JPH05251738A - 半導体光素子アレイの作製方法 - Google Patents
半導体光素子アレイの作製方法Info
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- JPH05251738A JPH05251738A JP4846792A JP4846792A JPH05251738A JP H05251738 A JPH05251738 A JP H05251738A JP 4846792 A JP4846792 A JP 4846792A JP 4846792 A JP4846792 A JP 4846792A JP H05251738 A JPH05251738 A JP H05251738A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 組成の異なる複数個の半導体光素子を同一基
板上に気相成長法で形成する半導体光素子アレイの製造
方法に関し、モノリシック集積型光素子アレイを一回の
成長工程で得る技術を提供することを目的とする。 【構成】 同一基板上に複数のＩＩＩ族元素を含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体活性層を異なる組成で一表面上に
有する半導体光素子アレイを作製する方法であって、基
板上に幅の異なる選択成長用マスクを形成する工程と、
前記選択成長用マスクに覆われていない基板表面上に気
相成長法によりＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層を結晶成長する工程とを含む。
板上に気相成長法で形成する半導体光素子アレイの製造
方法に関し、モノリシック集積型光素子アレイを一回の
成長工程で得る技術を提供することを目的とする。 【構成】 同一基板上に複数のＩＩＩ族元素を含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体活性層を異なる組成で一表面上に
有する半導体光素子アレイを作製する方法であって、基
板上に幅の異なる選択成長用マスクを形成する工程と、
前記選択成長用マスクに覆われていない基板表面上に気
相成長法によりＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層を結晶成長する工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長法を用いたＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の選択成長工程を含む半導体装
置の製造方法に関し、特に組成の異なる複数個の半導体
光素子を同一基板上に気相成長法で形成する半導体光素
子アレイの製造方法に関する。
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の選択成長工程を含む半導体装
置の製造方法に関し、特に組成の異なる複数個の半導体
光素子を同一基板上に気相成長法で形成する半導体光素
子アレイの製造方法に関する。
【０００２】なお、本明細書において気相成長法とは化
学気相成長（ＣＶＤ）、ガスソース分子線エピタキシ
（ＧＳＭＢＥ）を含むものとする。近年、広帯域大容量
光通信システムの一種として、波長多重通信システムの
研究開発が行なわれており、その光源として波長の異な
る複数個の発光素子を同一基板上に集積化した半導体発
光素子アレイがキーデバイスになると考えられている。
学気相成長（ＣＶＤ）、ガスソース分子線エピタキシ
（ＧＳＭＢＥ）を含むものとする。近年、広帯域大容量
光通信システムの一種として、波長多重通信システムの
研究開発が行なわれており、その光源として波長の異な
る複数個の発光素子を同一基板上に集積化した半導体発
光素子アレイがキーデバイスになると考えられている。
【０００３】
【従来の技術】複数個の異なる波長で発光するＬＥＤや
半導体レーザからなる光源を、同一の基板上に集積化す
る方法として、従来別々に作製した発光素子を一枚の基
板上に組み立てるハイブリッド方式と、同一基板上にマ
スクを用いて一回ずつ必要回数だけ選択成長を繰り返す
モノリシック方式とが知られていた。
半導体レーザからなる光源を、同一の基板上に集積化す
る方法として、従来別々に作製した発光素子を一枚の基
板上に組み立てるハイブリッド方式と、同一基板上にマ
スクを用いて一回ずつ必要回数だけ選択成長を繰り返す
モノリシック方式とが知られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ハイブリッド方式は、
比較的集積度が低い場合に用いられ、素子間分離が容易
である反面、必要素子数だけの成長回数を必要とし、さ
らに成長後の後処理、組み立てを要し、工程数が多く、
コストアップになる欠点がある。また、当然単位面積当
たりの集積度が低く、小型化に制限がある。
比較的集積度が低い場合に用いられ、素子間分離が容易
である反面、必要素子数だけの成長回数を必要とし、さ
らに成長後の後処理、組み立てを要し、工程数が多く、
コストアップになる欠点がある。また、当然単位面積当
たりの集積度が低く、小型化に制限がある。
【０００５】一方、従来のモノリシック方式では、高集
積化が可能である反面、やはり必要素子数だけの成長回
数を必要とする。本発明の目的は、モノリシック集積型
光素子アレイを一回の成長工程で得る技術を提供するこ
とである。
積化が可能である反面、やはり必要素子数だけの成長回
数を必要とする。本発明の目的は、モノリシック集積型
光素子アレイを一回の成長工程で得る技術を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
アレイの作製方法は、同一基板上に複数のＩＩＩ族元素
を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体活性層を異なる組成で
一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法で
あって、基板上に幅の異なる選択成長用マスクを形成す
る工程と、前記選択成長用マスクに覆われていない基板
表面上に気相成長法によりＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層を結晶成長する工程とを含む。
アレイの作製方法は、同一基板上に複数のＩＩＩ族元素
を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体活性層を異なる組成で
一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法で
あって、基板上に幅の異なる選択成長用マスクを形成す
る工程と、前記選択成長用マスクに覆われていない基板
表面上に気相成長法によりＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層を結晶成長する工程とを含む。
【０００７】
【作用】幅の異なる選択成長用マスクは、マスク両側に
マスク効果の大きい原料をより多く供給する。このた
め、マスク幅の異なる選択成長によって組成の異なる活
性層を同時に成長することができる。
マスク効果の大きい原料をより多く供給する。このた
め、マスク幅の異なる選択成長によって組成の異なる活
性層を同時に成長することができる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の基本概念を示す断面図であ
る。図１（Ａ）では、半導体基板１上に紙面と垂直方向
にストライプ状選択成長用マスク９、９ａがそれぞれＷ
1の間隔をおいて設けられている。マスク９の幅、すな
わちマスクの一端から他端までの距離はＷ2 であり、マ
スク９ａの幅はＷ2 ａである。図の場合、Ｗ2 ＞Ｗ 2 ａ
である。
る。図１（Ａ）では、半導体基板１上に紙面と垂直方向
にストライプ状選択成長用マスク９、９ａがそれぞれＷ
1の間隔をおいて設けられている。マスク９の幅、すな
わちマスクの一端から他端までの距離はＷ2 であり、マ
スク９ａの幅はＷ2 ａである。図の場合、Ｗ2 ＞Ｗ 2 ａ
である。
【０００９】さて、複数本の選択成長マスク９、９ａを
有する半導体基板１を気相成長装置内に設置し、有機金
属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）、または有機金属分子
線成長法（ＭＯＭＢＥ）を用いてマスク開口部にＩＩＩ
族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体２１、２１ａを
堆積させる。この様子を模式的に示したのが、図１
（Ｂ）である。
有する半導体基板１を気相成長装置内に設置し、有機金
属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）、または有機金属分子
線成長法（ＭＯＭＢＥ）を用いてマスク開口部にＩＩＩ
族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体２１、２１ａを
堆積させる。この様子を模式的に示したのが、図１
（Ｂ）である。
【００１０】ＭＯＶＰＥの場合、主にキャリアガスを水
素、ソースをＩＩＩ族元素有機化合物およびＶ族元素水
素化物として、Ｖ族元素安定化雰囲気（Ｖ／ＩＩＩモル
比＞＞１）で成長が行なわれている。熱分解によって気
相から固相状態になるＩＩＩ族元素の供給量を低い水準
に抑えると、成長速度はＩＩＩ族元素有機化合物の輸送
律速となって、一分子層厚が制御できる程度にまで非常
に遅くなる。
素、ソースをＩＩＩ族元素有機化合物およびＶ族元素水
素化物として、Ｖ族元素安定化雰囲気（Ｖ／ＩＩＩモル
比＞＞１）で成長が行なわれている。熱分解によって気
相から固相状態になるＩＩＩ族元素の供給量を低い水準
に抑えると、成長速度はＩＩＩ族元素有機化合物の輸送
律速となって、一分子層厚が制御できる程度にまで非常
に遅くなる。
【００１１】このような成長条件下では、表面上に析出
したＩＩＩ−Ｖ族化合物分子の表面移動度は大きく、単
結晶上ではキンクやステップへの二次元核成長が支配的
になることが知られている。
したＩＩＩ−Ｖ族化合物分子の表面移動度は大きく、単
結晶上ではキンクやステップへの二次元核成長が支配的
になることが知られている。
【００１２】ところが、ＳｉＯ2 に代表される選択成長
用マスク９、９ａ上に析出したＩＩＩ−Ｖ族化合物分子
は、特異な振舞いをする。すなわち、非晶質のマスク上
では、析出分子が規則的配列を行なわないが、Ｖ族元素
と化合するＩＩＩ族元素の種類によって、マスク効果に
大小があることが見出された。
用マスク９、９ａ上に析出したＩＩＩ−Ｖ族化合物分子
は、特異な振舞いをする。すなわち、非晶質のマスク上
では、析出分子が規則的配列を行なわないが、Ｖ族元素
と化合するＩＩＩ族元素の種類によって、マスク効果に
大小があることが見出された。
【００１３】マスク上でも大きな移動度を保ちながら、
気相成長中、マスク上を拡散してマスク開口部へ流出
し、エピタキシ成長に寄与するＩＩＩ−Ｖ族化合物分子
（これをマスク効果大なる分子と呼ぶ）と、マスク上で
の実効的移動度が小さくてマスクにトラップないし反射
されてしまうＩＩＩ−Ｖ族化合物分子（これをマスク効
果小なる分子と呼ぶ）とがある。Ｇａ原料種はほとんど
上述のマスク効果がないのに対して、Ｉｎ原料種はマス
ク効果が大きい。
気相成長中、マスク上を拡散してマスク開口部へ流出
し、エピタキシ成長に寄与するＩＩＩ−Ｖ族化合物分子
（これをマスク効果大なる分子と呼ぶ）と、マスク上で
の実効的移動度が小さくてマスクにトラップないし反射
されてしまうＩＩＩ−Ｖ族化合物分子（これをマスク効
果小なる分子と呼ぶ）とがある。Ｇａ原料種はほとんど
上述のマスク効果がないのに対して、Ｉｎ原料種はマス
ク効果が大きい。
【００１４】図１（Ｂ）において、マスク開口部の基板
１上にエピタキシャル成長させる半導体が、たとえばＩ
ｎx Ｇａ1-x Ａｓ混晶である場合、マスク効果大なるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物分子はＩｎＡｓ（図中、白丸で表示）
であり、マスク効果小なる化合物分子はＧａＡｓ（図
中、黒丸で表示）である。
１上にエピタキシャル成長させる半導体が、たとえばＩ
ｎx Ｇａ1-x Ａｓ混晶である場合、マスク効果大なるＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物分子はＩｎＡｓ（図中、白丸で表示）
であり、マスク効果小なる化合物分子はＧａＡｓ（図
中、黒丸で表示）である。
【００１５】ＩｎＡｓは、気相反応中マスク９、９ａ上
から開口部へ流出してＩｎx Ｇａ1- x Ａｓ層２１、２１
ａのエピタキシャル成長に寄与するが、ＧａＡｓ分子は
マスク９、９ａにトラップないし反射される。
から開口部へ流出してＩｎx Ｇａ1- x Ａｓ層２１、２１
ａのエピタキシャル成長に寄与するが、ＧａＡｓ分子は
マスク９、９ａにトラップないし反射される。
【００１６】したがって、図の如く、マスク幅Ｗ2 の大
きな選択成長マスク９に隣接して（開口部幅Ｗ1 を隔て
て）マスク幅の狭い（Ｗ2 ａ）選択成長用マスク９ａを
配置しておけば、気相成長中開口部へ流出するマスク効
果大なる化合物分子（たとえばＩｎＡｓ分子）の量は、
マスク９側の方がマスク９ａ側よりも多くなる。
きな選択成長マスク９に隣接して（開口部幅Ｗ1 を隔て
て）マスク幅の狭い（Ｗ2 ａ）選択成長用マスク９ａを
配置しておけば、気相成長中開口部へ流出するマスク効
果大なる化合物分子（たとえばＩｎＡｓ分子）の量は、
マスク９側の方がマスク９ａ側よりも多くなる。
【００１７】開口部のエピタキシャル層に供給される原
料は、直接気相から開口部に析出するものとマスクから
流入してくるものの和であるから、両側をマスク幅の狭
い選択成長用マスク９ａに挟まれた開口部のエピタキシ
ャル層、たとえばＩｎx Ｇａ 1-x Ａｓ層２１ａよりも片
側をマスク幅の広い選択成長用マスク９で遮断された開
口部のエピタキシャル層、たとえばＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ
層２１の方がＩｎの混晶比ｘが高くなり、かつ成長層も
厚くなる。
料は、直接気相から開口部に析出するものとマスクから
流入してくるものの和であるから、両側をマスク幅の狭
い選択成長用マスク９ａに挟まれた開口部のエピタキシ
ャル層、たとえばＩｎx Ｇａ 1-x Ａｓ層２１ａよりも片
側をマスク幅の広い選択成長用マスク９で遮断された開
口部のエピタキシャル層、たとえばＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ
層２１の方がＩｎの混晶比ｘが高くなり、かつ成長層も
厚くなる。
【００１８】したがって、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ層２１、
２１ａを利用してそれぞれ発光素子を製造すれば、発光
波長のより長い発光素子とより短い発光素子とを一回の
成長工程で形成し得る。
２１ａを利用してそれぞれ発光素子を製造すれば、発光
波長のより長い発光素子とより短い発光素子とを一回の
成長工程で形成し得る。
【００１９】なお、ＭＯＶＰＥの場合で説明したが、Ｍ
ＯＭＢＥでも同様の選択成長が可能である。選択成長用
マスクの持つＩＩＩ−Ｖ族化合物分子に対するこの選択
性を利用すれば、多波長発光素子アレイを一度に作製す
る方法を提供できる。
ＯＭＢＥでも同様の選択成長が可能である。選択成長用
マスクの持つＩＩＩ−Ｖ族化合物分子に対するこの選択
性を利用すれば、多波長発光素子アレイを一度に作製す
る方法を提供できる。
【００２０】たとえば図１（Ｃ）に示すように、同一基
板１上に複数個のＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体活性層を有する発光素子２、２ａを集積化す
る。当該発光素子２、２ａの活性層３、３ａが異なる組
成を有する半導体発光素子アレイを、有機金属化合物気
相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって製造する場合、予
め基板１上の所定領域にマスク幅の異なる複数個の選択
成長用マスクを設けることにより、異なる組成の発光素
子２、２ａを一回の成長工程で選択成長させることがで
きる。
板１上に複数個のＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体活性層を有する発光素子２、２ａを集積化す
る。当該発光素子２、２ａの活性層３、３ａが異なる組
成を有する半導体発光素子アレイを、有機金属化合物気
相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって製造する場合、予
め基板１上の所定領域にマスク幅の異なる複数個の選択
成長用マスクを設けることにより、異なる組成の発光素
子２、２ａを一回の成長工程で選択成長させることがで
きる。
【００２１】なお、図１（Ｃ）において、活性層３、３
ａは活性層よりもバンドギャップの広いクラッド層４、
５および４ａ、５ａによって挟まれている。また、上側
クラッド層５、５ａの上には、さらにコンタクト層６、
６ａが形成され、その上に上部電極７、７ａが形成され
ている。
ａは活性層よりもバンドギャップの広いクラッド層４、
５および４ａ、５ａによって挟まれている。また、上側
クラッド層５、５ａの上には、さらにコンタクト層６、
６ａが形成され、その上に上部電極７、７ａが形成され
ている。
【００２２】また、基板１下面には、下部電極８が形成
されている。活性層３、３ａがＩｎＧａＡｓの場合、ク
ラッド層４、５および４ａ、５ａはＩｎ組成のより小さ
なＩｎＧａＡｓで形成される。
されている。活性層３、３ａがＩｎＧａＡｓの場合、ク
ラッド層４、５および４ａ、５ａはＩｎ組成のより小さ
なＩｎＧａＡｓで形成される。
【００２３】図２に、選択成長を行なうためのマスクパ
ターンの構成例を示す。図２（Ａ）は、平行なストライ
プパターンのマスクの例を示す。半導体基板１１表面上
に、２本一組のマスク１８、１９が複数組形成されてい
る。図には幅Ｗａの一組のマスク１８ａ、１９ａ、幅Ｗ
ｂの一組のマスク１８ｂ、１９ｂ、幅Ｗｃの一組のマス
ク１８ｃ、１９ｃが示されている。
ターンの構成例を示す。図２（Ａ）は、平行なストライ
プパターンのマスクの例を示す。半導体基板１１表面上
に、２本一組のマスク１８、１９が複数組形成されてい
る。図には幅Ｗａの一組のマスク１８ａ、１９ａ、幅Ｗ
ｂの一組のマスク１８ｂ、１９ｂ、幅Ｗｃの一組のマス
ク１８ｃ、１９ｃが示されている。
【００２４】各組のマスク１８、１９の間の領域が選択
成長を行なわせるための領域であり、各組のマスク１
８、１９の外側の広い領域は選択成長を安定に行なわせ
るための補助的な領域であり、半導体素子形成には特に
使用しない。
成長を行なわせるための領域であり、各組のマスク１
８、１９の外側の広い領域は選択成長を安定に行なわせ
るための補助的な領域であり、半導体素子形成には特に
使用しない。
【００２５】たとえば、各組のマスク１８ａ、１９ａの
間の領域、１８ｂ、１９ｂの間の領域、１８ｃ、１９ｃ
の間の領域は同じ幅にとり、各組のマスクの幅Ｗａ、Ｗ
ｂ、Ｗｃを変化させると、マスク上からマスク間の領域
に供給されるＩＩＩ族元素の量が変化するため、マスク
間の領域に成長するＩＩＩ−Ｖ族半導体混晶の組成が変
化する。
間の領域、１８ｂ、１９ｂの間の領域、１８ｃ、１９ｃ
の間の領域は同じ幅にとり、各組のマスクの幅Ｗａ、Ｗ
ｂ、Ｗｃを変化させると、マスク上からマスク間の領域
に供給されるＩＩＩ族元素の量が変化するため、マスク
間の領域に成長するＩＩＩ−Ｖ族半導体混晶の組成が変
化する。
【００２６】図２（Ｂ）は、他の形状のマスクパターン
の構成例を示す。図２（Ｂ）左側に示すマスクは、円形
開口部を有する円形マスクであり、複数個の円形マスク
において、マスクの内径は等しく、外形が変化してい
る。このため、円形開口に選択成長する結晶は円形マス
クから異なる量のＩＩＩ族元素の供給を受ける。
の構成例を示す。図２（Ｂ）左側に示すマスクは、円形
開口部を有する円形マスクであり、複数個の円形マスク
において、マスクの内径は等しく、外形が変化してい
る。このため、円形開口に選択成長する結晶は円形マス
クから異なる量のＩＩＩ族元素の供給を受ける。
【００２７】図２（Ｂ）右側の図は、矩形開口部を有す
る矩形マスクを示す。この場合も左側の図と同様、中央
の開口部は同一形状であり、マスク外周の大きさはマス
クによって変化している。円形、矩形の他、他のループ
形状としてもよい。
る矩形マスクを示す。この場合も左側の図と同様、中央
の開口部は同一形状であり、マスク外周の大きさはマス
クによって変化している。円形、矩形の他、他のループ
形状としてもよい。
【００２８】なお、幾つかのマスクパターンの例を示し
たが、マスクの形状はこれらに限ることはない。非晶質
の選択成長用マスク材質は、ＳｉＯ2 等の酸化物、Ｓｉ
3 Ｎ4 等の窒化物、ＳｉＯx Ｎy 等の酸化窒化物等を用
いることもできる。
たが、マスクの形状はこれらに限ることはない。非晶質
の選択成長用マスク材質は、ＳｉＯ2 等の酸化物、Ｓｉ
3 Ｎ4 等の窒化物、ＳｉＯx Ｎy 等の酸化窒化物等を用
いることもできる。
【００２９】このように、マスク幅を異にする複数組の
マスクの採用によってバンドギャップの異なるＩＩＩ族
元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の活性層を有する
発光素子アレイ用結晶を一回の成長工程で同一基板上に
モノリシック集積することができる。
マスクの採用によってバンドギャップの異なるＩＩＩ族
元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の活性層を有する
発光素子アレイ用結晶を一回の成長工程で同一基板上に
モノリシック集積することができる。
【００３０】また、発光素子の活性層に多重量子井戸層
（ＭＱＷ層）を用いた発光素子アレイを作製する場合に
は、上述の選択成長はより顕著な発光波長シフト作用を
示す。すなわち、ＭＱＷ層では活性領域であるウェル層
の幅が狭い程、再結合遷移の準位間隔が大きくなり、短
波長発光する。
（ＭＱＷ層）を用いた発光素子アレイを作製する場合に
は、上述の選択成長はより顕著な発光波長シフト作用を
示す。すなわち、ＭＱＷ層では活性領域であるウェル層
の幅が狭い程、再結合遷移の準位間隔が大きくなり、短
波長発光する。
【００３１】したがって、マスク幅を異にする複数のマ
スク網を同時に用いた成長の場合、幅広いマスクに隣接
する開口部に成長するＭＱＷ層ではマスク効果大なる組
成、たとえばＩｎx Ｇａ1-x Ａｓの場合はＩｎＡｓ成分
がより増加して禁制帯幅が狭くなると共に、ウェル層の
厚みもより厚くなって準位間隔がより狭くなるため、発
光波長の長波長化が一層促進される。
スク網を同時に用いた成長の場合、幅広いマスクに隣接
する開口部に成長するＭＱＷ層ではマスク効果大なる組
成、たとえばＩｎx Ｇａ1-x Ａｓの場合はＩｎＡｓ成分
がより増加して禁制帯幅が狭くなると共に、ウェル層の
厚みもより厚くなって準位間隔がより狭くなるため、発
光波長の長波長化が一層促進される。
【００３２】半導体発光素子を作製する場合を説明した
が、半導体受光素子等、他の半導体光素子を作製するこ
ともできる。バンドギャップの異なる複数の素子の同時
形成は同様に有益である。
が、半導体受光素子等、他の半導体光素子を作製するこ
ともできる。バンドギャップの異なる複数の素子の同時
形成は同様に有益である。
【００３３】以下、本発明を具体的実施例に基づいてよ
り詳しく述べる。図３は、本発明の一実施例による半導
体発光素子アレイの作製方法を示す。図３（Ａ）は、こ
の実施例で用いたストライプ状選択成長用マスクを示す
斜視図であり、図３（Ｂ）はＭＯＶＰＥと後処理とによ
って同一基板上に形成された発光素子アレイを示す断面
図である。
り詳しく述べる。図３は、本発明の一実施例による半導
体発光素子アレイの作製方法を示す。図３（Ａ）は、こ
の実施例で用いたストライプ状選択成長用マスクを示す
斜視図であり、図３（Ｂ）はＭＯＶＰＥと後処理とによ
って同一基板上に形成された発光素子アレイを示す断面
図である。
【００３４】（１００）面方位のｎ−ＩｎＰ基板１１上
に、異なる発振波長を示すＩｎx Ｇａ1-x Ａｓレーザダ
イオードをモノリシックに作製するため、図３（Ａ）に
示すような複数組のマスクを作製する。
に、異なる発振波長を示すＩｎx Ｇａ1-x Ａｓレーザダ
イオードをモノリシックに作製するため、図３（Ａ）に
示すような複数組のマスクを作製する。
【００３５】まず、（１００）面方位のｎ−ＩｎＰ基板
１１表面上に、熱ＣＶＤによりＳｉＯ2 膜を厚さ約１０
００Ａ形成する。このＳｉＯ2 膜上にホトレジスト層を
形成し、ホトリソグラフィによりストライプパターン状
にホトレジストを残し、レジストマスクを形成する。
１１表面上に、熱ＣＶＤによりＳｉＯ2 膜を厚さ約１０
００Ａ形成する。このＳｉＯ2 膜上にホトレジスト層を
形成し、ホトリソグラフィによりストライプパターン状
にホトレジストを残し、レジストマスクを形成する。
【００３６】このレジストマスクをエッチングマスクと
して用い、下のＳｉＯ2 膜をＮＨ4ＨＦ2 で稀釈したＨ
Ｆでエッチし、図に示すような複数組のストライプマス
ク１８ａ、１９ａ、１８ｂ、１９ｂ、１８ｃ、１９ｃ、
…を作製する。なお、３組のマスクを例示したが、作製
するマスク組の数は任意である。
して用い、下のＳｉＯ2 膜をＮＨ4ＨＦ2 で稀釈したＨ
Ｆでエッチし、図に示すような複数組のストライプマス
ク１８ａ、１９ａ、１８ｂ、１９ｂ、１８ｃ、１９ｃ、
…を作製する。なお、３組のマスクを例示したが、作製
するマスク組の数は任意である。
【００３７】各マスクにおいて、マスク間の開口部幅は
同一であり、マスク自体の幅はマスク組によって変化し
ている。マスク１８ａ、１９ａのマスク幅Ｗａは約２μ
ｍであり、マスク１８ｂ、１９ｂのマスク幅Ｗｂは約４
μｍであり、マスク１８ｃ、１９ｃの幅Ｗｃは約６μｍ
である。
同一であり、マスク自体の幅はマスク組によって変化し
ている。マスク１８ａ、１９ａのマスク幅Ｗａは約２μ
ｍであり、マスク１８ｂ、１９ｂのマスク幅Ｗｂは約４
μｍであり、マスク１８ｃ、１９ｃの幅Ｗｃは約６μｍ
である。
【００３８】また、各マスク組の間の補助領域２０は、
マスク幅による組成変化の効果を安定にするため、十分
広く、少なくとも１００μｍよりも広くする。たとえ
ば、図示の場合、各マスク組のピッチを約３００μｍと
する。
マスク幅による組成変化の効果を安定にするため、十分
広く、少なくとも１００μｍよりも広くする。たとえ
ば、図示の場合、各マスク組のピッチを約３００μｍと
する。
【００３９】本実施例においては、ＩｎＧａＡｓ活性層
を有する複数の半導体レーザを作製するが、ＳｉＯ2 ス
トライプマスク１８、１９は、ＩｎＡｓに対するマスク
効果が大であり、マスク上からＩｎＡｓ成分がマスク間
の開口部に供給される。このため、同一のソースガスを
用いても、選択成長用マスクのマスク幅が異なると、成
長領域は異なる組成のソースガスを供給されることにな
る。
を有する複数の半導体レーザを作製するが、ＳｉＯ2 ス
トライプマスク１８、１９は、ＩｎＡｓに対するマスク
効果が大であり、マスク上からＩｎＡｓ成分がマスク間
の開口部に供給される。このため、同一のソースガスを
用いても、選択成長用マスクのマスク幅が異なると、成
長領域は異なる組成のソースガスを供給されることにな
る。
【００４０】このとき、各マスク組が近接していると、
近接マスク間に相互干渉が生じる恐れがある。図３
（Ａ）に示すように、各マスク組を補助領域２０により
十分離すことにより、各選択成長領域での干渉は防止さ
れる。
近接マスク間に相互干渉が生じる恐れがある。図３
（Ａ）に示すように、各マスク組を補助領域２０により
十分離すことにより、各選択成長領域での干渉は防止さ
れる。
【００４１】図３（Ａ）のマスク付ＩｎＰ基板１１を反
応装置（図示せず）内に挿入し、トリメチルガリウムＧ
ａ（ＣＨ3 ）3 （ＴＭＧ）、トリメチルインジウムＩｎ
（ＣＨ3 ）3 （ＴＭＩ）、砒化水素ＡｓＨ3 、燐化水素
ＰＨ3 、水素系ソースによるＭＯＶＰＥを行なって、基
板１１開口部にｎ−ＩｎＰクラッド層１４、Ｉｎx Ｇａ
1-x Ａｓ活性層１３、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１６を、この順に堆積し
た。成長温度は５００℃、〔Ｖ〕／〔ＩＩＩ〕供給モル
比は約４０とした。
応装置（図示せず）内に挿入し、トリメチルガリウムＧ
ａ（ＣＨ3 ）3 （ＴＭＧ）、トリメチルインジウムＩｎ
（ＣＨ3 ）3 （ＴＭＩ）、砒化水素ＡｓＨ3 、燐化水素
ＰＨ3 、水素系ソースによるＭＯＶＰＥを行なって、基
板１１開口部にｎ−ＩｎＰクラッド層１４、Ｉｎx Ｇａ
1-x Ａｓ活性層１３、ｐ−ＩｎＰクラッド層１５、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１６を、この順に堆積し
た。成長温度は５００℃、〔Ｖ〕／〔ＩＩＩ〕供給モル
比は約４０とした。
【００４２】その後、結晶を反応装置から取外し、最上
部のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６上にｐ側Ａｕ電極２１
を、また基板１１裏面にｎ側Ａｕ電極２２を形成する。
さらにマスク１８、１９を除去した状態を、図３（Ｂ）
に示す。
部のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１６上にｐ側Ａｕ電極２１
を、また基板１１裏面にｎ側Ａｕ電極２２を形成する。
さらにマスク１８、１９を除去した状態を、図３（Ｂ）
に示す。
【００４３】実験例において、３個の集積化されたレー
ザダイオードＬＤ1 、ＬＤ2 、ＬＤ 3 のうち、最もマス
ク幅の狭いストライプ状ＳｉＯ2 マスク１８ａ、１９ａ
に挟まれた開口部に成長したＬＤ1 の成長層厚みは最も
薄く、ＬＤ1 を発振させると発振波長は最も短い１．４
０μｍ（室温）であった。
ザダイオードＬＤ1 、ＬＤ2 、ＬＤ 3 のうち、最もマス
ク幅の狭いストライプ状ＳｉＯ2 マスク１８ａ、１９ａ
に挟まれた開口部に成長したＬＤ1 の成長層厚みは最も
薄く、ＬＤ1 を発振させると発振波長は最も短い１．４
０μｍ（室温）であった。
【００４４】マスク１８ｂ、１９ｂ間に成長したＬＤ2
の発振波長は１．４３μｍ（室温）であり、マスク１８
ｃ、１９ｃ間に成長したＬＤ3 の発振波長は１．４６μ
ｍ（室温）であった。
の発振波長は１．４３μｍ（室温）であり、マスク１８
ｃ、１９ｃ間に成長したＬＤ3 の発振波長は１．４６μ
ｍ（室温）であった。
【００４５】なお、補助領域２０上にはマスク上からの
原料供給が少なく、最も薄く最もバンドギャップの広い
混晶層２５が成長する。ただし、これらの層２５はモニ
タ用等としては用いても光素子としては利用しない。
原料供給が少なく、最も薄く最もバンドギャップの広い
混晶層２５が成長する。ただし、これらの層２５はモニ
タ用等としては用いても光素子としては利用しない。
【００４６】この結果は、図１を用いて説明した如く、
気相から析出する化合物分子のうちマスク効果の大きな
ＩｎＡｓ成分が大きな移動度を示してＳｉＯ2 マスクか
ら開口部へ流出し、選択的に成長層に組み込まれること
を示している。
気相から析出する化合物分子のうちマスク効果の大きな
ＩｎＡｓ成分が大きな移動度を示してＳｉＯ2 マスクか
ら開口部へ流出し、選択的に成長層に組み込まれること
を示している。
【００４７】したがって、マスク幅Ｗを異にする複数組
のストライプ状成長用マスクを用いれば、本実施例のよ
うに一度のＭＯＶＰＥ工程で複数個の発振波長を異にす
るレーザダイオードアレイが同一基板上に得られる。
のストライプ状成長用マスクを用いれば、本実施例のよ
うに一度のＭＯＶＰＥ工程で複数個の発振波長を異にす
るレーザダイオードアレイが同一基板上に得られる。
【００４８】図４は、本発明の別の実施例による円柱な
いし円錐形状の成長層を有する面発光素子アレイを示
す。アレイの円錐形状の成長層は、図２（Ｂ）で示した
円形開口部を有する円形選択成長用マスクを用いてＭＯ
ＶＰＥ成長させたダブルヘテロ構造である。
いし円錐形状の成長層を有する面発光素子アレイを示
す。アレイの円錐形状の成長層は、図２（Ｂ）で示した
円形開口部を有する円形選択成長用マスクを用いてＭＯ
ＶＰＥ成長させたダブルヘテロ構造である。
【００４９】ｎ型ＩｎＰ基板３１の表面上に、マスク幅
の異なる円形マスク４０、４１、４２が十分距離をおい
て配置されている。たとえば、各マスク間はピッチ２０
０μｍで配置される。
の異なる円形マスク４０、４１、４２が十分距離をおい
て配置されている。たとえば、各マスク間はピッチ２０
０μｍで配置される。
【００５０】各マスク４０、４１、４２は直径２μｍの
円形開口部を有する。また、マスク４０はマスク幅Ｗａ
＝２μｍ、マスク４１はマスク幅Ｗｂ＝４μｍ、マスク
４２はマスク幅Ｗｃ＝６μｍを有する。これらのマスク
は、たとえばＳｉ3 Ｎ4 、またはＳｉＯ2 で形成する。
円形開口部を有する。また、マスク４０はマスク幅Ｗａ
＝２μｍ、マスク４１はマスク幅Ｗｂ＝４μｍ、マスク
４２はマスク幅Ｗｃ＝６μｍを有する。これらのマスク
は、たとえばＳｉ3 Ｎ4 、またはＳｉＯ2 で形成する。
【００５１】このマスク付基板を反応装置内に入れ、前
記実施例同様のガスソース、成長条件下でマスク開口部
にｎ−ＩｎＰクラッド層３４、ＩｎＧａＡｓ活性層３
３、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層３６を含む円錐状エピタキシャル層３２を得
る。その後反応装置から結晶を取り出し、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層３６の上にｐ層用Ａｕ電極３７、基
板３１裏面にｎ層用Ａｕ電極３８を形成する。その後、
電極と共に基板を一部除去し、光出射窓４５を形成す
る。
記実施例同様のガスソース、成長条件下でマスク開口部
にｎ−ＩｎＰクラッド層３４、ＩｎＧａＡｓ活性層３
３、ｐ−ＩｎＰクラッド層３５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層３６を含む円錐状エピタキシャル層３２を得
る。その後反応装置から結晶を取り出し、ｐ−ＩｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層３６の上にｐ層用Ａｕ電極３７、基
板３１裏面にｎ層用Ａｕ電極３８を形成する。その後、
電極と共に基板を一部除去し、光出射窓４５を形成す
る。
【００５２】このようにして発光波長の異なる面発光素
子アレイを作製することができる。各発光素子は発光ダ
イオードないし面発光レーザを構成する。本実施例にお
いても、各発光素子に通電すると、各発光素子はそれぞ
れ異なる発光波長を示す。すなわち、最もマスク幅の狭
いマスク４０の開口部に堆積した成長層で形成されたダ
イオードＤ1 の発光波長は最も短くて、次いで４μｍの
マスク幅を有するマスク４１の開口部に形成されたダイ
オードＤ2 の発光波長が短く、６μｍのマスク幅を有す
るマスク４２の開口部に形成されたダイオードＤ3の発
光波長が最も長くなる。また、各ダイオードの成長層は
Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 の順に次第に厚くなる。
子アレイを作製することができる。各発光素子は発光ダ
イオードないし面発光レーザを構成する。本実施例にお
いても、各発光素子に通電すると、各発光素子はそれぞ
れ異なる発光波長を示す。すなわち、最もマスク幅の狭
いマスク４０の開口部に堆積した成長層で形成されたダ
イオードＤ1 の発光波長は最も短くて、次いで４μｍの
マスク幅を有するマスク４１の開口部に形成されたダイ
オードＤ2 の発光波長が短く、６μｍのマスク幅を有す
るマスク４２の開口部に形成されたダイオードＤ3の発
光波長が最も長くなる。また、各ダイオードの成長層は
Ｄ1 、Ｄ2 、Ｄ3 の順に次第に厚くなる。
【００５３】このように、円形マスクを二次元配列した
場合においても、前記実施例同様の作用が成り立ち、マ
スク幅の大小によって開口部に成長する発光素子のＩＩ
Ｉ族元素混晶の組成が制御できる。
場合においても、前記実施例同様の作用が成り立ち、マ
スク幅の大小によって開口部に成長する発光素子のＩＩ
Ｉ族元素混晶の組成が制御できる。
【００５４】以上の実施例は、発光素子のＩＩＩ族元素
混晶型活性層がＩｎＧａＡｓである場合につき述べた
が、ＩＩＩ族元素混晶型半導体は、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧ
ａＡｓ、ＩｎＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＳｂ
等ＩＩＩ族元素としてＩｎを含むＩＩＩ族元素混晶型の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶であればよい。
混晶型活性層がＩｎＧａＡｓである場合につき述べた
が、ＩＩＩ族元素混晶型半導体は、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧ
ａＡｓ、ＩｎＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＳｂ
等ＩＩＩ族元素としてＩｎを含むＩＩＩ族元素混晶型の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶であればよい。
【００５５】また、以上の実施例ではマスク形状をスト
ライプ状や円形状としたが、本発明はこれに止まること
なく、マスク幅の異なる他の形状のマスクにも適用でき
ることは明らかである。また、発光素子同様、受光素
子、変調素子等、他の光半導体素子を形成することもで
きる。
ライプ状や円形状としたが、本発明はこれに止まること
なく、マスク幅の異なる他の形状のマスクにも適用でき
ることは明らかである。また、発光素子同様、受光素
子、変調素子等、他の光半導体素子を形成することもで
きる。
【００５６】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一回の成長工程で組成の異なるＩＩＩ族元素混晶型ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層を形成することができる。
一回の成長工程で組成の異なるＩＩＩ族元素混晶型ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層を形成することができる。
【００５８】同一基板上に複数個の異なる発光波長を示
すＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体活性層
を有する発光素子を一回の選択成長によってモノリシッ
クに形成することができる。
すＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体活性層
を有する発光素子を一回の選択成長によってモノリシッ
クに形成することができる。
【００５９】異なる発光波長を示す半導体発光素子アレ
イ用結晶を、任意の形状で同一基板上に一回の成長工程
で堆積することができる。高品位の結晶性を有する高効
率発光素子アレイを安価に、かつ高密度に同一基板上に
モノリシック集積することが可能となる。
イ用結晶を、任意の形状で同一基板上に一回の成長工程
で堆積することができる。高品位の結晶性を有する高効
率発光素子アレイを安価に、かつ高密度に同一基板上に
モノリシック集積することが可能となる。
【図１】本発明の基本概念を示す。図１（Ａ）はＭＯＶ
ＰＥ前の基板上に設けられたストライプ状選択成長用マ
スクを示す断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の基板上に
ＭＯＶＰＥしたときの気相原料種の流れとマスク開口部
への成長を示す概念的断面図、図１（Ｃ）は成長層に電
極形成して得たストライプ状レーザダイオードアレイを
示す断面図である。
ＰＥ前の基板上に設けられたストライプ状選択成長用マ
スクを示す断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の基板上に
ＭＯＶＰＥしたときの気相原料種の流れとマスク開口部
への成長を示す概念的断面図、図１（Ｃ）は成長層に電
極形成して得たストライプ状レーザダイオードアレイを
示す断面図である。
【図２】選択成長用マスクのパターンを示す。図２
（Ａ）はストライプ状マスクの平面図、図２（Ｂ）は円
形および角形マスクの平面図である。
（Ａ）はストライプ状マスクの平面図、図２（Ｂ）は円
形および角形マスクの平面図である。
【図３】本発明の実施例を示す。図３（Ａ）は基板上に
設けられたストライプ状マスクパターンを示す斜視図、
図３（Ｂ）は図３（Ａ）の基板上に選択成長した結晶層
を用いて形成したレーザダイオードアレイの断面図であ
る。
設けられたストライプ状マスクパターンを示す斜視図、
図３（Ｂ）は図３（Ａ）の基板上に選択成長した結晶層
を用いて形成したレーザダイオードアレイの断面図であ
る。
【図４】本発明の他の実施例を示す。基板上に設けられ
た円形状マスクの開口部に選択成長した結晶層を用いて
形成した発光ダイオードアレイの一部断面斜視図であ
る。
た円形状マスクの開口部に選択成長した結晶層を用いて
形成した発光ダイオードアレイの一部断面斜視図であ
る。
１ 半導体基板 ２、２ａ 発光素子 ３、３ａ 活性層 ４、４ａ 第１クラッド層 ５、５ａ 第２クラッド層 ６、６ａ コンタクト層 ７、７ａ 上部電極 ８ 下部電極 ９、９ａ 選択成長用マスク １１ ｎ−ＩｎＰ基板 １２ レーザダイオードチップ １３ Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ活性層 １４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １６ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １８、１９ ＳｉＯ2 ストライプマスク ２１ ｐ層用Ａｕ電極 ２２ ｎ層用Ａｕ電極 ３１ ｎ−ＩｎＰ基板 ３２ 円錐状エピタキシャル層 ３３ ＩｎＧａＡｓ活性層 ３４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ３５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３６ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ３７ ｐ層用Ａｕ電極 ３８ ｎ層用Ａｕ電極 ４０、４１、４２ 円形マスク
Claims (4)
- 【請求項１】 同一基板（１）上に複数のＩＩＩ族元素
を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体活性層を異なる組成で
一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法で
あって、 基板（１）上に幅の異なる選択成長用マスク（９）を形
成する工程と、 前記選択成長用マスクに覆われていない基板（１）表面
上に気相成長法によりＩＩＩ族元素混晶型ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層（２１）を結晶成長する工程とを含む半
導体光素子アレイの作製方法。 - 【請求項２】 前記選択成長用マスク（９）が、同一幅
の一対のストライプマスクが一組となって基板（１）表
面の半導体光素子を形成すべき各素子領域を挟んで平行
に配置され、その両側には広い領域で基板（１）表面が
露出される請求項１記載の半導体光素子アレイの作製方
法。 - 【請求項３】 前記選択成長用マスク（９）が、基板
（１）表面上の同一形状の複数の素子領域を囲んでルー
プ状に配置され、その外側に広い領域で基板（１）表面
が露出される請求項１記載の半導体光素子アレイの作製
方法。 - 【請求項４】 前記半導体光素子アレイが半導体レーザ
アレイであり、前記選択成長用マスク（９）がＳｉＯ2
であり、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（２１）がＩｎ
ＧａＡｓ層を含む請求項１〜３のいずれかに記載の半導
体光素子アレイの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4846792A JPH05251738A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体光素子アレイの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4846792A JPH05251738A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体光素子アレイの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251738A true JPH05251738A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12804185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4846792A Pending JPH05251738A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体光素子アレイの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251738A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202253A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体受光素子の製造方法 |
| JPH07283487A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP0903792A2 (de) * | 1997-09-19 | 1999-03-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern |
| JPH11330548A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| EP1066667A1 (en) * | 1998-03-30 | 2001-01-10 | Bandwidth 9 | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| WO2002007232A1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting apparatus |
| WO2002067340A1 (fr) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | Sony Corporation | Composant luminescent a semi-conducteur, son procede de fabrication et structure de connexion de couche d'electrode |
| WO2002080242A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group-iii nitride compound semiconductor, and group-iii nitride compound semiconductor device |
| JP2006060035A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
| US7323723B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-01-29 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device using phosphors for performing wavelength conversion |
| JP2009049209A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Hokkaido Univ | 半導体発光素子アレー、およびその製造方法 |
| JP2010003921A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| JP2010087083A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
| JP4698053B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-06-08 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
| US8519378B2 (en) | 2008-10-17 | 2013-08-27 | National University Corporation Hokkaido University | Semiconductor light-emitting element array including a semiconductor rod |
| JP2017504951A (ja) * | 2013-12-18 | 2017-02-09 | インテル・コーポレーション | プレーナ型異種デバイス |
| WO2023100526A1 (ja) * | 2021-12-03 | 2023-06-08 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4846792A patent/JPH05251738A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202253A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体受光素子の製造方法 |
| JPH07283487A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP0903792A2 (de) * | 1997-09-19 | 1999-03-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern |
| EP0903792A3 (de) * | 1997-09-19 | 2000-03-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern |
| EP1066667A1 (en) * | 1998-03-30 | 2001-01-10 | Bandwidth 9 | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| EP1066667A4 (en) * | 1998-03-30 | 2001-04-11 | Bandwidth 9 | VERTICAL OPTICAL CAVITIES PRODUCED WITH SELECTIVE ZONE EPITAXY |
| JPH11330548A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7087932B2 (en) | 2000-07-18 | 2006-08-08 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device |
| WO2002007232A1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting apparatus |
| WO2002067340A1 (fr) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | Sony Corporation | Composant luminescent a semi-conducteur, son procede de fabrication et structure de connexion de couche d'electrode |
| KR100839179B1 (ko) * | 2001-02-21 | 2008-06-17 | 소니 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자, 반도체 발광 소자의 제조 방법, 및전극층의 접속 구조 |
| US6831300B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of a semiconductor light emitting device and connection structure of an electrode layer |
| EP1376664A4 (en) * | 2001-03-29 | 2009-08-19 | Toyoda Gosei Kk | PROCESS FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR WITH GROUP III NITRIDE COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH GROUP III NITRIDE COMPOSITION |
| US7163876B2 (en) | 2001-03-29 | 2007-01-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd | Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, and group-III nitride compound semiconductor device |
| EP1376664A1 (en) * | 2001-03-29 | 2004-01-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group-iii nitride compound semiconductor, and group-iii nitride compound semiconductor device |
| WO2002080242A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group-iii nitride compound semiconductor, and group-iii nitride compound semiconductor device |
| JP4698053B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-06-08 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
| US7323723B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-01-29 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device using phosphors for performing wavelength conversion |
| JP2006060035A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
| JP2009049209A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Hokkaido Univ | 半導体発光素子アレー、およびその製造方法 |
| JP2010003921A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| JP2010087083A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
| US8519378B2 (en) | 2008-10-17 | 2013-08-27 | National University Corporation Hokkaido University | Semiconductor light-emitting element array including a semiconductor rod |
| JP2017504951A (ja) * | 2013-12-18 | 2017-02-09 | インテル・コーポレーション | プレーナ型異種デバイス |
| WO2023100526A1 (ja) * | 2021-12-03 | 2023-06-08 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
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