JPH09243472A - 力学量センサ - Google Patents
力学量センサInfo
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- JPH09243472A JPH09243472A JP5125596A JP5125596A JPH09243472A JP H09243472 A JPH09243472 A JP H09243472A JP 5125596 A JP5125596 A JP 5125596A JP 5125596 A JP5125596 A JP 5125596A JP H09243472 A JPH09243472 A JP H09243472A
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- layer
- resistance element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各種力学量を計測するために使用される力学
量センサにおいて、歩留まりが良好で、高精度な力学量
センサを提供することを目的とする。 【解決手段】 金属基板１上に１層あたり３０μｍ以下
の膜厚を有する少なくとも３層の多層絶縁層２を構成
し、この多層絶縁層２上に歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４を構成することにより、歩留まりが良好で、高
精度な力学量センサを提供することができる。
量センサにおいて、歩留まりが良好で、高精度な力学量
センサを提供することを目的とする。 【解決手段】 金属基板１上に１層あたり３０μｍ以下
の膜厚を有する少なくとも３層の多層絶縁層２を構成
し、この多層絶縁層２上に歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４を構成することにより、歩留まりが良好で、高
精度な力学量センサを提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は歪抵抗素子を用いた
力学量センサに関するものである。
力学量センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、力学量を検出するセンサの中で、
スクリーン印刷によって形成された厚膜状の抵抗体を歪
計測計として適用した抵抗器歪計が、たとえば特開昭５
５−５２９２４号公報等で提案されている。図４はこの
様な抵抗器歪計の中で、力学量センサとして圧力センサ
に応用した例を示し、図４（ａ）は平面図を、図４
（ｂ）は断面図を示す。５１はセラミックス基板もしく
はエナメル被覆された金属の基体である。基体５１の表
面にはスクリーン印刷ののち焼成された厚膜状の歪抵抗
素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４が形成されてい
る。これらの歪抵抗素子はホイートストーンブリッジ回
路を構成するように配線されている。基体５１は周囲を
固定され、圧力センサの力学量感知部としてダイアフラ
ムを形成する。
スクリーン印刷によって形成された厚膜状の抵抗体を歪
計測計として適用した抵抗器歪計が、たとえば特開昭５
５−５２９２４号公報等で提案されている。図４はこの
様な抵抗器歪計の中で、力学量センサとして圧力センサ
に応用した例を示し、図４（ａ）は平面図を、図４
（ｂ）は断面図を示す。５１はセラミックス基板もしく
はエナメル被覆された金属の基体である。基体５１の表
面にはスクリーン印刷ののち焼成された厚膜状の歪抵抗
素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４が形成されてい
る。これらの歪抵抗素子はホイートストーンブリッジ回
路を構成するように配線されている。基体５１は周囲を
固定され、圧力センサの力学量感知部としてダイアフラ
ムを形成する。
【０００３】図４（ｂ）に示すように基体５１の裏面に
荷重（圧力）Ｆが加えられると、基体５１は上向きに膨
らむ力を受け、力の大きさに応じて歪抵抗素子Ｒ１１，
Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４が歪み、抵抗値が変化する。こ
の場合、Ｒ１１，Ｒ１３は正方向、Ｒ１２，Ｒ１４は負
方向に変化するので、ホイートストーンブリッジ回路は
不均衡となり、歪に応じた電気的出力を得ることができ
る。
荷重（圧力）Ｆが加えられると、基体５１は上向きに膨
らむ力を受け、力の大きさに応じて歪抵抗素子Ｒ１１，
Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４が歪み、抵抗値が変化する。こ
の場合、Ｒ１１，Ｒ１３は正方向、Ｒ１２，Ｒ１４は負
方向に変化するので、ホイートストーンブリッジ回路は
不均衡となり、歪に応じた電気的出力を得ることができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような抵抗器歪計を用いて圧力センサを構成すると、基
体がセラミックス基板の場合はセラミックス自体がもろ
いため、高圧力や衝撃圧力が印加されると割れが発生
し、圧力センサが破壊する可能性があった。
ような抵抗器歪計を用いて圧力センサを構成すると、基
体がセラミックス基板の場合はセラミックス自体がもろ
いため、高圧力や衝撃圧力が印加されると割れが発生
し、圧力センサが破壊する可能性があった。
【０００５】このような課題を避けるために、従来例に
も記述されているエナメル被覆した金属を基体としてダ
イアフラムを構成した圧力センサを実際に作製した例を
以下に述べる。
も記述されているエナメル被覆した金属を基体としてダ
イアフラムを構成した圧力センサを実際に作製した例を
以下に述べる。
【０００６】図５は従来の技術を用いて作製した圧力セ
ンサのダイアフラム部の平面図を示す。歪抵抗素子や導
体は印刷後、高温で焼成されるため、ダイアフラム６０
を構成する金属基板６１は耐熱材として板厚２mmのステ
ンレス鋼（ＳＵＳ４３０）基板を用いた。エナメル被覆
としての多層絶縁層６２（図中、斜線で示す）はホウケ
イ酸鉛系のガラスペーストを直径１６mmに印刷後、８５
０℃で焼成して形成した。多層絶縁層６２は印刷焼成時
のピンホールによる金属基板６１−導体６３間の導通を
避けるため、ごく一般に行われている如く、２回印刷焼
成を行った。この基板上に銀パラジウム系の導体６３と
ＲｕＯ2系の歪抵抗素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１
４をそれぞれ図５に示すように印刷し、８５０℃で焼成
した。このように金属を芯にした基体を構成することに
より、高圧力や衝撃圧力で割れたり破壊することはなく
なった。６４は検出回路である。
ンサのダイアフラム部の平面図を示す。歪抵抗素子や導
体は印刷後、高温で焼成されるため、ダイアフラム６０
を構成する金属基板６１は耐熱材として板厚２mmのステ
ンレス鋼（ＳＵＳ４３０）基板を用いた。エナメル被覆
としての多層絶縁層６２（図中、斜線で示す）はホウケ
イ酸鉛系のガラスペーストを直径１６mmに印刷後、８５
０℃で焼成して形成した。多層絶縁層６２は印刷焼成時
のピンホールによる金属基板６１−導体６３間の導通を
避けるため、ごく一般に行われている如く、２回印刷焼
成を行った。この基板上に銀パラジウム系の導体６３と
ＲｕＯ2系の歪抵抗素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１
４をそれぞれ図５に示すように印刷し、８５０℃で焼成
した。このように金属を芯にした基体を構成することに
より、高圧力や衝撃圧力で割れたり破壊することはなく
なった。６４は検出回路である。
【０００７】なお、ダイアフラム６０のシミュレーショ
ンによる応力解析の結果、多層絶縁層６２の直径が１６
mmの場合、金属基板６１の歪抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１４が
存在する部分にはほとんど歪が加わらないことが明らか
になったことから、この部分を力学量非感知部とし、Ｒ
１１，Ｒ１３のみの変化で出力を得ることとした。ま
た、Ｒ１２，Ｒ１４に歪が加わらないことから、Ｒ１
２，Ｒ１４をＹＡＧレーザートリミングすることにより
歪抵抗素子のホイートストーンブリッジのバランスを調
整した。
ンによる応力解析の結果、多層絶縁層６２の直径が１６
mmの場合、金属基板６１の歪抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１４が
存在する部分にはほとんど歪が加わらないことが明らか
になったことから、この部分を力学量非感知部とし、Ｒ
１１，Ｒ１３のみの変化で出力を得ることとした。ま
た、Ｒ１２，Ｒ１４に歪が加わらないことから、Ｒ１
２，Ｒ１４をＹＡＧレーザートリミングすることにより
歪抵抗素子のホイートストーンブリッジのバランスを調
整した。
【０００８】上記のダイアフラム６０について、金属基
板６１−導体６３間の絶縁抵抗を評価した結果、約７０
％が絶縁不良を起こしており、極めて歩留まりが悪いこ
とが明らかになった。これは、多層絶縁層６２の膜厚が
２層合計３０μｍ弱と薄いためであると考えられる。
板６１−導体６３間の絶縁抵抗を評価した結果、約７０
％が絶縁不良を起こしており、極めて歩留まりが悪いこ
とが明らかになった。これは、多層絶縁層６２の膜厚が
２層合計３０μｍ弱と薄いためであると考えられる。
【０００９】さらに、良品について歪抵抗素子Ｒ１２，
Ｒ１４のレーザートリミングを実施したところ、トリミ
ング先端が金属基板６１にまで達していることがダイア
フラム６０の断面観察より明らかになった。この場合、
歪抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１４中に含まれるＲｕＯ2導電粒
子が金属基板６１に接し、絶縁不良を起こす可能性が大
きくなる。
Ｒ１４のレーザートリミングを実施したところ、トリミ
ング先端が金属基板６１にまで達していることがダイア
フラム６０の断面観察より明らかになった。この場合、
歪抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１４中に含まれるＲｕＯ2導電粒
子が金属基板６１に接し、絶縁不良を起こす可能性が大
きくなる。
【００１０】これは、膜厚が薄いためだけでなく、今回
用いた多層絶縁層６２の色が青系統のもの（ＪＩＳ Ｚ
８７２１による５ＰＢ６／６）であったため、レーザー
光を吸収しやすく、多層絶縁層６２全体がトリミングさ
れたためと思われる。
用いた多層絶縁層６２の色が青系統のもの（ＪＩＳ Ｚ
８７２１による５ＰＢ６／６）であったため、レーザー
光を吸収しやすく、多層絶縁層６２全体がトリミングさ
れたためと思われる。
【００１１】そこで、良品の中で、トリミングをしなく
ても最初からホイートストーンブリッジのバランスが取
れていたダイアフラム６０について、その周囲を本体に
プロジェクション溶接することにより実際に圧力センサ
を構成し、出力特性を−４０℃から１２５℃で測定し
た。歪抵抗素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４は検出
回路６４内でホイートストーンブリッジ回路となるよう
配線した。なお、検出回路６４は室温下に置き、ダイア
フラム６０部分のみ温度を変えた。その結果、オフセッ
ト（０点）のドリフトが約２０％Ｆ．Ｓ．（フルスケー
ル）と著しく悪いことがわかった。
ても最初からホイートストーンブリッジのバランスが取
れていたダイアフラム６０について、その周囲を本体に
プロジェクション溶接することにより実際に圧力センサ
を構成し、出力特性を−４０℃から１２５℃で測定し
た。歪抵抗素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４は検出
回路６４内でホイートストーンブリッジ回路となるよう
配線した。なお、検出回路６４は室温下に置き、ダイア
フラム６０部分のみ温度を変えた。その結果、オフセッ
ト（０点）のドリフトが約２０％Ｆ．Ｓ．（フルスケー
ル）と著しく悪いことがわかった。
【００１２】これは、ダイアフラム６０上で歪抵抗素子
Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４がバラバラの位置、方
向に配されているため、焼成時の熱分布の差が原因とな
り、各歪抵抗素子の温度特性にばらつきが生じるためと
思われる。
Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４がバラバラの位置、方
向に配されているため、焼成時の熱分布の差が原因とな
り、各歪抵抗素子の温度特性にばらつきが生じるためと
思われる。
【００１３】また、印刷時に導体６３と歪抵抗素子Ｒ１
１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４の位置関係がずれることに
より、各歪抵抗素子の温度特性にばらつきが生じるため
とも考えられる。
１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４の位置関係がずれることに
より、各歪抵抗素子の温度特性にばらつきが生じるため
とも考えられる。
【００１４】さらに、溶接部分に近接した歪抵抗素子Ｒ
１２，Ｒ１４は溶接熱の影響を受けやすいため、Ｒ１
１，Ｒ１３に比べ温度特性が異なると考えられる。
１２，Ｒ１４は溶接熱の影響を受けやすいため、Ｒ１
１，Ｒ１３に比べ温度特性が異なると考えられる。
【００１５】以上のことより、従来の技術ではダイアフ
ラムの歩留まりが悪く、さらに圧力センサに組み立てた
とき０点ドリフトが大きく、非常に精度が悪いという課
題があった。
ラムの歩留まりが悪く、さらに圧力センサに組み立てた
とき０点ドリフトが大きく、非常に精度が悪いという課
題があった。
【００１６】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、歩留まりがよく、高精度の力学量センサを提供する
ことを目的とする。
で、歩留まりがよく、高精度の力学量センサを提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の力学量センサは、力学量の加わる金属基板
と、前記金属基板の表面を被覆するように印刷焼成さ
れ、１層あたり３０μｍ以下の膜厚を有する少なくとも
３層の多層絶縁層と、前記多層絶縁層の表面に印刷焼成
された歪抵抗素子と、前記歪抵抗素子に接続するように
印刷焼成した導体を備え、前記金属基板に印加した力学
量を前記歪抵抗素子の抵抗値の変化として検出し、電気
的に出力するように構成したものであり、歩留まりがよ
く、高精度の力学量センサを構成することができる。
に、本発明の力学量センサは、力学量の加わる金属基板
と、前記金属基板の表面を被覆するように印刷焼成さ
れ、１層あたり３０μｍ以下の膜厚を有する少なくとも
３層の多層絶縁層と、前記多層絶縁層の表面に印刷焼成
された歪抵抗素子と、前記歪抵抗素子に接続するように
印刷焼成した導体を備え、前記金属基板に印加した力学
量を前記歪抵抗素子の抵抗値の変化として検出し、電気
的に出力するように構成したものであり、歩留まりがよ
く、高精度の力学量センサを構成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、力学量の加わる金属基板と、前記金属基板の表面を
被覆するように印刷焼成され、１層あたり３０μｍ以下
の膜厚を有する少なくとも３層の多層絶縁層と、前記多
層絶縁層の表面に印刷焼成した歪抵抗素子と、前記歪抵
抗素子に接続するように印刷焼成した導体を備え、前記
金属基板に印加した力学量を前記歪抵抗素子の抵抗値の
変化として検出し、電気的に出力するように構成した力
学量センサであり、絶縁不良を改善でき、力学量センサ
の歩留まりが向上するという作用を有する。
は、力学量の加わる金属基板と、前記金属基板の表面を
被覆するように印刷焼成され、１層あたり３０μｍ以下
の膜厚を有する少なくとも３層の多層絶縁層と、前記多
層絶縁層の表面に印刷焼成した歪抵抗素子と、前記歪抵
抗素子に接続するように印刷焼成した導体を備え、前記
金属基板に印加した力学量を前記歪抵抗素子の抵抗値の
変化として検出し、電気的に出力するように構成した力
学量センサであり、絶縁不良を改善でき、力学量センサ
の歩留まりが向上するという作用を有する。
【００１９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の力学量センサにおいて、多層絶縁層が歪抵抗素子のト
リミング時のレーザー光を吸収しにくい色である構成を
有し、レーザートリミング時の力学量センサの歩留まり
が向上するという作用を有する。
の力学量センサにおいて、多層絶縁層が歪抵抗素子のト
リミング時のレーザー光を吸収しにくい色である構成を
有し、レーザートリミング時の力学量センサの歩留まり
が向上するという作用を有する。
【００２０】請求項３に記載の発明は、力学量が加わる
力学量感知部と、力学量が加わらない力学量非感知部を
有する金属基板と、前記金属基板の表面を被覆するよう
に印刷焼成した多層絶縁層と、前記力学量感知部および
前記力学量非感知部の多層絶縁層の表面に焼成した各々
２個、合計４個の同一方向に同列に配した歪抵抗素子
と、前記歪抵抗素子がホイートストーンブリッジを形成
するように接続した導体を備え、前記力学量感知部に印
加した力学量を前記歪抵抗素子の抵抗値の変化として検
出し、電気的に出力するように構成した力学量センサで
あり、歪抵抗素子の焼成時のばらつきを低減でき、力学
量センサの０点ドリフトが改善され、高精度化が可能に
なるという作用を有する。
力学量感知部と、力学量が加わらない力学量非感知部を
有する金属基板と、前記金属基板の表面を被覆するよう
に印刷焼成した多層絶縁層と、前記力学量感知部および
前記力学量非感知部の多層絶縁層の表面に焼成した各々
２個、合計４個の同一方向に同列に配した歪抵抗素子
と、前記歪抵抗素子がホイートストーンブリッジを形成
するように接続した導体を備え、前記力学量感知部に印
加した力学量を前記歪抵抗素子の抵抗値の変化として検
出し、電気的に出力するように構成した力学量センサで
あり、歪抵抗素子の焼成時のばらつきを低減でき、力学
量センサの０点ドリフトが改善され、高精度化が可能に
なるという作用を有する。
【００２１】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
３のいずれかに記載の力学量センサにおいて、歪抵抗素
子の幅が、前記歪抵抗素子に接続される導体の幅より広
い構成を有し、力学量センサの０点ドリフトが改善さ
れ、高精度化が可能になるという作用を有する。
３のいずれかに記載の力学量センサにおいて、歪抵抗素
子の幅が、前記歪抵抗素子に接続される導体の幅より広
い構成を有し、力学量センサの０点ドリフトが改善さ
れ、高精度化が可能になるという作用を有する。
【００２２】請求項５に記載の発明は、力学量が加わる
力学量感知部と力学量が加わらない力学量非感知部を有
する金属基板と、前記力学量感知部と力学量非感知部の
表面に間隔を設けてそれぞれ被覆するように印刷焼成し
た多層絶縁層と、前記金属基板の多層絶縁層が設けられ
た反対面に上記多層絶縁層の間隔部分と対応するように
溶接された本体と、前記力学量感知部および前記力学量
非感知部の多層絶縁層の表面に焼成した各々２個、合計
４個の歪抵抗素子と、前記歪抵抗素子がホイートストー
ンブリッジを形成するように接続した導体を備え、前記
力学量感知部に印加した力学量を前記歪抵抗素子の抵抗
値の変化として検出し、電気的に出力するように構成し
た力学量センサであり、金属基板と本体の溶接時に４個
の歪抵抗素子に加わる溶接熱のばらつきを低減でき、力
学量センサの０点ドリフトが改善され、高精度化が可能
になるという作用を有する。
力学量感知部と力学量が加わらない力学量非感知部を有
する金属基板と、前記力学量感知部と力学量非感知部の
表面に間隔を設けてそれぞれ被覆するように印刷焼成し
た多層絶縁層と、前記金属基板の多層絶縁層が設けられ
た反対面に上記多層絶縁層の間隔部分と対応するように
溶接された本体と、前記力学量感知部および前記力学量
非感知部の多層絶縁層の表面に焼成した各々２個、合計
４個の歪抵抗素子と、前記歪抵抗素子がホイートストー
ンブリッジを形成するように接続した導体を備え、前記
力学量感知部に印加した力学量を前記歪抵抗素子の抵抗
値の変化として検出し、電気的に出力するように構成し
た力学量センサであり、金属基板と本体の溶接時に４個
の歪抵抗素子に加わる溶接熱のばらつきを低減でき、力
学量センサの０点ドリフトが改善され、高精度化が可能
になるという作用を有する。
【００２３】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態について、力学量センサとして、圧力センサを例に図
１から図３を用いて説明する。図１は本発明の実施形態
による圧力センサのダイアフラム部の平面図を、図２は
圧力センサ検出部の断面図をそれぞれ示す。１は厚さ２
mmのステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）の金属基板で、その
表面には１層あたり厚さ約２０μｍのホウケイ酸鉛系の
ガラスペーストを３回印刷焼成した多層絶縁層２が形成
される。この多層絶縁層２は図１に示すような同心円パ
ターン（斜線部）で、力学量感知部３、力学量非感知部
４の上にそれぞれ設けてある。力学量感知部３と力学量
非感知部４上の多層絶縁層２の間隔１０は２mmとした。
上記多層絶縁層２の表面には銀パラジウム系の導体５と
ＲｕＯ2系の歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をそれ
ぞれ印刷し、８５０℃で焼成した。歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４は検出回路９内でホイートストーンブリ
ッジを形成するよう配線してある。なお、図１に示すよ
うに、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は同一方向に
同列に配した。また、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４と導体５の接続する部分において、歪抵抗素子Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の幅は、導体５の幅より広くなるよう
なパターンで印刷した。このようにして完成したダイア
フラム６は間隔１０に幅１．５mmのリング状溶接電極を
当てることにより、圧力導入口７を有する本体８とプロ
ジェクション溶接される。溶接後、歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ
４はホイートストーンブリッジバランスを調整するため
ＹＡＧレーザートリミングされる。なお、上記多層絶縁
層２は焼成後に、トリミング時のレーザー光を吸収しに
くい白色（ＪＩＳ Ｚ８７２１によるＮ８）となるもの
を用いた。
態について、力学量センサとして、圧力センサを例に図
１から図３を用いて説明する。図１は本発明の実施形態
による圧力センサのダイアフラム部の平面図を、図２は
圧力センサ検出部の断面図をそれぞれ示す。１は厚さ２
mmのステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）の金属基板で、その
表面には１層あたり厚さ約２０μｍのホウケイ酸鉛系の
ガラスペーストを３回印刷焼成した多層絶縁層２が形成
される。この多層絶縁層２は図１に示すような同心円パ
ターン（斜線部）で、力学量感知部３、力学量非感知部
４の上にそれぞれ設けてある。力学量感知部３と力学量
非感知部４上の多層絶縁層２の間隔１０は２mmとした。
上記多層絶縁層２の表面には銀パラジウム系の導体５と
ＲｕＯ2系の歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をそれ
ぞれ印刷し、８５０℃で焼成した。歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４は検出回路９内でホイートストーンブリ
ッジを形成するよう配線してある。なお、図１に示すよ
うに、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は同一方向に
同列に配した。また、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４と導体５の接続する部分において、歪抵抗素子Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の幅は、導体５の幅より広くなるよう
なパターンで印刷した。このようにして完成したダイア
フラム６は間隔１０に幅１．５mmのリング状溶接電極を
当てることにより、圧力導入口７を有する本体８とプロ
ジェクション溶接される。溶接後、歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ
４はホイートストーンブリッジバランスを調整するため
ＹＡＧレーザートリミングされる。なお、上記多層絶縁
層２は焼成後に、トリミング時のレーザー光を吸収しに
くい白色（ＪＩＳ Ｚ８７２１によるＮ８）となるもの
を用いた。
【００２４】次にこのような圧力センサの動作について
説明する。圧力が圧力導入口７から印加されると、ダイ
アフラム６の力学量感知部３がたわみ、力学量感知部３
の表面に設けられた歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ３が歪む。その
結果、歪抵抗素子のＲ１，Ｒ３の抵抗値が変化する。一
方、力学量非感知部４上の歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗
値は圧力を印加しても変化しないので、これら４個の歪
抵抗素子のブリッジ回路が不均衡となり、この変化を検
出回路９で検出することにより、圧力変化を電圧の変化
として出力する。このような構成の圧力センサに対し
て、ダイアフラム６の歩留まりを検討したところ、金属
基板１−導体５間の絶縁不良を起こすものはなく、１０
０％良品が得られた。これは、多層絶縁層２の膜厚合計
が平均約６０μｍと厚くなったためである。
説明する。圧力が圧力導入口７から印加されると、ダイ
アフラム６の力学量感知部３がたわみ、力学量感知部３
の表面に設けられた歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ３が歪む。その
結果、歪抵抗素子のＲ１，Ｒ３の抵抗値が変化する。一
方、力学量非感知部４上の歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗
値は圧力を印加しても変化しないので、これら４個の歪
抵抗素子のブリッジ回路が不均衡となり、この変化を検
出回路９で検出することにより、圧力変化を電圧の変化
として出力する。このような構成の圧力センサに対し
て、ダイアフラム６の歩留まりを検討したところ、金属
基板１−導体５間の絶縁不良を起こすものはなく、１０
０％良品が得られた。これは、多層絶縁層２の膜厚合計
が平均約６０μｍと厚くなったためである。
【００２５】ここで、多層絶縁層２の合計膜厚を厚くす
るには１層あたりの膜厚を厚くすればよいと考えられる
が、実際に膜厚を１層あたり約４０μｍに厚くして多層
絶縁層を焼成すると多数のクラックが発生し、絶縁層と
して全く使用できなかった。これはガラスペーストに含
まれる有機成分がガスとなって抜ける際、薄い膜厚のも
のに比べガス総量が増え、発泡するためと思われる。そ
こで、１層の膜厚とクラック発生の関係を検討した結
果、膜厚が３０μｍを越えるとクラックが発生しやすい
ことが判明した。このことから、膜厚が１層あたり３０
μｍ以下であればクラック発生のない多層絶縁層を形成
することができた。但し、今回作製したサンプルの印刷
時の膜厚誤差は最大±５μｍであったので、３０μｍ狙
いで印刷した場合、最大３５μｍの膜厚となり、クラッ
クが発生する可能性がある。従って、１層あたりの膜厚
は２５μｍ以下が望ましい。
るには１層あたりの膜厚を厚くすればよいと考えられる
が、実際に膜厚を１層あたり約４０μｍに厚くして多層
絶縁層を焼成すると多数のクラックが発生し、絶縁層と
して全く使用できなかった。これはガラスペーストに含
まれる有機成分がガスとなって抜ける際、薄い膜厚のも
のに比べガス総量が増え、発泡するためと思われる。そ
こで、１層の膜厚とクラック発生の関係を検討した結
果、膜厚が３０μｍを越えるとクラックが発生しやすい
ことが判明した。このことから、膜厚が１層あたり３０
μｍ以下であればクラック発生のない多層絶縁層を形成
することができた。但し、今回作製したサンプルの印刷
時の膜厚誤差は最大±５μｍであったので、３０μｍ狙
いで印刷した場合、最大３５μｍの膜厚となり、クラッ
クが発生する可能性がある。従って、１層あたりの膜厚
は２５μｍ以下が望ましい。
【００２６】この結果から、１層あたりの膜厚は厚くで
きないため、印刷焼成回数を増やし、絶縁層を多層化す
ることによって膜厚を厚くし、絶縁不良を改善しなけれ
ばならない。そこで、１層あたり膜厚約２０μｍの絶縁
層の印刷焼成回数と絶縁不良率の関係を求めた。その結
果、従来例（膜厚約３０μｍ）で約７０％あった絶縁不
良率が、２回印刷焼成（膜厚約２０μｍ×２＝約４０μ
ｍ）で約１０％、３回（膜厚約２０μｍ×３＝約６０μ
ｍ）以上で０％となり、少なくとも３回印刷焼成すれば
歩留まりが良好な多層絶縁層を形成することができた。
きないため、印刷焼成回数を増やし、絶縁層を多層化す
ることによって膜厚を厚くし、絶縁不良を改善しなけれ
ばならない。そこで、１層あたり膜厚約２０μｍの絶縁
層の印刷焼成回数と絶縁不良率の関係を求めた。その結
果、従来例（膜厚約３０μｍ）で約７０％あった絶縁不
良率が、２回印刷焼成（膜厚約２０μｍ×２＝約４０μ
ｍ）で約１０％、３回（膜厚約２０μｍ×３＝約６０μ
ｍ）以上で０％となり、少なくとも３回印刷焼成すれば
歩留まりが良好な多層絶縁層を形成することができた。
【００２７】なお、先に述べた１層の膜厚とクラック発
生の関係の検討結果より、１層の膜厚を２５μｍとし、
印刷焼成回数を２回で済ませる構成も考えられるが、こ
の場合は、膜厚誤差が１層あたり最大±５μｍあるた
め、２層で±１０μｍの誤差が存在しうる。もし、薄め
に形成された場合、膜厚は２５×２−１０＝４０μｍと
なり、絶縁不良が発生する可能性を否定できない。従っ
て、印刷焼成回数は少なくとも３回必要であった。但
し、印刷焼成回数が増えると製造コストが増大するた
め、印刷焼成回数は３回が望ましい。以上の構成によ
り、絶縁不良がなくなり、圧力センサの歩留まりが向上
した。
生の関係の検討結果より、１層の膜厚を２５μｍとし、
印刷焼成回数を２回で済ませる構成も考えられるが、こ
の場合は、膜厚誤差が１層あたり最大±５μｍあるた
め、２層で±１０μｍの誤差が存在しうる。もし、薄め
に形成された場合、膜厚は２５×２−１０＝４０μｍと
なり、絶縁不良が発生する可能性を否定できない。従っ
て、印刷焼成回数は少なくとも３回必要であった。但
し、印刷焼成回数が増えると製造コストが増大するた
め、印刷焼成回数は３回が望ましい。以上の構成によ
り、絶縁不良がなくなり、圧力センサの歩留まりが向上
した。
【００２８】また、上記の構成の圧力センサにおいて、
ダイアフラム６の断面観察により、歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ
４のレーザートリミング先端深さを求めた。ここで、多
層絶縁層２は先述と同様、１層あたり膜厚２０μｍの絶
縁層を３回印刷焼成して作製した。その結果、トリミン
グ先端は約３６μｍの深さまで達していた。多層絶縁層
２の合計膜厚は約６０μｍであったので、膜厚誤差（３
回印刷焼成なので±５×３＝±１５μｍ）を考慮しても
トリミング先端が金属基板１に達することはなく、良好
なトリミング性であることがわかった。
ダイアフラム６の断面観察により、歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ
４のレーザートリミング先端深さを求めた。ここで、多
層絶縁層２は先述と同様、１層あたり膜厚２０μｍの絶
縁層を３回印刷焼成して作製した。その結果、トリミン
グ先端は約３６μｍの深さまで達していた。多層絶縁層
２の合計膜厚は約６０μｍであったので、膜厚誤差（３
回印刷焼成なので±５×３＝±１５μｍ）を考慮しても
トリミング先端が金属基板１に達することはなく、良好
なトリミング性であることがわかった。
【００２９】なお、上記と同じ多層絶縁層構成で、従来
例と同様、色が青系統のもの（ＪＩＳ Ｚ８７２１によ
る５ＰＢ６／６）を用いた場合は、トリミング先端が約
５０μｍの深さまで達していた。多層絶縁層２の合計膜
厚は約６０μｍであったので、膜厚を厚くすることによ
り従来例と同様のガラスペーストで多層絶縁層２を構成
しても、トリミング先端が金属基板１に達することはな
かったが、膜厚誤差を考慮すると、最小膜厚は６０−１
５＝４５μｍとなり、トリミング先端が金属基板１に達
する場合があることが十分考えられる。
例と同様、色が青系統のもの（ＪＩＳ Ｚ８７２１によ
る５ＰＢ６／６）を用いた場合は、トリミング先端が約
５０μｍの深さまで達していた。多層絶縁層２の合計膜
厚は約６０μｍであったので、膜厚を厚くすることによ
り従来例と同様のガラスペーストで多層絶縁層２を構成
しても、トリミング先端が金属基板１に達することはな
かったが、膜厚誤差を考慮すると、最小膜厚は６０−１
５＝４５μｍとなり、トリミング先端が金属基板１に達
する場合があることが十分考えられる。
【００３０】また、レーザー強度を弱くすれば過剰トリ
ミングが避けられると考えられるが、今回用いたレーザ
ートリミング装置はレーザーフォーカスが固定式のもの
のため、多層絶縁層２の膜厚がばらついた場合フォーカ
スが甘くなり、レーザーパワーが歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ４
に十分照射されず、トリミングが不十分になる可能性が
ある。従って、確実にトリミングを行うためには現状の
レーザーパワーを弱めることができなかった。もちろ
ん、レーザーフォーカスが自動式の装置であれば上記の
点は回避されるが、固定式に比べ約３倍もの莫大な設備
投資が必要であり、圧力センサのコストアップが避けら
れない。従って、多層絶縁層２がレーザー光を吸収しに
くい色とすることによって、トリミングのしすぎを防ぐ
ことができ、その結果、特別な設備投資をすることなく
圧力センサの歩留まりを向上することができた。
ミングが避けられると考えられるが、今回用いたレーザ
ートリミング装置はレーザーフォーカスが固定式のもの
のため、多層絶縁層２の膜厚がばらついた場合フォーカ
スが甘くなり、レーザーパワーが歪抵抗素子Ｒ２，Ｒ４
に十分照射されず、トリミングが不十分になる可能性が
ある。従って、確実にトリミングを行うためには現状の
レーザーパワーを弱めることができなかった。もちろ
ん、レーザーフォーカスが自動式の装置であれば上記の
点は回避されるが、固定式に比べ約３倍もの莫大な設備
投資が必要であり、圧力センサのコストアップが避けら
れない。従って、多層絶縁層２がレーザー光を吸収しに
くい色とすることによって、トリミングのしすぎを防ぐ
ことができ、その結果、特別な設備投資をすることなく
圧力センサの歩留まりを向上することができた。
【００３１】次に、本構成の圧力センサにおける０点ド
リフトを検討した。測定条件は従来例と同一であった。
その結果、０点ドリフトは約５％Ｆ．Ｓ．と、従来に比
べ著しく改善され、高精度な圧力センサを構成すること
ができた。これは、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
を図１に示すように同一方向に同列に配したためであ
る。すなわち、従来例と比べ、４個の歪抵抗素子が同一
方向に向いているため印刷時のばらつきが最小限に抑え
られ、また、同列に配されているため焼成時に均等な昇
降温が得られ、その結果、各歪抵抗素子の温度特性ばら
つきが低減された。
リフトを検討した。測定条件は従来例と同一であった。
その結果、０点ドリフトは約５％Ｆ．Ｓ．と、従来に比
べ著しく改善され、高精度な圧力センサを構成すること
ができた。これは、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
を図１に示すように同一方向に同列に配したためであ
る。すなわち、従来例と比べ、４個の歪抵抗素子が同一
方向に向いているため印刷時のばらつきが最小限に抑え
られ、また、同列に配されているため焼成時に均等な昇
降温が得られ、その結果、各歪抵抗素子の温度特性ばら
つきが低減された。
【００３２】さらに、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４の幅を導体５の幅より広くしたことからも各歪抵抗素
子の温度特性ばらつきが低減された。すなわち、従来例
の場合、図３（ａ）に示すように歪抵抗素子Ｒの幅が導
体５の幅より狭いため、図３（ｂ）に示すように歪抵抗
素子Ｒが印刷時にずれると、歪抵抗素子Ｒの実効有効面
積が図中斜線で示すように両者で異なり、各歪抵抗素子
の温度特性にばらつきが生じる。一方、本構成の場合、
歪抵抗素子Ｒの幅が導体５の幅より広くしたため、図３
（ｃ），（ｄ）に示すように歪抵抗素子Ｒが印刷時にず
れても、図中斜線で示した実効有効面積に差はなく、各
歪抵抗素子の温度特性ばらつきが低減される。
４の幅を導体５の幅より広くしたことからも各歪抵抗素
子の温度特性ばらつきが低減された。すなわち、従来例
の場合、図３（ａ）に示すように歪抵抗素子Ｒの幅が導
体５の幅より狭いため、図３（ｂ）に示すように歪抵抗
素子Ｒが印刷時にずれると、歪抵抗素子Ｒの実効有効面
積が図中斜線で示すように両者で異なり、各歪抵抗素子
の温度特性にばらつきが生じる。一方、本構成の場合、
歪抵抗素子Ｒの幅が導体５の幅より広くしたため、図３
（ｃ），（ｄ）に示すように歪抵抗素子Ｒが印刷時にず
れても、図中斜線で示した実効有効面積に差はなく、各
歪抵抗素子の温度特性ばらつきが低減される。
【００３３】また、本構成におけるダイアフラム６上の
力学量感知部３と力学量非感知部４に間隔１０を設け、
間隔１０を通して金属基板１と本体８とを溶接接合する
ことによっても各歪抵抗素子の温度特性ばらつきが低減
された。すなわち、従来例では、図５のダイアフラム６
０周囲を溶接しているが、溶接部分に近接した歪抵抗素
子Ｒ２，Ｒ４は溶接熱の影響を受けるため、Ｒ１，Ｒ３
に比べ温度特性が異なる。一方、本構成では、図１およ
び図２に示すように力学量感知部３と力学量非感知部４
に間隔１０を設け、間隔１０を通して金属基板１と本体
８とを溶接接合するため、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４にはほぼ均等の溶接熱が加わり、各歪抵抗素子
の温度特性ばらつきが低減される。以上の構成から、０
点ドリフトを低減することができ、高精度の圧力センサ
を実現できた。
力学量感知部３と力学量非感知部４に間隔１０を設け、
間隔１０を通して金属基板１と本体８とを溶接接合する
ことによっても各歪抵抗素子の温度特性ばらつきが低減
された。すなわち、従来例では、図５のダイアフラム６
０周囲を溶接しているが、溶接部分に近接した歪抵抗素
子Ｒ２，Ｒ４は溶接熱の影響を受けるため、Ｒ１，Ｒ３
に比べ温度特性が異なる。一方、本構成では、図１およ
び図２に示すように力学量感知部３と力学量非感知部４
に間隔１０を設け、間隔１０を通して金属基板１と本体
８とを溶接接合するため、歪抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４にはほぼ均等の溶接熱が加わり、各歪抵抗素子
の温度特性ばらつきが低減される。以上の構成から、０
点ドリフトを低減することができ、高精度の圧力センサ
を実現できた。
【００３４】なお、本実施の形態では、圧力センサに限
って説明したが、歪抵抗素子を用いた荷重センサ、重量
センサ、加速度センサなど他の力学量センサにも同等の
構成を適用して実現できるのはもちろんである。
って説明したが、歪抵抗素子を用いた荷重センサ、重量
センサ、加速度センサなど他の力学量センサにも同等の
構成を適用して実現できるのはもちろんである。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、金属基板上に１層あたり３０μｍ以下の膜厚を
有する少なくとも３層の多層絶縁層を印刷焼成すること
により、絶縁不良を改善することができる。また、多層
絶縁層が歪抵抗素子のトリミング時のレーザー光を吸収
しにくい色とすることによりレーザートリミング時の過
剰トリミングを防止することができる。また、４個の歪
抵抗素子を同一方向に同列に配したので、各歪抵抗素子
の温度特性のばらつきを低減することができる。また、
歪抵抗素子の幅を導体の幅より広くしたことにより、各
歪抵抗素子の実効有効面積を等しくして温度特性のばら
つきを低減することができる。また、ダイアフラム上の
力学量感知部と力学量非感知部に間隔を設け、その間隔
を通して金属基板と本体とを溶接接合する構成とするこ
とにより溶接熱に起因する各歪抵抗素子の温度特性のば
らつきを低減することができる。したがって、歩留まり
が良好で、高精度な力学量センサを提供することができ
る。
よれば、金属基板上に１層あたり３０μｍ以下の膜厚を
有する少なくとも３層の多層絶縁層を印刷焼成すること
により、絶縁不良を改善することができる。また、多層
絶縁層が歪抵抗素子のトリミング時のレーザー光を吸収
しにくい色とすることによりレーザートリミング時の過
剰トリミングを防止することができる。また、４個の歪
抵抗素子を同一方向に同列に配したので、各歪抵抗素子
の温度特性のばらつきを低減することができる。また、
歪抵抗素子の幅を導体の幅より広くしたことにより、各
歪抵抗素子の実効有効面積を等しくして温度特性のばら
つきを低減することができる。また、ダイアフラム上の
力学量感知部と力学量非感知部に間隔を設け、その間隔
を通して金属基板と本体とを溶接接合する構成とするこ
とにより溶接熱に起因する各歪抵抗素子の温度特性のば
らつきを低減することができる。したがって、歩留まり
が良好で、高精度な力学量センサを提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態による圧力センサのダイ
アフラム部の概略平面図
アフラム部の概略平面図
【図２】同圧力センサ検出部の概略断面図
【図３】（ａ）は従来例の歪抵抗素子と導体の相対位置
の関係を示す平面図 （ｂ）は従来例の印刷ずれ時の歪抵抗素子と導体の相対
位置関係を示す平面図 （ｃ）は本発明の歪抵抗素子と導体の相対位置関係を示
す平面図 （ｄ）は本発明の印刷ずれ時の歪抵抗素子と導体の相対
位置関係を示す平面図
の関係を示す平面図 （ｂ）は従来例の印刷ずれ時の歪抵抗素子と導体の相対
位置関係を示す平面図 （ｃ）は本発明の歪抵抗素子と導体の相対位置関係を示
す平面図 （ｄ）は本発明の印刷ずれ時の歪抵抗素子と導体の相対
位置関係を示す平面図
【図４】（ａ）は従来の抵抗器歪計の平面図 （ｂ）は同断面図
【図５】従来の圧力センサのダイアフラム部の概略平面
図
図
１，６１ 金属基板 ２，６２ 多層絶縁層 ３ 力学量感知部 ４ 力学量非感知部 ５，６３ 導体 ６，６０ ダイアフラム ７ 圧力導入口 ８ 本体 ９，６４ 検出回路 １０ 間隔 ５１ 基体 Ｒ，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１
３，Ｒ１４ 歪抵抗素子
３，Ｒ１４ 歪抵抗素子
Claims (5)
- 【請求項１】 力学量の加わる金属基板と、前記金属基
板の表面を被覆するように印刷焼成された１層あたり３
０μｍ以下の膜厚を有する少なくとも３層の多層絶縁層
と、前記多層絶縁層の表面に印刷焼成した歪抵抗素子
と、前記歪抵抗素子に接続するように印刷焼成した導体
を備え、前記金属基板に印加した力学量を前記歪抵抗素
子の抵抗値の変化として検出し、電気的に出力する力学
量センサ。 - 【請求項２】 多層絶縁層が歪抵抗素子のトリミング時
のレーザー光を吸収しにくい色である請求項１に記載の
力学量センサ。 - 【請求項３】 力学量が加わる力学量感知部と、力学量
が加わらない力学量非感知部を有する金属基板と、前記
金属基板の表面を被覆するように印刷焼成した多層絶縁
層と、前記力学量感知部および前記力学量非感知部の多
層絶縁層の表面に印刷焼成した各々２個、合計４個の同
一方向に同列に配した歪抵抗素子と、前記歪抵抗素子が
ホイートストーンブリッジを形成するように接続した導
体を備え、前記力学量感知部に印加した力学量を前記歪
抵抗素子の抵抗値の変化として検出し、電気的に出力す
る力学量センサ。 - 【請求項４】 歪抵抗素子の幅が、前記歪抵抗素子に接
続される導体の幅より広い構成を有する請求項１から３
のいずれかに記載の力学量センサ。 - 【請求項５】 力学量が加わる力学量感知部と、力学量
が加わらない力学量非感知部を有する金属基板と、前記
力学量感知部と力学量非感知部の表面に間隔を設けてそ
れぞれ被覆するように印刷焼成した多層絶縁層と、前記
金属基板の多層絶縁層が設けられた反対面に上記多層絶
縁層の間隔部分と対応するように溶接された本体と、前
記力学量感知部および前記力学量非感知部の多層絶縁層
の表面に焼成した各々２個、合計４個の歪抵抗素子と、
前記歪抵抗素子がホイートストーンブリッジを形成する
ように接続した導体を備え、前記力学量感知部に印加し
た力学量を前記歪抵抗素子の抵抗値の変化として検出
し、電気的に出力する力学量センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125596A JPH09243472A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 力学量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125596A JPH09243472A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 力学量センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09243472A true JPH09243472A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12881850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5125596A Pending JPH09243472A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 力学量センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09243472A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015384A1 (ja) * | 2002-08-07 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 荷重センサ及びその製造方法、それに用いるペースト及びその製造方法 |
| US7010986B2 (en) | 2001-10-02 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Strain sensor and method of producing the same |
| CN105784217A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-07-20 | 长野计器株式会社 | 传感器模块和传感器模块的制造方法 |
| JP2017116337A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 長野計器株式会社 | 圧力センサの製造方法 |
| US20180080844A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor for detecting a pressure of a fluid medium in a measuring chamber |
| WO2023276884A1 (ja) | 2021-06-28 | 2023-01-05 | 長野計器株式会社 | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP5125596A patent/JPH09243472A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7010986B2 (en) | 2001-10-02 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Strain sensor and method of producing the same |
| US7181831B2 (en) | 2001-10-02 | 2007-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing strain sensor |
| WO2004015384A1 (ja) * | 2002-08-07 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 荷重センサ及びその製造方法、それに用いるペースト及びその製造方法 |
| US7164342B2 (en) | 2002-08-07 | 2007-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Load sensor and method of manufacturing the load sensor, paste used for the method, and method of manufacturing the paste |
| EP3054275A2 (en) | 2015-01-14 | 2016-08-10 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Sensor module and method for producing senor module |
| JP2016130688A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | 長野計器株式会社 | センサモジュール及びセンサモジュールの製造方法 |
| CN105784217A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-07-20 | 长野计器株式会社 | 传感器模块和传感器模块的制造方法 |
| US9702777B2 (en) | 2015-01-14 | 2017-07-11 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Sensor module and method for producing sensor module |
| CN105784217B (zh) * | 2015-01-14 | 2020-03-03 | 长野计器株式会社 | 传感器模块和传感器模块的制造方法 |
| JP2017116337A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 長野計器株式会社 | 圧力センサの製造方法 |
| US20180080844A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor for detecting a pressure of a fluid medium in a measuring chamber |
| US10914648B2 (en) * | 2016-09-22 | 2021-02-09 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor for detecting a pressure of a fluid medium in a measuring chamber |
| WO2023276884A1 (ja) | 2021-06-28 | 2023-01-05 | 長野計器株式会社 | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
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