】 本発明の熱処理装置の一実施形態である
プリベークユニット（ＰＢ）は、ウエハＷを略水平に保
持する載置プレート３４と、ウエハＷを収容するチャン
バ３０と、ガス透過性を有し、ウエハＷに形成されたレ
ジスト膜を直接に加熱できるようにチャンバ３０内にお
いてウエハＷの上方に配置されるホットプレート３１
と、チャンバ３０の上面に設けられた排気口３３とを具
備する。レジスト膜がホットプレート３１によって加熱
された際にレジスト膜から発生するガスは水平方向に大
きく流れる気流を生ずることなく、ホットプレート３１
を透過して、その後にチャンバ３０外へ排出される。こ
れにより均一な膜質を有するレジスト膜が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト膜等の塗
布膜が形成された半導体ウエハ等の基板を加熱処理する
熱処理装置および熱処理方法に関する。
布膜が形成された半導体ウエハ等の基板を加熱処理する
熱処理装置および熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、半導
体ウエハの表面に所定の回路パターンを形成している。
このフォトリソグラフィー工程では、例えば、洗浄処理
された半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布してレジ
スト膜を形成し、所定のパターンでレジスト膜を露光
し、これを現像処理するという一連の処理が行われてい
る。
は、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、半導
体ウエハの表面に所定の回路パターンを形成している。
このフォトリソグラフィー工程では、例えば、洗浄処理
された半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布してレジ
スト膜を形成し、所定のパターンでレジスト膜を露光
し、これを現像処理するという一連の処理が行われてい
る。
【０００３】レジスト膜の形成方法としては、例えば、
半導体ウエハをスピンチャックに固定し、次いで、例え
ば、レジスト液が流れる流路の口径が一定の管体が先端
に設けられたレジスト液吐出ノズルを用いて、ウエハの
表面に所定量のレジスト液を塗布し、スピンチャックを
回転させることでレジスト液をウエハ全体に拡げて所定
の膜厚に調整し、さらにウエハに所定の熱処理（プリベ
ーク処理）を施す方法が挙げられる。
半導体ウエハをスピンチャックに固定し、次いで、例え
ば、レジスト液が流れる流路の口径が一定の管体が先端
に設けられたレジスト液吐出ノズルを用いて、ウエハの
表面に所定量のレジスト液を塗布し、スピンチャックを
回転させることでレジスト液をウエハ全体に拡げて所定
の膜厚に調整し、さらにウエハに所定の熱処理（プリベ
ーク処理）を施す方法が挙げられる。
【０００４】従来、レジスト膜のプリベーク処理は、図
７に示す加熱ユニット１０１を用いて行われている。加
熱ユニット１０１は、チャンバ１０２と、チャンバ１０
２内に設けられたホットプレート１０３と、チャンバ１
０２内に空気を一定量の空気を導入する給気口１０４
と、チャンバ１０２内の空気を一定量排気する排気口１
０５とを有している。このような加熱ユニット１０１に
おいては、ウエハを所定温度に保持されたホットプレー
ト１０３上に載置して加熱し、これと並行して給気口１
０４からチャンバ１０２内に空気を一定量導入しなが
ら、同量を排気口１０５から排気することでレジスト膜
のプリベーク処理が行われている。
７に示す加熱ユニット１０１を用いて行われている。加
熱ユニット１０１は、チャンバ１０２と、チャンバ１０
２内に設けられたホットプレート１０３と、チャンバ１
０２内に空気を一定量の空気を導入する給気口１０４
と、チャンバ１０２内の空気を一定量排気する排気口１
０５とを有している。このような加熱ユニット１０１に
おいては、ウエハを所定温度に保持されたホットプレー
ト１０３上に載置して加熱し、これと並行して給気口１
０４からチャンバ１０２内に空気を一定量導入しなが
ら、同量を排気口１０５から排気することでレジスト膜
のプリベーク処理が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、フォトリソグラ
フィー工程においては、パターンの微細化や細線化が進
むにつれて、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均
一性）が厳しく求められるようになっている。また、こ
れまでは問題となっていなかったレジスト塗布後のプリ
ベーク処理を行う加熱ユニット内の気流による線幅変動
が顕著に現れるレジスト材料が現れ始めている。しかし
ながら、加熱ユニット１０１を用いて空気をチャンバ１
０２内で流しながら行う従来の熱処理方法では、気流に
よってレジスト膜の表面温度が変化することによって、
レジスト液に含まれるポリマー密度や溶媒残留濃度にば
らつきが生ずると考えられるために、このような問題に
対処することができない。
フィー工程においては、パターンの微細化や細線化が進
むにつれて、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均
一性）が厳しく求められるようになっている。また、こ
れまでは問題となっていなかったレジスト塗布後のプリ
ベーク処理を行う加熱ユニット内の気流による線幅変動
が顕著に現れるレジスト材料が現れ始めている。しかし
ながら、加熱ユニット１０１を用いて空気をチャンバ１
０２内で流しながら行う従来の熱処理方法では、気流に
よってレジスト膜の表面温度が変化することによって、
レジスト液に含まれるポリマー密度や溶媒残留濃度にば
らつきが生ずると考えられるために、このような問題に
対処することができない。
【０００６】また、パターンの微細化や細線化が進むに
つれて、パターン側面の荒れ（ＬＥＲ；Line Edge Roug
hness）の制御が重要となってきている。このＬＥＲの
問題を解決する方法としては、レジスト液の組成調整等
が試みられているが、レジスト感度やＣＤ均一性等の他
のレジスト特性との兼ね合いから、十分な成果を上げる
には至っていない。一方、ＬＥＲに対する加熱ユニット
側からのアプローチは行われていない。
つれて、パターン側面の荒れ（ＬＥＲ；Line Edge Roug
hness）の制御が重要となってきている。このＬＥＲの
問題を解決する方法としては、レジスト液の組成調整等
が試みられているが、レジスト感度やＣＤ均一性等の他
のレジスト特性との兼ね合いから、十分な成果を上げる
には至っていない。一方、ＬＥＲに対する加熱ユニット
側からのアプローチは行われていない。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、ＣＤ均一性を向上させる熱処理を可能とする熱
処理装置および熱処理方法を提供することを目的とす
る。また、本発明は良好なＬＥＲ特性を得ることを可能
とする熱処理装置および熱処理方法を提供することを目
的とする。
であり、ＣＤ均一性を向上させる熱処理を可能とする熱
処理装置および熱処理方法を提供することを目的とす
る。また、本発明は良好なＬＥＲ特性を得ることを可能
とする熱処理装置および熱処理方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、表面に塗布膜の形成
された基板を熱処理する熱処理装置であって、前記基板
を略水平に保持する保持部材と、前記保持部材に保持さ
れた基板を収容するチャンバと、前記基板に形成された
塗布膜を直接に加熱できるように前記チャンバ内におい
て前記保持部材に保持された基板の上方に配置されるホ
ットプレートと、前記ホットプレートの端面と前記チャ
ンバの内壁面との間に設けられた所定幅の間隙部と、前
記チャンバの上面に設けられ、前記チャンバの内部の排
気を行う排気口と、を具備し、前記排気口から前記チャ
ンバ内の排気を行うことによって前記チャンバ内は所定
の減圧雰囲気に保持され、前記塗布膜が前記ホットプレ
ートによって加熱された際に前記塗布膜から発生するガ
スは前記間隙部を通った後に前記チャンバ外へ排出され
ることを特徴とする熱処理装置、が提供される。
に、本発明の第１の観点によれば、表面に塗布膜の形成
された基板を熱処理する熱処理装置であって、前記基板
を略水平に保持する保持部材と、前記保持部材に保持さ
れた基板を収容するチャンバと、前記基板に形成された
塗布膜を直接に加熱できるように前記チャンバ内におい
て前記保持部材に保持された基板の上方に配置されるホ
ットプレートと、前記ホットプレートの端面と前記チャ
ンバの内壁面との間に設けられた所定幅の間隙部と、前
記チャンバの上面に設けられ、前記チャンバの内部の排
気を行う排気口と、を具備し、前記排気口から前記チャ
ンバ内の排気を行うことによって前記チャンバ内は所定
の減圧雰囲気に保持され、前記塗布膜が前記ホットプレ
ートによって加熱された際に前記塗布膜から発生するガ
スは前記間隙部を通った後に前記チャンバ外へ排出され
ることを特徴とする熱処理装置、が提供される。
【０００９】本発明の第２の観点によれば、表面に塗布
膜の形成された基板を熱処理する熱処理装置であって、
前記基板を略水平に保持する保持部材と、前記保持部材
に保持された基板を収容するチャンバと、ガス透過性を
有し、前記基板に形成された塗布膜を直接に加熱できる
ように前記チャンバ内において前記保持部材に保持され
た基板の上方に配置されるホットプレートと、前記チャ
ンバの上面に設けられて前記チャンバの内部の排気を行
う排気口と、を具備し、前記塗布膜が前記ホットプレー
トによって加熱された際に前記塗布膜から発生するガス
は前記ホットプレートを透過した後に前記チャンバ外へ
排出されることを特徴とする熱処理装置、が提供され
る。
膜の形成された基板を熱処理する熱処理装置であって、
前記基板を略水平に保持する保持部材と、前記保持部材
に保持された基板を収容するチャンバと、ガス透過性を
有し、前記基板に形成された塗布膜を直接に加熱できる
ように前記チャンバ内において前記保持部材に保持され
た基板の上方に配置されるホットプレートと、前記チャ
ンバの上面に設けられて前記チャンバの内部の排気を行
う排気口と、を具備し、前記塗布膜が前記ホットプレー
トによって加熱された際に前記塗布膜から発生するガス
は前記ホットプレートを透過した後に前記チャンバ外へ
排出されることを特徴とする熱処理装置、が提供され
る。
【００１０】本発明の熱処理装置は特にレジスト膜の加
熱処理に好適に用いられる。このような観点から、本発
明の第３の観点によれば、レジスト液が塗布されてレジ
スト膜が形成された基板を熱処理する熱処理装置であっ
て、前記基板を略水平に保持する保持部材と、前記保持
部材に保持された基板を収容するチャンバと、前記基板
に形成されたレジスト膜を直接に加熱できるように前記
チャンバ内において前記保持部材に保持された基板の上
方に配置されるホットプレートと、前記ホットプレート
の端面と前記チャンバの内壁面との間に設けられた所定
幅の間隙部と、前記チャンバの上面に設けられ、前記チ
ャンバの内部の排気を行う排気口と、を具備し、前記排
気口から前記チャンバ内の排気を行うことによって前記
チャンバ内は所定の減圧雰囲気に保持され、前記レジス
ト膜が前記ホットプレートによって加熱された際に前記
レジスト膜から発生するガスは前記間隙部を通った後に
前記チャンバ外へ排出されることを特徴とする熱処理装
置、が提供される。
熱処理に好適に用いられる。このような観点から、本発
明の第３の観点によれば、レジスト液が塗布されてレジ
スト膜が形成された基板を熱処理する熱処理装置であっ
て、前記基板を略水平に保持する保持部材と、前記保持
部材に保持された基板を収容するチャンバと、前記基板
に形成されたレジスト膜を直接に加熱できるように前記
チャンバ内において前記保持部材に保持された基板の上
方に配置されるホットプレートと、前記ホットプレート
の端面と前記チャンバの内壁面との間に設けられた所定
幅の間隙部と、前記チャンバの上面に設けられ、前記チ
ャンバの内部の排気を行う排気口と、を具備し、前記排
気口から前記チャンバ内の排気を行うことによって前記
チャンバ内は所定の減圧雰囲気に保持され、前記レジス
ト膜が前記ホットプレートによって加熱された際に前記
レジスト膜から発生するガスは前記間隙部を通った後に
前記チャンバ外へ排出されることを特徴とする熱処理装
置、が提供される。
【００１１】本発明の第４の観点によれば、レジスト液
が塗布されてレジスト膜が形成された基板を熱処理する
熱処理装置であって、前記基板を略水平に保持する保持
部材と、前記保持部材に保持された基板を収容するチャ
ンバと、ガス透過性を有し、前記基板に形成されたレジ
スト膜を直接に加熱できるように前記チャンバ内におい
て前記保持部材に保持された基板の上方に配置されるホ
ットプレートと、前記チャンバの上面に設けられて前記
チャンバの内部の排気を行う排気口と、を具備し、前記
レジスト膜が前記ホットプレートによって加熱された際
に前記レジスト膜から発生するガスは前記ホットプレー
トを透過した後に前記チャンバ外へ排出されることを特
徴とする熱処理装置、が提供される。
が塗布されてレジスト膜が形成された基板を熱処理する
熱処理装置であって、前記基板を略水平に保持する保持
部材と、前記保持部材に保持された基板を収容するチャ
ンバと、ガス透過性を有し、前記基板に形成されたレジ
スト膜を直接に加熱できるように前記チャンバ内におい
て前記保持部材に保持された基板の上方に配置されるホ
ットプレートと、前記チャンバの上面に設けられて前記
チャンバの内部の排気を行う排気口と、を具備し、前記
レジスト膜が前記ホットプレートによって加熱された際
に前記レジスト膜から発生するガスは前記ホットプレー
トを透過した後に前記チャンバ外へ排出されることを特
徴とする熱処理装置、が提供される。
【００１２】本発明の第５の観点によれば、基板にレジ
スト液を塗布してレジスト膜を形成する第１工程と、前
記レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内に保持
する第２工程と、前記レジスト膜の形成された基板の上
方の所定位置にガス透過性を有するホットプレートを配
置して前記レジスト膜を加熱処理しながら、前記レジス
ト膜から蒸発するガスが前記ホットプレートを通して排
気されるように前記チャンバ内の排気を行う第３工程
と、を有することを特徴とする熱処理方法、が提供され
る。
スト液を塗布してレジスト膜を形成する第１工程と、前
記レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内に保持
する第２工程と、前記レジスト膜の形成された基板の上
方の所定位置にガス透過性を有するホットプレートを配
置して前記レジスト膜を加熱処理しながら、前記レジス
ト膜から蒸発するガスが前記ホットプレートを通して排
気されるように前記チャンバ内の排気を行う第３工程
と、を有することを特徴とする熱処理方法、が提供され
る。
【００１３】本発明の第６の観点によれば、基板にレジ
スト液を塗布してレジスト膜を形成する第１工程と、前
記レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内に保持
する第２工程と、前記レジスト膜の形成された基板の上
方の所定位置にホットプレートを配置して前記レジスト
膜を加熱処理しながら、前記チャンバ内の排気を行って
前記チャンバ内を所定の減圧雰囲気に保持することによ
って前記レジスト膜から蒸発するガスを前記チャンバか
ら排気する第３工程と、を有することを特徴とする熱処
理方法、が提供される。
スト液を塗布してレジスト膜を形成する第１工程と、前
記レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内に保持
する第２工程と、前記レジスト膜の形成された基板の上
方の所定位置にホットプレートを配置して前記レジスト
膜を加熱処理しながら、前記チャンバ内の排気を行って
前記チャンバ内を所定の減圧雰囲気に保持することによ
って前記レジスト膜から蒸発するガスを前記チャンバか
ら排気する第３工程と、を有することを特徴とする熱処
理方法、が提供される。
【００１４】このような熱処理装置および熱処理方法に
よれば、基板に形成された塗布膜を上部から直接に加熱
して、塗布膜から塗布膜に含まれるガス等を均一に蒸発
させて排気することが可能である。これにより塗布膜の
膜質の均一性が向上し、ＣＤ均一性を向上させることが
できる。また、塗布膜の膜質の均一性を高めることによ
って、ＬＥＲ特性を改善して滑らかな側面を有するパタ
ーン側面を得ることが可能となる。
よれば、基板に形成された塗布膜を上部から直接に加熱
して、塗布膜から塗布膜に含まれるガス等を均一に蒸発
させて排気することが可能である。これにより塗布膜の
膜質の均一性が向上し、ＣＤ均一性を向上させることが
できる。また、塗布膜の膜質の均一性を高めることによ
って、ＬＥＲ特性を改善して滑らかな側面を有するパタ
ーン側面を得ることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、レジ
スト液が塗布された半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う）をプリベーク処理するホットプレートユニットを備
え、レジスト塗布から現像処理までを一貫して行うレジ
スト塗布・現像処理システムを例に挙げて説明すること
とする。
て図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、レジ
スト液が塗布された半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う）をプリベーク処理するホットプレートユニットを備
え、レジスト塗布から現像処理までを一貫して行うレジ
スト塗布・現像処理システムを例に挙げて説明すること
とする。
【００１６】図１は、レジスト塗布・現像処理システム
１を示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背
面図である。レジスト塗布・現像処理システム１は、搬
送ステーションであるカセットステーション１０と、複
数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処
理ステーション１１に隣接して設けられる図示しない露
光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェ
イス部１２と、を具備している。
１を示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背
面図である。レジスト塗布・現像処理システム１は、搬
送ステーションであるカセットステーション１０と、複
数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処
理ステーション１１に隣接して設けられる図示しない露
光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェ
イス部１２と、を具備している。
【００１７】カセットステーション１０は、被処理体と
してのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカ
セットＣＲに搭載された状態で、他のシステムから本レ
ジスト塗布・現像処理システム１へ搬入し、または本レ
ジスト塗布・現像処理システム１から他のシステムへ搬
出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１
との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
してのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカ
セットＣＲに搭載された状態で、他のシステムから本レ
ジスト塗布・現像処理システム１へ搬入し、または本レ
ジスト塗布・現像処理システム１から他のシステムへ搬
出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１
との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
【００１８】カセットステーション１０においては、図
１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ方向に
沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成
されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣ
Ｒがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセット
ＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列さ
れている。また、カセットステーション１０は、カセッ
ト載置台２０と処理ステーション１１との間に位置する
ウエハ搬送機構２１を有している。
１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ方向に
沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成
されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣ
Ｒがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセット
ＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列さ
れている。また、カセットステーション１０は、カセッ
ト載置台２０と処理ステーション１１との間に位置する
ウエハ搬送機構２１を有している。
【００１９】ウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向
（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方
向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２１ａにより、いずれかの
ウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能とな
っている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、図１中
に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述す
る処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ３に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。
（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方
向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２１ａにより、いずれかの
ウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能とな
っている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、図１中
に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述す
る処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ３に属する
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっ
ている。
【００２０】一方、処理ステーション１１は、ウエハＷ
へ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するた
めの複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多
段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ
処理される。この処理ステーション１１は、図１に示す
ように、中心部にウエハ搬送路２２ａを有しており、こ
の中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路
２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成と
なっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理
部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂
直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。
へ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するた
めの複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多
段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ
処理される。この処理ステーション１１は、図１に示す
ように、中心部にウエハ搬送路２２ａを有しており、こ
の中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路
２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成と
なっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理
部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂
直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。
【００２１】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側にウエハ搬送装置４６を上下
方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体
４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能
となっており、それに伴ってウエハ搬送装置４６も一体
的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置４６は、搬
送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持アーム
４８を備え、これらの保持アーム４８によって各処理ユ
ニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
に、筒状支持体４９の内側にウエハ搬送装置４６を上下
方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体
４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能
となっており、それに伴ってウエハ搬送装置４６も一体
的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置４６は、搬
送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持アーム
４８を備え、これらの保持アーム４８によって各処理ユ
ニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００２２】図１に示すように、レジスト塗布・現像処
理システム１においては、５個の処理部Ｇ１・Ｇ２・Ｇ
３・Ｇ４・Ｇ５がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配
置されている。これらのうち、第１および第２の処理部
Ｇ１・Ｇ２はレジスト塗布・現像処理システム１の正面
側（図１における手前側）に並列に配置され、第３の処
理部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理部Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接
して配置されている。また、第５の処理部Ｇ５は背面部
に配置されている。
理システム１においては、５個の処理部Ｇ１・Ｇ２・Ｇ
３・Ｇ４・Ｇ５がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配
置されている。これらのうち、第１および第２の処理部
Ｇ１・Ｇ２はレジスト塗布・現像処理システム１の正面
側（図１における手前側）に並列に配置され、第３の処
理部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理部Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接
して配置されている。また、第５の処理部Ｇ５は背面部
に配置されている。
【００２３】第１の処理部Ｇ１では、コータカップ（Ｃ
Ｐ）内でウエハＷを図示しないスピンチャックに乗せて
所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであるレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に
２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ２も同様に、２
台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から
順に２段に重ねられている。
Ｐ）内でウエハＷを図示しないスピンチャックに乗せて
所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであるレ
ジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパ
ターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に
２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ２も同様に、２
台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から
順に２段に重ねられている。
【００２４】第３の処理部Ｇ３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎
水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置
合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエ
ハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
露光処理前や露光処理後さらには現像処理後にウエハＷ
に対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット
（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリング
ユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にアライメント機能を持たせてもよい。
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎
水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置
合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエ
ハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
露光処理前や露光処理後さらには現像処理後にウエハＷ
に対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット
（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリング
ユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００２５】第４の処理部Ｇ４においても、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
２つのホットプレートユニット（ＨＰ）、レジスト液が
塗布されたウエハＷのプリベーク処理専用に用いられる
２つのプリベークユニット（ＰＢ）が下から順に８段に
重ねられている。
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
２つのホットプレートユニット（ＨＰ）、レジスト液が
塗布されたウエハＷのプリベーク処理専用に用いられる
２つのプリベークユニット（ＰＢ）が下から順に８段に
重ねられている。
【００２６】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理部Ｇ５を設ける場合に、第５の処理部Ｇ５は、案内レ
ール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ
移動できるようになっている。したがって、第５の処理
部Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿っ
てスライドすることにより空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業
を容易に行うことができる。
理部Ｇ５を設ける場合に、第５の処理部Ｇ５は、案内レ
ール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ
移動できるようになっている。したがって、第５の処理
部Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿っ
てスライドすることにより空間部が確保されるので、主
ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業
を容易に行うことができる。
【００２７】インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ
方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを
有している。図１、図２に示すように、このインターフ
ェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセ
ットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部
にはウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ
搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ・ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセス可能となっている。
方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを
有している。図１、図２に示すように、このインターフ
ェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセ
ットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部
にはウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ
搬送機構２４はウエハ搬送用アーム２４ａを有してお
り、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ・ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセス可能となっている。
【００２８】なお、ウエハ搬送用アーム２４ａはθ方向
に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理
部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
や、さらには隣接する露光装置側の図示しないウエハ受
け渡し台にもアクセス可能となっている。
に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理
部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）
や、さらには隣接する露光装置側の図示しないウエハ受
け渡し台にもアクセス可能となっている。
【００２９】上述したレジスト塗布・現像処理システム
１においては、先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを
取り出し、第３の処理部Ｇ３のエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）に搬送する。
１においては、先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
カセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容してい
るウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを
取り出し、第３の処理部Ｇ３のエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）に搬送する。
【００３０】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。
【００３１】アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）での
処理が終了してクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却さ
れたウエハＷ、またはアドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）での処理を行わないウエハＷは、引き続き、ウエハ
搬送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が
形成される。塗布処理終了後、ウエハＷは、第４の処理
部Ｇ４のプリベークユニット（ＰＢ）内でプリベーク処
理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にて冷却される。なお、プリベークユニット（Ｐ
Ｂ）におけるウエハＷの処理形態については、後に詳細
に説明する。
処理が終了してクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却さ
れたウエハＷ、またはアドヒージョン処理ユニット（Ａ
Ｄ）での処理を行わないウエハＷは、引き続き、ウエハ
搬送装置４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が
形成される。塗布処理終了後、ウエハＷは、第４の処理
部Ｇ４のプリベークユニット（ＰＢ）内でプリベーク処
理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）にて冷却される。なお、プリベークユニット（Ｐ
Ｂ）におけるウエハＷの処理形態については、後に詳細
に説明する。
【００３２】冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ３
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部Ｇ４のエクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス
部１２に搬送される。
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部Ｇ４のエクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス
部１２に搬送される。
【００３３】ウエハＷは、インターフェイス部１２にお
いて周辺露光装置２３により周辺露光されて余分なレジ
ストが除去された後、インターフェイス部１２に隣接し
て設けられた図示しない露光装置に搬送され、そこで所
定のパターンにしたがってウエハＷのレジスト膜に露光
処理が施される。
いて周辺露光装置２３により周辺露光されて余分なレジ
ストが除去された後、インターフェイス部１２に隣接し
て設けられた図示しない露光装置に搬送され、そこで所
定のパターンにしたがってウエハＷのレジスト膜に露光
処理が施される。
【００３４】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装
置４６により、いずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）に搬送されて、ポストエクスポージャーベーク処理
が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）によ
り冷却される。
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装
置４６により、いずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）に搬送されて、ポストエクスポージャーベーク処理
が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）によ
り冷却される。
【００３５】その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３の処
理部Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエ
ハカセットＣＲに収容される。
Ｖ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３の処
理部Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエ
ハカセットＣＲに収容される。
【００３６】次に、プリベークユニット（ＰＢ）につい
て詳細に説明する。図４はプリベークユニット（ＰＢ）
の一実施形態を示す断面図である。プリベークユニット
（ＰＢ）は、ウエハＷを載置する載置プレート３４と、
上部容器３０ａと下部容器３０ｂからなるチャンバ３０
と、ウエハＷを昇降させるリフトピン３６とを有してお
り、上部容器３０ａには、ウエハＷに形成されたレジス
ト膜を加熱する多孔質素材からなるホットプレート３１
と、ホットプレート３１から均一な排気が行われるよう
に排気されるガスの流れを調整する排気調整プレート３
２とが設けられている。
て詳細に説明する。図４はプリベークユニット（ＰＢ）
の一実施形態を示す断面図である。プリベークユニット
（ＰＢ）は、ウエハＷを載置する載置プレート３４と、
上部容器３０ａと下部容器３０ｂからなるチャンバ３０
と、ウエハＷを昇降させるリフトピン３６とを有してお
り、上部容器３０ａには、ウエハＷに形成されたレジス
ト膜を加熱する多孔質素材からなるホットプレート３１
と、ホットプレート３１から均一な排気が行われるよう
に排気されるガスの流れを調整する排気調整プレート３
２とが設けられている。
【００３７】下部容器３０ｂは固定されており、載置プ
レート３４は下部容器３０ｂに固定されている。また、
上部容器３０ａは図示しない昇降機構により昇降自在と
なっている。上部容器３０ａを降下させた状態では、シ
ール部材３７により上部容器３０ａと下部容器３０ｂが
密着して処理室４０が形成される。ウエハＷが載置プレ
ート３４に載置された状態で処理室４０が形成される
と、ウエハＷの表面から所定の高さ位置にホットプレー
ト３１が配置される。こうして、ホットプレート３１に
よるレジスト膜の直接加熱処理を行うことができる。
レート３４は下部容器３０ｂに固定されている。また、
上部容器３０ａは図示しない昇降機構により昇降自在と
なっている。上部容器３０ａを降下させた状態では、シ
ール部材３７により上部容器３０ａと下部容器３０ｂが
密着して処理室４０が形成される。ウエハＷが載置プレ
ート３４に載置された状態で処理室４０が形成される
と、ウエハＷの表面から所定の高さ位置にホットプレー
ト３１が配置される。こうして、ホットプレート３１に
よるレジスト膜の直接加熱処理を行うことができる。
【００３８】ホットプレート３１としては、例えば、ヒ
ータを内蔵した多孔質セラミックス製で、ガス透過性を
有するものが用いられる。上部容器３０ａの上面中央に
は排気口３３が設けられており、排気口３３からの排気
動作を行うと、上部容器３０ａの内部が減圧され、さら
にホットプレート３１がガス透過性を有するために処理
室４０も減圧される。排気調整プレート３２は、排気口
３３が上部容器３０ａの上面中央部に設けられているた
めにホットプレート３１の中央部から多くのガスが排気
され易くなるのを抑制する役割を果たす。
ータを内蔵した多孔質セラミックス製で、ガス透過性を
有するものが用いられる。上部容器３０ａの上面中央に
は排気口３３が設けられており、排気口３３からの排気
動作を行うと、上部容器３０ａの内部が減圧され、さら
にホットプレート３１がガス透過性を有するために処理
室４０も減圧される。排気調整プレート３２は、排気口
３３が上部容器３０ａの上面中央部に設けられているた
めにホットプレート３１の中央部から多くのガスが排気
され易くなるのを抑制する役割を果たす。
【００３９】例えば、排気調整プレート３２には複数の
孔部３２ａが設けられているが、この孔部３２ａを排気
調整プレート３２の中央部では少なく形成し、周縁部で
は多く形成することで、ホットプレート３１全体で均一
にガスが透過するようになる。また、この孔部３２ａの
直径を中央部では短くし、周縁部では長くすることによ
っても同様の効果を得ることが可能である。
孔部３２ａが設けられているが、この孔部３２ａを排気
調整プレート３２の中央部では少なく形成し、周縁部で
は多く形成することで、ホットプレート３１全体で均一
にガスが透過するようになる。また、この孔部３２ａの
直径を中央部では短くし、周縁部では長くすることによ
っても同様の効果を得ることが可能である。
【００４０】リフトピン３６は図示しない昇降機構によ
り昇降自在となっており、載置プレート３４にはリフト
ピン３６が貫通することができる孔部が設けられてい
る。リフトピン３６は、上部容器３０ａを上昇させて下
部容器３０ｂの上面が開いた状態で、保持アーム４８と
の間でウエハＷの受け渡しを行う。
り昇降自在となっており、載置プレート３４にはリフト
ピン３６が貫通することができる孔部が設けられてい
る。リフトピン３６は、上部容器３０ａを上昇させて下
部容器３０ｂの上面が開いた状態で、保持アーム４８と
の間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００４１】このような構成を有するプリベークユニッ
ト（ＰＢ）においては、先ず、上部容器３０ａを上方に
退避させて下部容器３０ｂの上面を開口させた状態にお
いて、ウエハＷを保持した保持アーム４８を載置プレー
ト３４の上方に進入させ、次にリフトピン３６を上昇さ
せると、ウエハＷは保持アーム４８からリフトピン３６
に受け渡される。ウエハＷが保持アーム４８から離れた
後に保持アーム４８を退出させ、次いでリフトピン３６
を降下させると、ウエハＷは載置プレート３４の表面に
設けられたプロキシミティピン３５に保持されるように
して、リフトピン３６から載置プレート３４へと受け渡
される。
ト（ＰＢ）においては、先ず、上部容器３０ａを上方に
退避させて下部容器３０ｂの上面を開口させた状態にお
いて、ウエハＷを保持した保持アーム４８を載置プレー
ト３４の上方に進入させ、次にリフトピン３６を上昇さ
せると、ウエハＷは保持アーム４８からリフトピン３６
に受け渡される。ウエハＷが保持アーム４８から離れた
後に保持アーム４８を退出させ、次いでリフトピン３６
を降下させると、ウエハＷは載置プレート３４の表面に
設けられたプロキシミティピン３５に保持されるように
して、リフトピン３６から載置プレート３４へと受け渡
される。
【００４２】次に、上部容器３０ａを降下させて処理室
４０を形成する。こうしてウエハＷの表面から所定の高
さ位置にホットプレート３１が配置され、ホットプレー
ト３１によるレジスト膜の直接加熱処理が行われる。従
来は図７に示されるように、ホットプレート１０３にウ
エハＷを載置し、ウエハＷを加熱することによってウエ
ハＷに形成されたレジスト膜を加熱していたために、ウ
エハＷの温度分布がレジスト膜に転写されてＣＤ均一性
が低下するといった問題があったが、プリベークユニッ
ト（ＰＢ）では直接にレジスト膜を加熱するために、レ
ジスト膜の温度均一性を高めて、ＣＤ均一性を高めるこ
とが可能である。
４０を形成する。こうしてウエハＷの表面から所定の高
さ位置にホットプレート３１が配置され、ホットプレー
ト３１によるレジスト膜の直接加熱処理が行われる。従
来は図７に示されるように、ホットプレート１０３にウ
エハＷを載置し、ウエハＷを加熱することによってウエ
ハＷに形成されたレジスト膜を加熱していたために、ウ
エハＷの温度分布がレジスト膜に転写されてＣＤ均一性
が低下するといった問題があったが、プリベークユニッ
ト（ＰＢ）では直接にレジスト膜を加熱するために、レ
ジスト膜の温度均一性を高めて、ＣＤ均一性を高めるこ
とが可能である。
【００４３】ホットプレート３１によるレジスト膜の加
熱を開始すると同時に、排気口３３からの排気動作を開
始する。排気口３３からの排気が開始されると、上部容
器３０ａの内部が減圧され、さらにホットプレート３１
自体がガス透過性を有することから処理室４０も減圧さ
れる。一方、ホットプレート３１によって加熱されたレ
ジスト膜からは溶剤が蒸発または昇華してガスが発生す
る。このために処理室４０が減圧雰囲気になると、レジ
スト膜から蒸発するガスはホットプレート３１を透過し
て排気口３３から排気される。
熱を開始すると同時に、排気口３３からの排気動作を開
始する。排気口３３からの排気が開始されると、上部容
器３０ａの内部が減圧され、さらにホットプレート３１
自体がガス透過性を有することから処理室４０も減圧さ
れる。一方、ホットプレート３１によって加熱されたレ
ジスト膜からは溶剤が蒸発または昇華してガスが発生す
る。このために処理室４０が減圧雰囲気になると、レジ
スト膜から蒸発するガスはホットプレート３１を透過し
て排気口３３から排気される。
【００４４】ホットプレート３１全体からほぼ均一にガ
スを透過させることができる状態では、レジスト膜から
蒸発するガスは、処理室４０内において水平方向に大き
く流れるような気流を発生させることなく、レジスト膜
からほぼ真上に引かれるような気流を生ずる。これによ
り気流の発生によるレジスト膜厚の変化を抑制すること
ができ、しかも、レジスト膜からのガスの蒸発を均一に
行うことが可能となるために、レジスト膜の膜質を均一
化させることができる。これによりＣＤ均一性を向上さ
せ、パターン側面の平滑化を促進することができる。
スを透過させることができる状態では、レジスト膜から
蒸発するガスは、処理室４０内において水平方向に大き
く流れるような気流を発生させることなく、レジスト膜
からほぼ真上に引かれるような気流を生ずる。これによ
り気流の発生によるレジスト膜厚の変化を抑制すること
ができ、しかも、レジスト膜からのガスの蒸発を均一に
行うことが可能となるために、レジスト膜の膜質を均一
化させることができる。これによりＣＤ均一性を向上さ
せ、パターン側面の平滑化を促進することができる。
【００４５】なお、排気口３３からの排気を行うことで
処理室４０が減圧雰囲気に保持されるが、この減圧の程
度は、レジスト膜から発生するガスはレジスト膜を加熱
することによって発生するものが主であって、処理室４
０が減圧されて蒸気圧が下がることによって発生するも
のが多くならない程度に、弱くすることが好ましく、ま
た、排気口３３からの排気は排気開始時から穏やかに行
うことが好ましい。これは、排気口３３からの排気を強
く行って処理室４０を高い減圧雰囲気に保持すると、排
気の初期段階での気流の乱れによってレジスト膜厚に分
布の生ずるおそれ等があるためである。
処理室４０が減圧雰囲気に保持されるが、この減圧の程
度は、レジスト膜から発生するガスはレジスト膜を加熱
することによって発生するものが主であって、処理室４
０が減圧されて蒸気圧が下がることによって発生するも
のが多くならない程度に、弱くすることが好ましく、ま
た、排気口３３からの排気は排気開始時から穏やかに行
うことが好ましい。これは、排気口３３からの排気を強
く行って処理室４０を高い減圧雰囲気に保持すると、排
気の初期段階での気流の乱れによってレジスト膜厚に分
布の生ずるおそれ等があるためである。
【００４６】なお、レジスト膜から蒸発するガス、例え
ば昇華物が排気口３３から排気された後に配管内で冷え
て固化し、配管内に付着するのを防止するために、排気
口３３近傍に昇華物を冷却して固化させる機構を設けて
もよい。
ば昇華物が排気口３３から排気された後に配管内で冷え
て固化し、配管内に付着するのを防止するために、排気
口３３近傍に昇華物を冷却して固化させる機構を設けて
もよい。
【００４７】ウエハＷの所定時間の処理が終了したら、
排気口３３からの排気動作を停止した後に上部容器３０
ａを上昇させ、先に保持アーム４８からプリベークユニ
ット（ＰＢ）にウエハＷを搬入した手順とは逆の順序で
ウエハＷをプリベークユニット（ＰＢ）から搬出する。
ウエハＷはその後にアライメントユニット（ＡＬＩＭ）
等を経て露光装置へと搬送される。
排気口３３からの排気動作を停止した後に上部容器３０
ａを上昇させ、先に保持アーム４８からプリベークユニ
ット（ＰＢ）にウエハＷを搬入した手順とは逆の順序で
ウエハＷをプリベークユニット（ＰＢ）から搬出する。
ウエハＷはその後にアライメントユニット（ＡＬＩＭ）
等を経て露光装置へと搬送される。
【００４８】次に、プリベークユニット（ＰＢ）の別の
実施形態について説明する。図５はプリベークユニット
（ＰＢ´）の概略断面図である。プリベークユニット
（ＰＢ´）が図４に示したプリベークユニット（ＰＢ）
と異なる点は、ホットプレート３８の構造のみであるの
で、以下、ホットプレート３８について説明する。ホッ
トプレート３８には上下方向にホットプレート３８を貫
通するように複数の貫通孔３８ａが形成されており、こ
の貫通孔３８ａがレジスト膜から蒸発するガスの通路と
なっている。
実施形態について説明する。図５はプリベークユニット
（ＰＢ´）の概略断面図である。プリベークユニット
（ＰＢ´）が図４に示したプリベークユニット（ＰＢ）
と異なる点は、ホットプレート３８の構造のみであるの
で、以下、ホットプレート３８について説明する。ホッ
トプレート３８には上下方向にホットプレート３８を貫
通するように複数の貫通孔３８ａが形成されており、こ
の貫通孔３８ａがレジスト膜から蒸発するガスの通路と
なっている。
【００４９】排気調整プレート３２を設けた場合には、
貫通孔３８ａは、例えば、隣接する貫通孔３８ａどうし
の距離が同じとなるように設けることができる。これ
は、各貫通孔３８ａを通るガスの量は、排気調整プレー
ト３２によって調整されるからである。一方、貫通孔３
８ａはホットプレート３８の中央部で少なく形成し、周
縁部で多く形成することで、排気調整プレート３２を設
けずにホットプレート３８全体で均一に処理室４０から
ガスを排気口３３へと透過させることができる。
貫通孔３８ａは、例えば、隣接する貫通孔３８ａどうし
の距離が同じとなるように設けることができる。これ
は、各貫通孔３８ａを通るガスの量は、排気調整プレー
ト３２によって調整されるからである。一方、貫通孔３
８ａはホットプレート３８の中央部で少なく形成し、周
縁部で多く形成することで、排気調整プレート３２を設
けずにホットプレート３８全体で均一に処理室４０から
ガスを排気口３３へと透過させることができる。
【００５０】図６はプリベークユニット（ＰＢ）のさら
に別の実施形態（プリベークユニット（ＰＢ″）とす
る）を示す概略断面図であり、図６（ａ）にはプリベー
クユニット（ＰＢ″）におけるウエハＷの搬入出時の状
態が示されており、図６（ｂ）にはレジスト膜の加熱処
理時の状態が示されている。プリベークユニット（Ｐ
Ｂ″）は、固定された上部容器５１ａと昇降可能な下部
容器５１ｂとからなるチャンバ５１と、上部容器５１ａ
に固定されたホットプレート５３と、下部容器５１ｂに
固定された支持ピン５５と、下部容器５１ｂの底壁を貫
通するように保持台５７に固定して設けられたウエハ受
渡ピン５６とを有している。
に別の実施形態（プリベークユニット（ＰＢ″）とす
る）を示す概略断面図であり、図６（ａ）にはプリベー
クユニット（ＰＢ″）におけるウエハＷの搬入出時の状
態が示されており、図６（ｂ）にはレジスト膜の加熱処
理時の状態が示されている。プリベークユニット（Ｐ
Ｂ″）は、固定された上部容器５１ａと昇降可能な下部
容器５１ｂとからなるチャンバ５１と、上部容器５１ａ
に固定されたホットプレート５３と、下部容器５１ｂに
固定された支持ピン５５と、下部容器５１ｂの底壁を貫
通するように保持台５７に固定して設けられたウエハ受
渡ピン５６とを有している。
【００５１】下部容器５１ｂは保持部材６０に連結さ
れ、保持部材６０は鉛直方向に延在するガイド５９と噛
み合わされるとともに、エアーシリンダ等を内蔵する昇
降装置６１に取り付けられている。図６（ａ）に示すよ
うに、下部容器５１ｂを降下させて保持した状態では、
ウエハＷを保持した保持アーム４８（図６には図示せ
ず）をチャンバ５１内に進入させて、下部容器５１ｂか
ら突出しているウエハ受渡ピン５６へウエハＷを受け渡
すことができる。このような構成とすることにより、動
力源は下部容器５１ｂを昇降させる昇降装置６１だけを
設ければよく、ウエハ受渡ピン５６よび支持ピン５５の
動力源を不用とすることができる。
れ、保持部材６０は鉛直方向に延在するガイド５９と噛
み合わされるとともに、エアーシリンダ等を内蔵する昇
降装置６１に取り付けられている。図６（ａ）に示すよ
うに、下部容器５１ｂを降下させて保持した状態では、
ウエハＷを保持した保持アーム４８（図６には図示せ
ず）をチャンバ５１内に進入させて、下部容器５１ｂか
ら突出しているウエハ受渡ピン５６へウエハＷを受け渡
すことができる。このような構成とすることにより、動
力源は下部容器５１ｂを昇降させる昇降装置６１だけを
設ければよく、ウエハ受渡ピン５６よび支持ピン５５の
動力源を不用とすることができる。
【００５２】図６（ｂ）に示すように、昇降装置６１を
動作させて下部容器５１ｂを上昇させると、下部容器５
１ｂと上部容器５１ａとがシール部材５８を介して密着
し、処理室７０が形成される。また、下部容器５１ｂを
上昇させる途中で、ウエハ受渡ピン５６に保持されてい
たウエハＷは支持ピン５５に受け渡しされて、ホットプ
レート５３と所定距離を隔てて保持される。なお、ホッ
トプレート５３の下面にホットプレート５３とウエハＷ
との距離を一定とするためのプロキシミティピン５４を
設けて、このプロキシミティピン５４にウエハＷが当接
する位置で下部容器５１ｂを保持するようにすることが
好ましい。この場合には、例えば、シール部材５８は、
変形できる長さ範囲に幅を有するものを用いることが好
ましい。また、プロキシミティピン５４にウエハＷが当
接する際のウエハＷへの衝撃を軽減するために、支持ピ
ン５５に伸縮自在な機構、例えば、スプリングを支持ピ
ン５５の下部に設けてもよい。
動作させて下部容器５１ｂを上昇させると、下部容器５
１ｂと上部容器５１ａとがシール部材５８を介して密着
し、処理室７０が形成される。また、下部容器５１ｂを
上昇させる途中で、ウエハ受渡ピン５６に保持されてい
たウエハＷは支持ピン５５に受け渡しされて、ホットプ
レート５３と所定距離を隔てて保持される。なお、ホッ
トプレート５３の下面にホットプレート５３とウエハＷ
との距離を一定とするためのプロキシミティピン５４を
設けて、このプロキシミティピン５４にウエハＷが当接
する位置で下部容器５１ｂを保持するようにすることが
好ましい。この場合には、例えば、シール部材５８は、
変形できる長さ範囲に幅を有するものを用いることが好
ましい。また、プロキシミティピン５４にウエハＷが当
接する際のウエハＷへの衝撃を軽減するために、支持ピ
ン５５に伸縮自在な機構、例えば、スプリングを支持ピ
ン５５の下部に設けてもよい。
【００５３】上部容器５１ａの上壁には排気口５２が設
けられており、処理室７０内の排気を行うことができる
ようになっている。また、ホットプレート５３と上部容
器５１ａの側壁の内面との間には間隙部５３ａが形成さ
れている。ホットプレート５３によって直接に加熱され
るレジスト膜から蒸発等するガスは、ホットプレート５
３とウエハＷとの間隙から間隙部５３ａを抜けて排気口
５２から排気される。
けられており、処理室７０内の排気を行うことができる
ようになっている。また、ホットプレート５３と上部容
器５１ａの側壁の内面との間には間隙部５３ａが形成さ
れている。ホットプレート５３によって直接に加熱され
るレジスト膜から蒸発等するガスは、ホットプレート５
３とウエハＷとの間隙から間隙部５３ａを抜けて排気口
５２から排気される。
【００５４】図４を参照しながら説明したプリベークユ
ニット（ＰＢ）と同様に、排気口５２からの排気の強さ
は、レジスト膜を加熱することによって蒸発等するガス
が排気される程度とする。これによりホットプレート５
３とウエハＷの間の空間で水平方向の強い気流が発生す
ることを抑制して、レジスト膜に厚みムラが生ずること
を防止することができるとともに、レジスト膜の膜質を
均一化することが可能である。
ニット（ＰＢ）と同様に、排気口５２からの排気の強さ
は、レジスト膜を加熱することによって蒸発等するガス
が排気される程度とする。これによりホットプレート５
３とウエハＷの間の空間で水平方向の強い気流が発生す
ることを抑制して、レジスト膜に厚みムラが生ずること
を防止することができるとともに、レジスト膜の膜質を
均一化することが可能である。
【００５５】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
ない。例えば、図６に示したプリベークユニット（Ｐ
Ｂ″）においては、間隙部５３ａを設けることなく、ホ
ットプレート５３に代えて、図４に示したガス透過性を
有する多孔質素材からなるホットプレート３１または図
５に示した貫通孔３８ａの形成されたホットプレート３
８を用いることが可能である。
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
ない。例えば、図６に示したプリベークユニット（Ｐ
Ｂ″）においては、間隙部５３ａを設けることなく、ホ
ットプレート５３に代えて、図４に示したガス透過性を
有する多孔質素材からなるホットプレート３１または図
５に示した貫通孔３８ａの形成されたホットプレート３
８を用いることが可能である。
【００５６】チャンバを構成する上部容器の上面中央に
排気口が形成されている場合において多孔質素材からな
るホットプレートを用いる場合には、ホットプレートと
して、中央部の気孔率が周縁部の気孔率に対して小さく
なっているもの、つまり、中央部のガス透過能力が周縁
部のガス透過能力よりも小さいものを用いると、排気調
整プレート３２を設けなくとも、ホットプレート全体で
均一にガスを透過させることができる。図４および図５
に示したプリベークユニット（ＰＢ）（ＰＢ´）では、
載置プレート３４上にウエハＷを保持したが、図６に示
すプリベークユニット（ＰＢ″）のように、支持ピン５
５によってウエハＷを保持しても構わない。
排気口が形成されている場合において多孔質素材からな
るホットプレートを用いる場合には、ホットプレートと
して、中央部の気孔率が周縁部の気孔率に対して小さく
なっているもの、つまり、中央部のガス透過能力が周縁
部のガス透過能力よりも小さいものを用いると、排気調
整プレート３２を設けなくとも、ホットプレート全体で
均一にガスを透過させることができる。図４および図５
に示したプリベークユニット（ＰＢ）（ＰＢ´）では、
載置プレート３４上にウエハＷを保持したが、図６に示
すプリベークユニット（ＰＢ″）のように、支持ピン５
５によってウエハＷを保持しても構わない。
【００５７】さらに上記実施の形態では、レジスト膜の
プリベーク処理を行うプリベークユニットに本発明の熱
処理装置および熱処理方法を適用した場合について説明
したが、本発明は、露光処理後のポストエクスポージャ
ーベーク処理や現像処理後のポストベーク処理を行うホ
ットプレートユニット（ＨＰ）にも適用することが可能
である。また、塗布膜の種類はレジスト膜に限定される
ものではなく、層間絶縁膜や保護膜を形成する装置およ
び方法に本発明を適用することができる。上記実施の形
態では基板として半導体ウエハを取り上げたが、液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）基板等の他の基板のフォトリソグ
ラフィー工程にも、本発明の熱処理装置および熱処理方
法を適用することができる。
プリベーク処理を行うプリベークユニットに本発明の熱
処理装置および熱処理方法を適用した場合について説明
したが、本発明は、露光処理後のポストエクスポージャ
ーベーク処理や現像処理後のポストベーク処理を行うホ
ットプレートユニット（ＨＰ）にも適用することが可能
である。また、塗布膜の種類はレジスト膜に限定される
ものではなく、層間絶縁膜や保護膜を形成する装置およ
び方法に本発明を適用することができる。上記実施の形
態では基板として半導体ウエハを取り上げたが、液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）基板等の他の基板のフォトリソグ
ラフィー工程にも、本発明の熱処理装置および熱処理方
法を適用することができる。
【００５８】
【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、基板に形
成された塗布膜を上部から直接に加熱して、塗布膜から
塗布膜に含まれるガス等を均一に蒸発させて排気するこ
とが可能である。また、基板を加熱することで間接的に
塗布膜を加熱させる方法と比較して、基板の温度ムラが
塗布膜に転写され難くなる。これにより塗布膜の膜質の
均一性を向上させ、ＣＤ均一性を向上させることが可能
となるという顕著な効果が得られる。また、塗布膜の膜
質の均一性を高めることによって、ＬＥＲ特性を改善し
て滑らかな側面を有するパターン側面を得ることが可能
となるという効果も得られる。
成された塗布膜を上部から直接に加熱して、塗布膜から
塗布膜に含まれるガス等を均一に蒸発させて排気するこ
とが可能である。また、基板を加熱することで間接的に
塗布膜を加熱させる方法と比較して、基板の温度ムラが
塗布膜に転写され難くなる。これにより塗布膜の膜質の
均一性を向上させ、ＣＤ均一性を向上させることが可能
となるという顕著な効果が得られる。また、塗布膜の膜
質の均一性を高めることによって、ＬＥＲ特性を改善し
て滑らかな側面を有するパターン側面を得ることが可能
となるという効果も得られる。
【図１】レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態
を示す概略平面図。
を示す概略平面図。
【図２】レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態
を示す概略正面図。
を示す概略正面図。
【図３】レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態
を示す概略背面図。
を示す概略背面図。
【図４】プリベークユニット（ＰＢ）の一実施形態を示
す概略断面図。
す概略断面図。
【図５】プリベークユニット（ＰＢ）の別の実施形態を
示す概略断面図。
示す概略断面図。
【図６】プリベークユニット（ＰＢ）のさらに別の実施
形態を示す概略断面図。
形態を示す概略断面図。
【図７】従来のプリベークユニットの概略構造を示す断
面図。
面図。
１；レジスト塗布・現像処理システム
３０・５１；チャンバ
３０ａ・５１ａ；上部容器
３０ｂ・５１ｂ；下部容器
３１・３８・５３；ホットプレート
３２；排気調整プレート
３３・５２；排気口
３４；載置プレート
３５・５４；プロキシミティピン
３６；リフトピン
５５；支持ピン
５６；ウエハ受渡ピン
５９；ガイド
６０；保持部材
６１；昇降装置
ＰＢ・ＰＢ´・ＰＢ″；プリベークユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 北野 高広
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
Ｆターム(参考） 5F046 KA04 KA10
Claims (10)
- 【請求項１】 表面に塗布膜の形成された基板を熱処理
する熱処理装置であって、 前記基板を略水平に保持する保持部材と、 前記保持部材に保持された基板を収容するチャンバと、 前記基板に形成された塗布膜を直接に加熱できるように
前記チャンバ内において前記保持部材に保持された基板
の上方に配置されるホットプレートと、 前記ホットプレートの端面と前記チャンバの内壁面との
間に設けられた所定幅の間隙部と、 前記チャンバの上面に設けられ、前記チャンバの内部の
排気を行う排気口と、 を具備し、 前記排気口から前記チャンバ内の排気を行うことによっ
て前記チャンバ内は所定の減圧雰囲気に保持され、 前記塗布膜が前記ホットプレートによって加熱された際
に前記塗布膜から発生するガスは前記間隙部を通った後
に前記チャンバ外へ排出されることを特徴とする熱処理
装置。 - 【請求項２】 レジスト液が塗布されてレジスト膜が形
成された基板を熱処理する熱処理装置であって、 前記基板を略水平に保持する保持部材と、 前記保持部材に保持された基板を収容するチャンバと、 前記基板に形成されたレジスト膜を直接に加熱できるよ
うに前記チャンバ内において前記保持部材に保持された
基板の上方に配置されるホットプレートと、 前記ホットプレートの端面と前記チャンバの内壁面との
間に設けられた所定幅の間隙部と、 前記チャンバの上面に設けられ、前記チャンバの内部の
排気を行う排気口と、を具備し、 前記排気口から前記チャンバ内の排気を行うことによっ
て前記チャンバ内は所定の減圧雰囲気に保持され、 前記レジスト膜が前記ホットプレートによって加熱され
た際に前記レジスト膜から発生するガスは前記間隙部を
通った後に前記チャンバ外へ排出されることを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項３】 表面に塗布膜の形成された基板を熱処理
する熱処理装置であって、 前記基板を略水平に保持する保持部材と、 前記保持部材に保持された基板を収容するチャンバと、 ガス透過性を有し、前記基板に形成された塗布膜を直接
に加熱できるように前記チャンバ内において前記保持部
材に保持された基板の上方に配置されるホットプレート
と、 前記チャンバの上面に設けられて前記チャンバの内部の
排気を行う排気口と、 を具備し、 前記塗布膜が前記ホットプレートによって加熱された際
に前記塗布膜から発生するガスは前記ホットプレートを
透過した後に前記チャンバ外へ排出されることを特徴と
する熱処理装置。 - 【請求項４】 レジスト液が塗布されてレジスト膜が形
成された基板を熱処理する熱処理装置であって、 前記基板を略水平に保持する保持部材と、 前記保持部材に保持された基板を収容するチャンバと、 ガス透過性を有し、前記基板に形成されたレジスト膜を
直接に加熱できるように前記チャンバ内において前記保
持部材に保持された基板の上方に配置されるホットプレ
ートと、 前記チャンバの上面に設けられて前記チャンバの内部の
排気を行う排気口と、 を具備し、 前記レジスト膜が前記ホットプレートによって加熱され
た際に前記レジスト膜から発生するガスは前記ホットプ
レートを透過した後に前記チャンバ外へ排出されること
を特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】 前記ホットプレートには上下方向に前記
ホットプレートを貫通する複数の貫通孔が設けられてい
ることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の熱
処理装置。 - 【請求項６】 前記ホットプレートは開気孔を有する多
孔質素材からなることを特徴とする請求項３または請求
項４に記載の熱処理装置。 - 【請求項７】 前記ホットプレートの全面で均一に前記
ガスの透過が起こるように、所定位置に孔部が設けられ
た排気調節板が前記ホットプレートと前記チャンバの上
面との間に設けられていることを特徴とする請求項３か
ら請求項６のいずれか１項に記載の熱処理装置。 - 【請求項８】 前記チャンバは固定された上部容器と昇
降自在な下部容器とを有し、 前記保持部材は前記下部容器に固定され、かつ、前記排
気口は前記上部容器に設けられ、 前記基板を支持可能であり、前記下部容器を上昇させた
際に支持していた基板を前記保持部材に受け渡し、前記
下部容器を降下させた際に前記保持部材から基板を受け
取るように前記下部容器の底壁を貫通して設けられた基
板受渡部材をさらに具備することを特徴とする請求項１
から請求項７のいずれか１項に記載の熱処理装置。 - 【請求項９】 基板にレジスト液を塗布してレジスト膜
を形成する第１工程と、 前記レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内に保
持する第２工程と、 前記レジスト膜の形成された基板の上方の所定位置にガ
ス透過性を有するホットプレートを配置して前記レジス
ト膜を加熱処理しながら、前記レジスト膜から蒸発する
ガスが前記ホットプレートを通して排気されるように前
記チャンバ内の排気を行う第３工程と、 を有することを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項１０】 基板にレジスト液を塗布してレジスト
膜を形成する第１工程と、 前記レジスト膜の形成された基板を密閉チャンバ内に保
持する第２工程と、 前記レジスト膜の形成された基板の上方の所定位置にホ
ットプレートを配置して前記レジスト膜を加熱処理しな
がら、前記チャンバ内の排気を行って前記チャンバ内を
所定の減圧雰囲気に保持することによって前記レジスト
膜から蒸発するガスを前記チャンバから排気する第３工
程と、 を有することを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327194A JP3989221B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 熱処理装置および熱処理方法 |
| TW091123975A TW561511B (en) | 2001-10-25 | 2002-10-17 | Heat treatment device and heat treatment method |
| KR1020047005593A KR100919069B1 (ko) | 2001-10-25 | 2002-10-22 | 열처리장치 및 열처리방법 |
| CNB028259831A CN1319122C (zh) | 2001-10-25 | 2002-10-22 | 热处理装置以及热处理方法 |
| PCT/JP2002/010968 WO2003036694A1 (fr) | 2001-10-25 | 2002-10-22 | Materiel de traitement thermique et procede de traitement thermique |
| US10/491,432 US7050710B2 (en) | 2001-10-25 | 2002-10-22 | Thermal treatment equipment and thermal treatment method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327194A JP3989221B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 熱処理装置および熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133197A true JP2003133197A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3989221B2 JP3989221B2 (ja) | 2007-10-10 |
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ID=19143462
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001327194A Expired - Fee Related JP3989221B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 熱処理装置および熱処理方法 |
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|---|---|
| US (1) | US7050710B2 (ja) |
| JP (1) | JP3989221B2 (ja) |
| KR (1) | KR100919069B1 (ja) |
| CN (1) | CN1319122C (ja) |
| TW (1) | TW561511B (ja) |
| WO (1) | WO2003036694A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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