JP2007035784A - 分布帰還型半導体レーザ - Google Patents

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Abstract

【課題】 従来に比して、更に、回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる分布帰還型半導体レーザが提供される。
【解決手段】 本発明の分布帰還型半導体レーザは、第１クラッド層と、第１クラッド層の上に設けられた第１光閉じ込め層と、第１光閉じ込め層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられ、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる第２光閉じ込め層と、第２光閉じ込め層の上に成長されたＩｎＰ半導体層と、ＩｎＰ半導体層の上に成長されたＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層の上に設けられ、ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層とを備える。回折格子は、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と第２クラッド層とによって構成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、分布帰還型半導体レーザに関するものである。
分布帰還型半導体レーザでは、通常、分離閉じ込めヘテロ構造（Separate Confinement Heterostructure：ＳＣＨ）のＳＣＨ層とＩｎＰ半導体のクラッド層との間に回折格子が形成され、ＳＣＨ層とＩｎＰ半導体のクラッド層との屈折率差を利用して光が回折される。回折格子は平坦なＳＣＨ層を結晶成長技術により形成した後、エッチングにより削り形成される。ＳＣＨ層がＡｌＧａＩｎＡｓ層から成る場合、ＡｌＧａＩｎＡｓ層をエッチングする際に、Ａｌの酸化などにより結晶品質が劣化することが知られている。これを回避するため、ＳＣＨ層がＡｌＧａＩｎＡｓ層の場合、通常、ＡｌＧａＩｎＡｓ層の上にＩｎＧａＡｓＰ層を挿入し、この上に回折格子が形成される。活性層からｐ型クラッド層へ向かう電子のオーバーフローによるリーク電流の増加を防止するために、ＳＣＨ層と回折格子形成層との間には、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層が設けられることもある。
非特許文献１には、ＡｌＧａＩｎＡｓ−ＳＣＨ層の上にＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層、及び、ＩｎＰクラッド層が順次に設けられ、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層とＩｎＰクラッド層とによって回折格子が構成された分布帰還型半導体レーザが記載されている。
K.Nakahara, et al., 「1.3-umInGaAlAs directly modulated MQW RWG DFB lasers operating over 10 Gb/s and 100℃」, Central Research Laboratory Hitachi Ltd., OFC2004, ThD1
特許文献１に記載の分布帰還型半導体レーザは、例えば、有機金属気相エピタキシ法（Organometallic Vapor Phase Epitaxy：ＯＭＶＰＥ）を用いて製造される。ＯＭＶＰＥによる結晶成長では、通常、Ｖ族材料ガスは流し続け、III族材料ガスを断続することで、成長の開始と停止を制御する。ＡｌＧａＩｎＡｓやＡｌＩｎＡｓの場合、Ｖ族はＡｓのみであり、ＩｎＧａＡｓＰの場合、Ｖ族は、ＡｓとＰとなる。したがって、ＡｌＧａＩｎＡｓ−ＳＣＨ層またはＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層の上にＩｎＧａＡｓＰ回折格子層を形成する場合、ＡｌＧａＩｎＡｓ−ＳＣＨ層またはＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層を形成する時には、結晶成長炉内にＡｓを含むＶ族材料ガスとIII族の材料ガスを供給し、その後、III族の材料ガスの供給を止めて成長を中断する際もＡｓ系材料ガスは供給し続ける。成長中断の状態で、条件設定を変更し、III族の材料ガスの供給を再開して、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層の形成を開始する。この際には、結晶成長炉内に、Ａｓを含むＶ族材料ガスとＰを含むＶ族材料ガスを供給する。このＩｎＧａＡｓＰ回折格子層を形成するとき、結晶成長炉内のＡｓ系材料ガスとＰ系材料ガスの比Ａｓ／Ｐは、Ａｓ／Ｐ＝１／５０程度になる必要がある。
以上のシーケンスの場合、回折格子層の成長を開始する前までは、Ｖ族材料ガスとしてＡｓ系材料ガスのみが供給され、回折格子層成長時に、Ｐ系材料ガスとＰ系材料ガスに比べ比率が小さいＡｓ系材料ガスが供給されることになる。そのため、Ａｓを含むＶ族材料ガスの供給量を、回折格子形成層の形成のために減少するよう制御しても、結晶成長炉内にＡｓガスが残留することとなり、結晶成長炉内のＡｓガスとＰガスとの比Ａｓ／Ｐが、速やかに、Ａｓ／Ｐ＝１／５０程度に変化しない。回折格子形成層を形成する際、結晶成長炉内のＡｓ系材料ガスとＰ系材料ガスとの比Ａｓ／Ｐが、所望の値（例えば、Ａｓ／Ｐ＝１／５０程度）に比して大きいと、回折格子形成層に格子欠陥が増加することがある。
そこで、本発明は、従来に比して、更に、回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる分布帰還型半導体レーザを提供することを目的としている。
本発明の分布帰還型半導体レーザは、第１クラッド層と、第１クラッド層の上に設けられた第１光閉じ込め層と、第１光閉じ込め層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられ、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる第２光閉じ込め層と、第２光閉じ込め層の上に成長されたＩｎＰ半導体層と、ＩｎＰ半導体層の上に成長されたＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層の上に設けられ、ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層とを備え、回折格子が、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と第２クラッド層とによって構成される。
この発明の分布帰還型半導体レーザによれば、第２光閉じ込め層の上にＩｎＰ半導体層を成長した後に、このＩｎＰ半導体層の上にＩｎＧｓＡｓＰ半導体層を成長する。ＩｎＰ半導体層を成長させるために結晶成長炉に供給するＶ族材料ガスは、Ｐ系材料ガスのみとなる。また、ＩｎＰ半導体層の成長を停止してからＩｎＧｓＡｓＰ半導体層の成長を開始するまでの間、ＩｎＰ半導体層のエピタキシャル成長界面からの原子の離脱を抑制するために結晶成長炉に供給するＶ族供給ガスも、Ｐ系材料ガスのみである。ＩｎＰ層の上にＩｎＧａＡｓＰ回折格子層を形成する際には、Ｐ系材料ガスとＰ系材料ガスに比べ比率の小さいＡｓ系ガスが供給されることになる。すなわち、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層形成前後でのＶ族材料ガスの供給は、Ｐ系材料ガスが大半を占め、Ａｓ系材料ガスの流量変化は小さく、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層形成時に、結晶成長炉内のＡｓ系材料ガスとＰ系材料ガスの比Ａｓ／Ｐを速やかに所望の値（たとえばＡｓ／Ｐ＝１／５０程度）に変化させることができる。これにより、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる。
本発明の分布帰還型半導体レーザは、第２光閉じ込め層とＩｎＰ半導体層との間に設けられ、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層を更に備え、第１クラッド層がｎ型ＩｎＰ半導体からなり、第２クラッド層がｐ型ＩｎＰ半導体からなる構成であってもよい。この構成によれば、キャリアストップ層が、活性層からｐ型クラッド層へ向かう電子のオーバーフローを低減する。
また、本発明の分布帰還型半導体レーザは、第１クラッド層と第１光閉じ込め層との間に設けられ、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層を更に備え、第１クラッド層がｐ型ＩｎＰ半導体からなり、第２クラッド層がｎ型ＩｎＰ半導体からなる構成であってもよい。この構成によれば、キャリアストップ層が、活性層からｐ型クラッド層へ向かう電子のオーバーフローを低減する。
また、本発明の分布帰還型半導体レーザのＩｎＰ半導体層の厚みは、１０ｎｍ以下であることが好ましい。この構成によれば、ＩｎＰ半導体層の厚みが１０ｎｍ以下であるので、ＩｎＰ半導体層と回折格子形成層とのヘテロ界面に生じるホール障壁による抵抗の増加が抑制される。
本発明によれば、従来に比して更に、回折格子形成層の格子欠陥を少ない分布帰還型半導体レーザが提供される。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、本発明の実施形態に係る分布帰還型半導体レーザの構造を示す斜視図である。図２は、図１におけるII−II線に沿う断面図である。図１及び図２に示すように、分布帰還型半導体レーザ１０は、下記のようにｎ型ＩｎＰ基板１２上に複数の半導体層を積層する。ｎ型ＩｎＰ基板１２上にはｎ型ＩｎＰ第１クラッド層１４が設けられ、第１クラッド層１４上にはＡｌＧａＩｎＡｓ第１光閉じ込め層１６が設けられ、第１光閉じ込め層１６上にはＡｌＧａＩｎＡｓ活性層１８が設けられ、活性層１８上にはＡｌＧａＩｎＡｓ第２光閉じ込め層２０が設けられ、第２光閉じ込め層２０上にはＩｎＰ半導体層２２が設けられ、ＩｎＰ半導体層２２上にはｐ型ＩｎＧａＡｓＰ半導体層（以下、回折格子形成層として参照する）２４が設けられ、回折格子形成層２４上にはｐ型ＩｎＰ第２クラッド層２６が設けられ、第２クラッド層２６上にはｐ型ＩｎＰ第２クラッド層２７が設けられ、第２クラッド層２７上にはコンタクト層２８が設けられている。
第１光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第２光閉じ込め層２０は、分離閉じ込めヘテロ構造（Separate ConfinementHeterostructure：ＳＣＨ）を構成する。活性層１８は、第１光閉じ込め１６及び第２光閉じ込め層２０の間に位置するので、第１光閉じ込め層１６及び第２光閉じ込め層２０は、活性層１８中にキャリア（電子及び正孔）を閉じ込めるように作用する。
第１光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第２光閉じ込め層２０は、第１クラッド層１４と第２クラッド層２６、２７との間に位置する。第１クラッド層１４及び第２クラッド層２６、２７は、第１光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第２光閉じ込め層２０の材料より屈折率が小さい材料から成るので、これらの層１６、１８、２０に光を閉じ込めるように作用する。
活性層１８は、例えば多重量子井戸（Multiple Quantum Well：ＭＱＷ）構造を有する。活性層１８には、第１光閉じ込め層１６及び第２光閉じ込め層２０を介して、第１クラッド層１４及び第２クラッド層２６、２７からキャリアが注入される。活性層１８では、これらのキャリアが再結合し、光が発生する。
第２光閉じ込め層２０と第２クラッド層２６、２７との間には、回折格子形成層２４が設けられている。回折格子形成層２４と第２クラッド層２６、２７とによって回折格子が構成されている。この回折格子の周期構造はＺ方向に伸びており、回折格子はＺ方向に進行する光の一部を進行方向とは反対の方向に回折する。したがって、第１クラッド層１４と第２クラッド層２６、２７との間では、回折格子の周期で定まる波長の光が帰還される。
回折格子形成層２４と第２光閉じ込め層２０との間には、ＩｎＰ半導体層２２が設けられている。本実施形態では、ＩｎＰ半導体層２２の厚みは１０ｎｍ以下である。したがって、ＩｎＰ半導体層２２と回折格子形成層２４とのヘテロ界面に生じるホール障壁による抵抗の増加が抑制される。
また、第１光閉じ込め層１６、活性層１８、第２光閉じ込め層２０、ＩｎＰ半導体層２２、及び、回折格子形成層２４、及び、第２クラッド層２６は、図１に示すＸＹ面に直交するＺ方向に延びるストライプを成している。このストライプは、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層３０およびｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３１で埋め込まれている。これらの電流ブロック層３０および３１は、第２クラッド層２７及び第１クラッド層１４の一方から他方へ流れる電流をブロックする。したがって、第１クラッド層１４及び第２クラッド層２７から注入される電子と正孔は、活性層１８に導かれる。
本実施形態の半導体レーザ１０によれば、第２光閉じ込め層２０の上にＩｎＰ半導体層２２を成長した後に、このＩｎＰ半導体層２２の上にＩｎＧｓＡｓＰ半導体層２４を成長する。ＩｎＰ半導体層２２を成長させるために結晶成長炉に供給するＶ族材料ガスは、Ｐ系材料ガスのみとなる。また、ＩｎＰ半導体層２２の成長を停止してからＩｎＧｓＡｓＰ半導体層２４の成長を開始するまでの間、ＩｎＰ半導体層２２のエピタキシャル成長界面からの原子の離脱を抑制するために結晶成長炉に供給するＶ族供給ガスも、Ｐ系材料ガスのみである。
また、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２４を形成するための結晶成長炉内のＰ系材料ガスの量と、ＩｎＰ半導体層２２を形成するための結晶成長炉内のＰ系材料ガスの量とは、ほぼ同一で、Ａｓ系材料ガスは少量が追加されるに過ぎない。そのため、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２４の形成開始時から、結晶成長炉内のＡｓガスとＰガスとの比を、所望の値（Ａｓ／Ｐ＝１／５０程度）にすることができる。したがって、ＩｎＧａＡｓＰ半導体層２４、すなわち、回折格子形成層２４の格子欠陥を低減することができる。故に、回折格子形成層２４の品質が向上し、本実施形態の分布帰還型半導体レーザ１０の信頼性は向上する。
なお、本実施形態の分布帰還型半導体レーザは、第２光閉じ込め層とＩｎＰ半導体層との間に、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層が設けられていてもよい。この構成によれば、キャリアストップ層が、活性層からｐ型クラッド層へ向かう電子のオーバーフローを低減する。したがって、この分布帰還型半導体レーザでは、リーク電流の増加が低減される。
以下、本発明の実施形態に係る分布帰還型半導体レーザの製造方法について説明する。図３及び図４は、分布帰還型半導体レーザ１０の製造工程を示す斜視図である。
（第１半導体層堆積工程）
まず、ｎ型ＩｎＰ基板５２上に半導体層の積層構造を形成する。図３（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板５２上に、ｎ型ＩｎＰ第１クラッド層５４、ＡｌＧａＩｎＡｓ第１光閉じ込め層５６、ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層５８、ＡｌＧａＩｎＡｓ第２光閉じ込め層６０、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層６１、ＩｎＰ半導体層６２、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ半導体層（回折格子形成層）６４、及び、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層６６を順次に形成する。これらの半導体層は、例えば有機金属気相エピタキシ法（Organometallic Vapor Phase Epitaxy：ＯＭＶＰＥ）を用いて成長される。
以下、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層６１から回折格子形成層６４までを形成する工程を詳細に説明する。図５（ａ）は、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層６１から回折格子形成層６４までを形成する際のＶ族材料ガスの供給量を示す図である。図５（ｂ）は、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層６１から回折格子形成層６４までを形成する際のIII族材料ガスの供給量を示す図である。まず、Ａｌ及びＩｎを含むIII族材料ガスと、Ａｓを含むＶ族材料ガスとを結晶成長炉内に供給することによって、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層６１を形成する（工程Ａ）。
本実施形態の一例では、Ａｌ及びＩｎを含むIII族材料ガスとして、それぞれ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）ガス、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）ガスが用いられ、Ａｓを含むＶ族材料ガスとして、アルシン（ＡｓＨ３）ガスが用いられる。一例を示せば、ＴＭＡｌガス、及び、ＴＭＩｎガスの供給量は、それぞれ、４．４×１０５mol/min、４．６×１０５mol/minで、また、ＡｓＨ３ガスの供給量は、１００ｓｃｃｍである。また、結晶成長炉内の温度は、例えば、６５０℃である。
次に、ＡｓＨ３ガスの供給を停止すると同時にＰを含むＶ族材料ガスの供給を開始する。さらに、これと同期して、ＴＭＡｌガスを停止し、ＴＭＩｎガス供給量を変化させることで、ＩｎＰ半導体層６２を形成する（工程Ｂ）。
本実施形態の一例では、Ｉｎを含むIII族材料ガスとして、ＴＭＩｎガスが用いられ、Ｐを含むＶ族材料ガスとして、フォスフィン（ＰＨ３）ガスが用いられる。一例を示せば、ＴＭＩｎガスの供給量は９×１０５mol/min、ＰＨ３ガスの供給量は２００ｓｃｃｍである。また、結晶成長炉内の温度は、例えば、６５０℃である。
次に、III族材料ガスの供給を停止することによってＩｎＰ半導体層６２の成長を停止し、結晶成長路内の条件設定を変更する（工程Ｃ）。工程Ｃでは、ＩｎＰ半導体層６２のエピタキシャル成長界面からの原子の離脱を抑制するために、Ｐを含むＶ族材料ガスを供給し続ける。
本実施形態の一例では、ＴＭＩｎガスの供給を停止しＰＨ３ガスのみ供給し続ける。ＰＨ３ガスの供給量は、次の回折格子形成層６４を形成するために、例えば、２００ｓｃｃｍのまま維持する。また、結晶成長炉内の温度は、例えば、６５０℃である。
次に、Ｐを含むＶ族材料ガスを供給し続けたまま、Ａｓを含むＶ族材料ガスと、Ａｌ、Ｇａを含むIII族材料ガスとを結晶成長炉内に供給することによって、回折格子形成層６４を形成する（工程Ｄ）。
本実施形態の一例では、Ｉｎ及びＧａを含むIII族材料ガスとして、それぞれ、ＴＭＩｎガス、ＴＭＧａガスが用いられ、Ａｓを含むＶ族材料ガスとして、ＡｓＨ３ガスが用いられ、Ｐを含むＶ族材料ガスとして、ＰＨ３ガスが用いられる。一例を示せば、ＴＭＩｎガス、及び、ＴＭＧａガスの供給量は、それぞれ、７×１０５mol/min、２×１０５mol/minであり、ＡｓＨ３ガス、及び、ＰＨ３ガスの供給量は、それぞれ、１０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍである。また、結晶成長炉内の温度は、例えば、６５０℃である。
このように、工程Ｂ及び工程Ｃでは、Ｖ族材料ガスとしてＰ系ガスが供給されており、工程Ｄにおいて供給が始まるＡｓ系ガスの流量の比率はＰ系ガスに対して僅かである。従って、Ｐ系ガスとＡｓ系ガスの比率を精度よく所望の値（Ａｓ／Ｐ＝１／５０程度）に制御できる。
（マスク形成工程）
次いで、第２クラッド層６６上にエッチングマスク層を形成する。図３（ａ）に示すように、エッチングマスク層８０は、第２クラッド層６６上にマスク層を堆積し、このマスク層をフォトリソグラフィ技術によって所定形状にエッチングすることによって形成される。マスク層８０は、ＸＹ面に直交するＺ方向に延びる短冊形に形成される。例示すれば、マスク層の材料には、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）または窒化シリコン（ＳｉＮ）等が用いられる。
（メサ形成工程）
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１クラッド層５４、第１光閉じ込め層５６、活性層５８、第２光閉じ込め層６０、キャリアストップ層６１、ＩｎＰ半導体層６２、回折格子形成層６４、及び、第２クラッド層６６をエッチングすることによって、第１クラッド層５４ａ、第１光閉じ込め層５６ａ、活性層５８ａ、第２光閉じ込め層６０ａ、キャリアストップ層６１ａ、ＩｎＰ半導体層６２ａ、回折格子形成層６４ａ、及び、第２クラッド層６６ａで構成されるメサに形成する。
（電流ブロック層形成工程）
次いで、マスク材を除去することなく、第１クラッド層５４ａ上にｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７０とｎ型ＩｎＰ電流ブロック層７１とを順次に形成して、第１光閉じ込め層５６ａ、活性層５８ａ、第２光閉じ込め層６０ａ、キャリアストップ層６１ａ、ＩｎＰ半導体層６２ａ、回折格子形成層６４ａ、及び、第２クラッド層６６ａから成るメサを埋め込む。図４（ａ）に示すように、これらの電流ブロック層７０、７１は、マスク層８０上には堆積されず、形成されたメサ面上のみに選択的に成長する。したがって、エッチングで残されたメサは埋め込まれて、平坦化される。
（第２半導体層堆積工程）
次いで、マスク材を除去した後に、第２クラッド層６６ａ上に半導体層の積層構造を形成する。図４（ｂ）に示すように、第２クラッド層６６ａ及び電流ブロック層７０、７１上に、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層６７及びコンタクト層６８を順次に形成する。これらの半導体層は、例えばＯＭＶＰＥを用いて成長される。
この後に、電極を形成する工程等を行う。このようにして、図１に示す半導体レーザ１０が製造される。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。本実施形態の一変形である分布帰還型半導体レーザは、第２光閉じ込め層とＩｎＰ半導体層の間に挿入したキャリアストップ層がない構成であってもよい。また、本実施形態の分布帰還型半導体レーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１２の代わりにｐ型ＩｎＰ基板を備え、ｎ型ＩｎＰ第１クラッド層１４の代わりにｐ型ＩｎＰ第１クラッド層を備え、ｐ型回折格子形成層２４の代わりにｎ型回折格子形成層を備え、ｐ型第２クラッド層２６、２７の代わりにそれぞれｎ型第２クラッド層を備える構成であってもよい。
また、上述した本実施形態の一変形である分布帰還型半導体レーザは、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層と第１光閉じ込め層との間にＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層を更に備える構成であってもよい。
また、本実施形態の分布帰還型半導体レーザでは、活性層がＭＱＷ構造を有していたが、活性層が単一量子井戸（SingleQuantum Well：ＳＱＷ）構造、ないしは量子ドット構造であってもよい。
本発明の実施形態に係る分布帰還型半導体レーザの構造を示す斜視図である。 図１におけるII−II線に沿う断面図である。 図３（ａ）及び（ｂ）は、分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す斜視図である。 図４（ａ）及び（ｂ）は、分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す斜視図である。 図５（ａ）は、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層６１から回折格子形成層６４までを形成する際のＶ族材料ガスの供給量を示す図であり、図５（ｂ）は、その際のIII族材料ガスの供給量を示す図である。
符号の説明
１０…分布帰還型半導体レーザ、１２…基板、１４…第１クラッド層、１６…第１光閉じ込め層、１８…活性層、２０…第２光閉じ込め層、２２…ＩｎＰ半導体層、２４…ＡｌＧａＡｓＰ半導体層（回折格子形成層）、２６、２７…第２クラッド層、２８…コンタクト層、３０、３１…電流ブロック層。

Claims (4)

  1. 分布帰還型半導体レーザであって、
    第１クラッド層と、
    前記第１クラッド層の上に設けられた第１光閉じ込め層と、
    前記第１光閉じ込め層の上に設けられた活性層と、
    前記活性層の上に設けられ、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる第２光閉じ込め層と、
    前記第２光閉じ込め層の上に成長されたＩｎＰ半導体層と、
    前記ＩｎＰ半導体層の上に成長されたＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と、
    前記ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層の上に設けられ、ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層と、
    を備え、
    回折格子が、前記ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と第２クラッド層とによって構成される、
    分布帰還型半導体レーザ。
  2. 前記第２光閉じ込め層と前記ＩｎＰ半導体層との間に設けられ、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層を更に備え、
    前記第１クラッド層がｎ型ＩｎＰ半導体からなり、
    前記第２クラッド層がｐ型ＩｎＰ半導体からなる、
    請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ。
  3. 前記第１クラッド層と前記第１光閉じ込め層との間に設けられ、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層を更に備え、
    前記第１クラッド層がｐ型ＩｎＰ半導体からなり、
    前記第２クラッド層がｎ型ＩｎＰ半導体からなる、
    請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ。
  4. 前記ＩｎＰ半導体層の厚みが、１０ｎｍ以下である、
    請求項１〜３のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ。

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