WO2003004139A1 - Dispositif et procede d'affinage de materiaux solides - Google Patents

Dispositif et procede d'affinage de materiaux solides Download PDF

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WO2003004139A1
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roller
solid material
vaporizing
deposition
purification
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Kazunori Chiba
Hidenobu Murofushi
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Asahi Glass Company, Limited
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    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D7/00Sublimation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D3/00Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/08Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping in rotating vessels; Atomisation on rotating discs
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    • C07C15/24Polycyclic condensed hydrocarbons containing two rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07C25/00Compounds containing at least one halogen atom bound to a six-membered aromatic ring
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    • C07D251/00Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
    • C07D251/02Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
    • C07D251/12Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D251/14Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom
    • C07D251/24Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom to three ring carbon atoms
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    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for purifying a solid material.
  • the vaporizing section and solid deposition section are composed of rotatable rollers, enabling batch or continuous operation, efficient, and capable of preventing the entry of foreign particles, and purifying solid materials.
  • the present invention relates to an apparatus and a purification method. Background art
  • a common purification method for solid materials is recrystallization. Further, when the solid material can be liquefied and evaporated or when the solid material can be sublimated, a purification method such as distillation and sublimation is also used. Purification by recrystallization enables high purity. However, recrystallization has problems such as difficulty in continuous crystal recovery and difficulty in removing the solvent attached to the recovered crystals. In addition, sublimation has problems such as a slow sublimation rate and difficulty in continuous crystal recovery. In the laboratory for solid material distillation, a Kugel still can be used.
  • the sublimation purification apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-93701 is difficult to continuously operate in supplying raw materials and collecting purified products.
  • this device has a problem that the heat transfer area per unit volume for the material to be sublimed is small and the processing capacity is small.
  • the method for recovering the purified product is discontinuous, human operation is essential, and since the system must be opened at the time of recovery, foreign substances such as particles cannot be avoided. It is difficult to obtain highly purified crystals.
  • a material that can be purified by evaporation or sublimation from a solid compound is formed into high-purity crystals in a thermally stable state, and the operation of recovering the crystal from the supply of the material is performed in a batch or continuous manner. It is an object of the present invention to provide a highly efficient solid material refining apparatus and a method for refining the same, which can be performed in a series of operations to prevent particles and the like from being mixed. Disclosure of the invention
  • the present invention relates to an apparatus for purifying a solid material that can be evaporated or sublimated, comprising a housing, and at least one rotatable vaporizing roller and a sedimenting roller in the housing.
  • the present invention provides an apparatus for purifying a solid material. According to this purification device, solid materials can be purified with high purity and high efficiency.
  • the distance between the vaporizing roller and the precipitation roller is adjustable. According to this aspect, the positions of the two rollers suitable for the solid material to be purified can be selected, and the purification efficiency is improved.
  • the surface of the vaporizing roller and / or the precipitation roller has an uneven shape.
  • the evaporation efficiency, the sublimation efficiency, and the precipitation efficiency are improved, and the overall purification efficiency is improved.
  • the vaporizing roller and the precipitation roller can be heated and / or cooled. According to this aspect, evaporation or sublimation can be performed stably and in a large amount, the efficiency of precipitation can be increased, and the overall purification efficiency can be improved.
  • a separating means is further provided in the vicinity of the separating roller, and a gap is provided between a surface of the separating roller and a tip end of the separating means. According to this aspect, it is possible to prevent particles generated by sliding between the precipitation roller and the scraping means from being mixed.
  • the housing is heated by a heater to prevent crystals from adhering to the inner wall of the housing. According to this aspect, it is possible to prevent the solid material from being deposited on the roller other than the deposition roller, and to improve the overall purification efficiency.
  • the present invention provides a method for purifying a solid material, in which the solid material adhered to the surface of a rotatable vaporization port is evaporated or sublimated in a batch or continuous manner; Batchwise or continuously depositing on the surface of a rotatable deposition roller; scraping off the crystals deposited on the surface of the deposition roller batchwise or continuously with a scraper; Provided is a method for purifying a solid material, which is continuously discharged. By this method, the solid material can be purified with high purity and high efficiency.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view (schematic diagram of one embodiment) of a main part of a purifying apparatus according to the present invention. Explanation of reference numerals
  • evaporation or sublimation refers to a case where a solid material is melted and evaporated once (“evaporation” means a state change from a liquid phase to a gas phase (including boiling)) and a solid material. Sublimation without melting (“sublimation”, meaning a change from solid to gaseous phase), but these are not clearly distinguished and include those that occur simultaneously.
  • evaporation or sublimation from the surface of the vaporizing roller means that the solid material evaporates or sublimes from the surface of the vaporizing roller. Including the case of evaporation or sublimation.
  • the "vaporizing roller” refers to a roller for evaporating or sublimating a solid material
  • the "vaporizing section” refers to an apparatus for evaporating or sublimating a solid material provided with a vaporizing roller. Part.
  • the “precipitation roller” refers to a roller for precipitating a solid material
  • the “solid deposition section” refers to a part of a device for precipitating a solid material that includes a deposition roller.
  • a stripping section is preferably provided near the deposition roller.
  • ight housing in the present invention means an outer frame shape of an apparatus composed of outer walls (bottom wall, upper wall, side walls) of a refining apparatus.
  • the refining device of the present invention includes a housing, a vaporizing section, and a solid deposition section, and the vaporization section and the solid deposition section each include at least one rotatable roller. That is, each of the vaporizing section and the solid deposition section in the present invention is composed of at least one rotatable roller. Therefore, the vaporization part and solid deposition part
  • the present invention is not limited to a structure in which one roller is provided for each roller, and a plurality of rollers may be provided for the vaporizing section and the solid deposition section. Further, the number of rollers in the vaporizing section and the number of rollers in the solid deposition section need not be the same, and each may be configured with a different number of rollers. With such a configuration, the vaporizing roller can stably and quantitatively evaporate or sublimate the solid material. The solid material is continuously deposited as crystals on the deposition roller. In addition, a removing section described later can continuously remove the precipitated crystals.
  • the shapes of the vaporizing roller of the vaporizing section and the deposition roller of the solid deposition section are not particularly limited, and examples thereof include a cylindrical body and a columnar body.
  • the surface structures of the vaporizing roller and the deposition roller are not particularly limited.
  • the surfaces of these rollers may be provided with concaves and convexes such as grooves.
  • Examples of the shape of the unevenness include a linear shape, a spiral shape, a wavy shape, a net shape, and the like, and a shape in which the surface area required for evaporation, sublimation or precipitation increases is preferable.
  • the solid material to be evaporated or sublimated By providing unevenness on the surface of the vaporizing roller, the solid material to be evaporated or sublimated easily adheres to the vaporizing roller (including the case where the solid material is mounted in the concave portion of the surface shape of the vaporizing roller).
  • the heat area is increased and evaporation or sublimation is promoted.
  • the surface of the precipitation roller With irregularities, the area is increased and the precipitation (adhesion) of crystals is promoted.
  • the solid material can be efficiently stirred, and as a result, sublimation proceeds stably.
  • the cross-sectional shape of these rollers (excluding the concave and convex shapes) can be freely selected, such as a circle or a polygon, depending on the material to be evaporated or sublimated, but a circle is particularly preferable.
  • the rollers for edging and precipitation be configured such that the temperature can be adjusted by heating and cooling.
  • the structure for heating the vaporizing roller is particularly preferable.
  • Heating sources include electric heating, steam, electromagnetic induction heating, and the like.
  • the cooling source include refrigerants such as chlorofluorocarbon, ammonia, and brine, and water.
  • the evaporation or sublimation is adjusted by adjusting the temperature and pressure of the entire apparatus.
  • the heating efficiency is improved by directly heating the vaporizing roller, and the material is stably and in large quantities. It can be evaporated or sublimated. Heating or cooling the deposition roller improves deposition efficiency.
  • the temperature of the deposition roller can be precisely controlled. This is to adjust the crystal deposition rate. That is, the deposition port is set slightly lower than the temperature in the housing or the temperature of the vaporizing roller. At this time, if the precipitation roller is excessively cooled, fine crystals may precipitate, and the crystal deposition rate may decrease as a whole. By maintaining the precipitation roller at a predetermined temperature, large crystals can easily grow, and the crystal growth rate can be improved as a whole. Therefore, the temperature of the deposition roller is preferably controlled to be 5 to 501 lower than the temperature of the vaporization roller, and particularly preferably to be controlled to be lower by 20 to 30.
  • a driving method for rotating the vaporizing roller and the deposition roller and a sealing method for the shaft and the like can be selected according to the purpose. It is preferable that the rotation direction and the rotation speed of the vaporizing roller and the deposition roller can be independently controlled. Further, for the purpose of high purification, a general mechanical seal or the like generates a large amount of dust and cannot prevent foreign matters such as particles from entering, so a driving method such as a magnet drive and a sealing method are preferable.
  • the material of the vaporizing roller and the deposition roller can be selected according to evaporation, sublimation, precipitation conditions, corrosion resistance, etc., such as metal material, ceramic material, glass, and fluorine resin.
  • the vaporization opening is disposed at a lower portion of a housing described later, and the deposition roller is disposed above the housing. It is particularly preferable that the deposition roller is disposed obliquely above the rubbing roller. With this arrangement, continuous evaporation, sublimation, and precipitation of solid materials can be achieved, and highly efficient purification can be achieved.
  • the arrangement of the vaporizing roller and the deposition roller (hereinafter referred to as “roller spacing”) be adjustable in mutual positions.
  • the evaporation roller and the deposition roller can be independently moved with respect to the housing so that an optimum position can be selected. No.
  • the housing may be provided with a dividable portion and the spacer may be adjusted by inserting a spacer.
  • a part of the housing that can be divided is a structure in which two engaging flanges are provided on the housing, and a seal portion such as a ring is provided between the flanges. In this case, by inserting a spacer having an appropriate shape between the flanges, the roller interval can be increased.
  • the purification method of the present invention has a high degree of freedom in this respect, and is applicable to a large-scale industrial purification from a small-scale purification in a laboratory. Further, the purification apparatus of the present invention is suitable for a purification operation of materials having different evaporation conditions, sublimation conditions, vapor densities, and the like.
  • the refining device of the present invention includes a removing means (hereinafter also referred to as “a removing part”) in the vicinity of the deposition roller.
  • the removing means is not particularly limited, and includes a scraper, a brush, and the like. Of these, a scraper is particularly preferable as the removing means.
  • the stripping portion it is preferable to have a gap between the tip portion and the surface of the deposition roller. By providing this gap, it is possible to prevent mixing of particles generated by the contact between the stripping portion and the deposition roller.
  • the gap (distance) between the deposition roller and the tip of the stripping portion is preferably from 0.01 to 30 mm, more preferably from 0.1 to 10 mm.
  • the distance can be adjusted.
  • the distance may be adjusted by moving the precipitation roller or by moving the cut-out portion, but it is preferable to adjust the distance by moving the cut-off portion. It is preferable that the distance can be adjusted because the size of the solid material to be recovered can be adjusted.
  • the material of the stripping portion, particularly the material of the tip portion is selected in consideration of corrosion resistance and the like, and suitable examples include a metal material, a ceramic material, glass, and a fluororesin.
  • the purification device of the present invention preferably has a solid discharge unit.
  • the solid discharge section is This is a part that collects precipitated solid material crystals and discharges them outside the equipment. Further, it is preferable that the solid discharging section is provided below the stripping section. This is because the crystals removed from the precipitation roller in the removal section fall and are guided to the solid discharge section.
  • the solid discharge section preferably has a storage section for storing the precipitated solid material crystal and a discharge section for discharging the stored crystal.
  • the discharging means is preferably a means capable of discharging the crystals batchwise or continuously.
  • the discharging means for example, a tank provided with two valves on the upper and lower sides and a line capable of adjusting the pressure at the lower part of the storage section can be cited.
  • this valve is a type of valve through which the crystal can pass, and a pole valve can be exemplified. Further, it is preferable that the solid discharge part can be cooled.
  • the refining apparatus of the present invention preferably includes a heater for heating the housing.
  • a heater for heating the housing.
  • This heater is preferably provided particularly near the bottom of the refining device. By providing a heater near the bottom surface, the entire vaporizing section can be heated, and the solid material can be efficiently evaporated or sublimated. Examples of the heating source of the heater include electric heater, steam, and electromagnetic induction heating.
  • the purification apparatus of the present invention preferably has a decompression means for reducing the pressure inside the apparatus.
  • a pressure reducing device connected to the housing by a pipe is preferable.
  • This pressure reducing device preferably has a pressure adjusting function.
  • An example of the pressure reducing device is an oil rotary vacuum pump.
  • the pipe for connecting the pressure reducing device is provided at an arbitrary position of the housing, but is particularly preferably provided at the solid discharge section. By providing the solid discharge section, it is possible to suppress the vapor of the solid material from flowing into the pipe to the decompression device.
  • the refiner of the present invention preferably has a continuous supply means of the solid material.
  • the solid material By having the continuous supply means, the solid material can be continuously supplied into the apparatus, and the operation of opening the purification apparatus due to the supply can be eliminated. In addition, particle mixing Can be prevented.
  • the continuous supply means for example, a tank provided with two valves at the top and bottom and a line capable of adjusting the pressure can be mentioned. It is preferable that this tank can be heated and kept warm. By heating and supplying the solid material, the efficiency of evaporation or sublimation of the solid material can be improved. In this case, the solid material may be supplied as it is, or may be supplied in a molten state.
  • the solid material that can be purified by the present invention is not particularly limited as long as it is a solid material that evaporates or sublimates under a certain temperature and pressure condition and is deposited as a solid on a deposition roller.
  • solid materials include aromatic compounds such as phthalic anhydride and naphthalene; perfluoroaromatic compounds such as fluorinated naphthalene; polycyclic quinone pigments; chelate complex compounds; phthalocyanine dye compounds; , A 1, S n, P b, and Z n.
  • Examples of the chelate complex compound include tris (8-quinolinolato) aluminum, aluminum acetylacetonato, N, N'-diphenyl-N, N'-bis- (3-methylphenyl) -1- (1,1'-biphenyl) -1 4, 4'-diamine and the like.
  • the method for purifying a solid material of the present invention is carried out as follows using the above-described purifying apparatus. That is, the solid material adhering to the surface of the rotatable vaporizing roller is evaporated or sublimated in batch or continuously. The evaporated or sublimated material is deposited batchwise or continuously on the surface of a rotatable deposition roller. The crystals deposited on the surface of the precipitation roller are removed batchwise or continuously at the removal section, and the crystals are discharged batchwise or continuously.
  • the solid material may be charged into a purification device as it is, or may be melted and then charged into the purification device.
  • the charging of the solid material into the purification device may be performed batchwise or continuously.
  • the continuous feeding is performed by using the aforementioned continuous feeding means.
  • the amount of the solid material charged is preferably such that the lowermost end of the vaporizing roller is immersed in the solid material charged into the refining device. That is, it is preferable that the amount of the solid material accumulated at the bottom of the refining device is controlled so that the solid material contacts the vaporizing roller but does not contact the rotating shaft of the vaporizing roller. This makes the roller table for vaporization This is preferable because evaporation or sublimation from the surface can be performed stably, and the effect of stirring the solid material accumulated in the evaporating roller can be obtained.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view (schematic diagram of one embodiment) of a main part of a purifying apparatus according to the present invention.
  • the refining device has a housing 1, a vaporization section 2, a solid deposition section 3, a stripping section 4, a solid discharge section 5, and a heater 6.
  • the vaporizing section 2, the solid precipitation section 3 and the stripping section 4 are arranged in the housing 1.
  • the solid discharge section 5 is provided continuously to the housing 1.
  • a vaporizing roller 22 is disposed below the housing 1, and a deposition roller 32 is disposed obliquely above the vaporizing roller 22.
  • the housing 1 has a bottom wall 10, side walls 11 and 12, and a top wall 13.
  • the vaporizing section 2 is constituted by a space separated from the storage section 51 by the depression section 7 and includes a vaporizing roller 22.
  • the evaporating roller 22 has a cylindrical shape and rotates around the evaporating roller rotating shaft 21.
  • the vaporizing roller rotating shaft 21 is supported by a side wall (not shown) of the housing 1.
  • the solid deposition section 3 is constituted by an upper space of the housing 1 and includes a deposition roller 32.
  • the precipitation roller 32 has a cylindrical shape and rotates around the precipitation roller rotation shaft 31.
  • the deposition roller rotation shaft 31 is supported by a side wall (not shown) of the housing 1.
  • the stripping section 4 includes a scraper 41.
  • the scraper 41 is fixed to the upper wall 13 of the housing 1 and has a tip 42.
  • the tip 42 is provided toward the deposition roller 32.
  • the tip 42 and the deposition roller 32 are arranged with a gap.
  • the solid discharge section includes a storage section 51 and a discharge section 53.
  • the discharge section 53 is provided below the storage section 51.
  • An upper discharge valve 52 is provided between the storage section 51 and the discharge section 53.
  • a lower discharge valve 55 is provided below the discharge section 53.
  • the discharge section 53 is provided with a pressure adjustment line 54.
  • the storage unit 51 is provided below the extraction unit 4, following the crystal guiding wall 61, and is provided in a shrunken manner.
  • the heater 6 is installed near the bottom wall 10, the side wall 11 and the upper wall 13 of the housing 1.
  • the pressure reducing device connected to the pressure adjustment line 54, the continuous supply unit, and the port
  • the roller drive unit (for vaporization and precipitation), the internal heating device for the vaporization roller 22 and the internal temperature control device for the deposition roller 32 are not shown.
  • the material 14 which is a crude crystal of the solid material to be purified is introduced into the housing 1 through a continuous supply unit (not shown).
  • the input amount of the material 14 is such that the lowermost end of the vaporizing roller 22 is immersed in the material 14.
  • the bottom wall 10, the side wall 11, and the top wall 13 are heated by the heat sink 6 installed near the bottom wall 10, the side wall 11, and the top wall 13 of the housing 1.
  • the material 14 is heated and evaporates or sublimates.
  • the temperature of the side wall 11 and the upper wall 13 is controlled to be higher than that of the vaporizing section 2 (specifically, the vaporizing roller 22).
  • the vaporizing roller 22 is rotated by a driving unit (not shown).
  • the evaporating roller 22 rotates and causes the material 14 to adhere to the surface of the evaporating roller 22 underneath.
  • the vaporizing roller 22 is heated by an internal heating device (not shown).
  • the material 14 heated on the surface of the vaporizing roller 22 evaporates or sublimates. Since the evaporating roller 22 is rotating, the material 14 is agitated, so that the material 14 can be evaporated or sublimated continuously and stably (without bumping or the like) and in large quantities.
  • the precipitation roller 32 is rotated by a drive unit (not shown).
  • the deposition roller 32 is controlled at a slightly lower temperature than the vaporizing section 2 (specifically, the vaporizing roller 22). Specifically, it is preferable that the temperature of the precipitation roller 32 is controlled to be lower by 5 to 50 than the temperature of the roller 22. However, the temperature of the precipitation roller 32 is preferably controlled to be equal to or lower than the melting point of the material 14.
  • the material evaporated or sublimated from the vaporizing section 2 including the vaporizing roller 22 is cooled on the surface of the precipitation roller 32 and solidified (crystallized) and precipitated. Since the precipitation roller 32 is rotating, crystals are uniformly deposited on the surface of the precipitation roller 32. The deposition rate of the crystal depends on the pressure inside the device, the temperature of the The temperature is adjusted by the temperature of the deposition roller 32, the rotation speed of the vaporization roller 22, and the rotation speed of the deposition roller 32.
  • the crystals precipitated on the surface of the precipitation roller 32 are dropped off by the tip end portion 42 of the scraper 41. Since the precipitation roller 32 is rotating, the crystals are continuously dropped by the scraper 41. Further, no more than a certain amount of crystals do not adhere to the surface of the deposition roller 32. Further, since the surface of the precipitation roller 32 and the leading end 42 of the scraper 41 are not in contact with each other, it is possible to prevent particles generated by sliding of the scraper 41 from being mixed.
  • the crystals dropped by the scraper 41 fall and are guided to the storage unit 51 along the crystal guiding wall 61.
  • the crystals that have fallen into the storage unit 51 are taken out of the apparatus by the following method.
  • a pressure reducing device connected to the pressure adjusting line 54 controls the pressure inside the housing 1.
  • the dropped crystals are stored in the discharge section 53.
  • the upper discharge valve 52 is closed, the pressure in the discharge section 53 and the pressure outside the apparatus are equalized through the pressure adjustment line, and the lower discharge valve 55 is opened. To take out.
  • the lower discharge valve 55 is closed, the atmosphere of the discharge section 53 is replaced with an inert gas if necessary, and the pressure inside the apparatus and the discharge section 53 are changed through a pressure adjustment line. , And open the upper discharge valve 52 to return to the process of collecting crystals.
  • the inert gas examples include nitrogen and argon. It is preferable to provide a filter in the pressure adjustment line. By providing a filter, particles can be prevented from being mixed into the crystal, and particles can be prevented from reaching the pressure reducing device through the pressure adjustment line.
  • the opening of the filter is preferably fine, specifically, not more than 0.0 lm, more preferably not more than 0.02 m, particularly preferably not more than 0.03 m.
  • the above-described operation of discharging the crystal out of the apparatus does not hinder the evaporation or sublimation in the vaporizing section 2 and the precipitation of the crystal in the precipitation roller 32. Therefore, continuous purification operation is possible, and purification efficiency is high. In addition, since the crystals can be taken out of the apparatus with only the minimum necessary opening work, the mixing of particles can be suppressed.
  • the purification apparatus used has the structure shown in FIG.
  • the size of the housing 1 is 38 cm in the long axis direction of the evaporating roller 22, 43 cm in width (left-right direction in the drawing), and 30 cm in height. However, this size does not include the area below the upper discharge valve 52.
  • Housing 1 is made of stainless steel (SUS 316).
  • the diameter of the vaporization port 22 is 15.8 cm, its longitudinal direction is 15 cm, and the material is stainless steel (SUS 316).
  • the diameter of the precipitation roller 32 is 13.4 cm, its longitudinal direction is 15 cm, and the material is stainless steel (S US 316).
  • the distance between the rotary shaft 21 for vaporization and the rotary shaft 31 for deposition is 15.6 cm (the shortest distance between the outer circumferences of both rollers is 1.0 cm).
  • system pressure means the pressure inside the housing during the purification operation.
  • material heating temperature means a temperature for heating the solid material in the initial stage of the refining operation, and the temperature of the bottom wall 10 was measured.
  • the “heating holding temperature” means the temperature at which the solid material was held at a predetermined temperature in the middle stage of the refining operation (the state after the initial stage), and the temperature of the bottom wall 10 was measured.
  • roller heating temperature j means the temperature of the deposition roller 32 in the initial stage of the refining operation
  • roller holding temperature means the temperature of the deposition roller 32 in the middle stage of the refining operation.
  • the unit of the rotation speed of the roller (r pm) means the number of rotations per minute.
  • TPB unpurified perfluoro (1,3,5_triphenylbenzene)
  • the pressure in the system was maintained at 400 Pa using an oil rotary vacuum pump and a pressure regulator.
  • the material was heated from outside by heating and the material heating temperature was set to 165t :. Thereafter, the heating holding temperature was set to 160.
  • the evaporating roller 22 was rotated at a rotation speed of 20 rotations per minute, and the rotation direction was clockwise in FIG.
  • the temperature of the vaporizing roller 22 was controlled in a range from the same temperature as the material heating temperature or the heating holding temperature to 5, which was higher.
  • the deposition roller 32 was rotated at a rotation speed of three revolutions per minute, and the rotation direction was counterclockwise in FIG.
  • the roller heating temperature was 115 and the roller holding temperature was 115.
  • a few minutes after the start of heating crystals began to precipitate on the deposition roller 32.
  • 4.5 hours after the start of heating 56 g of the target white columnar crystals were recovered.
  • the purity of the recovered purified TPB was 99.96%.
  • Example 2 120 g of the same TPB as in Example 1 was charged into the purification device. Purification was performed under the same conditions as in Example 1 except that the pressure in the system was set to 133 Pa. Three hours after the start of heating, 81 g of the target white columnar crystal was recovered. The purity of the recovered purified TPB was 99.91%.
  • Example 1 150 g of the same TPB as in Example 1 was charged into the purification device. Several minutes after the start of heating, crystals began to precipitate on the surface of the precipitation roller 32. Here, unpurified TPB of the same purity, which was previously melted, was continuously supplied to the lower part of the vaporizing roller at a rate of 14.5 gZhr by using a pump. Purification was performed under the same conditions as in Example 1 except that the materials were continuously supplied. 8.5 hours after the start of heating, 123 g of the target white columnar crystals were continuously collected. The purity of the recovered purified TPB was 99.98%.
  • Example 4 A spiral roller with a depth of 5 mm was formed on the surface of the refining device, and a vaporizing roller shaped to allow solids to adhere easily was installed. 300 g of the same TPB as in Example 1 was charged into the purification device. The material heating temperature and the material holding temperature were set to 145 :, and the system pressure was set to 13. OPa. Otherwise, purification was performed under the same conditions as in Example 1. 8.5 hours after the start of heating, 123 g of the target white columnar crystal was recovered. The purity of the recovered purified TPB was 99.98%.
  • the vapor pressure of TPB is 400 Pa at 145 and the melting point is 152.
  • FNP unrefined fluorinated naphthene
  • TPT unpurified perfluoro (2,4,6-triphenyltriazine) having a purity of 91.3%
  • Example 7 200 g of unpurified fluorinated biphenyl (hereinafter, referred to as “FBP”) was charged below the vaporizing roller 22.
  • the system pressure was 1333 Pa.
  • the material heating temperature and heating holding temperature were set to 85, and the roller heating temperature and roller holding temperature were set to 55.
  • the evaporating roller 22 was rotated at a rotation speed of 20 rotations per minute, and the analysis roller 32 was rotated at a rotation speed of 5 rotations per minute.
  • the rotation direction is the same as in the first embodiment.
  • Materials were supplied continuously as in Example 3. 8.0 hours after the start of heating, 148 g of the target needle-like crystals were continuously collected. The purity of the recovered purified FBP was 98.7%.
  • the distance between the surface of the vaporizing roller 22 and the surface of the precipitation roller of the refining device was adjusted to 20 mm.
  • 150 g of unpurified anthracene was charged below the vaporizing roller 22.
  • the pressure in the system was 267 to 400 Pa.
  • the material heating temperature and the heating holding temperature were set to 21 O, and the roller heating temperature and the roller holding temperature were set to 18 Ot :.
  • the evaporating roller 22 was rotated at a rotation speed of 15 rotations per minute, and the deposition roller 32 was rotated at a rotation speed of 5 rotations per minute.
  • the rotation direction is the same as in the first embodiment. 8.5 hours after the start of heating, 102 g of the target needle-like crystals were recovered. Purity of the recovered purified anthracene was 99.95%.
  • Example 9 The same naphthalene as in Example 9 (150 g) was charged into the purification device. Refining equipment Purification was carried out under the same conditions as in Example 9 except that the distance between the surface of the forming roller 22 and the surface of the precipitation roller was adjusted to 15 mm. 8.5 g after the start of heating, 106 g of the target white needle-like crystals were recovered. The purity of the recovered purified naphthalene was 99.2%.
  • a spiral roller with a depth of 5 mm was formed on the surface of the refining device, and a vaporizing roller shaped to allow solids to adhere easily was installed.
  • 200 g of unpurified tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter referred to as “TQAJ”) was charged below the vaporizing roller 22.
  • the pressure in the system was 4 OOP a.
  • the temperature was 3 l O: and the roller heating temperature and the roller holding temperature were 280.
  • the evaporating roller 22 was rotated at a rotation speed of 15 rotations per minute, and the deposition roller 32 was rotated at 5 rotations per minute.
  • the rotation direction was the same as in Example 1. Eight hours after starting heating, 113 g of the target purified crystal was recovered. Had a purity of 99.5%.
  • Example 1 2 3 4 5 6 Material TPB TPB TPB TPB FNP TPT Purity () 96.1 96.1 96.1 96.1 91.3
  • Input 120 120 150 300 150 120 Continuous supply (g / hr) 0 0 14.5 0 14.5 0
  • In the system Pressure 400 133 400 13.0 1333 667 Material heating temperature (in) 165 165 165 145 105 135 135 Heat holding temperature (in) 160 160 145 105 135 Vaporizing roller 20 20 20 20 20 25 20 Rotational speed (rpm)
  • the purification method of the present invention can be purified with higher purity than distillation and recrystallization purification performed as a general purification method.
  • the purification device of the present invention has a simple structure, and can prevent contamination from the inside of the device. In addition, since it is not necessary to open the entire apparatus, particles can be prevented from being mixed.
  • the purification method of the present invention is useful as a method for purifying materials, such as electronic materials and optical materials, which require advanced purification and elimination of impurities.

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Description

明細書
固体材料の精製装置および精製方法
技術分野
本発明は、 固体材料の精製装置および精製方法に関する。 より詳しくは、 気化 部と固体析出部が、 回転可能なローラで構成され、 回分または連続的な操作が可 能な、 効率が良く、 異物微粒子 (パーティクル) の混入を防止できる、 固体材料 の精製装置および精製方法に関する。 背景技術
固体材料の一般的な精製方法としては、 再結晶が挙げられる。 また、 固体材料 が液化し蒸発可能な場合または固体材料が昇華可能な場合には、 蒸留、 昇華など の精製方法も用いられる。 再結晶による精製では、 高純度化が可能である。 しか し再結晶では、 連続的な結晶回収が困難である、 回収された結晶に付着した溶媒 の除去が困難な場合がある、 などの問題がある。 また昇華では昇華速度が遅い、 連続的な結晶回収が困難である、 などの問題がある。 また、 固体材料の蒸留では 、 実験室的にはクーゲル蒸留器などが利用できる。 しかしこの蒸留では、 結晶回 収が困難である、 回収時に装置を開放し結晶を搔き出す必要があるためパーティ クルなどの異物混入が避けられない、 必ずしも精製効率が高くない、 などの問題 がある。 これらの精製方法において、 高温下または沸点付近で分解を起こすよう な材料を、 蒸留または昇華により精製する場合、 常圧下よりも減圧下での操作が 高純度化に有効である。 しかし減圧下では、 連続的または半連続的な結晶回収が 困難である。 したがって、 蒸発または昇華可能な固体材料の精製において、 固体 材料を高純度かつ連続的に精製できる装置の開発が望まれている。
従来の工業的な昇華精製装置としては、 特開平 2— 1 6 1 6 6号公報に記載の 装置が知られている。 しかしこの装置では、 昇華すべき固体の加熱が輻射伝熱で あるため伝熱効率が低く、 固体材料の単位質量あたりの必要熱量が多いため、 ェ ネルギー多消費型である。 また、 結晶を回収するドラムと該結晶を接き取るブレ 一ド部材とが接触するため、 発塵し回収された昇華精製顔料への異物混入を起こ しゃすい。 さらに精製顔料の回収方法が非連続的であり、 連続的な精製が困難で ある。 また、 人的操作が必須であること、 回収時に系内を開放する必要があるこ とからパーティクルなどの異物混入が避けられないため、 高精製度を得ることが 困難である。
一方、 特開 2 0 0 0— 9 3 7 0 1号公報に記載されている昇華精製装置は、 原 料の供給、 精製体の回収において連続的な操作が困難である。 また、 この装置は 昇華せしめる材料に対する単位体積あたりの伝熱面積が小さく、 処理能力が小さ いという問題がある。 さらに精製体の回収方法が非連続的であるため、 人的操作 が必須であること、 および回収時に系内を開放する必要があることからパーティ クルなどの異物混入が避けられず、 高純度かつ高精製度の結晶を得ることが困難 である。
本発明は、 固体化合物で蒸発または昇華による精製が可能な材料を、 熱的に安 定な状態で高純度の結晶を生成させ、 材料の供給から結晶体の回収操作を回分ま たは連続的に一連の操作で行い、 パーティクルなどの混入を防止できる、 高効率 な固体材料の精製装置およびその精製方法を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明は、 蒸発または昇華が可能な固体材料の精製装置において、 ハウジング を有し、 該ハウジング内に、 回転可能な少なくとも 1つずつの、 気化用ローラお よび析出用ローラを備えることを特徴とする固体材料の精製装置を提供する。 こ の精製装置によれば、 固体材料を高純度、 かつ、 高効率で精製できる。
ここで、 前記気化用ローラと析出用ローラとの間隔が調整可能であることが好 ましい。 この態様により、 精製する固体材料に適した 2つのローラの位置が選択 でき、 精製効率が向上する。
また、 前記気化用ローラおよび/または析出用ローラの表面が凹凸形状を有す ることが好ましい。 この態様により、 蒸発効率、 昇華効率および析出効率が向上 し、 総合の精製効率が向上する。 また特に気化用ローラの表面が凹凸形状を有す ることにより、 固体材料の撹拌の効率が高くなり、 蒸発または昇華が安定する。 また、 前記気化用ローラおよび析出用ローラが、 加熱可能および/または冷却 可能であることが好ましい。 この態様により、 蒸発または昇華が安定かつ大量に 行え、 また析出の効率を高められ、 総合の精製効率が向上する。
また、 前記精製装置において、 さらに、 析出用ローラの近傍に搔き取り手段を 備え、 前記析出用ローラの表面と、 搔き取り手段の先端部との間に間隙を有する ことが好ましい。 この態様により、 析出用ローラと搔き取り手段との摺動により 発生するパーティクルの混入を防止できる。
さらに、 前記ハウジングを加熱ヒータにより加温することにより、 ハウジング 内壁への結晶の付着を防止することが好ましい。 この態様により、 析出用ローラ 以外への固体材料の析出が防止でき、 総合の精製効率が向上する。
また、 本発明は、 固体材料の精製において、 回転可能に設けられた気化用口一 ラの表面に付着した固体材料を回分または連続的に蒸発または昇華させ;前記蒸 発または昇華させた材料を、 回転可能に設けられた析出用ローラの表面に、 回分 または連続的に析出させ;前記析出用ローラの表面に析出した結晶を回分または 連続的に、 スクレイパで搔き取り ;該結晶を回分または連続的に排出することを 特徴とする固体材料の精製方法を提供する。 この方法により、 固体材料が高純度 かつ高効率で精製可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明における精製装置の要部縦断面図 (一実施例の模式図) である。 符号の説明
1 :ハウジング、 2 :気化部、 3 :固体析出部、 4 :搔き取り部、
5 :固体排出部、 6 :加熱ヒータ、 7 :陥没部、
1 0 :底壁、 1 1, 1 2 :側壁、 1 3 :上壁、 1 4 :材料、 2 1 :気化用ローラ回転軸、 2 2 :気化用ローラ、
3 1 :析出用ローラ回転軸、 3 2 :析出用ローラ、
4 1 :スクレイパ、 4 2 :先端部、
5 1 :貯蔵部、 5 2 :上部排出バルブ、 5 3 :排出部、
5 4:圧力調整ライン、 5 5 :下部排出バルブ、 6 1 :結晶誘導壁。 発明を実施するための最良の形態
本発明においては、 「蒸発または昇華」 とは、 固体材料が一度溶融し蒸発する 場合 (液相から気相への状態変ィ匕 (沸縢を含む) を意味する 「蒸発」 ) と固体材 料が溶融せずに昇華する場合 (固相から気相への状態変化を意味する 「昇華」 ) をいうが、 これらは明確に区別されるものではなく同時に起こる場合も含む。 ま た、 本明細書中で 「気化用ローラ表面から蒸発または昇華」 とは、 固体材料が気 化用ローラ表面から蒸発または昇華することをいうが、 固体材料の表面および内 部から固体材料が蒸発または昇華する場合を含む。
本発明における 「気化用ローラ」 とは、 固体材料を蒸発または昇華させるため のローラをいい、 「気化部」 とは、 気化用ローラを備える、 固体材料を蒸発また は昇華させるための装置の一部をいう。
本発明における 「析出用ローラ」 とは、 固体材料を析出させるためのローラを いい、 「固体析出部」 とは、 析出用ローラを備える、 固体材料を析出させるため の装置の一部をいう。 固体析出部において、 析出用ローラの近傍には搔き取り部 が設けられることが好ましい。
本発明における 「八ウジング」 とは、 精製装置の外壁 (底壁、 上壁、 側壁) か らなる装置の外枠形状を意味する。
本発明の精製装置は、 ハウジング、 気化部および固体析出部を備え、 気化部お よび固体析出部に、 それぞれ少なくとも 1つの回転可能なローラを備える。 すな わち、 本発明における気化部および固体析出部は、 それぞれが、 回転可能な少な くとも 1つのローラで構成される。 したがって、 気化部および固体析出部に、 そ れぞれ 1つずつのローラを設ける構造に限定されず、 気化部および固体析出部に 、 それぞれ複数のローラを設けてもよい。 また、 気化部と固体析出部のローラを 同数とする必要はなく、 それぞれが異なるローラ数で構成されていてもよい。 こ のような構成とすることで、 気化用ローラは安定かつ定量に固体材料を蒸発また は昇華させることができる。 また析出用ローラには連続的に固体材料が結晶とし て析出する。 また後述する搔き取り部は、 この析出した結晶を連続して搔き取る ことができる。
気化部の気化用ローラおよび固体析出部の析出用ローラの形状は、 特に限定さ れず、 例えば、 筒状体、 柱状体などが挙げられる。 気化用ローラおよび析出用口 ーラの表面構造は、 特に限定されない。 これらのローラの表面には、 溝などの凹 凸を設けてもよい。 凹凸の形状の例として、 線状、 螺旋状、 波状および網状など が挙げられ、 蒸発、 昇華または析出に必要な表面積が増大する形状が好ましい。 気化用ローラの表面に凹凸を設けることにより、 蒸発または昇華させる固体材料 が気化用ローラに付着 (気化用ローラの表面形状の凹部に固体材料を搭載する場 合を含む) し易く、 また、 伝熱面積が増大し蒸発または昇華が促進される。 また 析出用ローラの表面に凹凸を設けることにより、 面積が増大し結晶の析出 (付着 ) が促進される。 さらに、 昇華性材料の場合には、 固体材料を効率良く撹拌する ことができ、 その結果昇華が安定に進行する。 また、 これらのローラの (前記凹 凸形状を除いて考えると) 断面形状は、 蒸発または昇華させるべき材料に応じて 円形、 多角形など自由に選定できるが、 特に円形が好ましい。
気ィ匕用ローラおよび析出用ローラは加熱、 冷却による温度調節が可能である構 造が好ましい。 ここで気化用ローラは加熱できる構造が特に好ましい。 これらの 構造としては、 必要に応じて二重管構造、 中空構造が採用できる。 加熱源として は、 電気ヒー夕、 スチーム、 電磁誘導加熱などが挙げられる。 冷却源としてはフ ロン、 アンモニア、 ブラインなどの冷媒、 水などが挙げられる。 通常は、 装置全 体の温度と圧力を調節することにより、 蒸発量または昇華量を調整する。 本発明 では気化用ローラを直接加熱することで加熱効率が向上し材料を安定かつ大量に 蒸発または昇華させることができる。 また析出用ローラを加熱または冷却するこ とで析出効率が向上する。 ここで析出用ローラの温度を精密に制御できることが 好ましい。 これは結晶の析出速度を調節するためである。 すなわち、 析出用口一 ラは、 ハウジング内の温度、 または気化用ローラの温度に対して、 やや低めに設 定される。 このとき析出用ローラを過剰に冷却すると微細な結晶が析出して、 全 体として結晶析出速度が低下する場合も考えられる。 析出用ローラが所定の温度 に保持されることにより、 大きな結晶が成長しやすくなり、 全体として結晶成長 速度を向上させることができる。 したがって、 析出用ローラの温度は、 気化用口 ーラの温度に対して、 5〜 5 01低く制御されることが好ましく、 2 0〜3 0 低く制御されることが特に好ましい。
また、 気化用ローラおよび析出用ローラに回転を与える駆動方法および軸など のシール方法はその目的に応じて選定可能である。 気化用ローラおよび析出用口 —ラの回転方向、 回転速度は、 それぞれ独立に制御できることが好ましい。 さら に高純度化を目的とする場合、 一般的なメカニカルシールなどでは発塵が大きく パーティクルなどの異物混入を防止できないため、 マグネットドライブなどの駆 動方法およびシール方法が好ましい。
気化用ローラおよび析出用ローラの材質は金属材料、 セラミックス材料、 硝子 、 フッ素榭脂など、 蒸発、 昇華、 析出させるべき条件、 耐腐食性などに応じて選 定可能である。
本発明における気化用ローラおよび析出用ローラの配置としては、 気化用口一 ラが後述するハウジングの下部に配置され、 析出用ローラがその上方に配置され ることが好ましい。 析出用ローラは気ィ匕用ローラの斜め上方に配置されることが 特に好ましい。 この配置とすることで、 連続的な固体材料の蒸発、 昇華、 析出が 可能となり、 高効率な精製が可能となる。 また、 気化用ローラと析出用ローラの 配置 (以下 「ローラ間隔」 という) は、 相互の位置が調整可能であることが好ま しい。 ローラ間隔の調整方法としては、 気化用ローラおよび析出用ローラをそれ ぞれ独立にハウジングに対して可動とし、 最適な位置を選択できることが好まし い。 また気化用ローラおよび析出用ローラのハウジングに対する位置が固定され ている場合においては、 ハウジングに分割可能な部分を設け、 スぺーサを揷入す ることでローラ間隔を調節してもよい。 ハウジングの分割可能な部分の例として は、 ハウジングに 2つの係合するフランジを設け、 このフランジ間に〇一リング などのシール部を設けた構造が挙げられる。 この場合に前記フランジ間に適当な 形状のスぺーサを揷入することにより、 ローラ間隔が広げられる。
上述した、 気化用ローラおよび析出用ローラの、 表面積、 表面形状、 回転速度 、 ローラ間隔ならびに温度を制御することにより、 結晶の回収量 (回収速度) が 制御できる。 また回収速度を調整することで、 純度も制御可能である。 本発明の 精製方法はこの点で自由度が高く、 実験室における少量の精製から工業的な大量 の精製まで対応可能である。 また本発明の精製装置は、 蒸発条件、 昇華条件、 蒸 気密度等の異なる材料の精製操作に好適である。
' 本発明の精製装置は、 搔き取り手段 (以下 「搔き取り部」 ともいう) を析出用 ローラの近傍に備えることが好ましい。 上記搔き取り手段は特に限定されず、 ス クレイパ、 はけ (ブラシ) 等が挙げられる。 このうち搔き取り手段としては、 ス クレイパが特に好ましい。 搔き取り部が設けられた場合には、 その先端部と析出 用ローラの表面との間に間隙を有することが好ましい。 この間隙を設けることに より、 搔き取り部と析出用ローラとが接触して発塵するパーティクルの混入が防 止できる。 析出用ローラと搔き取り部の先端部との間隙 (距離) は、 0 . 0 1〜 3 0 mmが好ましく、 0 . 1〜 1 0 mmがより好ましい。 この範囲の距離とする ことで、 精製度が向上する。 また前記距離は調整できることが好ましい。 距離の 調整は、 析出用ローラを動かして調整しても、 搔き取り部を動かして調整しても よいが、 搔き取り部を動かして調整することが好ましい。 前記距離を調整できる と、 回収する固体材料の大きさを調整でき好ましい。 前記搔き取り部の材質、 特 に先端部の材質は、 耐腐食性等を考慮して選定され、 金属材料、 セラミックス材 料、 ガラス、 フッ素樹脂等が好適に挙げられる。
本発明の精製装置は、 固体排出部を有することが好ましい。 固体排出部とは、 析出した固体材料の結晶を回収し、 装置外に排出する部分である。 また固体排出 部は前記搔き取り部の下方に設けられることが好ましい。 これは、 搔き取り部で 析出用ローラから搔き取られた結晶が落下して固体排出部に導かれるためである 。 固体排出部は、 析出した固体材料の結晶を貯蔵する貯蔵部と、 貯蔵された結晶 を排出する排出手段とを有することが好ましい。 排出手段は、 回分でまたは連続 で結晶を排出できる手段であることが好ましい。 排出手段としては、 例えば、 貯 蔵部の下部に、 上下に 2個のバルブを備え、 圧力が調整できるラインを備える槽 が挙げられる。 ただしこのバルブとは結晶が通過できる形式のバルブであり、 ポ —ル弁が例示できる。 また固体排出部は冷却できることが好ましい。
本発明の精製装置は、 ハウジングを加温する加熱ヒータを備えることが好まし い。 この加熱ヒー夕でハウジング (特に上壁、 側壁) を加温することにより、 精 製装置の固体析出部以外の内壁に結晶が付着することを防止でき、 収率の低下を 防止できる。 この加熱ヒータは、 特に精製装置の底面近傍に設けられることが好 ましい。 底面近傍に加熱ヒータを設けることにより、 気化部全体を加熱でき、 効 率良く固体材料を蒸発または昇華させることができる。 加熱ヒータの加熱源とし ては、 電気ヒー夕、 スチーム、 電磁誘導加熱などが挙げられる。
本発明の精製装置は、 装置内を減圧する減圧手段を有することが好ましい。 装 置内を減圧にすることにより、 熱的に不安定な固体材料の精製が可能となる。 減 圧手段としては、 ハウジングに配管で接続された減圧装置が好ましい。 この減圧 装置は圧力調整機能を有することが好ましい。 この減圧装置としては、 油回転真 空ポンプ等が例示できる。 減圧装置を接続する配管は、 ハウジングの任意の位置 に設けられるが、 固体排出部に設けることが特に好ましい。 固体排出部に設ける ことにより、 固体材料の蒸気が減圧装置への配管内に流入することを抑制できる 本発明の精製装置は、 固体材料の連続供給手段を有することが好ましい。 連続 供給手段を有することで、 固体材料を連続して装置内に供給でき、 供給にともな う精製装置の開放作業を廃止できる。 またこれにともないパーティクルの混入が 防止できる。 連続供給手段としては、 例えば、 上下に 2個のバルブを備え、 圧力 が調整できるラインを備える槽が挙げられる。 この槽は加熱、 保温できることが 好ましい。 固体材料を加熱して供給することにより、 固体材料の蒸発または昇華 の効率を向上できる。 この場合に、 固体材料は固体のまま供給してもよく、 溶融 状態で供給してもよい。
本発明で精製できる固体材料は、 ある温度、 圧力の条件下で、 蒸発または昇華 し、 析出用ローラに固体として析出する固体材料であれば、 特に限定されない。 固体材料としては、 無水フ夕ル酸、 ナフタレンなどの芳香族化合物;フッ素化ナ フタレンなどのパーフルォロ芳香族化合物;多環キノン系顔料;キレート錯体化 合物;フタロシアニン系色素化合物; A s , I , A 1 , S n , P b , Z nなどの 単体が挙げられる。 キレート錯体化合物としては、 トリス (8—キノリノラト) アルミニウム、 アルミニウムァセチルァセトナート、 N, N ' —ジフエニル— N , N ' —ビス一 (3—メチルフエニル) 一 (1 , 1 ' —ビフエニル) 一4, 4 ' —ジアミンなどが挙げられる。
本発明の固体材料の精製方法は上述した精製装置を用いて、 以下のように行う 。 すなわち、 回転可能に設けられた気化用ローラの表面に付着した固体材料を回 分または連続的に蒸発または昇華させる。 蒸発または昇華させた材料は、 回転可 能に設けられた析出用ローラの表面に、 回分または連続的に析出させる。 析出用 ローラの表面に析出した結晶を回分または連続的に、 搔き取り部で搔き取り、 結 晶を回分または連続的に排出する。
上述の精製方法において、 固体材料は、 固体のまま精製装置に投入しても、 溶 融してから精製装置に投入してもよい。 固体材料の精製装置への投入は、 回分で 行っても、 連続で行ってもよい。 この場合に、 前述の連続供給手段を用いて、 連 続的に投入することが好ましい。 固体材料の投入量は、 気化用ローラの最下端が 精製装置に投入された固体材料に没入する程度が好ましい。 すなわち、 精製装置 の底部に溜まった固体材料は、 気化用ローラには接触するが、 気化用ローラの回 転軸には接触しない量に制御されることが好ましい。 これにより気化用ローラ表 面からの蒸発または昇華が安定に行え、 かつ、 気化用ローラが溜まった固体材料 を撹拌する効果が得られ好ましい。
次に本発明の精製装置を図 1を参照して具体的に説明する。 図 1は本発明にお ける精製装置の要部縦断面図 (一実施例の模式図) である。
精製装置は、 ハウジング 1、 気化部 2、 固体析出部 3、 搔き取り部 4、 固体排 出部 5および加熱ヒータ 6を有する。 気化部 2、 固体析出部 3および搔き取り部 4はハウジング 1内に配置される。 また固体排出部 5はハウジング 1に連続して 設けられる。 ハウジング 1の下部には気化用ローラ 2 2が配置され、 気化用ロー ラ 2 2の斜め上方に析出用ローラ 3 2が配置される。 ハウジング 1は底壁 1 0、 側壁 1 1および 1 2、 ならびに上壁 1 3を備える。
気化部 2は陥没部 7により貯蔵部 5 1から区割された空間で構成され、 気化用 ローラ 2 2を備える。 気化用ローラ 2 2は、 円筒状であり、 気化用ローラ回転軸 2 1を軸として回転する。 気化用ローラ回転軸 2 1は、 ハウジング 1の図示され ない側壁で支持される。 固体析出部 3はハウジング 1の上部空間で構成され、 析 出用ローラ 3 2を備える。 析出用ローラ 3 2は、 円筒状であり、 析出用ローラ回 転軸 3 1を軸として回転する。 析出用ローラ回転軸 3 1は、 ハウジング 1の図示 されない側壁で支持される。
搔き取り部 4はスクレイパ 4 1を備える。 スクレイパ 4 1はハウジング 1の上 壁 1 3に固定されており、 先端部 4 2を有する。 先端部 4 2は析出用ローラ 3 2 に向かって設けられる。 先端部 4 2と析出用ローラ 3 2とは、 間隙を有して配置 される。 固体排出部は貯蔵部 5 1と排出部 5 3を備える。 排出部 5 3は貯蔵部 5 1の下部に設けられる。 貯蔵部 5 1と排出部 5 3との間には上部排出バルブ 5 2 が設けられる。 排出部 5 3の下部には下部排出バルブ 5 5が設けられる。 排出部 5 3には圧力調整ライン 5 4が設けられる。 貯蔵部 5 1は搔き取り部 4の下方に 、 結晶誘導壁 6 1に続いて、 縮怪して設けられる。
加熱ヒータ 6は、 ハウジング 1の底壁 1 0、 側壁 1 1および上壁 1 3の近傍に 設置される。 なお、 圧力調整ライン 5 4に接続される減圧装置、 連続供給部、 口 ーラ駆動部 (気化用、 析出用) 、 気化用ローラ 2 2の内部加熱装置、 析出用ロー ラ 3 2の内部温度調節装置は図示しない。
次に本発明の精製方法の詳細について、 図 1を用いて説明する。 精製すべき固 体材料の粗結晶である材料 1 4は、 図示されていない連続供給部を通して、 ハウ ジング 1に投入される。 材料 1 4の投入量は、 気化用ローラ 2 2の最下端が材料 1 4に没入する程度とする。
ハウジング 1の底壁 1 0、 側壁 1 1および上壁 1 3の近傍に設置された加熱ヒ 一夕 6により、 底壁 1 0、 側壁 1 1および上壁 1 3は加熱される。 底壁 1 0が加 熱されることにより、 材料 1 4が加熱され、 蒸発または昇華する。 また、 側壁 1 1および上壁 1 3が加熱されることにより、 蒸発または昇華した材料 1 4が装置 の内壁面への析出による回収率の低下を防止する。 ここで側壁 1 1および上壁 1 3の温度は、 気化部 2 (具体的には気化用ローラ 2 2 ) よりも高く制御されるこ とが好ましい。
気化用ローラ 2 2は、 図示しない駆動部により回転する。 気化用ローラ 2 2は 回転して、 その下部で材料 1 4を気化用ローラ 2 2の表面に付着させる。 気化用 ローラ 2 2は図示しない内部加熱装置により加熱されている。 気化用ローラ 2 2 の表面で加熱された材料 1 4は蒸発または昇華する。 気化用ローラ 2 2は回転し ているので、 材料 1 4は撹拌され、 連続的に、 安定 (突沸などが起こらず) かつ 大量に材料 1 4を蒸発または昇華させることができる。
析出用ローラ 3 2は、 図示しない駆動部により回転する。 また析出用ローラ 3 2は気化部 2 (具体的には気化用ローラ 2 2 ) に対してやや低温に制御される。 具体的には析出用ローラ 3 2の温度は、 気ィ匕用ローラ 2 2に対して、 5〜5 0 低く制御されることが好ましい。 ただし、 析出用ローラ 3 2の温度は材料 1 4の 融点以下に制御されることが好ましい。 気化用ローラ 2 2を含む気化部 2から蒸 発または昇華した材料は、 析出用ローラ 3 2の表面で冷却されて、 固化 (結晶化 ) し析出する。 析出用ローラ 3 2は回転しているので、 析出用ローラ 3 2の表面 には均一に結晶が析出する。 結晶の析出速度は、 装置内の圧力、 気化部 2の温度 、 析出用ローラ 3 2の温度、 気化用ローラ 2 2の回転速度、 析出用ローラ 3 2の 回転速度により調節される。
析出用ローラ 3 2の表面に析出した結晶は、 スクレイパ 4 1の先端部 4 2によ り搔き落とされる。 析出用ローラ 3 2は回転しているため、 スクレイパ 4 1によ つて結晶は連続的に搔き落とされる。 また析出用ローラ 3 2の表面には、 一定量 以上の結晶は付着しない。 また、 析出用ローラ 3 2の表面とスクレイパ 4 1の先 端部 4 2は接触していないので、 これらの摺動により生じるパーティクルの混入 が防止できる。
スクレイパ 4 1で搔き落とされた結晶は落下し、 結晶誘導壁 6 1に沿って貯蔵 部 5 1へ導かれる。 貯蔵部 5 1に落下した結晶は、 以下の方法で装置外に取り出 される。 まず通常運転時、 すなわち結晶を貯蔵部 5 1および排出部 5 3に回収す る工程では、 上部排出バルブ 5 2は開けておき、 下部排出バルブ 5 5は閉じてお く。 圧力調整ライン 5 4に接続された減圧装置により、 ハウジング 1の内部の圧 力が制御される。 この工程では、 搔き落とされた結晶は排出部 5 3に貯蔵される 。 結晶を装置外に取り出す工程では、 上部排出バルブ 5 2を閉じ、 圧力調整ライ ンを通して排出部 5 3と装置外の圧力を均圧とし、 下部排出バルブ 5 5を開ける ことにより、 結晶を装置外に取り出す。 ただし均圧とする際には、 不活性ガスを 利用することが好ましい。 結晶を装置外に取り出した後は、 下部排出バルブ 5 5 を閉じ、 必要に応じて排出部 5 3の雰囲気を不活性ガスで置換し、 圧力調整ライ ンを通して装置内の圧力と排出部 5 3の圧力を等しくし、 上部排出バルブ 5 2を 開けて、 結晶を回収する工程に戻る。
不活性ガスとしては、 窒素、 アルゴンが例示できる。 また圧力調整ラインには フィルタを設けることが好ましい。 フィルタを設けることにより、 結晶へのパー ティクルの混入が防止でき、 かつ、 パーティクルが圧力調整ラインを通って減圧 装置に到達することを防止できる。 ここでフィル夕の目開きは細かいものが好ま しく、 具体的には 0 . l m以下が好ましく、 0 . 0 2 m以下がより好ましく 、 0 . 0 0 3 mが特に好ましい。 上述の結晶の装置外への排出作業は、 気化部 2での蒸発または昇華と、 析出用 ローラ 32での結晶の析出を妨げない。 したがって、 連続的な精製操作が可能で あり、 精製効率が高い。 また必要最小限の開放作業のみで結晶を装置外に取り出 せることから、 パーティクルの混入を抑制できる。
(実施例)
以下に本発明の精製装置を用いた精製方法を実施例を用いて説明する。
用いた精製装置は、 図 1に記載の構造を有している。 ハウジング 1の大きさは 、 気化用ローラ 22の長軸方向が 38 cm、 幅 (紙面の左右方向) が 43 cm、 高さが 30 cmのである。 ただしこの大きさには上部排出バルブ 52より下部は 含まない。 ハウジング 1はステンレス鋼 (SUS 316) 製である。 気化用口一 ラ 22の直径は 15. 8 cm、 その長手方向は 15 c mであり、 材質はステンレ ス鋼 (SUS 316) 製である。 また、 析出用ローラ 32の直径は 13. 4 cm 、 その長手方向は 15 cmであり、 材質はステンレス鋼 (S US 316) 製であ る。 気化用ローラ回転軸 21と析出用ローラ回転軸 31との間隔は 15. 6 cm (両ローラの外周の最短間隔は 1. 0 cm) である。
個別に言及しない限りは上述の精製装置を用い、 以下の各試料の精製を行った 。 試料の精製純度は、 ガスクロマトグラフ法により測定した。 精製の条件、 精製 の結果 (純度) を表 1および 2に示した。 ただし以下の説明において、 「系内圧 力」 とは、 精製操作中のハウジング内の圧力を意味する。 また、 「材料加熱温度 」 とは、 精製操作初期において固体材料を加熱するための温度を意味し、 底壁 1 0の温度を測定した。 また、 「加熱保持温度」 とは、 精製操作中期 (初期の後の 状態) において固体材料を所定温度に保持した温度を意味し、 底壁 10の温度を 測定した。 また、 「ローラ加熱温度 j とは、 精製操作初期における析出ローラ 3 2の温度を意味し、 「ローラ保持温度」 とは、 精製操作中期における析出ローラ 32の温度を意味する。 また、 ローラの回転速度の単位 (r pm) は毎分の回転 数を意味する。 (実施例 1 )
純度が 96. 1%の未精製なパーフルォロ (1, 3, 5_トリフエ二ルペンゼ ン) (以下 「TPB」 という。 ) の 120 gを、 気化用ローラ 22の下方に投入 した。 油回転真空ポンプと圧力調節器を用いて系内圧力を 400 Paとし、 保持 した。 加熱ヒー夕で外部より加温し、 材料加熱温度を 165t:とした。 その後、 加熱保持温度を 160 とした。 気化用ローラ 22は、 毎分 20回転の回転速度 で回転させ、 回転方向は図 1において時計回りとした。 気化用ローラ 22の温度 は、 材料加熱温度または加熱保持温度と同じ温度から、 5で高い温度の範囲で制 御した。 析出用ローラ 32は、 毎分 3回転の回転速度で回転させ、 回転方向は図 1において反時計回りとした。 ローラ加熱温度は 115 とし、 ローラ保持温度 も 115でとした。 加熱を開始して数分後に析出用ローラ 32に結晶が析出し始 めた。 加熱を開始してから 4. 5時間後に目的とする白色柱状結晶体の 56 gを 回収した。 回収された精製 TP Bの純度は 99. 96%であった。
(実施例 2)
実施例 1と同じ TPBの 120 gを精製装置に投入した。 系内圧力を 133 P aとした以外は、 実施例 1と同じ条件で精製を行った。 加熱を開始してから 3時 間後に目的とする白色柱状結晶体の 81 gを回収した。 回収された精製 TPBの 純度は 99. 91 %であった。
(実施例 3)
実施例 1と同じ TPBの 150 gを精製装置に投入した。 加熱を開始してから 数分後に析出用ローラ 32の表面に結晶が析出し始めた。 ここであらかじめ溶融 した同じ純度の未精製 TP Bをポンプを用いて 14. 5 gZh rの速度で気化用 ローラの下部に供給し続けた。 材料を連続的に供給した以外は実施例 1と同じ条 件で精製を行った。 加熱を開始してから 8. 5時間後に目的とする白色柱状結晶 体の 123 gを連続的に回収した。 回収された精製 TP Bの純度は 99. 98 % であった。
(実施例 4) 精製装置に、 表面に深さ 5 mmの螺旋状の溝を施して、 固体が付着しやすい形 状とした気化用ローラを装着した。 実施例 1と同じ TPBの 300 gを精製装置 に投入した。 材料加熱温度および材料保持温度を 145 :とし、 系内圧力を 13 . OP aとした。 その他は実施例 1と同じ条件で精製を行った。 加熱を開始して から 8. 5時間後に目的とする白色柱状結晶体の 123 gを回収した。 回収され た精製 TP Bの純度は 99. 98%であった。
なお、 TPBの蒸気圧は、 145 において 400 P aであり、 融点は 152 でである。
(実施例 5 )
未精製なフッ素化ナフ夕レン (以下、 「FNP」 という。 ) の 150 gを、 気 化用ローラ 22の下方に投入した。 系内圧力は 1333 P aとした。 材料加熱温 度および加熱保持温度を 105 とし、 ローラ加熱温度およびローラ保持温度を 75T:とした。 また気化用ローラ 22は、 毎分 25回転の回転速度で回転させ、 析出用ローラ 32は、 毎分 5回転の回転速度で回転させた。 回転方向は実施例 1 と同じ方向である。 実施例 3と同様に材料を連続的に供給した。 加熱を開始して から 7. 5時間後に目的とする針状結晶体の 108 gを連続的に回収した。 回収 された精製 FN Pの純度は 99. 91%であった。
(実施例 6)
純度が 91. 3%の未精製なパーフルォロ (2, 4, 6—トリフエニルトリア ジン) (以下、 「TPT」 という。 ) の 120 gを、 気化用ローラ 22の下方に 投入した。 系内圧力は 667 P aとした。 材料加熱温度および加熱保持温度を 1 35でとし、 ローラ加熱温度およびローラ保持温度を 105 とした。 また気化 用ローラ 22は、 毎分 20回転の回転速度で回転させ、 析出用ローラ 32は、 毎 分 5回転の回転速度で回転させた。 回転方向は実施例 1と同じ方向である。 加熱 を開始してから 6時間後に目的とする結晶体の 89 gを回収した。 回収された精 製 TP Tの純度は 99. 89%であった。
(実施例 7 ) 未精製なフッ素化ビフエニル (以下、 「FBP」 という。 ) の 200 gを、 気 化用ローラ 22の下方に投入した。 系内圧力は 1333 Paとした。 材料加熱温 度および加熱保持温度を 85 とし、 ローラ加熱温度およびローラ保持温度を 5 5 とした。 また気化用ローラ 22は、 毎分 20回転の回転速度で回転させ、 析 出用ローラ 32は、 毎分 5回転の回転速度で回転させた。 回転方向は実施例 1と 同じ方向である。 実施例 3と同様に材料を連続的に供給した。 加熱を開始してか ら 8. 0時間後に目的とする針状結晶体の 148 gを連続的に回収した。 回収さ れた精製 F BPの純度は 98. 7%であった。
(実施例 8)
精製装置の、 気化用ローラ 22の表面と析出用ローラの表面との間隔を 20m mに調整した。 未精製なアントラセンの 150 gを、 気化用ローラ 22の下方に 投入した。 系内圧力は 267〜400Paとした。 材料加熱温度および加熱保持 温度を 21 O とし、 ローラ加熱温度およびローラ保持温度を 18 Ot:とした。 また気化用ローラ 22は、 毎分 15回転の回転速度で回転させ、 析出用ローラ 3 2は、 毎分 5回転の回転速度で回転させた。 回転方向は実施例 1と同じ方向であ る。 加熱を開始してから 8. 5時間後に目的とする針状結晶体の 102 gを回収 した。 回収された精製アントラセンの純度は 99. 95%であった。
(実施例 9)
未精製なナフタレンの 150 gを、 気ィ匕用ローラ 22の下方に投入した。 系内 圧力は 2667 P aとした。 材料加熱温度および加熱保持温度を 85 とし、 口 ーラ加熱温度およびローラ保持温度を 70 とした。 また気化用ローラ 22は、 毎分 15回転の回転速度で回転させ、 析出用ローラ 32は、 毎分 5回転の回転速 度で回転させた。 回転方向は実施例 1と同じ方向である。 加熱を開始してから 8 . 5時間後に目的とする白色針状結晶体の 102 gを回収した。 回収された精製 ナフタレンの純度は 99. 0%であった。
(実施例 10)
実施例 9と同じナフタレンの 150 gを精製装置に投入した。 精製装置の、 気 化用ローラ 22の表面と析出用ローラの表面との間隔を 1 5 mmに調整した以外 は、 実施例 9と同じ条件で精製を行った。 加熱を開始してから 8. 5時間後に目 的とする白色針状結晶体の 1 06 gを回収した。 回収された精製ナフタレンの純 度は 9 9. 2%であった。
(実施例 1 1 )
精製装置に、 表面に深さ 5mmの螺旋状の溝を施して、 固体が付着しやすい形 状とした気化用ローラを装着した。 未精製なトリス (8—キノリノラト) アルミ ニゥム (以下、 「TQAJ という。 ) の 200 gを、 気化用ローラ 22の下方に 投入した。 系内圧力は 4 O O P aとした。 材料加熱温度および加熱保持温度を 3 l O :とし、 ローラ加熱温度およびローラ保持温度を 280でとした。 また気化 用ローラ 22は、 毎分 1 5回転の回転速度で回転させ、 析出用ローラ 32は、 毎 分 5回転の回転速度で回転させた。 回転方向は実施例 1と同じ方向である。 加熱 を開始してから 8時間後に目的とする精製結晶体の 1 1 3 gを回収した。 回収さ れた精製 TQAの純度は 99. 5%であった。
(表 1)
実施例 1 2 3 4 5 6 材料 TPB TPB TPB TPB FNP TPT 純度 ( ) 96.1 96.1 96.1 96.1 91.3 投入量 (g) 120 120 150 300 150 120 連続供給量 (g/hr) 0 0 14.5 0 14.5 0 系内圧力 (P a) 400 133 400 13.0 1333 667 材料加熱温度 (で) 165 165 165 145 105 135 加熱保持温度 (で) 160 160 160 145 105 135 気化用ローラ 20 20 20 20 25 20 回転速度 (rpm)
析出用ローラ 3 3 3 3 5 5 回転速度(rpm)
ローラ加熱温度 CC) 115 115 115 115 75 105 ローラ保持温度 ( ) 115 115 115 115 75 105 時間 (h r) 4.5 3.0 8.5 8.5 7.5 6.0 回収量 (g) 56 81 123 123 108 89 純度 (%) 99.96 99.91 99.98 99.98 99.91 99.89 (表 2 )
Figure imgf000020_0001
産業上の利用の可能性
本発明の固体材料の精製装置およびこの精製装置を用いた精製方法によれば、 材料の供給から結晶体の回収操作を回分または連続的に一連の操作で行うことが できる。 これにより、 高い効率で、 高純度の固体材料が得られる。
すなわち本発明の精製方法は、 一般的な精製方法として行われている蒸留や再 結晶精製と比較して、 高純度で精製が可能である。 また本発明の精製装置は構造 が簡素であり、 装置内部に由来する不純物の混入が防止できる。 また、 装置全体 の開放作業が不要であるためパーティクルの混入を防止できる。
本発明の精製方法は、 電子材料、 光学材料等の高度の精製と不純物の排除が要 求される材料の精製方法として有用である。

Claims

請求の範囲
1 . 蒸発または昇華が可能な固体材料の精製装置において、 ハウジングを有し、 該ハウジング内に、 回転可能な少なくとも 1つずつの、 気化用ローラおよび析出 用ローラを備えることを特徴とする固体材料の精製装置。
2 . 前記気化用ローラと析出用ローラとの間隔が調整可能であることを特徴とす る請求項 1に記載の固体材料の精製装置。
3 . 前記気化用ローラおよび または析出用ローラの表面が凹凸形状を有するこ とを特徴とする請求項 1または 2に記載の固体材料の精製装置。
4. 前記気化用ローラおよび析出用ローラ力 加熱可能および Zまたは冷却可能 であることを特徴とする請求項 1〜 3のいずれかに記載の固体材料の精製装置。
5 . 前記精製装置において、 さらに、 析出用ローラの近傍に搔き取り手段を備え 、 前記析出用ローラの表面と、 搔き取り手段の先端部との間に間隙を有すること を特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の固体材料の精製装置。
6 . 前記八ウジングを加熱ヒー夕により加温することにより、 ハウジング内壁へ の結晶の付着を防止することを特徴とする請求項 1〜 5のいずれかに記載の固体 材料の精製装置。
7 . 固体材料の精製において、
回転可能に設けられた気化用ローラの表面に付着した固体材料を回分または連 続的に蒸発または昇華させ、
前記蒸発または昇華させた材料を、 回転可能に設けられた析出用ローラの表面 に、 回分または連続的に析出させ、
前記析出用ローラの表面に析出した結晶を回分または連続的に、 接き取り部で 搔き取り、
該結晶を回分または連続的に排出することを特徴とする固体材料の精製方法。
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