WO2001098833A1

WO2001098833A1 - Composition radiosensible positive et procede de production de structures au moyen de celle-ci

Info

Publication number: WO2001098833A1
Application number: PCT/JP2001/000315
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Niwa; Kazutaka Tamura; Masahide Senoo
Original assignee: Toray Industries, Inc.
Priority date: 2000-06-22
Filing date: 2001-01-19
Publication date: 2001-12-27
Also published as: US20030003392A1; KR20020071842A; EP1229390A1; EP1229390A4; US6919157B2

Description

明細害

ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたパターンの製造方法

技術分野

本発明は半導体集積回路、リソグラフィー用マスクなどの製造に用いられるポジ型感放射線性組成物に関する。背景技術

近年、半導体回路、リソグラフィー用マスクの製造などの分野では、集積度の向上に伴って、パターンの微細化が進んでいる。これを実現するためにレジス卜材料としてさらに高解像度のものが要求されるようになってきてぉリ、 0 . 2 5 m以下のサブクオーターミクロンのパターンが高感度で加工できることが必要となってきた。従来のような比較的長波長の光源を用いるリソグラフィーでは、このような微細な加工を行うことは困難でぁリ、よりエネルギーの高い X線ゃ電子線、真空紫外線を用いたリソグラフィ一が検討されており、これらの光源に対応じたレジス卜が求められている。

このような露光光源に対応し、高感度、高解像度の特性を持つ公知のレジスト材料として、化学増幅型のレジス卜が盛んに検討されている。化学増幅型のレジストは光酸発生剤の作用によって露光部に酸が発生し、この酸の触媒作用によつて露光部の溶解性が変化する機構を持つレジス卜である。従来、このような化学増幅型レジス卜のうち比較的良好なレジス卜性能を示すものに、アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ可溶性基を t一ブチル基、 1， 1 ージフエニルェチル基（USP 5688628) 、卜リチル基（特開平 6— 8 3 0 5 7 ) などの 3級エステル基、 tープ卜キシカルボニル基、ァセタール基などの酸分解性基で保護した樹脂が用いられている。

しかしながら、解像度と感度は相反する関係にあり、サブクォーターミクロンのパターン加工を行うための解像度を得るには、感度が十分ではないなどの欠点があった。発明の開示

本発明は、 a1 )〜a 3) のいずれかの化合物と b) 放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物、ならびにこれを用いたレジス卜パターンの製造方法に関する。

a 1 ) カルボキシル基を一般式（1 ) で示される酸脱離基で保護した化合物。

R¹

C—— R² (1)

R ,3

( R¹および R ²は芳香環であり、 R ³はアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、芳香環を示す。 R¹~R ³はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。） a 2) アルカリ可溶性基を一般式（2) で示される酸脱離基で保護した化合物。

R⁴

C— R。 (2)

R⁶

(R⁴〜R⁶はアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、芳香環のいずれかであり、 R⁴〜R⁶のうち少なくとも 1つが電子供与性基を有する芳香環である c R⁴〜R ⁶はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。）

a 3) アルカリ可溶性基を酸脱離基 aで保護した化合物で.あって、酸脱離基 aはアル力リ可溶性基を有するか、もしくは酸脱離基 aは酸脱離基 bで保護されたァルカリ可溶性基を有する。発明を実施するための最良の形態本発明のポジ型感放射線性組成物は、 a 1 )〜a 3 ) のいずれかの化合物と、 b ) 放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤からなる。

a 1 ) の化合物は、カルボキシル基を一般式（1 ) で示される酸脱離基で保護した化合物である。 R ¹および R ²は芳香環であり、 R ³はアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、芳香環を示す。 [^〜1¾ ³はそれぞれ同じでも異なつていてもよい。 R ¹および R ²の具体例としては、フエニル基、ナフチル基、ピリジル基、フリル基、チェニル基などが挙げられる。また、 R ³の具体例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、プチル基、メ卜キシメチル基、エトキシプチル基、ヒドロキシェチル基、シクロへキシル ¾、および R ¹の具体例として上に挙げた基などが挙げられる。酸素に結合した 3級炭素上に芳香環を二つ以上導入することで芳香環の共鳴効果にょリ酸による脱離基の脱離反応が起こりやすくなリ、 3級炭素上に芳香環を持たないものや一つだけ有するものと比較してレジス卜感度が大幅に向上する。また、芳香環を多数導入することによりドライエッチング耐性が向上する。

R¹

C— R² (1)

R 3

a 2 ) の化合物は、アルカリ可溶性基を一般式（2 ) で示される酸脱離基で保護した化合物である。 R ⁴〜R ⁶はアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、芳香環のいずれかであり、 R ⁴〜R ⁶のうち少なくとも 1つが電子供与性基を有する芳香環である。 R ⁴〜R ⁶はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ここでいう電子供与性基としては水素よリも電子を供与する傾向が強いものであればどのようなものでもよく、ァシル才キシ基、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基などが例として挙げられる。このうち好ましく用いられる電子供与性基は炭素数 2〜 6のァシルォキシ基、炭素数〗〜 4のアルキル基、炭素数 1 〜 6のアルコキシ基であり、なかでも炭素数 1〜 6のアルコキシ基が最も好ましい。電子供与性基は一つの芳香環に 2つ以上あっても良い。電子供与性基を有する芳香環の具体例としては、 4ーァセチル才キシフエ二ル基、 4ーァセチル才キシナフチル基、 3—べンジル才キシフエニル基、 4—ジメチルァミノフエニル基、 2—ジメチルァミノフエ二ル基、 4—ァミノナフチル基、 p—卜リル基、 m—卜リル基、 0 — 卜リル基、 2， 4—ジメチルフエニル基、 2， 4 , 6—トリメチルフエニル基、 4— t一プチルフエ二ル基、 4—メチルナフチル基、 4—メトキシフエ二ル基、 2ーメ卜キシフエニル基、 3—ェ卜キシフエニル基、 4― t一ブトキシフエニル基、 4一フエノキシフエニル基、 4—メ卜キシナフチル基、 3 _イソプロポキシフエニル基、 4—メトキシ一 3—メチルフエニル基、 3， 5—ジメ卜キシフエ二ル基などが挙げられる。また R ⁴〜R ⁶のうち電子供与性基を有する芳香環以外の具体例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、プチル基、メ卜キシメチル基、エトキシブチル基、ヒドロキシェチル基、シクロへキシル基、フエニル基などが挙げられる。酸素に結合した 3級炭素上の芳香環に電子供与性基を導入すると脱保護の際に生成するカルボカチオンの正電荷が安定化されるので、脱保護が容易となりレジス卜感度が大幅に向上する。また、 a 2 ) の化合物のアルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、フエノール性水酸基が好ましい。

C— R。 (2)

一般式（2 ) の酸脱離基に含まれる電子供与性基を有する芳香環として好ましいのは、下記一般式（3 ) で表される構造である。

(3)

R R ¹⁰, R ¹²はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1〜4のアルキル基、炭素数 1〜 6めアルコキシ基を表し、そのうち少なくとも一つは上記アルキル基もしくはアルコキシ基を表す。 R ⁹および R ¹¹はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 Ί ~ 4のアルキル基、炭素数〗〜 6のアルコキシ基を表す。オル卜位またはパラ位に電子供与性基を導入することで、より高い感度を発現する。

a 3) の化合物は、アルカリ可溶性基を酸聪離基 aで保護した化合物であり、酸脱離基 aがアル力リ可溶性基をC R ——有するか、もしくは酸脱離基 aが酸脱離基 bで保護されたアルカリ可溶性基を有する。酸脱離基 aと酸脱離基 bは同一の構造で

1 4

あってもよい。酸脱離基 aは、フエノール性水酸基あるいはカルボキシル基を少なくとも一つ有するか、もしくは前記フエノール性水酸基あるいはカルボキシル基をさらに酸脱離基 bで保護したものであるのが好ましい。このような酸脱離基 aの構造として、一般式（4) で表される基が挙げられる。

R 13

C-R¹⁴ (4)

15

R ^{1 3}〜R ¹⁵はそれぞれ独立にアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、ァリール基、置換ァリール基、アルカリ可溶性基を含む基、酸脱離基 bで保護されたアル力リ可溶性基を含む基のいずれかであリ、少なくとも一つはアル力リ可溶性基を含む基または酸脱離基 bで保護されたアル力リ可溶性基を含む基である < R ^{1 3}〜R ¹⁵はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ここで、一般式（4) の R ^{1 3}〜R ^{1 5}のうち少なくとも 1つが一般式（5) または（6) で表される基であることが好ましい。

(5)

-B—— COOY (6)

Aは炭素数 1 〜4のアルキレン基、炭素数 6〜 1 0のァリーレン基、単結合を表す。 Bは炭素数 1〜 6のアルキレン基、炭素数 6〜 1 0のァリーレン基、炭素数 7- 1 2のアルキレンァリーレン基、単結合を表す。 R ^{1 6}〜R ^{1 9}はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1 ~4のアルキル基を表す。 Yは酸脱離基 bまたは水素原子

c R——

2

を表し、 mは 1 ~3である。なかで 3も感度の点で特に好ましいのは、一般式（4)

C

の R ^{1 3}〜R ¹⁵のうち少なくとも一つが一 o般式（7) または（8) で表される基で o

Y

ある場合である。

8

22

R ²°および R ²¹はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1 〜 4のアルキル基を表す _c Yは酸脱離基または水素原子を表し、 mは 1 〜3である。また、 R²²および R ² ³は水素原子、炭素数 1 ~4のアルキル基を表す。 Yは酸脱離基 bまたは水素原子を表す。酸脱離基 bの例としては、メ卜キシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、ェチルチオメチル基、メ卜キシェ卜キシメチル基、ベンジル才キシメチル基、ベンジルチオメチル基、フエナシル基、プロモフエナシル基、メ卜キシフエナシル基、メチルチオフエナシル基、 α—メチルフエナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフエニルメチル基、卜リフエニルメチル基、プロモベンジル基、ニトロべンジル基、メ卜キシベンジル基、メチルチオべンジル基、ェ卜キシベンジル基、メ卜キシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、 Π—プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、 n—ブトキシカルボニルメチル基、 t—プ卜キシカルボニルメチル基、プロぺニル基、 1 —メ卜キシェチル基、 1 ーメチルチオェチル基、 1 —ジメ卜キシェチル基、 1 —エトキシェチル基、 1—ェチルチオェチル基、 1 , Ί—ジエトキシェチル基、 1一フエノキシェチル基、 1一フエ二ルチオェチル基、 1， 1 一ジフヱノキシェチル基、 1 —ベンジル才キシェチル基、 1 —ベンジルチ才ェチル基、 1 —シクロプロピルェチル基、 1 —フエニルェチル基、 1 , 1 —ジフエニルェチル基、 1 —メ卜キシカルボニルェチル基、 1 —エトキシカルボ二ルェチル基、 1 — n—プロポキシカルボニルェチル基、 1一イソプロポキシカルボニルェチル基、 1 一 n—ブトキシカルボニルェチル基、 1 — t一ブトキシカルボニルェチル基、イソプロピル基、 s—プチル基、 t—プチル基、 1， 1 —ジメチルブチル基、卜リメチルシリル基、ェチルジメチルシリル基、メチルジェチルシリル基、卜リエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロビルシリル基、 t—プチルジメチルシリル基、メチルジー t一プチルシリル基、卜リー t—プチルシリル基、フエ二ルジメチルシリル基、メチルジフエニルシリル基、卜リフエ„ニルシリル基、メ卜キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、 t—ブトキシカルボニル基、ァセチル基、プロピオニル基、プチリル基、ヘプタノィル基、へキサノィル基、バレリル基、ビバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリス卜ィル基、パルミトイル基、ステアロイル基、才キサリル基、マロニル基、スクシ二ル基、グルタリル基、アジボイル基、ピぺロイル基、スべロイル基、ァゼラオイル基、セバコイル基、ァクリロイル基、プロピオイル基、メタクリロイル基、ク口卜ノィル基、才レオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノィル基、ベンゾィル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフ卜ィル基、トルオイル基、ヒドロア卜口ボイル基、アト口ボイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノィル基、ニコチノィル基、イソニコチノィル基、 p—トルエンスルホニル基、メシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへキセニル基、 4ーメ卜キシシクロへキシル基、テ卜ラヒドロビラニル基、テ卜ラヒドロフラニル基、テ卜ラヒドロチォピラニル基、テ卜ラヒドロチ才フラニル基、 3—プロモテ卜ラヒドロビラニル基、 4一メ卜キシテ卜ラヒド口ビラ二ル基、 4—メ卜キシテトラヒドロチォピラニル基などが挙げられる。要件 al )~a 3) の化合物は重合体であることが好ましい。重量平均分子量はポリスチレン換算による G PC (ゲル ·パーミエーシヨン ·クロマ卜グラフィ）測定値で 4000〜 1 000000、好ましくは 5000~Ί 00000、より好ましくは 5000〜 50000である。重量平均分子量 5000未満では膜形成が困難となリ、重量平均分子量が 50000を越えるとレジス卜感度が低下する。

a 1 ) 〜a 3) の化合物としてより好ましいのは、下記一般式（9) で表ざれる構造単位を含む重合体である。 R ²⁴は水素原子、炭素数〗〜 4のアルキル基，シァノ基、ハロゲンを示す。 Zは一般式（1 ) 、（2) または（4) で表される £ C'あ

R²⁴

— CH₂-C (9)

^ I

COOZ また、 a 2) または a 3) の化合物として、下記一般式（1 0) で表される構造単位を含む重合体も好ましい。 R ²³は水素原子、炭素数〗〜 4のアルキル基、シァノ基、ハロゲンを表す。 Xは一般式（2) または（4) で表される酸脱離基である。

.のような重合体を得るには、例えばアクリル酸ゃメタクリル酸のカルボキシル基を一般式（1 ) で表される酸脱離基で保護した構造のモノマーや、 P—ヒドロキシスチレンの水酸基を一般式（2) で表される酸脱離基で保護した構造のモノマーを合成し、ァゾビスイソプチロニ卜リルなどで重合すれば良い。

また、一般式（9) で表される構造単位において、 R ²⁴はシァノ基またはハロゲンであることがより好ましい。このような構造を有するポリマーは、放射線の照射によりポリマー主鎖が容易に切断され低分子量化する。その結果、露光部の溶解性が向上して高感度、高コントラストとなる。

上記一般式（9 )および（1 0)で表される構造単位の具体例を以下に挙げる。

25

一般式（9) または（1 0) で表される構造単位を含む重合体は一般式（9) または（1 0) で表される構造単位のみを含む重合体であっても良いが、化学増幅型レジス卜としての特性を損なわない限り他のモノマー単位を含む共重合体であっても良い。他のモノマー構造としてはアクリル酸、メチルァクリレー卜、ェチルァクリレー卜、ヒドロキシェチルァクリレー卜、イソプロピルァクリレー卜、 n—プチルァクリレー卜、 t一ブチルァクリレート、メタクリル酸、メチルメタクリレー卜、ェチルメタクリレート、ヒドロキシェチルァクリレー卜、イソプロピルメタクリレー卜、 n —プチルメタクリレー卜、 t—プチルメ夕クリレー卜、メチル α—クロロアクリレー卜、ェチル α—クロロアクリレー卜、ヒドロキシェチル α—クロロアクリレ一卜、イソプロピル α—クロロアクリレー卜、 η —プチル α—クロロアクリレート、 t —プチル α—クロロアクリレート、メチル α—シァノアクリレー卜、ェチル α—シァノアクリレー卜、ヒドロキシェチル £¾—シァノアクリレー卜、イソプロピルなーシァノアクリレー卜、 η—プチル α—シァノァクリレー卜、スチレン、 ρ—ヒドロキシスチレン、 α—メチルスチレン、 a— メチルー p—ヒドロキシスチレン、マレイン酸、無水マレイン酸、クロトン酸、フマル酸、メサコン酸、シ卜ラコン酸、ィタコン酸、ィタコン酸無水物、ァクリロニ卜リル、メタクリロニトリル、クロトン二トリル、マレイン二トリル、フマロニ卜リル、メタコン二卜リル、シ卜ラコンニ卜リル、ィタコン二卜リル、ァクリルアミド、メ夕クリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シ卜ラコンアミド、ィタコンアミド、ビニルァニリン、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾールなどを挙げることができる。他のモノマー単位がアル力リ可溶性基を有する場合には、該ァルカリ可溶性基を酸脱離基で保護することもできる。酸脱離基の具体例としては、酸脱離基 bの具体例として挙げた基などがある。

また、本発明で好ましく用いられる上記一般式（9 ) または（1 0 ) で表される構造単位を含む重合体は、ドライエッチング耐性向上などのため以下のような環構造を主鎖に含んでも良い。

本発明のポジ型感放射線性組成物は、 b ) 放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有する。これにより、化学増幅機構によるパターン形成が可能となリ、高感度で、高解像度のパターンを得ることができる。ここで用いられる酸発生剤は、発生する酸によって a 1 ) 〜a 3 ) の化合物のアルカリ水溶液への溶解速度を増加せしめるものであればどのようなものであっても良く、才ニゥ厶塩、ハロゲン含有化合物、ジァゾケ卜ン化合物、ジァゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物などを例として挙げることができる。

才ニゥ厶塩の具体的な例としては、ジァゾニゥ厶塩、アンモニゥ厶塩、ョードニゥ厶塩、スルホニゥ厶塩、ホスホニゥ厶塩、才キソニゥ厶塩などを挙げることができる。好ましい才ニゥ厶塩としてはジフエ二ルョードニゥ厶トリフレー卜、ジフエ二ルョードニゥ厶ピレンスルホネー卜、ジフエ二ルョードニゥ厶ドデシルベンゼンスルホネー卜、卜リフエニルスルホニゥ厶トリフレー卜、卜リフエニルスルホニゥ厶へキサフル才ロアンチモネ一卜、卜リフエニルスルホニゥ厶ナフタレンスルホネー卜、（ヒドロキシフエニル）ベンジルメチルスルホニゥ厶卜ルェンスルホネー卜などが挙げられる。

ハロゲン含有化合物の具体的な例としては、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有へテロ環状化合物などが挙げられる。好ましいハロゲン含有化合物としては 1， 1 —ビス（4一クロ口フエ二ル） — 2 , 2 , 2—卜リクロロェタン、 2—フエニル一 4， 6—ビス（トリクロロメチル）一 S—トリアジン、 2—ナフチル— 4， 6—ビス（トリクロロメチル） — s—卜リアジンなどを挙げることができる。

ジァゾケトン化合物の具体的な例としては、 1， 3—ジケ卜一 2—ジァゾ化合物、ジァゾベンゾキノン化合物、ジァゾナフトキノン化合物などが挙げられる。好ましいジァゾケ卜ン化合物はし 2—ナフトキノンジアジド— 4—スルホン酸と 2， 2 , 3， 4， 4 ' —テ卜ラヒドロキシベンゾフエノンとのエステル、

2—ナフトキノンジアジドー 4—スルホン酸と 1， 1， 1 —卜リス（4—ヒドロキシフエニル）ェタンとのエステルなどを挙げることができる。

ジァゾメタン化合物の具体的な例としては、ビス（卜リフル才ロメチルスルホニル）ジァゾメタン、ビス（シクロへキシルスルホニル）ジァゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジァゾメタン、ビス（p—卜リルスルホニル）ジァゾメタン、ビス（2， 4—キシリルスルホニル）ジァゾメタン、ビス（p—クロ口フエニルスルホニル）ジァゾメタン、メチルスルホニル— p—トルエンスルホニルジァゾメタン、シクロへキシルスルホニル（ 1， 1 —ジメチルェチルスルホニル）ジァゾメタン、ビス（1， 1一ジメチルェチルスルホニル）ジァゾメタン、フエニルスルホニル（ベンゾィル）ジァゾメタン等を挙げることができる。

スルホン化合物の具体的な例としては、）8—ケ卜スルホン化合物、；8—スルホニルスルホン化合物などが挙げられる。好ましい化合物としては、 4一トリスフェナシルスルホン、メシチルフエナシルスルホン、ビス（フエニルスルホニル）メタンなどが挙げられる。

スルホン酸エステル化合物の例としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、ァリールスルホン酸エステル、イミノスルホネー卜などが挙げられる。スルホン酸化合物の具体的な例としてはべンゾイン卜シレ一卜、ピロガロール卜リメシレー卜、ニトロべンジルー 9, 1 0—ジェ卜キシァン卜ラセン一 2—スルホネ一卜などを挙げることができる。

スルホンイミド化合物の具体的な例としては N— (卜リフル才ロメチ1レスルホニル才キシ）スクシンイミド、 N— (卜リフル才ロメチルスルホニル才キシ）フタルイミド、 N— （トリフル才ロメチルスルホニル才キシ）ジフエニルマレイミド、 N— (卜リフル才ロメチルスルホニル才キシ）ビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜— 5—ェン— 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— (トリフル才ロメチルスルホニル才キシ） _ 7—才キサビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜— 5—ェンー 2， 3 —ジカルボキシルイミド、 N— (卜リフル才ロメチルスルホニル才キシ）ビシク口 [2. 2. 1 ] ヘプタン一 5, 6—才キシ一 2, 3—ジカルボキシルイミド、 N— （トリフル才ロメチルスルホニル才キシ）ナフチルジカルボキシルイミド、 N - (カンファースルホニル才キシ）スクシンイミド、 N— （カンファースルホニル才キシ）フタルイミド、 N— （カンファースルホニルォキシ）ジフエニルマレイミド、 N— （カンファースルホニル才キシ）ビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜 — 5—ェン— 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— (カンファースルホニル才キシ）一 7—才キサビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜— 5—ェン— 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— （カンファースルホニル才シ）ビシクロ [2. 2. 1 ] へブタン— 5， 6—才キシー 2, 3—ジカルボキシルイミド、 N— (カンファースルホニル才キシ）ナフチルジカルボキシルイミド、 N— (4—メチルフエニルスルホニルォキシ）スクシンイミド、 N— (4—メチルフエニルスルホニル才キシ）フタルイミド、 N— (4—メチルフエニルスルホニル才キシ）ジフエニルマレイミド、 N— （4一メチルフエニルスルホニルォキシ）ビシクロ [2. 2. 1 ] へプ卜ー 5—ェンー 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— (4—メチルフエニルスルホニルォキシ） — 7—才キサビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜— 5—ェン— 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— (4—メチルフエニルスルホニル才キシ）ビシクロ [2. 2. 1 ]ヘプタン一 5， 6一才キシ一 2， 3ージカルボキシルイミド、 N— (4—メチルフエニルスルホニル才キシ）ナフチルジカルボキシルイミド、 N— (2—卜リフル才ロメチルフエニルスルホニル才キシ）スクシンイミド、 N — (2—トリフル才ロメチルフエニルスルホニルォキシ）フタルイミド、 N— （2 ー卜リフル才ロメチルフエニルスルホニル才キシ）ジフエニルマレイミド、 N— (2—トリフル才ロメチルフエニルスルホニル才キシ）ビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜— 5—ェンー 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— (2—卜リフル才ロメチルフエニルスルホニル才キシ）一 7—才キサビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜一 5—ェンー 2， 3—ジカルボキシルイミド、 N— (2—トリフル才ロメチルフエニルスルホニル才キシ）ビシクロ [2. 2. 1 ]ヘプタン一 5, 6—才キシ— 2， 3—ジカルボキシミド、 N— (2—卜リフル才ロメチルフエニルスルホニル才キシ）ナフチルジカルボキシルイミド、 N— （4—フル才ロフエニルスルホニル才キシ）スクシンイミド、 N— (2—フル才ロフエニルスルホニル才キシ）フタルイミド、 N— (4—フルオロフェニルスルホニル才キシ）ジフエニルマレイミド、 N— （4一フル才ロフエニルスルホニルォキシ）ビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜一 5—ェン— 2 , 3—ジカルボキシルイミド、 N— (4—フルオロフェニルスルホニル才キシ）一7—才キサビシクロ [2. 2. 1 ] ヘプ卜— 5—ェン— 2， 3 ージカルボキシルイミド、 N— (4—フルオロフェニルスルホニル才キシ）ビシクロ [2. 2. 1 ]ヘプタン一 5， 6一才キシ— 2, 3—ジカルボキシルイミド、 N - (4—フルオロフェニルスルホニル才キシ）ナフチルジカルボキシルイミド等を挙げることができる。

これらの酸発生剤は単独あるいは 2種以上を混合して用いることができる。酸発生剤の添加量は通例ポリマーに対して 0. 0 1〜5 0重量％でぁり、より好ましくは 0. 〜 1 0重量％である。 0. 0 1重量％よリ少ないとパターン形成が不可能となり、 5 0重量％より多いと現像液との親和性が低下し、現像不良などが発生する。

本発明のポジ型感放射線性組成物はアル力リ可溶性樹脂を含んでもよい。

本発明のポジ型感放射線性組成物には必要に応じて、界面活性剤、増感剤、安定剤、消泡剤、酸拡散抑制剤などの添加剤を加えることもできる。

本発明のポジ型感放射線性組成物は上記の成分を溶媒に溶解することにより得られる。溶媒の使用量としては特に限定されないが、固形分が 5〜35重量％となるように調整される。好ましく用いられる溶媒としては酢酸ェチル、酢酸プチル、酢酸アミル、プロピオン酸ェチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、乳酸メチル、乳酸ェチル、ピルビン酸ェチル、 /3—イソプチル酸メチル、 3—メ卜キシプ口ピオン酸メチル、 3—エトキシプロピオン酸ェチル、ァ—プチロラクトン等のエステル類、メチルセ口ソルプ、ェチルセ口ソルプ、プチルセ口ソルブ等のセロソルブ類、メチルセ口ソルブアセテート、ェチルセ口ソルプアセテート、プチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルァセテ一卜、プロピレンダリコールモノェチルエーテルァセテ一卜等のプロピレングリコールエステル類、 2—ジメ卜キシェタン、 1， 2—ジエトキシェタン、テ卜ラヒドロフラン、ァニソールなどのエーテル類、メチルェチルケトン、メチルイソプチルケ卜ン、メチルー n—アミルケ卜ン、シクロへキサノン、イソホロンなどのケ卜ン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルァセ卜ァミド、 N—メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホランなどの非プロトン性極性溶媒から選ばれる溶媒、またはこれらの複合溶媒が挙げられる。

本発明のポジ型感放射線性組成物は被加工基板上に塗布、乾燥され、通例、 0 . 2 μ ηη〜2 μ ΓΠの膜厚の薄膜にして使用される。この薄膜に電子線、 X線、真空紫外線等の放射線^用いてパターン露光し、露光後べーク、現像を行うことによつて微細パターンを得ることができる。特に電子線を用いた場合により効果が顕著となる。

'本発明の感放射線性組成物の現像は、公知の現像液を用いて行うことができる _c 例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケィ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、 2—ジェチルァミノエタノール、モノ X夕ノールァミン、ジエタノールァミン等のアミン類、水酸化テ卜ラメチルアンモニゥ厶、コリン等の 4級アンモニゥ厶を 1種あるいは 2種以上含む水溶液が挙げられる。実施例

以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。なお、本実施例における重量平均分子量はポリ 7；チレン換算による G P C (ゲル ·パーミエーシヨン'クロマ卜グラフィ）測定値である。

G P C測定には昭和電工（株）製 G P Cカラム " K F— 8 0 4 "、 " K F - 8 0 3 "、 " K F— 8 0 2 " の 3本を繋いで用い、移動相にはテ卜ラヒドロフランを用い、流量は毎分 0. 8m l とした。試料濃度は 0. 2重量％、試料注入量は 0. 1 m Iである。検出器は示差屈折計を用いた。実施例 1

1， 1 —ジフエニルェチルメタクリレー卜と、 p—ヒドロキシ一 α—メチルスチレンとの 6 0 ： 40 (モル比）混合物を 1， 4一ジ才キサン中、ァゾビスイソプチロニ卜リルを開始剤として 7 0°Cで重合し、下記化学式 Π 1 )の重合体（重量平均分子量 82 00) を得た。この重合体 3 g、卜リフエニルスルホニゥ厶卜リフレー卜 3 0 Omgをメチルセ口ソルブアセテートに溶解し、 0. 2 At mのフィルターで濾過し、レジス卜組成物を得た。

得られたレジスト組成物を、 HMDS処理したシリコンウェハ上にスピンコートした後、 Ί 00°Cで 2分間加熱し、膜厚 0. 5 mのレジス卜膜を得た。このレジス卜膜に電子線露光装置を用いて、加速電圧 2 0 k Vでパターン状に電子線を照射し、 9 0°C、 2分加熱した後、 2. 38 %テ卜ラメチルアンモニゥ厶ヒドロキシド水溶液（三菱ガス化学製 ELM- D) で 1分間現像を行った。 2. 7 CZ c m ²の露光量で、 0. 2 0 Aimのパターンが得られた。 '

実施例 2

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 2) の共重合体（重量平均分子量 24 00 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3 · 9 C/ C m²の露光量で、 0· 2 のパターンが得られた。

実施例 3

実施^ 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 3) の重合体（重量平均分子量 1 0000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 4. 1 C/c m²の露光量で、 0. 23 μηιのパターンが得られた

実施例 4

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 4) の共重合体（重量平均分子量 9000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2. 9 CZc m²の露光量で 0· 22 mのパ夕ーンが得られた。

実施例 5

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 5) の共重合体（重量平均分子量 7900) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2. 4 At C/c m²の露光量で 0. 1 9 ^mのパターンが得られた。

実施例 6

露光装置として i線ステツパを用いる以外は実施例 4と同様の実験を行った。

49 m J /c m ²の露光量で 2. 6 μ mのパターンが得られた。実施例 7

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 6) の共重合体（重量平均分子量 1 0000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1 · 6 CZ C m²の露光量で、 0. 20 μηηのパターンが得られた。

実施例 8

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 7) の共重合体（重量平均分子量 1 3000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2· CZcm²の露光量で、 0. 23 ΠΊのパターンが得られた。

実施例 9

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（1 8) の重合体（重量平均分子量 4400) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 0 At CZc m²の露光量で、 0. 23 ^mのパターンが得られた。

実施例 1 o

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式い 9) の共重合体（重量平均分子量 26000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2. 0 / C/c m²の露光量で 0· 21 mのパターンが得られた。

実施例 Ί 1

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（20) の共重合体（重量平均分子量 58000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 6 AtCZc m²の露光量で 0. 22 ½mのパターンが得られた。

(20)

実施例 1 2

露光装置として ί線ステツパを用いる以外は実施例 1 0と同様の実験を行った _t 34m J Zc m²の露光量で 0. 35 μ mのパターンが得られた。実施例 1 3

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（21 ) の共重合体（重量平均分子量 9700) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1 · 6 CZc m²の露光量で、 0· Ί 9 μιηのパターンが得られた。

実施例 1 4

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（22) の共重合体（重量平均分子量 1 9000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1 · 9 ^ C/c m²の露光量で、 0· 20 tmのパターンが得られた <

実施例 1 5

実施例 1で用いた共重合体の代わリに、下記化学式（23) の重合体（重量平均分子量 1 1 000) を用いる以外は実 2施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線

8

を照射して、現像を行った。 1 . 4 Cノ c m²の露光量で、 0. 20 ^mのパターンが得られた。

実施例 1 6

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（24) の重合体（重量平均分子量 9500) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1. 2 t CZc m²の露光量で、 0· 1 9 / mのパタ —ンが得られた。

実施例 1 7 実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（25) の共重合体（重量平均分子量 4500) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジスト膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 0 t C/ cm ²の露光量で 0. 24 μηιのパタ —ンが得られた。

実施例 1 8

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（26) の共重合体（重量平均分子量 56000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 5 ^ C/ cm ²の露光量で 0. 23 Aimのパターンが得られた。

実施例 1 9

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（27) の共重合体（重量平均分子量 1 8000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジスト膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2. 4 CZcm²の露光量で 0· 21 imのパターンが得られた。

実施例 20

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（28) の共重合体（重量平均分子量 25000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1. 7 C/cm²の露光量で 0. 20 imのパターンが得られた。

実施例 21

露光装置として i線ステツパを用いる以外は実施例 1 3と同様の実験を行った c 29 m J /c m²の露光量で 0. 3 1 μ mのパターンが得られた。実施例 22

実施例 1で用いた共重合体の代わリに、下記化学式（29) の共重合体（重量平均分子量 23000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2. 0 μ C/c m²の露光量で、 0. のパターンが得られた。

実施例 23

実施例 1で用いた共重合体の代わリに、下記化学式（30) の共重合体（重量平均分子量 1 8000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2· 7 ) C/c m²の露光量で、 0· 22 mのパターンが得られた。

実施例 24

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（3 1 ) の重合体（重量平均分子量 5 7 0 0 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 7 CZc m²の露光量で、 0. のパターンが得られた。

実施例 25

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（3 2) の共重合体（重量平均分子量 35 0 00) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2· 5 t CZc m²の露光量で 0. 2 1 /imのパターンが得られた。

実施例 2 6

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（3 3) の共重合体（重量平均分子量 45 0 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3 · 2 C/ C m²の露光量で 0. 2 3 / mのパターンが得られた <

実施例 27

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（34) の共重合体（重量平均分子量 1 8000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1. 6 CZC m²の露光量で 0· 2 のパターンが得られた。

実施例 28

露光装置として i線ステツパを用いる以外は実施例 22と同様の実験を行った < 36 m J / c m²の露光量で 0. 33 /x mのパターンが得られた。

実施例 29

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（35) の共重合体（重量平均分子量 2 1 000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジスト膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1. 7 / CZc m²の露光量で 0. 1 9 mのパターンが得られた。

実施例 30

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（36) の共重合体（重量平均分子量 3 1 000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 2. 4 t CZ cm ²の露光量で 0. 22 Atmのパターンが得られた。

実施例 3 1

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（37) の共重合体（重量平均分子量 1 9000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジスト膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 1 . 6 C/C m²の露光量で 0. 2 0 imのパターンが得られた。

実施例 32

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（38) の共重合体（重量平均分子量 8000) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 5 tC/c m²の露光量で、 0· 24 μ mのパターンが得られた。

実施例 3 3.

実施例 1で用いた重合体の代わりに、下記化学式（3 9) の共重合体（重量平均分子量 1 1 0 0 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 3 / CZc m²の露光量で、 0. 2 2 Atmのパターンが得られた。

実施例 3 4

実施例 1で用いた重合体の代わリに、下記化学式（4 0) の共重合体（重量平均分子量 90 0 0) を用いる以外は実施例 Ί と同様にレジスト膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3. 2 tCZc m²の露光量で、 0. 2 2 /zmのパターンが得られた。

実施例 3 5

実施例 1で用いた重合体の代わりに、下記化学式（4 1 ) の共重合体（重量平均分子量 1 4 0 0 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジスト膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 3· 9 C/c m²の露光量で 0. 2 3 ΓΠのパターンが得られた。

実施例 3 6

露光装置として i線ステツパを用いる以外は実施例 3 4と同様の実験を行った < 3 6 m J Zc m²の露光量で 0. 3 3 mのパターンが得られた。比較例 1

実施例 1で用いた共重合体の代わリに、ポリ（t一プチルー α—クロロアクリレー卜）（重量平均分子量 2 1 0 0 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジス卜膜を得、電子線を照射して、現像を行った。 6. 2 ^ CZc m²の露光量で 0. 3 3 Aimのパターンが得られ、感度、解像度の点で、十分な特性ではなかった。比較例 2

実施例 1で用いた共重合体の代わりに、下記化学式（4 2) の共重合体（重量平均分子量 1 2 0 0 0) を用いる以外は実施例 1 と同様にレジスト膜を得、評価を行った。

5. 8 C/ C m²の露光量で 0. 2 5 mのパターンが得られ、感度、解像度とも十分な特性ではなかつた。産業上の利用可能性

本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように特定の酸脱離基を含有する化合物と、放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を用いることによって、高解像度でかつ高感度の組成物を得ることが可能となった。

実施例重合体 Mw 感度（ Cノ cm²) 解像度（/im)

3 5 CI 0. 2 3

■ _CH₂ cH₂ C j- 140 0 0 .3. 9

COO-C-CH₂COOtBu ( L jl

CH₃ OH

3 6 実施例 34と同じ実施例 34と同じ 3 6m J /cm² ( i線） 0. 3 3 表 2 比較例

Claims

請求の範囲

1. a) アルカリ可溶性基を酸脱離基 aで保護した化合物および b) 放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物であつて、次の要件 a 1 ) 〜a 3) のいずれかを満足することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。

a 1 ) . アル力リ可溶性基がカルボキシル基であって、酸脱離基が一般式（ 1 ) で示される

R¹

-C— R (1) 2

(R ¹および R ²は芳香環であり、 R ³はアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、芳香環を示す。 [^〜1¾ ³はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。 )

a 2) . 酸脱離基 aが一般式（2) で示される

(R⁴〜R⁶はアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、芳香環のいずれかであり、 R⁴〜R⁶のうち少なくとも 1つが電子供与性基を有する芳香環である。 R⁴〜R ⁶はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。）

a 3) . 酸脱離基 aがアルカリ可溶性基を有するか、もしくは酸脱離基 aが. 酸脱離基 bで保護されたアル力リ可溶性基を有する

2. 要件 a l ) を満足する請求項 1記載のポジ型感放射線性組成物。

3. R，〜 R ³がそれぞれ独立にァリール基もしくは置換ァリール基であることを特徴とする請求項 2記載のポジ型感放射線性組成物。

4. 要件 a 2 ) を満足する請求項 1記載のポジ型感放射線性組成物。

5. a 2 ) の化合物のアルカリ可溶性基がカルボキシル基またはフエノール性水酸基である請求項 4記載のポジ型感放射線性組成物。

6. 電子供与性基を有する芳香環が一般式（3 ) で表される構造であることを特徴とする請求項 4記載のポジ型感放射線性組成物。

( R ⁸、 R ^{1 Q}、 R ^{1 2}はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1〜4のアルキル基、炭素数 1〜 6のアルコキシ基を表し、そのうち少なくとも一つは上記アルキル基もしくはアルコキシ基を表す。 R ⁹および R ^{1 1}はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1〜4のアルキル基、炭素数 1〜 6のアルコキシ基を表す。）

7. 電子供与性基が炭素数】〜 6のアルコキシ基である請求項 4記載のポジ型感放射線性組成物。

8. 要件 a 3 ) を満足する請求項 1記載のポジ型感放射線性組成物。

9. a 3) の化合物の酸脱離基 aがフエノール性水酸基を少なくとも一つ有するか、もしくは前記フェノール性水酸基をさらに酸脱離基 bで保護したものであることを特徴とする請求項 8記載のポジ型感放射線性組成物。

10. a 3) の化合物の酸脱離基 aがカルボキシル基を少なくとも一つ有するか、もしくは前記カルボキシル基をさらに酸脱離基 bで保護したものであることを特徴とする請求項 8記載のポジ型感放射線性組成物。

11. a 3) の化合物の酸脱離基 aが一般式（4) で表される基であることを特徴とする請求項 8記載のポジ型感放射線性組成物。，

R 13

-C一 R 14

(4)

R 15

(R ¹³〜R ¹⁵はそれぞれ独立にアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、ァリール基、置換ァリール基、アルカリ可溶性基を含む基、酸脱離基 bで保護されたアル力リ可溶性基を含む基のいずれかであり、少なくとも一つはアル力リ可溶性基を含む基または酸脱離基 bで保護されたアル力リ可溶性基を含む基である。 R¹³〜R ¹⁵はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。）

12.一般式（4) の R ¹³〜R¹⁵のうち少なくとも 1つが一般式（5) または（6) で表される基であることを特徴とする請求項〗 1記載のポジ型感放射線性組成物。

(5)

B—— COOY (6)

(Aは炭素数 1 〜4のアルキレン基、炭素数 6〜 1 0のァリ一レン基、単結合を表す。 Bは炭 ¾数 1 〜6のアルキレン基、炭素数 6〜 1 0のァリーレン基、炭素数 7〜 1 2のアルキレンァリーレン基、単結合を表す。 R ^{1 6}〜R ^{1 9} はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1 〜4のアルキル基を表す。 Yは酸脱離基 bまたは水素原子を表し、 mは 1〜3である。）

c R I 2

3

13.—般式（4) の R ^{1 3}〜R ^{1 5}のうち少 Cなくとも一つが一般式（7) で表される

o

基であることを特徴とする請求項 1 1記 Y載のポジ型感放射線性組成物。

8

(R ^{2 Q}および R ²¹はそれぞれ独立に水素原子、炭素数 1 〜 4のアルキル基を表す。 Yは酸脱離基 bまたは水素原子を表し、 mは 1〜3である。）

14.一般式（4) の R ¹³~R ¹⁵のうち少なくともーづが一般式（8) で表される構造であることを特徴とする請求項 1 1記載のポジ型感放射線性組成物。

R' 22

(R ²²および R ²³は水素原子、炭素数 1 〜4のアルキル基を表す。 Yは酸脱離基 bまたは水素原子を表す。）

15. a 1 ) 〜 a 3 ) の化合物が重量平均分子量 5000〜 50000の重合体であることを特徴とする請求項 1記載のポジ型感放射線性組成物。

16. al )〜a 3) の化合物が下記一般式（9) で表される構造単位を含む重合体であることを特徴とする請求項 1記載のポジ型感放射線性組成物

R²⁴

— CH₂-C ( 9 )

COOZ

(R ²⁴は水素原子、炭素数 1〜 4のアルキル基、シァノ基、ハロゲンを示す _c 乙は一般式（1 ) 、（2) または（4) で表される基である。）

17. a 2) または a 3) の化合物が一般式（1 0) で表される構造単位を含む重合体であることを特徴とする請求項 4または 8記載ポジ型感放射線性組成物 _c

(R ²³は水素原子、炭素数 1〜 4のアルキル基、シァノ基、ハロゲンを表す。

Xは一般式（2) または（4) で表される酸脱離基である。）

18. R ²⁴がシァノ基またはハロゲンであることを特徴とする請求項 1 6記載のポジ型感放射線性組成物。

1 9.請求項 1記載のポジ型感放射線性組成物を被加工基板上に塗布、乾燥、露光、現像するパターンの製造方法。 -

20.電子線により露光を行うことを特徴とする請求項 1 9記載のパターンの製造方法。