明 細 書
III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造方 法及 び III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 素 子 技 術分 野
本 発 明 は 、 II I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 の 製 造方 法 及 び 半導 体 素 子 に 関 す る 。
尚 、 III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と は 、 例 え ば A1N、 G aN、 InN の よ う な 2 元 系 、 ALGai一 、 A 1 x I n i - x N , G a x I n i- ( レ、 ず れ も 0< χ< 1) の よ う な 3 元 系 、 AlxGayln - N ( 0 < X < 1 , 0 < y < 1 , 0 < x + y < 1 ) の 4 元 系 を 包 括 し た 一 般 式 Al ayIn…― yN ( 0≤ x≤ l, 0≤ y≤ 1 , 0≤ x + y≤ 1 ) で 表 さ れ る も の が あ る 。 な お 、 本 明 細 書 に お い て は 、 特 に 断 ら な い 限 り 、 単 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と 言 う 場合 は 、 伝 導型 を p 型 あ る い は n 型 に す る た め の 不 純 物 が ド ー プ さ れ た III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を も 含 ん だ表 現 と す る 。 背 景 技 術
I I I 族 窒化 物 系 化 合 物 半 導 体 は 、 例 え ば発 光 素 子 と し た 場 合 、 発 光 ス ぺ ク ト ル が 紫 外 カゝ ら 赤 色 の 広 範 囲 に 渡 る 直 接 遷 移 型 の 半 導 体 で あ り 、 発 光 ダ イ ォ ー ド (LED)ゃ レ 一 ザ ダ イ ォ ー ド (LD)等 の 発 光 素 子 に 応 用 さ れ て い る 。 ま た 、 そ の バ ン ド ギ ャ ッ プ が 広 い た め 、 他 の 半導 体 を 用 い た 素 子 よ り も 高 温 に お い て 安 定 し た 動 作 を 期 待 で き る こ と か ら 、 F E T 等 ト ラ ン ジ ス タ へ の 応 用 も 盛 ん に 開 発 さ れ て
レヽ る 。 ま た 、 ヒ 素 (As) を 主 成 分 と し て レヽ な い こ と で 、 環 ia 面 か ら も 様 々 な 半 導 体 素 子 一 般 へ の 開 発 が 期 待 さ れ て い る の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で は 、 サ フ ア イ ァ を と し 、 そ の 上 に 形 成 し た 素 子 の 他 、 シ リ コ ン (S 基 板 を 用 い る も の が あ る 。
シ リ ン (Si )基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 形 成 す る と 、 シ リ コ ン (Si)基 板 と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と の 格 子 定 数 の ミ ス フ イ ッ ト に よ り 常 に 応 力 が か か つ た 状 態 で ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 う こ と と な る 。 ま た 、 シ リ コ ン (Si)基 板 と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と の 熱 膨 張 率 の 差 は 、 降 温 時 に そ の 応 力 を 増 大 さ せ 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に 多 数 の ク ラ ッ ク ( 断 裂 ) を 生 じ さ せ る こ と と な る 。 こ れ に よ り 、 発 光 素 子 そ の 他 の 素 子 を 形 成 し た 領 域 に ク ラ ッ ク ( 断 裂 ) が 生 じ た 場 合 は そ の 素 子 は 不 良 品 と な り 、 歩 留 ま り が 極 め て 悪 い も の と な つ て い た 。
そ こ で 例 え ば 、 各 素 子 形 成 領 域 の 大 き さ ( 1mm2 以 下 ) に 成 長 領 域 を 区 分 し 、 当 該 成 長 領 域 以 外 に 窓 枠 状 の マ ス ク を 形 成 す る 技 術 が あ る 。 こ れ に よ り 各 領 域 力 小 さ く な る こ と 、 ま た 隣 接 す る 領 域 力ゝ ら の 応 力 等 が 伝 播 し な い こ と に よ り ク ラ ッ ク ( 断 裂 ) の 発 生 を 抑 制 し 、 且 つ ク ラ ッ ク が 発 生 し た と し て も 当 該 ク ラ ッ ク の 発 生 し た 素 子 領 域 の み に と ど め る こ と 力 で き る 。
と こ ろ が こ の よ う な 素 子 形 成 領 域 を 区 分 し て ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 う と 、 通 常 、 当 該 領 域 の エ ッ ジ 部 分 が よ り 早 く 成 長 し 、 領 域 中 央 部 が 凹 部 と な る よ う な ェ ピ タ キ シ ャ ノレ 成 長 と な つ て し ま う 。 こ れ を 図 1 1 に 示 す 。 図 1
1 で は 、 基 板 9 1 と マ ス ク 材 9 2 と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 と で 示 し た が 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 は 単 層 に 限 ら れ な い 。 図 1 1 の よ う に な る の は 素 子 形 成 領 域 D の エ ッ ジ 部 分 E と 中 央 部 M と で I I I 族 及 び V 族 の 原 料 の 供 給 量 に 差 が あ り 、 エ ッ ジ 部 分 に よ り 多 < の I I I 族 及 び V 族 の 原 料 が 供 給 さ れ る こ と と な る か ら で あ る 。
ま た 、 こ の よ う に ク ラ ッ ク が 発 生 し な レヽ ょ う 選 択 成 長 を さ せ て も 、 実 際 に は 応 力 緩 和 が 十 分 に 行 え ず 、 特 に 貫 通 転 位 は 減 少 し な 力 つ た 。 g卩 ち 、 ク ラ ッ ク ( 断 裂 ) の 発 生 は そ れ に よ る 応 力 緩 和 を 意 味 す る の で 、 そ の ク ラ ッ ク を 抑 制 す る と 、 貫 通 転 位 に は 応 力 が 力ゝ カゝ つ た ま ま の 状 態 と な り 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 中 に 各 貫 通 転 位 を 消 滅 ( 上 方 へ の 伝 播 の 阻 止 ) さ せ る こ と は 却 っ て 阻 害 さ れ る こ と と な っ て い た 。 発 明 の 開 示
本 発 明 は 上 記 の 課 題 を 解 決 す る た め に な さ れ た も の で あ り 、 そ の 目 的 と す る と こ ろ は 、 成 長 領 域 を 区 分 し た ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に ぉ レ、 て 、 成 長 領 域 の エ ッ ジ 部 分 が 盛 り 上 カ ら な レ、 よ う に す る こ と で あ る 。
他 の 目 的 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に お い て 、 ク ラ ッ ク ( 断 裂 ) の 抑 制 と 、 貫 通 転 位 の 減 少 と を 同 時 に 成 す こ と で あ る 。
上 記 の 課 題 を 解 決 す る た め 、 第 1 の 特 徴 は 、 基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 得 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て
基 板 表 面 に 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が ェ ピ タ キ シ ャ ル成長 し な い マ ス ク 材 を 格 子 状 に 形 成 し 、 素 子 形成 用 の 基板 表 面 を 各 々 分離 し て 露 出 さ せ る と と も に 、 格 子 状 の マ ス ク の 帯 の 中 央部 に 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 消 費 領 域 を 形 成 す る 工 程 と 、 各 々 分 離 し て 露 出 さ れ た 素 子 形 成 用 の 基板 表 面 に 、 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 形成 す る 工程 と を 含 む こ と を 特 徴 と す る 。 こ こ で 、 格 子 状 の マ ス ク の 帯 の 中 央 部 と は 、 マ ス ク の 帯 全域 に わ た つ て 連 続 し て 形 成 さ れ た 中 央 部 に 限 定 さ れ な レ、 。 例 え ば破 線状 、 点 在 す る 円 形状 そ の 他 任 意 で あ る 。 尚 、 消 費 領 域 の 形 成 は 、 マ ス ク 材 を 格 子 状 に 形成 す る の と 同 時 で も 、 ま た 、 マ ス ク 材 を 格 子 状 に 形 成 し た 後 で も 良 レ、 。
ま た 、 第 2 の 特徴 は 、 消 費 領 域 は 、 素 子 形 成 に 用 い な い 基板表 面 を 露 出 さ せ て 形成 す る こ と を 特徴 と す る 。
ま た 、 第 3 の 特 徴 は 、 消 費 領 域 は 、 基板 を も 一 部 削 除 し て 段 差 の あ る 基板 面 を 露 出 さ せ て 形成 す る こ と を 特徴 と す る 。 こ の 際 、 予 め 基 板 を 削 除 し て 段 差 の あ る 基 板 面 を 形成 し た の ち 、 マ ス ク 材 を 格 子 状 に 形 成 す る 場 合 も 本 願 発 明 に 包 含 さ れ る 。
ま た 、 第 4 の 特 徴 は 、 素 子 形 成領 域 の 面 積 が 、 0. 01mm 2 以 上 lmm 2 以 下 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。 ま た 、 第 5 の 特 徴 は 、 素 子 形 成 領 域 の 面 積 が 、 0. 01mm2 以 上 0. 3mm2 以 下 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 6 の 特徴 は 、 基 板 力 S シ リ コ ン ( S i )力 ら 成 る こ と を 特徴 と す る 。 ま た 、 第 7 の 特徴 は 、 マ ス ク 材 が 主 と し て 二 酸 化 ケ イ 素 (Si02)カゝ ら 成 る こ と を 特徴 と す る 。 ま た 、 第 8 の 特 徴 は 、 製 造 工 程 中 に 基 板 と 上 層 の I I I 族 窒
化 物 系 化 合 物 半 導 体 と が 化 学反 応 を 起 こ さ な レ、 よ う 、 各 々 分離 し て 露 出 さ れ た 素 子 形 成 用 の 基 板 表 面 に 、 主 と し て 単 結 晶 か ら 成 る 反 応 防止 層 を 形 成 す る 工程 を 含 む こ と を 特 徴 と す る 。 尚 、 消 費領 域 に 反 応 防止 層 が 形 成 さ れ る こ と を 排 除 す る も の で は な い 。 ま た 、 第 9 の 特徴 は 、 反 応 防 止 層 の 厚 さ が 、 l OOnm 以 上 Ι μ πι 以 下 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。 ま た 、 第 1 0 の 特徴 は 、 反 応 防止 層 が 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合物 半 導 体 で あ っ て I I I 族 中 の ア ル ミ 二 ゥ ム (A1 )の 組成 が モ ル 比 30%以 上 で あ る こ と を 特徴 と す る 。
ま た 、 第 1 1 の 特 徴 は 、 第 1 乃 至 第 1 0 の い ず れ 力 1 つ の 特徴 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に よ り 得 ら れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 層 上 に 形成 し た こ と を 特 徴 と す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 素 子 で あ る 。 ま た 、 第 1 2 の 特 徴 は 、 第 1 乃 至 第 1 0 の い ず れ 力 1 つ の 特 徴 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造方 法 に よ り 得 ら れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体層 上 に 、 異 な る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 層 を 積 層 す る こ と に よ り 得 ら れ る こ と を 特徴 と す る I I I 族 窒化 物 系 化 合 物 半 導 体 発 光 素 子 で あ る 。
格 子 状 の マ ス ク に よ り 成長 領 域 を 区 分 し た ェ ピ タ キ シ ャ ノレ成 長 に お い て 、 隣接 す る 成長 領 域 の エ ッ ジ 部 分 と の 間 、 マ ス ク の 帯 の 中 央 部 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 消 費 領 域 が 形 成 さ れ て い る の で 、 成 長 領 域 の エ ッ ジ 部 分 に 不 必 要 に I I I 族 及 び V 族 の 原 料 が 供給 さ れ る こ と が 無 い 。 こ れ に よ り 、 素 子 形成 領 域 の エ ッ ジ 部 分 と 中 央 部 と で I I I 族 及 び V 族 の 原 料 の 供給 量 の 差 が 抑 制 さ れ 、 素
子 領 域 エ ッ ジ 部 が 凸 部 と な る こ と カ S な く な り 、 素 子 形 成 領 域 の ク ラ ッ ク ゃ 欠 陥 が 大 幅 に 低 減 さ れ る ( 第 1 の 特 徴 ) 消 費 領 域 は 単 に 素 子 形 成 に 用 い な い 基 板 表 面 を 露 出 さ せ て も 、 ま た 更 に 基 板 を も 一 部 削 除 し て 段 差 を 形 成 し て も 良 い ( 第 2 、 3 の 特 徴 )。
素 子 形 成 領 域 の 面 積 は 、 O. O lmra2 以 上 1mm2 以 下 で あ る こ と 力 S 望 ま し く 、 更 に は 0. 01mm2 以 上 0. 3ram2 以 下 で あ る こ と 力; 望 ま し レ、 。 1mm 2 越 え る 領 域 に 形 成 さ れ る ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 層 は 数 / i m の 厚 さ に 形 成 す る と 応 力 か ら ク ラ ッ ク の 発 生 が 非 常 に 多 く な る 。 0. 3 mm 2 以 下 の 領 域 と す る と 、 各 ェ ピ タ キ シ ャ ル 形 成 領 域 は 1 素 子 単 位 程 度 と な り 、 歩 留 ま り を 更 に 上 げ る こ と 力 S で き る ( 第 4 、 5 の 特 徴 )。 0. 01mm2 未 満 の 領 域 で は 1 個 の 素 子 領 域 と し て 充 分 で は な い 。
本 発 明 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と の 熱 膨 張 率 の 差 が 大 き い シ リ コ ン ( S i )基 板 で あ る 場 合 に 特 に 有 効 で あ る ( 第 6 の 特 徴 )。 ま た 、 マ ス ク 材 と し て は ニ 酸 ィ匕 ケ ィ 素 (S i 02) を 用 い る こ と が 簡 便 で あ る ( 第 7 の 特 徴 )。 反 応 防 止 層 を 形 成 す る こ と で 、 基 板 と 上 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 製 造 工 程 中 に 反 応 し な い よ う に す る こ と が で き る ( 第 8 の 特 徴 )。 反 応 防 止 層 の 厚 さ は 少 な く と も lOOnm 必 要 で あ り ( 第 9 の 特 徴 )、 そ の 組 成 は I I I 族 中 の ア ル ミ ニ ウ ム (A1) の 組 成 が モ ル 比 30%以 上 で あ る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で あ る こ と 力 S よ り 望 ま し い ( 第 1 0 の 特 徴 )。 こ れ に よ り 、 例 え ば シ リ コ ン ( S i )基 板 と 窒 化 ガ リ ゥ ム (GaN) と の 間 に AlGaN を 形 成 す る 場 合 、 シ リ コ ン (Si)基 板 と 窒 ィ匕 ガ リ ゥ ム (GaN) と が 直 接 接 し な い こ と で
こ れ ら の 間 で 窒 素 原 子 が 移 動 し て 窒 化 ケ ィ 素 と 金 属 ガ リ ゥ ム そ の 他 が 生 成 す る こ と を 防 ぐ こ と が で き る 。 そ の 他 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と 条 件 に よ り 反 応 を 起 こ し 得 る 基板 と の 間 に 反 応 防止 層 を 形 成 す る こ と は 有 用 で あ る 。
上 記 の よ う に 形 成 し た 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に 任 意 の 素 子 を 形 成 し た も の 、 或 レヽ は 、 異 な る I I I 族 窒化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 積層 し て 発 光 素 子 と し た も の は 、 ク ラ ッ ク の 発 生 も 貫 通 転位 の 抑 制 も 同 時 に な さ れ る の で 歩 留 ま り が 高 く 、 且 つ 高 品 質 の 素 子 又 は 発 光 素 子 と す る こ と カ で き る ( 第 1 1 、 1 2 の 特徴 )。
ま た 、 第 1 3 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 に よ り 得 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て 、 基板 表 面 に 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し な い マ ス ク 材 を 格子 状 に 形 成 し 、 基 板 表 面 を 各 々 分 離 し て 露 出 さ せ る 工 程 と 、 各 々 分 離 し て 露 出 さ れ た 基 板 表 面 上 方 に 、 2 つ の 異 な る 温度 範 囲 で 、 同 一 又 は 異 な る 組成 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 交 互 に 形 成 し た 歪 み 緩 和 層 を 形 成 す る 工程 と 、 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 歪 み 緩和 層 の 上 に 形 成 す る 工 程 と を 含 み 、 基 板 表 面 上 方 に 形 成 さ れ る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 が 隣 同 士 各 々 分 離 し て 形成 さ れ る こ と を 特 徴 と す る 。 こ こ で マ ス ク 材 の 形 状 で あ る 格 子 状 と は 、 方 形 の 窓 部 を 有 す る も の で な く て も 良 い 。 例 え ば蜂 の 巣状 の よ う に 、 多 角 形 の 窓 部 を 有 す る も の で も 良 い 。 ま た 、 2 つ の 異 な る 温 度 範 囲 と は 、 交 互 に 形成 す る 際 、 2 種類 の 温度 が 各 々
完 全 に は 同 一 温 度 で な く て も 良 レヽ こ と を 意 味 す る 。
ま た 、 第 1 4 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 2 つ の 異 な る 温 度 範 囲 は 、 2 0 0 °C 以 上 6 0 0 °C 以 下 と 9 0 0 °C 以 上 1 2 0 0 °C 以 下 と で あ る こ と を 特 徴 と す る 。 ま た 、 第 1 5 の 特 徴 の 発 明 に よ れ ば 、 2 0 0 °C 以 上 6 0 0 °C 以 下 で形 成 さ れ る III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 は 厚 さ 10nm以 上 lOOnm 以 下 、 9 0 0 °C 以 上 1 2 0 0 °C 以 下 で 形 成 さ れ る I II 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 は 厚 さ 200nm 以 上 以 下 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。 ま た 、 第 1 6 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 歪 み 緩 和 層 を 形 成 す る 工 程 は 、 2 つ の 異 な る 温度 範囲 を 2 回 以 上 ず つ 行 う こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 1 7 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 各 々 分 離 し て 露 出 さ れ た 基 板 表 面 の 面 積 が 、 1mm2 以 下 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。 ま た 、 第 1 8 の 特 徴 の 発 明 に よ れ ば 、 各 々 分離 し て 露 出 さ れ た 基 板 表 面 の 面 積 が 、 0. 3rara2 以 下 で あ る こ と を 特徴 と す る 。
ま た 、 第 1 9 の 特 徴 の 発 明 に よ れ ば 、 基 板 が シ リ コ ン ( S i)カゝ ら 成 る こ と を 特徴 と す る 。 ま た 、 第 2 0 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 マ ス ク 材 が 主 と し て 二 酸 化 ケ イ 素 ( S i 02 )か ら 成 る こ と を 特徴 と す る 。 ま た 、 第 2 1 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 製 造 工 程 中 に 基板 と 上 層 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と が 化 学 反 応 を 起 こ さ な レ、 よ う 、 各 々 分 離 し て 露 出 さ れ た 基板 表 面 に 主 と し て 単 結 晶 か ら 成 る 反 応 防 止 層 を 形成 す る 工 程 を 含 む こ と を 特 徴 と す る 。 こ こ で 主 と . し て 単 結 晶 か ら 成 る 反 応 防 止 層 と は 、 基 板 表 面 近 傍 の 結 晶 状 態 は と も か く 、 当 該 反 応 防 止 層 が 単 結 晶 を 形 成 す る 温 度 等 の 条 件 で 形 成 さ れ る こ と を 意 味 す る 。 ま た 、 第 2
2 の 特徴 の 発 明 に よ れ ば 、 反 応 防 止 層 の 厚 さ が 、 lOOnm 以 上 1 /z m 以 下 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 2 3 の 特 徴 の 発 明 に よ れ ば 、 反 応 防 止 層 が 、 I II 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で あ っ て III 族 中 の ア ル ミ 二 ゥ ム (A1)の 組成 が モ ル 比 30%以 上 で あ る こ と を 特徴 と す る 。
ま た 、 第 2 4 の 特 徴 の 発 明 は 、 第 1 3 乃 至 第 2 3 の レ、 ず れ か 1 つ の 特徴 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 の 製 造 方 法 に よ り 得 ら れ た III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体層 上 に 形 成 し た こ と を 特徴 と す る III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 素 子 で あ る 。 ま た 、 第 2 5 の 特徴 の 発 明 は 、 第 1 3 乃 至 第 2 3 の い ずれ か 1 つ の 特徴 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に よ り 得 ら れ た III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 上 に 、 異 な る II I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体層 を 積 層 す る こ と に よ り 得 ら れ る こ と を 特徴 と す る III 族 窒化 物 系 化合物 半導 体発 光 素 子 で あ る 。
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 し な い マ ス ク 材 を 格 子 状 に 形成 し 、 基板表 面 を 各 々 分 離 し て 露 出 さ せ る こ と で 、 III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 さ せ る 領 域 を 各 々 独 立 し た 小 さ な 領 域 と す る こ と 力 で き る 。 こ の の ち 2 つ の 異 な る 温 度 範 囲 で 、 同 一 又 は 異 な る 組成 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 交 互 に 形 成 し た 歪 み 緩 和 層 を 形 成 す る こ と で 基板 と 上 層 と の 応 力 を 緩 和 す る こ と が で き 、 貫 通 転位 の 発 生 を 抑 制 し 、 又 は ェ ピ タ キ シ ャ ル 上 層 で 貫 通 転位 を 消 滅 さ せ る こ と 力 S 可 能 と な る 。 こ の 上 に 形 成 す る 所 望 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 は 、 ク ラ ッ ク を 防 止 し つ つ 、 貫 通 転位 を 抑 制
し た も の と す る こ と 力 S で き る ( 第 1 3 の 特 徴 )。
2 つ の 異 な る 温 度 範 囲 は 、 2 0 0 で 以 上 6 0 0 で 以 下 と 9 0 0 °C 以 上 1 2 0 0 °C 以 下 と し 、 低 温 で 成 長 し た 層 と 高 温 で 成 長 と し た 層 を 交 互 に 形 成 す る こ と が 望 ま し い 低 温 成 長 層 に お い て 応 力 が 緩 和 さ れ 、 高 温 成 長 層 が 単 結 晶 層 と な る こ と で 上 層 ほ ど 応 力 が 緩 和 さ れ 、 貫 通 転 位 の 抑 制 さ れ た 層 と す る こ と 力 S で き る ( 第 1 4 の 特 徴 )。 低 温 成 長 層 は 薄 く 、 高 温 成 長 層 は 厚 く す る こ と が 望 ま し く 、 各 々 10nm 以 上 l OOnm 以 下 と 、 200nm 以 上 1 /z ra 以 下 と す る こ と が 望 ま し い ( 第 1 5 の 特 徴 )。 歪 み 緩 和 層 は 交 互 に 形 成 さ れ る 層 が 多 い ほ ど 応 力 が 緩 和 さ れ る の で 、 低 温 成 長 層 と 高 温 成 長 層 は 各 々 2 層 以 上 形 成 す る こ と が 望 ま し い ( 第 1 6 の 特 徴 )。
各 々 分 離 し て 露 出 さ れ た 基 板 表 面 の 面 積 は 、 O. Olmra2 以 上 1mm2 以 下 で あ る こ と 力 望 ま し く 、 更 に は 0. 01mm2 以 上 0. 3 mm2 以 下 で あ る こ と 力 S 望 ま し い 。 1mm2 越 え る 露 出 面 に 形 成 さ れ る ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 層 は 数 μ πι の 厚 さ に 形 成 す る と 応 力 カゝ ら ク ラ ッ ク の 発 生 が 非 常 に 多 く な る 。 0. 3mm2 以 下 の 露 出 面 と す る と 、 各 ェ ピ タ キ シ ャ ル 形 成 領 域 は 1 素 子 単 位 程 度 と な り 、 歩 留 ま り を 更 に 上 げ る こ と 力 S で き る ( 第 1 7 、 1 8 の 特 徴 )。 0. 01mm2 未 満 と す る と 1 素 子 に 対 し て 十 分 な 大 き さ で は な く な つ て し ま う 本 発 明 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と の 熱 膨 張 率 の 差 が 大 き い シ リ コ ン (Si)基 板 で あ る 場 合 に 特 に 有 効 で あ る ( 第 1 9 の 特 徴 )。 ま た 、 マ ス ク 材 と し て は 二 酸 化 ケ ィ 素 (S i 02) を 用 レ、 る こ と が 簡 便 で あ る ( 第 2 0 の 特 徴 )。 露 出 し た 基 板 表 面 に 主 と し て 単 結 晶 か ら 成 る 反 応 防 止 層
を 形 成 す る こ と で 、 製 造 工 程 中 、 即 ち ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 、 電 極 形 成 、 フ ォ ト リ ソ グ ラ フ 、 エ ッ チ ン グ そ の 他 の 処 理 、 昇 温 及 び 室 温 へ の 降 温 の 際 に 応 力 に よ り 、 基 板 と 上 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と が 化 学 反 応 を 起 こ さ な レ、 よ う に す る こ と が で き る ( 第 2 1 の 特 徴 )。 反 応 防 止 層 の 厚 さ は 少 な く と も lOOnm 必 要 で あ り ( 第 2 2 の 特 徴 ) 、 そ の 組 成 は I I I 族 中 の ア ル ミ ニ ゥ ム (A1 ) の 組 成 力 S モ ル 比 30%以 上 で あ る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で あ る こ と カ よ り 望 ま し い ( 第 2 3 の 特 徴 )。 こ れ に よ り 、 例 え ば シ リ コ ン ( S i )基 板 と 窒 化 ガ リ ゥ ム ( G a N ) と の 間 に A 1 G a N を 形 成 す る 場 合 、 シ リ コ ン (S i )基 板 と 窒 化 ガ リ ゥ ム (GaN) と が 直 接 接 し な い こ と で こ れ ら の 間 で 窒 素 原 子 が 移 動 し て 窒 化 ケ ィ 素 と 金 属 ガ リ ゥ ム そ の 他 が 生 成 す る こ と を 防 ぐ こ と が で き る 。 そ の 他 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と 条 件 に よ り 反 応 を 起 こ し 得 る 基 板 と の 間 に 反 応 防 止 層 を 形 成 す る こ と は 有 用 で あ る 。
上 記 の よ う に 形 成 し た 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に 任 意 の 素 子 を 形 成 し た も の 、 或 い は 、 異 な る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 積 層 し て 発 光 素 子 と し た も の は 、 ク ラ ッ ク の 発 生 も 貫 通 転 位 の 抑 制 も 同 時 に な さ れ る の で 歩 留 ま り が 高 く 、 且 つ 高 品 質 の 素 子 又 は 発 光 素 子 と す る こ と 力 S で き る ( 第 2 4 、 2 5 の 特 徴 )。 ま た 、 成 長 領 域 を 区 切 る こ と に よ り 、 基 板 全 体 に 成 長 す る 場 合 よ り も 格 段 に 基 板 の そ り が 低 減 で き る た め 、 素 子 作 製 プ ロ セ ス で の 歩 留 ま り が 向 上 す る 。 図 面 の 簡 単 な 説 明
第 1 図 は 、 本発 明 の 具 体 的 な 第 1 の 実施 例 に 係 る III 族 窒 化 物 系 化合 物 半 導 体 の 製 造 工 程 を 示 す 断 面 図
第 2 図 は 、 第 1 実施 例 に お け る 窓 枠 状 の 酸化 シ リ コ ン (Si02)膜 の 形 状 を 示 す 平 面 図 。
第 3 図 は 、 第 1 実施 例 に お け る ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 層 の 側 面 の 詳 細 を 示 す 断 面 図 。
第 4 図 は 、 本 発 明 の 具 体 的 な 第 2 の 実施 例 に 係 る III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 工 程 を 示 す 断 面 図
第 5 図 は 、 本 発 明 の 具 体 的 な 第 3 の 実施 例 に 係 る III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体発 光 素 子 の 構 成 を 示 す 断 面 図 。
第 6 図 は 、 本発 明 の 具 体 的 な 第 4 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体発 光 素 子 の 構 成 を 示 す 断 面 図 。
第 7 図 は 、 本発 明 の 具 体 的 な 第 5 の 実施 例 に 係 る III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 工 程 を 示 す 断面 図
第 8 図 は 、 第 5 実施 例 に お け る ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 層 の 側 面 の 詳 細 を 示 す 断 面 図 。
第 9 図 は 、 本発 明 の 具 体 的 な 第 6 の 実施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体発 光 素 子 の 構 成 を 示 す 断 面 図 。
第 1 0 図 は 、 本 発 明 の 具 体 的 な 第 7 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 発 光 素 子 の 構 成 を 示 す 断 面 図 。
第 1 1 図 は 、 従 来 の 選 択成 長 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 の ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 状 況 を 示 す 断 面 図 。 発 明 を 実施 す る た め の 最 良 の 形 態
以 下 、 本発 明 を 具 体 的 な 実施 例 に 基 づ い て 説 明 す る 。 た だ し 、 本 発 明 は 以 下 に 示 す 実施 例 に 限 定 さ れ る も の で は な い 。 又 、 発 明 の 開 示 の 欄 で 記 載 し た 事 項 も 発 明 を 実
施 す る た め の 最 良 の 形 態 で も あ る 。 図 1 は 、 本発 明 の 具 体 的 な一実 施 例 に お け る 構 成 を 示 す 断 面 図 で あ る 。 シ リ コ ン (Si)基 板 1 に 、 酸 化 ケ ィ 素 (S i02)力 ら 成 る マ ス ク 材 2 力 S 形 成 さ れ る 。 マ ス ク 材 2 は 主 と し て 窓 枠 状 に 形成 さ れ 、 窓 部 は シ リ コ ン (Si)基 板 1 面 が 露 出 さ れ る 。 更 に 、 窓 枠 部 中 央 部 に も 帯 状 に シ リ コ ン (S i)基 板 1 面 が 露 出 さ れ る ( 図 1 の ( a ) )。 マ ス ク 材 2 の 形 状 を 平 面 図 と し た も の を 図 2 の ( a ) 〜 ( c ) に 例 示 す る 。 図 2 の ( a ) 〜 ( c ) の D と 示 し た 方 形 状 の 部 分 が 素 子 形成 領 域 で あ り 、 C と 示 し た 帯 状 部 分 は 消 費 領域 で あ る 。 C と 示 し た 帯 状 の 消 費領 域 は 、 図 2 の ( a ) の よ う に ウ エ ノ、 全 体 と し て つ な 力 S つ た も の と し て 形 成 さ れ て も 、 図 2 の ( b ) の よ う に 各 辺 で 分 離 し た も の と し て も 良 レヽ が 、 つ な が つ た も の は 消 費 領 域 に 応 力 が 集 中 し 、 素 子 形成領 域 の ク ラ ッ ク が 更 に 低 減 で き る た め よ り 好 ま し レ、 。 ま た 、 図 2 の ( c ) の よ う に 窓 枠 の 交 差部 ( 素 子 形 成 領 域 の 角 部 に 隣接 し た 部 分 ) に 設 け て も 良 い 。 次 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si)基板 1 面 、 即 ち 素 子 形成領 域 D と -消 費 領 域 C の 両方 に 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 に よ り AlGaN か ら 成 る 反 応 防 止 層 3 が 形 成 さ れ る 。 反 応 防 止 層 3 は 、 シ リ コ ン (Si)基板 1 と 上 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 の 反 応 を 防 ぐ た め の も の で あ り 、 主 と し て 単結 晶 か ら 成 る 。 次 に 、 反 応 防 止 層 3 の 上 に 、 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 で あ る GaN 層 4 が ェ ピ タ キ シ ャ ル 成長 に よ り 形 成 さ れ る 。 こ こ で 、 反 応 防止 層 3 、 GaN 層 4 力 ら 成 る 積層 部 は 、 隣 の 露 出 し た 基 板 1 面 に 形 成 さ れ た 反
応 防 止 層 3 ' 、 GaN 層 4 ' か ら 成 る 積 層 部 と は 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 際 に 接 続 し な い 条 件 で 形 成 さ れ る 。 同 じ く 、 素 子 形 成 領 域 D に 積 層 さ れ た も の と 消 費 領 域 C に 積 層 さ れ た も の も ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 際 に 接続 し な い 条 件 で 形成 さ れ る 。 即 ち 、 マ ス ク 材 2 の 端 部 上 方 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体層 4 が 形 成 さ れ た と し て も 、 マ ス ク 材 2 の 中 央 部 ま で 覆 わ れ な い 条 件 で ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 を 行 う ( 図 1 の ( b ) )。 具 体 的 に は 、 成 長 温 度 、 成 長 速 度 な ど の 反 応 条 件 に よ り 、 横 方 向 成 長 を 抑 え る こ と で 達成 さ れ る 。 窓 枠 状 の マ ス ク 材 2 の 、 枠 幅 を 十 分 に と る と 、 や は り エ ッ ジ 部 の 成 長 速 度 が 中 央 部 よ り 大 き く な っ て し ま う 。 し た カ つ て 、 枠 幅 は 20 /z m 以 下 、 望 ま し く は 1 ~ 1 Ο μ ιη と す る 。 尚 、 反 応 防止 層 3 、 GaN 層 4 か ら 成 る 積 層 部 は 、 図 3 ( a ) の よ う に マ ス ク 材 2 上 部 で 基 板 1 面 に 対 し 垂 直 面 有 し て い て も 、 ま た 、 図 3 ( b ) の よ う に 斜 め の 面 で あ っ て も 、 ど ち ら も 本 願発 明 に 包 含 さ れ る 。 図 1 及 び 図 4 以 下 で は 、 図 3 ( a ) の 形 式 で 記 載す る が 、 レ、 ず れ の 場 合 も 図 3 ( b ) の よ う な 積 層 を 排 除 す る も の で は な い 。
図 4 は 、 本 発 明 の 別 の 具 体 的 な 一 実施 例 に お け る 構 成 を 示 す 断 面 図 で あ る 。 シ リ コ ン (S i)基 板 1 に 、 酸化 ケ ィ 素 (S i02)力 ら 成 る マ ス ク 材 2 力 S 形 成 さ れ る 。 マ ス ク 材 2 は 主 と し て 窓 枠状 に 形 成 さ れ 、 窓 部 は シ リ コ ン ( S i )基板 1 面 が 露 出 さ れ る 。 更 に 、 窓 枠 部 中 央 部 に も 帯 状 に シ リ コ ン (S i )基 板 1 を 一 部 削 っ て 段 差 を 有 す る 面 が 露 出 さ れ る ( 図 4 の ( a ) )。 マ ス ク 材 2 の 形 状 を 平 面 図 と し た も の は 図 2 の ( a ) 〜 ( c ) に 例 示 し た も の と 同 様 で あ る 。
次 に 露 出 し た シ リ コ ン (S i)基 板 1 面 、 即 ち 素 子 形 成 領 域 D と 消 費 領 域 C ' の 両 方 に 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り AlGaN か ら 成 る 反 応 防 止 層 3 が 形 成 さ れ る 。 反 応 防 止 層 3 は 、 シ リ コ ン (Si)基 板 1 と 上 層 の I I I 族 窒 ィヒ 物 系 化 合 物 半 導 体 の 反 応 を 防 ぐ た め の も の で あ り 、 主 と し て 単 結 晶 カゝ ら 成 る 。 次 に 、 反 応 防 止 層 3 の 上 に 、 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 で あ る GaN 層 4 が ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 形 成 さ れ る 。 こ こ で 、 反 応 防 止 層 3 、 GaN 層 4 カゝ ら 成 る 積 層 部 は 、 隣 の 露 出 し た 基 板 1 面 に 形 成 さ れ た 反 応 防 止 層 3 ' 、 GaN 層 4 ' カゝ ら 成 る 積 層 部 と は 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 際 に 接 続 し な い 条 件 で 形 成 さ れ る 。 同 じ く 、 素 子 形 成 領 域 D に 積 層 さ れ た も の と 消 費 領 域 C ' に 積 層 さ れ た も の も ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 際 に 接 続 し な い 条 件 で 形 成 さ れ る 。 即 ち 、 マ ス ク 材 2 の 端 部 上 方 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 4 が 形 成 さ れ た と し て も 、 マ ス ク 材 2 の 中 央 部 ま で 覆 わ れ な い 条 件 で ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 う ( 図 4 の ( b ) )。 具 体 的 に は 、 成 長 温 度 、 成 長 速 度 な ど の 反 応 条 件 に よ り 、 横 方 向 成 長 を 抑 え る こ と で 達 成 さ れ る 。 窓 枠 状 の マ ス ク 材 2 の 、 枠 幅 を 十 分 に と る と 、 や は り エ ッ ジ 部 の 成 長 速 度 が 中 央 部 よ り 大 き く な っ て し ま う 。 し た が っ て 、 枠 幅 は 20 /x m 以 下 、 望 ま し く は l〜 10 x m と す る 。 又 は 消 費 領 域 C , の 段 差 を 大 き く と る こ と で 容 易 に 達 成 さ れ る 。
上 記 の 発 明 の 実 施 の 形 態 と し て は 、 次 の 中 カゝ ら そ れ ぞ れ 選 択 す る こ と 力' で き る 。
基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 順 次 積 層 を 形 成 す る 場 合 は 、 基 板 と し て は サ フ ァ イ ア 、 シ リ コ ン (S i ) 、
炭 化 ケ ィ 素 (S iC) 、 ス ピ ネ ル (MgAl 204) 、 LiGa02、 NdGa03、 Zn0、 MgO そ の 他 の 無 機 結 晶 基 板 、 リ ン ィヒ ガ リ ウ ム 又 は 砒 化 ガ リ ゥ ム の よ う な I I I- V 族 化 合 物 半 導 体 あ る い は 窒 化 ガ リ ゥ ム (GaN)そ の 他 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 等 を 用 レ、 る こ と 力 S で き る 。 勿 論 、 窒 化 ガ リ ゥ ム (GaN)そ の 他 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 膜 を 形 成 し た 基板 、 特 に バ ッ フ ァ 層 と し て 或 レヽ は 更 に 厚膜 を 形 成 し た 基板 を 用 レヽ て も 良 レヽ 。
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 形成 す る 方 法 と し て は 有 機 金 属 気 相 成 長 法 ( M0CVD 又 は M0VPE) 力 S 好 ま し い 力 、 分 子 線 気 相 成 長 法 ( MBE)、 ハ ラ イ ド 気 相 成 長 法 ( Hal i de VPE)、 液 相 成 長 法 ( LPE) 等 を 用 レ、 て も 良 く 、 各 層 を 各 々 異 な る 成 長 方 法 で 形成 し て も 良 い 。
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 は 、 I I I 族 元 素 の 組 成 の 一 部 は 、 ボ ロ ン (B)、 タ リ ウ ム (T1 )で 置 き 換 え て も 、 ま た 、 窒 素 (N)の 組成 一 部 を リ ン (P)、 ヒ 素 (As;)、 ア ン チ モ ン (S b) 、 ビ ス マ ス (Bi) で 置 き 換 え て も 本発 明 を 実 質 的 に 適 用 で き る 。 ま た 、 こ れ ら 元 素 を 組成 に 表 示 で き な い 程 度 の ド ー プ を し た も の で も 良 レヽ 。 例 え ば組成 に ィ ン ジ ゥ ム ( I n)、 ヒ 素 (As)を 有 し な い I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で あ る AlxGa 1-xN ( 0≤ x≤ l) に 、 ァ ノレ ミ ニ ゥ ム (Al)、 ガ リ ゥ ム (Ga) よ り も 原 子 半径 の 大 き な ィ ン ジ ゥ ム (In)、 又 は 窒 素 (N) よ り も 原 子 半径 の 大 き な ヒ 素 (As) を ド 一 プ す る こ と で 、 窒 素 原 子 の 抜 け に よ る 結 晶 の 拡 張 歪 み を 圧 縮 歪 み で 補償 し 結 晶 性 を 良 く し て も 良 い 。 こ の 場 合 は ァ ク セ プ タ 不 純 物 が I I I 族 原 子 の 位 置 に 容 易 に 入 る た め 、 p 型 結 晶 を ァ ズ グ ロ ー ン で 得 る こ と も で き る 。 こ の よ う に し
て 結 晶 性 を 良 く す る こ と で 本 願 発 明 と 合 わ せ て 更 に 貫 通 転 位 を 1 0 0 乃 至 1 0 0 0 分 の 1 程 度 に ま で 下 げ る こ と も で き る 。 な お 、 発 光 素 子 と し て 構 成 す る 場 合 は 、 本 来
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 2 元 系 、 若 し く は 3 元 系 を 用 レヽ る こ と が 望 ま し レヽ 。
n 型 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 形 成 す る 場 合 に は 、 n 型 不 純 物 と し て 、 S i、 Ge、 Se、 Te、 C 等 IV 族 元 素 又 は VI 族 元 素 を 添 力 D す る こ と 力 S で き る 。 ま た 、 p 型 不 純 物 と し て は 、 Zn、 Mg、 Be、 Ca、 Sr、 Ba 等 I I 族 元 素 又 は IV 族 元 素 を 添 カ卩 す る こ と が で き る 。 こ れ ら を 複 数 或 い は n 型 不 純 物 と p 型 不 純 物 を 同 一 層 に ド 一 ブ し て も 良 い 本 願 と 組 み 合 わ せ て い わ ゆ る 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 う 構 成 と し て も 良 い 。 即 ち 、 本 願 の 素 子 形 成 領 域 上 方 に 形 成 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 上 で 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 貫 通 転 位 を 減 少 さ せ る こ と を 組 み 合 わ せ て も 良 い 。 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 と し て は 成 長 面 が 基 板 に 垂 直 と な る も の が 望 ま し い が 、 基 板 に 対 し て 斜 め の フ ァ セ ッ ト 面 の ま ま 成 長 す る も の で も 良 い 。 こ の 際 、 段 差 の 底 部 に 底 面 の 無 い 、 断 面 が V 字 状 の も の で も 良 い 。
本 願 発 明 に お け る 素 子 形 成 領 域 を 区 分 す る マ ス ク 材 は 多 結 晶 シ リ コ ン 、 多 結 晶 窒 化 物 半 導 体 等 の 多 結 晶 半 導 体 、 酸 化 珪 素 (SiOx) 、 窒 化 珪 素 (SiNx) 、 酸 化 チ タ ン (Ti Ox) 、 酸 化 ジ ル コ ニ ウ ム (ZrOx)等 の 酸 化 物 、 窒 ィヒ 物 、 チ タ ン (T i) 、 タ ン グ ス テ ン (W) の よ う な 高 融 点 金 属 、 こ れ ら の 多 層 膜 を も ち レ、 る こ と が で き る 。 こ れ ら の 成 膜 方 法 は 蒸 着 、 ス パ ッ タ 、 C V D 等 の 気 相 成 長 法 の 他 、 任 意 で あ る 。
反 応 防 止 層 は 、 基 板 と 上 層 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 製 造 工 程 中 に 反 応 し な い よ う に す る も の で あ る 。 例 え ば シ リ コ ン (S i )基 板 と GaN と は 、 間 に 層 力 S な レ、 力 、 又 は 間 に 薄 レ、 層 の み あ る 場 合 は 、 製 造 工 程 中 に 応 力 に よ り 反 応 が 促 進 さ れ 、 GaN カゝ ら 窒 素 原 子 が 移 動 し 、 シ リ コ ン (S i )基 板 と 窒 化 ケ ィ 素 を 形成 す る こ と が 知 ら れ て レヽ る そ こ で 、 単 結 晶 で 厚 い も の が 良 く 、 ア ル ミ ゥ ム ( A 1 ) を 多 く 含 む III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 AlxGaylm-x-yN ( 例 え ば x≥ 0. 3) 力 S 好 ま し レ、 。 ア ル ミ ニ ウ ム (A1) と 窒 素 の 結 合 が 強 い た め 、 シ リ コ ン (S i) と GaN カ 反 応 し 難 く な る た め で あ る 。 ま た 、 い わ ゆ る バ ッ フ ァ 層 的 な 非 晶 質 で な く 、 主 と し て 単 結 晶 で あ る こ と が 重 要 で あ る 。
非 晶 質 の 層 と 単 結 晶 の 層 と を 積 層 し た 歪 み 緩 和 層 を 設 け て も 良 い 。 非 晶 質 の 層 と 単 結 晶 の 層 を 1 周 期 と し て 複 数 周 期 形 成 し て も 良 く 、 繰 り 返 し は 任 意 周 期 で 良 い 。 繰 り 返 し は 多 レヽ ほ ど 結 晶 性 が 良 く な る 。 非 晶 質 の 層 と し て は 低 温 で 成 長 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 好 ま し く 、 ア ル ミ ニ ウ ム (A1) を 含 む 層 力 更 に 好 ま し レ、 。 単 結 晶 の 層 と し て は 高 温 で 成 長 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 好 ま し く 、 伝 導 性 の ド ー パ ン ト を 入 れ る こ と を 除 外 し て 考 え れ ば 2 元 系 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 更 に 好 ま し レヽ 。 ま た 、 単 結 晶 の 層 に イ ン ジ ウ ム ( I n )そ の 他 の 原 子 半 径 の 大 き な 原 子 を ド ー プ し て も 良 い 。
電 極 形 成 、 或 い は 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の た め に III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ツ チ ン グ を す る 場 合 は 、 反 応 性 イ オ ン エ ッ チ ン グ ( R I E ) が 望 ま し レ、 が 、 任 意 の エ ッ チ ン グ 方 法 を 用 レヽ る こ と が で き る 。 基 板 面 に 垂 直
な 側 面 を 形 成す る の で な い も の と し て 、 異 方性 エ ツ チ ン グ に よ り 例 え ば底 部 に 底 面 の 無 い 、 断 面 が V 字 状 の も の を 形成 し て も 良 レヽ 。
上 記 の 貫 通 転位 の 抑 制 さ れ た 領 域 を 有 す る III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 の 上 部 に F E T 、 発 光 素 子 等 の 半導 体 素 子 を 形 成 す る こ と が で き る 。 発 光 素 子 の 場合 は 、 発 光 層 は 多 重 量 子 井 戸 構 造 ( M Q W )、 単 一 量 子 井 戸 構 造 ( S Q W ) の 他 、 ホ モ 構 造 、 ヘ テ ロ 構 造 、 ダ ブ ルへ テ ロ 構 造 の も の が 考 え ら れ る が 、 p i n 接 合 或 い は p n 接 合 等 に よ り 形 成 し て も 良 レヽ 。
以 下 、 発 明 の 具 体 的 な 実施 例 に 基 づ い て 説 明 す る 。 実 施 例 と し て 発 光 素 子 を あ げ る が 、 本発 明 は 下 記 実 施例 に 限 定 さ れ る も の で は な く 、 任意 の 素 子 に 適 用 で き る III 族 窒 化 物 系 化合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 を 開 示 し て い る 。
本発 明 の III 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 は 、 有機 金 属 化 合 物 気 相 成 長 法 ( 以 下 「 M0VPE」 と 示 す ) に よ る 気 相 成 長 に よ り 製 造 さ れ た 。 用 い ら れ た ガ ス は 、 ア ン モ ニ ア (NH3) と キ ヤ リ ァ ガ ス (H2 又 は N2) と ト リ メ チ ル ガ リ ゥ ム ( Ga (C H3 ) , 以 下 「 TMG」 と 記 す ) と ト リ メ チ ル ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 (CHs) 以 下 「 TMA」 と 記 す )、 ト リ メ チ ノレ イ ン ジ ゥ ム ( I n (CHs) , 以 下 「 TMI」 と 記 す )、 シ ク ロ ペ ン タ ジ ェ エ ル マ グ ネ シ ゥ ム ( Mg (CsH5) 2、 以 下 「 Cp2MgJ と 記 す ) で あ る 。 〔 第 1 実施 例 〕
n 型 の シ リ コ ン (Si)基 板 1 の (111)面 に 、 ス パ ッ タ リ ン グ に よ り 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 2 を 300nm の 厚 さ に 形 成 し た 。 こ れ を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ に よ り レ ジ ス ト マ ス ク を 形 成 し て バ ッ フ ァ ー ド HF の ゥ エ ツ ト エ ッ チ ン グ に よ り 、
酸化 シ リ コ ン (Si02)膜 を 窓 枠 状 に 残 し て 除 去 し た 。 そ の 窓 枠 は 幅 10 μ ηι、 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 2 の 除 去 さ れ た シ リ コ ン (Si )基 板 1 の ( 111)面 は 300 μ m X 300 μ m の 方形 状 と 、 窓 枠 中 央 部 の 幅 50 // m の 格 子 状 と な っ た ( 図 2 の ( a ) )。 こ う し て 多 数 の 各 々 分 離 さ れ た 、 300 μ πι Χ 30θ ί ra の 方 形状 の シ リ コ ン (S i)基板 1 の 露 出 面 D と 、 窓 枠 中 央 部 の 幅 50 /z m の 格 子 状 の 露 出 面 C と が 形 成 さ れ た ( 図 1 の ( a ) )。 窓 枠 状 の 酸化 シ リ コ ン (S i02)膜 2 の 窓 枠 幅 ( 図 1 の ( a ) で W と 示 し た 幅 ) は Ι Ο ΠΙ で あ る 。
次 に η 型 の シ リ コ ン (Si)基 板 1 を 1100 °C に 保 持 し 、 TM
A、 TMG S i H4 及 び NH3 を 導 入 し て 、 300 μ πι Χ 300 μ ιη の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (S i)基板 1 の (111)面 に 300nm の 厚 さ の n- AlGaN : S i 層 力ゝ ら .成 る 反 応 防止 層 3 を 形 成 し た 。 形 成 さ れ た n- AlGaN : Si 層 3 の A 1 と Ga の モ ル 比 は 約 3 : 7 で あ っ た 。
次 に 、 n 型 の シ リ コ ン ( S i )基板 1 の 温度 を 1100 °C に 上 げ 、 TMG、 SiH4 及 び NH3 を 導 入 し て 、 反 応 防止 層 3 の 上 に 、 5 ju m の 厚 さ の n-GaN : S i 層 4 を 形 成 し た 。 こ の の ち 、 こ の よ う に 形 成 し た n-GaN : S i 層 4 は 、 窓 枠 状 の 酸 ィ匕 シ リ コ ン (Si02)膜 2 に よ り 各 々 分 離 さ れ た 300 m X 300 μ m の 方形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン ( S i )基板 1 面 上 方 に 形成 さ れ て お り 、 一 部 窓 枠 状 の 酸化 シ リ コ ン (Si02)膜 2 の ェ ッ ジ 上 方 に n-GaN : Si 層 4 カ 形 成 さ れ て い て も 隣 の 300 μ πι Χ 3 00 u m の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (S i)基 板 1 面 上 方 に 形 成 さ れ た n- GaN : S i 層 4 ' や 窓 枠 中 央 部 の 幅 50 μ m の 露 出 面 C に 形 成 さ れ た n-GaN : Si 層 4 C と は 分 離 さ れ た ま ま で あ っ た ( 図 1 の ( b ) )。 こ の よ う に 形 成 し た n-GaN :
S i 層 4 を 20 °C /分 で 降 温 し 室 温 に 戻 し た が 、 ク ラ ッ ク は 発 生 し て い な カゝ つ た 。 ま た 、 素 子 形 成 領 域 の エ ッ ジ 部 と 中 央 部 と の 厚 み の 差 は 50nm 以 下 で あ っ た 。
〔 第 2 実 施 例 〕
n 型 の シ リ コ ン (S i)基 板 1 の ( 111 ) 面 に 、 フ ォ ト リ ソ グ ラ フ に よ り レ ジ ス ト マ ス ク を 形 成 し て フ ッ 酸 ノ 過 酸 化 水 素 の ゥ エ ツ ト エ ッ チ に よ り 幅 50 i m、 深 さ 4 /i m の 窓 枠 状 に エ ッ チ ン グ し て 溝 部 C ' を 形 成 し た 。 窓 枠 に 囲 ま れ た 領 域 は 310 μ ιη Χ 31 θ ί ΐη の 方 形 状 と し た 。 次 に ス ノ ッ タ リ ン グ に よ り 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 2 を 300nm の 厚 さ に 形 成 し た 。 こ れ を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ に よ り レ ジ ス ト マ ス ク を 形 成 し て ノく ッ フ ァ ー ド HF の ゥ エ ツ ト エ ッ チ ン グ に よ り 、 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 を 窓 枠 状 に 残 し て 除 去 し た 。 窓 枠 は 前 記 幅 50 μ ΐη、 深 さ 4 μ ιη の 窓 枠 状 の 溝 部 C ' を 中 央 に 有 す る 幅 60 μ πι の 形 状 と し 、 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 2 の 除 去 さ れ た シ リ コ ン (Si)基 板 1 の ( 111)面 は 300 ju m X 300 ;u ni の 方 形 状 と な っ た ( 図 2 の ( a ) )。 こ う し て 多 数 の 各 々 分 離 さ れ た 、 300 ;u m X 300 ;x m の 方 形 状 の シ リ コ ン (Si )基 板 1 の 露 出 面 D と 、 窓 枠 中 央 部 の 幅 50 m、 深 さ 4 /z m の 格 子 状 の 露 出 面 ( 溝 部 ) C ' と が 形 成 さ れ た ( 図 4 の ( a ) )。
次 に n 型 の シ リ コ ン (S i) 基 板 1 を 1100 °C に 保 持 し 、 TM A、 TMG , S iH4 及 ぴ NH3 を 導 入 し て 、 300 /ί Πΐ Χ 300 /ζ πι の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン ( S i )基 板 1 の ( 111 )面 に 300 n ra の 厚 さ の n-AlGaN : S i 層 カゝ ら 成 る 反 応 防 止 層 3 を 形 成 し た 。 形 成 さ れ た n-AlGaN : Si 層 3 の A1 と Ga の モ ノレ 比 は 約 3 : 7 で あ っ た 。
次 に 、 n 型 の シ リ コ ン (Si)基 板 1 の 温度 を 1100 に 上 げ 、 TMG、 S iH4 及 ぴ NH3 を 導 入 し て 、 反 応 防止 層 3 の 上 に 、 5 μ πι の 厚 さ の n- GaN : S i 層 4 を 形 成 し た 。 こ の の ち 、 こ の よ う に 形成 し た n-GaN : S i 層 4 は 、 窓 枠 状 の 酸 化 シ リ コ ン (S i02)膜 2 に よ り 各 々 分 離 さ れ た 300 /2 Πΐ Χ 300 μ πι の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (S i )基 板 1 面 上 方 に 形成 さ れ て お り 、 一 部 窓 枠 状 の 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 2 の エ ッ ジ 上 方 に n-GaN : Si 層 4 カ 形成 さ れ て レ、 て も 隣 の 300 μ πι Χ 3 00 / m の 方 形状 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si )基 板 1 面 上 方 に 形 成 さ れ た n- GaN : S i 層 4 ' や 窓 枠 中 央 部 の 幅 50 /z m、 深 さ 4 μ πι の 露 出 面 ( 溝部 ) C ' に 形 成 さ れ た n- GaN : S i 層 4 C ' と は 分離 さ れ た ま ま で あ っ た 。 こ の よ う に 形 成 し た n- GaN : S i 層 4 を 20 °C /分 で 降 温 し 室 温 に 戻 し た が 、 ク ラ ッ ク は 発 生 し て レヽ な 力 つ た 。 ま た 、 素 子 形成 領 域 の ェ ッ ジ 部 と 中 央 部 と の 厚 み の 差 は 50nm 以 下 で あ っ た 。
〔 第 3 実施 例 〕
第 1 実施 例 と 同 様 に 、 300 m X 300 / m の 方 形状 に 露 出 し た シ リ コ ン (S i)基板 1 の (111)面 上 の n-GaN : Si 層 4 を 積 層 し 、 続 け て 次 の よ う に I I I 族 窒 化 物 系 化合 物 半 導 体 を 積 層 し て 図 5 に 示 す 発 光 ダ イ オ ー ド 1 0 0 を 形 成 し た n-GaN: S i 層 4 の 上 に 、 シ リ コ ン (Si ) ド ー プ の Al。. 。8Ga 。. 92N 力 ら 成 る n ク ラ ッ ド 層 1 0 5 、 発 光 層 1 0 6 、 マ グ ネ シ ゥ ム (Mg) ド 一 プ の Al。. 。8Ga。. 92N 力 ら 成 る p ク ラ ッ ド 層 1 0 7 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド ー プ の GaN 力 ら 成 る p コ ン タ ク ト 層 1 0 8 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク ト 層 1 0 8 上 に 金 (Au)か ら 成 る 電極 1 0 9 を 、 シ リ コ ン 基板 1 の 裏 面 に ア ル ミ ニ ウ ム (A1)カゝ ら 成 る 電極 1 1 0 を 形 成 し
た 。 こ の よ う に し て 形 成 し た 発 光 ダ イ オ ー ド ( L E D ) 1 0 0 は 素 子 寿 命 及 ぴ 発 光 効 率 が 著 し く 向 上 し た 。
〔 第 4 実 施 例 〕
第 1 実 施 例 と 同 様 に 、 300 /Z m X 300 μ m の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si)基 板 1 の (111)面 上 の n- GaN : Si 層 4 を 積 層 し 、 続 け て 次 の よ う に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 積 層 し て 図 6 に 示 す レ ー ザ ダ イ ォ ー ド 2 0 0 を 形 成 し た 。
n-GaN: S i 層 5 の 上 に 、 シ リ コ ン (S i ) ド 一 プ の A l o. osGa 。. 92N 力 ら 成 る n ク ラ ッ ド 層 2 0 5 、 シ リ コ ン (S i ) ド ー プ の GaN 力 ら 成 る n ガ イ ド 層 2 0 6 、 M Q W 構 造 の 発 光 層 2 0 7 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド 一 プ の GaN 力 ら 成 る p ガ イ ド 層 2 0 8 、 マ グ ネ シ ゥ ム (Mg) ド 一 プ の Al。, 。8Ga。 2N 力 ら 成 る P ク ラ ッ ド 層 2 0 9 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド 一 プ の GaN 力 ら 成 る p コ ン タ ク ト 層 2 1 0 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク ト 層 2 1 0 上 に 金 (Au) 力 ら 成 る 電 極 2 1 1 を シ リ コ ン 基 板 1 の 裏 面 に ア ル ミ ニ ゥ ム (A1) 力 ら 成 る 電 極 2 1 2 を 形 成 し た 。 こ の よ う に し て 形 成 し た レ ー ザ ダ イ ォ 一 ド ( L D ) 2 0 0 は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 著 し く 向 上 し た 。 図 7 は 、 本 発 明 の 具 体 的 な 他 の 一 実 施 例 に お け る 構 成 を 示 す 断 面 図 で あ る 。 シ リ コ ン (S i )基 板 1 1 に 、 酸 化 ケ ィ 素 (S i02) 力 ら 成 る マ ス ク 材 1 2 力 S 形 成 さ れ る 。 マ ス ク 材 1 2 は 窓 枠 状 に 形 成 さ れ 、 窓 部 は シ リ コ ン (S i )基 板 1 1 面 が 露 出 さ れ る 。 次 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si)基 板 1 1 面 に 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り AlGaN か ら 成 る 反 応 防
止 層 1 3 が 形 成 さ れ る 。 反 応 防 止 層 1 3 は 、 シ リ コ ン (S i)基板 1 1 と 上 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 反 応 を 防 ぐ た め の も の で あ り 、 主 と し て 単 結 晶 カゝ ら 成 る 。 次 に 、 多 層 膜 か ら 成 る 歪 み 緩和 層 1 4 が ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 に よ り 形 成 さ れ る 。 歪 み 緩 和 層 1 4 は 、 異 な る 温度 範 囲 で 形 成 さ れ る GaN 層 4 1 1 と 4 1 2 、 AlGaN 層 4 2 1 と 4 2 2 を 交 互 に 積層 し た も の で あ る 。 歪 み 緩 和 層 1 4 の 上 に 、 所 望 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 で あ る Ga N 層 1 5 力 S ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 に よ り 形成 さ れ る 。 こ こ で 、 反 応 防止 層 1 3 、 歪 み 緩 和 層 1 4 、 GaN 層 1 5 か ら 成 る 積 層 部 は 、 隣 の 露 出 し た 基 板 1 1 面 に 形 成 さ れ た 反 応 防止 層 1 3 '、 歪 み 緩 和 層 1 4 ,、 GaN 層 1 5 ' か ら 成 る 積層 部 と は 、 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 際 に 接続 し な い 条 件 で 形 成 さ れ る 。 即 ち 、 マ ス ク 材 1 2 の 端部 上 方 に 歪 み 緩 和 層 1 4 や I I I 族 窒化 物 系 化 合 物 半 導 体層 1 5 が 形 成 さ れ た と し て も 、 マ ス ク 材 1 2 の 中 央 部 ま で 覆 わ れ な レヽ 条 件 で ェ ピ タ キ シ ャ ル成 長 を 行 う 。 具 体 的 に は 、 窓 枠 状 の マ ス ク 材 1 2 の 、 枠 幅 を 十 分 に と る こ と で 容 易 に 達成 さ れ る 。 尚 、 反 応 防 止 層 1 3 、 歪 み 緩 和 層 1 4 、 GaN 層 1 5 力 ら 成 る 積 層 部 は 、 図 8 ( a ) の よ う に マ ス ク 材 1
2 上 部 で 基 板 1 1 面 に 対 し 垂 直 面 を 有 し て い て も 、 ま た 、 図 8 ( b ) の よ う に 斜 め の 面 で あ っ て も 、 ど ち ら も 本願 発 明 に 包 含 さ れ る 。 図 7 及 び 図 9 以 下 で は 、 図 8 ( a ) の 形 式 で 記 載 す る が 、 い ずれ の 場 合 も 図 8 ( b ) の よ う な 積 層 を 排 除す る も の で は な い 。
上 記 の 発 明 の 実施 の 形 態 と し て は 、 次 の 中 か ら そ れ ぞ れ 選択 す る こ と 力 S で き る 。
基板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 順 次 積層 を 形 成 す る 場 合 は 、 基 板 と し て は サ フ ァ イ ア 、 シ リ コ ン (S i:) 、 炭 化 ケ ィ 素 (S i C) 、 ス ピ ネ ル (MgAl 204)、 Li Ga02、 NdGa03、 Zn0、 MgO そ の 他 の 無 機 結 晶 基 板 、 リ ン 化 ガ リ ゥ ム 又 は 砒 化 ガ リ ゥ ム の よ う な I I I- V 族 化 合 物 半 導 体 あ る い は 窒 化 ガ リ ゥ ム (GaN) そ の 他 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 等 を 用 レ、 る こ と カ で き る 。 勿 論 、 窒 化 ガ リ ゥ ム (GaN)そ の 他 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 膜 を 形 成 し た 基板 、 特 に バ ッ フ ァ 層 と し て 或 い は 更 に 厚 膜 を 形 成 し た 基 板 を 用 レ、 て も 良 い 。
I I I 族 窒化 物 系 化 合 物 半導 体 層 を 形 成 す る 方 法 と し て は 有機 金 属 気 相 成 長 法 ( M0CVD 又 は M0VPE) 力; 好 ま し レヽ カ S 、 分 子 線 気 相 成 長 法 ( MBE)、 ハ ラ イ ド 気 相 成 長 法 ( Hal i de VPE)、 液 相 成 長 法 ( LPE) 等 を 用 い て も 良 く 、 各 層 を 各 々 異 な る 成 長 方 法 で 形 成 し て も 良 い 。
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 は 、 I I I 族 元 素 の 組 成 の 一 部 は 、 ボ ロ ン (B)、 タ リ ウ ム (T1 )で 置 き 換 え て も 、 ま た 、 窒 素 (N)の 組成 一 部 を リ ン (P)、 ヒ 素 (As;) 、 ア ン チ モ ン (S b) 、 ビ ス マ ス (Bi) で 置 き 換 え て も 本発 明 を 実 質 的 に 適 用 で き る 。 ま た 、 こ れ ら 元 素 を 組 成 に 表 示 で き な い 程 度 の ド ー プ を し た も の で も 良 レヽ。 例 え ば組成 に ィ ン ジ ゥ ム ( I n)、 ヒ 素 (As)を 有 し な い I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 で あ る AlxGai—xN i O x ^ l) に 、 ア ル ミ ニ ウ ム (Al)、 ガ リ ゥ ム (Ga) よ り も 原 子 半径 の 大 き な ィ ン ジ ゥ ム (In)、 又 は 窒 素 (N) よ り も 原 子 半径 の 大 き な ヒ 素 (As) を ド 一 プ す る こ と で 、 窒 素 原 子 の 抜 け に よ る 結 晶 の 拡 張 歪 み を 圧 縮 奎 み で 補 償 し 結 晶 性 を 良 く し て も 良 い 。 こ の 場合 は ァ ク セ
プ タ 不 純 物 が I I I 族 原 子 の 位 置 に 容 易 に 入 る た め 、 P 型 結 晶 を ァ ズ グ ロ ー ン で 得 る こ と も で き る 。 こ の よ う に し て 結 晶 性 を 良 く す る こ と で 本 願 発 明 と 合 わ せ て 更 に 貫 通 転 位 を 1 0 0 乃 至 1 0 0 0 分 の 1 程 度 に ま で 下 げ る こ と も で き る 。 な お 、 発 光 素 子 と し て 構 成 す る 場 合 は 、 本 来 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 2 元 系 、 若 し く は 3 元 系 を 用 レヽ る こ と が 望 ま し レヽ 。
n 型 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 形 成 す る 場 合 に は 、 n 型 不 純 物 と し て 、 S i、 Ge、 Se、 Te、 C 等 IV 族 元 素 又 は VI 族 元 素 を 添 加 す る こ と 力 s で き る 。 ま た 、 p 型 不 純 物 と し て は 、 Zn、 Mg、 Be、 Ca、 Sr、 Ba 等 I I 族 元 素 又 は IV 族 元 素 を 添 力 tl す る こ と 力 S で き る 。 こ れ ら を 複 数 或 レヽ は n 型 不 純 物 と p 型 不 純 物 を 同 一 層 に ド ー プ し て も 良 レ、 本 願 と 組 み 合 わ せ て い わ ゆ る 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 う 構 成 と し て も 良 レヽ 。 即 ち 、 基 板 露 出 面 上 方 の 領 域 毎 に 、 種 々 の 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 貫 通 転 位 を 減 ら す 構 成 を 組 み 合 わ せ て も 良 い 。 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 と し て は 成 長 面 が 基 板 に 垂 直 と な る も の が 望 ま し レ、 力'; 、 基 板 に 対 し て 斜 め の フ ァ セ ッ ト 面 の ま ま 成 長 す る も の で も 良 い 。 こ の 際 、 段 差 の 底 部 に 底 面 の 無 い 、 断 面 が V 字 状 の も の で も 良 い 。
本 願 の 基 板 露 出 面 を 区 画 す る マ ス ク 材 は 、 多 結 晶 シ リ コ ン 、 多 結 晶 窒 化 物 半 導 体 等 の 多 結 晶 半 導 体 、 酸 化 珪 素 (S Ϊ Ο χ ) , 窒 化 珪 素 (SiNx 酸 化 チ タ ン (T i Ox) 、 酸 化 ジ ル コ ニ ゥ ム (ZrOx )等 の 酸 化 物 、 窒 化 物 、 チ タ ン (T i) 、 タ ン ダ ス テ ン (W) の よ う な 高 融 点 金 属 、 こ れ ら の 多 層 膜 を も ち い る こ と 力 S で き る 。 こ れ ら の 成 膜 方 法 は 蒸 着 、 ス パ ッ タ 、
C V D 等 の 気 相 成 長 法 の 他 、 任 意 で あ る 。
反 応 防 止 層 は 、 基 板 と 上 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 製 造 工 程 中 に 反 応 し な い よ う に す る も の で あ る 。 例 え ば シ リ コ ン (S i )基 板 と GaN と は 、 間 に 層 力 な レ、 力 、 又 は 間 に 薄 い 層 の み あ る 場 合 は 、 製 造 工 程 中 に 応 力 に よ り 反 応 が 促 進 さ れ 、 GaN カゝ ら 窒 素 原 子 が 移 動 し 、 シ リ コ ン (S i )基 板 と 窒 化 ケ ィ 素 を 形 成 す る こ と が 知 ら れ て い る そ こ で 、 単 結 晶 で 厚 い も の が 良 く 、 ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 ) を 多 く 含 む II I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 AlxGayIn i-x-yN ( 例 え ば X ≥ 0. 3 ) 力'; 好 ま し レヽ 。 ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 ) と 窒 素 の 結 合 が 強 い た め 、 シ リ コ ン ( S i ) と G a N 力 S 反 応 し 難 く な る た め で あ る 。 ま た 、 い わ ゆ る バ ッ フ ァ 層 的 な 非 晶 質 で な く 、 主 と し て 単 結 晶 で あ る こ と が 重 要 で あ る 。
歪 み 緩 和 層 は 、 非 晶 質 の 層 と 単 結 晶 の 層 と を 積 層 す る 。 非 晶 質 の 層 と 単 結 晶 の 層 を 1 周 期 と し て 複 数 周 期 形 成 し て も 良 く 、 繰 り 返 し は 任 意 周 期 で 良 い 。 繰 り 返 し は 多 い ほ ど 結 晶 性 が 良 く な る 。 非 晶 質 の 層 と し て は 低 温 で 成 長 し た II I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 好 ま し く 、 ア ル ミ 二 ゥ ム (A1) を 含 む 層 が 更 に 好 ま し レヽ 。 単 結 晶 の 層 と し て は 高 温 で 成 長 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 好 ま し く 伝 導 性 の ド ー ノ ン ト を 入 れ る こ と を 除 外 し て 考 え れ ば 2 元 系 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 力 更 に 好 ま し い 。 尚 、 単 結 晶 の 層 に ィ ン ジ ゥ ム (In)そ の 他 の 原 子 半 径 の 大 き い 元 素 を ド 一 プ し て も 良 レ、 。
電 極 形 成 、 或 い は 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 用 い る 場 合 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ツ チ ン グ を す る と き は 反 応 性 イ オ ン エ ッ チ ン グ ( R I E ) 力 S 望 ま し レヽ カ 、
任 意 の エ ッ チ ン グ 方 法 を 用 い る こ と 力 S で き る 。 基板 面 に 垂 直 な 側 面 を 形 成 す る の で な い も の と し て 、 異 方性 エ ツ チ ン グ に よ り 例 え ば底 部 に 底 面 の 無 い 、 断 面 が V 字 状 の も の を 形 成 し て も 良 レ、 。
上 記 の 貫 通 転位 の 抑 制 さ れ た 領 域 を 有 す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 上 部 に F E T 、 発 光 素 子 等 の 半 導 体 素 子 を 形 成 す る こ と が で き る 。 発 光 素 子 の 場合 は 、 発 光 層 は 多 重 量 子 井 戸 構 造 ( M Q W )、 単 一 量 子 井 戸 構 造 ( S Q W ) の 他 、 ホ モ 構 造 、 ヘ テ ロ 構 造 、 ダ ブ ルへ テ ロ 構 造 の も の が 考 え ら れ る が 、 p i n 接合 或 い は p n 接合 等 に ' よ り 形成 し て も 良 レヽ 。
以 下 、 発 明 の 具 体 的 な 実施 例 に 基 づ い て 説 明 す る 。 実 施 例 と し て 発 光 素 子 を あ げ る が 、 本発 明 は 下 記 実施 例 に 限 定 さ れ る も の で は な く 、 任 意 の 素 子 に 適 用 で き る I I I 族 窒 化物 系 化 合 物 半導 体 の 製 造方 法 を 開 示 し て い る 。
本 発 明 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半導 体 は 、 有機 金 属 化 合 物 気 相 成 長 法 ( 以 下 「 M0VPE」 と 示 す ) に よ る 気 相 成 長 に よ り 製 造 さ れ た 。 用 い ら れ た ガ ス は 、 ア ン モ ニ ア (NH3) と キ ヤ リ ァ ガ ス (H2 又 は N2) と ト リ メ チ ル ガ リ ゥ ム ( Ga (C H3) , 以 下 「 TMG」 と 記 す ) と ト リ メ チ ル ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 (CH3) , 以 下 「 TMA」 と 記 す )、 ト リ メ チ ル イ ン ジ ウ ム ( I n (CH3) , 以 下 「 ΤΜΙ」 と 記 す )、 シ ク ロ ペ ン タ ジ ェ ニ ル マ グ ネ シ ゥ ム ( Mg (C5Hs) 2、 以 下 「 Cp2Mg」 と 記 す ) で あ る 。 〔 第 5 実 施例 〕
n 型 の シ リ コ ン (S i)基 板 1 1 の (111) 面 に 、 ス パ ッ タ リ ン グ に よ り 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 1 2 を 500nra の 厚 さ に 形成 し た 。 こ れ を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ に よ り レ ジ ス ト マ ス
ク を 形 成 し て ノく ッ フ ァ ー ド HF の ゥ エ ツ ト エ ッ チ ン グ に よ り 、 酸 化 シ リ コ ン (S i02)膜 を 窓 枠 状 に 残 し て 除 去 し た 。 窓 枠 は 幅 50 /z m、 酸 ィヒ シ リ コ ン (Si02)膜 1 2 の 除 去 さ れ た シ リ コ ン (S i )基 板 1 1 の (111)面 は 300 μ πι Χ 30 θ ί ΐη の 方 形 状 と な っ た 。 こ う し て 多 数 の 各 々 分 離 さ れ た 、 300 ί ΐη Χ 300 μ ΐη の 方 形 状 の シ リ コ ン (Si )基 板 1 1 の 露 出 面 が 形 成 さ れ た 。
次 に n 型 の シ リ コ ン (S i ) 基 板 1 1 を 1100。C に 保 持 し 、 TMA、 TMG、 S iH4 及 び NH3 を 導 入 し て 、 300 // 111 300 / 111 の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (S i )基 板 1 1 の (111)面 に 300 nm の 厚 さ の n-AlGaN : Si 層 か ら 成 る 反 応 防 止 層 1 3 を 形 成 し た 。 形 成 さ れ た n-AlGaN : S i 層 1 3 の A1 と Ga の モ ル 比 は 約 3 : 7 で あ っ た 。
次 に 、 TMG、 SiH4 及 び NH3 を 導 入 し て 、 n_AlGaN : Si 層 か ら 成 る 反 応 防 止 層 1 3 の 上 に 、 500nm の 厚 さ の n-GaN : S i 層 4 1 1 を 形 成 し た 。 次 に 、 n 型 の シ リ コ ン (Si)基 板 1 1 の 温 度 を 500 °C に 下 げ 、 TMA、 TMG、 SiH4 及 び NH3 を 導 入 し て 、 20nm の 厚 さ の n- AlGaN : Si 層 4 2 1 を 形 成 し た 。 n-AlGaN : S i 層 4 2 1 の A1 と Ga の モ ル 比 は 約 3 : 7 と な っ た 。 次 に n 型 の シ リ コ ン (S i)基 板 1 1 の 温 度 を 11 00°C に 上 げ 、 TMG、 S iH4 及 び NH3 を 導 入 し て 、 500nm の 厚 さ の n- GaN : Si 層 4 1 2 を 形 成 し た 。 更 に n 型 の シ リ コ ン (Si )基 板 1 1 の 温 度 を 500 °C に 下 げ 、 TMA、 TMG、 S iH4 及 ぴ NH3 を 導 入 し て 、 20nm の 厚 さ の n— AlGaN : Si 層 4 2 2 を 形 成 し た 。 n- AlGaN : S i 層 4 2 2 の A1 と Ga の モ ル 比 は 約 3 : 7 と な っ た 。 こ の よ う に し て 、 1100 °C の 髙 温 で 50 Onm の 厚 さ に 开$ 成 し た n-GaN : S i 層 4 1 1 、 4 1 2 と 、 50
0°C の 低 温 で 20nra の 厚 さ に 形 成 し た n- AlGaN : S i 層 4 2 1 4 2 2 と を 交 互 に 形 成 し て 成 る 厚 さ 約 l )u m の 歪 み 緩 和 層 1 4 を 形 成 し た 。
次 に 、 n 型 の シ リ コ ン (Si )基板 1 1 の 温 度 を 1100 °C に 上 げ 、 TMG、 S iH4 及 び NH3 を 導入 し て 、 歪 み緩 和 層 1 4 の 上 に 、 5 ηι の 厚 さ の n- GaN : Si 層 1 5 を 形 成 し た 。 こ の の ち 、 こ の よ う に 形 成 し た n- GaN : S i 層 1 5 は 、 窓 枠 状 の 酸 化 シ リ コ ン (Si02)膜 1 2 に よ り 各 々 分 離 さ れ た 300 μ ηι Χ βΟΟ μ πι の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si )基板 1 1 面 上 方 に 形成 さ れ て お り 、 一 部 窓 枠 状 の 酸化 シ リ コ ン (S i02)膜 1 2 の エ ッ ジ 上 方 に 歪 み緩 和 層 1 4 や n- GaN : Si 層 1 5 が 形 成 さ れ て い て も 隣 の 300 / m X 300 /i m の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン ( S i )基 板 1 1 面 上 方 に 形 成 さ れ た 歪 み 緩 和 層 1 4 ' や n-GaN : S i 層 1 5 ' と は 分 離 さ れ た ま ま で あ っ た 。 こ の よ う に 形 成 し た n- GaN : S i 層 1 5 を 20 °C / 分 で 降 温 し 室 温 に 戻 し た が 、 ク ラ ッ ク は 発 生 し て レヽ な 力 つ た 。
〔 第 6 実施 例 〕
第 5 実施 例 と 同 様 に 、 300 μ πι Χ 300 ;χ ιτι の 方 形状 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si)基板 1 1 の (111)面 上 の 歪 み 緩 和 層 1
4 を 有 す る n-GaN : S i 層 1 5 を 積 層 し 、 続 け て 次 の よ う に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 積 層 し て 図 9 に 示 す 発 光 ダ イ オ ー ド 3 0 0 を 形 成 し た 。
n-GaN : Si 層 1 5 の 上 に 、 シ リ コ ン (S i ) ド ー プ の Α1。. 1 6 Ga。. 85N 力 ら 成 る η ク ラ ッ ド 層 3 0 6 、 発 光 層 3 0 7 、 マ グ ネ シ ゥ ム (Mg) ド 一 プ の Alo. i s Ga o . s sN 力 ら 成 る p ク ラ ッ ド 層 3 0 8 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド ー プ の GaN 力 ら 成 る
p コ ン タ ク ト 層 3 0 9 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク ト 層 3 0 9 上 に 金 (Au) か ら 成 る 電 極 3 1 0 を 、 シ リ コ ン 基 板 1 裏 面 に ア ル ミ ニ ウ ム (A1) カゝ ら 成 る 電 極 3 1 1 を 形 成 し た 。 こ の よ う に し て 形 成 し た 発 光 ダ イ オ ー ド ( L E D ) 3 0 0 は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 著 し く 向 上 し た 。
〔 第 7 実 施 例 〕
第 5 実 施 例 と 同 様 に 、 300 μ m X 300 μ m の 方 形 状 に 露 出 し た シ リ コ ン (Si)基 板 1 1 の ( 111)面 上 の 歪 み 緩 和 層 1 4 を 有 す る n-GaN : Si 層 1 5 を 積 層 し 、 続 け て 次 の よ う に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 積 層 し て 図 1 0 に 示 す レ — ザ ダ イ ォ 一 ド 4 0 0 を 形 成 し た 。
n-GaN : S i 層 1 5 の 上 に 、 シ リ コ ン (S i ) ド ー プ の A1。. 1 S Ga。. e sN 力 ら 成 る n ク ラ ッ ド 層 5 0 6 、 シ リ コ ン (Si ) ド ー プ の GaN カゝ ら 成 る n ガ イ ド 層 5 0 7 、 M Q W 構 造 の 発 光 層 5 0 8 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド ー プ の GaN 力、 ら 成 る p ガ ィ ド 層 5 0 9 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド ー プ の Al。. 15Ga。
N 力 ら 成 る p ク ラ ッ ド 層 5 1 0 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド 一 プ の GaN 力 > ら 成 る p コ ン タ ク ト 層 5 1 1 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク ト 層 5 1 1 上 に 金 (Au) か ら 成 る 電 極 5 1 2 を 、 シ リ コ ン 基 板 1 1 裏 面 に ア ル ミ ニ ウ ム (A1) 力 ら 成 る 電 極 5 1 3 を 形 成 し た 。 こ の よ う に し て 形 成 し た レ ー ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) 4 0 0 は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 著 し く 向 上 し た 。