WO2003031907A1

WO2003031907A1 - Capteur de contrainte et son procede de fabrication

Info

Publication number: WO2003031907A1
Application number: PCT/JP2002/010259
Authority: WO
Inventors: Keiichi Nakao; Yukio Mizukami; Hiroaki Ishida; Toshiro Otobe
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2001-10-02
Filing date: 2002-10-02
Publication date: 2003-04-17
Also published as: EP1355122B1; EP1355122A1; US20050028605A1; EP1355122A4; DE60235346D1; CN1479859A; US7181831B2; JP4111136B2; JPWO2003031907A1; CN1207529C; US20040079162A1; US7010986B2

Description

明細書

歪センサ及びその製造方法技術分野

本発明は，人間の体重や自動車等の車両の重量等により生じる外力を感歪抵抗体の歪によつて検出する歪センサに関する。背景技術

特開 2 0 0 0 - 1 8 0 2 5 5号公報に開示されている従来の歪センサは各々 1つのガラス層およびオーバ一コートガラス層で構成されている。以下、従来の歪センサについて、図面を参照しながら説明する。図 7 は従来の歪センサの上面図である。

金属基板 1 の一端側に第 1 の固定孔 2 0 を設けるとともに、他端側に第 2の固定孔 2 1 'を設け、かつ略中央に検出孔 2 2を設ける。金属基板 1の上面にガラス層 2 を設けるとともに、ガラス層 2の上面に 4つの感歪抵抗体 6 を設ける。感歪抵抗体 6を配線 1 1及び第 2 の電極 5 によって電気的に接続することにより、ブリッジ回路を構成する。また感歪抵抗体 6や第 2の電極 5は，ォ —バ一コートガラス層 7 a , 7 bによって保護されている。

図 8は従来の歪センサの断面図である。図 8は図 7の A— A 'に相当する部分の断面を示している。ガラス層 2 a， 2 b， 2 c は同じホウケィ酸鉛系ガラスから構成されているため、焼結後は一体化して，互いに判別することはできない。

図 8ではガラス層 2 a , 2 b、 2 c の間に破線を入れて便宜的に区別している。また丸空孔 9は焼結後のガラス層 2 a , 2 b、 2 cの内部にランダムに発生しているものである。

図 8においてガラス層を 3層として示したのは以下の理由による。特開平 09- 243472号公報は，ホーローや結晶化ガラスの代りに厚み 2 0 mのホウケィ酸鉛系のガラスペーストを用いて，これを 3回印刷焼成（印刷一焼成を互いに 3回繰返す）して多層絶縁層を形成することを開示しているからである。

以下、図 7 を用いて従来の歪センサの組立方法を説明する。まず、予め準備した金属基板 1の上面にガラスペーストをスクリーン印刷した後、約 8 5 0 °Cで焼成し、金属基板 1 の上面にガラス層 2を形成する。次に、ガラス層 2の上面に A gと P t とからなる導電性べ一ストをスクリーン印刷する。次に、約 8 5 0 °C で焼成し、ガラス層 2の上面に配線 1 1や第 2 の電極 5を形成する。次に、ガラス層 2 と第 2の電極 5 の一部にまたがるように、 R u系抵抗ペーストを印刷した後、約 8 5 0 °Cで焼成し、感歪抵抗体 6を形成する。最後に、ガラス層 2 , 配線 1 > 1 ，感歪抵抗体 6の上に，ガラスペーストをスクリーン印刷した後、焼成することにより、オーバ一コ一トガラス層 7 a 、 7 bを形成する。

この時、オーバーコートガラス層のパターンに予め窓を形成しておくとこの窓から露出する配線 1 1 に、チップ部品や半導体を実装することができる。以上のように構成された従来の歪センサの動作を説明する。金属基板 1 における第 1 の固定孔 2 0および第 2 の固定孔 2 1 をポルト（図示せず）およびナット（図示せず）により固定部材（図示せず）に固定した後、検出孔 2 2 に検出部材（図示せず）を固定する。そして、検出部材（図示せず）に上方より作用する外力 Fにより金属基板 1 が変形する。その結果、金属基板 1 の上面に設けた感歪抵抗体 6に圧縮応力または引張応力が発生し、各々の感歪抵抗体 6の抵抗値が変化する。感歪抵抗体 6は配線 1 1 によりブリッジ回路を構成しており、ここで検出された差動電圧によって検出部材（図示せず）に加わる外力 Fを検出する。図 4 Aは，図 7，図 8に示した従来の歪センサにおけるガラス層数と絶縁抵抗の関係を示すものである。図 4 Aより，ガラスの層数が 3層， 4層と多い時は絶縁抵抗が 1 0の 9乗から 1 1乗あることが判る。しかしガラスの層数が 2層になると絶縁抵抗が 1 0の 6乗から 1 0の 1 0乗の範囲に下がる。ガラスの層数が 1層になると絶縁抵抗が更に下がっている。なお，ガラス 1層での実測した絶縁抵抗はほとんど 1 Ω未満のショート状態で，ごく一部が数百 Κ Ωであった。図 4 Aのグラフには便宜上、ガラス 1層の場合の絶縁抵抗を 1 0の 5乗として示している。このように，従来構造の場合，ガラス層が少なくなるほど（あるいは薄くなるほど）絶縁抵抗が急激に下がると共にバラツキも大きいという信頼性の課題がある。

さらに、実用上歪センサの絶縁抵抗は 1 0の 9乗以上必要なため，従来の構造では 3層以上のガラス層が必要となる。

そのため，製品のコストが高くなるという課題もある。発明の開示

金属基板と，前記金属基板上に形成された第 1 の電極と，前記第 1 の電極の上に形成されたガラス層と，前記ガラス層の上に形成された第 2の電極と，感歪抵抗体とを有する歪みセンサを提供する。図面の簡単な説明

図 1は，本発明の歪センサの構造を説明する断面図である。図 2 A〜図 2 Dは，従来の歪センサの製造方法を説明する図である。

図 3 A〜図 3 Dは，本発明の歪センサの製造方法を説明する図である。

図 4 A、図 4 Bは，ガラス層の層数と絶縁抵抗の関係図である。図 5 A、図 5 Bは，焼成中での金属基板と第 2の電極間の電圧を説明する図である

図 6は，第 1 の電極のパターン形状を説明する断面図である。図 7は従来の歪センサの上面図である。

図 8は，従来の歪センサの断面図である。発明を実施するための最良の形態

(実施の形態 1 )

図 1は本発明の実施の形態における歪センサの構造を示す図である。なお、図面は模式図であり各位置を寸法的に正しく示したものではない。金属基板 1 の上には第 1 の電極 1 2が形成され，さらにガラス層 2を介して第 2の電極 5 と，第 2の電極 5に接続される感歪抵抗体 6、配線 1 1が形成される。

また配線 1 1 は，第 2の電極 5 と所定パターンで接続されている。さらに、オーバーコ一トガラス層 7が設けられる。

丸空孔 9は焼結工程で発生する空孔である。図 7の従来例と図 1の本発明との大きな違いは，金属基板 1 とガラス層 2の間に第 1 の電極 1 2が形成されているか否かである。

本発明では，第 2の電極 5や配線 1 1 と金属基板 1 との間に，第 1 の電極 1 2を挿入することで，第 2の電極 5及び配線 1 1 と金属基板 1 との間の絶縁抵抗を高く保つことができる。

その結果、ショート発生という不良も大幅に低減できる。

次に，図 2 A〜図 4 Bを用いて更にその製造方法を説明する。図 2 A〜図 2 Dは，従来の歪センサの製造方法を説明するものである。図 2 Aは金属基板 1 を示している。なお、金属基板 1 の形状は必要に応じて様々な形状が使用可能である。

次に図 2 Bに示すように，金属基板 1 の上にガラス層 2を形成する。ここでガラス層の形成方法としては，市販のガラスペーストをスクリーン印刷し， 8 5 O t:のベルト式焼成炉で焼成する。さらに，図 2 Cで示すようにガラス層 3 を形成する。このようにガラス層を 1層以上，つまり複数層化することで，印刷時でのピンホール等の発生を防止できる。次に，図 2 Dに示すように，複数層からなるガラス層の上に，第 2の電極 5 を形成する。

実際の歪センサの製造工程においては，第 2の電極 5は複雑なパターン形状をしており，更にこの上に感歪抵抗体や保護層が形成されて，歪センサの完成品となる。

さらに，図 2 Dは，第 2の電極 5 と金属基板 1 の間の絶縁抵抗を絶縁抵抗計 1 3で測定する様子を示している。図 3は実施の形態 1 における本発明の歪センサの製造方法を説明するものである。図 3 Aは金属基板 1 の上に第 1 の電極 1 2を形成したものである。金属基板 1 は厚みが 2 m mのステンレス基板である。ここで，第 1 の電極 1 2は銀を主体とした電極インキをスクリーン印刷法により，金属基板の上に所定パターンで印刷し，ベルト炉を用いて 8 5 0 °Cで焼成して形成する。次に図 3 Bに示すように，第 1 の電極 1 2の上にガラス層 2 , 3を形成する。

次に図 3 Cに示すように，このガラス層 3の上に第 2の電極 5 を形成する。こうして形成したサンプルを用いて，第 2の電極 5 と金属基板 1 の間，あるいは第 2の電極 5 と第 1 の電極 1 2 との間の絶縁抵抗を図 3 Dに示すように絶縁抵抗計 1 3を用いて測定する。図 4 A , 図 4 Bは，図 2や図 3で説明した試作品のガラス層の層数と絶縁抵抗の関係を図示したものである。 X軸はガラス層の数である。 Y軸は絶縁抵抗であり，単位は Ωである。

複数の測定データ 1 4を近似して作成したものが外揷線 1 5である。図 4 Aは図 2 A〜図 2 Dで示した従来構造（図 7相当）における第 2の電極 5 と金属基板 1 との間の絶縁抵抗を示している。図 4 Aより，ガラスの層数が 3層， 4層と多いときは絶縁抵抗が高いが，層数が減るにつれて急激に絶縁抵抗が低下することがわかる。図 4 Aは，ガラス層を複数層形成してガラス層のピンホールの影響を少なくしょうとしても、絶縁抵抗が大きくばらついていることを示している。図 4 Bは，図 3 Aから図 3 Dで示した本発明（図 1相当）の構造での，第 2 の電極 5 と金属基板 1 との間の絶縁抵抗である。図 4 Bより，ガラス層の層数が 1層から 4層の間において絶縁抵抗が 1 0の 1 0乗から 1 1乗の範囲にあることが判る。またガラスの層数が 3層， 2層， 1層と少なくなるにつれて若干の絶縁抵抗の低下は観察されるが，ガラスの層数が 1層でも，絶縁抵抗は 1 0の 1 0乗以上あることが判る。

このように，図 4 Bの場合，ガラスは 1層以上あれば，充分な絶縁抵抗が得られる。なお、ゴミ等によるピンホール発生を抑制するために、ガラス層を複数層設けても良い。

次に第 1 の電極 1 2 と第 2の電極 5の材料を色々変更して，図 2 A〜図 4 Bに相当する実験を行った。すると金（A u ) 電極を用いた場合は，図 4 A，図 Bに示したような違いは観察されなかつた。そして，図 4 Aに示すようなガラス層の層数が低減すると，金属基板 1 と第 2の電極 5 との間の絶縁抵抗が急激に低下する現象は，第 2 の電極 5の材料として A gを含む焼成型の電極（A g - P d、 A g— P t 、 A g _ P d— P t等）の場合に発生しやすいことがわかった。また電極ペースト中にガラス成分を添加しない場合も，同様に図 4 Aの現象が発生した。またガラス層を形成するガラスの種類（材料，軟化点等）を変えて実験したところ，ガラスの軟化点未満では，こうした絶縁抵抗の急激な低下は観察されなかった。軟化点を超えるとこうした現象が発生しやすい傾向があった。一方，本発明のように，金属基板 1の上に第 1の電極 1 2 を形成した場合，ガラスの種類や軟化点の違いに関係なく，こうした絶縁抵抗の低下が防止できることが判った。

なお，第 1 の電極 1 2の形成されていない図 3 Aのサンプル（図 7の構造）と第 1の電極 1 2 を形成した図 3 Bのサンプル（図 1 の構造）の両方の断面を S EMで観察すると，共に図 7で説明した丸空孔 9が見られた。このように，第 1 の電極 1 2 を形成することでガラス層内の空孔を無くすことは出来ないが，ガラス層を少なく（薄くした）場合の製品の信頼性を大幅に改善できる。

その結果、高品質で、工数を低減できるので製品のコストダウンができる。図 5 A, 図 5 Bは，焼成中での金属基板と第 2の電極間の電圧を説明する図である。図 5 Aは，サンプルを単炉内にセットし，焼成途中での電圧発生を測定した結果を示す。

図 5 Bは，試作品での焼成途中での電圧を測定する様子を示す。図 5 Bに示すように，金属基板 1や第 2の電極 5等に白金線を取り付け，この状態でサンプルを単炉の中にセットして昇温する（単炉は図示しない）。そしてサンプルに発生する電圧は，単炉から外に伸ばした白金線の一端に電圧計を取り付けて測定する。

図 5 Aにおいて，曲線 1 6は従来例，曲線 1 7は本発明を示す。 X軸は単炉の内部に設置した熱電対の温度であり， Y軸は電圧計で測定された電圧である。曲線 1 7は第 1 の電極を形成した場合 (図 3の構造に相当する）の電圧示している。金属基板 1 と第 2 の配線 5の間には，ほとんど電圧が発生していないことが判る。一方，曲線 1 6は第 1 の電極を設けていない場合（図 2の構造に相当する）を示し，金属基板 1 と第 2の配線 5の間に電圧が発生することが判る。 6 0 0 付近から若干の電圧が発生し， 8 5 0 °C 付近では，電圧は I V程度となる。 8 5 0 °Cで 3 0分間保持した場合、電圧は 1 . 5 V付近まで上がる。次に 8 5 0 °Cから温度を下げても，まだ電圧は高めになっている。これは温度測定用の熱電対と，金属基板の熱容量の差によるものであり，単炉内の実測温度とサンプル自体の温度差の違いと考えられる。

単炉以外の他の加熱手段を用いて、同様に各サンプルを加熱しながら電圧を測定したが，同様な結果が得られた。

図 4 A〜図 5 Bの結果から，次のことが推定できる。つまり、図 4 Aの絶縁抵抗の低下現象は少なくとも A gを含む焼成型の電極材料を第 2の電極 5 に用いた時に特有的に発生するものであり，第 2の電極 5 ( 8 5 0で焼成）が形成される際に，ガラス（ 8 5 O :焼成）が再溶融する。そして、ガラスが一種の固体電解質となり，金属基板 1 と第 2の電極 5間で電位差を発生させる。さらに、これが一種の電池となって絶縁抵抗の急激な低下を引き起こすと推定される。そして，金属基板 1上に第 1 の電極 1 2 を形成することで，図 5 Aに示すような電圧発生が防止できる。

その結果として，ガラス層が少ない（あるいはガラス層の厚みが薄い）場合でも、図 4 Bに示したような高い絶縁抵抗が得られると考えられる。なお，ガラス層を複数層にするか，あるいはガラス層の膜厚を一定以上に厚くすれば，ゴミ等によるピンホール発生を抑制し，歪センサを高歩留まりで製造することも可能でめる。

(実施の形態 2 )

図 6 を用いて第 1 の電極 1 2 のパ夕一ン形状について説明する, 第 1 の電極 1 2は電極パターン 1 8 として形成され，金属基板 1 とガラス層 2の間に設けられる。第 2の電極 5 と金属基板 1 との間に発生する電池効果を防止するためには，第 1 の電極パ夕ーン 1 8は，必ずしもべ夕パターンで有る必要はない。第 1 の電極パターン 1 8 としては，メッシュ，市松状，水玉，あるいはジグザグ等の規則正しいパターンであっても，ランダムなものであってもよい。このように，第 1 の電極パターンをべ夕でなくパターン状にすることで，第 1の電極パターンに使用する電極材料の使用量を減らすことができる。そして、製品のコストダウンが可能となる。

(実施の形態 3 ) 実施の形態 3では第 1 の電極の成分について説明する。

(表 1 ) は，第 1 の電極 1 2 について実験した結果であり，ガラス成分が S i 0₂のみでは必要な接着強度が得られない。

S i 〇 ₂に P b O， C a O , 八 1 ₂〇 ₃等の成分を 1重量％程度加えることで必要な接着強度が得られる。また B i ₂ O ₃の場合は: 1重量％以上 1 0重量％未満が適当であった。なおガラス成分が 3 0重量％以上になると，接着強度は得られても電気的抵抗が高くなりすぎて，歪センサの電気特性を下げる可能性があり好ましくない。

【表 1】（〇は良品， ◎はより高品質な良品， Xは不良品），

上表において，（1-10)は 1 重量％以上 10重量％未満，

(1 - 2)は 1重量％以上 2重量％未満を意味する (実施の形態 4)

実施の形態 4では第 2 の電極の成分について説明する。

(表 2 ) は第 2の電極 5の成分を検討した結果を示す。

( A 1 ₂〇 ₃ + S i 0₂) だけでは必要な接着強度が得られない。しかし，更に C a〇， N i 0 , C u〇， P b〇等の成分を 0. 1 から 1重量％程度加えることで必要な接着強度が得られる。

また B i ₂0₃を添加する場合は， 1重量％以上 1 0重量％未満が好ましい。

【表 2】（〇は良品， ◎はより高品質な良品， Xは不良品）

上表において，（0。 1- 5)は 0. 1重量％以上 5重量％未満， (0. 5-5)は 0. 5重量％以上 5重量％未満を意味する。

なお、ガラス成分が 3 0重量％以上になると，接着強度は得られても電気的抵抗が高くなりすぎ，歪センサの電気特性を下げる可能性があり好ましくない。さらに第 2の電極 5 に， P dを添加しておくことで，半田喰われを抑えられる。そして、第 2の電極 5 と配線 1 1 を共通化することで，印刷回数を減らすことができる。これによりコスト低減が可能となる。また、第 2の電極 5は配線 1 1 として他のチップ部品や半導体を半田実装できる。

なお，第 2の電極に P dを添加する場合， P dの添加量は 5重量％以上 1 5重量％未満が望ましい。 5重量％未満の場合，半田喰われ防止効果が不充分である。また 1 5重量％より多い場合，配線抵抗が上がり，電極コストも上がるので好ましくない。

(実施の形態 5 )

実施の形態 5では電極内に含まれている A g量について説明する < 第 1 の電極や第 2の電極の構成部材としては， A gを 4 0重量％以上（望ましくは 6 0重量％以上）含ませることで電極層に必要な抵抗値が得られる。更に P dや P t等を添加することで，配線としての各種信頼性を高められる。一方，これら第 1及び第 2 の電極中に A gが 4 0重量％未満しか含まれていない場合には電極層の抵抗値が高くなつて，製品の特性を下げてしまう。また、ガラス成分の合計が 3 0重量％以上になると電気的抵抗が高くなりすぎて，歪センサとしての特性を下げる場合があり好ましくない。以上のように，ガラス層が単層であっても絶縁抵抗を高く保つと同時に、ショートの発生率も大幅に低減できる。

更に複数のガラス層を積層することで，ピンホール等の不良発生率を大幅に低減できるため，製品の歩留まりを高められる。

なお、ガラス層としては，少なくとも S i 〇 ₂， A 1 ₂ 0 3 , B a 〇を主成分とすることで，金属基板と熱膨張係数をマッチングさせることができる。またガラス層の厚みは 5 m以上 5 0 0 a m 未満が望ましい。ガラス層の厚みが 5 m未満の場合，第 1 の電極を形成したにも関わらず，ガラス層中の微細な孔等によって絶縁抵抗が低下する場合がある。またガラス層の厚みが 5 0 0 を超える場合，製品コストが高くなるので好ましくない。

また，第 1 の電極，ガラス層，第 2の電極などは 6 0 0 °C以上 1 0 0 0 °C未満の酸化雰囲気内で焼成して形成することが望ましい。 6 0 0 °C未満で焼成した場合，電極やガラス層の焼結が不十分で所定の強度や特性が得られない場合がある。

1 0 0 0 °c以上で焼成する場合，電極やガラス層，更には金属基板自体も高価で特殊な部材を選ぶ必要があり，焼成炉も高価になるので好ましくない。なお，これら部材の焼成は酸化雰囲気中で行うのが望ましい。還元雰囲気内で焼成した場合，ガラス層を形成する部材の一部（例えば P b O ) が還元されて絶縁抵抗を下げる場合がある。また感歪抵抗体は 5 0 0 以上 9 0 0 °C未満で焼成することが望ましい。感歪抵抗体を 5 0 0 °C未満で焼成した場合や、 9 0 0 以上で焼成すると所定の感歪特性が得られない場合がある。また保護層にオーバ一コートガラス層を用いる場合は， 4 0 0 °C以上 8 0 0 °C未満の酸化雰囲気が望ましい。

4 0 0 °C未満では所定の信頼性が得られない場合がある。

また 8 0 0 C以上で焼成すると感歪抵抗体の感歪特性を低下させる場合がある。また焼成雰囲気が還元雰囲気になると，オーバ —コートガラス層の含まれているガラス成分（例えば P b〇）が還元される場合があり，所定の信頼性が得られなくなる場合がある。また第 1 の電極の厚みは 0 . 1 z m以上 1 0 0 ^ rn未満が望ましい。 1 0 0 mより厚くなると焼成時に発生する内部応力によって，金属基板から剥離する場合がある。さらに、ガラス層に第 1 の電極の厚みに起因する大きな段差を形成するので，後の製造工程で課題が発生する可能性がある。同時に製品コストを上げる。また第 1 の電極の厚みが 0 . 1 m未満の場合は，ガラス層の絶縁抵抗低下を防止する効果が得られない場合がある。

なお，本発明において各成分の添加量は重量％で表し、酸化物は酸化物としての重量％である。こうした構成元素の割合を求めるには，完成品の断面等を， X M A ( X線マイクロアナライザ）等の一般的な手法が使える。なお，この場合，元素は，酸化物（例えば， A 1 は A 1₂0₃として）として計算できる。

以上のように，金属基板一ガラス一配線の構成で焼成した場合，上述したようにガラスの種類や電極の材質によって，金属基板と配線間に電圧が発生する場合が有り，こうした電圧によって金属基板と配線間の絶縁抵抗が低下してしまうことがある。

この場合，金属基板上に直接銀配線を形成しておくことで，金属基板と配線間の電圧発生を防止でき，金属基板と配線間の絶縁抵抗低下を防止できる。またこのように金属基板上に第 1の電極を形成しておくことで，金属基板自体の電気抵抗を下げられるため，歪センサの電気回路的な設計やその最適化が容易になる。

そのため，焼成時に電圧が発生しにくいガラスに対しても，同様に第 1 の電極を形成しておくことにより，歪センサの電気的特性を高められる。なお，金属基板としては，。ゃ八 1 ₂ 0 ₃を含むフェライト系ステンレスが耐熱性の点から望ましい。例えば C r を 5重量％以上 2 0重量％未満， A 1 ₂ 0 ₃を 2重量％以上 1 0重量％未満含ませたステンレス基板を用いることで，歪センサとして必要な強度と 9 0 0 °C付近まで充分耐えられる耐熱性が得られる。またこのとき，第 1 の電極側にも金属基板と共通元素である C rや A 1 ₂〇 ₃を添加しておくことで互いの接続を安定化できる。産業上の利用可能性

本発明によれば，金属基板上に第 1 の電極を設けることにより、金属基板と第 2の電極間の絶縁抵抗を高め，信頼性の高い歪センサを低コス卜で提供することができる。

Claims

請求の範囲

1. 金属基板と，前記金属基板上に形成された第 1 の電極と，前記第 1 の電極の上に形成されたガラス層と，前記ガラス層の上に形成された第 2の電極と，感歪抵抗体とを有する歪みセンサ。

2. 請求項 1記載の歪センサであって，前記第 1の電極の厚みは 0 . 1 ^ m以上 1 0 0 ^ m未満である歪みセンサ。

3. 請求項 1記載の歪センサであって，前記第 1 の電極は A g を 4 0重量％以上含み， S i 〇 ₂を 0. 5重量％以上 5重量％未満含み，更に A l ₂〇 ₃， P b〇， C u Oの内少なくとも一つを 0 1重量％以上 5重量％未満含み，ガラス成分が 3 0重量％未満である歪センサ。

4. 請求項 1記載の歪センサであって，前記第 1 の電極は A g を 4 0重量％以上含み， S i 0₂を 0. 5重量％以上 5重量％未満含み，更に B i 〇 ₂を 1重量％以上 1 0重量％未満含み，ガラス成分が 3 0重量％未満である歪センサ。

5. 請求項 1記載の歪センサであって，前記ガラス層の厚みは 5 m以上 5 0 0 m未満である歪センサ。

6. 請求項 1記載の歪センサであって，前記第 2の電極は A g を 4 0重量％以上含み， S i 〇 ₂を 0. 5重量％以上 5重量％未満含み，更に A 1 ₂0₃， P b〇， C u〇の内少なくとも一つを 0 1重量％以上 5重量％未満含み，ガラス成分が 3 0重量％未満である歪センサ。

7. 請求項 1記載の歪センサであって，前記第 2の電極は A g を 4 0重量％以上含み， S i 0₂を 0. 5重量％以上 5重量％未満含み，更に B i 〇 ₂を 1重量％以上 1 0重量％未満含み，ガラス成分が 3 0重量％未満である歪センサ。

8. 請求項 1記載の歪センサであって、前記第 2 の電極は A g を 4 0重量％以上含み， S i 〇 ₂を 0. 5重量％以上 5重量％未満含み，更に P dを 5重量％以上 1 5重量％未満含み，ガラス成分が 3 0重量％未満である歪センサ。

9. 請求項 1記載の歪センサであって、前記金属基板は， C r と A 1 ₂〇 ₃を含むフェライト系ステンレスである歪センサ。

1 0. 金属基板上に第 1の電極を形成する工程と，前記第 1 の電極の上に少なくとも 1層以上のガラス層を形成する工程と，前記ガラス層の上に第 2の電極と配線を形成する工程と，前記第 2 の電極と電気的に接続された感歪抵抗体を形成する工程と，前記第 2の電極と前記感歪抵抗体の少なくともいずれか一つを覆うォ —バ一コートガラス層を形成する工程とを有する歪センサの製造方法。

1 1. 請求項 1 0記載の歪センサの製造方法であって、前記第 1 の電極，前記ガラス層，前記第 2の電極をすベて 6 0 0 °C以上 9 0 0 °C未満の酸化雰囲気下で焼成して形成する歪センサの製造方法。

1 2. 請求項 1 0記載の歪センサの製造方法であって、前記ォ —バーコートガラス層を， 4 0 0 以上 8 0 0 未満の酸化雰囲気下で焼成する歪センサの製造方法。