JP2008016694A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008016694A JP2008016694A JP2006187478A JP2006187478A JP2008016694A JP 2008016694 A JP2008016694 A JP 2008016694A JP 2006187478 A JP2006187478 A JP 2006187478A JP 2006187478 A JP2006187478 A JP 2006187478A JP 2008016694 A JP2008016694 A JP 2008016694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bar
- dicing
- substrate
- semiconductor
- cleavage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体層を積層した酸化ガリウム基板2をその第1の劈開面mにそって短冊状に分割してバー20を形成し(第1の分割ステップ)、このバー20を第1の劈開面側mから分割する(第2の分割ステップ)。
【選択図】図4
Description
そこで、III族窒化物系化合物半導体層を成長させることに適した導電性かつ透光性の基板の提供が要望されている。
即ち、酸化ガリウム、特にβ−Ga2O3は劈開する傾向が大きく、その(100)面とそれと直交する(001)面に劈開性がある。従って、ウエハをダイシングして素子を切り出す際に、基板が剥離して素子が損傷するおそれが高い。換言すれば、基板上に良質のIII族窒化物系化合物半導体層を形成できたとしても、素子化が困難である。
そこでこの発明は、ウエハを分離して素子化する際に、酸化ガリウム基板の劈開を防止することを目的とする。
酸化ガリウムからなる基板上に半導体層を積層してなる半導体素子の製造方法であって、
前記半導体層を積層した基板をその第1の劈開面にそって短冊状に分割してバーを形成する第1の分割ステップと、
前記バーを前記第1の劈開面側から分割する第2の分割ステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
次に、バーを分割して素子を切りわける際、汎用的なダイシング工程にならって、バーをその半導体層側(若しくはその反対側)から切り込んでいくと、基板の第2の劈開面方向(第1の劈開面と垂直方向、半導体層と平行)に応力がかかる。従って、基板が剥離したり、半導体層に過大なストレスがかかったりするおそれがある。これに対し、この発明で規定するように、バーを第1の劈開面側(即ち、バーの分割面側)から分割するようにすると、第2の劈開面方向への応力が小さくなる。よって、基板の剥離が防止されまた半導体層に対するストレスが低減される。これにより、素子分割が円滑に行なわれて、素子製造のスループット並びに歩留まりが向上する。
かかるβ−Ga2O3は、その面方位にかかわらず、導電性と透光性を有する。
III族窒化物系化合物半導体層以外の半導体層を酸化ガリウム基板へ成長させることもできる。
(半導体層の形成)
β−Ga2O3からなるウエハをMOCVD装置へセットし、最初にその表面を窒化処理する。窒化処理の方法は特に限定されるものではないが、例えばβ−Ga2O3からなるウエハをアンモニア雰囲気にさらして加熱すればよい。その(100)面へ定法によりIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる。
この実施例では、発光素子構造とするため、半導体の積層構造として下記の構成を採用する(図1参照)。なお、図1は層構成を示すもので、各層の膜厚を正確に反映するものではない。
層 : 組成
pコンタクト層8 : p+−GaN
pクラッド層7 : p−AlGaN
MQW発光層6 : InGaN/GaN
nクラッド層5 : n−AlGaN
nコンタクト層4 : n+−GaN
バッファ層3 : AlxGa1−xN(0.5≦x≦1)
基板2 : β−Ga2O3
バッファ層は水素ガスをキャリアとして350〜550℃程度の比較的低い温度において、MOCVD法により形成される。AlxGa1−xNバッファ層はAlリッチとすることが好ましい。
n型層としてはGaNが例示されているが、AlGaN、InGaN若しくはAlInGaN、その他のIII族窒化物系化合物半導体を用いることができる。n型層にドープされるn型不純物としてSiの他、Ge、Se、Te、C等を用いることもできる。
p型層も同様にIII族窒化物系化合物半導体で形成することができる。p型層にドープされるp型不純物としてMgの他に、Zn、Be、Ca、Sr、Baを用いることもできる。
半導体層が形成されたβ−Ga2O3ウエハをその(001)面(第1の劈開面)にそって短冊状に分割し、バー20を形成する(図2参照)。1つのバー20の幅は素子の幅に等しく、換言すれば、素子を一次元的に連続させたものがバー20である。バー20の分割に際し、ウエハの表面(半導体形成面)から基板に達するスクライブ21を形成する(図2(a))。このスクライブは基板における第1の劈開面にそって形成される。その後、スクライブに沿ってウエハ1をブレィキングすることにより、短冊状のバー20を形成する。
かかる第1の分割ステップは、基板の第1の劈開面にそって分割が行なわれるため、基板に殆どストレスがかからない。よって、基板や半導体層を損傷することがない。
まず、各バー20に対して、図3に示すとおり、ダイシングプレート31によりその表面側から浅く溝33をいれる。この溝33はマークとなり、後で行なわれるダイシングステップの位置ガイドとなる。この溝33の深さは、基板10に応力を与えない程度の深さであれば特に限定されないが、基板10の厚さをt1としたとき、溝33の深さd1を0<d1≦0.5t1とすることが好ましい。
この溝33はバー20を切りわけるべき部分、即ち素子のエッジ部分に形成される。
図3において第1の剥離面は符号m1で示される。
上記の様にして表面に浅い溝33がマーキングされたバー20を90度回転させて第1の剥離面m1を上側にする(図4)。そしてこの第1の剥離面m1側からダイシングを行なう。この第1のダイシングステップでダイシングすべき領域を図中符号40で示す。ダイシングを実行するとき、溝33がガイドの役目をする。これにより、ダイシングの位置合わせが正確かつ容易に行える。第1の剥離面は平面であるため、この溝33がないと素子を分割すべき位置を正確に決めることが困難である。
この第1のダイシングステップで形成する溝の深さd2は、バー20の幅をt2としたとき、0.2t2≦d2≦0.8t2とすることが好ましい。
次に、図5に示すとおり、バー20を180度回転させて第1の剥離面m1を下側にする。そして、バー20の他方の側面m2(この面m2も第1の剥離面である)からダイシングを行なう。このとき、溝33がガイドの役目をし、ダイシングが正確に行なわれる。この第2のダイシングステップでダイシングすべき領域を図中符号50で示す。
この第2のダイシングステップで形成する溝の深さd3は、バーの幅をt2としたとき、0.2t2≦d3≦0.8t2とすることが好ましい。
その後、得られた素子をその用途に合わせて直接若しくはサブマウントを介して配線基板へ取付けることができる。
2 基板
20 バー
33 マーク溝
Claims (6)
- 酸化ガリウムからなる基板上に半導体層を積層してなる半導体素子の製造方法であって、
前記半導体層を積層した基板をその第1の劈開面にそって短冊状に分割してバーを形成する第1の分割ステップと、
前記バーを前記第1の劈開面側から分割する第2の分割ステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記基板において前記第1の劈開面と垂直な面であって、第2の劈開面と平行な面に前記半導体層は積層されている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の分割ステップは、前記バーにおいて前記半導体層の積層面側又は該積層面と反対の面側へマークを形成するマーキングステップと、該マークを基準にして前記バーを前記第1の劈開面側からダイシングするダイシングステップとを含む、ことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記マーキングステップは、前記バーにおいて前記半導体層の積層面側を浅くダイシングすることにより行なわれる、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ダイシングステップは、前記バーにおいて一方の前記第1の劈開面側から所定の深さまで第1のダイシングを行ない、次に他方の前記第1の劈開面側から第2のダイシングを行ない、前記バーを分割する、ことを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体はIII族窒化物系化合物半導体からなる、ことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006187478A JP2008016694A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | 半導体素子の製造方法 |
US11/636,709 US20070134833A1 (en) | 2005-12-14 | 2006-12-11 | Semiconductor element and method of making same |
CN2006101622604A CN1983555B (zh) | 2005-12-14 | 2006-12-13 | 半导体元件的制造方法 |
US12/801,974 US20100270548A1 (en) | 2005-12-14 | 2010-07-06 | Semiconductor element and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006187478A JP2008016694A (ja) | 2006-07-07 | 2006-07-07 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008016694A true JP2008016694A (ja) | 2008-01-24 |
Family
ID=39073420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006187478A Pending JP2008016694A (ja) | 2005-12-14 | 2006-07-07 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008016694A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010095550A1 (ja) * | 2009-02-19 | 2010-08-26 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハを形成する方法、及び半導体素子を作製する方法 |
CN112665943A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-16 | 山东大学 | 一种氧化镓晶体的亚表面损伤快速检测方法 |
WO2022202074A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Tdk株式会社 | 酸化ガリウム基板の分割方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63308992A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Nec Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JPH01166593A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザの劈開方法 |
JP2002252185A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2004056098A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-19 | Koha Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006032738A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Koha Co Ltd | 発光素子 |
JP2007165625A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-07-07 JP JP2006187478A patent/JP2008016694A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63308992A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Nec Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JPH01166593A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザの劈開方法 |
JP2002252185A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体チップの製造方法 |
JP2004056098A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-19 | Koha Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006032738A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Koha Co Ltd | 発光素子 |
JP2007165625A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010095550A1 (ja) * | 2009-02-19 | 2010-08-26 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウエハを形成する方法、及び半導体素子を作製する方法 |
JP2010192770A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャルウエハを形成する方法、及び半導体素子を作製する方法 |
US8679955B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-03-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for forming epitaxial wafer and method for fabricating semiconductor device |
CN112665943A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-16 | 山东大学 | 一种氧化镓晶体的亚表面损伤快速检测方法 |
WO2022202074A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Tdk株式会社 | 酸化ガリウム基板の分割方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100499658B1 (ko) | Iii족 질화물계 화합물 반도체의 제조 방법 및iii족 질화물계 화합물 반도체 소자 | |
US8803189B2 (en) | III-V compound semiconductor epitaxy using lateral overgrowth | |
US7760785B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
TWI221688B (en) | Manufacturing method of a semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, manufacturing method of a device and device | |
US7989244B2 (en) | Method of manufacturing nitride-based semiconductor light-emitting device | |
US7875534B2 (en) | Realizing N-face III-nitride semiconductors by nitridation treatment | |
US8664687B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and process for producing the same | |
US20070134833A1 (en) | Semiconductor element and method of making same | |
US8222670B2 (en) | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same | |
WO2007060931A1 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP2006310864A (ja) | 半導体発光デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 | |
WO2002080242A1 (en) | Method for manufacturing group-iii nitride compound semiconductor, and group-iii nitride compound semiconductor device | |
JP2009096655A (ja) | エピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子 | |
US8772800B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP3545197B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US8222639B2 (en) | Nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2015005534A (ja) | 縦型発光ダイオードおよび結晶成長方法 | |
JP2004179457A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2008016694A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
US20100297790A1 (en) | Method for producing semiconductor devices | |
JP2008071910A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 | |
KR101405693B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20070100851A (ko) | 양질의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 박막층 성장을위한 호모에피택셜 기판 및 발광 다층구조체 성장용 템플렛제작 및 성장 | |
KR100773555B1 (ko) | 저결함 반도체 기판 및 그 제조방법 | |
JP3753948B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080925 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110816 |