WO2003003124A1

WO2003003124A1 - Composition de decapage de photoresine

Info

Publication number: WO2003003124A1
Application number: PCT/JP2002/006216
Authority: WO
Inventors: Kazuto Ikemoto; Hisaki Abe; Taketo Maruyama; Tetsuo Aoyama
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
Priority date: 2001-06-29
Filing date: 2002-06-21
Publication date: 2003-01-09
Also published as: JP4810764B2; DE60233406D1; JP2003015320A; KR100907142B1; US20040081922A1; EP1400858A4; KR20040014975A; EP1400858A1; TWI317354B; EP1400858B1

Description

明細書フォトレジスト剥離剤組成物技術分野

本発明は、半導体集積回路や液晶表示装置の半導体素子の配線工程または電極形成工程に使用されるフォトレジスト剥離剤組成物、およびそれを用いた半導体素子の製造方法に関する。背景技術

半導体集積回路は、無機質基体上に形成された配線材料薄膜にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像してフォトレジストパターンを形成し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとして非マスク領域の配線材料薄膜をエッチングし、微細回路を形成した後、上記フォトレジストパターンを回路を形成した無機質基体から剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成した後、アツシングを行い、残存するレジスト残渣を回路を形成した無機質基体から剥離する方法によつて製造される。

従来、上記レジスト膜、レジスト残渣を除去するレジスト剥離剤として、特開昭 6 2— 4 9 3 5 5号公報、特開昭 6 2 9 5 5 3 1号公報、特開平 5— 2 7 3 7 7 6 8号公報には水を^有しない有機アミン系剥離剤が開示されている。しかし、これらの有機アミン系剥離剤では上記のエッチング後のレジスト膜、および、エツチングノアッシング後のレジスト残渣の剥離力がきわめて低い。

更に近年、回路の超微細化に伴い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用したフォトレジス卜が変質する傾向にある。さらにエッチング/プラズマァッシング後のレジスト残渣もその組成が複雑化しており、先に述べたァミン系剥離剤ではレジスト膜、レジスト残渣の除去には効果がない。

また、ドライエッチングにおいては、ドライエッチングに使用するガス、レジスト及び各種配線材料との相互作用によりレジスト残渣の一種である側壁ポリマ一（サイドウォールポリマーとも呼ばれる）がエッチング部側壁に発生する。このような側壁ポリマーの除去に対しても、上記従来の有機ァミン系剥離剤では効果がない。

一方、特開昭 6 4 _ 8 1 9 4 9号、特開昭 6 4— 8 1 9 5 0号、特開平 6— 2 6 6 1 1 9号には水を含有するアルカノールァミン系剥離剤が開示されている。しかしながら、これらの水を含有するアルカノールァミン系剥離剤でも、上記レジスト膜、レジスト残渣、および、側壁ポリマーの除去には満足すべき効果が得られていない。

また、近年半導体集積回路や液晶表示装置の半導体素子の材料として種々の材料が使用されており、種々の無機質基体および配線体を腐食しないフォトレジスト剥離剤が要求されている。発明の開示

本発明の目的は、従来技術における上記の如き、剥離剤の問題点を解決し、無機質基体上の配線材料薄膜に塗布されたフォトレジスト膜、配線材料薄膜をエツチング後に残存するフォトレジスト膜、エッチングし、次いでアツシングした後に残存するフォトレジスト残渣等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、且つ、種々の材料の無機質基体および配線体を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離剤組成物を提供することである。

本発明者等らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、エツチング後に残存するフォトレジストマスクおよびレジスト残渣、あるいは、エツチング、次いでァッシングした後に残存するレジスト残渣を容易に短時間で剥離でき、無機質基板上の配線材料や絶縁膜等を全く腐食せずに、高精度の半導体微細回路の製造を可能にするフォトレジスト剥離剤組成物を見い出した。本発明はかかる見知に基いて完成された。

すなわち、本発明はァミン化合物および特定の構造を有するアル力ノールアミド化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物に関する。該フォトレジスト剥離剤組成物は有機溶剤、防食剤および水の少なくとも一をさらに含有することができる。図面の簡単な説明図 1は、レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行い、 A 1合金配線体を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化（アツシング）処理を行った後の半導体装置を表す一部断面図である。発明を実施するための最良の形態

本発明に使用するアル力ノールアミド化合物は、下記式 I ：

(式中、 R¹は、 H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルケニル基、ァリール基またはアミノ基； R²は、 H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、ァリール基またはァリル基； R³は H、アルキル基またはヒドロキシアルキル基を表し； R¹と R²がアルキル基の場合、これらは結合してアミド構造と共に環状構造を形成してもよレ、）、または下記式 Π ：

R³ X R³

I II I

HO— C— N— C— N— C— OH (II)

R² IT

(式中、 R²は、 H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、ァリール基またはァリル基； R^iH、アルキル基またはヒドロキシアルキル基；および Xは O又は sを表す）

で示されるように、アミド構造（一 CON_) またはチォアミド構造（_CSN 一）とアル力ノール構造（一 CR³H_OH) とを有する化合物である。

また、 R¹がアルケニル基である式 Iの化合物の重合体も本願のアル力ノールアミド化合物に含まれる。

アル力ノールアミド構造は分子内に 1つ以上有していればよく、 2以上のアル力ノールアミド構造を有していても何ら差し支えない。

R¹が示す鎖状または環状アルキル基は、好ましくは鎖状または環状の C 1一 C 12アルキル基、より好ましくはメチル、ェチル、 n—プロピル、イソプロピノレ、 n—ブチル、イソブチル、 t—ブチル、シクロへキシルなどである。 R¹が示すヒドロキシアルキル基は、好ましくはヒドロキシ（C 1—C 10アルキル基）、より好ましくは 1ーヒドロキシェチル、 2—ヒドロキシプロピル、ヒドロキシメチノレ、 2—ヒドロキシェチル、 1ーヒドロキシ一 1—メチルェチノレなどである。 R ¹が示すアルケニル基は、好ましくは鎖状または環状の C 2 - C 1 0アルケニル基、より好ましくはビュル、 1—メチルビニル、ァリル、メタリル、シクロへキセニルである。 R ¹が示すァリール基は、好ましくはフエニル、ナフチル、ヒドロキシフエニル、トリル、ピリジルであり、アミノ基は、好ましくはァミノ、アミノメチル、 1 _アミノエチル、 2—アミノエチル、メチルァミノ、ジメチルァミノなどである。

R ²が表すアルキル基、ヒドロキシアルキル基おょぴァリール基は、 R ¹に関して記載したものと同様である。

R ³が表すアルキル基およびヒドロキシアルキル基は、 R ¹に関して記載したものと同様である。

アル力ノールアミド化合物の具体例は、 N—メチロールァセトアミド、 N—メチロールホルムアミド、 N— ( 1—ヒドロキシェチル）ァセトアミド、 N— ( 1 —ヒドロキシェチル）ホルムアミド、 N—メチロール尿素、 Ν， Ν '—ジメチ口ール尿素、 Ν—メチロールアクリルアミド、 Ν—メチロールメタクリルアミド、 Ν—メチノレ一 Ν—ヒドロキシメチノレアセトアミド、 Ν—ェチルー Ν—ヒドロキシメチルァセトアミド、 Ν—メチルー Ν—ヒドロキシメチルホルムアミド、 Ν—ェチル一 Ν—ヒドロキシメチルホルムアミド、 Ν , Ν—ジヒドロキシメチルホノレムアミド、 Ν , Ν—ジヒドロキシメチルァセトアミド、メチロールステアリルアミド、メチロールチオ尿素、メチロールピロリドン、 Ν—メチロールラタトアミド、 Ν—メチロール 2—ヒドロキシ一 2 _メチルプロピノレアミド、 Ν— ( 1—ヒドロキシェチル）アタリルァミド、 Ν _ ( 1—ヒドロキシェチル）メタタリルァミド、 Ν—メチロールプロピオンアミド、ポリアクリルアミドメチロール（Ν—メチロ —ルァクリルアミドの重合体）、ポリメタクリルアミドメチロール（Ν—メチローノレメタクリルアミドの重合体）等が挙げられる。

本発明においてアル力ノールアミド化合物は上記の化合物に限定されず、アルカノ一ルアミド構造を少なくとも分子内に 1つ以上有していればよい。また、上記の式 Iまたは Πの R ³が Ηまたはメチル基である化合物が、多数製造されており容易に入手できるので特に好ましい。ァミン化合物としては、例えば、アルキルァミン、アルキルァミン、アルカノ —ルァミン、ポリアミン、ヒドロキシルァミン化合物、および環式ァミンが用いられる。

アルキルァミンとしては、メチルァミン、ェチルァミン、 n—プロピルァミン、イソプロピルァミン、 n—ブチルァミン、 s—ブチルァミン、イソブチルァミン、 t〜ブチルァミン、ペンチルァミン、 2—ァミノペンタン、 3—ァミノペンタン、

1—アミノー 2—メチルブタン、 2 _アミノー 2—メチルブタン、 3—アミノー

2—メチルブタン、 4—アミノー 2—メチルブタン、へキシルァミン、 5—アミノー 2—メチルペンタン、ヘプチルァミン、ォクチルァミン、ノエルァミン、デシルァミン、ゥンデシルァミン、ドデシルァミン、トリデシルァミン、テトラデシルァミン、ペンタデシルァミン、へキサデシルァミン、ヘプタデシルァミン、ォクタデシルァミン等の第一アルキルァミン；ジメチルァミン、ジェチルァミン、ジプロピルァミン、ジイソプロピルァミン、ジブチルァミン、ジイソブチルアミン、ジ一 s—ブチルァミン、ジー t—ブチルァミン、ジペンチルァミン、ジへキシルァミン、ジヘプチルァミン、ジォクチルァミン、ジノニルァミン、ジデシルァミン、メチルェチルァミン、メチルプロピルァミン、メチルイソプロピルアミン、メチルブチルァミン、メチルイソブチルァミン、メチルー s—ブチルァミン、メチルー t—ブチルァミン、メチルアミルァミン、メチルイソアミルァミン、ェチルプロピルァミン、ェチルイソプロピルァミン、ェチルプチルァミン、ェチノレイソブチルァミン、ェチル _ s—ブチルァミン、ェチル一 tーブチルァミン、ェチルイソアミルァミン、プロピルブチルァミン、プロピルイソブチルァミン等の第二アルキルァミン；および、トリメチルァミン、トリェチルァミン、トリプロピルァミン、トリプチルァミン、トリペンチルァミン、ジメチルェチルァミン、メチルジェチルァミン、メチルジプロピルァミン等の第三アルキルァミンがあげられる。

アルカノールァミンとしては、エタノールァミン、 N—メチルエタノールアミン、 N—ェチルエタノールァミン、 N—プロピルエタノールァミン、 N—ブチェタノールァミン、ジエタノールァミン、イソプロパノールァミン、 N—メチルイソプロパノールァミン、 N—ェチルイソプロパノールァミン、 N—プロピルイソプロパノールァミン、 2—ァミノプロパン一 1—オール、 N—メチル一 2—アミノ一プロパン一 1—オール、 N—ェチルー 2—アミノプロノン一 1—オール、 1 —ァミノプロパン一 3—オール、 N—メチル一 1—アミノプロパン一 3—オール、 N—ェチル一 1—ァミノプロパン一 3—オール、 1—アミノブタン一 2—オール、 N—メチル一 1—アミノブタン一 2—オール、 N—ェチル一 1—アミノブタン一 2 _オール、 2—アミノブタン一 1一オール、 N—メチル一 2—アミノブタン一 1一オール、 N—ェチノレ一 2—アミノブタン一 1—オール、 3—アミノブタン一 1一オール、 N—メチルー 3—アミノブタン一 1一オール、 N—ェチル一 3—ァミノブタン一 1—オール、 1—アミノブタン一 4一オール、 N—メチノレ一 1—ァミノブタン一 4—オール、 N—ェチル一 1一アミノブタン一 4 _オール、 1—ァミノ一 2—メチルプロパン一 2 _オール、 2—ァミノ一 2—メチルプロパン一 1 —オール、 1 —ァミノペンタン一 4—オール、 2—ァミノ一 4—メチノレペンタン一 1—オール、 2—ァミノへキサン一 1—オール、 3—ァミノヘプタン一 4—ォ一ノレ、 1—ァミノオクタン一 2—オール、 5—ァミノオクタン _ 4 _オール、 1 —アミノプパン一 2 , 3—ジオール、 2—ァミノプロパン一 1 , 3—ジオール、トリス（ォキシメチル）ァミノメタン、 1， 2—ジァミノプロパン一 3—オール、 1 , 3—ジァミノプロパン一 2—オール、 2— ( 2—アミノエトキシ）エタノール等があげられる。

ポリアミンとしては、エチレンジァミン、プロピレンジァミン、トリメチレンジァミン、テトラメチレンジァミン、 1， 3—ジァミノブタン、 2 , 3—ジアミノブタン、ペンタメチレンジァミン、 2， 4—ジァミノペンタン、へキサメチレンジァミン、ヘプタメチレンジァミン、ォクタメチレンジァミン、ノナメチレンジァミン、 N—メチルエチレンジァミン、 N , N—ジメチルエチレンジァミン、トリメチルエチレンジァミン、 N—ェチルエチレンジァミン、 N , N—ジェチノレエチレンジァミン、トリェチルエチレンジァミン、 1 , 2， 3—トリアミノプロパン、ヒドラジン、トリス（2—アミノエチル）ァミン、テトラ（アミノメチル）メタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラェチルペンタミン、ヘプタエチレンォクタミン、ノナエチレンデカミン、等があげられる。ヒドロキシルァミン化合物としては、ヒドロキシルァミン、 N—メチルヒドロキシルァミン、 N—ェチルヒドロキシルァミン、 N， N—ジェチルヒドロキシノレァミンがあげられる。環式ァミンとしては、ピロール、 2—メチルビロール、 3—メチルビロール、 2—ェチノレピロ一ノレ、 3—ェチノレピロ一ノレ、 2 , 3 _ジメチノレピロ一ノレ、 2， 4 一ジメチルビロール、 3， 4—ジメチルビロール、 2 , 3 , 4 _ トリメチルピロ —ル、 2 , 3 , 5— トリメチルピロール、 2—ピロリン、 3—ピロリン、ピロリジン、 2—メチルピロリジン、 3—メチルピロリジン、ピラゾール、イミダゾーノレ、 1， 2 , 3— トリアゾール、 1 , 2 , 3 , 4—テトラゾ一ル、ピぺリジン、 2—ピペコリン、 3 —ピペコリン、 4 —ピペコリン、 2， 4—ルペチジン、 2 , 6—ルペチジン、 3， 5—ルペチジン、ピぺラジン、 2—メチルビペラジン、 2 , 5—ジメチルビペラジン、 2 , 6 —メチルビペラジン、モルホリン等があげられる。

本発明に使用されるアミン化合物は上記のァミンに限定されなく、アミン化合物であれば何ら制約されない。また、ァミン化合物は単独、もしくは複数組み合わせて使用される。

上記アミン化合物の中では、メチルァミン、ェチルァミン、プロピルァミン、ブチルァミン、エタノールァミン、 N—メチルエタノールァミン、 N—ェチルェタノ一ノレアミン、ジエタノールァミン、イソプロパノ一ルァミン、 2— ( 2—ァミノエトキシ）エタノール、エチレンジァミン、プロピレンジァミン、ブチレンジァミン、ジエチレントリァミン、ピぺラジン、モルホリンが好ましい。

本発明に使用される有機溶剤は上記のアル力ノールアミド化合物とァミン化合物の混合物と混和可能であればよく、特に制限がない。好ましくは水溶性有機溶剤である。例としてはエチレングリコール、エチレングリコールモノェチルエーテノレ、エチレングリコールモノブチノレエーテル、ジエチレングリコールモノメチノレエーテノレ、ジエチレンゴリコーノレモノェチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノブチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノェチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテノレ、ジプ口ピレンダリコーノレモノメチノレエーテル、ジプロピレンダリコーノレモノエチノレエーテノレ、ジプロピレングリコーノレモノブチノレエ一テノレ、ジエチレングリコーノレジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶斉 ij、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノェチルホルムアミド、ジェチルホルムアミド、ァセトアミド、モノメチルァセトアミド、ジメチルァセトアミド、モノェチルァセトアミド、ジェチルァセトアミド、 N— メチノレピロリドン、 N—ェチルピロリドン等のアミド系溶剤、メチルアルコーノレ、ェチノレアノレコ一ノレ、イソプロノヽ⁰ノ一ノレ、エチレングリコーノレ、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤、ジメチルスルホン、ジェチルスルホン、ビス（2 —ヒドロキシ）スノレホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン系溶剤、 1 , 3 —ジメチル一 2—イミダゾリジノン、 1 , 3 —ジェチルー 2—イミダゾリジノン、 1 ， 3—ジイソプロピル一 2— ィミダゾリジノン等のィミダゾリジノン系溶剤、 γ—プチロラクトン、 δ—バレ口ラタトン等のラクトン系溶剤等があげられる。

これらの中では、ジメチルスルホキシド、 Ν， Ν—ジメチルホルムアルド、 Ν， Ν—ジメチルァセトアミド、 Ν—メチルピロリドン、ジエチレングリコールモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコールモノブチノレエーテノレ、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルが好ましい。

本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、防食剤を含むことができる。防食剤としては、 1 , 2—プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヒドロキシェタンホスホン酸等の燐酸化合物；エチレンジアミンテトラァセティックァシッド、ジヒドロキシェチルダリシン、二トリロトリアセティックアシッド、シユウ酸、クェン酸、リンゴ酸、酒石酸等のカルボン酸；ビビリジン、テトラフ-二ルポルフィリン、フエナント口リン、 2 , 3—ピリジンジオール等のァミン；ジメチルグリオキシム、ジフエニルダリオキシム等のォキシム化合物；ソルビトール、キシリトール等の糖アルコール；および、フエノーノレ、クレゾ一ノレ、キシレノーノレ、ピロカテコール、レゾノレシノール、ヒドロキノン、ピロガローノレ、 1 , 2 , 4 - ベンゼントリオール、サリチルアルコール、 ρ—ヒドロキシベンジルアルコール、 ο—ヒドロキシベンジルアルコール、 ρ—ヒドロキシフエネチルアルコール、 ρ —ァミノフエノール、 m—ァミノフエノール、ジァミノフエノール、アミノレゾルシノール、 p—ヒドロキシ安息香酸、 0—ヒドロキシ安息香酸、 2 , 4—ジヒドロキ安息香酸、 2 , 5—ジヒドロキシ安息香酸、 3 , 4—ジヒドロキシ安息香酸、 3 , 5—ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸等の芳香族ヒドロキシ化合物があげられる。これらの化合物は、単独、又は 2種以上を組み合わせて配合できる。好ましい防食剤は芳香族ヒドロキシ化合物であり、カテコールが安価であるので更に好ましい。

アル力ノールアミド化合物の配合割合（重量比）は、ァミン化合物に対して 0 . 0 0 0 1〜 5 0、好ましくは 0 . 0 0 5〜 2 0である。フォトレジスト剥離剤組成物中のアミン化合物の濃度は、 2〜9 9 . 9 9重量％、好ましくは 5〜9 5重量％である。

本発明において、有機溶剤の使用には制限がないが、フォトレジスト剥離剤組成物の粘度、比重もしくはエッチング、アツシング条件等を勘案して濃度を決定すればよい。使用する場合には、フォトレジスト剥離剤組成物の 9 0重量。 /₀まで使用することができる。

防食剤の添加量に特に制限はないが、フォトレジスト剥離剤組成物の 3 0重量％以下が好ましく、 1 5重量％以下がさらに好ましい。

本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、水を含むことができる。水の添加量は特に制限されないが、エッチング、アツシング条件等を勘案して決定される。水の添加量は、フォトレジスト剥離剤組成物の 5 0重量％以下が好ましい。

本発明に使用される無機質基体としては、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、液晶表示装置用のガラス基板等が使用される。配線材料としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、銅及び銅合金、ァノレミニゥム、アルミニウム合金、チタン、チタン一タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金、 I T O (インジユウムースズ酸化物）等の半導体配線材料あるいはガリウム一砒素、ガリウム一リン、インジゥムーリン等の化合物半導体が使用される。

本発明の半導体素子の製造方法おいては、まず、無機質基体上に形成された回路形成用の導電性薄膜にフォトレジストを塗布する。形成されたフォトレジスト層は露光によりパターン化される。パターン化されたフォトレジスト層をマスクとして用い、前記導電性膜の非被覆領域をエッチング除去する。次いで、残存するフォトレジスト膜を上述したフォトレジスト剥離剤組成物で除去する。エッチング後、所望により灰化処理（アツシング）をすることもある。アツシング後に残存するフォトレジスト残渣も上述したフォトレジスト剥離剤組成物で除去することができる。ここで言う灰化処理（アツシング）とは、例えば有機高分子よりなるフォトレジストをプラズマ中で発生する酸素プラズマにより、燃焼反応で C o、 c o ₂として除去するものである。

本発明のフォトレジスト剥離剤組成物による残存フォトレジスト膜およびフォトレジスト残渣の除去は、残存フォトレジスト膜、フォトレジスト残渣等を有する無機質基体を、通常は常温〜 1 5 0 °Cでフォトレジス卜剥離剤組成物に接触させる。半導体素子材料へのアタックを阻止するためには、できるだけ低い温度で接触させるのが好ましく、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、特に 7 0 °C 以下の低い温度で残存フォトレジスト膜、フォトレジスト残渣等を除去することができる。接触は、スプレー、塗布、浸漬などにより行う。接触時間は、 0 . 5 〜6 0分が好ましい。

フォトレジスト剥離剤組成物で除去処理した後、回路形成された無機質基体をアルコールなどの有機溶剤でリンスしても良く、あるいは、水でリンスしても良く、特に制限はない。

次に実施例により本発明を具体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。

図 1に、フォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行い、 A 1合金 (A 1 - C u ) 配線体 5を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化処理を行った後の半導体装置の部分断面図を示した。シリコン基板 1の上に酸化膜 2が形成され、酸化膜 2上に、配線体である A 1合金膜 5が形成され、その側壁にレジスト残渣 7が残存している。なお、ノくリアメタルとして、チタン膜 3、窒化チタン膜

( 4、 6 ) が設けられている。

実施例 1〜： 1 2、比較例 1〜 3

図 1のレジスト残渣を有する半導体装置を、表 1〜3に示す組成のフォトレジスト剥離剤組成物に所定時間浸漬した後、超純水でリンスして乾燥し、走査電子顕微鏡（S E M) で観察を行った。残存フォトレジスト膜およびレジスト残渣の剥離状態と、アルミニウム（C 1 ) 配線体の腐食状態について評価した。その結果を表 1〜3に示す。以下の実施例および比較例において用いた、 S E M観察による評価基準は次の通りである。

剥離性 A 完全に除去された。

B ほぼ完全に除去された。

C 一部残存物が認められた。

D 大部分が残存していた。

腐食性

A 腐食は全く認められなかった。

B 腐食はほとんど認められなかった。

C クレーター状あるいはピット状の腐食が認められた。

D アルミニウム配線体の全面に荒れが認められ、さら A 1 - C u層の後退が認められた _c 表 1

実施例

1 2 3 4 5 6 ァミン

種類エタノールァミン .エタノ-ルァミンエタノ-ルァミンエタノ-ルァミンェタノ-/レアミンエタノ-ルァミン濃度（wt %) 70 78 78 75 75 65 ァノレカノールァミド、

種類 * MLAD MLAD MLFD MLAD HEAD MLAD 濃度（wt %) 3 5 5 8 8 5 有機溶剤

種類 * DMS0 DGBE 濃度（wt %) 27 15 防食剤

種類カテコールカテコールカテコールカテコールカテコール濃度（wt ) 5 5 5 5 3

H ₂ 0

濃度 (wt %) 12 12 12 12 12 剥離条件

温度（°c) 55 55 55 55 55 55 時間（min) 10 3 3 5 5 5 剥離性 A A A A A A 腐食性 A A A A A A 注： M L A D = N—メチロ一ルァセトアミド

M L F D = N—メチロールホルムアミド

H E A D = N— （ 1一ヒドロキシェチル）ァセトアミ K DMS 0 = ホキシド

DGB E =ジェリコ一ノレモノブチノレエーテノレ表 2

実施例

o Q

丄 U 丄丄丄

— s»

！ノ

ύ, _T h j

¾類アレノ IN h

ァレ /— マ

ェノレ/ヽ J τ }―

ェグノルェグノール, ノ /— ェクノル/ ン 1、~ ェグノー/レノ

つ o c

擴度 ( t %) 50 ί 00 40 (0 00 い、

/ ノレ 7ノノレ / 卜

植類 MLAL) Μし AU MLAD HhAL) HEAD HEAD ρ ( 0/\ t

濃度 (wt %) 0 0 5 0 10 D us；/!^! -<a\

機溶斉¹ J

ΓΠΌΏ

UODC, UM U MAし濃度（wt %) 30 15 40 15 防食剤

種類 EDTA カテコールカテコールカテコールカテコールカテコール濃度（wt %) 3 5 3 3 5 3

H₂0

濃度（wt %) 12 12 12 12 12 12 剥離条件

温度（°C) 50 55 55 55 55 55 時間（min) 3 10 5 10 5 10 剥離性 A A A A A A 腐食性 A A A A A A 注： ML AD = N—メチロールァセトアミド

HE AD = N- ( 1ーヒドロキシェチル）ァセトアミ

DGB E ジエチレングリコールモノブチルエーテル

D M S O =ジメチルスルホキシド

DMAC =ジメチルァセトアミド

E DT A =エチレンジァミン四酢酸表 3

比較例

2 3 4

ァミン

〔タノ一/レアミンエタノールァミン Iタノ一/レアミン N-メチル

エタノールァミン

、難 ,„+. 0/ヽ 7Q 7Q

(Ό ίο ΌΌ

^ 、、

J /レノノノレノ - Γ

m

ml^. vwt o) 植類 UMbU UGBb

濃度（wt %) 30 15

防食剤

種類カテコールカテコールカテコ-,

濃度（wt %) 5 3 5

H₂0

濃度（wt %) 17 17 17

剥離条件

温度（°c) 55 55 55 55

時間（min) 10 3 5 10

剥離性 C Β C D

腐食性 A Β B A

注： DMS 0 = ホキシド

D G B E =ジェリコーノレモノプ'チノレエーテノレ産業上の利用の可能性

本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用することにより、反応性ガスを用いたドライエッチング、アツシング後に残存するレジスト残渣を配線材料等を腐食することなく、極めて容易に剥離することが出来る。

Claims

請求の範囲

1 . ァミン化合物と、下記式 I ：

0 R³

R¹— C— N— C-OH (I)

l ₂ H

R²

(式中、 R ¹は、 H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルケニル基、ァリール基またはアミノ基； R ²は、 H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、ァリール基またはァリル基； R ^iH、アルキル基またはヒドロキシアルキル基を表し； R ¹と R ²がアルキル基の場合、これらは結合してアミド構造と共に環状構造を形成してもよい）で表される化合物、前記式 Iにおいて R ¹がアルケニル基である化合物の重合体、及び、下記式 Π ：

R³ X R³

I II I

HO— C— N— C— N— C— OH (II)

R² R²

(式中、 R ²は、 H、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、ァリール基またはァリノレ基； R ³は H、アルキル基またはヒドロキシアルキル基；および Xは O又は Sを表す。）で表される化合物からなる群より選ばれた少なくとも一のアルカノ一ルァミド化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

2 . 式 Iおよび Πの R ³が Hまたはメチル基であることを特徴とする請求項 1記載のフォトレジスト剥離剤組成物。

3 . アル力ノールアミド化合物が N—メチロールァセトアミド、 N—メチロールホルムアミド、 N— ( 1—ヒドロキシェチル）ァセトアミド、 N _ ( 1—ヒドロキシェチル）ホルムアミド、 N—メチロール尿素、 N , N ' 一ジメチロール尿素、 N—メチロールアクリルアミドまたは、 N—メチロールメタクリルアミドであることを特徴とする請求項 1または 2のレジスト剥離剤組成物。

4 . ァミン化合物がアルキルァミン、アルカノールァミン、ポリアミン、ヒドロキシルァミンまたは環式ァミンであることを特徴とする請求項 1〜 3のいずれかに記載のフォトレジスト剥離剤組成物。

5 . さらに有機溶剤を含有することを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載のフォトレジスト剥離剤組成物。

6. さらに防食剤を含むことを特徴する請求項 1〜 5のいずれかに記載のフォトレジスト剥離剤組成物。

7. 防食剤が芳香族ヒドロキシ化合物であることを特徴とする請求項 6記載のフオトレジスト剥離剤組成物。

8. 防食剤剤がカテコールであることを特徴とする請求項 7記載のフォトレジスト剥離剤組成物。

9. さらに水を含有することを特徴とする請求項 1〜8のいずれかに記載のフォトレジスト剥離剤組成物。

10. (1)無機質基体上に形成された配線材料薄膜にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程、（2)該レジスト膜を露光、現像してフォトレジストパターンを形成する工程、（3)該フォトレジストパターンをマスクとして非マスク領域の配線材料薄膜をエッチングして微細回路を有する無機質基体を得る工程、及び、（4)前記回路形成無機質基体を請求項 1〜9のいずれかに記載のフォトレジスト剥離剤組成物に常温〜 150°Cで接触させて残留するフォトレジストパターンを剥離する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

1 1. (1)無機質基体上に形成された配線材料薄膜にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程、（2)該レジスト膜を露光、現像してフォトレジストパターンを形成する工程、（3)該フォトレジストパターンをマスクとして非マスク領域の配線材料薄膜をエッチングして微細回路を有する無機質基体を得る工程、

(4) 前記微細回路を有する無機質基体をアツシング処理する工程、及び、（5) 前記ァッシング処理した無機質基体を請求項 1〜 9のいずれかに記載のフォトレジスト剥離剤組成物に常温〜 150°Cで接触させて残留するフォトレジス残渣を剥離する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。